CN105273712B - 用于发光二极管的发光材料 - Google Patents

用于发光二极管的发光材料 Download PDF

Info

Publication number
CN105273712B
CN105273712B CN201410332281.0A CN201410332281A CN105273712B CN 105273712 B CN105273712 B CN 105273712B CN 201410332281 A CN201410332281 A CN 201410332281A CN 105273712 B CN105273712 B CN 105273712B
Authority
CN
China
Prior art keywords
luminescent material
alkyl
independently
hydrogen
light emitting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201410332281.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105273712A (zh
Inventor
支志明
蔡丽菲
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Guangdong Aglaia Optoelectronic Materials Co Ltd
Original Assignee
Guangdong Aglaia Optoelectronic Materials Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to CN201410332281.0A priority Critical patent/CN105273712B/zh
Application filed by Guangdong Aglaia Optoelectronic Materials Co Ltd filed Critical Guangdong Aglaia Optoelectronic Materials Co Ltd
Priority to DE112015003222.3T priority patent/DE112015003222B4/de
Priority to PCT/CN2015/074265 priority patent/WO2016004772A1/zh
Priority to KR1020167035175A priority patent/KR101904175B1/ko
Priority to JP2017519759A priority patent/JP6258558B2/ja
Priority to US15/325,701 priority patent/US9831449B2/en
Priority to TW104113121A priority patent/TWI529239B/zh
Publication of CN105273712A publication Critical patent/CN105273712A/zh
Priority to HK16103575.9A priority patent/HK1215587A1/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105273712B publication Critical patent/CN105273712B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C251/00—Compounds containing nitrogen atoms doubly-bound to a carbon skeleton
    • C07C251/02—Compounds containing nitrogen atoms doubly-bound to a carbon skeleton containing imino groups
    • C07C251/24—Compounds containing nitrogen atoms doubly-bound to a carbon skeleton containing imino groups having carbon atoms of imino groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/06—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F15/00—Compounds containing elements of Groups 8, 9, 10 or 18 of the Periodic Table
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/15—Hole transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/16—Electron transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
    • H10K71/135—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing using ink-jet printing
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H10K85/341—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes
    • H10K85/346—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes comprising platinum
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1003—Carbocyclic compounds
    • C09K2211/1007—Non-condensed systems
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1018—Heterocyclic compounds
    • C09K2211/1025—Heterocyclic compounds characterised by ligands
    • C09K2211/1029—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing one nitrogen atom as the heteroatom
    • C09K2211/1033—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing one nitrogen atom as the heteroatom with oxygen
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1018—Heterocyclic compounds
    • C09K2211/1025—Heterocyclic compounds characterised by ligands
    • C09K2211/1029—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing one nitrogen atom as the heteroatom
    • C09K2211/104—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing one nitrogen atom as the heteroatom with other heteroatoms
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/18—Metal complexes
    • C09K2211/185—Metal complexes of the platinum group, i.e. Os, Ir, Pt, Ru, Rh or Pd
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/40—Interrelation of parameters between multiple constituent active layers or sublayers, e.g. HOMO values in adjacent layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明涉及用于发光二极管的发光材料，其结构如式I所示，本发明中的铂(II)络合物具有高发光量子效率,良好的热稳应性及低猝灭常数，可以制造高效率并低效率衰减的红光OLED。

Description

用于发光二极管的发光材料
技术领域
本发明涉及一种发光材料，特别是涉及一种新型铂(II)络合物发光材料及其在有机发光二极管(OLED)中的用途。
背景技术
在上世纪八十年代，C.W.Tang公开了双层结构OLED(有机发光器件)(美国专利No.4,356,429；Appl.Phys.Lett.1987,51,12,913)。这种发现基于使用包括发光电子传输层(emissive electron-transporting layer)和合适的有机材料的空穴传输层的多层结构。选择Alq3(q:脱质子8-羟基哇琳基)作为发光电子传输材料。从那时起，持续研究OLED中使用的材料OLED提供几个优点，包括：(1)低工作电压，(2)薄整体结构，(3)发射光而非调制光，(4)良好的发光效率，(5)全色潜力；和(的高对比和分辨率.这些优点表明OLED可能用在平板显示器中。
对有机小分子进行研究以改进OLED的性能。通常，使用磷光材料作为OLED的发光层中的光发射体，而在不同的磷光材料之中，带铱和带铂的络合物是主流材料。因为带铱材料有着八面体的几何配置，由带铱材料制备的OLED，除了有高效能之外，一般也不会有极大的效率衰减。相对而言，带铂的材料有着平面的几何配置，所以由带铱材料制备的OLED，虽然也可以有高效能，但却同时有极大的效率衰减，换言之这些器件只能在极低亮度的情况之下得到高效能，而在正常运作的亮度例如1000cd m-2之下，器件的效能一般也会降至十分低的水平。例如，我们在2007年开发了一类带铂的磷光材料，由这些材料制备的器件可以得到高达51.8cd A-1的效能，但是这些器件的效能急速地下跌至低于最高效能的百分之五十(Appl.Phys.Lett.91,2007,063508)。这也是导致现在只有带铱材料能够用在OLED商品上应用的一个主要原因。
一般来说，材料具有高猝灭常数(在108dm3mol-1s-1以上)会导致严重的三重态-三重态湮灭而产生快速效率衰减。除了效率衰减之外，高猝灭常数还会使带铂的材料制备的器件只能在十分窄的掺杂窗口运作。换言之，高效能及高色纯度的器件只能在一个很小的掺杂范围(例如1％-2％)达到。这也是带铂材料未能被工业界接纳的原因。
为了解决这问题，不同的学者提出了不同的方案并制备出了不同的材料。在2010年我们加了大基团，Huo加了非平面基，在2012年，Xie加了非平面基到带铂材料中(Chem.Eur.J.2010,16,233-247；Inorg.Chem.2010,49,5107–5119；Chem.Commun.2012,48,3854-3856)。但是这问题并没有得到明显的改善，制备出来的器件还是有着高于50％的效率衰减。这证明了加入大 基团及非平面基并不是通常可行的方法去解决这问题。
发明内容
针对上述领域中的缺陷，本发明提供一种新型铂(II)络合物发光材料，其具有低猝灭常数，可以制造高效率并低效率衰减的红光OLED。
本发明还提供还发光材料的制备方法。
本发明还提供该发光材料制备的发光器件。
用于发光二极管的发光材料，其结构如式I所示，
其中R1-R26独立地为氢、卤素、羟基、未取代烷基、取代烷基、环烷基、未取代芳基、取代芳基、酰基、烷氧基、酰氧基、氨基、硝基、酰基氨基、芳烷基、氰基、羧基、硫代、苯乙烯基、氨基羰基、氨基甲酰基、芳氧基羰基、苯氧基羰基或烷氧基羰基，R1-R26可独立地与邻近其它的R1-R26基团形成5-8元环。
其中R1-R26独立地为氢、卤素、羟基、C1-C6烷基、五元或六元环烷基、五元或六元芳基、烷氧基、氨基、硝基、氰基、羧基、R1-R26可独立地与邻近其它的R1-R26基团形成5-6元环。
其中R3-8、R17-22独立地为氢。
其中R1、R11、R16、R24独立地为氢，R2、R23、R9-10、R25-26独立的为氢、C1-C6烷基。
其中R12-15独立的为氢、卤素、羟基、C1-C6烷基、五元或六元环烷基、五元或六元芳基、氨基、硝基、氰基，或者R13、R14形成5-6元芳环。
其中R13、R14独立的为氢、卤素、C1-C4烷基、氨基、硝基、氰基，或者R13、R14形成苯环。
其中R12、R15独立的为氢、C1-C6烷基。
具有结构I的化学结构的有机金属络合物被称作环金属化络合物，结构I中的铂中心为+2氧化态并具有正方形平面几何形状。该铂中心的配位点被一个四齿配体.，四齿配体通过两个氮给体键和两个氧给体键键配位到铂中心上，为了达到发红光的需求，四齿配体的基本结构为希夫碱。在背景资料`中提及到由于带有希夫碱的铂络合物都具有高猝灭常数，用他们制备的器件都有高效率衰减，就算加入大基团也不能改善这问题。在本发明中，附在酚的双环是其中一个重点，能有效地减低猝灭常数。通过结构I，我们把这两个方法连在一起并得到了用其他基团得不到的效果。在这发明中，结构I中的中心部分(下列图中,粗线部分)是使材料有着发红光并有低猝灭常数的原因：
而在结构I中,其他基团(R1-R26)并不会严重的影响材料的发光性质及猝灭常数，所以他们可以是独立地为氢、卤素、羟基、未取代烷基、取代烷基、环烷基、未取代芳基、取代芳基、酰基、烷氧基、酰氧基、氨基、硝基、酰基氨基、芳烷基、氰基、羧基、硫代、苯乙烯基、氨基羰基、氨基甲酰基、芳氧基羰基、苯氧基羰基或烷氧基羰基。各个R1-R26可独立地与邻近的R基团形成5-8元环。
为了本申请的目的，除非另有指明，术语卤素、烷基、环烷基、芳基、酰基、烷氧基和杂环芳族体系或杂环芳族基团可有以下含义:
本文所用的卤素或卤代包括氟、氯、溴和碘，优选F，Cl，Br，特别优选F或Cl，最优选F。
如本文所用的芳基、芳基部分或芳族体系包括具有6-30个碳原子，优选6-20个碳原子，更优选6-8个碳原子并且由一个芳环或多个稠合的芳环组成的芳基。适宜的芳基为，例如苯基，萘基,苊基(acenaphthenyl)、二氢苊基(acenaphthylenyl)，蒽基、芴基、菲基(phenalenyl)。该芳基可为未取代的(即所有能够取代的碳原子带有氢原子)或在芳基的一个、多于一个或所 有可取代的位置上被取代。适宜的取代基为例如卤素，优选F、Br或Cl；烷基，优选具有1-20个，1-10个或1-8个碳原子的烷基，特别优选甲基、乙基、异-丙基或叔-丁基；芳基，优选可再次被取代的或是未取代的C6-芳基或芴基；杂芳基，优选含至少一个氮原子的杂芳基，特别优选吡啶基，烯基是适宜的取代基，优选具有一个双键的烯基，特别优选具有双键和1-8个碳原子的烯基。芳基尤其特别优选带有选自F和叔-丁基的取代基，优选可为给定的芳基或任选被至少一个上述取代基取代的为C6-芳基的芳基，C6-芳基特别优选带有0、1或2个上述取代基，C6-芳基尤其特别优选未取代的苯基或取代的苯基，诸如联苯基、被两个叔丁基优选在间位取代的苯基。如本文所用的芳基或芳基部分优选为苯基，其可为未取代的或被上述取代基，优选卤素、烷基或芳基取代。
本文使用的烷基或烷基部分包括具有1-20个碳原子，优选1-10个碳原子，特别优1-6个碳原子的烷基。该烷基可为支链或是直链的，并且可被一个或多个杂原子,优选N、O或S间断。而且，该烷基可被一个或多个提及的关于芳基的取代基取代。同样，对于烷基而言，带有一个或多个芳基是可能的，所有提到的芳基均适宜用于该目的，烷基特别优选选自甲基、乙基、异-丙基、正-丙基、异-丁基、正-丁基、叔-丁基、仲-丁基、异-戊基、正-戊基、仲-戊基、新戊基、正-已基、异-已基和仲-已基，尤其特别优选的是叔-丁基、C4H9、C6H13。
如本文所用的，环烷基期望为环形烷基，优选的环烷基为那些含3-7个碳原子的环烷基,并且包括环丙基、环戊基、环已基等。再有，环烷基可被选自卤代、烷基，诸如叔丁基、C4H9、C6H13的一个或多个取代基任选取代。
如本文所用的，酰基是以单键连接至CO基团的、如本文所用的烷基。
如本文所用的，烷氧基是与氧相连的、如本文所用的烷基。
如本文所用的，杂环芳族体系或杂环芳族基团被理解为与芳族、C3-C8环基相关,并且还包含一个氧或硫原子或1-4个氮原子或一个氧或硫原子与最多两个氮原子的组合，和它们的取代的以及苯并和吡啶并-稠合的衍生物，例如，经由其中一个成环碳原子相连，所述杂环芳族体系或杂环芳族基团可被一个或多个提到的关于芳基的取代基所取代。
在某些实施方案中，杂芳基可为携带以上彼此可相同或不同的0、1、或2个取代基的五-和六元-芳族杂环体系。杂芳基的典型的实例包括，但不限于未取代的呋喃、苯并呋喃、噻吩、苯并噻吩、吡咯、吡啶、吲哚、唑、苯并唑、异唑、苯并异唑、噻唑、苯并噻唑、异噻唑、咪唑、苯并咪唑、吡唑、吲唑、四唑、喹啉、异喹啉、哒嗪、嘧啶、嘌呤和吡嗪、呋喃、1,2,3-二唑、1,2,3-噻二唑、1,2,4-噻二唑、三唑、苯并三唑、蝶啶、苯并唑、二唑、苯并吡唑、喹嗪、噌啉、酞嗪、喹唑和喹喔琳及其单-或二-取代的衍生物.在某些实施方案中，取代基为卤代、羟基、氰基、O-C1-6-烷基、C1-6-烷基、羟基-C1-6-烷基和氨基-C1-6-烷基。
铂(II)络合物的具体实例示出如下，但不限于以下络合物:
采用具有结构I的络合物，可制造热沉积和溶液处理的OLED。
包括含有一种或多种如权利要求1中所述的用于发光二极管的发光材料的有机发光器件。
其中通过热沉积在该器件中以层形式施加该用于发光二极管的发光材料。
其中通过旋涂在该器件中以层形式施加该用于发光二极管的发光材料。
其中通过喷墨印刷在该器件中以层形式施加该用于发光二极管的发光材料。
上述有机发光器件，其中在对层施加电流时该器件发射单色-红色。
本发明中的铂(II)络合物具有高发光量子效率,良好的热稳应性及低猝灭常数，可以制造高 效率并低效率衰减的红光OLED。
附图说明
图1:具有结构II的化学结构的配体的合成方案，
图2:具有结构I的化学结构的络合物的合成方案，
图3:络合物101的吸收及发射光谱，
图4:络合物101的循环伏安，
图5:用络合物101制备的OLED的数据，
图6:用络合物101制备的OLED的光谱。
具体实施方式
下面是如本文描述的铂(II)络合物(用于发光二极管的发光材料)的制备、物理性质和和电致发光数据的实例。提出实例是为了帮助理解本发明，而并非意欲且不应被解释为以任何方式对在其后所附权利要求书中阐述的本发明的限制。
除非在下面的实施例中和在说明书及权利要求书中其它地方另有指出，所有份数和百分比均以重量计，所有温度以摄氏度表示和压力为处于大气压或接近大气压。
不在操作实例中，或另有指出，提及用于本说明书及权利要求书中的成分、反应条件等的量的所有数字、值和/或表达应被理解为在所有情况下通过术语"约"来修饰。
至于给出特征的任何图或数字范围，自一个范围中的图或参数可与自对相同特征的不同范围的图或参数合并，以形成数字范围。
实施例201-具有结构II的化学结构的配体的通用制备方法：
参考图1，利用含有邻苯二胺基(结构III)的化学物与含有酚及双环的化学物(结构IV),通过缩合反应生成两个亚胺键后得到具有结构II的化学结构的配体。(上述III、IV是市售产品)
实施例202-配体301的制备
通过实施例201中的方法制备配体301，其中R1-R26是氢。得率：100％。1H NMR(500MHz,CDCl3)δ13.33(s,2H),8.54(s,2H),7.34–7.22(m,2H),7.22–7.11(m,2H),7.09(s,2H),6.87(s,2H),3.32(d,J＝11.0Hz,4H),1.90(d,J＝7.5Hz,4H),1.73(d,J＝8.1Hz,2H),1.54(d,J ＝8.6Hz,2H),1.20(d,J＝5.7Hz,4H).
实施例203-具有结构I的化学结构的结构I的络合物的通用制备方法：
参考图2，首先把具有结构II(301)的化学结构的配体及两倍份量的弱碱溶在小量的热二甲基甲酰胺中，跟着把含有一倍份量带铂的盐的二甲基亚砜溶液加入其中。在反应一个晚上之后，用过滤法收集沉淀物，最后用重结晶法提纯。
实施例204-络合物101的制备
通过实施例203中的方法制络合物101，其中弱碱是乙酸钠,带铂的盐是四氯铂酸钾，得率:32％.1H NMR(500MHz,CD2Cl2)δ8.76(s,2H),7.97(dd,J＝6.0,3.2Hz,2H),7.32(dd,J＝6.1,3.2Hz,2H),7.28(s,2H),7.08(s,2H),3.36(d,J＝6.4Hz,4H),1.97(d,J＝8.3Hz,4H),1.80(d,J＝8.0Hz,2H),1.62(d,J＝8.8Hz,2H),1.31(d,J＝7.5Hz,4H).
实施例205-络合物101的光物理性质
实施例206-络合物101的电物理性质
实施例207‐通用热离解OLED制造方法
在高真空环境(压力<1x10‐6托)中，在覆盖透明物质、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层的阳极和金属阴极上顺序沉积。
实施例208-用实施例207制造一种装置,其中的空穴传输层为40nm的4,4'-环己基二[N,N-二(4-甲基苯基)苯胺](TAPC)；发光由两层不同分层组成，第一层主要是三(4-咔唑-9基-苯基)胺(TcTa)(主体材料)的发光层，掺杂有小量络合物101(掺杂剂)，第二层是主要是9,9'-(2,6-吡啶二基二-3,1-亚苯)双-9H-咔唑(26DczPPy)(主体材料)的发光层，掺杂有小量络合物101(掺杂剂)；电子传输层为40nm的3,3'-[5'-[3-(3-吡啶基)苯基][1,1':3',1''-三联苯]-3,3''-二基]二吡啶(TmPYPB)；电子注入层为1nm的氟化锂和金属阴极为100nm的铝。
实施例209-实施例209阐明通过实施例208中所述的方法使用络合物101作为发光材料制成的OLED器件的器件性能.
a)最大亮度；b)最大电流效率；c)最大电源效率；d)在1000cdm‐2的电流效率；e)效率衰减＝1‐(ηc1000/ηc max)。

Claims (10)

1.用于发光二极管的发光材料，其结构如式I所示，
其中R1-R26独立地为氢、卤素、羟基、未取代烷基、取代烷基、环烷基、未取代芳基、取代芳基、酰基、烷氧基、酰氧基、氨基、硝基、酰基氨基、芳烷基、氰基、羧基、硫代、苯乙烯基、氨基羰基、芳氧基羰基或烷氧基羰基，R1-R26可独立地与邻近其它的R1-R26基团形成5-8元环。
2.根据权利要求1所述的发光材料，其中R1-R26独立地为氢、卤素、羟基、C1-C6烷基、五元或六元环烷基、五元或六元芳基、烷氧基、氨基、硝基、氰基、羧基、R1-R26可独立地与邻近其它的R1-R26基团形成5-6元环。
3.根据权利要求2所述的发光材料，其中R3-8、R17-22独立地为氢。
4.根据权利要求3所述的发光材料，其中R1、R11、R16、R24独立地为氢，R2、R23、R9-10、R25-26独立的为氢、C1-C6烷基。
5.根据权利要求4所述的发光材料，其中R12-15独立的为氢、卤素、羟基、C1-C6烷基、五元或六元环烷基、五元或六元芳基、氨基、硝基、氰基，或者R13、R14形成5-6元芳环。
6.根据权利要求5所述的发光材料，其中R13、R14独立的为氢、卤素、C1-C4烷基、氨基、硝基、氰基，或者R13、R14形成苯环。
7.根据权利要求6所述的发光材料，其中R12、R15独立的为氢、C1-C6烷基。
8.根据权利要求7所述的发光材料，为如下结构的化合物：
9.包括含有一种或多种如权利要求1-8任一所述的用于发光二极管的发光材料的有机发光器件。
10.根据权利要求9所述的有机发光器件，其中通过热沉积在该器件中以层形式施加该用于发光二极管的发光材料；或者通过旋涂在该器件中以层形式施加该用于发光二极管的发光材料；或者通过喷墨印刷在该器件中以层形式施加该用于发光二极管的发光材料。
CN201410332281.0A 2014-07-11 2014-07-11 用于发光二极管的发光材料 Active CN105273712B (zh)

Priority Applications (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410332281.0A CN105273712B (zh) 2014-07-11 2014-07-11 用于发光二极管的发光材料
PCT/CN2015/074265 WO2016004772A1 (zh) 2014-07-11 2015-03-16 用于发光二极管的发光材料
KR1020167035175A KR101904175B1 (ko) 2014-07-11 2015-03-16 발광다이오드용 발광재료
JP2017519759A JP6258558B2 (ja) 2014-07-11 2015-03-16 発光ダイオードに用いられる発光材料
DE112015003222.3T DE112015003222B4 (de) 2014-07-11 2015-03-16 Lichtemittierendes Material für Lichtemittierende Dioden und Organisches Lichtemittierendes Bauelement
US15/325,701 US9831449B2 (en) 2014-07-11 2015-03-16 Light-emitting materials for light-emitting diodes
TW104113121A TWI529239B (zh) 2014-07-11 2015-04-23 用於發光二極體的發光材料
HK16103575.9A HK1215587A1 (zh) 2014-07-11 2016-03-29 用於發光二極管的發光材料

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410332281.0A CN105273712B (zh) 2014-07-11 2014-07-11 用于发光二极管的发光材料

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105273712A CN105273712A (zh) 2016-01-27
CN105273712B true CN105273712B (zh) 2017-07-25

Family

ID=55063556

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410332281.0A Active CN105273712B (zh) 2014-07-11 2014-07-11 用于发光二极管的发光材料

Country Status (8)

Country Link
US (1) US9831449B2 (zh)
JP (1) JP6258558B2 (zh)
KR (1) KR101904175B1 (zh)
CN (1) CN105273712B (zh)
DE (1) DE112015003222B4 (zh)
HK (1) HK1215587A1 (zh)
TW (1) TWI529239B (zh)
WO (1) WO2016004772A1 (zh)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108569995B (zh) * 2017-03-07 2022-03-25 香港大学 铂络合物及其装置
CN109748850B (zh) * 2017-11-02 2022-04-15 广东阿格蕾雅光电材料有限公司 含有机金属配合物发光材料的器件
CN109748936B (zh) * 2017-11-02 2021-05-11 广东阿格蕾雅光电材料有限公司 一种有机金属配合物发光材料
CN109980111B (zh) * 2017-12-28 2021-02-19 广东阿格蕾雅光电材料有限公司 一种含四齿铂(ii)配合物的有机电致发光器件
CN109134303B (zh) * 2018-07-09 2021-03-16 台州学院 一种红光发光材料及其制备方法和应用
CN110872325B (zh) 2018-09-03 2021-05-21 广东阿格蕾雅光电材料有限公司 基于铂四齿oncn络合物的有机发光材料、制备方法及其在有机发光二极管中的应用
WO2020088582A1 (en) * 2018-10-31 2020-05-07 Versitech Limited Platinum (ii) schiff base complexes with increased emission quantum yield for red oled applications
CN111116413B (zh) * 2018-10-31 2023-07-25 四川知本快车创新科技研究院有限公司 用于红光oled应用的具有增加的发射量子产率的铂(ii)schiff碱络合物
CN111320613B (zh) * 2018-12-17 2023-05-12 广东阿格蕾雅光电材料有限公司 铂(ii)四齿onno络合物发光材料、制备方法及其在有机发光二极管中的应用
RU2727369C1 (ru) * 2019-12-30 2020-07-21 Открытое Акционерное Общество "Тяжпрессмаш" Способ однонаправленного и ускоренного затвердевания крупногабаритных толстостенных центробежно-литых стальных заготовок

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7002013B1 (en) * 2004-09-23 2006-02-21 National Tsing Hua University Pt complexes as phosphorescent emitters in the fabrication of organic light emitting diodes
CN1777663A (zh) * 2003-06-02 2006-05-24 富士胶片株式会社 有机电致发光装置和金属络合化合物
CN101646746A (zh) * 2007-03-30 2010-02-10 富士胶片株式会社 有机电致发光装置
CN101646745A (zh) * 2007-03-28 2010-02-10 富士胶片株式会社 有机电致发光装置

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4356429A (en) 1980-07-17 1982-10-26 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent cell
JP2003123981A (ja) * 2001-10-12 2003-04-25 Canon Inc 有機発光素子
US6653654B1 (en) 2002-05-01 2003-11-25 The University Of Hong Kong Electroluminescent materials
JP2004335122A (ja) * 2003-04-30 2004-11-25 Takasago Internatl Corp 発光素子
JP2004331508A (ja) * 2003-04-30 2004-11-25 Takasago Internatl Corp 白金錯体
WO2004108857A1 (en) 2003-06-02 2004-12-16 Fuji Photo Film Co., Ltd. Organic electroluminescent devices and metal complex compounds
US20050244672A1 (en) * 2004-04-30 2005-11-03 Chi-Ming Che Organic light-emitting devices
JP2008103535A (ja) * 2006-10-19 2008-05-01 Takasago Internatl Corp 発光素子
US7868170B2 (en) * 2007-12-28 2011-01-11 Yun Chi Platinum complex and organic light-emitting device using the same
US8877353B2 (en) 2010-07-21 2014-11-04 Versitech Limited Platinum (II) tetradentate ONCN complexes for organic light-emitting diode applications
US8957217B2 (en) 2011-05-31 2015-02-17 The University Of Hong Kong Phosphorescent material, their preparations and applications
KR101950039B1 (ko) 2011-07-25 2019-02-19 유니버셜 디스플레이 코포레이션 4좌 배위자 백금 착물
US9783564B2 (en) 2011-07-25 2017-10-10 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
KR101668072B1 (ko) * 2012-12-27 2016-10-24 삼성디스플레이 주식회사 유기금속 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1777663A (zh) * 2003-06-02 2006-05-24 富士胶片株式会社 有机电致发光装置和金属络合化合物
US7002013B1 (en) * 2004-09-23 2006-02-21 National Tsing Hua University Pt complexes as phosphorescent emitters in the fabrication of organic light emitting diodes
CN101646745A (zh) * 2007-03-28 2010-02-10 富士胶片株式会社 有机电致发光装置
CN101646746A (zh) * 2007-03-30 2010-02-10 富士胶片株式会社 有机电致发光装置

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
New phosphorescent platinum(II) Schiff base complexes for PHOLED applications;Jie Zhang 等;《J. Mater. Chem.》;20120607;第22卷;16448-16457 *
Photophysical Properties and OLED Applications of Phosphorescent Platinum(II) Schiff Base Complexes;Chi-Ming Che 等;《Chem. Eur. J.》;20091210;第16卷;233-247 *

Also Published As

Publication number Publication date
KR20170013290A (ko) 2017-02-06
KR101904175B1 (ko) 2018-10-04
DE112015003222B4 (de) 2021-10-14
JP6258558B2 (ja) 2018-01-10
WO2016004772A1 (zh) 2016-01-14
CN105273712A (zh) 2016-01-27
HK1215587A1 (zh) 2016-09-02
US20170162803A1 (en) 2017-06-08
JP2017521546A (ja) 2017-08-03
US9831449B2 (en) 2017-11-28
TW201602309A (zh) 2016-01-16
DE112015003222T5 (de) 2017-04-27
TWI529239B (zh) 2016-04-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105273712B (zh) 用于发光二极管的发光材料
Li et al. Deep Blue Phosphorescent Organic Light‐Emitting Diodes with CIEy Value of 0.11 and External Quantum Efficiency up to 22.5%
CN103097395B (zh) 应用于有机发光二极管的铂(ii)四齿oncn络合物
TWI666803B (zh) 有機電場發光元件及其製造方法
Fan et al. Host and dopant materials for idealized deep‐red organic electrophosphorescence devices
KR101993394B1 (ko) 시클로금속화 4좌 배위자 Ｐｔ(ＩＩ) 착물
JP5215481B2 (ja) 有機電界発光素子
KR101904173B1 (ko) 유기 전계발광 재료와 유기 전계발광 소자
CN105993082B (zh) 包含磷杂庚环基质化合物的半导体材料
CN106146532A (zh) 有机电致发光材料和装置
TWI475022B (zh) Organic electroluminescent elements
TWI488942B (zh) Organic electroluminescent elements
JP5266203B2 (ja) 発光物質
Ulla et al. Blue emitting halogen–phenoxy substituted 1, 8-naphthalimides for potential organic light emitting diode applications
KR101966999B1 (ko) Ｎ-페닐 트리스카바졸
CN108475732B (zh) 有机电致发光元件
KR102081595B1 (ko) 인광 호스트 물질 및 이를 이용하는 유기전계발광소자
CN102329334B (zh) 6H-吲哚[3，2-b]喹喔啉衍生物及其有机发光二极管
CN105936640A (zh) 有机电致发光材料和装置
Ichikawa et al. Bi-or ter-pyridine tris-substituted benzenes as electron-transporting materials for organic light-emitting devices
Si et al. High light electroluminescence of novel Cu (I) complexes
WO2007055187A1 (ja) 金属錯体化合物及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
Cao et al. Efficient and Stable Molecular‐Aggregate‐Based Organic Light‐Emitting Diodes with Judicious Ligand Design
Zhou et al. A Novel trans‐1‐(9‐Anthryl)‐2‐phenylethene Derivative Containing a Phenanthroimidazole Unit for Application in Organic Light‐Emitting Diodes
Zhang et al. Two Green‐Phosphorescent Iridium Complexes with 2‐Phenylpyrimidine Derivatives and Tetraphenylimidodiphosphinate for Efficient Organic Light‐Emitting Diodes

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
REG Reference to a national code

Ref country code: HK

Ref legal event code: DE

Ref document number: 1215587

Country of ref document: HK

GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
REG Reference to a national code

Ref country code: HK

Ref legal event code: GR

Ref document number: 1215587

Country of ref document: HK

PE01 Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right
PE01 Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right

Denomination of invention: Luminescent material used for light emitting diodes

Effective date of registration: 20181105

Granted publication date: 20170725

Pledgee: Guangdong Nanhai Rural Commercial Bank branch branch of Limited by Share Ltd

Pledgor: GUANGDONG AGLAIA OPTOELECTRONIC MATERIALS Co.,Ltd.

Registration number: 2018440000305