JPS63358A - 超小型電子技術装置の製造に使用する誘電率の低い材料、及びその製造方法 - Google Patents

超小型電子技術装置の製造に使用する誘電率の低い材料、及びその製造方法

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JPS63358A
JPS63358A JP62044146A JP4414687A JPS63358A JP S63358 A JPS63358 A JP S63358A JP 62044146 A JP62044146 A JP 62044146A JP 4414687 A JP4414687 A JP 4414687A JP S63358 A JPS63358 A JP S63358A
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low dielectric
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、超小型電子技術装置、及びその製造方法、特
に、超小型電子技術装置の製造に使用され誘電率の低い
優れた材料に関するものである。
本発明は、いわゆる「厚いフィルム」型の集積回路の製
造に特に効果的であるので、このような利用面に関連し
て説明する。しかし本発明は、このような利用面のみに
限定されるものではない。
［従来の技術］ 厚いフィルムによる超ＬＳＩ装置の製造では、グラフィ
ックアートの業界で使用されている伝統的な絹紗スクリ
ーン捺染方とよく似た技法が用いられ、絶縁材で作成さ
れた剛質の支持層の上に、電気伝導層と絶縁層が交互に
配置される。
超ＬＳＩ装置用の標準的な厚いフィルムによる製法の第
１段階では、いわゆる「インク」を剛性絶縁板にスクリ
ーン印刷し、空気乾燥させ、焼成して、支持層板の上に
最初の金属パターンを形成する。
支持層板は、ガラス、磁器コーティングした金属、アル
ミナやベリリア（ｂｅｒｙｌｌｉａ）のようなセラミッ
クでできている。インクは、銀、金、銅のような金属、
あるいは、金とパラジウム、銀とパラジウムの合金等の
電気伝導のよい材料と、有機ベヒクルや希釈剤に混ぜた
ガラス質の結合剤とよりなる比軟的粘性の高い混合物で
ある。
スクリーン印刷は、通常、絹や目のこまかいステンレス
のメツシュのスクリーンで行なわれ、そのスクリーンは
、金属の層や回路の形態に応じて、前もって作られる。
このスクリーンを、支持層の上に置き、押し付は体で、
スクリーンを支持層に押し付け、それと同時に、インク
をスクリーンのパターン化されたメツシュを通して、支
持層の表面にしみこませる。ついで、パターン化された
支持層を、空気乾燥して、少なくとも有機ベヒクルの一
部を蒸発させる。
次に、パターン化され、乾燥された支持層を、炉で焼成
して、電気伝導の良い金属を支持層に接着させる。通常
はガラス質の結合剤や有機ベヒクルのガラスセラミック
でできている絶縁材のコーティングが、焼成された金属
パターンの上に施されろ。絶縁材を空気乾燥して、少な
くとも有機ベヒクルの一部を蒸発させ、乾燥したコーテ
ィングを、炉やキルンの中で焼成して、絶縁被覆剤を金
属パターン化された支持層に接着する。伝導性のパター
ンと絶縁層を、同時に焼成してもよい。
この方法は、パターン化された金属の層と絶縁層が必要
な数となるまで繰り返される。絶縁層の中に通路（以下
「バイアス（ｖｉａｓ）］と称する）を設けることによ
り、金属伝導層のパターンにつながり、かつ三次元方向
につながるパターンを組み立てることが可能な伝導通路
が形成される。層と層の相互連結のためのバイアスは、
積層過程の一部として形成してもよい。
バイアスは、絶縁層の中に重複する穴を形成するための
レーザーを使用して形成してもよい。その穴は、層と大
りの間が相互に伝導しうるように金属を充填してもよい
。この方法で信頼性の高いハイブリッド超小型回路装置
用の金属層のパターンが１０以上製造される。
［発明が解決しようとする問題点］ 絶縁層の絶縁特性は、超大規模集積回路の寸法や性能特
性を限定する要素である。例えば、隣接する層の金属の
間に重複した部分があるところでは、電位差が生じる。
従って、速い動作を行なう回路に発生する高周波数が、
この避けがたい電位差の生じる場所で層と層の間に容量
結合（信号を遅らせたり磁器プリンティングをひき起す
こと）をひき起す可能性がある。
現在、絶縁層の形成のために使用されている絶縁材は、
概ね、ガラスセラミックかセラミックとガラスの複合物
からなっている。ガラスセラミックは、熱して不透明に
したガラスであり、水晶のような表面をもち、かつきめ
の細い網状組織を有するものである。ガラスセラミック
は、機械的強さが大であり、かつ熱膨張係数が比較的低
い。従って、前述のように、超ＬＳＩチップ付属装置や
厚いフィルムより成る装置の生産に特に適している。重
訳のガラスセラミックや複合物は、室温で、３００ｖを
掛けたとき、誘電率が９〜１２、電気絶縁抵抗が約１０
１２Ω以上である。ガラスセラミックや複合物の電気特
性や、生産技術上の制約のために、ガラスセラミックの
絶縁体で作った厚いフィルムよりなる装置の回路のライ
ン間隔は、最小で約０、１８ｍｍ（０，００フインチ）
、巾は、最小で約０．２５ｎｕｎ（０，０１０インチ）
であり、満足のいく性能を得るための！＠縁材の厚さは
、最小で０．０４＋ｎｍ（０，００１５インチ）である
。
従って、もし誘電率の低い材料を、超大規模集積回路の
絶縁層を形成するのの使用できれば、内部層の電位差の
問題が起る前に、実用周波数帯域を広げることができ、
伝搬遅延を減少することができる。
［問題点を解決するための手段］ 本発明は、従来の技術における前述した欠点その他の欠
点を解決することを目的とする。より詳しく言うと、新
規な誘電率の低い優れた絶縁材を使用することを特徴と
する、改良された厚いフィルムによる生産技術を提供す
ることである。
本発明の他の目的や多くの付帯する利点は、以下の説明
で明らかになると思う。
本発明によれば、多層の厚いフィルムよりなる装置が形
成され、その中の絶縁層は焼成される中空のガラス微小
球で構成されている。中空のガラス微小球は、メツシュ
（米国標準ふるいシリーズ）を超えないものが望ましい
。
もっと詳しく言うと、本発明によると、セラミックのよ
うな剛質の絶縁支持層で始まり、有機担体に浸した伝導
性の金属粒子の鋳型とガラス質の結合剤より成る通常の
厚いフィルムのインクを使って、金属化パターンをスク
リーン印刷することにより、金属原型の最初の層を、セ
ラミック支持層の表面に形成する。ついで、スクリーン
印刷された材料を、空気乾燥して、少なくとも担体の一
部分を蒸発させ、その空気乾燥された材料を、高温で焼
成して、金属化パターンと連続した伝導体やセラミック
支持層に固く取り付けられた伝導体を融合する。従来の
ガラスセラミックやセラミックとガラスの複合物の鋳型
材（以後鋳型材と呼ぶ）よりなる。本発明による中空の
ガラス微小球を含み従来の厚いフィルムよりなる有機担
体の中に配置される絶縁体の上紙が、焼成された材料に
貼られ、絶縁上紙材が空気乾燥され高温で焼成される６
スクリーン印刷された材料と絶縁材の上紙は、同時に高
温で焼成してもよい。
スクリーン印刷された材料を焼成することにより金属化
パターンの伝導性粒子を焼結させ、連続伝導体や要求さ
れる形状をした伝導体と隅台させる。焼成することによ
り残留の担体をすべて蒸発させ、中空のガラス微小球を
埋め込んだ剛性のパンケーキのような層を形成するため
に、中空のガラス微小球の周囲のガラス質の材料を隅台
する。
従来のガラスセラミックやセラミックとガラスの複合物
よりなる鋳型材で構成され、中空のガラス微小球を含み
、前述のように有機担体に浸される絶縁材の第２の層は
、最初の絶縁層の中で形成される小さい穴を充填するた
めに、最初の絶縁層に圧入されるのが望ましい。更に好
ましい本発明の実施例では、絶縁層の表面を平らにする
ために。
従来の有機結合剤の中のガラスとセラミックの複合物よ
りなる絶縁材の第３の層を作り、乾燥させ、焼成させて
もよい。
前述のスクリーン印刷や焼成の手順は、必要な数だけ回
路の層を形成するために繰り返してよい。
スクリーン印刷された回路の金属層の典型的な数は８〜
ｌＯで、前述の絶縁層とは分離されている。
従って、本発明の絶縁材を使用する場合は、金属層のパ
ターンの間に３つの層を設けるのが望ましい。全体的な
好ましい製法の手順は、次の如くである。
（ａ）　　従来の厚いフィルムより成る鋳型材、従来の
有機担体、多数の軟質の中空のガラス微小球を混合して
等質材にし、低誘電材を作成する。
（ｂ）　　段階（ａ）による低誘電材の混合物を回路に
付着させ、付着された混合物を乾燥させ焼成する。
（ｃ）　　段階（ａ）による誘電材の２番目の層を、段
階（ｂ）による混合物に付着させ、付着された混合物を
乾燥させ焼成する。
（ｄ）　　従来の有機担体の標準のガラスとセラミック
の混合物よりなる厚いフィルムの絶縁材を、一段階（ｃ
）による混合物に付着させ、付着された絶縁材を乾燥さ
せ焼成する。
〔実　施　例〕
次に、添付図面を参照して１本発明の実施例を詳細に説
明する・ 第１図は、本発明により製造される厚いフィルムよりな
る超ＬＳＩ装置の一部を示している。
支持層（１２）と金属パターン（１０）は、前述した方
法で製造される。この実施例における支持層（１２）は
、アルミナのような支持層材より成り、金属パターン（
１０）は、焼結あるいは焼成された金のインクにより構
成されている。絶縁層（１４）は３つの層（２０）　（
２２）　（２４）よりなり、最初の２つの層（２０）（
２２）は、中空のガラス微小球（２６）（拡大寸法にて
示す）を含み、シーリング層（２４）は、標準的な厚い
フィルムよりなる絶縁材でできている。
本発明の主な特徴は、厚いフィルムよりなる絶縁層の中
へ、市販されている中空のガラス微小球を混入させるこ
とである。
中空のガラス微小球は、米国マサチューセッツ州のカン
トンにあるエマーツン・アンド・カミング・インコーホ
レーテッド（Ｅｍｅｒｓｏｎ　ａｎｄ　Ｃｕｎｕｎｉｎ
ｇＩｎｃ、）により、米国商標「エコスフェア（Ｅｃｃ
ｏＳｐｈｅｒｅｓ）Ｊとして販売されている中空のシリ
カ微小球であるのが望ましい。製造元によれば、この中
空のシリカ微小球は、平均寸法が１２〜４０ミクロンで
、平均厚さが、０．５〜２．０ミクロンである。最高の
性能永得るには、ガラス微小球は、約４００メツシュ、
すなわち、２．５ａｎ（１インチ）当たり、約４００メ
ツシュ（米国標準ふるいシリーズ）以下の各挿具なる寸
法からなるものとするのがよい。
各々寸法のガラス微小球を遣うと、より密度が高くなる
一方で、４００メツシュ以上の相当量の微小球を含める
と、誘電フィルムに破裂が生じて、本発明において使用
する絶縁層は、使用できないことがわかった。
プリント回路基板用のエポキシラミネートボード樹脂の
誘電率を低下させるために、直径が２０〜２００ミクロ
ン、Ｐ／さが０．５〜２ミクロンの中空のガラス微小球
を充填剤として使用することは、１９７９年１０月付け
のＩＢＭ技術公開技報（ＩＢＭ　ＴｅｃｈｎｉｃａｌＤ
ｉｓｃｌｏｓｕｒｅ　Ｂｕｌｌｅｔｉｎ）第２２巻第５
号に発表されている。しかし、このＩＢＭ技術公開技報
には。
中空のガラス微小球は１本発明における厚いフィルムよ
りなる装置の製造に役立つ生産方法における、高温での
複数焼成の条件にさらしてもよいという発表や示唆は含
まれていない。
乾いたフィルターを通った中空のガラス微小球は、厚い
フィルムよりなるガラスセラミック鋳型材と有機ベヒク
ルを混合してものである。一般に、厚いフィルムよりな
るガラスセラミック鋳型材は、有機ベヒクルのガラス、
もしくはセラミックの粉末でできている。米国プラウエ
ア州のウィルミントンのイー・アイ・デュポン・ドウ・
ヌムール（ＩＥ、１．Ｄｕｐｏｎｔ　ｄｅ　Ｎｅｍｏｕ
ｒｓ）のＤＰ８２５０よりなるベヒクルが特に望ましい
。ベヒクルの代替物としては、テルピネオールの使用が
可能である。
厚いフィルム！５型の中空のガラス微小球と有機ベヒク
ルの均一な混合を確保するために、次の混合手順が確立
された。最初に、中空のガラス微小球を４００メツシュ
までこす。こした中空のガラス微小球を、厚いフィルム
よりなる有機ベヒクルに加えて混合する。混合する際に
、金属片等の混入をさけるために、中空のガラス微小球
とベヒクルの混合は、ガラスかプラスチックの容器で行
なわなければならない。全体的な方法は、最初に、へら
でかき混ぜ１次に、従来のボールミルの力を利用して高
速で回転するジャーでかき混ぜろ。中空のガラス微小球
の本来の姿を維持するには、微小球を壊す可能性のある
ジャーの中に、媒体を加えないことである。
できた混合物を、担体の中のガラスかセラミックの厚い
フィルムの鋳型に加え、前記のように。
高速のジャーでかき混ぜる。
学説に縛られるのは好ましくないが、本発明の通りにで
きる絶縁材の誘電率の低下は、微小球や絶縁層の中の多
量の空気（Ｅｒ：１）により生じると信じられている。
絶縁層の中に、少しでも中空のガラス微小球が含まれて
いると、絶縁層の誘電率の低下に多少なりとも影響を及
ぼす。
本発明による中空のガラス微小球よりなり、かつ中空の
ガラス微小球の体積が約ｌＯ〜１５％を超える絶ＭＷは
、従来のガラスセラミックとセラミックとガラスの複合
物の絶縁層と比較すると、多少、誘電率が低下している
ことがわかる。しかし、中空のガラス微小球の体積が約
４０〜４５％を超えると、絶縁層の強度及び熱抵抗に多
大な影響が及ぼされる。
本発明において、特に効果的な構成は、中空のガラス微
小球の量が、容積で約２０〜４２％であり、特に３５〜
３９％であることが望ましい。
次に、本発明を実施例に基づいて説明する。
本発明の低誘電材を作るために、米国エマーソン者アン
ドーカミングス（Ｅｍｅｒｓｏｎ　ａｎｄ　ＣｕｍＣｕ
ｍｍ１ｎ社製の４００メツシュのフィルターを予め通っ
た、乾いた、中空のシリカ微小球ｒｓｉｌｉｃａ　Ｅｃ
ｃｏｓｐｈｅｒｅｓＪ（米国商標）−５重量部を、デュ
ポン（Ｄｕｐｏｎｔ）社製のＤＰ８２５０型の厚いフィ
ルムよりなる有機ベヒクル１３重量部に加える。製造元
が供給する時に、有機ベヒクルが使用される。この混合
物は、中空のガラス微小球が担体と完全に混ざるように
、最初に、八で次に、ボールミルの高速ジャーで１０分
間かき混ぜる。
イングルハード・ゼロ・フロー（Ｅｎｇｌｅｈａｒｄ　
Ｚｅｒ。
Ｆｌｏｗ）　（米国商標）型の厚いフィルｌ）よりなる
ガラスとセラミックの複合物の鋳型材３０重量部を、中
空のガラス微小球と有機ベヒクルの混合物１０重量部に
加え、高速ジャーで１５分間かき混ぜて完全に均一な混
合物にする。
この結果得られた混合物は、本発明に基づいて利用され
る低誘電材であり、標準的な粘性を持っている。
第２図に戻って、本発明の実施例の製造過程を詳述する
。
最初に、金属パターン（１０）が、支持ｒ（１２）に印
刷され、乾燥され、焼成される。
前述の方法で製造される本発明の低：ＪＩ電材の最初の
層（２０）は、０．１３ｍ＋ｎ　（０，００５インチ）
の厚さの金属型板のフィルターを利用する支持層の上に
塗布される。
次に１層（２０）は、乾燥され焼成されて、厚さが０．
０３８〜０．０７６ｎｉｎ（０，００１５〜０．００３
０インチ）の最初の絶縁層（２０）になる。前述の方法
で製造される本発明の低誘電材の２番目の層（２２）が
、同一の型の絶縁層の上に塗布される。そして、絶縁層
（２２）を、前述のように乾燥して焼成する。
絶縁層（２２）が層（２０）の中に残った小さな穴をす
べてふさいで絶縁層を平にする。焼成の際の層（２２）
の標準的な厚さは、０．０２５〜０．０５１　ｏｎ　（
０，００１０〜０．００２０インチ）である。更に絶縁
層を平らにし、もう一つの金属回路層に対する絶縁層を
提供するには、従来の有機ベヒクルの中のＪ＞ｋいフィ
ルムのガラスとセラミックの混合剤〔米国ニューシャー
シー州のニューアークにあるイングルハード・コーポレ
ーション（Ｅｎｇｌｅｈａｒｄ　Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏ
ｎ）のイングルハート・ゼロ・フロー（Ｅｎｇｌｅｈａ
ｒｄ　Ｚｅｒｏ　ｆｌｏｗ）（米国商標）〕の層（２４
）を、絶縁層の上に注型する。
層（２４）は、従来の方法で乾燥され焼成される。層（
２４）の標や的な厚さは、約０．０１３ｍｍ　（０，５
ｍ１ｓ）である。層（２４）は、更に絶縁支持層となり
、同時に金属回路の層が印刷されるための最適な支持層
となる。
次に、絶縁層の穴に重なるようにレーザー等を使ってバ
イアスを形成する。穴は層と層の間の伝導性の相互連絡
の状態が良くなるように流体金属で充填される。
第３図に示すように１層と層の間の伝導通路は美術にお
いて良く知られた方法を使う金属パターン組成と同時に
製造してもよい。
前記の手法は、必要な回路の層ができるまで。
金属パターン層と絶縁層を交互に繰り返してもよし＼。
最後に、マイクロ回路を、周囲からしゃ断するために、
従来のガラス状のうわ架材を使い、従来の方法で仕上げ
てよい。
前述かられかるように、本発明は、優れた厚いフィルム
の製造方法、及び以前の技術より優れた性能特性を備え
た厚いフィルムよりなる装置を提供する。
本発明は、絶縁材を提供する。絶縁材は、超ＬＳＩ装置
では、誘電率は、銅の装置では、約３，５のものもある
し、金の装置の場合は、はとんどが約４．０〜４．５で
ある。これは、銅の装置の誘電率が７という一番知名度
の低い従来の絶縁材に比べて、非常に大きな強みとなる
。
そのうえ、本発明の絶縁材は、誘電率が低いことに加え
、金、金合金、銅の同時使用が可能な利点もある。特に
、高密度、高温、高速使用に適している。テストにおい
ては、３〜２６ＧＨ２の周波数に対する回路インピーダ
ンスの周波数応答は、一定であった。ｌＫ１１□〜１３
ＭＨ２に対する周波数応答も同様に一定であった。
前述の本発明の範囲を逸脱しなければ、前記の生産方法
や装置は、様々に変化させてもよい。前記の叙述に含ま
れるすべての内容は、例証的で、意味を限定せず説明さ
れる。
【図面の簡単な説明】
本発明の特徴と［１的を更に理解してもらうために、添
付図面に基づいて詳細な説明がなさ九ねばならない。図
面では、同様の数字により同様の部分の叙述を行なう。 第１図は、本発明に従って作成される厚いフィルムより
なる超ＬＳＩ装置を斜めに切った部分の簡略図である。 第２図は、本発明の教えるところにより、厚いフィルム
により成る超ＬＳＩ装置の製造方法の一例を線図的に示
すブロック図である。 第３図は、本発明の教えるところにより、厚いフィルム
より成る超ＬＳＩ装置の製造方法の別の例を線図的に示
すブロック図である。 （１０）金属パターン　　　　（１２）支持層（Ｉ４）
絶縁層　　　　　　　（２０）　（２２）　（２４）ｆ
ｆ（２６）中空のガラス微小球

Claims (23)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）厚いフィルムよりなる絶縁鋳型材、厚いフィルム
    よりなる有機ベヒクル、及び複数の中空のガラス微小球
    の概ね均一な混合物で構成される厚いフィルムよりなる
    装置の製造に使用される低誘電率材。
  2. （２）中空のガラス微小球が、シリカからなる特許請求
    の範囲第（１）項に記載の低誘電率材。
  3. （３）厚いフィルムよりなる絶縁材が、ガラスセラミッ
    ク又はセラミックとガラスの複合材である特許請求の範
    囲第（１）項に記載の低誘電率材。
  4. （４）微小球の最大の寸法が、４００メッシュ（米国標
    準ふるいシリーズ）を超えない特許請求の範囲第（１）
    項に記載の低誘電率材。
  5. （５）中空のガラス微小球が、約１５〜５０体積部を占
    める特許請求の範囲第（１）項に記載の低誘電率材。
  6. （６）中空のガラス微小球が、約２０〜４２体積％を占
    める特許請求の範囲第（１）項に記載の低誘電率材。
  7. （７）中空のガラス微小球が、約３５〜３９体積％を占
    める特許請求の範囲第（１）項に記載の低誘電率材。
  8. （８）４００メッシュ（米国標準ふるいシリーズ）を超
    えない各種寸法のガラス微小球の混合物よりなる特許請
    求の範囲第（７）項に記載の低誘電率材。
  9. （９）（ａ）乾いた中空のガラス微小球を、厚いフィル
    ムよりなる有機ベヒクルと完全に混合する段階と、（ｂ
    ）段階（ａ）で作成された混合物を、標準的な粘性を有
    する厚いフィルムよりなる絶縁鋳型材と混合する段階を
    有することを特徴とする、厚いフィルムの作成に使用さ
    れる低誘電率材の製造方法。
  10. （１０）中空のガラス微小球と有機ベヒクルを混合する
    前に、中空のガラス微小球を、４００メッシュのフィル
    ター（米国標準ふるいシリーズ）に通す段階を含む特許
    請求の範囲第（９）項に記載の製造方法。
  11. （１１）（ａ）標準的な粘性を持つ厚いフィルムの絶縁
    鋳型材、厚いフィルムの有機ベヒクル、及び複数の中空
    のガラス微小球を混合させて、所要の粘性を持ち、かつ
    均一で、低誘電率材を作成する段階と、（ｂ）絶縁層が
    、所要の厚さになるように、段階（ａ）によって作成し
    た低誘電率材を、回路部に付着させる段階と、 （ｃ）段階（ｂ）で付着された材料を、乾燥させかつ焼
    成させる段階を有することを特徴とする厚いフィルムに
    よる低誘電率の絶縁層の製造方法。
  12. （１２）混合する前に、中空のガラス微小球を４００メ
    ッシュのフィルター（米国標準ふるいシリーズ）に通す
    段階を含む特許請求の範囲第（１１）項に記載の製造方
    法。
  13. （１３）（ａ）標準的な粘性を持つ厚いフィルムの絶縁
    鋳型材、厚いフィルムの有機ベヒクル、及び複数の中空
    のガラス微小球を混合させ、所要の粘性を持ち、かつ均
    一で、低誘電率の材料を作成する段階と、 （ｂ）絶縁層が、所要の厚さになるように、段階（ａ）
    による低誘電率材を回路部に付着させる段階と、 （ｃ）段階（ｂ）で付着された材料を、乾燥させ焼成さ
    せる段階と、 （ｄ）絶縁層が最終的に所要とする厚さに近づくまで、
    （ｂ）と（ｃ）の段階を繰り返す段階と、（ｅ）段階（
    ｄ）により形成された層が所要とする厚さになるように
    、通常の厚いフィルムの絶縁材を付着させ、層を平らに
    する段階と、 （ｆ）段階（ｅ）による材料を、乾燥させ焼成させる段
    階を有することを特徴とする厚いフィルムによる低誘電
    率の絶縁層の製造方法。
  14. （１４）（ａ）剛質の絶縁支持層を形成する段階と、（
    ｂ）前もって形成した金属パターンを前記支持層に付着
    させる段階と、 （ｃ）標準的な粘性を持つ厚いフィルムの絶縁鋳型材、
    厚いフィルムの有機ベヒクル、及び複数の中空のガラス
    微小球よりなる、均一な低誘電率材を形成する段階と、 （ｄ）絶縁層が所要の厚さになるように、段階（ｃ）に
    より得られた低誘電率材を金属パターンに付着させる段
    階と、 （ｅ）段階（ｄ）による低誘電率材を乾燥させ焼成させ
    る段階と、 （ｆ）低誘電率材の層で分離される金属パターンの数が
    必要な数になるまで、段階（ｂ）と（ｅ）を繰り返す段
    階とを有することを特徴とする厚いフィルムの製造方法
    。
  15. （１５）金属パターンが、焼成可能なインクとして付着
    され、かつこのインクを乾燥させ焼成させる段階を含む
    特許請求の範囲第（１４）項に記載の製造方法。
  16. （１６）インクと低誘電率材を同時に焼成する特許請求
    の範囲第（１５）項に記載の製造方法。
  17. （１７）段階（ｅ）により形成された層が所要の厚さに
    なるように通常の厚いフィルムの絶縁材を付着させ、層
    を平らにする段階を含む特許請求の範囲第（１４）項に
    記載の製造方法。
  18. （１８）剛質の絶縁支持層を備え、かつ絶縁層で分離さ
    れた単一もしくは複数の回路層を有する厚いフィルムに
    おいて、絶縁層の少なくとも一つは、焼成された厚いフ
    ィルムよりなり、均等に分散された複数の中空のガラス
    微小球を有する絶縁鋳型材で構成されていることを特徴
    とする厚いフィルム。
  19. （１９）中空のガラス微小球が、絶縁層の約１５〜５０
    体積％を占める特許請求の範囲第（１８）項に記載の厚
    いフィルム。
  20. （２０）中空のガラス微小球が、絶縁層の約２０〜４２
    体積％を占める特許請求の範囲第（１９）項に記載の厚
    いフィルム。
  21. （２１）中空のガラス微小球が絶縁層の約３５〜３９体
    積％を占める特許請求の範囲第（１９）項に記載の厚い
    フィルム。
  22. （２２）中空のガラス微小球が４００メッシュのフィル
    ター（米国標準ふるいシリーズ）を通るように、予めふ
    るいにかけられている特許請求の範囲第（１８）項に記
    載の厚いフィルム。
  23. （２３）中空のガラス微小球が、４００メッシュのフィ
    ルター（米国標準シリーズ）に通るように、予めふるい
    にかけた各種寸法の中空のガラス微小球の混合物よりな
    る特許請求の範囲第（２２）項に記載の厚いフィルム。
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MY (1) MY100118A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04290492A (ja) * 1991-03-19 1992-10-15 Fujitsu Ltd 低誘電率セラミックス回路基板の製造方法
US5275889A (en) * 1990-09-20 1994-01-04 Fujitsu Limited Multi-layer wiring board
US6947098B2 (en) 2000-11-22 2005-09-20 Koninklijke Philips Electronics N.V. Video signal processing

Families Citing this family (58)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63254032A (ja) * 1987-04-10 1988-10-20 三井金属鉱業株式会社 セラミツク配線基板用材料およびその製造法
US4940623A (en) * 1988-08-09 1990-07-10 Bosna Alexander A Printed circuit board and method using thermal spray techniques
US5346751A (en) * 1988-12-19 1994-09-13 W. R. Grace & Co.-Conn. Electronic package using closed pore composites
US4994302A (en) * 1989-06-27 1991-02-19 Digital Equipment Corporation Method of manufacturing thick-film devices
US5213878A (en) * 1990-03-23 1993-05-25 Minnesota Mining And Manufacturing Company Ceramic composite for electronic applications
US5108958A (en) * 1990-03-23 1992-04-28 Minnesota Mining And Manufacturing Company Ceramic composite for electronic applications
JP3021586B2 (ja) * 1990-09-17 2000-03-15 富士通株式会社 低誘電率セラミック基板とグリーンシートの製造方法
JPH07108832B2 (ja) * 1991-09-26 1995-11-22 インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーシヨン 低誘電率基板およびその製法
US5204289A (en) * 1991-10-18 1993-04-20 Minnesota Mining And Manufacturing Company Glass-based and glass-ceramic-based composites
JP2610375B2 (ja) * 1992-02-27 1997-05-14 富士通株式会社 多層セラミック基板の製造方法
JPH05283542A (ja) * 1992-03-31 1993-10-29 Mitsubishi Electric Corp 半導体集積回路装置及びその製造方法
JP2756075B2 (ja) * 1993-08-06 1998-05-25 三菱電機株式会社 金属ベース基板およびそれを用いた電子機器
US5835987A (en) 1995-10-31 1998-11-10 Micron Technology, Inc. Reduced RC delay between adjacent substrate wiring lines
US6187214B1 (en) 1996-05-13 2001-02-13 Universidad De Seville Method and device for production of components for microfabrication
US6299145B1 (en) 1996-05-13 2001-10-09 Universidad De Sevilla Device and method for fluid aeration via gas forced through a liquid within an orifice of a pressure chamber
US6196525B1 (en) 1996-05-13 2001-03-06 Universidad De Sevilla Device and method for fluid aeration via gas forced through a liquid within an orifice of a pressure chamber
US6116516A (en) 1996-05-13 2000-09-12 Universidad De Sevilla Stabilized capillary microjet and devices and methods for producing same
US6792940B2 (en) 1996-05-13 2004-09-21 Universidad De Sevilla Device and method for creating aerosols for drug delivery
US6405936B1 (en) 1996-05-13 2002-06-18 Universidad De Sevilla Stabilized capillary microjet and devices and methods for producing same
US6189803B1 (en) 1996-05-13 2001-02-20 University Of Seville Fuel injection nozzle and method of use
ES2140998B1 (es) * 1996-05-13 2000-10-16 Univ Sevilla Procedimiento de atomizacion de liquidos.
US6386463B1 (en) 1996-05-13 2002-05-14 Universidad De Sevilla Fuel injection nozzle and method of use
US6595202B2 (en) 1996-05-13 2003-07-22 Universidad De Sevilla Device and method for creating aerosols for drug delivery
US6161889A (en) * 1998-10-26 2000-12-19 Lear Automotive Dearborn, Inc. Ribbed trim panel for thermal spraying of electrical circuit
US6450189B1 (en) 1998-11-13 2002-09-17 Universidad De Sevilla Method and device for production of components for microfabrication
US6214424B1 (en) * 1999-03-24 2001-04-10 Thermoseal Glass Corporation Simulated ice crystal formation on substrates
US6728315B2 (en) 2002-07-24 2004-04-27 Apple Computer, Inc. Method and apparatus for variable accuracy inter-picture timing specification for digital video encoding with reduced requirements for division operations
DE102007020888A1 (de) 2007-05-04 2008-11-06 Micro Systems Engineering Gmbh & Co. Kg Keramisches Substratmaterial, Verfahren zur Herstellung und Verwendung desselben sowie Antenne oder Antennenarray
DE102007049172A1 (de) 2007-10-13 2009-04-16 Micro Systems Engineering Gmbh & Co. Kg Mikroreaktor und Verfahren zur Herstellung eines solchen sowie Verfahren zur Herstellung eines Substrats für einen Mikroreaktor
DE102008043352A1 (de) 2008-10-31 2010-05-06 Micro Systems Engineering Gmbh Keramisches Substratmaterial, Verfahren zur Herstellung und Verwendung desselben sowie Antenne oder Antennenarray
US8927879B2 (en) 2010-11-22 2015-01-06 International Business Machines Corporation Crosstalk reduction between signal layers in a multilayered package by variable-width mesh plane structures
US9221210B2 (en) 2012-04-11 2015-12-29 Whirlpool Corporation Method to create vacuum insulated cabinets for refrigerators
US9038403B2 (en) 2012-04-02 2015-05-26 Whirlpool Corporation Vacuum insulated door structure and method for the creation thereof
US10052819B2 (en) 2014-02-24 2018-08-21 Whirlpool Corporation Vacuum packaged 3D vacuum insulated door structure and method therefor using a tooling fixture
US9476633B2 (en) 2015-03-02 2016-10-25 Whirlpool Corporation 3D vacuum panel and a folding approach to create the 3D vacuum panel from a 2D vacuum panel of non-uniform thickness
US10161669B2 (en) 2015-03-05 2018-12-25 Whirlpool Corporation Attachment arrangement for vacuum insulated door
US9897370B2 (en) 2015-03-11 2018-02-20 Whirlpool Corporation Self-contained pantry box system for insertion into an appliance
US9441779B1 (en) 2015-07-01 2016-09-13 Whirlpool Corporation Split hybrid insulation structure for an appliance
US10041724B2 (en) 2015-12-08 2018-08-07 Whirlpool Corporation Methods for dispensing and compacting insulation materials into a vacuum sealed structure
US11052579B2 (en) 2015-12-08 2021-07-06 Whirlpool Corporation Method for preparing a densified insulation material for use in appliance insulated structure
US10222116B2 (en) 2015-12-08 2019-03-05 Whirlpool Corporation Method and apparatus for forming a vacuum insulated structure for an appliance having a pressing mechanism incorporated within an insulation delivery system
US10422573B2 (en) 2015-12-08 2019-09-24 Whirlpool Corporation Insulation structure for an appliance having a uniformly mixed multi-component insulation material, and a method for even distribution of material combinations therein
US10105928B2 (en) 2015-12-08 2018-10-23 Whirlpool Corporation Super insulating nano-spheres for appliance insulation and method for creating a super insulating nano-sphere material
US10429125B2 (en) 2015-12-08 2019-10-01 Whirlpool Corporation Insulation structure for an appliance having a uniformly mixed multi-component insulation material, and a method for even distribution of material combinations therein
US11994336B2 (en) 2015-12-09 2024-05-28 Whirlpool Corporation Vacuum insulated structure with thermal bridge breaker with heat loop
WO2017100037A1 (en) 2015-12-09 2017-06-15 Whirlpool Corporation Vacuum insulation structures with multiple insulators
US10422569B2 (en) 2015-12-21 2019-09-24 Whirlpool Corporation Vacuum insulated door construction
US10018406B2 (en) 2015-12-28 2018-07-10 Whirlpool Corporation Multi-layer gas barrier materials for vacuum insulated structure
US10610985B2 (en) 2015-12-28 2020-04-07 Whirlpool Corporation Multilayer barrier materials with PVD or plasma coating for vacuum insulated structure
US10807298B2 (en) 2015-12-29 2020-10-20 Whirlpool Corporation Molded gas barrier parts for vacuum insulated structure
US11247369B2 (en) 2015-12-30 2022-02-15 Whirlpool Corporation Method of fabricating 3D vacuum insulated refrigerator structure having core material
EP3443284B1 (en) 2016-04-15 2020-11-18 Whirlpool Corporation Vacuum insulated refrigerator structure with three dimensional characteristics
EP3443285B1 (en) 2016-04-15 2021-03-10 Whirlpool Corporation Vacuum insulated refrigerator cabinet
WO2018022007A1 (en) 2016-07-26 2018-02-01 Whirlpool Corporation Vacuum insulated structure trim breaker
US11391506B2 (en) 2016-08-18 2022-07-19 Whirlpool Corporation Machine compartment for a vacuum insulated structure
US10352613B2 (en) 2016-12-05 2019-07-16 Whirlpool Corporation Pigmented monolayer liner for appliances and methods of making the same
US10907888B2 (en) 2018-06-25 2021-02-02 Whirlpool Corporation Hybrid pigmented hot stitched color liner system
US10907891B2 (en) 2019-02-18 2021-02-02 Whirlpool Corporation Trim breaker for a structural cabinet that incorporates a structural glass contact surface

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59111345A (ja) * 1982-12-17 1984-06-27 Fujitsu Ltd 低誘電率回路基板
JPS608355A (ja) * 1983-06-29 1985-01-17 Toshiba Corp 不飽和ポリエステル樹脂組成物

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4134848A (en) * 1976-06-28 1979-01-16 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Composite for improved stripline board material
US4477492A (en) * 1983-04-22 1984-10-16 E. I. Du Pont De Nemours And Company Process for preparing superficially porous supports for chromatography and catalysts
JPS64545A (en) * 1987-02-05 1989-01-05 Konica Corp Method for exposing color photographic sensitive material, filter and exposure apparatus usable for said method

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59111345A (ja) * 1982-12-17 1984-06-27 Fujitsu Ltd 低誘電率回路基板
JPS608355A (ja) * 1983-06-29 1985-01-17 Toshiba Corp 不飽和ポリエステル樹脂組成物

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5275889A (en) * 1990-09-20 1994-01-04 Fujitsu Limited Multi-layer wiring board
JPH04290492A (ja) * 1991-03-19 1992-10-15 Fujitsu Ltd 低誘電率セラミックス回路基板の製造方法
US6947098B2 (en) 2000-11-22 2005-09-20 Koninklijke Philips Electronics N.V. Video signal processing

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