JPS61176139A - 混成集積回路およびその製造方法 - Google Patents

混成集積回路およびその製造方法

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JPS61176139A
JPS61176139A JP60015529A JP1552985A JPS61176139A JP S61176139 A JPS61176139 A JP S61176139A JP 60015529 A JP60015529 A JP 60015529A JP 1552985 A JP1552985 A JP 1552985A JP S61176139 A JPS61176139 A JP S61176139A
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JP
Japan
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circuit pattern
substrate
integrated circuit
electronic components
circuit
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JP60015529A
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Toshiki Odanaka
俊樹 小田中
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Alps Alpine Co Ltd
Original Assignee
Alps Electric Co Ltd
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

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  • Power Engineering (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、ハイブリッドICとも呼ばれる混成集積回路
およびこの混成集積回路の製造方法に関する。
〔発明の背景〕
混成集積回路は、半導体技術と薄膜技術とを併閉した集
積回路として知られており、例えば第9図に示すように
、アルミナやフェノール樹脂で作られた平板状の基板・
2「第9図(aりに銀を含有した導電塗料等を印刷して
パターン22や抵抗体を形成しく第9図中))、このパ
ターン22や抵抗体の接続部にIC23やコンデンサ2
4などを半田付けして接続するとともに、基板21のパ
ターン22の端部に接続端子25を接続して固定口笛9
図(Cす、この接続端子25が前記基板21から突出し
た状態で樹脂コーティングを施こして完成体26とする
ものである(第9図(d))。
このように従来の混成集積回路は、平板状に形成された
基板21上に、IC23やコンデンサ24などの電子部
品を搭載しているため、どうしても基板21自体が大き
くなり、この完成体26を使用する電子機器のより一層
の小型化を妨げていた。
〔発明の目的〕
本発明は、斯かる点に鑑みてなされたもので、その目的
は、さらに実装密度が高く、製品の小型化が可能な混成
集積回路を提供すること、および、この混成集積回路の
合理的な製造方法を提案することにある。
〔発明の概要〕
上記目的を達成するため、本発明は、基板上に回路パタ
ーンを形成し、その回路パターン上のICそ°の他の電
子部品を搭載するとともに該パターンと導通する接続端
子とを備えた混成集積回路において、前記基板を、エツ
チングにより回路パターンを形成した可撓性を有する金
属層とこの金属層をエツチングした際残る前記回路パタ
ーンを支持する可撓性の絶縁性薄膜との少なくとも二層
により折曲自在に形成し、該基板を折曲して積層し、こ
の折曲された基板の回路パターン上に前記IC等の電子
部品を接続し、モールドして一体化した構成にしである
また、この混成集積回路を製造するため、下記の工程か
らなる製造方法が提唱される。その工程は、(a)  
折曲自在な可撓性を有する金属板に、可撓性のある絶縁
性薄膜を貼り付けて少なくとも二層からなる可撓性基板
を形成する工程、(bl  この少なくとも二層に形成
された、基板のうち、一方の金属板にエツチングにより
回路パターンを形成する工程、(C)  前記絶縁性薄
膜に支持された金属板の回路パターン上の所定の位置に
、ICその他の電子部品を接続し、この基板上に該電子
部品等を搭載する工程、(d)ICその他の電子部品を
搭載した状態で、前記基板を所定のサイズに折曲し積層
する工程、(el  積層された基板をモールドして一
体化する工程、とからなり、これら(a)、 (b)、
 (C)(d)、、 (8)の工程を順に行うことによ
り混成集積回路が製造される。
〔発明の実施例〕
以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。第1
図ないし第7図は本発明の混成集積回路の製造工程を説
明するための説明図で、第1図はフープ状金属板全体を
示す斜視図、第2図はフープ状金属板に紙を貼付する工
程を示す説明図、第3図はエツチングされた基板を示す
平面図、第4図は該基板に電子部品を搭載した状態を示
す平面図、第5図は電子部品等を搭載した基板を折曲し
た状態を示す側面図、第6図は折曲した基板を電子部品
ともどもモールドする工程を示す側面図、第7図は接続
端子を取り付ける工程を示す側面図である。
第1図において、後述の基板1を形成する金属板2°は
、例えば銅箔などの可撓性のある金属をフープ状に形成
したもので、本実施例において°は、片側にスプロケッ
トが係合する送り穴3が形成されている。基板1は第2
図に示すように、前記金属板2の裏面側から絶縁性を有
する薄い紙4が貼り付けられて二層に形成され1、可撓
性を有している。貼付される祇4はテープ状に形成され
ており、絶縁性がありエツチング不能な薄膜であれば、
特に紙に限定されず、合成樹脂製のフィルムなども用い
ることができる。なお、この紙4にも前記のような送り
穴5を金属板2の送り穴3と同ピツチで形成し、貼付時
に、この送り穴3.5とを重複させ、二層の状態で送り
易いように設定してもよい、このようにして金属板2と
紙4とで形成された基板lは、所定の看送られ、エツチ
ング部に入り、基板1を形成する金属板2のみがエツチ
ングされ所定の回路パターン6を得る。このとき、エツ
チングされずに残った回路パターン6は、裏面L;貼付
された紙4に支持され、剥落や位置のずれが発生しない
ように考慮されている。エツチングが終了すると回路パ
ターン6の所定の位置に例えばIC7やコンデンサ8.
9などの多数の電子部品が置かれた後、回路パターン6
の電極に接続され、基板1上に該電子部品が搭載される
。基板1上への全ての電子部品の搭載が完了すると、第
5図に示すように連続した基板1の先端側から製品の大
きさに見合った所定のサイズに順次折曲され、端子取付
部10を延長した状態で基板1を切断し、積層された回
路が形成される。このとき、送りに使用した送り穴3重
5部分も不要なので切断する。
第5図に示した実施例では、3回折曲して、4重に積層
された基板1a、1b+lc、ldにより該回路を形成
しているが、このとき、基板1の裏面が相い対する面、
すなわち、図において基板1aと1bとの間の面、およ
び基板ICと1dの間の面には、例えば絶縁性を有する
両面テープ11を挿入して基板1の復元力を阻止するよ
うに構成し、また、基板1に搭載した各電子部品7.8
.9等が互いに接触する基板の表面が相い対する面、す
なわち、図においては基板1bとlcO間の面には、絶
縁性番有する紙やフィルムをスペーサ12として挿入し
て、短絡の危険を排除するように構成してもよい。所定
の折曲工程が終了すると、第6図に示すように、前記端
子取付部10を除いて樹脂13によりモールド成形する
。その後、モールド成型された本体14から突出した端
子取付部10の回路パターン6に接続端子15を接続し
て固定し、混成集積回路を製造する。
この混成集積回路は、絶縁性の両面テープ11やスペー
サ12を、折曲された基板1a、lb問およびlc、l
d間、さらに基板1b、lcに搭載された電子部品間に
挿入しているが、通常は基板1裏面間の絶縁性や電子部
品間の絶縁性は保持されているので、これらがなくとも
特に問題はない。
このように、上記方法によって製造された混成集積回路
は、第5.6.7図に示すように可撓性を有する金属板
2と紙4などの絶縁性薄膜により少なくとも二層に形成
され折曲された基板1上にIC7等の電子部品8.9を
搭載し、基板1の一部に設けられた端子取付部10に接
続端子15を取り付けた構造を備えており、この構造に
よると、任意の積層体が形成できる。
なお、本実施例においては、端子取付部10の回路パタ
ーン6に接続端子15を取り付けて端子部を形成してい
るが、第8図に示すように該端子取付部10を延長して
そのまま接続端子15aとしてもよいことはいうまでも
ない。
〔発明の効果〕
、  以上の説明から明らかなように、折曲自在な一基
板上にIC等の電子部品を搭載し、折曲した状態で混成
集積回路が形成される本発明によれば、基板の長手方向
の長さを余り限定されず任意に充分に長く設定でき、電
子部品が実装されたこの長い基板を任意の高さに揃えて
折曲することによ゛す、実装密度を極めて高くすること
ができ、製品の小型化を図ることができる。また、本発
明の製造方法によれば、合理的に無駄なく本発明品を製
造することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図ないし第7図は本発明の実施例に係る混成集積回
路の製造工程を説明するための説明図で、第1図はフー
プ状金属板全体を示す斜視図、第セ図はフープ状金属板
に紙を貼付する工程を示す説明図、第3図はエツチング
され回路パターンが形成された基板を示す平面図、第4
図は該基板に電子部品を搭載した状態を示す平面図、第
5図は電子部品等を搭載した基板を折曲した状態を示す
側面図、第6図は折曲した基板を電子部品ともどもモー
ルドする工程を示す側面図、第7図は接続端子を取り付
ける工程を示す側面図、第8図は他の実施例を示す断面
説明図、第9図は従来の混成集積回路の製造工程を示す
説明図で、第9図(a)は基板の平面図、第9図011
)は印刷により回路パターンを形成した基板の平面図、
第9図(C)は電子部品を搭載した基板の平面図、第9
図(a)は樹脂コーティングを施こした完成体の平面図
である。 1・・・基板、2・・・金属板、4・・・紙、6・・・
回路パターン、7・・・IC,8,9・・・コンデンサ
、13・・・樹脂。 第1図 第2図 第3図 第4図 第5図 第6図 第7図 第8図

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)エツチングにより回路パターンが形成された金属
    層と、この金属層をエツチングした際残る回路パターン
    を支持する絶縁性薄膜との少なくとも二層により形成さ
    れ折曲自在に積層された基板と、この折曲された基板の
    回路パターン上に搭載されたICその他の電子部品とか
    らなり、これらの積層基板と電子部品とを一体的にモー
    ルドして成形したことを特徴とする混成集積回路。
  2. (2)基板上に回路パターンを形成し、この回路パター
    ン上にICその他の電子部品を搭載して形成される混成
    集積回路を製造する方法において、まず最初に、可撓性
    を有する金属板に、可撓性を備えた絶縁性薄膜を貼り付
    けて、少なくとも二層からなる折曲自在な基板を形成し
    、次に、この少なくとも二層に形成された基板の金属板
    にエツチングにより回路パターンを形成するとともに、
    この回路パターンを前記絶縁性薄膜に支持させ、さらに
    、この回路パターン上の所定の位置に、ICその他の電
    子部品を接続し、引き続いて、これらの電子部品を搭載
    した状態で基板を折曲して積層し、最後に、この積層さ
    れた基板と基板に搭載された電子部品とをモールドして
    一体化することを特徴とする混成集積回路の製造方法。
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