JPS63254032A - セラミツク配線基板用材料およびその製造法 - Google Patents
セラミツク配線基板用材料およびその製造法Info
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- JPS63254032A JPS63254032A JP62088490A JP8849087A JPS63254032A JP S63254032 A JPS63254032 A JP S63254032A JP 62088490 A JP62088490 A JP 62088490A JP 8849087 A JP8849087 A JP 8849087A JP S63254032 A JPS63254032 A JP S63254032A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、プリント配線板などの電子部品の材料とし
て使用することのできるセラミック配線基板用材料およ
びその製造法。
て使用することのできるセラミック配線基板用材料およ
びその製造法。
セラミックは、優れた熱的性質、および電気的性質など
有するために、セラミック基材を利用した配線基板の開
発が従来より進められている。セラミック基材を用いて
、例えば、プリント配線板(回路基板)を製造する方法
には、窒化ホウ素などのセラミック基材側、または回路
形成された導体パターン側に常温硬化型接着剤や熱硬化
型接着剤などの接着剤を塗工し、セラミック基材と導体
パターンとを所定の位置で位置合せして熱圧着などによ
り接合する方法、ポリイミドプラスチックシートに銅箔
を接着剤で張合わせた銅張りポリイミド積層板にフォト
エツチングし導体パターンを形成したものをセラミック
基材側またはポリイミド側に接着剤を塗工し張合わせる
方法、また、セラミック基材にパターンに対応する凹部
を設け、その凹部に所定のパターン形状に調整した銅箔
を挿入し、ダイレクトボンド結合させる方法があり、さ
らに、Ag/Pd、Ag/P tSAu、P t。
有するために、セラミック基材を利用した配線基板の開
発が従来より進められている。セラミック基材を用いて
、例えば、プリント配線板(回路基板)を製造する方法
には、窒化ホウ素などのセラミック基材側、または回路
形成された導体パターン側に常温硬化型接着剤や熱硬化
型接着剤などの接着剤を塗工し、セラミック基材と導体
パターンとを所定の位置で位置合せして熱圧着などによ
り接合する方法、ポリイミドプラスチックシートに銅箔
を接着剤で張合わせた銅張りポリイミド積層板にフォト
エツチングし導体パターンを形成したものをセラミック
基材側またはポリイミド側に接着剤を塗工し張合わせる
方法、また、セラミック基材にパターンに対応する凹部
を設け、その凹部に所定のパターン形状に調整した銅箔
を挿入し、ダイレクトボンド結合させる方法があり、さ
らに、Ag/Pd、Ag/P tSAu、P t。
Cuなどの金属微粉末とガラスフリット、ビヒクルとの
混合ペーストを用いてセラミック基材上に □スクリ
ーン印刷して焼成する方法がある。この他に、焼結した
セラミック基材の表面にメタライジング法により金属層
を形成してセラミック配線基板用材料を調製し、次いで
通常のエツチングにより導体パターンを形成して製造す
る方法などがある。
混合ペーストを用いてセラミック基材上に □スクリ
ーン印刷して焼成する方法がある。この他に、焼結した
セラミック基材の表面にメタライジング法により金属層
を形成してセラミック配線基板用材料を調製し、次いで
通常のエツチングにより導体パターンを形成して製造す
る方法などがある。
〔発明が解決しようとする問題点〕
セラミック基材と銅箔とを接着剤を用いて貼着してセラ
ミック配線基板用材料を調製し、通常のエツチングによ
り回路基板を製造する方法が考えられる。この方法によ
り、微細な回路パターンを有するセラミック配線基板を
簡便に製造することができ、従来の様な回路間の位置合
せなどの複雑な工程を要しないといった利点を有すると
共にポリイミド積層板などの高価な材料を使わないので
廉価になるという利点も有する。しかしながら、セラミ
ック基材と銅箔とを良好に接着する無機系および有機系
の接着剤が開発されておらず、従来、この方法は使用さ
れていなかった。
ミック配線基板用材料を調製し、通常のエツチングによ
り回路基板を製造する方法が考えられる。この方法によ
り、微細な回路パターンを有するセラミック配線基板を
簡便に製造することができ、従来の様な回路間の位置合
せなどの複雑な工程を要しないといった利点を有すると
共にポリイミド積層板などの高価な材料を使わないので
廉価になるという利点も有する。しかしながら、セラミ
ック基材と銅箔とを良好に接着する無機系および有機系
の接着剤が開発されておらず、従来、この方法は使用さ
れていなかった。
この発明は上述の背景に基づきなされたものであり、そ
の目的とするところは、セラミック基材に銅箔が良好に
接着し、高密度・微細パターン形成が可能なセラミック
配線基板用材料を提供すると共に、そのセラミック配線
基板用材料を量産可能に製造することができる方法を提
供することである。
の目的とするところは、セラミック基材に銅箔が良好に
接着し、高密度・微細パターン形成が可能なセラミック
配線基板用材料を提供すると共に、そのセラミック配線
基板用材料を量産可能に製造することができる方法を提
供することである。
本発明者はセラミック配線基板用材料およびその製造法
について種々の検討を加えた結果、セラミック基材面に
、無機充填剤粉末を含有する接合層を設ければ、発明の
目的達成に有効であることを見出し、この発明を完成す
るに至った。
について種々の検討を加えた結果、セラミック基材面に
、無機充填剤粉末を含有する接合層を設ければ、発明の
目的達成に有効であることを見出し、この発明を完成す
るに至った。
すなわち、この発明のセラミック配線基板用材料は、窒
化ホウ素焼結体などからなるセラミック基材上に、接合
層を介して銅箔が積層されたものであり、この接合層の
少なくともセラミック基材側に無機充填剤粉末を含有す
ることを要旨とするものである。
化ホウ素焼結体などからなるセラミック基材上に、接合
層を介して銅箔が積層されたものであり、この接合層の
少なくともセラミック基材側に無機充填剤粉末を含有す
ることを要旨とするものである。
この発明の好ましい態様において、無機充填剤粉末を、
窒化ホウ素粉、三酸化アンチモン粉、ベリリア粉、アル
ミナ粉、ガラス粉、カーボンブラック、グラフアイ、ト
、シリカ粉、ケイソウ上、ジルコニア粉、酸化チタン粉
、ゼオライト粉、炭酸カルシウム粉、炭酸マグネシウム
粉、タルク粉、硫酸バリウム粉、マイカ粉、セッコウ粉
から選ばれる少なくとも1種の粉末とすることができる
。
窒化ホウ素粉、三酸化アンチモン粉、ベリリア粉、アル
ミナ粉、ガラス粉、カーボンブラック、グラフアイ、ト
、シリカ粉、ケイソウ上、ジルコニア粉、酸化チタン粉
、ゼオライト粉、炭酸カルシウム粉、炭酸マグネシウム
粉、タルク粉、硫酸バリウム粉、マイカ粉、セッコウ粉
から選ばれる少なくとも1種の粉末とすることができる
。
この発明によるセラミック配線基板用材料の製造法は、
焼結セラミック基材の少なくとも被接着面に、無機充填
剤粉末を含有するコーティング材でプライマー処理する
工程、および該プライマー処理面に接着剤層を介して銅
箔を接合する工程を含むことを特徴とするものである。
焼結セラミック基材の少なくとも被接着面に、無機充填
剤粉末を含有するコーティング材でプライマー処理する
工程、および該プライマー処理面に接着剤層を介して銅
箔を接合する工程を含むことを特徴とするものである。
この発明の態様として、接着剤層を介してプライマー処
理面に銅箔を接合する工程を、銅箔上へ接着剤を塗工し
、プライマー処理面に接着剤面を合せて行うことができ
、また、圧着フィルムを挟んで銅箔とプライマー処理面
とを接合して行うこともできる。
理面に銅箔を接合する工程を、銅箔上へ接着剤を塗工し
、プライマー処理面に接着剤面を合せて行うことができ
、また、圧着フィルムを挟んで銅箔とプライマー処理面
とを接合して行うこともできる。
以下、この発明をより詳細に説明する。
この発明によるセラミック配線基板用材料の製造法の一
例に於いて、まず、焼結セラミック基材の少なくとも被
接着面に、無機充填剤粉末を含有するコーティング材で
プライマー処理する。
例に於いて、まず、焼結セラミック基材の少なくとも被
接着面に、無機充填剤粉末を含有するコーティング材で
プライマー処理する。
この発明に用いるセラミック基材の材質としては、アル
ミナ、ベリリア、マグネシア、ジルコニア、イツトリア
、ドリア、ステアタイト、フォルステライト、ジルコン
、コーチイエライト、ムライト、チタニアなどの酸化物
セラミック、炭化ケイ素、炭化ホウ素などの炭化物セラ
ミック、窒化ホウ素、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、
窒化チタンなどの窒化物、ニケイ化モリブデンなどのケ
イ化物、ホウ化チタンなどのホウ化物などがあり、より
好ましいセラミックは、六方晶系窒化ホウ素などである
。このセラミック基材は、所定の方法で成形され、焼結
されたものである。セラミック基材の形状、寸法などは
、目的に応じて適宜変更することが好ましい。
ミナ、ベリリア、マグネシア、ジルコニア、イツトリア
、ドリア、ステアタイト、フォルステライト、ジルコン
、コーチイエライト、ムライト、チタニアなどの酸化物
セラミック、炭化ケイ素、炭化ホウ素などの炭化物セラ
ミック、窒化ホウ素、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、
窒化チタンなどの窒化物、ニケイ化モリブデンなどのケ
イ化物、ホウ化チタンなどのホウ化物などがあり、より
好ましいセラミックは、六方晶系窒化ホウ素などである
。このセラミック基材は、所定の方法で成形され、焼結
されたものである。セラミック基材の形状、寸法などは
、目的に応じて適宜変更することが好ましい。
この発明におけるプライマー処理は、セラミック基材の
少なくとも被接着面に、コーティング材で行う。プライ
マー層を形成することになるコーティング材は、セラミ
ック基材の表面の接着性を改善するものであ、す、その
ようなコーティング材として、例え、ば、熱硬化性樹脂
と無機充填剤とからなるものがある。この無機充填剤の
例として、窒化ホウ素粉、三酸化アンチモン粉、ベリリ
ア粉、アルミナ粉、ガラス粉、カーボンブラック、グラ
ファイト、シリカ粉、ケイソウ上、ジルコニア粉、酸化
チタン粉、ゼオライト粉、炭酸カルシウム粉、炭酸マグ
ネシウム粉、タルク粉、硫酸バリウム粉、マイカ粉、セ
ッコウ粉から選ばれる少なくとも1種の粉末などがあり
、この中で好ましい充填剤として、六方晶系窒化ホウ素
粉、三酸化アンチモン粉、ベリリア粉、アルミナ粉、シ
リカ粉末がある。
少なくとも被接着面に、コーティング材で行う。プライ
マー層を形成することになるコーティング材は、セラミ
ック基材の表面の接着性を改善するものであ、す、その
ようなコーティング材として、例え、ば、熱硬化性樹脂
と無機充填剤とからなるものがある。この無機充填剤の
例として、窒化ホウ素粉、三酸化アンチモン粉、ベリリ
ア粉、アルミナ粉、ガラス粉、カーボンブラック、グラ
ファイト、シリカ粉、ケイソウ上、ジルコニア粉、酸化
チタン粉、ゼオライト粉、炭酸カルシウム粉、炭酸マグ
ネシウム粉、タルク粉、硫酸バリウム粉、マイカ粉、セ
ッコウ粉から選ばれる少なくとも1種の粉末などがあり
、この中で好ましい充填剤として、六方晶系窒化ホウ素
粉、三酸化アンチモン粉、ベリリア粉、アルミナ粉、シ
リカ粉末がある。
無機充填剤の選択は、この発明において任意ではあるが
、セラミック基材と同種の材質となるように行うことが
望ましい。この発明に用いられる無機充填剤は、例えば
、100〜0.05μm1好ましくは、30〜0. 3
μm1より好ましくは、3〜0.3μmの平均粒径を有
するものであり、セラミック基材の種類に応じて粒径を
変えることが望ましい。これは、セラミック基材のポー
ラスな表面を有効にメジ化めするためである。
、セラミック基材と同種の材質となるように行うことが
望ましい。この発明に用いられる無機充填剤は、例えば
、100〜0.05μm1好ましくは、30〜0. 3
μm1より好ましくは、3〜0.3μmの平均粒径を有
するものであり、セラミック基材の種類に応じて粒径を
変えることが望ましい。これは、セラミック基材のポー
ラスな表面を有効にメジ化めするためである。
コーティング材によるプライマー処理は、種々の方法で
行うことができ、例えば、セラミック基材をコーティン
グ材の浴に浸漬して塗工する方法、セラミック基材にコ
ーティング材を噴霧する方法、セラミック基材にコーテ
ィング材を塗布する方法などがある。この処理に際し、
セラミック基材の全面にコーティング材を塗工する必要
は必ずしもなく、少なくとも被接着面にコーティング材
が塗工される。コーティング材の塗工によって形成され
るプライマ一層の厚さは、所望の性能に応じて適宜変更
でき、例えば、5〜10μmである。コーティング材の
塗工後、必要に応じて塗工層を乾燥してプライマ一層を
形成する。
行うことができ、例えば、セラミック基材をコーティン
グ材の浴に浸漬して塗工する方法、セラミック基材にコ
ーティング材を噴霧する方法、セラミック基材にコーテ
ィング材を塗布する方法などがある。この処理に際し、
セラミック基材の全面にコーティング材を塗工する必要
は必ずしもなく、少なくとも被接着面にコーティング材
が塗工される。コーティング材の塗工によって形成され
るプライマ一層の厚さは、所望の性能に応じて適宜変更
でき、例えば、5〜10μmである。コーティング材の
塗工後、必要に応じて塗工層を乾燥してプライマ一層を
形成する。
この発明の製造方法の次の工程において、プライマー処
理面に接着剤層を介して銅箔を接合する。
理面に接着剤層を介して銅箔を接合する。
この接合方法として、種々の方法があり、例えば、鋼箔
面に熱硬化性接着剤を塗布し、接着剤塗布面とプライマ
ー処理面とを合せて熱圧着する方法、逆にプライマー処
理面に熱硬化性接着剤を塗布し、接着剤塗布面と瘍箔面
とを合せて熱圧着する方法、プライマー処理面と銅箔と
で熱硬化性接着性フィルムで挟んで熱圧着する方法など
がある。この接合工程で用いられる接着剤としては、エ
ポキシ樹脂系接着剤、不飽和ポリエステル樹脂系接着剤
、フェノール樹脂系接着剤、ウレタン樹脂系接着剤、ア
ミノ樹脂系接着剤などの熱硬化性接着剤、シアノアクリ
レート系接着剤などの瞬間接着剤、ゴム系接着剤などが
あり、セラミック基材やプライマーの種類などに応じて
適宜選択することができる。
面に熱硬化性接着剤を塗布し、接着剤塗布面とプライマ
ー処理面とを合せて熱圧着する方法、逆にプライマー処
理面に熱硬化性接着剤を塗布し、接着剤塗布面と瘍箔面
とを合せて熱圧着する方法、プライマー処理面と銅箔と
で熱硬化性接着性フィルムで挟んで熱圧着する方法など
がある。この接合工程で用いられる接着剤としては、エ
ポキシ樹脂系接着剤、不飽和ポリエステル樹脂系接着剤
、フェノール樹脂系接着剤、ウレタン樹脂系接着剤、ア
ミノ樹脂系接着剤などの熱硬化性接着剤、シアノアクリ
レート系接着剤などの瞬間接着剤、ゴム系接着剤などが
あり、セラミック基材やプライマーの種類などに応じて
適宜選択することができる。
この接着剤中に前記の無機充填剤粉末を添加することが
できる。この発明において、好ましい接着剤は、プライ
マ一層もしくはセラミック基材、銅箔との良好な接着性
を有するものである。
できる。この発明において、好ましい接着剤は、プライ
マ一層もしくはセラミック基材、銅箔との良好な接着性
を有するものである。
この発明において用いられる銅箔は、銅またはその合金
、若しくは複合材からなり、その厚さは、用途に応じて
適宜選択することができ、銅板でもよい。
、若しくは複合材からなり、その厚さは、用途に応じて
適宜選択することができ、銅板でもよい。
次いで、図面を参照してこの発明の製造法の一態様を説
明する。
明する。
先ず、セラミック基材1を準備しく第1図A)、そのセ
ラミツク基材1全面にコーティング材を塗工してプライ
マ一層2を形成する(第1図B)。
ラミツク基材1全面にコーティング材を塗工してプライ
マ一層2を形成する(第1図B)。
次いで、銅箔4に接着剤を塗工して接着剤層3を形成し
、乾燥する(第1図C)。接着剤層が形成された銅箔4
を、プライマ一層2が形成されたセラミック基材1と位
置合せして後、ホットプレス等により所定の条件で接合
する(第1図D)。この態様で得られたセラミック配線
基板用材料5は、第1図りに示す様に、セラミック基材
1上に、プライマ一層2、接着剤層3、および銅箔4が
順次積層されたものである。
、乾燥する(第1図C)。接着剤層が形成された銅箔4
を、プライマ一層2が形成されたセラミック基材1と位
置合せして後、ホットプレス等により所定の条件で接合
する(第1図D)。この態様で得られたセラミック配線
基板用材料5は、第1図りに示す様に、セラミック基材
1上に、プライマ一層2、接着剤層3、および銅箔4が
順次積層されたものである。
この発明のセラミック配線基板用材料およびその製造法
は、上述の例に限定されず、この発明の要旨の範囲内で
種々の変形が可能であり、例えば、第2図に示すように
、セラミック基材1の被接着面にのみプライマ一層2を
設け、熱圧着フィルム6を銅箔4とプライマ一層2とで
挟み熱圧着してもよい(第2図A−C)。
は、上述の例に限定されず、この発明の要旨の範囲内で
種々の変形が可能であり、例えば、第2図に示すように
、セラミック基材1の被接着面にのみプライマ一層2を
設け、熱圧着フィルム6を銅箔4とプライマ一層2とで
挟み熱圧着してもよい(第2図A−C)。
また、無機充填剤粉末を含有する接着剤を銅箔に塗布し
、直接に、セラミック基材面に接合してもよい。
、直接に、セラミック基材面に接合してもよい。
この発明によるセラミック配線基板用材料は、種々の用
途に用いることができ、例えば、この銅箔表面の所定回
路部分にエツチングレジスト被膜を形成し、所定回路部
分以外をエツチング除去し、その後、エツチングレジス
ト被膜を剥離することにより、回路基板を製造すること
でき、同様に、様々な電子部品を製造することができる
。
途に用いることができ、例えば、この銅箔表面の所定回
路部分にエツチングレジスト被膜を形成し、所定回路部
分以外をエツチング除去し、その後、エツチングレジス
ト被膜を剥離することにより、回路基板を製造すること
でき、同様に、様々な電子部品を製造することができる
。
この発明は、上記のように構成されているので、次の作
用を示す。銅箔を単なる接着剤でセラミック基材に接合
しようとすると、ポーラスなセラミツク基材の表面には
多数の細孔があり、その細孔に接む剤が浸透して十分な
接着力を得ることができない。この発明において、接合
層の少なくともセラミック基材側に無機充填剤粉末が配
合されているので、その無機充填剤粉末がポーラスなセ
ラミック基材表面の多数の細孔を塞ぐ。この接合層が、
メジ止めの働き、および銅箔の接着剤の接着力強度を高
める働きをする。
用を示す。銅箔を単なる接着剤でセラミック基材に接合
しようとすると、ポーラスなセラミツク基材の表面には
多数の細孔があり、その細孔に接む剤が浸透して十分な
接着力を得ることができない。この発明において、接合
層の少なくともセラミック基材側に無機充填剤粉末が配
合されているので、その無機充填剤粉末がポーラスなセ
ラミック基材表面の多数の細孔を塞ぐ。この接合層が、
メジ止めの働き、および銅箔の接着剤の接着力強度を高
める働きをする。
上記の構成および作用を有するこの発明によって、以下
の効果を奏する。
の効果を奏する。
(a)この発明によるセラミック配線基板用材料を用い
て、通常のエツチングにより容易に微細かつ高密度の回
路基板を製造することができる。
て、通常のエツチングにより容易に微細かつ高密度の回
路基板を製造することができる。
(b)この発明の方法により、セラミック基材と銅箔と
を接着剤を用いて貼着する方法が工業的に実用化でき、
従来のような回路間の位置合せなどの複雑な工程を要し
ない。従って、セラミック配線基板用材料を量産可能に
製造することができる。
を接着剤を用いて貼着する方法が工業的に実用化でき、
従来のような回路間の位置合せなどの複雑な工程を要し
ない。従って、セラミック配線基板用材料を量産可能に
製造することができる。
(c)無機充填剤配合で接菅性が改良されているので、
薄い接着剤層でもセラミック基材を銅箔に強力に接合で
き、上記のように量産性が著しく向上することから、廉
価にセラミック配線基板用材料、更に回路基板を製造す
ることができる。
薄い接着剤層でもセラミック基材を銅箔に強力に接合で
き、上記のように量産性が著しく向上することから、廉
価にセラミック配線基板用材料、更に回路基板を製造す
ることができる。
以下、この発明を実施例により更に具体的に説明するが
、この発明はその要旨を越えない限り以下の実施例に限
定されるものでない。
、この発明はその要旨を越えない限り以下の実施例に限
定されるものでない。
実施例1
焼結した六方晶系窒化ホウ素材からなる厚さ21amの
セラミック基材を準備した。熱硬化性エポキシ系接着剤
(三井石油化学製、AlI359X3)に平均粒径1μ
mの六方晶系窒化ホウ素粉末を8重量%添加したコーテ
ィング材に、セラミック基材を浸漬塗工し、j20℃、
60分間乾燥させ、被着固化させて5μmのプライマ一
層を形成した。次いで、厚さ35μm電解銅箔に熱硬化
性エポキシ系接着剤(三井石油化学製、AH359X3
)を約30μmワイヤーバーで塗工したものを、セラミ
ック基材のプライマ一層面に銅箔の接着剤面を重ねホッ
トプレスで170℃、60分間20 K g / cd
の圧力で熱圧着した。
セラミック基材を準備した。熱硬化性エポキシ系接着剤
(三井石油化学製、AlI359X3)に平均粒径1μ
mの六方晶系窒化ホウ素粉末を8重量%添加したコーテ
ィング材に、セラミック基材を浸漬塗工し、j20℃、
60分間乾燥させ、被着固化させて5μmのプライマ一
層を形成した。次いで、厚さ35μm電解銅箔に熱硬化
性エポキシ系接着剤(三井石油化学製、AH359X3
)を約30μmワイヤーバーで塗工したものを、セラミ
ック基材のプライマ一層面に銅箔の接着剤面を重ねホッ
トプレスで170℃、60分間20 K g / cd
の圧力で熱圧着した。
得られたセラミック配線基板用材料の接着剤層は、20
μmでセラミック基材と銅箔のビール強度は、90″剥
離、1cIII銅幅で1.5Kg/cffIであり、半
田耐熱温度260℃、20秒間後のビール強度は1.5
Kg/c+nに維持されていた。
μmでセラミック基材と銅箔のビール強度は、90″剥
離、1cIII銅幅で1.5Kg/cffIであり、半
田耐熱温度260℃、20秒間後のビール強度は1.5
Kg/c+nに維持されていた。
次いで、この例によるセラミック配線基板用材料から、
回路基板を製造した。すなわち、銅箔面にポジ型液体レ
ジスト(東京応化製、PMER−PR30S)を厚さ5
μmで塗工し、90℃、25分乾燥ベークした。次いで
、所定の露光マスクを介して上記レジストの光露出を行
った後、上記液体レジスト用現像液で25℃、60秒現
像した。次に塩化第二銅液で35℃、90秒エツチング
した後、5%苛性ソーダ液でレジストを剥離し所定の回
路パターンを有する回路基板を得た。
回路基板を製造した。すなわち、銅箔面にポジ型液体レ
ジスト(東京応化製、PMER−PR30S)を厚さ5
μmで塗工し、90℃、25分乾燥ベークした。次いで
、所定の露光マスクを介して上記レジストの光露出を行
った後、上記液体レジスト用現像液で25℃、60秒現
像した。次に塩化第二銅液で35℃、90秒エツチング
した後、5%苛性ソーダ液でレジストを剥離し所定の回
路パターンを有する回路基板を得た。
実施例2
接着剤にも平均粒径1μmの六方晶系窒化ホウ素粉末を
8重量%添加したこと以外、実施例1と同様にセラミッ
ク配線基板用材料を調製し、セラミック基材と銅箔のビ
ール強度を測定した。そのビール強度は、90°剥離、
1cITl銅幅で2.0Kg/c+nであった。
8重量%添加したこと以外、実施例1と同様にセラミッ
ク配線基板用材料を調製し、セラミック基材と銅箔のビ
ール強度を測定した。そのビール強度は、90°剥離、
1cITl銅幅で2.0Kg/c+nであった。
実施例3〜10
表1に示す層構成のセラミック配線基板用材料を、実施
例1と同様に調製し、ビール強度を測定した。その結果
を表1に示す。
例1と同様に調製し、ビール強度を測定した。その結果
を表1に示す。
比較例1
プライマ一層に窒化ホウ素粉末を添加しなかったこと以
外、実施例1と同様にセラミック配線基板用材料を調製
し、セラミック基材と銅箔のビール強度を測定した。そ
の結果を表1に示す。
外、実施例1と同様にセラミック配線基板用材料を調製
し、セラミック基材と銅箔のビール強度を測定した。そ
の結果を表1に示す。
実施例11〜12
プライマ一層を塗布せず、接着剤層に無機充填剤粉末を
添加したこと以外、実施例1と同様にセラミック配線基
板用材料を調製し、ビール強度を測定した。その結果を
表1に示す。
添加したこと以外、実施例1と同様にセラミック配線基
板用材料を調製し、ビール強度を測定した。その結果を
表1に示す。
比較例2
接着剤層に無機充填剤粉末を添加しなかったこと以外、
実施例1と同様にセラミック配線基板用ヰ」料を調製し
、ビール強度を測定した。その結果を表1に示す。
実施例1と同様にセラミック配線基板用ヰ」料を調製し
、ビール強度を測定した。その結果を表1に示す。
表1
例No 層構成
ビール強度1. 5Kg/co+
ビール強度2. 0Kg/c+n
ビール強度1. 0Kg/c+n
ビール強度0. 8Kg/cm
ビール強度2. 0Kg/cIIl
ビール強度2. 0Kg/cm
ビール強度1. 0〜0. 8Kg/c+nビール強度
1. 0〜1. 3Kg/amビール強度1. 0〜1
. 1Kg/C+nピール強度0. 8〜1. 3Kg
/cmビール強度0. 5Kg/cffl ビール強度1. 、 5 Kg/ cm
1. 0〜1. 3Kg/amビール強度1. 0〜1
. 1Kg/C+nピール強度0. 8〜1. 3Kg
/cmビール強度0. 5Kg/cffl ビール強度1. 、 5 Kg/ cm
第1図A−Dは、この発明による製法の一態様の各工程
を説明する基板の断面図、第2図はこの発明による製造
法の別の態様各工程を示す断面図である。 1・・・セラミック基材、2・・・プライマ一層、3・
・・接着剤層、4・・・銅箔、5・・・セラミック配線
基板用材料。 出願人代理人 佐 藤 −雄 第2図
を説明する基板の断面図、第2図はこの発明による製造
法の別の態様各工程を示す断面図である。 1・・・セラミック基材、2・・・プライマ一層、3・
・・接着剤層、4・・・銅箔、5・・・セラミック配線
基板用材料。 出願人代理人 佐 藤 −雄 第2図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、セラミック基材上に、接合層を介して銅箔が積層さ
れ、該接合層の少なくとも該セラミック基材側に無機充
填剤を含有することを特徴とするセラミック配線基板用
材料。 2、接合層が、セラミック基材側のプライマー層と銅箔
側の接着剤層からなり、プライマー層に無機充填剤が配
合されている、特許請求の範囲第1項記載のセラミック
配線基板用材料。 3、接合層が、無機充填剤を含有する接着剤層からなる
、特許請求の範囲第1項記載のセラミック配線基板用材
料。 4、セラミック基材が窒化ホウ素焼結体からなる、特許
請求の範囲第第1項乃至第3項のいずれかに記載のセラ
ミック配線基板用材料。 5、無機充填剤が、窒化ホウ素粉、ベリリア粉、三酸化
アンチモン粉、アルミナ粉、ガラス粉、カーボンブラッ
ク、グラファイト、シリカ粉、ケイソウ土、ジルコニア
粉、酸化チタン粉、ゼオライト粉、炭酸カルシウム粉、
炭酸マグネシウム粉、タルク粉、硫酸バリウム粉、マイ
カ粉、セッコウ粉から選ばれる少なくとも1種の粉末で
ある、特許請求の範囲第1項乃至第4項のいずれかに記
載のセラミック配線基板用材料。 6、無機充填剤粉末の平均粒径が、0.05〜3μmで
ある、特許請求の範囲第1項乃至第5項のいずれかに記
載のセラミック配線基板用材料。 7、無機充填剤粉末の含有量が、3〜20重量%である
、特許請求の範囲第1項乃至第6項のいずれかに記載の
セラミック配線基板用材料。 8、焼結セラミック基材の少なくとも被接着面に、無機
充填剤を含有するコーティング材でプライマー処理する
工程、および該プライマー処理面に接着剤層を介して銅
箔を接合する工程を含むことを特徴とするセラミック配
線基板用材料の製造法。 9、セラミック基材が窒化ホウ素焼結体からなる、特許
請求の範囲第8項記載のセラミック配線基板用材料の製
造法。 10、コーティング材の無機充填剤が、窒化ホウ素粉、
ベリリア粉、三酸化アンチモン粉、アルミナ粉、ガラス
粉、カーボンブラック、グラファイト、シリカ粉、ケイ
ソウ土、ジルコニア粉、酸化チタン粉、ゼオライト粉、
炭酸カルシウム粉、炭酸マグネシウム粉、タルク粉、硫
酸バリウム粉、マイカ粉、セッコウ粉から選ばれる少な
くとも1種の粉末である、特許請求の範囲第8項乃至第
9項のいずれかに記載のセラミック配線基板用材料の製
造法。 11、コーティング材の無機充填剤粉末の平均粒径が、
0.05〜3μmである、特許請求の範囲第8項乃至第
10項のいずれかに記載のセラミック配線基板用材料の
製造法。 12、コーティング材の無機充填剤粉末の含有量が、3
〜20重量%である、特許請求の範囲第8項乃至第11
項のいずれかに記載のセラミック配線基板用材料の製造
法。 13、接着剤層を介してプライマー処理面に銅箔を接合
する工程を、銅箔上へ接着剤を塗工し、プライマー処理
面に接着剤面を合せて行う、特許請求の範囲第8項乃至
第12項のいずれかに記載のセラミック配線基板用材料
の製造法。 14、接着剤層を介してプライマー処理面に銅箔を接合
する工程を、圧着フィルムを挟んで銅箔とプライマー処
理面とを接合して行う、特許請求の範囲第8項乃至第1
2項のいずれかに記載のセラミック配線基板用材料の製
造法。 15、接着剤が熱硬化性樹脂からなる、特許請求の範囲
第8項乃至第14項のいずれかに記載のセラミック配線
基板用材料の製造法。 16、プライマー処理面に銅箔を接合する工程を、熱圧
着して行う、特許請求の範囲第15項記載のセラミック
配線基板用材料の製造法。
Priority Applications (2)
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---|---|---|---|
JP62088490A JPS63254032A (ja) | 1987-04-10 | 1987-04-10 | セラミツク配線基板用材料およびその製造法 |
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Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP62088490A JPS63254032A (ja) | 1987-04-10 | 1987-04-10 | セラミツク配線基板用材料およびその製造法 |
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JPS63254032A true JPS63254032A (ja) | 1988-10-20 |
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ID=13944247
Family Applications (1)
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---|---|---|---|---|
JP2013038094A (ja) * | 2011-08-03 | 2013-02-21 | Tokuyama Corp | 銅箔付き熱伝導性絶縁基板 |
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- 1987-04-10 JP JP62088490A patent/JPS63254032A/ja active Pending
-
1988
- 1988-03-04 US US07/164,339 patent/US4977012A/en not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
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US4977012A (en) | 1990-12-11 |
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