JP2610375B2 - 多層セラミック基板の製造方法 - Google Patents
多層セラミック基板の製造方法Info
- Publication number
- JP2610375B2 JP2610375B2 JP4041098A JP4109892A JP2610375B2 JP 2610375 B2 JP2610375 B2 JP 2610375B2 JP 4041098 A JP4041098 A JP 4041098A JP 4109892 A JP4109892 A JP 4109892A JP 2610375 B2 JP2610375 B2 JP 2610375B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- volume
- hollow silica
- ceramic
- dielectric constant
- composition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 34
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 91
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 40
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 35
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 18
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 claims description 16
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 claims 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 8
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 7
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 7
- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 description 6
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 3
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- DOIRQSBPFJWKBE-UHFFFAOYSA-N dibutyl phthalate Chemical compound CCCCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCCCC DOIRQSBPFJWKBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 1
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N tetramethyl orthosilicate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)OC LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C14/00—Glass compositions containing a non-glass component, e.g. compositions containing fibres, filaments, whiskers, platelets, or the like, dispersed in a glass matrix
- C03C14/004—Glass compositions containing a non-glass component, e.g. compositions containing fibres, filaments, whiskers, platelets, or the like, dispersed in a glass matrix the non-glass component being in the form of particles or flakes
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B18/00—Layered products essentially comprising ceramics, e.g. refractory products
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/16—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on silicates other than clay
- C04B35/18—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on silicates other than clay rich in aluminium oxide
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/64—Burning or sintering processes
- C04B35/645—Pressure sintering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
- C04B2237/32—Ceramic
- C04B2237/34—Oxidic
- C04B2237/341—Silica or silicates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
- C04B2237/32—Ceramic
- C04B2237/34—Oxidic
- C04B2237/343—Alumina or aluminates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/50—Processing aspects relating to ceramic laminates or to the joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/70—Forming laminates or joined articles comprising layers of a specific, unusual thickness
- C04B2237/704—Forming laminates or joined articles comprising layers of a specific, unusual thickness of one or more of the ceramic layers or articles
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10S428/901—Printed circuit
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24802—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]
- Y10T428/24893—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.] including particulate material
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24802—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]
- Y10T428/24917—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.] including metal layer
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24802—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]
- Y10T428/24926—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.] including ceramic, glass, porcelain or quartz layer
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/29—Coated or structually defined flake, particle, cell, strand, strand portion, rod, filament, macroscopic fiber or mass thereof
- Y10T428/2982—Particulate matter [e.g., sphere, flake, etc.]
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、大規模集積回路（ＬＳ
Ｉ）素子を搭載するための、低誘電率の多層セラミック
基板を製造するための方法に関する。より詳しく言え
ば、本発明は、組成の相異なるセラミックグリーンシー
トを混成積層したタイプの低誘電率の多層セラミック基
板の製造方法に関する。
Ｉ）素子を搭載するための、低誘電率の多層セラミック
基板を製造するための方法に関する。より詳しく言え
ば、本発明は、組成の相異なるセラミックグリーンシー
トを混成積層したタイプの低誘電率の多層セラミック基
板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】成分組成の異なるグリーンシートを混成
積層したタイプの基板は、近年の回路基板の高性能化の
要請に伴って研究開発されており、例えば低誘電率材料
のグリーンシートと高強度材料のグリーンシートとを混
合積層することで、低誘電率で且つ高強度の多層基板を
得る試みがなされている（例えば特開平３−１５１６９
０号公報参照）。
積層したタイプの基板は、近年の回路基板の高性能化の
要請に伴って研究開発されており、例えば低誘電率材料
のグリーンシートと高強度材料のグリーンシートとを混
合積層することで、低誘電率で且つ高強度の多層基板を
得る試みがなされている（例えば特開平３−１５１６９
０号公報参照）。
【０００３】特開昭５９−１１１３４５号公報には、中
空シリカを含有する低誘電率のガラスセラミックスが開
示されている。この低誘電率ガラスセラミックスは、中
空シリカ以外の無機成分として、硼珪酸ガラス粉末と、
例えばアルミナのようなセラミック粉末とを含有する組
成物である。このような低誘電率の中空シリカ含有ガラ
スセラミックスのグリーンシートを積層して作られた基
板は、誘電率の観点からは十分実用的である。ところ
が、この基板をその上に例えば化学気相成長（ＣＶＤ）
のような技術で薄膜をつけるために研磨すると、内部の
中空シリカのポアが露出されて十分に平滑な表面を得る
ことができない。そのため、基板の表面付近には中空シ
リカを含まないセラミック層を配した構造の多層基板が
提案されている（特願平３−５５１８８号明細書）。
空シリカを含有する低誘電率のガラスセラミックスが開
示されている。この低誘電率ガラスセラミックスは、中
空シリカ以外の無機成分として、硼珪酸ガラス粉末と、
例えばアルミナのようなセラミック粉末とを含有する組
成物である。このような低誘電率の中空シリカ含有ガラ
スセラミックスのグリーンシートを積層して作られた基
板は、誘電率の観点からは十分実用的である。ところ
が、この基板をその上に例えば化学気相成長（ＣＶＤ）
のような技術で薄膜をつけるために研磨すると、内部の
中空シリカのポアが露出されて十分に平滑な表面を得る
ことができない。そのため、基板の表面付近には中空シ
リカを含まないセラミック層を配した構造の多層基板が
提案されている（特願平３−５５１８８号明細書）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】特願平３−５５１８８
号明細書に記載されたセラミック多層基板では、十分平
滑な表面を実現することができた。とは言うものの、こ
のような多層基板は、焼成過程において層間剥離や割れ
が発生することがあり、それゆえに歩留りの低下を招き
やすいということが次第に明らかになってきた。
号明細書に記載されたセラミック多層基板では、十分平
滑な表面を実現することができた。とは言うものの、こ
のような多層基板は、焼成過程において層間剥離や割れ
が発生することがあり、それゆえに歩留りの低下を招き
やすいということが次第に明らかになってきた。
【０００５】従って本発明は、誘電率が低く且つ表面の
十分な平滑化が可能な多層セラミック基板を、層間剥離
や割れ等の破壊を招来することなく都合よく製造するこ
とのできる方法の提供を目的とする。
十分な平滑化が可能な多層セラミック基板を、層間剥離
や割れ等の破壊を招来することなく都合よく製造するこ
とのできる方法の提供を目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の多層セラミック
基板の製造方法は、中空シリカを含有してなる低誘電率
の第一のセラミック粉末材料のグリーンシートと、中空
シリカを含有しない第二のセラミック粉末材料のグリー
ンシートとを混成積層し、次いでこの積層体を一体焼成
して低誘電率の多層セラミック基板を製造する方法であ
って、第一のセラミック材料として、無機成分の体積比
率で、１０〜５０％の中空シリカ、２０〜５０％の硼珪
酸ガラス、０％より多く５５％以下の石英ガラス及び１
０〜３０％のアルミナを含んでなる組成物を、そして第
二のセラミック材料として、無機成分の体積比率で、２
０〜６０％の硼珪酸ガラス、０％より多く６５％以下の
石英ガラス及び１０〜３０％のアルミナを含んでなる組
成物を、これらのセラミック材料のグリーンシートの焼
成時の収縮率の差が１％以内となるように、おのおのの
組成を調節して使用することを特徴とする。
基板の製造方法は、中空シリカを含有してなる低誘電率
の第一のセラミック粉末材料のグリーンシートと、中空
シリカを含有しない第二のセラミック粉末材料のグリー
ンシートとを混成積層し、次いでこの積層体を一体焼成
して低誘電率の多層セラミック基板を製造する方法であ
って、第一のセラミック材料として、無機成分の体積比
率で、１０〜５０％の中空シリカ、２０〜５０％の硼珪
酸ガラス、０％より多く５５％以下の石英ガラス及び１
０〜３０％のアルミナを含んでなる組成物を、そして第
二のセラミック材料として、無機成分の体積比率で、２
０〜６０％の硼珪酸ガラス、０％より多く６５％以下の
石英ガラス及び１０〜３０％のアルミナを含んでなる組
成物を、これらのセラミック材料のグリーンシートの焼
成時の収縮率の差が１％以内となるように、おのおのの
組成を調節して使用することを特徴とする。
【０００７】本発明は、低誘電率の中空シリカ含有セラ
ミック材料のグリーンシートを使用するとともに、基板
の表面近くには中空シリカを含まないセラミック材料の
グリーンシートを配して多層基板を製造した場合に観察
される層間剥離や割れの原因は、焼成時に中空シリカ含
有グリーンシートの収縮が異常に小さいことにあるとい
うことを突き止めた末になされたものである。そして中
空シリカを含有するガラスセラミックスの焼成収縮率が
小さいのは、中空シリカがほぼ完全な球形であるため、
グリーンシートを形成する段階で、中空シリカを含まな
い他のガラスセラミックスに比べて密に充填されやすい
ことに原因がある。
ミック材料のグリーンシートを使用するとともに、基板
の表面近くには中空シリカを含まないセラミック材料の
グリーンシートを配して多層基板を製造した場合に観察
される層間剥離や割れの原因は、焼成時に中空シリカ含
有グリーンシートの収縮が異常に小さいことにあるとい
うことを突き止めた末になされたものである。そして中
空シリカを含有するガラスセラミックスの焼成収縮率が
小さいのは、中空シリカがほぼ完全な球形であるため、
グリーンシートを形成する段階で、中空シリカを含まな
い他のガラスセラミックスに比べて密に充填されやすい
ことに原因がある。
【０００８】本発明は、従来の低誘電率のセラミック材
料組成物中の中空シリカを、部分的に石英ガラスで置き
換えることで、焼成基板の誘電率を上昇させることなし
に第一及び第二のセラミック材料のグリーンシートの焼
成収縮率の差を１％以内に制限する。
料組成物中の中空シリカを、部分的に石英ガラスで置き
換えることで、焼成基板の誘電率を上昇させることなし
に第一及び第二のセラミック材料のグリーンシートの焼
成収縮率の差を１％以内に制限する。
【０００９】すなわち、本発明の方法において使用され
る低誘電率の第一のセラミック粉末材料組成物は、無機
成分として、１０〜５０体積％の中空シリカ、２０〜５
０体積％の硼珪酸ガラス及び１０〜３０体積％のアルミ
ナのほかに、０体積％より多く５５体積％以下の石英ガ
ラスを含有することによって上述の１％以内の収縮率の
差を実現する。
る低誘電率の第一のセラミック粉末材料組成物は、無機
成分として、１０〜５０体積％の中空シリカ、２０〜５
０体積％の硼珪酸ガラス及び１０〜３０体積％のアルミ
ナのほかに、０体積％より多く５５体積％以下の石英ガ
ラスを含有することによって上述の１％以内の収縮率の
差を実現する。
【００１０】第一のセラミック材料組成物中の石英ガラ
スの含有量は、０体積％より多くなければならないが、
第二のセラミック材料のグリーンシートの焼成収縮率と
の差を１％以内とするためには、第一のセラミック材料
は好ましくは少なくとも５体積％、より好ましくは少な
くとも１０体積％、最も好ましくは少なくとも２０体積
％の石英ガラスを含有すべきである。また石英ガラスの
含有量は、５５体積％を超えるべきでない。石英ガラス
がそれより多くなると、その分だけ中空シリカや硼珪酸
ガラスが減少して、焼成基板の誘電率が上昇し、あるい
は焼成による緻密化が妨げられる。石英ガラスの含有量
は、好ましくは５０体積％以下、より好ましくは４０体
積％以下である。
スの含有量は、０体積％より多くなければならないが、
第二のセラミック材料のグリーンシートの焼成収縮率と
の差を１％以内とするためには、第一のセラミック材料
は好ましくは少なくとも５体積％、より好ましくは少な
くとも１０体積％、最も好ましくは少なくとも２０体積
％の石英ガラスを含有すべきである。また石英ガラスの
含有量は、５５体積％を超えるべきでない。石英ガラス
がそれより多くなると、その分だけ中空シリカや硼珪酸
ガラスが減少して、焼成基板の誘電率が上昇し、あるい
は焼成による緻密化が妨げられる。石英ガラスの含有量
は、好ましくは５０体積％以下、より好ましくは４０体
積％以下である。
【００１１】本発明の方法では、原料や製造工程に由来
する不純物を含有することを除いて純粋である石英ガラ
スを使用することができるのはもちろん、石英（ＳｉＯ
2 ）分が９６％以上のものも同様に使用することができ
る。石英ガラスの平均粒径は、一般には０．５〜１０μ
ｍ、好ましくは１〜５μｍの範囲である。
する不純物を含有することを除いて純粋である石英ガラ
スを使用することができるのはもちろん、石英（ＳｉＯ
2 ）分が９６％以上のものも同様に使用することができ
る。石英ガラスの平均粒径は、一般には０．５〜１０μ
ｍ、好ましくは１〜５μｍの範囲である。
【００１２】第一のセラミック材料組成物中の中空シリ
カは、１０体積％未満では焼成基板の誘電率を低下させ
る効果がなく、また５０体積％を超えると相対的に硼珪
酸ガラスが減少してしまうため焼成による緻密化を促進
することができなくなる。中空シリカ含有量は、好まし
くは１０〜３０体積％である。
カは、１０体積％未満では焼成基板の誘電率を低下させ
る効果がなく、また５０体積％を超えると相対的に硼珪
酸ガラスが減少してしまうため焼成による緻密化を促進
することができなくなる。中空シリカ含有量は、好まし
くは１０〜３０体積％である。
【００１３】中空シリカ粉末は、テトラメトキシシラン
（Ｓｉ（ＯＣＨ3 ）4 ）やテトラエトキシシラン（Ｓｉ
（ＯＣ2 Ｈ5 ）4 ）などの有機珪素化合物を熱分解する
際、構成成分が分離して気泡となるのを利用して製造す
ることができる。粒径２０μｍ以下の中空シリカ粉末を
用いることで、ガラスセラミック基板の誘電率を都合よ
く低下させることができる。
（Ｓｉ（ＯＣＨ3 ）4 ）やテトラエトキシシラン（Ｓｉ
（ＯＣ2 Ｈ5 ）4 ）などの有機珪素化合物を熱分解する
際、構成成分が分離して気泡となるのを利用して製造す
ることができる。粒径２０μｍ以下の中空シリカ粉末を
用いることで、ガラスセラミック基板の誘電率を都合よ
く低下させることができる。
【００１４】第一のセラミック材料組成物における粉末
硼珪酸ガラスの含有量は、２０〜５０体積％でよい。硼
珪酸ガラスの含有量が２０体積％未満では焼成時に緻密
化が促進されず、５０体積％を超えると焼成時に組成物
が流動しやすくなってしまい、思い通りの形状寸法の基
板を得ることが困難になる。硼珪酸ガラスの含有量は、
好ましくは３０〜４５体積％である。またその平均粒径
は、一般には０．５〜１０μｍの範囲であるのが好まし
く、より好ましくは１〜５μｍの範囲である。
硼珪酸ガラスの含有量は、２０〜５０体積％でよい。硼
珪酸ガラスの含有量が２０体積％未満では焼成時に緻密
化が促進されず、５０体積％を超えると焼成時に組成物
が流動しやすくなってしまい、思い通りの形状寸法の基
板を得ることが困難になる。硼珪酸ガラスの含有量は、
好ましくは３０〜４５体積％である。またその平均粒径
は、一般には０．５〜１０μｍの範囲であるのが好まし
く、より好ましくは１〜５μｍの範囲である。
【００１５】第一の組成物中には、１０〜３０体積％の
アルミナが存在する。アルミナ含有量が１０体積％未満
では硼珪酸ガラスが結晶化しやすくなる。また、３０体
積％を超えると焼成基板の誘電率が上昇してしまうので
好ましくない。アルミナのより好ましい含有量は、１０
〜２０体積％である。またアルミナの平均粒径は、一般
には０．５〜１０μｍ、好ましくは１〜５μｍの範囲で
ある。
アルミナが存在する。アルミナ含有量が１０体積％未満
では硼珪酸ガラスが結晶化しやすくなる。また、３０体
積％を超えると焼成基板の誘電率が上昇してしまうので
好ましくない。アルミナのより好ましい含有量は、１０
〜２０体積％である。またアルミナの平均粒径は、一般
には０．５〜１０μｍ、好ましくは１〜５μｍの範囲で
ある。
【００１６】本発明の方法において使用される第二のセ
ラミック粉末材料組成物は、中空シリカを含有しないこ
とを除いて、無機成分として第一のセラミック粉末材料
組成物と同様の成分を含んでなり、すなわち２０〜６０
体積％の硼珪酸ガラス、０体積％より多く６５体積％以
下の石英ガラス、そして１０〜３０体積％のアルミナを
含有する。
ラミック粉末材料組成物は、中空シリカを含有しないこ
とを除いて、無機成分として第一のセラミック粉末材料
組成物と同様の成分を含んでなり、すなわち２０〜６０
体積％の硼珪酸ガラス、０体積％より多く６５体積％以
下の石英ガラス、そして１０〜３０体積％のアルミナを
含有する。
【００１７】第二のセラミック材料組成物中の石英ガラ
ス含有量は、第一のセラミック材料組成物のそれと同様
に、０体積％より多く６５体積％以下の量に限定され、
２０〜５０体積％の範囲内にあるのがより好ましい。ま
たその平均粒径も、同様に一般には０．５〜１０μｍ、
好ましくは１〜５μｍの範囲である。
ス含有量は、第一のセラミック材料組成物のそれと同様
に、０体積％より多く６５体積％以下の量に限定され、
２０〜５０体積％の範囲内にあるのがより好ましい。ま
たその平均粒径も、同様に一般には０．５〜１０μｍ、
好ましくは１〜５μｍの範囲である。
【００１８】第二のセラミック材料組成物における硼珪
酸ガラス含有量も、第一のセラミック材料組成物の場合
と同様に、２０〜６０体積％の範囲であり、そのより好
ましい含有量は３０〜４５体積％である。その平均粒径
も、同じように一般には０．５〜１０μｍであり、好ま
しくは１〜５μｍである。
酸ガラス含有量も、第一のセラミック材料組成物の場合
と同様に、２０〜６０体積％の範囲であり、そのより好
ましい含有量は３０〜４５体積％である。その平均粒径
も、同じように一般には０．５〜１０μｍであり、好ま
しくは１〜５μｍである。
【００１９】第二の組成物に存在するアルミナの含有量
も、やはり１０〜３０体積％の範囲内である。その平均
粒径は、一般には０．５〜１０μｍの範囲内、好ましく
は１〜５μｍの範囲内である。
も、やはり１０〜３０体積％の範囲内である。その平均
粒径は、一般には０．５〜１０μｍの範囲内、好ましく
は１〜５μｍの範囲内である。
【００２０】第一及び第二のセラミック材料のグリーン
シートは、一般には、前者の複数層のグリーンシートを
後者の何層かのグリーンシートで挟んで積層され、そし
てこの積層体を一体焼成して多層セラミック基板にされ
る。
シートは、一般には、前者の複数層のグリーンシートを
後者の何層かのグリーンシートで挟んで積層され、そし
てこの積層体を一体焼成して多層セラミック基板にされ
る。
【００２１】
【作用】本発明においては、中空シリカを含有してなる
低誘電率の第一のセラミック材料組成物と中空シリカを
含有しない第二のセラミック材料組成物とを、これらの
材料組成物から作製したグリーンシートの焼成時の収縮
率の差が１％以内となるようにおのおのの組成を調節し
て使用することが、層間剥離や割れなどの破壊を引き起
こすことなしにそれらのグリーンシートから、誘電率が
低く且つ表面の平滑化の可能な多層セラミック基板を製
造することを可能にする。
低誘電率の第一のセラミック材料組成物と中空シリカを
含有しない第二のセラミック材料組成物とを、これらの
材料組成物から作製したグリーンシートの焼成時の収縮
率の差が１％以内となるようにおのおのの組成を調節し
て使用することが、層間剥離や割れなどの破壊を引き起
こすことなしにそれらのグリーンシートから、誘電率が
低く且つ表面の平滑化の可能な多層セラミック基板を製
造することを可能にする。
【００２２】
【実施例】次に、実施例により本発明を更に詳しく説明
する。
する。
【００２３】実施例１ この例は、中空シリカを含有しない組成物（組成物Ａ１
〜Ａ５）及びそれを含有する組成物（組成物Ｂ１〜Ｂ１
８）の調製と、それらから成形したグリーンシートの焼
成時の収縮率及び焼成体の誘電率を例示する。
〜Ａ５）及びそれを含有する組成物（組成物Ｂ１〜Ｂ１
８）の調製と、それらから成形したグリーンシートの焼
成時の収縮率及び焼成体の誘電率を例示する。
【００２４】無機成分のアルミナ粉末（平均粒径３μ
ｍ）、硼珪酸ガラス粉末（同３μｍ）、石英ガラス粉末
（同３μｍ）及び中空シリカ粉末（同１５μｍ）を表１
に示す体積比率で混合し、有機成分を添加し、そしてミ
キサーで混練してスラリー組成物を調製した。有機成分
としては、無機成分１００mlに対して、ポリビニルブチ
ラール（バインダ）１０ｇ、ジブチルフタレート（可塑
剤）１０ｇ及びエタノール（溶剤）３００ｇを加えた。
ｍ）、硼珪酸ガラス粉末（同３μｍ）、石英ガラス粉末
（同３μｍ）及び中空シリカ粉末（同１５μｍ）を表１
に示す体積比率で混合し、有機成分を添加し、そしてミ
キサーで混練してスラリー組成物を調製した。有機成分
としては、無機成分１００mlに対して、ポリビニルブチ
ラール（バインダ）１０ｇ、ジブチルフタレート（可塑
剤）１０ｇ及びエタノール（溶剤）３００ｇを加えた。
【００２５】調製した各組成物からドクターブレード法
により厚さ３００μｍのグリーンシートを成形した。こ
れらを１０００℃の大気中で焼成し、焼成時の収縮率を
測定した。また得られた焼成体の誘電率を測定した。結
果を表１に示す。
により厚さ３００μｍのグリーンシートを成形した。こ
れらを１０００℃の大気中で焼成し、焼成時の収縮率を
測定した。また得られた焼成体の誘電率を測定した。結
果を表１に示す。
【００２６】
【表１】
【００２７】実施例２ 実施例１で調製した各組成物から成形したグリーンシー
トを使用して、混成積層板を作製した。各積層板の層構
成は、中空シリカを含有している組成物Ｂ系のグリーン
シート１０枚を、中空シリカを含有していない組成物Ａ
系のグリーンシート５枚ずつで上下から挟み込んだもの
とした。これらを５０℃及び１０MPa の条件で加圧積層
した後、１０００℃の大気中で焼成し、得られた多層基
板の層間剥離及び割れの有無を観察した。
トを使用して、混成積層板を作製した。各積層板の層構
成は、中空シリカを含有している組成物Ｂ系のグリーン
シート１０枚を、中空シリカを含有していない組成物Ａ
系のグリーンシート５枚ずつで上下から挟み込んだもの
とした。これらを５０℃及び１０MPa の条件で加圧積層
した後、１０００℃の大気中で焼成し、得られた多層基
板の層間剥離及び割れの有無を観察した。
【００２８】結果を表２に示す。中空シリカを含有する
グリーンシート及び含有しないグリーンシートの焼成時
の収縮率の差を１％以内とすることによって、製造され
た多層セラミック基板の層間剥離や割れ等の破壊を首尾
よく防ぐことができることが分る。
グリーンシート及び含有しないグリーンシートの焼成時
の収縮率の差を１％以内とすることによって、製造され
た多層セラミック基板の層間剥離や割れ等の破壊を首尾
よく防ぐことができることが分る。
【００２９】
【表２】
【００３０】組成物Ａ３及びＢ７に対応するグリーンシ
ートを混成積層して得られた多層基板と、組成物Ａ２及
びＢ１０に対応するグリーンシートから同様に得られた
多層基板について、中空シリカを含む層の誘電率を、そ
の層上に形成した配線に供給した信号の伝送速度の測定
から求めた。得られた誘電率データは、前者の多層基板
にあっては４．７、後者にあっては４．２であった。
ートを混成積層して得られた多層基板と、組成物Ａ２及
びＢ１０に対応するグリーンシートから同様に得られた
多層基板について、中空シリカを含む層の誘電率を、そ
の層上に形成した配線に供給した信号の伝送速度の測定
から求めた。得られた誘電率データは、前者の多層基板
にあっては４．７、後者にあっては４．２であった。
【００３１】こうして製造された多層基板は、表面に近
い層に中空シリカが含まれていないので、都合よく研磨
を行って表面を平滑にし、その上にＣＶＤ法で薄膜をう
まくつけることができた。
い層に中空シリカが含まれていないので、都合よく研磨
を行って表面を平滑にし、その上にＣＶＤ法で薄膜をう
まくつけることができた。
【００３２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
誘電率が低く且つ表面を十分に平滑化することができる
多層セラミック基板を、層間剥離や割れなどの破壊を引
き起こすことなく製造することが可能になる。
誘電率が低く且つ表面を十分に平滑化することができる
多層セラミック基板を、層間剥離や割れなどの破壊を引
き起こすことなく製造することが可能になる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 横内 貴志男 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 中空シリカを含有してなる低誘電率の第
一のセラミック粉末材料のグリーンシートと、中空シリ
カを含有しない第二のセラミック粉末材料のグリーンシ
ートとを混成積層し、次いでこの積層体を一体焼成して
低誘電率の多層セラミック基板を製造する方法であっ
て、第一のセラミック材料として、無機成分の体積比率
で、１０〜５０％の中空シリカ、２０〜５０％の硼珪酸
ガラス、０％より多く５５％以下の石英ガラス及び１０
〜３０％のアルミナを含んでなる組成物を、そして第二
のセラミック材料として、無機成分の体積比率で、２０
〜６０％の硼珪酸ガラス、０％より多く６５％以下の石
英ガラス及び１０〜３０％のアルミナを含んでなる組成
物を、これらのセラミック材料のグリーンシートの焼成
時の収縮率の差が１％以内となるように、おのおのの組
成を調節して使用することを特徴とする多層セラミック
基板の製造方法。 - 【請求項２】 前記第一のセラミック材料として、無機
成分の体積比率で、１０〜３０％の中空シリカ、３０〜
４５％の硼珪酸ガラス、１０〜４０％の石英ガラス及び
１０〜２０％のアルミナを含有する組成物を使用する、
請求項１記載の方法。 - 【請求項３】 前記第二のセラミック材料として、無機
成分の体積比率で、３０〜４５％の硼珪酸ガラス、２０
〜５０％の石英ガラス及び１０〜３０％のアルミナを含
有する組成物を使用する、請求項１又は２記載の方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4041098A JP2610375B2 (ja) | 1992-02-27 | 1992-02-27 | 多層セラミック基板の製造方法 |
| US08/021,575 US5324370A (en) | 1992-02-27 | 1993-02-24 | Method of manufacturing a multi-layered ceramic circuit board containing layers of reduced dielectric constant |
| US08/216,978 US5534331A (en) | 1992-02-27 | 1994-03-24 | Method of manufacturing a multi-layered ceramic circuit board containing layers of reduced dielectric constant |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4041098A JP2610375B2 (ja) | 1992-02-27 | 1992-02-27 | 多層セラミック基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05243423A JPH05243423A (ja) | 1993-09-21 |
| JP2610375B2 true JP2610375B2 (ja) | 1997-05-14 |
Family
ID=12599008
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4041098A Expired - Fee Related JP2610375B2 (ja) | 1992-02-27 | 1992-02-27 | 多層セラミック基板の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5324370A (ja) |
| JP (1) | JP2610375B2 (ja) |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0645759A (ja) * | 1992-07-22 | 1994-02-18 | Fujitsu Ltd | 多層セラミック回路基板の製造方法 |
| US6146743A (en) | 1997-02-21 | 2000-11-14 | Medtronic, Inc. | Barrier metallization in ceramic substrate for implantable medical devices |
| US5855995A (en) * | 1997-02-21 | 1999-01-05 | Medtronic, Inc. | Ceramic substrate for implantable medical devices |
| US5965218A (en) * | 1997-03-18 | 1999-10-12 | Vlsi Technology, Inc. | Process for manufacturing ultra-sharp atomic force microscope (AFM) and scanning tunneling microscope (STM) tips |
| JP3610191B2 (ja) * | 1997-06-03 | 2005-01-12 | Ｔｄｋ株式会社 | 非磁性セラミックおよびセラミック積層部品 |
| US6690165B1 (en) | 1999-04-28 | 2004-02-10 | Hironori Takahashi | Magnetic-field sensing coil embedded in ceramic for measuring ambient magnetic field |
| US6440560B1 (en) * | 1999-07-26 | 2002-08-27 | International Business Machines Corporation | Nanoparticles formed with rigid connector compounds |
| JP3882500B2 (ja) * | 2000-03-02 | 2007-02-14 | 株式会社村田製作所 | 厚膜絶縁組成物およびそれを用いたセラミック電子部品、ならびに電子装置 |
| JP2002368422A (ja) * | 2001-04-04 | 2002-12-20 | Murata Mfg Co Ltd | 多層セラミック基板及びその製造方法 |
| DE10145363A1 (de) * | 2001-09-14 | 2003-04-10 | Epcos Ag | Verfahren zur Herstellung eines keramischen Substrats und keramisches Substrat |
| JP3716783B2 (ja) * | 2001-11-22 | 2005-11-16 | 株式会社村田製作所 | セラミック多層基板の製造方法及び半導体装置 |
| DE10351196B4 (de) * | 2003-10-28 | 2016-08-04 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verwendung einer anodisch mit Silizium bondbaren Glas-Keramik (LTCC) |
| JP2007180105A (ja) * | 2005-12-27 | 2007-07-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 回路基板、回路基板を用いた回路装置、及び回路基板の製造方法 |
| DE102012220586A1 (de) * | 2012-11-12 | 2014-05-15 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Element zur Stabilisierung eines optoelektronischen Bauelements, Verfahren zur Herstellung eines Elements und optoelektronisches Bauelement |
| WO2023157739A1 (ja) * | 2022-02-16 | 2023-08-24 | Ａｇｃ株式会社 | シリカガラス基板 |
Family Cites Families (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59111345A (ja) * | 1982-12-17 | 1984-06-27 | Fujitsu Ltd | 低誘電率回路基板 |
| JPS60136294A (ja) * | 1983-12-23 | 1985-07-19 | 株式会社日立製作所 | セラミック多層配線回路板 |
| JPS60254697A (ja) * | 1984-05-31 | 1985-12-16 | 富士通株式会社 | 多層セラミック回路基板および製法 |
| JPS6183674A (ja) * | 1984-10-01 | 1986-04-28 | 株式会社日立製作所 | セラミツク配線基板及びその製造方法 |
| US4781968A (en) * | 1986-02-28 | 1988-11-01 | Digital Equipment Corporation | Micro-electronics devices and methods of manufacturing same |
| US4865875A (en) * | 1986-02-28 | 1989-09-12 | Digital Equipment Corporation | Micro-electronics devices and methods of manufacturing same |
| JPS62206861A (ja) * | 1986-03-07 | 1987-09-11 | Hitachi Ltd | セラミツクス多層回路板及び半導体実装構造 |
| JPS62287658A (ja) * | 1986-06-06 | 1987-12-14 | Hitachi Ltd | セラミックス多層回路板 |
| US4867935A (en) * | 1988-02-26 | 1989-09-19 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Method for preparing ceramic tape compositions |
| JP2644845B2 (ja) * | 1988-09-21 | 1997-08-25 | 株式会社日立製作所 | セラミツク多層回路基板及びその用途 |
| JPH0315160A (ja) * | 1989-03-28 | 1991-01-23 | Fuji Electric Co Ltd | 燃料電池の冷却器 |
| US4994302A (en) * | 1989-06-27 | 1991-02-19 | Digital Equipment Corporation | Method of manufacturing thick-film devices |
| JPH03151690A (ja) * | 1989-11-08 | 1991-06-27 | Fujitsu Ltd | 多層セラミック回路基板 |
| US5213878A (en) * | 1990-03-23 | 1993-05-25 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Ceramic composite for electronic applications |
| JPH04119972A (ja) * | 1990-09-07 | 1992-04-21 | Fujitsu Ltd | 多層セラミック基板の製造方法 |
| JP3021586B2 (ja) * | 1990-09-17 | 2000-03-15 | 富士通株式会社 | 低誘電率セラミック基板とグリーンシートの製造方法 |
| JP2906282B2 (ja) * | 1990-09-20 | 1999-06-14 | 富士通株式会社 | ガラスセラミック・グリーンシートと多層基板、及び、その製造方法 |
| JPH04217392A (ja) * | 1990-12-19 | 1992-08-07 | Fujitsu Ltd | 低誘電率セラミック多層基板の製造方法 |
| JP2553250B2 (ja) * | 1991-03-19 | 1996-11-13 | 富士通株式会社 | 低誘電率セラミックス回路基板の製造方法 |
-
1992
- 1992-02-27 JP JP4041098A patent/JP2610375B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1993
- 1993-02-24 US US08/021,575 patent/US5324370A/en not_active Expired - Lifetime
-
1994
- 1994-03-24 US US08/216,978 patent/US5534331A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05243423A (ja) | 1993-09-21 |
| US5324370A (en) | 1994-06-28 |
| US5534331A (en) | 1996-07-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2610375B2 (ja) | 多層セラミック基板の製造方法 | |
| JP2906282B2 (ja) | ガラスセラミック・グリーンシートと多層基板、及び、その製造方法 | |
| EP1658969A2 (en) | Process for the constrained sintering of a pseudo-symmetrically configured low temperature cofired ceramic structure | |
| JPH11353939A (ja) | 導電性ペーストおよびセラミック多層基板 | |
| US20060162844A1 (en) | Multi-component LTCC substrate with a core of high dielectric constant ceramic material and processes for the development thereof | |
| EP1658968B1 (en) | Process for the constrained sintering of a pseudo-symmetrically configured low temperature cofired ceramic structure | |
| EP1658967A2 (en) | Process for the constrained sintering of a pseudo-symmetrically configured low temperature cofired ceramic structure | |
| KR950000693B1 (ko) | 다층 유리 세라믹 기판의 제조방법 | |
| KR19980701653A (ko) | 지지 기판상의 다층 세라믹 회로판용 전도성 바이아 충전 잉크 | |
| EP1686100A1 (en) | Multi-component ltcc substrate with a core of high dielectric constant ceramic material and processes for the development thereof | |
| US7332231B2 (en) | Ceramic substrate for thin film electronic component, production method for the same and thin film electronic component using the same | |
| JPH0629664A (ja) | 多層セラミックス配線基板 | |
| WO2007004414A1 (ja) | 多層セラミック基板およびその製造方法ならびに多層セラミック基板作製用複合グリーンシート | |
| TW200932081A (en) | Multilayer ceramic substrate, method for manufacturing multilayer ceramic substrate and method for suppressing warpage of multilayer ceramic substrate | |
| JPH06143239A (ja) | セラミックス基板の製造方法 | |
| JP2553250B2 (ja) | 低誘電率セラミックス回路基板の製造方法 | |
| GB2354484A (en) | Composite laminate comprising glass and ceramic | |
| JP3121769B2 (ja) | 窒化ケイ素多層基板およびその製造方法 | |
| JP2578273B2 (ja) | 多層電極基板の製造方法 | |
| JP2003273515A (ja) | セラミックの低温焼結の間の収縮を低減するための方法および抑制層 | |
| JPH0992977A (ja) | コンデンサ内蔵ガラスセラミック基板 | |
| KR100888770B1 (ko) | 이종접합 세라믹스의 제조방법 | |
| JP2986452B2 (ja) | Ｍｌｃ工程に用いる薄膜のグリーンシート | |
| JPH0746540B2 (ja) | ガラスセラミック基板の製造方法 | |
| JPH0818232A (ja) | ガラスセラミック基板 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19961217 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080213 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090213 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090213 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100213 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110213 Year of fee payment: 14 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |