JPS63257258A - 低抵抗付回路基板およびその製造法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はオーディオアンプ、ＶＴＲ電源回路などに用い
られる低抵抗付回路基板およびその製造法に関する。

〔従来の技術とその問題点〕

従来、オーディオパワー回路ではトランジスタのエミッ
タ回路で０．２Ω前後の低抵抗で、かつ消費電力の大き
い抵抗が用いられている。また、ＶＴＲ電源回路におい
て電流検出抵抗としても０．３Ω前後の低抵抗体が用い
られている（文献：風見Ｆ！Ａ：アデイテイブ法による
ニッケル抵抗「電子材料」１９８２年５月号、７１−７
４頁）。

一般にこのような低抵抗を回路基徹上に印刷の手法によ
り形成させることは困難であり、外付は抵抗部品が使用
されていた。これに対し、近年アディティブ法によるニ
ッケル抵抗として低抵抗体を形成する試みがなされてい
る（前記文献参照）。

しかしながら、この方法はメッキによる方法であるので
量産性には優れているが、メッキ条件のわずかの変化に
より得られるニッケル抵抗体の厚さが変り、正確な抵抗
値を得ることが困難である。

この様なメッキによる方法に対して、回路形成に用いら
れる導体金属箔のエツチングによる抵抗体の形成が出来
れば回路形成時に抵抗が形成でき便利である。ところが
一般に回路に用いられる銅箔は導体として用いられるた
め、電気抵抗の小さいものとして通常厚さが３５μｍま
たは１８μｍの銅箔が用いられており、この銅箔厚で抵
抗を形成することは事実上器しい。

従って最も簡単にエツチングにより抵抗を形成するには
、一般に用いられている厚さ６５μｍまたは１８μｍの
銅箔をエツチングして回路パターンを形成し、その後、
抵抗としたい回路部位のみを再度エツチングして、銅箔
を薄くし、希望する厚みとすることにまり銅箔抵抗を形
成せざるを得ない。

しかしながら、この様な銅箔のエツチングで厚みを薄く
して抵抗を形成する方法では銅箔厚みのコントロールが
難しく、抵抗値にバラツキが大きく、実用化が困難であ
る。

この欠点を解決する方法として複合金属箔を用いる方法
が考え出された。

たとえば、銅箔にメッキ法によりスズ・ニッケル合金膜
を被着させて複合膜とし、つぎにこの複合膜をスズ・ニ
ッケル合金膜を内側にして絶縁板に張り付け、ついでエ
ツチングにより銅およびスズ・ニッケル合金の不要部分
を取除くことによってスズ・ニッケル合金膜からなる抵
抗付回路基板とする方法が知られている（°特公昭５５
−４２５１０号公報）。しかし、このようなスズ・ニッ
ケル合金膜は比較的電気抵抗が大きいので、１Ω未満の
ような低抵抗値を得るにはスズ・ニッケル合金膜抵抗の
幅を広くするか、または厚さを厚くしなければならない
。幅を広くする方法は回路基板のスペース確保上問題が
あり、厚さを厚くする方法はメッキに時間がかかり能土
的でない。さらに、このような銅箔と抵抗体との複合膜
から回路基板上に抵抗を形成する場合、抵抗以外の回路
部はすべて電気抵抗の小さい銅にせざるを得ない。しか
しながら、このような銅の回路を主体とする回路基板で
はトランジスタ・チップ、工Ｃチップなどの半導体チッ
プを搭載する場合にワイヤーボンディング部に金、銀な
ど高価な貴金属メッキが必要となる欠点があった。

この発明は上記のような欠点がなく、かつ抵抗値が正確
な低抵抗付回路基板を提供することを目的とする。

本発明者ら戸先にアルミニウム箔と銅箔とから成る複合
箔を用い、エツチングによりアルミニウムと銅の両方の
金属が露出した回路基板を作成し、この回路基板に半導
体チップを配置して、この半導体チップと該アルミニウ
ム回路をアルミニウム線で接続する混成集積回路の製法
を提案した（特開昭５８−４８４３２号公報）。本発明
はこの混成集積回路の製法を更に発展させて、低抵抗付
回路基板としたものである。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明者らはこのアルミニウム箔と銅箔のそれぞれの箔
の厚みが異なった種々の複合箔が容易に入手可能である
ことに着目し、種々検討の結果、本発明を完成させるに
到った。

すなわち、本発明の第１は絶縁体上に銅箔からなる抵抗
体を設け、該抵抗体の少なくとも一端にアルミニウム箔
片を積層させて端子とした低抵抗付回路基板である。

また、本発明の第２は絶縁体上にアルミニウム箔と銅箔
との複合箔をアルミニウム箔を表側にして張り付け、 ついで前記アルミニウム箔と銅箔とをエツチングするこ
とにより、前記抵抗体を形成させるとともに、その少な
くとも一端にアルミニウムの積層箔を残存させて端子と
することを特徴とする低抵抗付回路基板の製造法である
。

以下、本発明について詳しく説明する。本発明において
絶縁体とはベークライト、エポキシ樹脂、ポリイミダ樹
脂、ポリエステル樹脂などの合成樹脂に必要に応じて、
シリカ、アルミナなどの無機光てん剤（繊維または粉末
）を配合したものである。

アルミニウム箔と銅箔との複合箔におけるアルミニウム
箔の厚さは１０〜８０μｍの厚さが好ましい。銅の厚さ
は得られる抵抗体の抵抗値にもよるが一般には３〜１５
μｍが好ましい。このような複合箔はアルミニウム箔の
片面にメッキにより銅を被着させることにより得られる
。アルミニウムに銅を直接メッキすることが困難なとき
には、アルミニウムと銅との間に亜鉛等の第６の金属を
介在させてもよい。

銅の表面は絶縁体との接着性を向上させるため多少、粗
面にすることが好ましい。銅の厚さが比較的厚い場合に
はアルミニウムと銅を圧延により張り合わせたクラツド
箔を用いることもできる。

複合箔を絶縁体に張り付けるには、絶縁体、たとえばエ
ビキシ樹脂を含浸させたガラス繊維のプリン０レグ（半
硬化状態体のもの）上に複合箔を置き、加熱・加圧する
方法や、絶縁体がポリエステル、ポリイミドなどの樹脂
の様にブチラール樹脂などの耐熱性の接着剤を用いて接
着する方法がある。

アルミニウムと銅とのエツチングには３通りの方法が可
能である。第１の方法はまず、アルミニウムのみをエツ
チングさせるエツチング剤により、′アルミニウムの不
要部分を取除き、つぎに銅をエツチングさせるエツチン
グ剤により銅の不要部分を取除く方法である。第２の方
法はまず、アルミニウムと銅をエツチングさせるエツチ
ング剤により、アルミニウムと銅の両方とも不要な部分
を取除き、つぎにアルミニウムのみエツチングさせるエ
ツチング剤によりアルミニウムの不要部分を取除く方法
である。第６の方法はまず、アルミニウムのみをエツチ
ングするエツチング剤により、最終フルミニラムパター
ンと最終銅パターンに相当する部分以外のアルミニウム
を取除く。次に銅ノみをエツチングするエツチング剤で
エツチングし、最後に銅パターンに相当する部分のアル
ミニウムをアルミニウムのみをエツチングするエツチン
グ剤により取除く方法である。

上記６通りの方法のいずれを採用するかはパターンの配
置、形状および必要なパターンの精度によって決めれば
よい。

この様に本発明による低抵抗体は回路パターンを形成す
る際に同時に形成されるので余分な工程を必要としない
。また、本発明の回路基板上の抵抗体はその少なくとも
一端にアルミニウム箔片が積層されて厚くなっているた
め、その部分の電気抵抗は非常に小さくて無視すること
ができ、抵抗体の精度はその端末の影響を受けることが
なく高精度である。

さらに、本発明による低抵抗付回路基板においては必要
に応じてワイヤーボンディング用のアルミニウム回路を
形成することも出来、半導体チップを塔載する混成集積
回路用基板として有利である。

〔実施例〕

以下、本発明を実施例により具体的に説明する。

実施例１ 厚さ０．１ｍｍのエポキシ含浸がラス布入りシリプレグ
を１６枚重ねて静置し、更にこの上にアルミニウム（厚
さ４０μｍ）と銅（厚さ１０μｍ）から成る複合金属箔
をアルミ面を上にして配置した後、圧力６０　ｋｇ／ｃ
ＴＬ２、温度１７０°Ｃで６０分間、積層プレス成形し
、複合金属箔張がラスエポキシ基板を得た。

次にこの基板のアルミニウム箔の所望の部位にエツチン
グレジスト（アサヒ化研社製Ｍ　Ｒ−５０［１）をスク
リーン印刷法で印刷し、乾燥後、苛性ソーダ１０％水溶
液で６０°Ｃで５分間、アルミニウムを選択エツチング
して下層の銅箔を露出させた。

その後、得られた基板をトルエンで洗浄し、エツチング
レジストを剥離した後、更にエツチングレジストを印刷
し、乾燥後、過硫酸アンモニウムの１５％水溶液で４０
’Ｃで３分間、銅を選択的にエツチングし、最終的にエ
ツチングレジストをトルエンで剥離し、第１図および第
２図に示すパターンの幅１朋、長さ８０　ｍｍの低抵抗
付回路基板にした。

同一条件で同一回路基板を１０枚製作し、それらの抵抗
値を低抵抗計で測定した結果、測定値はそれぞれ２３８
．２３６．２４４．２４１．２３９．２３７．２３４．
２４６．２３９．２４１であり、その平均値は２３９．
５、標準偏差は６．６（単位はすべてｍΩ）で高精度で
あった。

実施例２ 実施例１と同じ複合金属箔張基板を用いた。まず基板の
アルミニウム箔の所望の部位にエッチングレジストを印
刷し、乾燥後、塩化第２鉄の３０％水溶液で４５℃で３
分間エツチングして不用部分のアルミニウムと銅の両方
の金属箔を除去した。

その後、得られた基板のエラチンブレジストラ剥離した
後、更にエツチングレジストを所望の部位に印刷し、乾
燥後、苛性ソーダ１０％水溶液で６０℃で５分間、アル
ミニウムを選択エツチングし、実施例１と同じパターン
の低抵抗付回路基板にした。

同一条件で同−回路基鈑を１０枚農作し、それらの抵抗
値を低抵抗計で測定した結果、測定値はそれぞれ、２４
２．２４４．２４１．２４９．２４０．２４２．２４６
．２４６．２３７．２４６であり、その平均値は２４３
．０、標準偏差は６．４（単位はすべてｍΩ）で高精度
であった。

実施例３ 厚さ４０μｍのアルミニウム箔（上層）と厚さ１０μｍ
の銅箔（下層）から成る複合金属箔をフィラー人りエポ
キシ樹脂絶縁層（８０μｍ）を介して厚さ１．５朋のア
ルミニウム板に積層して製造したアルミ・銅複合箔付基
板（電気化学工業株式会社與、商品名：　Ｈ工ＴＴプレ
ート）を用意した。

マス前記Ｈ工ＴＴプレートのベースアルミニウム板の裏
面を粘着剤付ポリ塩化ビニルフィルムをラミネートして
保獲した。

次に基板のアルミニウム箔の所望の部位にエツチングレ
ジスト（アサヒ化研社製ＭＲ−５００）をスクリーン印
刷し、乾燥後、苛性ソーダ１０％水溶液で６０°Ｃで５
分間アルミニウムを選択エツチングして下層の銅箔を露
出した。エツチングレジストをトルエンで剥離し、次に
過硫酸アンモニウムの１５％水溶液で４０°Ｃで３分間
、銅を選択的にエツチングした。

更にエツチングレジスト（アサヒ化研社製ＭＲ−５００
）をスクリーン印刷し、乾燥後、苛性ソーダ１０％水溶
液で６０°Ｃで５分間、アルミニウムを選択エツチング
して、下層の銅箔を露出させ、最終的にエツチングレジ
ストをトルエンで剥離させ第１図および第２図に示すパ
ターン幅１朋、長さ８０ｍｍの低抵抗付回路基板を作製
した。

同一条件で同−回路基鈑を１０枚作裂し、それらの抵抗
値を低抵抗計で測定した結果、測定値はそれぞれ、２６
４．２６６．２４１．２４０．２４６．２６９．２４１
．２３８．２６４．２４２であり、その平均値は２３８
．８、標準偏差は４．１（単位はすべてｍΩ）で高精度
であった。

〔発明の効果〕

本発明の方法によれば低抵抗付回路基板を容易に製造で
きる。本発明の回路基板上の低抵抗体はとくに抵抗値の
精度が高い。

【図面の簡単な説明】

第１図および第２図は本発明の実施例の低抵抗付回路基
板であり、第１図はその平面図、第２図は断面図である
。 符号１・・・ガラス・エポキシ基板、２・・・銅箔、３
Ａ。 ３Ｂ・・・アルミニウム箔 特許出願人　　電気化学工業株式会社 第１図 第２図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）絶縁体上に銅箔からなる抵抗体を設け、該抵抗体の
   少なくとも一端にアルミニウム箔片を積層させて端子と
   した低抵抗付回路基板。 ２）絶縁体上にアルミニウム箔と銅箔との複合箔をアル
   ミニウム箔を表側にして張り付け、 ついで前記アルミニウム箔と銅箔とをエッチングするこ
   とにより、前記抵抗体を形成させるとともに、その少な
   くとも一端にアルミニウムの積層箔を残存させて端子と
   することを特徴とする低抵抗付回路基板の製造法。