KR102356415B1 - 전자기 방사선과 후속 에칭공정을 이용해 재료 안으로 적어도 하나의 리세스를 도입하기 위한 방법 - Google Patents

전자기 방사선과 후속 에칭공정을 이용해 재료 안으로 적어도 하나의 리세스를 도입하기 위한 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 투명한 또는 투과성 유리 기판 (2) 안으로 적어도 하나의 관통구멍 (1) 을 도입하기 위한 방법에 관한 것이며, 상기 유리 기판 (2) 은 전자기 방사선, 특히 레이저를 이용해 빔축 (s) 을 따라 선택적으로 변조된다. 상기 변조들이 유리 기판 (2) 안에서 빔축 (s) 을 따라, 서로 다른 특성들을 갖는 전자기 방사선에 의해, 예컨대 서로 다른 펄스 에너지에 의해, 생성됨으로써, 상기 유리 기판 (2) 안의 에칭공정이 비균질하게 서로 다른 에칭률들로 진행된다. 이를 통해, 상기 투명한 또는 투과성 재료 안에서 에칭 처리를 근거로 생기는 관통구멍 (1) 을 타겟팅하여 그리고 선택적으로 상기 변조들의 서로 다른 특성들을 통해 형성하는 그리고 예컨대 상기 관통구멍 (1) 의 원뿔각도 (α, β) 를 변화시키는 가능성이 만들어내진다.

Description

전자기 방사선과 후속 에칭공정을 이용해 재료 안으로 적어도 하나의 리세스를 도입하기 위한 방법{METHOD FOR PRODUCING AT LEAST ONE RECESS IN A MATERIAL BY MEANS OF ELECTROMAGNETIC RADIATION AND SUBSEQUENT ETCHING PROCESS}
본 발명은 투명한 또는 투과성의, 특히 판 모양의, 재료 안으로 적어도 하나의 리세스, 특히 관통구멍을 도입하기 위한 방법에 관한 것이며, 상기 재료는 전자기 방사선, 특히 레이저를 이용해 빔축 (beam axis) 을 따라 선택적으로 변조되고, 상기 리세스들은 후속하여 에칭공정에 의해 생성되고, 변조된 영역에서 그리고 변조되지 않은 영역들에서 서로 다른 에칭률들 (etching rates) 이 나타난다.
WO 2016/041544 A1 은 판 모양의 작업물 안으로, 특히 관통구멍으로서의, 적어도 하나의 리세스를 도입하기 위한 이러한 방법을 공개한다. 이를 위해 레이저 방사선이 상기 작업물의 표면으로 향하게 된다. 상기 레이저 방사선의 작용 시간이 매우 짧게 선택되고, 따라서 다만 상기 작업물의 변조가 상기 레이저 광선의 빔축 둘레로 동심적으로 발생한다. 다음 방법단계에서, 에칭제의 작용을 근거로 순차적으로 에칭에 의해, 먼저 레이저 광선에 의해 변조를 경험한 상기 작업물의 영역들에서 이방성 (anisotropic) 재료제거가 발생한다. 이를 통해, 원통 모양의 작용 구역을 따라 리세스가 관통구멍으로서 상기 작업물 안에 생긴다. 특히 제 1 단계에서 생성된 결손 부위들이 순차적으로 확대되고, 이로써 리세스 또는 관통구멍이 생성될 수 있다. 이 방법의 본질적인 장점은, 변조 구역이 본질적으로 원통 모양으로 빔축에 대해 동축적으로 연장되고, 이렇게 관통구멍의 또는 리세스의 일정한 지름을 초래한다는 데에 있다.
제 1 단계에서 유리 작업물로, 포커싱된 레이저 임펄스가 향하게 되고, 그것의 광선 강도는, 유리 안의 한 채널을 따라 국부적인 무열 파괴가 발생할 정도로 강한 방법이 DE 10 2010 025 966 B4 로부터 알려져 있다.
또한, 필라멘트들의 생성을 통해 유리를 가공하기 위한 방법이 US 2013/126573 A1 로부터 알려져 있다.
또한, 유리 안에서 구조들을 생성하기 위해, 오래전부터 에칭방법, 예컨대 리소그래피가 알려져 있다. 이때, 코팅이 조사되고, 후속하여 국부적으로 개방된다. 후속하여, 기판은 원하는 구조들을 생성하기 위해 에칭된다. 상기 코팅은 이때 에칭 레지스트 (etching resist) 로서 쓰인다. 하지만 상기 레지스트가 개방되었던 부위들에서 에칭 부식이 등방성으로 행해지기 때문에, 큰 종횡비 (aspect ratio) 를 갖는 구조들이 생성될 수 없다.
본 발명의 목적은 뒤따르는 에칭공정에서 리세스들의 원하는, 특히 선택적으로 다른 제거, 및 따라서 특히 서로 다른 개방각도들을 갖는 리세스들도 실현하도록, 전자기 방사선에 의해 재료를 변조하는 가능성을 만들어내는 것이다.
이 목적은 본 발명에 따르면 청구항 1 항의 특징들에 따른 방법으로 달성된다. 본 발명의 그 밖의 구현형태는 종속항들에서 도출될 수 있다.
즉, 본 발명에 따르면, 빔축을 따라 재료 안에서 전자기 방사선에 의해 서로 다른 특성들을 갖는 변조들이, 예컨대 서로 다른 펄스 에너지에 의해, 생성되고, 따라서 상기 재료 안의 에칭공정이 비균질하게 진행되고, 이를 통해 상기 변조된 영역들에서 에칭률이 그 외에는 변경되지 않은 에칭조건들에 있어서 상기 서로 다른 특성들을 갖고 변조된 영역들에서 서로 다른, 방법이 제공된다. 이를 통해, 본 발명에 따르면, 투명한 또는 투과성 재료 안에서 에칭 처리를 근거로 생기는 리세스들을, 특히 관통구멍들을, 타겟팅하여 그리고 선택적으로 상기 변조들의 서로 다른 특성들을 통해 설정하는 가능성이 만들어내진다. 그러므로, 예컨대 상기 리세스의 확대는 보다 긴 에칭 부식 때문에 생기는 것이 아니라, 상기 변조들의 서로 다른 특성들에 의존하여 보다 빨리 진행되는 에칭제거를 근거로 생긴다. 이때, 본 발명에 따르면 원뿔 모양의 확대들만 표면에 가까운 가장자리 영역들에서 생성될 수 있는 것이 아니다. 오히려 반대로 그러한 확대들은, 상기 변조들의 특성들이 재료의 표면들 사이의 영역에서 거기에서 선호되는 에칭제거가 일어나도록 설정됨으로써 예컨대 원통 모양의 또는 볼록한 리세스들을 생성하기 위해, 저지될 수 있다.
이때, 상기 변조들의 서로 다른 특성들이 상기 전자기 방사선의 빔 형태 (beam shape) 의 변경을 통해 특히 위상 변조 (phase modulation) 를 이용해 달성되면, 특히 유망하다고 증명되었다. 이를 통해, 특성들의 변경은 상기 재료의 가공 동안 중단이 없는 작업단계에서 수행될 수 있고, 따라서 가공은 가능한 한 원하지 않은 지체 없이 실행될 수 있다.
또한, 상기 변조들의 서로 다른 특성들이 공정파라미터들의, 특히 초점 위치의, 펄스 에너지의, 빔 형태의 그리고/또는 강도의 변화를 통해 달성되고, 따라서 상기 변화가 공정 운영시 비교적 적은 비용으로 실현될 수 있으면, 마찬가지로 특히 유망하다고 증명되었다.
본 발명의 그 밖의, 마찬가지로 특히 목적에 맞는 구현형태는, 상기 재료의 변조와 에칭 처리로 이루어진 사이클 (cycle) 이 여러 번 실행되는 때에도 달성된다. 즉, 제 1 에칭 처리 후 재료의 재변조가 수행됨으로써, 예컨대 추후처리가 보다 높은 정확성을 갖고 실행될 수 있다. 특히, 작은 에칭률들을 갖는 에칭공정과 관련하여, 이렇게 제거는 타겟팅되어 제어되고, 원하는 목표값들에 도달할시 종료될 수 있다.
이때, 다수의 에칭단계가, 특히 서로 다른 에칭조건들을 갖고, 실행되고, 따라서 한편으로는 제거 성능에 있어서의 최적과 다른 한편으로는 달성 가능한 정확성에 도달하면, 특히 목적에 맞는다고 증명되었다.
또한, 상기, 특히 판 모양의, 재료의 한 표면이 에칭 레지스트로 적어도 일부 섹션에서 덮히고, 이를 통해 뒤따르는 에칭방법에서 에칭 부식으로부터 보호되면 유리하다고 이미 증명되었다. 이를 통해, 에칭률은 일측 에칭 부식을 통해 타겟팅되어 자유 표면에 집중될 수 있고, 상기 자유 표면에서는 강화된 제거가 바람직하다.
특히 바람직하게는, 공정파라미터들의 선택을 통해, 특히 5°보다 작은, 개방각도, 또는 상기 리세스의 지름이 임의적으로 설정될 수 있고, 이때 개방각도들의 차이는 서로 다른 특성들을 갖는 상기 변조들을 근거로 10°를 초과할 수 있다.
또한, 리세스들은 상기 리세스들의 지름 및/또는 형태가 최대 3㎛ 만큼 서로 다르도록 생성될 수 있다.
판 모양의, 상기 전자기 방사선에 대해 투명한 또는 투과성 재료로서는, 여러 가지 재료들이 사용될 수 있고, 이때 상기 특히 판 모양의 재료는 바람직하게는 본질적인 재료 부분으로서 유리, 규소 및/또는 청옥을 구비하고, 이를 통해, 다양한 기술적 이용 목적들을 위해 최적으로 적합한, 탁월한 물리적 및 화학적 저항성을 갖는다.
본 발명은 특정 적용영역들에 제한되지 않는다. 특히 바람직하게는, 인쇄 장치의 노즐판 (nozzle plate) 으로서의, 상기 방법에 따라 제조된 판 모양의 재료의 사용이 제공된다.
본 발명은 여러 가지 실시형태들을 허용한다. 그것의 기본 원리를 더욱 명료하게 하기 위해 실시형태들 중 하나가 도면에 도시되고, 하기에서 기술된다.
도 1 에서는 관통구멍들이 마련된 유리 기판의 절단된 측면도를 개략도로 나타내고;
도 2 에서는 서로 다른 변조 타입들을 개략도로 나타내고;
도 3 에서는 에칭 레지스트를 사용할 때의 여러 가지 방법단계들을 개략도로 나타낸다.
도 1 은 본 발명에 따른 방법에 따라 제조된, 관통구멍 (1) 이 마련된 재료로서의 유리 기판 (2) 의 절단된 측면도를 나타낸다. 제조방법에 있어서의 본 발명의 본질적인 장점은 유리 기판 (2) 안의 관통구멍 (1) 의 원뿔각도 (α, β) 의 개개의 그리고 설정 가능한 변화에 관한 것이다.
알아볼 수 있는 바와 같이, 본 발명에 따른 방법으로 처음으로, 상기 재료의 각각의 외면들과 관련하여 한편으로는 2°미만의 작은 원뿔각도 (α) 를 갖는, 다른 한편으로는 마주 보고 있는 측에서 약 20°의 큰 원뿔각도 (β) 를 갖는 관통구멍들 (1) 이 유리 기판 (2) 에 마련된다.
이를 위해, 제 1 단계에서 예컨대 100 ㎛ 두께의 유리가 유리 기판 (2) 으로서 레이저 시스템의 방사선으로 변조된다. 상기 유리 안으로 도입되는 전력에 따라, 유리 기판 (2) 의 서로 다른 강도의 변조들이 설정될 수 있다.
이하, 도 2 에 도시된 서로 다른 변조들은 “타입 I”또는 “타입 II”라 불린다. 이때 “타입 I”변조는 상기 유리의 보다 적은 변경을 나타내고, 상기 변경은 마찬가지로 보다 적은 레이저 전력에 의해 생성된다. “타입 II”변조들은 상응하여 상기 유리 구조의 강한 변경들이고, 보다 높은 레이저 전력에 의해 초래된다.
시설의 매우 높은 포지셔닝 정확성을 통해, 광학적 보조 수단을 통해 길이가 늘려진 레이저의 초점 거리뿐만 아니라 유리 기판 (2) 안의 초점 거리 위치도 매우 정확히 규정될 수 있다.
원칙적으로, 도 2 에서 왼쪽에 도시된 변화에서의 “타입 I”과 “타입 II”변조들은 2개 또는 그보다 많은 레이저 펄스들 (LP1, LP2) 로 달성될 수 있고 또는 상응하여 오른쪽에 도시된 변화에서의 변조는 하나의 유일한 레이저 펄스로 달성될 수 있다.
“타입 I”변조 (적은 전력) 로부터 “타입 II”변조 (높은 전력) 로의 전이는 이렇게 이미 하나의 개별적인 펄스를 통해 전력 프로파일을 고려하여 레이저의 확산 방향을 따라 실현될 수 있다.
이 효과를 강화하기 위해 그리고 두 변조 타입들 사이의 차이를 높이기 위해, 전체 유리를 따른 제 1 균일한 “타입 I”변조 후에, 높아진 전력의 그리고 변경된 초점 거리 위치를 갖는 제 2 펄스가 사용될 수 있다.
도 3 에 도시된 제 2 공정단계에서, 상기 유리 기판의 일측은 플루오르화수소산에 저항성이 있는 커버, 예컨대 에칭 레지스트 (R) 로서의 접착 필름으로 덮히고, 따라서 뒤따르는 에칭단계 (a) 에서 변조의 단지 하나의 타입만 에칭된다. 공정단계 (b) 에서 에칭 레지스트 (R) 를 제거한 후, 다시 에칭단계 (b) 가 수행되고, 이를 통해 상기 유리 기판의 양측 에칭이 달성된다. 변화들 (I, II) 은 에칭 레지스트 (R) 의 배열에 의해 구별되고, 반면 변화 (III) 에서는 에칭 레지스트가 생략된다.
두 변조 타입들이 서로 다른 속도로 플루오르화수소산에서 에칭되기 때문에, 그로부터 도 1 에 도시된, 서로 다른 원뿔각도들 (α, β) 이 발생한다. 우선 일측이 미리 에칭됨으로써, 구멍 지름의 일측 차이가 설정될 수 있다.
제 2 에칭단계에서 관통구멍들 (1) 이 확대될 수 있다. 도시된 도식에 상응하여, 이렇게 임의적으로 여러 가지 지오메트리들이 실현될 수 있다.
에칭제로서는 다음의 웨트 케미컬 (wet-chemical) 용액들이 실현되었다:
플루오르화수소산:
- 농도: 1 -20 %
- 온도: 5 - 40℃
- 제 2 산 : H2SO4, HCL, H3PO4
수산화칼륨:
- 농도: 10 - 60 %
- 온도: 85 - 160℃
선행기술과 달리, 이렇게 서로 다른 원뿔각도들 (α, β) 과 구멍 지름들이 유리 기판 (2) 의 양측에서 설정될 수 있다. 이렇게 관통구멍들 (1) 의 개개의 지오메트리들이 제조될 수 있고, 이때 특히 레이저 천공에 의한, 선행기술에 따르면 불가피한 미세균열들이 있을 수 없다. 특히, 관통구멍들 (1) 의 원뿔각도 (α, β) 는 상기 기판 재료의 횡단면에 있어서 가변적일 수 있다. 예컨대, 이로 인해 미세유체역학을 위한 구성요소들의 제조를 위한 장점들이 발생한다.
본 발명에 따르면, 빔축 (s) 을 따라 상기 유리 안에서 서로 다른 특성들을 갖는 다수의 변조가 생성될 수 있고, 예컨대 관통하는 변조, 및 작은 기포들의 체인들 (chains) 이 생성될 수 있다. 이를 통해, 에칭 부식이 변조 길이에 걸쳐 비균질해지고, 즉 특히 일정한 에칭조건들하에서 에칭률이 서로 달라진다.
이때, 다음의 양상들이 본 발명에 따라 유리한 방식으로 실현될 수 있다:
Figure 112021023164643-pat00001
여러 가지 영역들에서 에칭조건들의 변경
Figure 112021023164643-pat00002
양측 또는 일측 에칭 (에칭 레지스트)
Figure 112021023164643-pat00003
노즐판으로서의 사용
Figure 112021023164643-pat00004
모든 구멍들이 동일함, 정확성 < 3㎛
Figure 112021023164643-pat00005
개방각도 < 5°
Figure 112021023164643-pat00006
개방각도들의 차이 > 10°
Figure 112021023164643-pat00007
위상 변조 (공간적 광변조기, SLM) 를 이용해 또는 공정파라미터들 (초점 위치, 강도 등등) 을 이용해 서로 다른 변조들이 실현됨
가공은 하기에서 도면과 관련하여, 윗 영역에서는 약 15°의 원뿔각도 (α) 를 갖고 그리고 아래 영역에서는 약 2°의 원뿔각도 (β) 를 갖고 관통구멍의 내부에서 2개의 서로 다른 원뿔각도들 (α, β) 을 생성하기 위한 공정순서의 방법예를 근거로 상세히 설명된다. 우선, 서로 다른 펄스 에너지를 갖는 2개의 레이저 펄스들로 레이저 구조화가 수행되고, 이를 통해 유리 기판 (2) 의 전체 두께를 통한 변조들 및 추가적으로 작은 기포들의 체인이 유리 기판 (2) 의 윗 부분에 생성된다.
후속하여, 유리 기판 (2) 은 플루오르화수소산에 저항성이 있는 필름으로 일측이 코팅 처리되고, 홀딩 프레임 안에 고정된다. 그 후, 상기 필름으로부터 보호되지 않은 측의 에칭이 플루오르화수소산 (1 내지 20%의 HF) 에서 5℃ 와 30℃ 사이의 온도에서 5 내지 60분 동안 수행된다.
그 후, 도입되어야 하는 리세스의 영역을 보호하는 필름의 영역이 제거되고, 예컨대 UV-Release-Tape 로서 실시된 필름에 있어서는 UV 빛으로 조사되거나 또는 Heat-Release-Tape 로서 실시된 필름에 있어서는 열로 처리된다. 상기 필름은 상기 도입되어야 하는 리세스의 가장자리 영역에 머무르고, 이를 통해 유리 기판 (2) 의 취급이 개선된다. 뒤따르는 재(再)에칭공정 후 상기 필름은 완전히 제거된다.
상기 필름 대신에 예컨대 크롬을 이용한 코팅도 실행될 수 있고, 이때 제 1 에칭조 (etching bath) 는, 상기 코팅이 다음 에칭조에서 비로소 제거되도록 설정된다.
또한, 예컨대 선행하는 에칭 처리 후, 그 밖의 레이저 변조 및 일측 또는 양측 에칭 처리도 수행될 수 있다.
100㎛ 보다 작은 두께를 갖는 매우 얇은 유리 기판들 (2) 은 개선된 취급을 위해 공정 동안 바람직하게는 웨이퍼 프레임 (wafer frame) 안에 고정되고, 예컨대 상기 웨이퍼 프레임 위에 부착된다.

Claims (9)

  1. 투명한 또는 투과성 재료 안으로 적어도 하나의 리세스 (recess) 를 도입하기 위한 방법으로서,
    전자기 방사선을 이용해 상기 재료는 빔축 (beam axis, s) 을 따라 선택적으로 변조되고, 상기 리세스들은 후속하여 하나 또는 다수의 에칭단계에 의해 생성되고, 변조된 영역에서 그리고 변조되지 않은 영역들에서 서로 다른 에칭률들이 나타나고,
    동일한 상기 빔축 (s) 을 따라 상기 재료 안에서 상기 전자기 방사선에 의해 서로 다른 특성들을 갖는 변조들이 생성되고, 따라서 상기 재료 안의 에칭공정은 비균질하게 진행되고, 상기 에칭률들은, 에칭조건들이 변경되지 않는 조건 하에서, 다른 특성들로 변조된 영역들마다 서로 다르고,
    다른 특성들로 변조된 영역들의 서로 다른 상기 에칭률들은, 상기 리세스들이 상기 투명한 또는 투과성 재료의 표면에 형성된 원뿔 모양으로 확대되는 형상을 갖고, 상기 리세스들이 상기 투명한 또는 투과성 재료 내에 상기 재료의 반대 표면들에서 서로 다른 개방각도들 (α, β) 을 갖도록 하고, 상기 개방각도들 (α, β) 의 차이는 10°를 초과하고,
    상기 변조들의 서로 다른 특성들은 위상 변조를 이용해 달성되고, 추가로, 펄스 에너지 및 강도 중 적어도 하나의 공정파라미터들을 변화시킴으로써 달성되는 것을 특징으로 하는, 투명한 또는 투과성 재료 안으로 적어도 하나의 리세스를 도입하기 위한 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 변조들의 서로 다른 특성들은 초점 위치의 공정파라미터를 추가로 변화시킴으로써 달성되는 것을 특징으로 하는, 투명한 또는 투과성 재료 안으로 적어도 하나의 리세스를 도입하기 위한 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 재료의 변조와 에칭 처리로 이루어진 사이클이 여러 번 실행되는 것을 특징으로 하는, 투명한 또는 투과성 재료 안으로 적어도 하나의 리세스를 도입하기 위한 방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    다수의 에칭단계가 서로 다른 에칭조건들을 갖고 실행되는 것을 특징으로 하는, 투명한 또는 투과성 재료 안으로 적어도 하나의 리세스를 도입하기 위한 방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    재료의 한 표면이 에칭 레지스트 (etching resist) 로 적어도 일부 섹션에서 덮히고, 이를 통해 뒤따르는 에칭방법에서 에칭 부식으로부터 보호되는 것을 특징으로 하는, 투명한 또는 투과성 재료 안으로 적어도 하나의 리세스를 도입하기 위한 방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    판 모양의 재료의 표면이 에칭 레지스트 (etching resist) 로 덮히는 것을 특징으로 하는, 투명한 또는 투과성 재료 안으로 적어도 하나의 리세스를 도입하기 위한 방법.
  7. 제 2 항에 있어서,
    상기 공정파라미터들의 선택을 통해 상기 개방각도들 (α, β) 및 상기 리세스의 지름 중 적어도 하나가 설정되는 것을 특징으로 하는, 투명한 또는 투과성 재료 안으로 적어도 하나의 리세스를 도입하기 위한 방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 개방각도들 (α, β) 의 차이는 서로 다른 특성들을 갖는 상기 변조들에 의한 것을 특징으로 하는, 투명한 또는 투과성 재료 안으로 적어도 하나의 리세스를 도입하기 위한 방법.
  9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 따른 방법을 통해 제조된 판 모양의 재료로 만들어진 노즐판 (nozzle plate) 을 갖는 인쇄 장치.
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Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10410883B2 (en) 2016-06-01 2019-09-10 Corning Incorporated Articles and methods of forming vias in substrates
US10134657B2 (en) 2016-06-29 2018-11-20 Corning Incorporated Inorganic wafer having through-holes attached to semiconductor wafer
US10794679B2 (en) 2016-06-29 2020-10-06 Corning Incorporated Method and system for measuring geometric parameters of through holes
US11078112B2 (en) * 2017-05-25 2021-08-03 Corning Incorporated Silica-containing substrates with vias having an axially variable sidewall taper and methods for forming the same
US10580725B2 (en) 2017-05-25 2020-03-03 Corning Incorporated Articles having vias with geometry attributes and methods for fabricating the same
JP7407499B2 (ja) * 2017-12-26 2024-01-04 株式会社ディスコ 凹部又は貫通孔の形成方法、電極の形成方法
US11554984B2 (en) 2018-02-22 2023-01-17 Corning Incorporated Alkali-free borosilicate glasses with low post-HF etch roughness
US11152294B2 (en) 2018-04-09 2021-10-19 Corning Incorporated Hermetic metallized via with improved reliability
KR20210127188A (ko) 2019-02-21 2021-10-21 코닝 인코포레이티드 구리-금속화된 쓰루 홀을 갖는 유리 또는 유리 세라믹 물품 및 이를 제조하기 위한 공정
JP7116926B2 (ja) * 2019-04-23 2022-08-12 日本電気硝子株式会社 ガラス板の製造方法、及びガラス板、並びにガラス板集合体
DE102019111634A1 (de) * 2019-05-06 2020-11-12 Lpkf Laser & Electronics Ag Verfahren zur Herstellung von Mikrostrukturen in einem Glassubstrat
DE102019121827A1 (de) 2019-08-13 2021-02-18 Trumpf Laser- Und Systemtechnik Gmbh Laserätzen mit variierender Ätzselektivität
KR20220006672A (ko) 2020-07-08 2022-01-18 삼성디스플레이 주식회사 윈도우 및 이를 포함하는 표시 장치
KR20220091633A (ko) * 2020-12-23 2022-07-01 삼성디스플레이 주식회사 윈도우 부재, 표시 장치 및 표시 장치 제조 방법
KR20220158144A (ko) 2021-05-20 2022-11-30 삼성디스플레이 주식회사 윈도우, 이를 포함하는 표시 장치 및 윈도우 제조 방법
DE102022107163A1 (de) 2022-03-25 2023-09-28 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung eingetragener Verein Druckschablone und Druckvorrichtungen zur Ausbildung von Leiterbahnen auf einem Substrat und Verfahren zur Herstellung einer metallischen Kontaktstruktur einer photovoltaischen Solarzelle
DE102022110353A1 (de) 2022-04-28 2023-11-02 Trumpf Laser- Und Systemtechnik Gmbh Verfahren zur Trennung eines Werkstücks
EP4296244A1 (de) * 2022-06-21 2023-12-27 LPKF Laser & Electronics SE Substratträger aus glas zur bearbeitung eines substrats und ein verfahren zu dessen herstellung

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005033033A1 (ja) * 2003-10-06 2005-04-14 Hoya Corporation 貫通孔を有するガラス部品およびその製造方法
JP2005190857A (ja) * 2003-12-26 2005-07-14 Seiko Epson Corp マスク、マスクの製造方法、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造装置、有機エレクトロルミネッセンス装置、及び電子機器
JP2008156200A (ja) * 2006-02-22 2008-07-10 Nippon Sheet Glass Co Ltd レーザを用いたガラスの加工方法および加工装置

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3348744B2 (ja) * 1993-08-18 2002-11-20 ブラザー工業株式会社 ノズルプレート製造方法
JP3012926B1 (ja) * 1998-09-21 2000-02-28 工業技術院長 透明材料のレーザー微細加工法
CA2428187C (en) * 2002-05-08 2012-10-02 National Research Council Of Canada Method of fabricating sub-micron structures in transparent dielectric materials
US20070298529A1 (en) * 2006-05-31 2007-12-27 Toyoda Gosei, Co., Ltd. Semiconductor light-emitting device and method for separating semiconductor light-emitting devices
JP4402708B2 (ja) 2007-08-03 2010-01-20 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法、レーザ加工装置及びその製造方法
DE102010025966B4 (de) 2010-07-02 2012-03-08 Schott Ag Interposer und Verfahren zum Herstellen von Löchern in einem Interposer
MY184075A (en) 2010-07-12 2021-03-17 Rofin Sinar Tech Inc Method of material processing by laser filamentation
KR102000031B1 (ko) * 2010-07-26 2019-07-15 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 레이저 가공 방법
WO2012017857A1 (ja) * 2010-08-05 2012-02-09 株式会社フジクラ 電子回路チップ、及び電子回路チップの製造方法
US9278886B2 (en) * 2010-11-30 2016-03-08 Corning Incorporated Methods of forming high-density arrays of holes in glass
JP5873488B2 (ja) 2011-05-25 2016-03-01 株式会社フジクラ 微細孔を配した基体の製造方法、及び微細孔を配した基体
EP2964417B1 (de) 2013-04-04 2022-01-12 LPKF Laser & Electronics AG Verfahren zum einbringen von durchbrechungen in ein substrat
US9102007B2 (en) * 2013-08-02 2015-08-11 Rofin-Sinar Technologies Inc. Method and apparatus for performing laser filamentation within transparent materials
US9517963B2 (en) * 2013-12-17 2016-12-13 Corning Incorporated Method for rapid laser drilling of holes in glass and products made therefrom
CN208586209U (zh) * 2014-07-14 2019-03-08 康宁股份有限公司 一种用于在工件中形成限定轮廓的多个缺陷的系统
JP6467160B2 (ja) * 2014-07-25 2019-02-06 オリンパス株式会社 結像光学系、照明装置および観察装置
KR20230084606A (ko) 2014-09-16 2023-06-13 엘피케이에프 레이저 앤드 일렉트로닉스 에스이 판 모양의 작업물 안으로 적어도 하나의 컷아웃부 또는 구멍을 도입하기 위한 방법
KR102391793B1 (ko) * 2014-10-03 2022-04-28 니혼 이타가라스 가부시키가이샤 관통 전극이 달린 유리 기판의 제조 방법 및 유리 기판
WO2016063460A1 (ja) * 2014-10-22 2016-04-28 日本板硝子株式会社 ガラス基板の製造方法及び板状のガラス
DE102014116958B9 (de) * 2014-11-19 2017-10-05 Trumpf Laser- Und Systemtechnik Gmbh Optisches System zur Strahlformung eines Laserstrahls, Laserbearbeitungsanlage, Verfahren zur Materialbearbeitung und Verwenden einer gemeinsamen langgezogenen Fokuszone zur Lasermaterialbearbeitung
US10717670B2 (en) * 2015-02-10 2020-07-21 Nippon Sheet Glass Company, Limited Glass for laser processing and method for producing perforated glass using same
KR20180048891A (ko) * 2015-08-31 2018-05-10 닛본 이따 가라스 가부시끼가이샤 미세 구조를 갖는 유리의 제조 방법
US10292275B2 (en) * 2016-04-06 2019-05-14 AGC Inc. Method of manufacturing glass substrate that has through hole, method of forming through hole in glass substrate and system for manufacturing glass substrate that has through hole
WO2017217496A1 (ja) * 2016-06-17 2017-12-21 日本板硝子株式会社 レーザ加工用ガラス
US10282763B1 (en) * 2016-07-20 2019-05-07 Musa Sulejmani Queue wait time estimation system
US10300557B2 (en) * 2016-09-23 2019-05-28 Apple Inc. Hybrid substrate processing
US10163623B1 (en) * 2017-10-31 2018-12-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Etch method with surface modification treatment for forming semiconductor structure

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005033033A1 (ja) * 2003-10-06 2005-04-14 Hoya Corporation 貫通孔を有するガラス部品およびその製造方法
JP2005190857A (ja) * 2003-12-26 2005-07-14 Seiko Epson Corp マスク、マスクの製造方法、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造装置、有機エレクトロルミネッセンス装置、及び電子機器
JP2008156200A (ja) * 2006-02-22 2008-07-10 Nippon Sheet Glass Co Ltd レーザを用いたガラスの加工方法および加工装置

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