JP2017163165A - チップ抵抗器、およびチップ抵抗器の製造方法 - Google Patents

チップ抵抗器、およびチップ抵抗器の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2017163165A
JP2017163165A JP2017121238A JP2017121238A JP2017163165A JP 2017163165 A JP2017163165 A JP 2017163165A JP 2017121238 A JP2017121238 A JP 2017121238A JP 2017121238 A JP2017121238 A JP 2017121238A JP 2017163165 A JP2017163165 A JP 2017163165A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
resistor
plating film
end surface
base material
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2017121238A
Other languages
English (en)
Inventor
原田 賢一
Kenichi Harada
賢一 原田
将記 米田
Masaki Yoneda
将記 米田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Rohm Co Ltd
Original Assignee
Rohm Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rohm Co Ltd filed Critical Rohm Co Ltd
Priority to JP2017121238A priority Critical patent/JP2017163165A/ja
Publication of JP2017163165A publication Critical patent/JP2017163165A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Abstract

【課題】強度を保ちつつ、抵抗値を大きくできるチップ抵抗器を提供すること。【解決手段】 第1電極11と、第1電極11に対し、第1方向X1とは反対の第2方向X2に離間する第2電極12と、第1電極11および第2電極12に配置された抵抗体2と、第1電極11および抵抗体2の間、並びに、第2電極12および抵抗体2の間に介在している接合層3と、抵抗体2に導通している第1メッキ層4と、を備え、第1電極11は、平坦な第1電極外側面113を有し、抵抗体2は、第1方向X1側を向く第1抵抗体側面223を有し、第1電極外側面113は、第1抵抗体側面223と面一であり、第1メッキ層4は、第1方向X1と第1電極11の厚さ方向とに直交する第3方向における、第1電極外側面113の全体を、直接覆っている。【選択図】 図2

Description

本発明は、チップ抵抗器、およびチップ抵抗器の製造方法に関する。
従来から、電子機器に用いられるチップ抵抗器が知られている。たとえば特許文献1に開示のチップ抵抗器は、金属製の抵抗体と、2つの電極と、を備えている。2つの電極は互いに間隔を隔てて、抵抗体に設けられている。このチップ抵抗器においては、チップ抵抗器自体の強度を保つ必要があるので、金属製の抵抗体の厚さをあまり薄くできない。したがって、従来のチップ抵抗器では、抵抗値を十分に大きくすることができていない。
特開2009−218552号公報
本発明は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、強度を保ちつつ、抵抗値を大きくできるチップ抵抗器を提供することをその主たる課題とする。
本発明の第1の側面によると、第1電極と、前記第1電極に対し、第1方向とは反対の第2方向に離間する第2電極と、前記第1電極および前記第2電極に配置された抵抗体と、前記第1電極および前記抵抗体の間、並びに、前記第2電極および前記抵抗体の間に介在している接合層と、前記抵抗体に導通している第1メッキ層と、を備え、前記第1電極は、平坦な第1電極外側面を有し、前記抵抗体は、前記第1方向側を向く第1抵抗体側面を有し、前記第1電極外側面は、前記第1抵抗体側面と面一であり、前記第1メッキ層は、前記第1方向と前記第1電極の厚さ方向とに直交する第3方向における、前記第1電極外側面の全体を、直接覆っている、チップ抵抗器が提供される。
好ましくは、前記第1電極は、前記抵抗体が配置された第1電極表面と、前記第1電極表面とは反対側を向く第1電極裏面と、を有し、前記第1メッキ層は、前記第1電極裏面を直接覆っている。
好ましくは、前記第1電極は、互いに反対側を向く2つの第1電極端面を有し、前記2つの第1電極端面の一方は、前記第3方向を向いており、前記第1メッキ層は、前記2つの第1電極端面を直接覆っている。
好ましくは、前記第1電極は、前記第2電極の位置する側を向く第1電極内側面を有し、前記第1メッキ層は、前記第1電極内側面を直接覆っている。
好ましくは、前記第1電極は、前記第1電極の前記第1方向側の端部に形成された、前記厚さ方向のいずれか一方に尖った部分を含む。
好ましくは、前記第1電極における尖った部分は、前記第1電極表面側に形成されており、前記第1電極は、前記第1電極裏面および前記第1電極外側面をつなぐ第1曲面を有する。
好ましくは、前記抵抗体は、前記第1電極の厚さ方向視においてサーペンタイン状である。
好ましくは、前記接合層は、前記抵抗体の位置する側を向く接合層表面を有し、前記接合層表面は、前記抵抗体に直接接している。
好ましくは、前記第1メッキ層は、内側メッキ膜と、外側メッキ膜と、を含み、前記内側メッキ膜は、前記第1電極を直接覆っており、前記外側メッキ膜は、前記内側メッキ膜に積層されている。
好ましくは、前記第1メッキ層は、中間メッキ膜を含み、前記中間メッキ膜は、前記内側メッキ膜と、前記外側メッキ膜との間に介在している。
好ましくは、前記内側メッキ膜は、Cu、Ag、あるいはAuであり、前記外側メッキ膜は、Snであり、前記中間メッキ膜は、Niである。
好ましくは、前記抵抗体に導通している第2メッキ層を更に備え、前記第2電極は、平坦な第2電極外側面を有し、前記抵抗体は、前記第2方向側を向く第2抵抗体側面を有し、前記第2電極外側面は、前記第2抵抗体側面と面一であり、前記第2メッキ層は、前記第3方向における、前記第2電極外側面の全体を、直接覆っている。
好ましくは、前記第2電極は、前記抵抗体が配置された第2電極表面と、前記第2電極表面とは反対側を向く第2電極裏面と、を有し、前記第2メッキ層は、前記第2電極裏面を直接覆っている。
好ましくは、前記第2電極は、互いに反対側を向く2つの第2電極端面を有し、前記2つの第2電極端面の一方は、前記第3方向を向いており、前記第2メッキ層は、前記2つの第2電極端面を直接覆っている。
好ましくは、前記第2電極は、前記第1電極の位置する側を向く第2電極内側面を有し、前記第2メッキ層は、前記第2電極内側面を直接覆っている。
好ましくは、前記第2電極は、前記第2電極の前記第2方向側の端部に形成された、前記厚さ方向のいずれか一方に尖った部分を含む。
好ましくは、前記第2電極における尖った部分は、前記第2電極表面側に形成されており、前記第2電極は、前記第2電極裏面および前記第2電極外側面をつなぐ第2曲面を有する。
好ましくは、前記抵抗体を覆う、絶縁性の保護膜を更に備え、前記保護膜は、前記第1メッキ層に直接接している。
好ましくは、前記第1電極および前記第2電極の間に介在している、絶縁性の熱伝導部を更に備える。
好ましくは、前記熱伝導部は、前記接合層に直接接している。
好ましくは、前記第1電極および前記第2電極は、Cu、Ag、Au、あるいはAlよりなる。
好ましくは、前記接合層は、エポキシ系の材料よりなる。
好ましくは、前記抵抗体は、マンガニン、ゼラニン、Ni−Cr合金、Cu−Ni合金、あるいは、Fe−Cr合金よりなる。
本発明の第2の側面によると、本発明の第1の側面によって提供されるチップ抵抗器の製造方法であって、導電性の母材の母材表面に、接合材によって、抵抗体部材を接合する工程を備える、チップ抵抗器の製造方法が提供される。
好ましくは、前記母材には、一方向に沿って延びる複数の溝が形成されている。
好ましくは、前記接合材は、接着シートあるいは液状の接着剤である。
好ましくは、前記抵抗体部材を覆う、絶縁性の保護膜を形成する工程を備える。
好ましくは、前記抵抗体部材を接合する工程の後に、前記複数の溝の各々に熱伝導部を形成する工程を更に備える。
好ましくは、前記母材を切断し、複数の固片を得る工程を更に備える。
好ましくは、前記複数の固片を得る工程は、パンチングあるいはダイシングにより前記母材を切断する。
好ましくは、前記複数の固片を得る工程の後に、前記固片にメッキを行い、メッキ層を形成する工程を更に備える。
本発明のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
本発明の第1実施形態にかかるチップ抵抗器の平面図(一部透視化)である。 図1のII−II線に沿う断面図である。 図1のIII−III線に沿う断面図である。 図1のIV−IV線に沿う断面図である。 図1のV−V線に沿う断面図である。 図1のVI−VI線に沿う断面図である。 図1から第1メッキ層および第2メッキ層を省略した平面図(一部透視化)である。 図1に示したチップ抵抗器の右側面図(一部透視化)である。 図1に示したチップ抵抗器の左側面図(一部透視化)である。 図1に示したチップ抵抗器の正面図である。 図1に示したチップ抵抗器の背面図である。 本発明の第1実施形態にかかる第1電極のみを誇張して示す断面図である。 本発明の第1実施形態にかかる第2電極のみを誇張して示す断面図である。 図1に示したチップ抵抗器の製造方法における一工程を示す平面図である。 図1に示したチップ抵抗器の製造方法における一工程を示す裏面図である。 図14、図15のXVI−XVI線に沿う断面図である。 図14〜図16に続く一工程を示す平面図である。 図17のXVIII−XVIII線に沿う断面図である。 図17に続く一工程を示す部分拡大平面図である。 図19のXX−XX線に沿う断面図である。 図19に続く一工程を示す部分拡大平面図である。 図21のXXII−XXII線に沿う断面図である。 図22に続く一工程を示す断面図である。 図22に続く一工程を示す部分拡大平面図である。 図24のXXV−XXV線に沿う断面図である。
以下、本発明の実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。
<第1実施形態>
図1〜図25を用いて、本発明の第1実施形態について説明する。
図1は、本発明の第1実施形態にかかるチップ抵抗器の平面図(一部透視化)である。図2は、図1のII−II線に沿う断面図である。図3は、図1のIII−III線に沿う断面図である。図4は、図1のIV−IV線に沿う断面図である。図5は、図1のV−V線に沿う断面図である。図6は、図1のVI−VI線に沿う断面図である。図7は、図1から第1メッキ層および第2メッキ層を省略した平面図(一部透視化)である。図8は、図1に示したチップ抵抗器の右側面図(一部透視化)である。図9は、図1に示したチップ抵抗器の左側面図(一部透視化)である。図10は、図1に示したチップ抵抗器の正面図である。図11は、図1に示したチップ抵抗器の背面図である。
これらの図に示すチップ抵抗器100は、第1電極11と、第2電極12と、抵抗体2と、接合層3と、第1メッキ層4と、第2メッキ層5と、保護膜6と、を備える。
第1電極11は板状である。第1電極11は導電性の材料よりなる。第1電極11を構成する導電性の材料としては、たとえば、Cu、Ag、Au、およびAlが挙げられる。第1電極11を経由して、抵抗体2にて発生した熱がチップ抵抗器100の外部に放熱される。図2に示すように、同図の上下方向を第1電極11の厚さ方向Z1とする。そして、図1に示すように、同図の右方向を第1方向X1とし、左方向を第2方向X2とし、上方向を第3方向X3とし、下方向を第4方向X4とする。第1電極11の厚さ(厚さ方向Z1の寸法)は、たとえば、200〜800μmである。
なお、チップ抵抗器100の第1方向X1における寸法は、たとえば、3〜10mmであり、チップ抵抗器100の第3方向X3における寸法は、たとえば、1〜10mmである。
第1電極11は、第1電極表面111と、第1電極裏面112と、第1電極外側面113と、第1電極内側面114と、第1電極端面115と、第1電極端面116と、を有する。本実施形態では、少なくとも、第1電極表面111と、第1電極裏面112と、第1電極外側面113と、第1電極端面115と、第1電極端面116は、いずれも、平坦である。
第1電極表面111および第1電極裏面112は互いに反対側を向く。第1電極表面111は、厚さ方向Z1の一方を向き、第1電極裏面112は厚さ方向Z1の他方を向く。
第1電極外側面113は第1方向X1を向いている。第1電極内側面114は第2方向X2を向いている。すなわち第1電極外側面113および第1電極内側面114は互いに反対側を向いている。第1電極内側面114は、第2電極12の位置する側を向いている。第1電極端面115は第3方向X3を向いている。第1電極端面116は第4方向X4を向いている。すなわち第1電極端面115および第1電極端面116は互いに反対側を向いている。
図12は、本発明の第1実施形態にかかる第1電極11のみを誇張して示す断面図である。本実施形態では、図12に示すように、第1電極11は、厚さ方向Z1のいずれか一方に尖った部分119を有する。部分119は第1電極11の第1方向X1方向側の端部に形成されている。本実施形態においては、部分119は、第1電極表面111側に形成されている。本実施形態では更に、第1電極11は第1曲面118を有する。第1曲面118は、第1電極裏面112および第1電極外側面113をつないでいる。本実施形態では更に、第1曲面118は第1電極裏面112と第1電極端面115とを、また、第1電極裏面112と第1電極端面116とを、それぞれ、つないでいる。
第2電極12は、第1電極11に対して離間している。具体的には、第2電極12は、第1電極11に対して第1方向X1とは反対の第2方向X2に離間している。第2電極12は板状である。第2電極12は導電性の材料よりなる。第2電極12を構成する導電性の材料としては、たとえば、Cu、Ag、Au、およびAlが挙げられる。第2電極12を経由して、抵抗体2にて発生した熱がチップ抵抗器100の外部に放熱される。第2電極12の厚さ(厚さ方向Z1の寸法)は、たとえば、200〜800μmである。
第2電極12は、第2電極表面121と、第2電極裏面122と、第2電極外側面123と、第2電極内側面124と、第2電極端面125と、第2電極端面126と、を有する。本実施形態では、少なくとも、第2電極表面121と、第2電極裏面122と、第2電極外側面123と、第2電極端面125と、第2電極端面126は、いずれも、平坦である。
第2電極表面121および第2電極裏面122は互いに反対側を向く。第2電極表面121は、厚さ方向Z1の一方を向き、第2電極裏面122は厚さ方向Z1の他方を向く。第2電極外側面123は第2方向X2を向いている。第2電極内側面124は第1方向X1を向いている。すなわち第2電極外側面123および第2電極内側面124は互いに反対側を向いている。第2電極内側面124は、第1電極11の位置する側を向いている。本実施形態においては、第2電極内側面124の一部は、第1電極内側面114の一部と対向している。第2電極端面125は第3方向X3を向いている。第2電極端面126は第4方向X4を向いている。すなわち第2電極端面125および第2電極端面126は互いに反対側を向いている。
図13は、本発明の第1実施形態にかかる第2電極12のみを誇張して示す断面図である。本実施形態では、図13に示すように、第2電極12は、厚さ方向Z1のいずれか一方に尖った部分129を有している。部分129は第2電極12の第2方向X2方向側の端部に形成されている。本実施形態においては、部分129は、第2電極表面121側に形成されている。本実施形態では更に、第2電極12は第2曲面128を有する。第2曲面128は、第2電極裏面122および第2電極外側面123をつないでいる。本実施形態では更に、第2曲面128は第2電極裏面122と第2電極端面125とを、また、第2電極裏面122と第2電極端面126とを、それぞれ、つないでいる。
図2に示すように、抵抗体2は第1電極11および第2電極12に配置されている。具体的には抵抗体2は、第1電極11の第1電極表面111、および、第2電極12の第2
電極表面121に、配置されている。抵抗体2の厚さ(厚さ方向Z1方向における寸法)は、たとえば、50〜150μmである。本実施形態では、抵抗体2は厚さ方向Z1視において、サーペンタイン状である。抵抗体2がサーペンタイン状であることは、抵抗体2の抵抗値を大きくできる点において好ましい。本実施形態とは異なり、抵抗体2がサーペンタイン状ではなく、たとえば、X1−X2方向に延びる帯状であってもよい。抵抗体2は、金属抵抗材料よりなり、このような金属抵抗材料としては、たとえば、マンガニン、ゼラニン、Ni−Cr合金、Cu−Ni合金、および、Fe−Cr合金が挙げられる。
図1、図2に示すように、抵抗体2は、抵抗体表面21と、第1抵抗体側面223と、第1抵抗体端面225と、第1抵抗体端面226と、第2抵抗体側面233と、第2抵抗体端面235と、第2抵抗体端面236と、を有する。本実施形態において、抵抗体表面21と、第1抵抗体側面223と、第1抵抗体端面225と、第1抵抗体端面226と、第2抵抗体側面233と、第2抵抗体端面235と、第2抵抗体端面236は、いずれも平坦である。
抵抗体表面21は、図2の上側を向いている。第1抵抗体側面223は、第1方向X1を向いている。第1抵抗体側面223は、第1電極外側面113と面一である。第1抵抗体端面225は、第3方向X3を向いている。第1抵抗体端面225は、第1電極端面115と面一である。第1抵抗体端面226は、第4方向X4を向いている。第1抵抗体端面226は第1電極端面116と面一である。第2抵抗体側面233は、第2方向X2を向いている。第2抵抗体側面233は、第2電極外側面123と面一である。第2抵抗体端面235は、第3方向X3を向いている。第2抵抗体端面235は、第2電極端面125と面一である。第2抵抗体端面236は、第4方向X4を向いている。第2抵抗体端面236は第2電極端面126と面一である。
接合層3は、第1電極11と抵抗体2との間、および、第2電極12と抵抗体2との間に介在している。具体的には、接合層3は、第1電極11における第1電極表面111と、抵抗体2との間、および、第2電極12における第2電極表面121と抵抗体2との間に介在している。接合層3は、抵抗体2を、第1電極表面111および第2電極表面121に接合している。接合層3は絶縁性の材料よりなることが好ましい。このような絶縁性の材料としては、エポキシ系の材料が挙げられる。接合層3を構成する材料の熱伝導率は大きい方が好ましい。抵抗体2にて発生した熱を、接合層3を経由してチップ抵抗器100の外部に放出しやすくするためである。接合層3を構成する材料の熱伝導率は、たとえば、0.5〜3.0W/(m・K)である。接合層3の厚さ(厚さ方向Z1における寸法)は、たとえば、30〜100μmである。図2〜図6に示すように、本実施形態においては、接合層3は第1電極表面111の全面、および、第2電極表面121の全面を覆っている。
本実施形態とは異なり、接合層3が第1電極表面111の一部のみに形成されていてもよい。たとえば、接合層3が、第1電極表面111のうち抵抗体2と重なる領域のみに形成されていてもよい。同様に、接合層3が第2電極表面121の一部のみに形成されていてもよい。たとえば、接合層3が、第2電極表面121のうち抵抗体2と重なる領域のみに形成されていてもよい。
図2〜図6に示すように、接合層3は接合層表面31を有する。接合層表面31は、第1電極表面111の向く方向と同一方向(すなわち、図2の上方向)を向いている。接合層表面31は抵抗体2に直接接している。
図2に示すように、第1メッキ層4は抵抗体2に導通している。第1メッキ層4は、第3方向X3における、第1電極外側面113の全体を直接覆っている。本実施形態におい
ては、第1メッキ層4は、第1電極外側面113の全体を直接覆っている。本実施形態においては更に、第1メッキ層4は、第1電極裏面112と、第1電極内側面114と、第1電極端面115と、第1電極端面116と、を直接覆っている。本実施形態とは異なり、第1メッキ層4は、第1電極裏面112と、第1電極内側面114と、第1電極端面115と、第1電極端面116と、を全て直接覆っている必要はなく、これらの面の一部が第1メッキ層4から露出していてもよい。
第1メッキ層4は、第1内側メッキ膜41および第1外側メッキ膜43を含む。第1内側メッキ膜41は、たとえば、Cu、Ag、あるいはAuである。第1内側メッキ膜41は、第1電極外側面113を直接覆っている。本実施形態においては、第1内側メッキ膜41は、第1電極外側面113の全体を直接覆っている。本実施形態においては更に、第1内側メッキ膜41は、第1電極裏面112と、第1電極内側面114と、第1電極端面115と、第1電極端面116と、を直接覆っている。第1外側メッキ膜43は、第1内側メッキ膜41に積層されている。チップ抵抗器100の実装の際には、第1外側メッキ膜43にはハンダが付着する。第1外側メッキ膜43は、たとえば、Snである。
本実施形態においては、第1メッキ層4は、第1中間メッキ膜42を含む。第1中間メッキ膜42は、第1内側メッキ膜41と第1外側メッキ膜43との間に介在している。第1中間メッキ膜42は、たとえば、Niである。本実施形態とは異なり第1メッキ層4が第1中間メッキ膜42を含んでおらず、第1内側メッキ膜41と第1外側メッキ膜43とが直接接していてもよい。
第1内側メッキ膜41の厚さは、たとえば10〜50μmであり、第1中間メッキ膜42の厚さは、たとえば1〜10μmであり、第1外側メッキ膜43の厚さは、たとえば1〜10μmである。
図2に示すように、第2メッキ層5は抵抗体2に導通している。第2メッキ層5は、第3方向X3における、第2電極外側面123の全体を直接覆っている。本実施形態においては、第2メッキ層5は、第2電極外側面123の全体を直接覆っている。本実施形態においては更に、第2メッキ層5は、第2電極裏面122と、第2電極内側面124と、第2電極端面125と、第2電極端面126と、を直接覆っている。本実施形態とは異なり、第2メッキ層5は、第2電極裏面122と、第2電極内側面124と、第2電極端面125と、第2電極端面126と、を全て直接覆っている必要はなく、これらの面の一部が第2メッキ層5から露出していてもよい。
第2メッキ層5は、第2内側メッキ膜51および第2外側メッキ膜53を含む。第2内側メッキ膜51は、たとえば、Cu、Ag、あるいはAuである。第2内側メッキ膜51は、第2電極外側面123を直接覆っている。本実施形態においては、第2内側メッキ膜51は、第2電極外側面123の全体を直接覆っている。本実施形態においては更に、第2内側メッキ膜51は、第2電極裏面122と、第2電極内側面124と、第2電極端面125と、第2電極端面126と、を直接覆っている。第2外側メッキ膜53は、第2内側メッキ膜51に積層されている。チップ抵抗器100の実装の際には、第2外側メッキ膜53にはハンダが付着する。第2外側メッキ膜53は、たとえば、Snである。
本実施形態においては、第2メッキ層5は、第2中間メッキ膜52を含む。第2中間メッキ膜52は、第2内側メッキ膜51と第2外側メッキ膜53との間に介在している。第2中間メッキ膜52は、たとえば、Niである。本実施形態とは異なり第2メッキ層5が第2中間メッキ膜52を含んでおらず、第2内側メッキ膜51と第2外側メッキ膜53とが直接接していてもよい。
第2内側メッキ膜51の厚さは、たとえば10〜50μmであり、第2中間メッキ膜52の厚さは、たとえば1〜10μmであり、第2外側メッキ膜53の厚さは、たとえば1〜10μmである。
保護膜6は、絶縁性であり、抵抗体2を覆っている。保護膜6は、エポキシ系の材料よりなる。本実施形態においては、保護膜6は接合層3(具体的には、接合層3の接合層表面31)を直接覆っている。保護膜6は、第1メッキ層4および第2メッキ層5に接している。保護膜6は、たとえば熱硬化性の材料よりなる。保護膜6の最大厚さ(厚さ方向Z1における最大寸法)は、たとえば、100〜250μmである。
熱伝導部7は、絶縁性であり、第1電極11と第2電極12との間に介在している。熱伝導部7は、エポキシ系の材料よりなる。本実施形態においては、熱伝導部7は接合層3(具体的には、接合層3の裏面)を直接覆っている。また、熱伝導部7は、第1電極11の第1電極内側面114と、第2電極12の第2電極内側面124とに直接接している。熱伝導部7は、たとえば熱硬化性の材料よりなる。本実施形態では、熱伝導部7は、第1メッキ層4および第2メッキ層5に直接接している。抵抗体2にて発生した熱を、熱伝導部7を経由して、チップ抵抗器100の外部に放出しやすくするためには、熱伝導部7を構成する材料の熱伝導率は、保護膜6を構成する材料の熱伝導率よりも大きいことが好ましい。熱伝導部7を構成する材料の熱伝導率は、たとえば、0.5〜3.0W/(m・K)である。
次に、チップ抵抗器100の製造方法について説明する。
まず、図14〜図16に示すように、母材810を用意する。図14は、母材810の母材表面811を示し、図15は、母材810の母材裏面812を示す。母材810は上述の第1電極11および第2電極12になるものである。母材810は導電性の材料よりなる。母材810を構成する導電性の材料としては、たとえば、Cu、Ag、Au、およびAlが挙げられる。母材810には、複数の溝816が形成されている。複数の溝816はそれぞれ、一方向に沿うスリット状である。溝816は、母材810を、母材表面811から母材裏面812に貫通している。溝816の内面は、上述の第1電極内側面114および第2電極内側面124になる。溝816は、たとえば、エッチングあるいは打ち抜きによって形成されている。
次に、図17、図18に示すように、母材810の母材表面811に接合材830を接合する。接合材830は、上述の接合層3になるものである。本実施形態においては、接合材830は熱伝導性の接着シートである。そして、図17、図18に示した状態では、母材810の母材表面811に接合材830が仮熱圧着されている。なお、接合材830の一部は、溝816の一部に形成されてもよい。
次に、図19、図20に示すように、母材表面811に、接合材830によって、抵抗体部材820を接合する。本実施形態では、図19、図20に示した状態では、抵抗体部材820は接合材830に仮圧着されている。抵抗体部材820は、上述の抵抗体2となるべき部分を複数有している。本実施形態では、サーペンタイン状の抵抗体2を形成するべく、抵抗体部材820を母材表面811に接合する前に、エッチングあるいは打ち抜き金型で抵抗体部材820に複数のサーペンタイン状の部分が形成されている。
本実施形態とは異なり、母材810の母材表面811に抵抗体部材820を接合するのに、接合材830としてシート状の部材を用いずに、液状の接着剤を用いてもよい。
次に、抵抗体部材820にトリミング処理を施す(図示略)。抵抗体2の抵抗値の調整
のためである。トリミング処理はたとえば、レーザや、サンドブラストや、ダイサーや、グラインダー等を用いて行われる。
次に、図21、図22に示すように、絶縁性の保護膜860を形成する。保護膜860は、上述の保護膜6になるものである。保護膜860は、一方向に沿って延びる複数の帯状に形成される。保護膜860は、たとえば印刷あるいは塗布によって形成される。
次に、図23に示すように、熱伝導部870を形成する。熱伝導部870は、上述の熱伝導部7になるものである。熱伝導部870は、一方向に沿って延びる複数の帯状の溝816の各々に形成される。熱伝導部870は、たとえば印刷あるいは塗布によって形成される。
次に、図示しないが、図23に示した中間品を、たとえば、150〜200℃にて硬化させる。
次に、図24、図25に示すように、図23に示した中間品から複数の固片886を得る。具体的には、母材810を切断することにより、複数の固片886を得る。図24には、固片886となる箇所を二点鎖線を用いて示している。複数の固片886を得る工程では、たとえば、パンチングあるいはダイシングにより母材810を切断する。母材810が切断されることにより、第1電極11における以下の面(第1電極外側面113、第1電極端面115、および第1電極端面116)と、第2電極12における以下の面(第2電極外側面123、第2電極端面125、および第2電極端面126)と、抵抗体2における以下の面(第1抵抗体側面223、第1抵抗体端面225、第1抵抗体端面226、第2抵抗体側面233、第2抵抗体端面235、および第2抵抗体端面236)と、が形成される。
なお、固片886を得るためにパンチングを用いる場合、パンチング用の打ち抜き金型(図示略)が母材810および抵抗体部材820に力を与える。そのため、第1電極11や第2電極12の形状は完全な直方体にならない可能性がある。このとき、たとえば、図12に示したように、第1電極11に部分119や第1曲面118が形成されたり、図13に示したように、第2電極12に部分129や第2曲面128が形成されたりする可能性がある。
母材810および抵抗体部材820が同時に切断されることにより、上述のように、第1電極外側面113と第1抵抗体側面223とが面一となる。同様に、母材810および抵抗体部材820が同時に切断されることにより、上述のように、第2電極外側面123と第2抵抗体側面233とが面一となる。同様に、母材810および抵抗体部材820が同時に切断されることにより、上述のように、第1電極端面115と、第1抵抗体端面225と、第2電極端面125と、第2抵抗体端面235とが面一となる。同様に、母材810および抵抗体部材820が同時に切断されることにより、上述のように、第1電極端面116と、第1抵抗体端面226と、第2電極端面126と、第2抵抗体端面236とが面一となる。
次に、固片886に、図2等に示した第1メッキ層4(第1内側メッキ膜41、第1中間メッキ膜42、および第1外側メッキ膜43)、および、第2メッキ層5(第2内側メッキ膜51、第2中間メッキ膜52、および第2外側メッキ膜53)を形成する。第1メッキ層4および第2メッキ層5を形成するには、たとえば電解メッキを用いる。また、第1メッキ層4および第2メッキ層5を形成するには、たとえばバレルメッキを用いる。以上の工程を経ることにより、チップ抵抗器100の製造が完成する。
次に、本実施形態の作用効果について説明する。
本実施形態においては、チップ抵抗器100は、第1電極11と、第2電極12と、抵抗体2と、接合層3と、を備える。抵抗体2は、第1電極11および第2電極12に配置されている。接合層3は、第1電極11および抵抗体2の間、並びに、第2電極12および抵抗体2の間に介在している。このような構成によると、抵抗体2の厚みを小さくしても、第1電極11および第2電極12がチップ抵抗器100の強度を保つことができる。これにより、チップ抵抗器100の強度を保ちつつ、抵抗体2の抵抗値(チップ抵抗器100の抵抗値)を大きくすることができる。すなわち、ハイパワーのチップ抵抗器100が提供される。たとえば、本実施形態のチップ抵抗器100の抵抗値は、10mΩ以上であり、非常に大きい。
本実施形態においては、第1電極外側面113は、第1抵抗体側面223と面一である。このような構成によると、第1抵抗体側面223が第1電極外側面113よりも第2方向X2側に位置している場合と比較して、第1電極11と抵抗体2とを導通させるための第1メッキ層4以外の電極を形成することなく、第1電極11を形成することができる。これは、チップ抵抗器100の製造の効率化に資する。
同様に、本実施形態においては、第2電極外側面123は、第2抵抗体側面233と面一である。このような構成によると、第2抵抗体側面233が第2電極外側面123よりも第1方向X1側に位置している場合と比較して、第2電極12と抵抗体2とを導通させるための第2メッキ層5以外の電極を形成することなく、第2電極12を形成することができる。これは、チップ抵抗器100の製造の効率化に資する。
本発明は、上述した実施形態に限定されるものではない。本発明の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。
上述の説明では、抵抗体部材820を母材810に接合する前に、母材810に溝816が形成されている例を示したが、チップ抵抗器100の製造方法はこれに限定されない。たとえば、保護膜860を形成した後に、母材810に溝816を形成してもよい。
100 チップ抵抗器
11 第1電極
111 第1電極表面
112 第1電極裏面
113 第1電極外側面
114 第1電極内側面
115 第1電極端面
116 第1電極端面
118 第1曲面
119 部分
12 第2電極
121 第2電極表面
122 第2電極裏面
123 第2電極外側面
124 第2電極内側面
125 第2電極端面
126 第2電極端面
128 第2曲面
129 部分
2 抵抗体
21 抵抗体表面
223 第1抵抗体側面
225 第1抵抗体端面
226 第1抵抗体端面
233 第2抵抗体側面
235 第2抵抗体端面
236 第2抵抗体端面
3 接合層
31 接合層表面
4 第1メッキ層
41 第1内側メッキ膜
42 第1中間メッキ膜
43 第1外側メッキ膜
5 第2メッキ層
51 第2内側メッキ膜
52 第2中間メッキ膜
53 第2外側メッキ膜
6 保護膜
7 熱伝導部
810 母材
811 母材表面
812 母材裏面
816 溝
820 抵抗体部材
830 接合材
860 保護膜
870 熱伝導部
886 固片
X1 第1方向
X2 第2方向
X3 第3方向
X4 第4方向
Z1 厚さ方向

Claims (1)

  1. 表面と裏面とを備えた第1電極と、
    前記第1電極と離間して配置された表面と裏面とを備えた第2電極と、
    前記第1電極と前記第2電極との間に形成された表面と裏面とを備えた第1絶縁層と、
    表面と裏面とを備え、その裏面が前記第1電極と前記第1絶縁層と前記第2電極の各々の表面上に跨って形成された熱導電性を有する第2絶縁層と、
    前記第2絶縁層の表面上に形成された抵抗体と、
    前記第2絶縁層の表面上にて前記抵抗体と電気的に接続され、且つ前記第2絶縁層の表面上から前記第2絶縁層の一方側の側辺側を通って前記第1電極の裏面側まで延在する第1導電層と、
    前記第2絶縁層の表面上にて前記抵抗体と電気的に接続され、且つ前記第2絶縁層の表面上から前記第2絶縁層の前記一方側の側辺とは反対側の他方側の側辺側を通って前記第2電極の裏面側まで延在する第2導電層と、
    を有する抵抗器であって、
    前記第2絶縁層の裏面からの距離は、前記第1絶縁層の裏面よりも前記第1電極と前記第2電極の方が遠く、
    前記第1電極は、前記第2絶縁層の裏面側において前記第2電極と対向する第1側面を備え、
    前記第2電極は、前記第2絶縁層の裏面側において前記第1電極の前記第1側面と対向する第2側面を備え、
    前記第1導電層は、前記第1電極の裏面から前記第1側面まで延在し、
    前記第2導電層は、前記第2電極の裏面から前記第2側面まで延在することを特徴とする抵抗器。
JP2017121238A 2017-06-21 2017-06-21 チップ抵抗器、およびチップ抵抗器の製造方法 Pending JP2017163165A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017121238A JP2017163165A (ja) 2017-06-21 2017-06-21 チップ抵抗器、およびチップ抵抗器の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017121238A JP2017163165A (ja) 2017-06-21 2017-06-21 チップ抵抗器、およびチップ抵抗器の製造方法

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013032158A Division JP2014165194A (ja) 2013-02-21 2013-02-21 チップ抵抗器、およびチップ抵抗器の製造方法

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019076983A Division JP6732996B2 (ja) 2019-04-15 2019-04-15 チップ抵抗器

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2017163165A true JP2017163165A (ja) 2017-09-14

Family

ID=59857227

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017121238A Pending JP2017163165A (ja) 2017-06-21 2017-06-21 チップ抵抗器、およびチップ抵抗器の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2017163165A (ja)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03165501A (ja) * 1989-10-20 1991-07-17 Sfernice Soc Fr Des Electro Resistance チップ形電気抵抗器およびその製造方法
JPH07192902A (ja) * 1993-11-19 1995-07-28 Isabellenhuette Heusler Gmbh Kg Smd構造の抵抗器、その製造方法及びこの抵抗器を取り付けたプリント回路板
JPH1050502A (ja) * 1996-08-05 1998-02-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd 抵抗器およびその製造方法
JP2002313612A (ja) * 2001-04-16 2002-10-25 Rohm Co Ltd チップ型抵抗器の製造方法、およびチップ型抵抗器
JP2003197404A (ja) * 2001-12-20 2003-07-11 Samsung Electro Mech Co Ltd 薄膜チップ抵抗器及びその製造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03165501A (ja) * 1989-10-20 1991-07-17 Sfernice Soc Fr Des Electro Resistance チップ形電気抵抗器およびその製造方法
JPH07192902A (ja) * 1993-11-19 1995-07-28 Isabellenhuette Heusler Gmbh Kg Smd構造の抵抗器、その製造方法及びこの抵抗器を取り付けたプリント回路板
JPH1050502A (ja) * 1996-08-05 1998-02-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd 抵抗器およびその製造方法
JP2002313612A (ja) * 2001-04-16 2002-10-25 Rohm Co Ltd チップ型抵抗器の製造方法、およびチップ型抵抗器
JP2003197404A (ja) * 2001-12-20 2003-07-11 Samsung Electro Mech Co Ltd 薄膜チップ抵抗器及びその製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10102948B2 (en) Chip resistor and method for making the same
SE1251008A1 (sv) Semiconductor device including cladded base plate
JP2009302494A (ja) チップ抵抗器およびその製造方法
JP2011204838A (ja) 半導体発光装置の製造方法
US20140367153A1 (en) Chip resistor and mounting structure thereof
KR20000023266A (ko) 반도체칩 모듈용 다층 회로기판 및 그의 제조방법
JP2015002212A (ja) チップ抵抗器、チップ抵抗器の実装構造
JP6227877B2 (ja) チップ抵抗器、およびチップ抵抗器の製造方法
JPH10149901A (ja) 電気抵抗器および電気抵抗器の製造方法
JP6317895B2 (ja) チップ抵抗器、チップ抵抗器の実装構造
JP6120629B2 (ja) チップ抵抗器、およびチップ抵抗器の製造方法
JP2019021863A (ja) 多層基板
JP6732996B2 (ja) チップ抵抗器
JP6262458B2 (ja) チップ抵抗器、チップ抵抗器の実装構造
JP2017201675A (ja) 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP2017163165A (ja) チップ抵抗器、およびチップ抵抗器の製造方法
WO2013125033A1 (ja) 回路基板の製造方法
JPH04127564A (ja) リードフレームの製造方法
JP5464829B2 (ja) チップ抵抗器およびその製造方法
JP6272052B2 (ja) 電子素子搭載用基板及び電子装置
JP6810095B2 (ja) チップ抵抗器、チップ抵抗器の実装構造
JP2014060463A (ja) チップ抵抗器およびその製造方法
JP3889710B2 (ja) 混成集積回路装置
JP2013191678A (ja) 多層配線基板
TWI437582B (zh) 晶片電阻器之製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170703

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20170703

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20180620

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20180626

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20180824

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20190115