JP2021044585A - チップ抵抗器 - Google Patents

Abstract

【課題】放熱性の向上を図ることが可能なチップ抵抗器を提供すること【解決手段】 チップ抵抗器２００は、基板１と、抵抗体２と、接合層３と、絶縁層６と、第１電極４と、第２電極５と、を備え、第１電極４は、第１下地層４１と、第１メッキ層４３と、を含み、メッキ層４３は、第１金属層４３ａ、第２金属層４３ｂ、および第３金属層４３ｃを含み、基板１は、Ｘ１方向を向く第１基板側面１３を有し、接合層３は、Ｘ１方向を向く第１接合層側面を有し、第３金属層４３ｃは、Ｘ１方向視において第１接合層側面のすべてと重なり、第１基板側面１３の一部のみと重なる。【選択図】 図２０

Description

本発明は、チップ抵抗器に関する。

従来から、電子機器に用いられるチップ抵抗器が知られている。たとえば、チップ抵抗器は、板状の２つの電極と、抵抗体と、を備える。抵抗体は２つの電極に配置されている。たとえば、チップ抵抗器については、特許文献１に開示されている。

特開２００７−１４２１４８号公報

従来のチップ抵抗器においては、チップ抵抗器自体の強度を保つ必要があるので、板状の電極の厚さをあまり薄くできない。したがって、従来のチップ抵抗器では、薄型化を図ることができていない。また、従来から、チップ抵抗器の放熱性の向上も求められている。

本発明は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、薄型化を図ることが可能なチップ抵抗器を提供することをその主たる課題とする。本発明は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、放熱性の向上を図ることが可能なチップ抵抗器を提供することをその主たる課題とする。

本発明の第１の側面によると、絶縁性の基板と、前記基板に埋め込まれた抵抗体と、前記抵抗体に導通している第１電極と、前記抵抗体に導通しており、前記第１電極に対し、前記基板の厚さ方向に直交する第１方向とは反対の第２方向側に位置する第２電極と、を備える、チップ抵抗器が提供される。

好ましくは、前記基板は、前記基板の厚さ方向において、互いに反対側を向く基板表面および基板主面を有し、前記抵抗体は、前記基板表面から前記基板主面に向かって、前記基板表面からめり込んでいる。

好ましくは、前記基板の厚さ方向において、前記抵抗体の全体は、前記基板に重なっている。

好ましくは、前記基板は、前記抵抗体に直接接している。

好ましくは、前記基板は、樹脂部と、前記樹脂部内に位置するガラス繊維部と、を含み、前記抵抗体は、前記ガラス繊維部に直接接している。

好ましくは、前記樹脂部は、エポキシ樹脂よりなる。

好ましくは、前記樹脂部は、前記基板表面および前記基板主面を構成している。

好ましくは、前記基板の最大厚さは、６０〜３００μｍである。

好ましくは、前記基板は、前記第１方向を向いている基板側面を有し、前記抵抗体は、前記第１方向を向いている抵抗体側面を有し、前記基板側面および前記抵抗体側面は、面一である。

好ましくは、前記基板側面は、前記第１電極に直接覆われている。

好ましくは、前記抵抗体は、互いに反対側を向く抵抗体表面と抵抗体主面とを有し、前記抵抗体主面は、前記基板に直接接している。

好ましくは、前記抵抗体表面は、前記基板表面と面一である。

好ましくは、前記抵抗体の厚さは、５０〜２００μｍである。

好ましくは、前記抵抗体を覆う絶縁層を更に備える。

好ましくは、前記絶縁層は、前記基板の厚さ方向において、互いに反対側を向く絶縁層表面および絶縁層主面を有し、前記絶縁層主面は、前記基板および前記抵抗体に直接接している。

好ましくは、前記絶縁層は、前記抵抗体と前記第１電極との間に介在する部位、および、前記抵抗体と前記第２電極との間に介在する部位を有する。

好ましくは、前記絶縁層表面には、前記第１電極および前記第２電極が形成されている。

好ましくは、前記絶縁層表面の一部は、前記第１電極および前記第２電極から露出している。

好ましくは、前記絶縁層の熱伝導率は、１．０Ｗ／（ｍ・Ｋ）〜５．０Ｗ／（ｍ・Ｋ）である。

好ましくは、前記絶縁層は、絶縁層端面を有し、前記基板は、基板端面を有し、前記基板端面および前記絶縁層端面はいずれも、前記基板の厚さ方向および前記第１方向のいずれにも直交する第３方向を向いており、且つ、互いに面一となっている。

好ましくは、前記第１電極は、メッキにより形成されたメッキ層を含む。

好ましくは、前記メッキ層は、Ｃｕ層およびＳｎ層を有し、前記Ｃｕ層は、前記Ｓｎ層と前記抵抗体の間に介在している。

好ましくは、前記メッキ層は、Ｎｉ層を有し、前記Ｎｉ層は、前記Ｃｕ層と前記Ｓｎ層との間に介在している。

好ましくは、前記第１電極は、前記抵抗体に直接接する下地層を含み、前記下地層は、前記メッキ層と前記抵抗体との間に介在している。

好ましくは、前記下地層は、前記基板の厚さ方向視において前記抵抗体に重なり、且つ、前記厚さ方向において前記抵抗体から離間した部位を有する。

好ましくは、前記下地層の厚さは、１００〜５００ｎｍである。

好ましくは、前記下地層は、ＰＶＤ、ＣＶＤ、あるいは印刷によって形成される。

好ましくは、前記下地層は、スパッタリングにより形成される。

好ましくは、前記下地層は、Ｎｉ−Ｃｒよりなる。

好ましくは、前記抵抗体は、サーペンタイン状である。

好ましくは、前記抵抗体は、マンガニン、ゼラニン、Ｎｉ−Ｃｒ合金、Ｃｕ−Ｎｉ合金、あるいは、Ｆｅ−Ｃｒ合金よりなる。

本発明の第２の側面によると、抵抗体と、前記抵抗体を覆う絶縁層と、前記抵抗体に導通している第１電極と、前記抵抗体に導通しており、前記第１電極に対し、第１方向とは反対の第２方向側に位置する第２電極と、を備え、前記第１電極は、前記抵抗体に直接接する下地層と、前記下地層を覆うメッキ層と、を含み、前記絶縁層は、前記下地層と前記抵抗体との間に介在している、チップ抵抗器が提供される。

好ましくは、前記下地層は、前記メッキ層と前記絶縁層との間に介在している。

好ましくは、前記下地層の前記第１方向における寸法は、前記抵抗体の前記第１方向における寸法の４分の１以上である。

好ましくは、前記下地層の前記第１方向における寸法は、前記抵抗体の前記第１方向における寸法の３分の１以上である。

好ましくは、前記下地層の前記第１方向における寸法は、６００〜３２００μｍである。

好ましくは、前記下地層の厚さは、前記抵抗体の厚さよりも薄い。

好ましくは、前記下地層の厚さは、１００〜５００ｎｍである。

好ましくは、前記下地層は、ＰＶＤ、ＣＶＤ、あるいは印刷によって形成される。

好ましくは、前記下地層は、スパッタリングにより形成される。

好ましくは、前記下地層は、Ｎｉ−Ｃｒよりなる。

好ましくは、前記メッキ層は、前記絶縁層に直接接している。

好ましくは、前記メッキ層は、前記絶縁層のうち、前記下地層よりも前記第２方向側に位置する部位に直接接している。

好ましくは、前記メッキ層は、Ｃｕ層およびＳｎ層を有し、前記Ｃｕ層は、前記Ｓｎ層と前記抵抗体の間に介在している。

好ましくは、前記メッキ層は、Ｎｉ層を有し、前記Ｎｉ層は、前記Ｃｕ層と前記Ｓｎ層との間に介在している。

好ましくは、前記抵抗体は、前記第１方向を向く第１抵抗体側面を有し、前記下地層は、前記第１方向を向く第１下地層側面を有し、前記第１抵抗体側面は、前記第１下地層側面と面一である。

好ましくは、前記第１抵抗体側面および前記第１下地層側面は、前記メッキ層に覆われている。

好ましくは、前記抵抗体は、互いに反対側を向く抵抗体表面と抵抗体主面とを有し、前記抵抗体表面は、前記絶縁層に直接接している。

好ましくは、前記絶縁層は、互いに反対側を向く絶縁層表面および絶縁層主面を有し、前記絶縁層表面は、前記下地層に直接接している。

好ましくは、前記絶縁層は、前記抵抗体と前記第１電極との間に介在する部位、および、前記抵抗体と前記第２電極との間に介在する部位を有する。

好ましくは、前記絶縁層表面には、前記第１電極および前記第２電極が形成されている。

好ましくは、前記絶縁層表面の一部は、前記第１電極および前記第２電極から露出している。

好ましくは、前記絶縁層の熱伝導率は、１．０Ｗ／（ｍ・Ｋ）〜５．０Ｗ／（ｍ・Ｋ）である。

好ましくは、前記抵抗体が配置された基板を更に備える。

好ましくは、前記基板は、絶縁性の材料よりなる。

好ましくは、前記基板は、基板端面を有し、前記絶縁層は、絶縁層端面を有し、前記基板端面および前記絶縁層端面はいずれも、前記基板の厚さ方向および前記第１方向のいずれにも直交する第３方向を向いており、且つ、互いに面一となっている。

好ましくは、前記基板は、互いに反対側を向く基板表面および基板主面を有し、前記基板表面側には、前記抵抗体が配置されており、前記基板主面は露出している。

好ましくは、前記基板を構成する材料の熱伝導率よりも、前記絶縁層を構成する材料の熱伝導率は大きい。

好ましくは、前記基板および前記抵抗体の間に介在する接合層を更に備える。

好ましくは、前記接合層は、エポキシ系の材料よりなる。

好ましくは、前記抵抗体は、サーペンタイン状である。

好ましくは、前記抵抗体は、マンガニン、ゼラニン、Ｎｉ−Ｃｒ合金、Ｃｕ−Ｎｉ合金、あるいは、Ｆｅ−Ｃｒ合金よりなる。

本発明の第３の側面によると、本発明の第１の側面または第２の側面によって提供されるチップ抵抗器と、前記チップ抵抗器が実装された実装基板と、前記実装基板と前記チップ抵抗器との間に介在する導電性接合部と、を備える、チップ抵抗器の実装構造が提供される。

本発明のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。

本発明の第１実施形態にかかるチップ抵抗器の実装構造の断面図である。 図１のＩＩ−ＩＩ線に沿うチップ抵抗器の矢視図（一部透視化）である。 図１、図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿うチップ抵抗器の断面図である。 図１、図２のＩＶ−ＩＶ線に沿うチップ抵抗器の断面図である。 図２から第１メッキ層および第２メッキ層を省略した図（一部透視化）である。 図１に示したチップ抵抗器の右側面図（一部透視化）である。 図１に示したチップ抵抗器の左側面図（一部透視化）である。 図１に示したチップ抵抗器の正面図である。 図１に示したチップ抵抗器の背面図である。 図１に示したチップ抵抗器の製造方法における一工程を示す平面図である。 図１０のＸＩ−ＸＩ線に沿う断面図である。 図１０に続く一工程を示す裏面図である。 図１２のＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ線に沿う断面図である。 図１２に続く一工程を示す裏面図である。 図１４のＸＶ−ＸＶ線に沿う断面図である。 図１４に続く一工程を示す裏面図である。 図１６のＸＶＩＩ−ＸＶＩＩ線に沿う断面図である。 本発明の第１実施形態の第１変形例を示す断面図である。 本発明の第１実施形態の第２変形例を示す断面図である。 本発明の第２実施形態にかかるチップ抵抗器の実装構造の断面図である。 図２０のＸＸＩ−ＸＸＩ線に沿うチップ抵抗器の矢視図（一部透視化）である。 図２０、図２１のＸＸＩＩ−ＸＸＩＩ線に沿うチップ抵抗器の断面図である。 図２０、図２１のＸＸＩＩＩ−ＸＸＩＩＩ線に沿うチップ抵抗器の断面図である。 図２１から第１メッキ層および第２メッキ層を省略した図（一部透視化）である。 図２０に示したチップ抵抗器の右側面図（一部透視化）である。 図２０に示したチップ抵抗器の左側面図（一部透視化）である。 図２０に示したチップ抵抗器の正面図である。 図２０に示したチップ抵抗器の背面図である。 図２０に示したチップ抵抗器の製造方法における一工程を示す断面図である。 図２９に続く一工程を示す平面図である。 図３０のＸＸＸＩ−ＸＸＸＩ線に沿う断面図である。 図３０に続く一工程を示す裏面図である。 図３２のＸＸＸＩＩＩ−ＸＸＸＩＩＩ線に沿う断面図である。 図３２に続く一工程を示す裏面図である。 図３４のＸＸＸＶ−ＸＸＸＶ線に沿う断面図である。 図３４に続く一工程を示す裏面図である。 図３６のＸＸＸＶＩＩ−ＸＸＸＶＩＩ線に沿う断面図である。 本発明の第２実施形態の第１変形例を示す断面図である。 本発明の第２実施形態の第２変形例を示す断面図である。

以下、本発明の実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。

＜第１実施形態＞
図１〜図１９を用いて、本発明の第１実施形態について説明する。

図１は、本発明の第１実施形態にかかるチップ抵抗器の実装構造の断面図である。

同図に示すチップ抵抗器の実装構造８９１は、チップ抵抗器１００と、実装基板８９３と、導電性接合部８９５とを備える。

実装基板８９３は、たとえばプリント配線基板である。実装基板８９３は、たとえば、絶縁基板と、当該絶縁基板に形成されたパターン電極（図示略）とを含む。当該絶縁基板は、たとえば、ガラスエポキシ樹脂基板である。チップ抵抗器１００は実装基板８９３に実装されている。チップ抵抗器１００と、実装基板８９３との間には、導電性接合部８９５が介在している。導電性接合部８９５は、チップ抵抗器１００と実装基板８９３とを接合している。導電性接合部８９５は、たとえばハンダよりなる。

図２は、図１のＩＩ−ＩＩ線に沿うチップ抵抗器の矢視図（一部透視化）である。図３は、図１、図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿うチップ抵抗器の断面図である。図４は、図１、図２のＩＶ−ＩＶ線に沿うチップ抵抗器の断面図である。図５は、図２から第１メッキ層および第２メッキ層を省略した図（一部透視化）である。図６は、図１に示したチップ抵抗器の右側面図（一部透視化）である。図７は、図１に示したチップ抵抗器の左側面図（一部透視化）である。図８は、図１に示したチップ抵抗器の正面図である。図９は、図１に示したチップ抵抗器の背面図である。

これらの図に示すチップ抵抗器１００は、基板１と、抵抗体２と、第１電極４と、第２電極５と、絶縁層６と、を備える。

基板１は板状である。基板１は、絶縁性あるいは導電性である。基板１が絶縁性である場合、基板１を構成する材料には、たとえば、樹脂あるいはセラミックを含む。基板１を構成する材料に樹脂を含む場合、基板１を構成する樹脂は、たとえば、エポキシ樹脂である。基板１を構成する材料にセラミックを含む場合、このようなセラミックとしては、たとえば、Ａｌ₂Ｏ₃、ＡｌＮ、およびＳｉＣが挙げられる。基板１が導電性である場合、基板１を構成する材料は、たとえば、ＣｕあるいはＡｇである。なお、本実施形態においては、基板１はガラスエポキシ樹脂基板である。

基板１は、基板表面１１と、基板主面１２と、第１基板側面１３と、第２基板側面１４と、第１基板端面１５と、第２基板端面１６と、を有する。

基板表面１１と、基板主面１２と、第１基板側面１３と、第２基板側面１４と、第１基板端面１５と、第２基板端面１６はいずれも、平坦である。図１に示すように、同図の上下方向を基板１の厚さ方向Ｚ１とする。そして、図２に示すように、同図の右方向を第１方向Ｘ１とし、左方向を第２方向Ｘ２とし、上方向を第３方向Ｘ３とし、下方向を第４方向Ｘ４とする。基板１の最大厚さ（厚さ方向Ｚ１の最大寸法）は、たとえば、６０〜３００μｍである。厚さ方向Ｚ１は、第１方向Ｘ１、第２方向Ｘ２、第３方向Ｘ３、第４方向Ｘ４と互いに直交する。また、第１方向Ｘ１および第２方向Ｘ２はそれぞれ、第３方向Ｘ３および第４方向Ｘ４と直交する。

なお、チップ抵抗器１００の第１方向Ｘ１における寸法は、たとえば、５〜１０ｍｍであり、チップ抵抗器１００の第３方向Ｘ３における寸法は、たとえば、２〜１０ｍｍである。

基板表面１１および基板主面１２は互いに反対側を向く。第１基板側面１３は第１方向Ｘ１を向いている。第２基板側面１４は第２方向Ｘ２を向いている。すなわち第１基板側面１３および第２基板側面１４は互いに反対側を向いている。第１基板端面１５は第３方向Ｘ３を向いている。第２基板端面１６は第４方向Ｘ４を向いている。すなわち第１基板端面１５および第２基板端面１６は互いに反対側を向いている。

上述のように本実施形態では、基板１はガラスエポキシ樹脂基板である。そのため、基板１は、ガラス繊維部１９１および樹脂部１９２を含む。

樹脂部１９２は、基板１の外郭形状を規定している。樹脂部１９２は、たとえば、エポキシ樹脂よりなる。樹脂部１９２は、基板表面１１および基板主面１２を構成している。

ガラス繊維部１９１はガラス繊維よりなる。具体的には、ガラス繊維部１９１は、ガラス繊維製の布（クロス）を重ねたものである。ガラス繊維部１９１は、第１基板側面１３の一部、第２基板側面１４の一部、第１基板端面１５の一部、および、第２基板端面１６の一部を構成している。

本実施形態とは異なり、基板１がガラスエポキシ樹脂基板でなくてもよい。この場合、基板１がガラス繊維部１９１を含んでいない。

図１に示すように、抵抗体２は基板１に配置されている。具体的には抵抗体２は基板１の基板表面１１側に配置されている。抵抗体２の厚さ（厚さ方向Ｚ１方向における寸法）は、たとえば、５０〜２００μｍである。本実施形態では、抵抗体２は厚さ方向Ｚ１視において、サーペンタイン状である。抵抗体２がサーペンタイン状であることは、抵抗体２の抵抗値を大きくできる点において好ましい。本実施形態とは異なり、抵抗体２がサーペンタイン状ではなく、たとえば、Ｘ１−Ｘ２方向に延びる帯状であってもよい。抵抗体２は、金属抵抗材料よりなり、このような金属抵抗材料としては、たとえば、マンガニン、ゼラニン、Ｎｉ−Ｃｒ合金、Ｃｕ−Ｎｉ合金、および、Ｆｅ−Ｃｒ合金が挙げられる。

図１、図３に示すように、抵抗体２は、抵抗体表面２１と、抵抗体主面２２と、第１抵抗体側面２３と、第２抵抗体側面２４と、を有する。抵抗体表面２１と、抵抗体主面２２と、第１抵抗体側面２３と、第２抵抗体側面２４はいずれも、平坦である。

抵抗体表面２１および抵抗体主面２２は互いに反対側を向いている。抵抗体表面２１は、基板表面１１の向く方向と同一方向（すなわち、図１の下方向）を向いている。一方、抵抗体主面２２は、基板主面１２の向く方向と同一方向（すなわち、図１の上方向）を向いている。抵抗体主面２２は基板１の方を向いている。第１抵抗体側面２３は第１方向Ｘ１を向いている。本実施形態では、第１抵抗体側面２３は、第１基板側面１３と面一になっている。第２抵抗体側面２４は第２方向Ｘ２を向いている。本実施形態では、第２抵抗体側面２４は第２基板側面１４と面一になっている。

本実施形態においては、抵抗体２は、基板１に埋め込まれている。具体的には、チップ抵抗器１００は、以下に述べる構成となっている。

抵抗体２は、基板表面１１から基板主面１２に向かって、基板表面１１から基板１にめり込んでいる。厚さ方向Ｚ１において、抵抗体２の全体は、基板１に重なっている。抵抗体２は基板１に直接接している。更に、基板１がガラスエポキシ樹脂基板である本実施形態においては、抵抗体２は、基板１におけるガラス繊維部１９１に直接接している。

抵抗体表面２１は、基板１における基板表面１１と面一となっている。このことは、抵抗体表面２１および基板表面１１に、後述の絶縁層６を形成するのに好適である。抵抗体主面２２は、基板１に直接接している。更に、基板１がガラスエポキシ樹脂基板である本実施形態においては、抵抗体主面２２は、基板１におけるガラス繊維部１９１に直接接している。

本実施形態とは異なり、抵抗体２と基板１とが直接接していなくてもよい。たとえば、抵抗体２と基板１との間に接合層を介した状態で、抵抗体２が基板１に埋め込まれていてもよい。抵抗体２がガラス繊維部１９１に直接接していなくてもよい。

絶縁層６は抵抗体２を覆っている。絶縁層６は抵抗体２および基板１に直接接している。絶縁層６は、抵抗体２における抵抗体表面２１と、基板１における基板表面１１と、に直接接している。絶縁層６は、抵抗体２のうち第１方向Ｘ１側の部分と、抵抗体２のうち第２方向Ｘ２側の部分と、を露出させている。絶縁層６は、たとえば熱硬化性の材料よりなる。絶縁層６の第３方向Ｘ３における寸法は、基板１の第３方向Ｘ３における寸法と同一である。絶縁層６の最大厚さ（厚さ方向Ｚ１における最大寸法）は、たとえば、２０〜６０μｍである。絶縁層６は、たとえば樹脂よりなる。絶縁層６は、抵抗体２にて発生した熱をチップ抵抗器１００の外部に放熱しやすくするため、絶縁層６を構成する材料としては熱伝導率が大きいものを用いることが好ましい。絶縁層６の熱伝導率は、基板１を構成する材料（本実施形態では、樹脂部１９２を構成する材料）の熱伝導率よりも、大きいことが好ましい。絶縁層６の熱伝導率は、たとえば、１．０Ｗ／（ｍ・Ｋ）〜５．０Ｗ／（ｍ・Ｋ）であることが好ましい。

絶縁層６は、絶縁層表面６１と、絶縁層主面６２と、第１絶縁層側面６３と、第２絶縁層側面６４と、第１絶縁層端面６５と、第２絶縁層端面６６と、を有する。

絶縁層表面６１および絶縁層主面６２は互いに反対側を向いている。絶縁層表面６１は、抵抗体表面２１の向く方向と同一方向（すなわち、図１の下方向）を向いている。絶縁層表面６１には、第１電極４および第２電極５が形成されている。絶縁層表面６１の一部（絶縁層表面６１のうち第１電極４と第２電極５とに挟まれた領域）は、第１電極４および第２電極５から露出している。絶縁層主面６２は、抵抗体主面２２の向く方向と同一方向（すなわち、図１の上方向）を向いている。本実施形態では、絶縁層主面６２は、抵抗体２と、基板１とに直接接している。具体的には、絶縁層主面６２は、抵抗体表面２１と、基板表面１１と、に直接接している。第１絶縁層側面６３は第１方向Ｘ１を向いている。第２絶縁層側面６４は第２方向Ｘ２を向いている。第１絶縁層端面６５は、第３方向Ｘ３を向いている。本実施形態では、第１絶縁層端面６５は、第１基板端面１５と面一となっている。第２絶縁層端面６６は、第４方向Ｘ４を向いている。第２絶縁層端面６６は、第２基板端面１６と面一となっている。

第１電極４は抵抗体２に導通している。第１電極４は、チップ抵抗器１００を実装する実装基板８９３から抵抗体２へと電力を供給するためのものである。第１電極４は、抵抗体２に直接接している。本実施形態においては、第１電極４は、抵抗体２における抵抗体表面２１に直接接している。本実施形態では更に、第１電極４は、抵抗体２における第１抵抗体側面２３と、絶縁層６と、を覆っている。本実施形態では、第１電極４と抵抗体２との間には、絶縁層６が介在している。本実施形態においては更に、第１電極４は、基板主面１２側を覆っていない。本実施形態とは異なり、第１電極４が基板主面１２を覆っていてもよい。図１に示すように、実装構造８９１においては、第１電極４は、導電性接合部８９５に直接接しており、導電性接合部８９５を介して、実装基板８９３における配線パターン（図示略）と導通している。

第１電極４は、第１下地層４１と、第１メッキ層４３と、を含む。

第１下地層４１は抵抗体２に直接接している。本実施形態では、第１下地層４１は、絶縁層６上にメッキによって第１メッキ層４３を形成するために、形成されている。第１下地層４１は抵抗体表面２１のうち、絶縁層６から露出した部位に直接接している。第１下地層４１は、基板１の厚さ方向Ｚ１視において、抵抗体２に重なっている。また、第１下地層４１は、厚さ方向Ｚ１において抵抗体２から離間した部位を有している。第１下地層４１および抵抗体２の間には、絶縁層６が介在している。第１下地層４１は、第１メッキ層４３と絶縁層６との間に介在している。本実施形態では、第１下地層４１の第１方向Ｘ１における寸法が大きい方が好ましい。好ましくは、第１下地層４１の第１方向Ｘ１における寸法は、抵抗体２の第１方向Ｘ１における寸法の４分の１以上であり、更に好ましくは、抵抗体２の第１方向Ｘ１における寸法の３分の１以上である。第１下地層４１の第１方向Ｘ１における寸法は、たとえば、６００〜３２００μｍである。第１下地層４１の厚さは、抵抗体２の厚さよりも薄い。第１下地層４１は、ＰＶＤ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、あるいは印刷によって形成するとよい。本実施形態では、第１下地層４１は、ＰＶＤのうちのスパッタリングにより形成される。第１下地層４１の厚さは、たとえば、１００〜５００ｎｍである。第１下地層４１は、たとえば、ＮｉやＣｒを含む。

第１下地層４１は、第１下地層側面４１３を有している。第１下地層側面４１３は第１方向Ｘ１を向いている。本実施形態では、第１下地層側面４１３は、第１基板側面１３および第１抵抗体側面２３と面一となっている。

第１メッキ層４３は、第１下地層４１を直接覆っている。第１メッキ層４３は、抵抗体２に形成されている。第１メッキ層４３は、絶縁層６に直接接している。第１メッキ層４３は、絶縁層６のうち、第１下地層４１よりも第２方向Ｘ２側に位置する部位に、直接接している。実装基板８９３に実装される前のチップ抵抗器１００においては、第１メッキ層４３は外部に露出している。そのため、図１に示すように、実装構造８９１においては、第１メッキ層４３は、導電性接合部８９５に直接接しており、導電性接合部８９５を介して、実装基板８９３における配線パターン（図示略）と導通している。なお、本実施形態では、第１メッキ層４３は、抵抗体２における第１抵抗体側面２３を覆っている。このことは、導電性接合部８９５にハンダフィレットを形成できる点において好ましい。

本実施形態においては具体的には、第１メッキ層４３は、Ｃｕ層４３ａと、Ｎｉ層４３ｂと、Ｓｎ層４３ｃと、を有する。Ｃｕ層４３ａは第１下地層４１を直接覆っている。Ｎｉ層４３ｂは、Ｃｕ層４３ａを直接覆っている。Ｓｎ層４３ｃは、Ｎｉ層４３ｂを直接覆っている。Ｓｎ層４３ｃは外部に露出している。チップ抵抗器１００の実装構造８９１においては、Ｓｎ層４３ｃには導電性接合部８９５（本実施形態ではハンダ）が付着する。Ｃｕ層４３ａの厚さは、たとえば１０〜５０μｍであり、Ｎｉ層４３ｂの厚さは、たとえば１〜１０μｍであり、Ｓｎ層４３ｃの厚さは、たとえば１〜１０μｍである。本実施形態とは異なり、第１メッキ層４３はＮｉ層４３ｂを含んでいなくてもよい。

第２電極５は、第１電極４に対し第２方向Ｘ２側に位置している。第２電極５は抵抗体２に導通している。第２電極５は、チップ抵抗器１００を実装する実装基板８９３から抵抗体２へと電力を供給するためのものである。第２電極５は、抵抗体２に直接接している。本実施形態においては、第２電極５は、抵抗体２における抵抗体表面２１に直接接している。本実施形態では更に、第２電極５は、抵抗体２における第２抵抗体側面２４と、絶縁層６と、を覆っている。本実施形態では、第２電極５と抵抗体２との間には、絶縁層６が介在している。本実施形態においては更に、第２電極５は、基板主面１２側を覆っていない。本実施形態とは異なり、第２電極５が基板主面１２を覆っていてもよい。図１に示すように、実装構造８９１においては、第２電極５は、導電性接合部８９５に直接接しており、導電性接合部８９５を介して、実装基板８９３における配線パターン（図示略）と導通している。

第２電極５は、第２下地層５１と、第２メッキ層５３と、を含む。

第２下地層５１は抵抗体２に直接接している。本実施形態では、第２下地層５１は、絶縁層６上にメッキによって第２メッキ層５３を形成するために、形成されている。第２下地層５１は抵抗体表面２１のうち、絶縁層６から露出した部位に直接接している。第２下地層５１および抵抗体２の間には、絶縁層６が介在している。第２下地層５１は、第２メッキ層５３と絶縁層６との間に介在している。本実施形態では、第２下地層５１の第２方向Ｘ２における寸法が大きい方が好ましい。好ましくは、第２下地層５１の第２方向Ｘ２における寸法は、抵抗体２の第２方向Ｘ２における寸法の４分の１以上であり、更に好ましくは、抵抗体２の第２方向Ｘ２における寸法の３分の１以上である。第２下地層５１の第２方向Ｘ２における寸法は、たとえば、６００〜３２００μｍである。第２下地層５１の厚さは、抵抗体２の厚さよりも薄い。第２下地層５１は、ＰＶＤ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、あるいは印刷によって形成するとよい。本実施形態では、第２下地層５１は、ＰＶＤのうちのスパッタリングにより形成される。第２下地層５１の厚さは、たとえば、０．５〜１．０ｎｍである。第２下地層５１は、たとえば、ＮｉやＣｒを含む。

第２下地層５１は、第２下地層側面５１４を有している。第２下地層側面５１４は第２方向Ｘ２を向いている。本実施形態では、第２下地層側面５１４は、第２基板側面１４および第２抵抗体側面２４と面一となっている。

第２メッキ層５３は、第２下地層５１を直接覆っている。第２メッキ層５３は、抵抗体２に形成されている。第２メッキ層５３は、絶縁層６に直接接している。第２メッキ層５３は、絶縁層６のうち、第２下地層５１よりも第１方向Ｘ１側に位置する部位に、直接接している。実装基板８９３に実装される前のチップ抵抗器１００においては、第２メッキ層５３は外部に露出している。そのため、図１に示すように、実装構造８９１においては、第２メッキ層５３は、導電性接合部８９５に直接接しており、導電性接合部８９５を介して、実装基板８９３における配線パターン（図示略）と導通している。なお、本実施形態では、第２メッキ層５３は、抵抗体２における第２抵抗体側面２４を覆っている。このことは、導電性接合部８９５にハンダフィレットを形成できる点において好ましい。

本実施形態においては具体的には、第２メッキ層５３は、Ｃｕ層５３ａと、Ｎｉ層５３ｂと、Ｓｎ層５３ｃと、を有する。Ｃｕ層５３ａは第２下地層５１を直接覆っている。Ｎｉ層５３ｂは、Ｃｕ層５３ａを直接覆っている。Ｓｎ層５３ｃは、Ｎｉ層５３ｂを直接覆っている。Ｓｎ層５３ｃは外部に露出している。チップ抵抗器１００の実装構造８９１においては、Ｓｎ層５３ｃには導電性接合部８９５（本実施形態ではハンダ）が付着する。Ｃｕ層５３ａの厚さは、たとえば１０〜５０μｍであり、Ｎｉ層５３ｂの厚さは、たとえば１〜１０μｍであり、Ｓｎ層５３ｃの厚さは、たとえば１〜１０μｍである。本実施形態とは異なり、第２メッキ層５３はＮｉ層５３ｂを含んでいなくてもよい。

次に、チップ抵抗器１００の製造方法について簡単に説明する。

まず、図１０、図１１に示すように、集合シート８５０を用意する。集合シート８５０は、基板シート８１０および抵抗集合体８２０を含んでいる。本実施形態では、集合シート８５０は、抵抗集合体８２０が基板シート８１０に埋め込まれた状態に形成されている。集合シート８５０は、たとえば、真空プレスを用いて形成される。集合シート８５０においては、抵抗集合体８２０は基板シート８１０に完全に固定されている。

なお、基板シート８１０は、上述の基板１になるものである。抵抗集合体８２０は、上述の抵抗体２になるものである。そのため、集合シート８５０においては、抵抗集合体８２０は、ガラス繊維部１９１に直接接している。

また、抵抗集合体８２０は、上述の抵抗体２となるべき部分を複数有している。本実施形態では、サーペンタイン状の抵抗体２を形成するべく、予め、エッチングあるいは打ち抜き金型で抵抗集合体８２０に複数のサーペンタイン状の部分が形成されている。

次に、抵抗集合体８２０における抵抗体２の抵抗値の調整を行う。抵抗体２の抵抗値の調整は、たとえば、抵抗集合体８２０を研削することにより行う。

次に、図１２、図１３に示すように、絶縁膜８６０を形成する。絶縁膜８６０は、上述の絶縁層６になるものである。絶縁膜８６０は、一方向に沿って延びる複数の帯状に形成される。絶縁膜８６０は、たとえば印刷あるいは塗布によって形成される。絶縁膜８６０からは、抵抗集合体８２０の一部が露出している。

次に、図１４、図１５に示すように、抵抗集合体８２０上に導電性材料８４０を積層させる。導電性材料８４０は、上述の第１下地層４１あるいは第２下地層５１になるものである。導電性材料８４０を積層させる工程は、ＰＶＤあるいはＣＶＤを用いる、導電性材料８４０を積層させるために用いるＰＶＤとしては、たとえばスパッタリングが挙げられる。本実施形態においては、導電性材料８４０を積層させる工程では、導電性材料８４０を、絶縁膜８６０の延びる方向に沿って帯状となるように積層させる。そのため、積層された導電性材料８４０からは、絶縁膜８６０の一部が露出している。なお、導電性材料８４０を帯状となるように積層させるには、たとえば、マスキングを行うとよい。導電性材料８４０は、たとえば、ＮｉやＣｒである。

次に、図１６、図１７に示すように、抵抗集合体８２０を切断することにより、複数の固片８８６が得られる。本実施形態では、集合シート８５０（抵抗集合体８２０および基板シート８１０）が一括して切断される。固片８８６を得るには、たとえば、打ち抜きあるいはダイシングを行う。本実施形態では、固片８８６を得るために打ち抜きを行う。

固片８８６を得る際の切断によって、上述の第１基板側面１３、第２基板側面１４、第１基板端面１５、第２基板端面１６、第１抵抗体側面２３、第２抵抗体側面２４、第１下地層側面４１３、第２下地層側面５１４、第１絶縁層端面６５、および第２絶縁層端面６６が形成される。基板シート８１０、および抵抗集合体８２０等が同時に切断されることによって、上述の第１基板側面１３と、第１抵抗体側面２３と、第１下地層側面４１３と、が面一となる。同様に、基板シート８１０、および抵抗集合体８２０等が同時に切断されることによって、上述の第２基板側面１４と、第２抵抗体側面２４と、第２下地層側面５１４と、が面一となる。同様に、この切断によって、上述の第１基板端面１５と、第１絶縁層端面６５と、が面一となる。同様に、この切断によって、上述の第２基板端面１６と、第２絶縁層端面６６と、が面一となる。

次に、固片８８６に、図１に示した第１メッキ層４３（Ｃｕ層４３ａ、Ｎｉ層４３ｂ、およびＳｎ層４３ｃ）、および、第２メッキ層５３（Ｃｕ層５３ａ、Ｎｉ層５３ｂ、およびＳｎ層５３ｃ）を形成する。第１メッキ層４３および第２メッキ層５３を形成するには、たとえばバレルメッキを用いる。以上の工程を経ることにより、チップ抵抗器１００の製造が完成する。

次に、本実施形態の作用効果について説明する。

本実施形態においては、抵抗体２が、基板１に埋め込まれている。このような構成によれば、基板１の厚さ方向Ｚ１における、基板１および抵抗体２の集合体の全体寸法を小さくすることが可能となる。これにより、チップ抵抗器１００の薄型化が可能となる。

また、チップ抵抗器１００を製造する際には、抵抗集合体８２０が基板シート８１０に埋め込まれている集合シート８５０を用いることができる。そのため、チップ抵抗器１００を製造するためには、集合シート８５０を用意すればよく、抵抗集合体８２０を基板シート８１０に貼り付ける手間を削減できる。これは、チップ抵抗器１００の製造の効率化に資する。

本実施形態においては、絶縁層６の熱伝導率は、１．０Ｗ／（ｍ・Ｋ）〜５．０Ｗ／（ｍ・Ｋ）であり、比較的大きい。このような構成によると、抵抗体２にて発生した熱を、絶縁層６を経由して、チップ抵抗器１００の外部に放出させやすい。したがって、チップ抵抗器１００が過度に高温となることを防止できる。

本実施形態においては、第１電極４は、抵抗体２に直接接する第１下地層４１と、第１下地層４１を覆う第１メッキ層４３と、を含む。絶縁層６は、第１下地層４１と抵抗体２との間に介在している。このような構成によると、絶縁層６の上に第１メッキ層４３を形成しやすい。そのため、第１電極４の面積を大きくすることができる。第１電極４の面積を大きくすることができると、抵抗体２にて発生した熱を、第１電極４を介して、実装基板８９３に放出させやすくなる。すなわち、チップ抵抗器１００の放熱性の向上を図ることができる。

本実施形態においては、基板１は、絶縁性の材料よりなる。このような構成では、比較的厚さの厚いＣｕ電極を用いる必要がない。そのため、Ｃｕ電極を加工する手間を削減できる。これは、チップ抵抗器１００の製造の効率化に資する。

本実施形態では、基板１および実装基板８９３はいずれも、ガラスエポキシ樹脂基板である。このような構成では、基板１および実装基板８９３の各々の熱膨張率は、ほぼ同一である。そのため、チップ抵抗器１００の使用中に基板１が熱膨張したとしても、実装基板８９３も同様の割合で熱膨張すると考えられる。したがって、チップ抵抗器１００の使用中に、熱膨張の影響によって生じうる不具合（たとえば、チップ抵抗器１００が折れる）を防止できる。

＜第１実施形態の第１変形例＞
図１８を用いて、本発明の第１実施形態の第１変形例について説明する。

図１８は、本発明の第１実施形態の第１変形例を示す断面図である。

同図に示すチップ抵抗器１０１は、抵抗体２の第１抵抗体側面２３と、抵抗体２の第２抵抗体側面２４とが、基板１に覆われている点において、チップ抵抗器１００と主に相違する。その他の点に関しては、チップ抵抗器１００と同様であるから、説明を省略する。

チップ抵抗器１０１によっても、チップ抵抗器１００に関して述べたのと同様の作用効果を奏する。

＜第１実施形態の第２変形例＞
図１９を用いて、本発明の第１実施形態の第２変形例について説明する。

図１９は、本発明の第１実施形態の第２変形例を示す断面図である。

同図に示すチップ抵抗器１０２は、第１メッキ層４３が、第１下地層４１の第１下地層側面４１３と面一の面を有している点、および、第２メッキ層５３が、第２下地層５１の第２下地層側面５１４と面一の面を有している点において、チップ抵抗器１００と主に相違する。その他の点に関しては、チップ抵抗器１００と同様であるから、説明を省略する。なお、チップ抵抗器１０２を製造するには、図１６、図１７を参照して説明した、集合シート８５０の切断工程の前に、メッキ層を形成しておく。

チップ抵抗器１０２によっても、チップ抵抗器１００に関して述べたのと同様の作用効果を奏する。

＜第２実施形態＞
図２０〜図３９を用いて、本発明の第２実施形態について説明する。

図２０は、本発明の第２実施形態にかかるチップ抵抗器の実装構造の断面図である。

同図に示すチップ抵抗器の実装構造８９２は、チップ抵抗器２００と、実装基板８９３と、導電性接合部８９５とを備える。

実装基板８９３と、導電性接合部８９５と、については、第１実施形態で述べた説明を適用できるから、本実施形態では説明を省略する。

図２１は、図２０のＸＸＩ−ＸＸＩ線に沿うチップ抵抗器の矢視図（一部透視化）である。図２２は、図２０、図２１のＸＸＩＩ−ＸＸＩＩ線に沿うチップ抵抗器の断面図である。図２３は、図２０、図２１のＸＸＩＩＩ−ＸＸＩＩＩ線に沿うチップ抵抗器の断面図である。図２４は、図２１から第１メッキ層および第２メッキ層を省略した図（一部透視化）である。図２５は、図２０に示したチップ抵抗器の右側面図（一部透視化）である。図２６は、図２０に示したチップ抵抗器の左側面図（一部透視化）である。図２７は、図２０に示したチップ抵抗器の正面図である。図２８は、図２０に示したチップ抵抗器の背面図である。

これらの図に示すチップ抵抗器２００は、基板１と、抵抗体２と、接合層３と、第１電極４と、第２電極５と、絶縁層６と、を備える。

基板１は板状である。基板１は、絶縁性あるいは導電性である。基板１が絶縁性である場合、基板１を構成する材料には、たとえば、樹脂あるいはセラミックを含む。基板１を構成する材料に樹脂を含む場合、基板１を構成する樹脂は、たとえば、エポキシ樹脂である。基板１を構成する材料にセラミックを含む場合、このようなセラミックとしては、たとえば、Ａｌ₂Ｏ₃、ＡｌＮ、およびＳｉＣが挙げられる。基板１が導電性である場合、基板１を構成する材料は、たとえば、ＣｕあるいはＡｇである。なお、本実施形態においては、基板１はガラスエポキシ樹脂基板である。

基板１は、基板表面１１と、基板主面１２と、第１基板側面１３と、第２基板側面１４と、第１基板端面１５と、第２基板端面１６と、を有する。

基板表面１１と、基板主面１２と、第１基板側面１３と、第２基板側面１４と、第１基板端面１５と、第２基板端面１６はいずれも、平坦である。図２０に示すように、同図の上下方向を基板１の厚さ方向Ｚ１とする。そして、図２１に示すように、同図の右方向を第１方向Ｘ１とし、左方向を第２方向Ｘ２とし、上方向を第３方向Ｘ３とし、下方向を第４方向Ｘ４とする。基板１の最大厚さ（厚さ方向Ｚ１の最大寸法）は、たとえば、６０〜３００μｍである。厚さ方向Ｚ１は、第１方向Ｘ１、第２方向Ｘ２、第３方向Ｘ３、第４方向Ｘ４と互いに直交する。また、第１方向Ｘ１および第２方向Ｘ２はそれぞれ、第３方向Ｘ３および第４方向Ｘ４と直交する。

なお、チップ抵抗器２００の第１方向Ｘ１における寸法は、たとえば、５〜１０ｍｍであり、チップ抵抗器２００の第３方向Ｘ３における寸法は、たとえば、２〜１０ｍｍである。

基板表面１１および基板主面１２は互いに反対側を向く。第１基板側面１３は第１方向Ｘ１を向いている。第２基板側面１４は第２方向Ｘ２を向いている。すなわち第１基板側面１３および第２基板側面１４は互いに反対側を向いている。第１基板端面１５は第３方向Ｘ３を向いている。第２基板端面１６は第４方向Ｘ４を向いている。すなわち第１基板端面１５および第２基板端面１６は互いに反対側を向いている。

図２０に示すように、抵抗体２は基板１に配置されている。具体的には抵抗体２は基板１の基板表面１１側に配置されている。抵抗体２の厚さ（厚さ方向Ｚ１方向における寸法）は、たとえば、５０〜２００μｍである。本実施形態では、抵抗体２は厚さ方向Ｚ１視において、サーペンタイン状である。抵抗体２がサーペンタイン状であることは、抵抗体２の抵抗値を大きくできる点において好ましい。本実施形態とは異なり、抵抗体２がサーペンタイン状ではなく、たとえば、Ｘ１−Ｘ２方向に延びる帯状であってもよい。抵抗体２は、金属抵抗材料よりなり、このような金属抵抗材料としては、たとえば、マンガニン、ゼラニン、Ｎｉ−Ｃｒ合金、Ｃｕ−Ｎｉ合金、および、Ｆｅ−Ｃｒ合金が挙げられる。

図２１、図２２に示すように、抵抗体２は、抵抗体表面２１と、抵抗体主面２２と、第１抵抗体側面２３と、第２抵抗体側面２４と、を有する。抵抗体表面２１と、抵抗体主面２２と、第１抵抗体側面２３と、第２抵抗体側面２４はいずれも、平坦である。

抵抗体表面２１および抵抗体主面２２は互いに反対側を向いている。抵抗体表面２１は、基板表面１１の向く方向と同一方向（すなわち、図２０の下方向）を向いている。一方、抵抗体主面２２は、基板主面１２の向く方向と同一方向（すなわち、図２０の上方向）を向いている。抵抗体主面２２は基板１の方を向いている。第１抵抗体側面２３は第１方向Ｘ１を向いている。本実施形態では、第１抵抗体側面２３は、第１基板側面１３と面一になっている。第２抵抗体側面２４は第２方向Ｘ２を向いている。本実施形態では、第２抵抗体側面２４は第２基板側面１４と面一になっている。

接合層３は基板１および抵抗体２の間に介在している。具体的には、接合層３は基板１における基板表面１１と、抵抗体２との間に介在している。接合層３は、抵抗体２を基板表面１１に接合している。接合層３は絶縁性の材料よりなることが好ましい。このような絶縁性の材料としては、エポキシ系の材料が挙げられる。接合層３の厚さ（厚さ方向Ｚ１における寸法）は、たとえば、３０〜１００μｍである。図２０、図２２に示すように、本実施形態においては、接合層３は基板表面１１の全面を覆っている。

本実施形態とは異なり、接合層３が基板表面１１の一部のみに形成されていてもよい。たとえば、接合層３が、基板表面１１のうち抵抗体２と重なる領域のみに形成されていてもよい。

図２０、図２２に示すように、接合層３は、互いに反対側を向く接合層表面３１および接合層主面３２を有する。接合層表面３１は、基板表面１１の向く方向と同一方向（すなわち、図２０の下方向）を向いている。接合層表面３１は抵抗体２に直接接している。接合層主面３２は基板１に直接接している。

絶縁層６は抵抗体２を覆っている。絶縁層６は、接合層３を介して抵抗体２および基板１に配置されている。絶縁層６は、抵抗体２における抵抗体表面２１に直接接している。絶縁層６は、抵抗体２のうち第１方向Ｘ１側の部分と、抵抗体２のうち第２方向Ｘ２側の部分と、を露出させている。絶縁層６は、たとえば熱硬化性の材料よりなる。絶縁層６の第３方向Ｘ３における寸法は、基板１の第３方向Ｘ３における寸法と同一である。絶縁層６の最大厚さ（厚さ方向Ｚ１における最大寸法）は、たとえば、６０〜１５０μｍである。絶縁層６は、たとえば樹脂よりなる。絶縁層６は、抵抗体２にて発生した熱をチップ抵抗器２００の外部に放熱しやすくするため、絶縁層６を構成する材料としては熱伝導率が大きいものを用いることが好ましい。絶縁層６の熱伝導率は、基板１を構成する材料の熱伝導率よりも、大きいことが好ましい。絶縁層６の熱伝導率は、たとえば、１．０Ｗ／（ｍ・Ｋ）〜５．０Ｗ／（ｍ・Ｋ）であることが好ましい。

絶縁層６は、絶縁層表面６１と、絶縁層主面６２と、第１絶縁層側面６３と、第２絶縁層側面６４と、第１絶縁層端面６５と、第２絶縁層端面６６と、を有する。

絶縁層表面６１および絶縁層主面６２は互いに反対側を向いている。絶縁層表面６１は、抵抗体表面２１の向く方向と同一方向（すなわち、図２０の下方向）を向いている。絶縁層表面６１には、第１電極４および第２電極５が形成されている。絶縁層表面６１の一部（絶縁層表面６１のうち第１電極４と第２電極５とに挟まれた領域）は、第１電極４および第２電極５から露出している。絶縁層主面６２は、抵抗体主面２２の向く方向と同一方向（すなわち、図２０の上方向）を向いている。本実施形態では、接合層３に直接接している。具体的には、絶縁層主面６２は、接合層表面３１に直接接している。第１絶縁層側面６３は第１方向Ｘ１を向いている。第２絶縁層側面６４は第２方向Ｘ２を向いている。第１絶縁層端面６５は、第３方向Ｘ３を向いている。本実施形態では、第１絶縁層端面６５は、第１基板端面１５と面一となっている。第２絶縁層端面６６は、第４方向Ｘ４を向いている。第２絶縁層端面６６は、第２基板端面１６と面一となっている。

第１電極４は抵抗体２に導通している。第１電極４は、チップ抵抗器２００を実装する実装基板８９３から抵抗体２へと電力を供給するためのものである。第１電極４は、抵抗体２に直接接している。本実施形態においては、第１電極４は、抵抗体２における抵抗体表面２１に直接接している。本実施形態では更に、第１電極４は、抵抗体２における第１抵抗体側面２３と、絶縁層６と、を覆っている。本実施形態では、第１電極４と抵抗体２との間には、絶縁層６が介在している。本実施形態においては更に、第１電極４は、基板主面１２側を覆っていない。本実施形態とは異なり、第１電極４が基板主面１２を覆っていてもよい。図２０に示すように、実装構造８９２においては、第１電極４は、導電性接合部８９５に直接接しており、導電性接合部８９５を介して、実装基板８９３における配線パターン（図示略）と導通している。

図２０に示すように、第１電極４は、第１下地層４１と、第１メッキ層４３と、を含む。

第１下地層４１は抵抗体２に直接接している。本実施形態では、第１下地層４１は、絶縁層６上にメッキによって第１メッキ層４３を形成するために、形成されている。第１下地層４１は抵抗体表面２１のうち、絶縁層６から露出した部位に直接接している。第１下地層４１は、基板１の厚さ方向Ｚ１視において、抵抗体２に重なっている。また、第１下地層４１は、厚さ方向Ｚ１において抵抗体２から離間した部位を有している。第１下地層４１および抵抗体２の間には、絶縁層６が介在している。第１下地層４１は、第１メッキ層４３と絶縁層６との間に介在している。本実施形態では、第１下地層４１の第１方向Ｘ１における寸法が大きい方が好ましい。好ましくは、第１下地層４１の第１方向Ｘ１における寸法は、抵抗体２の第１方向Ｘ１における寸法の４分の１以上であり、更に好ましくは、抵抗体２の第１方向Ｘ１における寸法の３分の１以上である。第１下地層４１の第１方向Ｘ１における寸法は、たとえば、６００〜３２００μｍである。第１下地層４１の厚さは、抵抗体２の厚さよりも薄い。第１下地層４１は、ＰＶＤ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、あるいは印刷によって形成するとよい。本実施形態では、第１下地層４１は、ＰＶＤのうちのスパッタリングにより形成される。第１下地層４１の厚さは、たとえば、０．５〜１．０ｎｍである。第１下地層４１は、たとえば、ＮｉやＣｒを含む。

第１下地層４１は、第１下地層側面４１３を有している。第１下地層側面４１３は第１方向Ｘ１を向いている。本実施形態では、第１下地層側面４１３は、第１基板側面１３および第１抵抗体側面２３と面一となっている。

第１メッキ層４３は、第１下地層４１を直接覆っている。第１メッキ層４３は、抵抗体２に形成されている。第１メッキ層４３は、絶縁層６に直接接している。第１メッキ層４３は、絶縁層６のうち、第１下地層４１よりも第２方向Ｘ２側に位置する部位に、直接接している。実装基板８９３に実装される前のチップ抵抗器２００においては、第１メッキ層４３は外部に露出している。そのため、図２０に示すように、実装構造８９２においては、第１メッキ層４３は、導電性接合部８９５に直接接しており、導電性接合部８９５を介して、実装基板８９３における配線パターン（図示略）と導通している。なお、本実施形態では、第１メッキ層４３は、抵抗体２における第１抵抗体側面２３を覆っている。このことは、導電性接合部８９５にハンダフィレットを形成できる点において好ましい。

本実施形態においては具体的には、第１メッキ層４３は、Ｃｕ層４３ａと、Ｎｉ層４３ｂと、Ｓｎ層４３ｃと、を有する。Ｃｕ層４３ａは第１下地層４１を直接覆っている。Ｎｉ層４３ｂは、Ｃｕ層４３ａを直接覆っている。Ｓｎ層４３ｃは、Ｎｉ層４３ｂを直接覆っている。Ｓｎ層４３ｃは外部に露出している。チップ抵抗器２００の実装構造８９２においては、Ｓｎ層４３ｃには導電性接合部８９５（本実施形態ではハンダ）が付着する。Ｃｕ層４３ａの厚さは、たとえば１０〜５０μｍであり、Ｎｉ層４３ｂの厚さは、たとえば１〜１０μｍであり、Ｓｎ層４３ｃの厚さは、たとえば１〜１０μｍである。本実施形態とは異なり、第１メッキ層４３はＮｉ層４３ｂを含んでいなくてもよい。

第２電極５は、第１電極４に対し第２方向Ｘ２側に位置している。第２電極５は抵抗体２に導通している。第２電極５は、チップ抵抗器２００を実装する実装基板８９３から抵抗体２へと電力を供給するためのものである。第２電極５は、抵抗体２に直接接している。本実施形態においては、第２電極５は、抵抗体２における抵抗体表面２１に直接接している。本実施形態では更に、第２電極５は、抵抗体２における第２抵抗体側面２４と、絶縁層６と、を覆っている。本実施形態では、第２電極５と抵抗体２との間には、絶縁層６が介在している。本実施形態においては更に、第２電極５は、基板主面１２側を覆っていない。本実施形態とは異なり、第２電極５が基板主面１２を覆っていてもよい。図２０に示すように、実装構造８９２においては、第２電極５は、導電性接合部８９５に直接接しており、導電性接合部８９５を介して、実装基板８９３における配線パターン（図示略）と導通している。

図２０に示すように、第２電極５は、第２下地層５１と、第２メッキ層５３と、を含む。

第２下地層５１は抵抗体２に直接接している。本実施形態では、第２下地層５１は、絶縁層６上にメッキによって第２メッキ層５３を形成するために、形成されている。第２下地層５１は抵抗体表面２１のうち、絶縁層６から露出した部位に直接接している。第２下地層５１および抵抗体２の間には、絶縁層６が介在している。第２下地層５１は、第２メッキ層５３と絶縁層６との間に介在している。本実施形態では、第２下地層５１の第２方向Ｘ２における寸法が大きい方が好ましい。好ましくは、第２下地層５１の第２方向Ｘ２における寸法は、抵抗体２の第２方向Ｘ２における寸法の４分の１以上であり、更に好ましくは、抵抗体２の第２方向Ｘ２における寸法の３分の１以上である。第２下地層５１の第２方向Ｘ２における寸法は、たとえば、６００〜３２００μｍである。第２下地層５１の厚さは、抵抗体２の厚さよりも薄い。第２下地層５１は、ＰＶＤ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、あるいは印刷によって形成するとよい。本実施形態では、第２下地層５１は、ＰＶＤのうちのスパッタリングにより形成される。第２下地層５１の厚さは、たとえば、０．５〜１．０ｎｍである。第２下地層５１は、たとえば、ＮｉやＣｒを含む。

第２下地層５１は、第２下地層側面５１４を有している。第２下地層側面５１４は第２方向Ｘ２を向いている。本実施形態では、第２下地層側面５１４は、第２基板側面１４および第２抵抗体側面２４と面一となっている。

第２メッキ層５３は、第２下地層５１を直接覆っている。第２メッキ層５３は、抵抗体２に形成されている。第２メッキ層５３は、絶縁層６に直接接している。第２メッキ層５３は、絶縁層６のうち、第２下地層５１よりも第１方向Ｘ１側に位置する部位に、直接接している。実装基板８９３に実装される前のチップ抵抗器２００においては、第２メッキ層５３は外部に露出している。そのため、図２０に示すように、実装構造８９２においては、第２メッキ層５３は、導電性接合部８９５に直接接しており、導電性接合部８９５を介して、実装基板８９３における配線パターン（図示略）と導通している。なお、本実施形態では、第２メッキ層５３は、抵抗体２における第２抵抗体側面２４を覆っている。このことは、導電性接合部８９５にハンダフィレットを形成できる点において好ましい。

本実施形態においては具体的には、第２メッキ層５３は、Ｃｕ層５３ａと、Ｎｉ層５３ｂと、Ｓｎ層５３ｃと、を有する。Ｃｕ層５３ａは第２下地層５１を直接覆っている。Ｎｉ層５３ｂは、Ｃｕ層５３ａを直接覆っている。Ｓｎ層５３ｃは、Ｎｉ層５３ｂを直接覆っている。Ｓｎ層５３ｃは外部に露出している。チップ抵抗器２００の実装構造８９２においては、Ｓｎ層５３ｃには導電性接合部８９５（本実施形態ではハンダ）が付着する。Ｃｕ層５３ａの厚さは、たとえば１０〜５０μｍであり、Ｎｉ層５３ｂの厚さは、たとえば１〜１０μｍであり、Ｓｎ層５３ｃの厚さは、たとえば１〜１０μｍである。本実施形態とは異なり、第２メッキ層５３はＮｉ層５３ｂを含んでいなくてもよい。

次に、チップ抵抗器２００の製造方法について簡単に説明する。

まず、図２９に示すように、基板シート８１０を用意する。基板シート８１０は上述の基板１になるものである。基板シート８１０は絶縁材料よりなる。基板シート８１０はセラミックあるいは樹脂よりなる。セラミックとしては、たとえば、Ａｌ₂Ｏ₃、ＡｌＮ、およびＳｉＣが挙げられる。基板シート８１０は、互いに反対側を向くシート表面８１１およびシート裏面８１２を有する。

次に、図３０、図３１に示すように、基板シート８１０のシート表面８１１に接合材８３０を接合する。接合材８３０は、上述の接合層３になるものである。本実施形態においては接合材８３０は熱伝導性の接着シートである。そして、図３１に示した状態では、基板シート８１０のシート表面８１１に接合材８３０が仮熱圧着されている。

次に、図３０、図３１に示すように、シート表面８１１に、接合材８３０によって、抵抗集合体８２０を接合する。本実施形態では、図３０、図３１に示した状態では、抵抗集合体８２０は接合材８３０に仮圧着されている。抵抗集合体８２０は、上述の抵抗体２となるべき部分を複数有している。本実施形態では、サーペンタイン状の抵抗体２を形成するべく、抵抗集合体８２０をシート表面８１１に接合する前に、エッチングあるいは打ち抜き金型で抵抗集合体８２０に複数のサーペンタイン状の部分が形成されている。次に、抵抗集合体８２０にトリミング処理を施す（図示略）。抵抗体２の抵抗値の調整のためである。トリミング処理はたとえば、レーザや、サンドブラストや、ダイサーや、グラインダー等を用いて行われる。

本実施形態とは異なり、基板シート８１０のシート表面８１１に抵抗集合体８２０を接合するのに、接合材８３０としてシート状の部材を用いずに、液状の接着剤を用いてもよい。

次に、図３２、図３３に示すように、絶縁膜８６０を形成する。絶縁膜８６０は、上述の絶縁層６になるものである。絶縁膜８６０は、一方向に沿って延びる複数の帯状に形成される。絶縁膜８６０は、たとえば印刷あるいは塗布によって形成される。絶縁膜８６０からは、抵抗集合体８２０の一部が露出している。

次に、図３４、図３５に示すように、抵抗集合体８２０上に導電性材料８４０を積層させる。導電性材料８４０は、上述の第１下地層４１あるいは第２下地層５１になるものである。導電性材料８４０を積層させる工程は、ＰＶＤあるいはＣＶＤを用いる、導電性材料８４０を積層させるために用いるＰＶＤとしては、たとえばスパッタリングが挙げられる。本実施形態においては、導電性材料８４０を積層させる工程では、導電性材料８４０を、絶縁膜８６０の延びる方向に沿って帯状となるように積層させる。そのため、積層された導電性材料８４０からは、絶縁膜８６０の一部が露出している。なお、導電性材料８４０を帯状となるように積層させるには、たとえば、マスキングを行うとよい。導電性材料８４０は、たとえば、ＮｉやＣｒである。

次に、図３６、図３７に示すように、抵抗集合体８２０を切断することにより、複数の固片８８６が得られる。本実施形態では、抵抗集合体８２０および基板シート８１０が一括して切断される。固片８８６を得るには、たとえば、打ち抜きあるいはダイシングを行う。本実施形態では、固片８８６を得るために打ち抜きを行う。

固片８８６を得る際の切断によって、上述の第１基板側面１３、第２基板側面１４、第１基板端面１５、第２基板端面１６、第１抵抗体側面２３、第２抵抗体側面２４、第１下地層側面４１３、第２下地層側面５１４、第１絶縁層端面６５、および第２絶縁層端面６６が形成される。基板シート８１０、および抵抗集合体８２０等が同時に切断されることによって、上述の第１基板側面１３と、第１抵抗体側面２３と、第１下地層側面４１３と、が面一となる。同様に、基板シート８１０、および抵抗集合体８２０等が同時に切断されることによって、上述の第２基板側面１４と、第２抵抗体側面２４と、第２下地層側面５１４と、が面一となる。同様に、この切断によって、上述の第１基板端面１５と、第１絶縁層端面６５と、が面一となる。同様に、この切断によって、上述の第２基板端面１６と、第２絶縁層端面６６と、が面一となる。

次に、固片８８６に、図２０に示した第１メッキ層４３（Ｃｕ層４３ａ、Ｎｉ層４３ｂ、およびＳｎ層４３ｃ）、および、第２メッキ層５３（Ｃｕ層５３ａ、Ｎｉ層５３ｂ、およびＳｎ層５３ｃ）を形成する。第１メッキ層４３および第２メッキ層５３を形成するには、たとえばバレルメッキを用いる。以上の工程を経ることにより、チップ抵抗器２００の製造が完成する。

次に、本実施形態の作用効果について説明する。

本実施形態においては、絶縁層６の熱伝導率は、１．０Ｗ／（ｍ・Ｋ）〜５．０Ｗ／（ｍ・Ｋ）であり、比較的大きい。このような構成によると、抵抗体２にて発生した熱を、絶縁層６を経由して、チップ抵抗器２００の外部に放出させやすい。したがって、チップ抵抗器２００が過度に高温となることを防止できる。

本実施形態においては、第１電極４は、抵抗体２に直接接する第１下地層４１と、第１下地層４１を覆う第１メッキ層４３と、を含む。絶縁層６は、第１下地層４１と抵抗体２との間に介在している。このような構成によると、絶縁層６の上に第１メッキ層４３を形成しやすい。そのため、第１電極４の面積を大きくすることができる。第１電極４の面積を大きくすることができると、抵抗体２にて発生した熱を、第１電極４を介して、実装基板８９３に放出させやすくなる。すなわち、チップ抵抗器２００の放熱性の向上を図ることができる。これにより、チップ抵抗器２００が過度に高温となることを防止できる。

本実施形態においては、基板１は、絶縁性の材料よりなる。このような構成では、比較的厚さの厚いＣｕ電極を用いる必要がない。そのため、Ｃｕ電極を加工する手間を削減できる。これは、チップ抵抗器２００の製造の効率化に資する。

本実施形態では、基板１および実装基板８９３はいずれも、ガラスエポキシ樹脂基板である。このような構成では、基板１および実装基板８９３の各々の熱膨張率は、ほぼ同一である。そのため、チップ抵抗器２００の使用中に基板１が熱膨張したとしても、実装基板８９３も同様の割合で熱膨張すると考えられる。したがって、チップ抵抗器２００の使用中に、熱膨張の影響によって生じうる不具合（たとえば、チップ抵抗器２００が折れる）を防止できる。

＜第２実施形態の第１変形例＞
図３８を用いて、本発明の第２実施形態の第１変形例について説明する。

図３８は、本発明の第２実施形態の第１変形例を示す断面図である。

同図に示すチップ抵抗器２０１は、抵抗体２の第１抵抗体側面２３と、抵抗体２の第２抵抗体側面２４とが、基板１に覆われている点において、チップ抵抗器２００と主に相違する。その他の点に関しては、チップ抵抗器２００と同様であるから、説明を省略する。

チップ抵抗器２０１によっても、チップ抵抗器２００に関して述べたのと同様の作用効果を奏する。

＜第２実施形態の第２変形例＞
図３９を用いて、本発明の第２実施形態の第２変形例について説明する。

図３９は、本発明の第２実施形態の第２変形例を示す断面図である。

同図に示すチップ抵抗器２０２は、第１メッキ層４３が、第１下地層４１の第１下地層側面４１３と面一の面を有している点、および、第２メッキ層５３が、第２下地層５１の第２下地層側面５１４と面一の面を有している点において、チップ抵抗器２００と主に相違する。その他の点に関しては、チップ抵抗器２００と同様であるから、説明を省略する。なお、チップ抵抗器２０２を製造するには、図３６、図３７を参照して説明した、基板１シート８１０および抵抗集合体８２０の切断工程の前に、メッキ層を形成しておく。

チップ抵抗器２０２によっても、チップ抵抗器２００に関して述べたのと同様の作用効果を奏する。

本発明は、上述した実施形態に限定されるものではない。本発明の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。

１ 基板
１００，１０１，１０２，２００，２０１，２０２ チップ抵抗器
１１ 基板表面
１２ 基板主面
１３ 第１基板側面
１４ 第２基板側面
１５ 第１基板端面
１６ 第２基板端面
１９１ ガラス繊維部
１９２ 樹脂部
２ 抵抗体
２１ 抵抗体表面
２２ 抵抗体主面
２３ 第１抵抗体側面
２４ 第２抵抗体側面
３ 接合層
３１ 接合層表面
３２ 接合層主面
４ 第１電極
４１ 第１下地層
４１３ 第１下地層側面
４３ 第１メッキ層
４３ａ Ｃｕ層
４３ｂ Ｎｉ層
４３ｃ Ｓｎ層
５ 第２電極
５１ 第２下地層
５１４ 第２下地層側面
５３ 第２メッキ層
５３ａ Ｃｕ層
５３ｂ Ｎｉ層
５３ｃ Ｓｎ層
６ 絶縁層
６１ 絶縁層表面
６２ 絶縁層主面
６３ 第１絶縁層側面
６４ 第２絶縁層側面
６５ 第１絶縁層端面
６６ 第２絶縁層端面
８１０ 基板シート
８１１ シート表面
８１２ シート裏面
８２０ 抵抗集合体
８３０ 接合材
８４０ 導電性材料
８５０ 集合シート
８６０ 絶縁膜
８８６ 固片
８９１，８９２ 実装構造
８９３ 実装基板
８９５ 導電性接合部
Ｘ１ 第１方向
Ｘ２ 第２方向
Ｘ３ 第３方向
Ｘ４ 第４方向
Ｚ１ 厚さ方向

Claims (11)

1. 基板と、
   抵抗体と、
   前記基板および前記抵抗体の間に介在する接合層と、
   前記抵抗体を覆う絶縁層と、
   前記基板の厚さ方向において前記絶縁層に対して前記基板とは反対側に位置し、且つ前記抵抗体に導通している第１電極と、
   前記基板の厚さ方向において前記絶縁層に対して前記基板とは反対側に位置し、且つ前記抵抗体に導通しており、前記第１電極に対し、第１方向とは反対の第２方向側に位置する第２電極と、を備え、
   前記第１電極は、前記抵抗体に直接接する第１下地層と、前記第１下地層を覆う第１メッキ層と、を含み、
   前記第１メッキ層は、前記第１下地層を直接覆う第１金属層、前記第１金属層を直接覆う第２金属層、および前記第２金属層を直接覆う第３金属層を含み、
   前記基板は、前記第１方向を向く第１基板側面を有し、
   前記接合層は、前記第１方向を向く第１接合層側面を有し、
   前記第３金属層は、前記第１方向視において前記第１接合層側面のすべてと重なり、且つ前記第１基板側面の一部のみと重なる、チップ抵抗器。
2. 前記第２金属層は、前記第１方向視において前記第１接合層側面と重なり、且つ前記第１基板側面と重ならない、請求項１に記載のチップ抵抗器。
3. 前記第１金属層は、前記第１方向視において、前記第１基板側面および前記第１接合層側面と重ならない、請求項２に記載のチップ抵抗器。
4. 前記第３金属層は、前記第１基板側面に直接接する、請求項３に記載のチップ抵抗器。
5. 前記第２金属層は、前記第１接合層側面に直接接する、請求項４に記載のチップ抵抗器。
6. 前記第１基板側面と前記第１接合層側面とは、互いに面一である、請求項５に記載のチップ抵抗器。
7. 前記抵抗体は、前記第１方向を向く第１抵抗体側面を有し、
   前記第１金属層は、前記第１抵抗体側面に直接接する、請求項６に記載のチップ抵抗器。
8. 前記第１金属層は、Ｃｕよりなる、請求項１ないし７のいずれかに記載のチップ抵抗器。
9. 前記第２金属層は、Ｎｉよりなる、請求項１ないし８のいずれかに記載のチップ抵抗器。
10. 前記第３金属層は、Ｓｎよりなる、請求項１ないし９のいずれかに記載のチップ抵抗器。
11. 前記基板は、絶縁性材料よりなる、請求項１ないし１０のいずれかに記載のチップ抵抗器。

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