JP2607346B2 - 基板材料の小径穴加工方法 - Google Patents
基板材料の小径穴加工方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、基板の小径穴加工の切
粉詰まり処理並びに内壁荒れの除去を高速で確実に行う
方法に関する。
粉詰まり処理並びに内壁荒れの除去を高速で確実に行う
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、電子機器の基板材料である両面銅
貼りのガラス繊維入りエポキシ樹脂基板の穴明け加工
は、０．３ｍｍ以上の穴を加工することが多く、発生す
る切粉は超音波洗滌などの方法で除去することが普通で
あった。しかし、最近では配線も微細パターン化して、
高密度、多層化となってきており、スルーホール径も
０．２５ｍｍから０．１ｍｍ程度と細径の穴径となり、
ドリル刃の摩耗、折損などの問題もあって、切粉詰まり
や内壁荒れ、バリ発生が多く、超音波洗滌方法では切粉
排除、内壁荒れやバリ除去は不可能になってきている。
貼りのガラス繊維入りエポキシ樹脂基板の穴明け加工
は、０．３ｍｍ以上の穴を加工することが多く、発生す
る切粉は超音波洗滌などの方法で除去することが普通で
あった。しかし、最近では配線も微細パターン化して、
高密度、多層化となってきており、スルーホール径も
０．２５ｍｍから０．１ｍｍ程度と細径の穴径となり、
ドリル刃の摩耗、折損などの問題もあって、切粉詰まり
や内壁荒れ、バリ発生が多く、超音波洗滌方法では切粉
排除、内壁荒れやバリ除去は不可能になってきている。
【０００３】又、プラズマ放電を利用する従来の基板汚
れクリーニング方法として、真空容器に基板を中央に入
れ、両側に多数の線状電極を設置し、それに直流電圧を
交互に印加する方法と、交番電圧を印加する方法とあっ
た。直流電圧の場合は数千ボルトであり、交番電圧の場
合は数百サイクルから数メガサイクルまで含まれる。し
かし、これらの場合は、安定なプラズマ放電を発生させ
るのが目的であるため、その真空度は１Ｔｏｒｒ以下で
あった。この方法の問題点は放電が静かであり、容器内
に含ませた腐食性ガス（フッ化物、塩化物など）のプラ
ズマ放電によるイオン化した反応基により基板中の切り
粉、汚れなどを静かに化学的反応除去するため、可成り
の時間がかかることと切り粉などは容器内では静電気的
に付着したままとなり除去されず、基板汚れクリーニン
グ方法としてはきわめて不十分な方法であった。更に、
本出願人等は、通常のプラズマ放電のような低い真空度
を用いず、１０ないし２×１０3Ｔｏｒｒ下でプラズマ
放電処理して、被加工基板材料の小径穴を加工する方法
を見い出し、特開平５−２８５８９５号として既に出願
している。
れクリーニング方法として、真空容器に基板を中央に入
れ、両側に多数の線状電極を設置し、それに直流電圧を
交互に印加する方法と、交番電圧を印加する方法とあっ
た。直流電圧の場合は数千ボルトであり、交番電圧の場
合は数百サイクルから数メガサイクルまで含まれる。し
かし、これらの場合は、安定なプラズマ放電を発生させ
るのが目的であるため、その真空度は１Ｔｏｒｒ以下で
あった。この方法の問題点は放電が静かであり、容器内
に含ませた腐食性ガス（フッ化物、塩化物など）のプラ
ズマ放電によるイオン化した反応基により基板中の切り
粉、汚れなどを静かに化学的反応除去するため、可成り
の時間がかかることと切り粉などは容器内では静電気的
に付着したままとなり除去されず、基板汚れクリーニン
グ方法としてはきわめて不十分な方法であった。更に、
本出願人等は、通常のプラズマ放電のような低い真空度
を用いず、１０ないし２×１０3Ｔｏｒｒ下でプラズマ
放電処理して、被加工基板材料の小径穴を加工する方法
を見い出し、特開平５−２８５８９５号として既に出願
している。
【０００４】これによれば、例えば、アルミナ基板やシ
リコン基板のように耐熱、耐食性の良い材料を用いた基
板の場合は、例えば一般にセラミックスエッチング用と
して使われるフッ化水素系ガス以外に水酸化ナトリウム
や水酸化カリウム水を５０〜６０℃に温め、アルカリ蒸
気とする。その雰囲気７６０Ｔｏｒｒ中で基板穴に対し
てプラズマ放電処理を行うと、従来のフッ素酸エッチン
グよりも３〜４倍も効率良く、細穴壁面のみのエッチン
グができることがわかった。そこで用いられる電圧波形
は正電圧付加τonのみが繰り返し印加されるものであっ
た。このプラズマ放電による加工法は従来法に比べると
格段に優れたものであるが、切粉詰まり、穴内壁面の平
滑化、バリの除去などをより短時間で１００％除去する
ための改良の余地があった。
リコン基板のように耐熱、耐食性の良い材料を用いた基
板の場合は、例えば一般にセラミックスエッチング用と
して使われるフッ化水素系ガス以外に水酸化ナトリウム
や水酸化カリウム水を５０〜６０℃に温め、アルカリ蒸
気とする。その雰囲気７６０Ｔｏｒｒ中で基板穴に対し
てプラズマ放電処理を行うと、従来のフッ素酸エッチン
グよりも３〜４倍も効率良く、細穴壁面のみのエッチン
グができることがわかった。そこで用いられる電圧波形
は正電圧付加τonのみが繰り返し印加されるものであっ
た。このプラズマ放電による加工法は従来法に比べると
格段に優れたものであるが、切粉詰まり、穴内壁面の平
滑化、バリの除去などをより短時間で１００％除去する
ための改良の余地があった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明では、
小径穴内の切粉処理、内壁面の平滑性、バリの除去など
が短時間でほぼ完全にできる方法を提供せんとするもの
である。
小径穴内の切粉処理、内壁面の平滑性、バリの除去など
が短時間でほぼ完全にできる方法を提供せんとするもの
である。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者らは鋭意研究し
た結果、通常のプラズマ放電のような低い真空度を用い
ず、しかも特定の波形の電圧でプラズマ放電処理するこ
とによって、上記課題が解決されることを見出し本発明
に至った。即ち、本発明は以下（１）〜（３）である。 （１）プリント回路基板の両側に電極を配置し、この電
極に正電圧印加時間τonと負電圧印加時間−τonが交互
に繰り返す波形の電圧又は該波形の電圧に直流電圧を重
畳した波形の電圧を印加し気圧１０ないし２×１０3Ｔ
ｏｒｒ下でプラズマ放電処理して、プリント回路基板の
小径穴を加工することを特徴とするプリント回路基板の
小径穴加工方法。
た結果、通常のプラズマ放電のような低い真空度を用い
ず、しかも特定の波形の電圧でプラズマ放電処理するこ
とによって、上記課題が解決されることを見出し本発明
に至った。即ち、本発明は以下（１）〜（３）である。 （１）プリント回路基板の両側に電極を配置し、この電
極に正電圧印加時間τonと負電圧印加時間−τonが交互
に繰り返す波形の電圧又は該波形の電圧に直流電圧を重
畳した波形の電圧を印加し気圧１０ないし２×１０3Ｔ
ｏｒｒ下でプラズマ放電処理して、プリント回路基板の
小径穴を加工することを特徴とするプリント回路基板の
小径穴加工方法。
【０００７】（２）プリント回路基板の両側に２極間間
隔０．０１〜５０ｍｍで電極を配置し、気圧１０ないし
２×１０3Ｔｏｒｒ下で、正電圧印加時間τonと負電圧
印加時間−τonが交互に繰り返す波形の電圧又は該波形
の電圧に直流電圧を重畳した波形の電圧が、τonと−τ
onが交互に繰り返す正弦波、二等辺三角波、方形波、台
形波、鋸歯状波、一般三角波、矩形衝撃波及びこれらに
直流電圧を重畳した波形から選ばれる一種であり、ピー
ク電圧は２極間間隔に合せて１０Ｖないし５００００Ｖ
に変化させてプラズマ放電処理して、プリント回路基板
の小径穴を加工することを特徴とするプリント回路基板
の小径穴加工方法。 （３）処理雰囲気は空気、非酸化性ガス、反応性ガス、
蒸気のいずれかである上記（１）又は（２）項記載の基
板材料の小径穴加工方法。
隔０．０１〜５０ｍｍで電極を配置し、気圧１０ないし
２×１０3Ｔｏｒｒ下で、正電圧印加時間τonと負電圧
印加時間−τonが交互に繰り返す波形の電圧又は該波形
の電圧に直流電圧を重畳した波形の電圧が、τonと−τ
onが交互に繰り返す正弦波、二等辺三角波、方形波、台
形波、鋸歯状波、一般三角波、矩形衝撃波及びこれらに
直流電圧を重畳した波形から選ばれる一種であり、ピー
ク電圧は２極間間隔に合せて１０Ｖないし５００００Ｖ
に変化させてプラズマ放電処理して、プリント回路基板
の小径穴を加工することを特徴とするプリント回路基板
の小径穴加工方法。 （３）処理雰囲気は空気、非酸化性ガス、反応性ガス、
蒸気のいずれかである上記（１）又は（２）項記載の基
板材料の小径穴加工方法。
【０００８】上記（１）〜（３）のように、本発明は、
基板材料の小径穴加工において、特定の圧力下でかつ特
定波形の電圧を印加するプラズマ放電処理が切粉処理、
穴内面の平滑性、バリの除去などに著しい効果があるこ
とを見出すとともに、雰囲気、圧力とピーク電圧を選択
設定することによって所期の目的を達成するものであ
る。本発明においては、気圧の制御は重要で１０Ｔｏｒ
ｒ未満では、基板材料の小径穴以外にも沿面放電が生
じ、グロー放電となり、目的とする穴のプラズマ放電処
理効率が悪くなるばかりでなく、プラズマ放電処理の不
必要な箇所まで処理することになってくる。又、２×１
０3Ｔｏｒｒを超えるとプラズマ放電処理装置の高圧化
に問題が生じると共に放電も生じ難くなる。
基板材料の小径穴加工において、特定の圧力下でかつ特
定波形の電圧を印加するプラズマ放電処理が切粉処理、
穴内面の平滑性、バリの除去などに著しい効果があるこ
とを見出すとともに、雰囲気、圧力とピーク電圧を選択
設定することによって所期の目的を達成するものであ
る。本発明においては、気圧の制御は重要で１０Ｔｏｒ
ｒ未満では、基板材料の小径穴以外にも沿面放電が生
じ、グロー放電となり、目的とする穴のプラズマ放電処
理効率が悪くなるばかりでなく、プラズマ放電処理の不
必要な箇所まで処理することになってくる。又、２×１
０3Ｔｏｒｒを超えるとプラズマ放電処理装置の高圧化
に問題が生じると共に放電も生じ難くなる。
【０００９】本願発明において印加される電圧波形は、
前記特開平５−２８５８９５号に記載された発明のよう
に、正電圧印加時間τonがある一定の時間毎に繰り返し
印加されるものではなく、正電圧印加時間τonと負電圧
印加時間−τonが交互に繰り返される波形又は該波形の
電圧に直流電圧を重畳した波形のものであって、この点
に発明の最大の特徴を有する。これらの波形の具体例
は、正電圧印加時間τonと負電圧印加時間−τonが交互
に繰り返す正弦波、二等辺三角形、方形波、台形波、鋸
歯状波、一般三角波、矩形衝撃波などである。これらの
波形を図１〜７に示す。図１〜７において、τonは正電
圧印加時間、−τonは負電圧印加時間、Ｖpは正のピー
ク電圧、−Ｖpは負のピーク電圧を示す。
前記特開平５−２８５８９５号に記載された発明のよう
に、正電圧印加時間τonがある一定の時間毎に繰り返し
印加されるものではなく、正電圧印加時間τonと負電圧
印加時間−τonが交互に繰り返される波形又は該波形の
電圧に直流電圧を重畳した波形のものであって、この点
に発明の最大の特徴を有する。これらの波形の具体例
は、正電圧印加時間τonと負電圧印加時間−τonが交互
に繰り返す正弦波、二等辺三角形、方形波、台形波、鋸
歯状波、一般三角波、矩形衝撃波などである。これらの
波形を図１〜７に示す。図１〜７において、τonは正電
圧印加時間、−τonは負電圧印加時間、Ｖpは正のピー
ク電圧、−Ｖpは負のピーク電圧を示す。
【００１０】図１は正弦波であり、図２は二等辺三角
波、図３は方形波、図４は台形波、図５は鋸歯状波、図
６は一般三角波、図７は矩形衝撃波の典型例である。本
願発明においては、上記のような正電印加時間τonと負
電圧印加時間−τonが交互に繰り返される波形に直流電
圧Ｖを重畳した波形の電圧を印加する場合も含まれる。
これらの波形を図８〜１２に示す。各記号は図１〜７の
場合と同義である。図８は、正電圧印加時間τonと負電
圧印加時間−τonか交互に繰り返される波形のピーク電
圧Ｖpより大なる絶対値を有する直流電圧Ｖを重畳した
波形を示す。この場合負電圧印加時間−τonは現われ
ず、正電圧印加時間τonは無限大 。直流電圧を重畳した波形はこれらに限られず、図２，
４〜７に正又は負の直流電圧を重畳したものが含まれ
る。ただし、直流電圧が重畳されることによって、単に
τonとτoffが繰り返されるような、いわゆるパルス波
形は含まれない。
波、図３は方形波、図４は台形波、図５は鋸歯状波、図
６は一般三角波、図７は矩形衝撃波の典型例である。本
願発明においては、上記のような正電印加時間τonと負
電圧印加時間−τonが交互に繰り返される波形に直流電
圧Ｖを重畳した波形の電圧を印加する場合も含まれる。
これらの波形を図８〜１２に示す。各記号は図１〜７の
場合と同義である。図８は、正電圧印加時間τonと負電
圧印加時間−τonか交互に繰り返される波形のピーク電
圧Ｖpより大なる絶対値を有する直流電圧Ｖを重畳した
波形を示す。この場合負電圧印加時間−τonは現われ
ず、正電圧印加時間τonは無限大 。直流電圧を重畳した波形はこれらに限られず、図２，
４〜７に正又は負の直流電圧を重畳したものが含まれ
る。ただし、直流電圧が重畳されることによって、単に
τonとτoffが繰り返されるような、いわゆるパルス波
形は含まれない。
【００１１】本願発明においては、電極条件も重要で、
まず２極間の間隔は０．０１〜５０ｍｍの範囲がよい。
０．０１ｍｍ未満では現在最も薄い基板として超ＬＳＩ
基板の厚さが０．００５ｍｍ位であるので、電極間隔は
０．０１が限度であり、また電極間隔が５０ｍｍを超え
ると電極間のピーク電圧は５００００Ｖ以上必要となり
基板材料の小径穴が１０ｍｍ間隔の場合、放電が電極に
近い小径穴のみならず、遠い小径穴に分散するため、プ
ラズマ放電処理効果が半減する。電圧変動率が±２％で
あるから、４９０００Ｖが限界である。むしろ現状では
小径穴の間隔は１０ｍｍ以下であるから最大ピーク電圧
から電極間隔が決まり、５０ｍｍが最大間隔である。電
圧波形の正電圧印加時間τonは０．０１μｓ未満では放
電が生じ難くなる。又、２０ｓ未満が好ましい。ピーク
電圧が１０Ｖ未満ではプラズマ放電が発生し難く、生じ
たとしても単発的放電となり極めて不安定で処理効率は
低い。５００００Ｖを超えると多数の小径穴に分散し効
率が低下するのみならず装置の安全性にも問題を生じて
くる。
まず２極間の間隔は０．０１〜５０ｍｍの範囲がよい。
０．０１ｍｍ未満では現在最も薄い基板として超ＬＳＩ
基板の厚さが０．００５ｍｍ位であるので、電極間隔は
０．０１が限度であり、また電極間隔が５０ｍｍを超え
ると電極間のピーク電圧は５００００Ｖ以上必要となり
基板材料の小径穴が１０ｍｍ間隔の場合、放電が電極に
近い小径穴のみならず、遠い小径穴に分散するため、プ
ラズマ放電処理効果が半減する。電圧変動率が±２％で
あるから、４９０００Ｖが限界である。むしろ現状では
小径穴の間隔は１０ｍｍ以下であるから最大ピーク電圧
から電極間隔が決まり、５０ｍｍが最大間隔である。電
圧波形の正電圧印加時間τonは０．０１μｓ未満では放
電が生じ難くなる。又、２０ｓ未満が好ましい。ピーク
電圧が１０Ｖ未満ではプラズマ放電が発生し難く、生じ
たとしても単発的放電となり極めて不安定で処理効率は
低い。５００００Ｖを超えると多数の小径穴に分散し効
率が低下するのみならず装置の安全性にも問題を生じて
くる。
【００１２】処理雰囲気は、空気、例えばＡｒ，Ｈｅ，
Ｎ2などの非酸化性ガス例えばＣＨ4，ＣＣｌ4，Ｃ2Ｈ2
などの反応性ガス、例えばＮａＯＨ水蒸気などの蒸気を
適宜選択して適用する。特に、燃えやすい紙製品の如き
基板については、Ａｒ，Ｎ２ガス雰囲気でプラズマ放電
処理すれば好ましい。本発明によるプラズマ放電処理の
メカニズムは必ずしも十分解明されていないが、該プラ
ズマ放電処理と同時にコロナ放電が基板材料の小径穴内
面や表面上に生じ、その放電が多数の線条の沿面コロナ
放電となることで大きな衝撃波が発生し、更に該衝撃波
によって圧力も発生し、切り粉などは飛ばされ、放電に
よる活性化したイオン、電子によって穴内面の汚れも十
分除去されるものと考えられる。
Ｎ2などの非酸化性ガス例えばＣＨ4，ＣＣｌ4，Ｃ2Ｈ2
などの反応性ガス、例えばＮａＯＨ水蒸気などの蒸気を
適宜選択して適用する。特に、燃えやすい紙製品の如き
基板については、Ａｒ，Ｎ２ガス雰囲気でプラズマ放電
処理すれば好ましい。本発明によるプラズマ放電処理の
メカニズムは必ずしも十分解明されていないが、該プラ
ズマ放電処理と同時にコロナ放電が基板材料の小径穴内
面や表面上に生じ、その放電が多数の線条の沿面コロナ
放電となることで大きな衝撃波が発生し、更に該衝撃波
によって圧力も発生し、切り粉などは飛ばされ、放電に
よる活性化したイオン、電子によって穴内面の汚れも十
分除去されるものと考えられる。
【００１３】この点、従来の高真空下の静かなプラズマ
放電処理とは根本的に相違するだけでなく、本発明者ら
による放電が一方向に限られる先行技術と比べても、放
電が正方向と逆方向に繰り返し行われるか、又は一方向
であっても強弱が繰り返されることで放電処理効果が格
段に向上するものである。
放電処理とは根本的に相違するだけでなく、本発明者ら
による放電が一方向に限られる先行技術と比べても、放
電が正方向と逆方向に繰り返し行われるか、又は一方向
であっても強弱が繰り返されることで放電処理効果が格
段に向上するものである。
【００１４】
【実施例】以下、本願発明を実施例を用いて詳しく説明
する。厚さ０．８ｍｍ、縦２０ｃｍ、横３０ｃｍの樹脂
基板に、各一枚毎に直径０．２５ｍｍ、０．２ｍｍ、
０．１５ｍｍの穴をそれぞれＮＣボール盤で全面に５ｍ
ｍ間隔で穴明け加工した。穴数は２３００穴となった
が、ステップ加工中、０．２５ｍｍ細径ドリルは１３９
０穴位から切粉詰まりが著しくなった。０．２ｍｍ細径
ドリルでは６８０穴位から、さらに０．１５ｍｍ、細径
ドリルでは４３０穴位から切粉詰まりが著しくなり、穴
内壁荒れ、バリ発生も多くなった。
する。厚さ０．８ｍｍ、縦２０ｃｍ、横３０ｃｍの樹脂
基板に、各一枚毎に直径０．２５ｍｍ、０．２ｍｍ、
０．１５ｍｍの穴をそれぞれＮＣボール盤で全面に５ｍ
ｍ間隔で穴明け加工した。穴数は２３００穴となった
が、ステップ加工中、０．２５ｍｍ細径ドリルは１３９
０穴位から切粉詰まりが著しくなった。０．２ｍｍ細径
ドリルでは６８０穴位から、さらに０．１５ｍｍ、細径
ドリルでは４３０穴位から切粉詰まりが著しくなり、穴
内壁荒れ、バリ発生も多くなった。
【００１５】実施例１ 上記基板を用い、０．２５ｍｍ穴の基板については雰囲
気は空気中、７６０Ｔｏｒｒ、２極間間隔は１０ｍｍと
して、正電圧印加時間τｏｎが１０ｍｓ負電圧印加時間
−τonが１０ｍｓの正弦波を用い、正のピーク電圧は１
１０００Ｖにて、プラズマ放電処理を行った。処理時間
は２３００穴を２分でＮＣ移動処理した。その結果、穴
内部の切粉は全くなく、穴内壁面もプラズマ放電により
突出したガラス繊維などや樹脂のめくれ、突出しなどは
溶融酸化などで滑らかとなり、バリも殆どない状態とな
った。０．２ｍｍ、０．１５ｍｍの穴の基板についても
それぞれ、０．２ｍｍの場合は電極間隔を８ｍｍ、正の
ピーク電圧を９０００Ｖ、又、０．１５ｍｍの場合は電
極間隔６ｍｍ、正のピーク電圧６０００Ｖの条件とする
こと以外は上記と同様に正弦波で処理した。
気は空気中、７６０Ｔｏｒｒ、２極間間隔は１０ｍｍと
して、正電圧印加時間τｏｎが１０ｍｓ負電圧印加時間
−τonが１０ｍｓの正弦波を用い、正のピーク電圧は１
１０００Ｖにて、プラズマ放電処理を行った。処理時間
は２３００穴を２分でＮＣ移動処理した。その結果、穴
内部の切粉は全くなく、穴内壁面もプラズマ放電により
突出したガラス繊維などや樹脂のめくれ、突出しなどは
溶融酸化などで滑らかとなり、バリも殆どない状態とな
った。０．２ｍｍ、０．１５ｍｍの穴の基板についても
それぞれ、０．２ｍｍの場合は電極間隔を８ｍｍ、正の
ピーク電圧を９０００Ｖ、又、０．１５ｍｍの場合は電
極間隔６ｍｍ、正のピーク電圧６０００Ｖの条件とする
こと以外は上記と同様に正弦波で処理した。
【００１６】比較例１ 比較のために、正電圧印加時間τonが１０ｍｓのみのパ
ルス波形の電圧を印加する以外は実施例１と同じ放電処
理を行った。その結果、各孔径において、穴内部の切粉
の除去、穴内壁面の状態、バリの除去などに効果があっ
たものの、いずれも実施例１には及ばなかった。図１３
はＣｄＳ光検出器を使用して、基板穴の光の透過量によ
る出力電圧をとり、穴内の切粉の除去具合を調べた図で
ある。縦軸は光起電力の電圧を示し、２３００個の平均
光透過量に比例した光起電力の電圧である。０．２５ｍ
ｍの場合、穴明けが１００％で良好ならば、出力電圧は
５ｍＶとなるが、本発明のプラズマ放電処理方法では
５．０ｍＶで光透過率は１００％である。超音波処理の
従来方法では１．４ｍＶで２８％であり、τonのみの比
較例１のプラズマ放電処理方法では４．９ｍＶで光透過
率は９８％であった。穴径が０．１５ｍｍになると、光
透過率は本願発明のプラズマ放電処理の場合９８％であ
るのに対して、比較例１のプラズマ放電処理では１１％
に過ぎないことがわかった。
ルス波形の電圧を印加する以外は実施例１と同じ放電処
理を行った。その結果、各孔径において、穴内部の切粉
の除去、穴内壁面の状態、バリの除去などに効果があっ
たものの、いずれも実施例１には及ばなかった。図１３
はＣｄＳ光検出器を使用して、基板穴の光の透過量によ
る出力電圧をとり、穴内の切粉の除去具合を調べた図で
ある。縦軸は光起電力の電圧を示し、２３００個の平均
光透過量に比例した光起電力の電圧である。０．２５ｍ
ｍの場合、穴明けが１００％で良好ならば、出力電圧は
５ｍＶとなるが、本発明のプラズマ放電処理方法では
５．０ｍＶで光透過率は１００％である。超音波処理の
従来方法では１．４ｍＶで２８％であり、τonのみの比
較例１のプラズマ放電処理方法では４．９ｍＶで光透過
率は９８％であった。穴径が０．１５ｍｍになると、光
透過率は本願発明のプラズマ放電処理の場合９８％であ
るのに対して、比較例１のプラズマ放電処理では１１％
に過ぎないことがわかった。
【００１７】実施例２ ０．１５ｍｍの孔径の上記基板を用い、実施例１と同様
に、正弦波の正電圧印加時間τonと負電圧印加時間−τ
onを変化させた。実施例１では、τonを１０ｍｓ、−τ
onを１０ｍｓ、電極間隔６ｍｍ、正のピーク電圧６００
０Ｖで９８％であったが、τonを１ｍｓ、−τonを１ｍ
ｓ、ピーク電圧を８０００Ｖ、電極間隔は５ｍｍとした
ところ、光透過量が増加して透過率が９９％に達した。
さらにτonを１０μｓ、−τonを１０μとした結果、１
００％に達したことがわかった。このように、プラズマ
放電処理は、対象物の材質、穴径によって、正電圧印加
時間τon及び負電圧印加時間−τonやピーク電圧と電極
間隔を変え、基板に対して最適条件でプラズマ処理を行
えば、ほぼ１００％の細穴内壁処理が高速で、しかも確
実にできた。
に、正弦波の正電圧印加時間τonと負電圧印加時間−τ
onを変化させた。実施例１では、τonを１０ｍｓ、−τ
onを１０ｍｓ、電極間隔６ｍｍ、正のピーク電圧６００
０Ｖで９８％であったが、τonを１ｍｓ、−τonを１ｍ
ｓ、ピーク電圧を８０００Ｖ、電極間隔は５ｍｍとした
ところ、光透過量が増加して透過率が９９％に達した。
さらにτonを１０μｓ、−τonを１０μとした結果、１
００％に達したことがわかった。このように、プラズマ
放電処理は、対象物の材質、穴径によって、正電圧印加
時間τon及び負電圧印加時間−τonやピーク電圧と電極
間隔を変え、基板に対して最適条件でプラズマ処理を行
えば、ほぼ１００％の細穴内壁処理が高速で、しかも確
実にできた。
【００１８】実施例３ 正電圧印加時間τonが１０ｍｓ、負電圧印加時間−τon
が１０ｍｓの二等辺三角波、方形波、台形波、鋸歯状
波、一般三角波を用い、又、τonが５ｍｓ、電圧無印加
時間τoffが５ｍｓ、−τonが５ｍｓ、再びτoffが５ｍ
ｓの矩形衝撃波を用いて、実施例１を繰り返した。いず
れの波形において、光透過量９８％以上で、ほぼ完全に
切粉等が除去された。 実施例４ 正のピーク電圧は１６０００Ｖ、負のピーク電圧−６０
００Ｖの正弦波を用いた以外は実施例１と同じ条件でプ
ラズマ処理を行った。その結果、光透過量１００％で、
完全に切粉等が除去された。
が１０ｍｓの二等辺三角波、方形波、台形波、鋸歯状
波、一般三角波を用い、又、τonが５ｍｓ、電圧無印加
時間τoffが５ｍｓ、−τonが５ｍｓ、再びτoffが５ｍ
ｓの矩形衝撃波を用いて、実施例１を繰り返した。いず
れの波形において、光透過量９８％以上で、ほぼ完全に
切粉等が除去された。 実施例４ 正のピーク電圧は１６０００Ｖ、負のピーク電圧−６０
００Ｖの正弦波を用いた以外は実施例１と同じ条件でプ
ラズマ処理を行った。その結果、光透過量１００％で、
完全に切粉等が除去された。
【００１９】
【発明の効果】本発明方法によれば、基板の小径穴加工
における切粉詰まり、穴内壁面の平滑化、バリの除去を
短時間で確実に行うことができる。
における切粉詰まり、穴内壁面の平滑化、バリの除去を
短時間で確実に行うことができる。
【図１】本発明のプラズマ発電に用いられる波形を示す
図。
図。
【図２】本発明のプラズマ放電に用いられる波形を示す
図。
図。
【図３】本発明のプラズマ放電に用いられる波形を示す
図。
図。
【図４】本発明のプラズマ放電に用いられる波形を示す
図。
図。
【図５】本発明のプラズマ放電に用いられる波形を示す
図。
図。
【図６】本発明のプラズマ放電に用いられる波形を示す
図。
図。
【図７】本発明のプラズマ放電に用いられる波形を示す
図。
図。
【図８】本発明のプラズマ放電に用いられる波形を示す
図。
図。
【図９】本発明のプラズマ放電に用いられる波形を示す
図。
図。
【図１０】本発明のプラズマ放電に用いられる波形を示
す図。
す図。
【図１１】本発明のプラズマ放電に用いられる波形を示
す図。
す図。
【図１２】本発明のプラズマ放電に用いられる波形を示
す図。
す図。
【図１３】本発明の効果を従来例と対比して穴径と平均
光透過量を光起電力の電圧との関係で試験した結果を示
すグラフである。
光透過量を光起電力の電圧との関係で試験した結果を示
すグラフである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 嶋 好範 神奈川県川崎市麻生区王禅寺768番地15 (72)発明者 大場 章 埼玉県朝霞市宮戸３丁目12番89号 (56)参考文献 特開 平５−285895（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−331634（ＪＰ，Ａ)
Claims (3)
- 【請求項１】 プリント回路基板の両側に電極を配置
し、この電極に正電圧印加時間τonと負電圧印加時間−
τonが交互に繰り返す波形の電圧又は該波形の電圧に直
流電圧を重畳した波形の電圧を印加し気圧１０ないし２
×１０3Ｔｏｒｒ下でプラズマ放電処理して、プリント
回路基板の小径穴を加工することを特徴とするプリント
回路基板の小径穴加工方法。 - 【請求項２】 プリント回路基板の両側に２極間間隔
０．０１〜５０ｍｍで電極を配置し、気圧１０ないし２
×１０3Ｔｏｒｒ下で、正電圧印加時間τonと負電圧印
加時間−τonが交互に繰り返す波形の電圧又は該波形の
電圧に直流電圧を重畳した波形の電圧が、τonと−τon
が交互に繰り返す正弦波、二等辺三角波、方形波、台形
波、鋸歯状波、一般三角波、矩形衝撃波及びこれらに直
流電圧を重畳した波形から選ばれる一種であり、正のピ
ーク電圧は２極間間隔に合せて１０Ｖないし５００００
Ｖに変化させてプラズマ放電処理して、プリント回路基
板の小径穴を加工することを特徴とするプリント回路基
板の小径穴加工方法。 - 【請求項３】 処理雰囲気は空気、非酸化性ガス、反応
性ガス、蒸気のいずれかである請求項１又は２記載のプ
リント回路基板の小径穴加工方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6034740A JP2607346B2 (ja) | 1994-03-04 | 1994-03-04 | 基板材料の小径穴加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6034740A JP2607346B2 (ja) | 1994-03-04 | 1994-03-04 | 基板材料の小径穴加工方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07241732A JPH07241732A (ja) | 1995-09-19 |
| JP2607346B2 true JP2607346B2 (ja) | 1997-05-07 |
Family
ID=12422725
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6034740A Expired - Lifetime JP2607346B2 (ja) | 1994-03-04 | 1994-03-04 | 基板材料の小径穴加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2607346B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100564157B1 (ko) * | 2005-01-20 | 2006-03-31 | 임창영 | 방전가공형 드릴장치의 방전펄스 제어장치 및 그 방법 |
| DE102010025966B4 (de) | 2010-07-02 | 2012-03-08 | Schott Ag | Interposer und Verfahren zum Herstellen von Löchern in einem Interposer |
| DE102010025967B4 (de) * | 2010-07-02 | 2015-12-10 | Schott Ag | Verfahren zur Erzeugung einer Vielzahl von Löchern, Vorrichtung hierzu und Glas-Interposer |
| AT515408B1 (de) | 2014-04-03 | 2015-09-15 | Tannpapier Gmbh | Diffusionsoptimiertes Mundstückbelagpapier |
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| JPS61197124A (ja) * | 1985-02-26 | 1986-09-01 | Oyo Jiki Kenkyusho:Kk | 電解放電加工装置および電解放電加工方法 |
| JPS6339725A (ja) * | 1986-08-04 | 1988-02-20 | Inoue Japax Res Inc | 放電加工装置 |
| JPS6427812A (en) * | 1987-07-20 | 1989-01-30 | Mitsubishi Electric Corp | Electric discharge machining |
| JP2559799B2 (ja) * | 1988-03-16 | 1996-12-04 | 日立精工株式会社 | 放電加工用電源装置 |
| JPH01257513A (ja) * | 1988-04-08 | 1989-10-13 | Sodick Co Ltd | 放電加工機 |
| JPH03228521A (ja) * | 1990-11-17 | 1991-10-09 | Fanuc Ltd | 放電加工方法 |
| JPH0783999B2 (ja) * | 1992-04-07 | 1995-09-13 | 栄電子工業株式会社 | 基板材料の小径穴加工方法 |
| JPH05331634A (ja) * | 1992-05-27 | 1993-12-14 | Asahi Glass Co Ltd | スパッタリング装置 |
-
1994
- 1994-03-04 JP JP6034740A patent/JP2607346B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07241732A (ja) | 1995-09-19 |
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