KR101598260B1 - 인터포저 및 인터포저에 구멍을 형성하는 방법 - Google Patents

인터포저 및 인터포저에 구멍을 형성하는 방법 Download PDF

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Abstract

CPU 칩과 회로 기판 사이의 전기 접속을 위한 인터포저가 제공된다. 유리로 형성된 보드 형상 베이스 기판(1)은 열팽창 계수가 3.1　·　10-6　/K 내지 3.4 · 10-6　범위이고, 구멍(12)의 갯수가 10개 내지 10, 000개 cm-2 범위이다. 구멍(12)은 20 ㎛ 내지 200 ㎛ 범위일 수 있는 직경을 갖는다. 보드의 일면 상에서 전도성 트랙(13)이 연장되고, 칩에 대한 접속 지점을 형성하기 위해 상기 전도성 트랙은 각각의 구멍(12)으로 바로 뻗고, 이 구멍을 통하여 보드의 다른 면으로 뻗는다.

Description

인터포저 및 인터포저에 구멍을 형성하는 방법{INTERPOSER AND METHOD FOR PRODUCING HOLES IN AN INTERPOSER}
본 발명은 CPU 칩의 단자와 회로 기판을 전기 접속시키는 인터포저에 관한 것이며, 또한 인터포저의 주요 제작 단계에 이용되는 방법에 관한 것이다.
프로세서 코어와 같은 CPU 칩은 통상적으로 그 저면에, 서로 조밀하게 이격되고 비교적 소면적에 걸쳐 분포된 수백 개의 컨택트 지점을 갖는다. 이러한 조밀한 간격으로 인해, 이들 컨택트 지점은 회로 기판, 소위 마더 기판에 직접 마련될 수 없다. 따라서, 접속 베이스를 확대하는 것을 허용하는 중간부가 채용된다. 중간부로서는 종종, 에폭시 재료로 둘러싸이는 유리 섬유 매트가 채용되며, 이 유리 섬유 매트에는 다수의 구멍이 마련된다. 유리 섬유 매트의 일면 상에서 연장되는 전도성 경로는 각각의 구멍으로 뻗어, 구멍을 충전하고 유리 섬유 매트의 다른 면에 있는 프로세서 코어의 단자에 도달한다. 이러한 목적으로, 프로세서 코어의 둘레와, 프로세서 코어와 유리 섬유 매트 사이 모두에는 언더필이 도포되는데, 이 언더필은 와이어를 보호하고 프로세서 코어와 유리 섬유 매트를 기계적으로 결합시킨다. 그러나, 프로세서 코어와 유리 섬유 매트는 상이한 열팽창을 나타낸다. 예컨대, 유리 섬유 매트는 열팽창 계수가 15 내지 17 x 10-6　/K인 반면, 실리콘계 코어 프로세서는 열팽창 계수가 3.2 내지 3.3 x 10-6　/K이다. 따라서, 가열의 경우에 코어 프로세서와 유리 섬유 매트의 팽창이 달라, 이들 2개의 구성 요소 사이에 기계적인 응력이 발생한다. 이것은 특히 상기 2개의 구성 요소가 완전히 면 대 면 결합되지 않은 경우에 컨택트 접속에 치명적일 수 있다. 이 경우, 컨택트 지점이 쉽게 파손될 수 있다.
유리 섬유 매트를 사용하는 데 관한 다른 결점은 유리 섬유 매트에 구멍을 기계적으로 드릴링하는 것에 관한 것이다. 구멍 직경은 250 내지 450 ㎛로 제한된다.
인터포저 유형으로서 사용 가능한 접속 구조체의 구성 및 제작 방법에 관한 다른 가능성이 WO 02/058135 A2에 기술되어 있다. 이산화규소와 같은 유전재에 구멍 및 트렌치를 형성하는 것과 구멍 및 트렌치를 전도층으로 충전하는 것을 포함하는 웨이퍼 기술이 채용된다. 그러나, 이러한 컨택트 접속을 이루는 방법은 비용이 매우 많이 든다.
유사한 기술이 DE 103 01 291 B3에 교시되어 있다. 리세스를 기판에 에칭한 후, 금속 전도성 경로로 충전하고, 구멍을 통해 연장되는 컨택트가 또한 마련된다. 이러한 기법은 복잡하고 비용이 많이 든다.
U.S. 2002/0180015 A1에는, 반도체 소자와 반도체 소자를 장착하기 위한 배선 기판을 포함하는 멀티칩 모듈이 개시되어 있다. 배선 기판은 샌드 블래스팅 처리에 의해 형성된 구멍을 지닌 유리 기판으로 이루어진다. 배선층은 유리 기판의 표면 상에 형성된다. 또한, 유리 기판은 배선 및 절연층을 갖는다. 이는 실리콘의 열팽창 계수에 가까운 유리 기판의 열팽창 계수를 선택하는 것을 겨냥한다.
U.S. 5,216,207에는 은 전도체를 포함하는 세라믹 멀티층 회로 기판이 개시되어 있다. 세라믹 멀티층은 저온에서 소성된다. 회로 기판은 실리콘의 열팽창 계수에 가까운 열팽창 계수를 갖는다.
U.S. 2009/0321114 A1에는 멀티층 세라믹 기판을 포함하는 전기 테스팅 기판 유닛이 개시되어 있다. 사용되는 재료의 열팽창 계수가 본 발명의 값에 가깝더라도, 상기 재료는 순수 유리가 아니다.
U.S. 7,550,321 B1에는 열팽창 계수가 두께 방향으로 구배를 갖는 기판이 개시되어 있다.
2001년 3월 1일판 Optics Letters 제26호 제5권에 실린 논문 "Femtosecond laser-assisted three-dimensional microfabrication in silica"의 제277면 내지 제279면에는 실리케이트 유리에서의 다이렉트 3차원 초미세 제작(direct three-dimensional microfabrication)이 기술되어 있다. 제작 방법은 2개 단계로 완수된다. 우선, 집속 펨토초 레이저 펄스를 이용하여 유리에 의도하는 패턴을 맵핑한다. 그 다음, 이 패턴을 에칭한다.
본 발명의 목적은, CPU 칩과 회로 기판 간의 전기 접속을 위한 인터포저로서, 경제적으로 제조되고, 구멍 직경이 20　㎛ 및 200 ㎛ 정도인 미세 구멍을 형성할 수 있으며, 인터포저 본체의 열팽창이 CPU 칩 재료의 열팽창과 유사한 것인 인터포저를 제공하는 것이다.
신규의 인터포저는 아래의 요건을 충족할 수 있어야만 한다.
다수의 작은 구멍(10개 내지 10,000개)이 서로 조밀한 공차로 각각의 인터포저에 수용되어야 한다. 구멍 간격이 30 ㎛ 이하인 것을 보장하는 것이 가능해야 한다. 20 ㎛ 크기 이하의 구멍 직경이 가능해야만 한다. 1 내지 10의 구멍 직경에 대한 인터포저의 두께의 비, 소위 종횡비가 가능해야만 한다. 120 ㎛ 내지 400 ㎛ 범위의 구멍들의 중심간 거리가 가능해야만 한다. 구멍은 이 구멍에 대한 원추형 또한 크레이터 형상의 유입구 및 유출구를 가져야만 하지만, 중앙에 있는 구멍의 내벽은 원통 형상의 것이어야만 한다. 구멍은 매끄러운 벽(소성 연마)을 가져야만 한다. 선택적으로, 구멍의 엣지 둘레에 높이가 5 mm 이하인 비드가 형성될 수 있다.
본 발명에 따른 인터포저는, 그 보드 형상 베이스 기판이 3.1　x　10-6　/K 내지 3.4 x 10-6　/K　범위의 열팽창 계수를 갖는 유리로 이루어지는 것을 특징으로 한다. 실리콘계 칩 보드는 3.2 x 10-6/K 내지 3.3 x 10-6　/K의 열팽창 계수를 나타낸다. 따라서, 상이한 열팽창 거동으로 인한 인터포저와 CPU 칩 사이의 큰 기계적 응력은 예상되지 않는다. 인터포저에 있는 구멍의 갯수는 특정 요건에 따라 선택되며, cm2당 10,000개의 구멍에 이를 수 있다. 통상적인 구멍의 갯수는 1,000개 내지 3,000개이다. 구멍들의 중심간 거리는 50 ㎛ 내지 700 ㎛ 범위이다. 구성 요소의 소형화에 관한 요건을 충족하기 위해, 직경 범위가 20 ㎛ 내지 200　㎛인 구멍이 마련된다. CPU 칩과 CPU 의 회로 기판 사이의 전기 접속을 구현하기 위해, 전도성 경로가 인터포저 기판의 표면 중 하나 상에서 구멍을 향해 구멍 내로 연장되고 구멍을 관통하여 CPU 칩에 대한 접속 지점을 형성한다.
베이스 기판을 이루는 유리는 알칼리 함량이 700 ppm 미만이어야만 한다. 이러한 유리는 필요에 따라 열팽창 계수가 낮고, 높은 유전 값으로 인해 매우 양호한 신호 차단 속성을 나타낸다. 또한, 실리콘 프로세서가 알칼리로 오염될 우려가 현격하게 방지된다.
환경 보호에 관한 이유로 인해, 유리 조성물의 비소 또는 안티몬 함량은 50 ppm 미만이다.
인터포저 보드는 두께가 1 mm 미만이지만, 30 ㎛ 이상이다. 인터포저에 있는 구멍의 갯수는 필요에 따라 선택되며, cm2당 1,000개 내지 3,000개 정도이다. 본 발명은 100 ㎛보다 작은 미세 구멍을 갖는 인터포저를 시장에 제공하는 것을 목적으로 한다. 따라서, 구멍들은 구멍들의 중심간 거리가 150 ㎛ 내지 400 ㎛ 범위일 수 있도록 조밀하게 팩킹된다. 그러나, 구멍들의 엣지간 거리는 30 ㎛ 이상이어야만 한다. 구멍은 모두가 동일한 직경을 가질 필요는 없으며, 보드 형상 베이스 기판에 상이한 직경의 구멍을 마련하는 것도 가능하다. 구멍 직경에 대한 유리 기판의 두께의 비, 즉 종횡비는 0.1 내지 25의 넓은 범위에서 선택될 수 있으며, 종횡비는 1 내지 10인 것이 바람직하다. 구멍은 일반적으로 얇은 원통 형상을 갖지만, 구멍의 유입구와 유출구에서 라운드형 단속 엣지(rounded-broken dege)를 가질 수 있다.
20 ㎛ 내지 200 ㎛ 범위의 직경을 가질 수 있는 구멍을 정확하게 위치 설정하기 위해, 집속 레이저 펄스가 유리 투과 파장 범위로 사용되며, 이에 의해 레이저 빔이 유리로 침투하고, 유리 표면층에 쉽게 흡수되지는 않는다. 사용되는 레이저 광선은, 필라멘트형 채널을 따라 유리의 국부적인 비열 파괴가 초래되도록 매우 높은 광선 강도를 갖는다. 이러한 필라멘트형 채널은 후속하여 소망하는 직경의 구멍으로 확대되는데, 이를 목적으로 구멍 에지 재료의 전자 열적 가열 및 증발을 유발하는 유전 파괴가 채용될 수 있고, 및/또는 반응성 가스를 공급합으로써 필라멘트형 채널이 확대된다.
의도된 천공 지점을, 베이스 기판에 도트 형태로 프린트되는 RF 커플링 재료를 이용하여 정확하게 표시하는 것도 또한 가능하다. 이렇게 표시된 천공 지점은 RF 에너지에 의해 가열되어, 의도된 구멍의 영역에서 고전압에 대한 파괴 강도가 낮아지고, 최종적으로 이 천공 지점에서 유전 파괴가 유발된다. 천공부는 공급되는 에칭 가스에 의해 확대될 수 있다.
보드 형상 유리 기판 상에 그리고 구멍에 걸쳐 전도성 경로를 제작하는 것은 기지의 방법 패턴에 의해 달성되며, 본 명세서에서는 더 이상 설명할 필요가 없다.
본 발명에 따르면, CPU 칩과 회로 기판 간의 전기 접속을 위한 인터포저로서, 경제적으로 제조되고, 구멍 직경이 20　㎛ 및 200 ㎛ 정도인 미세 구멍을 형성할 수 있으며, 인터포저 본체의 열팽창이 CPU 칩 재료의 열팽창과 유사한 것인 인터포저가 제공된다.
도면을 참고로 하여 본 발명의 예시적인 실시예를 설명하겠다.
도 1은 인터포저를 제조하는 제1 방법을 길이 방향 단면도로 개략적으로 예시한다.
도 2는 인터포저를 제조하는 제2 방법을 예시한다.
제1 방법 단계에서, 보드 형상 유리 기판(1) 상의 천공 지점(10)은 레이저(40)의 어레이(4)로부터 방출되는 집속 레이저 펄스(41)에 의해 표시된다. 이러한 레이저의 광선 강도는 필라멘트형 채널(11)을 따라 유리에 국부적인 비열 파괴를 유발할만큼 강하다.
제2 방법 단계에서, 필라멘트형 채널(11)은 구멍(12)으로 확대된다. 이를 위해, 대향 전극(6, 7)이 채용될 수 있으며, 이 대향 전극에 고압 에너지가 인가되어, 필라멘트형 채널(11)을 따라 유리 기판에 걸쳐 유전 파괴가 초래된다. 이러한 관통공(breakthrough)은, 소망하는 구멍 직경을 얻었을 때 전원을 오프로 전환함으로써 공정이 중단될 때까지 천공 재료의 전자 열적 가열 및 증발에 의해 확대된다.
대안으로서 또는 추가로, 필라멘트형 채널(11)은 천공 지점(10)으로 가스를 지향시키는 노즐(20, 30)로 예시한 바와 같이 반응성 가스를 이용하여 확대될 수 있다.
다음 방법 단계에서, 천공 지점(10)으로의 전도성 경로(13)가 유리 기판(1)의 상부면에 형성되고, 구멍(12)은 전도성 재료(14)로 충전되어 기판의 저부면에 있는 CPU 칩 등의 컨택트 지점으로의 접속이 완료된다[마더보드 상의 장착을 위해, 유리 기판(1)은 전복된다].
도 2는 미세구멍을 형성하는 다른 방법을 예시한다. 천공 지점(10)은 정확하게 임프린트된 RF 커플링 재료로 표시된다. 이러한 천공 지점(10)에 고주파 에너지가 전극(2, 3)에 의해 인가되고, 이에 의해 커플링 지점 자체와, 상면 커플링 지점과 저면 커플링 지점 사이의 유리 재료가 가열되어, 재료의 유전 강도가 저하되게 된다. 고압이 인가될 때, 유전 파괴는 좁은 채널(11)을 따라 발생할 것이다. 계속해서 고압 에너지를 공급함으로써, 이러한 좁은 채널(11)은 구멍(12)의 크기로 확대될 수 있다.
그러나, 유전 파괴로부터 생성된 좁은 채널(11)을 확대하기 위해서 노즐(20, 30)을 통해 공급되는 반응성 가스를 이용하는 것도 또한 가능하다.
마지막으로, 구멍(12)으로의 전도성 경로(13)가 유리 기판의 상부면에 형성되고, 유리 기판(1)이 전복된 상태에서 CPU 칩에 대한 접속을 확립하기 위해 구멍이 전도성 재료(14)로 충전된다.
인터포저는 개별적으로 제작될 필요는 없으며, 오히려 복수 개의 인터포저에 대한 유리 기판을 가공할 수 있고, 대형 사이즈의 유리 기판을 절단하여 개별 인터포저를 얻을 수 있다. 엣지 길이가 0.2 m x 3 m(또는 그 미만)인 크기의 유리 기판을 가공할 수 있다. 라운드 기판 포맷은 최대 1 m의 치수를 가질 수 있다.
예시적인 실시예
Pt/Ir 도가니에서, 불가피적 불순물을 제외한 종래의 필수적으로 무알칼리 원료로 이루어진 유리를 1620 ℃에서 용융시켰다. 이 온도에서 용융물을 1시간 반 동안 정련한 다음, 유도 가열 백금 도가니에 주입하고, 균질화를 위해 1550　℃에서 30분 동안 교반하였다.
15개의 예의 적절한 유리, 그 조성(산화물에 기초한 중량% 단위) 및 그 주요 피쳐를 표에 나타낸다. 0.3 중량% 비율의 정련제 SnO2(예 1 내지 8, 11, 12, 14, 15) 및 As2O3(예 9, 10, 13)은 열거하지 않는다. 아래의 속성이 특정된다.
- 열팽창 계수 α20/300 (10-6　/K)
- 밀도 ρ(g/cm3)
- DIN 52324에 따른 팽창계의 유리 천이 온도 Tg (℃)
- 점도 104 dPa·s에서의 온도(T4 [℃]라고 함)
- Vogel-Fulcher-Tammann 방정식으로부터 계산된 점도 102 dPa·s에서의 온도(T2 [℃]라고 함)
- 치수가 50mm x 50mm x 2mm이고 95　℃에서 24시간 동안 5 % 염산으로 처리한 후 모든 면이 연마된 유리 보드의 중량 손실(재료 제거값)로서의 "HCl" 내산성 (mg/cm2)
- 치수가 50mm x 50mm x 2mm이고 23　℃에서 20분 동안 10% NH4F NH4F·HF로 처리한 후 모든 면이 연마된 유리 보드의 중량 손실(재료 제거값)로서의 완충된 염산에 대한 "BHF" 저항 (mg/cm2)
- 굴절율 nd
예:
본 발명에 따른 유리의 조성(산화물에 대한 중량% 단위) 및 필수 속성
1 2 3 4 5 6
SiO2 60.0 60.0 59.9 58.9 59.9 61.0
B2O3 7.5 7.5 7.5 8.5 7.5 9.5
Al2O3 21.5 21.5 21.5 21.5 21.5 18.4
MgO 2.9 2.9 2.0 2.0 2.9 2.2
CaO 3.8 2.8 3.8 3.8 4.8 4.1
BaO 4.0 5.0 5.0 5.0 3.1 4.5
ZnO - - - - - -
α20/300 (10-6 /K) 3.07 3.00 3.01 3.08 3.13 3.11
ρ(g/cm3) 2.48 2.48 2.48 2.48 2.47 2.45
Tg (℃) 747 748 752 741 743 729
T 4 (℃) 1312 1318 1315 1308 1292 1313
T 2 (℃) 1672 1678 1691 1668 1662 1700
nd 1.520 1.518 1.519 1.519 1.521 1.515
HCl (mg/cm2) 1.05 n.m. 0.85 n.m. 1.1 n.m.
BHF (mg/cm2) 0.57 0.58 0.55 0.55 0.56 0.49
7 8 9 10 11 12
SiO2 58.5 62.8 63.5 63.5 59.7 59.0
B2O3 7.7 8.2 10.0 10.0 10.0 9.0
Al2O3 22.7 16.5 15.4 15.4 18.5 17.2
MgO 2.8 0.5 2.0 1.0 2.0
CaO 2.0 4.2 5.6 6.6 8.3 9.0
BaO 5.0 7.5 3.2 3.2 3.2 3.5
ZnO 1.0 - - - - -
α20/300 (10-6 /K) 2.89 3.19 3.24 3.34 3.44 3.76
ρ(g/cm3) 2.50 2.49 2.42 2.43 2.46 2.50
Tg (℃) 748 725 711 719 714 711
T 4 (℃) 1314 1325 1320 1327 1281 1257
T 2 (℃) 1674 1699 n.m. n.m. 1650 1615
nd 1.520 1.513 1.511 1.512 1.520 1.526
HCl (mg/cm2) n.m. 0.30 0.89 n.m. n.m. 0.72
BHF (mg/cm2) 0.62 0.45 0.43 0.40 0.44 0.49
13 14 15
SiO2 61.4 59.5 63.9
B2O3 8.2 10.0 10.4
Al2O3 16.0 16.7 14.6
MgO 2.8 0.7 2.9
CaO 7.9 8.5 4.8
BaO 3.4 3.8 3.1
ZnO - 0.5 -
α20/300 (10-6/K) 3.75 3.60 3.21
ρ(g/cm3) 2.48 2.48 2.41
Tg (℃) 709 702 701
T 4 (℃) 1273 1260 1311
T 2 (℃) 1629 1629 n.m.
nd 1.523 1.522 n.m.
HCl (mg/cm2) 0.41 0.97 n.m.
BHF (mg/cm2) 0.74 0.47 n.m.
n.m. = 측정하지 않음
예시적인 실시예를 설명할 때, 유리는 아래의 유리한 속성을 갖는다.
2.8 x 10-6　/K 내지 3.8　x　10-6　/K, 바람직한 실시예에서는 ≤ 3.6 x 10-6　/K, 보다 바람직한 실시예에서는 < 3.2 x 10-6　/K이고, 이에 따라 비정질 실리콘과 또한 증가하는 단결정 실리콘 모두의 열팽창 거동에 부합하는 열팽창 α20/300
- Tg > 700 ℃인 높은 유리 천이 온도, 즉 내고온성. 이것은 가능한 제조 관련 최소 수축("압밀") 및 비정질 Si층의 코팅을 위한 기판으로서의 유리의 사용과 후속하는 유리의 어닐링을 위해 필수적이다.
- ρ< 2.600 g/cm3인 낮은 밀도
- 점도 104 dPa·s에서의 1350 ℃ 이하의 온도 및 점도 102 dPa·s에서의 1720 ℃ 이하의 온도 - 이것은 고온 성형 및 용융성 관점에서 적절한 점도 특성임 -
- nd ≤ 1.526인 낮은 굴절율
- 특히 완충된 염산 용액에 대한 양호한 내성으로부터 자명한 높은 내화학성
유리는 높은 내열충격성과 양호한 실투 안정성(devitrification stability)을 나타낸다. 유리는 다양한 인발법, 예컨대 마이크로시트 다운드로우, 업드로우 또는 오버플로우 융해법에 의해, 그리고 바람직한 실시예에서는 유리에 As2O3 및 Sb2O3가 함유되지 않은 경우에는 플로트법에 의해서도 평유리로서 제작될 수 있다.
이들 속성에 의해, 유리는 인터포저 제작용 기판 유리로서 사용하기에 매우 적합하다.
저알칼리 유리로 이루어진 베이스 기판을 사용함으로써, 그리고 실리콘 재료로 이루어진 칩의 열팽창 계수와 매우 가까운 열팽창 계수에 의해, 인터포저와 CPU 칩의 상이한 열팽창으로 인한 어려움은 현격히 방지된다. 인접한 조인트 재료층 또는 보드가 단지 약간 상이한 가열 거동과 약간 상이한 열팽창 계수를 갖는 경우, 이들 조인트 재료층과 보드 사이의 기계적인 응력은 보다 적고, 조인트 재료층들 또는 보드들 사이의 휨 또는 크랙킹이 없을 것이다.
기존의 인터포저에 비해 구멍이 보다 치밀하게 형성된 인터포저는 보다 작은 기판 크기를 갖고, 이에 의해 포함되는 층들 또는 보드들의 상이한 팽창 및 수축의 양을 훨씬 더 줄이고, 이에 따라 휨에 관한 우려와, 이에 따른 포함되는 층들 또는 보드들 사이의 크랙킹에 관한 우려를 훨씬 더 줄인다.
마지막으로, 비용 절감 역시 기대할 수 있는데, 그 이유는(인터포저 사이즈 및 구멍 크기가 줄어들면) 보다 적은 유리 재료와 구멍을 충전하기 위한 보다 적은 전도성 재료가 사용되어야만 하기 때문이다.

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  15. 인터포저에 구멍(12)을 형성하는 구멍 형성 방법으로서,
    a) 유리로 이루어진 단일 층상형 보드를 천공 대상 베이스 기판(1)으로서 마련하는 단계;
    b) 다수의 레이저 빔 어레이(4)를 상기 베이스 기판(1)의 예정된 천공 지점(10)에 대해 정렬시키는 단계;
    c) 유리를 적어도 부분적으로 투과하며, 각각의 필라멘트형 채널(11)을 따른 유리의 국부적인 비열 파괴(non-thermal destruction)를 유발하는 광선 강도를 갖는, 1600 내지 200 nm 범위의 파장으로 집속 레이저 펄스(41)를 기동하는 단계; 및
    d) 상기 필라멘트형 채널(11)을 소망하는 구멍(12)의 직경으로 확대하는 단계
    를 포함하며,
    상기 인터포저는 CPU 칩과 회로 기판 사이의 전기 접속을 위한 것이며, 제1 기판면 및 제2 기판면을 갖는 유리 단일 층으로 이루어진 보드 형상 베이스 기판(1)을 포함하고,
    상기 베이스 기판(1)은 열팽창 계수가 3.1 × 10-6/K 내지 3.4 × 10-6/K이며,
    상기 베이스 기판은 보드 두께를 횡방향으로 관통하여 기판면으로 연장되는 다수의 구멍(12)들을 가지며, 상기 구멍의 갯수는 cm2 당 10 내지 10,000 개이고,
    상기 구멍(12)들은 20 ㎛ 내지 200 ㎛ 범위일 수 있는 직경을 갖고,
    상기 구멍들의 중심 사이에서 측정된 구멍(12)들의 거리는 50 ㎛ 내지 700 ㎛이며,
    상기 제1 기판면 상에서 전도성 경로(13)가 연장되고, 상기 전도성 경로는 상기 구멍(12)들 내로 구멍을 관통하여 제2 기판면으로 연장되어 CPU 칩에 대한 접속 지점을 형성하는 것인, 구멍 형성 방법.
  16. 제15항에 따른 구멍 형성 방법으로서,
    상기 베이스 기판(1)의 유리는 비소 또는 안티몬 함량이 50 ppm 미만인 것인 구멍 형성 방법.
  17. 제15항에 따른 구멍 형성 방법으로서,
    상기 베이스 기판(1)의 기판면과 구멍의 내벽 사이의 구멍의 엣지는 라운드형으로 단속된 것인 구멍 형성 방법.
  18. 제15항에 있어서, 상기 필라멘트형 채널(11)을 확대하는 단계는 유전 파괴로 인한 천공 재료의 전자 열적 가열 및 증발에 의해 이루어지는 것인 구멍 형성 방법.
  19. 제16항에 있어서, 상기 필라멘트형 채널(11)을 확대하는 단계는 유전 파괴로 인한 천공 재료의 전자 열적 가열 및 증발에 의해 이루어지는 것인 구멍 형성 방법.
  20. 제17항에 있어서, 상기 필라멘트형 채널(11)을 확대하는 단계는 유전 파괴로 인한 천공 재료의 전자 열적 가열 및 증발에 의해 이루어지는 것인 구멍 형성 방법.
  21. 제15항에 있어서, 상기 필라멘트형 채널(11)을 확대하는 단계는 반응성 가스에 의해 이루어지는 것인 구멍 형성 방법.
  22. 제16항에 있어서, 상기 필라멘트형 채널(11)을 확대하는 단계는 반응성 가스에 의해 이루어지는 것인 구멍 형성 방법.
  23. 제17항에 있어서, 상기 필라멘트형 채널(11)을 확대하는 단계는 반응성 가스에 의해 이루어지는 것인 구멍 형성 방법.
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