JP6262458B2 - チップ抵抗器、チップ抵抗器の実装構造 - Google Patents

Description

本発明は、チップ抵抗器と、チップ抵抗器の実装構造と、に関する。

従来から、抵抗器が知られている（たとえば特許文献１参照）。同文献に開示の抵抗器は、板状の抵抗体と、２つの電極とを備えている。２つの電極は、互いに離間した状態で、抵抗体に配置されている。このような抵抗器の抵抗値は、２つの電極の距離に依存する。たとえば、抵抗値の大きい抵抗器を得るには、２つの電極の距離を大きくする必要がある。２つの電極の距離を大きくすると、各電極の大きさは小さくなる。各電極の大きさが小さくなると、抵抗器にて発生した熱を効率よく抵抗器の外部に放出できない。

特開２００２−５７００９号公報

本発明は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、放熱性の向上を図ることのできるチップ抵抗器を提供することをその主たる課題とする。

本発明の第１の側面によると、抵抗板表面を有する抵抗板と、第１電極と、第２電極と、絶縁層と、を備え、前記第２電極は、前記第１電極に対して、前記抵抗板の厚さ方向に直交する第１方向とは反対の第２方向に位置し、前記抵抗板表面は、前記第１電極が接する第１領域と、前記第２電極が接する第２領域と、前記絶縁層が接する中間領域と、を含み、前記中間領域は、前記第１方向において、前記第１領域および前記第２領域の間に位置しており、前記第１電極は、第１下地層と、第１メッキ層と、を含み、前記第１下地層は、前記厚さ方向において、前記第１メッキ層および前記絶縁層との間に介在している、チップ抵抗器が提供される。

好ましくは、前記第１下地層は、前記絶縁層に接している。

好ましくは、前記第１下地層および前記第１メッキ層は、前記厚さ方向視において、前記中間領域に重なっている部分を有する。

好ましくは、前記第１下地層および前記第１メッキ層は、前記厚さ方向視において、前記第１領域に重なっている部分を有する。

好ましくは、前記第１メッキ層は、第１内側メッキ膜および第１外側メッキ膜を含み、前記第１内側メッキ膜は、前記第１外側メッキ膜および前記第１下地層の間に介在しており、前記第１内側メッキ膜は、Ｃｕ、Ａｇ、あるいはＡｕよりなり、前記第１外側メッキ膜は、Ｓｎよりなる。

好ましくは、前記第１メッキ層は、第１中間メッキ膜を含み、前記第１中間メッキ膜は、第１内側メッキ膜および第１外側メッキ膜の間に介在しており、第１中間メッキ膜は、Ｎｉよりなる。

好ましくは、前記第１下地層は、前記第１方向に露出している。

好ましくは、前記第１下地層は、ＮｉあるいはＣｒよりなる。

好ましくは、前記第１下地層の厚さは、前記絶縁層および前記第１メッキ層のいずれの厚さよりも薄い。

好ましくは、前記第１下地層は、スパッタリングにより形成される。

好ましくは、前記第１下地層は、前記第１領域に接している。

好ましくは、前記第１電極は、前記第１メッキ層および前記抵抗板の間に介在する第１導電層を含み、前記第１導電層は、前記第１領域に接している。

好ましくは、前記第１導電層は、前記第１下地層の厚さよりも厚い。

好ましくは、前記第１導電層は、前記第１方向に露出している。

好ましくは、前記抵抗板は、前記第１方向を向く第１抵抗板側面を有し、前記第１電極は、前記第１方向を向く電極側面を有し、前記第１抵抗板側面および前記電極側面は、面一である。

好ましくは、前記第１電極は、第１電極表面と第１曲面とを有し、前記第１電極表面は、前記抵抗板表面の向く方向と同一方向を向いており、前記第１曲面は、前記第１電極表面と前記電極側面とをつないでいる。

好ましくは、前記抵抗板は、前記第１方向および前記厚さ方向のいずれにも直交する第３方向を向く第１抵抗板端面を有し、前記第１電極は、前記第３方向を向く第１電極端面を有し、前記第１抵抗板端面および前記第１電極端面は、面一である。

好ましくは、前記抵抗板は、前記第３方向とは反対の第４方向を向く第２抵抗板端面を有し、前記第１電極は、前記第４方向を向く第２電極端面を有し、前記第２抵抗板端面および前記第２電極端面は、面一である。

好ましくは、前記第２電極は、第２下地層と、第２メッキ層と、を含み、前記第２下地層は、前記厚さ方向において、前記第２メッキ層および前記絶縁層との間に介在している。

好ましくは、前記第２下地層は、前記絶縁層に接している。

好ましくは、前記第２下地層および前記第２メッキ層は、前記厚さ方向視において、前記中間領域に重なっている部分を有する。

好ましくは、前記第２下地層および前記第２メッキ層は、前記厚さ方向視において、前記第２領域に重なっている部分を有する。

好ましくは、前記第２メッキ層は、第２内側メッキ膜および第２外側メッキ膜を含み、前記第２内側メッキ膜は、前記第２外側メッキ膜および前記第２下地層の間に介在しており、前記第２内側メッキ膜は、Ｃｕ、Ａｇ、あるいはＡｕよりなり、前記第２外側メッキ膜は、Ｓｎよりなる。

好ましくは、前記第２メッキ層は、第２中間メッキ膜を含み、前記第２中間メッキ膜は、第２内側メッキ膜および第２外側メッキ膜の間に介在しており、第２中間メッキ膜は、Ｎｉよりなる。

好ましくは、前記第２下地層は、前記第２方向に露出している。

好ましくは、前記第２下地層は、ＮｉあるいはＣｒよりなる。

好ましくは、前記第２下地層の厚さは、前記絶縁層および前記第２メッキ層のいずれの厚さよりも薄い。

好ましくは、前記第２下地層は、スパッタリングにより形成される。

好ましくは、前記抵抗板は、前記抵抗板表面とは反対側を向く抵抗板主面を有し、前記抵抗板主面を覆う保護層を更に備える。

好ましくは、前記抵抗板は、マンガニン、ゼラニン、Ｎｉ−Ｃｒ合金、Ｃｕ−Ｎｉ合金、あるいは、Ｆｅ−Ｃｒ合金よりなる。

好ましくは、前記絶縁層は、前記第１電極および前記第２電極が形成された絶縁層表面を有する。

好ましくは、前記絶縁層の熱伝導率は、１．０Ｗ／（ｍ・Ｋ）〜５．０Ｗ／（ｍ・Ｋ）である。

本発明の第２の側面によると、本発明の第１の側面によって提供されるチップ抵抗器と、前記チップ抵抗器が実装された実装基板と、前記実装基板と前記チップ抵抗器との間に介在する導電性接合部と、を備える、チップ抵抗器の実装構造が提供される。

本発明のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。

本発明の第１実施形態にかかるチップ抵抗器の実装構造の断面図である。 図１のＩＩ−ＩＩ線に沿う、チップ抵抗器の断面図である。 図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿う、チップ抵抗器の矢視図である。 図１のＩＶ−ＩＶ線に沿う、チップ抵抗器の断面図である。 図１のＶ−Ｖ線に沿う、チップ抵抗器の矢視図である。 図１のＶＩ−ＶＩ線に沿う、チップ抵抗器の矢視図（一部透視化）である。 図６から、第１メッキ層および第２メッキ層を省略した図である。 図１に示したチップ抵抗器の一部を拡大して示す部分拡大図である。 図１に示したチップ抵抗器の一部を拡大して示す部分拡大図である。 図１に示したチップ抵抗器の製造方法における一工程を示す断面図である。 図１０に続く一工程を示す平面図である。 図１１のＸＩＩ−ＸＩＩ線に沿う断面図である。 図１１に続く一工程を示す平面図である。 図１３のＸＩＶ−ＸＩＶ線に沿う断面図である。 図１３に続く一工程を示す平面図である。 図１５のＸＶＩ−ＸＶＩ線に沿う断面図である。 図１５に続く一工程を示す平面図である。 図１７のＸＶＩＩＩ−ＸＶＩＩＩ線に沿う断面図である。 本発明の第２実施形態にかかるチップ抵抗器の実装構造の断面図である。 図１９のＸＸ−ＸＸ線に沿う、チップ抵抗器の断面図である。 図１９のＸＸＩ−ＸＸＩ線に沿う、チップ抵抗器の矢視図である。 図１９のＸＸＩＩ−ＸＸＩＩ線に沿う、チップ抵抗器の断面図である。 図１９のＸＸＩＩＩ−ＸＸＩＩＩ線に沿う、チップ抵抗器の矢視図である。 図１９に示したチップ抵抗器の一部を拡大して示す部分拡大図である。 図１９に示したチップ抵抗器の一部を拡大して示す部分拡大図である。

＜第１実施形態＞
図１〜図１８を用いて、本発明の第１実施形態について説明する。

図１は、本発明の第１実施形態にかかるチップ抵抗器の実装構造の断面図である。

同図に示すチップ抵抗器の実装構造８９１は、チップ抵抗器１０１と、実装基板８９３と、導電性接合部８９５とを備える。

実装基板８９３は、たとえばプリント配線基板である。実装基板８９３は、たとえば、絶縁基板と、当該絶縁基板に形成されたパターン電極（図示略）とを含む。当該絶縁基板は、たとえば、ガラスエポキシ樹脂基板である。チップ抵抗器１０１は実装基板８９３に実装されている。チップ抵抗器１０１と、実装基板８９３との間には、導電性接合部８９５が介在している。導電性接合部８９５は、チップ抵抗器１０１と実装基板８９３とを接合している。導電性接合部８９５は、たとえばハンダよりなる。

図２は、図１のＩＩ−ＩＩ線に沿う、チップ抵抗器の断面図である。図３は、図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿う、チップ抵抗器の矢視図である。図４は、図１のＩＶ−ＩＶ線に沿う、チップ抵抗器の断面図である。図５は、図１のＶ−Ｖ線に沿う、チップ抵抗器の矢視図である。図６は、図１のＶＩ−ＶＩ線に沿う、チップ抵抗器の矢視図（一部透視化）である。

これらの図に示すチップ抵抗器１０１は、抵抗板２と、第１電極４と、第２電極５と、絶縁層６と、保護層７と、を備える。

抵抗板２は板状である。抵抗板２は、金属抵抗材料よりなり、このような金属抵抗材料としては、たとえば、マンガニン、ゼラニン、Ｎｉ−Ｃｒ合金、Ｃｕ−Ｎｉ合金、および、Ｆｅ−Ｃｒ合金が挙げられる。

図１〜図７に示すように、抵抗板２は、抵抗板表面２１と、抵抗板主面２２と、第１抵抗板側面２３と、第２抵抗板側面２４と、第１抵抗板端面２５と、第２抵抗板端面２６と、を有する。

抵抗板表面２１と、抵抗板主面２２と、第１抵抗板側面２３と、第２抵抗板側面２４と、第１抵抗板端面２５と、第２抵抗板端面２６はいずれも、平坦である。図１に示すように、同図の上下方向を抵抗板２の厚さ方向Ｚ１とする。そして、図６に示すように、同図の右方向を第１方向Ｘ１とし、左方向を第２方向Ｘ２とし、上方向を第３方向Ｘ３とし、下方向を第４方向Ｘ４とする。抵抗板２の最大厚さ（厚さ方向Ｚ１の最大寸法）は、たとえば、１３０〜３００μｍである。厚さ方向Ｚ１は、第１方向Ｘ１、第２方向Ｘ２、第３方向Ｘ３、第４方向Ｘ４と互いに直交する。また、第１方向Ｘ１および第２方向Ｘ２はそれぞれ、第３方向Ｘ３および第４方向Ｘ４と直交する。

なお、チップ抵抗器１０１の第１方向Ｘ１における寸法は、たとえば、１．０〜６．４ｍｍであり、チップ抵抗器１０１の第３方向Ｘ３における寸法は、たとえば、０．５〜３．２ｍｍである。

抵抗板表面２１および抵抗板主面２２は互いに反対側を向く。第１抵抗板側面２３は第１方向Ｘ１を向いている。第２抵抗板側面２４は第２方向Ｘ２を向いている。すなわち第１抵抗板側面２３および第２抵抗板側面２４は互いに反対側を向いている。第１抵抗板端面２５は第３方向Ｘ３を向いている。第２抵抗板端面２６は第４方向Ｘ４を向いている。すなわち第１抵抗板端面２５および第２抵抗板端面２６は互いに反対側を向いている。

図１、図６に示すように、抵抗板表面２１は、第１領域２１１と、第２領域２１２と、中間領域２１３とを有する。

第１領域２１１は第１電極４に接する領域である。第２領域２１２は第２電極５に接する領域である。中間領域２１３は絶縁層６に接する領域である。本実施形態においては、第１領域２１１、第２領域２１２、および中間領域２１３はいずれも、矩形状である。第１領域２１１は、第１抵抗板側面２３と第１抵抗板端面２５と第２抵抗板端面２６とにつながっている。第２領域２１２は、第２抵抗板側面２４と第１抵抗板端面２５と第２抵抗板端面２６とにつながっている。中間領域２１３は第１抵抗板端面２５と第２抵抗板端面２６とにつながっている。中間領域２１３は、第１方向Ｘ１において第１領域２１１および第２領域２１２の間に位置している。また、中間領域２１３と第１領域２１１とはつながっており、中間領域２１３と第２領域２１２とは互いにつながっている。

絶縁層６は抵抗板２に形成されている。絶縁層６は抵抗板２に接している。絶縁層６は、抵抗板２における抵抗板表面２１に接している。絶縁層６は、たとえばエポキシ系の樹脂やポリイミドを、材料として含む。絶縁層６の第１方向Ｘ１における寸法は、抵抗板表面２１における中間領域２１３の第１方向Ｘ１における寸法と同一である。絶縁層６の第３方向Ｘ３における寸法は、抵抗板２の第３方向Ｘ３における寸法と同一である。絶縁層６の最大厚さ（厚さ方向Ｚ１における最大寸法）は、たとえば、２０〜４０μｍである。絶縁層６は、抵抗板２にて発生した熱をチップ抵抗器１０１の外部に放出しやすくするため、絶縁層６を構成する材料としては熱伝導率が大きいものを用いることが好ましい。更には、熱伝導率の向上のためには、絶縁層６に熱伝導性のフィラーが混入されていることが好ましい。このようなフィラーとしては、たとえばアルミナが挙げられる。絶縁層６の熱伝導率は、抵抗板２を構成する材料の熱伝導率よりも、大きいことが好ましい。絶縁層６の熱伝導率は、たとえば、１．０Ｗ／（ｍ・Ｋ）〜５．０Ｗ／（ｍ・Ｋ）であることが好ましい。

絶縁層６は、絶縁層表面６１と、絶縁層主面６２と、を有する。

絶縁層表面６１は、主として、抵抗板２の位置する側とは反対側（すなわち、図１の下方向）を向いている。絶縁層表面６１には、第１電極４および第２電極５が形成されている。絶縁層表面６１の一部（絶縁層表面６１のうち第１電極４と第２電極５とに挟まれた領域）は、第１電極４および第２電極５から露出している。

絶縁層主面６２は、抵抗板主面２２の向く方向と同一方向（すなわち、図１の上方向）を向いている。本実施形態では、絶縁層主面６２は、抵抗板２に接している。具体的には、絶縁層主面６２は、抵抗板表面２１に接している。

第１電極４は抵抗板２に導通している。第１電極４は、チップ抵抗器１０１を実装する実装基板８９３から抵抗板２へと電力を供給するためのものである。第１電極４は、抵抗板２と絶縁層６とに接している。本実施形態においては、第１電極４は、抵抗板２における抵抗板表面２１に接している。本実施形態では、第１電極４と抵抗板２との間に介在する部位を、絶縁層６が有している。図１に示すように、実装構造８９１においては、第１電極４は、導電性接合部８９５に接しており、導電性接合部８９５を介して、実装基板８９３における配線パターン（図示略）と導通している。

第１電極４は、第１下地層４１と、第１メッキ層４３と、を含む。

図７は、図６から、第１メッキ層および第２メッキ層を省略した図である。

図１、図７に示すように、第１下地層４１は抵抗板２に接している。第１下地層４１は、絶縁層６上にメッキによって第１メッキ層４３を形成するために、形成されている。第１下地層４１は抵抗板表面２１のうち、絶縁層６から露出した部位に接している。第１下地層４１は、厚さ方向Ｚ１において抵抗板２から離間した部位を有している。第１下地層４１は、厚さ方向Ｚ１において、第１メッキ層４３および絶縁層６の間に介在している。第１下地層４１および抵抗板２の間には、絶縁層６が介在している。第１下地層４１は、厚さ方向Ｚ１視において、第１領域２１１および中間領域２１３に重なっている部分を有する。また、本実施形態では、第１下地層４１は、第１領域２１１に接している。

図１〜図３に示すように、第１下地層４１の側面は露出している。すなわち、チップ抵抗器１０１において、第１下地層４１は第１方向Ｘ１と、第３方向Ｘ３と、第４方向Ｘ４とに露出している。

チップ抵抗器１０１の放熱性向上の観点からは、第１下地層４１の第１方向Ｘ１における寸法が大きい方が好ましい。好ましくは、第１下地層４１の第１方向Ｘ１における寸法は、抵抗板２の第１方向Ｘ１における寸法の４分の１以上であり、更に好ましくは、抵抗板２の第１方向Ｘ１における寸法の３分の１以上である。第１下地層４１の厚さは、絶縁層６の厚さ、および、第１メッキ層４３の厚さのいずれの厚さよりも薄い。第１下地層４１は、ＰＶＤ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、あるいは印刷によって形成するとよい。本実施形態では、第１下地層４１は、ＰＶＤのうちのスパッタリングにより形成される。第１下地層４１の厚さは、たとえば、１００〜５００ｎｍである。第１下地層４１は、たとえば、ＮｉやＣｒを含む。

第１メッキ層４３は、第１下地層４１を直接覆っている。第１メッキ層４３は、抵抗板２に形成されている。第１メッキ層４３の一部は、絶縁層６に接している。第１メッキ層４３は、絶縁層６のうち、第１下地層４１よりも第２方向Ｘ２側に位置する部位に、接している。実装基板８９３に実装される前のチップ抵抗器１０１においては、第１メッキ層４３は外部に露出している。そのため、図１に示すように、実装構造８９１においては、第１メッキ層４３は、導電性接合部８９５に接しており、導電性接合部８９５を介して、実装基板８９３における配線パターン（図示略）と導通している。

第１メッキ層４３は、第１内側メッキ膜４３ａおよび第１外側メッキ膜４３ｃを含む。

第１内側メッキ膜４３ａは、たとえば、Ｃｕ、Ａｇ、あるいはＡｕである。第１内側メッキ膜４３ａは、第１下地層４１を直接覆っている。第１外側メッキ膜４３ｃは、第１内側メッキ膜４３ａに積層されている。チップ抵抗器１０１の実装の際には、第１外側メッキ膜４３ｃにはハンダ（導電性接合部８９５）が付着する。第１外側メッキ膜４３ｃは、たとえば、Ｓｎである。

本実施形態においては、第１メッキ層４３は、第１中間メッキ膜４３ｂを含む。第１中間メッキ膜４３ｂは、第１内側メッキ膜４３ａと第１外側メッキ膜４３ｃとの間に介在している。第１中間メッキ膜４３ｂは、たとえば、Ｎｉである。本実施形態とは異なり第１メッキ層４３が第１中間メッキ膜４３ｂを含んでおらず、第１内側メッキ膜４３ａと第１外側メッキ膜４３ｃとが直接接していてもよい。

第１内側メッキ膜４３ａの厚さは、たとえば１０〜５０μｍであり、第１中間メッキ膜４３ｂの厚さは、たとえば１〜１０μｍであり、第１外側メッキ膜４３ｃの厚さは、たとえば１〜１０μｍである。

図８は、図１に示したチップ抵抗器１０１の一部を拡大して示す部分拡大図である。

図１〜図３、図６〜図８に示すように、第１電極４は、第１電極表面４７１と、電極側面４７３と、電極端面４７５（第１電極端面）と、電極端面４７６（第２電極端面）と、第１曲面４９（図８参照）と、を有している。なお、図６、図８以外では、第１曲面４９の図示を省略している。

第１電極表面４７１は、抵抗板表面２１の向く方向と同一方向（すなわち、図１の下方向）を向いている。第１電極表面４７１は、第１メッキ層４３によって構成されており、より具体的には第１外側メッキ膜４３ｃによって構成されている。

電極側面４７３は第１方向Ｘ１を向いている。本実施形態では、電極側面４７３は、第１抵抗板側面２３と面一になっている。図２、図３に示すように、電極端面４７５は、第３方向Ｘ３を向いている。電極端面４７５は、第１抵抗板端面２５と面一になっている。電極端面４７６は、第４方向Ｘ４を向いている。電極端面４７６は、第２抵抗板端面２６と面一になっている。電極側面４７３と電極端面４７５と電極端面４７６は、第１下地層４１および第１メッキ層４３によって構成されており、より具体的には、第１下地層４１と、第１内側メッキ膜４３ａと、第１中間メッキ膜４３ｂと、第１外側メッキ膜４３ｃと、によって構成されている。

図８に示すように、第１曲面４９は、厚さ方向Ｚ１視における端部に形成されている。図６には、第１曲面４９が形成されている箇所を、砂模様を付して示している。第１曲面４９は、第１電極表面４７１と、電極側面４７３と、電極端面４７５と、電極端面４７６とにつながっている。第１曲面４９は、チップ抵抗器１０１を形成する際にパンチングを用いたために形成されている。

第２電極５は、第１電極４に対して、第２方向Ｘ２側に位置している。第２電極５は第１電極４から離間している。第２電極５は抵抗板２に導通している。第２電極５は、チップ抵抗器１０１を実装する実装基板８９３から抵抗板２へと電力を供給するためのものである。第２電極５は、抵抗板２と絶縁層６とに接している。本実施形態においては、第２電極５は、抵抗板２における抵抗板表面２１に接している。本実施形態では、第２電極５と抵抗板２との間に介在する部位を、絶縁層６が有している。図１に示すように、実装構造８９１においては、第２電極５は、導電性接合部８９５に接しており、導電性接合部８９５を介して、実装基板８９３における配線パターン（図示略）と導通している。

第２電極５は、第２下地層５１と、第２メッキ層５３と、を含む。

第２下地層５１は抵抗板２に接している。第２下地層５１は、絶縁層６上にメッキによって第２メッキ層５３を形成するために、形成されている。第２下地層５１は抵抗板表面２１のうち、絶縁層６から露出した部位に接している。第２下地層５１は、厚さ方向Ｚ１において抵抗板２から離間した部位を有している。第２下地層５１は、厚さ方向Ｚ１において、第２メッキ層５３および絶縁層６の間に介在している。第２下地層５１および抵抗板２の間には、絶縁層６が介在している。第２下地層５１は、厚さ方向Ｚ１視において、第２領域２１２および中間領域２１３に重なっている部分を有する。また、本実施形態では、第２下地層５１は、第２領域２１２に接している。

図１、図４、図５に示すように、第２下地層５１の側面は露出している。すなわち、チップ抵抗器１０１において、第２下地層５１は第２方向Ｘ２と、第３方向Ｘ３と、第４方向Ｘ４とに露出している。

チップ抵抗器１０１の放熱性向上の観点からは、第２下地層５１の第２方向Ｘ２における寸法が大きい方が好ましい。好ましくは、第２下地層５１の第２方向Ｘ２における寸法は、抵抗板２の第２方向Ｘ２における寸法の４分の１以上であり、更に好ましくは、抵抗板２の第２方向Ｘ２における寸法の３分の１以上である。第２下地層５１の厚さは、絶縁層６の厚さ、および、第２メッキ層５３の厚さのいずれの厚さよりも薄い。第２下地層５１は、ＰＶＤ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、あるいは印刷によって形成するとよい。本実施形態では、第２下地層５１は、ＰＶＤのうちのスパッタリングにより形成される。第２下地層５１の厚さは、たとえば、１００〜５００ｎｍである。第２下地層５１は、たとえば、ＮｉやＣｒを含む。

第２メッキ層５３は、第２下地層５１を直接覆っている。第２メッキ層５３は、抵抗板２に形成されている。第２メッキ層５３の一部は、絶縁層６に接している。第２メッキ層５３は、絶縁層６のうち、第２下地層５１よりも第１方向Ｘ１側に位置する部位に、接している。実装基板８９３に実装される前のチップ抵抗器１０１においては、第２メッキ層５３は外部に露出している。そのため、図１に示すように、実装構造８９１においては、第２メッキ層５３は、導電性接合部８９５に接しており、導電性接合部８９５を介して、実装基板８９３における配線パターン（図示略）と導通している。

第２メッキ層５３は、第２内側メッキ膜５３ａおよび第２外側メッキ膜５３ｃを含む。

第２内側メッキ膜５３ａは、たとえば、Ｃｕ、Ａｇ、あるいはＡｕである。第２内側メッキ膜５３ａは、第２下地層５１を直接覆っている。第２外側メッキ膜５３ｃは、第２内側メッキ膜５３ａに積層されている。チップ抵抗器１０１の実装の際には、第２外側メッキ膜５３ｃにはハンダ（導電性接合部８９５）が付着する。第２外側メッキ膜５３ｃは、たとえば、Ｓｎである。

本実施形態においては、第２メッキ層５３は、第２中間メッキ膜５３ｂを含む。第２中間メッキ膜５３ｂは、第２内側メッキ膜５３ａと第２外側メッキ膜５３ｃとの間に介在している。第２中間メッキ膜５３ｂは、たとえば、Ｎｉである。本実施形態とは異なり第２メッキ層５３が第２中間メッキ膜５３ｂを含んでおらず、第２内側メッキ膜５３ａと第２外側メッキ膜５３ｃとが直接接していてもよい。

第２内側メッキ膜５３ａの厚さは、たとえば１０〜５０μｍであり、第２中間メッキ膜５３ｂの厚さは、たとえば１〜１０μｍであり、第２外側メッキ膜５３ｃの厚さは、たとえば１〜１０μｍである。

図９は、図１に示したチップ抵抗器１０１の一部を拡大して示す部分拡大図である。

図１、図４〜図７、図９に示すように、第２電極５は、第２電極表面５７１と、電極側面５７４と、電極端面５７５と、電極端面５７６と、第２曲面５９（図９参照）と、を有している。なお、図６、図９以外の図では、第２曲面５９の図示を省略している。

第２電極表面５７１は、抵抗板表面２１の向く方向と同一方向（すなわち、図１の下方向）を向いている。第２電極表面５７１は、第２メッキ層５３によって構成されており、より具体的には第２外側メッキ膜５３ｃによって構成されている。

電極側面５７４は第２方向Ｘ２を向いている。本実施形態では、電極側面５７４は、第２抵抗板側面２４と面一になっている。図４、図５に示すように、電極端面５７５は、第３方向Ｘ３を向いている。電極端面５７５は、第１抵抗板端面２５と面一になっている。電極端面５７６は、第４方向Ｘ４を向いている。電極端面５７６は、第２抵抗板端面２６と面一になっている。電極側面５７４と電極端面５７５と電極端面５７６は、第２下地層５１および第２メッキ層５３によって構成されており、より具体的には、第２下地層５１と、第２内側メッキ膜５３ａと、第２中間メッキ膜５３ｂと、第２外側メッキ膜５３ｃと、によって構成されている。

第２曲面５９は、厚さ方向Ｚ１視における端部に形成されている。図６には、第２曲面５９が形成されている箇所を、砂模様を付して示している。第２曲面５９は、第２電極表面５７１と、電極側面５７４と、電極端面５７５と、電極端面５７６とにつながっている。第２曲面５９は、チップ抵抗器１０１を形成する際にパンチングを用いたために形成されている。

保護層７は、抵抗板２の抵抗板主面２２に形成されている。保護層７は、絶縁性の材料よりなり、このような材料としてはエポキシ系の材料よりなる。保護層７は抵抗板２を保護するために形成されている。保護層７の厚さは、たとえば、２０〜４０μｍである。なお、保護層７が形成されている必要は必ずしもない。

次に、チップ抵抗器１０１の製造方法について簡単に説明する。

まず、図１０に示すように、抵抗板８２０を用意する。抵抗板８２０は上述の抵抗板２になるものである。

次に、図１１、図１２に示すように、抵抗板８２０の抵抗板表面８２１に絶縁層８６０を形成する。絶縁層８６０は、上述の絶縁層６になるものである。絶縁層８６０は、一方向に沿って延びる複数の帯状に形成される。絶縁層８６０は、たとえば印刷あるいは塗布によって形成される。

次に、図１３、図１４に示すように、抵抗板８２０上に下地層８４１を形成する。下地層８４１は、上述の第１下地層４１あるいは第２下地層５１になるものである。下地層８４１を形成する工程は、ＰＶＤあるいはＣＶＤが用いられる。下地層８４１を形成するために用いるＰＶＤとしては、たとえばスパッタリングが挙げられる。本実施形態においては、下地層８４１を形成する工程では、下地層８４１を、絶縁層８６０の延びる方向に沿って帯状となるように形成する。そして、形成された下地層８４１からは、絶縁層８６０の一部が露出している。なお、下地層８４１を帯状となるように形成させるには、たとえば、マスキングを行うとよい。下地層８４１は、たとえば、ＮｉやＣｒよりなる。

次に、図１５、図１６に示すように、メッキ層８４３を形成する。メッキ層８４３は、上述の、第１メッキ層４３（第１内側メッキ膜４３ａ、第１中間メッキ膜４３ｂ、および第１外側メッキ膜４３ｃ）、および、第２メッキ層５３（第２内側メッキ膜５３ａ、第２中間メッキ膜５３ｂ、および第２外側メッキ膜５３ｃ）になるものである。メッキ層８４３を形成するには、たとえば電解メッキ（バレルメッキ）を用いる。また、抵抗板８２０における抵抗板主面８２２に、保護層８７０を形成する。なお、保護層８７０の形成は、抵抗板表面８２１に絶縁層８６０を形成する工程より前に行ってもよい。

次に、図１７、図１８に示すように、図１５、図１６に示した中間品を切断する。この切断には、たとえば、パンチングを用いる。パンチングを行うことにより、上述の第１曲面４９および第２曲面５９が形成される。また、この切断により、第１抵抗板側面２３と電極側面４７３とが面一となり、第２抵抗板側面２４と電極側面５７４とが面一となり、第１抵抗板端面２５と電極端面４７５と電極端面５７５とが面一となり、第２抵抗板端面２６と電極端面４７６と電極端面５７６とが面一となる。以上の工程を経ることにより、チップ抵抗器１０１の製造が完成する。

次に、本実施形態の作用効果について説明する。

本実施形態においては、チップ抵抗器１０１は、絶縁層６を備える。抵抗板表面２１は、第１電極４が接する第１領域２１１と、第２電極５が接する第２領域２１２と、絶縁層６が接する中間領域２１３と、を含む。中間領域２１３は、第１方向Ｘ１において、第１領域２１１および第２領域２１２の間に位置している。このような構成によると、中間領域２１３の第１方向Ｘ１の寸法が、チップ抵抗器１０１の抵抗値を規定する。よって、チップ抵抗器１０１の抵抗値に依らずに、第１電極４および第２電極５の第１方向Ｘ１の寸法を決定することができる。更に、チップ抵抗器１０１においては、第１下地層４１は、厚さ方向Ｚ１において、第１メッキ層４３および絶縁層６との間に介在している。このような構成は、第１メッキ層４３の第１方向Ｘ１における寸法を大きくするのに適する。第１メッキ層４３の第１方向Ｘ１における寸法を大きくできると、チップ抵抗器１０１の放熱性の向上を図ることができる。

同様に、チップ抵抗器１０１においては、第２下地層５１は、厚さ方向Ｚ１において、第２メッキ層５３および絶縁層６との間に介在している。このような構成は、第２メッキ層５３の第２方向Ｘ２における寸法を大きくするのに適する。第２メッキ層５３の第２方向Ｘ２における寸法を大きくできると、チップ抵抗器１０１の放熱性の向上を図ることができる。

＜第２実施形態＞
図１９〜図２５を用いて、本発明の第２実施形態について説明する。

なお、以下の説明では、上記と同一もしくは類似の構成については上記と同一の符号を付し、説明を適宜省略する。

図１９は、本発明の第２実施形態にかかるチップ抵抗器の実装構造の断面図である。

同図に示すチップ抵抗器の実装構造８９２は、チップ抵抗器１０２と、実装基板８９３と、導電性接合部８９５とを備える。

実装基板８９３および導電性接合部８９５は、第１実施形態で述べた説明を適用できるから、本実施形態では説明を省略する。

図２０は、図１９のＸＸ−ＸＸ線に沿う、チップ抵抗器の断面図である。図２１は、図１９のＸＸＩ−ＸＸＩ線に沿う、チップ抵抗器の矢視図である。図２２は、図１９のＸＸＩＩ−ＸＸＩＩ線に沿う、チップ抵抗器の断面図である。図２３は、図１９のＸＸＩＩＩ−ＸＸＩＩＩ線に沿う、チップ抵抗器の矢視図である。図２４は、図１９に示したチップ抵抗器の一部を拡大して示す部分拡大図である。図２５は、図１９に示したチップ抵抗器の一部を拡大して示す部分拡大図である。

これらの図に示すチップ抵抗器１０２は、抵抗板２と、第１電極４と、第２電極５と、絶縁層６と、保護層７と、を備える。

抵抗板２と、絶縁層６と、保護層７は、第１実施形態で述べた説明を適用できるから、本実施形態では説明を省略する。

第１電極４は抵抗板２に導通している。第１電極４は、チップ抵抗器１０２を実装する実装基板８９３から抵抗板２へと電力を供給するためのものである。第１電極４は、抵抗板２と絶縁層６とに接している。本実施形態においては、第１電極４は、抵抗板２における抵抗板表面２１に接している。本実施形態では、第１電極４と抵抗板２との間に介在する部位を、絶縁層６が有している。図１９に示すように、実装構造８９２においては、第１電極４は、導電性接合部８９５に接しており、導電性接合部８９５を介して、実装基板８９３における配線パターン（図示略）と導通している。

第１電極４は、第１下地層４１と、第１メッキ層４３と、第１導電層４８と、を含む。

第１導電層４８は抵抗板２に接している。第１導電層４８は、抵抗板表面２１のうち、絶縁層６から露出した部位に接している。具体的には、第１導電層４８は、抵抗板表面２１における第１領域２１１に接している。本実施形態では、第１導電層４８は、メッキ（ラックメッキ）により形成されている。第１導電層４８はたとえばＣｕよりなる。第１導電層４８の厚さは、第１下地層４１の厚さよりも厚い。図１９〜図２１に示すように、第１導電層４８は第１方向Ｘ１と、第３方向Ｘ３と、第４方向Ｘ４とに向かって露出している。

第１下地層４１は、絶縁層６上にメッキによって第１メッキ層４３を形成するために、形成されている。第１下地層４１は、厚さ方向Ｚ１において抵抗板２から離間した部位を有している。第１下地層４１は、厚さ方向Ｚ１において、第１メッキ層４３および絶縁層６の間に介在している。第１下地層４１および抵抗板２の間には、絶縁層６が介在している。第１下地層４１は、厚さ方向Ｚ１視において、第１領域２１１および中間領域２１３に重なっている部分を有する。

図１９〜図２１に示すように、第１下地層４１の側面は露出している。すなわち、チップ抵抗器１０２において、第１下地層４１は第１方向Ｘ１と、第３方向Ｘ３と、第４方向Ｘ４とに露出している。

チップ抵抗器１０２の放熱性向上の観点からは、第１下地層４１の第１方向Ｘ１における寸法が大きい方が好ましい。好ましくは、第１下地層４１の第１方向Ｘ１における寸法は、抵抗板２の第１方向Ｘ１における寸法の４分の１以上であり、更に好ましくは、抵抗板２の第１方向Ｘ１における寸法の３分の１以上である。第１下地層４１の厚さは、絶縁層６の厚さ、および、第１メッキ層４３の厚さのいずれの厚さよりも薄い。第１下地層４１は、ＰＶＤ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、あるいは印刷によって形成するとよい。本実施形態では、第１下地層４１は、ＰＶＤのうちのスパッタリングにより形成される。第１下地層４１の厚さは、たとえば、１００〜５００ｎｍである。第１下地層４１は、たとえば、ＮｉやＣｒを含む。

第１メッキ層４３は、第１実施形態で述べた説明を適用できるから、本実施形態では説明を省略する。

図１９〜図２１、図２４に示すように、第１電極４は、第１電極表面４７１と、電極側面４７３と、電極端面４７５（第１電極端面）と、電極端面４７６（第２電極端面）と、第１曲面４９と、を有している。

第１電極表面４７１は、抵抗板表面２１の向く方向と同一方向（すなわち、図１９の下方向）を向いている。第１電極表面４７１は、第１メッキ層４３によって構成されており、より具体的には第１外側メッキ膜４３ｃによって構成されている。

電極側面４７３は第１方向Ｘ１を向いている。本実施形態では、電極側面４７３は、第１抵抗板側面２３と面一になっている。図２０、図２１に示すように、電極端面４７５は、第３方向Ｘ３を向いている。電極端面４７５は、第１抵抗板端面２５と面一になっている。電極端面４７６は、第４方向Ｘ４を向いている。電極端面４７６は、第２抵抗板端面２６と面一になっている。電極側面４７３と電極端面４７５と電極端面４７６は、第１下地層４１と、第１メッキ層４３と、第１導電層４８とによって構成されており、より具体的には、第１下地層４１と、第１内側メッキ膜４３ａと、第１中間メッキ膜４３ｂと、第１外側メッキ膜４３ｃと、第１導電層４８と、によって構成されている。

第１曲面４９は、厚さ方向Ｚ１視における端部に形成されている。第１曲面４９は、第１電極表面４７１と、電極側面４７３と、電極端面４７５と、電極端面４７６とにつながっている。第１曲面４９は、チップ抵抗器１０２を形成する際にパンチングを用いたために形成されている。

第２電極５は、第１電極４に対して、第２方向Ｘ２側に位置している。第２電極５は抵抗板２に導通している。第２電極５は、チップ抵抗器１０２を実装する実装基板８９３から抵抗板２へと電力を供給するためのものである。第２電極５は、抵抗板２と絶縁層６とに接している。本実施形態においては、第２電極５は、抵抗板２における抵抗板表面２１に接している。本実施形態では、第２電極５と抵抗板２との間に介在する部位を、絶縁層６が有している。図１９に示すように、実装構造８９２においては、第２電極５は、導電性接合部８９５に接しており、導電性接合部８９５を介して、実装基板８９３における配線パターン（図示略）と導通している。

第２電極５は、第２下地層５１と、第２メッキ層５３と、第２導電層５８と、を含む。

第２導電層５８は抵抗板２に接している。第２導電層５８は、抵抗板表面２１のうち、絶縁層６から露出した部位に接している。具体的には、第２導電層５８は、抵抗板表面２１における第２領域２１２に接している。本実施形態では、第２導電層５８は、メッキにより形成されている。第２導電層５８はたとえばＣｕよりなる。第２導電層５８の厚さは、第２下地層５１の厚さよりも厚い。第２導電層５８は第２方向Ｘ２と、第３方向Ｘ３と、第４方向Ｘ４とに向かって露出している。

第２下地層５１は、絶縁層６上にメッキによって第２メッキ層５３を形成するために、形成されている。第２下地層５１は、厚さ方向Ｚ１において抵抗板２から離間した部位を有している。第２下地層５１は、厚さ方向Ｚ１において、第２メッキ層５３および絶縁層６の間に介在している。第２下地層５１および抵抗板２の間には、絶縁層６が介在している。第２下地層５１は、厚さ方向Ｚ１視において、第２領域２１２および中間領域２１３に重なっている部分を有する。

図１９、図２２、図２３に示すように、第２下地層５１の側面は露出している。すなわち、チップ抵抗器１０２において、第２下地層５１は第２方向Ｘ２と、第３方向Ｘ３と、第４方向Ｘ４とに露出している。

チップ抵抗器１０２の放熱性向上の観点からは、第２下地層５１の第２方向Ｘ２における寸法が大きい方が好ましい。好ましくは、第２下地層５１の第２方向Ｘ２における寸法は、抵抗板２の第２方向Ｘ２における寸法の４分の１以上であり、更に好ましくは、抵抗板２の第２方向Ｘ２における寸法の３分の１以上である。第２下地層５１の厚さは、絶縁層６の厚さ、および、第２メッキ層５３の厚さのいずれの厚さよりも薄い。第２下地層５１は、ＰＶＤ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、あるいは印刷によって形成するとよい。本実施形態では、第２下地層５１は、ＰＶＤのうちのスパッタリングにより形成される。第２下地層５１の厚さは、たとえば、１００〜５００ｎｍである。第２下地層５１は、たとえば、ＮｉやＣｒを含む。

第２メッキ層５３は、第２実施形態で述べた説明を適用できるから、本実施形態では説明を省略する。

図１９、図２２、図２３、図２５に示すように、第２電極５は、第２電極表面５７１と、電極側面５７４と、電極端面５７５と、電極端面５７６と、第２曲面５９と、を有している。

第２電極表面５７１は、抵抗板表面２１の向く方向と同一方向（すなわち、図１９の下方向）を向いている。第２電極表面５７１は、第２メッキ層５３によって構成されており、より具体的には第２外側メッキ膜５３ｃによって構成されている。

電極側面５７４は第２方向Ｘ２を向いている。本実施形態では、電極側面５７４は、第２抵抗板側面２４と面一になっている。図２２、図２３に示すように、電極端面５７５は、第３方向Ｘ３を向いている。電極端面５７５は、第１抵抗板端面２５と面一になっている。電極端面５７６は、第４方向Ｘ４を向いている。電極端面５７６は、第２抵抗板端面２６と面一になっている。電極側面５７４と電極端面５７５と電極端面５７６は、第２下地層５１と、第２メッキ層５３と、第２導電層５８とによって構成されており、より具体的には、第２下地層５１と、第２内側メッキ膜５３ａと、第２中間メッキ膜５３ｂと、第２外側メッキ膜５３ｃと、第２導電層５８と、によって構成されている。

第２曲面５９は、厚さ方向Ｚ１視における端部に形成されている。第２曲面５９は、第２電極表面５７１と、電極側面５７４と、電極端面５７５と、電極端面５７６とにつながっている。第２曲面５９は、チップ抵抗器１０２を形成する際にパンチングを用いたために形成されている。

本実施形態によると、第１実施形態で述べた作用効果に加え、以下の作用効果を奏する。

本実施形態においては、第１電極４は、第１メッキ層４３および抵抗板２の間に介在する第１導電層４８を含む。第１導電層４８は、第１領域２１１に接している。このような構成によると、第１電極表面４７１のうち、厚さ方向Ｚ１視において第１領域２１１に重なる部分を、より図１９の下側に位置させることが可能となる。これにより、第１電極表面４７１をより平坦にすることが可能となる。第１電極表面４７１を平坦にできると、チップ抵抗器１０２を実装基板８９３に実装しやすい。

同様に、本実施形態においては、第２電極５は、第２メッキ層５３および抵抗板２の間に介在する第２導電層５８を含む。第２導電層５８は、第２領域２１２に接している。このような構成によると、第２電極表面５７１のうち、厚さ方向Ｚ１視において第２領域２１２に重なる部分を、より図１９の下側に位置させることが可能となる。これにより、第２電極表面５７１をより平坦にすることが可能となる。第２電極表面５７１を平坦にできると、チップ抵抗器１０２を実装基板８９３に実装しやすい。

本発明は、上述した実施形態に限定されるものではない。本発明の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。

１０１ チップ抵抗器
１０２ チップ抵抗器
２ 抵抗板
２１ 抵抗板表面
２１１ 第１領域
２１２ 第２領域
２１３ 中間領域
２２ 抵抗板主面
２３ 第１抵抗板側面
２４ 第２抵抗板側面
２５ 第１抵抗板端面
２６ 第２抵抗板端面
４ 第１電極
４１ 第１下地層
４３ 第１メッキ層
４３ａ 第１内側メッキ膜
４３ｂ 第１中間メッキ膜
４３ｃ 第１外側メッキ膜
４７１ 第１電極表面
４７３ 電極側面
４７５ 電極端面
４７６ 電極端面
４８ 第１導電層
４９ 第１曲面
５ 第２電極
５１ 第２下地層
５３ 第２メッキ層
５３ａ 第２内側メッキ膜
５３ｂ 第２中間メッキ膜
５３ｃ 第２外側メッキ膜
５７１ 第２電極表面
５７４ 電極側面
５７５ 電極端面
５７６ 電極端面
５８ 第２導電層
５９ 第２曲面
６ 絶縁層
６１ 絶縁層表面
６２ 絶縁層主面
７ 保護層
８２０ 抵抗板
８２１ 抵抗板表面
８２２ 抵抗板主面
８４１ 下地層
８４３ メッキ層
８６０ 絶縁層
８７０ 保護層
８９１，８９２ 実装構造
８９３ 実装基板
８９５ 導電性接合部
Ｘ１ 第１方向
Ｘ２ 第２方向
Ｘ３ 第３方向
Ｘ４ 第４方向
Ｚ１ 厚さ方向

Claims (33)

1. 抵抗板表面を有する抵抗板と、第１電極と、第２電極と、絶縁層と、を備え、
   前記第２電極は、前記第１電極に対して、前記抵抗板の厚さ方向に直交する第１方向とは反対の第２方向に位置し、
   前記抵抗板表面は、前記第１電極が接する第１領域と、前記第２電極が接する第２領域と、前記絶縁層が接する中間領域と、を含み、
   前記中間領域は、前記第１方向において、前記第１領域および前記第２領域の間に位置しており、
   前記第１電極は、第１下地層と、第１メッキ層と、を含み、
   前記第１下地層は、前記厚さ方向において、前記第１メッキ層および前記絶縁層との間に介在しており、
   前記第１メッキ層は、第１実装面と、第２実装面と、実装傾斜面と、を有し、前記第１実装面は、前記抵抗体表面の側とは反対側を向き、且つ、前記厚さ方向視において前記第１領域に重なり、前記第２実装面は、前記抵抗体表面の側とは反対側を向き、且つ、前記厚さ方向視において前記中間領域に重なり、前記実装傾斜面は、前記第１実装面と前記第２実装面との間に位置し、且つ、前記第１実装面と前記第２実装面とにつながり、
   前記実装傾斜面は、前記第２方向に向かうにつれて前記抵抗板表面から遠ざかるように、前記第１実装面に対し傾斜しており、
   前記第１下地層は、前記第２方向に向かうにつれて前記抵抗板表面から遠ざかるように、前記抵抗板表面に対し傾斜する傾斜面を有し、前記第１下地層の前記傾斜面は、前記絶縁層に接しており、且つ、前記厚さ方向視において、前記実装傾斜面に重なる部位を有し、
   前記第１実装面と前記抵抗板表面との前記厚さ方向における距離は、前記第２実装面と前記抵抗板表面との前記厚さ方向における距離よりも、小さい、チップ抵抗器。
2. 前記第１下地層は、前記絶縁層に接している、請求項１に記載のチップ抵抗器。
3. 前記第１下地層および前記第１メッキ層は、前記厚さ方向視において、前記中間領域に重なっている部分を有する、請求項１または請求項２に記載のチップ抵抗器。
4. 前記第１下地層および前記第１メッキ層は、前記厚さ方向視において、前記第１領域に重なっている部分を有する、請求項１ないし請求項３のいずれかに記載のチップ抵抗器。
5. 前記第１メッキ層は、第１内側メッキ膜および第１外側メッキ膜を含み、
   前記第１内側メッキ膜は、前記第１外側メッキ膜および前記第１下地層の間に介在しており、
   前記第１内側メッキ膜は、Ｃｕ、Ａｇ、あるいはＡｕよりなり、前記第１外側メッキ膜は、Ｓｎよりなる、請求項１ないし請求項４のいずれかに記載のチップ抵抗器。
6. 前記第１メッキ層は、第１中間メッキ膜を含み、
   前記第１中間メッキ膜は、第１内側メッキ膜および第１外側メッキ膜の間に介在しており、第１中間メッキ膜は、Ｎｉよりなる、請求項５に記載のチップ抵抗器。
7. 前記第１下地層は、前記第１方向に露出している、請求項１ないし請求項６のいずれかに記載のチップ抵抗器。
8. 前記第１下地層は、ＮｉあるいはＣｒよりなる、請求項１ないし請求項７のいずれかに記載のチップ抵抗器。
9. 前記第１下地層の厚さは、前記絶縁層および前記第１メッキ層のいずれの厚さよりも薄い、請求項１ないし請求項８のいずれかに記載のチップ抵抗器。
10. 前記第１下地層は、スパッタリングにより形成される、請求項１ないし請求項９のいずれかに記載のチップ抵抗器。
11. 前記第１下地層は、前記第１領域に接している、請求項１ないし請求項１０のいずれかに記載のチップ抵抗器。
12. 前記第１電極は、前記第１メッキ層および前記抵抗板の間に介在する第１導電層を含み、
    前記第１導電層は、前記第１領域に接している、請求項１ないし請求項１０のいずれかに記載のチップ抵抗器。
13. 前記第１導電層は、前記第１下地層の厚さよりも厚い、請求項１２に記載のチップ抵抗器。
14. 前記第１導電層は、前記第１方向に露出している、請求項１２または請求項１３に記載のチップ抵抗器。
15. 前記抵抗板は、前記第１方向を向く第１抵抗板側面を有し、
    前記第１電極は、前記第１方向を向く電極側面を有し、
    前記第１抵抗板側面および前記電極側面は、面一である、請求項１に記載のチップ抵抗器。
16. 前記第１電極は、第１電極表面と第１曲面とを有し、
    前記第１電極表面は、前記抵抗板表面の向く方向と同一方向を向いており、
    前記第１曲面は、前記第１電極表面と前記電極側面とをつないでいる、請求項１５に記載のチップ抵抗器。
17. 前記抵抗板は、前記第１方向および前記厚さ方向のいずれにも直交する第３方向を向く第１抵抗板端面を有し、
    前記第１電極は、前記第３方向を向く第１電極端面を有し、
    前記第１抵抗板端面および前記第１電極端面は、面一である、請求項１に記載のチップ抵抗器。
18. 前記抵抗板は、前記第３方向とは反対の第４方向を向く第２抵抗板端面を有し、
    前記第１電極は、前記第４方向を向く第２電極端面を有し、
    前記第２抵抗板端面および前記第２電極端面は、面一である、請求項１７に記載のチップ抵抗器。
19. 前記第２電極は、第２下地層と、第２メッキ層と、を含み、
    前記第２下地層は、前記厚さ方向において、前記第２メッキ層および前記絶縁層との間に介在している、請求項１に記載のチップ抵抗器。
20. 前記第２下地層は、前記絶縁層に接している、請求項１９に記載のチップ抵抗器。
21. 前記第２下地層および前記第２メッキ層は、前記厚さ方向視において、前記中間領域に重なっている部分を有する、請求項１９または請求項２０に記載のチップ抵抗器。
22. 前記第２下地層および前記第２メッキ層は、前記厚さ方向視において、前記第２領域に重なっている部分を有する、請求項１９ないし請求項２１のいずれかに記載のチップ抵抗器。
23. 前記第２メッキ層は、第２内側メッキ膜および第２外側メッキ膜を含み、
    前記第２内側メッキ膜は、前記第２外側メッキ膜および前記第２下地層の間に介在しており、
    前記第２内側メッキ膜は、Ｃｕ、Ａｇ、あるいはＡｕよりなり、前記第２外側メッキ膜は、Ｓｎよりなる、請求項１９ないし請求項２２のいずれかに記載のチップ抵抗器。
24. 前記第２メッキ層は、第２中間メッキ膜を含み、
    前記第２中間メッキ膜は、第２内側メッキ膜および第２外側メッキ膜の間に介在しており、第２中間メッキ膜は、Ｎｉよりなる、請求項２３に記載のチップ抵抗器。
25. 前記第２下地層は、前記第１方向とは反対の第２方向に露出している、請求項１９ないし請求項２４のいずれかに記載のチップ抵抗器。
26. 前記第２下地層は、ＮｉあるいはＣｒよりなる、請求項１９ないし請求項２５のいずれかに記載のチップ抵抗器。
27. 前記第２下地層の厚さは、前記絶縁層および前記第２メッキ層のいずれの厚さよりも薄い、請求項１９ないし請求項２６のいずれかに記載のチップ抵抗器。
28. 前記第２下地層は、スパッタリングにより形成される、請求項１９ないし請求項２７のいずれかに記載のチップ抵抗器。
29. 前記抵抗板は、前記抵抗板表面とは反対側を向く抵抗板主面を有し、
    前記抵抗板主面を覆う保護層を更に備える、請求項１ないし請求項２８のいずれかに記載のチップ抵抗器。
30. 前記抵抗板は、マンガニン、ゼラニン、Ｎｉ−Ｃｒ合金、Ｃｕ−Ｎｉ合金、あるいは、Ｆｅ−Ｃｒ合金よりなる、請求項１ないし請求項２９のいずれかに記載のチップ抵抗器。
31. 前記絶縁層は、前記第１電極および前記第２電極が形成された絶縁層表面を有する、請求項１ないし請求項３０のいずれかに記載のチップ抵抗器。
32. 前記絶縁層の熱伝導率は、１．０Ｗ／（ｍ・Ｋ）〜５．０Ｗ／（ｍ・Ｋ）である、請求項１ないし請求項３１のいずれかに記載のチップ抵抗器。
33. 請求項１ないし請求項３２のいずれかに記載のチップ抵抗器と、
    前記チップ抵抗器が実装された実装基板と、
    前記実装基板と前記チップ抵抗器との間に介在する導電性接合部と、を備える、チップ抵抗器の実装構造。
    
    

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