JP4138215B2

JP4138215B2 - チップ抵抗器の製造方法

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Publication number: JP4138215B2
Application number: JP2000239076A
Authority: JP
Inventors: 圭史仲村
Original assignee: Koa Corp
Current assignee: Koa Corp
Priority date: 2000-08-07
Filing date: 2000-08-07
Publication date: 2008-08-27
Anticipated expiration: 2020-08-07
Also published as: JP2002057009A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電流検出用のチップ抵抗器の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
大電流の検出用にミリオーム程度の極めて抵抗値が小さい抵抗器（シャント抵抗器）を用いることは良く知られている。このシャント抵抗器を用いた大電流Ｉ（Ａ）の検出では、既知の低抵抗値を有し、抵抗値の変動が小さいシャント抵抗器Ｒ（Ω）に、高電流Ｉ（Ａ）を流した時のシャント抵抗器の両端における電圧降下Ｖ（Ｖ）を測定し、Ｉ＝Ｖ／Ｒを用いて電流値Ｉ（Ａ）を算出する。
【０００３】
シャント抵抗器の一例を図７に示す。シャント抵抗器１０００は、金属製の抵抗部１４００および２つの電極部１１００から構成されている。抵抗部１４００は、例えば、Ｃｕ−Ｎｉ合金（例えば、ＣＮ４９Ｒ）などの金属合金が用いられる。電極１１００には、はんだ付け性を考慮してはんだめっき１２００が施されている。
【０００４】
ここで、シャント抵抗器の特性は、抵抗の温度係数（ＴＣＲ：ＴｅｍｐｅｒａｔｕｒｅＣｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔｏｆＲｅｓｉｓｔａｎｃｅ）やシャント抵抗器を所定条件下で長時間使用した場合（例えば、１０００時間）の使用前後における抵抗値変化（寿命試験）などを用いて評価される。
【０００５】
ここで、抵抗の温度係数（ＴＣＲ）は、（１）式で求められ、１０００時間の寿命試験前後の抵抗値変化ΔＲ／Ｒは、（２）式を用いて評価される。
【０００６】
ＴＣＲ＝（（Ｒ_１−Ｒ_０）／Ｒ_０）×（１／（Ｔ_１−Ｔ_０））（１）
Ｒ１：測定温度Ｔ_１における抵抗値（Ω）、Ｔ_１：測定温度
Ｒ０：基準温度Ｔ_０における抵抗値（Ω）、Ｔ_０：基準温度
ΔＲ／Ｒ＝（Ｒ_１０００−Ｒ_０）／Ｒ_０（２）
Ｒ_１０００：１０００時間の寿命試験後の抵抗値（Ω）
Ｒ_０：寿命試験前の抵抗値（Ω）
また、シャント抵抗器をプリント配線板などに実装するためには、シャント抵抗器を小型化し、高密度実装に適した構造にすることが必要である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、シャント抵抗器を用いて大電流を精度よく測定するためには、シャント抵抗器の特性である設定した抵抗の温度係数に限りなく近づけたり、使用時の抵抗の経時変化を小さくする必要がある。また、大電流を流したときの電流に対する抵抗値変化を小さくして電圧（Ｖ）−電流（Ｉ）特性を良くする必要がある。
【０００８】
図７に示すシャント抵抗器１０００では、所定の抵抗値とするためにレーザ加工機などを用いて１３００で示される切り込みが抵抗部１４００中に数カ所入れられている。この切り込み１３００は、抵抗調整には必要であるが、シャント抵抗器１０００の特性を劣化させる原因となっている。
【０００９】
本発明の目的は、電流の測定精度が高くかつ小型のチップ抵抗器を簡易な製造工程で実現するチップ抵抗器の製造方法を提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するための本発明の抵抗器の製造方法は、以下の構成を有する。すなわち、抵抗体用合金からなる抵抗体と、高導電率の金属からなる電極とを有するチップ抵抗器の製造方法であって、略板状の前記抵抗体用合金と略板状の前記高導電率の金属とを積層し、前記積層された抵抗体用合金と金属とをクラッド接合して接合体を形成する接合工程と、前記抵抗体用合金に接合した前記金属の一部を除去することにより、前記金属を２分割して前記抵抗体用合金の基板接合面側において対となる前記電極を形成する電極形成工程と、前記対となる電極の各基板接合面上に溶融はんだを用いてはんだ膜を同時に形成するはんだ膜形成工程と、前記電極および前記はんだ膜を形成した接合体を複数のチップ抵抗器に分割する分割工程と、を有することを特徴とする。
【００１１】
また例えば、さらに、前記チップ抵抗器の抵抗値を調整する調整工程を有し、前記調整工程は、前記チップ抵抗器の抵抗体用合金の表面の一部を除去することを特徴とする。
【００１２】
また例えば、さらに、前記チップ抵抗器の抵抗値を調整する調整工程を有し、前記調整工程は、前記チップ抵抗器の側面の一部を除去することを特徴とする。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下に、図面を参照して、本発明の好適な実施の形態であるシャント抵抗器１００およびシャント抵抗器１００の作製方法を詳細に説明する。
【００１９】
なお、本実施の形態に記載されているシャント抵抗器の抵抗体として用いられる合金組成は、一例であり、特に特定的な記載がない限りは、この発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではなく、作製するシャント抵抗器の必要特性や仕様に応じて決定されるものである。
【００２０】
［シャント抵抗器の構造］
図１に、基板１４０の導体パターン上にはんだ付けされた本実施の形態であるシャント抵抗器１００を示す。シャント抵抗器１００は、１１０の金属製の抵抗体、接続端子である電極１２１および１２２から構成されている。
【００２１】
シャント抵抗器１００は、１つの直方体形状を有する抵抗体１１０に２つの直方体形状の電極１２１と１２２を図１に示すように接合した構造である。抵抗体の厚さは、約１００〜１０００μｍである。また、各電極の厚さは、約１０〜３００μｍである。また、各電極の表面には、約２〜１０μｍのはんだ膜が形成されている。
【００２２】
シャント抵抗器１００は、放熱しやすいように設計されており、プリント配線板などに実装する際の基板１４０としては、例えばアルミ基板などが用いられ、その基板１４０もヒートシンクなどに接続された構造となっている。
【００２３】
すなわち、高電流を測定したときにシャント抵抗器１００に発生する熱は、基板１４０方向に伝達されるために、シャント抵抗器１００と基板１４０との接合面が重要であり、シャント抵抗器１００は、基板１４０との接合面である電極１２１、１２２に熱伝導の良い銅の厚板を用い、接合面積を大きく取ることを特徴としている。
【００２４】
また、高電流を測定するときの電流は、基板１４０のパターンよりシャント抵抗器１００の一方の電極１２１を介して抵抗体１１０に流れ、さらに抵抗体１１０から他の１つの電極１２２へと流れる。また、高電流を流したときの電極１２１と電極１２２間、すなわちシャント抵抗器１００の両端における電圧降下を測定する。このため図１の構造を有するシャント抵抗器１００は、大電流での使用が可能である。
【００２５】
抵抗体１１０用材料としては、例えば、Ｃｕ−Ｎｉ合金（ＣＮ４９Ｒなど）や図４に示す各種金属合金および各種貴金属合金が用いられ、仕様に応じて決定される比抵抗、ＴＣＲ、抵抗値変化などの各種特性に適合する金属合金や貴金属合金などが図４より適宜選択されて使用される。また図４以外にも、例えば、マンガン・銅・ニッケル合金などを使用しても良い。
【００２６】
また、図４に示すように、貴金属合金を使用する場合には、約２〜約７μΩ・ｃｍと極めて低い電気抵抗を有する抵抗体１１０が得られ、例えば、これらの貴金属合金を抵抗体１１０として使用する場合には、図１に示す構造のシャント抵抗器１００の抵抗値は、約０．０４〜０．１５ｍΩとなる。
【００２７】
また電極１２１および１２２の材料としては、電気抵抗が抵抗体１１０に比べて小さい銅材料（例えば、１．５μΩ・ｃｍ程度）が用いられ、抵抗体１１０と電極１２１あるい抵抗体１１０と電極１２２とはクラッド接合により接合される。２つの電極１２１および１２２の電極面は、高電流を測定する際に発生する熱を放熱しやすくするため、基板１４０方向に熱が伝達されやすいように電極面積を広くとるように設計されており、熱伝導性の良い銅の厚板を用い、接合面積を大きく取ることを特徴としている。
【００２８】
また電極１２１および１２２の表面には、基板の導体パターンへのはんだ付け性を向上するために、例えば、溶融はんだ材（Ｓｎ：Ｐｂ＝９：１）または鉛フリーはんだ材の膜１３１および１３２が形成されている。溶融はんだ材は、銅材の電極１２１または１２２との間に拡散層を有するため、電極の接合強度および電気的信頼性は、向上する。
【００２９】
なお、シャント抵抗器１００の特徴は、抵抗体１１０が平板からなる単純構造となっており、従来のシャント抵抗器１０００に見られるような切れ込み１３００が無い点である。このように抵抗体１１０中に切れ込みがないため、大電流を流したときの電流経路が安定し、抵抗値変化（ΔＲ／Ｒ）は、約０．１％以下に抑えることができ、切れ込みがある場合の抵抗値変化（ΔＲ／Ｒ）数〜２０％に比べて抵抗値変化を１／数１０〜１／２００程度に低減できる。
【００３０】
また、抵抗体１１０に約２〜７μΩ・ｃｍの極めて低い電気抵抗を有する貴金属合金を使用すると、シャント抵抗器１００の抵抗値は、約０．０４〜０．１５ｍΩとなるため、高電流の測定に適したシャント抵抗器が得られる。
【００３１】
［シャント抵抗器の作製方法］
次に、図２および図３を用いて、シャント抵抗器１００の作製方法について以下に説明する。図２は、シャント抵抗器１００の作製方法の一例を示すものであり、図３は、図２の各作製工程で用いられる各素材や作製されるシャント抵抗器１００の形状を示したものである。
【００３２】
図２において、電極材の銅合金２３０としては、例えば、比抵抗約１．５μΩ・ｃｍの銅材が選択され、素材加工２４０工程において、所定の寸法に加工される。
【００３３】
また、抵抗材の合金２１０としては、例えば、図４に示す所定の比抵抗を有する各種金属合金や各種貴金属合金の中から用途や仕様に応じて選択され、素材加工２２０工程において、所定の寸法に加工される。
【００３４】
次に、図３の１２０に示す銅材と１１０に示す抵抗体、例えば、貴金属合金とが接合２５０工程にてクラッド接合される。この接合体３１０における抵抗体１１０と電極１２０の界面は、拡散層により強固に結合されているため、抵抗体１１０と電極１２０との接合強度および電気的信頼性は向上する。
【００３５】
次に、接合体３１０は、電極加工２６０工程にて、図３の３２０に示す所定の形状の接合体となるように電極１２０の一部が除去される。例えば、切削装置を用いて、図３の３２０に示す電極１２０の中央部分１２３が抵抗体１１０が露出するまで除去され、電極１２０は、１２１と１２２に分割される。電極１２１と電極１２２の厚さは、約１０〜３００μｍである。また、抵抗体１１０の厚さは、約１００〜１０００μｍである。
【００３６】
次に、接合体３２０は、溶融はんだ加工２７０工程にて、電極１２１と電極１２２の表面に１３１と１３２で示す約２〜１０μｍのはんだ膜が形成され、接合体３３０を得る。この時使用されるはんだとしては、例えば、溶融はんだ材（Ｓｎ：Ｐｂ＝９：１）あるいは、鉛フリーはんだ材などが用いられる。
【００３７】
この溶融はんだ材と銅材の電極１２０との間には、拡散層が形成されるため、溶融はんだ材１３１と電極１２１および溶融はんだ材１３２と電極１２２とは強固に接合される。そのためそれらの界面の接合強度は高く電気的信頼性も向上し、さらに、溶融はんだ材１３１および１３２を介してシャント抵抗器１００をアルミ基板１４０の導体パターンにはんだ付けすることが可能となる。
【００３８】
次に、接合体３３０は、切断加工２８０工程にて、レーザ加工機、プレス加工機、ワイヤー放電加工機、円盤切削機などを用いて、所定の長さに切断され、３４０に示す所定の寸法を有する接合体、例えば、厚さ約０．１〜２０ｍｍを得る。
【００３９】
次に、接合体３４０は、抵抗調整２９０工程にて、所定の抵抗値を有するように調整される。すなわち接合体３５０の抵抗値を測定しながら、サンドブラスト法など、またはレーザー加工機などの各種切断機を用いて、接合体３５０の側面部や表面部の一部を除去する。その結果、所定の抵抗値を有すシャント抵抗器１００が得られる。
【００４０】
［シャント抵抗器の諸特性］
図４の各種金属合金および各種貴金属合金を用いて作製したシャント抵抗器の抵抗値の一例を以下に説明する。例えば、図４に示す約２〜約７μΩｃｍの低抵抗の貴金属合金を使用した場合の図１に示す構造のシャント抵抗器の抵抗値は、約０．０５〜０．１４ｍΩ程度であり、低抵抗値を有するシャント抵抗器が得られる。
【００４１】
図５に、Ｃｕ−Ｎｉ系合金であるＣＮ４９を抵抗体１１０として用い図２の本作製方法で作製されたシャント抵抗器１００のＴＣＲ値および１０００時間の寿命試験後の抵抗値変化を一例として示す。また、図５には、比較として図７に示す従来の方法で作製されたシャント抵抗器１０００のＴＣＲ値および１０００時間の寿命試験後の抵抗値変化を合わせて示す。図５より、本作製方法で作製されたシャント抵抗器１００は、従来品に比べてＴＣＲ値が約１／３以下に、抵抗値変化が１／２０〜１／３０以下に低下し、各々の特性が向上していることがわかる。
【００４２】
ここで、Ｃｕ−Ｎｉ系合金であるＣＮ４９のＴＣＲ値は、約５０ｐｐｍ／℃であり、シャント抵抗器１１０のＴＣＲ値に極めて近い。このことから、本製造方法で製造されるシャント抵抗器１１０は、Ｃｕ−Ｎｉ系合金（ＣＮ４９）がもつ本来のＴＣＲ値をほぼ再現できる製造方法といえる。また、従来の製造方法で製造されたシャント抵抗器１０００は、抵抗調整用の切り込み１４００がＣｕ−Ｎｉ系合金（ＣＮ４９）の本来のＴＣＲ値を発現できない阻害要因として働いているといえる。
【００４３】
なお、図５には示さなかったが、シャント抵抗器１００の抵抗体として図４に示す各金属合金または各基金属合金を抵抗体１１０として用いてＴＣＲ値および１０００時間の寿命試験後の抵抗値変化を行った。その結果も図５とほぼ同様のＴＣＲ値や抵抗値変化値が得られた。これらのことから、図４に示す各金属合金または各基金属合金を抵抗体１１０として用い、図２の作製方法によって作製されたたシャント抵抗器１００は優れたＴＣＲ値や抵抗値変化値が得られることがわかる。
【００４４】
また、図６に、図５で示した本実施の形態であるシャント抵抗器１００と従来例のシャント抵抗器１０００との電圧（Ｖ）−電流（Ｉ）特性を測定した結果を示す。図６の結果より、抵抗体１１０に切り込みが無いシャント抵抗器１００の電流値の増加に伴う抵抗値の変化は、０．１％以下に抑えることができ、優れた電圧（Ｖ）−電流（Ｉ）特性が得られた。
【００４５】
一方、抵抗体に切り込みが多数あるシャント抵抗器１０００では、電流値の増加に伴い抵抗値が数％から２０％も増加し、大電流を流したときの抵抗値の変化が大きい。これは、切り込みがあると電流経路が安定しないためである。このことから、大電流を流したときのシャント抵抗器の抵抗値変化を小さくするためには、切り込みの無い形状が望ましいことがわかる。
【００４６】
以上説明したように、本実施形態によれば、シャント抵抗器を作製する際に貴金属合金などの低抵抗材料を抵抗体として用い、抵抗体中にさらに抵抗調整用の切り込みを入れないでシャント抵抗器を作製することにより、低抵抗で高電流の測定に適した電流経路を有する抵抗変化率の小さなシャント抵抗器が提供ができる。
【００４７】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば電流の測定精度が高くかつ小型のチップ抵抗器を簡易な製造工程で実現するチップ抵抗器の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態であるシャント抵抗器の概略構造図である。
【図２】シャント抵抗器の作製方法を示す図である。
【図３】シャント抵抗器の各製造工程における接合体の形状を示す図である。
【図４】抵抗体の種類を示す図である。
【図５】シャント抵抗器のＴＣＲ値及び寿命試験後の抵抗値変化を比較した図である。
【図６】シャント抵抗器のＶ−Ｉ特性を比較した図である。
【図７】従来の切れ込みが入ったシャント抵抗器の概略構造図である。
【符号の説明】
１００シャント抵抗器
１１０抵抗体
１２１電極
１２２電極
１３１溶融はんだ材
１３２溶融はんだ材
１４０基板

Claims

抵抗体用合金からなる抵抗体と、高導電率の金属からなる電極とを有するチップ抵抗器の製造方法であって、
略板状の前記抵抗体用合金と略板状の前記高導電率の金属とを積層し、前記積層された抵抗体用合金と金属とをクラッド接合して接合体を形成する接合工程と、
前記抵抗体用合金に接合した前記金属の一部を除去することにより、前記金属を２分割して前記抵抗体用合金の基板接合面側において対となる前記電極を形成する電極形成工程と、
前記対となる電極の各基板接合面上に溶融はんだを用いてはんだ膜を同時に形成するはんだ膜形成工程と、
前記電極および前記はんだ膜を形成した接合体を複数のチップ抵抗器に分割する分割工程と、
を有することを特徴とするチップ抵抗器の製造方法。
さらに、前記チップ抵抗器の抵抗値を調整する調整工程を有し、
前記調整工程は、前記チップ抵抗器の抵抗体用合金の表面の一部を除去することを特徴とする請求項１記載のチップ抵抗器の製造方法。
さらに、前記チップ抵抗器の抵抗値を調整する調整工程を有し、
前記調整工程は、前記チップ抵抗器の側面の一部を除去することを特徴とする請求項１記載のチップ抵抗器の製造方法。