JPH08102454A - セラミック電子部品の製造方法 - Google Patents
セラミック電子部品の製造方法Info
- Publication number
- JPH08102454A JPH08102454A JP25970694A JP25970694A JPH08102454A JP H08102454 A JPH08102454 A JP H08102454A JP 25970694 A JP25970694 A JP 25970694A JP 25970694 A JP25970694 A JP 25970694A JP H08102454 A JPH08102454 A JP H08102454A
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- Japan
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- ceramic plate
- ceramic
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- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 両面に導体膜を形成したセラミック板を切断
するセラミック電子部品の切断面のバリの発生を防止す
る。 【構成】 少なくもワーク固定台側の表面の金属膜上
に、この金属よりも延性および展性の小さい材料層を形
成し、反対側の面から切断刃を当てて素子に切断する。
一般的に用いられる銅あるいは銀の金属膜上にガラス、
ニッケル等の層を形成するとよい。 【効果】
するセラミック電子部品の切断面のバリの発生を防止す
る。 【構成】 少なくもワーク固定台側の表面の金属膜上
に、この金属よりも延性および展性の小さい材料層を形
成し、反対側の面から切断刃を当てて素子に切断する。
一般的に用いられる銅あるいは銀の金属膜上にガラス、
ニッケル等の層を形成するとよい。 【効果】
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、セラミック板の両面に
電極を形成し、これを複数の素子に分割するセラミック
電子部品の製造方法に係るもので、特に、分割するため
の切断方法に特徴を有するものである。
電極を形成し、これを複数の素子に分割するセラミック
電子部品の製造方法に係るもので、特に、分割するため
の切断方法に特徴を有するものである。
【０００２】
【従来の技術】セラミック電子部品は、誘電体、圧電
体、磁性体等のセラミックに電極を形成するもので、小
型化、薄形化の要請に応じて、内部に電極を形成して積
層したものや貼り合わせたものも用いられている。
体、磁性体等のセラミックに電極を形成するもので、小
型化、薄形化の要請に応じて、内部に電極を形成して積
層したものや貼り合わせたものも用いられている。
【０００３】これらのセラミック電子部品は、通常多数
の素子が一枚の基板に形成され、焼成後に表面に電極と
なる銅や銀の導体膜を形成してから個別の素子に切断さ
れる。この導体膜は、厚さが約10〜20μｍの厚膜で、入
出力端子、接地端子あるいはシールド用として用いられ
る。銅や銀を用いるのは導電率が良好なためである。
の素子が一枚の基板に形成され、焼成後に表面に電極と
なる銅や銀の導体膜を形成してから個別の素子に切断さ
れる。この導体膜は、厚さが約10〜20μｍの厚膜で、入
出力端子、接地端子あるいはシールド用として用いられ
る。銅や銀を用いるのは導電率が良好なためである。
【０００４】しかし、銅や銀は展性、延性が良いので、
表面にこれらの電極を形成したセラミックウェハをダイ
シングマシンで切断して素子に分割するとき、その切断
面に金属のバリが発生することが多い。このバリが生じ
ると、後の加工工程に困難を生じたり、また導体膜（電
極）間のショートの原因となることがなる。しかし、サ
イズの小さい素子ではバリを除去する作業は非常に難し
くなる。
表面にこれらの電極を形成したセラミックウェハをダイ
シングマシンで切断して素子に分割するとき、その切断
面に金属のバリが発生することが多い。このバリが生じ
ると、後の加工工程に困難を生じたり、また導体膜（電
極）間のショートの原因となることがなる。しかし、サ
イズの小さい素子ではバリを除去する作業は非常に難し
くなる。
【０００５】そこで、バリの発生を防ぐために、図４に
示したような切断方法を採ることがある。これは、金属
膜を両面に形成したセラミックウェハ40をガラス板45に
ワックス等を用いて接着させ、ガラス板をワーク固定台
47に吸着させて固定し、この状態で切断刃49を回転させ
てセラミックウェハ40を切断するものである。この場
合、ワックス層の厚みが大きくなるとバリが発生する原
因となり、また、ガラス板45は表面が削られるので使い
捨てされている。
示したような切断方法を採ることがある。これは、金属
膜を両面に形成したセラミックウェハ40をガラス板45に
ワックス等を用いて接着させ、ガラス板をワーク固定台
47に吸着させて固定し、この状態で切断刃49を回転させ
てセラミックウェハ40を切断するものである。この場
合、ワックス層の厚みが大きくなるとバリが発生する原
因となり、また、ガラス板45は表面が削られるので使い
捨てされている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、金属膜（電
極）を表面に形成したセラミックウェハの切断時に、そ
の金属のバリを生じにくく、後の加工も容易で信頼性の
高いセラミック電子部品を製造するものである。
極）を表面に形成したセラミックウェハの切断時に、そ
の金属のバリを生じにくく、後の加工も容易で信頼性の
高いセラミック電子部品を製造するものである。
【０００７】また、切断時に消耗する材料を少なくし
て、製造コストの低減を可能とするものである。
て、製造コストの低減を可能とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、銅や銀などの
電極の表面に別の材料層を形成した後にセラミックウェ
ハを切断することによって、上記の課題を解決するもの
である。
電極の表面に別の材料層を形成した後にセラミックウェ
ハを切断することによって、上記の課題を解決するもの
である。
【０００９】すなわち、セラミック板の両面に金属膜の
電極を形成し、このセラミック板を素子に切断するセラ
ミック電子部品の製造方法において、金属膜の少なくと
も一方の上面に当該金属よりも延性および展性の小さい
材料層を形成し、この材料層を形成したセラミック板を
素子に切断することに特徴を有するものである。
電極を形成し、このセラミック板を素子に切断するセラ
ミック電子部品の製造方法において、金属膜の少なくと
も一方の上面に当該金属よりも延性および展性の小さい
材料層を形成し、この材料層を形成したセラミック板を
素子に切断することに特徴を有するものである。
【００１０】より詳細には、セラミック板の両面に銅や
銀による金属膜の電極を形成し、このセラミック板を素
子に切断するセラミック電子部品の製造方法において、
銅や銀の金属膜の少なくとも一方の上面に銅よりも延性
および展性の小さい材料層を形成し、この材料層を形成
したセラミック板を素子に切断することを特徴を有する
ものである。
銀による金属膜の電極を形成し、このセラミック板を素
子に切断するセラミック電子部品の製造方法において、
銅や銀の金属膜の少なくとも一方の上面に銅よりも延性
および展性の小さい材料層を形成し、この材料層を形成
したセラミック板を素子に切断することを特徴を有する
ものである。
【００１１】
【作用】延性、展性の小さい材料層で覆われているの
で、銅や銀の金属膜が切断時に延びることを防止でき、
これによって、バリの発生を防止することが容易とな
る。
で、銅や銀の金属膜が切断時に延びることを防止でき、
これによって、バリの発生を防止することが容易とな
る。
【００１２】
【実施例】以下、図面を参照して、本発明の実施例につ
いて説明する。
いて説明する。
【００１３】図１は、本発明の実施例を示す正面断面図
である。銅や銀の金属膜（電極）が形成されたセラミッ
ク基板10をワーク支持台17に粘着テープ13によって固定
し、切断刃19によってセラミック基板10を素子に切断す
るものである。切断刃19の厚みは通常0.1 〜0.5mm で切
断刃を回転させてセラミック基板10を切断するが、上面
の導体膜は上側から切断刃19が当たるのでバリが発生し
ないが、下側の導体膜は内側から切断刃19が当たるので
バリを発生しやすい。
である。銅や銀の金属膜（電極）が形成されたセラミッ
ク基板10をワーク支持台17に粘着テープ13によって固定
し、切断刃19によってセラミック基板10を素子に切断す
るものである。切断刃19の厚みは通常0.1 〜0.5mm で切
断刃を回転させてセラミック基板10を切断するが、上面
の導体膜は上側から切断刃19が当たるのでバリが発生し
ないが、下側の導体膜は内側から切断刃19が当たるので
バリを発生しやすい。
【００１４】そこで、本発明においては、図３に示した
ように、セラミック基板30の表面に銅などの導体膜31を
形成した後、その表面にガラス等の導体膜よりも展性、
延性の小さい材料層32を形成しておく。導体膜31の厚さ
は通常10〜20μｍ程度であるが、この材料層32はこれよ
りも薄く形成すればよい。この材料層32はガラスであれ
ばペーストを塗布して焼付けにより、ニッケル等の金属
であればメッキ等により形成することができる。
ように、セラミック基板30の表面に銅などの導体膜31を
形成した後、その表面にガラス等の導体膜よりも展性、
延性の小さい材料層32を形成しておく。導体膜31の厚さ
は通常10〜20μｍ程度であるが、この材料層32はこれよ
りも薄く形成すればよい。この材料層32はガラスであれ
ばペーストを塗布して焼付けにより、ニッケル等の金属
であればメッキ等により形成することができる。
【００１５】上記のように、展性、延性の小さい材料層
を形成した表面を、図１に示したように、粘着テープ13
で固定して切断する。この粘着テープ13の一部まで切断
刃19が達するような深さで切断刃19を移動させて切断す
るとよい。
を形成した表面を、図１に示したように、粘着テープ13
で固定して切断する。この粘着テープ13の一部まで切断
刃19が達するような深さで切断刃19を移動させて切断す
るとよい。
【００１６】図２は、本発明の他の実施例を示す正面断
面図である。ワーク固定台27に治具25を介してセラミッ
ク基板20が固定され、切断刃29の回転・移動によってセ
ラミック基板20を素子に切断するものである。この場合
にも、セラミック基板20の少なくとも下側の表面の導体
膜（電極）の上に、その導体膜よりも展性、延性の小さ
い材料層を形成しておく。そして、治具25には切断位置
に刃先がはいる溝26が形成してある。このような治具25
を用いれば、切断時に消耗する材料をなくすることがで
きる。通常、この溝は治具の表面に格子状に形成してお
く。
面図である。ワーク固定台27に治具25を介してセラミッ
ク基板20が固定され、切断刃29の回転・移動によってセ
ラミック基板20を素子に切断するものである。この場合
にも、セラミック基板20の少なくとも下側の表面の導体
膜（電極）の上に、その導体膜よりも展性、延性の小さ
い材料層を形成しておく。そして、治具25には切断位置
に刃先がはいる溝26が形成してある。このような治具25
を用いれば、切断時に消耗する材料をなくすることがで
きる。通常、この溝は治具の表面に格子状に形成してお
く。
【００１７】銅や銀の導体膜の上に形成する展性、延性
の小さい材料層は、セラミック基板の両面に形成しても
よいが、ワーク固定台に対向する面のみに形成するよう
にしてもよい。また、切断するパターンに応じて、セラ
ミック基板の表面に切断刃の当たる部分に部分的に形成
してもよく、例えば格子状に形成しておいてもよい。
の小さい材料層は、セラミック基板の両面に形成しても
よいが、ワーク固定台に対向する面のみに形成するよう
にしてもよい。また、切断するパターンに応じて、セラ
ミック基板の表面に切断刃の当たる部分に部分的に形成
してもよく、例えば格子状に形成しておいてもよい。
【００１８】
【発明の効果】本発明によれば、導体膜（電極）を形成
したセラミック基板を素子に分割するために切断する際
にバリが発生しにくくなり、後の工程での処理が容易と
なるばかりでなく、電極の短絡等が生じにくい信頼性の
高い電子部品が得られる。
したセラミック基板を素子に分割するために切断する際
にバリが発生しにくくなり、後の工程での処理が容易と
なるばかりでなく、電極の短絡等が生じにくい信頼性の
高い電子部品が得られる。
【００１９】また、安価な粘着テープを消耗するのみで
済ませることができ、あるいは、繰り返し使用できる治
具のみでよいので、製造コストの低減の面でも有利とな
る。
済ませることができ、あるいは、繰り返し使用できる治
具のみでよいので、製造コストの低減の面でも有利とな
る。
【図１】 本発明の実施例を示す正面断面図
【図２】 本発明の他の実施例を示す正面断面図
【図３】 本発明に使用するセラミック基板の正面断面
図
図
【図４】 従来の方法を示す正面断面図
10、20、30：セラミック基板 13 ：粘着テープ 25 ：治具 17、27 ：ワーク固定台 19、29 ：切断刃 32 ：（展性、延性の小さい）材料層
Claims (7)
- 【請求項１】 セラミック板の両面に金属膜の電極を形
成し、このセラミック板を素子に切断するセラミック電
子部品の製造方法において、金属膜の少なくとも一方の
上面に当該金属よりも延性および展性の小さい材料層を
形成し、この材料層を形成したセラミック板を素子に切
断することを特徴とするセラミック電子部品の製造方
法。 - 【請求項２】 セラミック板の両面に銅による金属膜の
電極を形成し、このセラミック板を素子に切断するセラ
ミック電子部品の製造方法において、銅の金属膜の少な
くとも一方の上面に銅よりも延性および展性の小さい材
料層を形成し、この材料層を形成したセラミック板を素
子に切断することを特徴とするセラミック電子部品の製
造方法。 - 【請求項３】 セラミック板の両面に銀による金属膜の
電極を形成し、このセラミック板を素子に切断するセラ
ミック電子部品の製造方法において、銀の金属膜の少な
くとも一方の上面に銀よりも延性および展性の小さい材
料層を形成し、この材料層を形成したセラミック板を素
子に切断することを特徴とするセラミック電子部品の製
造方法。 - 【請求項４】 当該材料層がガラスである請求項２また
は請求項３記載のセラミック電子部品の製造方法。 - 【請求項５】 当該材料層がニッケルである請求項２ま
たは請求項３記載のセラミック電子部品の製造方法。 - 【請求項６】 セラミック板の両面に金属膜の電極を形
成し、このセラミック板を素子に切断するセラミック電
子部品の製造方法において、金属膜の少なくとも一方の
上面に当該金属よりも延性および展性の小さい材料層を
形成し、この材料層が形成された面を粘着テープでワー
ク固定台に固定し、このセラミック板と粘着テープの一
部に切断刃を当接させて、セラミック板を素子に切断す
ることを特徴とするセラミック電子部品の製造方法。 - 【請求項７】 セラミック板の両面に金属膜の電極を形
成し、このセラミック板を素子に切断するセラミック電
子部品の製造方法において、金属膜の少なくとも一方の
上面に当該金属よりも延性および展性の小さい材料層を
形成し、この材料層が形成されたセラミック板の面を切
断線に沿って溝が形成されたワーク固定台に固定し、セ
ラミック板を素子に切断することを特徴とするセラミッ
ク電子部品の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25970694A JP2937774B2 (ja) | 1994-09-30 | 1994-09-30 | セラミック電子部品の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25970694A JP2937774B2 (ja) | 1994-09-30 | 1994-09-30 | セラミック電子部品の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08102454A true JPH08102454A (ja) | 1996-04-16 |
| JP2937774B2 JP2937774B2 (ja) | 1999-08-23 |
Family
ID=17337810
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25970694A Expired - Fee Related JP2937774B2 (ja) | 1994-09-30 | 1994-09-30 | セラミック電子部品の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2937774B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003048209A (ja) * | 2001-08-06 | 2003-02-18 | Tokuyama Corp | セラミックチップの製造方法 |
| US7380333B2 (en) | 2001-04-16 | 2008-06-03 | Rohm Co., Ltd. | Chip resistor fabrication method |
| JP2012183760A (ja) * | 2011-03-07 | 2012-09-27 | Tdk Corp | 電子部品の製造方法 |
-
1994
- 1994-09-30 JP JP25970694A patent/JP2937774B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7380333B2 (en) | 2001-04-16 | 2008-06-03 | Rohm Co., Ltd. | Chip resistor fabrication method |
| JP2003048209A (ja) * | 2001-08-06 | 2003-02-18 | Tokuyama Corp | セラミックチップの製造方法 |
| JP2012183760A (ja) * | 2011-03-07 | 2012-09-27 | Tdk Corp | 電子部品の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2937774B2 (ja) | 1999-08-23 |
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