JP5097808B2

JP5097808B2 - 発光素子

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Publication number: JP5097808B2
Application number: JP2010192986A
Authority: JP
Inventors: 俊大伊勢; 達也五十嵐; 聡佐野
Original assignee: Fujifilm Corp
Current assignee: Fujifilm Corp
Priority date: 2010-08-30
Filing date: 2010-08-30
Publication date: 2012-12-12
Anticipated expiration: 2024-09-27
Also published as: JP2011049563A

Description

本発明は有機電界発光素子（以下、「有機ＥＬ素子」、「発光素子」、又は「素子」ともいう）に関するものであり、特に発光特性及び耐久性に優れる有機電界発光素子に関するものである。

有機電界発光素子（有機EL素子）は、低電圧駆動で高輝度の発光が得られることから、近年活発な研究開発が行われている。一般に有機EL素子は、発光層を含む有機層及び該層を挟んだ一対の電極から構成されており、陰極から注入された電子と陽極から注入された正孔が発光層において再結合し、生成した励起子のエネルギーを発光に利用するものである。

近年、燐光発光材料を用いることにより、素子の高効率化が進んでいる。燐光発光材料としてはイリジウム錯体や白金錯体などが知られているが（例えば特許文献１及び特許文献２参照）、高効率と高耐久性を両立する素子の開発には至っておらず、両者を両立しうる燐光材料の開発が切望されているのが現状である。

米国特許第６３０３２３８号明細書国際公開第００／５７６７６号

本発明の目的は、発光輝度が高く、発光効率が高く、かつ耐久性が高い発光素子の提供にある。またその発光素子を提供するために好適な金属錯体化合物を提供することにある。

本発明者らは、上記課題を解決すべく検討した結果、環状又は非環状四座配位子の白金
錯体であって、白金に結合したフェニル基のパラ位に置換基を有する白金錯体を有機層に
含有する有機ＥＬ素子が、上記課題を解決することを見出した。すなわち、本発明は下記
の手段により達成された。
（１）
一対の電極間に発光層を含む少なくとも一層の有機層を有する有機電界発光素子であって、下記一般式（ＩＩＩ）で表される四座配位子の白金錯体化合物の少なくとも一種を有機層に含有し、更に発光層にカルバゾール誘導体を含有することを特徴とする有機電界発光素子。

（一般式（ＩＩＩ）中、Ｑ ^２は置換基を有していてもよいフェニレン基を表し、該フェニレン基はピリジン環と結合する炭素原子の隣の炭素原子で白金に結合する。Ｌ ^１、及びＬ ^２は単結合を表す。Ｌ ^３は、下記式のいずれかの連結基を表す。Ｒ ^１、Ｒ ^３、Ｒ ^４は、それぞれ、水素原子または置換基を表し、Ｒ ^２はアルキル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロ環チオ基、スルホニル基、ハロゲン原子、シアノ基、ヘテロ環基、シリル基、シリルオキシ基、ニトロ基、又はフルオロアルキル基を表す。Ｒ ^ａ、Ｒ ^ｂは、それぞれ、置換基を表し、ｎ、ｍは、それぞれ、０〜３の整数を表す。）
Ｌ ^３；連結基

（２）
一般式（ＩＩＩ）で表される部分構造を含む四座配位子の白金錯体化合物が、下記一般式（Ｖ）で表される化合物であることを特徴とする、（１）に記載の有機電界発光素子。

（一般式（Ｖ）中、Ｌ ^１、及びＬ ^２は単結合を表す。Ｌ ^３は前記式のいずれかの連結基を表す。Ｒ ^１、Ｒ ^３、Ｒ ^４、Ｒ ^５、Ｒ ^７、Ｒ ^８は、それぞれ、水素原子又は置換基を表し、Ｒ ^２、Ｒ ^６は、それぞれ、アルキル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロ環チオ基、スルホニル基、ハロゲン原子、シアノ基、ヘテロ環基、シリル基、シリルオキシ基、ニトロ基、又はフルオロアルキル基を表す。Ｒ ^ａ、Ｒ ^ｂは、それぞれ、置換基を表し、ｎ、ｍは、それぞれ、０〜３の整数を表す。）
（３）
前記一般式（ＩＩＩ）で表される部分構造を有する四座配位子の白金錯体化合物及び一般式（Ｖ）で表される化合物の少なくとも一種が、発光層に含有されることを特徴とする、（１）又は（２）に記載の有機電界発光素子。
（４）
前記一般式（ＩＩＩ）で表される部分構造を有する四座配位子の白金錯体化合物及び一般式（Ｖ）で表される化合物の少なくとも一種と、少なくとも一種のホスト材料が、発光層に含有されることを特徴とする、（１）〜（３）のいずれか1項に記載の有機電界発光素子。
本発明は上記（１）〜（４）に関するものであるが、その他の事項についても参考のため記載した。
〔１〕
一対の電極間に発光層を含む少なくとも一層の有機層を有する有機電界発光素子であって、下記一般式（I）で表される部分構造を含む、四座配位子の白金錯体化合物の少なくとも一種を有機層に含有することを特徴とする有機電界発光素子。

（一般式（Ｉ）中、Ｚ^１は窒素原子で白金に配位する含窒素ヘテロ環を表す。Ｌ^１は単結合又は連結基を表す。Ｒ^１、Ｒ^３、Ｒ^４は、それぞれ、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^２は置換基を表す。）

〔２〕
一般式（Ｉ）で表される部分構造を含む四座配位子の白金錯体化合物が、下記一般式（ＩＩ）で表される白金錯体化合物であることを特徴とする、〔１〕に記載の有機電界発光素子。

（一般式（ＩＩ）中、Ｚ^１及びＺ^２は、それぞれ、窒素原子で白金に配位する含窒素ヘテロ環を表す。Ｑ^２は炭素原子、酸素原子、硫黄原子、窒素原子又はりん原子で白金に結合する基を表す。Ｌ^１、Ｌ^２及びＬ^３は、それぞれ、単結合又は連結基を表す。Ｒ^１、Ｒ^３、Ｒ^４は、それぞれ、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^２は置換基を表す。）

〔３〕
一般式（ＩＩ）で表される白金錯体化合物が、下記一般式（ＩＩＩ）で表される白金錯体化合物であることを特徴とする、〔２〕に記載の有機電界発光素子。

（一般式（ＩＩＩ）中、Ｑ^２は炭素原子、酸素原子、硫黄原子、窒素原子、りん原子で白金に結合する基を表す。Ｌ^１、Ｌ^２及びＬ^３は、それぞれ、単結合又は連結基を表す。Ｒ^１、Ｒ^３、Ｒ^４は、それぞれ、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^２は置換基を表す。Ｒ^ａ、Ｒ^ｂは、それぞれ、置換基を表し、ｎ、ｍは、それぞれ、０〜３の整数を表す。）

〔４〕
一般式（ＩＩＩ）で表される白金錯体化合物が、下記一般式（ＩＶ）で表される白金錯体化合物であることを特徴とする、〔３〕に記載の有機電界発光素子。

（一般式（ＩＶ）中、Ｑ^４は炭素原子又は窒素原子で白金に結合する芳香族炭化水素環基又は芳香族ヘテロ環基を表す。Ｌ^１、Ｌ^２及びＬ^３は単結合又は連結基を表す。Ｒ^１、Ｒ^３、Ｒ^４は、それぞれ、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^２は置換基を表す。Ｒ^ａ、Ｒ^ｂは、それぞれ、置換基を表し、ｎ、ｍは、それぞれ、０〜３の整数を表す。）

〔５〕
一般式（Ｉ）で表される部分構造を含む四座配位子の白金錯体化合物が、下記一般式（Ｖ）で表される化合物であることを特徴とする、〔１〕に記載の有機電界発光素子。

（一般式（Ｖ）中、Ｌ^１、Ｌ^２及びＬ^３は単結合又は連結基を表す。Ｒ^１、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^７、Ｒ^８は、それぞれ、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^２、Ｒ^６は、それぞれ、置換基を表す。Ｒ^ａ、Ｒ^ｂは、それぞれ、置換基を表し、ｎ、ｍは、それぞれ、０〜３の整数を表す。）

〔６〕
前記一般式（Ｉ）で表される部分構造を有する四座配位子の白金錯体化合物及び一般式（ＩＩ）〜一般式（Ｖ）で表される化合物の少なくとも一種が、発光層に含有されることを特徴とする、〔１〕〜〔５〕のいずれか１項に記載の有機電界発光素子。
〔７〕
前記一般式（Ｉ）で表される部分構造を有する四座配位子の白金錯体化合物及び一般式（ＩＩ）〜一般式（Ｖ）で表される化合物の少なくとも一種と、少なくとも一種のホスト材料が、発光層に含有されることを特徴とする、〔１〕〜〔６〕のいずれか１項に記載の有機電界発光素子。
〔８〕一般式（Ｖ）で表される化合物。

（一般式（Ｖ）中、Ｌ^１、Ｌ^２及びＬ^３は、それぞれ、単結合又は連結基を表す。Ｒ^１、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^７、Ｒ^８は、それぞれ、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^２、Ｒ^６は、それぞれ、置換基を表す。Ｒ^ａ、Ｒ^ｂは、それぞれ、置換基を表し、ｎ、ｍは、それぞれ、０〜３の整数を表す。）

本発明の発光素子は、高い発光輝度、高い外部量子効率を有し、かつ耐久性に優れる。また、本発明の白金錯体化合物は、上述のように優れた発光素子を提供するために好適である。

以下、本発明の有機EL素子について、詳細に説明する。本発明の有機ＥＬ素子は、一対の電極間に発光層を含む少なくとも一層の有機層を有するものである。本発明の有機EL素子は、有機層に、四座配位子の白金錯体であって、白金に結合したフェニル基のパラ位に置換基を含有することを特徴とする。上述の、フェニル基の炭素原子と白金との結合は、通常、共有結合であり、その他の原子と白金との結合は配位結合又は共有結合である。
本発明の有機EL素子では、発光層の他に正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層、正孔ブロック層、電子ブロック層、励起子ブロック層、保護層等が適宜配置されていてもよい。またこれらの各層は、それぞれ他の機能を兼備していてもよい。

本発明に用いる一般式（Ｉ）で表される部分構造を有する四座配位子の白金錯体化合物及び一般式（ＩＩ）〜一般式（Ｖ）で表される化合物は、その機能が限定されることはなく、有機層が複数の層からなる場合、いずれの層にも含有することができるが、発光層に含まれることが好ましく、更に好ましくは発光材料として発光層に含まれることが好ましく、特に好ましくは少なくとも一種のホスト材料と共に発光層に含まれることが好ましい。
本発明に用いる白金錯体の含有量は、本発明に用いる白金錯体が発光層に発光材料として含有される場合、０．１質量％以上５０質量％以下が好ましく、０．２質量％以上３０質量％以下がより好ましく、０．３質量％以上２０質量％以下が更に好ましく、０．５質量％以上１０質量％以下が最も好ましい。

ホスト材料とは、発光層において主に電荷の注入、輸送を担う化合物であり、また、それ自体は実質的に発光しない化合物のことである。本明細書において「実質的に発光しない」とは、該実質的に発光しない化合物からの発光量が好ましくは素子全体での全発光量の５％以下であり、より好ましくは３％以下であり、更に好ましくは１％以下であることをいう。
発光層中のホスト材料の濃度は、特に限定されないが、発光層中において主成分（含有量が一番多い成分）であることが好ましく、５０質量％以上９９．９質量％以下がより好ましく、７０質量％以上９９．８質量％以下が更に好ましく、８０質量％以上９９．７質量％以下が特に好ましく、９０質量％以上９９．５質量％以下が最も好ましい。

ホスト材料のガラス転移点は、１００℃以上５００℃以下であることが好ましく、１１０℃以上３００℃以であることがより好ましく、１２０℃以上２５０℃以下であることが更に好ましい。

本発明の発光層に含まれるホスト材料の膜状態での蛍光波長は４００ｎｍ以上６５０ｎｍ以下であることが好ましく、４２０ｎｍ以上６００ｎｍ以下であることがより好ましく、４４０ｎｍ以上５５０ｎｍ以下であることが更に好ましい。
本発明に用いるホスト材料としては、特開２００２−１００４７６公報の段落［０１１３］〜［０１６１］に記載の化合物及び特開２００４−２１４１７９公報の段落［００８７］〜［００９８］に記載の化合物を好適に用いることができるが、これらに限定されることはない。

本発明の白金錯体は燐光発光材料であることが好ましい。

本発明の白金錯体のりん光寿命（室温）は特に限定されないが、１ｍｓ以下であることが好ましく、１００μｓ以下であることがより好ましく、１０μｓであることが更に好ましい。また室温におけるりん光量子収率は、７０％以上であることが好ましく、８０％以上であることが、より好ましく、９０％以上であることが、更に好ましい。

本発明の有機ＥＬ素子において、ホスト材料及び発光材料のＴ₁値（最低三重項励起状態のエネルギー値）が、６０ｋｃａｌ／ｍｏｌ（２５１ｋＪ／ｍｏｌ）以上であり、かつりん光発光化合物から得られるりん光のλｍａｘ（発光極大波長）が５５０ｎｍ以下であることが好ましく、ホスト材料及び発光材料のＴ₁値が６２ｋｃａｌ／ｍｏｌ（２５９ｋＪ／ｍｏｌ）以上であり、かつ、発光材料から得られるりん光のλｍａｘ（発光極大波長）が５００ｎｍ以下であることがより好ましく、ホスト材料、及び、発光材料のＴ₁値が６５ｋｃａｌ／ｍｏｌ（２７２ｋＪ／ｍｏｌ）以上であり、かつ、発光材料から得られるりん光のλｍａｘ（発光極大波長）が４８０ｎｍ以下であることが更に好ましい。

本発明の有機ＥＬ素子では、発光層に隣接する有機層のＴ_１値が６０ｋcal/ｍｏｌ以上であることが好ましく、６３ｋｃａｌ／ｍｏｌ以上であることがより好ましく、６５ｋｃａｌ／ｍｏｌ以上であることが更に好ましい。

本発明の有機ＥＬ素子は、有機化合物層がホール輸送層、発光層、電子輸送層の少なくとも３層から成り、電子輸送層のＩｐ値が５．９ｅＶ以上であることが好ましく、６．０ｅＶ以上であることがより好ましく、６．１ｅＶ以上であることが更に好ましい。

一般式（Ｉ）で表される部分構造を含む四座配位子の白金錯体化合物について説明する。

（一般式（Ｉ）中、Ｚ^１は窒素原子で白金に配位する含窒素ヘテロ環を表す。Ｌ^１は単結合又は連結基を表す。Ｒ^１、Ｒ^３、Ｒ^４は水素原子又は置換基を表し、Ｒ^２は置換基を表す。）

Ｚ^１は窒素原子で白金に配位する含窒素ヘテロ環を表す。Ｚ^１としては、例えば、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、トリアジン環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、トリアゾール環、オキサジアゾール環、チアジアゾール環及びそのベンゾ縮環体、ピリド縮環体等が挙げられ、好ましくはピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピラゾール環、トリアゾール環であり、より好ましくはピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環であり、特に好ましくはピリジン環である。これらは置換基を有していてもよく、置換基としては、後述するL¹の置換基として挙げたものが適用できる。

Ｌ^１は単結合又は連結基を表す。連結基としては特に限定されないが、炭素原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、ケイ素原子からなる連結基が好ましく、下記に具体例を示すが、これらに限定されることはない。

これらの連結基は可能であれば更に置換基を有していてもよく、導入可能な置換基としては、置換基としてはアルキル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメチル、エチル、ｉｓｏ−プロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシルなどが挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニルなどが挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばプロパルギル、３−ペンチニルなどが挙げられる。）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、ｐ−メチルフェニル、ナフチル、アントラニルなどが挙げられる。）、アミノ基（好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１０であり、例えばアミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルアミノ、ジトリルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシ、２−エチルヘキシロキシなどが挙げられる。）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ、１−ナフチルオキシ、２−ナフチルオキシなどが挙げられる。）、

ヘテロ環オキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルオキシ、ピラジルオキシ、ピリミジルオキシ、キノリルオキシなどが挙げられる。）、アシル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイルなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニルなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルなどが挙げられる。）、アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられる。）、アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、スルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノなどが挙げられる。）、

スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１２であり、例えばスルファモイル、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニルスルファモイルなどが挙げられる。）、カルバモイル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばカルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、フェニルカルバモイルなどが挙げられる。）、アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる。）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオなどが挙げられる。）、ヘテロ環チオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルチオ、２−ベンズイミゾリルチオ、２−ベンズオキサゾリルチオ、２−ベンズチアゾリルチオなどが挙げられる。）、スルホニル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメシル、トシルなどが挙げられる。）、スルフィニル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルフィニル、ベンゼンスルフィニルなどが挙げられる。）、

ウレイド基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばウレイド、メチルウレイド、フェニルウレイドなどが挙げられる。）、リン酸アミド基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばジエチルリン酸アミド、フェニルリン酸アミドなどが挙げられる。）、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子であり、具体的にはイミダゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、チエニル、ピペリジル、モルホリノ、ベンズオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリル、カルバゾリル基、アゼピニル基などが挙げられる。）、シリル基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリル、トリフェニルシリルなどが挙げられる。）、シリルオキシ基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリルオキシ、トリフェニルシリルオキシなどが挙げられる。）などが挙げられる。これらの置換基は更に置換されてもよい。置換基として好ましくは、アルキル基、アリール基、ヘテロ環基、ハロゲン原子、シリル基であり、より好ましくはアルキル基、アリール基、ヘテロ環基、ハロゲン原子であり、更に好ましくはアルキル基、アリール基、芳香族ヘテロ環基、フッ素原子である。

Ｌ^１として好ましくは単結合、メチレン基、ジメチルメチレン基、ジフェニルメチレン基である。

Ｒ^１、Ｒ^３、Ｒ^４は水素原子又は置換基を表す。Ｒ^１、Ｒ^３、Ｒ^４が置換基を表す場合、置換基としては、連結基Ｌ^１の置換基として挙げたものが適用できる。Ｒ^１、Ｒ^３、Ｒ^４として好ましくは、水素原子、アルキル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロ環チオ基、スルホニル基、ハロゲン原子、シアノ基、ヘテロ環基、シリル基、シリルオキシ基であり、より好ましくは、水素原子、アルキル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アシル基、アルキルチオ基、スルホニル基、ハロゲン原子、シアノ基、ヘテロ環基、シリル基であり、更に好ましくは、水素原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、アシル基、スルホニル基、フッ素原子、シアノ基、ヘテロ環基、シリル基であり、更に好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、スルホニル基、フッ素原子、シアノ基、ヘテロ環基であり、特に好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、フッ素原子、シアノ基、ヘテロ環基である。もっとも好ましくは、水素原子、アルキル基、フッ素原子、フルオロアルキル基、シアノ基である。これらの置換基は更に別の基が置換していても良い。

Ｒ^２は置換基を表す。R²で表される置換基としては、Ｒ^１、Ｒ^３、Ｒ^４で表される置換基として挙げたものが適用できる。R²で表される置換基として好ましくは、アルキル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロ環チオ基、スルホニル基、ハロゲン原子、シアノ基、ヘテロ環基、シリル基、シリルオキシ基であり、より好ましくは、アルキル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アシル基、アルキルチオ基、スルホニル基、ハロゲン原子、シアノ基、ヘテロ環基、シリル基であり、更に好ましくは、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、アシル基、スルホニル基、フッ素原子、シアノ基、ヘテロ環基、シリル基であり、更に好ましくはアルキル基、アリール基、スルホニル基、フッ素原子、シアノ基、ヘテロ環基であり、特に好ましくはアルキル基、アリール基、フッ素原子、シアノ基、ヘテロ環基である。もっとも好ましくは、アルキル基、フッ素原子、フルオロアルキル基、シアノ基である。これらの置換基は更に別の基が置換していても良い。

一般式（Ｉ）で表される部分構造を含む四座配位子の白金錯体化合物は好ましくは一般式（ＩＩ）で表される白金錯体である。

（一般式（ＩＩ）中、Ｚ^１及びＺ^２は窒素原子で白金に配位する含窒素ヘテロ環を表す。Ｑ^２は炭素原子、酸素原子、硫黄原子、窒素原子又はりん原子で白金に結合する基を表す。Ｌ^１、Ｌ^２及びＬ^３は単結合又は連結基を表す。Ｒ^１、Ｒ^３、Ｒ^４は水素原子又は置換基を表し、Ｒ^２は置換基を表す。）

一般式（ＩＩ）について説明する。Ｚ^１及びＺ^２は一般式（Ｉ）におけるＺ^１と同義であり、また好ましい範囲も同様である。Ｚ^１とＺ^２は等しくても異なっていてもよい。Ｌ^１、Ｌ^２及びＬ^３は一般式（Ｉ）におけるＬ^１と同義であり、また好ましい範囲も同様である。Ｌ^１、Ｌ^２、Ｌ^３はそれぞれ等しくても異なっていてもよい。Ｑ^２は炭素原子、酸素原子、硫黄原子、窒素原子又はりん原子で白金に結合する基を表す。
炭素原子で白金に結合するＱ^２としては、例えばイミノ基、芳香族炭化水素基（フェニル基、ナフチル基など）、芳香族ヘテロ環基（ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、トリアジン環、トリアゾール環、イミダゾール環、ピラゾール環、チオフェン環、フラン環など）及びこれらを含む縮合環が挙げられる。これらの基は更に置換されていても良い。
窒素原子で白金に結合するＱ^２としては、例えば含窒素ヘテロ環基（ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、トリアゾール環など）、アミノ基（アルキルアミノ基、アリールアミノ基、アシルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルホニルアミノ基などが挙げられる。これらの基は更に置換されていても良い。
酸素原子で白金に結合するQ²としては、例えばオキシ基、カルボニルオキシ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アシルオキシ基、シリルオキシ基等が挙げられる。
硫黄原子で白金に結合するQ²としては、例えばチオ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロ環チオ基、カルボニルチオ基等が挙げられる。
りん原子で白金に結合するQ²としては、例えばジアリールホスフィン基が挙げられる。

Ｑ^２で表される基として好ましくは、炭素で白金に結合する芳香族炭化水素基、炭素で白金に結合する芳香族ヘテロ環基、窒素で白金に結合する含窒素ヘテロ環基、アリールオキシ基、カルボニルオキシ基であり、より好ましくは炭素で白金に結合する芳香族炭化水素基、炭素で白金に結合する芳香族ヘテロ環基、アリールオキシ基、カルボニルオキシ基であり、更に好ましくは炭素で白金に結合する芳香族炭化水素基、炭素で白金に結合する芳香族ヘテロ環基、カルボニルオキシ基である。Ｑ^２は可能であれば置換基を有していても良い。置換基としては、一般式（Ｉ）における連結基Ｌ^１の置換基として挙げたものが適用できる。
Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ_３及びＲ^４は一般式（Ｉ）におけるそれらと同義であり、また好ましい範囲も同様である。

一般式（ＩＩ）で表される白金錯体は、好ましくは一般式（ＩＩＩ）で表される白金錯体である。

（一般式（ＩＩＩ）中、Ｑ^２は炭素原子、酸素原子、硫黄原子、窒素原子、りん原子で白金に結合する基を表す。Ｌ^１、Ｌ^２及びＬ^３は単結合又は連結基を表す。Ｒ^１、Ｒ^３、Ｒ^４は水素原子又は置換基を表し、Ｒ^２は置換基を表す。Ｒ^ａ、Ｒ^ｂは置換基を表し、ｎ、ｍは０〜３の整数を表す。）

一般式（ＩＩＩ）について説明する。Ｑ^２、Ｌ^１、Ｌ^２、Ｌ^３、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４は一般式（ＩＩ）におけるそれらと同義であり、また好ましい範囲も同様である。R^ａ及びR^ｂは水素原子又は置換基を表す。置換基としてはＬ^１の置換基として挙げたものが適用できる。Ｒ^ａ、Ｒ^ｂとして好ましくは、水素原子、アルキル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、フッ素原子であり、より好ましくはアルキル基、アリール基であり、更に好ましくはアルキル基である。ｎ及びｍは０〜３の整数を表す。

一般式（ＩＩＩ）で表される白金錯体は、好ましくは一般式（ＩＶ）で表される白金錯体である。

（一般式（ＩＶ）中、Ｑ^４は炭素原子又は窒素原子で白金に結合する芳香族炭化水素環基又は芳香族ヘテロ環基を表す。Ｌ^１、L^２及びL^３はは単結合又は連結基を表す。Ｒ^１、Ｒ^３、Ｒ^４は水素原子又は置換基を表し、Ｒ^２は置換基を表す。Ｒ^ａ、Ｒ^ｂは置換基を表し、ｎ、ｍは０〜３の整数を表す。）

一般式（ＩＶ）について説明する。Ｌ^１、Ｌ^２、Ｌ^３、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^ａ、Ｒ^ｂ、ｎ及びｍは一般式（ＩＩＩ）におけるそれらと同義であり、また好ましい範囲も同様である。Ｑ^４は炭素原子又は窒素原子で白金に結合する芳香族炭化水素環基又は芳香族ヘテロ環基を表す。炭素原子で白金に結合するＱ^４としては、ベンゼン環、ピリジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、ピラジン環、トリアゾール環、ピラゾール環、イミダゾール環、チオフェン環、フラン環又はこれらのベンゾ縮環体、ピリド縮環体等が挙げられる。窒素原子で白金に結合するＱ^４としては、ピロール環、イミダゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環又はこれらのベンゾ縮環体、ピリド縮環体等が挙げられる。Ｑ^４は可能であれば置換基を有していても良い。置換基としては、一般式（I）における連結基Ｌ^１の置換基として挙げたものが適用できる。

一般式（ＩＶ）で表される白金錯体の内、好ましい形態の一つは一般式（Ｖ）で表される白金錯体である。

（一般式（Ｖ）中、Ｌ^１、Ｌ^２及びＬ^３は単結合又は連結基を表す。Ｒ^１、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^７、Ｒ^８は水素原子又は置換基を表し、Ｒ^２、Ｒ^６は置換基を表す。Ｒ^ａ、Ｒ^ｂは置換基を表し、ｎ、ｍは０〜３の整数を表す。）

一般式（Ｖ）について説明する。Ｌ^１、Ｌ^２、Ｌ^３、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^ａ、Ｒ^ｂ、ｎ及びｍは一般式（ＩＶ）におけるそれらと同義であり、また好ましい範囲も同様である。Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８はＲ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４と同義であり、また好ましい範囲も同様であるが、それぞれ等しくても異なっていても良い。

一般式（Ｉ）〜（Ｖ）で表される化合物の具体例を以下に列挙するが、本発明はこれらの化合物に限定されることはない。

次に本発明の金属錯体を含有する有機ＥＬ素子について説明する。本発明の発光素子は、本発明の白金錯体を利用する素子である点以外は、通常の発光システム、駆動方法、利用形態などを用いることができる。
本発明の白金錯体は、正孔注入材料、正孔輸送材料、発光材料、電子注入材料、電子輸送材料、正孔ブロック材料、電子ブロック材料、励起子ブロック材料のいずれに用いることも可能であるが、好ましくは発光材料である。発光材料として用いる場合、紫外発光、可視光発光、赤外発光であってもよく、また蛍光発光であっても燐光発光であってもよいが、可視光発光であり、燐光発光である。

本発明の有機化合物層の形成方法は特に限定されないが、抵抗加熱蒸着法、電子写真法、電子ビーム法、スパッタリング法、分子積層法、塗布法（スプレーコート法、ディップコート法、含浸法、ロールコート法、グラビアコート法、リバースコート法、ロールブラッシュ法、エアーナイフコート法、カーテンコート法、スピンコート法、フローコート法、バーコート法、マイクログラビアコート法、エアードクターコート、ブレードコート法、スクイズコート法、トランスファーロールコート法、キスコート法、キャストコート法、エクストルージョンコート法、ワイヤーバーコート法、スクリーンコート法等）、インクジェット法、印刷法、転写法等の方法が可能である。中でも素子の特性、製造の容易さ、コスト等を勘案すると、抵抗加熱蒸着法、塗布法、転写法が好ましい。発光素子が２層以上の積層構造を有する場合、上記方法を組み合わせて製造することも可能である。

塗布方法の場合、樹脂成分と共に溶解又は分散することができ、樹脂成分としては例えば、ポリ塩化ビニル、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリエステル、ポリスルホン、ポリフェニレンオキシド、ポリブタジエン、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、炭化水素樹脂、ケトン樹脂、フェノキシ樹脂、ポリアミド、エチルセルロース、酢酸ビニル、ＡＢＳ樹脂、ポリウレタン、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂等が挙げられる。

本発明の発光素子は少なくとも発光層を含むが、この他に有機層として正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層、保護層等を有していてもよく、またこれらの各層はそれぞれ他の機能を備えたものであっても良い。以下、各層の詳細について説明する。

正孔注入層、正孔輸送層の材料は、陽極から正孔を注入する機能、正孔を輸送する機能、陰極から注入された電子を障壁する機能のいずれかを有しているものであれば良く、具体例としては本発明の白金錯体の他、カルバゾール、イミダゾール、トリアゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、ポリアリールアルカン、ピラゾリン、ピラゾロン、フェニレンジアミン、アリールアミン、アミノ置換カルコン、スチリルアントラセン、フルオレノン、ヒドラゾン、スチルベン、シラザン、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン、芳香族ジメチリディン化合物、ポルフィリン系化合物、ポリシラン系化合物、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマー、有機金属錯体、遷移金属錯体、又は上記化合物の誘導体等が挙げられる。

正孔注入層、正孔輸送層の膜厚は特に限定されるものではないが、通常１ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは５ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１０ｎｍ〜５００ｎｍである。正孔輸送層は上述した材料の一種又は二種以上からなる単層構造であっても良いし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であっても良い。

電子注入層、電子輸送層の材料は、陰極から電子を注入する機能、電子を輸送する機能、陽極から注入され得た正孔を障壁する機能のいずれかを有しているものであれば良い。その具体例としては、本発明の白金錯体の他、例えばトリアゾール、トリアジン、オキサゾール、オキサジアゾール、フルオレノン、アントラキノジメタン、アントロン、ジフェニルキノン、チオピランジオキシド、カルボジイミド、フルオレニリデンメタン、ジスチリルピラジン、シロール、ナフタレンペリレン等の芳香環テトラカルボン酸無水物、シロール、フタロシアニン、８−キノリノール誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体、又は上記化合物の誘導体等が挙げられる。

電子注入層、電子輸送層の膜厚は特に限定されるものではないが、通常１ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは５ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１０ｎｍ〜５００ｎｍである。電子注入層、電子輸送層は上述した材料の一種又は二種以上からなる単層構造であっても良いし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であっても良い。

発光層の材料は、電圧印加時に陽極又は正孔注入層、正孔輸送層などから正孔を受け取ることができると共に、陰極又は電子注入層、電子輸送層などから電子を受け取ることができる機能や、注入された電荷を移動させる機能、正孔と電子の再結合の場を提供して、励起子を生成させる機能、励起エネルギーを移動させる機能、励起子から発光する機能の内、いずれかを有するものであればよく、発光層に用いられる材料としては、本発明の白金錯体の他、例えばベンゾオキサゾール、ベンゾイミダゾール、ベンゾチアゾール、スチリルベンゼン、ポリフェニル、ジフェニルブタジエン、テトラフェニルブタジエン、ナフタルイミド、クマリン、ペリレン、ペリノン、オキサジアゾール、アルダジン、ピラリジン、シクロペンタジエン、ビススチリルアントラセン、キナクリドン、ピロロピリジン、チアジアゾロピリジン、スチリルアミン、芳香族ジメチリディン化合物、ポリチオフェン、ポリフェニレン、ポリフェニレンビニレン等のポリマー化合物、カルバゾール、イミダゾール、トリアゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、ポリアリールアルカン、ピラゾリン、ピラゾロン、フェニレンジアミン、アリールアミン、アミノ置換カルコン、スチリルアントラセン、フルオレノン、ヒドラゾン、スチルベン、シラザン、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン、芳香族ジメチリディン化合物、ポルフィリン系化合物、ポリシラン系化合物、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマー、有機金属錯体、遷移金属錯体、トリアゾール、トリアジン、オキサゾール、オキサジアゾール、フルオレノン、アントラキノジメタン、アントロン、ジフェニルキノン、チオピランジオキシド、カルボジイミド、フルオレニリデンメタン、ジスチリルピラジン、シロール、ナフタレンペリレン等の芳香環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン、８−キノリノール誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体、又は上記化合物の誘導体等が挙げられる。

発光層は一層であっても、二層以上の多層であってもよい。発光層が複数の場合、それぞれの層が異なる発光色を発してもよい。発光層が複数の場合でも、それぞれの発光層はりん光材料と金属錯体のみから構成されるのが好ましい。発光層の膜厚は特に限定されるものではないが、通常１ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは５ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１０ｎｍ〜５００ｎｍである。

保護層の材料としては水分や酸素等の素子劣化を促進するものが素子内に入る事を抑止する機能を有しているものであれば良い。その具体例としては、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｉ等の金属、ＭｇＯ、ＳｉＯ、ＳｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、ＧｅＯ、ＮｉＯ、ＣａＯ、ＢａＯ、Ｆｅ₂Ｏ₃、Ｙ₂Ｏ₃、ＴｉＯ₂等の金属酸化物、ＭｇＦ₂、ＬｉＦ、ＡｌＦ₃、ＣａＦ₂等の金属フッ化物、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルメタクリレート、ポリイミド、ポリウレア、ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリジクロロジフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレンとジクロロジフルオロエチレンの共重合体、テトラフルオロエチレンと少なくとも１種のコモノマーを含むモノマー混合物を共重合させて得られる共重合体、共重合主鎖に環状構造を有する含フッ素共重合体、吸水率１％以上の吸水性物質、吸水率０．１％以下の防湿性物質等が挙げられる。保護層の形成方法についても特に限定はなく、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、ＭＢＥ（分子線エピタキシー）法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法（高周波励起イオンプレーティング法）、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、ガスソースＣＶＤ法、コーティング法、インクジェット法、印刷法、転写法、電子写真法を適用できる。

陽極は正孔注入層、正孔輸送層、発光層等に正孔を供給するものであり、金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物、又はこれらの混合物等を用いることができ、好ましくは仕事関数が４ｅＶ以上の材料である。具体例としては酸化スズ、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）等の導電性金属酸化物、あるいは金、銀、クロム、ニッケル等の金属、更にこれらの金属と導電性金属酸化物との混合物、又は積層物、ヨウ化銅、硫化銅等の無機導電性物質、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロール等の有機導電性材料、及びこれらとＩＴＯとの混合物・積層物等が挙げられ、好ましくは、導電性金属酸化物であり、特に、生産性、高伝導性、透明性等の観点からＩＴＯが好ましい。陽極の膜厚は材料により適宜選択可能であるが、通常１０ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは５０ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１００ｎｍ〜５００ｎｍである。

陽極は通常、ソーダライムガラス、無アルカリガラス、透明樹脂基板等の上に層形成したものが用いられる。ガラスを用いる場合、その材質については、ガラスからの溶出イオンを少なくするため、無アルカリガラスを用いることが好ましい。また、ソーダライムガラスを用いる場合、シリカ等のバリアコートを施したものを使用することが好ましい。基板の厚みは機械的強度を保つのに充分な厚みであれば特に制限はないが、ガラスを用いる場合には、通常０．２ｍｍ以上、好ましくは０．７ｍｍ以上のものを用いる。陽極の作製には材料によって種々の方法が用いられるが、例えばＩＴＯの場合、電子ビーム法、スパッタリング法、抵抗加熱蒸着法、イオンプレーティング法、化学反応法（ゾル−ゲル法等）、スプレー法、ディップ法、熱ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、ＩＴＯ分散物の塗布等の方法で膜形成される。陽極は洗浄その他の処理により、素子の駆動電圧を下げ、発光効率を高めることも可能である。例えばＩＴＯの場合、ＵＶ−オゾン処理、プラズマ処理等が効果的である。

陰極は電子注入層、電子輸送層、発光層等に電子を供給するものであり、電子注入層、電子輸送層、発光層等の陰極と隣接する層との密着性やイオン化ポテンシャル、安定性等を考慮して選ばれる。陰極の材料としては金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物、又はこれらの混合物を用いることができ、具体例としてはアルカリ金属（例えばＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｃｓ等）又はそのフッ化物、アルカリ土類金属（例えばＭｇ、Ｃａ等）又はそのフッ化物、金、銀、鉛、アルミニウム、ナトリウム−カリウム合金、又はそれらの混合金属、リチウム−アルミニウム合金、又はそれらの混合金属、マグネシウム−銀合金、又はそれらの混合金属、インジウム、イッテルビウム等の希土類金属が挙げられ、好ましくは仕事関数が４ｅＶ以下の材料であり、より好ましくはアルミニウム、リチウム−アルミニウム合金、又はそれらの混合金属、マグネシウム−銀合金、又はそれらの混合金属等である。陰極の膜厚は材料により適宜選択可能であるが、通常１０ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは５０ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１００ｎｍ〜１μｍである。陰極の作製には電子ビーム法、スパッタリング法、抵抗加熱蒸着法、コーティング法等の方法が用いられ、金属を単体で蒸着することも、二成分以上を同時に蒸着することもできる。更に、複数の金属を同時に蒸着して合金電極を形成することも可能であり、またあらかじめ調製した合金を蒸着させても良い。陽極及び陰極のシート抵抗は低い方が好ましく、数百Ω／□以下が好ましい。

本発明の発光素子は、種々の公知の工夫により、光取り出し効率を向上させることができる。例えば、基板表面形状を加工する（例えば微細な凹凸パターンを形成する）、基板・ＩＴＯ層・有機層の屈折率を制御する、基板・ＩＴＯ層・有機層の膜厚を制御すること等により、光の取り出し効率を向上させ、外部量子効率を向上させることが可能である。

本発明の発光素子の外部量子効率としては、５％以上が好ましく、１０％以上がより好ましく、１５％以上が更に好ましい。外部量子効率の数値は２５℃で素子を駆動したときの外部量子効率の最大値、若しくは、２５℃で素子を駆動した時の１００〜２０００ｃｄ／ｍ^２付近での外部量子効率の値を用いることができる。本発明の発光素子は、陽極側から発光を取り出す、いわゆる、トップエミッション方式であっても良い。

本発明の発光素子で用いられる基材は、特に限定されないが、ジルコニア安定化イットリウム、ガラス等の無機材料、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステルや、ポリエチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、アリルジグリコールカーボネート、ポリイミド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、ポリ（クロロトリフルオロエチレン）、テフロン（登録商標）、ポリテトラフルオロエチレン−ポリエチレン共重合体等の高分子量材料であっても良い。

本発明の有機電界発光素子の発光層は積層構造を少なくとも一つ有していても良い。積層数は２層以上５０層以下が好ましく、４層以上３０層以下がより好ましく、６層以上２０層以下が更に好ましい。

積層を構成する各層の膜厚は特に限定されないが、０．２ｎｍ以上、２０ｎｍ以下が好ましく、０．４ｎｍ以上、１５ｎｍ以下がより好ましく、０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下が更に好ましく、１ｎｍ以上５ｎｍ以下が特に好ましい。

本発明の有機電界発光素子の発光層は複数のドメイン構造を有していても良い。発光層中に他のドメイン構造を有していても良い。各ドメインの径は、０．２ｎｍ以上１０ｎｍ以下が好ましく、０．３ｎｍ以上５ｎｍ以下がより好ましく、０．５ｎｍ以上３ｎｍ以下が更に好ましく、０．７ｎｍ以上２ｎｍ以下が特に好ましい。

本発明の有機ＥＬ素子は、表示素子、ディスプレイ、バックライト、電子写真、照明光源、記録光源、露光光源、読み取り光源、標識、看板、インテリア、光通信等に好適に利用できる。

以下、実施例により本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。＜合成例＞例示化合物２４の合成
配位子２４は、文献記載の既知の方法にて合成可能であり、ＳＭを出発原料とし（Journal of Organic Chemistry, 53, 786-790 (1988)参照）、既知の有機合成手法を用いて合成した。

窒素気流下、配位子２４を２３５ｍｇ、塩化第一白金１５６ｍｇをベンゾニトリル１０ｍLに懸濁させた。２００℃まで昇温し、２時間加熱した。室温まで冷却したところ、沈殿が析出した。沈殿を濾取し、シリカゲルカラム（展開溶媒：クロロホルム）で精製し、例示化合物２４を１８９ｍｇ得た。収率５４％。

例示化合物２５の合成
配位子２５は、文献記載の既知の方法にて合成可能であり、ＳＭを出発原料とし、既知の有機合成手法を用いて合成した。

窒素気流下、配位子２５を１７５ｍｇ、塩化第一白金１０５ｍｇをベンゾニトリル１０ｍLに懸濁させた。２００℃まで昇温し、２時間加熱した。室温まで冷却し、少量のヘキサンを加えたところ、沈殿が析出した。沈殿を濾取し、シリカゲルカラム（展開溶媒：クロロホルム）で精製し、例示化合物２５を１５５ｍｇ得た。収率６１％。

例示化合物２６の合成
配位子２６は、文献記載の既知の方法にて合成可能であり、ＳＭを出発原料とし、既知の有機合成手法を用いて合成した。

窒素気流下、配位子２６を８００ｍｇ、塩化第一白金４３７ｍｇをベンゾニトリル２０ｍLに懸濁させた。２００℃まで昇温し、２時間加熱した。室温まで冷却し、少量のヘキサンを加えたところ、沈殿が析出した。沈殿を濾取し、シリカゲルカラム（展開溶媒：クロロホルム）で精製し、例示化合物２６を５０１ｍｇ得た。収率４５％。

例示化合物３４の合成
配位子３４は、文献記載の既知の方法にて合成可能であり、ＳＭを出発原料とし、既知の有機合成手法を用いて合成した。

窒素気流下、配位子３４を３４０ｍｇ、塩化第一白金２３４ｍｇをベンゾニトリル１５ｍLに懸濁させた。２００℃まで昇温し、２時間加熱した。室温まで冷却し、少量のヘキサンを加えたところ、沈殿が析出した。沈殿を濾取し、シリカゲルカラム（展開溶媒：クロロホルム）で精製し、例示化合物３４を２５ｍｇ得た。収率５％。
＜有機EL素子＞
（比較例１）
洗浄したＩＴＯ基板を蒸着装置に入れ、ＮＰＤを５０ｎｍ蒸着し、この上にＣＢＰ及びＩｒ(ppy)₃を１０：１の質量比で４０ｎｍ蒸着し、更にこの上にＢＡｌｑを１０nm、更にこの上にＡｌｑを３０ｎｍ蒸着した。得られた有機薄膜上にパターニングしたマスク（発光面積が４ｍｍ×５ｍｍとなる）を設置し、フッ化リチウムを３ｎｍ蒸着した後アルミニウムを６０ｎｍ蒸着して比較例１の有機ＥＬ素子を作製した。得られた有機ＥＬ素子に直流定電圧を印加したところ、発光λｍａｘ＝５１４ｎｍの緑色発光が観測され、外部量子効率は６．４％であった。

（実施例１）
Ｉｒ(ppy)₃の代わりに、例示化合物２４を用いた以外は比較例１と同様にして実施例1の有機EL素子を作成した。得られた有機ＥＬ素子に直流定電圧を印加したところ、発光λｍａｘ＝５００ｎｍの青緑色発光が観測され、外部量子効率は１３．０％であった。

（実施例２）
比較例１と実施例１の素子を、初期輝度500ｃｄ／ｍ²で連続駆動したところ、比較例１の素子の輝度半減時間が８５時間だったのに対し、実施例１の素子の輝度半減時間は８００時間であった。

上記実施例により、本発明の化合物を用いることにより、高効率かつ高耐久性の有機EL素子が得られることが明らかになった。

Claims

一対の電極間に発光層を含む少なくとも一層の有機層を有する有機電界発光素子であって、下記一般式（ＩＩＩ）で表される四座配位子の白金錯体化合物の少なくとも一種を有機層に含有し、更に発光層にカルバゾール誘導体を含有することを特徴とする有機電界発光素子。

（一般式（ＩＩＩ）中、Ｑ ^２は置換基を有していてもよいフェニレン基を表し、該フェニレン基はピリジン環と結合する炭素原子の隣の炭素原子で白金に結合する。Ｌ ^１、及びＬ ^２は単結合を表す。Ｌ ^３は、下記式のいずれかの連結基を表す。Ｒ^１、Ｒ^３、Ｒ^４は、それぞれ、水素原子または置換基を表し、Ｒ^２はアルキル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロ環チオ基、スルホニル基、ハロゲン原子、シアノ基、ヘテロ環基、シリル基、シリルオキシ基、ニトロ基、又はフルオロアルキル基を表す。Ｒ^ａ、Ｒ^ｂは、それぞれ、置換基を表し、ｎ、ｍは、それぞれ、０〜３の整数を表す。）
一般式（ＩＩＩ）で表される部分構造を含む四座配位子の白金錯体化合物が、下記一般式（Ｖ）で表される化合物であることを特徴とする、請求項１に記載の有機電界発光素子。

（一般式（Ｖ）中、Ｌ ^１、及びＬ ^２は単結合を表す。Ｌ ^３は前記式のいずれかの連結基を表す。Ｒ^１、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^７、Ｒ^８は、それぞれ、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^２、Ｒ^６は、それぞれ、アルキル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロ環チオ基、スルホニル基、ハロゲン原子、シアノ基、ヘテロ環基、シリル基、シリルオキシ基、ニトロ基、又はフルオロアルキル基を表す。Ｒ^ａ、Ｒ^ｂは、それぞれ、置換基を表し、ｎ、ｍは、それぞれ、０〜３の整数を表す。）
前記一般式（ＩＩＩ）で表される部分構造を有する四座配位子の白金錯体化合物及び一般式（Ｖ）で表される化合物の少なくとも一種が、発光層に含有されることを特徴とする、請求項１又は２に記載の有機電界発光素子。
前記一般式（ＩＩＩ）で表される部分構造を有する四座配位子の白金錯体化合物及び一般式（Ｖ）で表される化合物の少なくとも一種と、少なくとも一種のホスト材料が、発光層に含有されることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか1項に記載の有機電界発光素子。