JP5081221B2

JP5081221B2 - 有機電界発光素子及び錯体化合物

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Publication number: JP5081221B2
Application number: JP2009293566A
Authority: JP
Inventors: 俊大伊勢; 達也五十嵐; 靖司市嶋; 一巳新居; 康介渡辺
Original assignee: Fujifilm Corp
Current assignee: Fujifilm Corp
Priority date: 2003-06-02
Filing date: 2009-12-24
Publication date: 2012-11-28
Anticipated expiration: 2024-06-01
Also published as: EP1629063B2; EP1629063A4; US20060182992A1; EP3211057B2; EP3211057A1; JP5278911B2; EP3211057B1; EP3623444A1; US20180083208A1; US20120169220A1; US20090174324A1; KR20060016087A; US20220344601A1; EP1629063A1; US20150084028A1; EP1629063B1; US10396299B2; JP2010118670A; EP2924094A1; KR101098807B1

Description

本発明は、電気エネルギーを光に変換して発光できる有機電界発光素子（発光素子、又はＥＬ素子）に関する。またそれに好適に用いることができる金属錯体に関する。

今日、種々の表示素子に関する研究開発が活発であり、中でも有機電界発光（ＥＬ）素子は、低電圧で高輝度の発光を得ることができるため、有望な表示素子として注目されている。

近年、有機ＥＬ素子をカラーディスプレイ、白色光源へと適用することが活発に検討されているが、高性能カラーディスプレイ、及び、白色光源を開発する為には青・緑・赤、それぞれの発光素子の特性を向上する必要が有る。

一方、赤色発光するりん光発光素子としては、環状４座配位子を有する白金ポルフィリン錯体を発光材料として用いた素子が知られているが（例えば非特許文献１、特許文献１参照）、最高輝度が低い為、改良が求められていた。
また、鎖状のビピリジン系やフェナンスロリン系４座配位子を有する白金ポルフィリン錯体が報告されているが（非特許文献２、特許文献２、特許文献３参照）、色純度などの発光特性と耐久性が両立するものではなく、改良が望まれていた。更に、より短波な緑色、青色発光材料も更に発光特性と耐久性に優れるものの開発が求められていた。

米国特許第６，３０３，２３１Ｂ１号明細書米国特許第６，６５３，６５４Ｂ１号明細書国際公開第０３／０９３２８３号

Ｎａｔｕｒｅ３９５，１５１（１９９８）Ｃｈｅｍ．Ｅｕｒ．Ｊ．，９，Ｎｏ．６，１２６４（２００３）

本発明の目的は、発光特性及び耐久性が良好な発光素子の提供にある。またそれに好適に用いることができる金属錯体の提供にある。

この課題は下記手段によって達成された。
［１］一対の電極間に発光層を含む少なくとも一層の有機層を有する有機電界発光素子であって、一対の電極間の少なくとも一層に、３座以上の配位子を有し、かつ配位子が鎖状配位子である金属錯体の少なくとも一種を含有することを特徴とする有機電界発光素子。
［２］金属錯体中の金属イオンが白金イオン、イリジウムイオン、レニウムイオン、パラジウムイオン、ロジウムイオン、ルテニウムイオン、及び銅イオンの群から選ばれることを特徴とする［１］に記載の有機電界発光素子。
［３］金属錯体が炭素−金属結合を持たないことを特徴とする［１］又は［２］に記載の有機電界発光素子。
［４］金属錯体がりん光を発光する金属錯体であり、かつ金属錯体を発光層に含有することを特徴とする［１］〜［３］のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。
［５］金属錯体が一般式（１）で表される化合物であることを特徴とする［１］〜［４］のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。

（Ｍ¹¹は金属イオンを表し、Ｌ¹¹、Ｌ¹²、Ｌ¹³、Ｌ¹⁴、Ｌ¹⁵はそれぞれＭ¹¹に配位する配位子を表す。Ｌ¹¹、Ｌ¹⁴間に原子群が更に存在して環状配位子を形成することは無い。Ｌ¹⁵はＬ¹¹及びＬ¹⁴の両方と結合して環状配位子を形成することはない。Ｙ¹¹、Ｙ¹²、Ｙ¹³はそれぞれ連結基、単結合、又は二重結合を表す。Ｌ¹¹とＹ¹²、Ｙ¹²とＬ¹²、Ｌ¹²とＹ¹¹、Ｙ¹¹とＬ¹³、Ｌ¹³とＹ¹³、Ｙ¹³とＬ¹⁴の間の結合は、単結合又は二重結合を表す。ｎ¹¹は０〜４を表す。）
［６］金属錯体が一般式（２）で表される化合物であることを特徴とする［１］〜［５］のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。

（Ｍ²¹は金属イオンを表し、Ｙ²¹は連結基、単結合、又は二重結合を表す。Ｙ²²、Ｙ²³はそれぞれ単結合又は連結基を表す。Ｑ²¹、Ｑ²²はそれぞれ含窒素ヘテロ環を形成する原子群を表し、Ｑ²¹で形成される環とＹ²¹の間の結合及びＱ²²で形成される環とＹ²¹の間の結合は単結合又は二重結合を表す。Ｘ²¹、Ｘ²²はそれぞれ酸素原子、硫黄原子、置換又は無置換の窒素原子を表す。Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ²³、Ｒ²⁴はそれぞれ水素原子又は置換基を表し、Ｒ²¹及びＲ²²並びにＲ²³及びＲ²⁴は各々結合して環を形成してもよい。Ｌ²⁵はＭ²¹に配位する配位子を表す。ｎ²¹は０〜４の整数を表す。）
［７］金属錯体が一般式（２）で表され、Ｑ²¹、Ｑ²²が形成する環がピリジン環で、Ｙ²¹は１つ以上の原子からなる連結基を表す化合物であることを特徴とする［６］に記載の有機電界発光素子。
［８］金属錯体が一般式（２）で表され、Ｑ²¹、Ｑ²²が形成する環がピリジン環で、Ｙ²¹が単結合又は二重結合で、Ｘ²¹、Ｘ²²が硫黄原子、置換又は無置換の窒素原子を表す化合物であることを特徴とする［６］に記載の有機電界発光素子。
［９］金属錯体が一般式（２）で表され、Ｑ²¹、Ｑ²²が形成する環が含窒素ヘテロ５員環であることを特徴とする［６］に記載の有機電界発光素子。
［１０］金属錯体が一般式（２）で表され、Ｑ²¹、Ｑ²²が形成する環が窒素原子を２つ以上含む含窒素６員環であることを特徴とする［６］に記載の有機電界発光素子。
［１１］金属錯体が一般式（９）で表される化合物であることを特徴とする［１］又は［２］に記載の有機電界発光素子。

（Ｍ^A1は金属イオンを表し、Ｑ^A1、Ｑ^A2はそれぞれ含窒素ヘテロ環を形成する原子群を表す。ＲA1、Ｒ^A2、Ｒ^A3、Ｒ^A4はそれぞれ水素原子又は置換基を表し、Ｒ^A1及びＲ^A2並びにＲ^A3及びＲ^A4は各々結合して環を形成してもよい。Ｙ^A2、Ｙ^A3はそれぞれ連結基又は単結合を表す。Ｙ^A1はかっこ内の２つの２座配位子をそれぞれ連結する連結基、単結合、又は二重結合を表す。Ｌ^A5はＭ^A1に配位する配位子を表す。ｎ^A1は０〜４の整数を表す。）
［１２］金属錯体が一般式（１０）で表される化合物であることを特徴とする［１］又は［２］に記載の有機電界発光素子。

（Ｍ^B1は金属イオンを表し、Ｙ^B1は連結基を表す。Ｙ^B2、Ｙ^B3はそれぞれ連結基又は単結合を表す。Ｘ^B1、Ｘ^B2はそれぞれ酸素原子、硫黄原子、置換又は無置換の窒素原子を表し、ｎ^B1、ｎ^B2は０ないし１の整数を表す。Ｒ^B1、Ｒ^B2、Ｒ^B3、Ｒ^B4、Ｒ^B5、Ｒ^B6はそれぞれ水素原子又は置換基を表し、Ｒ^B1及びＲ^B2並びにＲ^B3及びＲ^B4は各々結合して環を形成してもよい。Ｌ^B5はＭ^B1に配位する配位子を表す。ｎ^B3は０〜４の整数を表す。ただし、Ｙ^B1はＲ^B5又はＲ^B6と連結することはない。）
［１３］金属錯体が一般式（８）で表される化合物であることを特徴とする［１］〜［４］のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。

（Ｍ⁸¹は金属イオンを表し、Ｌ⁸¹、Ｌ⁸²、Ｌ⁸³、Ｌ⁸⁵はそれぞれＭ⁸¹に配位する配位子を表す。Ｌ⁸¹、Ｌ⁸³間に原子群が更に存在して環状又は４座以上の配位子を形成することは無い。Ｌ⁸⁵は金属を介さずにＬ⁸¹又はＬ⁸³と連結することはない。Ｙ⁸¹、Ｙ⁸²はそれぞれ連結基、単結合、又は二重結合を表す。ｎ⁸¹は０〜３の整数を表す。）
［１４］金属錯体が一般式（８）で表され、Ｌ⁸¹、Ｌ⁸²、Ｌ⁸³が炭素原子でＭ⁸¹に配位する芳香族炭素環又はヘテロ環、又は窒素原子でＭ⁸¹に配位する含窒素ヘテロ環を表し、Ｌ⁸¹、Ｌ⁸²、Ｌ⁸³のうち少なくとも一つが含窒素ヘテロ環であることを特徴とする［１３］に記載の有機電界発光素子。
［１５］
金属錯体が一般式（X1）で表されることを特徴とする［１］又は［２］に記載の有機電界発光素子。

（一般式（X1）中、Ｍ^X1は金属イオンを表す。Ｑ^X11〜Ｑ^X16はＭ^X1に配位する原子又はＭ^X1に配位する原子を含んだ原子群を表す。Ｌ^X11〜Ｌ^X14は単結合、二重結合又は連結基を表す。すなわち、Ｑ^X11−Ｌ^X11−Ｑ^X12−Ｌ^X12−Ｑ^X13からなる原子群及びＱ^X14−Ｌ^X13−Ｑ^X15−Ｌ^X14−Ｑ^X16からなる原子群はそれぞれ三座の配位子である。Ｍ^X1とＱ^X11〜Ｑ^X16との結合は、それぞれ配位結合でも共有結合でもよい。）
［１６］前記一般式（X1）で表される金属錯体が、一般式（X2）で表されることを特徴とする［１５］に記載の有機電界発光素子。

（一般式（X2）中、Ｍ^X2は金属イオンを表す。Ｙ^X21〜Ｙ^X26はＭ^X2に配位する原子を表し、Ｑ^X21〜Ｑ^X26は、それぞれＹ^X21〜Ｙ^X26と共に芳香環若しくは芳香族ヘテロ環を形成する原子群を表す。Ｌ^X21〜Ｌ^X24は単結合、二重結合又は連結基を表す。Ｍ^X2とＹ^X21〜Ｙ^X26との結合は、それぞれ配位結合でも共有結合でもよい。）
［１７］前記一般式（X1）で表される金属錯体が、一般式（X3）で表されることを特徴とする［１５］に記載の有機電界発光素子。

（一般式（X3）中、Ｍ^X3は金属イオンを表す。Ｙ^X31〜Ｙ^X36は、炭素原子、窒素原子、リン原子を表す。Ｌ^X31〜Ｌ^X34は単結合、二重結合又は連結基を表す。Ｍ^X3とＹ^X31〜Ｙ^X36との結合は、それぞれ配位結合でも共有結合でもよい。）
［１８］一対の電極間に少なくとも一層の発光層を含む有機電界発光素子であって、正孔輸送層と発光層に加え、励起子ブロック層、正孔注入層、正孔ブロック層及び電子輸送層からなる群から選ばれる少なくとも一つの層を有することを特徴とする［１］〜［１７］のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。
［１９］一対の電極間に少なくとも一層の発光層を含む有機電界発光素子であって、発光層のホスト材料がアミン化合物、金属キレートオキシノイド化合物（金属−酸素結合を有する化合物）（金属はアルミニウム、亜鉛、又は遷移金属）、ポリアリーレン化合物、縮合芳香族炭素環化合物及び非錯体芳香族ヘテロ環化合物からなる群から選ばれることを特徴とする［１］〜［１８］のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。
［２０］一対の電極間に少なくとも一層の電子輸送層を含む有機電界発光素子であって、電子輸送材料が、金属キレートオキシノイド化合物、ポリアリーレン化合物、縮合芳香族炭素環化合物及び非錯体芳香族ヘテロ環化合物からなる群から選ばれることを特徴とする［１］〜［１９］のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。
［２１］一対の電極間に少なくとも一層の発光層を含む有機電界発光素子であって、発光層のホスト材料が少なくとも２種以上の化合物からなることを特徴とする［１］〜［２０］のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。
［２２］一般式（１１）で表される化合物。

（Ｒ^C1、Ｒ^C2はそれぞれ水素原子又は置換基を表し、Ｒ^C3、Ｒ^C4、Ｒ^C5、Ｒ^C6はそれぞれ置換基を表す。ｎ^C3、ｎ^C6は０〜３、ｎ^C4、ｎ^C5は０〜４の整数を表し、Ｒ^C3、Ｒ^C4、Ｒ^C5、Ｒ^C6をそれぞれ複数個有する場合、複数個のＲ^C3、Ｒ^C4、Ｒ^C5、Ｒ^C6は同じであっても異なってもよく、連結して環を形成してもよい。）
［２３］一般式（１２）で表される化合物。

（Ｒ^D3、Ｒ^D4はそれぞれ水素原子または置換基を表し、Ｒ^D1、Ｒ^D2はそれぞれ置換基を表す。ｎ^D1、ｎ^D2は０〜４の整数を表し、Ｒ^D1、Ｒ^D2をそれぞれ複数個有する場合、複数個のＲ^D1、Ｒ^D2は同じであっても異なってもよく、連結して環を形成してもよい。Ｙ^D1は１，２位で置換したビニル基、フェニレン環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環または炭素数１〜８のメチレン基を表す。）
［２４］前記一般式（X1）で表される化合物。
［２５］前記一般式（X2）で表される化合物。
［２６］前記一般式（X3）で表される化合物。
本発明は以下の〔１〕〜〔３〕に関するものである。
〔１〕
一般式（１１）で表される化合物。

（Ｒ^C1、Ｒ^C2はそれぞれ水素原子、アルキル基、アリール基、アミノ基又はアシル基を表し、Ｒ^C3、Ｒ^C4、Ｒ^C5、Ｒ^C6はそれぞれアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルホニルアミノ基、スルファモイル基、カルバモイル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロ環チオ基、スルホニル基、スルフィニル基、ウレイド基、リン酸アミド基、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基、シリル基、又はシリルオキシ基を表す。ｎ^C3、ｎ^C6は０〜３、ｎ^C4、ｎ^C5は０〜４の整数を表し、Ｒ^C3、Ｒ^C4、Ｒ^C5、Ｒ^C6をそれぞれ複数個有する場合、複数個のＲ^C3、Ｒ^C4、Ｒ^C5、Ｒ^C6は同じであっても異なってもよく、連結して環を形成してもよい。）
〔２〕
前記Ｒ^C3、Ｒ^C4、Ｒ^C5、Ｒ^C6が、それぞれ、アルキル基、アリール基、アミノ基、ハロゲン原子又はアルコキシ基である、〔１〕に記載の化合物。
〔３〕
前記Ｒ^C1、Ｒ^C2が、それぞれ、アルキル基である、〔１〕又は〔２〕に記載の化合物。
なお、本発明は上記〔１〕〜〔３〕に関するものであるが、その他の事項についても参考のために記載した。

本明細書中の鎖状配位子とは、環状配位子（例えばポルフィリン、フタロシアニンなど）でない配位子である。一般式（８）を例にとると、Ｌ⁸¹、Ｌ⁸³がＹ⁸¹、Ｌ⁸²、Ｙ⁸²、Ｍ⁸¹を介さずに連結することがない配位子のことをいう。Ｌ⁸¹、Ｙ⁸¹、Ｌ⁸²、Ｙ⁸²、Ｌ⁸³に環構造（例えばベンゼン、ピリジン、キノリンなど）が含まれていても、Ｌ⁸¹とＬ⁸³がＹ⁸¹、Ｌ⁸²、Ｙ⁸²、Ｍ⁸¹を介さずに連結していなければ、その配位子を鎖状配位子と呼ぶ。Ｌ⁸¹とＹ⁸¹の間、Ｙ⁸¹とＬ⁸²の間、Ｌ⁸²とＹ⁸²の間、Ｙ⁸²とＬ⁸³の間に更に原子群が存在して環を形成しても良い。

本発明の発光素子は外部量子効率及び最高輝度が高く、発光特性が優れ、また、耐久性も優れる。本発明の発光素子は、表示素子、ディスプレイ、バックライト、電子写真、照明光源、記録光源、露光光源、読み取り光源、標識、看板、インテリア、光通信等の分野に好適に使用できる。また、本発明の化合物は、医療用途、蛍光増白剤、写真用材料、ＵＶ吸収材料、レーザー色素、記録メディア用材料、インクジェット用顔料、カラーフィルター用染料、色変換フィルター等にも適用可能である。本発明の新規錯体は、上記のような優れた発光素子を製造するのに好適である。

本発明の有機電界発光素子（以下、本発明の素子と呼ぶことがある。）は、一対の電極間に、発光層を含む少なくとも一層の有機層（有機化合物のみから成る層であっても良いし、無機化合物を含有する有機層であっても良い）を有する有機電界発光素子であって、任意の、一対の電極に挟まれる層中に、りん光を発する金属錯体を含有し、その金属錯体が３座以上の配位子を有し、かつ、その配位子が鎖状配位子であることを特徴とする。

本発明の３座以上の鎖状配位子を有する金属錯体（以下、本発明の金属錯体と呼ぶことがある。）としては、３座以上８座以下の鎖状配位子を有する金属錯体が好ましく、４座以上８座以下の鎖状配位子を有する金属錯体がより好ましく、４座以上６座以下の鎖状配位子を有する金属錯体が更に好ましく、４座の鎖状配位子を有する金属錯体が特に好ましい。
本発明中の鎖状配位子は、中心金属｛例えば、前記一般式（１）の場合はＭ¹¹を表す。｝に窒素で配位する含窒素へテロ環（例えばピリジン環、キノリン環、ピロール環など）を少なくとも一つ有することが好ましい。

本発明の金属錯体は、炭素−金属結合を持たないことが好ましい。つまり金属錯体において、金属原子と炭素原子との結合がないことを意味する。炭素−金属結合を持たないとは、具体的には以下の結合であることが好ましい。金属−窒素結合、金属−酸素結合、金属−硫黄結合、金属−リン結合、金属−セレン結合が好ましく、金属−窒素結合、金属−酸素結合、金属−硫黄結合、金属−リン結合がより好ましく、金属−窒素結合、金属−酸素結合、金属−硫黄結合が更に好ましい。

本発明に用いられる化合物はりん光を発するものであれば特に限定されず（好ましくは−３０℃以上においてりん光を発し、より好ましくは−１０℃以上においてりん光を発し、更に好ましくは０℃以上においてりん光を発し、特に好ましくは１０℃以上においてりん光を発するものが好ましい。）、蛍光を同時に発するものでも良いが、２０℃におけるりん光強度が蛍光強度に比べて２倍以上である化合物が好ましく、１０倍以上である化合物がより好ましく、１００倍以上である化合物が更に好ましい。

本発明のりん光材料は、２０℃でのりん光量子収率が１０％以上、かつ、りん光λｍａｘ（発光極大値）が４００ｎｍ以上の７００ｎｍ以下の材料が好ましく、２０℃でのりん光量子収率が１５％以上、かつ、りん光λｍａｘが４００ｎｍ以上５７５ｎｍ以下の材料がより好ましく、２０℃でのりん光量子収率が２０％以上、かつ、りん光λｍａｘが４００ｎｍ以上５６０ｎｍ以下の材料が更に好ましい。

本発明の金属錯体は、任意の、一対の電極に挟まれる層に含有されるが、好ましくはホール注入・輸送層及び／又は発光層に含まれ、より好ましくは発光層に含まれる。本発明の金属錯体を発光層中に含有する場合、発光層中のりん光発光化合物の濃度は、発光層の質量に対して、１質量％〜３０質量％であることが好ましく、２質量％〜２０質量％であることがより好ましく、３質量％〜１５質量％であることが更に好ましい。

本発明の４座以上の配位子を有する金属錯体の好ましい形態は、前記一般式（１）である。前記一般式（１）の好ましい形態は、前記一般式（２）、下記一般式（５）、前記一般式（９）、前記一般式（１０）である。

前記一般式（２）の好ましい形態は下記一般式（３）である。

前記一般式（９）の好ましい形態は下記一般式（６）、下記一般式（７）であり、下記一般式（７）の好ましい形態は前記一般式（１１）である。前記一般式（１０）の好ましい形態は前記一般式（１２）である。

前記一般式（１）について説明する。Ｍ¹¹は金属イオンを表す。金属イオンとしては特に限定されないが、２価又は３価の金属イオンが好ましい。２価又は３価の金属イオンとしては、白金イオン、イリジウムイオン、レニウムイオン、パラジウムイオン、ロジウムイオン、ルテニウムイオン、銅イオン、ユーロピウムイオン、ガドリニウムイオン、テルビウムイオンが好ましく、白金イオン、イリジウムイオン、ユーロピウムイオンがより好ましく、白金イオン、イリジウムイオンが更に好ましく、白金イオンが特に好ましい。

Ｌ¹¹、Ｌ¹²、Ｌ¹³、Ｌ¹⁴はそれぞれＭ¹¹に配位する配位子を表す。Ｌ¹¹、Ｌ¹²、Ｌ¹³、Ｌ¹⁴に含まれ、かつ、Ｍ¹¹に配位する原子としては、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、炭素原子が好ましく、窒素原子、酸素原子、炭素原子がより好ましい。

Ｍ¹¹とＬ¹¹、Ｌ¹²、Ｌ¹³、Ｌ¹⁴でそれぞれ形成される結合は、共有結合であってもイオン結合であっても配位結合であってもよい。Ｌ¹¹、Ｙ¹²、Ｌ¹²、Ｙ¹¹、Ｌ¹³、Ｙ¹³、Ｌ¹⁴から成る配位子は、アニオン性配位子（少なくとも一つのアニオンが金属と結合する配位子）であることが好ましい。アニオン性配位子中のアニオンの数は、１〜３が好ましく、１、２がより好ましく、２が更に好ましい。

Ｍ¹¹に炭素原子で配位するＬ¹¹、Ｌ¹²、Ｌ¹³、Ｌ¹⁴としては特に限定されないが、イミノ配位子、芳香族炭素環配位子（例えばベンゼン配位子、ナフタレン配位子、アントラセン配位子、フェナントラセン配位子など）、ヘテロ環配位子（例えばチオフェン配位子、ピリジン配位子、ピラジン配位子、ピリミジン配位子、チアゾール配位子、オキサゾール配位子、ピロール配位子、イミダゾール配位子、ピラゾール配位子、及び、それらを含む縮環体（例えばキノリン配位子、ベンゾチアゾール配位子など）及びこれらの互変異性体）である。

Ｍ¹¹に窒素原子で配位するＬ¹¹、Ｌ¹²、Ｌ¹³、Ｌ¹⁴としては特に限定されないが、含窒素へテロ環配位子｛例えば、ピリジン配位子、ピラジン配位子、ピリミジン配位子、ピリダジン配位子、トリアジン配位子、チアゾール配位子、オキサゾール配位子、ピロール配位子、イミダゾール配位子、ピラゾール配位子、トリアゾール配位子、オキサジアゾール配位子、チアジアゾール配位子、及び、それらを含む縮環体（例えば、キノリン配位子、ベンズオキサゾール配位子、ベンズイミダゾール配位子など）、及び、これらの互変異性体（本発明では通常の異性体以外に次のような例も互変異性体と定義する。例えば、化合物（２４）の５員ヘテロ環配位子、化合物（６４）の末端５員ヘテロ環配位子、化合物（１４５）の５員ヘテロ環配位子もピロール互変異性体と定義する。）など｝、アミノ配位子｛アルキルアミノ配位子（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばメチルアミノなどが挙げられる。）、アリールアミノ配位子（例えばフェニルアミノなどが挙げられる。）、アシルアミノ配位子
（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニルアミノ配位子（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニルアミノ配位子（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、スルホニルアミノ配位子（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノなどが挙げられる。）、イミノ配位子など｝が挙げられる。これらの配位子は更に置換されていても良い。

Ｍ¹¹に酸素原子で配位するＬ¹¹、Ｌ¹²、Ｌ¹³、Ｌ¹⁴としては特に限定されないが、アルコキシ配位子（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシ、２−エチルヘキシロキシなどが挙げられる。）、アリールオキシ配位子（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ、１−ナフチルオキシ、２−ナフチルオキシなどが挙げられる。）、ヘテロ環オキシ配位子（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルオキシ、ピラジルオキシ、ピリミジルオキシ、キノリルオキシなどが挙げられる。）、アシルオキシ配位子（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられる。）、シリルオキシ配位子（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリルオキシ、トリフェニルシリルオキシなどが挙げられる。）、カルボニル配位子
（例えばケトン配位子、エステル配位子、アミド配位子など）、エーテル配位子（例えばジアルキルエーテル配位子、ジアリールエーテル配位子、フリル配位子など）などが挙げられる。

Ｍ¹¹に硫黄原子で配位するＬ¹¹、Ｌ¹²、Ｌ¹³、Ｌ¹⁴としては特に限定されないが、アルキルチオ配位子（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる。）、アリールチオ配位子（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオなどが挙げられる。）、ヘテロ環チオ配位子（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルチオ、２−ベンズイミゾリルチオ、２−ベンズオキサゾリルチオ、２−ベンズチアゾリルチオなどが挙げられる。）、チオカルボニル配位子（例えばチオケトン配位子、チオエステル配位子など）、チオエーテル配位子（例えばジアルキルチオエーテル配位子、ジアリールチオエーテル配位子、チオフリル配位子など）などが挙げられる。これらの置換配位子は更に置換されてもよい。

Ｌ¹¹、Ｌ¹⁴は芳香族炭素環配位子、アルキルオキシ配位子、アリールオキシ配位子、エーテル配位子、アルキルチオ配位子、アリールチオ配位子、アルキルアミノ配位子、アリールアミノ配位子、アシルアミノ配位子、含窒素へテロ環配位子（例えばピリジン配位子、ピラジン配位子、ピリミジン配位子、ピリダジン配位子、トリアジン配位子、チアゾール配位子、オキサゾール配位子、ピロール配位子、イミダゾール配位子、ピラゾール配位子、トリアゾール配位子、オキサジアゾール配位子、チアジアゾール配位子、及び、それらを含む縮配位子体（例えば、キノリン配位子、ベンズオキサゾール配位子、ベンズイミダゾール配位子など）、及び、これらの互変異性体など）が好ましく、芳香族炭素環配位子、アリールオキシ配位子、アリールチオ配位子、アリールアミノ配位子、並びにピリジン配位子、ピラジン配位子、イミダゾール配位子、及び、それらを含む縮配位子体（例えば、キノリン配位子、キノキサリン配位子、ベンズイミダゾール配位子など）、及び、これらの互変異性体がより好ましく、芳香族炭素環配位子、アリールオキシ配位子、アリールチオ配位子、アリールアミノ配位子が更に好ましく、芳香族炭素環配位子、アリールオキシ配位子が特に好ましい。

Ｌ¹²、Ｌ¹³はＭ¹¹と配位結合を形成する配位子が好ましい。Ｍ¹¹と配位結合を形成する配位子としては、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、トリアジン環、チアゾール環、オキサゾール環、ピロール環、トリアゾール環、及び、それらを含む縮環体（例えば、キノリン環、ベンズオキサゾール環、ベンズイミダゾール環、インドレニン環など）及び、これらの互変異性体が好ましく、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピロール環、及び、それらを含む縮環体（例えば、キノリン環、ベンズピロールなど）、及び、これらの互変異性体がより好ましく、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、及び、それらを含む縮環体（例えば、キノリン環など）が更に好ましく、ピリジン環、及び、ピリジン環を含む縮環体（例えば、キノリン環など）が特に好ましい。

Ｌ¹⁵はＭ¹¹に配位する配位子を表す。Ｌ¹⁵は１〜４座の配位子が好ましく、１〜４座のアニオン性配位子がより好ましい。１〜４座のアニオン性配位子としては特に限定されないが、ハロゲン配位子、１，３−ジケトン配位子（例えばアセチルアセトン配位子など）、ピリジン配位子を含有するモノアニオン性２座配位子（例えばピコリン酸配位子、２−（２−ヒドロキシフェニル）−ピリジン配位子など）、Ｌ¹¹、Ｙ¹²、Ｌ¹²、Ｙ¹¹、Ｌ¹³、Ｙ¹³、Ｌ¹⁴で形成される４座配位子が好ましく、１，３−ジケトン配位子（例えばアセチルアセトン配位子など）、ピリジン配位子を含有するモノアニオン性２座配位子（例えばピコリン酸配位子、２−（２−ヒドロキシフェニル）−ピリジン配位子など）、Ｌ¹¹、Ｙ¹²、Ｌ¹²、Ｙ¹¹、Ｌ¹³、Ｙ¹³、Ｌ¹⁴で形成される４座配位子がより好ましく、１，３−ジケトン配位子（例えばアセチルアセトン配位子など）、ピリジン配位子を含有するモノアニオン性２座配位子（例えばピコリン酸配位子、２−（２−ヒドロキシフェニル）−ピリジン配位子など）が更に好ましく、１，３−ジケトン配位子（例えばアセチルアセトン配位子など）が特に好ましい。配位座の数、及び配位子の数が、金属の配位数を上回ることはない。Ｌ¹⁵はＬ¹¹及びＬ¹⁴の両方と結合して環状配位子を形成することはない。

Ｙ¹¹、Ｙ¹²、Ｙ¹³はそれぞれ連結基、単結合、又は二重結合を表す。連結基としては特に限定されないが、例えば、カルボニル連結基、チオカルボニル連結基、アルキレン基、アルケニレン基、アリーレン基、ヘテロアリーレン基、酸素原子連結基、窒素原子連結基、珪素原子連結基、及び、これらの組み合わせからなる連結基などが挙げられる。Ｌ¹¹とＹ¹²、Ｙ¹²とＬ¹²、Ｌ¹²とＹ¹¹、Ｙ¹¹とＬ¹³、Ｌ¹³とＹ¹³、Ｙ¹³とＬ¹⁴の間の結合は、単結合又は二重結合を表す。

Ｙ¹¹、Ｙ¹²、Ｙ¹³はそれぞれ単結合、二重結合、カルボニル連結基、アルキレン連結基、アルケニレン基が好ましく、Ｙ¹¹は単結合、アルキレン基がより好ましく、アルキレン基が更に好ましい。Ｙ¹²、Ｙ¹³は単結合、アルケニレン基がより好ましく、単結合が更に好ましい。

Ｙ¹²、Ｌ¹¹、Ｌ¹²、Ｍ¹¹で形成される環、Ｙ¹¹、Ｌ¹²、Ｌ¹³、Ｍ¹¹で形成される環、Ｙ¹³、Ｌ¹³、Ｌ¹⁴、Ｍ¹¹で形成される環は、それぞれ環員数４〜１０が好ましく、環員数５〜７がより好ましく、環員数５又は６が更に好ましい。

ｎ¹¹は０〜４を表す。Ｍ¹¹が配位数４の金属の場合、ｎ¹¹は０であり、Ｍ¹¹が配位数６の金属の場合、ｎ¹¹は１、２が好ましく、１がより好ましい。Ｍ¹¹が配位数６でｎ¹¹が１の場合Ｌ¹⁵は２座配位子を表し、Ｍ¹¹が配位数６でｎ¹¹が２の場合Ｌ¹⁵は単座配位子を表す。Ｍ¹¹が配位数８の金属の場合、ｎ¹¹は１〜４が好ましく、１、２がより好ましく、１がより好ましい。Ｍ¹¹が配位数８でｎ¹¹が１の場合Ｌ¹⁵は４座配位子を表し、ｎ¹¹が２の場合Ｌ¹⁵は２座配位子を表す。ｎ¹¹が複数のときは、複数のＬ¹⁵は同じであっても異なっていても良い。

前記一般式（２）について説明する。Ｍ²¹は前記Ｍ¹¹と同義であり、好ましい範囲も同じである。

Ｑ²¹、Ｑ²²はそれぞれ含窒素へテロ環（Ｍ²¹に配位する窒素を含む環）を形成する原子群を表す。Ｑ²¹、Ｑ²²で形成される含窒素ヘテロ環としては特に限定されないが、例えば、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、トリアジン環、チアゾール環、オキサゾール環、ピロール環、トリアゾール環、及び、それらを含む縮環体（例えば、キノリン環、ベンズオキサゾール環、ベンズイミダゾール環、インドレニン環など）及び、これらの互変異性体が挙げられる。

Ｑ²¹、Ｑ²²で形成される含窒素ヘテロ環は好ましくは、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、トリアジン環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサゾール環、ピロール環、ベンズアゾール環、及び、それらを含む縮環体（例えば、キノリン環、ベンズオキサゾール環、ベンズイミダゾール環など）及び、これらの互変異性体であり、より好ましくはピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、イミダゾール環、ピロール環、及び、それらを含む縮環体（例えば、キノリン環など）及び、これらの互変異性体であり、更に好ましくは、ピリジン環、及び、その縮環体（例えば、キノリン環など）であり、特に好ましくはピリジン環である。

Ｘ²¹、Ｘ²²はそれぞれ酸素原子、硫黄原子、置換又は無置換の窒素原子が好ましく、酸素原子、硫黄原子、置換の窒素原子がより好ましく、酸素原子、硫黄原子が更に好ましく、酸素原子が特に好ましい。

Ｙ²¹は前記Ｙ¹¹と同義であり、好ましい範囲も同じである。

Ｙ²²、Ｙ²³はそれぞれ単結合、連結基を表し、単結合が好ましい。連結基としては特に限定されないが、例えば、カルボニル連結基、チオカルボニル連結基、アルキレン基、アルケニレン基、アリーレン基、ヘテロアリーレン基、酸素原子連結基、窒素原子連結基、及び、これらの組み合わせからなる連結基などが挙げられる。

前記連結基としては、カルボニル連結基、アルキレン連結基、アルケニレン連結基が好ましく、カルボニル連結基、アルケニレン連結基がより好ましく、カルボニル連結基が更に好ましい。

Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ²³、Ｒ²⁴はそれぞれ水素原子又は置換基を表す。置換基としては特に限定されないが、例えば、アルキル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメチル、エチル、ｉｓｏ−プロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシルなどが挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニルなどが挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばプロパルギル、３−ペンチニルなどが挙げられる。）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、ｐ−メチルフェニル、ナフチル、アントラニルなどが挙げられる。）、アミノ基（好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１０であり、例えばアミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルアミノ、ジトリルアミノなどが挙げられる。）、

アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシ、２−エチルヘキシロキシなどが挙げられる。）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ、１−ナフチルオキシ、２−ナフチルオキシなどが挙げられる。）、ヘテロ環オキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルオキシ、ピラジルオキシ、ピリミジルオキシ、キノリルオキシなどが挙げられる。）、アシル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイルなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニルなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルなどが挙げられる。）、

アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられる。）、アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、スルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノなどが挙げられる。）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１２であり、例えばスルファモイル、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニルスルファモイルなどが挙げられる。）、

カルバモイル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばカルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、フェニルカルバモイルなどが挙げられる。）、アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる。）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオなどが挙げられる。）、ヘテロ環チオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルチオ、２−ベンズイミゾリルチオ、２−ベンズオキサゾリルチオ、２−ベンズチアゾリルチオなどが挙げられる。）、スルホニル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメシル、トシルなどが挙げられる。）、スルフィニル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルフィニル、ベンゼンスルフィニルなどが挙げられる。）、ウレイド基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばウレイド、メチルウレイド、フェニルウレイドなどが挙げられる。）、

リン酸アミド基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばジエチルリン酸アミド、フェニルリン酸アミドなどが挙げられる。）、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、具体的には例えばイミダゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、チエニル、ピペリジル、モルホリノ、ベンズオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリル、カルバゾリル基、アゼピニル基などが挙げられる。）、シリル基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリル、トリフェニルシリルなどが挙げられる。）、シリルオキシ基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリルオキシ、トリフェニルシリルオキシなどが挙げられる。）などが挙げられる。これらの置換基は更に置換されてもよい。

Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ²³、Ｒ²⁴はそれぞれアルキル基、アリール基、Ｒ²¹とＲ²²又はＲ²³とＲ²⁴が結合して環構造（例えばベンゾ縮環、ピリジン縮環など）を形成する基が好ましく、Ｒ²¹とＲ²²又はＲ²³とＲ²⁴が結合して環構造（例えばベンゾ縮環、ピリジン縮環など）を形成する基がより好ましい。

Ｌ²⁵は前記Ｌ¹⁵と同義であり、好ましい範囲も同じである。

ｎ²¹は前記ｎ¹¹と同義であり、好ましい範囲も同じである。

一般式（２）においてＱ²¹、Ｑ²²が形成する環がピリジン環のとき、Ｙ²¹は連結基を表す金属錯体であること、又はＱ²¹、Ｑ²²が形成する環がピリジン環で、Ｙ²¹が単結合又は二重結合で、Ｘ²¹、Ｘ²²が硫黄原子、置換又は無置換の窒素原子を表す金属錯体であること、又はＱ²¹、Ｑ²²が形成する環が含窒素ヘテロ５員環又は、窒素原子を２つ以上含む含窒素６員環を表す金属錯体であることが好ましい。

前記一般式（３）について説明する。Ｍ³¹は前記Ｍ¹¹と同義であり、好ましい範囲も同じである。

Ｚ³¹、Ｚ³²、Ｚ³³、Ｚ³⁴、Ｚ³⁵、Ｚ³⁶はそれぞれ置換又は無置換の炭素原子、窒素原子を表し、置換又は無置換の炭素原子がより好ましい。炭素上の置換基としては、前記Ｒ²¹で説明した基が挙げられ、また、Ｚ³¹とＺ³²、Ｚ³²とＺ³³、Ｚ³³とＺ³⁴、Ｚ³⁴とＺ³⁵、Ｚ³⁵とＺ³⁶が連結基を介して結合し、縮環（例えばベンゾ縮環、ピリジン縮環など）を形成しても良く、Ｚ³¹とＴ³¹、Ｚ³⁶とＴ³⁸が連結基を介して結合し、縮環（例えばベンゾ縮環、ピリジン縮環など）を形成しても良い。

前記炭素上の置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、アルキルアミノ基、アリール基、縮環（例えばベンゾ縮環、ピリジン縮環など）を形成する基、ハロゲン原子が好ましく、アルキルアミノ基、アリール基、縮環（例えばベンゾ縮環、ピリジン縮環など）を形成する基がより好ましく、アリール基、縮環（例えばベンゾ縮環、ピリジン縮環など）を形成する基が更に好ましく、縮環（例えばベンゾ縮環、ピリジン縮環など）を形成する基が特に好ましい。

Ｔ³¹、Ｔ³²、Ｔ³³、Ｔ³⁴、Ｔ³⁵、Ｔ³⁶、Ｔ³⁷、Ｔ³⁸はそれぞれ置換又は無置換の炭素原子、窒素原子を表し、置換又は無置換の炭素原子がより好ましい。炭素上の置換基としては、前記Ｒ²¹で説明した基が挙げられ、また、Ｔ³¹とＴ³²、Ｔ³²とＴ³³、Ｔ³³とＴ³⁴、Ｔ³⁵とＴ³⁶、Ｔ³⁶とＴ³⁷、Ｔ³⁷とＴ³⁸が連結基を介して結合し、縮環（例えばベンゾ縮環など）を形成しても良い。

前記炭素上の置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、アルキルアミノ基、アリール基、縮環（例えばベンゾ縮環、ピリジン縮環など）を形成する基、ハロゲン原子が好ましく、アリール基、縮環（例えばベンゾ縮環、ピリジン縮環など）を形成する基、ハロゲン原子がより好ましく、アリール基、ハロゲン原子が更に好ましく、アリール基が特に好ましい。

Ｘ³¹、Ｘ³²はそれぞれ前記Ｘ²¹、Ｘ²²と同義であり、好ましい範囲も同じである。

前記一般式（５）について説明する。Ｍ⁵¹は前記Ｍ¹¹と同義であり、好ましい範囲も同じである。

Ｑ⁵¹、Ｑ⁵²はそれぞれ前記Ｑ²¹、Ｑ²²と同義であり、好ましい範囲も同じである。

Ｑ⁵³、Ｑ⁵⁴はそれぞれ含窒素へテロ環（Ｍ⁵¹に配位する窒素を含む環）を形成する基を表す。Ｑ⁵³、Ｑ⁵⁴で形成される含窒素ヘテロ環としては特に限定されないが、ピロール誘導体の互変異性体、イミダゾール誘導体の互変異性体（例えば化合物（２９）のヘテロ５員環配位子など）、チアゾール誘導体の互変異性体（例えば化合物（３０）のヘテロ５員環配位子など）、オキサゾール誘導体の互変異性体（例えば化合物（３１）のヘテロ５員環配位子など）が好ましく、ピロール誘導体の互変異性体、イミダゾール誘導体の互変異性体、チアゾール誘導体の互変異性体がより好ましく、ピロール誘導体の互変異性体、イミダゾール誘導体の互変異性体が更に好ましく、ピロール誘導体の互変異性体が特に好ましい。

Ｙ⁵¹は前記Ｙ¹¹と同義であり、好ましい範囲も同じである。

Ｌ⁵⁵は前記Ｌ¹⁵と同義であり、好ましい範囲も同じである。

ｎ⁵¹は前記ｎ¹¹と同義であり、好ましい範囲も同じである。

Ｗ⁵¹、Ｗ⁵²はそれぞれ置換又は無置換の炭素原子、窒素原子を表し、無置換の炭素原子、窒素原子が好ましく、無置換の炭素原子がより好ましい。

前記一般式（９）について説明する。Ｍ^A1、Ｑ^A1、Ｑ^A2、Ｙ^A1、Ｙ^A2、Ｙ^A3、Ｒ^A1、Ｒ^A2、Ｒ^A3、Ｒ^A4、Ｌ^A5、ｎ^A1は前記一般式（２）のＭ²¹、Ｑ²¹、Ｑ²²、Ｙ²¹、Ｙ²²、Ｙ²³、Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ²³、Ｒ²⁴、Ｌ²⁵、ｎ²¹と同義であり、好ましい範囲も同じである。

前記一般式（６）について説明する。Ｍ⁶¹は前記Ｍ¹¹と同義であり、好ましい範囲も同じである。

Ｑ⁶¹、Ｑ⁶²はそれぞれ環を形成する基を表す。Ｑ⁶¹、Ｑ⁶²で形成される環としては特に限定されないが、例えば、ベンゼン環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、チオフェン環、イソチアゾール環、フラン環、イソオキサゾ−ル環、及び、その縮環体が挙げられる。

Ｑ⁶¹、Ｑ⁶²で形成される環は好ましくは、ベンゼン環、ピリジン環、チオフェン環、チアゾール環、及び、その縮環体であり、ベンゼン環、ピリジン環、及び、その縮環体がより好ましく、ベンゼン環、及び、その縮環体が更に好ましい。

Ｙ⁶¹は前記Ｙ¹¹と同義であり、好ましい範囲も同じである。

Ｙ⁶²、Ｙ⁶³はそれぞれ連結基又は単結合を表す。連結基としてはとくに限定されないが、例えば、カルボニル連結基、チオカルボニル連結基、アルキレン基、アルケニレン基、アリーレン基、ヘテロアリーレン基、酸素原子連結基、窒素原子連結基、及び、これらの組み合わせからなる連結基などが挙げられる。

Ｙ⁶²、Ｙ⁶³はそれぞれ単結合、カルボニル連結基、アルキレン連結基、アルケニレン基が好ましく、単結合、アルケニレン基がより好ましく、単結合が更に好ましい。

Ｌ⁶⁵は前記Ｌ¹⁵と同義であり、好ましい範囲も同じである。

ｎ⁶¹は前記ｎ¹¹と同義であり、好ましい範囲も同じである。

Ｚ⁶¹、Ｚ⁶²、Ｚ⁶³、Ｚ⁶⁴、Ｚ⁶⁵、Ｚ⁶⁶、Ｚ⁶⁷、Ｚ⁶⁸はそれぞれ置換又は無置換の炭素原子、窒素原子を表し、置換又は無置換の炭素原子が好ましい。炭素上の置換基としては、前記Ｒ²¹で説明した基が挙げられ、また、Ｚ⁶¹とＺ⁶²、Ｚ⁶²とＺ⁶³、Ｚ⁶³とＺ⁶⁴、Ｚ⁶⁵とＺ⁶⁶、Ｚ⁶⁶とＺ⁶⁷、Ｚ⁶⁷とＺ⁶⁸が連結基を介して結合し、縮環（例えばベンゾ縮環、ピリジン縮環など）を形成しても良い。Ｑ⁶¹、Ｑ⁶²で形成される環がそれぞれＺ⁶¹、Ｚ⁶⁸と連結基を介して結合し、環を形成しても良い。

前記一般式（７）について説明する。Ｍ⁷¹は前記Ｍ¹¹と同義であり、好ましい範囲も同じである。

Ｙ⁷¹、Ｙ⁷²、Ｙ⁷³はそれぞれ前記Ｙ⁶²と同義であり、好ましい範囲も同じである。

Ｌ⁷⁵は前記Ｌ¹⁵と同義であり、好ましい範囲も同じである。

ｎ⁷¹は前記ｎ¹¹と同義であり、好ましい範囲も同じである。

Ｚ⁷¹、Ｚ⁷²、Ｚ⁷³、Ｚ⁷⁴、Ｚ⁷⁵、Ｚ⁷⁶はそれぞれ置換又は無置換の炭素原子、窒素原子を表し、置換又は無置換の炭素原子が好ましい。炭素上の置換基としては、前記Ｒ²¹で説明した基が挙げられる。また、Ｚ⁷¹とＺ⁷²、Ｚ⁷³とＺ⁷⁴が連結基を介して結合し、環（例えばベンゼン環、ピリジン環）を形成しても良い。
Ｒ⁷¹〜Ｒ⁷⁴は前記一般式（２）のＲ²¹〜Ｒ²⁴の置換基と同義であり、好ましい範囲も同じである。

前記一般式（１１）について説明する。
Ｒ^C1、Ｒ^C2はそれぞれ水素原子又は置換基を表し、置換基としては前記一般式（２）のＲ²¹ないしＲ²⁴の置換基として説明したアルキル基、アリール基を表す。Ｒ^C3、Ｒ^C4、Ｒ^C5、Ｒ^C6が表す置換基も前記一般式（２）のＲ²¹ないしＲ²⁴の置換基と同義である。ｎ^C3、ｎ^C6は０〜３、ｎ^C4、ｎ^C5は０〜４の整数を表し、Ｒ^C3、Ｒ^C4、Ｒ^C5、Ｒ^C6をそれぞれ複数個有する場合、複数個のＲ^C3、Ｒ^C4、Ｒ^C5、Ｒ^C6は同じであっても異なってもよく、連結して環を形成してもよい。Ｒ^C3、Ｒ^C4、Ｒ^C5、Ｒ^C6は好ましくはアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、ハロゲン原子である。

次に前記一般式（１０）について説明する。
Ｍ^B1、Ｙ^B2、Ｙ^B3、Ｒ^B1、Ｒ^B2、Ｒ^B3、Ｒ^B4、Ｌ^B5、ｎ^B3、Ｘ^B1、Ｘ^B2は前記一般式（２）のＭ²¹、Ｙ²²、Ｙ²³、Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ²³、Ｒ²⁴、Ｌ²⁵、ｎ²¹、Ｘ²¹、Ｘ²²と同義であり好ましい範囲も同様である。Ｙ^B1は連結基を表し、前記一般式（２）のＹ²¹と同様のであり、好ましくは１，２位で置換したビニル基、フェニレン環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環又は炭素数２〜８のメチレン基を表す。Ｒ^B5、Ｒ^B6は水素原子又は置換基を表し、置換基としては前記一般式（２）のＲ²¹ないしＲ²⁴の置換基として説明したアルキル基、アリール基、ヘテロ環基を表す。ただし、Ｙ^B1はＲ^B5又はＲ^B6と連結することはない。ｎ^B1、ｎ^B2は０ないし１の整数を表す。

次に前記一般式（１２）について説明する。Ｒ^D1、Ｒ^D2、Ｒ^D3、Ｒ^D4はが表す置換基としては前記一般式（１０）のＲ^B5、Ｒ^B6が表す置換基と同義であり、好ましい範囲も同様である。ｎ^D1、ｎ^D2は０〜４の整数を表す。Ｙ^D1は１，２位で置換したビニル基、フェニレン環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環又は炭素数１〜８のメチレン基を表す。

本発明の３座配位子を有する金属錯体の好ましい形態は、前記一般式（８）である。

前記一般式（８）について説明する。Ｍ⁸¹は前記Ｍ¹¹と同義であり、好ましい範囲も同じである。

Ｌ⁸¹、Ｌ⁸²、Ｌ⁸³はそれぞれ前記Ｌ¹¹、Ｌ¹²、Ｌ¹⁴と同義であり、好ましい範囲も同じである。

Ｙ⁸¹、Ｙ⁸²はそれぞれ前記Ｙ¹¹、Ｙ¹²と同義であり、好ましい範囲も同じである。

Ｌ⁸⁵はＭ⁸¹に配位する配位子を表す。Ｌ⁸⁵は１〜３座の配位子が好ましく、１〜３座のアニオン性配位子がより好ましい。１〜３座のアニオン性配位子としては特に限定されないが、ハロゲン配位子、Ｌ⁸¹、Ｙ⁸¹、Ｌ⁸²、Ｙ⁸²、Ｌ⁸³で形成される３座配位子が好ましく、Ｌ⁸¹、Ｙ⁸¹、Ｌ⁸²、Ｙ⁸²、Ｌ⁸³で形成される３座配位子がより好ましい。Ｌ⁸⁵が金属を介さずにＬ⁸¹、Ｌ⁸³と連結することはない。配位座の数、及び配位子の数が、金属の配位数を上回ることはない。

ｎ⁸¹は０〜５を表す。Ｍ⁸¹が配位数４の金属の場合、ｎ⁸¹は１であり、Ｌ⁸⁵は単座配位子を表す。Ｍ⁸¹が配位数６の金属の場合、ｎ⁸¹は１〜３が好ましく、１、３がより好ましく、１が更に好ましい。Ｍ⁸¹が配位数６でｎ⁸¹が１の場合Ｌ⁸⁵は３座配位子を表し、Ｍ⁸¹が配位数６でｎ⁸¹が２の場合Ｌ⁸⁵は単座配位子１つと２座配位子１つを表し、Ｍ⁸¹が配位数６でｎ⁸¹が３の場合Ｌ⁸⁵は単座配位子を表す。Ｍ⁸¹が配位数８の金属の場合、ｎ⁸¹は１〜５が好ましく、１、２がより好ましく、１がより好ましい。Ｍ⁸¹が配位数８でｎ⁸¹が１の場合Ｌ⁸⁵は５座配位子を表し、ｎ⁸¹が２の場合Ｌ⁸⁵は３座配位子１つと２座配位子１つを表し、ｎ⁸¹が３の場合Ｌ⁸⁵は３座配位子１つと単座配位子２つ、又は、２座配位子２つと単座配位子１つを表し、ｎ⁸¹が４の場合Ｌ⁸⁵は２座配位子１つと単座配位子３つを表し、ｎ⁸¹が５の場合Ｌ⁸⁵は単座配位子５つを表す。ｎ⁸¹が複数のときは、複数のＬ⁸⁵は同じであっても異なっていても良い。

前記一般式（８）の好ましい形態は、前記一般式（８）のＬ⁸¹、Ｌ⁸²、Ｌ⁸³が炭素原子でＭ⁸¹に配位する芳香族炭素環又はヘテロ環、又は窒素原子でＭ⁸¹に配位する含窒素ヘテロ環を表し、Ｌ⁸¹、Ｌ⁸²、Ｌ⁸³のうち少なくとも一つが含窒素ヘテロ環である。これら炭素原子で配位する芳香族炭素環、ヘテロ環及び窒素原子で配位する含窒素ヘテロ環は前記一般式（１）で説明したＭ¹¹に炭素原子で配位する配位子及び窒素原子で配位する例が挙げられ、好ましい範囲も同様である。Ｙ⁸¹、Ｙ⁸²は好ましくは単結合ないしはメチレン基を表す。
前記一般式（８）の他の好ましい形態は下記一般式（１３）、下記一般式（１４）である。

前記一般式（１３）について説明する。Ｍ⁹¹は前記Ｍ⁸¹と同義であり、好ましい範囲も同じである。

Ｑ⁹¹、Ｑ⁹²は含窒素へテロ環（Ｍ⁹¹に配位する窒素を含む環）を形成する基を表す。Ｑ⁹¹、Ｑ⁹²で形成される含窒素ヘテロ環としては特に限定されないが、例えば、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、トリアジン環、チアゾール環、オキサゾール環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、トリアゾール環、及び、それらを含む縮環体（例えば、キノリン環、ベンズオキサゾール環、ベンズイミダゾール環、インドレニン環など）及び、これらの互変異性体が挙げられる。

Ｑ⁹¹、Ｑ⁹²で形成される含窒素ヘテロ環は好ましくは、ピリジン環、ピラゾール環、チアゾール環、イミダゾール環、ピロール環、及び、それらを含む縮環体（例えば、キノリン環、ベンズチアゾール環、ベンズイミダゾール環、インドレニン環など）、及び、これらの互変異性体であり、より好ましくはピリジン環、ピロール環、及び、それらを含む縮環体（例えば、キノリン環など）、及び、これらの互変異性体、更に好ましくは、ピリジン環、及び、それらを含む縮環体（例えば、キノリン環など）であり、特に好ましくはピリジン環である。

Ｑ⁹³は含窒素へテロ環（Ｍ⁹¹に配位する窒素を含む環）を形成する基を表す。Ｑ⁹³で形成される含窒素ヘテロ環としては特に限定されないが、ピロール環、イミダゾール環、トリアゾール環の互変異性体、及び、それらを含む縮環体（例えばベンズピロールなど）が好ましく、ピロール環の互変異性体及びピロール環を含む縮環体（例えばベンズピロールなど）の互変異性体がより好ましい。

Ｗ⁹¹、Ｗ⁹²はそれぞれ前記Ｗ⁵¹、Ｗ⁵²と同義であり、好ましい範囲も同じである。

Ｌ⁹⁵は前記Ｌ⁸⁵と同義であり、好ましい範囲も同じである。

ｎ⁹¹は前記ｎ⁸¹と同義であり、好ましい範囲も同じである。

前記一般式（１４）について説明する。Ｍ¹⁰¹は前記Ｍ⁸¹と同義であり、好ましい範囲も同じである。

Ｑ¹⁰²は前記Ｑ²¹と同義であり、好ましい範囲も同じである。

Ｑ¹⁰¹は前記Ｑ⁹¹と同義であり、好ましい範囲も同じである。

Ｑ¹⁰³は芳香環を形成する基を表す。Ｑ¹⁰³で形成される芳香環としては特に限定されないが、ベンゼン環、フラン環、チオフェン環、ピロール環、及び、それらを含む縮環体（例えばナフタレン環など）が好ましく、ベンゼン環及びベンゼン環を含む縮環体（例えばナフタレン環など）がより好ましく、ベンゼン環が特に好ましい。

Ｙ¹⁰¹、Ｙ¹⁰²はそれぞれ前記Ｙ²²と同義であり、好ましい範囲も同じである。

Ｌ¹⁰⁵は前記Ｌ⁸⁵と同義であり、好ましい範囲も同じである。

ｎ¹⁰¹は前記ｎ⁸¹と同義であり、好ましい範囲も同じである。

Ｘ¹⁰¹は前記Ｘ²¹と同義であり、好ましい範囲も同じである。

本発明の化合物は低分子化合物であっても良く、また、オリゴマー化合物、ポリマー化合物（重量平均分子量（ポリスチレン換算）は好ましくは１０００〜５００００００、より好ましくは２０００〜１００００００、更に好ましくは３０００〜１０００００である。）であっても良い。ポリマー化合物の場合、前記一般式（１）で表される構造がポリマー主鎖中に含まれても良く、また、ポリマー側鎖に含まれていても良い。また、ポリマー化合物の場合、ホモポリマー化合物であっても良く、共重合体であっても良い。本発明の化合物は低分子化合物が好ましい。

本発明の三座配位子を有する金属錯体の他の態様は、前記一般式（X1）で表される金属錯体である。前記一般式（X1）で表される金属錯体のうち、好ましくは前記一般式（X2）で表される金属錯体であり、より好ましくは前記一般式（X3）で表される金属錯体である。

前記一般式（X1）について説明する。
Ｍ^X1は金属イオンを表す。金属イオンとしては特に限定されないが、１価〜３価の金属イオンが好ましく、２価又は３価の金属イオンがより好ましく、３価の金属イオンが更に好ましい。具体的には白金イオン、イリジウムイオン、レニウムイオン、パラジウムイオン、ロジウムイオン、ルテニウムイオン、銅イオン、ユーロピウムイオン、ガドリニウムイオン、テルビウムイオンが好ましく、白金イオン、イリジウムイオン、ユーロピウムイオンがより好ましく、白金イオン、イリジウムイオンが更に好ましく、イリジウムイオンが特に好ましい。
Ｑ^X11〜Ｑ^X16はＭ^X1に配位する原子又はＭ^X1に配位する原子を含んだ原子群を表す。Ｑ^X11〜Ｑ^X16がＭ^X1に配位する原子を表す場合、その具体的な原子としては、炭素原子、窒素原子、酸素原子、珪素原子、リン原子、硫黄原子などが挙げられ、好ましくは窒素原子、酸素原子、硫黄原子、リン原子であり、より好ましくは窒素原子、酸素原子である。
Ｑ^X11〜Ｑ^X16がＭ^X1に配位する原子を含んだ原子群を表す場合、炭素原子で配位するものとしては、例えばイミノ基、芳香族炭化水素環基（ベンゼン、ナフタレンなど）、ヘテロ環基（チオフェン、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、トリアジン、チアゾール、オキサゾール、ピロール、イミダゾール、ピラゾール、トリアゾールなど）及びこれらを含む縮合環、及びこれらの互変異性体が挙げられる。

窒素原子で配位するものとしては、例えば含窒素ヘテロ環基（ピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、トリアジン、チアゾール、オキサゾール、ピロール、イミダゾール、ピラゾール、トリアゾールなど）、アミノ基（アルキルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばメチルアミノ）、アリールアミノ基（例えばフェニルアミノ）などが挙げられる。）、アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、スルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノなどが挙げられる。）、イミノ基などが挙げられる。これらの基は更に置換されていても良い。

酸素原子で配位するものとしては、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシ、２−エチルヘキシロキシなどが挙げられる。）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ、１−ナフチルオキシ、２−ナフチルオキシなどが挙げられる。）、ヘテロ環オキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルオキシ、ピラジルオキシ、ピリミジルオキシ、キノリルオキシなどが挙げられる。）、アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられる。）、シリルオキシ基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリルオキシ、トリフェニルシリルオキシなどが挙げられる。）、カルボニル基（例えばケトン基、エステル基、アミド基など）、エーテル基（例えばジアルキルエーテル基、ジアリールエーテル基、フリル基など）などが挙げられる。

硫黄原子で配位するものとしては、アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる。）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオなどが挙げられる。）、ヘテロ環チオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルチオ、２−ベンズイミゾリルチオ、２−ベンズオキサゾリルチオ、２−ベンズチアゾリルチオなどが挙げられる。）、チオカルボニル基（例えばチオケトン基、チオエステル基など）、チオエーテル基（例えばジアルキルチオエーテル基、ジアリールチオエーテル基、チオフリル基など）などが挙げられる。

リン原子で配位するものとしては、ジアルキルホスフィノ基、ジアリールホスフィノ基、トリアルキルホスフィン、トリアリールホスフィン、ホスフィニン基等があげられる。これらの基は更に置換されてもよい。

Ｑ^X11〜Ｑ^X16で表される原子群として好ましくは、炭素で配位する芳香族炭化水素環基、炭素で配位する芳香族ヘテロ環基、窒素で配位する含窒素芳香族ヘテロ環基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ジアルキルホスフィノ基であり、より好ましくは炭素で配位する芳香族炭化水素環基、炭素で配位する芳香族ヘテロ環基、窒素で配位する含窒素芳香族ヘテロ環基である。

Ｌ^X11〜Ｌ^X14は、単結合、二重結合又は連結基を表す。連結基としては特に限定されないが、炭素原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、ケイ素原子からなる連結基が好ましく、下記に具体例を示すが、これらに限定されることは無い。

これらの連結基は更に置換されてもよく、置換基としては前記一般式（２）におけるＲ²¹〜Ｒ²⁴で表される置換基として挙げたものが適用でき、好ましい範囲も同様である。Ｌ^X11〜Ｌ^X14として好ましくは、単結合、ジメチルメチレン基、ジメチルシリレン基である。

前記一般式（X1）で表される金属錯体は、より好ましくは前記一般式（X2）で表される金属錯体である。次に前記一般式（X2）について説明する。
Ｍ^X2は前記一般式（X1）におけるＭ^X1と同義であり、また好ましい範囲も同様である。Ｙ^X21〜Ｙ^X26はＭ^X2に配位する原子を表す。Ｙ^X21〜Ｙ^X26とＭ^X2との結合は配位結合でも共有結合でも良い。Ｙ^X21〜Ｙ^X26としては、炭素原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、りん原子、ケイ素原子が挙げられ、好ましくは炭素原子、窒素原子である。Ｑ^X21〜Ｑ^X26は、それぞれＹ^X21〜Ｙ^X26を含んで芳香族炭化水素環又は芳香族ヘテロ環を形成する原子群を表す。この場合に形成する芳香族炭化水素環、芳香族ヘテロ環としては、ベンゼン環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、トリアジン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、トリアゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、オキサジアゾール環、チアジアゾール環、チオフェン環、フラン環が挙げられ、好ましくはベンゼン環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピラゾール環、イミダゾール環、トリアゾール環であり、更に好ましくはベンゼン環、ピリジン環、ピラジン環、ピラゾール環、トリアゾール環であり、特に好ましくはベンゼン環、ピリジン環である。これらは更に縮環を有していても置換基を有していても良い。

Ｌ^X21〜Ｌ^X24は前記一般式（X1）におけるＬ^X11〜Ｌ^X14と同義であり好ましい範囲も同様である。

前記一般式（X1）で表される金属錯体は、更に好ましくは前記一般式（X3）で表される金属錯体である。次に前記一般式（X3）について説明する。
Ｍ^X3は前記一般式（X1）におけるＭ^X1と同義であり、また好ましい範囲も同様である。Ｙ^X31〜Ｙ^X36はＭ^X3に配位する原子を表す。Ｙ^X31〜Ｙ^X36とＭ^X3との結合は配位結合でも共有結合でも良い。Ｙ^X31〜Ｙ^X36としては、炭素原子、窒素原子、りん原子が挙げられ、好ましくは炭素原子、窒素原子である。Ｌ^X31〜Ｌ^X34は前記一般式（X1）におけるＬ^X11〜Ｌ^X14と同義であり好ましい範囲も同様である。

次に本発明の化合物の化合物例を示すが、本発明はこれに限定されない。

（本発明の金属錯体の合成方法）
本発明の金属錯体（前記一般式（１）〜（１４）及び前記一般式（X1）〜（X3）で表される化合物）は、種々の手法で合成できる。
例えば、配位子、又はその解離体と金属化合物を溶媒（例えば、ハロゲン系溶媒、アルコール系溶媒、エーテル系溶媒、エステル系溶媒、ケトン系溶媒、ニトリル系溶媒、アミド系溶媒、スルホン系溶媒、スルホキサイド系溶媒、水などが挙げられる）の存在下、若しくは、溶媒非存在下、塩基の存在下（無機、有機の種々の塩基、例えば、ナトリウムメトキサイド、ｔ−ブトキシカリウム、トリエチルアミン、炭酸カリウムなどが挙げられる）、若しくは、塩基非存在下、室温以下、若しくは加熱し（通常の加熱以外にもマイクロウェーブで加熱する手法も有効である）得ることができる。

本発明の金属錯体を合成する際の反応時間は反応原料の活性により異なり、特に限定されないが、１分以上５日以下が好ましく、５分以上３日以下がより好ましく、１０分以上１日以下が更に好ましい。

本発明の金属錯体合成の反応温度は反応の活性により異なり、特に限定されないが、０℃以上３００℃以下が好ましく、５℃以上２５０℃以下がより好ましく、１０℃以上２００℃以下が更に好ましい。

本発明の金属錯体は、目的とする錯体の部分構造を形成している配位子を適宜選択することで、前記一般式（１）〜（１４）及び前記一般式（X1）〜（X3）で表される化合物は合成できる。例えば一般式（３）で表される化合物を合成する際は、６，６’−ビス（２−ヒドロキシフェニル）−２，２’−ビピリジル配位子又はその誘導体（例えば、２，９−ビス（２−ヒドロキシフェニル）−１，１０−フェナントロリン配位子、２，９−ビス
（２−ヒドロキシフェニル）−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン配位子、６，６’−ビス（２−ヒドロキシ−５−tert−ブチルフェニル）−２，２’−ビピリジル配位子など）などを、金属化合物に対し、好ましくは０．１当量〜１０当量、より好ましくは０．３当量〜６当量、更に好ましくは０．５当量〜４当量加えて合成できる。一般式（３）で表される化合物の合成方法において、反応溶媒、反応時間、反応温度の各々は、上記本発明の金属錯体の合成方法で述べた事項と同様である。

６，６’−ビス（２−ヒドロキシフェニル）−２，２’−ビピリジル配位子の誘導体は種々の公知の方法を用いて合成することができる。例えば、２，２’−ビピリジル誘導体
（例えば、１，１０−フェナントロリンなど）とアニソール誘導体（例えば、４−フルオロアニソールなど）をJournal of Organic Chemistry, 741, 11,（1946）に記載の方法で反応させることにより合成することができる。また、ハロゲン化された２，２’−ビピリジル誘導体（例えば、２，９−ジブロモ−１，１０−フェナントロリンなど）と２−メトキシフェニルボロン酸誘導体など（例えば、２−メトキシ−５−フルオロフェニルボロン酸など）を出発物質として鈴木カップリング反応を行った後、メチル基を脱保護する（Journal of Organic Chemistry, 741, 11,（1946）に記載の方法、ピリジン塩酸塩中で加熱するなどの方法を用いる）ことにより合成することができる。また、２，２’−ビピリジルボロン酸誘導体（例えば６，６’−ビス（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロリル）−２，２’−ビピリジルなど）とハロゲン化されたアニソール誘導体（例えば２−ブロモアニソールなど）を出発物質として鈴木カップリング反応を行った後、メチル基を脱保護する（Journal of Organic Chemistry, 741, 11,（1946）に記載の方法、又は、ピリジン塩酸塩中で加熱するなどの方法を用いる）ことによっても合成することができる。

本発明の金属錯体を含有する発光素子に関して説明する。本発明の発光素子は、本発明の金属錯体を利用する素子であればシステム、駆動方法、利用形態など特に問わない。代表的な発光素子として有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子を挙げることができる。
本発明の発光素子は一対の電極間に発光層を含む少なくとも一層の有機層を有する有機電界発光素子であって、正孔輸送層と発光層に加え、励起子ブロック層、正孔注入層、正孔ブロック層ないし電子輸送層から選ばれる少なくとも一つの層を有することが好ましい。

本発明の発光素子は陰極と発光層の間にイオン化ポテンシャル５．９ｅＶ以上（より好ましくは６．０ｅＶ以上）の化合物を含有する層を用いるのが好ましく、イオン化ポテンシャル５．９ｅＶ以上の電子輸送層を用いるのがより好ましい。

本発明の金属錯体を含有する発光素子の有機層の形成方法は、特に限定されるものではないが、抵抗加熱蒸着、電子ビーム、スパッタリング、分子積層法、コーティング法（スプレーコート法、ディップコート法、含浸法、ロールコート法、グラビアコート法、リバースコート法、ロールブラッシュ法、エアーナイフコート法、カーテンコート法、スピンコート法、フローコート法、バーコート法、マイクログラビアコート法、エアードクターコート、ブレードコート法、スクイズコート法、トランスファーロールコート法、キスコート法、キャストコート法、エクストルージョンコート法、ワイヤーバーコート法、スクリーンコート法等）、インクジェット法、印刷法、転写法などの方法が用いられ、特性面、製造面で抵抗加熱蒸着、コーティング法、転写法が好ましい。

陽極は正孔注入層、正孔輸送層、発光層などに正孔を供給するものであり、金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物、又はこれらの混合物などを用いることができ、好ましくは仕事関数が４ｅＶ以上の材料である。具体例としては酸化スズ、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）等の導電性金属酸化物、あるいは金、銀、クロム、ニッケル等の金属、更にこれらの金属と導電性金属酸化物との混合物又は積層物、ヨウ化銅、硫化銅などの無機導電性物質、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロールなどの有機導電性材料、及びこれらとＩＴＯとの積層物などが挙げられ、好ましくは、導電性金属酸化物であり、特に、生産性、高導電性、透明性等の点からＩＴＯが好ましい。陽極の膜厚は材料により適宜選択可能であるが、通常１０ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは５０ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１００ｎｍ〜５００ｎｍである。

陽極は通常、ソーダライムガラス、無アルカリガラス、透明樹脂基板などの上に層形成したものが用いられる。ガラスを用いる場合、その材質については、ガラスからの溶出イオンを少なくするため、無アルカリガラスを用いることが好ましい。また、ソーダライムガラスを用いる場合、シリカなどのバリアコートを施したものを使用することが好ましい。基板の厚みは、機械的強度を保つのに十分であれば特に制限はないが、ガラスを用いる場合には、通常０．２ｍｍ以上、好ましくは０．７ｍｍ以上のものを用いる。
陽極の作製には材料によって種々の方法が用いられるが、例えばＩＴＯの場合、電子ビーム法、スパッタリング法、抵抗加熱蒸着法、化学反応法（ゾル−ゲル法など）、酸化インジウムスズの分散物の塗布などの方法で膜形成される。
陽極は洗浄その他の処理により、素子の駆動電圧を下げたり、発光効率を高めることも可能である。例えばＩＴＯの場合、ＵＶ−オゾン処理、プラズマ処理などが効果的である。

陰極は電子注入層、電子輸送層、発光層などに電子を供給するものであり、電子注入層、電子輸送層、発光層などの負極と隣接する層との密着性やイオン化ポテンシャル、安定性等を考慮して選ばれる。陰極の材料としては金属、合金、金属ハロゲン化物、金属酸化物、電気伝導性化合物、又はこれらの混合物を用いることができ、具体例としてはアルカリ金属（例えばＬｉ、Ｎａ、Ｋ等）及びそのフッ化物又は酸化物、アルカリ土類金属（例えばＭｇ、Ｃａ等）及びそのフッ化物又は酸化物、金、銀、鉛、アルミニウム、ナトリウム−カリウム合金又はそれらの混合金属、リチウム−アルミニウム合金又はそれらの混合金属、マグネシウム−銀合金又はそれらの混合金属、インジウム、イッテリビウム等の希土類金属等が挙げられ、好ましくは仕事関数が４ｅＶ以下の材料であり、より好ましくはアルミニウム、リチウム−アルミニウム合金又はそれらの混合金属、マグネシウム−銀合金又はそれらの混合金属等である。陰極は、上記化合物及び混合物の単層構造だけでなく、上記化合物及び混合物を含む積層構造を取ることもできる。例えば、アルミニウム／フッ化リチウム、アルミニウム／酸化リチウムの積層構造が好ましい。陰極の膜厚は材料により適宜選択可能であるが、通常１０ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは５０ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１００ｎｍ〜１μｍである。
陰極の作製には電子ビーム法、スパッタリング法、抵抗加熱蒸着法、コーティング法、転写法などの方法が用いられ、金属を単体で蒸着することも、二成分以上を同時に蒸着することもできる。更に、複数の金属を同時に蒸着して合金電極を形成することも可能であり、またあらかじめ調整した合金を蒸着させてもよい。
陽極及び陰極のシート抵抗は低い方が好ましく、数百Ω／□以下が好ましい。

発光層の材料は、電界印加時に陽極又は正孔注入層、正孔輸送層から正孔を注入することができると共に陰極又は電子注入層、電子輸送層から電子を注入することができる機能や、注入された電荷を移動させる機能、正孔と電子の再結合の場を提供して発光させる機能を有する層を形成することができるものであれば何でもよく、本発明の化合物のほか、例えばベンゾオキサゾール、ベンゾイミダゾール、ベンゾチアゾール、スチリルベンゼン、ポリフェニル、ジフェニルブタジエン、テトラフェニルブタジエン、ナフタルイミド、クマリン、ペリレン、ペリノン、オキサジアゾール、アルダジン、ピラリジン、シクロペンタジエン、ビススチリルアントラセン、キナクリドン、ピロロピリジン、チアジアゾロピリジン、シクロペンタジエン、スチリルアミン、芳香族ジメチリディン化合物、８−キノリノールの金属錯体や希土類錯体に代表される各種金属錯体、ポリチオフェン、ポリフェニレン、ポリフェニレンビニレン等のポリマー化合物、有機シラン、イリジウムトリスフェニルピリジン錯体、及び、白金ポルフィリン錯体に代表される遷移金属錯体、及び、それらの誘導体等が挙げられる。
発光層のホスト材料としては好ましくはアミン化合物(例えばトリアリールアミン化合物など)、金属キレートオキシノイド化合物（金属−酸素結合を有する化合物）（金属はアルミニウム、亜鉛、遷移金属、配位子としては８−ヒドロキシキノリン誘導体、２−（２−ピリジノ）フェノール誘導体など）、ポリアリーレン化合物（ヘキサフェニルベンゼン誘導体など）、縮合芳香族炭素環化合物ないし非錯体芳香族含窒素ヘテロ環化合物（カルバゾール誘導体など）であり、発光層のホスト材料が少なくとも２種以上の化合物の混合物であってもよい。
発光層の膜厚は特に限定されるものではないが、通常１ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは５ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１０ｎｍ〜５００ｎｍである。
発光層の形成方法は、特に限定されるものではないが、抵抗加熱蒸着、電子ビーム、スパッタリング、分子積層法、コーティング法、インクジェット法、印刷法、ＬＢ法、転写法などの方法が用いられ、好ましくは抵抗加熱蒸着、コーティング法である。

発光層は単一化合物で形成されても良いし、複数の化合物で形成されても良い。また、発光層は一つであっても複数であっても良く、それぞれの層が異なる発光色で発光して、例えば、白色を発光しても良い。単一の発光層から白色を発光しても良い。発光層が複数の場合は、それぞれの発光層は単一材料で形成されていても良いし、複数の化合物で形成されていても良い。

正孔注入層、正孔輸送層の材料は、陽極から正孔を注入する機能、正孔を輸送する機能、陰極から注入された電子を障壁する機能のいずれか有しているものであればよい。その具体例としては、カルバゾール、トリアゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、イミダゾール、ポリアリールアルカン、ピラゾリン、ピラゾロン、フェニレンジアミン、アリールアミン、アミノ置換カルコン、スチリルアントラセン、フルオレノン、ヒドラゾン、スチルベン、シラザン、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、ポルフィリン系化合物、ポリシラン系化合物、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマー、有機シラン、カーボン膜、本発明の化合物、及び、それらの誘導体等が挙げられる。正孔注入層、正孔輸送層の膜厚は特に限定されるものではないが、通常１ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは５ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１０ｎｍ〜５００ｎｍである。正孔注入層、正孔輸送層は上述した材料の１種又は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
正孔注入層の材料として好ましくは、銅フタロシアニンやスターバースト型アミン化合物などが挙げられる。
正孔注入層、正孔輸送層の形成方法としては、真空蒸着法やＬＢ法、前記正孔注入輸送材料を溶媒に溶解又は分散させてコーティングする方法、インクジェット法、印刷法、転写法が用いられる。コーティング法の場合、樹脂成分と共に溶解又は分散することができ、樹脂成分としては例えば、ポリ塩化ビニル、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリブチルメタクリレート、ポリエステル、ポリスルホン、ポリフェニレンオキシド、ポリブタジエン、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、炭化水素樹脂、ケトン樹脂、フェノキシ樹脂、ポリアミド、エチルセルロース、酢酸ビニル、ＡＢＳ樹脂、ポリウレタン、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂などが挙げられる。

電子注入層、電子輸送層の材料は、陰極から電子を注入する機能、電子を輸送する機能、陽極から注入された正孔を障壁する機能のいずれか有しているものであればよい。電子輸送層の材料として好ましくは、金属キレートオキシノイド化合物、ポリアリーレン化合物、縮合芳香族炭素環化合物ないし非錯体芳香族ヘテロ環化合物などが挙げられる。その具体例としては、トリアゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、イミダゾール、フルオレノン、アントラキノジメタン、アントロン、ジフェニルキノン、チオピランジオキシド、カルボジイミド、フルオレニリデンメタン、ジスチリルピラジン、ナフタレン、ペリレン等の芳香環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン、８−キノリノールの金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体、有機シラン、及び、それらの誘導体等が挙げられる。電子注入層、電子輸送層の膜厚は特に限定されるものではないが、通常１ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは５ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１０ｎｍ〜５００ｎｍである。電子注入層、電子輸送層は上述した材料の１種又は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
電子注入層、電子輸送層の形成方法としては、真空蒸着法やＬＢ法、前記電子注入輸送材料を溶媒に溶解又は分散させてコーティングする方法、インクジェット法、印刷法、転写法などが用いられる。コーティング法の場合、樹脂成分と共に溶解又は分散することができ、樹脂成分としては例えば、正孔注入輸送層の場合に例示したものが適用できる。

保護層の材料としては水分や酸素等の素子劣化を促進するものが素子内に入ることを抑止する機能を有しているものであればよい。その具体例としては、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｉ等の金属、ＭｇＯ、ＳｉＯ、ＳｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、ＧｅＯ、ＮｉＯ、ＣａＯ、ＢａＯ、Ｆｅ₂Ｏ₃、Ｙ₂Ｏ₃、ＴｉＯ₂等の金属酸化物、ＭｇＦ₂、ＬｉＦ、ＡｌＦ₃、ＣａＦ₂等の金属フッ化物、ＳｉＮ_x、ＳｉＯ_xＮ_yなどの窒化物、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルメタクリレート、ポリイミド、ポリウレア、ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリジクロロジフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレンとジクロロジフルオロエチレンとの共重合体、テトラフルオロエチレンと少なくとも１種のコモノマーとを含むモノマー混合物を共重合させて得られる共重合体、共重合主鎖に環状構造を有する含フッ素共重合体、吸水率１％以上の吸水性物質、吸水率０．１％以下の防湿性物質等が挙げられる。
保護層の形成方法についても特に限定はなく、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、ＭＢＥ（分子線エピタキシ）法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法（高周波励起イオンプレーティング法）、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、ガスソースＣＶＤ法、コーティング法、印刷法、転写法を適用できる。

以下に本発明の具体的実施例を述べるが、本発明の実施の態様はこれらに限定されない。
なお、本実施例において化合物（１）、（１５）、（６５）、（８８）を用いた実施例は参考例と読み替えるものとする。
・化合物（１）の合成
６，６’−ビス（２−ヒドロキシフェニル）−２，２’−ビピリジル０．１ｇ、PtCl₂ ０．１６ｇにベンゾニトリル１０ｍｌを加え、窒素雰囲気下３時間加熱還流させた。反応液を室温に冷却し、メタノールを加え沈殿させ、吸引ろ過した。得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒クロロホルム）で精製し、化合物（１）０．０６ｇを得た。マススペクトル測定により化合物（１）の構造を確認した。窒素雰囲気下、化合物（１）を含むクロロホルム溶液にＵＶ光を照射したところ、赤橙色の発光（λ_max＝624nm）が得られた。

出発原料として上記で用いた６，６’−ビス（２−ヒドロキシフェニル）−２，２’−ビピリジルはJournal of Organic Chemistry, 741, 11, (1946)に記載の方法で合成することができる。また、下記スキームによっても合成できる。

・６，６’−ビス（２−メトキシフェニル）−２，２’−ビピリジルの合成
６，６’−ジブロモ−２，２’−ビピリジン１．１５ｇ、２-メトキシフェニルボロン酸１．４５ｇ、PPh₃０．１６７ｇ、炭酸カリウム２．２ｇ、Pd(OAc)₂３６ｍｇにジメトキシエタン１０ｍｌ、水１０ｍｌを加え、窒素雰囲気下４時間加熱還流させた。反応液を室温に冷却し、クロロホルム２０ｍｌ、水２０ｍｌを加え分液し、有機層を濃縮した。シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒クロロホルム）で精製し、６，６’−ビス（２−メトキシフェニル）−２，２’−ビピリジル０．９ｇを得た。・６，６’−ビス（２−ヒドロキシフェニル）−２，２’−ビピリジルの合成
６，６’−ビス（２−メトキシフェニル）−２，２’−ビピリジル配位子０．３ｇ、ピリジン塩酸塩１０ｇを窒素雰囲気下１６０℃で４時間加熱させた。その後室温に冷却し、クロロホルム２０ｍｌ、水２０ｍｌを加え分液し、有機層を濃縮した。シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒クロロホルム）で精製し、６，６’−ビス（２−ヒドロキシフェニル）−２，２’−ビピリジル０．２ｇを得た。

同様の方法で合成した化合物（７９）と、化合物（８８）の合成スキームを示す。

化合物（７９）のジクロロエタン中の発光のλｍａｘは５１２ｎｍ、化合物（８８）のジクロロエタン中の発光のλｍａｘは６２０ｎｍであった。
また、前記一般式（１１）で表される化合物ないし前記一般式（１２）で表される化合物で置換基がアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、ハロゲン原子の場合、上記合成法で合成できる。
例示化合物５８の合成

中間体（２）の合成
窒素雰囲気下、トルエン１２５ｍＬとＮ，Ｎ，Ｎ，Ｎ−テトラメチルエチレンジアミン５０ｍＬの混合溶媒中に、水素化リチウム５ｇ（０．６３６モル）を懸濁させた。この中に、乾燥アセトニトリル４．３３ｇ（０．１０６モル）を加え、室温で４０分攪拌した。得られた懸濁液中に、２，６−ジブロモピリジン２５ｇ（０．１０６モル）を加えて加熱し、５時間加熱還流した。得られた黄色懸濁液を室温まで冷却し、氷冷した希塩酸中にゆっくりと滴下した。有機層を分離してクロロホルムで抽出し、水で３回、飽和食塩水で１回洗浄した後、硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を減圧留去して橙黄色の（２）の粗体を得た。シリカゲルカラムクロマトグラフィー（クロロホルム）で精製した後、エタノールから再結晶し、純粋な（２）を黄色粉末として６．１ｇ（収率３３％）で得た。

中間体（３）の合成
濃塩酸１００ｍＬとエタノール１００ｍＬの混合液中に、（２）を４ｇ（１１．３３ミリモル）を加えて加熱し、３時間加熱還流した。室温まで冷却した後、氷で冷却しながら水酸化ナトリウムの水溶液で、中和操作を行った。クロロホルムで抽出し、水で３回、飽和食塩水で１回洗浄した後、硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を減圧留去して淡黄色の（３）の粗体を得た。シリカゲルカラムクロマトグラフィー（クロロホルム）で精製した後、ジクロロメタン−ヘキサンから再結晶し、純粋な（３）を無色針状結晶として２．５ｇ（収率６７％）で得た。

中間体（４）の合成
窒素雰囲気下、（３）を７００ｍｇ（２．１３ミリモル）と２，６−ジフルオロフェニルボロン酸６７４ｍｇ（４．２６ミリモル）を１，２−ジメトキシエタン１０ｍＬに溶解させた。この中に、トリフェニルホスフィン１１２ｍｇ（０．４３ミリモル）を加え、更に炭酸カリウム１．６ｇの水溶液１５ｍＬ（１１．５２ミリモル）を加えた。次に、酢酸パラジウム２４ｍｇ（０．１１ミリモル）を加えて、４時間、加熱還流した。室温まで冷却した後、酢酸エチルで抽出し、水で２回、飽和食塩水で１回洗浄した。硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を減圧留去して、褐色油状の（４）の粗体を得た。クロロホルム／ヘキサンから再結晶し、純粋な（４）を淡黄色粉末として５００ｍｇ（収率６０％）で得た。

例示化合物５８の合成
窒素雰囲気下、ベンゾニトリル１５ｍＬ中に、（４）１５０ｍｇ（０．３８ミリモル）と塩化白金１０１ｍｇ（０．３８ミリモル）を加え、１８０℃で２時間加熱した。室温まで冷却すると、橙赤色の針状晶が析出した。針状晶を濾別し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（クロロホルム）で精製した後、クロロホルムから再結晶し、純粋な例示化合物５８を橙赤色針状晶として１１０ｍｇ（収率４９％）得た。

比較例１
洗浄したＩＴＯ基板を蒸着装置に入れ、ＴＰＤ（Ｎ，Ｎ−ジフェニル−Ｎ，Ｎ−ジ（ｍ−トリル）−ベンジジン）を５０ｎｍ蒸着し、この上に、ＰｔＯＥＰ（オクタエチルポルフィリン白金錯体）と化合物Ａを１対１７の比率（質量比）で３６ｎｍ共蒸着し、この上に、化合物Ａを３６ｎｍ蒸着した。有機薄膜上にパターニングしたマスク（発光面積が４ｍｍ×５ｍｍとなるマスク）を設置し、蒸着装置内でフッ化リチウム３ｎｍを蒸着し、この上に、アルミニウム400nmを蒸着した。東陽テクニカ製ソースメジャーユニット２４００型（商品名）を用いて、直流定電圧をＥＬ素子に印加し発光させ、その輝度をトプコン社の輝度計ＢＭ−８（商品名）を用いて測定した。その結果、２００ｃｄ／ｍ²で外部量子効率１．１％、最高輝度３９０ｃｄ／ｍ²の発光が得られた。

実施例１
洗浄したＩＴＯ基板を蒸着装置に入れ、ＴＰＤ（Ｎ，Ｎ−ジフェニル−Ｎ，Ｎ−ジ（ｍ−トリル）−ベンジジン）を５０ｎｍ蒸着し、この上に、本発明の化合物（１）と化合物Ａを１対１７の比率（質量比）で３６ｎｍ共蒸着し、この上に、化合物Ｂを３６ｎｍ蒸着した。有機薄膜上にパターニングしたマスク（発光面積が４ｍｍ×５ｍｍとなるマスク）を設置し、蒸着装置内でフッ化リチウム３ｎｍを蒸着し、この上に、アルミニウム400nmを蒸着した。東陽テクニカ製ソースメジャーユニット２４００型（商品名）を用いて、直流定電圧をＥＬ素子に印加し発光させ、その輝度をトプコン社の輝度計ＢＭ−８（商品名）を用いて測定した。その結果、２００ｃｄ／ｍ²で外部量子効率２．８％、最高輝度１０９０ｃｄ／ｍ²の発光が得られた。

実施例２
洗浄したＩＴＯ基板を蒸着装置に入れ、ＴＰＤ（Ｎ，Ｎ−ジフェニル−Ｎ，Ｎ−ジ（ｍ−トリル）−ベンジジン）を５０ｎｍ蒸着し、この上に、本発明の化合物（１）と化合物Ａを１対２の比率（質量比）で３６ｎｍ共蒸着し、この上に、化合物Ｂを３６ｎｍ蒸着した。有機薄膜上にパターニングしたマスク（発光面積が４ｍｍ×５ｍｍとなるマスク）を設置し、蒸着装置内でフッ化リチウム３ｎｍを蒸着し、この上に、アルミニウム400nmを蒸着した。東陽テクニカ製ソースメジャーユニット２４００型（商品名）を用いて、直流定電圧をＥＬ素子に印加し発光させ、その輝度をトプコン社の輝度計ＢＭ−８（商品名）を用いて測定した。その結果、２００ｃｄ／ｍ²で外部量子効率４．４％、最高輝度３８２０ｃｄ／ｍ²の発光が得られた。

比較例２
米国特許第６，６５３，６５４Ｂ１明細書（ＵＳ6.653654B1）の例８記載の方法でＥＬ素子を作成した（素子Ｎｏ−１０１）。

比較例３
洗浄したＩＴＯ基板を蒸着装置に入れ、α−ＮＰＤを５０ｎｍ蒸着しホール輸送層を形成した。この上に、ホストとしてBepp₂と、発光材料として化合物（６５）をそれぞれ０．４ｎｍ／秒、０．０２ｎｍ／秒で膜厚が４０ｎｍになるように共蒸着し発光層を形成した。その上に有機薄膜上にパターニングしたマスク（発光面積が２ｍｍ×２ｍｍとなるマスク）を設置し、蒸着装置内でフッ化リチウムを１．５ｎｍ蒸着した後、アルミニウムを２００ｎｍ蒸着し、引き続き乾燥剤を入れ素子を封止し、ＥＬ素子を作製した（素子Ｎｏ−１０２）。上記と同様の操作で発光材料を化合物（１）に変更し、ＥＬ素子を作成した（素子Ｎｏ−１０３）。

実施例３
ホストの膜厚を３６ｎｍとした以外は比較例３と同様にして発光層を形成した。その上に電子輸送層として化合物Ｂを３６ｎｍ蒸着した。有機薄膜上にパターニングしたマスク
（発光面積が２ｍｍ×２ｍｍとなるマスク）を設置し、蒸着装置内でフッ化リチウムを５ｎｍ蒸着した後、アルミニウムを５００ｎｍ蒸着し、引き続き乾燥剤を入れ素子を封止し、ＥＬ素子を作製した（素子Ｎｏ−１０４）。上記と同様の操作でホスト材料を化合物Ａに変更してＥＬ素子を作成した（素子Ｎｏ−１０５）。

実施例４
洗浄したＩＴＯ基板を蒸着装置に入れ、銅フタロシアニンを１０ｎｍ蒸着しその上にα−ＮＰＤを２０ｎｍ蒸着しホール輸送層を形成した。この上に、ホストとして化合物Ａを、発光材料として化合物（１）をそれぞれ０．４ｎｍ／秒、０．０２ｎｍ／秒で膜厚が３０ｎｍになるように共蒸着し発光層を形成した。その上に正孔ブロック層としてＢＡｌｑを１０ｎｍ蒸着し、更に電子輸送層としてＡｌｑを４０ｎｍ蒸着した。有機薄膜上にパターニングしたマスク（発光面積が２ｍｍ×２ｍｍとなるマスク）を設置し、蒸着装置内でフッ化リチウムを５ｎｍ蒸着した後、アルミニウムを５００ｎｍ蒸着し、引き続き乾燥剤を入れ素子を封止し、ＥＬ素子を作製した（素子Ｎｏ−２０１）。上記と同様の操作で発光材料、ホスト材料を表２のように変更し、ＥＬ素子を作成した（素子Ｎｏ−２０２〜２０６）。

次に以下のようにして各素子を評価した。ｖ有機薄膜上に東陽テクニカ製ソースメジャーユニット２４００（商品名）を用いて、直流定電流をＥＬ素子に印加し、比較例及び本発明の素子を発光させ、その輝度をトプコン社の輝度計ＢＭ−８（商品名）、発光波長を浜松ホトニクス社製スペクトルアナライザーＰＭＡ−１１（商品名）を用いて測定し発光効率を求めた。次に耐久性を評価した。まず、素子を1mA/4mm²で駆動し、初期輝度を測定した。次に素子を1mA/4mm²で２００ｈ低電流駆動した後の輝度を測定し、初期輝度と比較することにより輝度維持率を求めた。その結果を表１及び表２に示す。

比較例に比較し、電子輸送層を導入した本発明の素子は輝度維持率が向上し、素子耐久性に優れることが判る。また、ホスト材料を化合物Ａのように非錯体芳香族ヘテロ環化合物に変更することによっても、更に素子耐久性が向上する。

また、正孔注入層として銅フタロシアニン(CuPc)を用い、正孔ブロック層としてBAlqを用いることによって素子耐久性が更に向上し、本発明の化合物は色純度のよい赤色発光や、緑色発光が可能であることが判る。また、更に短波な発光も可能である。

Claims

一般式（１１）で表される化合物。

（Ｒ^C1、Ｒ^C2はそれぞれ水素原子、アルキル基、アリール基、アミノ基又はアシル基を表し、Ｒ^C3、Ｒ^C4、Ｒ^C5、Ｒ^C6はそれぞれアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルホニルアミノ基、スルファモイル基、カルバモイル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロ環チオ基、スルホニル基、スルフィニル基、ウレイド基、リン酸アミド基、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基、シリル基、又はシリルオキシ基を表す。ｎ^C3、ｎ^C6は０〜３、ｎ^C4、ｎ^C5は０〜４の整数を表し、Ｒ^C3、Ｒ^C4、Ｒ^C5、Ｒ^C6をそれぞれ複数個有する場合、複数個のＲ^C3、Ｒ^C4、Ｒ^C5、Ｒ^C6は同じであっても異なってもよく、連結して環を形成してもよい。）
前記Ｒ^C3、Ｒ^C4、Ｒ^C5、Ｒ^C6が、それぞれ、アルキル基、アリール基、アミノ基、ハロゲン原子又はアルコキシ基である、請求項１に記載の化合物。
前記Ｒ^C1、Ｒ^C2が、それぞれ、アルキル基である、請求項１又は２に記載の化合物。