KR101098807B1 - 유기 전계발광 소자 및 금속 착화합물 - Google Patents

유기 전계발광 소자 및 금속 착화합물 Download PDF

Info

Publication number
KR101098807B1
KR101098807B1 KR1020057022089A KR20057022089A KR101098807B1 KR 101098807 B1 KR101098807 B1 KR 101098807B1 KR 1020057022089 A KR1020057022089 A KR 1020057022089A KR 20057022089 A KR20057022089 A KR 20057022089A KR 101098807 B1 KR101098807 B1 KR 101098807B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
ring
layer
group
metal
compound
Prior art date
Application number
KR1020057022089A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20060016087A (ko
Inventor
가즈미 니이
고우스케 와타나베
다츠야 이가라시
세이지 이치지마
도시히로 이세
Original Assignee
후지필름 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=33513361&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=KR101098807(B1) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by 후지필름 가부시키가이샤 filed Critical 후지필름 가부시키가이샤
Publication of KR20060016087A publication Critical patent/KR20060016087A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101098807B1 publication Critical patent/KR101098807B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H10K85/341—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes
    • H10K85/346—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes comprising platinum
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F15/00—Compounds containing elements of Groups 8, 9, 10 or 18 of the Periodic Table
    • C07F15/0006—Compounds containing elements of Groups 8, 9, 10 or 18 of the Periodic Table compounds of the platinum group
    • C07F15/0086—Platinum compounds
    • C07F15/0093—Platinum compounds without a metal-carbon linkage
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/06—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C251/00—Compounds containing nitrogen atoms doubly-bound to a carbon skeleton
    • C07C251/02—Compounds containing nitrogen atoms doubly-bound to a carbon skeleton containing imino groups
    • C07C251/24—Compounds containing nitrogen atoms doubly-bound to a carbon skeleton containing imino groups having carbon atoms of imino groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D213/00—Heterocyclic compounds containing six-membered rings, not condensed with other rings, with one nitrogen atom as the only ring hetero atom and three or more double bonds between ring members or between ring members and non-ring members
    • C07D213/02—Heterocyclic compounds containing six-membered rings, not condensed with other rings, with one nitrogen atom as the only ring hetero atom and three or more double bonds between ring members or between ring members and non-ring members having three double bonds between ring members or between ring members and non-ring members
    • C07D213/04—Heterocyclic compounds containing six-membered rings, not condensed with other rings, with one nitrogen atom as the only ring hetero atom and three or more double bonds between ring members or between ring members and non-ring members having three double bonds between ring members or between ring members and non-ring members having no bond between the ring nitrogen atom and a non-ring member or having only hydrogen or carbon atoms directly attached to the ring nitrogen atom
    • C07D213/06—Heterocyclic compounds containing six-membered rings, not condensed with other rings, with one nitrogen atom as the only ring hetero atom and three or more double bonds between ring members or between ring members and non-ring members having three double bonds between ring members or between ring members and non-ring members having no bond between the ring nitrogen atom and a non-ring member or having only hydrogen or carbon atoms directly attached to the ring nitrogen atom containing only hydrogen and carbon atoms in addition to the ring nitrogen atom
    • C07D213/22—Heterocyclic compounds containing six-membered rings, not condensed with other rings, with one nitrogen atom as the only ring hetero atom and three or more double bonds between ring members or between ring members and non-ring members having three double bonds between ring members or between ring members and non-ring members having no bond between the ring nitrogen atom and a non-ring member or having only hydrogen or carbon atoms directly attached to the ring nitrogen atom containing only hydrogen and carbon atoms in addition to the ring nitrogen atom containing two or more pyridine rings directly linked together, e.g. bipyridyl
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D213/00—Heterocyclic compounds containing six-membered rings, not condensed with other rings, with one nitrogen atom as the only ring hetero atom and three or more double bonds between ring members or between ring members and non-ring members
    • C07D213/02—Heterocyclic compounds containing six-membered rings, not condensed with other rings, with one nitrogen atom as the only ring hetero atom and three or more double bonds between ring members or between ring members and non-ring members having three double bonds between ring members or between ring members and non-ring members
    • C07D213/04—Heterocyclic compounds containing six-membered rings, not condensed with other rings, with one nitrogen atom as the only ring hetero atom and three or more double bonds between ring members or between ring members and non-ring members having three double bonds between ring members or between ring members and non-ring members having no bond between the ring nitrogen atom and a non-ring member or having only hydrogen or carbon atoms directly attached to the ring nitrogen atom
    • C07D213/24—Heterocyclic compounds containing six-membered rings, not condensed with other rings, with one nitrogen atom as the only ring hetero atom and three or more double bonds between ring members or between ring members and non-ring members having three double bonds between ring members or between ring members and non-ring members having no bond between the ring nitrogen atom and a non-ring member or having only hydrogen or carbon atoms directly attached to the ring nitrogen atom with substituted hydrocarbon radicals attached to ring carbon atoms
    • C07D213/44—Radicals substituted by doubly-bound oxygen, sulfur, or nitrogen atoms, or by two such atoms singly-bound to the same carbon atom
    • C07D213/53—Nitrogen atoms
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F15/00—Compounds containing elements of Groups 8, 9, 10 or 18 of the Periodic Table
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F15/00—Compounds containing elements of Groups 8, 9, 10 or 18 of the Periodic Table
    • C07F15/0006—Compounds containing elements of Groups 8, 9, 10 or 18 of the Periodic Table compounds of the platinum group
    • C07F15/0033—Iridium compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F15/00—Compounds containing elements of Groups 8, 9, 10 or 18 of the Periodic Table
    • C07F15/0006—Compounds containing elements of Groups 8, 9, 10 or 18 of the Periodic Table compounds of the platinum group
    • C07F15/0086—Platinum compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/14—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H10K85/341—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes
    • H10K85/342—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes comprising iridium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1018—Heterocyclic compounds
    • C09K2211/1025—Heterocyclic compounds characterised by ligands
    • C09K2211/1029—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing one nitrogen atom as the heteroatom
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1018—Heterocyclic compounds
    • C09K2211/1025—Heterocyclic compounds characterised by ligands
    • C09K2211/1029—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing one nitrogen atom as the heteroatom
    • C09K2211/1037—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing one nitrogen atom as the heteroatom with sulfur
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1018—Heterocyclic compounds
    • C09K2211/1025—Heterocyclic compounds characterised by ligands
    • C09K2211/1044—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing two nitrogen atoms as heteroatoms
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1018—Heterocyclic compounds
    • C09K2211/1025—Heterocyclic compounds characterised by ligands
    • C09K2211/1059—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing three nitrogen atoms as heteroatoms
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1018—Heterocyclic compounds
    • C09K2211/1025—Heterocyclic compounds characterised by ligands
    • C09K2211/1092—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing sulfur as the only heteroatom
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/18—Metal complexes
    • C09K2211/182—Metal complexes of the rare earth metals, i.e. Sc, Y or lanthanide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/18—Metal complexes
    • C09K2211/185—Metal complexes of the platinum group, i.e. Os, Ir, Pt, Ru, Rh or Pd
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/10—Triplet emission
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10S428/917—Electroluminescent

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Pyridine Compounds (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Nitrogen Condensed Heterocyclic Rings (AREA)

Abstract

한 쌍의 전극 및 상기 전극 쌍 사이에 발광층을 포함하는 하나 이상의 유기층을 가지고, 여기서 상기 전극 쌍 사이의 하나 이상의 층이 세 갈래- 또는 그 초과의 다중 갈래-사슬 구조 리간드를 가지는 하나 이상의 금속 착체를 포함하는 유기 전계발광 소자.

Description

유기 전계발광 소자 및 금속 착화합물 {ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICES AND METAL COMPLEX COMPOUNDS}
본 발명은 전기 에너지를 광으로 변환시키는 유기 전계발광 소자 (발광 소자 또는 EL 소자) 에 관한 것이다. 추가로, 본 발명은 유기 전계발광 소자에 적합하게 사용되는 금속 착체에 관한 것이다.
최근, 다양한 유형의 디스플레이 소자가 활발하게 연구개발되고 있다. 이들 중, 유기 전계발광 (EL) 소자에 지대한 관심이 집중되고 있다. 이는 유기 EL 소자가 저전압 하에서 고휘도의 광 방출이 가능한 디스플레이 소자를 보장해주기 때문이다.
최근, 칼라 디스플레이 및 백색광원에 대한 유기 EL 소자의 적용이 활발하게 연구되어 왔다. 그러나, 고급 칼라 디스플레이 및 백색광원에서의 발달은 청색-, 녹색-, 및 적색-방출 소자의 특징 (성능) 의 강화를 요한다.
다른 한편으로는, 적색-방출 인광 물질을 이용하는 발광 소자로서, 시클릭 네 갈래 리간드-포함 백금 포르피린 착체를 광-방출 물질로서 이용하는 것들이, 예를 들어, [Nature 395, 151 (1998)] 및 미국 특허 제 6,303,231 B1 호에 공지되어 있다. 그러나, 이러한 소자들은 최대 휘도 (밝기) 가 낮기 때문에, 최대 휘도 의 강화가 요구되어 왔다.
추가로, 비피리딘-계열 또는 페난트롤린-계열 사슬 네 갈래 리간드를 포함하는 백금 포르피린 착체에 대하여 보고되어 있다 ([Chem. Eur. J., 9, No. 6, 1264 (2003)], 미국 특허 제 6,653,654 B1 호 및 WO 03/093283A1 참고). 그러나, 이러한 착체는 내구성, 및 칼라 순도와 같은 발광 특징 둘 다를 적합하게 만족시키지는 못한다. 따라서, 이러한 특성들에 대한 개선이 요구된다. 또한 상기 언급한 발광 물질보다 더 단파장 영역에서 방출하는 녹색-방출 발광 물질 및 청색-방출 발광 물질에 대하여, 발광 특징 및 내구성 둘 다 우수한 진보된 물질의 개발이 요구된다.
본 발명의 개시
본 발명에 따르면, 하기의 의미가 제공된다:
[1] 한 쌍의 전극, 및 상기 전극 쌍 사이에 발광층을 포함하는 하나 이상의 유기층을 포함하는 유기 전계발광 소자에 있어서, 상기 전극 쌍 사이의 하나 이상의 층이 세 갈래- 또는 그 초과의 다중 갈래-사슬 구조 리간드를 가지는 하나 이상의 금속 착체를 포함하는 소자.
[2] [1] 에 기재한 유기 전계발광 소자에 있어서, 금속 착체 중 금속 이온이 백금, 이리듐, 레늄, 팔라듐, 로듐, 루테늄 및 구리 이온으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 소자.
[3] [1] 또는 [2] 에 기재한 유기 전계발광 소자에 있어서, 금속 착체에 탄소-금속 결합이 없는 소자.
[4] [1] 내지 [3] 중 어느 하나에 기재한 유기 전계발광 소자에 있어서, 금속 착체가 인광 방출성 금속 착체이고, 상기 금속 착체가 발광층에 혼입되어 있는 소자.
[5] [1] 내지 [4] 중 어느 하나에 기재한 유기 전계발광 소자에 있어서, 금속 착체가 화학식 1 로 표시되는 화합물인 소자:
Figure 112005066522505-pct00001
[식 중, M11 은 금속 이온을 나타내고; L11, L12, L13, L14, 및 L15 각각은 M11 에 배위결합하는 리간드를 나타내고; L11 및 L14 는 원자단을 통해 함께 결합하여 시클릭 리간드를 형성하지는 않고; L15 는 L11 및 L14 둘 다에 결합하여 시클릭 리간드를 형성하지는 않고; Y11, Y12, 및 Y13 각각은 연결기, 단일 결합, 또는 이중 결합을 나타내고; L11 과 Y12 사이의 결합, Y12 와 L12 사이의 결합, L12 와 Y11 사이의 결합, Y11 과 L13 사이의 결합, L13 과 Y13 사이의 결합, 및 Y13 과 L14 사이의 결합 각각은 단일 결 합, 또는 이중 결합을 나타내고; n11 은 0 내지 4 를 나타낸다].
[6] [1] 내지 [5] 중 어느 하나에 기재한 유기 전계발광 소자에 있어서, 금속 착체가 화학식 2 로 표시되는 화합물인 소자:
Figure 112005066522505-pct00002
[식 중, M21 은 금속 이온을 나타내고; Y21 은 연결기, 단일 결합, 또는 이중 결합을 나타내고; Y22 및 Y23 각각은 단일 결합 또는 연결기를 나타내고; Q21 및 Q22 각각은 질소-포함 헤테로사이클을 형성하는데 필요한 원자단을 나타내고; Q21 로 형성된 고리와 Y21 사이의 결합, 및 Q22 로 형성된 고리와 Y21 사이의 결합 각각은 단일 결합, 또는 이중 결합을 나타내고; X21 및 X22 각각은 산소 원자, 황 원자, 또는 치환 또는 비치환 질소 원자를 나타내고; R21, R22, R23, 및 R24 각각은 수소 원자 또는 치환기를 나타내고; R21 과 R22, 및 R23 과 R24 는 각각 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있 고; L25 는 M21 에 배위결합하는 리간드를 나타내고; n21 은 0 내지 4 의 정수를 나타낸다].
[7] [6] 에 기재한 유기 전계발광 소자에 있어서, 금속 착체가, Q21 로 형성된 고리 및 Q22 로 형성된 고리 각각이 피리딘 고리이고, Y21 이 하나 이상의 원자로 구성된 연결기를 나타내는 화학식 2 로 표시되는 화합물인 소자.
[8] [6] 에 기재한 유기 전계발광 소자에 있어서, 금속 착체가, Q21 로 형성된 고리 및 Q22 로 형성된 고리 각각이 피리딘 고리이고, Y21 이 단일 결합 또는 이중 결합을 나타내고, X21 및 X22 각각이 황 원자, 또는 치환 또는 비치환 질소 원자를 나타내는 화학식 2 로 표시되는 화합물인 소자.
[9] [6] 에 기재한 유기 전계발광 소자에 있어서, 금속 착체가, Q21 로 형성된 고리 및 Q22 로 형성된 고리 각각이 5-원 질소-포함 헤테로사이클인 화학식 2 로 표시되는 화합물인 소자.
[10] [6] 에 기재한 유기 전계발광 소자에 있어서, 금속 착체가, Q21 로 형성된 고리 및 Q22 로 형성된 고리 각각이 2 개 이상의 질소 원자를 포함하는 6-원 헤테로사이클인 화학식 2 로 표시되는 화합물인 소자.
[11] [1] 또는 [2] 에 기재한 유기 전계발광 소자에 있어서, 금속 착체가 화 학식 9 로 표시되는 화합물인 소자:
Figure 112005066522505-pct00003
[식 중, MA1 은 금속 이온을 나타내고; QA1 및 QA2 각각은 질소-포함 헤테로사이클을 형성하는데 필요한 원자단을 나타내고; RA1, RA2, RA3, 및 RA4 각각은 수소 원자 또는 치환기를 나타내고; RA1 과 RA2, 및 RA3 과 RA4 는 각각 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있고; YA2 및 YA3 각각은 연결기 또는 단일 결합을 나타내고; YA1 은 괄호들 안에 있는 2 개의 두 갈래 리간드를 함께 연결하기 위한 연결기, 단일 결합 또는 이중 결합을 나타내고; LA5 는 MA1 에 배위결합하는 리간드를 나타내고; nA1 은 0 내지 4 의 정수를 나타낸다].
[12] [1] 또는 [2] 에 기재한 유기 전계발광 소자에 있어서, 금속 착체가 화학식 10 으로 표시되는 화합물인 소자:
Figure 112005066522505-pct00004
[식 중, MB1 은 금속 이온을 나타내고; YB1 은 연결기를 나타내고; YB2 및 YB3 각각은 연결기 또는 단일 결합을 나타내고; XB1 및 XB2 각각은 산소 원자, 황 원자, 또는 치환 또는 비치환 질소 원자를 나타내고; nB1 및 nB2 각각은 0 내지 1 의 정수를 나타내고; RB1, RB2, RB3, RB4, RB5, 및 RB6 각각은 수소 원자 또는 치환기를 나타내고; RB1 과 RB2, 및 RB3 과 RB4 는 각각 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있고; LB5 는 MB1 에 배위결합하는 리간드를 나타내고; nB3 은 0 내지 4 의 정수를 나타내고; YB1 은 RB5 또는 RB6 에 연결되지 않는다].
[13] [1] 내지 [4] 중 어느 하나에 기재한 유기 전계발광 소자에 있어서, 금속 착체가 화학식 8 로 표시되는 화합물인 소자:
Figure 112005066522505-pct00005
[식 중, M81 은 금속 이온을 나타내고; L81, L82, L83, 및 L85 각각은 M81 에 배위결합하는 리간드를 나타내고; L81 및 L83 은 원자단을 통해 함께 결합하여 시클릭 리간드, 또는 네 갈래 또는 그 초과의 다중 갈래 리간드를 형성하지는 않고; L85 는 L81 또는 L83 에 직접 결합하지는 않지만, 금속을 통해서 결합하고; Y81 및 Y82 각각은 연결기, 단일 결합, 또는 이중 결합을 나타내고; n81 은 0 내지 3 의 정수를 나타낸다].
[14] [13] 에 기재한 유기 전계발광 소자에 있어서, 금속 착체가, L81, L82 및 L83 각각이 탄소 원자를 통해 M81 에 배위결합하는 방향족 카르보사이클 또는 헤테로사이클, 또는 질소 원자를 통해 M81 에 배위결합하는 질소-포함 헤테로사이클을 나타내고; L81, L82, 및 L83 중 하나 이상이 상기 질소-포함 헤테로사이클인 화학식 8 로 표시되는 화합물인 소자.
[15] [1] 또는 [2] 에 기재한 유기 전계발광 소자에 있어서, 금속 착체가 화학식 X1 로 표시되는 화합물인 소자:
Figure 112005066522505-pct00006
[식 중, MX1 은 금속 이온을 나타내고; QX11, QX12, QX13, QX14, QX15, 및 QX16 각각은 MX1 에 배위결합하는 원자 또는 MX1 에 배위결합하는 원자를 가지는 원자단을 나타내고; LX11, LX12, LX13, 및 LX14 각각은 단일 결합, 이중 결합, 또는 연결기를 나타내고; QX11-LX11-QX12-LX12-QX13 으로 이루어지는 원자단 및 QX14-LX13-QX15-LX14-QX16 으로 이루어지는 원자단 각각은 세 갈래 리간드를 나타내고; MX1 과 QX11 사이의 결합, MX1 과 QX12 사이의 결합, MX1 과 QX13 사이의 결합, MX1 과 QX14 사이의 결합, MX1 과 QX15 사이의 결합, 및 MX1 과 QX16 사이의 결합 각각은 배위결합 또는 공유결합이다].
[16] [15] 에 기재한 유기 전계발광 소자에 있어서, 화학식 X1 로 표시되는 금속 착체가 화학식 X2 로 표시되는 화합물인 소자:
Figure 112005066522505-pct00007
[식 중, MX2 는 금속 이온을 나타내고; YX21, YX22, YX23, YX24, YX25, 및 YX26 각각은 MX2 에 배위결합하는 원자를 나타내고; 각각의 QX21, QX22, QX23, QX24, QX25, 및 QX26 은 각각의 YX21, YX22, YX23, YX24, YX25, 및 YX26 과 각각 함께 방향족 고리 또는 헤테로시클릭 고리를 형성하는데 필요한 원자단을 각각 나타내고; LX21, LX22, LX23, 및 LX24 각각은 단일 결합, 이중 결합, 또는 연결기를 나타내고; MX2 와 YX21 사이의 결합, MX2 와 YX22 사이의 결합, MX2 와 YX23 사이의 결합, MX2 와 YX24 사이의 결합, MX2 와 YX25 사이의 결합, 및 MX2 와 YX26 사이의 결합 각각은 배위결합 또는 공유결합이다].
[17] [15] 에 기재한 유기 전계발광 소자에 있어서, 화학식 X1 로 표시되는 금속 착체가 화학식 X3 으로 표시되는 화합물인 소자:
Figure 112005066522505-pct00008
[식 중, MX3 은 금속 이온을 나타내고; YX31, YX32, YX33, YX34, YX35, 및 YX36 각각은 탄소 원자, 질소 원자, 또는 인 원자를 나타내고; LX31, LX32, LX33, 및 LX34 각각은 단일 결합, 이중 결합, 또는 연결기를 나타내고; MX3 과 YX31 사이의 결합, MX3 과 YX32 사이의 결합, MX3 과 YX33 사이의 결합, MX3 과 YX34 사이의 결합, MX3 과 YX35 사이의 결합, 및 MX3 과 YX36 사이의 결합 각각은 배위결합 또는 공유결합이다].
[18] [1] 내지 [17] 중 어느 하나에 기재한 유기 전계발광 소자에 있어서, 유기층이 하나 이상의 발광층 및 정공 (hole) 수송층을 포함하고, 유기층이 여기자-방지 (exciton-blocking) 층, 정공 주입층, 정공-방지층 및 전자-수송층으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 하나 이상의 층을 추가로 포함하는 소자.
[19] [1] 내지 [18] 중 어느 하나에 기재한 유기 전계발광 소자에 있어서, 유기층이 하나 이상의 발광층을 포함하고, 발광층의 호스트 (host) 물질이 아민 화합물, 금속 킬레이트 옥시노이드 화합물 (즉, 금속-산소 결합을 가지는 화합물) (여기서, 금속은 알루미늄, 아연 또는 전이 금속임), 폴리아릴렌 화합물, 축합 방향족 카르보시클릭 화합물, 및 비-착체 방향족 헤테로시클릭 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 소자.
[20] [1] 내지 [19] 중 어느 하나에 기재한 유기 전계발광 소자에 있어서, 유기층이 하나 이상의 전자-수송층을 포함하고, 여기서 전자-수송 물질이 금속 킬레이트 옥시노이드 화합물, 폴리아릴렌 화합물, 축합 방향족 카르보시클릭 화합물 및 비-착체 방향족 헤테로시클릭 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 소자.
[21] [1] 내지 [20] 중 어느 하나에 기재한 유기 전계발광 소자에 있어서, 유기층이 하나 이상의 발광층을 포함하고, 발광층의 호스트 물질이 2 개 이상의 화합물로 구성되는 소자.
[22] 화학식 11 로 표시되는 화합물:
Figure 112005066522505-pct00009
[식 중, RC1 및 RC2 각각은 수소 원자 또는 치환기를 나타내고; RC3, RC4, RC5, 및 RC6 각각은 치환기를 나타내고; nC3 및 nC6 각각은 0 내지 3 의 정수를 나타내고; nC4 및 nC5 각각은 0 내지 4 의 정수를 나타내고; 복수의 RC3, RC4, RC5, 또는 RC6 이 존재하는 경우, 각각의 RC3 들, RC4 들, RC5 들, 또는 RC6 들은 서로 동일하거나 상이할 수 있고, 각각, RC3 들, RC4 들, RC5 들, 또는 RC6 들은 서로 결합하여 축합 고리를 형성할 수 있다].
[23] 화학식 12 로 표시되는 화합물:
Figure 112005066522505-pct00010
[식 중, RD3 및 RD4 각각은 수소 원자 또는 치환기를 나타내고; RD1 및 RD2 각각은 치환기를 나타내고; nD1 및 nD2 각각은 0 내지 4 의 정수를 나타내고; 복수의 RD1 또는 RD2 가 존재하는 경우, 각각의 RD1 들 또는 RD2 들은 서로 동일하거나 상이할 수 있고, 각각, RD1 들 또는 RD2 들은 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있고; YD1 은 비닐기 (1- 및 2-위치에서 치환함), 페닐렌기, 피리딘 고리, 피라진 고리, 피리미딘 고리, 또는 탄소수가 1 내지 8 인 메틸렌기를 나타낸다].
[24] 화학식 X1 로 표시되는 화합물:
[화학식 X1]
Figure 112005066522505-pct00011
[식 중, MX1 은 금속 이온을 나타내고; QX11, QX12, QX13, QX14, QX15, 및 QX16 각각은 MX1 에 배위결합하는 원자 또는 MX1 에 배위결합하는 원자를 가지는 원자단을 나타내고; LX11, LX12, LX13, 및 LX14 각각은 단일 결합, 이중 결합, 또는 연결기를 나타내고; QX11-LX11-QX12-LX12-QX13 으로 이루어지는 원자단 및 QX14-LX13-QX15-LX14-QX16 으로 이루어지는 원자단 각각은 세 갈래 리간드를 나타내고; MX1 과 QX11 사이의 결합, MX1 과 QX12 사이의 결합, MX1 과 QX13 사이의 결합, MX1 과 QX14 사이의 결합, MX1 과 QX15 사이의 결합, 및 MX1 과 QX16 사이의 결합 각각은 배위결합 또는 공유결합이다].
[25] 화학식 X2 로 표시되는 화합물:
[화학식 X2]
Figure 112005066522505-pct00012
[식 중, MX2 는 금속 이온을 나타내고; YX21, YX22, YX23, YX24, YX25, 및 YX26 각각은 MX2 에 배위결합하는 원자를 나타내고; 각각의 QX21, QX22, QX23, QX24, QX25, 및 QX26 은 각각의 YX21, YX22, YX23, YX24, YX25, 및 YX26 과 각각 함께 방향족 고리 또는 헤테로시클릭 고리를 형성하는데 필요한 원자단을 각각 나타내고; LX21, LX22, LX23, 및 LX24 각각은 단일 결합, 이중 결합, 또는 연결기를 나타내고; MX2 와 YX21 사이의 결합, MX2 와 YX22 사이의 결합, MX2 와 YX23 사이의 결합, MX2 와 YX24 사이의 결합, MX2 와 YX25 사이의 결합, 및 MX2 와 YX26 사이의 결합 각각은 배위결합 또는 공유결합이다].
[26] 화학식 X3 으로 표시되는 화합물:
[화학식 X3]
Figure 112005066522505-pct00013
[식 중, MX3 은 금속 이온을 나타내고; YX31, YX32, YX33, YX34, YX35, 및 YX36 각각은 탄소 원자, 질소 원자, 또는 인 원자를 나타내고; LX31, LX32, LX33, 및 LX34 각각은 단일 결합, 이중 결합, 또는 연결기를 나타내고; MX3 과 YX31 사이의 결합, MX3 과 YX32 사이의 결합, MX3 과 YX33 사이의 결합, MX3 과 YX34 사이의 결합, MX3 과 YX35 사이의 결합, 및 MX3 과 YX36 사이의 결합 각각은 배위결합 또는 공유결합이다].
본 명세서에서 사용되는 "사슬 리간드" 라는 용어는 포르피린 및 프탈로시아닌과 같은 시클릭 리간드를 제외한 리간드를 의미한다. 화학식 8 을 예로 들자면, 상기 용어는 L81 및 L83 이 직접 연결되지는 않지만, Y81, L82, Y82, 및 M81 을 통해 결합하는 상기와 같은 리간드를 의미한다. L81, Y81, L82, Y82, 또는 L83 이 벤 젠, 피리딘, 및 퀴놀린과 같은 고리 구조를 포함하는 경우에서조차, L81 및 L83 이 직접 결합하지는 않지만, Y81, L82, Y82, 및 M81 을 통해 결합하는 한, 리간드는 사슬 리간드라고 칭한다. L81 과 Y81, 또는 Y81 과 L82, 또는 L82 와 Y82, 또는 Y82 와 L83 사이에 부가적인 원자단이 존재하여 고리를 형성할 수 있다.
본 발명의 기타 추가의 특색 및 이점은 하기 설명에 의해 더욱 완전해질 것이다.
본 발명을 수행하는 최량의 형태
본 발명의 유기 전계발광 소자 (이후, 때때로 본 발명의 소자라고 칭함) 는, 그 소자가 한 쌍의 전극, 및 상기 전극 쌍 사이에, 발광층을 포함하는 하나 이상의 유기층 (상기 유기층은 유기 화합물로 이루어질 수 있거나, 부가적으로 무기 화합물을 포함할 수 있음) 을 포함하고, 여기서 상기 전극 쌍 사이의 임의의 층이 세 갈래- 또는 그 초과의 다중 갈래-사슬 리간드를 가지는 인광 방출성 금속 착체를 포함하는 것임을 특징으로 한다.
본 발명에서 사용하기 위한 세 갈래- 또는 그 초과의 다중 갈래-사슬 리간드를 가지는 금속 착체 (이후, 때때로 본 발명의 금속 착체라고 칭함) 로서, 세 갈래- 내지 여덟 갈래-사슬 리간드를 가지는 금속 착체가 바람직하고, 네 갈래- 내지 여덟 갈래-사슬 리간드를 가지는 금속 착체가 더욱 바람직하고, 네 갈래- 내지 여섯 갈래-사슬 리간드를 가지는 금속 착체가 더욱더 바람직하고, 네 갈래-사슬 리간드를 가지는 금속 착체가 가장 바람직하다.
본 발명에서 사용하기 위한 사슬 리간드는 바람직하게는, 질소 원자를 통해 중심 금속 {화학식 1 을 예로 들자면, 상기 금속은 M11 로 표시됨} 에 배위결합하는 하나 이상의 질소-포함 헤테로사이클 (예를 들어, 피리딘, 퀴놀린, 피롤 고리) 을 포함한다.
본 발명의 금속 착체는 탄소-금속 결합이 없는 것이 바람직하다. 즉, 금속 착체 내의 금속 원자와 탄소 원자 사이에 결합이 없는 것이 바람직하다. "탄소-금속 결합이 없는" 이라는 용어에 대하여 명확하게 설명하자면, 상기 금속 화합물에는 바람직하게는 하기 기재하는 임의의 결합이 있다. 즉, 금속-질소 결합, 금속-산소 결합, 금속-황 결합, 금속-인 결합, 및 금속-셀레늄 결합이 바람직하다. 금속-질소 결합, 금속-산소 결합, 금속-황 결합, 및 금속-인 결합이 더욱 바람직하다. 금속-질소 결합, 금속-산소 결합, 및 금속-황 결합이 더욱더 바람직하다.
본 발명에서 사용하기 위한 화합물은, 그 화합물이 인광 방출성 화합물인 한, 특별히 제한되지는 않는다. 바람직하게는 -30 ℃ 이상, 더욱 바람직하게는 -10 ℃ 이상, 더욱더 바람직하게는 0 ℃ 이상, 특히 바람직하게는 10 ℃ 이상에서 인광을 방출하는 화합물이 바람직하다. 상기 화합물은 동시에 형광을 방출할 수 있다. 이 경우, 20 ℃ 에서의 인광 강도가 형광 강도의 2 배 이상인 화합물이 바람직하고, 10 배 이상이 더욱 바람직하고, 100 배 이상이 더욱더 바람직하다.
본 발명에서 사용하기 위한 인광 물질의 인광 양자 수율 (20 ℃) 이 10 % 이상이고 인광 λ최대 (인광 방출 최대) 가 400 ㎚ 내지 700 ㎚ 의 범위인 것이 바람직하고, 인광 양자 수율 (20 ℃) 이 15 % 이상이고 인광 λ최대 가 400 ㎚ 내지 575 ㎚ 의 범위인 것이 더욱 바람직하고, 인광 양자 수율 (20 ℃) 이 20 % 이상이고 인광 λ최대 가 400 ㎚ 내지 560 ㎚ 의 범위인 것이 더욱더 바람직하다.
본 발명의 금속 착체는 전극 쌍 사이의 임의의 층에 혼입되고, 바람직하게는 정공 주입/정공 수송층 및/또는 발광층 (광-방출층), 더욱 바람직하게는 발광층에 혼입된다. 본 발명의 금속 착체가 발광층에 혼입되는 경우, 발광층 내의 인광 방출성 화합물의 밀도는 발광층의 질량을 기준으로 각각 바람직하게는 1 내지 30 질량% 의 범위, 더욱 바람직하게는 2 내지 20 질량% 의 범위, 더욱더 바람직하게는 3 내지 15 질량% 의 범위이다.
네 갈래 또는 그 초과의 다중 갈래 리간드를 가지는 본 발명의 금속 착체의 바람직한 구현예는 화학식 1 로 표시된다. 화학식 1 로 표시되는 금속 착체의 바람직한 구현예는 화학식 2, 5, 9, 또는 10 으로 표시되는 것이다.
Figure 112005066522505-pct00014
화학식 2 로 표시되는 금속 착체의 바람직한 구현예는 화학식 3 으로 표시되는 것이다.
Figure 112005066522505-pct00015
화학식 9 로 표시되는 금속 착체의 바람직한 구현예는 화학식 6 또는 7 로 표시되는 것이고, 화학식 7 로 표시되는 금속 착체의 바람직한 구현예는 화학식 11 로 표시되는 것이다.
화학식 10 으로 표시되는 금속 착체의 바람직한 구현예는 화학식 12 로 표시되는 것이다.
Figure 112005066522505-pct00016
Figure 112005066522505-pct00017
하기에, 화학식 1 로 표시되는 화합물을 설명할 것이다.
M11 은 금속 이온을 나타낸다. 금속 이온은 특별히 제한되지는 않지만, 2가 또는 3가 금속 이온이 바람직하다. 2가 또는 3가 금속 이온으로서, 백금, 이리듐, 레늄, 팔라듐, 로듐, 루테늄, 구리, 유로퓸, 가돌리늄, 및 테르븀 이온이 바람직하다. 이러한 이온 중, 백금, 이리듐 및 유로퓸 이온이 더욱 바람직하고; 백금 및 이리듐 이온이 더욱더 바람직하고; 백금 이온이 특히 바람직하다.
L11, L12, L13, 및 L14 각각은 M11 에 배위결합하는 리간드를 나타낸다. L11, L12, L13, 또는 L14 에 포함되고, M11 에 배위결합하는 원자로서, 질소, 산소, 황, 및 탄소 원자가 바람직하고, 질소, 산소 및 탄소 원자가 더욱 바람직하다.
M11 과 L11, L12, L13, 또는 L14 사이에 형성되는 결합은 공유결합, 이온결합, 또는 배위결합일 수 있다. L11, Y12, L12, Y11, L13, Y13, 및 L14 로 구성되는 리간드는 바람직하게는 음이온성 리간드 (즉, 리간드의 하나 이상의 음이온이 금속에 결합하는 리간드) 이다. 음이온성 리간드의 음이온의 수는 바람직하게는 1 내지 3, 더욱 바람직하게는 1 또는 2, 더욱더 바람직하게는 2 이다.
탄소 원자를 통해 M11 에 배위결합하는 L11, L12, L13, 또는 L14 는 특별히 제한되지는 않는다. 이러한 리간드의 예로는 이미노 리간드, 방향족 카르보시클릭 리간드 (예를 들어, 벤젠, 나프탈렌, 안트라센, 페난트라센 리간드), 헤테로시클릭 리간드 {예를 들어, 티오펜, 피리딘, 피라진, 피리미딘, 티아졸, 옥사졸, 피롤, 이미다졸, 피라졸 리간드, 이러한 고리들을 포함하는 축합 고리 (예를 들어, 퀴놀린, 벤조티아졸 리간드), 및 이러한 고리들의 호변이체} 가 포함된다.
질소 원자를 통해 M11 에 배위결합하는 L11, L12, L13, 또는 L14 는 특별히 제한되지는 않는다. 이러한 리간드의 예로는 질소-포함 헤테로시클릭 리간드 {예를 들어, 피리딘, 피라진, 피리미딘, 피리다진, 트리아진, 티아졸, 옥사졸, 피롤, 이미다졸, 피라졸, 트리아졸, 옥사디아졸, 및 티아디아졸 리간드, 임의의 이러한 리간드를 포함하는 축합 고리 (예를 들어, 퀴놀린, 벤즈옥사졸, 벤즈이미다졸 리간드), 및 이러한 리간드의 호변이체 (본 발명에서 호변이체는, 일반적인 호변이체에 더하여, 하기 예들이 또한 호변이체에 포함된다는 것을 의미하는 것으로 정의된다; 예를 들어, 화합물 (24) 의 5-원 헤테로시클릭 리간드, 화합물 (64) 의 말단 5-원 헤테로시클릭 리간드, 및 화합물 (145) 의 5-원 헤테로시클릭 리간드는 피롤 호변이체로서 정의된다)}, 및 아미노 리간드 {예를 들어, 알킬아미노 리간드 (탄소수가 바람직하게는 2 내지 30 의 범위, 더욱 바람직하게는 2 내지 20 의 범위, 특히 바람직하게는 2 내지 10 의 범위인 것들; 예를 들어, 메틸아미노), 아릴아미노 리간드 (예를 들어, 페닐아미노), 아실아미노 리간드 (탄소수가 바람직하게는 2 내지 30 의 범위, 더욱 바람직하게는 2 내지 20 의 범위, 특히 바람직하게는 2 내지 10 의 범위인 것들; 예를 들어, 아세틸아미노, 벤조일아미노), 알콕시카르보닐아미노 리간드 (탄소수가 바람직하게는 2 내지 30 의 범위, 더욱 바람직하게는 2 내지 20 의 범위, 특히 바람직하게는 2 내지 12 의 범위인 것들; 예를 들어, 메톡시카르보닐아미노), 아릴옥시카르보닐아미노 리간드 (탄소수가 바람직하게는 7 내지 30 의 범위, 더욱 바람직하게는 7 내지 20 의 범위, 특히 바람직하게는 7 내지 12 의 범위인 것들; 예를 들어, 페닐옥시카르보닐아미노), 설포닐아미노 리간드 (탄소수가 바람직하게는 1 내지 30 의 범위, 더욱 바람직하게는 1 내지 20 의 범위, 특히 바람직하게는 1 내지 12 의 범위인 것들; 예를 들어, 메탄 설포닐아미노, 벤젠 설포닐아미노), 이미노 리간드} 가 포함된다. 이러한 리간드는 치환기로 추가로 치 환될 수 있다.
산소 원자를 통해 M11 에 배위결합하는 L11, L12, L13, 또는 L14 는 특별히 제한되지는 않는다. 이러한 리간드의 예로는 알콕시 리간드 (탄소수가 바람직하게는 1 내지 30 의 범위, 더욱 바람직하게는 1 내지 20 의 범위, 특히 바람직하게는 1 내지 10 의 범위인 것들; 예를 들어, 메톡시, 에톡시, 부톡시, 2-에틸헥실옥시), 아릴옥시 리간드 (탄소수가 바람직하게는 6 내지 30 의 범위, 더욱 바람직하게는 6 내지 20 의 범위, 특히 바람직하게는 6 내지 12 의 범위인 것들; 예를 들어, 페닐옥시, 1-나프틸옥시, 2-나프틸옥시), 헤테로시클릭 옥시 리간드 (탄소수가 바람직하게는 1 내지 30 의 범위, 더욱 바람직하게는 1 내지 20 의 범위, 특히 바람직하게는 1 내지 12 의 범위인 것들; 예를 들어, 피리딜옥시, 피라질옥시, 피리미딜옥시, 퀴놀릴옥시), 아실옥시 리간드 (탄소수가 바람직하게는 2 내지 30 의 범위, 더욱 바람직하게는 2 내지 20 의 범위, 특히 바람직하게는 2 내지 10 의 범위인 것들; 예를 들어, 아세톡시, 벤조일옥시), 실릴옥시 리간드 (탄소수가 바람직하게는 3 내지 40 의 범위, 더욱 바람직하게는 3 내지 30 의 범위, 특히 바람직하게는 3 내지 24 의 범위인 것들; 예를 들어, 트리메틸실릴옥시, 트리페닐 실릴옥시), 카르보닐 리간드 (예를 들어, 케톤 리간드, 에스테르 리간드, 아미드 리간드), 및 에테르 리간드 (예를 들어, 디알킬에테르 리간드, 디아릴에테르 리간드, 푸릴 리간드) 가 포함된다.
황 원자를 통해 M11 에 배위결합하는 L11, L12, L13, 또는 L14 는 특별히 제한 되지는 않는다. 이러한 리간드의 예로는 알킬티오 리간드 (탄소수가 바람직하게는 1 내지 30 의 범위, 더욱 바람직하게는 1 내지 20 의 범위, 특히 바람직하게는 1 내지 12 의 범위인 것들; 예를 들어, 메틸티오, 에틸티오), 아릴티오 리간드 (탄소수가 바람직하게는 6 내지 30 의 범위, 더욱 바람직하게는 6 내지 20 의 범위, 특히 바람직하게는 6 내지 12 의 범위인 것들; 예를 들어, 페닐티오), 헤테로시클릭 티오 리간드 (탄소수가 바람직하게는 1 내지 30 의 범위, 더욱 바람직하게는 1 내지 20 의 범위, 특히 바람직하게는 1 내지 12 의 범위인 것들; 예를 들어, 피리딜티오, 2-벤즈이미다졸릴티오, 2-벤즈옥사졸릴티오, 2-벤즈티아졸릴티오), 티오카르보닐 리간드 (예를 들어, 티오케톤 리간드, 티오에스테르 리간드), 및 티오에테르 리간드 (예를 들어, 디알킬티오에테르 리간드, 디아릴티오에테르 리간드, 티오푸릴 리간드) 가 포함된다. 추가로, 이러한 리간드는 치환기로 추가로 치환될 수 있다.
바람직하게는, L11 및 L14 각각은 방향족 카르보시클릭 리간드, 알킬옥시 리간드, 아릴옥시 리간드, 에테르 리간드, 알킬티오 리간드, 아릴티오 리간드, 알킬아미노 리간드, 아릴아미노 리간드, 아실아미노 리간드, 및 질소-포함 헤테로시클릭 리간드 (예를 들어, 피리딘, 피라진, 피리미딘, 피리다진, 트리아진, 티아졸, 옥사졸, 피롤, 이미다졸, 피라졸, 트리아졸, 옥사디아졸, 및 티아디아졸 리간드; 임의의 이러한 리간드를 포함하는 축합 리간드 (예를 들어, 퀴놀린, 벤즈옥사졸, 벤즈이미다졸 리간드); 및 임의의 이러한 리간드의 호변이체) 이다. 이러한 리 간드 중, 방향족 카르보시클릭 리간드, 아릴옥시 리간드, 아릴티오 리간드, 아릴아미노 리간드, 피리딘 리간드, 피라진 리간드, 이미다졸 리간드, 임의의 이러한 리간드를 포함하는 축합 리간드 (예를 들어, 퀴놀린, 퀴녹살린, 벤즈이미다졸 리간드); 및 임의의 이러한 리간드의 호변이체가 더욱 바람직하다. 방향족 카르보시클릭 리간드, 아릴옥시 리간드, 아릴티오 리간드, 및 아릴아미노 리간드가 더욱더 바람직하고, 방향족 카르보시클릭 리간드 및 아릴옥시 리간드가 가장 바람직하다.
L12 및 L13 각각은 바람직하게는, M11 과 배위결합을 형성하는 리간드이다. M11 과 배위결합을 형성하는 리간드로서, 피리딘 고리, 피라진 고리, 피리미딘 고리, 트리아진 고리, 티아졸 고리, 옥사졸 고리, 피롤 고리, 트리아졸 고리, 임의의 이러한 고리를 포함하는 축합 고리 (예를 들어, 퀴놀린, 벤즈옥사졸, 벤즈이미다졸, 및 인돌레닌 고리); 및 임의의 이러한 고리의 호변이체가 바람직하다. 이들 중, 피리딘 고리, 피라진 고리, 피리미딘 고리, 피롤 고리, 임의의 이러한 고리를 포함하는 축합 고리 (예를 들어, 퀴놀린, 벤즈피롤 고리); 및 임의의 이러한 고리의 호변이체가 바람직하다. 피리딘 고리, 피라진 고리, 피리미딘 고리, 및 임의의 이러한 고리를 포함하는 축합 고리 (예를 들어, 퀴놀린 고리) 가 더욱 바람직하다. 피리딘 고리, 및 피리딘 고리를 포함하는 축합 고리 (예를 들어, 퀴놀린 고리) 가 특히 바람직하다.
L15 는 M11 에 배위결합하는 리간드를 나타낸다. L15 는 바람직하게는 한 갈래 내지 네 갈래 리간드이고, 더욱 바람직하게는 음이온성, 한 갈래 내지 네 갈래 리간드이다. 음이온성, 한 갈래 내지 네 갈래 리간드는 특별히 제한되지는 않지만, 바람직하게는 할로겐 리간드, 1,3-디케톤 리간드 (예를 들어, 아세틸아세톤 리간드), 피리딘 리간드를 포함하는 1가 음이온성 두 갈래 리간드 (예를 들어, 피콜린산, 2-(2-히드록시페닐)-피리딘 리간드), 및 L11, Y12, L12, Y11, L13, Y13, 및 L14 로 형성되는 네 갈래 리간드; 더욱 바람직하게는 1,3-디케톤 리간드 (예를 들어, 아세틸아세톤 리간드), 피리딘 리간드를 포함하는 1가 음이온성 두 갈래 리간드 (예를 들어, 피콜린산, 2-(2-히드록시페닐)-피리딘 리간드), 및 L11, Y12, L12, Y11, L13, Y13, 및 L14 로 형성되는 네 갈래 리간드; 더욱더 바람직하게는 1,3-디케톤 리간드 (예를 들어, 아세틸아세톤 리간드), 및 피리딘 리간드를 포함하는 1가 음이온성 두 갈래 리간드 (예를 들어, 피콜린산, 2-(2-히드록시페닐)-피리딘 리간드); 특히 바람직하게는 1,3-디케톤 리간드 (예를 들어, 아세틸아세톤 리간드) 이다. 배위수 및 리간드수는 금속의 배위수를 초과하지 않는다. L15 는 L11 및 L14 둘 다에 결합하여 그들과 함께 시클릭 리간드를 형성하지는 않는다.
Y11, Y12, 및 Y13 각각은 연결기, 단일 결합 또는 이중 결합을 나타낸다. 연결기는 특별히 제한되지는 않는다. 연결기의 예로는 카르보닐 연결기, 티오카르보닐 연결기, 알킬렌기, 알케닐렌기, 아릴렌기, 헤테로아릴렌기, 산소 원자-연 결기, 질소 원자-연결기, 규소 원자-연결기, 및 이러한 기들의 조합을 포함하는 연결기가 포함된다. L11 과 Y12 사이의 결합, Y12 와 L12 사이의 결합, L12 와 Y11 사이의 결합, Y11 과 L13 사이의 결합, L13 과 Y13 사이의 결합, 및 Y13 과 L14 사이의 결합 각각은 단일 결합, 또는 이중 결합을 나타낸다.
Y11, Y12, 및 Y13 각각은 바람직하게는 단일 결합, 이중 결합, 카르보닐 연결기, 알킬렌 연결기 또는 알케닐렌기이다. Y11 은 더욱 바람직하게는 단일 결합 또는 알킬렌기이고, 더욱더 바람직하게는 알킬렌기이다. Y12 및 Y13 각각은 더욱 바람직하게는 단일 결합 또는 알케닐렌기, 더욱더 바람직하게는 단일 결합이다.
Y12, L11, L12, 및 M11 에 의해 형성된 고리, Y11, L12, L13, 및 M11 에 의해 형성된 고리, 및 Y13, L13, L14, 및 M11 에 의해 형성된 고리의 구성원 개수 각각은 바람직하게는 4 내지 10 의 범위, 더욱 바람직하게는 5 내지 7 의 범위, 더욱더 바람직하게는 5 또는 6 이다.
n11 은 0 내지 4 를 나타낸다. M11 이 배위수 4 의 금속인 경우, n11 은 0 이다. M11 이 배위수 6 의 금속인 경우, n11 은 바람직하게는 1 또는 2, 더욱 바람직하게는 1 이다. M11 이 배위수 6 의 금속이고, n11 이 1 인 경우, L15 는 두 갈래 리간드를 나타낸다. M11 이 배위수 6 의 금속이고, n11 이 2 인 경우, L15 는 한 갈래 리간드를 나타낸다. M11 이 배위수 8 의 금속인 경우, n11 은 바람직하게는 1 내지 4, 더욱 바람직하게는 1 또는 2, 더욱더 바람직하게는 1 이다. M11 이 배위수 8 의 금속이고, n11 이 1 인 경우, L15 는 네 갈래 리간드를 나타내는 반면, n11 이 2 인 경우에는, L15 는 두 갈래 리간드를 나타낸다. n11 이 2 이상인 경우, 복수의 L15 들은 서로 동일 또는 상이한 것일 수 있다.
다음으로, 화학식 2 로 표시되는 화합물을 설명할 것이다.
M21 은 상기언급한 M11 의 것과 동일한 의미를 가지고 그 바람직한 범위도 동일하다.
Q21 및 Q22 각각은 질소-포함 헤테로사이클 (M21 에 배위결합하는 질소 원자를 포함하는 고리) 을 형성하는 기를 나타낸다. Q21 또는 Q22 에 의해 형성되는 질소-포함 헤테로사이클은 특별히 한정되지는 않고, 그 예로는 피리딘 고리, 피라진 고리, 피리미딘 고리, 트리아진 고리, 티아졸 고리, 옥사졸 고리, 피롤 고리, 트리아졸 고리, 임의의 이러한 고리를 포함하는 축합 고리 (예를 들어, 퀴놀린, 벤즈옥사졸, 벤즈이미다졸, 및 인돌레닌 고리); 및 이러한 고리의 호변이체가 포함된다.
Q21 또는 Q22 에 의해 형성되는 질소-포함 헤테로사이클은 바람직하게는 피리딘 고리, 피라진 고리, 피리미딘 고리, 피리다진 고리, 트리아진 고리, 피라졸 고리, 이미다졸 고리, 옥사졸 고리, 피롤 고리, 벤즈아졸 고리, 임의의 이러한 고리 를 포함하는 축합 고리 (예를 들어, 퀴놀린, 벤즈옥사졸, 및 벤즈이미다졸 고리); 및 임의의 이러한 고리의 호변이체이다. Q21 또는 Q22 에 의해 형성되는 질소-포함 헤테로사이클은 더욱 바람직하게는 피리딘 고리, 피라진 고리, 피리미딘 고리, 이미다졸 고리, 피롤 고리, 임의의 이러한 고리를 포함하는 축합 고리 (예를 들어, 퀴놀린 고리); 및 임의의 이러한 고리의 호변이체이다. Q21 또는 Q22 에 의해 형성되는 질소-포함 헤테로사이클은 더 바람직하게는 피리딘 고리, 피리딘 고리를 포함하는 축합 고리 (예를 들어, 퀴놀린 고리); 특히 바람직하게는 피리딘 고리이다.
X21 및 X22 각각은 바람직하게는 산소 원자, 황 원자, 또는 치환 또는 비치환 질소 원자이다. 이들 각각은 더욱 바람직하게는 산소 원자, 황 원자, 또는 치환 질소 원자; 더 바람직하게는 산소 원자 또는 황 원자; 특히 바람직하게는 산소 원자이다.
Y21 은 상기언급한 Y11 의 것과 동일한 의미를 가지고 그 바람직한 범위도 동일하다.
Y22 및 Y23 각각은 단일 결합 또는 연결기, 바람직하게는 단일 결합을 나타낸다. 연결기는 특별히 제한되지는 않는다. 연결기의 예로는 카르보닐-연결기, 티오카르보닐-연결기, 알킬렌기, 알케닐렌기, 아릴렌기, 헤테로 아릴렌기, 산소 원자-연결기, 질소 원자-연결기, 및 임의의 이러한 연결기의 조합에 의해 형성된 연결기가 포함된다.
상기언급한 연결기로서, 카르보닐 연결기, 알킬렌 연결기 및 알케닐렌 연결기가 바람직하다. 이들 중, 카르보닐 연결기 및 알케닐렌 연결기가 더욱 바람직하고, 카르보닐-연결기가 더욱더 바람직하다.
R21, R22, R23, 및 R24 각각은 수소 원자, 또는 치환기를 나타낸다. 치환기는 특별히 한정되지는 않는다. 치환기의 예로는 알킬기 (바람직하게는 탄소수가 1 내지 30, 더욱 바람직하게는 탄소수가 1 내지 20, 특히 바람직하게는 탄소수가 1 내지 10 임, 예를 들어, 메틸, 에틸, 이소-프로필, tert-부틸, n-옥틸, n-데실, n-헥사데실, 시클로프로필, 시클로펜틸, 시클로헥실), 알케닐기 (바람직하게는 탄소수가 2 내지 30, 더욱 바람직하게는 탄소수가 2 내지 20, 특히 바람직하게는 탄소수가 2 내지 10 임, 예를 들어, 비닐, 알릴, 2-부테닐, 3-펜테닐), 알키닐기 (바람직하게는 탄소수가 2 내지 30, 더욱 바람직하게는 탄소수가 2 내지 20, 특히 바람직하게는 탄소수가 2 내지 10 임, 예를 들어, 프로파르길, 3-펜티닐), 아릴기 (바람직하게는 탄소수가 6 내지 30, 더욱 바람직하게는 탄소수가 6 내지 20, 특히 바람직하게는 탄소수가 6 내지 12 임, 예를 들어, 페닐, p-메틸페닐, 나프틸, 안트라닐), 아미노기 (바람직하게는 탄소수가 0 내지 30, 더욱 바람직하게는 탄소수가 0 내지 20, 특히 바람직하게는 탄소수가 0 내지 10 임, 예를 들어, 아미노, 메틸아미노, 디메틸아미노, 디에틸아미노, 디벤질아미노, 디페닐아미노, 디톨릴아미노), 알콕시기 (바람직하게는 탄소수가 1 내지 30, 더욱 바람직하게는 탄소수가 1 내지 20, 특히 바람직하게는 탄소수가 1 내지 10 임, 예를 들어, 메톡시, 에톡시, 부톡 시, 2-에틸헥실옥시), 아릴옥시기 (바람직하게는 탄소수가 6 내지 30, 더욱 바람직하게는 탄소수가 6 내지 20, 특히 바람직하게는 탄소수가 6 내지 12 임, 예를 들어, 페닐옥시, 1-나프틸옥시, 2-나프틸옥시), 헤테로시클릭 옥시기 (바람직하게는 탄소수가 1 내지 30, 더욱 바람직하게는 탄소수가 1 내지 20, 특히 바람직하게는 탄소수가 1 내지 12 임, 예를 들어, 피리딜옥시, 피라질옥시, 피리미딜옥시, 퀴놀릴옥시), 아실기 (바람직하게는 탄소수가 1 내지 30, 더욱 바람직하게는 탄소수가 1 내지 20, 특히 바람직하게는 탄소수가 1 내지 12 임, 예를 들어, 아세틸, 벤조일, 포르밀, 피발로일), 알콕시카르보닐기 (바람직하게는 탄소수가 2 내지 30, 더욱 바람직하게는 탄소수가 2 내지 20, 특히 바람직하게는 탄소수가 2 내지 12 임, 예를 들어, 메톡시카르보닐, 에톡시카르보닐), 아릴옥시카르보닐기 (바람직하게는 탄소수가 7 내지 30, 더욱 바람직하게는 탄소수가 7 내지 20, 특히 바람직하게는 탄소수가 7 내지 12 임, 예를 들어, 페닐옥시카르보닐), 아실옥시기 (바람직하게는 탄소수가 2 내지 30, 더욱 바람직하게는 탄소수가 2 내지 20, 특히 바람직하게는 탄소수가 2 내지 10 임, 예를 들어, 아세톡시, 벤조일옥시), 아실아미노기 (바람직하게는 탄소수가 2 내지 30, 더욱 바람직하게는 탄소수가 2 내지 20, 특히 바람직하게는 탄소수가 2 내지 10 임, 예를 들어, 아세틸아미노, 벤조일아미노), 알콕시카르보닐아미노기 (바람직하게는 탄소수가 2 내지 30, 더욱 바람직하게는 탄소수가 2 내지 20, 특히 바람직하게는 탄소수가 2 내지 12 임, 예를 들어, 메톡시카르보닐아미노), 아릴옥시카르보닐아미노기 (바람직하게는 탄소수가 7 내지 30, 더욱 바람직하게는 탄소수가 7 내지 20, 특히 바람직하게는 탄소수가 7 내지 12 임, 예를 들 어, 페닐옥시카르보닐아미노), 설포닐아미노기 (바람직하게는 탄소수가 1 내지 30, 더욱 바람직하게는 탄소수가 1 내지 20, 특히 바람직하게는 탄소수가 1 내지 12 임, 예를 들어, 메탄설포닐아미노, 벤젠설포닐아미노), 설파모일기 (바람직하게는 탄소수가 0 내지 30, 더욱 바람직하게는 탄소수가 0 내지 20, 특히 바람직하게는 탄소수가 0 내지 12 임, 예를 들어, 설파모일, 메틸설파모일, 디메틸설파모일, 페닐설파모일), 카르바모일기 (바람직하게는 탄소수가 1 내지 30, 더욱 바람직하게는 탄소수가 1 내지 20, 특히 바람직하게는 탄소수가 1 내지 12 임, 예를 들어, 카르바모일, 메틸카르바모일, 디에틸카르바모일, 페닐카르바모일), 알킬 티오기 (바람직하게는 탄소수가 1 내지 30, 더욱 바람직하게는 탄소수가 1 내지 20, 특히 바람직하게는 탄소수가 1 내지 12 임, 예를 들어, 메틸티오, 에틸티오), 아릴 티오기 (바람직하게는 탄소수가 6 내지 30, 더욱 바람직하게는 탄소수가 6 내지 20, 특히 바람직하게는 탄소수가 6 내지 12 임, 예를 들어, 페닐티오), 헤테로시클릭 티오기 (바람직하게는 탄소수가 1 내지 30, 더욱 바람직하게는 탄소수가 1 내지 20, 특히 바람직하게는 탄소수가 1 내지 12 임, 예를 들어, 피리딜 티오, 2-벤즈이미다졸릴 티오, 2-벤즈옥사졸릴 티오, 2-벤즈티아졸릴 티오), 설포닐기 (바람직하게는 탄소수가 1 내지 30, 더욱 바람직하게는 탄소수가 1 내지 20, 특히 바람직하게는 탄소수가 1 내지 12 임, 예를 들어, 메실, 토실), 설피닐기 (바람직하게는 탄소수가 1 내지 30, 더욱 바람직하게는 탄소수가 1 내지 20, 특히 바람직하게는 탄소수가 1 내지 12 임, 예를 들어, 메탄설피닐, 벤젠설피닐), 우레이도기 (바람직하게는 탄소수가 1 내지 30, 더욱 바람직하게는 탄소수가 1 내지 20, 특히 바람직하게는 탄소 수가 1 내지 12 임, 예를 들어, 우레이도, 메틸우레이도, 페닐우레이도), 인산 아미도기 (바람직하게는 탄소수가 1 내지 30, 더욱 바람직하게는 탄소수가 1 내지 20, 특히 바람직하게는 탄소수가 1 내지 12 임, 예를 들어, 디에틸 포스포아미도, 페닐 포스포아미도), 히드록실기, 메르캅토기, 할로겐 원자 (예를 들어, 불소, 염소, 브롬, 요오드), 시아노기, 설포기, 카르복실기, 니트로기, 히드록삼산기, 설피노기, 히드라지노기, 이미노기, 헤테로시클릭기 (바람직하게는 탄소수가 1 내지 30, 더욱 바람직하게는 탄소수가 1 내지 12 이고, 질소, 산소 및 황과 같은 헤테로 원자를 포함함, 구체적으로 예를 들어, 이미다졸릴, 피리딜, 퀴놀릴, 푸릴, 티에닐, 피페리딜, 모르폴리노, 벤즈옥사졸릴, 벤즈이미다졸릴, 벤즈티아졸릴, 카르바졸릴, 아제피닐), 실릴기 (바람직하게는 탄소수가 3 내지 40, 더욱 바람직하게는 탄소수가 3 내지 30, 특히 바람직하게는 탄소수가 3 내지 24 임, 예를 들어, 트리메틸실릴, 트리페닐실릴), 및 실릴옥시기 (바람직하게는 탄소수가 3 내지 40, 더욱 바람직하게는 탄소수가 3 내지 30, 특히 바람직하게는 탄소수가 3 내지 24 임, 예를 들어, 트리메틸실릴옥시, 트리페닐실릴옥시) 가 포함된다. 이러한 치환기들은 추가로 또다른 치환기로 치환될 수 있다.
바람직하게는, R21, R22, R23, 및 R24 각각은 알킬기, 아릴기, R21 과 R22 사이에, 또는 R23 과 R24 사이에 결합을 형성함으로써 축합 고리 (예를 들어, 벤조-축합 고리, 피리딘-축합 고리) 를 형성하는 기이다. 더욱 바람직하게는, R21, R22, R23, 및 R24 각각은 R21 과 R22 사이에, 또는 R23 과 R24 사이에 결합을 형성함으로써 축합 고리 (예를 들어, 벤조-축합 고리, 피리딘-축합 고리) 를 형성하는 기이다.
L25 는 상기언급한 L15 의 것과 동일한 의미를 가지고 그 바람직한 범위도 동일하다.
n21 은 상기언급한 n11 의 것과 동일한 의미를 가지고 그 바람직한 범위도 동일하다.
화학식 2 로 표시되는 금속 착체 중, Q21 에 의해 형성되는 고리 및 Q22 에 의해 형성되는 고리 각각이 피리딘 고리이고, Y21 이 연결기를 나타내는 것들; Q21 에 의해 형성되는 고리 및 Q22 에 의해 형성되는 고리 각각이 피리딘 고리이고, Y21 이 단일 결합 또는 이중 결합을 나타내고, X21 및 X22 각각이 황 원자, 또는 치환 또는 비치환 질소 원자를 나타내는 것들; 및 Q21 에 의해 형성되는 고리 및 Q22 에 의해 형성되는 고리 각각이, 2 개 이상의 질소 원자를 포함하는, 질소-포함 5-원 헤테로사이클 또는 질소-포함 6-원 헤테로사이클인 것들이 바람직하다.
다음으로, 화학식 3 으로 표시되는 화합물을 설명할 것이다.
M31 은 상기언급한 M11 의 것과 동일한 의미를 가지고 그 바람직한 범위도 동일하다.
Z31, Z32, Z33, Z34, Z35, 및 Z36 각각은 치환 또는 비치환 탄소 원자 또는 질소 원자를 나타내고, 치환 또는 비치환 탄소 원자가 바람직하다. 탄소 원자 상의 치환기의 예로는 상기언급한 R21 에서 설명한 것들이 포함된다. 또한, Z31 과 Z32, Z32 와 Z33, Z33 과 Z34, Z34 와 Z35, Z35 와 Z36 각각은 연결기를 통해 서로 결합하여 축합 고리 (예를 들어, 벤조-축합 고리, 피리딘-축합 고리) 를 형성할 수 있다. 대안적으로는, Z31 과 T31, 및 Z36 과 T38 각각이 연결기를 통해 서로 결합하여 축합 고리 (예를 들어, 벤조-축합 고리, 피리딘-축합 고리) 를 형성할 수 있다.
상기언급한 탄소 원자 상의 치환기로서, 알킬기, 알콕시기, 알킬아미노기, 아릴기, 축합 고리 (예를 들어, 벤조-축합 고리, 피리딘-축합 고리) 를 형성하는 기 및 할로겐 원자가 바람직하다. 이들 중, 알킬아미노기, 아릴기, 및 축합 고리 (예를 들어, 벤조-축합 고리, 피리딘-축합 고리) 를 형성하는 기가 더욱 바람직하다. 아릴기, 및 축합 고리 (예를 들어, 벤조-축합 고리, 피리딘-축합 고리) 를 형성하는 기가 더욱더 바람직하다. 축합 고리 (예를 들어, 벤조-축합 고리, 피리딘-축합 고리) 를 형성하는 기가 가장 바람직하다.
T31, T32, T33, T34, T35, T36, T37, 및 T38 각각은 치환 또는 비치환 탄소 원자 또는 질소 원자를 나타내고, 치환 또는 비치환 탄소 원자가 바람직하다. 탄소 원자 상의 치환기의 예로는 상기언급한 R21 에서 설명한 것들이 포함된다. T31 과 T32, T32 와 T33, T33 과 T34, T35 와 T36, T36 과 T37, T37 과 T38 각각은 연결기를 통해서 서로 결합하여 축합 고리 (예를 들어, 벤조-축합 고리) 를 형성할 수 있다.
상기언급한 탄소 원자 상의 치환기로서, 알킬기, 알콕시기, 알킬아미노기, 아릴기, 축합 고리 (예를 들어, 벤조-축합 고리, 피리딘-축합 고리) 를 형성하는 기 및 할로겐 원자가 바람직하다. 이들 중, 아릴기, 축합 고리 (예를 들어, 벤조-축합 고리, 피리딘-축합 고리) 를 형성하는 기, 및 할로겐 원자가 더욱 바람직하다. 아릴기 및 할로겐 원자가 더욱더 바람직하다. 아릴기가 가장 바람직하다.
X31 및 X32 는 각각 상기언급한 X21 및 X22 의 것들과 동일한 의미를 가지고 그 바람직한 범위도 동일하다.
다음으로, 화학식 5 로 표시되는 화합물을 설명할 것이다.
M51 은 상기언급한 M11 의 것과 동일한 의미를 가지고 그 바람직한 범위도 동일하다.
Q51 및 Q52 는 각각 상기언급한 Q21 및 Q22 의 것들과 동일한 의미를 가지고 그 바람직한 범위도 동일하다.
Q53 및 Q54 각각은 질소-포함 헤테로사이클 (M51 에 배위결합하는 질소를 포함하는 고리) 을 형성하는 기를 나타낸다. Q53 또는 Q54 에 의해 형성되는 질소-포 함 헤테로사이클은 특별히 제한되지는 않지만, 피롤 유도체의 호변이체, 이미다졸 유도체의 호변이체 (예를 들어, 화합물 (29) 의 5-원 헤테로시클릭 리간드), 티아졸 유도체의 호변이체 (예를 들어, 화합물 (30) 의 5-원 헤테로시클릭 리간드) 및 옥사졸 유도체의 호변이체 (예를 들어, 화합물 (31) 의 5-원 헤테로시클릭 리간드) 가 바람직하고, 피롤 유도체의 호변이체, 이미다졸 유도체의 호변이체 및 티아졸 유도체의 호변이체가 더욱 바람직하고, 피롤 유도체의 호변이체 및 이미다졸 유도체의 호변이체가 더욱더 바람직하고, 피롤 유도체의 호변이체가 특히 바람직하다.
Y51 은 상기언급한 Y11 의 것과 동일한 의미를 가지고 그 바람직한 범위도 동일하다.
L55 는 상기언급한 L15 의 것과 동일한 의미를 가지고 그 바람직한 범위도 동일하다.
n51 은 상기언급한 n11 의 것과 동일한 의미를 가지고 그 바람직한 범위도 동일하다.
W51 및 W52 각각은 바람직하게는 치환 또는 비치환 탄소 원자 또는 질소 원자이다. 이들 각각은 더욱 바람직하게는 비치환 탄소 원자 또는 질소 원자; 더 바람직하게는 비치환 탄소 원자이다.
다음으로, 화학식 9 로 표시되는 화합물을 설명할 것이다.
MA1, QA1, QA2, YA1, YA2, YA3, RA1, RA2, RA3, RA4, LA5, 및 nA1 은 각각 화학식 2 에서 상기언급한 M21, Q21, Q22, Y21, Y22, Y23, R21, R22, R23, R24, L25, 및 n21 의 것들과 동일한 의미를 가지고 그 바람직한 범위도 동일하다.
다음으로, 화학식 6 으로 표시되는 화합물을 설명할 것이다.
M61 은 상기언급한 M11 의 것과 동일한 의미를 가지고 그 바람직한 범위도 동일하다.
Q61 및 Q62 각각은 고리를 형성하는 기를 나타낸다. Q61 또는 Q62 에 의해 형성되는 고리는 특별히 제한되지는 않는다. 상기 고리로서, 예를 들어, 벤젠, 피리딘, 피리다진, 피리미딘, 티오펜, 이소티아졸, 푸란, 이속사졸 고리 및 이들의 축합 고리가 예시된다.
Q61 또는 Q62 에 의해 형성된 고리는 바람직하게는 벤젠, 피리딘, 티오펜, 또는 티아졸 고리 또는 이의 축합 고리, 더욱 바람직하게는 벤젠 또는 피리딘 고리, 또는 이의 축합 고리, 더욱더 바람직하게는 벤젠 고리 및 이의 축합 고리이다.
Y61 은 상기언급한 Y11 의 것과 동일한 의미를 가지고 그 바람직한 범위도 동일하다.
Y62 및 Y63 각각은 연결기 또는 단일 결합을 나타낸다. 연결기는 특별히 제한되지는 않는다. 연결기의 예로는 카르보닐-연결기, 티오카르보닐-연결기, 알킬렌기, 알케닐렌기, 아릴렌기, 헤테로 아릴렌기, 산소 원자-연결기, 질소 원자- 연결기, 및 이러한 연결기의 조합에 의해 형성된 연결기가 포함된다.
바람직하게는, Y62 및 Y63 각각은 단일 결합, 카르보닐-연결기, 알킬렌 연결기, 또는 알케닐렌기이고, 더욱 바람직하게는 이들 각각은 단일 결합 또는 알케닐렌기, 더욱더 바람직하게는 단일 결합이다.
L65 는 상기언급한 L15 의 것과 동일한 의미를 가지고 그 바람직한 범위도 동일하다.
n61 은 상기언급한 n11 의 것과 동일한 의미를 가지고 그 바람직한 범위도 동일하다.
Z61, Z62, Z63, Z64, Z65, Z66, Z67, 및 Z68 각각은 치환 또는 비치환 탄소 원자 또는 질소 원자를 나타내고, 치환 또는 비치환 탄소 원자가 바람직하다. 탄소 원자 상의 치환기의 예로는 상기언급한 R21 에서 설명한 것들이 포함된다. 또한, Z61 과 Z62, Z62 와 Z63, Z63 과 Z64, Z65 와 Z66, Z66 과 Z67, Z67 과 Z68 각각은 연결기를 통해서 서로 결합하여 축합 고리 (예를 들어, 벤조-축합 고리, 피리딘-축합 고리) 를 형성할 수 있다. Q61 또는 Q62 에 의해 형성된 고리는 연결기를 통해서 각각 Z61 또는 Z68 에 결합하여 고리를 형성할 수 있다.
상기언급한 탄소 원자 상의 치환기로서, 알킬기, 알콕시기, 알킬아미노기, 아릴기, 축합 고리 (예를 들어, 벤조-축합 고리, 피리딘-축합 고리) 를 형성하는 기 및 할로겐 원자가 바람직하다. 이들 중, 알킬아미노기, 아릴기, 및 축합 고리 (예를 들어, 벤조-축합 고리, 피리딘-축합 고리) 를 형성하는 기가 더욱 바람직하다. 아릴기, 및 축합 고리 (예를 들어, 벤조-축합 고리, 피리딘-축합 고리) 를 형성하는 기가 더욱더 바람직하다. 축합 고리 (예를 들어, 벤조-축합 고리, 피리딘-축합 고리) 를 형성하는 기가 가장 바람직하다.
다음으로, 화학식 7 로 표시되는 화합물을 설명할 것이다.
M71 은 상기언급한 M11 의 것과 동일한 의미를 가지고 그 바람직한 범위도 동일하다.
Y71, Y72, 및 Y73 각각은 상기 언급한 Y62 의 것들과 동일한 의미를 가지고 그 바람직한 범위도 동일하다.
L75 는 상기언급한 L15 의 것과 동일한 의미를 가지고 그 바람직한 범위도 동일하다.
n71 은 상기언급한 n11 의 것과 동일한 의미를 가지고 그 바람직한 범위도 동일하다.
Z71, Z72, Z73, Z74, Z75, 및 Z76 각각은 치환 또는 비치환 탄소 원자 또는 질소 원자를 나타내고, 치환 또는 비치환 탄소 원자가 바람직하다. 탄소 원자 상의 치환기의 예로는 상기언급한 R21 에서 설명한 것들이 포함된다. 또한, Z71 과 Z72, 및 Z73 과 Z74 각각은 연결기를 통해서 서로 결합하여 축합 고리 (예를 들어, 벤조-축합 고리, 피리딘-축합 고리) 를 형성할 수 있다.
R71, R72, R73, 및 R74 각각은 상기언급한 화학식 2 에서 R21, R22, R23, 및 R24 의 것들과 동일한 의미를 가지고 그 바람직한 범위도 동일하다.
화학식 11 로 표시되는 화합물을 하기에 설명할 것이다.
RC1 및 RC2 각각은 수소 원자 또는 치환기를 나타낸다. 치환기는 화학식 2 에서 R21 내지 R24 의 치환기의 예로서 예시한 알킬기 또는 아릴기를 나타낸다. RC3, RC4, RC5, 및 RC6 으로 표시되는 치환기도 또한 화학식 2 에서 R21 내지 R24 의 것들과 동일한 의미를 가진다. nC3 및 nC6 각각은 0 내지 3 의 정수를 나타낸다. nC4 및 nC5 각각은 0 내지 4 의 정수를 나타낸다. 2 개 이상의 RC3 들, RC4 들, RC5 들, 또는 RC6 들이 있는 경우, 각각의 RC3 들, RC4 들, RC5 들 또는 RC6 들은 서로 동일 또는 상이한 것일 수 있고, 이들은 서로 결합하여 각각 고리를 형성할 수 있다. RC3, RC4, RC5, 및 RC6 각각은 바람직하게는 알킬기, 아릴기, 헤테로 아릴기, 및 할로겐 원자이다.
다음으로, 화학식 10 으로 표시되는 화합물을 설명할 것이다.
MB1, YB2, YB3, RB1, RB2, RB3, RB4, LB5, nB3, XB1, 및 XB2 각각은 각각 화학식 2 에서 M21, Y22, Y23, R21, R22, R23, R24, L25, n21, X21, 및 X22 의 것들과 동일한 의미를 가지고 그 바람직한 범위도 동일하다. YB1 은 화학식 2 에서 Y21 과 동일한 연결기, 바람직하게는 비닐기 (1- 및 2-위치가 치환함), 페닐렌 고리, 피리딘 고리, 피라진 고리, 피리미딘 고리, 또는 탄소수가 2 내지 8 인 메틸렌기를 나타낸다. RB5 및 RB6 각각은 수소 원자 또는 치환기를 나타낸다. 치환기는 화학식 2 에서 R21 내지 R24 의 치환기의 예로서 예시한 알킬기, 아릴기 또는 헤테로시클릭기를 나타낸다. 그러나, YB1 은 RB5 또는 RB6 에 연결되지 않는다. nB1 및 nB2 각각은 0 내지 1 의 정수를 나타낸다.
다음으로, 화학식 12 로 표시되는 화합물을 설명할 것이다.
RD1, RD2, RD3, 및 RD4 로 표시되는 치환기 각각은 화학식 10 에서 RB5 및 RB6 과 동일한 의미를 가지고 그 바람직한 범위도 동일하다. nD1 및 nD2 각각은 0 내지 4 의 정수를 나타낸다. YD1 은 비닐기 (1- 및 2-위치가 치환함), 페닐렌 고리, 피리딘 고리, 피라진 고리, 피리미딘 고리, 또는 탄소수가 1 내지 8 인 메틸렌기를 나타낸다.
본 발명에 따른 세 갈래 리간드를 포함하는 금속 착체의 바람직한 구현예를 화학식 8 로 예시한다.
다음으로, 화학식 8 로 표시되는 화합물을 설명할 것이다.
M81 은 상기언급한 M11 의 것과 동일한 의미를 가지고 그 바람직한 범위도 동일하다.
L81, L82, 및 L83 은 각각 상기언급한 L11, L12, 및 L14 의 것들과 동일한 의미를 가지고 그 바람직한 범위도 동일하다.
Y81 및 Y82 는 각각 상기언급한 Y11 및 Y12 의 것들과 동일한 의미를 가지고 그 바람직한 범위도 동일하다.
L85 는 M81 에 배위결합하는 리간드를 나타낸다. L85 는 바람직하게는 한 갈래 내지 세 갈래 리간드, 더욱 바람직하게는 한 갈래 내지 세 갈래 음이온성 리간드이다. 한 갈래 내지 세 갈래 음이온성 리간드는 특별히 제한되지는 않지만, 바람직하게는 할로겐 리간드, L81, Y81, L82, Y82, 및 L83 에 의해 형성되는 세 갈래 리간드, 더욱 바람직하게는 L81, Y81, L82, Y82, 및 L83 에 의해 형성되는 세 갈래 리간드이다. L85 는 L81 또는 L83 에 직접 결합하지는 않지만, 금속을 통해서 결합한다. 배위수 및 리간드수는 금속의 배위수를 초과하지 않는다.
n81 은 0 내지 5 를 나타낸다. M81 이 배위수 4 의 금속인 경우, n81 은 1 이고, L85 는 한 갈래 리간드이다. M81 이 배위수 6 의 금속인 경우, n81 은 바람직하게는 1 내지 3, 더욱 바람직하게는 1 또는 3, 더욱더 바람직하게는 1 이다. M81 이 배위수 6 의 금속이고, n81 이 1 인 경우, L85 는 세 갈래 리간드이다. M81 이 배위수 6 의 금속이고, n81 이 2 인 경우, L85 들은 한 갈래 리간드 및 두 갈래 리간드이다. M81 이 배위수 6 의 금속이고, n81 이 3 인 경우, L85 는 한 갈래 리간드이다. M81 이 배위수 8 의 금속인 경우, n81 은 바람직하게는 1 내지 5, 더욱 바람직하게는 1 또는 2, 더욱더 바람직하게는 1 이다. M81 이 배위수 8 의 금속이고, n81 이 1 인 경우, L85 는 다섯 갈래 리간드이고; n81 이 2 인 경우, L85 들은 세 갈래 리간드 및 두 갈래 리간드이고; n81 이 3 인 경우, L85 들은 1 개의 세 갈래 리간드 및 2 개의 한 갈래 리간드이거나, 이들은 2 개의 두 갈래 리간드 및 1 개의 한 갈래 리간드이고; n81 이 4 인 경우, L85 들은 1 개의 두 갈래 리간드 및 3 개의 한 갈래 리간드이고; n81 이 5 인 경우, L85 들은 5 개의 한 갈래 리간드이다. n81 이 2 이상인 경우, 복수의 L85 들은 서로 동일 또는 상이한 것일 수 있다.
화학식 8 로 표시되는 화합물의 바람직한 구현예는, 화학식 8 에서 L81, L82 및 L83 각각이 탄소 원자를 통해서 M81 에 배위결합하는 방향족 카르보사이클 또는 헤테로사이클, 또는 질소 원자를 통해서 M81 에 배위결합하는 질소-포함 헤테로사이클을 나타내는 경우, L81, L82 및 L83 중 하나 이상이 상기 질소-포함 헤테로사이클임 을 보여준다. 탄소 원자를 통해서 M81 에 배위결합하는 방향족 카르보사이클 또는 헤테로사이클, 및 질소 원자를 통해서 M81 에 배위결합하는 질소-포함 헤테로사이클의 예는, 화학식 1 에서 예시한, 탄소 원자를 통해서 M11 에 배위결합하는 리간드 및 질소 원자를 통해서 M11 에 배위결합하는 리간드의 예와 동일한 것들이고, 그 바람직한 범위도 동일하다. Y81 및 Y82 각각은 바람직하게는 단일 결합 또는 메틸렌기이다.
화학식 8 로 표시되는 화합물의 다른 바람직한 구현예는 화학식 13 또는 14 로 표시되는 것들이다.
Figure 112005066522505-pct00018
Figure 112005066522505-pct00019
다음으로, 화학식 13 으로 표시되는 화합물을 설명할 것이다.
M91 은 상기언급한 M81 의 것과 동일한 의미를 가지고 그 바람직한 범위도 동일하다.
Q91 및 Q92 각각은 질소-포함 헤테로사이클 (M91 에 배위결합하는 질소를 포함하는 고리) 을 형성하는 기를 나타낸다. Q91 또는 Q92 에 의해 형성되는 질소-포함 헤테로사이클은 특별히 제한되지는 않지만, 바람직하게는 피리딘, 피라진, 피리미딘, 피리다진, 트리아진, 티아졸, 옥사졸, 피롤, 피라졸, 이미다졸, 또는 트리아졸 고리, 또는 임의의 이러한 고리를 포함하는 축합 고리 (예를 들어, 퀴놀린, 벤즈옥사졸, 벤즈이미다졸, 및 인돌레닌 고리); 또는 임의의 이러한 고리의 호변이체이다.
Q91 또는 Q92 에 의해 형성되는 질소-포함 헤테로사이클은 바람직하게는 피리딘, 피라졸, 티아졸, 이미다졸, 또는 피롤 고리, 또는 임의의 이러한 고리를 포함하는 축합 고리 (예를 들어, 퀴놀린, 벤조티아졸, 벤즈이미다졸, 및 인돌레닌 고리) 또는 임의의 이러한 고리의 호변이체, 더욱 바람직하게는 피리딘 또는 피롤 고리, 또는 임의의 이러한 고리를 포함하는 축합 고리 (예를 들어, 퀴놀린 고리) 또는 임의의 이러한 고리의 호변이체, 더욱더 바람직하게는 피리딘 고리, 및 피리딘 고리를 포함하는 축합 고리, 특히 바람직하게는 피리딘 고리이다.
Q93 은 질소-포함 헤테로사이클 (M91 에 배위결합하는 질소를 포함하는 고리) 을 형성하는 기를 나타낸다. Q93 에 의해 형성되는 질소-포함 헤테로사이클은 특별히 제한되지는 않지만, 바람직하게는 피롤, 이미다졸 또는 트리아졸 고리 또는 임의의 이러한 고리를 포함하는 축합 고리 (예를 들어, 벤즈피롤 고리) 의 호변이체, 더욱 바람직하게는 피롤 고리의 호변이체, 또는 피롤 고리를 포함하는 축합 고리 (예를 들어, 벤즈피롤 고리) 의 호변이체이다.
W91 및 W92 는 각각 상기언급한 W51 및 W52 의 것들과 동일한 의미를 가지고 그 바람직한 범위도 동일하다.
L95 는 상기언급한 L85 의 것과 동일한 의미를 가지고 그 바람직한 범위도 동일하다.
n91 은 상기언급한 n81 의 것과 동일한 의미를 가지고 그 바람직한 범위도 동일하다.
다음으로, 화학식 14 로 표시되는 화합물을 설명할 것이다.
M101 은 상기언급한 M81 의 것과 동일한 의미를 가지고 그 바람직한 범위도 동일하다.
Q102 는 상기언급한 Q21 의 것과 동일한 의미를 가지고 그 바람직한 범위도 동일하다.
Q101 은 상기언급한 Q91 의 것과 동일한 의미를 가지고 그 바람직한 범위도 동일하다.
Q103 은 방향족 고리를 형성하는 기를 나타낸다. Q103 에 의해 형성되는 방향족 고리는 특별히 제한되지는 않지만, 바람직하게는 벤젠, 푸란, 티오펜, 또는 피롤 고리 또는 임의의 이러한 고리를 포함하는 축합 고리 (예를 들어, 나프탈렌 고리), 더욱 바람직하게는 벤젠 고리, 또는 벤젠 고리를 포함하는 축합 고리 (예를 들어, 나프탈렌 고리), 특히 바람직하게는 벤젠 고리이다.
Y101 및 Y102 각각은 상기언급한 Y22 의 것들과 동일한 의미를 가지고 그 바람직한 범위도 동일하다.
L105 는 상기언급한 L85 의 것과 동일한 의미를 가지고 그 바람직한 범위도 동 일하다.
n101 은 상기언급한 n81 의 것과 동일한 의미를 가지고 그 바람직한 범위도 동일하다.
X101 은 상기언급한 X21 의 것과 동일한 의미를 가지고 그 바람직한 범위도 동일하다.
본 발명의 화합물은 저분자 화합물일 수 있고, 또는 폴리스티렌으로 환산하여 계산한 중량-평균 분자량이 바람직하게는 1,000 내지 5,000,000 의 범위, 더욱 바람직하게는 2,000 내지 1,000,000 의 범위, 더욱더 바람직하게는 3,000 내지 100,000 의 범위인 올리고머 화합물 또는 중합체 화합물일 수 있다. 중합체 화합물에 관하여, 예를 들어, 화학식 1 로 표시되는 구조가 중합체의 주 사슬에 또는 중합체의 측 사슬에 포함될 수 있다. 또한, 중합체 화합물은 단독중합체 또는 공중합체일 수 있다. 본 발명의 화합물은 바람직하게는 저분자 화합물이다.
본 발명의 세 갈래 리간드를 가지는 금속 착체의 또다른 바람직한 구현예는 화학식 X1 로 표시되는 금속 착체이다. 화학식 X1 로 표시되는 금속 착체 중, 화학식 X2 로 표시되는 금속 착체가 바람직하고, 화학식 X3 으로 표시되는 금속 착체가 더욱 바람직하다.
화학식 X1 로 표시되는 화합물을 설명할 것이다.
MX1 은 금속 이온을 나타낸다. 금속 이온은 특별히 제한되지는 않지만, 1가 내지 3가 금속 이온이 바람직하고, 2가 또는 3가 금속 이온이 더욱 바람직하 고, 3가 금속 이온이 더욱더 바람직하다. 구체적으로는, 백금, 이리듐, 레늄, 팔라듐, 로듐, 루테늄, 구리, 유로퓸, 가돌리늄, 및 테르븀 이온이 바람직하다. 이러한 이온 중, 백금, 이리듐 및 유로퓸 이온이 더욱 바람직하고, 백금 및 이리듐 이온이 더욱더 바람직하고, 이리듐 이온이 특히 바람직하다.
QX11, QX12, QX13, QX14, QX15, 및 QX16 각각은 MX1 에 배위결합하는 원자 또는 MX1 에 배위결합하는 원자를 가지는 원자단을 나타낸다. QX11, QX12, QX13, QX14, QX15, 또는 QX16 이 MX1 에 배위결합하는 원자를 나타내는 경우, 상기 원자의 구체적인 예로는 탄소 원자, 질소 원자, 산소 원자, 규소 원자, 인 원자, 및 황 원자가 포함되고; 바람직하게는 상기 원자는 질소 원자, 산소 원자, 및 황 원자, 또는 인 원자, 더욱 바람직하게는 질소 원자 또는 산소 원자이다.
QX11, QX12, QX13, QX14, QX15, 또는 QX16 이 MX1 에 배위결합하는 원자를 가지는 원자단을 나타내는 경우, 탄소 원자를 통해서 MX1 에 배위결합하는 원자단의 예로는 이미노기, 방향족 탄화수소 고리기 (예를 들어, 벤젠, 나프탈렌), 헤테로시클릭 고리기 (예를 들어, 티오펜, 피리딘, 피라진, 피리미딘, 피리다진, 트리아진, 티아졸, 옥사졸, 피롤, 이미다졸, 피라졸, 트리아졸), 임의의 이러한 고리를 포함하는 축합 고리, 및 임의의 이러한 고리의 호변이체가 포함된다.
질소 원자를 통해서 MX1 에 배위결합하는 원자단의 예로는 질소-포함 헤테로 시클릭 고리기 (예를 들어, 피리딘, 피라진, 피리미딘, 피리다진, 트리아진, 티아졸, 옥사졸, 피롤, 이미다졸, 피라졸, 트리아졸), 아미노기 {예를 들어, 알킬아미노기 (탄소수가 바람직하게는 2 내지 30 의 범위, 더욱 바람직하게는 2 내지 20 의 범위, 특히 바람직하게는 2 내지 10 의 범위임; 예를 들어, 메틸아미노), 아릴아미노기 (예를 들어, 페닐아미노), 아실아미노기 (탄소수가 바람직하게는 2 내지 30 의 범위, 더욱 바람직하게는 2 내지 20 의 범위, 특히 바람직하게는 2 내지 10 의 범위임; 예를 들어, 아세틸아미노, 벤조일아미노), 알콕시카르보닐아미노기 (탄소수가 바람직하게는 2 내지 30 의 범위, 더욱 바람직하게는 2 내지 20 의 범위, 특히 바람직하게는 2 내지 12 의 범위임; 예를 들어, 메톡시카르보닐아미노), 아릴옥시카르보닐아미노기 (탄소수가 바람직하게는 7 내지 30 의 범위, 더욱 바람직하게는 7 내지 20 의 범위, 특히 바람직하게는 7 내지 12 의 범위임; 예를 들어, 페닐옥시카르보닐아미노), 설포닐아미노기 (탄소수가 바람직하게는 1 내지 30 의 범위, 더욱 바람직하게는 1 내지 20 의 범위, 특히 바람직하게는 1 내지 12 의 범위임; 예를 들어, 메탄 설포닐아미노, 벤젠 설포닐아미노)}, 및 이미노기가 포함된다. 이러한 기들은 치환기로 추가로 치환될 수 있다.
산소 원자를 통해서 MX1 에 배위결합하는 원자단의 예로는 알콕시기 (탄소수가 바람직하게는 1 내지 30 의 범위, 더욱 바람직하게는 1 내지 20 의 범위, 특히 바람직하게는 1 내지 10 의 범위임; 예를 들어, 메톡시, 에톡시, 부톡시, 2-에틸헥실옥시), 아릴옥시기 (탄소수가 바람직하게는 6 내지 30 의 범위, 더욱 바람직하게 는 6 내지 20 의 범위, 특히 바람직하게는 6 내지 12 의 범위임; 예를 들어, 페닐옥시, 1-나프틸옥시, 2-나프틸옥시), 헤테로시클릭 옥시기 (탄소수가 바람직하게는 1 내지 30 의 범위, 더욱 바람직하게는 1 내지 20 의 범위, 특히 바람직하게는 1 내지 12 의 범위임; 예를 들어, 피리딜옥시, 피라질옥시, 피리미딜옥시, 퀴놀릴옥시), 아실옥시기 (탄소수가 바람직하게는 2 내지 30 의 범위, 더욱 바람직하게는 2 내지 20 의 범위, 특히 바람직하게는 2 내지 10 의 범위임; 예를 들어, 아세톡시, 벤조일옥시), 실릴옥시기 (탄소수가 바람직하게는 3 내지 40 의 범위, 더욱 바람직하게는 3 내지 30 의 범위, 특히 바람직하게는 3 내지 24 의 범위임; 예를 들어, 트리메틸실릴옥시, 트리페닐실릴옥시), 카르보닐기 (예를 들어, 케톤기, 에스테르기, 아미드기), 및 에테르기 (예를 들어, 디알킬에테르기, 디아릴에테르기, 푸릴기) 가 포함된다.
황 원자를 통해서 MX1 에 배위결합하는 원자단의 예로는 알킬티오기 (탄소수가 바람직하게는 1 내지 30 의 범위, 더욱 바람직하게는 1 내지 20 의 범위, 특히 바람직하게는 1 내지 12 의 범위임; 예를 들어, 메틸티오, 에틸티오), 아릴티오기 (탄소수가 바람직하게는 6 내지 30 의 범위, 더욱 바람직하게는 6 내지 20 의 범위, 특히 바람직하게는 6 내지 12 의 범위임; 예를 들어, 페닐티오), 헤테로시클릭 티오기 (탄소수가 바람직하게는 1 내지 30 의 범위, 더욱 바람직하게는 1 내지 20 의 범위, 특히 바람직하게는 1 내지 12 의 범위임; 예를 들어, 피리딜티오, 2-벤즈이미다졸릴티오, 2-벤즈옥사졸릴티오, 2-벤즈티아졸릴티오), 티오카르보닐기 (예를 들어, 티오케톤기, 티오에스테르기), 및 티오에테르기 (예를 들어, 디알킬티오에테르기, 디아릴티오에테르기, 티오푸릴기) 가 포함된다.
인 원자를 통해서 MX1 에 배위결합하는 원자단의 예로는 디알킬포스피노기, 디아릴포스피노기, 트리알킬포스핀, 트리아릴포스핀, 포스피닌기가 포함된다. 이러한 기는 추가로 치환될 수 있다.
QX11, QX12, QX13, QX14, QX15, 또는 QX16 으로 표시되는 원자단으로서, 탄소 원자를 통해서 배위결합하는 방향족 탄화수소 고리기, 탄소 원자를 통해서 배위결합하는 방향족 헤테로사이클기, 질소 원자를 통해서 배위결합하는 질소-포함 방향족 헤테로사이클기, 알킬옥시기, 아릴옥시기, 알킬티오기, 아릴티오기, 디알킬포스피노기가 바람직하고; 탄소 원자를 통해서 배위결합하는 방향족 탄화수소 고리기, 탄소 원자를 통해서 배위결합하는 방향족 헤테로사이클기, 및 질소-포함 방향족 헤테로사이클기가 더욱 바람직하다.
LX11, LX12, LX13, 및 LX14 각각은 단일 결합, 이중 결합, 또는 연결기를 나타낸다. 연결기는 특별히 제한되지는 않는다. 연결기의 바람직한 예로는 임의의 탄소, 질소, 산소, 황, 및 규소 원자를 포함하는 연결기가 포함된다. 연결기의 구체적인 예를 하기에 나타내지만, 본 발명이 이들에 한정되지는 않는다.
Figure 112005066522505-pct00020
이러한 연결기는 치환기에 의해 추가로 치환될 수 있다. 치환기의 예로는 화학식 2 에서 R21 내지 R24 로 표시되는 치환기로서 설명한 것들을 포함하고, 그 바람직한 범위도 동일하다. LX11, LX12, LX13, 또는 LX14 로서, 단일 결합, 디메틸메틸렌기, 디메틸실릴렌기가 바람직하다.
화학식 X1 로 표시되는 금속 착체는 더욱 바람직하게는 화학식 X2 로 표시되는 금속 착체이다. 다음으로, 화학식 X2 로 표시되는 금속 착체를 하기에 설명할 것이다.
MX2 는 상기언급한 화학식 X1 에서의 MX1 의 것과 동일한 의미를 가지고, 그 바람직한 범위도 동일하다. YX21, YX22, YX23, YX24, YX25, 및 YX26 각각은 MX2 에 배 위결합하는 원자를 나타낸다. YX21 과 MX2 사이의 결합, YX22 와 MX2 사이의 결합, YX23 과 MX2 사이의 결합, YX24 와 MX2 사이의 결합, YX25 와 MX2 사이의 결합, 및 YX26 과 MX2 사이의 결합은 각각 배위결합 또는 공유결합일 수 있다. YX21, YX22, YX23, YX24, YX25, 또는 YX26 의 구체적인 예로는 탄소 원자, 질소 원자, 산소 원자, 황 원자, 인 원자, 및 규소 원자가 포함되고; 탄소 원자 및 질소 원자가 바람직하다. 각각의 QX21, QX22, QX23, QX24, QX25, 및 QX26 은 각각, 각각의 YX21, YX22, YX23, YX24, YX25, 및 YX26 과 함께 각각 방향족 탄화수소 고리 또는 방향족 헤테로사이클을 형성하는데 필요한 원자단을 나타낸다. 이러한 기에 의해 형성되는 방향족 탄화수소 고리 또는 방향족 헤테로사이클의 예로는 벤젠, 피리딘, 피라진, 피리미딘, 피리다진, 트리아진, 피롤, 피라졸, 이미다졸, 트리아졸, 옥사졸, 티아졸, 옥사디아졸, 티아디아졸, 티오펜, 및 푸란 고리가 포함된다. 벤젠, 피리딘, 피라진, 피리미딘, 피라졸, 이미다졸, 및 트리아졸 고리가 바람직하고; 벤젠, 피리딘, 피라진, 피라졸, 및 트리아졸 고리가 더욱 바람직하고; 벤젠 및 피리딘 고리가 특히 바람직하다. 이러한 고리에는 추가로 축합 고리가 포함될 수 있고, 또는 치환기를 가질 수 있다.
LX21, LX22, LX23, 및 LX24 는 상기언급한 화학식 X1 에서의 LX11, LX12, LX13, 및 LX14 의 것들과 동일한 의미를 가지고 그 바람직한 범위도 동일하다.
화학식 X1 로 표시되는 금속 착체는 더욱더 바람직하게는 화학식 X3 으로 표시되는 금속 착체이다. 다음으로, 화학식 X3 으로 표시되는 금속 착체를 하기에 설명할 것이다.
MX3 은 상기언급한 화학식 X1 에서의 MX1 의 것과 동일한 의미를 가지고 그 바람직한 범위도 동일하다. YX31, YX32, YX33, YX34, YX35, 및 YX36 각각은 MX3 에 배위결합하는 원자를 나타낸다. YX31 과 MX3 사이의 결합, YX32 와 MX3 사이의 결합, YX33 과 MX3 사이의 결합, YX34 와 MX3 사이의 결합, YX35 와 MX3 사이의 결합, 및 YX36 과 MX3 사이의 결합은 각각 배위결합 또는 공유결합일 수 있다. YX31, YX32, YX33, YX34, YX35, 또는 YX36 의 구체적인 예로는 탄소 원자, 질소 원자, 및 인 원자가 포함되고; 탄소 원자 및 질소 원자가 바람직하다. LX31, LX32, LX33, 및 LX34 는 상기언급한 화학식 X1 에서의 LX11, LX12, LX13, 및 LX14 의 것들과 동일한 의미를 가지고 그 바람직한 범위도 동일하다.
본 발명의 화합물의 구체적인 예를 하기에 나타내었지만, 본 발명은 이러한 화합물에 한정되지는 않는다.
Figure 112005066522505-pct00021
Figure 112005066522505-pct00022
Figure 112005066522505-pct00023
Figure 112005066522505-pct00024
Figure 112005066522505-pct00025
Figure 112005066522505-pct00026
Figure 112005066522505-pct00027
Figure 112005066522505-pct00028
Figure 112005066522505-pct00029
Figure 112005066522505-pct00030
Figure 112005066522505-pct00031
Figure 112005066522505-pct00032
Figure 112005066522505-pct00033
Figure 112005066522505-pct00034
Figure 112005066522505-pct00035
Figure 112005066522505-pct00036
Figure 112005066522505-pct00037
Figure 112005066522505-pct00038
Figure 112005066522505-pct00039
Figure 112005066522505-pct00040
Figure 112005066522505-pct00041
Figure 112005066522505-pct00042
Figure 112005066522505-pct00043
Figure 112005066522505-pct00044
Figure 112005066522505-pct00045
Figure 112005066522505-pct00046
(본 발명에 따른 금속 착체의 합성 방법)
본 발명에 따른 금속 착체 (즉, 화학식 1 내지 14 및 화학식 X1 내지 X3 중 어느 하나로 표시되는 화합물) 은 다양한 방법에 따라 합성될 수 있다.
예를 들어, 용매 (예를 들어, 할로겐-계열 용매, 알코올-계열 용매, 에테르-계열 용매, 에스테르-계열 용매, 케톤-계열 용매, 니트릴-계열 용매, 아미드-계열 용매, 설폰-계열 용매, 설폭사이드-계열 용매 및 물) 의 존재 하에, 또는 용매의 부재 하에, 염기 (다양한 무기 또는 유기 염기, 예컨대 나트륨 메톡사이드, 칼륨 t-부톡사이드, 트리에틸아민 및 탄산칼륨) 의 존재 하에, 또는 염기의 부재 하에, 실온 이하에서, 또는 대안적으로는 가열 (일반적인 가열에 더하여, 마이크로파를 이용한 가열법이 또한 효과적임) 시킴으로써, 리간드 또는 이의 해리 생성물을 금속 화합물과 반응시킴으로써 상기 화합물을 수득할 수 있다.
본 발명의 금속 착체를 합성하는데 적용하는 반응 시간은 원료의 활성에 따 라 달라지고, 반응 시간에 관하여 특별한 제한은 없지만, 반응 시간은 바람직하게는 1 분 내지 5 일의 범위, 더욱 바람직하게는 5 분 내지 3 일의 범위, 더욱더 바람직하게는 10 분 내지 1 일의 범위이다.
본 발명의 금속 착체를 합성하는데 적용하는 반응 온도는 반응 활성에 따라 달라지고, 반응 온도에 관하여 특별한 제한은 없지만, 반응 온도는 바람직하게는 0 ℃ 내지 300 ℃ 의 범위, 더욱 바람직하게는 5 ℃ 내지 250 ℃ 의 범위, 더욱더 바람직하게는 10 ℃ 내지 200 ℃ 의 범위이다.
본 발명의 금속 착체, 예컨대 화학식 1 내지 14 및 화학식 X1 내지 X3 으로 표시되는 화합물은 의도하는 착체의 부분적인 구조를 형성하는 리간드를 적절하게 선택하여 합성할 수 있다. 예를 들어, 화학식 3 으로 표시되는 화합물은, 6,6´-비스(2-히드록시페닐)-2,2´-비피리딜과 같은 리간드 또는 이의 유도체 (2,9-비스(2-히드록시페닐)-1,10-페난트롤린, 2,9-비스(2-히드록시페닐)-4,7-디페닐-1,10-페난트롤린 및 6,6´-비스(2-히드록시-5-tert-부틸페닐)-2,2´-비피리딜) 과 같은 리간드) 를 바람직하게는 0.1 내지 10 당량, 더욱 바람직하게는 0.3 내지 6 당량, 더욱더 바람직하게는 0.5 내지 4 당량으로, 각각 금속 화합물에 첨가함으로써 합성될 수 있다. 화학식 3 으로 표시되는 화합물의 합성 방법에 사용하는 반응 용매, 반응 시간 및 반응 온도는 각각 상기-언급한 본 발명의 금속 착체의 합성에 기재한 바와 동일하다.
6,6´-비스(2-히드록시페닐)-2,2´-비피리딜 리간드의 유도체는 다양한 공지의 방법에 따라 합성될 수 있다. 예를 들어, 이들은 2,2´-비피리딜 유도체 ( 예를 들어, 1,10-페난트롤린) 및 아니솔 유도체 (예를 들어, 4-플루오로아니솔) 에, [Journal of Organic Chemistry, 741, 11 (1946)] 에 기재되어 있는 방법에 따른 반응을 행함으로써 합성될 수 있다. 대안적으로는, 이들은 출발 물질로서 할로겐화 2,2´-비피리딜 유도체 (예를 들어, 2,9-디브로모-1,10-페난트롤린) 및 2-메톡시페닐보론산 유도체 (예를 들어, 2-메톡시-5-플루오로페닐보론산) 에, Suzuki 커플링 반응을 행한 후, 예를 들어, [Journal of Organic Chemistry, 741, 11 (1946)] 에 기재되어 있는 방법, 또는 피리딘 염산염의 존재 하에 반응 혼합물을 가열시키는 방법에 따라 보호기로서의 메틸기를 떼어냄으로써 합성될 수 있다. 대안적으로는, 이들은 출발 물질로서 2,2´-비피리딜 보론산 유도체 (예를 들어, 6,6´-비스(4,4,5,5-테트라메틸-1,3,2-디옥사보롤릴)-2,2´-비피리딜) 및 할로겐화 아니솔 유도체 (예를 들어, 2-브로모아니솔) 에, Suzuki 커플링 반응을 행한 후, 예를 들어, [Journal of Organic Chemistry, 741, 11 (1946)] 에 기재되어 있는 방법, 또는 피리딘 염산염의 존재 하에 반응 혼합물을 가열시키는 방법에 따라 보호기로서의 메틸기를 떼어냄으로써 합성될 수 있다.
본 발명의 금속 착체를 포함하는 발광 소자를 하기에 설명한다.
본 발명의 발광 소자는, 본 발명의 금속 착체가 거기에 사용되는 한, 예를 들어 이들의 시스템, 구동법 및 사용 형태에 있어서 특별히 제한되지는 않는다. 전형적인 발광 소자로서, 유기 EL (전자발광) 소자를 상술한다.
본 발명의 발광 소자는 한 쌍의 전극, 및 그 전극 쌍 사이에 발광층을 포함하는 하나 이상의 유기층을 포함하는 유기 전계발광 소자이다. 상기 유기층은 바람직하게는 정공-수송층 및 발광층, 및 추가로 여기자-방지층, 정공 주입층, 정공-방지층 및 전자-수송층으로부터 선택되는 하나 이상의 층을 포함한다.
본 발명의 발광 소자는 바람직하게는, 음극 (negative electrode) 과 발광층 사이에, 이온화 전위가 5.9 eV 이상 (더욱 바람직하게는 6.0 eV 이상) 인 화합물을 포함하는 층을 가지고, 더욱 바람직하게는 이온화 전위가 5.9 eV 이상인 전자-수송층을 가진다.
본 발명의 금속 착체를 포함하는 발광 소자의 유기층을 형성하는 방법은 특별히 한정되지는 않는다. 상기 방법으로서, 저항 가열 증착법, 전자-빔 법, 스퍼터링 (sputtering) 법, 분자적층법, 코팅법 (예를 들어, 스프레이 코팅법, 침지 코팅법, 침지법, 롤 코팅법, 그라비어 코팅법, 역코팅법, 롤 브러싱 법, 에어 나이프 코팅법, 커튼 코팅법, 스핀 코팅법, 플로우 코팅법, 바 코팅법, 마이크로 그라비어 코팅법, 에어 닥터 (air doctor) 코팅법, 블레이드 (blade) 코팅법, 압착 (squeeze) 코팅법, 전사 (transfer) 롤 코팅법, 키스 (kiss) 코팅법, 캐스트 코팅법, 압출 코팅법, 와이어 (wire) 바 코팅법 및 스크린 코팅법), 잉크젯법, 인쇄법, 및 전사법과 같은 다양한 방법을 채택할 수 있다. 특징 및 생산의 관점으로부터, 저항 가열 증착법, 코팅법 및 전사법이 바람직하다.
양극 (positive electrode) 은 양성 (positive) 정공-주입층, 양성 정공-수송층, 발광층 등에 양성 정공을 공급하기 위한 것이고; 그것을 위해서 금속, 합금, 금속 산화물, 전기전도성 화합물, 또는 이들의 혼합물을 사용할 수 있고, 바람직하게는 일함수가 4 eV 이상인 물질을 사용한다. 상기 물질의 구체적인 예로는 주 석 산화물, 아연 산화물, 인듐 산화물, 및 인듐 주석 산화물 (ITO) 과 같은 전기전도성 금속 산화물; 금, 은, 크롬, 및 니켈과 같은 금속; 이러한 금속과 전기전도성 금속 산화물의 혼합물 또는 적층물; 요오드화구리 및 구리 설파이드와 같은 전기전도성 무기 물질; 폴리아닐린, 폴리티오펜, 및 폴리피롤과 같은 전기전도성 유기 물질; 및 이러한 물질과 ITO 의 적층물이 포함된다. 생산성, 고전도성 및 투명도의 관점에서, 바람직하게는 전기전도성 금속 산화물을 사용하고, 특히 바람직하게는 ITO 를 사용한다. 양극의 필름 두께는 사용하는 물질에 따라서 마음대로 선택할 수 있지만, 일반적으로 바람직하게는 10 ㎚ 내지 5 ㎛, 더욱 바람직하게는 50 ㎚ 내지 1 ㎛, 더욱더 바람직하게는 100 ㎚ 내지 500 ㎚ 이다.
양극은 일반적으로 소다-석회 유리, 비-알칼리 유리 또는 투명한 수지 기판 상에 형성된 층(들)을 포함한다. 유리 기판을 사용하는 경우, 유리로부터의 이온 용리를 줄이기 위하여 바람직하게는 비-알칼리 유리를 사용한다. 나아가, 소다-석회 유리를 사용하는 경우, 실리카와 같은 차단 코팅물 (barrier coat) 을 제공하는 것이 바람직하다. 기판의 두께는, 기계적 강도를 충분히 유지할 수 있는 한, 특별히 한정되지는 않는다. 유리를 사용하는 경우, 두께는 일반적으로 0.2 ㎜ 이상, 바람직하게는 0.7 ㎜ 이상이다.
사용하는 물질에 따라서, 양극을 제조하는데 다양한 공정이 사용된다. ITO 를 사용하는 경우, 예를 들어, 전자 빔 공정, 스퍼터링 공정, 저항 가열 증착 공정, 화학반응 공정 (예를 들어, 졸-겔 공정), 또는 인듐 주석 산화물 분산액 코팅 공정에 의해 박층 필름(들)을 형성한다.
양극 세척과 같은 공정에 의해, 소자 즉 기계의 구동 전압을 감소시키거나 발광 효능을 증가시키는 것이 가능하다. ITO 를 사용하는 경우, 예를 들어, UV-오존 가공 또는 플라즈마 처리가 효과적이다.
음극은 전자-주입층, 전자-수송층, 발광층 등에 전자를 공급하기 위한 것이고; 음극은 그 음극에 인접한 층, 예컨대 전자-주입층, 전자-수송층, 또는 발광층과의 부착; 이온화 전위, 안정성 등을 고려하여 선택된다. 음극 물질로서, 금속, 합금, 금속 할로겐화물, 금속 산화물, 전기전도성 화합물, 또는 이러한 물질의 혼합물을 사용할 수 있다. 구체적인 예로는 알칼리 금속 (예를 들어, Li, Na, K) 또는 이들의 플루오르화물 또는 산화물, 알칼리성 토금속 (예를 들어, Mg, Ca) 또는 이들의 플루오르화물 또는 산화물, 금, 은, 납, 알루미늄, 나트륨-칼륨 합금 또는 이들의 혼합 금속, 리튬-알루미늄 합금 또는 이들의 혼합 금속, 마그네슘-은 합금 또는 이들의 혼합 금속, 및 희귀 토금속, 예컨대 인듐, 이테르븀 등; 바람직하게는 일함수가 4 eV 이하인 물질, 더욱 바람직하게는 알루미늄, 리튬-알루미늄 합금 또는 이들의 혼합 금속, 및 마그네슘-은 합금 또는 이들의 혼합 금속이 포함된다. 음극 구조는 상기언급한 화합물 또는 이들의 혼합물의 단일층 뿐만 아니라, 상기언급한 화합물 또는 이들의 혼합물로 구성된 적층물일 수 있다. 예를 들어, 알루미늄/리튬 플루오르화물, 또는 알루미늄/리튬 산화물의 적층 구조가 바람직하다. 음극의 필름 두께는 사용하는 물질에 따라서 마음대로 선택할 수 있지만, 일반적으로 바람직하게는 10 ㎚ 내지 5 ㎛, 더욱 바람직하게는 50 ㎚ 내지 1 ㎛, 더욱더 바람직하게는 100 ㎚ 내지 1 ㎛ 이다.
음극을 제조하는데 전자 빔 공정, 스퍼터링 공정, 저항 가열 증착 공정, 코팅 공정, 및 전사법과 같은 공정을 사용하고, 단일 금속을 증착시킬 수 있거나 동시에 2 개 이상의 성분을 증착시킬 수 있다. 나아가, 복수의 금속을 동시에 증착시켜 합금 전극을 형성할 수 있고, 대안적으로는 미리 제조한 합금을 증착시킬 수 있다.
양극 및 음극의 면 저항은 작은 것, 바람직하게는 수백 Ω/□ 이하가 바람직하다.
발광층용 물질은 전기장을 거기에 적용했을 때, 양극, 정공 주입층 또는 정공-수송층으로부터의 정공의 주입, 및 음극, 전자 주입층 또는 전자-수송층으로부터의 전자의 주입 둘 다를 허용하거나, 그 안에 주입된 전하를 이동시키거나, 정공과 전자를 재결합시킬 부위를 제공함으로써 광의 방출이 가능하도록 기능할 수 있는 층의 형성이 가능한 임의의 물질일 수 있다. 본 발명의 화합물 이외에, 상기 물질의 예로는 벤즈옥사졸 유도체, 벤즈이미다졸 유도체, 벤조티아졸 유도체, 스티릴벤젠 유도체, 폴리페닐 유도체, 디페닐부타디엔 유도체, 테트라페닐부타디엔 유도체, 나프탈이미드 유도체, 쿠머린 유도체, 페릴렌 유도체, 페리논 유도체, 옥사디아졸 유도체, 알다진 유도체, 피라리딘 유도체, 시클로펜타디엔 유도체, 비스스티릴안트라센 유도체, 퀴난크리돈 유도체, 피롤로피리딘 유도체, 티아디아졸로피리딘 유도체, 시클로펜타디엔 유도체, 스티릴아민 유도체, 방향족 디메틸리딘 화합물, 및 8-퀴놀리놀 유도체의 금속 착체 또는 희귀 토 착체로 전형적으로 예시되는 다양한 금속 착체; 중합체성 화합물, 예컨대 폴리티오펜, 폴리페닐렌, 및 폴리페닐 렌비닐렌; 유기 실란; 전이 금속 착체 (예를 들어, 이리듐 트리스페닐피리딘 및 백금 포르피린, 및 이들의 유도체) 이 포함된다.
발광층의 호스트 물질로서, 바람직하게는 아민 화합물 (예를 들어, 트리아릴아민 화합물); 금속 킬레이트 옥시노이드 화합물 (금속-산소 결합을 가지는 화합물) (여기서, 금속은 알루미늄, 아연 또는 전이 금속이고, 리간드는 8-히드록시퀴놀린 유도체, 2-(2-피리디노)페놀 유도체 등임); 폴리아릴렌 화합물 (예를 들어, 헥사페닐 벤젠 유도체), 축합 방향족 카르보시클릭 화합물 및 비-착체 방향족 질소-포함 헤테로시클릭 화합물 (예를 들어, 카르바졸 유도체) 이 예시된다. 발광층의 호스트 물질은 2 개 이상의 화합물의 혼합물일 수 있다.
발광층의 필름 두께는 특별히 제한되지는 않지만, 일반적으로 바람직하게는 1 ㎚ 내지 5 ㎛, 더욱 바람직하게는 5 ㎚ 내지 1 ㎛, 더욱더 바람직하게는 10 ㎚ 내지 500 ㎚ 이다.
발광 (광 방출) 층을 형성하는 방법에 대하여 특별한 한정은 없지만, 저항 가열 증착, 전자 빔 가공, 스퍼터링, 분자 적층, 코팅, 잉크젯 공정, 인쇄, LB (Langmuir-Blodgett) 가공, 및 전사 공정과 같은 방법을 사용할 수 있다. 저항 가열 증착법 및 코팅법이 바람직하다.
발광층은 단일 화합물, 또는 2 종 이상의 화합물로 형성될 수 있다. 나아가, 발광층은 단일층 구조, 또는 2 개 이상의 층으로 제조된 다중-층 구조를 가질 수 있다. 각각의 층은 상이한 발광 칼라의 광을 방출할 수 있어서, 발광층은 예를 들어 백색광을 방출할 수 있다. 단일 발광층은 백색광을 방출할 수 있 다. 발광층이 복수의 층인 경우, 각각의 층은 단일 물질, 또는 2 개 이상의 화합물 또는 물질로 형성될 수 있다.
양성 정공-주입층 및 양성 정공-수송층의 물질은, 이들이 양극으로부터 양성 정공을 주입시키고, 양성 정공을 수송하고, 음극으로부터 주입된 전자를 방지하는 임의의 기능을 가지고 있다면 충분하다. 상기 물질의 구체적인 예로는 카르바졸 유도체, 트리아졸 유도체, 옥사졸 유도체, 옥사디아졸 유도체, 이미다졸 유도체, 폴리아릴알칸 유도체, 피라졸린 유도체, 피라졸론 유도체, 페닐렌디아민 유도체, 아릴아민 유도체, 아미노-치환 칼콘 유도체, 스티릴안트라센 유도체, 플루오레논 유도체, 히드라존 유도체, 스틸벤 유도체, 실라잔 유도체, 방향족 3차 아민 화합물, 스티릴아민 화합물, 방향족 디메틸리딘-계열 화합물, 포르피린-계열 화합물, 폴리실란-계열 화합물, 폴리(N-비닐카르바졸) 유도체, 아닐린-계열 공중합체, 전기전도성 고분자량 올리고머, 예컨대 티오펜 올리고머 및 폴리티오펜; 유기 실란 화합물, 탄소 필름, 및 본 발명의 화합물이 포함된다. 정공-주입층의 필름 두께는 특별히 한정되지는 않고, 일반적으로, 바람직하게는 1 ㎚ 내지 5 ㎛, 더욱 바람직하게는 5 ㎚ 내지 1 ㎛, 더 바람직하게는 10 ㎚ 내지 500 ㎚ 이다. 정공-수송층의 필름 두께는 특별히 한정되지는 않고, 일반적으로, 바람직하게는 1 ㎚ 내지 5 ㎛, 더욱 바람직하게는 5 ㎚ 내지 1 ㎛, 더 바람직하게는 10 ㎚ 내지 500 ㎚ 이다. 정공-주입층 또는 정공-수송층은 1 종 또는 2 종 이상의 상기 물질의 단일층 구조, 또는 대안적으로는, 동일한 조성물 또는 상이한 조성물을 가지는 복수의 층을 포함하는 다중층 구조를 가질 수 있다.
정공-배척층의 물질로서, 구리 프탈로시아닌 및 행성 폭발 (star burst)-형 아민 화합물이 바람직하다.
정공-주입층 및 정공-수송층의 형성 방법의 예로는 진공 증착법, LB 법, 상기-기재한 정공-주입/수송 물질을 용매에 용해 또는 분산시키고 코팅시키는 공정; 잉크 젯 법, 인쇄법, 및 전사법이 포함된다. 코팅 공정의 경우, 양성 정공-주입/수송 물질을 수지 성분과 함께 용해 또는 분산시킬 수 있다. 이같은 수지 성분의 예로는 폴리비닐 클로라이드, 폴리카르보네이트, 폴리스티렌, 폴리메틸 메타크릴레이트, 폴리부틸 메타크릴레이트, 폴리에스테르, 폴리설폰, 폴리페닐렌 산화물, 폴리부타디엔, 폴리(N-비닐카르바졸), 탄화수소 수지, 케톤 수지, 페녹시 수지, 폴리아미드, 에틸 셀룰로오스, 비닐 아세테이트, ABS 수지, 폴리우레탄, 멜라민 수지, 불포화 폴리에스테르 수지, 알키드 수지, 에폭시 수지, 실리콘 수지 등이 포함된다.
전자-주입층 및 전자-수송층의 물질은, 이들이 음극으로부터 전자를 주입시키고, 전자를 수송하고, 양극으로부터 주입된 양성 정공을 (차단 제거물 (barrier off) 로서) 방지시키는 임의의 기능을 가진다. 전자-수송층용 물질로서, 금속 킬레이트 옥시노이드 화합물, 폴리아릴렌 화합물, 축합 방향족 카르보시클릭 화합물 및 비-착체 방향족 헤테로시클릭 화합물이 바람직하다. 상기 물질의 구체적인 예로는 트리아졸 유도체, 옥사졸 유도체, 옥사디아졸 유도체, 이미다졸 유도체, 플루오레논 유도체, 안트라퀴노디메탄 유도체, 안트론 유도체, 디페닐퀴논 유도체, 티오피란디옥사이드 유도체, 카르보디이미드 유도체, 플루오레닐리덴메탄 유도체, 디스티릴피라진 유도체, 방향족 고리 예컨대 나프탈렌 및 페릴렌의 테트라카르복실산 무수물, 프탈로시아닌 유도체, 8-퀴놀리놀 유도체의 금속 착체, 메탈로프탈로시아닌 및 벤즈옥사졸 또는 벤조티아졸 리간드를 가지는 금속 착체로 표시되는 다양한 금속 착체, 유기실란 화합물이 포함된다. 전자-주입층 및 전자-수송층의 필름 두께는 특별히 제한되지는 않지만, 일반적으로 바람직하게는 1 ㎚ 내지 5 ㎛, 더욱 바람직하게는 5 ㎚ 내지 1 ㎛, 더욱더 바람직하게는 10 ㎚ 내지 500 ㎚ 이다. 전자-주입층 및 전자-수송층은 1 또는 2 개 이상의 상기 물질을 포함하는 단일층 구조일 수 있거나, 동일한 조성물 또는 상이한 조성물의 복수의 층을 포함하는 다중층 구조일 수 있다.
전자 주입층 및 전자 수송층을 형성하는 방법의 예로는 진공 증착법, LB 법, 상기-기재한 전자-주입/수송 물질을 용매에 용해 또는 분산시키고 코팅시키는 공정; 잉크 젯 법, 인쇄법, 및 전사법이 포함된다. 코팅 공정의 경우, 전자 주입/수송 물질을 수지 성분과 함께 용해 또는 분산시킬 수 있다. 수지 성분으로서, 예를 들어, 양성 정공-주입 및 수송층에서 예시된 것들을 사용할 수 있다.
보호층의 물질은, 이들이 소자 즉 기계의 손상을 가속화시키는 물질, 예컨대 물 또는 산소가 그 소자 즉 기계에 들어오는 것을 막는 기능을 가지고 있다면 충분하다. 상기 물질의 구체적인 예로는 In, Sn, Pb, Au, Cu. Ag, Al, Ti 및 Ni 과 같은 금속; MgO, SiO, SiO2, Al2O3, GeO, NiO, CaO, BaO, Fe2O3, Y2O3, 및 TiO2 와 같은 금속 산화물; MgF2, LiF, AlF3, 및 CaF2 와 같은 금속 플루오르화물; SiNx 및 SiOxNy 와 같은 금속 질화물; 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리메틸 메타크릴레이트, 폴리이미드, 폴리우레아, 폴리테트라플루오로에틸렌, 폴리클로로트리플루오로에틸렌, 폴리디클로로디플루오로에틸렌, 클로로트리플루오로에틸렌과 디클로로디플루오로에틸렌의 공중합체, 테트라플루오로에틸렌과 하나 이상의 공단량체의 단량체 혼합물을 공중합시켜 제조한 공중합체, 주 사슬 상에 시클릭 구조를 가지는 불소-포함 공중합체, 흡수율이 1 % 이상인 흡수성 물질, 및 흡수율이 0.1 % 이하인 방수 물질이 포함된다.
보호층의 형성 공정은 또한 특별히 제한되지는 않고, 예를 들어, 진공 증착 공정, 스퍼터링 공정, 반응성 스퍼터링 공정, MBE (분자 빔 애피택시 (epitaxy)) 공정, 덩어리 (cluster) 이온 빔 공정, 이온-도금 (ion-plating) 공정, 플라즈마 중합 공정 (고주파 여기 이온-도금 공정), 플라즈마 CVD (화학적 증착) 공정, 레이저 CVD 공정, 열 CVD 공정, 기체 공급원 CVD 공정, 코팅법, 인쇄법, 및 전사 공정을 적용할 수 있다.
본 발명을 하기 실시예를 참고로 더욱 상세하게 설명할 것이지만, 본 발명을 수행하는 구현예가 이들에 한정되는 것으로 해석해서는 안된다.
화합물 (1) 의 합성
6,6´-비스(2-히드록시페닐)-2,2´-비피리딜 (0.1 g) 및 PtCl2 (0.16 g) 에, 벤조니트릴 (10 ㎖) 을 첨가하고 질소 대기 하에 3 시간 동안 환류 하에 가열하였 다. 반응 용액을 실온으로 냉각시킨 후, 메탄올을 반응 용액에 첨가하여 침전을 야기시키고, 침전물을 흡입 여과하였다. 수득한 고형물을 실리카 겔 크로마토그래피 (현상 용매로서 클로로포름) 를 이용하여 정제시켜 0.06 g 의 화합물 (1) 을 수득하였다. 질량 분광법에 의해 화합물 (1) 의 구조를 확인하였다. 질소 대기 하에 화합물 (1) 을 함유하는 클로로포름 용액에 UV 광을 조사시켰을 때, 불그스름한 오랜지-색의 광-방출 (λ최대 = 624 ㎚) 을 얻었다.
Figure 112005066522505-pct00047
상기언급한 반응에서 출발 물질로서 사용한 6,6´-비스(2-히드록시페닐)-2,2´-비피리딜은 [Journal of Organic Chemistry, 741, 11 (1946)] 에 기재된 방법에 따라 합성될 수 있다. 대안적으로는, 상기 화합물은 하기 기재한 반응식에 따라 합성될 수 있다.
Figure 112005066522505-pct00048
6,6´-비스(2-메톡시페닐)-2,2´-비피리딜의 합성
6,6´-디브로모-2,2´-비피리딜 (1.15 g), 2-메톡시페닐 보론산 (1.45 g), PPh3 (0.167 g), 탄산칼륨 (2.2 g) 및 Pd(OAc)2 (36 ㎎) 의 혼합물에, 디메톡시에탄 (10 ㎖) 및 물 (10 ㎖) 을 첨가하고 질소 대기 하에 4 시간 동안 환류 하에 가열하였다. 반응 용액을 실온으로 냉각시킨 후, 분리를 위해서 클로로포름 (20 ㎖) 및 물 (20 ㎖) 을 반응 용액에 첨가하였다. 이어서, 유기층을 농축시켰다. 실리카 겔 크로마토그래피 (현상 용매로서 클로로포름) 에 의한 정제를 수행하여, 0.9 g 의 6,6´-비스(2-메톡시페닐)-2,2´-비피리딜을 수득하였다.
6,6´-비스(2-히드록시페닐)-2,2´-비피리딜의 합성
6,6´-비스(2-메톡시페닐)-2,2´-비피리딜 리간드 (0.3 g) 및 피리딘 염산염 (10 g) 의 혼합물을 질소 대기 하에 160 ℃ 에서 4 시간 동안 가열하였다. 반 응 용액을 실온으로 냉각시킨 후, 분리를 위하여 클로로포름 (20 ㎖) 및 물 (20 ㎖) 을 반응 용액에 첨가하였다. 이어서, 유기층을 농축시켰다. 실리카 겔 크로마토그래피 (현상 용매로서 클로로포름) 에 의한 정제를 수행하여 0.2 g 의 6,6´-비스(2-히드록시페닐)-2,2´-비피리딜을 수득하였다.
상기 언급한 바와 동일한 방법에 따라 합성한 화합물 (79) 및 화합물 (88) 의 합성 반응식을 하기에 나타낸다.
Figure 112005066522505-pct00049
Figure 112005066522505-pct00050
디클로로에탄 중 화합물 (79) 로부터 방출된 광의 λ최대 는 512 ㎚ 인 반면, 디클로로에탄 중 화합물 (88) 로부터 방출된 광의 λ최대 는 620 ㎚ 였다.
치환기 각각이 알킬기, 아릴기, 헤테로아릴기, 또는 할로겐 원자인, 화학식 11 또는 12 로 표시되는 화합물은 또한 상기언급한 방법에 따라 합성될 수 있다.
비교예 1
깨끗한 ITO 기판을 진공 증발기 내에 놓고, 기판 상으로 TPD (N,N-디페닐-N,N-디(m-톨릴)벤지딘) 를 증발시켜 두께가 50 ㎚ 인 필름을 형성한 후, PtOEP (옥타에틸 포르피린 백금 착체) 및 화합물 A (질량비 1 : 17) 를 동시-증발시켜 두께가 36 ㎚ 인 필름을 형성한 후, 화합물 A 를 증발시켜 두께가 36 ㎚ 인 필름을 형성하였다. 이어서, 상기 유기 박층 상에 (각각의 방출 면적을 4 ㎜ × 5 ㎜ 로 조정하기 위한) 패턴화 마스크를 설치하고, 그 위에 추가로, 진공 증발기 내부에, 플루오르화리튬을 증발시켜 두께가 3 ㎚ 인 필름을 형성한 후, 400 ㎚-두께의 알루미늄을 증착시켰다.
이와 같이 제조한 EL 소자에 Toyo Technica Co., Ltd. 가 제조한 원 (source) 측정 기구, Model 2400 (상표명) 을 이용하여 DC 정전압을 적용시킴으로써 그 소자를 발광시키고, 상기 EL 소자가 나타내는 휘도를 Topcon Co. 가 제조한 발광측정기 BM-8 (상표명) 을 이용하여 측정하였다. 측정 결과로서, 상기 EL 소자가 제공하는 광 방출은, 외부 양자 효율이 1.1 % 인 200 cd/㎡ 의 발광이며 최대 휘도가 390 cd/㎡ 라는 것을 알게되었다.
실시예 1
깨끗한 ITO 기판을 진공 증발기 내에 놓고, 기판 상으로 TPD (N,N-디페닐-N,N-디(m-톨릴)벤지딘) 를 증발시켜 두께가 50 ㎚ 인 필름을 형성한 후, 본 발명에 따른 화합물 (1) 및 화합물 A (질량비 1 : 17) 를 동시-증발시켜 두께가 36 ㎚ 인 필름을 형성한 후, 화합물 B 를 증발시켜 두께가 36 ㎚ 인 필름을 형성하였다. 이어서, 상기 유기 박층 상에 (각각의 방출 면적을 4 ㎜ × 5 ㎜ 로 조정하기 위한) 패턴화 마스크를 설치하고, 그 위에 추가로, 진공 증발기 내부에, 플루오르화리튬을 증발시켜 두께가 3 ㎚ 인 필름을 형성한 후, 400 ㎚-두께의 알루미늄 필름을 증착시켰다.
이와 같이 제조한 EL 소자에 Toyo Technica Co., Ltd. 가 제조한 원 (source) 측정 기구, Model 2400 (상표명) 을 이용하여 DC 정전압을 적용시킴으로써 그 소자를 발광시키고, 상기 EL 소자가 나타내는 휘도를 Topcon Co. 가 제조한 발광측정기 BM-8 (상표명) 을 이용하여 측정하였다. 측정 결과로서, 상기 EL 소자가 제공하는 광 방출은, 외부 양자 효율이 2.8 % 인 200 cd/㎡ 의 발광이며 최대 휘도가 1090 cd/㎡ 라는 것을 알게되었다.
실시예 2
깨끗한 ITO 기판을 진공 증발기 내에 놓고, 기판 상으로 TPD (N,N-디페닐-N,N-디(m-톨릴)벤지딘) 를 증발시켜 두께가 50 ㎚ 인 필름을 형성한 후, 본 발명에 따른 화합물 (1) 및 화합물 A (질량비 1 : 2) 를 동시-증발시켜 두께가 36 ㎚ 인 필름을 형성한 후, 화합물 B 를 증발시켜 두께가 36 ㎚ 인 필름을, 이 순서대로, 형성하였다. 이어서, 상기 유기 박층 상에 (각각의 방출 면적을 4 ㎜ × 5 ㎜ 로 조정하기 위한) 패턴화 마스크를 설치하고, 그 위에 추가로, 진공 증발기 내부에, 플루오르화리튬을 증발시켜 두께가 3 ㎚ 인 필름을 형성한 후, 400 ㎚-두께의 알루미늄 필름을 증착시켰다.
이와 같이 제조한 EL 소자에 Toyo Technica Co., Ltd. 가 제조한 원 (source) 측정 기구, Model 2400 (상표명) 을 이용하여 DC 정전압을 적용시킴으로써 그 소자를 발광시키고, 상기 EL 소자가 나타내는 휘도를 Topcon Co. 가 제조한 발광측정기 BM-8 (상표명) 을 이용하여 측정하였다. 측정 결과로서, 상기 EL 소자가 제공하는 광 방출은, 외부 양자 효율이 4.4 % 인 200 cd/㎡ 의 발광이며 최대 휘도가 3820 cd/㎡ 라는 것을 알게되었다.
비교예 2
미국 특허 제 6,653,654 B1 호의 실시예 8 에 기재된 방법에 따라 EL 소자 (소자 번호 - 101) 를 제조하였다.
비교예 3
깨끗한 ITO 기판을 진공 증발기 내에 놓고, 기판 상으로 α-NPD 를 증발시켜 두께가 50 ㎚ 인 정공-수송층을 형성하였다. 이어서, 호스트로서의 Bepp2 및 발광 물질로서의 화합물 (65) 를 각각 0.4 ㎚/초 및 0.02 ㎚/초로 동시-증발시켜 필름 두께가 40 ㎚ 가 되도록 함으로써 발광층을 형성하였다. 이어서, 상기 유기 박층 상에 (각각의 방출 면적을 2 ㎜ × 2 ㎜ 로 조정하기 위한) 패턴화 마스크를 설치하고, 그 위에 추가로, 진공 증발기 내부에, 플루오르화리튬을 증발시켜 두께 가 1.5 ㎚ 인 필름을 형성한 후, 200 ㎚-두께의 알루미늄 필름을 증착시켰다. 이어서, 상기 소자 안에 건조제를 혼입시킨 후, 그 소자를 밀봉하여 EL 소자 (소자 번호 - 102) 를 제조하였다. 또한, 발광 물질을 화합물 (1) 로 대체시키는 것을 제외하고는, 상기 기재한 바와 동일한 방식으로 또다른 EL 소자 (소자 번호 - 103) 를 제조하였다.
실시예 3
호스트 필름 두께를 36 ㎚ 로 바꾸는 것을 제외하고는, 비교예 3 에서와 동일한 방식으로 발광층을 형성하였다. 그 위에, 화합물 B 를 증발시켜 두께가 36 ㎚ 인 전자-수송층을 형성하였다. 이어서, 상기 유기 박층 상에 (각각의 방출 면적을 2 ㎜ × 2 ㎜ 로 조정하기 위한) 패턴화 마스크를 설치하고, 그 위에 추가로, 진공 증발기 내부에, 플루오르화리튬을 증발시켜 두께가 5 ㎚ 인 필름을 형성한 후, 500 ㎚-두께의 알루미늄 필름을 증착시켰다. 이어서, 상기 소자 안에 건조제를 혼입시킨 후, 그 소자를 밀봉하여 EL 소자 (소자 번호 - 104) 를 제조하였다. 또한, 호스트 물질을 화합물 A 로 대체시키는 것을 제외하고는, 상기 기재한 바와 동일한 방식으로 또다른 EL 소자 (소자 번호 - 105) 를 제조하였다.
실시예 4
깨끗한 ITO 기판을 진공 증발기 내에 놓고, 기판 상으로 구리 프탈로시아닌을 증발시켜 두께가 10 ㎚ 인 필름을 형성하고, 그 위에 두께가 20 ㎚ 가 되도록 α-NPD 를 증발시켜 정공-수송층을 형성하였다. 그 위에, 호스트로서의 화합물 A 및 발광 물질로서의 화합물 (1) 을 필름 두께가 30 ㎚ 가 되도록 각각 0.4 ㎚/초 및 0.02 ㎚/초로 동시-증발시켜 발광층을 형성하였다. 상기 발광층 상에, BAlq 를 증발시켜 두께가 10 ㎚ 인 정공-방지층을 형성한 후, Alq 를 증발시켜 두께가 40 ㎚ 인 전자-수송층을 형성하였다. 이어서, 상기 유기 박층 상에 (각각의 방출 면적을 2 ㎜ × 2 ㎜ 로 조정하기 위한) 패턴화 마스크를 설치하고, 그 위에 추가로, 진공 증발기 내부에, 플루오르화리튬을 증발시켜 두께가 5 ㎚ 인 필름을 형성한 후, 500 ㎚-두께의 알루미늄 필름을 증착시켰다. 이어서, 상기 소자 안에 건조제를 혼입시킨 후, 그 소자를 밀봉하여 EL 소자 (소자 번호 - 201) 를 제조하였다. 또한, 호스트 물질을 표 2 에 나타낸 바와 같이 바꾸는 것을 제외하고는, 상기 기재한 바와 동일한 방식으로 또다른 EL 소자 (소자 번호 - 202 내지 206) 를 제조하였다.
Figure 112005066522505-pct00051
다음으로, 이와 같이 제조한 각각의 EL 소자를 하기에 나타낸 바와 같이 평가하였다:
본 발명의 EL 소자 및 비교 EL 소자에 Toyo Technica Co., Ltd. 가 제조한 원 (source) 측정 기구, Model 2400 (상표명) 을 이용하여 DC 정전압을 적용시킴으로써 소자들을 발광시키고, 각각의 EL 소자가 나타내는 휘도를 Topcon Co. 가 제조한 발광측정기 BM-8 (상표명) 을 이용하여 측정하고, Hamamatsu Photonics KK 가 제조한 스펙트럼 분석기 PMA-11 (상표명) 을 이용하여 방출 파장을 측정하여 발광 효율을 수득하였다. 다음으로, 하기와 같이 내구성을 평가하였다: 먼저, 1 ㎃/4 ㎟ 의 비율로 소자를 구동시키고, 초기 휘도를 측정하였다. 이어서, 200 시간 동안 1 ㎃/4 ㎟ 의 비율로 소자를 저-전류 구동시킨 후, 휘도를 측정하였다. 200 시간 휘도와 초기 휘도를 비교하여 휘도 유지율을 수득하였다. 그 결과를 표 1 및 2 에 나타낸다.
Figure 112005066522505-pct00052
상기 결과는, 비교예의 소자와 비교하여, 전자-수송층을 포함하는 본 발명의 소자가, 소자의 우수한 내구성을 이끌어 내는, 강화된 휘도 유지율을 나타낸다는 것을 입증한다. 또한, 소자의 내구성은 호스트 물질을 화합물 A 와 같은 비-착체 방향족 헤테로시클릭 화합물로 변경함으로써 더욱 개선되었다.
Figure 112005066522505-pct00053
나아가, 상기 결과는 정공-배척층으로서 작용하는 구리 프탈로시아닌 (CuPc) 및 정공-방지층으로서 작용하는 BAlq 둘 다를 사용하여 소자의 내구성이 더욱 개선되었고, 본 발명의 화합물이, 색순도가 우수한 적색 광 및 녹색 광의 방출을 가능하게 하였다는 것을 입증한다. 게다가, 본 발명의 화합물은 또한 더 단파장의 광의 방출을 가능하게 한다.
본 발명의 발광 소자는 외부 양자 효율 및 최대 휘도 둘 다가 높고, 발광 특징 (성능) 이 우수하다. 게다가, 상기 발광 소자는 내구성이 우수하다. 본 발명의 발광 소자는 바람직하게는 디스플레이 소자, 디스플레이, 배경 조명, 전자 사진, 조명 광원, 기록 광원, 노출 광원, 판독 광원, 간판, 광고판, 인테리어, 및 광학 통신과 같은 분야에 사용될 수 있다. 게다가, 본 발명의 화합물은 전자발광 소자, 뿐만 아니라, 의학적 용도, 증백제, 감광 물질, UV 흡수 물질, 레이저 염료, 기록 매체 물질 , 잉크젯 안료, 칼라 필터 염료, 색온도 변환 필터 등에 이용될 수 있다. 본 발명의 신규 착체는 상기 기재한 바와 같은 우수한 발광 소자의 제조에 적합하다.
본 발명을 본 구현예들과 관련하여 기재하였고, 본 발명이 어떠한 상세한 설명에 의해서도 한정되는 것이 아니라, 달리 명시하지 않는다면, 수반한 청구항에 제시한 바와 같이, 오히려 그 취지 및 범주 내에서 넓게 해석된다는 것이 우리의 의도이다.

Claims (23)

  1. 한 쌍의 전극, 및 상기 전극 쌍 사이에 발광층을 포함하는 하나 이상의 유기층을 포함하는 유기 전계발광 소자에 있어서, 상기 전극 쌍 사이의 하나 이상의 층이 세 갈래- 또는 그 초과의 다중 갈래-사슬 구조 리간드를 가지는 하나 이상의 금속 착체를 포함하고, 상기 금속 착체가 화학식 9 로 표시되는 화합물인 유기 전계발광 소자:
    [화학식 9]
    Figure 112011023594201-pct00064
    [식 중, MA1 은 금속 이온을 나타내고; QA1 및 QA2 각각은 질소-포함 헤테로사이클을 형성하는데 필요한 원자단을 나타내고; RA1, RA2, RA3, 및 RA4 각각은 수소 원자 또는 치환기를 나타내고; RA1 과 RA2, 및 RA3 과 RA4 는 각각 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있고; YA2 및 YA3 각각은 연결기 또는 단일 결합을 나타내고; YA1 은 괄호들 안에 있는 2 개의 두 갈래 리간드를 함께 연결하기 위한 연결기, 단일 결합 또는 이중 결합을 나타내고; LA5 는 MA1 에 배위결합하는 리간드를 나타내고; nA1 은 0 내지 4 의 정수를 나타낸다].
  2. 제 1 항에 있어서, 금속 착체 중 금속 이온이 백금, 이리듐, 레늄, 팔라듐, 로듐, 루테늄 및 구리 이온으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 유기 전계발광 소자.
  3. 삭제
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 금속 착체가 인광 방출성 금속 착체이고, 상기 금속 착체가 발광층에 혼입되어 있는 유기 전계발광 소자.
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 삭제
  9. 삭제
  10. 삭제
  11. 삭제
  12. 삭제
  13. 삭제
  14. 삭제
  15. 삭제
  16. 삭제
  17. 삭제
  18. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 유기층이 하나 이상의 발광층 및 정공 수송층을 포함하고, 유기층이 여기자-방지층, 정공 주입층, 정공-방지층 및 전자-수송층으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 하나 이상의 층을 추가로 포함하는 유기 전계발광 소자.
  19. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 유기층이 하나 이상의 발광층을 포함하고, 발광층의 호스트 물질이 아민 화합물, 금속 킬레이트 옥시노이드 화합물 (여기서, 금속은 알루미늄, 아연 또는 전이 금속임), 폴리아릴렌 화합물, 축합 방향족 카르보시클릭 화합물, 및 비-착체 방향족 헤테로시클릭 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 유기 전계발광 소자.
  20. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 유기층이 하나 이상의 전자-수송층을 포함하고, 여기서 전자-수송 물질이 금속 킬레이트 옥시노이드 화합물, 폴리아릴렌 화합물, 축합 방향족 카르보시클릭 화합물 및 비-착체 방향족 헤테로시클릭 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 유기 전계발광 소자.
  21. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 유기층이 하나 이상의 발광층을 포함하고, 발광층의 호스트 물질이 2 개 이상의 화합물로 구성되는 유기 전계발광 소자.
  22. 화학식 11 로 표시되는 화합물:
    [화학식 11]
    Figure 112005066522505-pct00062
    [식 중, RC1 및 RC2 각각은 수소 원자 또는 치환기를 나타내고; RC3, RC4, RC5, 및 RC6 각각은 치환기를 나타내고; nC3 및 nC6 각각은 0 내지 3 의 정수를 나타내고; nC4 및 nC5 각각은 0 내지 4 의 정수를 나타내고; 복수의 RC3, RC4, RC5, 또는 RC6 이 존재하는 경우, 각각의 RC3 들, RC4 들, RC5 들, 또는 RC6 들은 서로 동일하거나 상이할 수 있고, 각각, RC3 들, RC4 들, RC5 들, 또는 RC6 들은 서로 결합하여 축합 고리를 형성할 수 있다].
  23. 삭제
KR1020057022089A 2003-06-02 2005-11-18 유기 전계발광 소자 및 금속 착화합물 KR101098807B1 (ko)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003157006 2003-06-02
JPJP-P-2003-00157006 2003-06-02
JPJP-P-2004-00092274 2004-03-26
JP2004092274 2004-03-26
PCT/JP2004/007882 WO2004108857A1 (en) 2003-06-02 2004-06-01 Organic electroluminescent devices and metal complex compounds

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20060016087A KR20060016087A (ko) 2006-02-21
KR101098807B1 true KR101098807B1 (ko) 2011-12-26

Family

ID=33513361

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020057022089A KR101098807B1 (ko) 2003-06-02 2005-11-18 유기 전계발광 소자 및 금속 착화합물

Country Status (5)

Country Link
US (7) US7569692B2 (ko)
EP (5) EP1629063B2 (ko)
JP (5) JP5278911B2 (ko)
KR (1) KR101098807B1 (ko)
WO (1) WO2004108857A1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11569461B2 (en) 2017-12-08 2023-01-31 Samsung Display Co., Ltd. Organic electroluminescence device and organometallic compound for organic electroluminescence device

Families Citing this family (141)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
ATE526381T1 (de) * 2003-05-09 2011-10-15 Fujifilm Corp Organische elektrolumineszenzvorrichtung sowie platinverbindung
EP1629063B2 (en) 2003-06-02 2019-07-17 UDC Ireland Limited Organic electroluminescent devices and metal complex compounds
DE10350722A1 (de) * 2003-10-30 2005-05-25 Covion Organic Semiconductors Gmbh Metallkomplexe
KR101044087B1 (ko) * 2003-11-04 2011-06-27 다카사고 고료 고교 가부시키가이샤 백금 착체 및 발광소자
US7332232B2 (en) * 2004-02-03 2008-02-19 Universal Display Corporation OLEDs utilizing multidentate ligand systems
US8084145B2 (en) * 2004-04-02 2011-12-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organometallic complex, light emitting element using the complex, light emitting device using the element, and electric apparatus using the device
US7655323B2 (en) 2004-05-18 2010-02-02 The University Of Southern California OLEDs utilizing macrocyclic ligand systems
US7393599B2 (en) 2004-05-18 2008-07-01 The University Of Southern California Luminescent compounds with carbene ligands
GB0411580D0 (en) * 2004-05-24 2004-06-23 Cambridge Display Tech Ltd Light-emitting device
JP2006093665A (ja) * 2004-08-26 2006-04-06 Fuji Photo Film Co Ltd 有機電界発光素子
JP4500735B2 (ja) † 2004-09-22 2010-07-14 富士フイルム株式会社 有機電界発光素子
JP4531509B2 (ja) * 2004-09-27 2010-08-25 富士フイルム株式会社 発光素子
JP4762527B2 (ja) * 2004-11-10 2011-08-31 富士フイルム株式会社 有機電界発光素子
US7754346B2 (en) * 2004-11-10 2010-07-13 Fujifilm Corporation Organic electroluminescent device
US20060134461A1 (en) * 2004-12-17 2006-06-22 Shouquan Huo Organometallic materials and electroluminescent devices
TWI258881B (en) * 2005-01-06 2006-07-21 Au Optronics Corp Photoelectric device
GB2437453B (en) * 2005-02-04 2011-05-04 Konica Minolta Holdings Inc Material for organic electroluminescence element, organic electroluminescence element, display device and lighting device
JP4773109B2 (ja) * 2005-02-28 2011-09-14 高砂香料工業株式会社 白金錯体及び発光素子
US7771845B2 (en) 2005-03-14 2010-08-10 Fujifilm Corporation Organic electroluminescent device
US7981524B2 (en) 2005-03-16 2011-07-19 Fujifilm Corporation Platinum complex compound and organic electroluminescent device
CN101163711B (zh) * 2005-03-17 2013-05-29 株式会社半导体能源研究所 有机金属络合物、以及使用所述有机金属络合物的发光元件、发光装置和发光电子-装置
TWI418606B (zh) * 2005-04-25 2013-12-11 Udc Ireland Ltd 有機電致發光裝置
TWI391027B (zh) * 2005-04-25 2013-03-21 Fujifilm Corp 有機電致發光裝置
JP4801928B2 (ja) 2005-04-25 2011-10-26 富士フイルム株式会社 有機電界発光素子
US7498437B2 (en) * 2005-04-27 2009-03-03 Au Optronics Corporation Phosphorescent light-emitting device with doped iridium-complex
JP4533796B2 (ja) * 2005-05-06 2010-09-01 富士フイルム株式会社 有機電界発光素子
US20100264812A1 (en) * 2005-09-09 2010-10-21 Sumitomo Chemical Company, Limited Metal complex, light-emitting material, and light-emitting device
JP2007110067A (ja) * 2005-09-14 2007-04-26 Fujifilm Corp 有機電界発光素子用組成物、有機電界発光素子の製造方法、及び有機電界発光素子
JP4789556B2 (ja) * 2005-09-21 2011-10-12 富士フイルム株式会社 有機電界発光素子
US8206839B2 (en) 2005-10-04 2012-06-26 Fujifilm Corporation Organic electroluminescent element
CN104497054B (zh) * 2005-12-05 2017-09-22 株式会社半导体能源研究所 有机金属配合物和使用它的发光元件、发光设备和电子设备
JP4770699B2 (ja) * 2005-12-16 2011-09-14 ソニー株式会社 表示素子
KR20210130847A (ko) 2006-02-10 2021-11-01 유니버셜 디스플레이 코포레이션 시클로금속화 이미다조[1,2-ｆ]페난트리딘 및 디이미다조[1,2-ａ:1',2'-ｃ]퀴나졸린 리간드, 및 이의 등전자성 및 벤즈고리화된 유사체의 금속 착체
JP4871607B2 (ja) 2006-02-23 2012-02-08 富士フイルム株式会社 有機電界発光素子
US8273467B2 (en) 2006-02-28 2012-09-25 Fujifilm Corporation Organic electroluminescent device
EP1873163B1 (en) 2006-03-21 2010-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organometallic complex and light emitting element, light emitting device, and electronic device using the organometallic complex
JP2008037848A (ja) * 2006-08-10 2008-02-21 Takasago Internatl Corp 白金錯体及び発光素子
US20090035576A1 (en) * 2006-09-08 2009-02-05 Prasad Paras N Nanoparticles for two-photon activated photodynamic therapy and imaging
US20080233051A1 (en) * 2006-09-08 2008-09-25 Prasad Paras N Nanoparticles for two-photon activated photodynamic therapy and imaging
JP5282260B2 (ja) 2006-11-27 2013-09-04 ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド 有機電界発光素子
CN101541916B (zh) * 2006-11-30 2014-08-06 株式会社半导体能源研究所 发光装置
US20100084967A1 (en) * 2007-03-28 2010-04-08 Fujifilm Corporation Organic electroluminescent device
JP5430073B2 (ja) * 2007-03-30 2014-02-26 ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド 有機電界発光素子
DE102007017656A1 (de) * 2007-04-12 2008-10-16 Henkel Ag & Co. Kgaa Biheteroaryl-Metallkomplexe als Bleichkatalysatoren
WO2008149828A1 (en) * 2007-06-05 2008-12-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organometallic complex, and light-emitting materia light-emitting element, light-emitting device and electronic device
KR101548382B1 (ko) 2007-09-14 2015-08-28 유디씨 아일랜드 리미티드 유기 전계 발광 소자
JP4579320B2 (ja) * 2007-09-14 2010-11-10 富士フイルム株式会社 有機電界発光素子
JP5243972B2 (ja) 2008-02-28 2013-07-24 ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド 有機電界発光素子
JP4531836B2 (ja) * 2008-04-22 2010-08-25 富士フイルム株式会社 有機電界発光素子並びに新規な白金錯体化合物及びその配位子となり得る新規化合物
JP4531842B2 (ja) * 2008-04-24 2010-08-25 富士フイルム株式会社 有機電界発光素子
DE102008027005A1 (de) 2008-06-05 2009-12-10 Merck Patent Gmbh Organische elektronische Vorrichtung enthaltend Metallkomplexe
DE102008057051B4 (de) * 2008-11-13 2021-06-17 Merck Patent Gmbh Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
DE102008057050B4 (de) 2008-11-13 2021-06-02 Merck Patent Gmbh Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
TWI414301B (zh) * 2008-12-15 2013-11-11 Univ Nat Taiwan 以微核醣核酸miＲ－１４１為標的治療小核醣核酸病毒感染
JP2010232163A (ja) 2009-03-03 2010-10-14 Fujifilm Corp 発光表示装置の製造方法、発光表示装置、及び発光ディスプレイ
DE102009013041A1 (de) * 2009-03-13 2010-09-16 Merck Patent Gmbh Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
JP5604505B2 (ja) 2009-04-06 2014-10-08 アリゾナ ボード オブ リージェンツ アクティング フォー アンド オン ビハーフ オブ アリゾナ ステイト ユニバーシティ 四配位白金錯体の合成およびそれらの発光デバイスへの応用
JP2011046699A (ja) * 2009-07-31 2011-03-10 Sumitomo Chemical Co Ltd 金属錯体、それを含む組成物及びそれを用いた発光素子
KR101235776B1 (ko) 2009-07-31 2013-02-21 후지필름 가부시키가이샤 유기 디바이스용 증착 재료 및 유기 디바이스의 제조 방법
DE102009042693A1 (de) 2009-09-23 2011-03-24 Merck Patent Gmbh Materialien für elektronische Vorrichtungen
JP2010093294A (ja) * 2010-01-15 2010-04-22 Fujifilm Corp 有機電界発光素子
US8288187B2 (en) 2010-01-20 2012-10-16 Universal Display Corporation Electroluminescent devices for lighting applications
JP5864525B2 (ja) 2010-03-23 2016-02-17 メルク パテント ゲーエムベーハー 有機エレクトロルミネセンスデバイス用材料
CN102934251B (zh) 2010-03-31 2015-08-12 富士胶片株式会社 用于有机电致发光元件的材料和使用其的有机电致发光元件,以及制造有机电致发光元件的方法
JP2013525436A (ja) 2010-04-30 2013-06-20 アリゾナ ボード オブ リージェンツ アクティング フォー アンド オン ビハーフ オブ アリゾナ ステイト ユニバーシティ 四配位金錯体の合成およびその発光素子におけるその適用
CN102971396B (zh) 2010-04-30 2016-06-22 代表亚利桑那大学的亚利桑那校董会 四配位钯络合物的合成及其在光发射设备中的应用
US8816080B2 (en) 2011-02-18 2014-08-26 Arizona Board Of Regents Acting For And On Behalf Of Arizona State University Four coordinated platinum and palladium complexes with geometrically distorted charge transfer state and their applications in light emitting devices
US9221857B2 (en) 2011-04-14 2015-12-29 Arizona Board Of Regents Acting For And On Behalf Of Arizona State University Pyridine-oxyphenyl coordinated iridium (III) complexes and methods of making and using
WO2012162488A1 (en) 2011-05-26 2012-11-29 Arizona Board Of Regents Acting For And On Behalf Of Arizona State University Synthesis of platinum and palladium complexes as narrow-band phosphorescent emitters for full color displays
WO2012163471A1 (de) 2011-06-03 2012-12-06 Merck Patent Gmbh Metallkomplexe
US9783564B2 (en) 2011-07-25 2017-10-10 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
WO2013020631A1 (de) 2011-08-10 2013-02-14 Merck Patent Gmbh Metallkomplexe
JP2014225484A (ja) * 2011-11-24 2014-12-04 ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド 有機電界発光素子、並びに該有機電界発光素子を用いた発光装置、表示装置及び照明装置
JP5913938B2 (ja) 2011-11-30 2016-05-11 富士フイルム株式会社 光拡散性転写材料、光拡散層の形成方法、及び有機電界発光装置の製造方法
KR102012047B1 (ko) 2012-01-06 2019-08-19 유니버셜 디스플레이 코포레이션 효율이 큰 인광 물질
US9386657B2 (en) 2012-03-15 2016-07-05 Universal Display Corporation Organic Electroluminescent materials and devices
US20150171351A1 (en) * 2012-07-10 2015-06-18 Cambridge Display Technology Limited Light-emitting compound
US9540329B2 (en) 2012-07-19 2017-01-10 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9312502B2 (en) 2012-08-10 2016-04-12 Arizona Board Of Regents Acting For And On Behalf Of Arizona State University Iridium complexes demonstrating broadband emission through controlled geometric distortion and applications thereof
WO2014031977A1 (en) 2012-08-24 2014-02-27 Arizona Board Of Regents For And On Behalf Of Arizona State University Metal compounds and methods and uses thereof
US9882150B2 (en) 2012-09-24 2018-01-30 Arizona Board Of Regents For And On Behalf Of Arizona State University Metal compounds, methods, and uses thereof
US9252363B2 (en) 2012-10-04 2016-02-02 Universal Display Corporation Aryloxyalkylcarboxylate solvent compositions for inkjet printing of organic layers
US20150274762A1 (en) 2012-10-26 2015-10-01 Arizona Board Of Regents Acting For And On Behalf Of Arizona State University Metal complexes, methods, and uses thereof
KR102000211B1 (ko) 2012-10-29 2019-09-30 삼성디스플레이 주식회사 유기금속 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자
US9196860B2 (en) 2012-12-04 2015-11-24 Universal Display Corporation Compounds for triplet-triplet annihilation upconversion
US8716484B1 (en) 2012-12-05 2014-05-06 Universal Display Corporation Hole transporting materials with twisted aryl groups
US9653691B2 (en) 2012-12-12 2017-05-16 Universal Display Corporation Phosphorescence-sensitizing fluorescence material system
KR102081280B1 (ko) 2013-01-30 2020-05-28 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
JP6603445B2 (ja) 2013-06-10 2019-11-06 アリゾナ・ボード・オブ・リージェンツ・オン・ビハーフ・オブ・アリゾナ・ステイト・ユニバーシティー 改変された発光スペクトルを有する蛍光性四座配位金属錯体
JP6804823B2 (ja) * 2013-10-14 2020-12-23 アリゾナ・ボード・オブ・リージェンツ・オン・ビハーフ・オブ・アリゾナ・ステイト・ユニバーシティーＡｒｉｚｏｎａ Ｂｏａｒｄ ｏｆ Ｒｅｇｅｎｔｓ ｏｎ ｂｅｈａｌｆ ｏｆ Ａｒｉｚｏｎａ Ｓｔａｔｅ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ 白金錯体およびデバイス
US10644251B2 (en) * 2013-12-04 2020-05-05 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9224963B2 (en) 2013-12-09 2015-12-29 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Stable emitters
US9876173B2 (en) 2013-12-09 2018-01-23 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10020455B2 (en) 2014-01-07 2018-07-10 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Tetradentate platinum and palladium complex emitters containing phenyl-pyrazole and its analogues
US10135008B2 (en) 2014-01-07 2018-11-20 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
WO2015131158A1 (en) 2014-02-28 2015-09-03 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Chiral metal complexes as emitters for organic polarized electroluminescent devices
US9450198B2 (en) 2014-04-15 2016-09-20 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9941479B2 (en) 2014-06-02 2018-04-10 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Tetradentate cyclometalated platinum complexes containing 9,10-dihydroacridine and its analogues
KR102237823B1 (ko) 2014-07-09 2021-04-08 삼성전자주식회사 유기금속 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자
CN105273712B (zh) 2014-07-11 2017-07-25 广东阿格蕾雅光电材料有限公司 用于发光二极管的发光材料
US9923155B2 (en) 2014-07-24 2018-03-20 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Tetradentate platinum (II) complexes cyclometalated with functionalized phenyl carbene ligands and their analogues
US9502671B2 (en) 2014-07-28 2016-11-22 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Tridentate cyclometalated metal complexes with six-membered coordination rings
US9818959B2 (en) 2014-07-29 2017-11-14 Arizona Board of Regents on behlaf of Arizona State University Metal-assisted delayed fluorescent emitters containing tridentate ligands
WO2016025921A1 (en) 2014-08-15 2016-02-18 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Non-platinum metal complexes for excimer based single dopant white organic light emitting diodes
US11329244B2 (en) 2014-08-22 2022-05-10 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Organic light-emitting diodes with fluorescent and phosphorescent emitters
US9920242B2 (en) 2014-08-22 2018-03-20 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Metal-assisted delayed fluorescent materials as co-host materials for fluorescent OLEDs
US10033003B2 (en) 2014-11-10 2018-07-24 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Tetradentate metal complexes with carbon group bridging ligands
US9865825B2 (en) 2014-11-10 2018-01-09 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Emitters based on octahedral metal complexes
KR101814673B1 (ko) * 2014-11-28 2018-01-04 삼성에스디아이 주식회사 신규한 화합물, 이를 포함하는 감광성 수지 조성물 및 컬러필터
KR102344885B1 (ko) 2015-01-09 2021-12-29 삼성전자주식회사 유기금속 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자
US9871214B2 (en) 2015-03-23 2018-01-16 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9711739B2 (en) 2015-06-02 2017-07-18 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Tetradentate metal complexes containing indoloacridine and its analogues
US9879039B2 (en) 2015-06-03 2018-01-30 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Tetradentate and octahedral metal complexes containing naphthyridinocarbazole and its analogues
WO2016197019A1 (en) 2015-06-04 2016-12-08 Jian Li Transparent electroluminescent devices with controlled one-side emissive displays
US10158091B2 (en) 2015-08-04 2018-12-18 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Tetradentate platinum (II) and palladium (II) complexes, devices, and uses thereof
EP3133078B1 (en) 2015-08-18 2019-01-30 Samsung Electronics Co., Ltd. Organometallic compound and organic light-emitting device including the same
KR20170074170A (ko) * 2015-12-21 2017-06-29 유디씨 아일랜드 리미티드 삼각형 리간드를 갖는 전이 금속 착체 및 ｏｌｅｄ에서의 이의 용도
US10153442B2 (en) 2015-12-31 2018-12-11 National Tsing Hua University Iridium complex, OLED using the same, and nitrogen-containing tridentate ligand having carbene unit
US11335865B2 (en) 2016-04-15 2022-05-17 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University OLED with multi-emissive material layer
US11228003B2 (en) * 2016-04-22 2022-01-18 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11228002B2 (en) * 2016-04-22 2022-01-18 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10672997B2 (en) 2016-06-20 2020-06-02 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10177323B2 (en) 2016-08-22 2019-01-08 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Tetradentate platinum (II) and palladium (II) complexes and octahedral iridium complexes employing azepine functional groups and their analogues
CN110291094A (zh) 2016-10-12 2019-09-27 亚利桑那州立大学董事会 窄带红色磷光四配位基铂(ii)络合物
US11183670B2 (en) 2016-12-16 2021-11-23 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Organic light emitting diode with split emissive layer
US20180190915A1 (en) * 2017-01-03 2018-07-05 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11765968B2 (en) * 2017-01-23 2023-09-19 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
WO2018140765A1 (en) 2017-01-27 2018-08-02 Jian Li Metal-assisted delayed fluorescent emitters employing pyrido-pyrrolo-acridine and analogues
US11101435B2 (en) 2017-05-19 2021-08-24 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Tetradentate platinum and palladium complexes based on biscarbazole and analogues
US10516117B2 (en) 2017-05-19 2019-12-24 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Metal-assisted delayed fluorescent emttters employing benzo-imidazo-phenanthridine and analogues
WO2019079508A2 (en) 2017-10-17 2019-04-25 Jian Li PREFERRED MOLECULAR ORIENTATED PHOSPHORESCENT EXCIMERS AS MONOCHROMATIC TRANSMITTERS FOR DISPLAY AND LIGHTING APPLICATIONS
US11647643B2 (en) 2017-10-17 2023-05-09 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Hole-blocking materials for organic light emitting diodes
KR102486392B1 (ko) * 2017-11-24 2023-01-09 삼성전자주식회사 유기 발광 소자 및 이의 제조 방법
CN110586188B (zh) * 2018-09-30 2022-07-01 邯郸学院 一种用于乙烯选择性齐聚的催化剂体系、制备方法及乙烯齐聚反应方法
US11878988B2 (en) 2019-01-24 2024-01-23 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Blue phosphorescent emitters employing functionalized imidazophenthridine and analogues
US11594691B2 (en) 2019-01-25 2023-02-28 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Light outcoupling efficiency of phosphorescent OLEDs by mixing horizontally aligned fluorescent emitters
KR20200138533A (ko) * 2019-05-30 2020-12-10 삼성디스플레이 주식회사 유기금속 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자
US11785838B2 (en) 2019-10-02 2023-10-10 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Green and red organic light-emitting diodes employing excimer emitters
US11945985B2 (en) 2020-05-19 2024-04-02 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Metal assisted delayed fluorescent emitters for organic light-emitting diodes
US20220013733A1 (en) * 2020-06-16 2022-01-13 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University White oleds employing blue fluorescent emitters and orange phosphorescent excimers
KR102284600B1 (ko) * 2021-01-28 2021-08-02 (주)랩토 유기 금속 착물 및 이를 포함한 유기 전계발광 소자

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003123981A (ja) * 2001-10-12 2003-04-25 Canon Inc 有機発光素子

Family Cites Families (77)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4392858A (en) 1981-07-16 1983-07-12 Sherwood Medical Company Wound drainage device
HU199443B (en) 1984-06-25 1990-02-28 Chinoin Gyogyszer Es Vegyeszet Bactericidal and/or fungicidal synergic plant protective comprising nitrofuran derivatives
JP2891783B2 (ja) * 1991-02-06 1999-05-17 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2002516629A (ja) 1994-08-11 2002-06-04 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 固体画像増倍器及び固体画像増倍器からなるｘ線検査装置
GB9601603D0 (en) 1996-01-26 1996-03-27 Isis Innovations Ltd Terpyridine-platinum (II) complexes
JP3195265B2 (ja) 1997-01-18 2001-08-06 東京応化工業株式会社 Ｂｉ系強誘電体薄膜形成用塗布液およびこれを用いて形成した強誘電体薄膜、強誘電体メモリ
US6303238B1 (en) 1997-12-01 2001-10-16 The Trustees Of Princeton University OLEDs doped with phosphorescent compounds
DE19829948A1 (de) 1998-07-04 2000-01-05 Bayer Ag Elektrolumineszierende Anordnung unter Verwendung von Azomethin-Metallkomplexen
US6316130B1 (en) * 1998-07-04 2001-11-13 Bayer Aktiengesellschaft Electroluminescent assemblies using azomethine-metal complexes
US6159888A (en) * 1998-09-09 2000-12-12 Phillips Petroleum Company Polymerization catalyst systems, their preparation, and use
JP2000091084A (ja) * 1998-09-16 2000-03-31 Trustees Of Princeton Univ ホ―ル注入性改良電極
JP4619546B2 (ja) 1999-03-23 2011-01-26 ザ ユニバーシティー オブ サザン カリフォルニア 有機ｌｅｄの燐光性ドーパントとしてのシクロメタル化金属錯体
KR100934420B1 (ko) * 1999-05-13 2009-12-29 더 트러스티즈 오브 프린스턴 유니버시티 전계인광에 기초한 고 효율의 유기 발광장치
US6310360B1 (en) 1999-07-21 2001-10-30 The Trustees Of Princeton University Intersystem crossing agents for efficient utilization of excitons in organic light emitting devices
GB0007002D0 (en) * 2000-03-22 2000-05-10 Borealis Polymers Oy Catalysts
JP4048521B2 (ja) * 2000-05-02 2008-02-20 富士フイルム株式会社 発光素子
DE10023174A1 (de) 2000-05-11 2001-11-22 Bosch Gmbh Robert Werkzeugmaschine, insbesondere Handwerkzeugmaschine
JP4504512B2 (ja) 2000-05-30 2010-07-14 三井化学株式会社 有機電界発光素子
JP4344494B2 (ja) * 2000-08-24 2009-10-14 富士フイルム株式会社 発光素子及び新規重合体子
JP4154140B2 (ja) 2000-09-26 2008-09-24 キヤノン株式会社 金属配位化合物
JP4086499B2 (ja) * 2000-11-29 2008-05-14 キヤノン株式会社 金属配位化合物、発光素子及び表示装置
DE10104426A1 (de) 2001-02-01 2002-08-08 Covion Organic Semiconductors Verfahren zur Herstellung von hochreinen, tris-ortho-metallierten Organo-Iridium-Verbindungen
JP3965319B2 (ja) * 2001-03-08 2007-08-29 ザ ユニヴァーシティ オブ ホンコン 有機金属発光材料
JP2002305083A (ja) 2001-04-04 2002-10-18 Mitsubishi Chemicals Corp 有機電界発光素子
JP4006266B2 (ja) 2001-06-15 2007-11-14 キヤノン株式会社 発光素子及び発光素子の製造方法
JP4310077B2 (ja) * 2001-06-19 2009-08-05 キヤノン株式会社 金属配位化合物及び有機発光素子
JP2003133071A (ja) * 2001-08-13 2003-05-09 Victor Co Of Japan Ltd 有機エレクトロルミネセンス素子及びその製造方法
WO2003022008A1 (en) * 2001-08-29 2003-03-13 The Trustees Of Princeton University Organic light emitting devices having carrier transporting layers comprising metal complexes
JP2003073355A (ja) 2001-09-04 2003-03-12 Toyota Central Res & Dev Lab Inc 金属錯体化合物及びこれを用いた有機電界発光素子
JP3840085B2 (ja) 2001-10-09 2006-11-01 キヤノン株式会社 有機発光素子
JP4467876B2 (ja) * 2001-10-30 2010-05-26 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
JP3863759B2 (ja) * 2001-11-09 2006-12-27 竹子 松村 高輝度有機イリジウム錯体を用いた有機エレクトロルミネッセンス材料及び有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JP3952140B2 (ja) 2001-11-22 2007-08-01 三甲株式会社 カード差し
JP2004006066A (ja) * 2002-04-15 2004-01-08 Sony Corp 有機電界発光素子及び発光装置
US6653654B1 (en) * 2002-05-01 2003-11-25 The University Of Hong Kong Electroluminescent materials
JP2004047387A (ja) * 2002-07-15 2004-02-12 Fuji Electric Holdings Co Ltd 有機多色発光表示素子およびその製造方法
SE523028C2 (sv) * 2002-07-18 2004-03-23 Sonnie Hermansson Anordning för stängning av en fordonsdör, ett fordon med en dörr och förfarande för montering av en anordning för öppning och stängning av en dörr
EP1524551A4 (en) * 2002-07-22 2007-11-28 Idemitsu Kosan Co ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE DEVICE
WO2004039914A1 (ja) 2002-11-01 2004-05-13 Takasago International Corporation 発光素子
JP2004331506A (ja) 2003-03-11 2004-11-25 Nippon Kasei Chem Co Ltd エポキシ基末端（メタ）アクリレート
DE10310887A1 (de) * 2003-03-11 2004-09-30 Covion Organic Semiconductors Gmbh Matallkomplexe
US6833202B2 (en) * 2003-03-13 2004-12-21 City University Of Hong Kong Electroluminescent devices
JP2004331508A (ja) * 2003-04-30 2004-11-25 Takasago Internatl Corp 白金錯体
DE10320259A1 (de) * 2003-05-07 2004-11-25 Bayer Technology Services Gmbh Neuartige Glukose Dehydrogenase und ihre Herstellung
ATE526381T1 (de) * 2003-05-09 2011-10-15 Fujifilm Corp Organische elektrolumineszenzvorrichtung sowie platinverbindung
JP4460952B2 (ja) 2003-06-02 2010-05-12 富士フイルム株式会社 有機電界発光素子及び錯体化合物
EP1629063B2 (en) * 2003-06-02 2019-07-17 UDC Ireland Limited Organic electroluminescent devices and metal complex compounds
DE10350722A1 (de) 2003-10-30 2005-05-25 Covion Organic Semiconductors Gmbh Metallkomplexe
KR101044087B1 (ko) * 2003-11-04 2011-06-27 다카사고 고료 고교 가부시키가이샤 백금 착체 및 발광소자
US7029766B2 (en) * 2003-12-05 2006-04-18 Eastman Kodak Company Organic element for electroluminescent devices
KR100537621B1 (ko) 2004-02-02 2005-12-19 삼성에스디아이 주식회사 이리듐 화합물 및 이를 이용한 유기 전계 발광 소자
US7332232B2 (en) * 2004-02-03 2008-02-19 Universal Display Corporation OLEDs utilizing multidentate ligand systems
US20050170206A1 (en) * 2004-02-03 2005-08-04 Bin Ma OLEDs utilizing multidentate ligand systems
US7361415B2 (en) * 2004-04-16 2008-04-22 The University Of Hong Kong System and method for producing light with organic light-emitting devices
US7579090B2 (en) * 2004-09-20 2009-08-25 Eastman Kodak Company Organic element for electroluminescent devices
JP4500735B2 (ja) 2004-09-22 2010-07-14 富士フイルム株式会社 有機電界発光素子
JP4531509B2 (ja) 2004-09-27 2010-08-25 富士フイルム株式会社 発光素子
JP2006120811A (ja) 2004-10-21 2006-05-11 Canon Inc 発光素子及び表示装置
US20060134461A1 (en) * 2004-12-17 2006-06-22 Shouquan Huo Organometallic materials and electroluminescent devices
US7597967B2 (en) 2004-12-17 2009-10-06 Eastman Kodak Company Phosphorescent OLEDs with exciton blocking layer
JP2006182921A (ja) * 2004-12-28 2006-07-13 Konica Minolta Holdings Inc 有機ｅｌ素子用材料、有機ｅｌ素子、表示装置及び照明装置
JP4399382B2 (ja) 2005-03-16 2010-01-13 富士フイルム株式会社 有機電界発光素子
JP4399429B2 (ja) 2005-03-16 2010-01-13 富士フイルム株式会社 有機電界発光素子
US7981524B2 (en) 2005-03-16 2011-07-19 Fujifilm Corporation Platinum complex compound and organic electroluminescent device
JP4934345B2 (ja) 2005-04-25 2012-05-16 富士フイルム株式会社 有機電界発光素子
US7758971B2 (en) 2005-04-25 2010-07-20 Fujifilm Corporation Organic electroluminescent device
JP2007073845A (ja) 2005-09-08 2007-03-22 Fujifilm Holdings Corp 有機レーザ発振素子
JP2008037848A (ja) 2006-08-10 2008-02-21 Takasago Internatl Corp 白金錯体及び発光素子
JP2008103535A (ja) 2006-10-19 2008-05-01 Takasago Internatl Corp 発光素子
JP5282260B2 (ja) * 2006-11-27 2013-09-04 ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド 有機電界発光素子
KR101548382B1 (ko) * 2007-09-14 2015-08-28 유디씨 아일랜드 리미티드 유기 전계 발광 소자
CN101873968A (zh) 2007-11-26 2010-10-27 埃克森美孚石油公司 贴标签方法和装置
JP5610848B2 (ja) * 2009-06-11 2014-10-22 ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド 有機電界発光素子
KR102007594B1 (ko) * 2009-07-31 2019-08-05 유디씨 아일랜드 리미티드 유기 전계 발광 소자
JP4551480B1 (ja) * 2009-08-31 2010-09-29 富士フイルム株式会社 有機電界発光素子
JP5770441B2 (ja) * 2009-09-30 2015-08-26 ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド 有機電界発光素子用材料、及び有機電界発光素子
KR102673810B1 (ko) * 2016-09-27 2024-06-10 삼성전자주식회사 유기금속 화합물, 이를 포함한 유기 발광 소자 및 이를 포함한 진단용 조성물

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003123981A (ja) * 2001-10-12 2003-04-25 Canon Inc 有機発光素子

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11569461B2 (en) 2017-12-08 2023-01-31 Samsung Display Co., Ltd. Organic electroluminescence device and organometallic compound for organic electroluminescence device

Also Published As

Publication number Publication date
JP5081221B2 (ja) 2012-11-28
EP1629063A4 (en) 2012-03-07
US20190355918A1 (en) 2019-11-21
US20150084028A1 (en) 2015-03-26
JP2013048256A (ja) 2013-03-07
EP2924094A1 (en) 2015-09-30
EP1629063B1 (en) 2015-05-13
JP2010062577A (ja) 2010-03-18
EP2924094B1 (en) 2017-04-05
JP2010080982A (ja) 2010-04-08
JP2013033985A (ja) 2013-02-14
JP5278911B2 (ja) 2013-09-04
WO2004108857A1 (en) 2004-12-16
EP1629063B2 (en) 2019-07-17
EP1629063A1 (en) 2006-03-01
US20220344601A1 (en) 2022-10-27
US8211553B2 (en) 2012-07-03
EP3623444B1 (en) 2021-05-26
US20090174324A1 (en) 2009-07-09
EP3211057A1 (en) 2017-08-30
EP3211057B2 (en) 2022-11-02
JP2010118670A (ja) 2010-05-27
EP3901235B1 (en) 2023-11-15
US10153444B2 (en) 2018-12-11
US7569692B2 (en) 2009-08-04
US10396299B2 (en) 2019-08-27
US20060182992A1 (en) 2006-08-17
KR20060016087A (ko) 2006-02-21
EP3211057B1 (en) 2019-11-27
US11393989B2 (en) 2022-07-19
US8940415B2 (en) 2015-01-27
EP3623444A1 (en) 2020-03-18
US20120169220A1 (en) 2012-07-05
EP3901235A1 (en) 2021-10-27
US20180083208A1 (en) 2018-03-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101098807B1 (ko) 유기 전계발광 소자 및 금속 착화합물
JP4067286B2 (ja) 発光素子及びイリジウム錯体
EP1919928B1 (en) Platinum complex compound and organic electroluminescent device
JP4460952B2 (ja) 有機電界発光素子及び錯体化合物
JP3929689B2 (ja) 高効率赤色発光素子、イリジウム錯体から成る発光素子材料及び新規イリジウム錯体
JP4048525B2 (ja) 新規インドール誘導体およびそれを利用した発光素子
JP2009246373A (ja) 発光素子及びイリジウム錯体
JP2002117978A (ja) 発光素子及びイリジウム錯体
JP4512217B2 (ja) アリールシラン化合物、発光素子材料およびそれを使用した発光素子
JP2003335753A (ja) ヘテロ環化合物及びそれを用いた発光素子
JP4174202B2 (ja) 新規ヘテロ環化合物、およびそれを使用した発光素子
JP2000297278A (ja) 発光素子材料およびそれを使用した発光素子

Legal Events

Date Code Title Description
N231 Notification of change of applicant
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141205

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151118

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161122

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171120

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181129

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20191202

Year of fee payment: 9