KR101275441B1 - 캐리어, 캐리어의 코팅 방법, 및 반도체 웨이퍼의 양면 재료를 동시에 제거하는 가공 방법 - Google Patents

캐리어, 캐리어의 코팅 방법, 및 반도체 웨이퍼의 양면 재료를 동시에 제거하는 가공 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101275441B1
KR101275441B1 KR1020080083795A KR20080083795A KR101275441B1 KR 101275441 B1 KR101275441 B1 KR 101275441B1 KR 1020080083795 A KR1020080083795 A KR 1020080083795A KR 20080083795 A KR20080083795 A KR 20080083795A KR 101275441 B1 KR101275441 B1 KR 101275441B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
carrier
coating
core
semiconductor wafer
cutout
Prior art date
Application number
KR1020080083795A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20090039596A (ko
Inventor
게오르그 피엣슈
미하엘 커스탄
뎀 스프링 헤이코 아우스
Original Assignee
페터 볼터스 게엠베하
실트로닉 아게
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 페터 볼터스 게엠베하, 실트로닉 아게 filed Critical 페터 볼터스 게엠베하
Publication of KR20090039596A publication Critical patent/KR20090039596A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101275441B1 publication Critical patent/KR101275441B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/27—Work carriers
    • B24B37/28—Work carriers for double side lapping of plane surfaces
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B24B37/042—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B24B37/07—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool
    • B24B37/08—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool for double side lapping
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/27—Work carriers
    • B24B37/30—Work carriers for single side lapping of plane surfaces
    • B24B37/32—Retaining rings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture

Abstract

본 발명은, 높은 강성을 갖는 제1 재료로 이루어지고, 쇼어 A에 따른 20 내지 90의 경도를 갖는 열경화성 폴리우레탄 탄성중합체인 제2 재료로 완전하게 또는 부분적으로 코팅되는 코어 및 반도체 웨이퍼를 수용하기 위한 적어도 하나의 컷아웃을 포함하는 것인 래핑 장치, 연삭 장치 또는 폴리싱 장치에서 가공하기 위한 하나 이상의 반도체를 수용하기에 적합한 캐리어에 관한 것이다. 추가적으로, 본 발명은 캐리어의 코팅 방법 및 상기 캐리어를 이용하여 복수 개의 반도체 웨이퍼의 양면 재료를 동시에 제거하는 가공 방법에 관한 것이다.

Description

캐리어, 캐리어의 코팅 방법, 및 반도체 웨이퍼의 양면 재료를 동시에 제거하는 가공 방법{CARRIER, METHOD FOR COATING A CARRIER, AND METHOD FOR THE SIMULTANEOUS DOUBLE-SIDE MATERIAL-REMOVING MACHINING OF SEMICONDUCTOR WAFERS}
본 발명은 연삭 장치, 폴리싱 장치 및 래핑 장치에서 가공하기 위한 반도체 웨이퍼를 수용하는 캐리어, 캐리어의 코팅 방법, 및 상기 캐리어를 이용하여 반도체 웨이퍼의 양면 재료를 동시에 제거하는 가공(래핑, 연삭 또는 폴리싱) 방법에 관한 것이다.
전자공학, 마이크로전자공학, 마이크로전자기계공학은, 출발 재료(기판)로서 전체적이고 국부적인 평탄함, 앞면의 국부적인 평탄함(나노토폴로지), 거칠기, 청결함 및 불순물 원자(특히, 금속)가 존재하지 않을 것을 극도로 요하는 반도체 웨이퍼를 요구한다. 반도체 웨이퍼는 반도체 재료로 제조된 웨이퍼이다. 반도체 재료는 예컨대 갈륨 비소와 같은 화합물 반도체 또는 원소 반도체(주로 실리콘, 때때로 게르마늄 또는 그 층 구조물)이다. 층 구조물은 예컨대 절연 중간층 상의 디바이스 지지 실리콘 상부층("절연체 상의 실리콘",SOI), 또는 실리콘 기판 위에서 상부층을 향하여 게르마늄 비율이 증가하는 실리콘/게르마늄 중간층 상의 격자 변형 실리 콘 상부층("변형 실리콘", s-SI), 또는 두 개의 조합("절연체 상의 변형 실리콘", sSOI)이다. 바람직하게는, 반도체 재료는 전자 부품에 대하여 단결정 형태로 이용되거나 태양 전지(광전변환소자)에 대하여 다결정 형태로 이용된다.
반도체 웨이퍼를 생성하기 위해서, 종래 기술에 있어서, 보통 멀티와이어 쏘우("멀티 와이어 슬라이싱", MWS)에 의해 박형 웨이퍼로 우선 분할되는 반도체 잉곳이 생산된다. 여기에 일반적으로 다음 군으로 분류될 수 있는 하나 이상의 가공 단계가 이어진다.
a) 기계적 가공;
b) 화학적 가공;
c) 화학 기계적 가공;
d) 층 구조물의 적절한 생산.
에지 가공, 세척, 분류, 측정, 열처리, 패키징 등과 같은 다양한 제2 단계가 또한 이용된다.
종래 기술에 따른 기계적 가공 단계는 래핑("배치" 내 복수 개의 반도체 웨이퍼의 동시 양면 래핑), (보통 연속적인 양면 연삭; "단면 연삭", SSG; "연속적인SSG"와 같이 실시되는) 공작물의 단면 클램핑을 이용한 개개의 반도체 웨이퍼의 단면 연삭 또는 두 개의 디스크 사이에서의 개개의 반도체 웨이퍼의 동시 양면 연삭(동시 "이중 디스크 연삭", DDG)이다.
화학적인 가공은 알칼리성, 산성 또는 이들 조합의 에칭과 같은 에칭 단계를 포함한다.
화학기계적 가공은, 힘의 작용과 폴리싱 슬러리(예컨대 알카리성 실리카 졸)의 공급으로 반도체 웨이퍼와 폴리싱 천의 상대 운동에 의해 재료가 제거되는 폴리싱 방법을 포함한다. 종래 기술은 배치 양면 폴리싱(DSP) 및 배치 및 개개의 웨이퍼 단면 폴리싱(지지부의 일면을 폴리싱 가공하는 동안 진공, 접착 결합 또는 접착에 의해서 반도체 웨이퍼를 장착)을 기술하고 있다.
특히 평면 반도체 웨이퍼를 생산하는 동안, 상기 가공 단계에서 특히 중요한 점은, 반도체 웨이퍼가 강압 로킹 또는 포지티브한 로킹 클램핑이 없는 "프리 플로팅"법("프리 플로팅 공정", FFP)으로 압박력이 없는 방식으로 대개 가공된다는 점이라고 한다. 이를 테면 예컨대 열 드리프트에 의해서 파장이 생성되거나 MWS에서의 교대 부하가 특히 신속하고 재료의 손실이 거의 없이 FFP에 의해 제거된다.
종래 기술에서 공지된 FFP는 래핑, DDG 및 DSP를 포함하고, 여기서 DDG는 본 발명의 문맥상 고려되지 않을 것이다(상이한 운동학).
래핑 방법은 예컨대 Feinwerktechnik & Messtechnik 90(1982) 5, pp. 242-244에 개시되어 있다.
DSP법은 예컨대 Applied Optics 33(1994) 7945에 기술되어 있다.
DE 103 44 602 A1은, 링형상의 외부 구동 링 및 링형상의 내부 구동 링에 의해 효과적인 회전을 유발하고, 특정의 기하학적 경로상에 유지되며 결합 연마재로 코팅된 두 개의 회전 작동 디스크 사이에서 재료를 제거하는 방식으로 가공된 복수 개의 캐리어중 하나의 개별적 컷아웃 내에 복수 개의 반도체 웨이퍼가 놓이는, 다른 기계적인 FFP법을 개시하고 있다. 이 방법은 "플래니터리 패드 연삭(Planetary Pad Grinding)" 또는 단순히 PPG라고 불린다. 연마재는, 예컨대 US 6007407에 개시한 바와 같이 이용된 장치의 작업 디스크에 달라붙은 필름 또는 "천"으로 이루어진다.
연마재로서 단단한 물질이 이용되는데, 그 예로서 다이아몬드, 탄화규소(SiC), 입방정질화붕소(CBN), 질화규소(Si3N4), 이산화세륨(CeO2), 이산화지르코늄(ZrO2), 강옥/산화알루미늄/사파이어(Al2O3) 및 1 내지 수십 마이크로미터 미만의 입자 크기를 갖는 기타 다수의 세라믹이 있다. 실리콘을 가공하기 위해, 특히 다이아몬드가 바람직하며, 또한 Al2O3, SiC 및 ZrO2가 바람직하다. 다이아몬드는, - 개개의 입자 또는 덩어리를 형성하기 위해 세라믹 결합, 금속 결합 또는 합성 수지 1차 결합에 의해서 결합된 입자로서 - 연마체의 세라믹, 금속 또는 합성 수지 매트릭스 안으로 병합된다.
또한, DE 103 44 602 A1은 결합된 연마재를 함유한 다수의 연마체가 작업 디스크에 부착되는 것 또는 연마재가 층 또는 "천"에 결합되고 이러한 유형의 천이 작업 디스크에 부착되는 것 중 어느 하나의 방법을 개시하고 있다. 또한, 진공, 나사 결합, 커버링에 의해서 또는 정전기적이나 자기적인 방식의 후크 및 루프 체결에 의해서 작업층을 고정하는 방법이 있다(예컨대 US 6019272 A 참조). 때때로 작업층은 천 또는 적층 시트로 구체화된다(US 6096107 A, US 6599177 B2).
공작물과 접촉하는 볼록 영역 및 냉각 윤활제가 공급될 수 있고 연마 슬러리와 소모 입자가 배출될 수 있는 오목 영역을 포함하는, 구조화 표면을 구비한 시트 가 또한 공지되어 있다. 이러한 방식으로 구조화된 연마 도구(연마 천)가 예컨대 US 6007407 A에 개시되어 있다. 여기에서 연마포는 그 이면의 접착성이 있어서, 작업 디스크 상에서 연마 도구를 간단히 교체할 수 있게 한다.
본 발명에 관련된 가공 방법(래핑, DSP 및 PPG)을 실시하기 위한 적절한 장치는 링 형상의 상부 작업 디스크와 하부 작업 디스크 및 링 형상의 작업 디스크의 내부 에지와 외부 에지에 배치된 톱니 링을 포함하는 회전 장치를 실질적으로 포함한다. 상부 작업 디스크와 하부 작업 디스크 및 내부 톱니 링과 외부 톱니 링이 동심원적으로 배치되고 동일선상의 구동 축을 구비한다. 공작물은, 회전 장치에 의해서 가공하는 동안 두 개의 작업 디스크 사이에서 운동하는, 외측에 돌출된 박형 안내 케이지, 소위 "캐리어" 내에 도입된다.
PPG의 경우, 작업 디스크는, 상기한 바와 같이, 고정 결합된 연마재를 구비한 작업층을 포함한다.
래핑의 경우, 작업 디스크는, 소위 주조 재료, 일반적으로 주강(예컨대 구상흑연 회주철)으로 이루어진 래핑 플레이트가 이용된다. 이들은 철 및 탄소에 더하여 상이한 농도의 다수의 비철금속을 함유한다.
DSP의 경우, 작업 디스크는, 예컨대 열가소성 또는 열경화성 폴리머로 이루어진 폴리싱 천으로 덮인다. 폴리머로 가득 찬, 발포 플레이트 또는 펠트 기판 또는 섬유 기판이 또한 적합하다.
래핑 및 DSP의 경우, 래핑제 및 폴리싱제가 각각 추가적으로 공급된다.
래핑의 경우, 오일, 알코올 및 글리콜은 슬러리라고도 불리는 래핑제(연마 물질 슬러리, 연마 물질) 운반 액체로 알려져 있다.
DSP의 경우, 실리카 졸이 적용된 수성 폴리싱제가 공지되어 있고, 이 폴리싱제는 바람직하게는 염기성이며, 적절하게는, 화학 완충계, 계면 활성제, 착화제, 알코올 및 실라놀과 같은 다른 첨가제를 함유한다.
종래 기술에서, 예컨대 제1 경질의 강성 재료(예컨대, 강철, 특히 고급강)로 이루어진 디스크를 포함하고, 회전 장치를 매칭하기 위해 적절하게 외측에 돌출되며 그 표면에 냉각 윤활유가 통과하기 위한 구멍 및 하나 이상의 반도체 웨이퍼를 수용하기 위한 하나 이상의 컷아웃을 구비하고, 반도체 웨이퍼를 수용하기 위한 구멍은 보통 제2 연질 재료로 라이닝되는, 캐리어가 공지되어 있다.
이들 라이닝은 컷아웃 내로 느슨하게 도입되거나(JP 57041164) 컷아웃 내에 고정된다(EP 0 197 214 A2). 이 고정은, 적절하게는, 확장된 접촉 영역(컷아웃 및 라이닝 내의 대응 다각형)에 의한 지지를 이용한, 접착 결합 또는 포지티브 로킹에 의해 행해질 수 있거나, 대응 언더컷(도브테일)에 의한 고정에 의해 행해질 수 있다(EP 0 208 315 B1).
라이닝을 위해 종래 기술에서 공지된 재료는, 예컨대 염화폴리비닐(PVC), 폴리에틸렌(PE), 폴리프로필렌(PP), 폴리테트라플루오르에틸렌(PTFE)(EP 0 208 315 B1), 폴리아미드(PA), 폴리스티렌(PS) 및 폴리비닐리덴 디플루오라이드(PVDF)이다.
마찬가지로, 캐리어는, 단지 하나의 충분히 강성인 재료, 예컨대 고성능 플라스틱 또는 예컨대 유리, 탄소 또는 합성 섬유로 제조된 보강재를 구비한 플라스틱으로 제조되는 것으로 공지되어 있다(JP 2000127030 A2). US 5882245는 폴리에테 르 에테르 케톤(PEEK), 폴리아크릴 에테르 케톤(PAEK), 폴리에테르이미드(PEI), 폴리이미드(PI). 폴리에테르 술폰(PES), 폴리아미드이미드(PAI), 폴리페닐렌 설피드(PPS), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리부틸렌 테레프탈레이트(PBT), 아세탈 호모폴리머(POM-H), 아세탈 코폴리머(POM-C), 액체 결정 폴리머(LCP) 및 에폭시드(EP)로 이루어진 캐리어를 개시하고 있다. US 5882245는 또한 에폭시드(EP), 에폭시드-아크릴산염 혼합물(EP/AC), 폴리우레탄-아크릴산염 혼합물(PU/AC) 또는 에폭시드-아크릴산염-폴리우레탄(EP/AC/PU)에 기초한 래커의 도포된 보호 피막을 구비한 캐리어를 개시하고 있다.
래핑의 경우에 적용하기 위해서, 라이닝을 구비하거나 구비하지 않은 단층강 캐리어 또는 고급강 캐리어가 보통 사용된다(DE 102 50 823 B4 참조). 래핑 슬러리 내에서 활동적이고, 덜 선택적인 재료의 제거가 없는 래핑 입자에 기인하여, 강 또는 고급강 캐리어가 대단히 마모된다.
캐리어의 두께가 반도체 웨이퍼의 최종 두께보다 상당히 얇은 것으로 선택된다면 마모가 다소 감소될 수 있다. 그러나, 이 경우 두께는, 반도체 웨이퍼로부터의 재료의 90 ㎛ 목표 제거를 이용한 래핑 절차당 여전히 적어도 0.2 내지 0.4 ㎛이다.
캐리어 두께의 연속적이고 상당한 감소에 기인하여, 목표 두께를 캐리어의 잔여 두께 위에 놓을 때 반도체 웨이퍼의 잔여 돌출부가 계속적으로 증가한다. 이는 가공 상태의 계속적인 변화를 야기한다. 반도체 웨이퍼의 달성 가능한 평탄함이 결과적으로 상당히 줄어든다.
또한, 캐리어로부터의 재료의 마모는 미량 금속으로 반도체 웨이퍼의 추가적인 오염을 야기한다. 캐리어의 수용 개구 내의 반도체 웨이퍼의 확실한 안내를 보장하기 위해서, 마모된 캐리어의 잔여 두께 상의 반도체 웨이퍼의 돌출부는 특정의 최대값을 넘는 것이 허용되지 않는다. 반도체 웨이퍼 에지의 일부 측면 형상의 경우, 캐리어의 전체 마모가 10 ㎛ 정도의 적은 양을 넘기는 것이 허용되지 않는데, 이는 그렇지 않으면 반도체 웨이퍼가 가공 중에 캐리어의 수용 개구를 남겨서 균열이 일어나기 때문이다. 따라서, 캐리어의 마모는 래핑의 경우에 역시 중요한 문제이다.
알칼리성 분산의 콜로이드성 실리카를 이용한 화학 기계적 양면 폴리싱의 경우에 적용하기 위해서, 플라즈마 증착된 다이아몬드와 같은 탄소(DLC)로 이루어진 코팅을 구비한 캐리어가 제안되었다(US 2005/0202758 A1). DLC 코팅은 금속에 의한 반도체 웨이퍼의 오염을 효과적으로 방지한다. 그러나, DLC 코팅을 제조하는 것은 매우 복잡하고 비용이 많이 들어서 전체적인 폴리싱 공정을 전반적으로 매우 비용이 많이 들게 한다.
특히 연마용 다이아몬드를 이용할 때, 종래 기술에서 알려진 캐리어 재료가 매우 심하게 마모된다. 캐리어로부터의 재료의 연마는 작업층의 절삭력(날카로움)에 악영향을 미친다. 이는 비경제적으로 짧은 캐리어의 수명을 유발하고 작업층의 빈번한 비생산적인 교정을 필요로 한다.
또한, 매우 높은 정도의 마모가 섬유 보강재와 종래 기술에서 알려진 플라스틱으로 이루어진 모든 캐리어에서 관찰되었다. 반도체 웨이퍼로부터 재료를 90 ㎛ 제거하면서 작업 공정당 최소 3 내지 수십 마이크로미터에 상당하는 상기 마모가 캐리어의 두께를 감소시킨다. 결과적으로, 캐리어는 적은 수의 공정에 대해서만 이용될 수 있고, 이는 비경제적이다.
또한, 예컨대 US 5 882 245에 개시된 바와 같이, 섬유 보강재가 없고, 예컨대, EP, EP/AC, UP/AC 등으로 이루어진 마모 보호 코팅 또는 래커에 의한 종래 기술에서 알려진 추가의 양면 코팅은, 모두 매우 심하게 마모된다는 점이 나타났다. 또한, EP 및 EP계 혼합 코팅의 경우, 특히 작업층의 신속한 둔화를 야기한다.
특히, 특정한 하드 코팅은 PPG법을 실시하기 위해 캐리어에 대한 코팅으로서 전적으로 적합하지 않은 것으로 판명되었다. 예로서, 콜로이드성 분산 알카라인 실리카 졸(화학기계적 폴리싱)로 양면 폴리싱(DSP)에서 이용될 때 수백 내지 수천의 작업 절차에서 이용될 수 있는 3 ㎛ DLC로 코팅된 캐리어는, PPG법에서 이용될 때 단지 수 초 후에 노출된 금속 표면에 이르기까지 아래로 완전히 부식되었다. 세라믹 또는 기타 경질 물질의 코팅이 부적합한 것으로서 판명된다.
최종적으로, 캐리어 코어에 도포된 코팅의 일부는, 종래 기술에서 알려진 층 도포법에 의해 제조된 코팅의 이탈을 야기하는 매우 강한 (마찰의) 힘에 노출된다는 점이 발견되었다.
본 발명의 목적은, 래핑, 폴리싱 및 연삭 장치에서 이용될 때, 특히 적게 마모되고 코팅이 양호하게 부착되어 있는, 코팅된 캐리어를 제공하는 것이었다.
상기 목적은, 높은 강성을 갖는 제1 재료로 이루어지고, 쇼어 A에 따른 20 내지 90의 경도를 갖는 열경화성 폴리우레탄 탄성중합체인 제2 재료로 완전하게 또는 부분적으로 코팅되는 코어 및 반도체 웨이퍼를 수용하기 위한 적어도 하나의 컷오프를 포함하는, 래핑, 연삭 및 폴리싱 장치를 위한 캐리어에 의해 달성되었다.
본 발명에 따른 캐리어의 바람직한 실시예는 청구항 2 내지 청구항 14에서 청구되었다.
또한, 본 발명은, 각 반도체 웨이퍼가, 회전 장치에 의해 회전하도록 야기되는 청구항 1 내지 청구항 14 중 임의의 것에서 청구한 복수 개의 캐리어 중 하나의 컷아웃에서 자유롭게 이동 가능하여 사이클로이드 궤적상에서 운동하도록 놓이고, 상기 반도체 웨이퍼는 두 개의 회전 링 형상의 작업 디스크들 사이에서 재료 제거 방식으로 가공되는, 복수 개의 반도체 웨이퍼의 양면 재료를 동시에 제거하는 가공 방법에 관한 것이다.
바람직하게는, 재료 제거 공정은 반도체 웨이퍼의 양면 연삭을 포함하고, 각 작업 디스크는 연마 재료로 이루어진 작업층을 포함한다.
연마 재료로 이루어진 슬러리의 공급으로 반도체 웨이퍼의 양면 래핑이 역시 바람직하다.
또한, 실리카 졸을 포함하는 분산 공급을 이용한 양면 폴리싱이 바람직하며, 각 작업 디스크는 작업층으로서 폴리싱 천을 포함한다.
본 발명은 이하의 도면을 참조로 하여 설명된다. 결과는, 상이한 재료/코팅으로 이루어진 다수의 캐리어가 시험된 반도체 웨이퍼의 동시 양면 연삭 방법에 의해 얻어졌다. 상응하는 방법이 DE 103 44 602 A1에 기술되어 있다. 방법을 실시하기에 적합한 장치는 예컨대 DE 100 07 390 A1에 개시되어 있다.
본 발명에 따른 캐리어를 래핑 장치, 폴리싱 장치 및 연삭 장치에서 이용할 때, 마모가 적게 되고 코팅이 양호하게 부착되어 있을 수 있는 효과가 있다.
표 1은 시험된 캐리어 재료의 개요를 나타낸다. 제1 열은 이하의 도 1, 도 2 및 도 3에 나타난 결과를 할당하기 위한 참조 부호를 열거한다. 또한, 표 1은 작업층 및 연삭 슬러리와 접촉하는 캐리어 재료가 코팅(예컨대 분무, 담금, 살포 및 적절하게는 잇따른 경화에 의해서 도포된 "층")으로서 존재하는지, 필름으로서 존재하는지 또는 고체 재료로서 존재하는지에 관해 기술한다. 제2 열은 조사된 캐리어 재료의 유형을 열거한다.
표 1에 사용된 약자는 다음을 나타낸다. "GFP" = 유리 섬유 보강 플라스틱 "PPFP" = PP 섬유 보강 플라스틱. 다양한 플라스틱에 대한 약자는 일반적으로 관습적인 것이다. EP = 에폭시드; PVC = 염화폴리비닐; PET = 폴리에틸렌 테레프탈레이 트(폴리에스테르) PTFE = 폴리테트라플루오르에틸렌; PA = 폴리아미드; PE = 폴리에틸렌; PU = 폴리우레탄 및 PP = 폴리프로필렌; D-PU-E(60A) = 60°쇼어 A 경도를 갖는 열경화성 폴리우레탄 탄성중합체. ZSV216은 시험된 슬라이딩 코팅의 제조자 지정 명칭이고 하드 페이퍼는 페이퍼 섬유 보강 페놀 수지이다. "세라믹"은 명시된 EP 매트릭스 내로 삽입된 미세 세라믹 입자를 나타낸다. "저온"은 자기 접착 방식으로 장착된 필름 이면에 의한 도포를 나타내고, "고온"은 고온 용해 접착으로 장착된 필름 이면이 가열 및 압축에 의해 캐리어 코어에 연결되는 고온 적층 공정을 나타낸다. "캐리어 부하" 열은 마모 시험 동안 캐리어의 중량 부하를 나열한다. 반도체 웨이퍼의 중량 부하는 모든 경우에 9 kg이었다.
a 내지 n 및 p 내지 r의 참조 부호를 갖는 재료가 비교예로서 제공된다. 이들 대부분은 이미 종래 기술에 따른 캐리어에 대한 재료로서 공지되어 있다.
a 내지 n 및 p 내지 r의 모든 재료는 상기 목적을 달성하는데 적합하지 않은 것으로 판명되었다.
재료 o(열가소성 폴리우레탄)를 포함하는 캐리어가 원칙적으로 적합하지만 본 발명의 문맥상 바람직하지 않은데, 이는 캐리어 o가 열경화성 폴리우레탄 탄성중합체로 이루어진 코팅을 구비한 캐리어 s보다 열등하기 때문이다.
도 1은 작업층과 접촉하는 재료 a 내지 s를 포함하는 캐리어의 마모율 A[㎛/min]를 나타낸다.
각 재료에 대하여, 한 벌의 캐리어가 제조되었고 반도체 웨이퍼와 로딩되었으며 각 경우에 반도체 웨이퍼로부터 동일한 재료가 제거된 연삭 공정이 실시되었 다.
캐리어의 마모율 A는 작업층과 접촉하는 캐리어의 시험 재료의 두께의 감소와 반도체 재료로부터 목표가 제거될 때까지의 가공 시간으로부터 계산하였다. 두께의 감소는, 연삭 공정 전후의 무게 측정 및 시험 재료의 기지의 상대 밀도에 의해 결정되었다. 이러한 다수의 시험 공정이 각 캐리어 재료에 대하여 실시되었다.
도 1, 도 2 및 도 3의 오차 막대는 모든 공정에 걸친 평균값(원형 데이터 점)에 비례하는 개별 공정의 개별 측정값의 변동 범위를 나타낸다. 도 1 및 도 2의 y축의 스케일은, 다양한 재료의 마모율이 다양한 크기로 퍼져 있기 때문에 대수적으로 선택된다.
캐리어 재료
약어 캐리어 재료

유형
 도포 캐리어 부하
층 필름 고체 재료 [kg]
a EP-GFP X 2
b EP-GFP X 4
c PVC 필름 X 2
d PVC 필름 X 4
e PET(저온) X 2
f PET(고온) X 4
g EP-CFP X 4
h PP-GFP X 4
i PP-PPFP X 4
j 하드 페이퍼 X 4
k PTFE II X 4
l PA 필름 X 4
m PE (I) X 4
n PE (II) X 4
o PU X 4
p EP/세라믹 X 4
q EP(프리머) X 4
r 슬라이딩 코팅
ZSV216		 X 4
s D-PU-E(60A) X 4
캐리어 재료 a 내지 n 및 p 내지 r은 매우 심하게 마모된다(도 1). 이러한 재료로 이루어진 캐리어는 비경제적으로 짧은 수명을 갖고, 계속적인 마모 때문에, 끊임없이 변화하는 공정 상태를 야기하는데, 이는 캐리어의 남은 잔여 두께 이상의 목표 두께에 이를 때 반도체 웨이퍼의 돌출부가 시험 절차마다 계속하여 증가한다.
재료 o(참조 번호 1) 및 특히 재료 s(참조 번호 1a) 만이 높은 마모 저항성을 갖는다.
이는 특히 도 2에서 명백하게 된다.
도 2는 시험 공정에서 획득된 반도체 웨이퍼로부터의 재료 제거 비율 G 및 시험된 재료에 대한 마모로 인한 캐리어 두께의 결과적인 감소를 나타낸다. 재료 o에 대하여, 이러한 "마모율" G(참조 번호 2)는 연구한 다음의 최상 재료의 마모율보다 양호한, 한 순위가 넘는 크기를 갖는다. 재료 s의 경우에서 더 개선됨이 명백하다.
최종적으로, 도 3은 참조 재료(재료 c: 2 kg 시험 부하를 갖는 PVC 필름)에 관한 유닛 내 작업층의 절삭 능력(날카로움) S의 발전을 나타낸다. 날카로움은, 참조 재료로 상기 조건하에서 얻어지는 반도체 웨이퍼로부터의 재료 제거 비율에 관련하여 일정한 작업 파라미터(압력, 동역학, 냉각 주유, 작업층)로 얻어진 반도체 웨이퍼로부터의 실제 재료 제거 비율로부터 결정된다. 작업층이 새롭게 정렬되고 캐리어 재료를 이용한 각 시험 단계의 초기에 날카롭게 되어, 동일한 초기 조건이 각 시험 단계를 위해 제공되었다. 반도체 웨이퍼 상에서 다수의 시험 연삭 공정이 각 캐리어 재료로 실시되었고, 반도체 웨이퍼로부터의 재료 제거의 얻어진 비율(㎛/min)이 각 경우에서 10분의 전체 작업 시간 후(참조 번호 3), 30분의 전체 작업 시간 후(참조 번호 4) 및 60분의 전체 작업 시간 후(참조 번호 5)에 측정되었고 참조 재료의 얻어진 비율(마찬가지로 ㎛/min)과 관련되었다. 캐리어 재료의 대부분은, 정렬 후에 즉시 작업층이 초기 절삭 능력을 빠르게 잃고 빠르게 무뎌지는 효과를 갖는다는 점이 분명하다. 따라서, 이들 재료(a 내지 n 및 p 내지 r)가 부적합하다.
본 발명에 따른 재료 o 및 특히 재료 s만이 시험 시간에 걸친 작업층의 절삭 능력의 매우 적은 감소를 나타낸다.
이들 재료의 경우, 절삭 능력의 감소는 시험에서 사용된 작업층의 특성에 의해서만 결정된다. 작업층은, "자기 정렬" 작업을 허용하지 않도록 비교적 경질인 것으로 선택되었다. 통상적으로 "자기 정렬"은, 동적 평형상태에서 높은 절삭 능력을 갖는 배출된 새로운 입자의 양이 항상 적어도 가공중에 마모로 인해 소모되는 양만큼 되도록, 적어도 부하에 기인한 연마 도구의 결합의 재설정이 표면에서 자유롭게 위치한 - "작동" - 연마 입자의 마모만큼 빨리 일어날 때 작용을 나타낸다.
따라서, 폴리우레탄(o 및 s)만이 캐리어 재료로서 적합하다.
폴리우레탄은 극히 상이한 특성을 갖는 재료를 포함하는 물질의 광범위한 군이다.
특정한 폴리우레탄만이 특히 알맞다는 점이 명백하다.
여러 폴리우레탄계는 고온 또는 저온 경화 주조계(열경화성 폴리우레탄) 및 사출 성형, 분출 등에 의해 또는 가황처리를 위해(가교결합 후) 처리된 고체계(열가소성 폴리우레탄)로 분류될 수 있다.
양 계 모두 제형 및 처리에 따라 넓은 경도 범위를 커버한다. 특히, 열경화성 폴리우레탄은 60°쇼어 A 내지 70°초과의 쇼어 D의 경도로 제형될 수 있다.
대략 20°쇼어 A 내지 90°쇼어 A의 경도 범위에서, 열경화성 폴리우레탄은 탄성중합체(고무 같은) 특성(열경화성 폴리우레탄 탄성중합체, D-PU-E)을 갖는다.
이 때, 본 발명에 따른 방법을 실시하기 위해 이용될 수 있는 캐리어를 코팅하기에 적합한 재료는 탄성중합체 특성을 지녀야 한다는 점이 명백하다.
특히 높은 인열강도(높은 초기 찢어짐 및 찢어짐 전파 저항), 높은 탄성(반발 탄성), 높은 마모 저항 및 낮은 습식 슬라이딩 마찰 저항을 갖는 재료가 유리하다. 그러나, 이러한 특성을 갖는 재료는, 회전 장치 내에서 운동중에 재료상에 작용하는 힘을 견디는 충분한 강성을 갖지 않는다. 섬유 보강에 의한 강성의 증가는, 작업층에서 관찰된 바람직하지 않은 섬유의 무뎌짐 효과 때문에 적합하지 않다.
본 발명자는 캐리어가 다층방식으로 상이한 재료, 즉
- 제1의 강성 재료, 예컨대 본 발명에 따른 방법을 실시할 때 캐리어 상에서 작용하는 힘에 대한 충분한 안정성을 캐리어에 부여하는 (경질의)(고급) 강으로 이루어진 "코어";
- 열경화성 폴리우레탄 탄성중합체에 의해 최상으로 공급되는, 본 발명에 따른 마모저항성이 있고 연질의 제2 재료로 이루어진, 바람직하게는 양면인 코팅; 및
- 바람직하게는 반도체 웨이퍼를 수용하기 위한 캐리어 내의 개구를 라이닝하고 기계적인 손상(분열, 균열) 또는 화학적인 손상(금속 오염)을 방지하는 제3 재료
로부터 구성되어야 한다는 점을 인지하였다.
캐리어의 대표 실시예가 도 4 및 도 5에 도시되어 있다.
도 4는 반도체 웨이퍼를 수용하기 위한 개구(11)를 구비한 캐리어를 도시한다.
반도체 웨이퍼가 크다면 상기 유형의 구성이 만들어지고 본 발명에 따른 방법을 실시하기 위해 이용되는 장치는 작은 직경을 갖는 작업 디스크를 구비한다. 이는, 예컨대, Rendsburg 소재 Peter Wolter AG의 "AC-1500" 유형의 이중 디스크 정밀 연삭 장치에 대한 경우로, 이 장치의 두 개의 링 형상 작업 디스크는 1470 mm의 외부 지름 및 561 mm의 내부 지름을 갖고, 캐리어에 대한 회전 장치는 1498.35 mm의 피치원 지름을 갖는 외부 톱니 링 및 532.65 mm의 피치원 지름을 갖는 내부 톱니 링을 포함하며, 이는 캐리어의 외부 맞물림에 대해 482.85 mm의 피치원 지름을 유발한다(캐리어의 외부 맞물림의 골지름은 472.45 mm이다).
상응하는 개구가 마련되어 있는 470 mm 이하의 이용가능한 직경을 갖는 상기 캐리어는, 예컨대 정확히 300 mm의 직경을 갖는 하나의 반도체 웨이퍼를 수용할 수 있거나(도 4), 또는 상기 캐리어에 200 mm의 직경을 갖는 3개 이하의 반도체 웨이퍼 또는 (도 5) 150 mm의 직경을 갖는 5개 이하의 반도체 웨이퍼 또는 125 mm의 직경을 갖는 8개 이하의 반도체 웨이퍼가 장착될 수 있다. 더 큰 작업 디스크 치수 및 더 작은 반도체 웨이퍼 치수에 대응하도록 제공되어, 캐리어는 대응하여 더 많은 반도체 웨이퍼를 수용할 수 있다.
도 4 및 도 5는 본 발명에 따른 캐리어의 바람직한 요소, 즉
- 소성 변형 없이 작업 디스크들 사이에서 회전 운동하는 동안 작용하는 힘을 견디도록, 작업층과 접촉하지 않고 캐리어에 기계적 안정성을 부여하는, 고 강성의 제1 재료로 이루어진 "코어"(8);
- 반도체 웨이퍼의 가공중에 작업 디스크와 접촉하고 결합 입자(작업층)와 자유 입자(연마 슬러리, 반도체 웨이퍼로부터의 재료 제거에 기인한 연마)의 작용에 대한 높은 내마모성을 갖는, 제2 재료로 이루어진 정면 코팅(9a) 및 이면 코팅(9b); 및
- 반도체 웨이퍼와 캐리어의 코어(8) 사이에서 직접적인 재료의 접촉을 방지하는, 제3 재료로 이루어진 하나 이상의 라이닝(10)
을 나타낸다.
제2 재료는 열경화성 폴리우레탄 탄성중합체이다.
바람직하게는 캐리어는 연삭 장치의 회전 장치에 상응하는 외부 톱니(16)를 구비하고, 상기 회전 장치는 내부 톱니 링 및 외부 톱니 링으로부터 형성된다.
작업층과 접촉하는 정면 코팅(9a) 및 이면 코팅(9b)은 전체 영역에 걸쳐 구체화될 수 있으며, 즉 정면 및 이면에서 캐리어의 코어(8)를 완전하게 덮고, 또는 임의의 자유 영역(예컨대 13 또는 14)이 정면(13a) 및 이면(13b)에서 발생하지만, 작업층과 접촉하는 코어(8)가 존재하지 않도록 영역의 일부에 걸쳐 구체화된다.
보통 캐리어는 상부 작업층 및 하부 작업층이 항상 동일한 온도에 있도록, 냉각 윤활제가 하부 작업 디스크와 상부 작업 디스크 사이에서 교환할 수 있는 개구(15)를 더 포함한다. 이는 변화하는 하중하에서의 열팽창 때문에 작업층 또는 작업 디스크의 변형을 통해 작업층들 사이에 형성된 작업 갭의 바람직하지 않은 변형을 방해한다. 더하여, 작업층 내에 결합된 연마제의 냉각이 개선되고 더 균일하게 되며, 이는 유효 수명을 연장시킨다.
캐리어의 라이닝(10) 및 캐리어의 결합된 개구(11)는 보통 매칭하는 외부 윤곽(7a) 및 내부 윤곽(17b)을 구비하고 포지티브 로킹 또는 접착(접착 결합)(17)에 의해서 서로 연결된다. 도 4c 내지 도 4e는, 캐리어로부터 발췌한 부분(18)의 확대도에서, 캐리어의 코어(8)와 라이닝(10) 사이의 상호 연결(17)을 위해 종래 기술에서 공지된 다양한 실시예를 도시한다. 도 4c는 언더컷을 갖는 포지티브 로킹(도브테일, JP 103 29 013 A2)에 의한 것이고, 도 4d는 매끈한 표면을 갖는 것(접착 결합, 프레스피팅 등에 의한 상호 연결; EP 0 208 315 B1)이고, 도 4e는 개선된 접착을 위해 러프닝하게 함으로써 확대된 접촉 영역을 갖는 것이다.
도 5c 내지 도 5g는 캐리어의 코어(8)의 정면(9a) 및 이면(9b)에서의 코팅(9) 및 반도체 웨이퍼를 위한 수용 개구(11)의 라이닝(10)에 대한 바람직한 실시예를 나타낸다. 각 도면은 캐리어로부터의 소 발췌부(19)를 단면으로 도시한다. 도 5c는 냉각 윤활제 통과 개구(15) 및 라이닝(10) 영역에서 부분 영역 코팅(9a 및 9b) 및 자유 영역(13a 및 13b)을 갖는 상기 실시예를 도시한다.
또한, 반도체 웨이퍼에 대한 수용 개구의 라이닝을 위한 제3 재료가 열경화성 폴리우레탄 탄성중합체로 이루어진 캐리어의 실시예가 특히 바람직하다. 이 점에서 대표적인 일실시예가 도 5d에 도시되어 있다. 여기서, 코팅(9)은 반도체 웨이퍼에 대한 수용 개구(11)에서 코어(8)의 에지 둘레에 리드되어, 코팅(9)이 라이닝(10)을 대체한다(9=10).
바람직하게는, 수용 개구(11)의 벽에서 층 두께는, 반도체 웨이퍼의 충분히 크기적으로 안정된 안내가 보장되도록, 상응하여 얇은(22) 것으로 선택된다.
코팅(9)이 냉각 윤활제 통과 개구(15)에서 코어(8)의 에지 둘레에 리드되는 경우 역시 바람직하다(20)(도 5e). 에지 둘레에 코팅을 리드하는 것은 날카로운 인접 에지를 방지한다. 이는, 특히 발생하는 박리 강도 때문에 층과 코어간의 재료의 접착이 양호하게 되어야 할 필요를 줄인다.
따라서, 코팅(9)의 에지가 깨진 경우, 즉 예컨대 둥글게 된(21) 경우가 또한 특히 유리하다.
또한, 코팅은 높은 정도의 마모를 받는 위치에서 더 두껍게 형성되는 경우가 특히 바람직하다. 이들 위치는 주로 외부 톱니 근처의 캐리어의 외부 영역이지만, 또한 냉각 윤활제 통과 개구(15) 및 반도체 웨이퍼 수용 개구(11)에서의 에지이기도 하다. 도 5f의 예는 냉각 윤활제 통과 개구(15)에서의 에지와 반도체 웨이퍼 수용 개구(11)에서의 에지 모두에서 보강되고 추가적으로 반도체 웨이퍼 수용 개구의 에지 둘레에 리드되는(9=10) 코팅을 도시한다.
최종적으로, 코어(8)의 정면 및 이면 영역의 전체 또는 일부에 걸쳐 구체화된 코팅(9)이 도 5g에 도시한 바와 같이 코어 내의 개구(23)를 통해 서로 연결되는 경우가 특히 바람직하다. 이들 개구 또는 채널(23)은 추가적인 포지티브 로킹에 의해 층(9)의 접착을 지지한다. 이 때, 코팅(9)은, 특히 구멍(23)을 통해 정면/이면에 연결되는, 작은 측면 범위를 갖는 복수 개의 개별 "노브"(9)로만 이루어지는 방식으로 영역의 일부에 거쳐 구체화될 수도 있다. 이 경우, 구멍(23)은 임의의 소망의 단면, 예컨대 원형, 각진형, "슬롯"과 같은 형 등을 가질 수 있다.
캐리어의 코어는, 회전 장치에서 사용하는 동안 발생하는 힘을 견디기 위해서 높은 강성 및 높은 인장 강도를 가져야한다는 점이 명백하다.
특히, 각 경우에 작업 디스크 에지와 회전 장치의 톱니 사이의 "돌출부"에 위치한 외부 톱니 영역에서 캐리어의 과도한 변형을 막기 위해서 높은 탄성계수가 유리하다는 것이 판명되었고, 캐리어는 정면 및 이면에서 두 개의 작업 디스크에 의해 안내되지 않고 이동면 내에 유지된다.
또한, "돌출부"에서 변형되는 경우 및 특히 캐리어의 톱니 측면에서 회전 장치의 핀으로부터 발생하는 힘의 작용하에서, 캐리어의 코어가 예컨대 벤드 또는 파장이 형성되는 결과로서 또는 톱니 측면에서 재료의 "플랜징(flanging)"의 결과로서 부자연스럽게 변형되지 않도록, 코어가 높은 강도(인장 강도 Rm 또는 경도)를 가져야 하는 것을 발견하였다.
바람직하게는, 캐리어의 코어에 대한 재료의 탄성계수는, 회전 장치에서 이용 중에 발생하는 힘을 견디기 위해서 70 GPa를 초과하고 인장강도가 1 GPa(30 HRC 초과의 로크웰 경도에 상응함)를 초과하여야 한다는 점을 발견하였다.
캐리어의 코어에 대한 재료의 탄성계수는 바람직하게는 70 내지 600 GPa이고 특히 바람직하게는 100 내지 250 GPa이다.
인장 강도는 바람직하게는 1 내지 2.4 Gpa(30 내지 60 HRC)이고 특히 바람직하게는 1.2 내지 1.8 GPa(40 내지 52 HRC)이다.
바람직하게는, 열경화성 폴리우레탄 탄성중합체는 40°쇼어 A 내지 80°쇼어 A의 경도를 갖는다.
바람직하게는, 반도체 웨이퍼를 수용하기 위한 캐리어 내 개구의 라이닝은, 고압 사출성형법에 의해 처리될 수 있는 열가소성 물질로 이루어진다.
특히 바람직하게는, 상기 라이닝은 PVDF, PA, PP, PC(폴리카보네이트) 또는 PET로 이루어진다. 또한, PS, PMMA(폴리메틸 메타크릴레이트), 퍼플루오로알콕시(PFA), LCP 및 PVC로 이루어진 라이닝이 바람직하다.
바람직하게는, 캐리어는 0.3 내지 1.0 mm의 총 두께를 갖는다.
캐리어에 안정성을 부여하는 강성 코어의 두께는, 캐리어의 총 두께중 바람직하게는 30% 내지 98%, 특히 바람직하게는 50% 내지 90%이다.
코팅은 양면에 존재하고, 바람직하게는 캐리어의 양면에서 동일한 두께로 존재한다.
따라서, 수 마이크로미터(통상적으로 수십 마이크로미터) 내지 수백 마이크로미터(통상적으로 100 ㎛ 내지 200 ㎛)의 캐리어의 양면 코팅에 대한 층 두께는 상기 실시예에 따라 기인한다.
또한, 본 발명의 목적은, 산성 용액 또는 알칼리성 용액으로 처리함으로써 캐리어의 코어를 화학적 활성화하는 단계, 이러한 방식으로 사전 처리된 캐리어 코어에 접착 촉진제를 도포하는 단계, 폴리우레탄층을 형성하기 위해 포팅, 가교결합 및 가황처리에 의해 접착 촉진제에 폴리우레탄 프리폴리머를 도포하는 단계를 포함하는, 금속성 코어 및 반도체 웨이퍼를 수용하기 위한 적어도 하나의 컷아웃을 포함하는 캐리어에 폴리우레탄 코팅을 도포하기 위한 방법에 의해 달성된다.
바람직하게는, 폴리우레탄층은 소망의 목표 두께로 최종 연마된다.
열경화성 탄성중합체 폴리우레탄의 가교결합되지 않은 프리폴리머는 높은 점도를 갖고, 제형에 따라 어떤 경우에는 폴리우레탄 가교결합이 시작할 때까지 매우 짧은 공정 시간을 갖는다.
프리폴리머는 폴리올(폴리에스테르 또는 폴리에테르 폴리올), 폴리이소시아네이트 및 가교제(예컨대 다이올 또는 아민)의 가교결합되지 않은 혼합물을 나타내고, 프리폴리머의 잇따른 가교결합 및 가황처리(후경화)는 특정의 우레탄기(-NH-CO-O-)를 갖는 폴리우레탄을 발생시킨다.
통상적으로, 짧은 포트 수명은 단지 수 밀리미터의 최소 재료 두께로 포팅함으로써 프리폴리머의 처리를 허여한다. 제형 및 가교결합 거동에 따라, 상기 포팅은 저온 포팅 또는 고온 포팅으로서 행해진다.
수 밀리미터 두께의 최소 재료 두께에 기인하여, 포팅에 의해 생성된 코팅은 높은 고유 안정성을 가져서, 코팅의 마찰 부하(표면에 평행한 부하), 기판과의 계면에서 팽창 및 압축(표면에 수직인 부하)의 경우에, 비교적 비임계적이고 폴리우레탄 코팅과 기판 간의 접착을 비교적 적게 요구하는 인장 압축 전단력만이 발생한다.
반대로, 수십 내지 수백 마이크로미터 범위의 층 두께 및 예컨대 40°내지 80°쇼어 A 층의 낮은 경도를 갖는 경우, PU층과 캐리어 코어 간의 접착을 특히 많이 요구하는 박리력이 현저하게 발생한다.
이 경우, 문제점으로 판명된 것은, 기판과 코팅과 PU 코팅 사이에 보통 도포된 접착 촉진제 사이의 계면에서의 접착이 아니라, 오히려 기판(캐리어의 금속 코어)과 접착 촉진제 사이의 접착이었다.
접착 촉진제는 분무, 담금, 범람, 살포, 회전 또는 블레이드 코팅에 의해 캐리어의 코어에 먼저 도포되고 건조된다. 이 후, 실제 코팅이 도포된다.
접착 촉진제에 대해 제안된 통상적인 사전 처리법은, 캐리어의 코어에 접착 촉진제 및 PU 코팅을 충분히 접착하기에 매우 적합하지 않다는 점을 발견하였다.
세정액으로 세척함에 의한 또는 용매에 의한 디그리징(degreasing) 및 러프닝(예컨대 초기 연삭 또는 분사)에 의한 접촉 표면의 확대와 같은 종래 기술 분야에서 알려진 방법에 의해 접착 촉진제 및 PU 코팅을 도포하기 전에 캐리어 코어가 사전 처리된 경우의 코팅은, 이용중에 발생하는 높은 박리력을 견디지 못했고, 넓은 영역에서 코팅의 이탈이 항상 발생하였다.
특히, 기계적인 사전 처리(연삭 또는 분사)는 특히 불리함이 판명되었다. 일반적으로, 접착이 다소 개선되지만, 충분한 정도는 아니고, 캐리어 코어의 평탄함은 거칠음 유도 및 손상 유도된 비대칭적인 변형에 기인하여 악화된다. 파상 캐리어는 바람직하지 않은데, 이는 반도체 웨이퍼가 캐리어의 수용 개구 내로 안전하게 도입될 수 없고, 어떤 경우에는 예고 없이 에지 영역에서 수용 개구의 라이닝을 오버랩하여, 그 결과 연삭 장치의 상부 작업 디스크가 내려갈 때 반도체 웨이퍼의 균열이 발생하기 때문이다.
주로, 그러나, 파상 캐리어는 불균일하게 마모된다. 이는 이용 기간을 감소시키고, 따라서 비경제적이다. 특히, 그러나, 캐리어 위의 반도체 웨이퍼의 국부적으로 상이한 돌출부가 발생하여, 냉각 윤활제의 운반 및 반도체 웨이퍼의 달성 가능한 평탄함을 제한한다.
(금속성) 코어 재료와 접착 촉진제 중간층 사이의 접착 문제는 코어 재료의 표면의 화학적 활성화에 의해 해결되었다.
바람직하게는, 활성화는 산성 용액 또는 알칼리성 용액을 이용한 에칭에 의해 달성된다.
예로서, 적절하게는 용매, 예컨대 알코올(에탄올, 메탄올)이 첨가된, 수산화나트륨 용액(NaOH) 또는 수산화칼륨 용액(KOH), 특히 농축 NaOH 또는 KOH이 적합하다.
바람직하게는, 산, 예컨대 염산(HCl), 황산(H2SO4), 인산(H3PO4), 질산(HNO3) 또는 염소산(HClO3, HClO4)을 이용한 에칭에 의해 행해진다.
활성화는, 특히 바람직하게는, 불화물 이온(불화수소산, HF)의 첨가와 함께, 산화성산, 특히 질산(HNO3)을 이용한 에칭에 의해 행해진다.
산화성산을 이용한 에칭은 특히 고급강 위에 재생가능한 산화층을 생성하고, 상기 산화층은 접착 촉진제 내부층의 후속 도포를 위한 특히 양호한 접착 베이스를 형성한다.
더하여, 저압 플라즈마에 의해, 특히 산소 플라즈마를 이용하여 금속성 코어 재료의 표면을 활성화하는 것이 또한 가능하다.
요구되는 작은 층의 두께는, 평탄 연삭에 의한 목표 크기로 두꺼운 층을 가교결합 및 가황처리한 후의 포팅, 층 발달 및 연삭에 의한 균일하게 두꺼운 코팅을 통해 얻어질 수 있다.
캐리어 코어의 양면 코팅은, 캐리어 코어의 일면만을 가공하고 그 후 다른 면을 연속하여 가공함으로써 달성된다.
가교결합 및 가황처리(후경화) 중에, 폴리우레탄은 적은 정도의 부피 수축을 경험한다. 결과적으로, 생성된 층이 변형되고 캐리어는 파상이 된다. 캐리어 양면의 완전한 코팅 후에, 양면의 응력은 실질적으로 서로를 보상한다. 그러나, 양면의 연속적인 코팅 때문에, 일정한 잔여 응력 및 최종적으로 코팅된 캐리어의 잔여 파장이 항상 남아 있다.
그러나, 변형은, 비교적 높고 국부적으로 크게 변동하는 복원력 없이 캐리어를 이용하는 동안 탄성적으로 보상되는 장파의 잔여 파장을 야기하기 때문에, 이러한 방식으로 제조된 캐리어는 본 발명의 방법을 실시하는데 적합하다.
그러나, 단일의 가공 단계에서 캐리어 코어의 양면의 동시 코팅이 유리하다.
이는 예컨대 캐리어 코어가 집중 방식으로 내부에 유지되는 몰드 내에 포팅하고 경화함으로써 행해질 수 있다.
목표 두께로 준비된 동시 양면 코팅이 특히 바람직하다.
몰드 내 PU 프리폴리머의 전영역 공정은, 플리폴리머가 진공하에서 또는 압력에 의해서 몰드 내에 도입된다면 PU 프리폴리머의 증가된 점도 및 작은 층 두께에도 불구하고 충분한 방식으로 달성될 수 있다.
도 1은 다양한 시험 재료로 이루어진 캐리어의 마모율을 도시한다.
도 2는 반도체 웨이퍼로부터의 재료 제거 및 다양하게 시험된 캐리어 재료에 대한 캐리어 마모의 비율을 도시한다.
도 3은 다양하게 시험된 캐리어 재료에 대한 가공 시간을 갖는 작업층의 절삭 능력의 상대 변화를 도시한다.
도 4는 반도체 웨이퍼를 수용하기 위한 개구를 구비하고, 코어, 양면 코팅 및 라이닝을 포함하는 본 발명에 따른 캐리어의 대표 실시예이며, 도 4a는 분해도, 도 4b는 사시도, 도 4c 내지 도 4e는 개구와 라이닝 사이의 접촉 영역에서 발췌한 부분의 상세도를 도시한다.
도 5는 세 개의 반도체 웨이퍼를 수용하기 위한 세 개의 개구를 구비하고, 코어, 양면 코팅 및 라이닝을 포함하는 본 발명에 따른 캐리어의 대표 실시예이며, 도 5a는 분해도, 도 5b는 사시도, 도 5c 내지 도 5g는 캐리어의 코어, 코팅과 라이닝 사이의 접촉 영역을 통과하는 단면의 상세도를 도시한다.
*** 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ***
8: 코어
9a: 정면 코팅
9b: 이면 코팅
10: 라이닝
11: 반도체 웨이퍼 수용 개구
13, 14: 자유 영역
15: 냉각 윤활제 통과 개구
23: 구멍

Claims (27)

  1. 래핑 장치, 연삭 장치 또는 폴리싱 장치에서 가공하기 위한 하나 이상의 반도체 웨이퍼를 수용하기에 적합한 캐리어로서,
    높은 강성을 갖는 제1 재료로 이루어지고, 제2 재료로 완전하게 또는 부분적으로 코팅되는 코어; 및
    반도체 웨이퍼를 수용하기 위한 적어도 하나의 컷아웃
    을 포함하고,
    상기 제2 재료는 쇼어 A에 따른 60 내지 80의 경도를 갖는 열경화성 폴리우레탄 탄성중합체인 것인 캐리어.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1 재료는 70 내지 600 GPa의 탄성계수를 갖는 것인 캐리어.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제1 재료는 100 내지 250 GPa의 탄성계수를 갖는 것인 캐리어.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 재료는 HRC 30 내지 HRC 60의 로크웰 경도를 갖는 것인 캐리어.
  5. 제4항에 있어서, 상기 제1 재료는 HRC 40 내지 HRC 52의 로크웰 경도를 갖는 것인 캐리어.
  6. 제1항에 있어서, 상기 제1 재료는 강철인 것인 캐리어.
  7. 제1항에 있어서, 상기 제1 재료는 고급강인 것인 캐리어.
  8. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 캐리어의 컷아웃은, 폴리비닐리덴 디플루오라이드(PVDF), 폴리아미드(PA), 폴리프로필렌(PP), 폴리에틸렌(PE), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리카보네이트(PC), 폴리스티렌(PS), 폴리메틸 메타크릴레이트(PMMA), 퍼플루오로알콕시(PFA) 또는 이들 재료의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 제3 재료로 에지 영역에서 라이닝되는 것인 캐리어.
  9. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 캐리어의 컷아웃은, 쇼어 A에 따른 60 내지 80의 경도를 갖는 열경화성 폴리우레탄 탄성중합체로 에지 영역에서 라이닝되는 것인 캐리어.
  10. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 캐리어 총 두께는 0.3 내지 1.0 mm이고 상기 제1 재료로 이루어진 캐리어 코어의 두께는 캐리어 총 두께의 30% 내지 98%인 것인 캐리어.
  11. 제10항에 있어서, 상기 캐리어 코어의 두께는 캐리어 총 두께의 50% 내지 90%인 것인 캐리어.
  12. 제10항에 있어서, 상기 제2 재료로 이루어진 층의 두께는 상기 코어의 양면에서 동일한 것인 캐리어.
  13. 제10항에 있어서, 상기 코팅은 잔여 영역에서보다 캐리어 내 개구 에지의 일부 또는 전체 영역에서 더 두꺼운 것인 캐리어.
  14. 래핑, 연삭 또는 폴리싱으로 양면 가공하기 위한 하나 이상의 반도체 웨이퍼를 수용하기에 적합하고, 금속성 코어 및 적어도 하나의 컷아웃을 포함하는 캐리어의 코팅 방법으로서,
    화학적 처리, 전기화학적 처리 또는 플라즈마를 이용한 처리에 의해 캐리어의 코어를 화학적 활성화하는 단계;
    상기 방식으로 사전 처리된 캐리어 코어에 접착 촉진제를 도포하는 단계;
    폴리우레탄층을 형성하기 위해 포팅(potting), 가교결합(crosslinking) 및 가황처리(vulcanization)에 의해 폴리우레탄 프리폴리머를 접착 촉진제에 도포하는 단계; 및
    목표 두께로 폴리우레탄층을 다시 연삭하는 단계
    를 포함하여, 제1항에 따른 캐리어를 형성하는 것인 캐리어의 코팅 방법.
  15. 제14항에 있어서, 상기 폴리우레탄은 양면에서 동시에 캐리어의 코어에 도포되는 것인 캐리어의 코팅 방법.
  16. 제14항 또는 제15항에 있어서, 상기 폴리우레탄 프리폴리머의 도포는 진공에 의해 또는 압력하에서 몰드 내에서 발생하는 것인 캐리어의 코팅 방법.
  17. 제14항 또는 제15항에 있어서, 상기 접착 촉진제는 실란을 함유하는 것인 캐리어의 코팅 방법.
  18. 제14항 또는 제15항에 있어서, 컷아웃의 에지를 라이닝하기 위한 제3 재료는 고압 사출 성형에 의해 도입되는 것인 캐리어의 코팅 방법.
  19. 제14항 또는 제15항에 있어서, 폴리우레탄 코팅은, 정면 코팅 및 이면 코팅이 서로 연결되는 방식으로 캐리어의 개구 또는 컷아웃의 에지의 일부 또는 전체 둘레에서 완전하게 또는 부분적으로 리드되는 것인 캐리어의 코팅 방법.
  20. 제19항에 있어서, 화학 처리에 의한 활성화는 에칭제(산성 용액 또는 알칼리성 용액)을 이용한 처리인 것인 캐리어의 코팅 방법.
  21. 제20항에 있어서, 상기 에칭제는 인산(H3PO4), 질산(HNO3), 황산(H2SO4), 불화수소산(HF), 염산(HCl) 또는 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 캐리어의 코팅 방법.
  22. 제20항에 있어서, 산화제는 에칭 중에 제1 재료에 추가로 작용하는 것인 캐리어의 코팅 방법.
  23. 복수 개의 반도체 웨이퍼의 양면 재료를 동시에 제거하는 가공 방법으로서,
    각 반도체 웨이퍼는, 회전 장치에 의해 회전되는 청구항 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 따른 복수 개의 캐리어 중 하나의 컷아웃 내에서 자유롭게 이동가능하여 사이클로이드 궤적상에서 운동하도록 놓여 있고, 상기 반도체 웨이퍼는 두 개의 회전 링 형상의 작업 디스크들 사이에서 재료 제거 방식으로 가공되는 것인 복수 개의 반도체 웨이퍼의 양면 재료를 동시에 제거하는 가공 방법.
  24. 제23항에 있어서, 상기 재료 제거 가공은 반도체 웨이퍼의 양면 연삭을 포함하고, 각 작업 디스크는 연마 재료로 이루어진 작업층을 포함하는 것인 복수 개의 반도체 웨이퍼의 양면 재료를 동시에 제거하는 가공 방법.
  25. 제23항에 있어서, 상기 재료 제거 가공은 연마 재료로 이루어진 슬러리의 공급으로 반도체 웨이퍼를 양면 래핑하는 것을 포함하는 것인 복수 개의 반도체 웨이퍼의 양면 재료를 동시에 제거하는 가공 방법.
  26. 제23항에 있어서, 상기 재료 제거 가공은 실리카 졸을 포함하는 분산 공급을 이용한 양면 폴리싱을 포함하고, 각 작업 디스크는 작업층으로서 폴리싱 천을 포함하는 것인 복수 개의 반도체 웨이퍼의 양면 재료를 동시에 제거하는 가공 방법.
  27. 삭제
KR1020080083795A 2007-10-17 2008-08-27 캐리어, 캐리어의 코팅 방법, 및 반도체 웨이퍼의 양면 재료를 동시에 제거하는 가공 방법 KR101275441B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102007049811.1 2007-10-17
DE102007049811.1A DE102007049811B4 (de) 2007-10-17 2007-10-17 Läuferscheibe, Verfahren zur Beschichtung einer Läuferscheibe sowie Verfahren zur gleichzeitigen beidseitigen Material abtragenden Bearbeitung von Halbleiterscheiben

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20090039596A KR20090039596A (ko) 2009-04-22
KR101275441B1 true KR101275441B1 (ko) 2013-06-14

Family

ID=40458799

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080083795A KR101275441B1 (ko) 2007-10-17 2008-08-27 캐리어, 캐리어의 코팅 방법, 및 반도체 웨이퍼의 양면 재료를 동시에 제거하는 가공 방법

Country Status (7)

Country Link
US (1) US9539695B2 (ko)
JP (1) JP5207909B2 (ko)
KR (1) KR101275441B1 (ko)
CN (1) CN101412201B (ko)
DE (1) DE102007049811B4 (ko)
SG (1) SG152121A1 (ko)
TW (1) TWI411494B (ko)

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100898821B1 (ko) * 2007-11-29 2009-05-22 주식회사 실트론 웨이퍼 캐리어의 제조방법
JP5452984B2 (ja) * 2009-06-03 2014-03-26 不二越機械工業株式会社 ウェーハの両面研磨方法
DE102009024125B4 (de) * 2009-06-06 2023-07-27 Lapmaster Wolters Gmbh Verfahren zum Bearbeiten von flachen Werkstücken
DE102009038941B4 (de) * 2009-08-26 2013-03-21 Siltronic Ag Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe
DE102009047927A1 (de) 2009-10-01 2011-01-27 Siltronic Ag Läuferscheibe und Verfahren zur Politur einer Halbleiterscheibe
JP2011143520A (ja) * 2010-01-18 2011-07-28 Shin Etsu Handotai Co Ltd インサート材及びこれを用いた両面研磨装置並びに両面研磨方法
US8712575B2 (en) * 2010-03-26 2014-04-29 Memc Electronic Materials, Inc. Hydrostatic pad pressure modulation in a simultaneous double side wafer grinder
DE102010032501B4 (de) 2010-07-28 2019-03-28 Siltronic Ag Verfahren und Vorrichtung zum Abrichten der Arbeitsschichten einer Doppelseiten-Schleifvorrichtung
DE102010042040A1 (de) 2010-10-06 2012-04-12 Siltronic Ag Verfahren zum Schleifen einer Halbleiterscheibe
DE102011003008B4 (de) * 2011-01-21 2018-07-12 Siltronic Ag Führungskäfig und Verfahren zur gleichzeitig beidseitigen Material abtragenden Bearbeitung von Halbleiterscheiben
DE102011080323A1 (de) 2011-08-03 2013-02-07 Siltronic Ag Verfahren zum Einebnen einer Halbleiterscheibe mit verbesserter Kantenschonung
DE102011082857B4 (de) 2011-09-16 2020-02-20 Siltronic Ag Verfahren zur gleichzeitigen beidseitigen Material abtragenden Bearbeitung wenigstens dreier Werkstücke
DE102011089570A1 (de) 2011-12-22 2013-06-27 Siltronic Ag Führungskäfig zum beidseitigen Schleifen von mindestens einem scheibenförmigen Werkstück zwischen zwei rotierenden Arbeitsscheiben einer Schleifvorrichtung, Verfahren zur Herstellung des Führungskäfigs und Verfahren zum gleichzeitigen beidseitigen Schleifen von scheibenförmigen Werkstücken unter Verwendung des Führungskäfigs
DE102012206398A1 (de) 2012-04-18 2012-06-21 Siltronic Ag Verfahren zur beidseitigen Bearbeitung einer Scheibe aus Halbleitermaterial
KR20130137475A (ko) * 2012-06-07 2013-12-17 삼성전자주식회사 기판 처리방법 및 그에 사용되는 서포트 기판
DE102012214998B4 (de) 2012-08-23 2014-07-24 Siltronic Ag Verfahren zum beidseitigen Bearbeiten einer Halbleiterscheibe
JP5748717B2 (ja) * 2012-09-06 2015-07-15 信越半導体株式会社 両面研磨方法
DE102012218745A1 (de) 2012-10-15 2014-04-17 Siltronic Ag Verfahren zum beidseitigen Bearbeiten einer Halbleiterscheibe
DE102013218880A1 (de) * 2012-11-20 2014-05-22 Siltronic Ag Verfahren zum Polieren einer Halbleiterscheibe, umfassend das gleichzeitige Polieren einer Vorderseite und einer Rückseite einer Substratscheibe
DE102013200756A1 (de) * 2013-01-18 2014-08-07 Siltronic Ag Läuferscheibe für die beidseitige Politur von Scheiben aus Halbleitermaterial
CN103817572A (zh) * 2014-02-18 2014-05-28 河南机电高等专科学校 一种离合器摩擦钢片修复装置
KR102577033B1 (ko) * 2016-02-16 2023-09-12 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 양면연마방법 및 양면연마장치
US10556317B2 (en) 2016-03-03 2020-02-11 P.R. Hoffman Machine Products Inc. Polishing machine wafer holder
US20170252893A1 (en) * 2016-03-03 2017-09-07 P.R. Hoffman Machine Products Inc. Polishing machine work piece holder
WO2020066873A1 (ja) 2018-09-25 2020-04-02 日産化学株式会社 キャリアの摩耗が低減されたシリコンウエハーの研磨方法及びそれに用いる研磨液
CN110153839B (zh) * 2019-06-06 2023-12-26 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 全口径抛光浸没式元件加工装置、加工方法及抛光机

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010104243A (ko) * 2000-05-11 2001-11-24 게르트 켈러 반도체웨이퍼의 양면연마방법 및 그 방법을 실행하는 캐리어
KR100576822B1 (ko) * 2003-09-04 2006-05-10 삼성전자주식회사 화학적ㆍ기계적 연마장치
KR20060043488A (ko) * 2004-03-09 2006-05-15 스피드팜 가부시키가이샤 피연마물 유지용 캐리어
KR100626501B1 (ko) * 2000-07-19 2006-09-20 에스케이케미칼주식회사 열가소성 폴리우레탄 수지, 그 제조방법 및 폴리우레탄접착제

Family Cites Families (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5741164A (en) 1980-08-12 1982-03-08 Citizen Watch Co Ltd Dual carrier for lapping
JPS60197366A (ja) 1984-03-21 1985-10-05 Hitachi Ltd 両面研磨機用のキヤリア
KR860008003A (ko) 1985-04-08 1986-11-10 제이·로렌스 킨 양면 포리싱 작업용 캐리어 조립체
DE3524978A1 (de) * 1985-07-12 1987-01-22 Wacker Chemitronic Verfahren zum beidseitigen abtragenden bearbeiten von scheibenfoermigen werkstuecken, insbesondere halbleiterscheiben
JPH0373265A (ja) * 1989-05-02 1991-03-28 Sekisui Chem Co Ltd 被研磨物保持用キャリヤ及びその製造方法
WO1996007508A1 (en) 1994-09-08 1996-03-14 Struers A/S Grinding/polishing cover sheet for placing on a rotatable grinding/polishing disc
JPH09207064A (ja) 1996-02-01 1997-08-12 Shin Etsu Handotai Co Ltd 両面研磨機用キャリアおよびこれを用いて被加工物の両面を研磨する方法
US5692950A (en) 1996-08-08 1997-12-02 Minnesota Mining And Manufacturing Company Abrasive construction for semiconductor wafer modification
US5882245A (en) 1997-02-28 1999-03-16 Advanced Ceramics Research, Inc. Polymer carrier gears for polishing of flat objects
JPH10329013A (ja) 1997-05-30 1998-12-15 Shin Etsu Handotai Co Ltd 両面研磨及び両面ラッピング用キャリア
DE19722679A1 (de) 1997-05-30 1998-12-03 Wacker Siltronic Halbleitermat Scheibenhalter und Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe
JPH1110530A (ja) * 1997-06-25 1999-01-19 Shin Etsu Handotai Co Ltd 両面研磨用キャリア
JPH1133895A (ja) 1997-07-17 1999-02-09 Shin Kobe Electric Mach Co Ltd 被研磨物保持のためのキャリア材
JP2000127030A (ja) 1998-10-20 2000-05-09 Speedfam-Ipec Co Ltd キャリア材とその製造法
US6299514B1 (en) * 1999-03-13 2001-10-09 Peter Wolters Werkzeugmachinen Gmbh Double-disk polishing machine, particularly for tooling semiconductor wafers
DE10007390B4 (de) 1999-03-13 2008-11-13 Peter Wolters Gmbh Zweischeiben-Poliermaschine, insbesondere zur Bearbeitung von Halbleiterwafern
JP2000280167A (ja) * 1999-03-30 2000-10-10 Kyocera Corp キャリアプレート及びこれを用いた両面研磨装置
JP2000288922A (ja) 1999-03-31 2000-10-17 Hoya Corp 研磨用キャリア及び研磨方法並びに情報記録媒体用基板の製造方法
US6096107A (en) 2000-01-03 2000-08-01 Norton Company Superabrasive products
JP2001287155A (ja) 2000-04-10 2001-10-16 Toshiba Ceramics Co Ltd 研磨用キャリア
US6709981B2 (en) * 2000-08-16 2004-03-23 Memc Electronic Materials, Inc. Method and apparatus for processing a semiconductor wafer using novel final polishing method
US6599177B2 (en) 2001-06-25 2003-07-29 Saint-Gobain Abrasives Technology Company Coated abrasives with indicia
JP2003305637A (ja) 2002-04-15 2003-10-28 Shirasaki Seisakusho:Kk 脆性薄板の研磨用ホルダ
JP2004114208A (ja) 2002-09-25 2004-04-15 Matsushita Electric Works Ltd 研磨用キャリア材
DE10247180A1 (de) 2002-10-02 2004-04-15 Ensinger Kunststofftechnologie Gbr Haltering zum Halten von Halbleiterwafern in einer chemisch-mechanischen Poliervorrichtung
DE10250823B4 (de) * 2002-10-31 2005-02-03 Siltronic Ag Läuferscheibe und Verfahren zur gleichzeitig beidseitigen Bearbeitung von Werkstücken
JP2004154919A (ja) * 2002-11-08 2004-06-03 Central Glass Co Ltd 研磨布およびそれを用いた片面研磨方法
JP2004303280A (ja) * 2003-03-28 2004-10-28 Hoya Corp 情報記録媒体用ガラス基板の製造方法
DE10344602A1 (de) 2003-09-25 2005-05-19 Siltronic Ag Verfahren zur Herstellung von Halbleiterscheiben
JP4338150B2 (ja) * 2003-10-17 2009-10-07 東レ株式会社 発泡ポリウレタンおよびその製造方法
WO2006001340A1 (ja) * 2004-06-23 2006-01-05 Komatsu Denshi Kinzoku Kabushiki Kaisha 両面研磨用キャリアおよびその製造方法
WO2006013996A1 (en) * 2004-08-02 2006-02-09 Showa Denko K.K. Method of manufacturing polishing carrier and silicon substrate for magnetic recording medium, and silicon substrate for magnetic recording medium
JP2006088314A (ja) * 2004-08-27 2006-04-06 Showa Denko Kk 磁気ディスク用基板および磁気ディスクの製造方法
CN100551624C (zh) * 2005-01-31 2009-10-21 三芳化学工业股份有限公司 用以固定抛光基材的吸附片材及其制造方法及抛光装置
WO2006090661A1 (ja) 2005-02-25 2006-08-31 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. 両面研磨装置用キャリアおよびこれを用いた両面研磨装置、両面研磨方法
US20080166952A1 (en) * 2005-02-25 2008-07-10 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd Carrier For Double-Side Polishing Apparatus, Double-Side Polishing Apparatus And Double-Side Polishing Method Using The Same
JP4775896B2 (ja) 2006-03-16 2011-09-21 東洋ゴム工業株式会社 積層シート及びその製造方法
JP2007098543A (ja) 2005-10-07 2007-04-19 Nikon Corp ワークキャリア及び両面研磨装置
WO2008064158A2 (en) * 2006-11-21 2008-05-29 3M Innovative Properties Company Lapping carrier and method

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010104243A (ko) * 2000-05-11 2001-11-24 게르트 켈러 반도체웨이퍼의 양면연마방법 및 그 방법을 실행하는 캐리어
KR100626501B1 (ko) * 2000-07-19 2006-09-20 에스케이케미칼주식회사 열가소성 폴리우레탄 수지, 그 제조방법 및 폴리우레탄접착제
KR100576822B1 (ko) * 2003-09-04 2006-05-10 삼성전자주식회사 화학적ㆍ기계적 연마장치
KR20060043488A (ko) * 2004-03-09 2006-05-15 스피드팜 가부시키가이샤 피연마물 유지용 캐리어

Also Published As

Publication number Publication date
JP2009099980A (ja) 2009-05-07
DE102007049811A1 (de) 2009-04-23
SG152121A1 (en) 2009-05-29
TWI411494B (zh) 2013-10-11
JP5207909B2 (ja) 2013-06-12
KR20090039596A (ko) 2009-04-22
US20090104852A1 (en) 2009-04-23
DE102007049811B4 (de) 2016-07-28
CN101412201B (zh) 2012-04-18
TW200918236A (en) 2009-05-01
CN101412201A (zh) 2009-04-22
US9539695B2 (en) 2017-01-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101275441B1 (ko) 캐리어, 캐리어의 코팅 방법, 및 반도체 웨이퍼의 양면 재료를 동시에 제거하는 가공 방법
KR100945755B1 (ko) 복수 개의 반도체 웨이퍼의 양면 동시 연마 방법
KR101494912B1 (ko) 래핑 캐리어 및 방법
KR101627897B1 (ko) 반도체 웨이퍼 연마 방법
KR101230112B1 (ko) 반도체 웨이퍼 제조 방법
KR101355760B1 (ko) 양면 처리 장치의 2개의 가공 디스크 각각에 각각의 평탄한 가공층을 제공하는 방법
EP2379280A1 (en) Coated carrier for lapping and methods of making and using
JP4909706B2 (ja) 研磨パッド
JP2007260827A (ja) 研磨パッドの製造方法
WO2016103862A1 (ja) 円形研磨パッド及び半導体デバイスの製造方法
JP4964420B2 (ja) 研磨パッド
KR102066363B1 (ko) 연마 패드, 연마 패드를 사용한 연마 방법 및 그 연마 패드의 사용 방법
JP4698178B2 (ja) 被研磨物保持用キャリア
JP2007260801A (ja) 研磨パッドの製造方法
JP2006186239A (ja) 研磨パッドおよび半導体デバイスの製造方法
JP2005097573A (ja) 研磨シート用高分子材料、研磨シート及び研磨パッド

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
N231 Notification of change of applicant
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
J201 Request for trial against refusal decision
AMND Amendment
B601 Maintenance of original decision after re-examination before a trial
J301 Trial decision

Free format text: TRIAL NUMBER: 2010101009546; TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 20101213

Effective date: 20121115

Free format text: TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 20101213

Effective date: 20121115

GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160602

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170601

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190530

Year of fee payment: 7