JPH02123793A - セラミック多層基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明はセラミック多層基板に関し、特に緻密質層と
多孔質層とが積層された、セラミック多層基板に関する
。

〔背景技術］ セラミック基板では、浮遊容量を可及的小さ（して信号
の伝搬遅延時間を小さくするために、誘電率のできるだ
け小さいセラミック材料を用いている。しかし、緻密な
セラミックで形成された基板では、たとえばＳｉＯ□ガ
ラスの誘電率がε＝３．８であるため、それ以下に誘電
率を下げることはできない。

そこで、たとえば特願昭６３−０５７７２４号において
、本件出願人は先に、多孔質のセラミック材料からなる
多孔質層を内蔵して、全体としての実効誘電率を低下さ
せることを提案した。

（発明が解決しようとする課題〕 この提案したセラミック多層基板では、多孔質層上に回
路用導体パターンを形成した場合、多孔質層はその表面
が粗くかつ機械的強度が小さいので、その回路用導体パ
ターンが変形したり、断線が生じたりすることがある。

したがって、このセラミック多層基板では、歩溜りすな
わち生産性があまりよくないという問題点があった。

それゆえに、この発明の主たる目的は、全体としての誘
電率を小さくして信号の伝搬遅延時間を大きくしないと
ともに、回路用導体パターンに変形や断線が生じること
がなく、生産性がよい、セラミック多層基板を提供する
ことである。

〔課題を解決するための手段〕

この発明は、少なくとも上下両面に配置される複数の緻
密質層、その両面が緻密質層に挟まれるように配置され
る多孔質層、多孔質層に形成されるバイアホール、およ
び緻密質層のみに形成されかつバイアホールに接続され
る回路用導体パターンを備える、セラミック多層基板で
ある。

［作用］ たとえば３層の緻密質層と２層の多孔質層とからなるセ
ラミック多層基板の場合、緻密質層のうち２層は上下両
面に配置され、残りの１層は真中に配置される。そして
、真中の緻密質層と上面の緻密質層とに、また真中の緻
密質層と下面の緻密質層とにそれぞれ挟まれるように、
２層の多孔質層が配置される。

多孔質層には、所望のバイアホールが形成される。そし
て、緻＠質層には所望の回路用導体パターンが形成され
、回路用導体パターンはそのバイアホールに電気的に接
続される。

セラミック多層基板の全体としての誘電率は、緻密質層
および多孔質層のそれぞれの誘電率によって決まり、そ
して、信号の伝搬遅延時間は全体としての誘電率に依存
する。

〔発明の効果〕

この発明によれば、少なくとも上下両面には緻密質層が
配置されるので、機械的強度あるいは湿度等の耐環境特
性は、全体が多孔質層からなる場合に比べて高めること
ができる。また、緻密質層と多孔質層とが混在積層され
るので、全体としての誘電率が小さくなり、信号の伝搬
遅延時間はあまり大きくはならない。さらに、回路用導
体パターンは、緻密質層のみに形成されるので、多孔質
層にも形成する場合に比べて、多孔質層の表面が粗（ま
たその機械的強度が小さいことに由来する、回路用導体
パターンの変形や断線は生じ難く、したがって、この発
明によれば、歩留りかつしたがって、生産性の向上が期
待できる。

この発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点
は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明から
一層明らかとなろう。

〔実施例〕

第１図はこの発明の一実施例を示す断面図解図である。

セラミック多層基板１０は３層の緻密質層１２．１４お
よび１６を含み、緻密質層１２と１４とに挟まれて多孔
質層１８が、また緻密質層１４と１６とに挟まれて多孔
質層２０が、それぞれ、配置される。

緻密質層１２，１４および１６のそれぞれの一面または
両面には、必要な回路用導体パターン２２が形成される
。そして、異なる緻密質層に形成された導体パターン２
２を相互接続するために、緻密質層１２，１４および１
６ならびに多孔質層１日および２０の所定位置には、バ
イアホール２４が形成される。したがって、導体パター
ン２２は、バイアホール２４に形成されたバイアホール
導体２６を通して、互いに電気的に接続される。

緻密質層１２．１４および１６ならびに多孔質層１８お
よび２０を構成するセラミック材料としては、低温焼成
可能な、たとえばコージェライトＢｚ　０３　　Ｓ　ｉ
　Ｏｚ　　Ｃｕ　ＯＮ　ｉ　Ｏ糸材料が用いられる。そ
して、これらの原料を混合し、仮焼し、粉砕して形成さ
れる粉末セラミックに、アクリル系バインダを添加して
混合し、ドクタブレード法によって、緻密質層１２，１
４および１６となるセラミックグリーンシートを作成す
る。

また、同じ粉末セラミックに、体積比で２．５倍の微粉
末セルロースを加え、同じくアクリル系バインダを添加
して、同じくドクタブレード法によって多孔質層１８お
よび２０となるセラミックグリーンシートを作成する。

このようにして作成されたセラミックグリーンシートの
うち、多孔質１１Ｂおよび２０となるべきものには、第
１図に示すバイアホール２４のためのスルーホールを形
成してバイアホール導体２６のための導体ペーストを印
刷する。他方、緻密質層１２，１４および１６となるべ
きセラミックグリーンシートには、導体パターン２２の
ための導体ペーストを印、刷するとともに、バイアホー
ル２４のためのスルーホールを形成してバイアホール導
体２６のための導体ペーストを印刷する。なお、この導
体ペーストとしては、Ａｇ／Ｐｄペーストが用いられる
。

このセラミックグリーンシートが第１図図示のように積
層・圧着された後、低温焼成され、セラミック多層基板
１０が得られる。

そして、セラミック多層基板１０の上面および下面は緻
密質層１２および１４でそれぞれ被われるが、端面には
多孔質層１８および２０の一部が露出するので、その端
面には、絶縁ペーストを印刷して焼き付け、端面を被う
。なお、絶縁ペーストとしては、先の粉末セラミックに
アクリル系バインダを添加して混合した後溶剤で粘度を
調整したものが利用され得る。この絶縁ペーストの焼き
付は温度は、セラミックグリーンシートを焼成する温度
とほぼ同じである。

このようにして得られたセラミック多層基板１０におい
ては、導体パターン２２の変形や断線は生じず、しかも
所期の目的どおりの信号伝搬性能が得られた。

なお、セラミック多層基板１０の端面を被う絶縁ペース
トとしては、上述のセラミックペーストの他に、ガラス
ペーストを用いることもできる。

ただし、この場合には、熱膨張係数がセラミックに近似
しかつその焼き付は温度はセラミックの焼成温度以下で
なければならない。。

また、導体パターン２２およびバイアホール導体２６の
ための導体ペーストとしては、Ａｇ／Ｐｄペーストの他
に、Ｃｕペースト利用可能であるが、この場合には、非
酸化雰囲気たとえばＮ２／Ｈ，Ｏ雰囲気で焼成する。

さらに、信転性を高めるために、セラミック多Ｎ基板１
０の両面に露出する少なくともバイアホール２４を被う
ように、上述のセラミックペーストまたはガラスペース
トのような絶縁ペーストを印刷して焼き付けてもよい。

そして、緻密質層や多孔質層の暦数は、焼成時に反りな
どが発生しない限り任意であることばいうまでもない。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例を示す断面図解図である。 図において、１２．１４および１６は、緻密質層、１８
および２０は多孔質層、２２は回路用導体パターン、２
４はバイアホール、２６はバイアホール導体を示す。 特許出願人　株式会社　村田製作所 代理人　弁理士　山　１）　義　人 第 図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 　少なくとも上下両面に配置される複数の緻密質層、 その両面が前記緻密質層に挟まれるように配置される多
   孔質層、 前記多孔質層に形成されるバイアホール、および 前記緻密質層のみに形成されかつ前記バイアホールに接
   続される回路用導体パターンを備える、セラミック多層
   基板。