JPH07188919A - スパッタ装置用電源 - Google Patents
スパッタ装置用電源Info
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- JPH07188919A JPH07188919A JP6145193A JP6145193A JPH07188919A JP H07188919 A JPH07188919 A JP H07188919A JP 6145193 A JP6145193 A JP 6145193A JP 6145193 A JP6145193 A JP 6145193A JP H07188919 A JPH07188919 A JP H07188919A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】真空室内のターゲットに直流電圧および直流電
力を供給する電源の出力部にインダクタンスとコンデン
サを接続し、前記真空室内に電弧が発生したとき、前記
インダクタンスとコンデンサ等の作用による自由振動に
より電弧を自己消弧させるスパッタ装置用電源におい
て、前記自由振動によりターゲットに発生する逆極性電
圧の大きさによる異常放電を防止し、製品歩留まりの向
上を図ることを目的とする。 【構成】前記真空室内のターゲット電極間２１，２２に
逆極性電圧クランプ用ダイオード９を接続し、該逆極性
電圧の大きさを調整するようにし、または前記ターゲッ
ト電極に逆極性電圧阻止用ダイオード１０を直列接続し
て、前記逆極性電圧の発生を阻止するようにしたもので
ある。
力を供給する電源の出力部にインダクタンスとコンデン
サを接続し、前記真空室内に電弧が発生したとき、前記
インダクタンスとコンデンサ等の作用による自由振動に
より電弧を自己消弧させるスパッタ装置用電源におい
て、前記自由振動によりターゲットに発生する逆極性電
圧の大きさによる異常放電を防止し、製品歩留まりの向
上を図ることを目的とする。 【構成】前記真空室内のターゲット電極間２１，２２に
逆極性電圧クランプ用ダイオード９を接続し、該逆極性
電圧の大きさを調整するようにし、または前記ターゲッ
ト電極に逆極性電圧阻止用ダイオード１０を直列接続し
て、前記逆極性電圧の発生を阻止するようにしたもので
ある。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置，電子部品の
製造等に使用するスパッタ装置用電源に関する。
製造等に使用するスパッタ装置用電源に関する。
【０００２】
【従来の技術】スパッタ装置には高速化・低温化が望ま
れ、この方向でスパッタ技術が進展してきている。高速
化のためにスパッタ装置のターゲットは、負の高電圧が
印加されるがこの高電圧印加状態で長時間の連続運転を
行うと、真空室内に設けられたターゲット近傍で電弧を
発生し正常な運転が出来なくなることがある。電弧の発
生はターゲットの材質あるいは形状によって相違し、例
えばターゲットが銅の場合は殆ど電弧を発生しないが、
ターゲットがアルミニウムの場合には頻繁に電弧を発生
する。この電弧現象は、ターゲット上に発生した鋭い突
起と高密度のプラズマの作用によって生ずるものと考え
られる。この電弧は、ターゲットから異常なスパッタリ
ングを起こし、薄膜を形成する基板上に不正規な膜を作
ってしまう。又、場合によっては基板上の膜を壊してし
まうこともある。この電弧の発生をなくすことは、技術
的に非常に困難であるが、しかし電弧が発生した時にす
ばやくμｓｅｃのオーダーで消弧できるならば被膜への
影響を防ぐことができることが確認されている。
れ、この方向でスパッタ技術が進展してきている。高速
化のためにスパッタ装置のターゲットは、負の高電圧が
印加されるがこの高電圧印加状態で長時間の連続運転を
行うと、真空室内に設けられたターゲット近傍で電弧を
発生し正常な運転が出来なくなることがある。電弧の発
生はターゲットの材質あるいは形状によって相違し、例
えばターゲットが銅の場合は殆ど電弧を発生しないが、
ターゲットがアルミニウムの場合には頻繁に電弧を発生
する。この電弧現象は、ターゲット上に発生した鋭い突
起と高密度のプラズマの作用によって生ずるものと考え
られる。この電弧は、ターゲットから異常なスパッタリ
ングを起こし、薄膜を形成する基板上に不正規な膜を作
ってしまう。又、場合によっては基板上の膜を壊してし
まうこともある。この電弧の発生をなくすことは、技術
的に非常に困難であるが、しかし電弧が発生した時にす
ばやくμｓｅｃのオーダーで消弧できるならば被膜への
影響を防ぐことができることが確認されている。
【０００３】図６は本発明者等が先に提案（特公平１−
１４３１２号）したこの種の電源の回路図で、真空室
（チャンバ）１内のターゲット２に直流電圧および直流
電力を供給している電源６の出力部に、インダクタンス
４とコンデンサ５よりなる共振回路７を接続し、前記真
空室１内に電弧８が発生したときに、この電弧８の低い
負荷抵抗と前記インダクタンス４とコンデンサ５と電源
の内部抵抗との回路に電気的な自由振動を発生せしめ、
この自由振動に基づいてターゲット２に発生する短時間
の電圧降下または逆極性電圧によって、電弧８を自己消
弧せしめたものである。なお、３は被膜を形成する基板
である。また、図６は基本回路を図示したもので共振回
路７は、インダクタンス４とコンデンサ５の組合せによ
る他の回路も考えられる。
１４３１２号）したこの種の電源の回路図で、真空室
（チャンバ）１内のターゲット２に直流電圧および直流
電力を供給している電源６の出力部に、インダクタンス
４とコンデンサ５よりなる共振回路７を接続し、前記真
空室１内に電弧８が発生したときに、この電弧８の低い
負荷抵抗と前記インダクタンス４とコンデンサ５と電源
の内部抵抗との回路に電気的な自由振動を発生せしめ、
この自由振動に基づいてターゲット２に発生する短時間
の電圧降下または逆極性電圧によって、電弧８を自己消
弧せしめたものである。なお、３は被膜を形成する基板
である。また、図６は基本回路を図示したもので共振回
路７は、インダクタンス４とコンデンサ５の組合せによ
る他の回路も考えられる。
【０００４】図７（ａ）（ｂ）は前述した従来例の動作
時のターゲット電圧波形及びターゲット電流波形を示す
もので、時間区間ｔ１では正常な放電をしている。時刻
ｔ２で電弧が発生すると、以後の電圧は極端に降下し、
電流は自由振動をおこし時刻ｔ３で消弧する。自由振動
は急速に減衰しつつ再び電圧が上昇し時刻ｔ４で放電を
開始し以下の時間区間ｔ５では正常な放電に移る。時刻
ｔ２−時刻ｔ４がほぼ周期Ｔに当たる。従って、電弧は
回路の自由振動に基づいてターゲットに生ずる逆極性電
圧による消弧時間ｔは約Ｔ／２であり、インダクタンス
４とコンデンサ５の値を適宜選択することにより、数μ
ｓｅｃオーダーの短時間内に確実に自己消弧されること
になる。
時のターゲット電圧波形及びターゲット電流波形を示す
もので、時間区間ｔ１では正常な放電をしている。時刻
ｔ２で電弧が発生すると、以後の電圧は極端に降下し、
電流は自由振動をおこし時刻ｔ３で消弧する。自由振動
は急速に減衰しつつ再び電圧が上昇し時刻ｔ４で放電を
開始し以下の時間区間ｔ５では正常な放電に移る。時刻
ｔ２−時刻ｔ４がほぼ周期Ｔに当たる。従って、電弧は
回路の自由振動に基づいてターゲットに生ずる逆極性電
圧による消弧時間ｔは約Ｔ／２であり、インダクタンス
４とコンデンサ５の値を適宜選択することにより、数μ
ｓｅｃオーダーの短時間内に確実に自己消弧されること
になる。
【０００５】しかしながら上記回路構成では、図２
（ａ）に示す如く逆極性電圧（ＶR ）の大きさが深い
（高い）と真空室１内の側面等に付着している塵や埃等
が静電気作用により再飛散し、小さな異常放電を誘発
し、スパッタリングシステムにおいて、製品の歩留りを
悪くする事態がしばしば発生する等の問題がある。
（ａ）に示す如く逆極性電圧（ＶR ）の大きさが深い
（高い）と真空室１内の側面等に付着している塵や埃等
が静電気作用により再飛散し、小さな異常放電を誘発
し、スパッタリングシステムにおいて、製品の歩留りを
悪くする事態がしばしば発生する等の問題がある。
【０００６】
【発明の目的】本発明は逆極性電圧の大きさに無関係に
電弧の発生、及び異常放電を自己消弧せしめる電源の提
供を目的とする。
電弧の発生、及び異常放電を自己消弧せしめる電源の提
供を目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、スパッタを行
うための真空室内のターゲットに直流電圧および直流電
力を供給する電源の出力部にインダクタンスとコンデン
サを接続し、前記真空室内に電弧が発生したときに、そ
の電弧の低い負荷抵抗と前記インダクタンスとコンデン
サと電源の内部抵抗との回路に生ずる電気的な自由振動
に基づいて、前記ターゲットに発生する電圧降下又は逆
極性電圧によって当該電弧を自己消弧せしめるようにし
たスパッタ装置用電源において、前記ターゲット電極間
に逆極性電圧クランプ用ダイオードを接続して、逆極性
電圧を任意に調整することにより電弧或いは異常放電を
消弧するように構成したものである。
うための真空室内のターゲットに直流電圧および直流電
力を供給する電源の出力部にインダクタンスとコンデン
サを接続し、前記真空室内に電弧が発生したときに、そ
の電弧の低い負荷抵抗と前記インダクタンスとコンデン
サと電源の内部抵抗との回路に生ずる電気的な自由振動
に基づいて、前記ターゲットに発生する電圧降下又は逆
極性電圧によって当該電弧を自己消弧せしめるようにし
たスパッタ装置用電源において、前記ターゲット電極間
に逆極性電圧クランプ用ダイオードを接続して、逆極性
電圧を任意に調整することにより電弧或いは異常放電を
消弧するように構成したものである。
【０００８】また、本発明は、スパッタを行うための真
空室内のターゲットに直流電圧および直流電力を供給す
る電源の出力部にインダクタンスとコンデンサを接続
し、前記真空室内に電弧が発生したときに、その電弧の
低い負荷抵抗と前記インダクタンスとコンデンサと電源
の内部抵抗との回路に生ずる電気的な自由振動に基づい
て、前記ターゲットに発生する電圧降下または逆極性電
圧によって当該電弧を自己消弧せしめるようにしたスパ
ッタ装置用電源において、前記ターゲット電極に逆極性
電圧阻止用ダイオードを直列接続して、真空室内に発生
する逆極性電圧の発生を阻止することにより、電弧或い
は以上放電を消弧せしめるように構成したものである。
空室内のターゲットに直流電圧および直流電力を供給す
る電源の出力部にインダクタンスとコンデンサを接続
し、前記真空室内に電弧が発生したときに、その電弧の
低い負荷抵抗と前記インダクタンスとコンデンサと電源
の内部抵抗との回路に生ずる電気的な自由振動に基づい
て、前記ターゲットに発生する電圧降下または逆極性電
圧によって当該電弧を自己消弧せしめるようにしたスパ
ッタ装置用電源において、前記ターゲット電極に逆極性
電圧阻止用ダイオードを直列接続して、真空室内に発生
する逆極性電圧の発生を阻止することにより、電弧或い
は以上放電を消弧せしめるように構成したものである。
【０００９】
【実施例】図１は本発明の一実施例回路図で従来例と同
一符号は同等部分を示す。本発明は従来例と対比して明
確なように真空室１のターゲット電極２１，２２間に逆
極性電圧クランプ用ダイオード９を接続したことを特徴
とする。この構成によれば自由振動による逆極性電圧は
ダイオード９によりクランプされるので、図２（ａ）
（ｂ）に示すターゲット電圧波形およびターゲット電流
波形のように、図に示した従来例のターゲット電圧波形
の高い逆極性電圧ＶR およびそれに伴うターゲット電流
波形の逆極性電流ＩR を生ずるが、この高い逆極性電圧
を容易に低下させることができ、しかも適正な逆極性電
圧を得るにはダイオード９の数を適宜選択し、直列接続
すればよい。因にダイオード９は自由振動の周波数１０
０ＫＨｚ程度に耐える高速ダイオードが望ましい。又ク
ランプ用ダイオード９は共振回路７からターゲット電極
間までのラインの浮遊インダクタンスの影響を避けるた
めターゲット電極間に直接接続したものである。
一符号は同等部分を示す。本発明は従来例と対比して明
確なように真空室１のターゲット電極２１，２２間に逆
極性電圧クランプ用ダイオード９を接続したことを特徴
とする。この構成によれば自由振動による逆極性電圧は
ダイオード９によりクランプされるので、図２（ａ）
（ｂ）に示すターゲット電圧波形およびターゲット電流
波形のように、図に示した従来例のターゲット電圧波形
の高い逆極性電圧ＶR およびそれに伴うターゲット電流
波形の逆極性電流ＩR を生ずるが、この高い逆極性電圧
を容易に低下させることができ、しかも適正な逆極性電
圧を得るにはダイオード９の数を適宜選択し、直列接続
すればよい。因にダイオード９は自由振動の周波数１０
０ＫＨｚ程度に耐える高速ダイオードが望ましい。又ク
ランプ用ダイオード９は共振回路７からターゲット電極
間までのラインの浮遊インダクタンスの影響を避けるた
めターゲット電極間に直接接続したものである。
【００１０】図３および図４は本発明の他の実施例を示
すもので、図３は真空室１のターゲット２に直流電圧お
よび直流電力を供給する電源６の出力部にインダクタン
ス４とコンデンサ５とから成る共振回路７が接続され、
更にその出力側に、前記ターゲット電極２１，２２に発
生する逆極性電圧を阻止するようにターゲット電極２１
側に直列に逆極性電圧阻止用ダイオード１０を接続して
ある。また、図４の例は前記逆極性電圧阻止用ダイオー
ド１０をターゲット電極２２側に直列に接続したもの
で、他は図３の例と同様である。そして、この逆極性電
圧阻止用ダイオード１０を接続することにより、図５
（ａ）（ｂ）に示すターゲット電圧波形およびターゲッ
ト電流波形のように、図７に示した従来例のターゲット
電圧波形の高い逆極性電圧ＶＲおよびそれに伴うターゲ
ット電流波形のＩＲの発生を阻止することができるもの
である。
すもので、図３は真空室１のターゲット２に直流電圧お
よび直流電力を供給する電源６の出力部にインダクタン
ス４とコンデンサ５とから成る共振回路７が接続され、
更にその出力側に、前記ターゲット電極２１，２２に発
生する逆極性電圧を阻止するようにターゲット電極２１
側に直列に逆極性電圧阻止用ダイオード１０を接続して
ある。また、図４の例は前記逆極性電圧阻止用ダイオー
ド１０をターゲット電極２２側に直列に接続したもの
で、他は図３の例と同様である。そして、この逆極性電
圧阻止用ダイオード１０を接続することにより、図５
（ａ）（ｂ）に示すターゲット電圧波形およびターゲッ
ト電流波形のように、図７に示した従来例のターゲット
電圧波形の高い逆極性電圧ＶＲおよびそれに伴うターゲ
ット電流波形のＩＲの発生を阻止することができるもの
である。
【００１１】
【発明の効果】本発明は電源にインダクタンスとコンデ
ンサよりなる共振回路を接続することにより電弧発生時
に電弧を含む回路に自由振動を起こさせて電弧を自己消
弧させると共にターゲットに発生する逆極性電圧を任意
に調整し、または逆極性電圧の発生を阻止して異常放電
を防止できるので、真空室内の側面等に塵や埃等が付着
していたとしても、これら塵，埃が静電気作用により再
飛散することがないため、製品の歩留りを向上させ得る
ので実用上の効果は極めて大きい。
ンサよりなる共振回路を接続することにより電弧発生時
に電弧を含む回路に自由振動を起こさせて電弧を自己消
弧させると共にターゲットに発生する逆極性電圧を任意
に調整し、または逆極性電圧の発生を阻止して異常放電
を防止できるので、真空室内の側面等に塵や埃等が付着
していたとしても、これら塵，埃が静電気作用により再
飛散することがないため、製品の歩留りを向上させ得る
ので実用上の効果は極めて大きい。
【図１】本発明の一実施例回路図である。
【図２】本発明の一実施例回路における電弧発生時のタ
ーゲット電圧・電流波形図である。
ーゲット電圧・電流波形図である。
【図３】本発明の他の実施例回路図である。
【図４】本発明の他の実施例回路図である。
【図５】本発明の他の実施例回路における電弧発生時の
ターゲット電圧・電流波形図である。
ターゲット電圧・電流波形図である。
【図６】従来例の回路図である。
【図７】従来例回路における電弧発生時のターゲット電
圧・電流波形図である。
圧・電流波形図である。
１ 真空室 ２ ターゲット ３ 基板 ４ インダクタンス ５ コンデンサ ６ 電源 ７ 共振回路 ８ 電弧 ９，１０ ダイオード
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 三村 和弘 埼玉県飯能市南町10番13号 新電元工業株 式会社工場内 (72)発明者 森田 哲夫 埼玉県飯能市南町10番13号 新電元工業株 式会社工場内 (72)発明者 池田 治朗 静岡県志太郡大井川町相川2001番地 株式 会社ソニー・ミュージックエンタテインメ ント静岡プロダクションセンター内
Claims (3)
- 【請求項１】 スパッタを行うための真空室内のターゲ
ットに直流電圧および直流電力を供給する電源の出力部
にインダクタンスとコンデンサを接続し、前記真空室内
に電弧が発生したときに、その電弧の低い負荷抵抗と前
記インダクタンスとコンデンサと電源の内部抵抗との回
路に生ずる電気的な自由振動に基づいて、前記ターゲッ
トに発生する電圧効果又は逆極性電圧によって当該電弧
を自己消弧せしめるよにうしたスパッタ装置用電源にお
いて、前記ターゲット電極間に逆極性電圧クランプ用ダ
イオードを接続したことを特徴とするスパッタ装置用電
源。 - 【請求項２】 逆極性電圧クランプ用ダイオードを１個
〜複数個直列に接続したことを特徴とする請求項１に記
載のスパッタ装置用電源。 - 【請求項３】 スパッタを行うための真空室内のターゲ
ットに直流電圧および直流電力を供給する電源の出力部
にインダクタンスとコンデンサを接続し、前記真空室内
に電弧が発生したときに、その電弧の低い負荷抵抗と前
記インダクタンスとコンデンサと電源の内部抵抗との回
路に生ずる電気的な自由振動に基づいて、前記ターゲッ
トに発生する電圧降下または逆極性電圧によって当該電
弧を自己消弧せしめるようにしたスパッタ装置用電源に
おいて、前記ターゲット電極に逆極性電圧阻止用ダイオ
ードを直列接続したことを特徴とするスパッタ装置用電
源。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06145193A JP3429801B2 (ja) | 1992-03-02 | 1993-02-26 | スパッタ装置用電源 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8037992 | 1992-03-02 | ||
| JP4-80379 | 1992-03-02 | ||
| JP06145193A JP3429801B2 (ja) | 1992-03-02 | 1993-02-26 | スパッタ装置用電源 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07188919A true JPH07188919A (ja) | 1995-07-25 |
| JP3429801B2 JP3429801B2 (ja) | 2003-07-28 |
Family
ID=26402478
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP06145193A Expired - Lifetime JP3429801B2 (ja) | 1992-03-02 | 1993-02-26 | スパッタ装置用電源 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3429801B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6524455B1 (en) * | 2000-10-04 | 2003-02-25 | Eni Technology, Inc. | Sputtering apparatus using passive arc control system and method |
| US6967305B2 (en) | 2003-08-18 | 2005-11-22 | Mks Instruments, Inc. | Control of plasma transitions in sputter processing systems |
| US6995545B2 (en) | 2003-08-18 | 2006-02-07 | Mks Instruments, Inc. | Control system for a sputtering system |
| JP2008505446A (ja) * | 2004-07-02 | 2008-02-21 | アドバンスド エナジー インダストリーズ， インコーポレイテッド | プラズマにおけるアーク電流の早期短絡を用いた迅速なアーク消滅のための装置および方法 |
-
1993
- 1993-02-26 JP JP06145193A patent/JP3429801B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6524455B1 (en) * | 2000-10-04 | 2003-02-25 | Eni Technology, Inc. | Sputtering apparatus using passive arc control system and method |
| US6863789B2 (en) | 2000-10-04 | 2005-03-08 | Eni Technology, Inc. | Passive bipolar arc control system and method |
| US7261797B2 (en) | 2000-10-04 | 2007-08-28 | Mks Instruments, Inc. | Passive bipolar arc control system and method |
| US6967305B2 (en) | 2003-08-18 | 2005-11-22 | Mks Instruments, Inc. | Control of plasma transitions in sputter processing systems |
| US6995545B2 (en) | 2003-08-18 | 2006-02-07 | Mks Instruments, Inc. | Control system for a sputtering system |
| US8089026B2 (en) | 2003-08-18 | 2012-01-03 | Mks Instruments, Inc. | Methods for control of plasma transitions in sputter processing systems using a resonant circuit |
| JP2008505446A (ja) * | 2004-07-02 | 2008-02-21 | アドバンスド エナジー インダストリーズ， インコーポレイテッド | プラズマにおけるアーク電流の早期短絡を用いた迅速なアーク消滅のための装置および方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3429801B2 (ja) | 2003-07-28 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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