JP2002313612A - チップ型抵抗器の製造方法、およびチップ型抵抗器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 集合基板を用いてチップ型抵抗器を製造する
途中の過程において、集合基板を切断した切断面にバリ
が生じないチップ型抵抗器、およびチップ型抵抗器の製
造方法を提供する。 【解決手段】 平面視長矩形状を呈した単位基板の上面
に抵抗体が形成されているチップ型抵抗器の製造方法で
あって、上記単位基板となる基板エリアを複数有する集
合基板に対して、各基板エリア上の所定領域に上記抵抗
体をそれぞれ形成する工程と、上記抵抗体の上面側に、
上記抵抗体を保護するための樹脂製のオーバーコート層
を、厚みが２０μｍ〜１００μｍとなるようにかつ上記
各基板エリアに対してそれぞれの幅方向にはみ出すよう
にして形成する工程と、集合基板を上記オーバーコート
層が下になるように設置し、上記基板エリアに沿って切
断する工程と、を含むことを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本願発明は、たとえばプリン
ト配線基板に対して表面実装が可能なチップ型抵抗器の
製造方法、およびチップ型抵抗器に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、プリント配線基板に対する実装密
度を向上させる目的で、種々の電子部品が表面実装可能
なチップ型に置き換えられつつある。上記チップ型電子
部品の代表的なものとしては、図１８に示すようなチッ
プ型抵抗器が挙げられる。同図に示すように、このチッ
プ型抵抗器１００は、平面視長矩形状の単位基板１と、
この単位基板１の両端部に形成された電極２と、単位基
板１の上面１１に形成された抵抗体３とを有している。
電極２は、単位基板１の上面１１に形成された第１上面
電極２１ａと、単位基板１の下面１２に形成された下面
電極２２と、単位基板１の端面１３に形成された側面電
極２３と、第１上面電極２１ａの上面に形成された第２
上面電極２１ｂとからなり、上記抵抗体３は、第１上面
電極２１ａ同士を繋げるように形成されている。また、
抵抗体３の上面側には、抵抗体３を保護するためのオー
バーコート層４が形成されている。なお、抵抗体３とオ
ーバーコート層４との間には、抵抗体３の抵抗値を設定
する際に抵抗体３を保護するアンダーコート層５が形成
されている。

【０００３】このようなチップ型抵抗器１００を製造す
る際には、図１９に示すように、単位基板１となる基板
エリア１ａを複数有する集合基板１０が用いられる。こ
の集合基板１０は、所定の厚みを有する平板状に形成さ
れており、形成材料としては、一般的に、アルミナセラ
ミックが用いられている。上記基板エリア１ａは、たと
えば、マトリクス状に配列され、各基板エリア１ａ間に
は、縦切断線Ｌ１および横切断線Ｌ２に沿って集合基板
１０を切断する際に除去される余剰部分１８，１９が設
けられる。

【０００４】この集合基板１０を用いてチップ型抵抗器
１００を製造するには、まず、上記上面電極２１ａとな
る上面導体パターン２０ａと、上記下面電極２１ｂとな
る下面導体パターンとを形成する。上面導体パターン２
０ａは、図２０に示すように、横方向に互いに隣り合う
基板エリア１ａ間に跨るように形成される。上記下面導
体パターンは、上面導体パターン２０ａと対応するよう
に形成される。上面導体パターン２０ａおよび下面導体
パターン２０ｂは、たとえば、銀などを含む電極用ペー
ストを印刷焼成するなどしてそれぞれ被膜状に一括形成
される。

【０００５】次いで、図２１に示すように、各基板エリ
ア１ａに抵抗体３をそれぞれ形成する。抵抗体３は、各
基板エリア１ａにおいて上記上面導体パターン２０ａ同
士を掛け渡すように形成される。抵抗体３は、所定の電
気特性を有する抵抗体ペーストを印刷焼成することによ
って一括形成される。

【０００６】次いで、図２２に示すように、上記各抵抗
体３の上面を覆うようにアンダーコート層５を形成す
る。続いて、各基板エリア１ａごとに所定の抵抗値を設
定する。具体的には、図２３に示すように、抵抗体３に
対してレーザ加工等によるトリミングを施すことによっ
て、トリミング溝３１を形成する。

【０００７】次いで、トリミングによって生じる切り屑
等を取り除くために洗浄を行い、乾燥後、図２４に示す
ように、オーバーコート層４（図２４の斜線部分）を形
成する。オーバーコート層４は、少なくとも上記抵抗体
３の上面側が覆われるようにガラスなどにより形成され
る。そして、図２５に示すように、各基板エリア１ａに
おいてオーバーコート層４間から外部に露出していた上
面導体パターン２０ａ（第１上面電極２１ａ）を覆うよ
うに、樹脂銀などからなる第２上面電極２１ｂを形成す
る。

【０００８】次いで、この集合基板１０を各基板エリア
１ａの縦方向、すなわち切断線Ｌ１に沿って一次切断
し、細幅帯状の中間体を得る。次に、この中間体の切断
面に対して電極ペーストを印刷焼成して側面電極２３を
形成した後、中間体を横切断線Ｌ２に沿って二次切断
し、基板エリア１ａ（単位基板１）ごとに分割されたチ
ップを得る。そして、各チップに対して、より詳細に
は、第２上面電極２１ｂ、下面電極２２および側面電極
２３の表面に対して、ニッケルメッキおよび半田メッキ
を施し、最終的にチップ型抵抗器１００を得る。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】ここで、平面視で０．
６ｍｍ×０．３ｍｍ以下の小型のチップ型抵抗器１００
を製造する場合においては、集合基板１０を精密に切断
するために、上記一次切断および二次切断において、回
転する円板状のブレードＤ（図２６（ａ）ないし図２６
（ｃ）参照）を用いてダイシングを行うダイシングソー
方式が採用される。

【００１０】しかしながら、アルミナセラミックから形
成された集合基板１０は、硬度が比較的大きく被削性が
乏しいので、集合基板１０の切断時において、厚み方向
に最後まで切断されずに不要部分として切断面に残る、
いわゆるバリ生じることがあった。より詳細には、切断
の際に、集合基板１０は、図２６（ａ）に示すように、
シート状の基体９１に粘着層９２が形成されている粘着
シート９上に、上記オーバーコート層４が上になるよう
に載置される。ブレードＤとしては、たとえば厚みが４
０μｍ程度、直径が５０ｍｍ程度のものが用いられ、集
合基板１０の切断の際には、ブレードＤを所定の回転数
で回転させつつ上方から下方に向けて移動させるように
して操作する。

【００１１】集合基板１０は、ブレードＤの回転によっ
て削られるようにして、上面から裏面にかけて順次切断
されていく。このとき、図２６（ａ）に示すように、ブ
レードＤを下方に向けて移動させる力の一部がブレード
Ｄの厚さ方向に働き、この力（以下、「分断力Ｆ」とい
う）によって、集合基板１０は、ブレードＤをはさんで
左右に押し広げられようとする。被削性が優れた部材を
切断する場合、ブレードＤを下方に移動させる力の大部
分がこの部材を切断しようとする力となるため、分断力
Ｆは小となるが、被削性が乏しい集合基板１０を切断す
る場合、ブレードＤを移動させる力を大とする必要があ
るため、分断力Ｆは大きくなる。この分断力Ｆよりも、
ブレードＤの先端から粘着シート９までの間の被切断部
分１１１における結合力（引張り強さ）と、粘着シート
９の粘着力との合計が小となる場合、図２６（ｂ）に示
すように、切断の途中で被切断部分１１１が割れてしま
う。

【００１２】上記一次切断時には、切断するにつれて被
切断部分１１１の厚みが薄くなり、その結合力が小さく
なっていっても、中間体の平面視における面積が比較的
大であるため、中間体と粘着シート９との間の粘着力が
大となり、切断の途中で被切断部分１１１は割れること
がない。

【００１３】しかしながら、上記二次切断時には、切断
により得られるチップ１００′の平面視における面積が
比較的小であるため、粘着シート９との間の粘着力が小
となり、切断の途中で被切断部分１１１が割れてしまう
ことがある。このとき、図２６（ｃ）に示すように、中
間体１００″の位置は、粘着シート９上で維持されるた
め、ブレードＤをさらに下方に移動させることにより、
中間体１００″における被切断部分１１１の切り残し部
分１１１ａが切断され、切断面が平坦となるが、チップ
１００′は、粘着シート９から一旦剥離してブレードＤ
から遠方に離れてしまう。したがって、チップ１００′
における被切断部分１１１の切り残し部分１１１ｂは切
断されず、これがバリＶとなる。

【００１４】なお、切断途中における被切断部分１１１
の割れは、被切断部分１１１の厚みｄが２５μｍ程度と
なった際に生じることが本願発明者らの実験により求め
られている。

【００１５】本願発明は、上記した事情のもとで考え出
されたものであって、集合基板を用いてチップ型抵抗器
を製造する途中の過程において、集合基板を切断した切
断面にバリが生じないチップ型抵抗器の製造方法、およ
びチップ型抵抗器を提供することをその課題とする。

【００１６】

【発明の開示】上記課題を解決するため、本願発明で
は、次の技術的手段を講じている。

【００１７】すなわち、本願発明の第１の側面により提
供されるチップ型抵抗器の製造方法は、平面視長矩形状
を呈した単位基板の上面に抵抗体が形成されているチッ
プ型抵抗器の製造方法であって、上記単位基板となる基
板エリアを複数有する集合基板に対して、各基板エリア
上の所定領域に上記抵抗体をそれぞれ形成する工程と、
上記抵抗体の上面側に、上記抵抗体を保護するための樹
脂製のオーバーコート層を、厚みが２０μｍ〜１００μ
ｍとなるようにかつ上記各基板エリアに対してそれぞれ
の幅方向にはみ出すようにして形成する工程と、集合基
板を上記オーバーコート層が下になるように設置し、上
記基板エリアに沿って切断する工程と、を含むことを特
徴としている。

【００１８】上記オーバーコート層の厚みは、より好ま
しくは、２５μｍ〜５０μｍとされる。

【００１９】本願発明の第１の側面においては、上記集
合基板を切断する際に、集合基板は、その下面から上面
側に形成したオーバーコート層にかけて順次切断されて
いく。集合基板の切断に際しては、回転する円板状のブ
レードを上方から下方に向って移動させるように操作す
る。このようなブレードを移動させる力は、その一部が
ブレードの厚み方向に作用し、切断すべき被切断部分
を、ブレードを挟んで左右に押し広げようとする。これ
により、従来では、集合基板の厚みが切断過程で薄く
（２５μｍ程度）なったときに、切断途中で被切断部分
が割れることがあった。しかしながら、本願発明の第１
の側面においては、集合基板の厚みが２５μｍに達した
際には、被切断部分の厚みは全体として、オーバーコー
ト層を含めて２５μｍ以上となる。したがって、切断途
中で集合基板が割れるのを防止することができる。

【００２０】この後、切断が進行して、被切断部分の厚
みが全体として２５μｍに達した際には、被切断部分は
全てオーバーコート層ということになる。このオーバー
コート層は、樹脂により形成されているので、集合基板
よりも被削性が優れている。したがって、切断途中にお
いて、ブレードを下方に移動させる力は、その大部分が
オーバーコート層を切断しようとする力となり、オーバ
ーコート層は、最後までブレードによって切断される。

【００２１】つまり、従来のように、切断により個片と
されつつあるチップが、切断途中でブレードから遠方に
離れてしまうことがなく、集合基板をその厚み方向全体
にわたってブレードにより切断することができる。した
がって、チップの両切断面全域が平坦となる。その結
果、得られたチップ型抵抗器の切断面にバリが生じるの
を防止することができる。

【００２２】本願発明の第２の側面により提供されるチ
ップ型抵抗器の製造方法は、単位基板の上面に抵抗体が
形成されているチップ型抵抗器の製造方法であって、上
記単位基板の上面側となる第１基板エリアを複数有する
第１原基板と、上記各第１基板エリアと対応する第２基
板エリアを複数有しかつ上記第１原基板よりも被削性が
優れた材料により厚みが２０μｍ〜１００μｍとなるよ
うに形成された第２原基板とを貼り合わせることにより
集合基板を形成する工程と、上記集合基板に対して、上
記各第１基板エリア上の所定領域に上記抵抗体をそれぞ
れ形成する工程と、上記集合基板を上記第２原基板が下
になるように設置し、上記第１基板エリアおよび第２基
板エリアに沿って切断する工程と、を含むことを特徴と
している。

【００２３】上記第２原基板の厚みは、より好ましく
は、２５μｍ〜５０μｍとされる。

【００２４】好ましい実施の形態においては、上記第２
原基板は、窒化アルミニウムから形成されている。

【００２５】好ましい実施の形態においてはまた、上記
第２原基板は、ホルステライトから形成されている。

【００２６】本願発明の第２の側面においては、上記第
２原基板は、上記第１原基板よりも被削性が優れた材料
により厚みが２０μｍ〜１００μｍ（より好ましくは、
２５μｍ〜５０μｍ）となるように形成されており、ま
た、切断に際して集合基板は、上記第２原基板が下にな
るように設置される。すなわち、本願発明の第２の側面
においては、上記第１原基板が、本願発明の第１の側面
に係るチップ型抵抗器の製造方法における集合基板に対
応し、上記第２原基板が、本願発明の第１の側面に係る
チップ型抵抗器の製造方法におけるオーバーコート層に
対応しているとみなすことができる。したがって、第２
原基板は、切断途中で上記第１原基板が割れるのを防止
することができるとともに、厚み方向全体にわたってブ
レードによって切断され、切断途中でそれ自体が割れる
のが防止されうる。その結果、得られたチップ型抵抗器
の切断面にバリが生じるのを防止することができる。

【００２７】本願発明の第３の側面により提供されるチ
ップ型抵抗器の製造方法は、単位基板の上面に抵抗体が
形成されているチップ型抵抗器の製造方法であって、上
記単位基板となる基板エリアを複数有する集合基板に対
して、各基板エリアの下面にチップ型抵抗器の電極の一
部となる下面導体パターンを、厚みが２０μｍ〜１００
μｍとなるようにかつ上記各基板エリアに対してその幅
方向にはみ出すように形成する工程と、上記集合基板に
対して、上記各基板エリア上の所定領域に上記抵抗体を
それぞれ形成する工程と、上記集合基板を上記下面導体
パターンが下になるように設置し、上記基板エリアに沿
って切断する工程と、を含むことを特徴としている。

【００２８】上記下面導体パターンの厚みは、より好ま
しくは、２５μｍ〜５０μｍとされる。

【００２９】本願発明の第３の側面においては、チップ
型抵抗器の電極の一部となる上記下面導体パターンは、
その厚みが２０μｍ〜１００μｍ（より好ましくは、２
５μｍ〜５０μｍ）となるように形成されており、ま
た、切断に際して集合基板は、上記下面導体パターンが
下になるように設置される。一般に、チップ型抵抗器の
電極を形成するための導体パターンは、金属を含んだ電
極用ペーストを印刷焼成することにより形成されるの
で、集合基板よりも被削性が優れている。これらのこと
により、本願発明の第３の側面においては、上記下面導
体パターンが、本願発明の第１の側面に係るチップ型抵
抗器の製造方法におけるオーバーコート層に対応すると
みなすことができる。したがって、上記下面導体パター
ンは、切断途中で集合基板が割れるのを防止することが
できるとともに、厚み方向全体にわたってブレードによ
って切断され、切断途中でそれ自体が割れるのが防止さ
れうる。その結果、得られたチップ型抵抗器の切断面に
バリが生じるのを防止することができる。

【００３０】本願発明の第４の側面により提供されるチ
ップ型抵抗器は、本願発明の第１の側面ないし第３の側
面のいずれかにより提供されるチップ型抵抗器の製造方
法によって製造されたことを特徴としている。

【００３１】したがって、このチップ型抵抗器は、本願
発明の第１の側面に係るチップ型抵抗器の製造方法ない
し第３の側面に係るチップ型抵抗器の製造方法について
上述したのと同様の利点を享受することができる。

【００３２】なお、具体的には、このチップ型抵抗器
は、平面サイズが、０．６ｍｍ×０．３ｍｍよりも小さ
いものとされる。

【００３３】本願発明のその他の特徴および利点につい
ては、以下に行う発明の実施の形態の説明から、より明
らかになるであろう。

【００３４】

【発明の実施の形態】以下、本願発明の好ましい実施の
形態について、図面を参照して具体的に説明する。な
お、以下においては、平面視０．６ｍｍ×０．３ｍｍ以
下の小型のチップ型抵抗器を製造するものとする。

【００３５】図１は、本願発明に係るチップ型抵抗器の
製造方法の第１の実施形態により製造されたチップ型抵
抗器の内部構成を示す概略断面図である。なお、この図
では、電極の露出表面に形成されるニッケルメッキ層お
よび半田メッキ層が省略されている。図２ないし図１０
（ｃ）は、本願発明に係るチップ型抵抗器の製造方法の
第１の実施形態を説明するための図である。なお、これ
らの図において、従来例を示す図１８ないし図２６
（ｃ）に表された部材、部分等と同等のものにはそれぞ
れ同一の符号を付してある。

【００３６】図１に表れているように、チップ型抵抗器
Ａは、表面実装部品として形成されたものであって、単
位基板１と、この単位基板１の両端部に形成された一対
の電極２と、単位基板１の上面に形成された抵抗体３と
を備えている。

【００３７】上記単位基板１は、平面視長矩形状を呈し
ており、アルミナセラミックから形成されている。単位
基板１の厚みは、たとえば、平面視０．６ｍｍ×０．３
ｍｍのチップ型抵抗器の場合、０．１８ｍｍ程度とされ
ている。

【００３８】上記電極２は、単位基板１の両端部上面１
１に形成された第１上面電極２１ａと、単位基板１の下
面１２に形成された下面電極２２と、第１上面電極２１
ａの上面に形成された第２上面電極２１ｂと、単位基板
１の端面１３に形成された側面電極２３とからなる。第
１上面電極２１ａおよび下面電極２２は、たとえば金あ
るいは銀からなり、たとえば７μｍ〜１５μｍ程度の厚
みを有している。第２上面電極２１ｂは、たとえば銀の
粒子が樹脂で固められた、いわゆる樹脂銀からなり、抵
抗体３と直接的に接触する第１上面電極２１ａの電気的
特性を維持するために形成される。側面電極２３は、た
とえば金あるいは銀からなり、第１上面電極２１ａおよ
び第２上面電極２１ｂと下面電極２２とを導通接続する
ように形成されている。なお、第２上面電極２１ｂ、下
面電極２２および側面電極２３のうち、外部に露出して
いる部分には、図示しないニッケルメッキ層および半田
メッキ層が形成されている。

【００３９】上記抵抗体３は、上記第１上面電極２１ａ
同士を掛け渡すように形成されている。この抵抗体３
は、所定の電気的抵抗特性を有する金属あるいは酸化金
属などからなり、たとえばレーザ加工によるトリミング
によってトリミング溝が形成されることにより、所定の
抵抗値を有するように調整されている。

【００４０】上記抵抗体３の上面には、アンダーコート
層５が形成されている。このアンダーコート層５は、上
記したトリミングの際に抵抗体３の表面を保護するため
のものであり、たとえばガラスなどから形成される。な
お、このアンダーコート層５は、たとえば抵抗体３が薄
膜状とされている場合などでは、形成されない場合があ
る。

【００４１】上記抵抗体３の上面側には、上記したトリ
ミング後の抵抗体３を保護するためのオーバーコート層
４Ａが形成されている。オーバーコート層４Ａは、樹脂
により形成されているため、上記単位基板１よりも硬度
が小さく被削性が優れている。また、オーバーコート層
４Ａは、その厚みｔが、好ましくは、２０μｍ〜１００
μｍ、より好ましくは、２５μｍ〜５０μｍとなるよう
に形成されている。

【００４２】次に、上記チップ型抵抗器Ａの製造方法に
ついて説明する。なお、以下において、チップ型抵抗器
Ａには、上記したアンダーコート層５が形成されるもの
とする。

【００４３】このチップ型抵抗器Ａを製造する際には、
まず、単位基板１となる基板エリア１ａを複数有する集
合基板１０を用意する。この集合基板１０は、上記単位
基板１に対応して、アルミナセラミックにより所定の厚
みを有する平板状に形成されている。この第１の実施形
態では、集合基板１０は、図２に示すように、上記各基
板エリア１ａがマトリクス状に配列されている。各基板
エリア１ａ間には、縦切断線Ｌ１および横切断線Ｌ２に
沿って集合基板１０を切断する際に除去される縦余剰部
分１８および横余剰部分１９がそれぞれ設けられてい
る。縦余剰部分１８および横余剰部分１９の幅は、後述
するブレードＤの厚みに応じて設定される。

【００４４】次いで、上記上面電極２１ａの原形となる
上面導体パターン２０ａを集合基板１０の上面に、上記
下面電極２１ｂの原形となる下面導体パターンを集合基
板１０の下面に、それぞれ形成する。上面導体パターン
２０ａおよび下面導体パターンは、たとえばスクリーン
印刷法などを用いることによってそれぞれ一括形成され
る。すなわち、スクリーン印刷法によれば、まず、上面
導体パターン２０ａ（下面導体パターン）に対応した印
刷パターンが開口するように形成されているスクリーン
を集合基板１０上に載置し、微細な粒径を有する金ある
いは銀の粉末を含んだ電極用ペーストを、スキージなど
によりスクリーンの開口部から押し込む。そして、スク
リーンを集合基板１０上から取り除いて、電極用ペース
トを乾燥させた後、塗布した電極用ペーストを炉内で焼
成する。

【００４５】上記上面導体パターン２０ａは、図３に示
すように、各基板エリア１ａの両端部近傍にそれぞれ形
成されるとともに、横方向に互いに隣り合う基板エリア
１ａ間に跨るように形成される。すなわち、基板エリア
１ａの幅方向に延びている縦余剰部分１８上にも形成さ
れる。上記下面導体パターンは、上面導体パターン２０
ａと対応するように形成される。

【００４６】次いで、図４に示すように、各基板エリア
１ａの上面に上記抵抗体３をそれぞれ形成する。抵抗体
３は、各基板エリア１ａにおいて上面導体パターン２０
ａ同士を掛け渡すように形成される。この抵抗体３は、
たとえばスクリーン印刷法などを用いて一括焼成され
る。この場合、たとえば金属などの導電成分をガラスフ
リットなどに混入させて、所定の電気的抵抗特性が得ら
れるように形成された抵抗体ペーストが所定箇所に印刷
焼成される。

【００４７】次いで、図５に示すように、上記各抵抗体
３の上面にそれを覆うように、アンダーコート層５を形
成する。アンダーコート層５は、ガラス成分を含んだ絶
縁性ペーストを印刷焼成することによって形成され、た
とえば抵抗体３と平面視で略同等の面積を有するように
される。

【００４８】次いで、図６に示すように、チップ型抵抗
器Ａの抵抗値を所定の値に設定するために、上記各抵抗
体３に対してトリミングを行う。具体的には、測定プロ
ーブ（図示せず）を上記各上面導体パターン２０ａに接
触させて各抵抗体３の抵抗値を測定しながら、各抵抗体
３をアンダーコート層５の上から、たとえばレーザ加工
によって切除する。この結果、抵抗体３およびアンダー
コート層５には、たとえば略Ｌ字状のトリミング溝３１
が形成される。トリミングを行った後、集合基板１０
は、全体的に洗浄され、トリミングによって生じた切り
屑などが除去される。

【００４９】次いで、図７に示すように、各基板エリア
１ａに対して、上記オーバーコート層４Ａの原形となる
樹脂層４Ａａを形成する。この樹脂層４Ａａは、上記抵
抗体３（アンダーコート層５）の全上面を覆うととも
に、各基板エリア１ａに対してそれぞれの幅方向にはみ
出すようにして形成され、この第１の実施形態では、縦
方向に互いに隣り合う基板エリア１ａ間で連続した帯状
に形成される。すなわち、基板エリア１ａの長手方向に
延びている上記横余剰部分１９上にも形成される。

【００５０】この樹脂層４Ａａは、スクリーン印刷法に
より一括形成される。より詳細には、まず、樹脂層４Ａ
ａの形状に対応した印刷パターンが開口するように形成
されているスクリーンを集合基板１０上に載置し、溶融
した樹脂をスキージなどによりスクリーンの開口部から
押し込む。そして、スクリーンを集合基板１０上から取
り除いて、樹脂を乾燥させた後、塗布した樹脂を加熱硬
化する。

【００５１】また、樹脂層４Ａａは、オーバーコート層
４Ａの厚みに対応して、その厚みｔが、好ましくは、２
０μｍ〜１００μｍ、より好ましくは、２５μｍ〜５０
μｍとなるように形成される。この場合、スクリーン印
刷の際に、スクリーンとして、この値に応じた厚みを有
するものを用いることによって、樹脂層４Ａａを所望の
厚みとすることができる。

【００５２】次いで、図８に示すように、各基板エリア
１ａに対して上記第２上面電極２１ｂを形成する。第２
上面電極２１ｂは、上記第１上面電極のうち、樹脂層４
Ａａ間から露出している部分の上面を覆うように形成さ
れる。この第２上面電極２１ｂもスクリーン印刷法によ
り形成され、電極用ペーストとしては、微細な粒径を有
する銀の粉末にガラス粉末を添加して樹脂で分散させ
た、いわゆる樹脂銀ペーストが用いられる。

【００５３】次いで、集合基板１０を縦方向に切断する
一次切断を行う。すなわち、上記切断線Ｌ１に沿って集
合基板１０を切断し、縦方向に延びた中間体Ａ″（図９
参照）を得る。この切断工程では、チップ型抵抗器Ａが
０．６ｍｍ×０．３ｍｍ以下の小型のチップ型抵抗器で
あるため、精密な切断を行うために、回転する円板状の
ブレードＤなどを用いてダイシングを行うダイシングソ
ー方式が採用される。ブレードＤとしては、たとえば、
ダイヤモンド片を含む砥石などからなり、厚みが４０μ
ｍ程度、直径が５０ｍｍ程度のものが用いられる。切断
の際には、ブレードＤを所定の回転数で回転させつつ上
方から下方に向けて移動させるようにして操作する。

【００５４】次いで、図９に示すように、上記中間体
Ａ″における両切断面に、それぞれ側面電極２３を形成
する。各側面電極２３は、上記第１上面電極２１ａおよ
び第２上面電極２１ｂと上記下面電極２２とを導通する
ように形成される。この側面電極２３は、電極用ペース
トを印刷焼成することによって形成される。

【００５５】次いで、上記中間体Ａ″を横方向に切断す
る二次切断を行う。すなわち、上記横切断線Ｌ２に沿っ
て中間体Ａ″を切断し、基板エリア１ａ（単位基板１）
ごとに分割されたチップＡ′を得る。そして、第２上面
電極２１ｂ、下面電極２２、および側面電極２３の露出
した部分に対して、ニッケルメッキおよび半田メッキを
施すことにより、図示しないメッキ層を形成し、チップ
型抵抗器Ａを得る。

【００５６】以下、二次切断について詳細に説明する。
なお、中間体Ａ″において、裏面側の層（集合基板がな
す層）のことを、「アルミナ層」と表現する。

【００５７】二次切断においては、図１０（ａ）に示す
ように、上記中間体Ａ″を上記樹脂層４Ａａ（オーバー
コート層４Ａ）が下になるようにシート状の粘着シート
９上に載置して、上記ブレードＤを用いたダイシングを
行う。この粘着シート９は、シート状の基体９１の上面
に粘着層９２を有してなり、この粘着層９２を上にして
切断台Ｔ上に固定されている。粘着シート９としては、
たとえば基体９１が５０μｍ厚、粘着層９２が８０μｍ
厚程度のものが用いられ、この第１の実施形態では、常
温においては粘着力が比較的大きく、かつ、加熱した際
には粘着力が低下する熱剥離シートが用いられる。これ
により、中間体Ａ″を切断する際には、これを比較的強
固に仮固定することが可能となり、精密な切断を行うこ
とが可能となる。また、切断した個々のチップＡ′を移
動させる際には、粘着シート９を加熱して粘着力を低下
させた後、吸着コレットなどを用いて各チップＡ′を容
易に移動させることができる。

【００５８】ブレードＤは、上記一次切断時と同様に、
所定の回転数で回転しつつ上方から下方に向けて移動す
るように操作される。中間体Ａ″は、ブレードＤの回転
によって削られるようにして、アルミナ層１０ａから樹
脂層４Ａａにかけて順次切断されていく。このとき、ブ
レードＤを下方に向けて移動させる力の一部は、ブレー
ドＤの厚さ方向に作用し、この力（以下、「分断力Ｆ」
という）によって、中間体Ａ″は、ブレードＤをはさん
で左右に押し広げられようとする。また、中間体Ａ″
（および切断されつつあるチップＡ₁′）は、粘着シー
ト９の粘着力Ｎにより、位置がずれないようにされる。
さらに、中間体Ａ″は、ブレードＤの先端から粘着シー
ト９までの被切断部分１５Ａにおける結合力（引張り強
さ）Ｍによって、ブレードＤをはさんだ左右の結合を維
持しようとする。一般に、分断力Ｆよりも、粘着力Ｎと
結合力Ｍとの合計が小さくなった場合、切断の途中で被
切断部分１５Ａが割れてしまう。

【００５９】アルミナ層１０ａは比較的硬く被削性が乏
しいので、アルミナ層１０ａが切断されている間は、ブ
レードＤを下方に移動させる力を大とする必要があるた
め、分断力Ｆが大きくなってしまう。これにより、従来
では、被切断部分１５Ａが切断するにつれて薄くなって
被切断部分１５Ａの厚み、すなわちアルミナ層１０ａの
厚みが２５μｍ程度に達した際に、結合力Ｍが小さくな
ることによって、被切断部分１５Ａが割れてしまうこと
があった。しかしながら、この第１の実施形態では、ア
ルミナ層１０ａの厚みが２５μｍに達した場合でも、被
切断部分１５Ａの厚み全体としては、樹脂層４Ａａを含
めて２５μｍ以上となる。したがって、アルミナ層１０
ａには、樹脂層４Ａａの結合力が作用するため、アルミ
ナ層１０ａは切断途中で割れることがない。

【００６０】また、樹脂層４Ａａの厚みｔは、上述した
ように、好ましくは２０μｍ〜１００μｍ、より好まし
くは２５μｍ〜５０μｍとされているので、切断が進行
して、図１０（ｂ）に示すように、被切断部分１５Ａの
厚みが全体として２５μｍに達した際には、被切断部分
１５Ａは全て、樹脂層４Ａａということになる。樹脂層
４Ａａは、上述したように、比較的被削性が優れている
ので、ブレードＤを下方に移動させる力の大部分が樹脂
層４Ａａを切断しようとする力となるため、分断力Ｆ
は、小さくなる。これにより、樹脂層４Ａの切断途中に
おいても、被切断部分１５Ａが割れるのを防止すること
ができる。

【００６１】したがって、切断されつつあるチップ
Ａ₁′が粘着シート９から一旦剥離してブレードＤから
遠方に離れるのを防止することができるので、図６
（ｃ）に示すように、ブレードＤをさらに下方に移動さ
せれば、中間体Ａ″および切断されつつあるチップ
Ａ₁′をその厚み方向全体にわたって、ブレードＤによ
って切断することができる。その結果、得られたチップ
Ａ′は、両切断面が全体にわたって平坦となる。すなわ
ち、バリが生じるのを防止することができる。

【００６２】次に、本願発明に係るチップ型抵抗器およ
びチップ型抵抗器における他の実施形態について説明す
る。

【００６３】図１１は、本願発明に係るチップ型抵抗器
の製造方法の第２の実施形態により製造されたチップ型
抵抗器の内部構成を示す概略断面図である。なお、この
図では、電極の露出表面に形成されるニッケルメッキ層
および半田メッキ層が省略されている。図１２ないし図
１４（ｃ）は、本願発明に係るチップ型抵抗器の製造方
法の第２の実施形態を説明するための図である。なお、
これらの図においては、上記実施形態と同一または類似
の要素には、上記実施形態と同一符号を付している。

【００６４】図１１に表われているように、この第２の
実施形態により製造されるチップ型抵抗器Ｂは、２層構
造の単位基板１Ａと、この単位基板１Ａの上面１１Ａの
両端部に形成された第１上面電極２１ａと、単位基板１
Ａの下面１２Ａの両端部に形成された下面電極２２と、
第１上面電極２１ａ同士を繋げるように形成された抵抗
体３と、この抵抗体３の上面側に形成されたオーバーコ
ート層４と、第１上面電極２１ａの上面に形成された第
２上面電極２１ｂと、単位基板１Ａの両端面１３Ａに形
成された側面電極２３とを備えている。なお、上記抵抗
体３とオーバーコート層４との間には、上記したのと同
様のアンダーコート層５が形成されている。すなわち、
このチップ型抵抗器Ｂは、上記チップ型抵抗器Ａにおい
て、上記単位基板１の代わりに２層構造の単位基板１Ａ
を、上記オーバーコート層４Ａの代わりに上記オーバー
コート層４を具備しており、これらの点が第１の実施形
態に係るチップ型抵抗器Ａと異なっている。

【００６５】上記単位基板１Ａは、アルミナセラミック
（酸化アルミニウム）から形成されている第１基板層１
Ａａと、この第１基板層１Ａａよりも被削性が優れた材
料によって所定の厚みを有するように形成された第２基
板層１Ａｂとからなる。第１基板層１Ａａおよび第２基
板層１Ａｂは、平面視において互いに同一形状、同一サ
イズに形成されており、第１基板層１Ａａが単位基板１
Ａの上面側となるように積層されるとともに互いに密着
するように固着されている。また、単位基板１Ａは、上
記単位基板１と同様に、平面視長矩形状とされており、
その全体としての厚みは、たとえば、チップ型抵抗器Ｂ
を平面視０．６ｍｍ×０．３ｍｍのチップ型抵抗器とす
る場合、０．１８ｍｍ程度とされている。

【００６６】上記第２基板層１Ａｂは、具体的には、窒
化アルミニウム、あるいはホルステライトなどの絶縁体
から形成されている。窒化アルミニウムおよびホルステ
ライトは、モース硬度が両者ともに、７．０〜７．５程
度であり、アルミナセラミック（モース硬度＝８．５〜
９．０程度）よりも柔らかい。したがって、第２基板層
１Ａｂは、第１基板層１Ａａよりも被削性が優れること
となる。また、第２基板層１Ａｂの厚みｔは、好ましく
は、２０μｍ〜１００μｍ、より好ましくは、２５μｍ
〜５０μｍとされている。

【００６７】このチップ型抵抗器Ｂを製造する際には、
まず、図１２に示すように、上記単位基板１Ａの上面１
１Ａ、すなわち上記第１基板層１Ａａとなる第１基板エ
リア１Ａａ′を有する第１原基板１０Ａａと、この第１
基板エリア１Ａａ′に対応する第２基板エリア１Ａｂ′
を有する第２原基板１０Ａｂとを貼り合わせて集合基板
１０Ａを形成する。

【００６８】上記第１原基板１０Ａａは、上記集合基板
１０と同様に、各第１基板エリア１Ａａ′がマトリクス
状に配列されているとともに、縦切断線Ｌ１と横切断線
Ｌ２とが設定されている。また、各第１基板エリア１Ａ
ａ′間には、上記縦余剰部分１８および横余剰部分１９
と同様の縦余剰部分１８Ａおよび横余剰部分１９Ａが設
定されている。

【００６９】上記第２基板エリア１Ａｂ′は、上記第２
基板層１Ａｂとなる部分であって、第２原基板１０Ａｂ
は、第１基板層１Ａａよりも被削性が優れた材料によ
り、厚みｔが、好ましくは２０μｍ〜１００μｍ、より
好ましくは２５μｍ〜５０μｍとなるように形成されて
いる。また、この第２原基板１０Ａｂは、この第２の実
施形態では、平面視において第１原基板１０Ａａと同等
の面積を有している。

【００７０】次いで、上記上面電極２１ａの原形となる
上面導体パターン２０ａを集合基板１０Ａの上面、すな
わち上記第１原基板１０Ａａの表面に形成し、上記下面
電極２１ｂの原形となる下面導体パターンを集合基板１
０の下面、すなわち上記第２原基板１０Ａｂに形成す
る。上面導体パターン２０ａおよび下面導体パターン
は、それぞれ、第１の実施形態における上面導体パター
ン２０ａおよび下面導体パターンと同等のものであっ
て、第１の実施形態における上面導体パターン２０ａお
よび下面導体パターンについて上述したのと同様に、た
とえばスクリーン印刷法などを用いることによって一括
形成されるとともに、同様の形状に形成される。

【００７１】次いで、上記各第１基板エリア１Ａａ′に
上記抵抗体３を形成した後、上記アンダーコート層５を
形成し、各抵抗体３に対してアンダーコート層５の上か
らトリミングを行う。これらの工程は、上記した第１の
実施形態と同様に行なわれる。

【００７２】次いで、この集合基板１０Ａを洗浄した
後、これを乾燥させ、上記オーバーコート層４を形成す
る。このオーバーコート層４は、少なくとも抵抗体３が
覆われる程度の大きさに形成されればよく、この第２の
実施形態では、各抵抗体３が確実に覆われるように、図
１３に示すように、縦方向に互いに隣り合う第１基板エ
リア１Ａａ′間で連続する帯状に形成される。すなわ
ち、基板エリア１ａの長手方向に延びている上記横余剰
部分１９Ａ上にも形成されている。また、オーバーコー
ト層４は、ガラスなどにより、抵抗体３を保護しうる程
度に薄く形成されればよい。

【００７３】次いで、各第１基板エリア１Ａａ′に対し
て上記第２上面電極２１ｂを形成した後、この集合基板
１０Ａ、すなわち第１原基板１０Ａａおよび第２原基板
１０Ａｂを上記切断線Ｌ１に沿って縦方向に切断し、得
られた中間体Ｂ″における両切断面に、それぞれ側面電
極２３を形成する。これらの工程についても上記した第
１の実施形態と同様に行なわれる。

【００７４】次いで、上記中間体Ｂ″を横方向に切断す
る二次切断を行う。すなわち、上記横切断線Ｌ２に沿っ
て中間体Ｂ″を切断し、単位基板１Ａごとに分割された
チップＢ′を得る。そして、第２上面電極２１ｂ、下面
電極２２、および側面電極２３の露出した部分に対し
て、ニッケルメッキおよび半田メッキを施すことによ
り、図示しないメッキ層を形成し、チップ型抵抗器Ｂを
得る。

【００７５】二次切断においては、図１４（ａ）に示す
ように、上記中間体Ｂ″を上記第２原基板１０Ａｂが下
になるように上記粘着シート９上に載置して、上記ブレ
ードＤを操作する。中間体Ｂ″は、ブレードＤの回転に
よって削られながら、上記オーバーコート層４から第１
原基板１０Ａａおよび第２原基板１０Ａｂにかけて順次
切断されていく。このとき、上記中間体Ａ″の切断時と
同様に、中間体Ｂ″（および切断されつつあるチップＢ
₁′には、ブレードＤの厚さ方向に働く分断力Ｆ、粘着
シート９の粘着力Ｎが作用すると同時に、中間体Ｂ″
は、ブレードＤの先端から粘着シート９までの被切断部
分１５Ｂにおける結合力Ｍによって、ブレードＤをはさ
んだ左右の結合を維持しようとする。

【００７６】第１原基板１０Ａａは、上述したように、
アルミナセラミックにより形成されているので、被削性
が乏しいため、第１原基板１０Ａａが切断されている間
は、上記分断力Ｆが大きくなってしまう。しかしなが
ら、この第２の実施形態では、第１原基板Ａ１０ａの厚
みが２５μｍに達した場合でも、被切断部分１５Ｂの厚
み全体としては、第２原基板１０Ａｂを含めて２５μｍ
以上となる。したがって、第１原基板１０Ａａには、第
２原基板１０Ａｂの結合力が作用するため、第１原基板
１０Ａａの切断途中において、被切断部分１５Ｂが割れ
ることがない。

【００７７】また、第２原基板１０Ａｂの厚みは、上述
したように、好ましくは２０μｍ〜１００μｍ、より好
ましくは２５μｍ〜１００μｍとされているので、切断
が進行して、図１４（ｂ）に示すように、被切断部分１
５Ｂの厚みが全体として２５μｍに達した際には、被切
断部分１５Ｂは全て、第２原基板１０Ａｂということに
なる。第２原基板１０Ａｂは、上述したように、比較的
被削性が優れているので、第２原基板１０Ａｂの切断途
中においても、被切断部分１５Ｂが割れるのを防止する
ことができる。

【００７８】したがって、切断されつつあるチップ
Ｂ₁′が粘着シート９から一旦剥離してブレードＤから
遠方に離れるのを防止することができるので、図１４
（ｃ）に示すように、ブレードＤをさらに下方に移動さ
せれば、中間体Ｂ″および切断されつつあるチップ
Ｂ₁′をその厚み方向全体にわたって、ブレードＤによ
って切断することができる。その結果、バリが生じるの
を防止することができる。

【００７９】図１５は、本願発明に係るチップ型抵抗器
の製造方法の第３の実施形態により製造されたチップ型
抵抗器の内部構成を示す概略断面図である。なお、この
図では、電極の露出表面に形成されるニッケルメッキ層
および半田メッキ層が省略されている。図１６ないし図
１７（ｃ）は、本願発明に係るチップ型抵抗器の製造方
法の第３の実施形態を説明するための図である。なお、
これらの図においては、上記実施形態と同一または類似
の要素には、上記実施形態と同一符号を付している。

【００８０】図１５に表われているように、この第３の
実施形態により製造されるチップ型抵抗器Ｃは、上記単
位基板１と、この単位基板１の上面１１の両端部に形成
された第１上面電極２１ａと、単位基板１の下面１２の
両端部に所定厚みとなるように形成された下面電極２２
Ａと、第１上面電極２１ａ同士を繋げるように形成され
た抵抗体３と、この抵抗体３の上面側に形成されたオー
バーコート層４と、第１上面電極２１ａの上面に形成さ
れた第２上面電極２１ｂと、単位基板１の両端面１３に
形成された側面電極２３とを備えている。なお、上記抵
抗体３とオーバーコート層４との間には、上記したのと
同様のアンダーコート層５が形成されている。すなわ
ち、チップ型抵抗器Ｃは、上記チップ型抵抗器Ａにおい
て、上記下面電極２２の代わりに所定厚みを有する下面
電極２２Ａを、上記オーバーコート層４Ａの代わりに上
記オーバーコート層４を具備してなり、これらの点が第
１の実施形態に係るチップ型抵抗器Ａと異なっている。

【００８１】上記下面電極２２Ａは、上記上面電極２１
ａと同様に、たとえば、金あるいは銀などを含む電極用
ペーストを印刷焼成したものである。したがって、下面
電極２２Ａは、アルミナセラミックからなる単位基板１
よりも硬度が小さく被削性が優れている。また、下面電
極２２Ａの厚みｔは、好ましくは、２０μｍ〜１００μ
ｍ、より好ましくは、２５μｍ〜５０μｍとされる。

【００８２】このチップ型抵抗器Ｃを製造する際には、
まず、第１の実施形態と同様に、上記集合基板１０を用
意する。

【００８３】次いで、上記上面電極端子２１ａの原形と
なる上面導体パターン２０ａを集合基板１０の上面に形
成する。この上面導体パターン２０ａは、第１の実施形
態における上面導体パターン２０ａと同様に、たとえば
スクリーン印刷法などを用いることによって一括形成さ
れるとともに、同様の形状に形成される。

【００８４】次いで、図１６に示すように、上記下面電
極２２Ａの原形となる下面導体パターン２０Ａｂを集合
基板１０の裏面に形成する。この下面導体パターン２０
Ａｂは、各基板エリア１ａに対してその幅方向にはみ出
すように形成され、この第３の実施形態では、縦方向に
互いに隣り合う基板エリア１ａ間に連続する帯状に形成
される。すなわち、基板エリア１ａの長手方向に延びて
いる上記横余剰部分１９上にも形成される。

【００８５】この下面導体パターン２０Ａｂは、スクリ
ーン印刷法により一括形成される。より詳細には、たと
えば、まず、下面導体パターン２０Ａｂに対応した印刷
パターンが開口するように形成されているスクリーンを
集合基板１０上に載置し、微細な粒径を有する金あるい
は銀の粉末を含んだ電極用ペーストなどを、スキージな
どによりスクリーンの開口部から押し込む。そして、ス
クリーンを集合基板１０上から取り除いて、電極用ペー
ストを乾燥させた後、塗布した電極用ペーストを炉内で
焼成する。

【００８６】また、下面導体パターン２０Ａｂは、下面
電極２２Ａと対応して、その厚みｔが、好ましくは、２
０μｍ〜１００μｍ、より好ましくは、２５μｍ〜５０
μｍとなるように形成される。したがって、スクリーン
印刷の際に、スクリーンとして、この値に応じた厚みを
有するものを用いることによって、下面導体パターン２
０Ａｂを上記した所望の厚みとすることができる。

【００８７】なお、上面導体パターン２０Ａａを形成す
る工程と、下面導体パターン２０Ａｂを形成する工程と
は、いずれの工程を先に行ってもよい。

【００８８】次いで、上記基板エリア１ａに上記抵抗体
３を形成した後、上記アンダーコート層５を形成し、各
抵抗体３に対してアンダーコート層５の上からトリミン
グを行う。これらの工程は、上記した第１の実施形態と
同様に行なわれる。

【００８９】次いで、この集合基板１０Ａを洗浄した
後、これを乾燥させ、上記オーバーコート層４を形成す
る。これらの工程は、上記した第２の実施形態と同様に
行なわれる。

【００９０】次いで、各基板エリア１ａに対して上記第
２上面電極２１ｂを形成した後、この集合基板１０を上
記切断線Ｌ１に沿って縦方向に切断し、得られた中間体
Ｃ″における両切断面に、それぞれ上記側面電極２３を
形成する。これらの工程についても上記した第１の実施
形態と同様に行なわれる。

【００９１】次いで、上記中間体Ｃ″を横方向に切断す
る二次切断を行う。すなわち、上記横切断線Ｌ２に沿っ
て中間体Ｃ″を切断し、基板エリア１ａ（単位基板１）
ごとに分割されたチップＣ′を得る。そして、第２上面
電極２１ｂ、下面電極２２、および側面電極２３の露出
した部分に対して、ニッケルメッキおよび半田メッキを
施すことにより、図示しないメッキ層を形成し、チップ
型抵抗器Ｃを得る。

【００９２】二次切断においては、図１７（ａ）に示す
ように、上記中間体Ｃ″を上記下面導体パターン２０Ａ
ｂが下になるように上記粘着シート９上に載置して、ブ
レードＤを操作する。中間体Ｃ″は、ブレードＤの回転
によって切削されながら、アルミナ層１０ａから下面導
体パターン２０Ａｂにかけて順次切断されていく。この
とき、中間体Ｃ″（および切断されつつあるチップ
Ｃ₁′）には、ブレードＤの厚さ方向に働く分断力Ｆ、
粘着シート９の粘着力Ｎが作用すると同時に、中間体
Ｃ″は、ブレードＤの先端から粘着シート９までの被切
断部分１５Ｃにおける結合力Ｍによって、ブレードＤを
はさんだ左右の結合を維持しようとする。

【００９３】アルミナ層１０ａは、上述したように、比
較的被削性が乏しいため、アルミナ層１０ａが切断され
ている間は、上記分断力Ｆが大きくなってしまう。しか
しながら、この第３の実施形態では、アルミナ層１０ａ
の厚みが２５μｍに達した場合でも、被切断部分１５Ｃ
の厚み全体としては、下面導体パターン２０Ａｂを含め
て２５μｍ以上となる。したがって、アルミナ層１０ａ
には、下面導体パターン２０Ａｂの結合力が作用するた
め、アルミナ層１０ａの切断途中において、被切断部分
１５Ｃは割れることがない。

【００９４】また、下面導体パターン２０Ａｂの厚みｔ
は、上述したように、好ましくは２０μｍ〜１００μ
ｍ、より好ましくは２５μｍ〜１００μｍとされている
ので、切断が進行して、図１７（ｂ）に示すように、被
切断部分１５Ｃの厚みが全体として２５μｍに達した際
には、被切断部分１５Ｃは全て、下面導体パターン２０
Ａｂということになる。下面導体パターン２０Ａｂは、
上述したように、比較的被削性が優れているので、下面
導体パターン２０Ａｂの切断途中においても、被切断部
分１５Ｃが割れるのを防止することができる。

【００９５】したがって、切断されつつあるチップ
Ｃ₁′が粘着シート９から一旦剥離してブレードＤから
遠方に離れるのを防止することができるので、ブレード
Ｄをさらに下方に移動させれば、図１７（ｃ）に示すよ
うに、中間体Ｃ″および切断されつつあるチップＣ₁′
をその厚み方向全体にわたって、ブレードＤによって切
断することができる。その結果、バリが生じるのを防止
することができる。

【００９６】以上、説明してきたように、本願発明に係
るチップ型抵抗器の製造方法によれば、バリが生じてい
ない平坦な切断面を有するチップ型抵抗器を得ることが
できる。

【００９７】もちろん、この発明の範囲は上述した実施
の形態に限定されるものではない。たとえば、上記第１
上面電極２１ａの形状は、平面視で矩形状に限らず、こ
れを他の形状としてもよい。

【００９８】また、上記縦余剰部分１８（１８Ａ）およ
び横余剰部分１９（１９Ａ）は、上記ブレードＤの厚み
に対応した幅を有するように設定されているが、これら
の幅が大となるように設定することもできる。このよう
な場合、集合基板１０（１０Ａ）を切断する際に、各基
板エリア１ａ（第１基板エリア１Ａａ′）間を２回にわ
けて切断することによって、より精度の高いチップ型抵
抗器を製造することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本願発明に係るチップ型抵抗器の製造方法の第
１の実施形態により製造されたチップ型抵抗器の内部構
成を示す概略断面図である。

【図２】本願発明に係るチップ型抵抗器の製造方法の第
１の実施形態を説明するための概略平面図である。

【図３】本願発明に係るチップ型抵抗器の製造方法の第
１の実施形態を説明するための概略平面図である。

【図４】本願発明に係るチップ型抵抗器の製造方法の第
１の実施形態を説明するための概略平面図である。

【図５】本願発明に係るチップ型抵抗器の製造方法の第
１の実施形態を説明するための概略平面図である。

【図６】本願発明に係るチップ型抵抗器の製造方法の第
１の実施形態を説明するための概略平面図である。

【図７】本願発明に係るチップ型抵抗器の製造方法の第
１の実施形態を説明するための概略斜視図である。

【図８】本願発明に係るチップ型抵抗器の製造方法の第
１の実施形態を説明するための概略平面図である。

【図９】本願発明に係るチップ型抵抗器の製造方法の第
１の実施形態を説明するための概略斜視図である。

【図１０】本願発明に係るチップ型抵抗器の製造方法の
第１の実施形態を説明するための概略図であり、（ａ）
ないし（ｃ）は、集合基板の切断工程における一連の断
面図である。

【図１１】本願発明に係るチップ型抵抗器の製造方法の
第２の実施形態により製造されたチップ型抵抗器の内部
構成を示す概略断面図である。

【図１２】本願発明に係るチップ型抵抗器の製造方法の
第２の実施形態を説明するための概略斜視図である。

【図１３】本願発明に係るチップ型抵抗器の製造方法の
第２の実施形態を説明するための概略平面図である。

【図１４】本願発明に係るチップ型抵抗器の製造方法の
第２の実施形態を説明するための概略図であり、（ａ）
ないし（ｃ）は、集合基板の切断工程における一連の断
面図である。

【図１５】本願発明に係るチップ型抵抗器の製造方法の
第３の実施形態により製造されたチップ型抵抗器の内部
構成を示す概略斜視図である。

【図１６】本願発明に係るチップ型抵抗器の製造方法の
第３の実施形態を説明するための概略斜視図である。

【図１７】本願発明に係るチップ型抵抗器の製造方法の
第３の実施形態を説明するための概略図であり、（ａ）
ないし（ｃ）は、集合基板の切断工程における一連の断
面図である。

【図１８】従来のチップ型抵抗器の製造方法により製造
されたチップ型抵抗器の内部構成を示す概略断面図であ
る。

【図１９】従来のチップ型抵抗器の製造方法を説明する
ための概略平面図である。

【図２０】従来のチップ型抵抗器の製造方法を説明する
ための概略平面図である。

【図２１】従来のチップ型抵抗器の製造方法を説明する
ための概略平面図である。

【図２２】従来のチップ型抵抗器の製造方法を説明する
ための概略平面図である。

【図２３】従来のチップ型抵抗器の製造方法を説明する
ための概略平面図である。

【図２４】従来のチップ型抵抗器の製造方法を説明する
ための概略平面図である。

【図２５】従来のチップ型抵抗器の製造方法を説明する
ための概略平面図である。

【図２６】従来のチップ型抵抗器の製造方法を説明する
ための概略図であり、（ａ）ないし（ｄ）は、集合基板
の切断工程における一連の断面図である。

【符号の説明】

１，１Ａ 単位基板 １ａ 基板エリア １Ａａ′ 第１基板エリア １Ａｂ′ 第２基板エリア ３ 抵抗体 ４，４Ａ オーバーコート層 ５ アンダーコート層 １０，１０Ａ 集合基板 １０Ａａ 第１原基板 １０Ａｂ 第２原基板 ２０Ａｂ 下面導体パターン Ａ，Ｂ，Ｃ チップ型抵抗器

フロントページの続き Ｆターム(参考） 5E032 BA04 BB01 CA02 CC03 CC14 CC16 CC18 5E033 AA18 BB02 BC01 BD01 BE02 BG02 BH02

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 平面視長矩形状を呈した単位基板の上面
   に抵抗体が形成されているチップ型抵抗器の製造方法で
   あって、 上記単位基板となる基板エリアを複数有する集合基板に
   対して、各基板エリア上の所定領域に上記抵抗体をそれ
   ぞれ形成する工程と、 上記抵抗体の上面側に、上記抵抗体を保護するための樹
   脂製のオーバーコート層を、厚みが２０μｍ〜１００μ
   ｍとなるようにかつ上記各基板エリアに対してそれぞれ
   の幅方向にはみ出すようにして形成する工程と、 集合基板を上記オーバーコート層が下になるように設置
   し、上記基板エリアに沿って切断する工程と、を含むこ
   とを特徴とする、チップ型抵抗器の製造方法。
2. 【請求項２】 単位基板の上面に抵抗体が形成されてい
   るチップ型抵抗器の製造方法であって、 上記単位基板の上面側となる第１基板エリアを複数有す
   る第１原基板と、上記各第１基板エリアと対応する第２
   基板エリアを複数有しかつ上記第１原基板よりも被削性
   が優れた材料により厚みが２０μｍ〜１００μｍとなる
   ように形成された第２原基板とを貼り合わせることによ
   り集合基板を形成する工程と、 上記集合基板に対して、上記各第１基板エリア上の所定
   領域に上記抵抗体をそれぞれ形成する工程と、 上記集合基板を上記第２原基板が下になるように設置
   し、上記第１基板エリアおよび第２基板エリアに沿って
   切断する工程と、を含むことを特徴とする、チップ型抵
   抗器の製造方法。
3. 【請求項３】 上記第２原基板は、窒化アルミニウムか
   ら形成されている、請求項２に記載のチップ型抵抗器の
   製造方法。
4. 【請求項４】 上記第２原基板は、ホルステライトから
   形成されている、請求項２に記載のチップ型抵抗器の製
   造方法。
5. 【請求項５】 単位基板の上面に抵抗体が形成されてい
   るチップ型抵抗器の製造方法であって、 上記単位基板となる基板エリアを複数有する集合基板に
   対して、各基板エリアの下面にチップ型抵抗器の電極の
   一部となる下面導体パターンを、厚みが２０μｍ〜１０
   ０μｍとなるようにかつ上記各基板エリアに対してその
   幅方向にはみ出すように形成する工程と、 上記集合基板に対して、上記各基板エリア上の所定領域
   に上記抵抗体をそれぞれ形成する工程と、 上記集合基板を上記下面導体パターンが下になるように
   設置し、上記基板エリアに沿って切断する工程と、を含
   むことを特徴とする、チップ型抵抗器の製造方法。
6. 【請求項６】 請求項１ないし５のいずれかに記載の製
   造方法によって製造されたことを特徴とする、チップ型
   抵抗器。