JPS63307182A - 多層セラミックス回路基板 - Google Patents
多層セラミックス回路基板Info
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- JPS63307182A JPS63307182A JP62142317A JP14231787A JPS63307182A JP S63307182 A JPS63307182 A JP S63307182A JP 62142317 A JP62142317 A JP 62142317A JP 14231787 A JP14231787 A JP 14231787A JP S63307182 A JPS63307182 A JP S63307182A
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- Japan
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- glass
- copper
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- circuit board
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- Pending
Links
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Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、高密度化が可能な多層配線セラミックス回路
基板に関する。
基板に関する。
多層配線回路基板は、導体材料として、体積抵抗率が小
さい銅を使用することが有利であり、絶縁材料は、この
導体材料の融点より低い温度において緻密に焼成できる
ことが必要であり、さらに、熱伝導率が大きくて、集積
回路を高密度化できることが望ましく、なお誘電率が小
さくて信号伝送を高速化することが有利である。
さい銅を使用することが有利であり、絶縁材料は、この
導体材料の融点より低い温度において緻密に焼成できる
ことが必要であり、さらに、熱伝導率が大きくて、集積
回路を高密度化できることが望ましく、なお誘電率が小
さくて信号伝送を高速化することが有利である。
従来、多層配線回路基板の絶縁材料としては、アルミナ
−ガラス複合焼成体が使用されている。
−ガラス複合焼成体が使用されている。
しかし、これは熱伝導率が２．５Ｗ／ｍ−に程度と、や
や小さい欠点がある。
や小さい欠点がある。
熱伝導率が大きいガラス−セラミックスを絶縁材料とす
る高密度化が可能な多層配線回路基板を提供することで
ある。
る高密度化が可能な多層配線回路基板を提供することで
ある。
上記問題点は、窒化アルミニウム２０〜８０重量％、石
英ガラスが０〜２０重量％、および銅の融点より低い軟
化点を有するガラス２０〜８０重量％を含むガラス−セ
ラミックスを絶縁材料とし、銅を導体材料とすることを
特徴とする多層セラミックス回路基板によって解決する
ことができる。
英ガラスが０〜２０重量％、および銅の融点より低い軟
化点を有するガラス２０〜８０重量％を含むガラス−セ
ラミックスを絶縁材料とし、銅を導体材料とすることを
特徴とする多層セラミックス回路基板によって解決する
ことができる。
（作 用〕
窒化アルミニウムは熱伝導率が３２０Ｗ／ｍ −ｋであ
り、従来使用されたアルミナの１７Ｗ／ｍ・ｋより大き
いので、焼結体の熱伝導率の向上に寄与する。石英ガラ
スは誘電率が３．８程度と小さいので信号伝送の高速化
に役立つ。銅の融点より低い軟化点を有するガラスとし
ては、熱膨張率が窒化アルミニウムの４．５ Ｘ １０
−６／ Ｋとほぼ同等であるほうけい酸ガラス、アルミ
ノけい酸ガラス、またはカルシウムバリウムけい酸ガラ
スを使用することができ、その含量が２０重量％未満で
は、相対的に窒化アルミニウムおよび石英ガラスの含量
が８０重量％を超えるので、焼成温度が銅の融点の１０
８３℃より高くなり、実際に使用できない。また低融点
ガラスの含量が８０重量％を超えると、焼成時に流動化
してしまい、焼成体の形状保持が困難となる。石英ガラ
スは誘電率低下の効果を有するが、熱伝導率がＩＷ／ｍ
−にと小さいので、まったく含まなくてもよく、２０重
量％を超えると熱伝導率が低下する欠点が著しくなって
、使用できない。
り、従来使用されたアルミナの１７Ｗ／ｍ・ｋより大き
いので、焼結体の熱伝導率の向上に寄与する。石英ガラ
スは誘電率が３．８程度と小さいので信号伝送の高速化
に役立つ。銅の融点より低い軟化点を有するガラスとし
ては、熱膨張率が窒化アルミニウムの４．５ Ｘ １０
−６／ Ｋとほぼ同等であるほうけい酸ガラス、アルミ
ノけい酸ガラス、またはカルシウムバリウムけい酸ガラ
スを使用することができ、その含量が２０重量％未満で
は、相対的に窒化アルミニウムおよび石英ガラスの含量
が８０重量％を超えるので、焼成温度が銅の融点の１０
８３℃より高くなり、実際に使用できない。また低融点
ガラスの含量が８０重量％を超えると、焼成時に流動化
してしまい、焼成体の形状保持が困難となる。石英ガラ
スは誘電率低下の効果を有するが、熱伝導率がＩＷ／ｍ
−にと小さいので、まったく含まなくてもよく、２０重
量％を超えると熱伝導率が低下する欠点が著しくなって
、使用できない。
また、基板材料には、熱伝導率が大きい窒化アルミニウ
ム粉末を焼結した単板を使用することが有利である。な
お、焼結して導体材料とする銅ペーストには、上記絶縁
材料に使用する低融点ガラスを焼成後の重量にもとづい
て、５〜１０重量％置型することが好ましい。
ム粉末を焼結した単板を使用することが有利である。な
お、焼結して導体材料とする銅ペーストには、上記絶縁
材料に使用する低融点ガラスを焼成後の重量にもとづい
て、５〜１０重量％置型することが好ましい。
窒化アルミニウム焼結基板上に、銅粉末９５重量部と、
５ｔ（ｈ８１重量％、Ｂ２０ｄ３重量％、ＡＩ□０３２
重景％およ置型ａｚＯ４重量％を含むほうけい酸ガラス
粉末５重量部とを加えて無機成分とした導体ペーストを
、スクリーン印刷し、窒素中で９５０℃で焼成して配線
パターンを形成した。
５ｔ（ｈ８１重量％、Ｂ２０ｄ３重量％、ＡＩ□０３２
重景％およ置型ａｚＯ４重量％を含むほうけい酸ガラス
粉末５重量部とを加えて無機成分とした導体ペーストを
、スクリーン印刷し、窒素中で９５０℃で焼成して配線
パターンを形成した。
他方、平均粒径３μｍの窒化アルミニウム粉末４０重量
部と、平均粒径３μｍの石英ガラス粉末１０重量％と、
上記ほうけい酸ガラス５０重量部との混合粉末に、バイ
ンダのポリビニルブチラール５重量部、可塑剤のジブチ
ルフタレート３重量部および、溶剤のメチルエチルケト
ン１００重量部を混合し、混練して絶縁体ペーストとし
、これをスクリーン印刷し、スルホールを孔あけし、窒
素中で９５０°Ｃ１５時間焼成して絶縁層とした。これ
ら配線パターンおよび絶縁層の工程を３回反復して多層
セラミックス回路基板を作製した。
部と、平均粒径３μｍの石英ガラス粉末１０重量％と、
上記ほうけい酸ガラス５０重量部との混合粉末に、バイ
ンダのポリビニルブチラール５重量部、可塑剤のジブチ
ルフタレート３重量部および、溶剤のメチルエチルケト
ン１００重量部を混合し、混練して絶縁体ペーストとし
、これをスクリーン印刷し、スルホールを孔あけし、窒
素中で９５０°Ｃ１５時間焼成して絶縁層とした。これ
ら配線パターンおよび絶縁層の工程を３回反復して多層
セラミックス回路基板を作製した。
得られた回路基板は、絶縁層の熱伝導率が３．０Ｗ／ｍ
−にと、従来のアルミナ回路基板の２．５Ｗ／ｍ−によ
り２０％向上した。なお層間の誘電率はＩ ＭＨｚで５
．５であった。
−にと、従来のアルミナ回路基板の２．５Ｗ／ｍ−によ
り２０％向上した。なお層間の誘電率はＩ ＭＨｚで５
．５であった。
本発明の多層セラミックス回路基板は熱伝導率が向上し
て、集積回路の高密度化を達成することができる。
て、集積回路の高密度化を達成することができる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、窒化アルミニウム２０〜８０重量％、石英ガラス０
〜２０重量％、および銅の融点より低い軟化点を有する
ガラス２０〜８０重量％を含むガラス−セラミックスを
絶縁材料とし、銅を導体材料とすることを特徴とする多
層セラミックス回路基板。 ２、銅の融点より低い軟化点を有するガラスが、ほうけ
い酸ガラス、アルミノけい酸ガラスまたはカルシウムバ
リウムけい酸ガラスである、特許請求の範囲第１項記載
の回路基板。 ３、窒化アルミニウム単板を基板材料とする、特許請求
の範囲第１項記載の回路基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62142317A JPS63307182A (ja) | 1987-06-09 | 1987-06-09 | 多層セラミックス回路基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62142317A JPS63307182A (ja) | 1987-06-09 | 1987-06-09 | 多層セラミックス回路基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63307182A true JPS63307182A (ja) | 1988-12-14 |
Family
ID=15312544
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62142317A Pending JPS63307182A (ja) | 1987-06-09 | 1987-06-09 | 多層セラミックス回路基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63307182A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5102749A (en) * | 1988-01-27 | 1992-04-07 | W. R. Grace & Co.-Conn. | Electronic package comprising aluminum nitride and aluminum nitride-borosilicate glass composite |
| US6630417B2 (en) | 2000-05-30 | 2003-10-07 | Kyocera Corporation | Porcelain composition, porcelain and method of producing the same, and wiring board and method of producing the same |
-
1987
- 1987-06-09 JP JP62142317A patent/JPS63307182A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5102749A (en) * | 1988-01-27 | 1992-04-07 | W. R. Grace & Co.-Conn. | Electronic package comprising aluminum nitride and aluminum nitride-borosilicate glass composite |
| US6630417B2 (en) | 2000-05-30 | 2003-10-07 | Kyocera Corporation | Porcelain composition, porcelain and method of producing the same, and wiring board and method of producing the same |
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