CN107112130A - 防止触电的装置以及包含防止触电的装置的电子装置 - Google Patents

防止触电的装置以及包含防止触电的装置的电子装置 Download PDF

Info

Publication number
CN107112130A
CN107112130A CN201680004441.6A CN201680004441A CN107112130A CN 107112130 A CN107112130 A CN 107112130A CN 201680004441 A CN201680004441 A CN 201680004441A CN 107112130 A CN107112130 A CN 107112130A
Authority
CN
China
Prior art keywords
esd
electrode
protective layers
width
electric shock
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201680004441.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN107112130B (zh
Inventor
赵承勳
许星珍
李东锡
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Moda Yinuoqin Ltd By Share Ltd
Moda Innochips Co Ltd
Original Assignee
Moda Yinuoqin Ltd By Share Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Moda Yinuoqin Ltd By Share Ltd filed Critical Moda Yinuoqin Ltd By Share Ltd
Priority claimed from PCT/KR2016/004747 external-priority patent/WO2016178529A1/ko
Publication of CN107112130A publication Critical patent/CN107112130A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN107112130B publication Critical patent/CN107112130B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/38Multiple capacitors, i.e. structural combinations of fixed capacitors
    • H01G4/385Single unit multiple capacitors, e.g. dual capacitor in one coil
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05FSTATIC ELECTRICITY; NATURALLY-OCCURRING ELECTRICITY
    • H05F3/00Carrying-off electrostatic charges
    • H05F3/04Carrying-off electrostatic charges by means of spark gaps or other discharge devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01CRESISTORS
    • H01C7/00Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
    • H01C7/10Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material voltage responsive, i.e. varistors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01CRESISTORS
    • H01C7/00Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
    • H01C7/10Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material voltage responsive, i.e. varistors
    • H01C7/12Overvoltage protection resistors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G2/00Details of capacitors not covered by a single one of groups H01G4/00-H01G11/00
    • H01G2/14Protection against electric or thermal overload
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002Details
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002Details
    • H01G4/005Electrodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002Details
    • H01G4/018Dielectrics
    • H01G4/06Solid dielectrics
    • H01G4/08Inorganic dielectrics
    • H01G4/12Ceramic dielectrics
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002Details
    • H01G4/018Dielectrics
    • H01G4/06Solid dielectrics
    • H01G4/08Inorganic dielectrics
    • H01G4/12Ceramic dielectrics
    • H01G4/1209Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002Details
    • H01G4/228Terminals
    • H01G4/232Terminals electrically connecting two or more layers of a stacked or rolled capacitor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002Details
    • H01G4/228Terminals
    • H01G4/248Terminals the terminals embracing or surrounding the capacitive element, e.g. caps
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/30Stacked capacitors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/33Thin- or thick-film capacitors 
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/40Structural combinations of fixed capacitors with other electric elements, the structure mainly consisting of a capacitor, e.g. RC combinations
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/60Protection against electrostatic charges or discharges, e.g. Faraday shields
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05FSTATIC ELECTRICITY; NATURALLY-OCCURRING ELECTRICITY
    • H05F3/00Carrying-off electrostatic charges
    • H05F3/02Carrying-off electrostatic charges by means of earthing connections
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K9/00Screening of apparatus or components against electric or magnetic fields
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K9/00Screening of apparatus or components against electric or magnetic fields
    • H05K9/0007Casings
    • H05K9/0009Casings with provisions to reduce EMI leakage through the joining parts
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K9/00Screening of apparatus or components against electric or magnetic fields
    • H05K9/0067Devices for protecting against damage from electrostatic discharge
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002Details
    • H01G4/005Electrodes
    • H01G4/012Form of non-self-supporting electrodes
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04BTRANSMISSION
    • H04B1/00Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/38Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
    • H04B1/3827Portable transceivers
    • H04B1/3888Arrangements for carrying or protecting transceivers
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04MTELEPHONIC COMMUNICATION
    • H04M1/00Substation equipment, e.g. for use by subscribers
    • H04M1/02Constructional features of telephone sets
    • H04M1/0202Portable telephone sets, e.g. cordless phones, mobile phones or bar type handsets

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
  • Thermistors And Varistors (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Ceramic Capacitors (AREA)

Abstract

本发明提供防止触电的装置以及包含所述装置的电子装置。防止触电的装置包含:堆叠式本体,其中多个绝缘薄片堆叠;电容器部分,包含安置于堆叠式本体中的多个内部电极;ESD保护部分,安置于堆叠式本体中且包含至少两个或大于两个放电电极以及安置在放电电极之间的至少一个ESD保护层;以及外部电极,安置于堆叠式本体外部的至少两个侧表面中的每一者上,且连接至电容器部分以及ESD保护部分,其中ESD保护层的至少一个区的厚度以及宽度中的至少一者不同于其他区的厚度以及宽度中的至少一者。

Description

防止触电的装置以及包含防止触电的装置的电子装置
技术领域
本发明是有关于用于防止触电(electric shock)的装置,且更特定言之,是有关于能够防止触电电压经由诸如智能电话的可充电电子装置(chargeable electronicdevice)传输至使用者的防止触电的装置。
背景技术
移动通信终端机(mobile communication terminal)的主要用途已自语音通信改变为数据通信服务,且接着演进至智能生活便利服务。又,随着智能电话(smartphone)多功能化,正使用各种频带。意即,已采用在一个智能电话中使用诸如无线LAN(wireless LAN)、蓝牙(bluetooth)以及GPS的不同频带的多个功能。又,随着电子装置高度整合,在有限空间中的内部电路密度增大。因此,必然可能会出现内部电路之间的噪声干扰。正使用用于抑制携带型电子装置的各种频率的噪声以及内部电路之间的噪声的多种电路保护装置。举例而言,正使用分别移除彼此不同的频带的噪声的聚光器(condenser)、芯片磁珠(chip bead)、共同模式滤波器(common mode filter),及类似者。
近年来,随着对智能电话的精致图像以及耐久性愈加看重,使用金属材料的终端机供应正在增多。意即,边界是使用金属制造或除前图像显示部分以外的其余壳是使用金属制造的智能电话的供应正在增多。
然而,因为未建置过电流保护电路(overcurrent protection circuit),或通过使用非正品充电器或使用低质量元件的有缺陷充电器执行充电,可能会出现冲击电流(Shock Current)。冲击电流可传输至智能电话的接地端子,且接着再次自接地端子传输至金属壳。因此,接触金属壳的使用者可能会受到电击。结果,在通过使用非正品充电器对使用金属壳的智能电话充电的同时使用智能电话时,可能会发生触电事故。
(现有技术文件)
韩国专利注册第10876206号
本发明的详细说明
发明内容
本发明提供一种防止触电的装置,所述防止触电的装置提供于诸如智能电话的电子装置中以防止使用者由于自充电器输入的冲击电流而受到电击。
本发明也提供一种防止触电的装置,其中不会由于静电放电(ESD,electrostaticdischarge)而出现介电质击穿(dielectric breakdown)。
技术解决方案
根据例示性实施例,一种防止触电的装置包含:堆叠式本体,其中多个绝缘薄片堆叠;电容器部分,包含安置于堆叠式本体中的多个内部电极;ESD保护部分,安置于堆叠式本体中且包含至少两个或大于两个放电电极以及安置在放电电极之间的至少一个ESD保护层;以及外部电极,安置于堆叠式本体外部的至少两个侧表面中的每一者上,且连接至电容器部分以及ESD保护部分,其中ESD保护层的至少一个区的厚度以及宽度中的至少一者不同于其他区的厚度以及宽度中的所述至少一者。
放电电极以及邻近于放电电极的内部电极中的每一者可连接至相同外部电极。
外部电极可延伸至堆叠式本体的上部以及下部部分中的至少一者以与内部电极部分重叠。
内部电极在一个方向上的长度可大于或等于放电电极的长度,且内部电极在垂直于一个方向的另一方向上的宽度可大于ESD保护层的宽度以及放电电极的宽度中的每一者。
ESD保护层可具有大于放电电极的宽度的宽度。
在放电电极与邻近于放电电极的内部电极之间的距离为A,放电电极之间的距离为B,且内部电极之间的距离为C时,可满足A≤C或A≤B。
ESD保护层可包含:至少一个ESD保护材料以及空隙,ESD保护材料包含多孔绝缘材料以及导电材料中的至少一者。
ESD保护层可垂直地或水平地安置在放电电极之间。
ESD保护层可安置于至少一个绝缘薄片上。
ESD保护层可具有多面体形状。
ESD保护层可具有中间区在一个方向上的宽度最宽且宽度朝向其下部以及上部部分中的每一者逐渐减小的形状。
ESD保护层可具有中心区处的厚度最厚且厚度自中心区朝向其两个边缘逐渐减小的形状。
ESD保护层可具有在一个方向上厚度减小且接着再次增加的形状。
ESD保护层的至少一部分可接触放电电极。
ESD保护材料可连接至放电电极中的至少一者,且空隙可界定于剩余区中。
ESD保护材料可安置于通孔内的至少一个区中,以使得ESD保护材料不会接触放电电极,且空隙可界定于通孔内的剩余区中。
可在堆叠式本体内水平地提供至少两个或大于两个电容器部分以及ESD保护部分。
内部电极可垂直地堆叠以形成一个电容器部分,且水平地布置以形成多个电容器部分。
外部电极中的一者可连接至电子装置的金属壳,且外部电极中的另一者可连接至接地端子以阻断触电电压且旁通ESD电压。
根据另一例示性实施例,防止触电的装置包含:堆叠式本体,其中多个绝缘薄片堆叠;电容器部分,包含安置于堆叠式本体中的多个内部电极;ESD保护部分,安置于绝缘薄片的至少一部分上以保护ESD电压;以及外部电极,安置于堆叠式本体外部的至少两个侧表面中的每一者上,且连接至电容器部分以及ESD保护部分,其中ESD保护部分包含至少两个或大于两个放电电极以及安置在放电电极之间的至少一个ESD保护层,ESD保护层的至少一个区的厚度以及宽度中的至少一者不同于其他区的厚度以及宽度中的所述至少一者,且内部电极在一个方向上的长度大于或等于放电电极的长度,内部电极在垂直于一个方向的另一方向上的宽度大于ESD保护层的宽度以及放电电极的宽度中的每一者,且ESD保护层具有大于放电电极的宽度的宽度。
在放电电极与邻近于放电电极的内部电极之间的距离为A,放电电极之间的距离为B,且内部电极之间的距离为C时,可满足A≤C或A≤B。
根据又一例示性实施例,一种电子装置包含安置在金属壳与内部电路之间以阻断触电电压且旁通ESD电压的防止触电的装置,其中防止触电的装置包含:堆叠式本体,其中多个绝缘薄片堆叠;电容器部分,包含安置于堆叠式本体中的多个内部电极;ESD保护部分,安置于绝缘薄片的至少一部分上以保护ESD电压;以及外部电极,安置于堆叠式本体外部的至少两个侧表面中的每一者上,且连接至电容器部分以及ESD保护部分,其中ESD保护部分包含至少两个或大于两个放电电极以及安置在放电电极之间的至少一个ESD保护层,ESD保护层的至少一个区的厚度以及宽度中的至少一者不同于其他区的厚度以及宽度中的所述至少一者,且内部电极在一个方向上的长度大于或等于放电电极的长度,内部电极在垂直于一个方向的另一方向上的宽度大于ESD保护层的宽度以及放电电极的宽度中的每一者,且ESD保护层具有大于放电电极的宽度的宽度。
放电电极以及邻近于放电电极的内部电极中的每一者可连接至相同外部电极。
在放电电极与邻近于放电电极的内部电极之间的距离为A,放电电极之间的距离为B,且内部电极之间的距离为C时,可满足A≤C或A≤B。
外部电极可延伸至堆叠式本体的上部以及下部部分中的至少一者以与内部电极部分重叠。
技术效果
根据例示性实施例的防止触电的装置可安置在电子装置的金属壳与内部电路之间,以阻断自内部电路的接地端子传输的触电电压。因此,可防止有缺陷的充电器中产生的触电电压自电子装置内的接地端子经由金属壳传输至使用者。又,防止触电的装置可包含ESD保护部分,且ESD保护部分可具有多孔结构以允许电流流动穿过细孔。因此,引入的ESD可旁通至接地端子以维持装置的绝缘状态。因此,可连续地阻断触电电压,且自外部施加的ESD电压可旁通至接地端子。
又,ESD保护层的至少一个区具有不同于ESD保护层的其他区的厚度以及宽度的厚度以及宽度。因此,可有效地分配及因此更有效地旁通ESD电压。
又,外部电极可在预定区域与内部电极的至少一部分重叠。因此,外部电极与内部电极之间可产生预定寄生电容。又,可调整外部电极与内部电极之间的重叠面积以调整防止触电的装置的电容。
又,ESD保护部分的放电电极以及邻近于放电电极的电容器部分的内部电极可连接至相同外部电极。因此,尽管绝缘薄片绝缘失效,但可防止施加ESD电压。
附图说明
图1为根据例示性实施例的防止触电的装置的透视图。
图2以及图3分别为沿图1的线A-A′以及B-B′截取的横截面图。
图4为根据例示性实施例的防止触电的装置的等效电路图。
图5至图6为说明根据例示性实施例的防止触电的装置的ESD保护层的横截面图以及横截面相片。
图7为根据另一例示性实施例的防止触电的装置的横截面图。
图8为根据又一例示性实施例的防止触电的装置的横截面图。
图9至图11为说明根据例示性实施例的防止触电的装置的ESD保护部分的经修改实例的示意性横截面图。
图12至图18为说明根据例示性实施例的防止触电的装置的ESD保护部分的经修改实例的示意性横截面图。
图19至图22为说明根据又一例示性实施例的防止触电的装置的经修改实例的示意图。
图23至图26为根据又一例示性实施例的防止触电的装置的横截面图。
图27至图30为根据又一例示性实施例的防止触电的装置的横截面图。
具体实施方式
在下文中,将参看随附附图详细地描述特定实施例。然而,可以不同形式体现本发明,且不应将本发明解释为限于本文中所阐述的实施例。实际上,提供此等实施例以使得本发明将为透彻且完整的,且将向所属领域中技术人员充分传达本发明的范畴。
图1为根据例示性实施例的防止触电的装置的透视图,图2为沿图1的线A-A′截取的横截面图,且图3沿图1的线B-B′截取的横截面图。又,图4为等效电路图。
参考图1至图4,根据例示性实施例的防止触电的装置可包含:堆叠式本体(1000),其中多个绝缘薄片(100;101至111)堆叠;至少一个电容器部分(2000、4000),提供于堆叠式本体(1000)中且包含多个内部电极(200;201至208);以及ESD保护部分(3000),包含至少一个放电电极(310;311、312)以及ESD保护层(320)。举例而言,第一电容器部分以及第二电容器部分(2000、4000)可安置于堆叠式本体(1000)中,且ESD保护层(3000)可安置于第一电容器部分与第二电容器部分(2000、4000)之间。意即,第一电容器部分(2000)、ESD保护部分(3000)以及第二电容器部分(4000)堆叠在堆叠式本体(1000)中以实现防止触电的装置。又,所述防止触电的装置可还包含安置于堆叠式本体(1000)的面向彼此的两个侧表面上以将第一电容器部分及第二电容器部分(2000、4000)连接至ESD保护部分(3000)的外部电极(5100、5200;5000)。或者,所述防止触电的装置可包含至少一个电容器部分以及至少一个ESD保护部分。意即,一个电容器部分可安置于ESD保护部分(3000)下方或上方,且至少一个电容器部分可安置于彼此隔开的至少两个ESD保护部分(3000)上方以及下方。所述防止触电的装置可安置于电子装置的内部电路(例如,PCB)与金属壳之间以阻断触电电压,且将ESD电压旁通至接地端子。又,因为绝缘不会因ESD失效,所以可持续地阻断触电电压。
堆叠式本体(1000)可通过堆叠多个绝缘薄片(101至111;100)而加以制造。堆叠式本体(1000)可具有大致六面体形状,其具有在一个方向(例如,X方向)及垂直于所述一个方向的另一方向(例如,Y方向)上的预定长度以及在垂直方向(例如,Z方向)上的预定高度。意即,在外部电极(5000)的形成方向定义为X方向时,水平地垂直于X方向的方向可定义为Y方向,且X方向的垂直方向可定义为Z方向。此处,在X方向上的长度可大于在Y方向上的长度以及在Z方向上的长度中的每一者。在Y方向上的长度可等于或不同于在Z方向上的长度。在Y方向与Z方向上的长度彼此不同时,在Y方向上的长度可大于或小于在Z方向上的长度。举例而言,在X方向、Y方向与Z方向上的长度的比率可为2至5∶1∶0.5至1。意即,在X方向上的长度可为在Y方向上的长度的2倍至5倍,且在Z方向上的长度可为在在Y方向上的长度的0.5倍至1倍。然而,在X、Y以及Z方向上的长度可仅为实例。举例而言,在X、Y以及Z方向上的长度可根据连接至防止触电的装置的电子装置的内部结构以及防止触电的装置的形状而以不同方式变化。又,至少一个电容器部分(2000、4000)以及至少一个ESD保护部分(3000)可提供于堆叠式本体(1000)中。举例而言,第一电容器部分(2000)、ESD保护部分(3000)以及第二电容器部分(4000)可安置于薄片(100)的堆叠方向,即Z方向上。多个绝缘薄片(100)中的每一者可具有预定介电常数,例如10至20,000的介电常数。绝缘薄片(100)中的每一者可由含有诸如MLCC、BaTiO3、BaCO3、TiO2、Nd2O3、Bi2O3、ZnO以及Al2O3的介电材料粉末中的至少一者的材料形成。又,多个绝缘薄片(100)可具有相同厚度,或至少一个绝缘薄片(100)可具有大于或小于其他绝缘薄片(100)的厚度的厚度。意即,ESD保护部分(3000)的绝缘薄片可具有不同于第一电容器部分以及第二电容器部分(2000、4000)中的每一者的绝缘薄片的厚度的厚度。又,安置于ESD保护部件(3000)与第一电容器部分以及第二电容器部分(2000、4000)之间的绝缘薄片中的每一者可具有不同于其他绝缘薄片的厚度的厚度。举例而言,安置于ESD保护部分(3000)与第一电容器部分以及第二电容器部分(2000、4000)之间的绝缘薄片中的每一者,即第五绝缘薄片以及第七绝缘薄片(105、107)中的每一者,可具有小于或等于ESD保护部分(3000)的绝缘薄片的厚度的厚度(即,第六绝缘薄片(106))或具有小于或等于安置于第一电容器部分与第二电容器部分(2000、4000)的内部电极之间的绝缘薄片(102至104、108至110)中的每一者的厚度的厚度。意即,ESD保护部分(3000)与第一电容器部分以及第二电容器部分(2000、4000)中的每一者之间的空间可小于或等于第一电容器部分与第二电容器部分(2000、4000)的内部电极之间的空间,或可小于或等于ESD保护部分(3000)的厚度。或者,第一电容器部分2000)与第二电容器部分(4000)的绝缘薄片(102至104、108至110)可具有相同厚度,或一个绝缘薄片可具有小于或大于其他绝缘薄片的厚度的厚度。绝缘薄片(100)中的每一者可具有在施加ESD时绝缘薄片不会破裂的厚度,即,为5μm至约300μm的厚度。又,堆叠式本体(1000)可还包含下部盖层(未示出)以及上部盖层(未示出),其分别安置于第一电容器部分以及第二电容器部分(2000、4000)中的每一者的上部部分与下部部分上。或者,第一绝缘薄片(101)可充当下部盖层,且第十一绝缘薄片(111)可充当上部盖层。下部盖层以及上部盖层可通过将多个铁氧体薄片堆叠在彼此之上而制备且具有相同厚度。此处,非磁性薄片,例如由玻璃材料形成的薄片,可进一步安置于由铁氧体薄片构成的下部盖层以及上部盖层的最外部分(即,所述盖层的下部部分以及上部部分的表面)上。又,下部盖层以及上部盖层中的每一者可具有大于其中的绝缘薄片(即,第二绝缘薄片至第十绝缘薄片(102至110))中的每一者的厚度的厚度。因此,在第一绝缘薄片以及第十一绝缘薄片(101、111)分别充当下部盖层与上部盖层时,第一绝缘薄片以及第十一绝缘薄片(101、111)中的每一者可具有大于第二绝缘薄片至第十绝缘薄片(102至110)中的每一者的厚度的厚度。
第一电容器部分(2000)可安置于ESD保护部分(3000)下方,且包含至少两个内部电极以及在所述至少两个内部电极之间的至少两个绝缘薄片。举例而言,第一电容器部分(2000)可包含第一绝缘薄片至第四绝缘薄片(101至104)以及分别安置于第一绝缘薄片至第四绝缘薄片(101至104)上的第一内部电极至第四内部电极(201至204)。举例而言,第一内部电极至第四内部电极(201至204)中的每一者可具有为1μm至10μm的厚度。此处,第一内部电极至第四内部电极(201至204)可具有连接至外部电极(5100、5200;5000)(在X方向上面向彼此)的一侧以及彼此隔开的另一侧。第一内部电极与第三内部电极(201、203)分别具有在第一绝缘薄片与第三绝缘薄片(101、103)上的预定区域。又,第一内部电极以及第三内部电极(201、203)中的每一者使一侧连接至第一外部电极(5100),且使另一侧与第二外部电极(5200)隔开。第二内部电极与第四内部电极(202、204)可分别具有在第二绝缘薄片与第四绝缘薄片(102、104)上的预定区域。又,第二内部电极以及第四内部电极(202、204)中的每一者可使一侧连接至第二外部电极(5200),且使另一侧与第一外部电极(5100)隔开。意即,第一内部电极至第四内部电极(201至204)可交替地连接至外部电极(5000)中的一者,以允许第一内部电极至第四内部电极(201至204)的预定区域分别与第二绝缘薄片至第四绝缘薄片(101至104)重叠,其中第二绝缘薄片至第四绝缘薄片(101至104)处于其间。此处,第一内部电极至第四内部电极(201至204)中的每一者具有对应于第一绝缘薄片至第四绝缘薄片(101至104)中的每一者的面积的10%至85%的面积。又,第一内部电极至第四内部电极(201至204)中的每一者的面积与其总面积的10%至85%可重叠。第一内部电极至第四内部电极(201至204)中的每一者可具有各种形状,诸如具有预定宽度以及距离的正方形形状、矩形形状、预定图案形状以及螺旋形形状。第一电容器部分(2000)在第一内部电极至第四内部电极(201至204)之间具有电容。可根据第一内部电极至第四内部电极(201至204)中的每一者的重叠面积以及绝缘薄片(101至104)中的每一者的厚度来调整所述电容。除了第一内部电极至第四内部电极(201至204)之外,第一电容器部分(2000)可还包含至少一个内部电极以及至少一个绝缘薄片,所述至少一个内部电极安置于所述至少一个绝缘薄片上。又,第一电容器部分(2000)可包含两个内部电极。尽管作为一实例而描述包含四个内部电极的第一电容器部分(2000),但可提供至少两个内部电极,即多个内部电极。
ESD保护部分(3000)可包含垂直地彼此隔开的至少两个放电电极(310;311、312)以及安置于至少两个放电电极(310)之间的至少一个ESD保护层(320)。举例而言,ESD保护部分(3000)可包含第五绝缘薄片以及第六绝缘薄片(105、106)、分别安置于第五绝缘薄片与第六绝缘薄片(105、106)上的第一放电电极与第二放电电极(311、312),以及安置于第六绝缘薄片(106)上的ESD保护层。此处,ESD保护层(320)可使至少一部分接触第一放电电极以及第二放电电极(311、312)。第一放电电极以及第二放电电极(311、312)可具有与电容器部分(2000、4000)的内部电极(200)中的每一者相同的厚度。举例而言,第一放电电极以及第二放电电极(311、312)中的每一者可具有为1μm至10μm的厚度。然而,第一放电电极以及第二放电电极(311、312)中的每一者可具有小于电容器部分(2000、4000)中的每一者的内部电极(200)的厚度的厚度。又,第一放电电极以及第二放电电极(311、312)中的每一者可具有小于电容器部分(2000、4000)的内部电极(200)中的每一者的长度以及宽度的长度以及宽度。意即,第一放电电极以及第二放电电极(311、312)中的每一者可具有小于内部电极(200)中的每一者在X方向上的长度的长度以及小于内部电极(200)中的每一者在Y方向上的宽度的宽度。举例而言,第一放电电极以及第二放电电极(311、312)中的每一者可具有对应于内部电极(200)中的每一者在X方向上的长度的50%至90%的长度以及对应于内部电极(200)中的每一者在Y方向上的宽度的10%至60%的宽度。第一放电电极(311)可连接至第一外部电极(5100)且安置于第五绝缘薄片(105)上,且使一端连接至ESD保护层(320)。第二放电电极(312)连接至第二外部电极(5200),且安置于第六绝缘薄片(106)上,且使一端连接至ESD保护层(320)。此处,第一放电电极以及第二放电电极(311、312)中的每一者的接触ESD保护层(320)的至少一个面积可等于或小于ESD保护层(320)的面积。意即,ESD保护层(320)的至少一部分可在X以及Y方向上与第一放电电极以及第二放电电极(311、312)中的每一者重叠。又,第一放电电极以及第二放电电极(311、312)在X方向上可与ESD保护层(320)完全重叠而不超出ESD保护层(320)。因此,第一放电电极以及第二放电电极(311、312)在X方向上的边缘可垂直地匹配ESD保护层(320)的边缘以形成垂直组件。或者,第一放电电极以及第二放电电极(311、312)可在X方向上与ESD保护层(320)的一部分重叠。举例而言,第一放电电极以及第二放电电极(311、312)中的每一者可在X方向上与ESD保护层(320)的水平区域的10%至100%重叠。结果,可形成第一放电电极以及第二放电电极(311、312)中的每一者的端部而不超出ESD保护层(320)。又,第一放电电极以及第二放电电极(311、312)中的每一者可在Y方向上小于ESD保护层(320)。意即,如图3中所说明,在ESD保护层(320)的中心部分处,第一放电电极以及第二放电电极(311、312)中的每一者可在Y方向上具有小于ESD保护层(320)的宽度的宽度。举例而言,第一放电电极以及第二放电电极(311、312)中的每一者可在Y方向上与ESD保护层(320)的宽度的10%至95%重叠。第一放电电极以及第二放电电极(311、312)中的每一者的接触ESD保护层(320)的面积可大于第一放电电极以及第二放电电极(311、312)中的每一者的不接触ESD保护层(320)的面积重叠。ESD保护层(320)可连接至第六绝缘薄片(106)的预定区域。举例而言,ESD保护层(320)可安置于中心部分处且连接至第一放电电极以及第二放电电极(311、312)。此处,ESD保护层(320)的至少一部分可与第一放电电极以及第二放电电极(311、312)中的每一者重叠。举例而言,ESD保护层(320)在X方向上的10%至100%可与第一放电电极以及第二放电电极(311、312)中的每一者重叠,且ESD保护层(320)在Y方向上的10%至95%可与第一放电电极以及第二放电电极(311、312)中的每一者重叠。因此,在X方向上ESD保护层(320)与第一放电电极以及第二放电电极(311、312)中的每一者之间的重叠比率可等于或大于在Y方向上ESD保护层(320)与第一放电电极以及第二放电电极(311、312)中的每一者之间的重叠比率。又,ESD保护层(320)在Y方向上的宽度可小于内部电极(200)的宽度。举例而言,ESD保护层(320)在Y方向上的宽度可对应于内部电极(200)的宽度的40%至90%。因此,ESD保护层(320)可在Y方向上具有小于内部电极的宽度且大于放电电极(310)的宽度的宽度。ESD保护层(320)可在预定区域(例如,第六绝缘薄片(106)的中心部分)中具有具预定大小的通孔。接着,可经由厚膜印刷过程通过使用ESD保护材料涂覆或填充通孔的至少一部分。举例而言,ESD保护层(330)可具有为100μm至500μm的直径以及为10μm至50μm的厚度。此处,在ESD保护层(320)的厚度较薄时,放电开始电压可能会减小。ESD保护层(320)可由导电材料以及绝缘材料形成。举例而言,可将导电陶瓷以及绝缘陶瓷的混合材料印刷于第六绝缘薄片(106)上以形成ESD保护层(320)。又,可将ESD保护材料涂覆至或填充至至少一部分中以形成ESD保护层(320)。举例而言,ESD保护层(320)的横截面可具有多边形形状,诸如矩形形状。又,可通过将ESD保护材料涂覆至形成于第六绝缘薄片(106)中的通孔的侧表面或仅将ESD保护材料涂覆或填充至通孔的至少一个区而形成ESD保护层(320)。又,ESD保护层(320)的至少一个区具有不同于ESD保护层的其他区的厚度以及宽度的厚度以及宽度。意即,ESD保护层(320)可具有在X方向上的宽度以及在Y方向上的宽度,其大于在Z方向上的厚度。举例而言,ESD保护层(320)可具有大致椭圆形形状,其在X方向以及Y方向中的每一者上的宽度大于在Z方向上的厚度。又,ESD保护层(320)的至少一个区可具有不同于ESD保护层的其他区的厚度的厚度。举例而言,在X方向以及Y方向上在中心部分处的垂直距离可能最大,且自中心部分至边缘的垂直距离可逐渐减小。此处,最大垂直距离与最小垂直距离之间的比率可为5∶1至2∶1。ESD保护层(320)可安置于至少一个绝缘薄片(100)上。意即,ESD保护层(320)可安置于垂直地堆叠在彼此之上的至少一个绝缘薄片(100)(例如,两个绝缘薄片(100))上。此处,放电电极可彼此隔开地安置于绝缘薄片(100)上且连接至ESD保护层(320)。稍后将更详细地描述ESD保护层(320)的结构以及材料。
第二电容器部分(4000)可安置于ESD保护部分(3000)上方,且包含至少两个内部电极以及在所述至少两个内部电极之间的至少两个绝缘薄片。举例而言,第二电容器部分(2000)可包含第七绝缘薄片至第十绝缘薄片(107至110)以及分别安置于第七绝缘薄片至第十绝缘薄片(107至110)上的第五内部电极至第八内部电极(205至208)。此处,第五内部电极至第八内部电极(205至208)可具有连接至外部电极(5100、5200;5000)(在X方向上面向彼此)的一侧以及彼此隔开的另一侧。第五内部电极以及第七内部电极(205、207)中的每一者在第七绝缘薄片以及第九绝缘薄片(107、109)中的每一者上具有预定面积。又,第五内部电极以及第七内部电极(205、207)中的每一者使一侧连接至第一外部电极(5100),且使另一侧与第二外部电极(5200)隔开。第六内部电极与第八内部电极(206、208)可分别在第八绝缘薄片与第十绝缘薄片(108、110)上具有预定面积。又,第二内部电极以及第四内部电极(202、204)中的每一者可使一侧连接至第二外部电极(5200),且使另一侧与第一外部电极(5100)隔开。意即,第五内部电极至第八内部电极(205至208)可交替地连接至外部电极(5000)中的一者以允许第五内部电极至第八内部电极(205至208)的预定面积分别与第八绝缘薄片至第十绝缘薄片(108至110)重叠,其中第八绝缘薄片至第十绝缘薄片(108至110)处于其间。此处,第五内部电极至第八内部电极(205至208)中的每一者具有对应于第七绝缘薄片至第十绝缘薄片(107至110)中的每一者的面积的10%至85%的面积。又,第五内部电极至第八内部电极(205至208)中的每一者的面积与其总面积的10%至85%可重叠。举例而言,第五内部电极至第八内部电极(205至208)中的每一者可具有为1μm至10μm的厚度。第五内部电极至第八内部电极(205至208)中的每一者可具有各种形状,诸如具有预定宽度以及距离的正方形形状、矩形形状、预定图案形状以及螺旋形形状。第二电容器部分(4000)在第五内部电极至第八内部电极(205至208)之间具有电容。可根据第五内部电极至第八内部电极(205至208)中的每一者的重叠面积以及绝缘薄片(108至110)中的每一者的厚度来调整所述电容。除了第三内部电极与第四内部电极(203、204)之外,第二电容器部分(4000)可还包含至少一个内部电极以及至少一个绝缘薄片,所述至少一个内部电极安置于所述至少一个绝缘薄片上。又,第二电容器部分(4000)可包含两个内部电极。尽管作为一实例而描述包含四个内部电极的第二电容器部分(4000),但可提供至少两个内部电极,即多个内部电极。
第一电容器部分(2000)的内部电极(201至204)中的每一者与第二电容器部分(4000)的内部电极(205至208)中的每一者可具有相同形状以及面积,且也具有相同重叠面积。又,第一电容器部分(2000)的绝缘薄片(101至104)中的每一者与第二电容器部分(4000)的绝缘薄片(107至110)中的每一者可具有相同厚度。此处,在第一绝缘薄片(101)充当下部盖层时,第一绝缘薄片(101)可具有大于其余绝缘薄片中的每一者的厚度的厚度。因此,第一电容器部分与第二电容器部分(2000、4000)可具有相同电容。然而,第一电容器部分与第二电容器部分(2000、4000)可具有彼此不同的电容。在此情况下,内部电极的面积中的至少一者、内部电极的重叠面积以及绝缘薄片的厚度可彼此不同。又,电容器部分(2000、4000)的内部电极(201至208)中的每一者可具有大于ESD保护部分(3000)的放电电极(310)的长度以及面积的长度以及面积。意即,如图2中所说明,内部电极(200)具有大于放电电极(310)在X方向上的长度的长度。又,如图3中所说明,内部电极(200)具有大于放电电极(310)在垂直于X方向的Y方向上的面积的面积。又,ESD保护层(320)在Y方向上的宽度可大于放电电极(310)的宽度,且小于内部电极(200)的宽度。因此,内部电极(200)可具有大于放电电极(310)的面积的面积。
外部电极(5100、5200;5000)安置于堆叠式本体(1000)的面向彼此的两个侧表面上,且连接至第一电容器部分及第二电容器部分(2000、4000)以及ESD保护部分(3000)的内部电极。外部电极5000中的每一者可提供为至少一个层。外部电极(5000)可由诸如Ag的金属层形成,且至少一个镀层可安置于金属层上。举例而言,外部电极(5000)可通过堆叠铜层、Ni镀层以及Sn或Sn/Ag镀层而形成。又,外部电极(5000)可通过混合(例如)使用0.5%至20%的Bi2O3或SiO2作为主要成分的多组分玻璃粉(Glass frit)与金属粉末而形成。此处,玻璃粉与金属粉末的混合物可制备成膏体形式,且涂覆至堆叠式本体(1000)的两个表面。如上文所描述,因为玻璃粉含于外部电极(5000)中,因此可改良外部电极(5000)与堆叠式本体(1000)之间的黏着力,且可改良内部电极(200)与外部电极(5000)之间的接触反应。又,在涂覆含有玻璃的导电膏之后,至少一个镀层可安置于导电膏上以形成外部电极(5000)。意即,可提供含有玻璃的金属层,且至少一个镀层可安置于所述金属层上以形成外部电极(5000)。举例而言,在外部电极(5000)中,在形成含有玻璃粉以及Ag与Cu中的至少一者的层之后,可执行电镀或无电极镀敷以连续地形成Ni镀层以及Sn镀层。此处,Sn镀层可具有等于或大于Ni镀层的厚度的厚度。外部电极(5000)可具有为2μm至100μm的厚度。此处,Ni镀层可具有为1μm至10μm的厚度,且Sn或Sn/Ag镀层可具有为2μm至10μm的厚度。
又,在形成外部电极(5000)之前,氧化物粉末可分配在堆叠式本体的表面上。此处,可在形成外部电极(5000)的一部分之前经由印刷制程而形成或在执行镀敷过程之前分配氧化物粉末。意即,在经由镀敷过程形成外部电极(5000)时,可在镀敷过程之前将氧化物粉末分配在堆叠式本体的表面上。因为氧化物粉末是在镀敷过程之前分配,因此堆叠式本体的表面上的电阻可均一,且因此,可均一地执行镀敷过程。意即,堆叠式本体的表面的至少一区域上的电阻可能不同于堆叠式本体的表面的其他区域上的电阻。举例而言,在执行镀敷过程时,较之于具有相对高电阻的区域,镀敷过程可能在具有相对低电阻的区域上执行地更好,从而引起镀层生长中的不均一性。因此,为解决上述限制,必须均一地维持堆叠式本体的表面电阻。为此,氧化物粉末可分配在堆叠式本体的表面上。此处,氧化物粉末可分配在堆叠式本体的整个表面上,且提供为层的形式。或者,氧化物粉末可部分地分配在堆叠式本体的表面上。此处,氧化物粉末可以层的形式分配在至少一个区域上,且部分地分配在至少一个区域上。举例而言,氧化物粉末可分配在堆叠式本体的整个表面上,且接着经连接以形成具有预定厚度的氧化物层。此处,因为氧化物层形成于堆叠式本体的表面上,因此堆叠式本体的表面可不曝露。又,氧化物粉末可以岛状物(island)形式分配在堆叠式本体的表面。意即,氧化物粉末可以岛状物形式彼此隔开地安置于堆叠式本体的表面上。因此,堆叠式本体的表面的至少一部分可能曝露。又,氧化物粉末可以层形式形成于至少一个区域上,且以岛状物形式分配在堆叠式本体的表面的至少一部分上。意即,至少两个氧化物粉末可彼此连接以在至少一个区域上形成层且在至少一个区域上形成岛状物形状。意即,氧化物粉末可以岛状物形式彼此隔开地安置于堆叠式本体的表面上。因此,堆叠式本体的表面的至少一部分可曝露。以岛状物形式分配在堆叠表面的表面的至少一部分上的氧化物粉末的总面积可为(例如)堆叠式本体的表面的总面积的10%至80%。此处,至少一种金属氧化物可用作氧化物粉末用于实现堆叠式本体的均一表面电阻。举例而言,包含Bi2O3、BO2、B2O3、ZnO、Co3O4、SiO2、Al2O3以及MnO的至少一种材料可用作氧化物粉末。
此处,ESD保护部分(3000)与电容器部分(2000、4000)中的每一者之间的距离可小于或等于电容器部分(2000、4000)内的两个内部电极之间的距离。意即,安置于ESD保护部分(3000)与电容器部分(2000、4000)中的每一者之间的第五绝缘薄片以及第七绝缘薄片(105、107)中的每一者可具有小于或等于安置于电容器部分(2000、4000)内的内部电极(200)之间的绝缘薄片(102至104、107至110)中的每一者的厚度的厚度。又,ESD保护部分(3000)与电容器部分(2000、4000)中的每一者之间的距离可小于或等于ESD保护部分(3000)的两个放电电极(310)之间的距离。也即,安置于ESD保护部分(3000)与电容器部分(2000、4000)中的每一者之间的第五绝缘薄片以及第七绝缘薄片(105、107)中的每一者可具有小于或等于安置有ESD保护层(320)的第六绝缘薄片(106)的厚度的厚度。结果,安置于ESD保护部分(3000)与电容器部分(2000、4000)中的每一者之间的第五绝缘薄片以及第七绝缘薄片(105、107)中的每一者可具有小于或等于安置于电容器部分(2000、4000)内的内部电极(200)之间的绝缘薄片(102至104、107至110)中的每一者的厚度的厚度,或具有小于或等于ESD保护部分(3000)的两个放电电极(310)之间的距离(B)的厚度。意即,若ESD保护部分(3000)与电容器部分(2000、4000)之间的距离为A1以及A2,电容器部分(2000、4000)内的两个内部电极之间的距离为C1以及C2,且ESD保护部分(3000)的两个放电电极(300)之间的距离为B,则可满足以下由A1=A2≤C1=C2或A1=A2≤B表达的式子。或者,距离A1可不同于距离A2,且距离C1可不同于距离C2。最下部绝缘薄片以及最上部绝缘薄片(即,第一绝缘薄片以及第十一绝缘薄片(101、111))中的每一者可具有大于10μm的厚度,且对应于堆叠式本体(1000)的厚度的50%或小于50%。此处,在第一绝缘薄片(101)与第十一绝缘薄片(111)分别具有厚度D1与D2时,可满足以下由B≤D1=D2表达的式子,其中厚度D1可不同于厚度D2。
尽管根据例示性实施例提供在堆叠式本体(1000)内包含一个ESD保护层(320)的ESD保护部分(3000),但可提供两个或大于两个ESD保护层(320),即多个ESD保护层,且ESD保护部分(3000)可提供多个。举例而言,至少两个ESD保护层(320)可垂直地安置,且放电电极可进一步安置于所述ESD保护层(320)之间以使得可通过至少一个电容器部分以及至少两个ESD保护部分构成一个防止触电的装置。又,电容器部分(2000、4000)的内部电极(200)以及ESD保护部分(3000)的放电电极(310)及ESD保护层(320)可在Y方向上提供至少两个或大于两个。因此,可在一个堆叠式本体1000内提供彼此平行的多个防止触电的装置。
又,防止触电的装置具有在一个方向(意即X方向)上0.3mm至1.1mm的长度L、在垂直于一个方向的另一方向(意即Y方向)上W 0.15mm至0.55mm的宽度以及在Z方向上0.15mm至0.55mm的高度。举例而言,防止触电的装置的长度、宽度以及厚度可分别为0.9mm至1.1mm、0.45mm至0.55mm以及0.45mm至0.55mm;或0.55mm至0.65mm、0.25mm至0.35mm以及0.25mm至0.35mm;或0.35mm至0.45mm、0.15mm至0.25mm以及0.15mm至0.25mm。意即,防止触电的装置可具有2至3∶1至2∶1至2的长度∶宽度∶厚度的比率。较佳地,长度×宽度×厚度可为1.0mm×0.5mm×0.5mm、0.6mm×0.3mm×0.3mm以及0.4mm×0.2mm×0.2mm。意即,防止触电的装置可具有2∶1∶1的长度∶宽度∶厚度的比率。装置的尺寸可基于典型SMT装置的标准。此处,举例而言,根据装置的大小,ESD保护层(320)可具有50μm至500μm的宽度以及5μm至50μm的厚度。举例而言,在具有1.0mm×0.5mm×0.5mm、0.6mm×0.3mm×0.3mm以及0.4mm×0.2mm×0.2mm的长度×宽度×厚度的装置中,ESD保护层320可具有50μm至450μm的宽度以及5μm至50μm的厚度。
图5至图6为说明根据例示性实施例的防止触电的装置的ESD保护层(320)的横截面图以及横截面相片。意即,ESD保护层(300)的至少一个区可具有小于ESD保护层的其他区的厚度的厚度。图5至图6说明ESD保护层(320)的一部分的示意性放大横截面图以及横截面相片。
如图5的(a)以及图6的(a)中所说明,可通过混合导电材料与绝缘材料而形成ESD保护层(320)。举例而言,导电陶瓷以及绝缘陶瓷可彼此混合以形成ESD保护层(320)。在此情况下,可通过以例如10∶90至90∶10的混合比率混合导电陶瓷与绝缘陶瓷而形成ESD保护层(320)。绝缘陶瓷的混合比率愈大,放电开始电压愈大。又,导电陶瓷的混合比率愈大,放电开始电压愈小。因此,可调整导电陶瓷与绝缘陶瓷的混合比率以获得预定放电开始电压。此处,多个孔(未示出)可形成于ESD保护层(320)中。因为形成了孔,因此可更容易地旁通ESD电压。
又,ESD保护层(320)可具有堆叠了导电层与绝缘层的预定堆叠结构。意即,导电层与绝缘层可堆叠至少一次以便彼此分隔,由此形成ESD保护层(320)。举例而言,ESD保护层(320)可具有堆叠了导电层与绝缘层的两层结构或堆叠了导电层、绝缘层以及导电层的三层结构。又,导电层(321)以及绝缘层(322)可堆叠若干次以形成至少三层结构。举例而言,如图5的(b)中所说明,可形成具有堆叠了第一导电层(321a)、绝缘层(322)以及第二导电层(321b)的三层结构的ESD保护层(320)。图6的(b)说明在安置于绝缘薄片之间的内部电极之间具有三层结构的ESD保护层的相片。在导电层与绝缘层堆叠若干次时,导电层可安置在最上部层以及最下部层处。此处,多个孔(未示出)可形成于导电层(321)以及绝缘层(322)中的每一者的至少一部分中。举例而言,因为安置于导电层(321)之间的绝缘层具有多孔结构,因此多个孔可形成于绝缘层(322)中。
又,空隙可进一步形成于ESD保护层(320)的预定区域中。举例而言,空隙可经形成于混合了导电材料与绝缘材料的层之间或形成于导电层与绝缘层之间。意即,可堆叠混合了导电层与绝缘材料的第一混合层、空隙以及第二混合层,或可堆叠导电层、空隙以及绝缘层。举例而言,如图5的(c)中所说明,第一导电层(321a)、第一绝缘层(322a)、空隙(323)、第二绝缘层(322b)以及第二导电层(321b)可经堆叠以形成ESD保护层(320)。意即,绝缘层(322)可安置于导电层(321)之间,且空隙可形成于绝缘层(322)之间。图6的(c)说明具有上述堆叠结构的ESD保护层(320)的横截面的相片。或者,导电层、绝缘层以及空隙可重复堆叠以形成ESD保护层(320)。在堆叠导电层(321)、绝缘层(322)以及空隙(323)时,导电层(321)、绝缘层(322)与空隙(323)可具有相同厚度,或导电层(321)、绝缘层(322)以及空隙(323)中的至少一者可具有小于其他组件的厚度的厚度。举例而言,空隙(323)可具有小于导电层(321)以及绝缘层(322)中的每一者的厚度的厚度。又,导电层(321)可具有与绝缘层(322)相同的厚度,或具有大于或小于绝缘层(322)的厚度的厚度。在填充聚合物材料之后可执行燃烧过程,且接着,可移除聚合物材料以形成空隙(323)。举例而言,含有导电陶瓷的第一聚合物材料、含有绝缘陶瓷的第二聚合物材料以及不含导电陶瓷或绝缘陶瓷的第三聚合物材料可填充至介层孔中,且接着,执行燃烧过程以移除聚合物材料,由此形成导电层、绝缘层以及空隙。空隙(323)可经形成而不与其他层分离。举例而言,绝缘层(322)可安置于导电层(321a、321b)之间,且多个空隙垂直地或水平地连接至绝缘层(322)的内部以形成空隙(323)。意即,空隙(323)可提供为绝缘层(322)内的多个孔。或者,空隙(323)可作为多个孔形成于导电层(321)中。
又,在ESD保护层(320)中,含有多孔绝缘材料以及导电材料的ESD保护材料可涂覆至孔洞的一部分,但不涂覆至其他部分,以形成空隙。或者,在ESD保护层(320)中,ESD保护材料形成于通孔中,且空隙可形成于两个放电电极(311、312)之间。
用于ESD保护层(320)的导电层(321)可具有预定电阻以允许电流流动。举例而言,导电层(321)可为具有若干Ω至数十MΩ电阻的电阻器。在过量引入诸如ESD的电压时,导电层(321)可降低能量位准以防止防止触电的装置因过电压而在结构上断裂。意即,导电层(321)可充当将电能转化为热能的散热片(heat sink)。可通过使用导电陶瓷而形成导电层(321)。导电陶瓷可使用含有La、Ni、Co、Cu、Zn、Ru、Ag、Pd、Pt、W、Fe以及Bi中的至少一者的混合物。又,导电层321可具有为1μm至50μm的厚度。意即,在导电层321提供为多个层时,导电层321的厚度的总和可为1μm至50μm。
又,用于ESD保护层(320)的绝缘层(322)可由放电诱发材料形成以充当具有多孔结构的电障壁。绝缘层(322)可由绝缘陶瓷形成,且具有为约50至约50,000的介电常数的铁电材料可用作绝缘陶瓷。举例而言,绝缘陶瓷可通过使用含有诸如MLCC、BaTiO3、BaCO3、TiO2、Nd、Bi、Zn以及Al2O3的介电材料粉末中的至少一者的混合物形成。绝缘层(322)可具有多μ结构,其中各自具有约1nm至约5μm的大小的多个孔经形成以具有30%至80%的孔隙率。此处,所述孔之间的最短距离可为约1nm至约5μm。意即,尽管绝缘层(322)是由电流不会流过的电绝缘材料形成,但因为形成了孔,因此电流可流过所述孔。此处,在孔的大小增大或孔隙率增大时,放电开始电压可能会减小。另一方面,在孔的大小减小或孔隙率减小时,放电开始电压可能会增大。然而,若孔的大小超过5μm,或孔隙率超过80%,则可能难以维持ESD保护层(320)的配置。因此,为维持ESD保护层(320)的配置,可调整放电开始电压以调整孔的大小以及绝缘层(322)的孔隙率。在ESD保护层(320)是由绝缘材料与导电材料的混合材料形成时,绝缘材料可使用具有细孔以及小孔隙率的绝缘陶瓷。又,绝缘层(322)可由于细孔而具有小于绝缘薄片(100)的电阻的电阻,且可经由所述细孔执行部分放电。意即,细孔形成于绝缘层(322)中,且因此,经由所述细孔执行部分放电。绝缘层(322)可具有为1μm至50μm的厚度。意即,在绝缘层(322)提供为多个层时,绝缘层(322)的厚度的总和可为1μm至50μm。
如上文所描述,根据例示性实施例的防止触电的装置可安置于如图4中所说明的电子装置的金属壳(10)与内部电路(20)之间。意即,外部电极(5000)中的一者可连接至电子装置的金属壳(10),且另一者可连接至接地端子。此处,接地端子可安置于内部电路(20)中。举例而言,第一外部电极(5100)可连接至电子装置的金属壳(10),且第二外部电极(5200)可连接至接地端子。因此,自内部电路(20)的接地端子传输至金属壳的触电电压可被阻断,且自外部施加至内部电路的ESD电压可旁通至接地端子。意即,在所述防止触电的装置中,电流在额定电压以及触电电压下不在外部电极(5000)之间流动,但在ESD电压下流过ESD保护部分(3000)以允许将ESD电压旁通至接地端子。在所述防止触电的装置中,放电开始电压可能大于额定电压且小于ESD电压。举例而言,在所述防止触电的装置中,额定电压可为100V至240V,且触电电压可等于或大于电路的操作电压,且由外部静电产生的ESD电压可大于触电电压。又,通信信号可通过电容器部分(2000、4000)而在外部与内部电路(20)之间传输。意即,来自外部的通信信号,即RF信号,可通过电容器部分(2000、4000)传输至内部电路(20),且来自内部电路(20)的通信信号可通过电容器部分(2000、4000)传输至外部。在金属壳(10)用作天线而不提供单独天线的情况下,可通过使用电容器部分(2000、4000)将通信信号传输至外部且自外部接收通信信号。结果,根据例示性实施例的防止触电的装置可阻断自内部电路的接地端子施加的触电电压,且将自外部施加的ESD电压旁通至接地端子以在外部与电子装置之间传输通信信号。
又,在根据例示性实施例的防止触电的装置中,各自具有高电阻特性的多个绝缘薄片可堆叠以形成电容器部分。因此,在通过有缺陷的充电器将310V的触电电压自内部电路引入至金属壳时,可维持绝缘电阻状态以防止漏电流流动。又,在将ESD电压自金属壳引入至内部电路中时,ESD保护部分可旁通所述ESD电压以维持高绝缘电阻状态而不损坏装置。意即,ESD保护部分(3000)可包含ESD保护层(300),所述ESD保护层包含:导电层(321),其降低能量位准以将电能转化为热能;以及绝缘层(322),其具有多孔结构以允许电流流过细孔以旁通自外部施加的ESD电压,由此保护电路。因此,ESD保护部分(3000)可安置于包含金属壳的电子装置中,以持续防止在有缺陷的充电器中产生的触电经由电子装置的金属壳传输至使用者而无介电质击穿。通用多层电容电路(MLCC,multi layer capacitancecircuit)可保护触电电压,但对ESD作用不大。因此,在重复施加ESD时,电花(Spark)可能会因电充电(Charging)造成的泄漏点(Leak point)而出现,以损坏装置。然而,因为包含导电层以及绝缘层的ESD保护层安置于根据例示性实施例的电容器部分之间,因此ESD电压可经由ESD保护层旁通,以使得电容器部分不会断裂。
图7为根据另一例示性实施例的防止触电的装置的横截面图。
参考图7,根据另一例示性实施例的防止触电的装置可包含:堆叠式本体(1000),其中多个绝缘薄片(100;101至111)堆叠;至少一个电容器部分(2000、4000),安置于堆叠式本体1000中且包含多个内部电极(200;201至208);ESD保护部分(3000),包含至少一个放电电极(310)以及ESD保护层(320);以及外部电极(5100、5200;5000),分别安置于堆叠式本体(1000)的面朝彼此的两个侧表面上且连接至第一电容器部分以及第二电容器部分(2000、4000)以及ESD保护部分(3000)。
此处,ESD保护部分(3000)与电容器部分(2000、4000)之间的距离(A1、A2)可小于或等于电容器部分(2000、4000)中的每一者内的两个内部电极之间的距离(C1、C2)。也即,安置在ESD保护部分(3000)与电容器部分(2000、4000)中的每一者之间的第五绝缘薄片以及第七绝缘薄片(105、107)中的每一者可具有小于或等于安置在电容器部分(2000、4000)内的内部电极(200)之间的绝缘薄片(102至104、107至110)中的每一者的厚度的厚度。又,ESD保护部分(3000)与电容器部分(2000、4000)之间的距离(A1、A2)可小于或等于ESD保护部分(3000)的两个放电电极(310)之间的距离(B)。意即,安置在ESD保护部分(3000)与电容器部分以及电容器部分(2000、4000)中的每一者之间的第五绝缘薄片以及第七绝缘薄片(105、107)中的每一者可具有小于或等于其上安置了ESD保护层(320)的第六绝缘薄片(106)的厚度的厚度。结果,安置在ESD保护部分(3000)与电容器部分(2000、4000)中的每一者之间的第五绝缘薄片以及第七绝缘薄片(105、107)中的每一者可具有小于或等于安置在电容器部分(2000、4000)内的内部电极200之间的绝缘薄片(102至104、107至110)中的每一者的厚度的厚度,或具有小于或等于ESD保护部分(3000)的两个放电电极(310)之间的距离(B)的厚度。意即,ESD保护部分(3000)与电容器部分(2000、4000)之间的距离(A1、A2)、电容器部分(2000、4000)内的两个内部电极之间的距离(C1、C2)以及ESD保护部分(3000)的两个放电电极(300)之间的距离(B)可满足以下式子:A1=A2≤C1=C2或A1=A2≤B。或者,距离A1可不同于距离A2,且距离C1可不同于距离C2。最下部绝缘薄片以及最上部绝缘薄片(意即第一绝缘薄片以及第十一绝缘薄片(101、111))可具有大于10μm的厚度(D1、D2),且对应于堆叠式本体(1000)的厚度的50%或小于50%。此处,式子可为B≤D1=D2,厚度D1可不同于厚度D2。
又,在根据另一实施例的防止触电的装置中,邻近于放电电极(311、312)的两个内部电极(意即第四内部电极以及第五内部电极(204、205))可连接至放电电极(311、312)以及相同外部电极。意即,第一内部电极、第三内部电极、第五内部电极以及第七内部电极(201、203、205、207)可连接至第二外部电极(5200),且第二内部电极、第四内部电极、第六内部电极以及第八内部电极(202、204、206、208)可连接至第一外部电极(5100)。又,第一放电电极(311)可连接至第一外部电极(5100),且第二放电电极(312)可连接至第二外部电极(5200)。因此,第一放电电极(311)以及邻近于第一放电电极(311)的第四内部电极(204)可连接至第一外部电极(5100),且第二放电电极(312)以及邻近于第二放电电极(312)的第五内部电极(205)可连接至第二外部电极(5200)。
如上文所描述,因为放电电极(310)以及邻近于放电电极(310)的内部电极(200)连接至相同外部电极(5000),所以尽管出现绝缘薄片(100)的降级(意即绝缘击穿),仍不可以将ESD电压施加至电子装置内部。意即,在放电电极(310)以及邻近于放电电极(310)的内部电极(200)连接彼此不同的外部电极(5000)时,若出现绝缘薄片(100)的绝缘击穿,则经由一个外部电极(5000)施加的ESD电压可经由放电电极(310)以及邻近于放电电极(310)的内部电极(200)流动至另一外部电极(5000)。举例而言,如图2中所说明,在第一放电电极(311)连接至第一外部电极(5100),且邻近于第一放电电极(311)的第四内部电极(204)连接至第二外部电极(5200)时,若出现绝缘薄片(100)的绝缘击穿,则导电路径可形成于第一放电电极(311)与第四内部电极(204)之间以允许经由第一外部电极(5100)施加的ESD电压流动至第一放电电极(311)、绝缘失效第五绝缘薄片(105)以及第二内部电极(202)。因此,可经由第二外部电极(5200)将ESD电压施加至内部电路。为了解决上文描述的限制,尽管绝缘薄片(100)具有厚的厚度,但在此情况下,防止触电的装置的大小可增加。然而,如图6中所说明,因为放电电极(310)以及邻近于放电电极(310)的内部电极(200)连接至相同外部电极(5000),所以尽管出现绝缘薄片(100)的降级(意即绝缘击穿),仍不可以将ESD电压施加至电子装置内部。又,尽管绝缘薄片(100)不具有厚的厚度,但可防止施加ESD电压。
图8为根据又一例示性实施例的防止触电的装置的横截面图。
参考图8,根据又一例示性实施例的防止触电的装置可包含:堆叠式本体(1000),其中多个绝缘薄片(100;101至111)堆叠;至少一个电容器部分(2000、4000),安置于堆叠式本体1000中且包含多个内部电极(200;201至208);ESD保护部分(3000),包含至少一个放电电极(310)以及ESD保护层(320);以及外部电极(5100、5200;5000),分别安置于堆叠式本体(1000)的面朝彼此的两个侧表面上,且连接至第一电容器部分以及第二电容器部分(2000、4000)以及ESD保护部分(3000)。此处,外部电极(5000)可在预定区域与内部电极(200)中的每一者重叠。意即,除了外部电极(5000)与内部电极(200)部分重叠之外,当前实施例可与前文例示性实施例相同。
外部电极(5000)可延伸至堆叠式本体(1000)的顶表面及底表面以及堆叠式本体(1000)的侧表面。又,外部电极(5000)的预定区域可与连接至不同外部电极(5000)的内部电极(200)重叠。举例而言,第一外部电极(5100)的延伸至堆叠的上部以及下部部分的部分中的每一者可在预定区域与内部电极(200)中的每一者重叠。又,第二外部电极(5200)的延伸于堆叠式本体(1000)的上部以及下部部分的部分中的每一者可在预定区域与内部电极(200)中的每一者重叠。举例而言,外部电极(5000)的延伸至堆叠式本体(1000)的上部以及下部部分的部分可分别与第一内部电极以及第八内部电极(201、208)重叠。意即,外部电极(5000)中的至少一者可延伸至堆叠式本体(1000)的顶表面及底表面,且延伸部分中的至少一者可与内部电极(200)部分重叠。此处,内部电极(200)与外部电极(5000)重叠的面积可为内部电极(200)的总面积的1%至10%。又,外部电极(5000)可经由多个过程增加堆叠式本体(1000)的顶表面以及底表面中的至少一者的面积。
为了与外部电极(5000)重叠,在与根据例示性实施例的情况相比较时,电容器部分(2000、4000)中的每一者的内部电极可较长地形成于X方向上。举例而言,内部电极(200)的端部以及邻近于端部的外部电极(5000)可在X方向上维持在其间5%至10%的距离。意即,内部电极(200)可具有在X方向上对应于绝缘薄片(100)的长度的90%至95%的长度。
如上文所描述,因为外部电极(5000)以及内部电极(200)彼此重叠,所以可在外部电极(5000)与内部电极(200)之间产生预定寄生电容。举例而言,可在第一内部电极以及第八内部电极(201、208)与第一外部电极以及第二外部电极(5100、5200)的延伸部分之间产生电容。因此,可调整外部电极(5000)与内部电极(200)之间的重叠面积以调整防止触电的装置的电容。意即,甚至可在制造防止触电的装置的过程之后调整外部电极(5000)的重叠面积以在堆叠式本体(1000)的外部调整防止触电的装置的电容。
根据例示性实施例的ESD保护部分(3000)的ESD保护层(320)可具有各种形状。举例而言,如图9至图11中所说明,可涂覆或填充形成于绝缘薄片(106)中的通孔的至少一个区以形成ESD保护层(320)。尽管未示出,但包含多个绝缘薄片以及内部电极的电容器部分(2000、4000)中的每一者可安置于ESD保护部分(320)的上部以及下部部分中的至少一者上。意即,除了电容器部分以外,图9至图11仅说明ESD保护部分(3000)。如图2、图3、图7以及图8中所说明,电容器部分(2000、4000)中的每一者可安置于上部以及下部部分的至少一个区域上。下文将参考图9至图11描述根据例示性实施例的ESD保护层(320)的经修改实例。
图9至图11为说明根据例示性实施例的ESD保护部分(3000)的示意性横截面图。
参考图9,通孔可形成于第六绝缘薄片(106)中,且ESD保护层(320)可安置于如图2及图3中所说明的通孔内的一个区域上。举例而言,如图9的(a)中所说明,通孔可具有圆形或矩形形状,且ESD保护材料(324)可安置于通孔的侧表面上。此处,ESD保护材料(324)可为参考图5至图6描述的多孔绝缘层、导电层以及空隙中的至少一者。或者,ESD保护材料(324)可为多孔绝缘材料以及导电材料的混合材料。又,空隙(323)可形成于未形成ESD保护材料(324)的区中。或者,如图9的(b)中所说明,ESD保护材料(324b、324c)可进一步形成于通孔的分别接触放电电极(311、312)的上部以及下部部分上。意即,ESD保护层(320)可包含安置于通孔的侧表面上的ESD保护材料(324a)以及经安置以在通孔的上部以及下部部分处接触放电电极(311、312)的ESD保护材料(324b、324c)。此处,空隙(323)可形成于ESD保护材料(324a、324b、324c)之间的区中。又,如图9的(c)中所说明,ESD保护材料(324)可安置于通孔内以便与通孔的侧表面间隔开。ESD保护材料(324)可接触第一放电电极以及第二放电电极(311、312)。意即,ESD保护材料(324)可接触第一放电电极以及第二放电电极(311、312),且垂直地安置在第一放电电极以及第二放电电极(311、312)之间。此处,空隙(323)可形成于ESD保护材料(324)与未安置ESD保护材料的通孔内的通孔的侧壁之间。可在填充聚合物材料之后执行燃烧过程,且接着可在燃烧过程期间减少聚合物材料以形成空隙(323)。意即,形成聚合物材料以使得填充通孔的一部分,且ESD保护材料(例如多孔绝缘材料以及导电材料的混合材料)可形成于通孔内的一个区中。接着,可执行燃烧过程以移除聚合物材料以在通孔中形成包含ESD保护材料以及空隙(323)的ESD保护层(320)。下文中,可经由上文描述的过程形成包含ESD保护材料以及空隙(323)的ESD保护层(320)。
参考图10,可形成ESD保护层(320)以使得通孔可形成于绝缘薄片(106)的预定区中以接触放电电极(311、312)中的一者。举例而言,如图10的(a)中所说明,可形成ESD保护材料(324)以与通孔内的绝缘薄片(106)间隔开,且接触第一放电电极(311)。如图10的(b)中所说明,可形成ESD保护材料(324)以与通孔内的绝缘薄片(106)间隔开,且接触第二放电电极(312)。又,如图10的(c)中所说明,可形成ESD保护材料(324a、324b)以与通孔内的绝缘薄片(106)间隔开,且分别接触第一放电电极以及第二放电电极(311、312)。此处,第一ESD保护材料以及第二ESD保护材料(324a、324b)可在通孔的中心部分处彼此间隔开预定距离。又,空隙(323)可形成于通孔内的未形成ESD保护材料(324)的区中。意即,可形成ESD保护材料(324)以涂覆至通孔内部的一部分,且接触第一放电电极以及第二放电电极(311、312)中的至少一者,且空隙(323)可形成于剩余区中以形成ESD保护层(320)。
参考图11,通孔形成于绝缘薄片(106)的预定区中,且可水平地形成ESD保护材料(324)。此处,ESD保护材料(324)可与放电电极(311、312)间隔开。意即,如图11的(a)中所说明,ESD保护材料(320)可安置成自绝缘薄片(106)内的通孔的至少一个侧表面向内突起。意即,第一ESD保护材料以及第二ESD保护材料(324a、324b)可与通孔的侧壁间隔开。此处,第一ESD保护材料以及第二ESD保护材料(324a、324b)可与第一放电电极以及第二放电电极(311、312)间隔开,且也与通孔的部分部分间隔开。或者,空隙(323)可形成于未形成ESD保护材料(324)的区中。又,如图11的(b)中所说明,ESD保护材料(324)可水平地安置于通孔内。意即,ESD保护材料(324)可自一个侧表面至通孔的另一侧表面水平地安置。此处,未形成ESD保护层(320)的通孔内的剩余区可形成为空隙(323)。意即,空隙(323a、323b)可分别形成于放电电极(311、312)与ESD保护材料(324)之间。
又,根据例示性实施例的ESD保护层(320)的至少一个区的厚度以及宽度不同于ESD保护层(320)的其他区的厚度以及宽度。又,可应用两个或大于两个薄片中的每一者的至少一部分以形成ESD保护层(320)。下文将参考图12至图18描述根据例示性实施例的ESD保护层(320)。
图12至图18为说明根据例示性实施例的防止触电的装置的ESD保护部分的经修改实例的示意性横截面图。尽管说明了根据各种例示性实施例的ESD保护部分,但包含多个绝缘薄片以及多个内部电极的电容器部分可安置于ESD保护部分的上部以及下部部分中的每一者上。
参考图12,ESD保护层(320)可具有在其中心部分处在一个方向上的宽度,其大于其上部以及下部部分中的每一者的宽度。举例而言,在X方向上在中心部分处的宽度可大于上部以及下部部分中的每一者的宽度。意即,如图12的(a)以及图12的(b)中所说明,ESD保护层(320)可具有在Z方向上的预定厚度以及在X以及Y方向中的每一者上的预定宽度。此处,在具有所述厚度的中间区中的宽度(w1)可大于上部以及下部部分中的每一者的宽度(w2)。又,中间区的宽度可向上以及向下逐渐减小。意即,ESD保护层(320)在X方向上的横截面可具有六角形形状。因此,ESD保护层(320)的顶表面及底表面之间的厚度(t1)可大于ESD保护层(320)的边缘处的厚度(t2)。或者,ESD保护层(320)可具有中心部分,所述中心部分的大小大于在垂直于X方向的Y方向上的上部以及下部部分中的每一者的大小。此处,ESD保护层(320)的宽度可朝向上部以及下部部分逐渐减小。因此,ESD保护层(320)可具有顶表面及底表面扁平且侧表面倾斜的多面体形状。此处,如图12的(c)中所说明,ESD保护层(320)可安置于两个薄片(106a、106b)上。意即,具有宽度自底表面至顶表面逐渐减小的形状的第一通孔可形成于下部薄片(106a)中,且具有宽度自底表面至顶表面逐渐增加的形状的第二通孔可形成于上部薄片(106b)中。接着,可将ESD保护材料涂覆或填充至第一通孔以及第二通孔内的至少一部分中,且接着堆叠以及按压ESD保护材料以形成ESD保护层(320),所述ESD保护层(320)具有中心部分处的宽度大于上部以及下部部分中的每一者的宽度的形状。
参考图13,ESD保护层(320)在一个方向上的横截面可具有椭圆形形状。意即,ESD保护层(320)可具有蛋形状。举例而言,ESD保护层(320)可具有在X方向上的第一宽度、在垂直于X方向的Y方向上的第二宽度以及在Z方向上的彼此不同的厚度。意即,如图13的(a)以及图13的(b)中所说明,ESD保护层320可具有在X方向上的第一宽度(w1)以及在Y方向上的第二宽度(w2)。此处,第一宽度(w1)可等于或大于第二宽度(w2)。又,在Z方向上的厚度可在中心部分处很厚,且向边缘逐渐减小。意即,ESD保护层(320)的中心部分可具有第一厚度(t1),且ESD保护层(320)可具有自中心部分至其边缘逐渐减小的厚度。也即,中心部分与边缘之间的预定区可具有小于第一厚度(t1)的第二厚度(t2)。此处,ESD保护部分(320)的整个顶表面及底表面可曝露于绝缘薄片(106)上,且ESD保护部分(320)的仅一部分可曝露于绝缘薄片(106)上。举例而言,可仅曝露在X方向上的第一宽度的大约1/3,且剩余区可安置于绝缘薄片(106)内。又,如图13的(c)中所说明,ESD保护层(320)可安置于两个薄片(106a、106b)上。意即,具有宽度自底表面至顶表面逐渐增加的形状的第一通孔可形成于下部薄片(106a)中,且具有宽度自底表面至顶表面逐渐减小的形状的第二通孔可形成于上部薄片(106b)中。接着,可将ESD保护材料涂覆至或填充至第一以及第二通孔内的至少一部分中,且接着堆叠以及按压ESD保护材料以形成ESD保护层(320),所述ESD保护层(320)具有中心部分处的宽度大于上部以及下部部分中的每一者的宽度的形状。
参考图14,ESD保护层(320)可具有自其下部部分至上部部分逐渐增加的宽度。意即,如图14的(a)中所说明,ESD保护层(320)可安置于一个薄片上,所述薄片呈下部部分具有小于上部部分的宽度的宽度且宽度向上逐渐增加的形状。或者,另一方面,ESD保护层(320)可安置于下部部分具有大于上部部分的宽度的宽度且宽度向上逐渐减小的形状中。因此,ESD保护层的横截面可具有大致梯形或倒转梯形形状。又,如图14的(b)中所说明,ESD保护层(320)可安置于至少两个薄片(106a、106b)上。对此,具有自接触第一放电电极(311)的下部部分向上逐渐增加的宽度的第一通孔可形成于下部薄片(106a)中,且第二通孔具有向上逐渐增加的宽度,而同时将下部部分维持于与第一通孔的上部宽度相同的宽度。接着,可将ESD保护材料涂覆至或填充至第一通孔以及第二通孔中,且接着堆叠以及按压ESD保护材料以形成ESD保护层(320)。
参考图15,ESD保护层(320)可具有在中间部分处的宽度,其大于其上部以及下部部分中的每一者的宽度。意即,具有预定宽度的第一ESD保护层(320a)可安置于ESD保护层(320)的下部部分处,具有大于第一ESD保护层(320a)的宽度的宽度的第二ESD保护层(320b)可安置于第一ESD保护层(320a)上,且具有小于第二ESD保护层(320b)的宽度的宽度的第三ESD保护层(320c)可安置于第二ESD保护层(320b)上。此处,第一ESD保护层至第三ESD保护层(320a、320b、320c)可具有相同厚度。又,第一ESD保护层以及第二ESD保护层(320a、320c)可具有相同宽度,且彼此重叠。又,第二ESD保护层(320b)可具有比第一ESD保护层以及第三ESD保护层(320a、320c)中的每一者的宽度大了1.5倍或更多的宽度。举例而言,第二ESD保护层(320b)可具有比第一ESD保护层以及第三ESD保护层(320a、320c)中的每一者的宽度大了1.5倍至3倍的宽度。如图15的(a)中所说明,ESD保护层(320)可通过堆叠以及按压预定孔而形成,在预定孔中将ESD保护材料至少部分涂覆至或填充至两个薄片(106a、106b)中。举例而言,具有自下部部分直至2/3厚度的第一宽度以及在剩余1/3厚度处大于第一宽度的第二宽度的第一通孔可形成于下部薄片(106a)中,且具有自下部部分直至1/3厚度的第二宽度以及在剩余2/3厚度处的第一宽度的第二通孔可形成于上部薄片(106b)中。可将ESD保护材料涂覆至或填充至第一通孔以及第二通孔中的每一者的至少一部分中,且接着堆叠以及按压ESD保护材料以形成ESD保护层(320)。或者,如图15的(b)中所说明,ESD保护层(320)可安置于三个薄片(106a、106b、106c)上。对此,具有第一宽度的第一通孔可形成于下部薄片(106a)中,具有大于第一宽度的第二宽度的第二通孔可形成于中间薄片(106b)中,且具有第一宽度的第三通孔可形成于上部薄片(106c)中。可将ESD保护材料涂覆至或填充至第一通孔至第三通孔中的每一者的至少一部分中,且接着堆叠以及按压ESD保护材料以形成ESD保护层(320)。可将ESD保护材料涂覆至或填充至通孔的至少一部分中以形成ESD保护层(320)。举例而言,如图15的(c)中所说明,可将ESD保护材料涂覆至或填充至具有相对宽的宽度的第二ESD保护层(320b)中,且可不将ESD保护材料涂覆至或填充至第一ESD保护层以及第三ESD保护层(320a、320c)中以形成空隙,所述第一ESD保护层以及第三ESD保护层(320a、320c)中的每一者具有相对窄的宽度。或者,可将ESD保护材料涂覆至或填充至第一ESD保护层以及第三ESD保护层(320a、320c)中,且也可将ESD保护材料涂覆至或填充至与第一ESD保护层以及第三ESD保护层(320a、320c)中的每一者重叠的第二ESD保护层(320b)的仅一部分中。意即,如图15的(d)中所说明,可将ESD保护材料涂覆至或填充至与第一ESD保护层以及第三ESD保护层(320a、320c)中的每一者重叠的第二ESD保护层(320b)的仅一区域中,且可不将ESD保护材料涂覆至或填充至不与第一ESD保护层以及第三ESD保护层(320a、320c)中的每一者重叠的第二ESD保护层(320b)的区域中以形成空隙。
参考图16,ESD保护层(320)可具有在中间部分处的宽度,其小于ESD保护层的上部以及下部部分中的每一者的宽度。意即,具有预定宽度的第一ESD保护(320a)可安置在ESD保护层(320)的下部部分处,具有小于第一ESD保护层(320a)的宽度的宽度的第二ESD保护层(320b)可安置于第一ESD保护层(320a)上,且具有大于第二ESD保护层(320b)的宽度的宽度的第三ESD保护层(320c)可安置于第二ESD保护层(320b)上。此处,第一ESD保护层至第三ESD保护层(320a、320b、320c)可具有相同厚度。又,第一ESD保护层以及第三ESD保护层(320a、320c)可具有相同宽度,且彼此重叠。又,第二ESD保护层(320b)可具有比第一ESD保护层以及第三ESD保护层(320a、320c)中的每一者的宽度小1.5倍或更多的宽度。举例而言,第二ESD保护层(320b)可具有比第一ESD保护层以及第三ESD保护层(320a、320c)中的每一者的宽度小1.5倍至3倍的宽度。如图16的(a)中所说明,ESD保护层(320)可通过堆叠以及按压预定通孔而形成,在预定通孔中将ESD保护材料至少部分涂覆至或填充至两个薄片(106a、106b)中。举例而言,具有自下部部分直至2/3厚度的第一宽度的第一通孔以及在剩余1/3厚度处小于第一宽度的第二宽度可形成于下部薄片(106a)中,且具有自下部部分直至1/3厚度的第二宽度以及在剩余2/3厚度处的第一宽度的第二通孔可形成于上部薄片(106b)中。可将ESD保护材料涂覆至或填充至第一通孔以及第二通孔中的每一者的至少一部分中,且接着堆叠以及按压ESD保护材料以形成ESD保护层(320)。或者,如图16的(b)中所说明,ESD保护层(320)可安置于三个薄片(106a、106b、106c)上。对此,具有第一宽度的第一通孔可形成于下部薄片(106a)中,具有小于第一宽度的第二宽度的第二通孔可形成于中间薄片(106b)中,且具有第一宽度的第三通孔可形成于上部薄片(106c)中。可将ESD保护材料涂覆至或填充至第一至第三通孔中的每一者的至少一部分中,且接着堆叠以及按压ESD保护材料以形成ESD保护层(320)。可将ESD保护材料涂覆至或填充至通孔的至少一部分中以形成ESD保护层(320)。举例而言,如图16的(c)中所说明,可将ESD保护材料涂覆至或填充至第一ESD保护层以及第三ESD保护层(320a、320c)中,其中的每一者具有相对宽的宽度,且可不将ESD保护材料涂覆至或填充至具有相对窄的宽度的第二ESD保护层(320b)中以形成空隙。又,如图16的(d)中所说明,可仅将ESD保护材料涂覆至或填充至第二ESD保护层(320b)中,且空隙可形成于第一ESD保护层以及第三ESD保护层(320a、320c)中。或者,可将ESD保护材料涂覆至或填充至第二ESD保护层(320b)中,且也可将ESD保护材料涂覆至或填充至与第二ESD保护层(320b)重叠的第一ESD保护层以及第三ESD保护层(320a、320c)中的每一者的仅一部分中。意即,如图16的(e)中所说明,ESD保护材料可安置于与第二ESD保护层(320b)重叠的第一ESD保护层以及第三ESD保护层(320a、320c)中的每一者的区域上,且空隙可形成于不与第二ESD保护层(320b)重叠的第一ESD保护层以及第三ESD保护层(320a、320c)中的每一者的区中。
参考图17,ESD保护层(320)在一个方向上的厚度可增加或减小。举例而言,ESD保护层(320)可具有在X方向上自一侧朝向另一侧逐渐减小且接着自另一侧朝向一侧再次逐渐增加的厚度。意即,ESD保护层(320)的横截面可具有花生状。意即,ESD保护层(320)可具有在X方向上的厚度自一端至另一端增加且接着再次减小且接着再次增加的形状。因此,ESD保护层(320)可具有一端以及另一端具有相同厚度且中心部分具有最小厚度的形状。或者,ESD保护层(320)可具有不均一形状。此处,ESD保护层(320)可具有至少一个区具有最小厚度且厚度自至少一个区朝向一侧以及另一侧(意即在至少一个方向上)逐渐增加的形状。具有花生状的ESD保护层(320)可安置于至少一个绝缘薄片(106)上。意即,ESD保护层(320)可安置于一个绝缘薄片(106)或两个或大于两个绝缘薄片(106)上。
参考图18,ESD保护层(320)可具有上部以及下部部分中的每一者具有宽的宽度且宽度朝向上部以及下部部分之间的中心部分逐渐减小的形状。意即,ESD保护层(320)可具有在其厚度方向上(意即在Z方向上自其中心部分向上以及向下)逐渐增加的宽度。ESD保护层(320)可安置于两个绝缘薄片(106a、106b)上。举例而言,具有宽度自其下部部分至上部部分逐渐减小的形状的第一通孔可形成于下部绝缘薄片(106a)中,且具有宽度自下部部分至上部部分逐渐增加的形状的第二通孔可形成于上部绝缘薄片(106b)中。接着,可将ESD保护材料涂覆至或填充至第一通孔以及第二通孔中的每一者的至少一部分中,且接着堆叠以及按压ESD保护材料以形成ESD保护层(320)。
如上文所描述,因为ESD保护层(320)的至少一个区中的厚度以及宽度中的至少一者不同于其他区中的厚度以及宽度,所以可高效地分配ESD电压。因此,可有效地分配及因此更有效地旁通ESD电压。
根据前文例示性实施例,将ESD保护材料填充至或涂覆至形成于绝缘薄片(104)中的通孔以形成ESD保护层(320)。然而,ESD保护层(320)可安置于绝缘薄片的预定区域上,且放电电极(310)可安置成接触ESD保护层(320)。意即,如根据又一例示性实施例的图19的横截面图中所说明,两个放电电极(311、312)可在绝缘薄片(106)上彼此水平地间隔开,且ESD保护层(320)可安置在两个放电电极(311、312)之间。在此情况下,ESD保护层(320)的至少一个区具有不同于ESD保护层的其他区的厚度和/或宽度的厚度和/或宽度。又,ESD保护层(320)在Y方向上的宽度可大于放电电极(311、312)中的每一者的宽度。又,内部电极200在X方向上的长度以及内部电极(200)在Y方向上的宽度可大于放电电极(311、312)中的每一者的长度以及宽度,且内部电极(200)在Y方向上的宽度可大于ESD保护层(320)的宽度。
ESD保护部分(3000)可包含彼此水平地间隔开的至少两个放电电极(311、312)以及安置在至少两个放电电极(311、312)之间的至少一个ESD保护层(320)。意即,两个放电电极(311、312)可在两个放电电极(311、312)彼此间隔开的方向上安置于预定区域(例如薄片的中心部分)上,意即在X方向上。又,至少两个放电电极(未示出)可进一步在彼此垂直的方向上安置。因此,至少一个放电电极可在与安置外部电极(5000)的方向垂直的方向上安置,且至少一个放电电极可经安置成面朝彼此,彼此间隔开预定距离。举例而言,如图8中所说明,ESD保护部分(3000)可包含第六绝缘薄片(106)、第六绝缘薄片(106)上彼此间隔开的第一放电电极(311、312)以及安置于第六绝缘薄片(106)上的ESD保护层(320)。此处,ESD保护层(320)可具有连接至第一放电电极以及第二放电电极(311、312)的至少一部分。第一放电电极(311)可连接至外部电极(5100),且安置于第六绝缘薄片(106)上,且具有连接至ESD保护层(320)的端部。第二放电电极(312)连接至外部电极(5200),且与第六绝缘薄片(106)上的第一放电电极(311)间隔开,且具有连接至ESD保护层(320)的端部。ESD保护层(320)可安置于预定区域(例如第六绝缘薄片(106)的中心部分)上,且连接至第一放电电极以及第二放电电极(311、312)。此处,ESD保护层(320)可与第一放电电极以及第二放电电极(311、312)中的每一者部分重叠。ESD保护层(320)可安置于曝露于第一放电电极以及第二放电电极(311、312)之间的第六绝缘薄片(106)上,且连接至第一放电电极以及第二放电电极(311、312)中的每一者的侧表面。然而,在所述情况下,因为ESD保护层(320)在不与第一放电电极以及第二放电电极(311、312)间隔开的情况下不会接触第一放电电极以及第二放电电极(311、312),所以ESD保护层(320)可经安置成与第一放电电极以及第二放电电极(311、312)重叠。
在又一例示性实施例中,放电电极(310)以及ESD保护层(320)可安置于相同平面上,且变形成各种形状。举例而言,如图20的(a)中所说明,ESD保护层(320)的一部分可与第一放电电极(311)重叠,且其他部分可接触绝缘薄片(105)。意即,ESD保护层(320)可安置于第一放电电极(311)的顶表面以及侧表面上。又,第二放电电极(312)可接触ESD保护层(320)的顶表面以及侧表面,且安置于绝缘薄片(200)上。在此情况下,ESD保护层(320)的至少一个区具有不同于ESD保护层的其他区的厚度以及宽度的厚度以及宽度。意即,在X方向上的宽度可大于在Y方向上的宽度,且在垂直方向上的至少一个区可具有不同于其他区的厚度的厚度。举例而言,接触绝缘薄片(105)的区可具有大于第一放电电极以及第二放电电极(311、312)之间的区的厚度的厚度。
又,如图20(b)中所说明,ESD保护层(320)可接触第一放电电极(311)的上部部分,且第二放电电极(312)可接触ESD保护层(320)的顶表面,且安置于绝缘薄片(312)上。此处,空间A可界定于第二放电电极(312)、ESD保护层(320)以及第一放电电极(311)的侧处。意即,空间A可不接触至少第一放电电极以及第二放电电极(311、312)。为了形成空间(A),可在形成第一放电电极(311)之前通过使用聚合物材料在ESD保护层(320)的侧表面上形成间隔物。接着,聚合物材料可在燃烧过程中挥发以形成空间(A)。或者,绝缘材料可形成于空间A中,且ESD保护层(320)可延伸以形成空间(A)。
又,如图20的(c)中所说明,可通过使用具有阶梯式部分的绝缘薄片(200)来实现ESD保护部分(3000)。意即,第一放电电极(311)可形成于绝缘薄片(200)的薄区中,所述薄区的一部分在与其他区相比较时具有较薄厚度。接着,ESD保护层(320)可形成于第一放电电极(311)上以移除阶梯式部分,且可形成第二放电电极(312)以与厚区中的ESD保护层(320)重叠。
又,在ESD保护层(320)以及放电电极(310)安置于相同平面上时,电容器部分(2000、4000)的邻近于一个放电电极(310)的内部电极可连接至相同外部电极(5000)。因此,如图21中所说明,第一放电电极(311)以及邻近于第一放电电极(311)的第四内部电极(204)可连接至第一外部电极(5100),且第二放电电极(312)以及邻近于第二放电电极(312)的第五内部电极(205)可连接至第二外部电极(5200)。此处,第四内部电极(204)可具有与第一放电电极(311)相同的长度,且第五内部电极(205)可具有与第二放电电极(312)相同的长度。意即,在第四内部电极(204)与第二放电电极(312)部分重叠或第五内部电极(205)与第一放电电极(311)部分重叠时,若出现绝缘薄片(100)的绝缘击穿,则ESD电压可流动。因此,邻近于放电电极(310)且连接至相同外部电极(5000)的内部电极(200)具有等于或小于放电电极(310)的长度的长度可为较佳的。又,即使当放电电极(310)以及ESD保护层安置于相同平面上时,放电电极(310)与邻近内部电极(204、205)之间的距离(A1、A2)可小于或等于电容器部分(2000、4000)的两个内部电极之间的距离(C1、C2)。意即,可满足以下式子,其由A1=A2≤C1=C2表达。或者,距离A1可不同于距离A2,且距离C1可不同于距离C2。
又,如图22中所说明,即使当放电电极(310)以及ESD保护层(320)安置于相同平面上时,外部电极(5000)可与内部电极(200)部分重叠以调整防止触电的装置的电容。
若芯片大小减小,则设计空间可减小。因此,需要防止触电的装置的在窄空间中具有高ESD电阻的内表面。然而,在防止触电的装置的大小减小时,绝缘薄片可归因于空间不足而更薄。因此,绝缘薄片自身的电阻性质可下降以防止绝缘薄片的绝缘电阻不连续,即使是在施加具有低位准的ESD的情况下。为了解决上文描述的限制,具有各种形状的浮动型(floating type)结构可用以改良相同空间内的ESD电阻性质(在与一般系紧型结构相比较时)。意即,因为电容器部分的内部电极的形状变形以使绝缘薄片的厚度在内部电极之间的一个区中增加两倍或大于两倍,所以可维持ESD电阻性质。因此,可进一步改良与防止触电的装置的ESD保护部分的设计相关联的ESD电阻性质。结果,在归因于ESD保护部分的重复ESD电压的功能退化,ESD未被旁通至ESD保护部分时,电容器部分可能损坏,导致绝缘击穿。又,尽管ESD保护部分的功能并未退化,但在引入ESD电压时,在直至防止触电的装置的ESD保护部分的反应时间为止的1ns至30ns的空白期,在电容器部分中可暂时出现ESD电压负载,导致绝缘击穿。然而,电容器部分可提供为浮动型以增加电容器层的ESD电阻性质,由此防止出现绝缘电阻失效以导致短路的现象。
将参考图23至图26描述根据各种例示性实施例的浮动型电容器部分。
参考图23至图26,根据又一例示性实施例的防止触电的装置可包含堆叠式本体(1000),其中堆叠多个绝缘薄片(100;101至113)。堆叠式本体(1000)中可提供第一电容器部分(2000)、ESD保护部分(3000)以及第二电容器部分(4000)。又,防止触电的装置可还包含安置于堆叠式本体(1000)的面朝彼此的两个侧表面上的外部电极(5100、5200;5000)以将第一电容器部分以及第二电容器部分(2000、4000)连接至ESD保护部分(3000)。第一电容器部分(2000)可包含多个内部电极(201至205),且第二电容器部分(4000)可包含多个内部电极(208至212)。意即,第一电容器部分以及第二电容器部分(2000、4000)中的每一者可包含相同数目个内部电极,例如五个内部电极。又,提供ESD保护部分(3000),其包含第一电容器部分以及第二电容器部分(2000、4000)之间的放电电极(311、312);以及安置在放电电极(311、312)之间的ESD保护层(320)。此处,第一电容器部分以及第二电容器部分(2000、4000)中的每一者可包含至少一个内部电极,所述内部电极具有移除至少一个区的形状。
如图23中所说明,第一电容器部分(2000)的内部电极(201)可具有中心部分移除了预定宽度的形状,且在第一电容器部分以及第二电容器部分(2000、4000)之间对称地安置有ESD保护部分(3000)的第二电容器部分(4000)的内部电极(210)也可具有移除在与内部电极(201)相同的位置处的预定区的形状。因为移除内部电极(201、210)中的每一者的预定区,所以分别邻近于内部电极(201、210)的内部电极(202、209)之间的重叠面积可减小。此处,通过移除预定区而划分成两个部分的内部电极(201、210)可分别连接至第一外部电极以及第二外部电极(5100、5200)。如上文所描述,因为内部电极(201、210)中的每一者具有移除预定区的形状,所以内部电极(201、210)与邻近于内部电极(201、210)的内部电极(202、209)之间的绝缘薄片(102、112)中的每一者可能更厚。意即,因为两个绝缘薄片(101、102)安置在内部电极(202)以及内部电极(201)的经移除部分之间,所以绝缘薄片(100)的厚度可增加。因此,因为绝缘薄片(100)在电容器部分(2000、4000)的内部电极(200)之间的一个区中增加至少两倍,所以可维持ESD电阻性质。
又,在图24中说明,可移除第一电容器部分(2000)的内部电极(201、203、205)的中心部分的预定区,且可移除在第一电容器部分以及第二电容器部分(2000、4000)之间对称地安置有ESD保护部分(3000)的第二电容器部分(4000)的内部电极(206、208、210)的中心部分的预定区。此处,内部电极(202、204、207、209)可不接触外部电极(5000)以与内部电极(201、203、205、206、208、210)中的每一者的至少一部分重叠。意即,内部电极(202,204,207,209)可安置于绝缘薄片(100)的中心部分上以与内部电极(201、203、205、206、208、210)重叠,所述内部电极(201、203、205、206、208、210)并未安置在绝缘薄片(100)的中心部分处。
又,在第一电容器部分(2000、4000)的内部电极中的每一者中,可移除与中心区间隔开预定距离的区以及中心区。举例而言,如图25中所说明,可移除第一电容器(2000)的内部电极(201、203、205)的中心区,且安置在内部电极(201、203、205)之间的内部电极(202、204)的经移除部分可安置在两侧,所述两侧与中心区间隔开预定距离。又,在第二电容器部分(4000)中,可移除与第一电容器部分(2000)(其间有ESD保护部分(3000))的内部电极(201、203、205)对称安置的内部电极(206、208、210)的中心区。又,安置在内部电极(206、208、210)之间的内部电极(207、209)的移除区可形成于与第一电容器部分(2000)的内部电极(202、204)相同的位置处。
又,如图26中所说明,至少两个移除区可形成于第一电容器部分(2000)的内部电极(201、203、205)的中心区处,且安置在内部电极(201、203、205)之间的内部电极(202、204)的移除区可形成于其两侧处,其中的每一者与中心区中的每一者间隔开预定距离。又,在第二电容器部分(4000)中,至少两个移除区可形成于与第一电容器部分(2000)(其间有ESD保护部分(3000))的内部电极(201、203、205)对称安置的内部电极(206、208、210)的中心区处。又,安置在内部电极(206、208、210)之间的内部电极(207、209)的移除区可形成于与第一电容器部分(2000)的内部电极(202、204)相同的位置处。
或者,在第一放电电极(311、312)可水平地安置以接触ESD保护层(320)时,可在浮动型中提供电容器部分(2000、4000)的至少一个内部电极。
根据例示性实施例的防止触电的装置可包含ESD保护部分(3000)的至少一个ESD保护层(320)。意即,如图2、图3、图7以及图8中所说明,一个ESD保护层(300)可在X方向上安置。如图27至图30中所说明,至少两个ESD保护层(320)可在X方向上安置。此处,多个ESD保护层(320)可在Y方向上安置。举例而言,如图27中所说明,两个ESD保护层(320a、320b)可安置于相同平面上。如图28中所说明,三个ESD保护层(320,320b,320c)可安置于相同平面上。ESD保护层(320a、320b、320c)中至少两个可经由内部电极彼此连接。又,如图29中所说明,四个ESD保护层(320a、320b、320c、320d)可垂直地划分成两个ESD保护层的两个群组。如图30中所说明,六个ESD保护层(320a、320b、320c、320d、320e、320f)可垂直地划分成两个ESD保护层的三个群组。在彼此垂直地间隔开的ESD保护层(320)中,上部ESD保护层可彼此连接,且下部ESD保护层可彼此连接。在提供多个ESD保护层(320)时,ESD保护层(320)可具有相同结构或彼此不同的结构。
或者,在第一放电电极以及第二放电电极(311、312)可水平地安置以接触ESD保护层(320)时,可在浮动型中提供电容器部分(2000、4000)的至少一个内部电极。
如上文所描述,根据例示性实施例的防止触电的装置可包含在一个堆叠式本体内的至少一个电容器部分(2000、4000)以及至少一个ESD保护部分(3000)。举例而言,可提供一个电容器部分以及至少两个ESD保护部分。此处,电容器部分可安置在内部电路与金属壳之间,且ESD保护部分可安置在电容器部分与接地端子之间。对此,第一外部电极以及第二外部电极(5100、5200)安置于堆叠式本体的面朝彼此的两个侧表面上,且第三以及第四外部电极(未示出)可安置于面朝彼此的两个侧表面上,第一外部电极以及第二外部电极(5100、5200)并未安置于所述两个侧表面上。第一外部电极以及第二外部电极(5100、5200)中的每一者可安置在电子装置的金属壳与内部电路之间,且第三以及第四外部电极中的每一者可连接至接地端子。意即,第一外部电极以及第二外部电极(5100、5200)可分别安置于电子装置的金属壳与内部电路之间的两个区中,且第三以及第四外部电极可连接至接地端子。
又,根据例示性实施例的防止触电的装置可包含水平地安置于堆叠式本体(1000)中的多个电容器部分(2000、4000)以及多个ESD保护部分(3000)。意即,垂直地堆叠的至少一个电容器部分(2000、4000)以及ESD保护部分(3000)可水平地布置成至少两个列,且连接至水平地布置的至少两个外部电极(5000)。因此,多个防止触电的装置(其中的每一者包含多个电容器部分以及ESD保护部分)可彼此平行地安置。因此,可在一个堆叠式本体(1000)中提供至少两个防止触电的装置。此处,举例而言,多个第一外部电极(5100)可连接至电子装置的金属壳的多个区域,且多个第二外部电极(5200)可连接至电子装置的接地端子。在多个电容器部分中,至少一个内部电极可具有不同长度。意即,水平地安置以分别构成彼此不同的电容器部分的多个内部电极的至少一个内部电极可具有比其他内部电极的长度小的长度。又,除了内部电极的长度之外,还可调整内部电极的重叠面积以及内部电极的堆叠数目中的至少一者以调整电容。因此,多个电容器部分中的至少一者可具有不同电容。意即,一个堆叠式本体内的至少一个电容器部分可实现具有彼此不同的电容的多个电容器部分。
然而,可以不同形式体现本发明,且不应将本发明解释为限于本文中所阐述的实施例。实际上,提供此等实施例以使得本发明将为透彻且完整的,且将向所属领域中技术人员充分传达本发明的范畴。此外,本发明仅由权利要求的范畴界定。

Claims (25)

1.一种防止触电的装置,所述防止触电的装置包括:
堆叠式本体,其中多个绝缘薄片堆叠;
电容器部分,包括安置于所述堆叠式本体中的多个内部电极;
ESD保护部分,安置于所述堆叠式本体中且包括至少两个以上的放电电极以及安置在所述放电电极之间的至少一个ESD保护层;以及
外部电极,安置于所述堆叠式本体外部的至少两个侧表面中的每一者上且连接至所述电容器部分以及所述ESD保护部分,
其中所述ESD保护层的至少一个区的厚度以及宽度中的至少一者不同于其他区的厚度以及宽度中的至少一者。
2.根据权利要求1所述的防止触电的装置,其中所述放电电极以及邻近于所述放电电极的所述内部电极中的每一者连接至相同所述外部电极。
3.根据权利要求1或2所述的防止触电的装置,其中所述外部电极延伸至所述堆叠式本体的上部以及下部部分中的至少一者以与所述内部电极部分重叠。
4.根据权利要求3所述的防止触电的装置,其中所述内部电极在一个方向上的长度大于或等于所述放电电极的长度,且所述内部电极在垂直于所述一个方向的另一方向上的宽度大于所述ESD保护层的宽度以及所述放电电极的宽度中的每一者。
5.根据权利要求4所述的防止触电的装置,其中所述ESD保护层具有大于所述放电电极的宽度的宽度。
6.根据权利要求5所述的防止触电的装置,其中在所述放电电极与邻近于所述放电电极的所述内部电极之间的距离为A,所述放电电极之间的距离为B,且所述内部电极之间的距离为C时,满足A≤C或A≤B。
7.根据权利要求6所述的防止触电的装置,其中所述ESD保护层包括:至少一个ESD保护材料以及空隙,所述ESD保护材料包括多孔绝缘材料以及导电材料中的至少一者。
8.根据权利要求7所述的防止触电的装置,其中所述ESD保护层垂直地或水平地安置在所述放电电极之间。
9.根据权利要求8所述的防止触电的装置,其中所述ESD保护层安置于至少一个所述绝缘薄片上。
10.根据权利要求9所述的防止触电的装置,其中所述ESD保护层具有多面体形状。
11.根据权利要求10所述的防止触电的装置,其中所述ESD保护层具有在中间区具有在一个方向上最宽的宽度且宽度朝向其下部以及上部部分中的每一者逐渐减小的形状。
12.根据权利要求10所述的防止触电的装置,其中所述ESD保护层具有在中心区处具有最厚的厚度且厚度自所述中心区朝向其两个边缘逐渐减小的形状。
13.根据权利要求10所述的防止触电的装置,其中所述ESD保护层具有在一个方向上厚度减小且接着再次增加的形状。
14.根据权利要求9所述的防止触电的装置,其中所述ESD保护层的至少一部分接触所述放电电极。
15.根据权利要求14所述的防止触电装置,其中所述ESD保护材料连接至所述放电电极中的至少一者,且所述空隙界定于剩余区中。
16.根据权利要求7所述的防止触电的装置,其中所述ESD保护材料安置于通孔内的至少一个区中,以使得所述ESD保护材料不会接触所述放电电极,且所述空隙界定于所述通孔内的剩余区中。
17.根据权利要求4所述的防止触电的装置,其中在所述堆叠式本体内水平地提供至少两个或大于两个所述电容器部分以及所述ESD保护部分。
18.根据权利要求17所述的防止触电的装置,其中所述内部电极垂直地堆叠以形成一个所述电容器部分,且水平地布置以形成多个所述电容器部分。
19.根据权利要求1所述的防止触电的装置,其中所述外部电极中的一者连接至电子装置的金属壳,且所述外部电极中的另一者连接至接地端子以阻断触电电压且旁通ESD电压。
20.一种防止触电的装置,所述防止触电的装置包括:
堆叠式本体,其中多个绝缘薄片堆叠;
电容器部分,包括安置于所述堆叠式本体中的多个内部电极;
ESD保护部分,安置于所述绝缘薄片的至少一部分上以保护ESD电压;以及
外部电极,安置于所述堆叠式本体外部的至少两个侧表面中的每一者上且连接至所述电容器部分以及所述ESD保护部分,
其中所述ESD保护部分包括至少两个以上的放电电极以及安置在所述放电电极之间的至少一个ESD保护层,
所述ESD保护层的至少一个区的厚度以及宽度中的至少一者不同于其他区的厚度以及宽度中的至少一者,以及
所述内部电极在一个方向上的长度大于或等于所述放电电极的长度,所述内部电极在垂直于所述一个方向的另一方向上的宽度大于所述ESD保护层的宽度以及所述放电电极的宽度中的每一者,且所述ESD保护层具有大于所述放电电极的宽度的宽度。
21.根据权利要求20所述的防止触电的装置,其中在所述放电电极与邻近于所述放电电极的所述内部电极之间的距离为A,所述放电电极之间的距离为B,且所述内部电极之间的距离为C时,满足A≤C或A≤B。
22.一种包括防止触电的装置的电子装置,所述防止触电的装置安置于金属壳与内部电路之间以阻断触电电压且旁通ESD电压,
其中所述防止触电的装置包括:
堆叠式本体,其中多个绝缘薄片堆叠;
电容器部分,包括安置于所述堆叠式本体中的多个内部电极;
ESD保护部分,安置于所述绝缘薄片的至少一部分上以保护ESD电压;以及
外部电极,安置于所述堆叠式本体外部的至少两个侧表面中的每一者上且连接至所述电容器部分以及所述ESD保护部分,
其中所述ESD保护部分包括至少两个或大于两个放电电极以及安置在所述放电电极之间的至少一个ESD保护层,
所述ESD保护层的至少一个区的厚度以及宽度中的至少一者不同于其他区的厚度以及宽度中的至少一者,以及
所述内部电极在一个方向上的长度大于或等于所述放电电极的长度,所述内部电极在垂直于所述一个方向的另一方向上的宽度大于所述ESD保护层的宽度以及所述放电电极的宽度中的每一者,且所述ESD保护层具有大于所述放电电极的宽度的宽度。
23.根据权利要求22所述的包括防止触电的装置的电子装置,其中所述放电电极以及邻近于所述放电电极的所述内部电极中的每一者连接至相同所述外部电极。
24.根据权利要求22或23所述的包括防止触电的装置的电子装置,其中在所述放电电极与邻近于所述放电电极的所述内部电极之间的距离为A,所述放电电极之间的距离为B,且所述内部电极之间的距离为C时,满足A≤C或A≤B。
25.根据权利要求22或23所述的包括防止触电的装置的电子装置,其中所述外部电极延伸至所述堆叠式本体的上部以及下部部分中的至少一者以与所述内部电极部分重叠。
CN201680004441.6A 2015-05-07 2016-05-04 防止触电的装置以及包含防止触电的装置的电子装置 Active CN107112130B (zh)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2015-0063841 2015-05-07
KR20150063841 2015-05-07
KR1020160041189A KR101763874B1 (ko) 2015-05-07 2016-04-04 적층형 소자 및 이를 구비하는 전자기기
KR10-2016-0041189 2016-04-04
PCT/KR2016/004747 WO2016178529A1 (ko) 2015-05-07 2016-05-04 감전 방지 소자 및 이를 구비하는 전자기기

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107112130A true CN107112130A (zh) 2017-08-29
CN107112130B CN107112130B (zh) 2019-12-24

Family

ID=57540545

Family Applications (7)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201680004534.9A Active CN107112133B (zh) 2015-05-07 2016-05-04 防止触电的装置以及包含防止触电的装置的电子装置
CN201680004537.2A Active CN107112129B (zh) 2015-05-07 2016-05-04 防止触电的装置以及包含该装置的电子装置
CN201680004538.7A Pending CN107112135A (zh) 2015-05-07 2016-05-04 防止触电的装置以及包含防止触电的装置的电子装置
CN201680004539.1A Active CN107112131B (zh) 2015-05-07 2016-05-04 防止触电的装置以及包含防止触电的装置的电子装置
CN201680004444.XA Active CN107112134B (zh) 2015-05-07 2016-05-04 防止触电的装置以及包含防止触电的装置的电子装置
CN201680004441.6A Active CN107112130B (zh) 2015-05-07 2016-05-04 防止触电的装置以及包含防止触电的装置的电子装置
CN201680004438.4A Active CN107112102B (zh) 2015-05-07 2016-05-04 防止触电的装置以及包含防止触电的装置的电子装置

Family Applications Before (5)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201680004534.9A Active CN107112133B (zh) 2015-05-07 2016-05-04 防止触电的装置以及包含防止触电的装置的电子装置
CN201680004537.2A Active CN107112129B (zh) 2015-05-07 2016-05-04 防止触电的装置以及包含该装置的电子装置
CN201680004538.7A Pending CN107112135A (zh) 2015-05-07 2016-05-04 防止触电的装置以及包含防止触电的装置的电子装置
CN201680004539.1A Active CN107112131B (zh) 2015-05-07 2016-05-04 防止触电的装置以及包含防止触电的装置的电子装置
CN201680004444.XA Active CN107112134B (zh) 2015-05-07 2016-05-04 防止触电的装置以及包含防止触电的装置的电子装置

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201680004438.4A Active CN107112102B (zh) 2015-05-07 2016-05-04 防止触电的装置以及包含防止触电的装置的电子装置

Country Status (6)

Country Link
US (4) US20180139826A1 (zh)
EP (1) EP3293744A4 (zh)
JP (1) JP2018522395A (zh)
KR (12) KR101808794B1 (zh)
CN (7) CN107112133B (zh)
TW (8) TWI685941B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109585440A (zh) * 2017-09-28 2019-04-05 三星电子株式会社 包括静电放电保护图案的半导体器件及其制造方法
CN111149181A (zh) * 2017-09-29 2020-05-12 摩达伊诺琴股份有限公司 堆叠元件和具有其的电子装置

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101771824B1 (ko) * 2015-12-30 2017-08-25 삼성전기주식회사 적층형 커패시터 및 그 실장 기판
KR101828991B1 (ko) * 2016-12-06 2018-03-29 주식회사 모다이노칩 복합 보호 소자 및 이를 구비하는 전자기기
US10504655B2 (en) * 2016-12-22 2019-12-10 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Composite electronic component and board having the same
US11443898B2 (en) * 2017-04-10 2022-09-13 Presidio Components. Inc. Multilayer broadband ceramic capacitor with internal air gap capacitance
KR102416213B1 (ko) * 2017-05-30 2022-07-05 삼성전자주식회사 감전 방지 방법 및 이를 구현한 전자 장치
KR102527062B1 (ko) * 2017-09-21 2023-05-02 다이요 유덴 가부시키가이샤 세라믹 전자 부품 및 그 제조 방법
KR102516764B1 (ko) * 2017-12-08 2023-03-31 삼성전기주식회사 복합 전자 부품
KR102501186B1 (ko) * 2018-04-03 2023-02-20 엘에스일렉트릭(주) 무효전력보상장치, 방전시스템 및 방전시스템의 방전 동작 방법
JP7089402B2 (ja) * 2018-05-18 2022-06-22 太陽誘電株式会社 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法
JP7145652B2 (ja) * 2018-06-01 2022-10-03 太陽誘電株式会社 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法
KR102053356B1 (ko) * 2018-06-08 2019-12-06 주식회사 모다이노칩 복합 소자의 제조 방법, 이에 의해 제조된 복합 소자 및 이를 구비하는 전자기기
JP7446705B2 (ja) * 2018-06-12 2024-03-11 太陽誘電株式会社 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法
KR102185054B1 (ko) * 2018-10-19 2020-12-01 삼성전기주식회사 전자 부품
KR102163418B1 (ko) * 2018-11-02 2020-10-08 삼성전기주식회사 적층 세라믹 커패시터
US11393635B2 (en) * 2018-11-19 2022-07-19 Kemet Electronics Corporation Ceramic overvoltage protection device having low capacitance and improved durability
US11178800B2 (en) * 2018-11-19 2021-11-16 Kemet Electronics Corporation Ceramic overvoltage protection device having low capacitance and improved durability
KR101949442B1 (ko) 2018-12-18 2019-02-18 주식회사 모다이노칩 복합 소자 및 이를 구비하는 전자기기
JP2020167236A (ja) * 2019-03-28 2020-10-08 株式会社村田製作所 3端子型積層セラミックコンデンサおよび3端子型積層セラミックコンデンサの製造方法
KR20200117843A (ko) 2019-04-05 2020-10-14 주식회사 모다이노칩 복합 소자 및 이를 구비하는 전자기기
WO2020204416A1 (ko) * 2019-04-05 2020-10-08 주식회사 모다이노칩 복합 소자 및 이를 구비하는 전자기기
TWI781418B (zh) * 2019-07-19 2022-10-21 美商凱門特電子股份有限公司 具有低電容及改良耐用性的陶瓷過電壓保護裝置及其製造方法
KR102227327B1 (ko) 2020-02-10 2021-03-12 주식회사 모다이노칩 복합 소자
CN111430906B (zh) * 2020-03-31 2022-05-13 京东方科技集团股份有限公司 一种防雷击装置及其制作方法、防雷击天线
KR102594641B1 (ko) * 2020-12-09 2023-10-26 삼화콘덴서공업주식회사 Eos 강화형 적층 세라믹 콘덴서
KR102562247B1 (ko) * 2021-01-04 2023-08-01 삼화콘덴서공업주식회사 내충격성이 향상되는 적층 세라믹 콘덴서
US11715706B2 (en) * 2021-07-22 2023-08-01 Nanya Technology Corporation Semiconductor chip, semiconductor device and electrostatic discharge protection method for semiconductor device thereof
TWI806771B (zh) * 2022-09-16 2023-06-21 英業達股份有限公司 抗靜電型電子裝置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06251981A (ja) * 1993-02-26 1994-09-09 Mitsubishi Materials Corp 放電ギャップ付き積層チップコンデンサ
JP2010146779A (ja) * 2008-12-17 2010-07-01 Panasonic Corp 過電圧保護部品
CN102754171A (zh) * 2010-02-10 2012-10-24 埃普科斯股份有限公司 陶瓷多层器件
CN103140997A (zh) * 2010-09-30 2013-06-05 Tdk株式会社 抗静电元件
KR20140133003A (ko) * 2013-05-09 2014-11-19 삼성전기주식회사 적층 세라믹 커패시터

Family Cites Families (72)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS53122744A (en) * 1977-04-01 1978-10-26 Kyoto Ceramic Spark discharge gap unit
JPH1074659A (ja) * 1996-08-30 1998-03-17 Rohm Co Ltd 積層セラミックコンデンサ
TW394961B (en) * 1997-03-20 2000-06-21 Ceratech Corp Low capacitance chip varistor and fabrication method thereof
TW414898B (en) * 1997-10-06 2000-12-11 Tdk Corp Electronic device and its production
US7151298B1 (en) * 1999-12-20 2006-12-19 Advanced Micro Devices, Inc. Electrostatic discharge protection network having distributed components
JP3460683B2 (ja) * 2000-07-21 2003-10-27 株式会社村田製作所 チップ型電子部品及びその製造方法
JP2002216540A (ja) * 2000-11-15 2002-08-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電極ペースト及びそれを用いた電子部品の製造方法
JP2003022930A (ja) * 2001-07-09 2003-01-24 Taiyo Yuden Co Ltd 積層セラミックコンデンサ
JP2003257781A (ja) * 2002-03-05 2003-09-12 Murata Mfg Co Ltd 放電機能付き積層セラミックコンデンサ
JPWO2004059722A1 (ja) * 2002-12-24 2006-05-11 株式会社デンソー 半導体式センサおよび半導体装置のめっき方法
KR101108958B1 (ko) * 2003-02-25 2012-01-31 쿄세라 코포레이션 적층 세라믹 콘덴서 및 그 제조방법
JP4561629B2 (ja) * 2003-02-27 2010-10-13 Tdk株式会社 薄膜積層コンデンサ
JP4254359B2 (ja) * 2003-06-11 2009-04-15 株式会社村田製作所 チップ型セラミック電子部品の製造方法
TW200625591A (en) * 2005-01-13 2006-07-16 Jumbotek Advanced Technologies Inc A structure of the monolithic chip electrostatic discharge protective device
JP2006332601A (ja) * 2005-04-27 2006-12-07 Kyocera Corp 積層電子部品
DE112007000130B4 (de) * 2006-01-13 2016-06-09 Murata Mfg. Co., Ltd. Mehrschichtkondensator
KR100803434B1 (ko) * 2006-02-10 2008-02-13 엘에스전선 주식회사 전지캡에 장착 가능한 보호 소자 및 이를 구비한 이차 전지
KR100813195B1 (ko) * 2006-04-20 2008-03-13 주식회사 이노칩테크놀로지 정전기 보호 소자
JP2008084909A (ja) * 2006-09-26 2008-04-10 Nec Tokin Corp 積層型圧電トランスおよびその製造方法
KR20080032443A (ko) * 2006-10-09 2008-04-15 삼성에스디아이 주식회사 플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조방법
US7814263B2 (en) * 2006-10-26 2010-10-12 Sandisk Il Ltd. Erase history-based flash writing method
KR100848194B1 (ko) * 2006-12-19 2008-07-24 주식회사 아모텍 칩형 서지 흡수기
KR100920614B1 (ko) * 2007-02-05 2009-10-08 삼성전기주식회사 적층형 칩 커패시터
KR100876206B1 (ko) 2007-04-11 2008-12-31 주식회사 이노칩테크놀로지 회로 보호 소자 및 그 제조 방법
WO2008127023A1 (en) * 2007-04-11 2008-10-23 Innochips Technology Co., Ltd. Circuit protection device and method of manufacturing the same
DE102007020783A1 (de) * 2007-05-03 2008-11-06 Epcos Ag Elektrisches Vielschichtbauelement
DE102007031510A1 (de) * 2007-07-06 2009-01-08 Epcos Ag Elektrisches Vielschichtbauelement
TWM336534U (en) * 2008-01-25 2008-07-11 Inpaq Technology Co Ltd Chip-type ceramic components having overcurrent protection and ESD protection
JP4434314B2 (ja) * 2008-02-05 2010-03-17 株式会社村田製作所 Esd保護デバイス
JP4475338B2 (ja) * 2008-02-14 2010-06-09 Tdk株式会社 積層コンデンサ
EP2280458A4 (en) * 2008-05-08 2013-03-06 Murata Manufacturing Co SUBSTRATE WITH INTEGRATED PROTECTION AGAINST ELECTROSTATIC DISCHARGE
US8056199B2 (en) * 2008-10-21 2011-11-15 Tdk Corporation Methods of producing multilayer capacitor
EP2352211B1 (en) * 2008-11-26 2017-12-20 Murata Manufacturing Co. Ltd. Esd protection device and manufacturing method thereof
DE102009007316A1 (de) * 2009-02-03 2010-08-05 Epcos Ag Elektrisches Vielschichtbauelement
TWI448208B (zh) * 2009-02-17 2014-08-01 Pegatron Corp 靜電防護元件及電子裝置
KR101066456B1 (ko) * 2009-03-09 2011-09-23 주식회사 이노칩테크놀로지 회로 보호 소자
US8400254B2 (en) * 2009-04-23 2013-03-19 Panasonic Corporation Surge absorbing element
JP2011119568A (ja) * 2009-12-07 2011-06-16 Panasonic Corp 過電圧保護部品およびその製造方法
KR101082079B1 (ko) * 2009-12-09 2011-11-10 조인셋 주식회사 정전방전 보호 기능을 갖는 이엠아이 엘씨 필터
CN102754291B (zh) * 2010-02-04 2016-09-21 株式会社村田制作所 Esd保护装置的制造方法及esd保护装置
TWI422285B (zh) * 2010-03-17 2014-01-01 Simplo Technology Co Ltd 具靜電放電防護之電池模組
US8258012B2 (en) * 2010-05-14 2012-09-04 Stats Chippac, Ltd. Semiconductor device and method of forming discontinuous ESD protection layers between semiconductor die
DE102010036270B4 (de) * 2010-09-03 2018-10-11 Epcos Ag Keramisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines keramischen Bauelements
JP2012079923A (ja) * 2010-10-01 2012-04-19 Panasonic Corp 過電圧保護部品およびこれを用いた複合電子部品
JP2012114351A (ja) * 2010-11-26 2012-06-14 Tdk Corp 静電気対策素子
WO2012090730A1 (ja) * 2010-12-27 2012-07-05 株式会社村田製作所 Esd保護装置及びその製造方法
KR101568917B1 (ko) * 2011-02-02 2015-11-12 쇼와 덴코 가부시키가이샤 방전 갭 충전용 조성물 및 정전 방전 보호체
US20120275195A1 (en) * 2011-04-28 2012-11-01 Lorenzo Cividino Low Noise, Highly Isolated Power Supply
US8724284B2 (en) * 2011-05-25 2014-05-13 Tdk Corporation Electrostatic protection component
WO2012176714A1 (ja) * 2011-06-22 2012-12-27 株式会社村田製作所 セラミック粉末、半導体セラミックコンデンサおよびその製造方法
US8947852B2 (en) * 2011-07-07 2015-02-03 Kemet Electronics Corporation Integrated EMI filter and surge protection component
US8885324B2 (en) * 2011-07-08 2014-11-11 Kemet Electronics Corporation Overvoltage protection component
US9142353B2 (en) * 2011-07-08 2015-09-22 Kemet Electronics Corporation Discharge capacitor
WO2013046779A1 (ja) * 2011-09-28 2013-04-04 釜屋電機株式会社 静電気保護部品及びその製造方法
JP2013101911A (ja) * 2011-10-14 2013-05-23 Tdk Corp 静電気対策素子
JP5838927B2 (ja) * 2011-10-14 2016-01-06 Tdk株式会社 積層セラミック電子部品
JP2013182755A (ja) * 2012-03-01 2013-09-12 Tdk Corp 静電気保護素子
KR20130117397A (ko) * 2012-04-17 2013-10-28 주식회사 이노칩테크놀로지 회로 보호 소자
WO2013164952A1 (ja) * 2012-05-02 2013-11-07 株式会社村田製作所 電子部品
WO2013163695A1 (en) * 2012-05-04 2013-11-07 Nano-Nouvelle Pty Ltd Battery electrode materials
TWI441202B (zh) * 2012-05-30 2014-06-11 Sfi Electronics Technology Inc 一種低電容層積型晶片變阻器及其所使用的過電壓保護層
WO2014109272A1 (en) * 2013-01-11 2014-07-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device charging method
JP6044418B2 (ja) * 2013-03-27 2016-12-14 三菱マテリアル株式会社 サージアブソーバ及びその製造方法
JP6036989B2 (ja) * 2013-03-27 2016-11-30 株式会社村田製作所 Esd保護装置
JP6136507B2 (ja) * 2013-04-16 2017-05-31 Tdk株式会社 積層コンデンサアレイ
KR101474152B1 (ko) * 2013-07-17 2014-12-23 삼성전기주식회사 적층 세라믹 커패시터 및 그 제조 방법
JP2015023247A (ja) * 2013-07-23 2015-02-02 Tdk株式会社 複合電子部品
JP6398349B2 (ja) * 2013-08-23 2018-10-03 Tdk株式会社 積層型セラミック電子部品
JP2015069824A (ja) * 2013-09-28 2015-04-13 新日鉄住金化学株式会社 積層体、色素増感太陽電池用アノード電極および色素増感太陽電池ならびに積層体の製造方法
KR20150135909A (ko) * 2014-05-26 2015-12-04 삼성전기주식회사 복합 전자부품, 제조방법, 그 실장 기판 및 포장체
JP2015043423A (ja) * 2014-08-13 2015-03-05 株式会社村田製作所 積層セラミックコンデンサ
KR101585619B1 (ko) * 2014-11-20 2016-01-15 주식회사 아모텍 감전보호소자 및 이를 구비한 휴대용 전자장치

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06251981A (ja) * 1993-02-26 1994-09-09 Mitsubishi Materials Corp 放電ギャップ付き積層チップコンデンサ
JP2010146779A (ja) * 2008-12-17 2010-07-01 Panasonic Corp 過電圧保護部品
CN102754171A (zh) * 2010-02-10 2012-10-24 埃普科斯股份有限公司 陶瓷多层器件
CN103140997A (zh) * 2010-09-30 2013-06-05 Tdk株式会社 抗静电元件
KR20140133003A (ko) * 2013-05-09 2014-11-19 삼성전기주식회사 적층 세라믹 커패시터

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109585440A (zh) * 2017-09-28 2019-04-05 三星电子株式会社 包括静电放电保护图案的半导体器件及其制造方法
CN109585440B (zh) * 2017-09-28 2024-04-19 三星电子株式会社 包括静电放电保护图案的半导体器件及其制造方法
CN111149181A (zh) * 2017-09-29 2020-05-12 摩达伊诺琴股份有限公司 堆叠元件和具有其的电子装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR20160131948A (ko) 2016-11-16
EP3293744A1 (en) 2018-03-14
CN107112134B (zh) 2019-12-24
TWI661528B (zh) 2019-06-01
TW201711326A (zh) 2017-03-16
KR101808795B1 (ko) 2017-12-13
KR20160131843A (ko) 2016-11-16
CN107112129B (zh) 2019-07-23
TWI608682B (zh) 2017-12-11
KR20160131867A (ko) 2016-11-16
TWI672789B (zh) 2019-09-21
TW201701448A (zh) 2017-01-01
TW201707518A (zh) 2017-02-16
US20180124904A1 (en) 2018-05-03
CN107112131A (zh) 2017-08-29
TWI624027B (zh) 2018-05-11
KR101871448B1 (ko) 2018-06-26
EP3293744A4 (en) 2019-01-02
KR20160131844A (ko) 2016-11-16
CN107112102A (zh) 2017-08-29
TW201701447A (zh) 2017-01-01
KR101818171B1 (ko) 2018-01-12
TW201703224A (zh) 2017-01-16
CN107112133A (zh) 2017-08-29
CN107112133B (zh) 2019-07-23
KR101808797B1 (ko) 2017-12-13
CN107112129A (zh) 2017-08-29
TWI595627B (zh) 2017-08-11
KR20160131950A (ko) 2016-11-16
KR101808794B1 (ko) 2018-01-18
CN107112134A (zh) 2017-08-29
KR20170140135A (ko) 2017-12-20
US20180139826A1 (en) 2018-05-17
TWI599014B (zh) 2017-09-11
US20180124905A1 (en) 2018-05-03
TWI685941B (zh) 2020-02-21
KR101769037B1 (ko) 2017-08-18
CN107112131B (zh) 2019-07-23
CN107112135A (zh) 2017-08-29
KR101808799B1 (ko) 2018-01-18
JP2018522395A (ja) 2018-08-09
KR20160131852A (ko) 2016-11-16
KR20160131879A (ko) 2016-11-16
CN107112130B (zh) 2019-12-24
KR20160131881A (ko) 2016-11-16
TW201733073A (zh) 2017-09-16
KR20160131880A (ko) 2016-11-16
TW201703225A (zh) 2017-01-16
KR20160131949A (ko) 2016-11-16
KR101781574B1 (ko) 2017-09-27
US20180139827A1 (en) 2018-05-17
TW201705435A (zh) 2017-02-01
TWI619408B (zh) 2018-03-21
CN107112102B (zh) 2019-12-24
KR101763874B1 (ko) 2017-08-01
KR20160131951A (ko) 2016-11-16
KR101808798B1 (ko) 2017-12-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107112130A (zh) 防止触电的装置以及包含防止触电的装置的电子装置
KR101828991B1 (ko) 복합 보호 소자 및 이를 구비하는 전자기기
KR101789243B1 (ko) 복합 보호 소자 및 이를 구비하는 전자기기
KR20180065008A (ko) 복합 보호 소자 및 이를 구비하는 전자기기
KR20170126840A (ko) 적층형 소자 및 이를 구비하는 전자기기

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant