JP2005243931A - ガラスセラミック多層基板、その配線基板及びそれ等の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 反り変形が無く形状寸法安定性に優れたガラスセラミック絶縁体多層基板、多層配線基板及びそれら基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 ガラスセラミック絶縁体層の層間及び基板表面の少なくとも一面に絶縁層よりも空隙率の大きい多孔質体層が積層されたことを特徴とするガラスセラミック多層基板、配線基板、及び、ガラスセラミック絶縁体層用のグリーンシートを複数成形する工程、そのグリーンシートの少なくとも一層に焼成後に絶縁体層よりも空隙率の大きい多孔質体となるべき層を重層形成する工程、多孔質体となるべき層が重層形成された絶縁体層用グリーンシートを少なくとも１層含む絶縁体層用グリ−ンシートを積層し、積層物を焼成して多層基板を製作する工程を少なくとも含むガラスセラミック多層基板、配線基板の製造方法。
【選択図】 図１

Description

本発明は、ガラスセラミック多層基板、その層間に配線層を具備する多層配線基板及びそれ等基板及び配線基板の製造方法に関し、特に反り、変形の無い多層基板、半導体素子収納用パッケージ等に用いられる配線基板、及び、それらの製造方法に関する。

近年、半導体ＬＳＩ、チップ部品等の電子素子は高速化、高度集積化、小型化が急速に進んでおり、これらの電子素子を搭載する配線基板も小型化、軽量化が強く要求さるようになってきている。

このような要求に対して、基板内に内部電極等を配した多層セラミック基板は、要求される高密度配線が可能で、且つ薄型化が可能なところから関心を集め、特に、ガラスセラミックス絶縁体を多層に積層したガラスセラミックス多層基板は、素子がシリコン半導体チップ等である場合、熱膨張係数がシリコン（熱膨張係数４×１０^−６／℃程度）のそれに近似し、高周波領域での誘電損失が小さく、更にパターン導体層の構成材である銅（Cu)、銀(Ag)、金(Au)等の高電気伝導率金属からなる導体層を同時焼成出来る程度の低温焼成が可能な点から近時特に注目されている。

しかしながら、導体層を同時焼成するセラミック基板では、導体層及び絶縁体層の収縮量及び収縮する温度域の違いから、基板に反り変形が生じるのを避けることが出来ない。
又、特性の異なる２種類の絶縁体層を積層してガラスセラミック基板を作製する場合も同様の理由により基板に反り変形が発生する。
更に、グリーンシートの成形方法によってはグリーンシートの上下面の原料粉体の密度の違いや、焼成時の治具からの熱伝達、或いは炉の構造による上下面の温度差により、単一層基板の場合であっても反り変形が発生する場合があり、多層積層基板の場合その傾向はより顕著となる。

このような不都合を回避し、基板の反りを低減する試みも既に幾つか提案され、例えば、特許文献１には、台板に載置されたセラミックグリーンシートの周囲にセラミックグリーンシートの焼成時維持温度より低い軟化温度を有するガラス材で構成された３個以上の支柱を配設し、その上に載置された押板を焼成時にセラミックグリーンシートに接触させてセラミック基板を製造する方法が提案されている。

特開昭６３−１６２５７８号公報

しかしながら、上記特許文献１に記載された方法では焼成時に保持温度下で各支柱高さにバラツキが生じやすく、この各支柱の高さのバラツキの発生により前記反りとは別原因の基板変形が生じ、これにより歩留まりが低下すると云う別の問題が生じる。
又、上記各支柱高さのバラツキ発生を出来る限り少なくし、その上に載置された押板による押圧を均等化しようとして、セラミックグリーンシートの全周に支持壁を巡らすと、密封状態となるため焼成時にグリーンシートからのバインダーの順調な蒸発を阻害してしまう危険性がある。
従って、上記方法はその実施に際し、一回毎に支柱の配設等に微妙な調節を要し、必ずしも一般的に且つ容易に適用できる方法ではない。

本発明の目的は、反りや変形等形状欠点の無い良質のガラスセラミック多層基板及び配線基板を提供すること、及び、そのような多層基板及び配線基板を容易に且つ歩留まり良く製造する方法を提供することにある。

本発明によれば、ガラスセラミック絶縁体層からなる多層基板であって、
前記ガラスセラミック絶縁体層の層間及び基板表面の少なくとも一面に前記絶縁層よりも空隙率の大きい多孔質体層が積層されたことを特徴とするガラスセラミック多層基板が提供される。

本発明のガラスセラミック多層基板は、基板を構成するガラスセラミック絶縁体層の層間又は基板表面に特定の多孔質体層を積層した点が構成上の顕著な特徴である。
上記ように構成された本発明のガラスセラミック多層基板は、絶縁基板の焼成収縮終了時又はその後に更に収縮量の大きい多ボイド層（多孔質体層）を収縮させて反り矯正作用を奏させることにより、従来のガラスセラミック多層基板に於いて発生しがちな製造時の反り発生や変形が回避されて形状寸法安定性に優れたものとなる。

本発明に於いて、前記絶縁体層はセラミックフィラー成分及びガラス成分よりなる空隙率２０％未満の絶縁体であることが基板の機械強度維持の観点から好ましい。
一方、前記多孔質体層はその空隙率が、５〜４０％で、且つ、該空隙率が前記絶縁体層の１．１乃至２０倍であることが前記反りを有効に抑制出来る観点から好ましい。
前記多孔質体層の厚みは０．１ｍｍ以上あることが基板の変形を効果的に低減し、基板の形状寸法安定性付与の観点から好ましく、又２ｍｍ以下であることが基板を小型化する観点から好ましい。
前記絶縁体層が組織中にガラス相を含み、該ガラス相の比率が前記絶縁体層の空隙部分を除いた部分に対し１〜７０体積％であることが基板の変形を有効に低減する上で好ましい。

又、本発明によれば、ガラスセラミック絶縁体層からなる多層基板の製造方法であって、前記ガラスセラミック絶縁体層用のグリーンシートを複数枚成形する工程、前記グリーンシートの少なくとも一層に焼成後に前記ガラスセラミック絶縁体層よりも空隙率の大きい多孔質体となるべき層を重層形成する工程、及び前記多孔質体となるべき層が重層形成された絶縁体層用グリーンシートを少なくとも１層含む前記絶縁体層用グリ−ンシートを積層し、該積層物を焼成して多層基板を製作する工程を含むことを特徴とするガラスセラミック多層基板の製造方法が提供される。

上記製造方法によれば、形状寸法安定性に優れた本発明のガラスセラミック多層基板を歩留まり良く且つ容易に製造することが出来る。
更に、本発明によれば、ガラスセラミック絶縁体層と導体層とを具備する多層配線基板であって、前記ガラスセラミック絶縁層の層間及び基板表面の少なくとも一面に前記絶縁層よりも空隙率の大きい多孔質層が積層されたことを特徴とするガラスセラミック多層配線基板が提供される。
即ち、本発明は、反り変形の無い形状寸法安定性に優れたガラスセラミック多層配線基板、即ち、絶縁体層と共に導体層を具備する多層基板をも提供する。
この場合、多孔質体層は絶縁体層間及び／又は基板表面に設けられる。
又、該多孔質体層は導体層を介して絶縁体層間に配設されても良い。
更に、多孔質体層を基板表面に設ける場合にも、絶縁体層上の導体層の上に配設しても良い。

上記本発明の多層配線基板に於いても、前記多層基板と同様、絶縁体層はセラミックフィラー成分及びガラス成分よりなる空隙率２０％未満の絶縁体であることが好ましい。
又、多孔質体層はその空隙率が、５〜４０％で、且つ、該空隙率が前記絶縁体層の１．１乃至２０倍であることが好ましい。
更に、前記多孔質体層の厚みは０．１ｍｍ以上、２ｍｍ以下であることが好ましい。
更に又、前記絶縁体層が組織中にガラス相を含み、該ガラス相の比率が前記絶縁体層の空隙部分を除いた部分に対し１〜７０体積％であることが好ましい。

更に、本発明によれば、ガラスセラミック絶縁体層と導体層とを具備する多層配線基板の製造方法であって、前記ガラスセラミック絶縁体層用のグリーンシートを複数成形する工程、前記絶縁体層用グリーンシートの少なくとも一層に焼成後に前記絶縁体層よりも空隙率の大きい多孔質体となるべき層を重層形成する工程、前記複数のガラスセラミック絶縁体層用グリーンシートの少なくとも一部に導体層を形成する工程、及び前記多孔質体となるべき層が重層形成された絶縁体層用グリーンシート及び導体層が形成された絶縁体層用グリーンシートを夫々少なくとも１層含む前記絶縁体層用グリ−ンシートを積層し、該積層物を焼成して多層基板を製作する工程を含むことを特徴とするガラスセラミック多層配線基板の製造方法が提供される。

上記方法によれば、形状寸法安定性に優れた本発明のガラスセラミック多層配線基板を歩留まり良く且つ容易に製造することが出来る。

本発明のガラスセラミック多層基板及び多層配線基板は、基板の絶縁層間又は基板表面に多孔質体層を設けた特定構成により基板に反りや変形がなく形状寸法安定性に優れる。
又、本発明の製造方法によれば、上記本発明のガラスセラミック多層基板及び多層配線基板を歩留まり良く容易に製造することが出来る。

以下に、本発明に係るガラスセラミック多層基板及び配線基板の実施の形態について図面を参照して詳細且つ具体的に説明する。
図１は、本発明に係るセラミック多層配線基板の一実施形態、及び、該配線基板に搭載されるシリコンチップ等の電子素子を示す概略断面図である。

図１の多層配線基板１によれば、ガラスセラミック絶縁基板２は、複数のガラスセラミック絶縁体層２ａ〜２ｄ’を積層してなる積層体から構成され、その絶縁体層２ａ〜２ｄ間及びセラミック絶縁基板２の表面（２ａ層上面、２ｄ’層下面）には導体層３が被着形成されている。

更に、各セラミック絶縁体層２ａ〜２ｄ’には、厚み方向を貫くように形成された直径が５０〜３００μｍのビアホール導体４が配設され、これにより導体層３間を接続し所定回路を構築するための回路網が形成される。
又、基板２の上表面に形成されている導体層３には半導体素子、電子部品等の素子５が実装される。
又、図１の形態の配線基板では多孔質体層６は、絶縁体層２ｄと２ｄ’との間に積層配設されている。
本発明に於いては、前記多孔質体層６は絶縁層２ａ〜２ｄ’の層間及び／又は基板表面に適宜設けることが出来る。
又、該多孔質体層は導体層を介して絶縁体層間に配設されても良く、更に、多孔質層を基板表面に設ける場合にも、絶縁体層上の導体層の上に配設しても良い。

一方、絶縁体層の層間等に導体を設置しないセラミック多層基板の場合は、その基板表面に、銅ペーストや抵抗体ペーストを印刷して低温で焼成する厚膜メタライズ導体層や薄膜による導体層を形成し、導体層の表面には半導体素子等の電子素子が実装搭載される。
又、この場合、基板にはビアホール導体を設置することも可能である。

本発明では、基板を構成するガラスセラミック絶縁体層は、ガラス粉末、或いはガラス粉末とセラミックフィラー粉末との混合物を焼成してなるガラスセラミックによって形成されたものが好ましい。
特に、ガラス成分１０〜７０重量％と、セラミックフィラー成分３０〜９０重量％の割合からなる組成物を焼成したものが好ましい。
このようなガラスセラミックスでは、焼成温度が８００〜１０５０℃と比較的低いために、後述する低抵抗導体との同時焼成が可能である点で有利であり、又、概して誘電率が低いために高周波信号などの伝送損失を低減することが出来る。

用いられるガラス成分としては、少なくともＳｉＯ_２を含み、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｂ_２Ｏ_３、ＺｎＯ、ＰｂＯ、アルカリ土類金属酸化物、アルカリ金属酸化物の内少なくとも１種を含有したものであって、例えば、ＳｉＯ_２ーＢ_２Ｏ_３系、ＳｉＯ_２ーＢ_２Ｏ_３ーＡｌ_２Ｏ_３ーＭＯ系（但し、ＭはＣａ、Ｓｒ、Ｍｇ、Ｂａ又はＺｎを示す）等のホウケイ酸ガラス、アルカリケイ酸ガラス、Ｂａ系ガラス、Ｐｂ系がラス、Ｂｉ系ガラス等が挙げられる。

これらのガラスは、焼成処理することによっても非晶質のままである非晶質ガラス、又焼成処理によって、リチウムシリケート、クォーツ、クリストバライト、コージェライト、ムライト、アノーサイト、セルジアン、スピネル、ガーナイト、ウイレマイト、ドロマイト、ペタライトやその置換誘導体の結晶の少なくとも１種類を析出する結晶化ガラスの何れも用いることが出来る。

又、セラミックフィラーとしては、クォーツ、クリストバライト等のシリカや、アルミナ、ジルコニア、ムライト、フォレステライト、エンスタタイト、スピネル、マグネシア、ジルコン酸カルシウム、ケイ酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸バリウム等が好適に用いられる。

本発明に於いては、必要とされる機械的強度を充分に保持しながら変形が有効に低減された基板を得る観点から、ガラスセラミック絶縁体層が、組織中にガラス相を含み、そのガラス相比率が絶縁体層の空隙部分を除いた部分に対し１〜７０体積％であることが特に好ましい。

導体層は、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｔ及びＰｄの群から選ばれる少なくとも１種を主成分とするペーストで印刷、或いは金属箔をパターン形状に加工して積層して形成することが出来る。
又、ビアホール導体は、上記の導体層と同様の成分から成る導体が充填されていることが好ましい。

又、本発明の多層基板又は配線基板に於いて、表面の導体層は、半導体素子等の各種電子素子を搭載するためのパッドとして、シールド用導体膜として、更には、外部回路と接続する端子電極として用いられ、各種電子素子、電子部品がハンダや導電性接着剤などを介して接合される。
尚、図示されていないが、基板表面には必要に応じて、更に、ケイ化タンタル、ケイ化モリブデンなどの厚膜抵抗体膜や配線保護膜等を形成して良い。

本発明のガラスセラミック多層基板又は多層配線基板に於いて、該基板を構成するガラスセラミック絶縁体層（図１では２ａ〜２ｄ）は、空隙率２０％未満、特に空隙率５％以下の緻密質体、であることが基板の機械的強度維持の観点から好ましい。

一方、多孔質体の空隙率は、５〜４０％、より好ましくは１０〜３０％の範囲内で、且つ、用いられるガラスセラミック絶縁体層の空隙率の１．１〜２０倍、特に３〜１０倍であることが、上記多層基板焼成の際の反り発現を有効に抑制出来る観点から好ましい。
尚、前記ガラスセラミック絶縁体層の空隙率が層毎に異なる場合は、前記多孔質体の空隙率は、最も高い空隙率の層に対し１．１〜２０倍の範囲であるものとする。

この多孔質体層の厚みは、必ずしもこれに限定されるものではないが、０．１〜２ｍｍ範囲にあることが好ましい。
即ち、該厚みが０．１ｍｍ未満では基板の変形を効果的に低減することが困難となり、基板の形状寸法安定性付与の観点から好ましくなく、一方、２ｍｍ以上の場合は基板を小型化することが困難となる。

多孔質体層の構成材としては、例えば、前述したガラスセラミック絶縁層の構成原料である結晶化ガラス又は非結晶ガラス成分とこれも既に述べたセラミックフィラー成分との混合物に例えばビーズ状の樹脂粉末を混合した組成物等が用いられる。
ビーズ状樹脂粉末としては、例えば、高分子アクリル樹脂や三次元架橋したアクリル樹脂等が熱分解の容易性から好適に用いられる。
これとは別に、原料粒子自体に微細空孔を持つガラス質粉末、或いは空孔を持つセラミックフィラーの凝集体等も使用できる。
又、バインダー等の有機成分を多量に、且つ、良く分散させて加えることによっても得られる他、炭酸塩、重炭酸塩等の熱分解発ガス性原料を使用しても良い。

次に、本発明のガラスセラミック多層基板又は配線基板を製作するための好適方法について配線基板製作を例に述べる。
配線基板の製法の場合、まず、上述したような非結晶性ガラス又は結晶性ガラスと同じく上述したセラミックフィラー成分を混合してセラミック組成物を調製し、その混合物に有機バインダー等を加えた後、ドクターブレード法、圧延法、プレス法等によりシート状に成形して厚さ約２０〜３００μｍのグリーンシートを製作する。

そして、このグリーンシートをレーザーやマイクロドリル、パンチなどにより、直径８０〜２００μｍの貫通孔を形成し、その内部に導体ペーストを充填してビアホール導体を形成する。

導体ペースト中にはＣｕ、Ａｇ等の金属成分以外に、アクリル樹脂などからなる有機バインダー、トルエン、イソプロパノール、アセトンなどの有機溶剤を配合し、これらを均質混合してペースト状に調製する。
有機バインダーは、金属成分１００重量部に対して、０．５〜１５．０重量部、有機溶剤は、固形成分及び有機バインダー１００重量部に対して、５〜８０重量部の割合で混合されることが好ましい。
尚、この導体ペースト中には若干のガラス成分やセラミックフィラー等を添加しても良い。
ガラスやセラミックフィラーとしては、例えば、ガラスセラミック絶縁体層のグリーンシートを形成する場合に使用する既に述べたものを使用することが出来る。

次に、このグリーンシートの表面に配線パターンを、前記導体ペーストと同一もしくは必要に応じて粘度及びガラス等の添加物を変更したペーストでスクリーン印刷等の方法により印刷形成し、導体層をグリーンシート表面に形成する。

そして、上記と同様にして作製された複数のグリーンシートを積層圧着して積層体を形成する。
グリーンシートの積層には、積み重ねられたグリーンシートに熱と圧力を加えて熱圧着する方法、有機バインダー、可塑剤、溶剤等からなる接着剤をシート間に塗布して熱圧着する方法等を挙げることが出来る。

多孔質体層は、既に述べたように、前記グリーンシート成形原料の結晶化ガラス又は非結晶化ガラスとセラミックフィラーを混合した物に、例えば、ビーズ状の樹脂粉末を混合し、ドクターブレード等の成形方法でシート状に成形した物を積層体の必要部分に積層することにより形成する。
又、原料自身に微小な空孔を持つガラス質粒子、或いは空孔を持つセラミックフィラーの凝集体等を使用することによっても得ることが出来る。
又、バインダー等の有機成分を充分多量に加えることによっても得られる。
更に、炭酸塩、重炭酸塩等の熱分解発ガス性の原料を使用することによっても得られる。

この多孔質体層の積層は基板本体と同時に行っても後から行っても差し支えない。
又、多孔質体層の形成は、前記シート状の物を積層する方法の他、ペースト状の物をスクリーン印刷する方法でも良い。

このようにして得られた積層体を所望の大きさに切断し、その後焼成を行う。
焼成は、１００〜８５０℃、特に４００〜７５０℃の窒素雰囲気中で加熱処理してグリーンシート内やビアホール導体ペースト中の有機成分を分解除去した後、８００〜１１００℃の窒素雰囲気中で焼成する。
又、導体層として銀（Ａｇ）導体を用いる場合、焼成雰囲気は大気中で行うことが出来る。

本発明に係るガラスセラミック配線基板を作製し、これらを下記に基づき評価した。
ＳｉＯ_２：４０重量％、Ａｌ_２Ｏ_３：２７重量％、ＣａＯ：１０重量％、ＺｎＯ：１２重量％、Ｂ_２Ｏ_３：１１重量％の組成を有する平均粒径３μｍの結晶性ガラス粉末Ａ’（軟化点８５０℃）７５重量部と、セラミックフィラーとして、平均粒径２μｍのシリカ２５重量部とからなるガラスセラミック原料粉末１００重量部に対し有機バインダーとしてメタクリル酸イソブチル樹脂を固形分で１１重量部、可塑剤としてフタル酸ジブチルを５重量部夫々添加し、トルエンを溶媒としてボールミルにより２４時間混合しスラリーを調製した。
得られたスラリーをドクターブレード法により厚さ０．２ｍｍの絶縁体層を形成するためのグリーンシートＡを作製した。

次に前記グリーンシートと同じ原料粉末の１００重量部に対しビーズ状のアクリル樹脂粉適量と有機バインダーとしてメタクリル酸イソブチル樹脂を固形分で１１重量部、可塑剤としてフタル酸ジブチルを７重量部添加し、トルエンとＩＰＡ（イソプロパノール）を混合したものを溶媒としてボールミルにより３６時間混合しスラリーを調製した。

得られたスラリーをドクターブレード法により所望の厚みの多孔質体層を形成するためのグリーンシートＢを作製した。
こうして得られたグリーンシートＡに銅ペーストで１０×１０ｍｍのパターンを印刷した。
このグリーンシートＡの上に何もパターンを形成していないグリーンシートＡを先ほど印刷したパターンが内部に隠れるように２枚重ね合わせ、８０℃、１０ＭＰａで加熱圧着をおこなった。

続いて、先ほど印刷したグリーンシート側の面にグリーンシートＢを２３℃、１０ＭＰａで圧着を行い合計４層の積層体を得た。
そして印刷したパターンが基板中央に来るように２０×２０ｍｍのサイズに切断し、整形積層体を得た。

この整形積層体中の有機成分（バインダー、可塑剤等）を分解除去するために水蒸気を含んだ窒素雰囲気中で７３０℃、３時間の熱処理を行い残留炭素量を３００ｐｐｍ以下に低減させた後、９１０℃で２時間の焼成を行った。

かくして得られた評価用のセラミック基板について、表面粗さ計を用いてセラミック基板表面の対角線方向を走査して反りを測定した。
又、絶縁層及び多孔質層の空隙率は断面を鏡面研磨し、ボイドの割合をルーゼクス顕微鏡にて測定した。
又、絶縁層のガラス相の割合は絶縁基板の断面をＴＥＭ顕微鏡で測定することにより求めた。
又、絶縁層のガラス相割合の変更は、結晶性ガラス粉末Ａ’の一部をＳｉＯ_２：４３重量％、Ａｌ_２Ｏ_３：２４重量％、ＣａＯ：１０重量％、ＢａＯ：１２重量％、ＺｎＯ：３重量％、Ｂ_２Ｏ_３：８重量％の組成を有する平均粒径２μｍの非結晶性ガラス粉末Ｂ’で一部置換することにより行った。
結果を表１にまとめて示した。

表１によれば、試料Ｎｏ．１は多孔質体層を配設しない本発明の範囲外の試料（比較例品）である。
多孔質体層を配設しない試料Ｎｏ．１（比較例品）は基板の反り変形は２ｍｍと大きい。
試料Ｎｏ．２〜６は多孔質体層の空隙率を３．０％から６０％まで変更した試料である。
多孔質体層の空隙率が増えるほど、基板の反り変形は減少することが判る。
試料Ｎｏ．７〜１０は絶縁体層の空隙率を変更した試料である。
絶縁体層の空隙率が小さいほど基板の反り変形は小さく、基板の曲げ強度は高い。
試料Ｎｏ．１１〜１５は多孔質体層の厚みを変えた試料である。
多孔質体層の厚みが薄い場合には反り変形の低減効果が小さい。
試料Ｎｏ．１６〜２１は絶縁体層のガラス相比率を変えた試料である。
ガラス相が多いほど反り低減効果は大きい。

本発明に係るセラミック多層配線基板及び搭載される電子素子を示す概略断面図である。

符号の説明

１ 配線基板
２ ガラスセラミック絶縁基板
２ａ〜２ｄ’ ガラスセラミック絶縁体層
３ 導体層
４ ビアホール導体
５ 電子素子
６ 多孔質体層

Claims (12)

1. ガラスセラミック絶縁体層からなる多層基板であって、
   前記ガラスセラミック絶縁体層の層間及び基板表面の少なくとも一面に前記絶縁層よりも空隙率の大きい多孔質体層が積層されたことを特徴とするガラスセラミック多層基板。
2. 前記絶縁体層がセラミックフィラー成分及びガラス成分よりなる空隙率２０％未満の絶縁体からなる請求項１記載のガラスセラミック多層基板。
3. 前記多孔質体層の空隙率が、５〜４０％で、且つ、該空隙率が前記絶縁体層の１．１乃至２０倍である請求項１又は２記載のガラスセラミック多層基板。
4. 前記多孔質体層の厚みが０．１〜２ｍｍである請求項１乃至３の何れかに記載のガラスセラミック多層基板。
5. 前記絶縁体層が組織中にガラス相を含み、該ガラス相の比率が前記絶縁体層の空隙部分を除いた部分に対し１〜７０体積％である請求項１乃至４の何れかに記載のガラスセラミック多層基板。
6. ガラスセラミック絶縁体層からなる多層基板の製造方法であって、前記ガラスセラミック絶縁体層用のグリーンシートを複数枚成形する工程、前記グリーンシートの少なくとも一層に焼成後に前記ガラスセラミック絶縁体層よりも空隙率の大きい多孔質体となるべき層を重層形成する工程、及び前記多孔質体となるべき層が重層形成された絶縁体層用グリーンシートを少なくとも１層含む前記絶縁体層用グリ−ンシートを積層し、該積層物を焼成して多層基板を製作する工程を含むことを特徴とするガラスセラミック多層基板の製造方法。
7. ガラスセラミック絶縁体層と導体層とを具備する多層配線基板であって、
   前記ガラスセラミック絶縁体層の層間及び基板表面の少なくとも一面に前記絶縁体層よりも空隙率の大きい多孔質体層が積層されたことを特徴とするガラスセラミック多層配線基板。
8. 前記絶縁体層がセラミックフィラー成分及びガラス成分よりなる空隙率２０％未満の絶縁体からなる請求項７記載のガラスセラミック多層配線基板。
9. 前記多孔質体層の空隙率が、５〜４０％で、且つ、該空隙率が前記絶縁体層の１．１乃至２０倍である請求項７又は８記載のガラスセラミック多層配線基板。
10. 前記多孔質体層の厚みが０．１〜２ｍｍである請求項７乃至９の何れかに記載のガラスセラミック多層配線基板。
11. 前記絶縁体層が組織中にガラス相を含み、該ガラス相の比率が前記絶縁体層の空隙部分を除いた部分に対し１〜７０体積％である請求項７乃至１０の何れかに記載のガラスセラミック多層配線基板。
12. ガラスセラミック絶縁体層と導体層とを具備する多層配線基板の製造方法であって、
    前記ガラスセラミック絶縁体層用のグリーンシートを複数成形する工程、前記絶縁体層用グリーンシートの少なくとも一層に焼成後に前記絶縁体層よりも空隙率の大きい多孔質体となるべき層を重層形成する工程、前記複数のガラスセラミック絶縁体層用グリーンシートの少なくとも一部に導体層を形成する工程、及び前記多孔質体となるべき層が重層形成された絶縁体層用グリーンシート及び導体層が形成された絶縁体層用グリーンシートを夫々少なくとも１層含む前記絶縁体層用グリ−ンシートを積層し、該積層物を焼成して多層基板を製作する工程を含むことを特徴とするガラスセラミック多層配線基板の製造方法。

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