KR101135910B1 - 바이포달 리간드를 갖는 금속 착물 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 쌍극 리간드를 가진 신규한 금속 착물에 관한 것이다. 이러한 유형의 화합물은 광범위한 의미에서 전자 산업에 속할 수 있는 많은 상이한 적용에서 기능성 재료로서 활용될 수 있다.

Description

바이포달 리간드를 갖는 금속 착물 {METAL COMPLEXES WITH BIPODAL LIGANDS}
킬레이트 착물 및 유기금속성 화합물은, 광범위한 의미에서 전자산업에 속할 수 있는 수많은 다른 적용의 기능성 재료로서 가까운 시일 내로 사용될 수 있다. 유기성 성분(구조의 일반적인 설명은 US 4,539,507 및 US 5,151,62을 참고) 및 그의 개별 성분 기재의 유기 전계 발광 장치의 경우, Pioneer 및 Kodak 사의 "유기 디스플레이"를 장착한 자동차 라디오 및 디지털 카메라로 확인되듯이, 유기 발광 다이오드(OLED)는 이미 시장에 진입하였다. 상기 유형의 추가적인 제품들은 곧 진입하려고 한다. 모든 점에도 불구하고, 현재 시장을 지배하고 있는 액정 디스플레이(LCD)의 진정한 경쟁사로서 상기 디스플레이가 자리매김하기 위해서는 여전히 상당한 개선이 필수적이다.
이러한 관점에서의 개발은, 본원에서 특히 관심 있는 알루미늄 및 란탄 킬레이트 착물과 함께 금속 킬레이트 착물 기재의 청색 일중항 방출기(emitter) 및 전자-운송 재료의 개선에 있다.
최근 대두되고 있는 추가 개발은 형광 대신 인광을 보이는 유기금속성 착물의 용도에 있다(M.A. Baldo, S. Lamansky, P.E. Burrows, M.E. Thompson, S.R. Forrest, Appl. Phys. Lett., 1999, 75, 4-6). 이론적인 스핀-통계상의 근거로 인광 방출기로서 유기금속성 화합물을 이용하여 4배 이하의 에너지 및 전력 효 율이 가능하다. 상기 개발의 성공 여부는 OLED에서 이러한 이점들(삼중항 방출 = 일중항 방출과 비교된 인광 = 형광)을 실행할 수도 있는 상응하는 장치 조성물을 찾는 것의 가능 여부에 좌우된다. 본원에서 언급될 수 있는 실용적인 적용을 위한 본질적인 조건은, 모바일 적용이 가능하기 위해서 특히 장기적인 수명, 열에 대한 고 안정성 및 저 사용 및 조작 전압이다. 상기 두 경우에서, 상응하는 킬레이트 착물 또는 유기금속성 화합물에 대한 효율적인 화학적 접근이 가능해야된다. 그러나, 이것은 신규 금속들인 루테늄, 오스뮴, 로듐 이리듐, 팔라듐, 플라티늄 및 금의 희소적 배경에 있어서 특히 흥미롭다.
색 성분으로서 형광 또는 인광 방출기를 포함하고 그의 층 구조가 다른 OCED 구조의 두 가지 기본적인 구조 유형은 지금까지 문헌에 기재되어 있다. 상기 OLED 유형은 예를 들면 WO 04/058911 에 상세히 기재되어 있다.
종래 기술에 따른 OLED 의 특징적인 데이타는 특히 하기의 약점을 보인다:
1. 수명이 대부분의 경우에 있어서 매우 짧아, 장기 수명을 가진 OLED은 시장 진입 단계 중이다.
2. 밝기가 증가할수록 효율은 종종 상당히 저하되는 것이 효율/밝기 커브를 보면 자명하다. 이것은 실제적으로 필수적인 우수한 밝기가 고 전력을 소비함으로써 만이 달성될 수 있음을 의미한다. 그러나, 상당한 전력 소비는 이동 장치(모바일 폰, 랩톱 컴퓨터 등)의 고 전지 전력을 요구한다. 게다가, 대부분이 열로 전환되는 대규모의 전력 소비는 디스플레이에 열손상을 초래할 수 있다.
상기에서 설명된 OLED 장치에서, 상기에 언급된 기능성 재료는 집중적으로 활용되어 왔거나 활용되고 있다.
얼마 동안, 금속 착물은 ETM(전자-운송 재료: 예를 들면, AIQ3, C.W. Tang 등, Applied Phys, Lett., 1987, 51(12), 913; ZnQ2, S.-J. Jung 등, J. Korean Electrochemical Society, 2000, 3(1),1)로서, HBM(정공차단 재료: 예를 들면, B-AIQ3, R.Kwong 등, Applied Physics Letters, 2002, 81(1), 162)로서, EML(방출층)에서의 기질 재료(예를 들면, B-AIQ3, C.H. Chen 등, Proceedings of SPIE-The International Society for Optical Engineering, 1998, 3421, 78)로서, 일중항 방출기(예를 들면, AIQ3, ZnQ2 및 기타 착물, S. Tokito 등, Synthetic Metals, 2000, 111-112, 393)로서 및 삼중항 방출기(예를 들면, Ir(PPy)3, WO 00/70655; 예를 들면, Ir(TPy)3 및 Ir(BTPy)3, S. Okada 등, Proceedings of the SID, 2002, 52.2, 1360)로서 활용되어 왔다. 두 자리 리간드성(bidentate) 리간드의 착물 외에 또한 공지된(예를 들면, Brooks 등, Inorg. Chem., 2002, 41, 3055-3066), 네 자리 리간드성(tetradentate) 거대고리 리간드를 가진 플라티늄 착물 기재의 삼중항 방출기는 얼마 동안 마찬가지로 공지되어 있다(예를 들어, PtOEP, L. R. Milgrom Polyhedron, 1988, 7(1), 57; M. A. Baldo, Nature, 1998, 395(6698), 151-154) 이가 플라티늄의 상기 착물(d8 배열)은 대부분의 플라티늄(II) 착물과 같이, 평평하거나 실제적으로 평면 구조를 가진다. 고체에서, 상기 평면 착물 단위는 강력 하고 종종 협조적인 리간드-리간드, 금속-금속 또는 리간드-금속 상호작용이 일어나는 것과 같은 방식으로 응집된다.
각각의 분자에 대한 특정적인 개별 약점을 제외하고, 공지된 금속 착물 부류는 하기에 간략히 기재된 일반적인 약점을 가진다:
1. 많은 공지된 금속 착물, 특히 주요 그룹의 금속, 예컨대 알루미늄, 또는 d10 배열을 가진 전이 금속, 예컨대 아연을 함유하는 것은 간혹 상당한 가수분해 민감도를 가지는데, 이것은 금속 착물이 공기에 단기적으로 접했을지라도 상당히 분해됨으로써 명백해 질 수 있다.
대조적으로, 다른 것들, 예를 들면 전자-운송 재료로서 사용된 AIQ3 및 ZnQ2 이 물을 내전(內轉)시키는 경향이 있다.
상기 및 유사한 알루미늄 및 아연 착물의 고 흡습성은 결정적인 실용상의 단점이다. 정상 조건하에서 합성되고 저장되는 AIQ3 는 히드록시퀴놀린 리간드에 더해서 착물 분자 당 물 1 분자를 또한 항상 함유한다(참고, 예를 들면, H. Schmidbaur 등, Z. Naturforsch., 1991, 46b, 901-911). 상기 물은 제거하기 매우 어렵다. 따라서 OLED 의 사용에 있어서, AIQ3 및 ZnQ2 는 복잡한 다중 단계의 승화 공정에서 복잡한 정화를 거쳐야 하며, 후속적으로는 물을 배제한 채 보호용-기체 분위기 하에서 저장되고 다루어져야 한다. 더욱이, 각 AIQ3 배치의 품질 및 열악한 저장 안정성에 있어서는 커다란 변화가 관측되었다(S. Karg, E-MRS Conference, 2000, Strasburg).
2. 많은 공지된 금속 착물이 낮은 열 안정성을 가진다. 진공 증착 동안, 이것은 불기피하게도 항상 유기 열분해 생성물의 유리를 야기하고, 이것은 일부 경우에 있어서는 적은 양으로도 상당히 OLED 의 수명을 단축시킨다(예를 들면 R.G. Charles, J. Inorg. Nucl. Chem., 1963, 25, 45; MQ2 열 안정성을 통함).
3. 고체의 착물 단위의 강력한 상호작용, 특히 플라티늄(II)와 같은 d8 금속의 평면 착물의 경우에서 마찬가지로 도핑의 정도가 당 기술의 현재 상태에 따른 경우인 약 0.1%를 초과할 경우, 방출기 층에서 착물 단위의 응집을 야기한다. 상기 응집물은 (광학적 또는 전기적)여기시 소위 여기체 또는 여기 복합체의 형성을 야기한다. 상기 응집물은 종종 일정한 체계가 없는 광범위한 방출 밴드를 가져 순수한 기초색(RGB)의 생산을 상당히 어렵게 하거나 완전히 불가능하게 한다. 일반적으로, 상기 전이에 대한 효율 또한 저하된다.
4. 게다가, 방출 색이 오직 상당한 기술적인 노력으로, 특히 거대 생산 공장에서의 노력으로 정확히 제어될 수 있는 매개변수인 도핑 정도에 매우 의존적임은 상기로부터 자명해진다.
따라서 상기에 언급된 약점을 가지지 않는 대체 화합물이 요구된다.
놀랍게도, 네 자리 리간드성 킬레이트, 비-거대고리 리간드의 금속 착물은 전자-운반 재료, 정공차단 재료, EL 에서의 기질 재료, 일중항 방출기 또는 삼중항 방출기로서 사용시에 우수한 특성을 가지며, 각각의 특이적인 기능은 금속 및 관련 된 적합한 리간드의 적절한 선택에 따라 결정된다. 금속 착물 및 광전자 성분 내 기능성 재료로서의 그의 용도에 대한 상기 분류는 신규하며 지금까지의 문헌에는 기재되어 있지 않으나, 그것의 효율적인 제제 및 순수 물질로서의 유용성은 상기에 있어서 매우 중요하다.
따라서, 본 발명은 하기 구조식 2의 네 자리 리간드성 킬레이트 리간드인 Lig 에 배위결합된 금속 Met을 함유하는 것을 특징으로 하는, 하기 구조식 1 의 화합물에 관한 것이다:
[구조식 1]
Figure 112011061515307-pct00051
[구조식 2]
Figure 112006029343887-pct00002
[식 중, V 는 교상 결합 단위(bridging unit)이고, 3 번째, 4 번째, 5 번째 및/또는 6 번째 주족 유래의 1 내지 40 개의 원자를 함유하고, 2 개의 리간드 부분인 L1 및 L2 를 연결하는 것을 특징으로 하며, 이들은 각 경우에서 상동이거나 상이할 수 있고, 서로 공유결합되고, 여기서 두 개의 리간드 부분인 L1 및 L2 는 하기 구조식 3 을 만족하며:
[구조식 3]
Figure 112006029343887-pct00003
(식 중, Cy1 및 Cy2 는 각 경우에서 동일하거나 상이하며, 각각은 치환 또는 비치환, 포화 불포화 또는 방향족 호모- 또는 헤테로시클릭 고리, 바람직하게는 방향족 고리에 해당하며, 이것은 고리 원자를 통하거나, 또는 호모- 또는 헤테로시클릭 고리에 외향고리적으로 결합된 원자를 통해 금속(Met)에 이온결합, 공유결합 또는 배위결합됨),
L3 은 각 경우에서 상동이거나 상이하며 한 자리 리간드성 또는 두 자리 리간드성의 중성 또는 단일음이온성(monoanionic) 리간드이고 a 는 0, 1 또는 2 이다].
다리 V 는 구조식 1 의 단핵 금속 착물의 형성을 촉진하고 배위 중합체의 형성이 발생하지 않거나, 단지 금속 화합물과 구조식 2 의 리간드가 반응할 때 적게 일어나는 것을 특징으로 한다.
호모- 또는 헤테로시클릭 고리 Cy1 및 Cy2 는 치환기를 통해 추가적으로 상호 결합될 수 있고 이에 따라 폴리시클릭, 지방족 또는 방향족 고리계가 정의된다. 그것들은 마찬가지로 단일 결합을 통하는 것 대신에 일반 모서리를 통해 서로 결합될 수 있다.
전기적으로 중성인 것을 특징으로 하는 본 발명에 따른 구조식 1 의 화합물이 바람직하다.
L1 = L2 인 것을 특징으로 하는 본 발명의 구조식 1 의 화합물이 바람직하다.
Cy1 이 Cy2 와 동일하지 않은 것을 특징으로 하는 본 발명에 따른 구조식 1 의 화합물이 더욱 바람직하다. 두 개의 고리 중 하나는 금속-탄소 결합을 통해 바람직하게 결합되고 나머지 하나는 탄소 원자 이외의 공여체를 통해, 특히 바람직하게는 N, P 또는 S 를 통해 결합된다.
교상 결합 단위 V 가 3 번째, 4 번째, 5 번째 및/또는 6 번째 주족(IUPAC 에 의하면 13족, 14족, 15족 또는 16족)유래의 1 내지 40 개의 원자를 포함하거나 3- 내지 6-원 호모 또는 헤테로시클릭 고리인 것을 특징으로 하는 본 발명의 따른 구조식 1 의 화합물이 바람직하다. 이것들은 교상 결합 단위의 골격을 형성한다. 결합 단위 V 가 1 내지 6 개의 교상 결합 원자이거나 3 내지 6-원 호모 또는 헤테로시클릭 고리인 것을 특징으로 하는 구조식 1 의 화합물이 특히 바람직하다. 본원에서 교상 결합 단위 V 는 또한 비대칭 구조를 가질 수 있으며, 즉 V 의 L1 및 L2 의 결합은 동일할 필요는 없다.
하기와 같은 결합 단위 V가 특히 바람직하다:
V 는 하기와 같거나 그에 상응하는 비대칭 유사체이고;
Figure 112006029343887-pct00004
R 은 각 경우에 있어서 상동이거나 상이하며, H, F, Cl, Br, I, NO2, CN, 탄소수 1 내지 20 인 직쇄형, 분지형 또는 환식 알킬 또는 알콕시기이며, 여기서 하나 이상의 비-인접한 CH2 기는 하기에 의해 대체될 수 있고,
Figure 112006029343887-pct00005
하나 이상의 H 원자는 F, 또는 탄소수가 1 내지 14 인 아릴, 아릴옥시 또는 헤테로아릴기에 의해 대체될 수 있으며, 이것은 하나 이상의 비-방향족 라디칼 R 에 의해 치환될 수 있고, 여기서 복수의 치환기 R 은 차례로 추가의 모노- 또는 폴리시클릭, 지방족 또는 방향족 고리계로 정의될 수 있고;
R1 , R2 는 각 경우에서 상동이거나 상이하며, H 또는 탄소수 1 내지 20 인 지방족 또는 방향족 탄화수소 라디칼이다.
도식 1에 따른 화합물 (1) 내지 (8) 에 따른 금속 착물이 특히 바람직하며, 각각은 또한 상기에 기재된 바와 같이 1 개 또는 2 개의 추가적인 리간드 L3 을 수반할 수 있다:
[도식 1]
Figure 112006029343887-pct00006
[식 중, R, R1 및 R2 는 상기에 정의된 바와 동일한 의미를 지니며, 나머지 기호 및 지수는 하기의 의미를 지닌다:
M 은 Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Al, Ga, In, Tl, Sc, Y, La, Cr, Mo, W, Fe, Ru, Os, Co, Rh, Ir, Ni, Pd, Pt, Cu, Ag, Au, Zn, Cd 또는 Hg 이고;
L 은 각각의 경우에서 상동이거나 상이하며, C, N 또는 P 이고;
Q 는 각각의 경우에서 상동이거나 상이하며, N, O, S, Se 또는 Te 이고;
T 는 각각의 경우에서 상동이거나 상이하며, N 또는 P 이고;
X 는 각각의 경우에서 상동이거나 상이하며 CR, N 또는 P 이고;
Y 는 각각의 경우에서 상동이거나 상이하며, NR1, O, S, Se, Te, SO, SeO, TeO, SO2, SeO2 또는 TeO2 이고;
Z 는 V 에 대해서 상기에 정의한 것과 동일한 의미를 가지며
c 는 각각의 경우에서 동일하거나 상이하며, 0 또는 1 이다].
더욱이, 마찬가지로 도식 2 에 따른 화합물 9 내지 12 가 바람직하며, 각각은 또한 상기에 기재된 바와 같이 1 개 또는 2 개의 추가적인 리간드 L3 을 수반할 수 있다:
[도식 2]
Figure 112006029343887-pct00007
[식 중, 기호 및 지수 M, L, Q, T, X, Y, Z, R, R1, R2 및 c 는 상기에 지칭된 의미와 동일하다].
게다가 본 발명은 화합물 (1), (2), (3) 및/또는 (4) 에 대한 유형의 리간드를 동시에 가지는 화합물, 즉 혼합된 리간드 시스템을 가진 화합물에 관한 것이다. 이것은 도식 3 에 따른 화학식 (13) 내지 (30) 으로 기재되어 있고, 각각은 또한 상기에 기재된 바와 같이 1 개 또는 2 개의 추가적인 리간드 L3 을 운반할 수 있다:
[도식 3]
Figure 112006029343887-pct00008
Figure 112006029343887-pct00009
[식 중, 기호 및 지수 M, L, Q, T, X, Y, Z, R, R1, R2 및 c 는 상기에 기재된 의미를 가진다].
구조식 1 의 화합물 또는 화합물 (1) 내지 (30) 은 상기에 이미 기재된 바와 같이 추가의 한 자리 리간드성 또는 다중 자리 리간드성(multidentate), 양이온성, 중성 또는 음이온성 리간드를 수반할 수 있다. 이것들은 리간드 L3 으로 기재된다.
리간드 L3 이 존재한다면 두 자리 리간드성 킬레이트 리간드인 것을 특징으로 하는 구조식 1 의 화합물 또는 화합물 (1) 내지 (30) 이 바람직하다.
본 발명의 바람직한 구현예에서, L3 은 리간드 부분 L1 및 L2 와 상동이거나 상이한 단일음이온성 리간드이다.
본 발명의 더욱 바람직한 구현예에서, L3 은 하기 구조식 4 의 리간드이다:
[구조식 4]
Figure 112006029343887-pct00010
[식 중, R3 은 각 경우에서 상동이거나 상이하며 H, C1 내지 C20 알킬기, C1 내지 C20 알콕시기, C4 내지 C20 아릴 또는 헤테로아릴기 또는 C4 내지 C20 아릴옥시 또는 헤테로아릴옥시기를 나타내고, 하나 이상의 H 원자는 F 에 의해 대체될 수 있다].
기호 M = Be, Mg, Pt 또는 Zn 이고 지수 a = 0 인 본 발명에 따른 화합물 (1) 내지 (30) 이 바람직하다.
c = 0 이고 M = Pt 인 본 발명에 따른 화합물 (1) 내지 (30) 이 특히 바람직 하다.
기호 M = Rh 또는 Ir, 바람직하게는 M = Ir 이고 두 자리 리간드성, 단일음이온성 리간드 L3인 경우에는 지수 a = 1 이고, 한 자리 리간드성 단일음이온성 리간드 L3 인 경우에는 a = 2 인 본 발명에 따른 화합물 (1) 내지 (30) 이 또한 바람직하다.
마찬가지로, 기호 L = C 또는 N, 특히 바람직하게는 L = C 인 본 발명에 따른 화합물 (1) 내지 (30) 이 바람직하다.
마찬가지로, 기호 Q = O 또는 S 인 본 발명에 따른 화합물 (1) 내지 (30) 이 바람직하다.
마찬가지로, 기호 T = N 인 본 발명에 따른 화합물 (1) 내지 (30) 이 바람직하다.
마찬가지로, 기호 X = CR 또는 N 인 본 발명에 따른 화합물 (1) 내지 (30) 이 바람직하다.
기호 Z = BR1, CR2, CO, SiR1 2, R1N, FP, FPO, R1P, R1PO, -CR2CR2-, -CR2-O-CR2-, -O-(OR1)PO-O-, 시스-CR=CR, -CR2-BR1-CR2-, -CR2-CO-CR2-, -CR2-CR2-CR2- 또는 -CR2-NR1-CR2인 본 발명에 따른 화합물 (1) 내지 (30) 이 바람직하다.
R = H, F, Cl, Br, I, CN, 탄소수 1 내지 6 인 직쇄형, 분지형 또는 환식 알킬 또는 알콕시기 또는 탄소수가 3 내지 10 인 아릴 또는 헤테로아릴기이고, 이것 은 하나 이상의 비-방향족 라디칼 R 로 치환될 수 있으며, 여기서 복수의 치환기 R 은 동일한 고리 상 및 두 개의 다른 고리 상에도 존재하며, 차례로 함께 추가의 모노- 또는 폴리시클릭, 지방족 또는 방향족 고리계를 나타낼 수 있다.
화합물 (1) 내지 (30) 에서, 라디칼 R 은 지방족, 올레핀계 또는 방향족 고리계로 정의될 수 있다.
라디칼 R 이 화합물 (1) 내지 (30) 에서 방향족 고리계로 정의된다면, 이것들은 벤젠, 1- 또는 2-나프탈렌, 1,2- 또는 9-안트라센, 2-,3- 또는 4-피리딘, 2-, 4- 또는 5-피리미딘, 2-피라진, 3- 또는 4- 피리다진, 트리아진, 2-, 3-, 4-, 5-, 6-, 7- 또는 8-퀴놀린, 2- 또는 3-피롤, 3-, 4-, 5-피라졸, 2-, 4-, 5-이미다졸, 2-, 3-티오펜, 2-, 3-셀레노펜, 2- 또는 3-푸란, 2-(1,3,4-옥사디아졸), 인돌 또는 카르바졸이 바람직하다.
본 발명에 따른 화합물은 하기 일반 특징으로 구별된다:
1. 승화에 대한 부분 또는 전체 열분해를 하는 많은 공지된 금속 착물과 대조적으로 본 발명에 따른 화합물은 고 열 안정성을 가진다. 이것은 헤테로 원자를 통한 배위 결합을 제외하고, 하나 이상의 아릴 탄소-플라티늄 또는 이리듐 결합을 또한 함유하는 네 자리 리간드성 킬레이트 리간드를 갖는 본 발명의 플라티늄 및 이리듐 착물에 특히 적용된다. 본 발명에 따른 상기 화합물의 고 안정성은 상응하는 장치에서의 사용에 있어서 수명이 상당히 증가하게 된다.
2. 본 발명의 화합물은 명백한 가수분해 또는 흡습성을 가지지 않는다. 공기 및 수증기의 진입을 허용하면서 수 일 또는 수 주 동안 저장하는 것은 물질에 어떤 변화도 일으키지 않는다. 물의 화합물로의 내전은 탐지되지 않을 수 있다. 이것은 간단한 조건하에서 사용하기 위해 물질이 정화, 운송 저장 및 제조될 수 있는 장점을 가진다.
3. 전계 발광 장치에서 전자-운송 재료로서 활용되는 본 발명에 따른 화합물은 이 점에 있어서 고도의 효율을 제공하며, 특히 사용된 전류 밀도와 관계없이 고도의 효율을 제공한다. 따라서, 매우 양호한 효율은 또한 고 전류 밀도, 즉 고도의 밝기의 경우에 달성될 수 있다.
4. 전계 발광 장치에서 정공 차단 재료로서 활용되는 본 발명에 따른 화합물은 이 점에 있어서 고도의 효율을 제공하며, 특히 사용된 전류 밀도와 관계없이 고도의 효율을 제공한다. 따라서 매우 양호한 효율은 또한 고 전류 밀도의 경우에 달성될 수 있다. 더욱이, 본 발명에 따른 재료는 정공에 안정적이고, 이것은 다른 금속 착물, 예를 들면 AIQ3 및 유사 화합물의 경우에 적절한 정도로는 아니다(Z. Popovic 등, Proceedings of SPIE, 1999, 3797, 310-315).
5. 순수 형태의 방출 재료로서 또는 기질 재료로 도핑된 방출 재료로서 또는 도핑제와 조합된 기질 재료로서 전계 발광 장치에서 활용된 본 발명에 따른 화합물은 고 효율을 제공하고, 전계 발광 장치는 가파른 전류/전압 곡선에 의해 구별되고 특히 긴 조작 서비스 수명에 의해 구별된다.
6. 본 발명에 따른 화합물은 그것들이 비-평면이고 이에 따라 강한 금속-금속, 금속-리간드 또는 리간드-리간드 상호 결합의 형성을 가진 응집이 억제되는 방 식으로 구조상의 정의로써 구체화된다.
7. 상기 화합물의 응집의 억제는 우선 좁은 방출 밴드 및 이에 따른 더 순수한 방출 색을 제공한다. 둘째로, 방출 색은 광범위에 걸친 도핑 정도에 무관하며, 이것은 산업 적용에 있어서 주된 장점이다.
8. 특정한 이론에 얽매이지 않고, 본 발명에 따른 화합물의 정확한 구조는 방출 전이의 고 양자 효율로 전도성이 있다.
9. 본 발명의 화합물은 확실한 고 순도로 용이하게 재현할 수 있는 방식으로 제조될 수 있고 회분식 변동은 갖지 않을 수 있다.
10. 일부 경우에서 본 발명에 따른 화합물은 유기성 용매 내 우수한 용해성을 가지며, 치환 패턴을 적절히 선택함으로써 용해성의 맞춤설정이 가능하며, 그 예로는, 분지쇄 알킬을 다리 V 또는 Z 로 도입하는 것이다. 또한 상기 재료는 이에 따라 코팅 또는 프린팅 기술로써 용액으로부터 처리될 수 있다. 심지어 증발에 의한 종래 처리법의 경우에서도, 세척으로 인한 공장 또는 섀도 마스크의 세정이 이에 따라 상당히 단순화됨으로써 상기 특징이 유리하다.
본 발명은 마찬가지로 도식 4 에 따른 화합물 (31) 내지 (60) 에 관한 것이다:
[도식 4]
Figure 112006029343887-pct00011
Figure 112006029343887-pct00012
Figure 112006029343887-pct00013
[식 중, 기호 및 지수 Q, L, T, X, Y, Z, R, R1, R2 및 c 는 상기에 언급된 의미를 가지며, 화합물 비스(6-페닐-2-피리딜)메탄 [CAS 362602-93-5], 비스(6-페닐-2-피리딜)케톤 [CAS 217177-35-0], 비스(6-(1-히드록시-3,5-디-tert-부틸)페닐-2-피리딜)메탄올 [CAS 367525-74-4], 2,2'-티오비스(3-시아노-2,4-디페닐)피리딘 [CAS 160598-76-5], 비스(6-(3-페닐)페닐-2-피리딜)메탄 [CAS 57476-80-9] 및 이성질체 [CAS 57476-79-6]는 제외한다].
상기 화합물 (31) 내지 (60) 은 이미 하기 구조식 2 에 상세히 기재되어 있고 동일한 개념 (V=Z)를 따른다:
[화학식 2]
Figure 112006029343887-pct00014
상기 화합물들은 본 발명에 따른 구조식 1 의 화합물의 리간드를 나타내고, 따라서 상기 화합물로의 도중에서의 유익한 중간물질이다.
본 발명에 따른 화합물 (31) 내지 (60) 은 일반 유기 반응에 의해 제조될 수 있으며, 충분히 많은 하기의 실시예를 참고로 확인된다. 따라서, 지방족 또는 방향족 리튬 또는 그리그나드(Grignard) 시약과의 반응으로써 화합물 (31) 은 디(6-브로모-2-피리딜)케톤 (WO 98/22148)으로부터 시작해 디피리딜메탄올을 제공하면서 수득될 수 있다. 이어서 이것은 예를 들면, 디에틸아미노술퍼 트리플루오리드(DAST), 티오닐 클로라이드 또는 포스포러스 트리브로마이드 각각과 같은 할 로겐화제와 반응함으로써 플루오르화, 염화 또는 브롬화될 수 있다. 에테르의 형성과 함께 히드록실기의 알킬화는 마찬가지로 용이하게 실시될 수 있다. 이어서 아릴보론산과의 최종 스즈키(Suzuki) 커플링으로 화합물 (31)을 제공한다. 구체적인 예로 메틸화, 플루오르화, 페닐보론산과의 커플링과 관련된 상기 반응 연속은 도식 5 에 나타냈고, 상기 반응은 c = 0 인 화합물 (31) 을 제공한다.
[도식 5]
Figure 112006029343887-pct00015
디히드로피란을 이용한 보호, 후속적인 그리그나드 반응 및 붕산 에스테르와의 반응으로써 상응하는 브로모페놀로부터 제조될 수 있는, 테트라히드로피라닐-보호된 페놀보론산을 이용한 유사 반응 연속은 보호기 제거 후에 c = 1 인 (31) 유형의 화합물을 제공한다 (도식 6).
[도식 6]
Figure 112006029343887-pct00016
화합물 (32) 내지 (38) 은 또한 상응하는 5- 및 6-원 헤테로시클릭 화합물을 이용함으로써 유사한 방법으로 제조될 수 있다.
유형 (39) 및 (40) 의 화합물은, 예를 들면 구체적인 예와 관련된 도식 7 에 나타낸 반응 순서에 따라 제조될 수 있다. 출발 재료(할로겐화 아릴 또는 보론산)의 변형으로써 여기서 다수의 추가 화합물을 수득하는 것 또한 물론 가능하다.
[도식 7]
Figure 112006029343887-pct00017
Figure 112006029343887-pct00018
마지막으로, 화합물 (41) 내지 (60) 은 또한 유사 반응 연속으로 전체적으로 유사하게 접근될 수 있다.
2-리티오-6-페닐피리딘(Gros 등, J. Org. Chem., 2003, 68 (5), 2028-2029) 및 그의 유사체로부터 출발함으로써, 다리 V 또는 Z 내 헤테로 원자를 수반하는 본 발명에 따른 리간드를 제조하는 것이 가능하고, 추가 합성 단위체로서 적합한 헤테로 원자를 함유하는 친전자체를 이용하는 것이 가능하다. 적합한 친전자체는 그중에서도 특히, 도식 8 에 나타낸 디클로로아릴보란, 디클로로알킬- 또는 아릴실란 또는 디클로로아릴- 또는 알킬포스핀이다.
[도식 8]
Figure 112006029343887-pct00019
본 발명에 따른 화합물 (1) 내지 (30) 은 원칙적으로 다양한 방법으로써 제조될 수 있다; 그러나 하기에 기재된 신규한 방법이 특히 적합한 것으로 증명된다.
따라서, 본 발명은 추가로, 화합물 (61) 의 금속 알콕시드, 화합물 (62) 의 금속 케토케토네이트, 화합물 (63) 의 술페이트, 니트레이트, 카르복실레이트 및 금속 할라이드, 및 화합물 (64) 의 알킬- 또는 아릴금속 화합물과의 화합물 (31) 내지 (60)에 대한 네 자리 리간드성 킬레이트 리간드의 반응으로 인한 화합물 (1) 내지 (30) 의 제조 방법에 관한 것이다.
Figure 112006029343887-pct00020
[식 중, 기호 M 및 R1 은 도식 1 에 기재된 의미를 갖고, A = F, Cl, Br, I, OH, 포르메이트, 아세테이트, 프로피오네이트, 벤조에이트, 니트레이트 또는 술페이트이고, L' 는 에테르, 예컨대 THF, 아민, 예컨대 트리메틸아민 또는 피리딘, 포스핀, 예컨대 트리페닐포스핀 또는 술폭시드 예컨대 DMSO의 군으로부터의 한 자리 리간드성 리간드이고, n = 1, 2 또는 3 이고, q = 0, 1, 2 또는 3, 바람직하게는 0, 1 또는 2 이다]. 화합물 (62) 는 여기에서 또한 충전될 수 있다. 원한다면, 루이스 산(Lewis acid), 예컨대 염화 알루미늄 또는 안티모니 펜타플루오리드 또는 -클로리드 또는 브론스테드(Bronsted) 염기, 예컨대 아민, 또는 알킬화제, 예컨대 오르가노리튬 또는 그리그나드 화합물이 보조제로서 첨가될 수 있다.
더욱이, 각각의 리간드의 도입을 위한 많은 개별 단계에서 반응을 실시하는 것은 유리할 수 있다. 따라서, 예를 들면, 리간드 Lig 가 먼저 도입되고 착물이 또한 추가의 보조 리간드(예를 들면, 할라이드)를 포함하고, 이어서 추가 단계에서 두 자리 리간드성 킬레이트 리간드 L3에 의해 대체되는 것이 바람직할 수 있다. 마찬가지로, 예를 들면 리간드 부분 L1 및 L2 를 착물에 먼저 도입시키고이어서 후속 단계에서 그것들은 교상 결합 단위인 V 또는 Z 에 결합시키는 것이 가능하다.
화합물 (1) 내지 (30)은 고 순도, 바람직하게는 >99% (1H-NMR 및/또는 HPLC로 측정) 로 수득될 수 있다.
그중에서도 특히, 하기에 나타낸 화합물 (1) 내지 (66) 의 예를 본원에서 설 명된 합성 방법을 이용해 제조될 수 있다.
Figure 112006029343887-pct00021
Figure 112006029343887-pct00022
Figure 112006029343887-pct00023
Figure 112006029343887-pct00024
Figure 112006029343887-pct00025
Figure 112006029343887-pct00026
일반적으로, 하부구조로서 상기의 구조적 원소를 포함하는 구조, 예컨대 도식 9 에 따른 화합물이 또한 본 발명에 따른 것으로서 여겨진다.
[도식 9]
Figure 112006029343887-pct00027
상기에 기재된 본 발명에 따른 화합물, 예컨대 예 7, 14, 26, 27, 37, 38, 39, 41, 45 에 따른 화합물은 또한 상응하는 콘쥬게이션된, 부분적으로 콘쥬게이션된 또는 비-콘쥬게이션된 본 발명에 따른 예 14 및 26 과 같은 중합체 또는 덴드리머(dendrimer)의 제조용 공단량체로서 사용될 수 있다. 상응하는 중합은 본원에서 할로겐 관능성을 통해 바람직하게 실시된다. 따라서, 그것들은 중합될 수 있고, 그 중에서도 특히 가용성 폴리플루오렌(예를 들면, EP 842208 또는 WO 00/22026에 따른 것), 폴리스피로비플루오렌(예를 들면, EP 707020 또는 EP 894107에 따른 것), 폴리-파라-페닐렌(예를 들면, WO 92/18552에 따른 것), 폴리디히드로펜안트렌(예를 들면, DE 10337346.2에 따른 것), 폴리인데노플루오렌(예를 들면, WO 04/041901 또는 EP 03014042.0에 따른 것), 폴리카르바졸(예를 들면, DE 10304819.7 또는 DE 10328627.6), 폴리티오펜(예를 들면, EP 1028146에 따른 것), 폴리비닐카르바졸 또는 폴리케톤도, 또는 둘 이상의 상기 단위를 포함하는 공중합 체로 중합될 수 있다.
따라서 본 발명은 더욱이 하나 이상의 화합물 (1) 내지 (30) 을 포함하는 콘쥬게이션된, 부분적으로 콘쥬게이션된 또는 비-콘쥬게이션된 중합체 또는 덴드리머에 관한 것이며, 여기서 상기에 정의된 라디칼 R 중 하나 이상은 중합체 또는 덴드리머로의 결합을 나타낸다.
또한 본 발명에 따른 금속 착물은 예를 들면 상기에 언급된 유형의 반응으로써 추가로 기능화될 수 있고 따라서 확장된 금속 착물로 전환될 수 있다. 본원에 언급될 수 있는 예는 SUZUKI 방법으로써 아릴보론산을 이용한 기능화 또는 HARTWIG-BUCHWALD 방법으로써 아민을 이용한 기능화가 있다.
상기에 기재된 본 발명에 따른 화합물 (1) 내지 (30), 공단량체로서의 화합물 (1) 내지 (30) 을 포함하는 덴드리머 및 중합체, 및 확장된 금속 착물은 전자 성분, 예를 들면, 유기 발광 다이오드(OLED), 유기 집적 회로(O-IC), 유기장 효과 트랜지스터(OFET), 유기박막 트랜지스터(OTFT), 유기 태양 전지(O-SC) 또는 유기 레이져 다이오드(O-레이져) 내 활성 성분으로서 사용된다.
따라서 본 발명은 또한 예를 들면 유기 발광 다이오드(OLED), 유기 집적 회로(O-IC), 유기장 효과 트랜지스터(OFET), 유기박막 트랜지스터(OTFT), 유기 태양 전지(O-SC) 또는 유기 레이져 다이오드 (O-레이져)와 같은 전자 및/또는 광학 장치 내 상기에 기재된 본 발명에 따른 화합물 (1) 내지 (30), 공단량체로서의 유형 (1) 내지 (30) 의 화합물을 함유한 중합체 및 덴드리머 및 확장된 금속 착물의 용도에 관한 것이다.
본 발명은 추가로 본 발명에 따른 하나 이상의 화합물 (1) 내지 (30), 공단량체로서의 유형 (1) 내지 (30) 의 화합물을 함유하는 중합체 및 덴드리머 및 확장된 금속 착물을 포함하는, 전자 및/또는 광학 장치, 특히 유기 발광 다이오드(OLED), 유기 집적 회로(O-IC), 유기장 효과 트랜지스터(OFET), 유기박막 트랜지스터(OTFT), 유기 태양 전지(O-SC) 또는 유기 레이져 다이오드 (O-레이져)에 관한 것이다.
본 발명은 하기 실시예에 의해, 더 상세히 설명되나, 이에 제한되지는 않는다. 당업자는 본 발명에 따른 추가의 착물을 제조할 수 있거나 독창적인 단계 없이 본 상세한 설명으로부터 본 발명에 따른 방법을 이용할 수 있을 것이다.
본 발명에 따른 하나 이상의 화합물을 포함하는 OLED는 예를 들면 WO 04/058911 및 DE 10317556.3 에 기재된 바와 같이 당업자에게 익숙한 방법으로써 제조될 수 있다.
실시예
달리 언급되지 않으면, 하기 합성을 건조 용매 중 보호-기체 분위기 하에서 실시하였다. 출발 재료를 ALDRICH 또는 ABCR로부터 구입하였다[THF 중 염화 메틸마그네슘 3M, 디에틸아미노술퍼 트리플루오리드(DAST), 벤젠보론산, 포타슘 플루오리드(분무-건조됨), 트리-tert-부틸포스핀, 팔라듐(II) 아세테이트, 포타슘 테트라클로로플라티네이트]. 디(6-브로모-2-피리딜)케톤을 문헌[WO 98/22148]에 기재된 바와 같이 제조하였다. 시스-디메틸-디(
Figure 112006029343887-pct00028
1-S-디메틸술폭시딜)플라티늄 (II)를 문헌[C. Eaborn 등, J. Chem. Soc., Dalton Trans., 1981, 933-938]에 기재된 바와 같이 제조하였다.
리간드 합성
실시예 1: 1,1- 비스 (6- 페닐 -2- 피리딜 )-1- 플루오로에탄
a) 1,1-비스(6-브로모-2-피리딜)에탄-1-올
Figure 112006029343887-pct00029
-78℃로 냉각된 1000 ml 의 THF 중 102.6 g (300 mmol) 의 디(6-브로모-2-피리딜)케톤의 현탁액에 -60℃ 온도를 초과하지 않는 비율로 THF 중 113 ml (340 mmol)의 3M 염화 메틸마그네슘 용액을 격렬히 교반하면서 적가했다. 첨가를 완결했을 때, 추가 30 분 동안 혼합물을 교반하고, 이어서 50 ml 의 에탄올을 적가하고, 상기 혼합물을 0 ℃로 데우고, 60 ml 의 반(semi)-포화된 염화 암모늄 용액을 첨가했다. 반응 혼합물을 여과하고, 염을 2회 각각 100 ml 의 THF 로 세척하고 여과물을 회전식 증발 장치 내에서 건조될 때가지 증발시켰다. 오일성 잔류물을 1000 ml 의 디클로로메탄 중에서 용해시키고, 유기상을 3 회 300 ml 의 물로 세척하고 황산마그네슘 상에서 건조시켰다. 디클로로메탄을 제거해 106.0 g (296 mmol)을 남겼으며, 이는 황갈색 오일로서, 1H-NMR에 따른 순도 약 95%를 가진, 수율 98.6% 의 조 생성물에 상응하며 추가 정제 없이 반응되었다.
Figure 112006029343887-pct00030
b) 1,1-비스(6-브로모-2-피리딜)-1-플루오로에탄
Figure 112006029343887-pct00031
117.3 ml (888 mmol) 의 DAST 를 30 분에 걸쳐 10℃로 냉각된 1500 ml 의 클로로포름 중 105.9 g (296 mmol) 의 1,1-비스(6-브로모-2-피리딜)에탄-1-올 용액에 상기 온도가 20℃를 초과하지 않는 비율로 적가했다. 반응 혼합물을 20℃에서 1 시간 동안 교반하고 이어서 500 ml 의 얼음물의 방울형태로(주의: 고 발열 반응), 얼음 냉각 및 후속적으로 1000 ml 의 3M NaOH 수용액으로 가수분해했다. 유기상을 분리 제거하고, 수성 상을 2회 100 ml 의 클로로포름으로 추출하고, 합친 유기상을 500 ml 의 물로 1 회 세척하고 염화칼슘 상에서 건조했다. 건조제를 여과 제거한 후, 갈색 유기상을 200 ml 로 농축시키고 실리카-겔 컬럼을 통해 여과했다. 상기 방법으로 수득된 황색 용액을 증발시켜 건조하고, 남아 있는 황색 점성의 오일을 200 ml 의 n-헵탄으로부터 재결정화해 무색 결정 침의 형태의 78.6 g (218 mmol) 의 생성물을 제공하는데, 이것은 수율은 73.7%이고, 1H-NMR 에 따른 순도는 > 99.0%에 상응한다.
Figure 112006029343887-pct00032
c) 1,1-비스(6-페닐-2-피리딜)-1-플루오로에탄
Figure 112006029343887-pct00033
600 ㎕ (2.6 mmol)의 트리-tert-부틸포스핀 및 449 mg (2.0 mmol) 의 팔라듐(II) 아세테이트를 가스제거된 현탁액 18.0 g (50 mmol) 의 1,1-비스(6-브로모-2-피리딜)-1-플루오로에탄, 24.4 g (200 mmol) 의 벤젠보론산 및 350 ml 의 THF 중 19.2 g (330 mmol) 의 플루오르화 칼륨에 첨가하고 혼합물을 3 시간 동안 교반하면서 환류하에 가열했다. 냉각 후, THF 를 감압하에서 제거하고, 잔류물을 500 ml 의 디클로로메탄에서 제거하고 3 회 300 ml 의 물로 세척했다. 황산마그네슘 상에서 건조, 실리카겔을 통한 여과 및 용매의 제거 후, 남은 황색 오일을 에탄올로부터 3 회 재결정화하여, 15.7 g (44 mmol) 의 생성물을 무색 결정 침 형태로 제공하는데, 이것은 수율이 88.6% 이고, 1H-NMR에 따른 순도는 > 99% 에 상응한다.
Figure 112006029343887-pct00034
착물 합성
실시예 1: [1,1- 비스 (6- 페닐 -2- 피리디나토 -N, C 2 )-1- 플루오로에탄 ] 플라티늄 (II)
Figure 112006029343887-pct00035
15 ml 의 톨루엔 중의 1.063 g (3.0 mmol) 의 1,1-비스(6-페닐-2-피리딜)-1-플루오로에탄 및 1.144 g (3.0 mmol) 의 15 ml 의 시스-디메틸-디(
Figure 112006029343887-pct00036
1-S-디메틸술폭시딜)플라티늄(II) 용액을 90℃에서 3 시간 동안 교반했다. 실온으로 냉각한 후, 30 ml 의 디에틸 에테르를 황색 현탁물에 첨가하고, 황색, 미세결정 생성물을 흡입과 함께 여과 제거하고 각각 10 ml 의 디에틸 에테르로 3회 세척했다. 감압하에서 건조하여 1.544 g (2.8 mmol)을 제공하는데, 이것은 수율 94.0% 로 순도는 > 99.5% (HPLC)이다.
MS(FAB):m/e = 347 (M+).

Claims (29)

  1. 하기 구조식 2 의 네 자리 리간드성 킬레이트 리간드 Lig 에 배위결합되고, Pt, Be, Mg, Ir, Cu, Zn 및 Au 로 이루어진 군으로부터 선택된 금속 Met 을 포함하는 것을 특징으로 하는 하기 구조식 1 의 화합물:
    [구조식 1]
    Figure 112011061515307-pct00052
    [구조식 2]
    Figure 112011061515307-pct00053
    [식 중, V 는 교상 결합 단위(bridging unit)이고, 하기에 기재된 대로 정의되고, 2 개의 리간드 부분인 L1 및 L2 를 연결하는 것을 특징으로 하며, 이들은 각 경우에서 상동이거나 상이할 수 있고, 서로 공유결합되고, 여기서 두 개의 리간드 부분인 L1 및 L2 는 하기 구조식 3 을 만족하며:
    [구조식 3]
    Figure 112011061515307-pct00054
    (식 중, Cy1 및 Cy2 는 각 경우에서 상동이거나 상이하며, 치환 또는 비치환 호모- 또는 헤테로시클릭 방향족 고리에 해당하며, 각 경우에서, 고리 원자, 또는 호모- 또는 헤테로시클릭 방향족 고리에 외향고리적으로 결합된 원자를 통해 금속에 이온결합, 공유결합 또는 배위결합됨),
    여기서 V 는 BR1, C=O, CR2, CR(OH), CR(OR1), SiR2, R1N, O 또는 S 이고;
    R 은 각 경우에 있어서 상동이거나 상이하며, H, F, Cl, Br, I, NO2, CN, 1 내지 20 개의 탄소 원자를 가진 직쇄형, 분지형 또는 시클릭 알킬 또는 알콕시기이며, 여기서 하나 이상의 비-인접한 CH2 기는 -R1C=CR1-, -C≡C-, Si(R1)2, C=O, -O-, -S-, -NR1- 또는 -CONR1- 에 의해 치환되고, 하나 이상의 H 원자는 F, 또는 탄소수가 1 내지 14 인 아릴, 아릴옥시 또는 헤테로아릴기에 의해 대체될 수 있으며, 이것은 하나 이상의 비-방향족 라디칼 R 에 의해 치환될 수 있고, 여기서, 복수의 치환기 R 은 차례로 추가의 모노- 또는 폴리시클릭, 지방족 또는 방향족 고리계로 정의될 수 있고;
    R1 는 각 경우에서 상동이거나 상이하며 H 또는 탄소수 1 내지 20 개인 지방족 또는 방향족 탄화수소 라디칼임].
  2. 제 1 항에 있어서, 전기적으로 중성인 것을 특징으로 하는 화합물.
  3. 제 1 항에 있어서, L1 = L2 인 것을 특징으로 하는 화합물.
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 제 1 항에 있어서, 하기의 화합물 (1) 내지 (8) 로부터 선택되는 금속 착물:
    Figure 112011061515307-pct00055
    [식 중, 기호 및 지수는 하기의 의미를 가진다:
    M 은 Be, Mg, Ir, Pt, Cu, Au 또는 Zn 이고;
    L 은 각각의 경우에 상동이거나 상이하며 C 또는 N 이고;
    Q 는 N 이고;
    T 는 N 이고;
    X 는 각각의 경우에 상동이거나 상이하며, CR 또는 N 이고;
    Y 는 각각의 경우에 상동이거나 상이하며, NR1, O 또는 S 이며;
    Z 는 제 1 항의 V 에 대해 기재된 바와 동일한 의미를 가지며;
    c 는 각각의 경우에 상동이거나 상이하며, 화합물 (1) 내지 (4) 에 대해서는 0 또는 1 이고, 화합물 (5) 내지 (8) 에 대해서는 0 이다].
  7. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 하기 화합물 (9) 내지 (12)로부터 선택되는 금속 착물:
    Figure 112011061515307-pct00056
    [식 중, 기호 및 지수 M, L, Q, T, X, Y, Z 및 c 는 제 6 항에 나타낸 바와 동일한 의미를 가진다].
  8. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 하기 화합물 (13) 내지 (30) 으로부터 선택되는 금속 착물:
    Figure 112011061515307-pct00057
    Figure 112011061515307-pct00058
    [식 중, 기호 및 지수 M, L, Q, T, X, Y, Z, c 및 n 은 제 6 항과 동일한 의미를 가진다].
  9. 삭제
  10. 삭제
  11. 삭제
  12. 제 6 항에 있어서, 기호 c = 0 이고, M = Pt 인 것을 특징으로 하는 화합물.
  13. 삭제
  14. 삭제
  15. 삭제
  16. 삭제
  17. 삭제
  18. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 기호 Z = BR1, CR2, CO, SiR1 2 또는 R1N 인 것을 특징으로 하는 화합물.
  19. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 기호 R = H, F, Cl, Br, I, CN, 탄소수 1 내지 6 인 직쇄형, 분지형 또는 시클릭 알킬 또는 알콕시기, 또는 탄소수 3 내지 10 인 아릴 또는 헤테로아릴기이고, 이것은 하나 이상의 비-방향족 라디칼 R 에 의해 치환될 수 있고, 여기서 동일한 고리 및 두 개의 상이한 고리 두 경우 모두에 있는 복수의 치환기 R 이 함께 차례로 추가적인 모노- 또는 폴리시클릭 고리계로 정의될 수 있는 것을 특징으로 하는 화합물.
  20. 하기 화합물 (31) 내지 (60):
    Figure 112011061515307-pct00059
    Figure 112011061515307-pct00060
    Figure 112011061515307-pct00061
    [식 중, 기호 및 지수 L, Q, T, X, Y, Z 및 c 는 제 6 항과 동일한 의미를 지니며, 비스(6-페닐-2-피리딜)메탄, 비스(6-페닐-2-피리딜)케톤, 비스(6-(1-히드록시-3,5-디-tert-부틸)페닐-2-피리딜)-메탄올, 2,2'-티오비스(3-시아노-2,4-디페닐)피리딘, 비스(6-(3-페닐)페닐-2-피리딜)메탄 및 이성질체를 제외한다].
  21. 하기 화합물 (61) 의 금속 알콕시드, 하기 화합물 (62) 의 금속 케토케토네이트, 하기 화합물 (63) 의 금속 할라이드, 카르복실레이트, 니트레이트 및 술페이트, 또는 하기 화합물 (64) 의 알킬- 또는 아릴금속 화합물과, 제 20 항에 따른 화합물 (31) 내지 (60) 의 반응에 의한, 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 따른 화합물의 제조 방법:
    Figure 112011061515307-pct00062
    [식 중, M 및 R1 은 제 1 항에 제공된 의미를 가지며, 기호 A = F, Cl, Br, I, OH, 포르메이트, 아세테이트, 프로피오네이트, 벤조에이트, 니트레이트 또는 술페이트이고, L' 는 한 자리 리간드성 리간드이며, n = 1, 2 또는 3 이고, q = 0, 1, 2 또는 3 이다].
  22. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 그것의 순도(1H-NMR, HPLC, 또는 1H-NMR 및 HPLC 로 측정됨)가 99% 초과인 것을 특징으로 하는 화합물.
  23. 삭제
  24. 삭제
  25. 삭제
  26. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 따른 하나 이상의 화합물을 포함하는 전자 장치.
  27. 제 26 항에 있어서, 유기 발광 다이오드(OLED), 유기 집적 회로(O-IC), 유기장 효과 트랜지스터(OFET), 유기박막 트랜지스터(OTFT), 유기 태양 전지(O-SC) 또는 유기 레이져 다이오드 (O-레이져)인 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  28. 제 7 항에 있어서, 기호 c = 0 이고, M = Pt 인 것을 특징으로 하는 화합물.
  29. 제 8 항에 있어서, 기호 c = 0 이고, M = Pt 인 것을 특징으로 하는 화합물.
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