KR101090423B1 - 회로 보드 구조체 및 회로 보드 구조체 제조 방법 - Google Patents

회로 보드 구조체 및 회로 보드 구조체 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101090423B1
KR101090423B1 KR1020087000597A KR20087000597A KR101090423B1 KR 101090423 B1 KR101090423 B1 KR 101090423B1 KR 1020087000597 A KR1020087000597 A KR 1020087000597A KR 20087000597 A KR20087000597 A KR 20087000597A KR 101090423 B1 KR101090423 B1 KR 101090423B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
conductor
component
layer
contact
conductor layer
Prior art date
Application number
KR1020087000597A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20080038124A (ko
Inventor
리스토 투오미넨
안티 이홀라
페테리 팜
Original Assignee
임베라 일렉트로닉스 오와이
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 임베라 일렉트로닉스 오와이 filed Critical 임베라 일렉트로닉스 오와이
Publication of KR20080038124A publication Critical patent/KR20080038124A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101090423B1 publication Critical patent/KR101090423B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/02Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
    • H05K3/06Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
    • H05K3/061Etching masks
    • H05K3/064Photoresists
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/20Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by affixing prefabricated conductor pattern
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/108Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by semi-additive methods; masks therefor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814Conductive parts
    • H01L21/4846Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H01L23/13Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the shape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/538Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates
    • H01L23/5389Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates the chips being integrally enclosed by the interconnect and support structures
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/544Marks applied to semiconductor devices or parts, e.g. registration marks, alignment structures, wafer maps
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L24/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/18High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/23Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L24/24Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/82Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by forming build-up interconnects at chip-level, e.g. for high density interconnects [HDI]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/18Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
    • H05K1/182Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with components mounted in the printed circuit board, e.g. insert mounted components [IMC]
    • H05K1/183Components mounted in and supported by recessed areas of the printed circuit board
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/18Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
    • H05K1/182Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with components mounted in the printed circuit board, e.g. insert mounted components [IMC]
    • H05K1/185Components encapsulated in the insulating substrate of the printed circuit or incorporated in internal layers of a multilayer circuit
    • H05K1/186Components encapsulated in the insulating substrate of the printed circuit or incorporated in internal layers of a multilayer circuit manufactured by mounting on or connecting to patterned circuits before or during embedding
    • H05K1/187Components encapsulated in the insulating substrate of the printed circuit or incorporated in internal layers of a multilayer circuit manufactured by mounting on or connecting to patterned circuits before or during embedding the patterned circuits being prefabricated circuits, which are not yet attached to a permanent insulating substrate, e.g. on a temporary carrier
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/18Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
    • H05K1/182Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with components mounted in the printed circuit board, e.g. insert mounted components [IMC]
    • H05K1/185Components encapsulated in the insulating substrate of the printed circuit or incorporated in internal layers of a multilayer circuit
    • H05K1/188Components encapsulated in the insulating substrate of the printed circuit or incorporated in internal layers of a multilayer circuit manufactured by mounting on or attaching to a structure having a conductive layer, e.g. a metal foil, such that the terminals of the component are connected to or adjacent to the conductive layer before embedding, and by using the conductive layer, which is patterned after embedding, at least partially for connecting the component
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/28Applying non-metallic protective coatings
    • H05K3/284Applying non-metallic protective coatings for encapsulating mounted components
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/303Surface mounted components, e.g. affixing before soldering, aligning means, spacing means
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/303Surface mounted components, e.g. affixing before soldering, aligning means, spacing means
    • H05K3/305Affixing by adhesive
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/321Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by conductive adhesives
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/568Temporary substrate used as encapsulation process aid
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/54426Marks applied to semiconductor devices or parts for alignment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/54473Marks applied to semiconductor devices or parts for use after dicing
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/04105Bonding areas formed on an encapsulation of the semiconductor or solid-state body, e.g. bonding areas on chip-scale packages
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/18High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/18High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/23Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L2224/24Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
    • H01L2224/241Disposition
    • H01L2224/24151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/24221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/24225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/24227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the HDI interconnect not connecting to the same level of the item at which the semiconductor or solid-state body is mounted, e.g. the semiconductor or solid-state body being mounted in a cavity or on a protrusion of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/29198Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29199Material of the matrix
    • H01L2224/2929Material of the matrix with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/29198Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298Fillers
    • H01L2224/29299Base material
    • H01L2224/293Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/8112Aligning
    • H01L2224/81121Active alignment, i.e. by apparatus steering, e.g. optical alignment using marks or sensors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/8112Aligning
    • H01L2224/81121Active alignment, i.e. by apparatus steering, e.g. optical alignment using marks or sensors
    • H01L2224/81132Active alignment, i.e. by apparatus steering, e.g. optical alignment using marks or sensors using marks formed outside the semiconductor or solid-state body, i.e. "off-chip"
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/8119Arrangement of the bump connectors prior to mounting
    • H01L2224/81192Arrangement of the bump connectors prior to mounting wherein the bump connectors are disposed only on another item or body to be connected to the semiconductor or solid-state body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/812Applying energy for connecting
    • H01L2224/81201Compression bonding
    • H01L2224/81203Thermocompression bonding, e.g. diffusion bonding, pressure joining, thermocompression welding or solid-state welding
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/812Applying energy for connecting
    • H01L2224/81201Compression bonding
    • H01L2224/81205Ultrasonic bonding
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/818Bonding techniques
    • H01L2224/81801Soldering or alloying
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/82Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by forming build-up interconnects at chip-level, e.g. for high density interconnects [HDI]
    • H01L2224/82009Pre-treatment of the connector or the bonding area
    • H01L2224/8203Reshaping, e.g. forming vias
    • H01L2224/82035Reshaping, e.g. forming vias by heating means
    • H01L2224/82039Reshaping, e.g. forming vias by heating means using a laser
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8312Aligning
    • H01L2224/83121Active alignment, i.e. by apparatus steering, e.g. optical alignment using marks or sensors
    • H01L2224/83132Active alignment, i.e. by apparatus steering, e.g. optical alignment using marks or sensors using marks formed outside the semiconductor or solid-state body, i.e. "off-chip"
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H01L2224/83192Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on another item or body to be connected to the semiconductor or solid-state body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/832Applying energy for connecting
    • H01L2224/83201Compression bonding
    • H01L2224/83203Thermocompression bonding, e.g. diffusion bonding, pressure joining, thermocompression welding or solid-state welding
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/832Applying energy for connecting
    • H01L2224/83201Compression bonding
    • H01L2224/83205Ultrasonic bonding
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838Bonding techniques
    • H01L2224/8385Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • H01L2224/83851Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester being an anisotropic conductive adhesive
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/91Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
    • H01L2224/92Specific sequence of method steps
    • H01L2224/921Connecting a surface with connectors of different types
    • H01L2224/9211Parallel connecting processes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/91Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
    • H01L2224/92Specific sequence of method steps
    • H01L2224/921Connecting a surface with connectors of different types
    • H01L2224/9212Sequential connecting processes
    • H01L2224/92142Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector
    • H01L2224/92144Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector the second connecting process involving a build-up interconnect
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/81Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/90Methods for connecting semiconductor or solid state bodies using means for bonding not being attached to, or not being formed on, the body surface to be connected, e.g. pressure contacts using springs or clips
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00011Not relevant to the scope of the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01005Boron [B]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01006Carbon [C]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01018Argon [Ar]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01027Cobalt [Co]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01029Copper [Cu]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01033Arsenic [As]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01047Silver [Ag]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01078Platinum [Pt]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013Alloys
    • H01L2924/014Solder alloys
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06Polymers
    • H01L2924/078Adhesive characteristics other than chemical
    • H01L2924/07802Adhesive characteristics other than chemical not being an ohmic electrical conductor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06Polymers
    • H01L2924/078Adhesive characteristics other than chemical
    • H01L2924/0781Adhesive characteristics other than chemical being an ohmic electrical conductor
    • H01L2924/07811Extrinsic, i.e. with electrical conductive fillers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/12Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204Optical Diode
    • H01L2924/12041LED
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/12Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204Optical Diode
    • H01L2924/12042LASER
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/14Integrated circuits
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/14Integrated circuits
    • H01L2924/143Digital devices
    • H01L2924/1433Application-specific integrated circuit [ASIC]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/14Integrated circuits
    • H01L2924/143Digital devices
    • H01L2924/1434Memory
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/146Mixed devices
    • H01L2924/1461MEMS
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/1515Shape
    • H01L2924/15153Shape the die mounting substrate comprising a recess for hosting the device
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/1517Multilayer substrate
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/03Conductive materials
    • H05K2201/0332Structure of the conductor
    • H05K2201/0335Layered conductors or foils
    • H05K2201/0355Metal foils
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09Shape and layout
    • H05K2201/09209Shape and layout details of conductors
    • H05K2201/095Conductive through-holes or vias
    • H05K2201/09563Metal filled via
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09Shape and layout
    • H05K2201/09209Shape and layout details of conductors
    • H05K2201/09654Shape and layout details of conductors covering at least two types of conductors provided for in H05K2201/09218 - H05K2201/095
    • H05K2201/0969Apertured conductors
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10613Details of electrical connections of non-printed components, e.g. special leads
    • H05K2201/10621Components characterised by their electrical contacts
    • H05K2201/10674Flip chip
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10613Details of electrical connections of non-printed components, e.g. special leads
    • H05K2201/10954Other details of electrical connections
    • H05K2201/10977Encapsulated connections
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/03Metal processing
    • H05K2203/0353Making conductive layer thin, e.g. by etching
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/06Lamination
    • H05K2203/063Lamination of preperforated insulating layer
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/07Treatments involving liquids, e.g. plating, rinsing
    • H05K2203/0703Plating
    • H05K2203/0723Electroplating, e.g. finish plating
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/20Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by affixing prefabricated conductor pattern
    • H05K3/205Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by affixing prefabricated conductor pattern using a pattern electroplated or electroformed on a metallic carrier
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/40Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • H05K3/4038Through-connections; Vertical interconnect access [VIA] connections
    • H05K3/4053Through-connections; Vertical interconnect access [VIA] connections by thick-film techniques
    • H05K3/4069Through-connections; Vertical interconnect access [VIA] connections by thick-film techniques for via connections in organic insulating substrates
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002Electrical device making
    • Y10T29/49117Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/4913Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
  • Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
  • Structure Of Printed Boards (AREA)
  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)

Abstract

본 공보는 회로 보드 구조체 제조 방법을 개시한다. 상기 방법에서, 도체 포일(2) 및 상기 도체 포일의 표면상의 도체 패턴(6)을 포함하는 도체층이 형성된다. 부품(9)은 도체층에 부착되고, 상기 도체층의 도체 재료가 상기 도체 패턴(6)의 외부로부터 제거되는 방식으로 도체층이 박형화된다.

Description

회로 보드 구조체 및 회로 보드 구조체 제조 방법{CIRCUIT BOARD STRUCTURE AND METHOD FOR MANUFACTURING A CIRCUIT BOARD STRUCTURE}
본 발명은 회로 보드 구조체 제조 방법 및 회로 보드 구조체에 관한 것이다.
제조된 회로 보드 구조체는, 예를 들어, 회로 보드의 일부, 다층 회로 보드, 부품 패키지, 또는 전자 모듈의 일부를 형성할 수 있다.
회로 보드 구조체는 적어도 한 층의 도체 패턴과, 상기 도체 패턴과 전기적으로 연결된 적어도 하나의 부품을 포함하는 종류일 수 있다.
또한, 본 발명은 도체 패턴에 연결된 적어도 하나의 부품이 절연 재료층에 둘러싸이는 방법과 관련된다. 또한, 이러한 종류의 해결방안은 매입되거나, 매립되거나, 또는 빌트인된 부품을 수용하는 회로 보드 또는 모듈 구조체로서 다르게 불릴 수 있다. 부품을 둘러싸는 절연 재료층은 일반적으로 회로 보드 또는 모듈의 가장 안쪽의 도전층을 위한 지지부를 형성하는 회로 보드 또는 모듈의 베이스 구조체의 일부이다.
미국 공개특허공보 US 2005/0001331호는 절연층과 그 표면 위의 도체 패턴을 포함하는 회로 보드가 먼저 제조되는 회로 보드 구조체 제조 방법을 개시한다. 그 후, 반도체 부품은 적합한 플립칩 부착 방법에 의해 도체 패턴에 연결된다. 연결은 반도체 부품 표면상의 콘택 범프를 통해 이루어진다. 본 미국 공개특허공보의 방법에서, 부품의 연결 후에 패터닝되고 패터닝되지 않은 절연 재료층이 회로 보드의 상부에 적층되며, 도체 패턴층이 그 표면상에 더 적층된다.
미국 등록특허공보 US 6,038,133호 및 US 6,489,685와 미국 공개특허공보 US 2002/0117743호는 도체 패턴이 분리 가능한 막의 표면상에 제조되고 반도체 부품이 플립칩 부착 방법을 이용하여 상기 도체 패턴에 연결되는 방법을 개시한다. 그 후에, 부품은 절연 재료층으로 둘러싸이고 분리 가능한 막이 제거된다.
또한, 전술한 미국 등록특허공보 US 6,038,133호 및 미국 공개특허공보 US 2002/0117743호는 부품이 플립칩 방법에 의해 도체 패턴 대신에 도체 패턴이 공정의 후단계에서 형성되는 일체화된 도체 포일(foil)에 연결되는 방법을 개시한다. 또한, 대응하는 방법이 예를 들어, US 5,042,145; WO 2004/077902; WO 2004/077903; 및 WO 2005/020651과 같은 공보들에 개시된다.
전술한 종류의 방법에 더하여, 부품들을 수용하는 회로 보드 구조체를 제조 하는데 사용되는 많은 다른 방법들이 알려져 있다. 예를 들어, 국제 공개특허공보 WO 2004/089048호에 개시된 바와 같이, 부품들은 먼저 절연 재료층 내에 배치되고 이 후에만 도체층에 전기적으로 연결될 수 있다. 공개특허공보 WO 2004/089048호의 방법에서, 부품은 도전층의 표면에 접착되고, 부품의 접착 후에 도전층에 부착된 부품을 둘러싸는 절연 재료층이 도전층의 표면상에 형성되거나 부착된다. 또한, 부품의 접착 후에, 비아들이 형성되어 이를 통해 전기 콘택이 도체층과 부품의 콘택 영역 사이에 형성된다. 그 후, 도체 패턴이 도체층으로부터 형성되며, 그 표면에 부품이 접착된다.
본 발명은 새로운 회로 보드 구조체 제조 방법을 안출하도록 의도된다.
본 발명에 따르면, 도체 패턴과 도체 포일을 모두 포함하는 도체층이 형성되는 방법이 구현된다. 부품은 도체 패턴과 도체 포일을 포함하는 도체층에 부착되고, 부품의 부착 후에 도체층의 도체 재료가 도체 패턴의 외부로부터 제거되는 방식으로 도체층은 박형화(thinned) 된다.
이러한 방법으로, 새로운 회로 보드 구조체 제조 방법이 고안된다.
본 발명은 여러 가지 실시예를 가지며, 그 중의 일부는 아래에서 간단하게 제공된다.
도체층의 제조는 여러 가지 다른 방법으로 수행될 수 있다:
- 제1 실시예에 따르면, 도체층은 성장 방법을 이용하여 도체 포일의 상부에서 도체 패턴을 성장시켜 제조될 수 있다. 따라서, 도체 포일은 정확한 형상으로 직접 성장된다.
- 제2 실시예에 따르면, 도체층은 더 두꺼운 도체 포일 영역을 박형화함으로써 더 얇은 도체 포일과 그 상부의 도체 패턴이 남는 방식으로 제조된다. 이와 같은 영역의 박형화는, 예를 들어, 포토리소그라피 방법 또는 레이저 애블레이션 방법을 이용하여 구현될 수 있다.
또한, 부품의 부착은 하나 이상의 단계에서 여러 가지 기술들을 이용하여 수행될 수 있다. 부품의 부착은 부품과 도체 패턴이 회로 보드 구조체에서 제자리에 남아있는 방식으로 부품과 도체 패턴 사이의 기계적 부착을 획득하는 것과 관련된다. 또한, 부품의 부착은 도체 패턴을 통해 원하는 전압과 전류가 부품에 가해지고 부품으로부터 나오는 방식으로 부품과 도체 패턴 사이의 전기 콘택을 형성하는 것과 관련된다. 기계적 부착 및 전기 콘택은 단일 연결 방법을 이용하여 동시에 형성될 수 있거나, 또는, 기계적 부착이 먼저 형성되고 소정의 적합한 후공정 단계에서 전기 콘택을 형성하는 것으로 진행할 수 있다. 또한, 전기 콘택이 예비적인 기계적 부착과 함께 형성되고 최종 기계적 부착이 소정의 적합한 후공정 단계에서 형성되는 방식으로 진행하는 것도 가능하다.
부품의 전기 콘택은 여러 가지 기술들을 이용하여 형성될 수 있다:
- 제1 실시예에서, 부품은 초음파 접합 기술을 이용하여 도체층에 연결된다.
- 제2 실시예에서, 부품은 납땜에 의해 도체층에 연결된다.
- 제3 실시예에서, 부품은 도전성 접착제에 의해 도체층에 연결된다.
- 제4 실시예에서, 부품은 비아 방법을 이용하여 도체층에 연결된다.
부품에 대한 상기 제1, 제2 및 제3 연결 기술에서, 콘택 개구는 반드시 부품의 콘택 영역의 위치에서 상기 도체층 내에 형성될 필요는 없다. 반대로, 비아 방법을 이용하면, 그 위치가 부품의 콘택 영역의 위치에 대응하는 콘택 개구가 도체층 내에 형성되거나 도체층의 도체 패턴의 적어도 일부 내에 형성된다. 또한, 콘택 개구의 형성은 여러 가지 상이한 실시예에 따라 수행될 수 있다:
- 제1 실시예에서, 콘택 개구는 부품의 부착 전에 전체 도체층을 통해 형성된다. 즉, 개구는 도체층 및 도체 패턴 모두를 통해 연장한다. 그 다음, 부품은 콘택 개구와 정렬될 수 있다.
- 제2 실시예에서, 콘택 개구는 부품의 부착 전에 부분적으로 형성된 콘택 개구가 도체층으로 연장하지만 그것을 관통해 연장하지는 않는 방식으로 부분적으로 형성된다. 이러한 실시예에서, 콘택 개구는 나중에 개방되어 도체 패턴을 관통하여 연장하거나 또는 도체층의 박형화와 관련하여 개방된다.
- 제3 실시예에서, 콘택 개구는 부품의 부착 후에, 그러나 도체 패턴의 박형화 전에 형성된다. 이러한 실시예에서, 콘택 개구는 도체층 전체를 관통하여 연장하는 방식으로 형성되거나, 또는 도체층의 박형화와 관련하여 가장 나중에 개방되는 방식으로 부분적으로 관통한다.
- 제4 실시예에서, 콘택 개구는 부품의 부착과 도체 패턴의 박형화 후에 형성된다. 이러한 실시예에서, 콘택 개구는 도체층을 관통하여 연장한다.
- 제5 실시예에서, 콘택 개구는 도체 패턴의 형성과 관련하여 도체 패턴 내에 형성된다.
비아 방법을 이용할 때, 콘택 개구는 방법의 적합한 단계에서, 예를 들어, 금속, 금속 합금, 도전성 페이스트 또는 도전성 폴리머, 도전성 접착체로 충전된다. 이 대신에, 콘택 개구의 에지가 도체 재료로 표면처리된다. 최상의 전기 콘택이, 예를 들어 화학적 및/또는 전기 화학적 표면처리 방법을 이용하여 개구 내로 또는 부품의 콘택 영역의 상부에 금속을 성장시킴으로써 콘택 개구가 충진되는 실시예를 이용하여 획득된다. 그러면, 본질적으로 순수한 금속으로 이루어진 비아 구조체를 콘택 개구 내에 생성하는 것이 가능하다. 또한, 콘택 영역의 도체 재료와 야금학적으로 접촉하는 비아 구조체를 콘택 개구 내에서 생성하는 것도 가능하다.
부품의 기계적 부착은 여러 가지 기술을 이용하여 형성될 수 있다:
- 제1 실시예에서, 부품은 납땜이나 초음파 접합 기술에 의해 도체층에 부착된다. 생성된 기계적 부착은 나중에, 예를 들어, 부품과 도체층 사이의 간극을 경화 폴리머로 충전하거나 또는 부품을 부품과 도체 패턴 모두의 표면에 부착하는 절연 재료로 단단하게 둘러쌈으로써 절연 재료를 이용하여 강화될 수 있다.
- 제2 실시예에서, 부품은 도전성 접착제를 이용하여 도체층에 부착된다. 접착제는 충분한 기계적 부착을 그 자체로 동시에 이미 형성할 수 있다. 또한, 기계적 부착은 이전의 실시예와 관련하여 설명된 방법으로 강화될 수 있다. 접착제는 등방성 도전성 접착제 또는 이방성 도전성 접착제일 수 있다.
- 제3 실시예에서, 부품은 절연성 접착제를 이용하여 도체층에 부착된다. 전기 콘택은 절연성 접착제를 통해 나중에 형성될 수 있다.
또한, 도체층의 박형화는 여러 가지 상이한 방법으로 수행될 수 있다. 도체층의 박형화는 도체 패턴 사이로부터 도체 재료를 제거하도록 의도된다.
- 제1 실시예에 따르면, 도체층은 도체층의 두께가 도체 패턴의 위치에서와 도체 패턴 사이에 남아 있는 영역 모두에서 줄어들게 하는 방식으로 전체적으로 박형화된다. 박형화는, 예를 들어, 습식 에칭에 의해 수행될 수 있다.
- 제2 실시예에 따르면, 도체층은 도체층의 두께가 도체 패턴 사이에 남아있는 영역에서는 줄어들지만 도체 패턴의 위치에서는 본질적으로 변경되지 않는 방식으로 박형화된다. 이것은, 예를 들어, 적합한 에칭 마스크가 도체 패턴의 표면상에서 이용되는 습식 에칭에 의해 획득될 수 있다.
여러 가지 실시예에서, 절연 재료층은 부품의 주위와 도체 패턴의 표면 상에서 형성된다. 절연 재료층은 하나 이상의 절연 재료 시트로부터 형성될 수 있거나 또는 유체 형태로 덮인 절연 재료로부터 형성될 수 있다. 절연 재료층은, 예를 들어, 다음의 실시예들에 따라 형성될 수 있다.
- 제1 실시예에서, 절연 재료층이 정해지고, 도체 패턴이 그 표면상에 형성된다. 그 전 또는 그 후, 부품을 위한 적합한 개구가 절연 재료층 내에 형성된다.
- 제2 실시예에서, 절연 재료층이 도체층의 표면상에 형성된다. 그 후, 부품을 위한 개구가 절연 재료층 내에 개방된다.
- 제3 실시예에서, 부품이 먼저 도체층에 부착되고(기계적 부착 또는 전기 콘택 및 적어도 예비적인 기계적 부착), 이 후에 절연 재료층이 도체층의 표면상에 그리고 부품의 주위에 형성된다.
실시예들에서, 도체층의 도체 포일은 일반적으로 일체화되거나 또는 적어도 실질적으로 일체화된 도체 포일이다. 따라서, 예를 들어, 정렬 목적을 위한, 예를 들어, 도체층 내의 작은 홀이 있을 수 있다. 그러나, 도체층은 단일 조각으로 취급될 수 있다. 도체 포일의 두께는 일반적으로 공정에 의해 필요한 처리를 견딜 수 있고 공정에 의해 파손되거나 손상을 입지 않으면서도 지지를 할 수 있는 정도이다. 물론, 실시예들에서 더 얇은 도체 포일을 이용하는 것이 가능하며, 이 경우, 도체 포일은 지지층을 이용하여 지지된다.
실시예들에서, 도체층의 도체 패턴은 회로 보드 구조체에서 형성되는 도체 패턴층의 도체 또는 이 도체에 대응하는 패턴을 포함한다. 따라서, 도체는 원하는 회로 보드 설계에 따라 서로 연결되거나 분리될 수 있다.
부품의 콘택 영역에 대한 언급은 부품의 표면 상의 콘택 영역을 의미하며, 이를 통해, 전기 콘택이 부품에 형성될 수 있다. 이 의미에서, 콘택 영역은, 예를 들어, 부품의 표면상의 콘택 범프 또는 콘택 영역에 의해 형성될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하고 예시들을 이용하여 본 발명이 검증된다.
도 1 내지 8은 제1 실시예에 따른 제조 공정에서의 회로 보드 구조체의 중간 단계에서의 일련의 단면도를 도시한다.
도 9 내지 16은 제2 실시예에 따른 제조 공정에서의 회로 보드 구조체의 중간 단계에서의 일련의 단면도를 도시한다.
도 17 내지 22는 제3 실시예에 따른 제조 공정에서의 회로 보드 구조체의 중간 단계에서의 일련의 단면도를 도시한다.
도 23 내지 26은 제4 실시예에 따른 제조 공정에서의 회로 보드 구조체의 중간 단계에서의 일련의 단면도를 도시한다.
도 27 내지 32는 제5 실시예에 따른 제조 공정에서의 회로 보드 구조체의 중간 단계에서의 일련의 단면도를 도시한다.
제1 예시에서, 도 1에 도시된 회로 보드 블랭크가 먼저 제조된다. 도 1의 회로 보드 블랭크는 절연 재료층(1), 절연 재료층(1)의 제1 표면상의 도체 포일(3) 및 제2 표면상의 도체 포일(2)을 포함한다. 또한, 회로 보드 블랭크는 리세스(4)를 포함한다. 더하여, 회로 보드 블랭크는, 절연 재료층(1)과 도체 포일(2) 사이에서 더 얇은 절연 재료층(11)을 포함한다. 절연 재료층(11)은 절연 재료층(1)의 재료와 다른 재료로 이루어질 수 있거나, 또는 절연 재료층(1)의 일부일 수 있다. 전자의 경우에, 도 1의 회로 보드 블랭크가, 예를 들어, 절연 재료층(1), 도체 포일(2), 도체 포일(3) 및 절연 재료층(11)을 서로 적층하거나 아니면 서로 결합시켜 형성될 수 있다. 후자의 경우, 예를 들어, 리세스(4)가 절연 재료층(1), 도체 포일(2) 및 도체 포일(3)에 위해 형성되는 방식으로 도 1의 회로 보드 블랭크가 형성될 수 있다. 이 경우, 리세스(4)는 절연 재료층(1)을 완전히 관통하도록 연장하지 않으며, 이 대신에, 절연 재료층(11)의 대응하는 부분이 리세스의 '하부(bottom)' 에 남겨진다.
물론, 본 예시의 방법은 도체 포일(2)로 리세스(4)가 연장하는 방식으로 수정될 수 있으며, 이 경우에 적어도 리세스의 위치에서 회로 보드 블랭크 내에 절연 재료층(11)이 없을 것이다. 그러나, 적어도 일부 실시예에서, 회로 보드 구조체의 신뢰성은 절연 재료층(11)을 이용함으로써 개선될 수 있다. 이것은 그 부분에 대한 절연 재료층(11)의 사용이 불필요한 개구가 부품과 도체 포일(2) 사이의 절연 재료 내에 남지 않을 것이라는 것을 보장한다.
제조는 도 1에 도시된 상황으로부터 도체 포일(2, 3)의 표면 상에 일반적으로 포토레지스트층인 레지스트층(5)을 덮는 것에 의해 계속된다. 이 단계는 도 2에 도시된다. 포토레지스트층(5)은 패터닝된 마스크를 통해 노출되며, 그 후에 블랭크가 현상된다. 현상 후에, 노출된 포토레지스트층(5)은 원하는 방법으로 패터닝되어 도체 패턴 마스크를 형성하며, 이는 도 3에 도시된다.
제조는 포토레지스트가 제거된 영역에 일반적으로 구리인 도체 재료를 전기분해로 성장시킴으로써 계속된다. 그 다음, 원하는 도체 패턴(6, 7)이 도체 포일(2, 3)의 표면 상에 형성되며, 이는 도 4에 도시된다. 도체 패턴의 두께는 예를 들어 20 미크론일 수 있으며, 형성되는 도체 패턴의 선폭은 20 미크론 이하일 수 있다. 따라서, 상기 방법은 소형의 정밀한 도체 패턴을 제조하는데 사용될 수 있 다.
상기 방법은, 예를 들어, 주석(tin)인 일부 다른 금속 또는 금속 합금의 층이 도체 패턴(6, 7)의 표면상에 또는 도체 포일(2, 3)과 도체 패턴(6, 7) 사이의 경계면 상에 형성될 수 있다. 이 층은 에칭 스톱으로 사용될 수 있다.
또한, 상기 방법은 포토레지스트층(5)을 덮은 후에만 또는 심지어 후공정 단계에서만 리세스(4)가 형성되는 방식으로 수행될 수 있다.
도체 패턴(6, 7)의 제조 후에, 레지스트층(5)이 제거될 수 있다. 또한, 콘택 개구(8)가 부품의 콘택 영역의 위치에서 회로 보드 블랭크의 도체 패턴(6) 내에 형성된다. 콘택 개구(8)가 도체 패턴(8)을 통해 본질적으로 연장하는 방식으로 또는 도체 패턴(8)과 도체 포일(2) 모두(즉, 전체 도체층)를 통해 본질적으로 연장하는 방식으로 콘택 개구(8)가 형성될 수 있다. 또한, 콘택 개구(8)가 절연 재료층(11)과 도체 포일(2)만을 통해 연장하는 방식으로 다른 방향으로부터 콘택 개구를 형성하는 것도 가능하다. 본 예시에서, 콘택 개구(8)는 도체 패턴(6), 도체 포일(2) 및 절연 재료층(11)을 통해 연장하는 방식으로 형성될 수 있다. 도 4는 이 중간 단계 후의 회로 보드 블랭크를 도시한다.
콘택 개구(8)는, 예를 들어 레이저를 이용하여 드릴링함으로써 형성될 수 있 다. 콘택 개구(8)는 도체 패턴(6)에 상대적인 위치에 정확히 정렬된다. 콘택 개구(8)의 상호 위치는 부품의 콘택 영역의 상호 위치에 대응한다. 따라서, 적어도 하나의 콘택 개구(8)가 전기 콘택의 생성에 관여하는 각 콘택 영역에 대하여 형성된다. 콘택 개구(8)의 표면적은 대응하는 콘택 영역의 표면적 보다 좀 더 크거나 작을 수 있다. 물론, 콘택 개구(8)의 표면적은, 대응하는 콘택 영역의 표면적보다 더 작거나 또는 일부 실시예에서 약간 더 크도록 선택될 수 있다.
본 예시에서, 부품(9)은 접착제(10)를 이용하여 회로 보드 블랭크에 부착된다. 접착을 위하여, 접착제(10)가 리세스(4)의 '하부' 위의 재료층(11)의 표면상에 덮인다. 도 5는 이 중간 단계를 도시한다. 이 대신에, 접착층이 부품(9)의 부착 표면상에, 또는 부품(9)의 부착 표면과 절연 재료층(11)의 표면 모두에 덮일 수 있다. 또한, 접착제(10)는 단계별로 그리고 층별로 덮일 수 있다. 그 후, 부품(9)은 정렬 마크를 이용하여 부품(9)에 대해 설계된 위치에 정렬될 수 있다. 예를 들어, 콘택 개구(8) 또는 도체 패턴(6 또는 7), 또는 개별 정렬 마크(도면에서는 도시되지 않음)는 정렬 마크의 역할을 할 수 있다. 도 6은 부품(9)의 접착 후의 회로 보드 블랭크를 도시한다.
부품(9)의 부착면이라는 용어는 도체 패턴(3)을 대면할 부품의 표면을 말한다. 부품(9)의 부착면은 콘택 영역을 포함하며, 이에 의해 전기 콘택이 부품에 형성될 수 있다. 예를 들어, 콘택 영역은 부품(9)의 표면상의 평탄한 영역이거나, 또는 더욱 일반적으로는 부품의 표면상의 콘택 범프와 같은 콘택 돌출부일 수 있다. 일반적으로, 부품(9)에는 적어도 2개의 콘택 영역 또는 돌출부가 있다. 복잡한 마이크로회로에서는, 매우 많은 콘택 영역이 있을 수 있다.
많은 실시예에서, 부착면이나 부착면들 상에 많은 접착제를 발라 부품(9)과 부품에 대하여 다가오는 구조체 사이의 공간을 완전하게 채우는 것이 유익하다. 개별 필러제(filler agent)는 필요 없을 것이다. 양호한 충전은 부품(9)과 회로 보드 블랭크 사이의 기계적 연결을 강화할 것이며, 따라서, 기계적으로 더욱 내구성있는 구축이 획득될 것이다. 또한, 간극이 없는 포괄적인 도체층(10)은 도체 패턴을 지지하고 후공정 단계에서 구조체를 보호할 것이다. 부착면을 향하여 개방되어 있다면, 접착하는 동안 접착제는 일반적으로 콘택 개구(8)로 들어갈 것이다.
접착제라는 용어는 부품이 회로 보드 블랭크로 부착될 수 있게 하는 재료를 말한다. 접착제의 일 특성은 접착제가 회로 보드 블랭크 및/또는 부품의 표면상에서 상대적으로 유체 형태로, 아니면, 표면 형상과 동일한 형태로 덮일 수 있다는 것이다. 잡착제의 다른 특성은 덮은 후에 접착제가 경화하거나 적어도 일부가 경화되어, 부품이 소정의 다른 방법으로 구조체에 부착될 때까지 접착제가 부품을 제자리에 유지시킬 수 있다. 접착제의 세번째 특성은 접착되는 표면에 결합될 수 있는 능력인 접착력이다.
접착(gluing)이라는 용어는 부품과 회로 보드를 접착제를 이용하여 서로 부착시키는 것을 의미한다. 따라서, 접착에 있어서, 접착제는 부품과 회로 보드 블랭크 사이에 오며, 부품은 회로 보드 블랭크에 상대적으로 적합한 위치에 설치되며, 이는 접착제가 부품 및 회로 보드와 접촉하며, 적어도 부분적으로는 부품과 회로 보드 블랭크 사이의 공간을 채운다. 그 후, 접착제는 (적어도 부분적으로) 경화되도록 허용되거나 접착제는 (적어도 부분적으로) 활발히 경화되어, 부품이 접착제에 의해 회로 보드 블랭크에 부착된다. 일부 실시예에서, 부품의 콘택 돌출부는 접착하는 동안 접착층을 통해 연장하여 회로 보드 블랭크 구조체의 나머지와 접촉하게 된다.
실시예들에 사용된 접착제는, 예를 들어, 열적으로 경화된 에폭시이다. 접착제는 사용된 접착제가 회로 보드 블랭크 및 부품에 대한 충분한 접착을 갖도록 선택될 수 있다. 접착제의 바람직한 일 특성은 적합한 열팽창계수이며, 따라서, 접착제의 열팽창은 공정 동안 주변 재료의 열팽창과 너무 다르지 않을 것이다. 또한, 선택된 접착제는 바람직하게는 많아도 수 초의 짧은 경화 시간을 바람직하게 가져야만 한다. 이 시간 내에, 접착제가 부품을 제자리에 유지할 수 있도록 접착제는 적어도 부분적으로 경화되어야한다. 최종 경화는 분명히 더 많은 시간이 소요될 수 있으며, 심지어 최종 경화는 이후의 공정 단계와 연게하여 일어나도록 계획될 수 있다. 접착제의 전기 전도도는 바람직하게는 절연 재료의 전기 전도도와 유사하다.
부착되는 부품(9)은, 예를 들어, 메모리 칩, 프로세서, 또는 ASIC과 같은 집적 회로일 수 있다. 부착되는 부품은, 예를 들어, 멤스(MEMS), LED 또는 수동형 부품일 수 있다. 부착되는 부품은 케이스에 수용되거나 케이스에 수용되지 않을 수 있으며, 콘택 영역에 콘택 범프를 포함할 수 있거나 범프가 없을 수 있다. 또한, 부품의 콘택 영역의 표면상에는 콘택 범프보다 더 얇은 도체 표면이 있을 수 있다. 따라서, 부품의 콘택 영역의 외부 표면은 부품 표면 내의 리세스의 하부 또는 부품 표면으로부터 돌출하는 돌출부의 표면 상에서 부품의 외부 표면의 레벨에 있을 수 있다.
부품(9)의 접착 후에, 리세스는 필러 재료(12)로 충전된다. 또한, 본 예시는 제조가 도체 포일(2) 및 가능하게는 절연 재료층(11)만을 포함하는 회로 보드 블랭크(도 1의 상황)로부터 시작하는 방식으로 수정될 수 있다. 그 후, 본질적으로 도체 포일(3), 도체 패턴(7) 및 이들과 관련된 레지스트층(5)과 관련된 방법의 단계들이 생략된 것을 제외하고는 공정 단계는 전술한 바와 동일한다. 이 실시예에서, 회로 보드 블랭크는 부품의 접착 후에 다음을 포함한다(도 6 참조).
- 도체 포일(2) 및 도체 패턴(6)에 의해 형성된 도체층,
- 도체층(10),
- 도체층과 접착층(10) 사이의 선택적인 절연 재료층(11),
- 콘택 개구(8), 및
- 적어도 하나의 부품(9).
이러한 수정된 실시예에서, 충전될 리세스(4)는 없으며, 이 대신에, 이 단계에서 부품(9)을 둘러싸고 도체층(2, 6)을 지지하는 절연 재료층(1)이 회로 보드 블랭크의 부품(9)으로 표면상에 형성된다. 절연 재료층(1)은, 예를 들어, 개구가 부품(9)의 위치에서 형성된 절연 재료 시트를 회로 보드 블랭크의 상부에 배치함으로써 형성될 수 있다. 또한, 또한, 일체화된 절연 재료 시트가 절연 재료 시트(9)의 상부에 배치된다. 이 두 개의 시트는 유사하거나 또는 서로 다른 시트가 사용될 수 있으며, 그 중 적어도 하나는 사전에 경화되었거나 경화되지 않은 것이다. 절연층(1)으로 적합한 재료의 예는 PI(polyamide, 폴리아미드), FR4, FR5, 아라미드(aramid), 폴리테트라플루오르에틸렌(polytetrafluorethylene), 테프론®, LCP(liquid crystal polymer), 및 사전 경화된 바인더층, 즉, 프리프레그이다. 회로 보드 블랭크의 상부에 놓여진 절연 재료 시트는 열과 압력에 의해 압착되어 통합된 절연층(1)을 형성한다. 절연 재료 시트에서, 그 중 하나의 상부 표면상에 준비된 도체 패턴층일 수 있으며, 도면에 도시된 바와 같이 압착 후에, 회로 보드 블랭크는 적어도 2개의 도체 패턴층을 포함한다. 그러나, 이 실시예에서, 도체 패턴(7)은 부품(9)의 위치에서 설계될 수 있다.
도면에 도시된 예시와 전술한 수정물 모두에 있어서, 다음으로 비아(13)를 형성하는 것이 가능하며, 이를 이용하여 부품(9)의 콘택 영역과 도체 패턴(6) 사이 에 전기 콘택이 형성된다. 비아의 형성을 위하여, 콘택 개구(8)는 접착제 및 그 안으로 밀려 들어갔을 수 있는 다른 재료가 세정된다. 콘택 개구(8)의 세정과 관련하여, 부품(9)의 콘택 영역을 세정하는 것도 가능하며, 이 경우에, 고품질의 전기적 콘택 생성을 위한 상태가 더욱 개선될 것이다. 세정은, 예를 들어, 플라즈마 기술을 이용하여, 화학적으로, 또는 레이저를 이용하여 수행될 수 있다. 콘택 개구(4)와 콘택 영역이 이미 충분히 세정되었다면, 세정은 본질적으로 생략될 수 있다.
콘택 개구(8)가 단지 부분적으로 관통한다면, 콘택 개구(8)는 이 단계에서 개방된다. 또한, 콘택 개구(8)가 이 단계에서 전부 형성되는 방식으로 수행되는 것도 가능하다.
도체 패턴의 방향으로부터 보여질 때 정확히 정렬된 부품의 콘택 영역이 콘택 개구(8)를 통해 볼 수 있기 때문에, 세정 후에 부품(9)의 정렬 성공을 검사하는 것이 가능하다.
그 후, 부품(9)과 도체 패턴(6) 사이에서 전기 콘택을 형성하는 방식으로 도체 재료가 콘택 개구(8)에 유입된다. 비아(13)의 도체 재료는, 예를 들어, 콘택 개구(8)를 전기 전도성 페이스트로 충전함으로써 제조될 수 있다. 또한, 도체 재료는 회로 보드 업계에서 공지된 여러 가지 성장 방법 중 하나를 이용하여 제조될 수 있다. 고품질의 전기 콘택은, 예를 들어, 도체 재료를 화학적 또는 전기 화학적 방법과 같은 표면처리 방법을 이용하여 도체 재료를 성장시켜 야금 연결을 형성함으로써 형성될 수 있다. 양호한 하나의 대체물은 화학적 방법을 이용하고 더 값싼 전기 화학적 방법의 이용을 계속하여 얇은 층을 성장시키는 것이다. 충전(filling)이라는 용어는 콘택 개구가 적어도 실질적으로 도체 재료로 채워지는 것을 말한다. 또한, 충전 대신에, 콘택 개구의 에지만이 표면처리되는 방식으로 표면처리(surfacing)가 수행될 수 있다. 이러한 방법에 더하여, 최종 결과의 견지에서 유익한 소정의 다른 방법을 이용하는 것이 물론 가능하다.
일련의 도면들의 예시에서, 콘택 개구(8), 부품(9)의 콘택 영역 및 도체 패턴(6) 이 먼저 얇은 도체층으로 겉면이 대어지고, 그 다음, 콘택 개구(8)가 도체 재료로 충전될 때까지 도체층의 두께가 전기분해로 증가된다. 도 7은 성장 후의 구조체를 도시한다. 그 후, 회로 보드 블랭크는 잉여 도체 재료를 제거하도록 에칭된다. 보호막이 도체 패턴(6, 7)의 표면상에 사용되면, 도체 재료는 본질적으로 도체 패턴(6, 7)의 외부에 남아있는 도체 포일(6, 7)의 그 부분이 본질적으로 제거된다. 이 대신에, 전체 도체층을 에칭하는 것이 가능하며, 따라서 도체 포일(2, 3)의 재료는 도체 패턴(6, 7)의 외부로부터 제거된다. 이 경우에, 도체 패턴(6, 7)의 재료도 제거되지만, 도체 패턴(6, 7)은 도체 포일(2, 3)의 재료로 복사될 것이다.
도 9 내지 16은 전술한 예시의 한 변형물을 도시한다. 본 변형물에서, 전술한 방법 단계들의 적합한 부분들이 이용되며, 절차는 다음과 같다:
- 절연층(1), 리세스(4) 및 도체 포일(2, 3)을 포함하는 회로 보드 블랭크가 형성된다(도 9).
- 포토레지스트(5)가 덮이고, 노출이 마스크를 통해 일어난다(도 10). 이 도면에서 노출된 영역(5')은 어둡게 표시된다.
- 콘택 개구(8)가 형성된다(도 11).
- 접착제(10)가 덮인다(도 12).
- 부품(9)이 접착제(10)를 이용하여 회로 보드 블랭크에 부착되고(도 13), 리세스(4)가 필러제(12)로 충전된다.
- 레지스트가 현상되며, 이에 따라 남는 모든 것은 레지스트(5)의 노출되지 않은 영역이다. 콘택 개구(8)가 세정된다. 이 단계 후의 회로 보드 블랭크는 도 14에 도시된다.
- 도체 재료가 전기분해 방법을 이용하여 성장한다. 그 다음, 레지스트(5)의 개구 내에서 도체 재료가 성장하고 콘택 개구(8)가 충전되며, 이에 따라 도체 패턴(6, 7) 및 비아(13) 모두를 형성한다(도 15).
- 레지스트(5)가 제거되고 도체 재료가 에칭되어, 도체 재료가 도체 패턴 사이의 영역으로부터 제거될 때 원하는 도체 패턴이 도체층으로부터 분리된다(도 16).
도 9 내지 19에 도시된 실시예에서, 도체 포일(2, 3)은 바람직하게는 그 표면 상에 성장될 도체 패턴(6, 7)에 비하여 얇다. 따라서, 도체 포일(2, 3)은 성장 영역에 대한 전기분해 성장에 의해 필요한 전류를 전도하도록 의도된다. 도체 포일(2, 3)이 도체 패턴(6, 7)에 비하여 얇다면, 도체 패턴(6, 7)의 외부에서 떨어진 도체 포일(2, 3)의 에칭은 도체 패턴(6, 7)의 상대적인 크기에 실질적으로 영향을 미치지 않을 것이다.
도 17 내지 22는 전술한 예시의 제3 변형물을 도시한다. 본 변형물에서, 전술한 방법 단계의 적합한 부분이 이용되며, 절차는 다음과 같다:
- 도체 포일(2) 및 도체 패턴(6)을 포함하는 회로 보드 블랭크가 형성된다(도 17). 이것은, 예를 들어, 노출되고 현상된 레지스트(5)가 도체 포일(2)의 상부에 덮이는 방식으로 형성될 수 있다. 그 후, 예를 들어, 전기화학적 방법을 이용하여 레지스트(5) 내에 형성된 개구 내에서 금속이 성장한다. 또한, 본 변형물에서, 콘택 개구는 레지스트의 노출 마스크 내에서 정해지며, 이에 따라 레지스트는 콘택 개구(8')의 위치에서 잔류한다. 따라서, 도체 패턴(6)의 성장과 관련하여, 콘택 개구(8)가 도체 패턴(6) 내에 형성되고, 이에 따라 도체 패턴(6)에 상대적인 정확한 위치에 직접 그리고 자기 정렬 방식으로 정렬된다.
- 레지스트가 제거되고, 콘택 개구(8)가 도체 포일(2)을 통해 연장하도록 개방된다(도 18).
- 부품(9)이 접착제(10)를 이용하여 도체 패턴(6)의 표면상으로 부착된다(도 19). 부품은 도체 패턴(6) 및 콘택 개구(8)에 상대적인 정확한 위치에 정렬된다.
- 절연 재료층(1)이 회로 보드 블랭크의 상부에 형성된다(도 20).
- 콘택 개구(8)가 세정되고, 비아(13)가 도체 재료로부터 콘택 개구 내에 형성된다(도 21). 도면의 예시에서, 비아(13)는 표면처리 방법을 이용하여 형성된다. 이 경우, 비아는 필요한 전기 콘택이 발생하는 방식으로, 즉, 일반적으로 도체층이 적어도 콘택 개구(8)의 에지에 형성되는 방식으로 표면처리된다. 도면의 예시에서, 콘택 개구(8)는 도체 재료로 완전히 성장한다. 더 많은 도체 재료가 비아(13)로 들어갈수록 비아(13)의 전도도가 더 좋다. 비아(13)는 도체 재료로 적어도 실질적으로 충전되도록 바람직하게 형성된다.
- 도체 포일(2)이, 예를 들어, 에칭에 의해 제거된다(도 22).
도 23 내지 26은 전술한 예시의 제4 변형물을 도시한다. 본 변형물에서, 전술한 방법 단계의 적합한 부분이 이용되며, 절차는 다음과 같다:
- 도체 포일(2) 및 도체 패턴(6)을 포함하는 회로 보드 블랭크가 형성된다(도 23). 이것은, 예를 들어, 노출되고 현상된 레지스트(5)가 도체 포일(2)의 상부에 덮이는 방식으로 형성될 수 있다. 그 후, 예를 들어, 전기화학적 방법을 이용하여 레지스트(5) 내에 형성된 개구 내에서 금속이 성장한다.
- 부품이 이방성 도전성 접착제(20)를 이용하여 도체 패턴(6)의 표면상으로 부착된다(도 24). 이방성 도전성 접착제(20)는 부품의 콘택 영역과 도체 패턴(6) 사이의 방향으로 전기 콘택을 형성한다. 그러나, 접착제(20)는 횡방향으로 전기적 으로 절연성이며, 이에 따라, 전기 콘택은 부품의 콘택 영역 사이와 또는 도체 패턴(6)의 개별 도체 사이에서는 형성되지 않는다.
- 절연 재료층(1)이 회로 보드 블랭크의 상부와 도체 포일(3)의 표면상에 형성된다(도 25).
- 도체 포일(2)이, 예를 들어, 에칭에 의해 제거된다. 도체 포일(3)은 패터닝되어 도체 패턴(7)을 형성한다(도 26).
도 27 내지 32는 전술한 예시의 제5 변형물을 도시한다. 본 변형물에서, 전술한 방법 단계의 적합한 부분이 이용되며, 절차는 다음과 같다:
- 도체 포일(2) 및 도체 패턴(6)을 포함하는 회로 보드 블랭크가 형성된다(도 27). 이것은, 예를 들어, 노출되고 현상된 레지스트(5)가 도체 포일(2)의 상부에 덮이는 방식으로 형성될 수 있다. 그 후, 예를 들어, 전기화학적 방법을 이용하여 레지스트(5) 내에 형성된 개구 내에서 금속이 성장한다.
- 노출되고 현상된 제2 레지스트(15)가 레지스트(5) 및 도체 패턴(6)의 상부에 덮인다. 도체 재료는 예를 들어 전기화학적 방법을 이용하여 레지스트(15) 내에 형성된 개구 내에서 형성된다. 형성된 도체 영역은 도체 패턴(6)의 표면상에 콘택 범프(17)를 형성한다(도 28).
- 레지스트(5, 15)가 제거된다(도 29).
- 적합한 방법을 이용하여 도체 패턴(6)의 상부에 그리고 콘택 범프(17)에 대하여 부품(9)이 부착된다(도 30). 도면의 예시에서, 연결부가 초음파 접합 방법 또는 이 대신에 열압축 접합 방법에 의해 형성된다. 도면의 예시에서, 그 자체가 콘택 범프를 갖는 않는 부품(9)이 사용된다.
- 절연 재료층(1)이 회로 보드 블랭크의 상부에 형성되며, 그 상부에 도체 포일(3)이 형성된다(도 31).
- 도체 포일(2)은, 예를 들어, 에칭에 의해 제거된다. 도체 포일(3)은 패터닝되어 도체 패턴(7)을 형성한다(도 32).
또한, 실시예에서, 도체 포일 및 도체 패턴에 의해 형성된 도체층 또는 도체 포일을 지지하기 위한 개별 지지층을 이용하는 것이 가능하다.
사용된 에칭제에 용해되지 않거나 매우 느리게만 용해되는 적합한 중간층이 도체 포일과 도체 패턴 사이 또는 그것들 중의 한 표면상에 사용될 수 있다. 따라서, 중간층과 원하는 표면에서의 에칭 스톱이 정밀하게 형성될 수 있다. 이러한 종류의 중간층은, 예를 들어, 주석(tin)과 같은 일부 다른 금속으로부터 형성될 수 있다. 필요하다면, 중간층은, 예를 들어, 일부 다른 에칭제를 이용하여 화학적으로 제거될 수 있다.
콘택 개구(8)가 도체 패턴(6)의 제조 후에 정렬되어 형성되는 제조 방법을 이용할 때, 정렬 오류에 대한 상기 방법의 민감도는 콘택 개구(8)의 지름이 도체 패턴(6)의 도체의 폭보다 더 크게 치수를 조정함으로써 감소될 수 있다.
전술한 예에 따른 방법은 다양한 변형물을 가질 수 있고, 예시에 의해 나타난 방법은 서로 결합될 수 있다. 변형물은 개별 공정 단계 또는 공정 단계들의 상호 순서에 관련될 수 있다.
또한, 이전의 예시로부터 명백하지 않는 많은 특징이 회로 보드 구조체에 이루어질 수 있다. 예를 들어, 전기 콘택의 형성에 관여하는 비아에 더하여, 부품(9)이 더욱 효율적으로 열전도로부터 영향을 받지 않도록 의도된 열 비아(thermal via)가 형성될 수 있다. 열전도 효율에서의 증가는 열 비아의 열전도도가 부품을 둘러싸는 절연 재료의 열전도도보다 더 크다는 사실에 기초한다. 전기 도체가 일반적으로 양호한 열 전도체이기 때문에, 열 비아는 일반적으로 동일한 기술을 이용하여 형성될 수 있으며, 심지어 부품(9)에 대한 전기 콘택과 동일한 공정 단계에서 형성될 수 있다.
또한, 이전 예시들에 따르면, 방법은 많은 다른 종류의 3차원 회로 구조체를 제조하는데 이용될 수 있다. 상기 방법은, 예를 들면, 여러 개의 반도체 칩이 서로의 상부에 놓여 여러 개의 반도체 칩을 수용하는 패킷을 형성하는 방식으로 사용될 수 있으며, 이 경우 반도체 칩은 서로 연결되어 기능적인 완전무결성을 형성한다. 이러한 패킷은 3차원 멀티칩 모듈로 칭해질 수 있다.
도면의 예들은 일부 가능한 공정들을 도시하며, 이를 이용하여 본 발명이 활용될 수 있다. 그러나, 본 발명은 전술한 공정에만 한정되는 것은 아니며, 그 대신에, 본 발명은 청구범위의 전체 범위 내에서 균등적 해석을 고려하여 다른 공정들과 그 생산물을 포함한다. 또한, 본 발명은 실시예들에 의해 설명된 구조체 및 방법에만 한정되는 것이 아니며, 그 대신에, 본 발명의 다양한 적용례가 매우 많은 상이한 종류의 전자 모듈 및 회로 보드를 제조하는데 사용될 수 있으며, 심지어, 제공된 예로부터 아주 많이 상이할 수도 있다는 것은 본 발명의 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명하다. 따라서, 도면의 부품 및 회로는 제조 공정을 나타내기 위하여 본 발명과 함께 제공되었을 뿐이다.본 발명에 따른 기본적인 사상으로부터 벗어나지 않으면서 전술한 예들의 공정에 대한 많은 변형물이 이루어질 수 있다. 변형물은 예를 들어, 다양한 단계에서 도시된 제조 기술이나 공정 단계들의 상호 순서에 관련될 수 있다.
또한, 상기 방법을 이용하여, 회로 보드에 대한 부착을 위한 부품 패킷을 제조하는 것이 가능하다. 또한, 이러한 패킷은 서로 전기적으로 연결된 여러 개의 부품을 수용할 수 있다.
또한, 상기 방법은 전체 전기 모듈을 제조하는데 이용될 수 있다. 상기 모듈은 회로 보드일 수 있으며, 그 외부 표면으로 종래의 회로 보드와 마찬가지로 부품이 부착될 수 있다. 상기 모듈은 여러 층을 포함할 수 있으며, 하나 이상의 이 러한 층은 층의 내부에 위치하는 반도체 부품을 포함할 수 있다.

Claims (21)

  1. 콘택 영역을 갖는 부품(9)을 포함하는 회로 보드 구조체를 제조하는 방법에 있어서,
    도체 포일(2)과 상기 도체 포일의 표면상의 도체 패턴(6)을 포함하는 도체층을 형성하는 단계;
    적어도 상기 도체층의 상기 도체 패턴(6) 부분에 콘택 개구(8)를 형성하는 단계 - 상기 콘택 개구(8)의 콘택 영역의 위치는 상기 부품(9)의 콘택 영역의 위치에 대응함 -;
    상기 도체 패턴(6)과 상기 콘택 개구(8)에 상대적인 정확한 위치에 상기 부품(9)을 정렬하는 단계;
    상기 도체층에 부품(9)을 부착하는 단계;
    상기 콘택 개구(8)를 도체 재료로 충전하거나 표면처리하는 단계; 및
    상기 도체 패턴(6)의 외부로부터 상기 도체층의 도체 재료를 제거하는 단계
    를 포함하는 회로 보드 구조체 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    형성된 상기 도체층의 두께는 상기 도체 패턴의 외부보다 상기 도체 패턴(6)의 위치에서 더 두꺼운 것을 특징으로 하는 회로 보드 구조체 제조 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 도체 재료가 상기 도체 패턴(6)의 외부로부터 제거되지만 상기 도체층의 도체 재료를 제거하는 단계 동안 상기 도체 패턴의 위치에서의 상기 도체층의 두께는 유지되는 방식으로 상기 도체층이 선택적으로 박형화되는 것을 특징하는 회로 보드 구조체 제조 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 도체층은 상기 도체층의 두께가 상기 도체 패턴(6)의 위치 및 상기 도체 패턴의 외부 모두에서 줄어드는 방식으로 모든 부분에서 박형화되는 것을 특징으로 하는 회로 보드 구조체 제조 방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 부품(9)은 상기 도체 패턴(6) 측에서 상기 도체층에 부착되며, 상기 도체층은 상기 도체 포일(2)의 방향으로부터 박형화되는 것을 특징으로 하는 회로 보드 구조체 제조 방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 부품(9)은 상기 도체층의 상기 도체 포일(2) 측에 부착되며, 상기 도체층은 상기 도체 패턴(6)의 방향으로부터 박형화되는 것을 특징으로 하는 회로 보드 구조체 제조 방법.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 부품(9)은 상기 부품의 콘택 영역과 상기 도체층 사이에서 전기 콘택이 발생하는 방식으로 상기 도체층에 부착되는 것을 특징으로 하는 회로 보드 구조체 제조 방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 전기 콘택은 상기 도체층의 도체 재료를 제거하는 단계 전에 형성되는 것을 특징으로 하는 회로 보드 구조체 제조 방법.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 전기 콘택(13)이 상기 부품(9)의 콘택 영역과 상기 도체층 사이에 형성되도록 상기 도체층 내에 개구(8) 또는 리세스가 형성되는 것을 특징으로 하는 회로 보드 구조체 제조 방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 개구(8) 또는 리세스는 상기 부품(9)이 부착되기 전에 형성되는 것을 특징으로 하는 회로 보드 구조체 제조 방법.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 전기 콘택이 형성될 때, 상기 개구(8) 또는 리세스는, 상기 개구 또는 리세스 내에 도체 재료를 성장시키는 것에 의해, 표면처리 방법에 의해, 또는 도전성 페이스트 또는 접착제로 상기 개구 또는 리세스를 충전시키는 것에 의해 도체 재료로 충전되거나 표면처리되는 것을 특징으로 하는 회로 보드 구조체 제조 방법.
  12. 제7항에 있어서,
    전기 콘택의 생성 전에 상기 부품(9)이 상기 도체층에 부착되는 것을 특징으로 하는 회로 보드 구조체 제조 방법.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 부품(9)에 대한 전기 콘택을 형성하도록 비아 형성 방법이 상기 부품(9)의 부착에 이용되는 것을 특징으로 하는 회로 보드 구조체 제조 방법.
  14. 제7항에 있어서,
    상기 부품(9)의 콘택 영역 및 상기 도체층 사이에 전기 콘택이 형성되도록 콘택 범퍼(17)가 상기 도체층의 표면상에 형성되는 것을 특징으로 하는 회로 보드 구조체 제조 방법.
  15. 제7항에 있어서,
    열압축 방법, 초음파 접합 방법, 납땜 또는 도전성 접착제를 이용하여 상기 전기 콘택이 형성되는 것을 특징으로 하는 회로 보드 구조체 제조 방법.
  16. 제1항에 있어서,
    상기 부품(9)을 부착하는 단계 후에, 그리고, 상기 도체층의 도체 재료를 제거하는 단계 전에, 상기 부품을 둘러싸는 절연층(1)이 상기 도체층의 상부에 형성되는 것을 특징으로 하는 회로 보드 구조체 제조 방법.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 도체층이 상기 절연층(1)의 표면에 형성되거나 부착되고, 상기 부품(9)이 상기 부품을 위하여 상기 절연층 내에 형성된 홀(4) 또는 리세스에 부착되는 것을 특징으로 하는 회로 보드 구조체 제조 방법.
  18. 제7항에 있어서,
    상기 전기 콘택에 더하여, 상기 부품(9)이 더욱 효율적으로 열 에너지의 전도로부터 영향을 받지 않도록 의도된 적어도 하나의 열 콘택이 상기 회로 보드 구조체 내에 형성되는 것을 특징으로 하는 회로 보드 구조체 제조 방법.
  19. 제1항에 있어서,
    상기 도체 패턴(6)을 정의하는 개구들을 포함하는 패터닝된 마스크층(5)이 상기 도체 패턴(6)의 형성을 위하여 상기 도체층의 표면상에 형성되고, 상기 도체 패턴(6)이 전기분해 성장에 의해 상기 개구들 내에 형성되는 것을 특징으로 하는 회로 보드 구조체 제조 방법.
  20. 제13항에 있어서,
    상기 비아 형성 방법은,
    상기 도체 패턴(6) 내에서 상기 부품(9)의 콘택 영역의 위치에 대응하는 위치에 콘택 개구를 형성하는 단계; 및
    화학적 또는 전기화학적 표면처리 방법을 이용하여 상기 부품의 상기 콘택 영역의 콘택 개구 내로 그리고 상기 콘택 영역의 상부에 금속을 성장시켜 상기 콘택 개구(8)를 충진하는 단계;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 회로 보드 구조체 제조 방법.
  21. 제1항 내지 제20항 중 어느 한 항에 따른 방법을 이용하여 제조된 회로 보드 구조체.
KR1020087000597A 2005-06-16 2006-06-15 회로 보드 구조체 및 회로 보드 구조체 제조 방법 KR101090423B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI20050646A FI119714B (fi) 2005-06-16 2005-06-16 Piirilevyrakenne ja menetelmä piirilevyrakenteen valmistamiseksi
FI20050646 2005-06-16
PCT/FI2006/000207 WO2006134216A2 (en) 2005-06-16 2006-06-15 Circuit board structure and method for manufacturing a circuit board structure

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20080038124A KR20080038124A (ko) 2008-05-02
KR101090423B1 true KR101090423B1 (ko) 2011-12-07

Family

ID=34778365

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020087000597A KR101090423B1 (ko) 2005-06-16 2006-06-15 회로 보드 구조체 및 회로 보드 구조체 제조 방법

Country Status (7)

Country Link
US (4) US8581109B2 (ko)
EP (1) EP1891845B1 (ko)
JP (1) JP5025644B2 (ko)
KR (1) KR101090423B1 (ko)
CN (1) CN100596258C (ko)
FI (1) FI119714B (ko)
WO (1) WO2006134216A2 (ko)

Families Citing this family (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FI20031341A (fi) 2003-09-18 2005-03-19 Imbera Electronics Oy Menetelmä elektroniikkamoduulin valmistamiseksi
FI117814B (fi) * 2004-06-15 2007-02-28 Imbera Electronics Oy Menetelmä elektroniikkamoduulin valmistamiseksi
WO2006134220A1 (en) * 2005-06-16 2006-12-21 Imbera Electronics Oy Method for manufacturing a circuit board structure, and a circuit board structure
FI122128B (fi) * 2005-06-16 2011-08-31 Imbera Electronics Oy Menetelmä piirilevyrakenteen valmistamiseksi
FI119714B (fi) 2005-06-16 2009-02-13 Imbera Electronics Oy Piirilevyrakenne ja menetelmä piirilevyrakenteen valmistamiseksi
KR100802393B1 (ko) * 2007-02-15 2008-02-13 삼성전기주식회사 패키지 기판 및 그 제조방법
GB2451908B (en) * 2007-08-17 2009-12-02 Wolfson Microelectronics Plc Mems package
GB2451921A (en) * 2007-08-17 2009-02-18 Wolfson Microelectronics Plc MEMS package
DE102008009220A1 (de) * 2008-02-06 2009-08-13 Robert Bosch Gmbh Verfahren zum Herstellen einer Leiterplatte
JP2009239247A (ja) * 2008-03-27 2009-10-15 Ibiden Co Ltd 多層プリント配線板の製造方法
JPWO2009118950A1 (ja) 2008-03-27 2011-07-21 イビデン株式会社 多層プリント配線板の製造方法
US8264085B2 (en) 2008-05-05 2012-09-11 Infineon Technologies Ag Semiconductor device package interconnections
US20100025848A1 (en) 2008-08-04 2010-02-04 Infineon Technologies Ag Method of fabricating a semiconductor device and semiconductor device
CN102204418B (zh) 2008-10-30 2016-05-18 At&S奥地利科技及系统技术股份公司 用于将电子部件集成到印制电路板中的方法
WO2010056210A1 (en) * 2008-11-17 2010-05-20 Advanpack Solutions Private Limited Semiconductor substrate, package and device and manufacturing methods thereof
US8124449B2 (en) 2008-12-02 2012-02-28 Infineon Technologies Ag Device including a semiconductor chip and metal foils
TWI456715B (zh) * 2009-06-19 2014-10-11 Advanced Semiconductor Eng 晶片封裝結構及其製造方法
US8390083B2 (en) 2009-09-04 2013-03-05 Analog Devices, Inc. System with recessed sensing or processing elements
US8735735B2 (en) 2010-07-23 2014-05-27 Ge Embedded Electronics Oy Electronic module with embedded jumper conductor
CN102404936A (zh) * 2010-09-07 2012-04-04 深南电路有限公司 一种埋入分立式器件线路板及其制造方法
US9407997B2 (en) 2010-10-12 2016-08-02 Invensense, Inc. Microphone package with embedded ASIC
KR101109356B1 (ko) * 2010-10-20 2012-01-31 삼성전기주식회사 임베디드 인쇄회로기판의 제조방법
TWI446495B (zh) * 2011-01-19 2014-07-21 Subtron Technology Co Ltd 封裝載板及其製作方法
WO2012164720A1 (ja) * 2011-06-02 2012-12-06 株式会社メイコー 部品内蔵基板及びその製造方法
CN103748977A (zh) * 2011-08-23 2014-04-23 株式会社藤仓 部件安装印刷电路基板及其制造方法
JP5955023B2 (ja) * 2012-02-23 2016-07-20 京セラ株式会社 部品内蔵印刷配線板及びその製造方法
FI20125725L (fi) * 2012-06-26 2013-12-27 Tellabs Oy Mekaanisella suojauksella varustettu piirikorttijärjestely
EP2704536B1 (en) * 2012-08-31 2015-12-16 Harman Becker Automotive Systems GmbH Method for producing a circuit board system
US9451696B2 (en) * 2012-09-29 2016-09-20 Intel Corporation Embedded architecture using resin coated copper
KR101420526B1 (ko) * 2012-11-29 2014-07-17 삼성전기주식회사 전자부품 내장기판 및 그 제조방법
CN104619118A (zh) * 2013-10-18 2015-05-13 技嘉科技股份有限公司 电路布局结构及其布局方法
CN104576883B (zh) 2013-10-29 2018-11-16 普因特工程有限公司 芯片安装用阵列基板及其制造方法
EP3075006A1 (de) 2013-11-27 2016-10-05 AT & S Austria Technologie & Systemtechnik Aktiengesellschaft Leiterplattenstruktur
AT515101B1 (de) 2013-12-12 2015-06-15 Austria Tech & System Tech Verfahren zum Einbetten einer Komponente in eine Leiterplatte
US11523520B2 (en) * 2014-02-27 2022-12-06 At&S Austria Technologie & Systemtechnik Aktiengesellschaft Method for making contact with a component embedded in a printed circuit board
CN105226155B (zh) * 2014-05-30 2018-02-23 无锡极目科技有限公司 在积层电路板上直接磊晶生长led的方法及应用
CN105280563A (zh) * 2014-06-10 2016-01-27 台湾应用模组股份有限公司 具缩减厚度的晶片卡封装装置
US9999136B2 (en) 2014-12-15 2018-06-12 Ge Embedded Electronics Oy Method for fabrication of an electronic module and electronic module
US10141251B2 (en) * 2014-12-23 2018-11-27 General Electric Company Electronic packages with pre-defined via patterns and methods of making and using the same
US9666558B2 (en) 2015-06-29 2017-05-30 Point Engineering Co., Ltd. Substrate for mounting a chip and chip package using the substrate
CN106793555B (zh) * 2015-11-23 2019-02-12 健鼎(无锡)电子有限公司 电路板封装结构及其制造方法
US10453786B2 (en) 2016-01-19 2019-10-22 General Electric Company Power electronics package and method of manufacturing thereof
KR102019351B1 (ko) * 2016-03-14 2019-09-09 삼성전자주식회사 전자 부품 패키지 및 그 제조방법
EP3352212B1 (en) * 2017-01-24 2021-06-16 General Electric Company Power electronics package and method of manufacturing thereof
US10332832B2 (en) 2017-08-07 2019-06-25 General Electric Company Method of manufacturing an electronics package using device-last or device-almost last placement
CN109346415B (zh) * 2018-09-20 2020-04-28 江苏长电科技股份有限公司 封装结构选择性包封的封装方法及封装设备
CN112470553A (zh) * 2018-10-11 2021-03-09 深圳市修颐投资发展合伙企业(有限合伙) 复合工艺扇出封装方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040097086A1 (en) 2002-09-26 2004-05-20 Yusuke Igarashi Method for manufacturing circuit devices
WO2005020651A1 (en) 2003-08-26 2005-03-03 Imbera Electronics Oy Method for manufacturing an electronic module, and an electronic module

Family Cites Families (140)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4246595A (en) 1977-03-08 1981-01-20 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Electronics circuit device and method of making the same
FR2527036A1 (fr) 1982-05-14 1983-11-18 Radiotechnique Compelec Procede pour connecter un semiconducteur a des elements d'un support, notamment d'une carte portative
US4541893A (en) * 1984-05-15 1985-09-17 Advanced Micro Devices, Inc. Process for fabricating pedestal interconnections between conductive layers in an integrated circuit
FR2599893B1 (fr) 1986-05-23 1996-08-02 Ricoh Kk Procede de montage d'un module electronique sur un substrat et carte a circuit integre
US4993148A (en) 1987-05-19 1991-02-19 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Method of manufacturing a circuit board
US5354695A (en) 1992-04-08 1994-10-11 Leedy Glenn J Membrane dielectric isolation IC fabrication
BE1002529A6 (nl) 1988-09-27 1991-03-12 Bell Telephone Mfg Methode om een elektronische component te monteren en geheugen kaart waarin deze wordt toegepast.
JPH0744320B2 (ja) 1989-10-20 1995-05-15 松下電器産業株式会社 樹脂回路基板及びその製造方法
US5355102A (en) 1990-04-05 1994-10-11 General Electric Company HDI impedance matched microwave circuit assembly
US5227338A (en) 1990-04-30 1993-07-13 International Business Machines Corporation Three-dimensional memory card structure with internal direct chip attachment
US5073814A (en) 1990-07-02 1991-12-17 General Electric Company Multi-sublayer dielectric layers
JPH0745938Y2 (ja) 1991-01-21 1995-10-18 太陽誘電株式会社 トランス用カバー
JP3094481B2 (ja) 1991-03-13 2000-10-03 松下電器産業株式会社 電子回路装置とその製造方法
US5616520A (en) 1992-03-30 1997-04-01 Hitachi, Ltd. Semiconductor integrated circuit device and fabrication method thereof
US5985693A (en) 1994-09-30 1999-11-16 Elm Technology Corporation High density three-dimensional IC interconnection
KR950012658B1 (ko) 1992-07-24 1995-10-19 삼성전자주식회사 반도체 칩 실장방법 및 기판 구조체
US5216806A (en) 1992-09-01 1993-06-08 Atmel Corporation Method of forming a chip package and package interconnects
US5353498A (en) 1993-02-08 1994-10-11 General Electric Company Method for fabricating an integrated circuit module
US5306670A (en) 1993-02-09 1994-04-26 Texas Instruments Incorporated Multi-chip integrated circuit module and method for fabrication thereof
US5353195A (en) 1993-07-09 1994-10-04 General Electric Company Integral power and ground structure for multi-chip modules
DE69405832T2 (de) 1993-07-28 1998-02-05 Whitaker Corp Von der Peripherie-unabhängiges präzises Positionsglied für einen Halbleiterchip und Herstellungsverfahren dafür
JP2757748B2 (ja) 1993-07-30 1998-05-25 日立エーアイシー株式会社 プリント配線板
US5508561A (en) 1993-11-15 1996-04-16 Nec Corporation Apparatus for forming a double-bump structure used for flip-chip mounting
US5510580A (en) 1993-12-07 1996-04-23 International Business Machines Corporation Printed circuit board with landless blind hole for connecting an upper wiring pattern to a lower wiring pattern
JPH08167630A (ja) 1994-12-15 1996-06-25 Hitachi Ltd チップ接続構造
JP3243956B2 (ja) 1995-02-03 2002-01-07 松下電器産業株式会社 半導体装置およびその製造方法
JPH08335653A (ja) 1995-04-07 1996-12-17 Nitto Denko Corp 半導体装置およびその製法並びに上記半導体装置の製造に用いる半導体装置用テープキャリア
US5552633A (en) 1995-06-06 1996-09-03 Martin Marietta Corporation Three-dimensional multimodule HDI arrays with heat spreading
JPH0913567A (ja) 1995-06-30 1997-01-14 Mikio Yoshimatsu 床版及びその成形方法並びに床版の施工方法
JPH09139567A (ja) 1995-11-15 1997-05-27 Fujitsu Ltd プリント基板における表面実装部品搭載パッドと層間接続用スルーホールの接続構造
DE69626747T2 (de) 1995-11-16 2003-09-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd Gedruckte Leiterplatte und ihre Anordnung
US5729049A (en) 1996-03-19 1998-03-17 Micron Technology, Inc. Tape under frame for conventional-type IC package assembly
US5936847A (en) 1996-05-02 1999-08-10 Hei, Inc. Low profile electronic circuit modules
US5838545A (en) 1996-10-17 1998-11-17 International Business Machines Corporation High performance, low cost multi-chip modle package
US5796590A (en) 1996-11-05 1998-08-18 Micron Electronics, Inc. Assembly aid for mounting packaged integrated circuit devices to printed circuit boards
JP3176307B2 (ja) 1997-03-03 2001-06-18 日本電気株式会社 集積回路装置の実装構造およびその製造方法
US6710614B1 (en) * 1997-03-04 2004-03-23 Micron Technology, Inc. Methods for using an interposer/converter to allow single-sided contact to circuit modules
JP3173410B2 (ja) * 1997-03-14 2001-06-04 松下電器産業株式会社 パッケージ基板およびその製造方法
US5882957A (en) 1997-06-09 1999-03-16 Compeq Manufacturing Company Limited Ball grid array packaging method for an integrated circuit and structure realized by the method
JPH1126631A (ja) * 1997-07-02 1999-01-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置とその製造方法
JP3623639B2 (ja) 1997-09-29 2005-02-23 京セラ株式会社 多層配線基板の製造方法
US6038133A (en) 1997-11-25 2000-03-14 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Circuit component built-in module and method for producing the same
US6172419B1 (en) 1998-02-24 2001-01-09 Micron Technology, Inc. Low profile ball grid array package
GB2342995B (en) 1998-10-21 2003-02-19 Federal Ind Ind Group Inc Improvements in pulse-echo measurement systems
US6232666B1 (en) 1998-12-04 2001-05-15 Mciron Technology, Inc. Interconnect for packaging semiconductor dice and fabricating BGA packages
US6455354B1 (en) 1998-12-30 2002-09-24 Micron Technology, Inc. Method of fabricating tape attachment chip-on-board assemblies
JP3207174B2 (ja) 1999-02-01 2001-09-10 京セラ株式会社 電気素子搭載配線基板およびその製造方法
JP3619421B2 (ja) 1999-03-30 2005-02-09 京セラ株式会社 多層配線基板の製造方法
US6288905B1 (en) 1999-04-15 2001-09-11 Amerasia International Technology Inc. Contact module, as for a smart card, and method for making same
EP1098368B1 (en) 1999-04-16 2011-12-21 Panasonic Corporation Module component and method of manufacturing the same
JP2000311229A (ja) 1999-04-27 2000-11-07 Hitachi Ltd Icカード及びその製造方法
JP3575001B2 (ja) 1999-05-07 2004-10-06 アムコー テクノロジー コリア インコーポレーティド 半導体パッケージ及びその製造方法
KR100298828B1 (ko) 1999-07-12 2001-11-01 윤종용 재배선 필름과 솔더 접합을 이용한 웨이퍼 레벨 칩 스케일 패키지 제조방법
JP3213292B2 (ja) 1999-07-12 2001-10-02 ソニーケミカル株式会社 多層基板、及びモジュール
JP2001053447A (ja) 1999-08-05 2001-02-23 Iwaki Denshi Kk 部品内蔵型多層配線基板およびその製造方法
DE60045566D1 (de) * 1999-08-06 2011-03-03 Ibiden Co Ltd Mehrschicht-Leiterplatte
JP4526651B2 (ja) 1999-08-12 2010-08-18 富士通セミコンダクター株式会社 半導体装置
DE19940480C2 (de) 1999-08-26 2001-06-13 Orga Kartensysteme Gmbh Leiterbahnträgerschicht zur Einlaminierung in eine Chipkarte, Chipkarte mit einer Leiterbahnträgerschicht und Verfahren zur Herstellung einer Chipkarte
US6284564B1 (en) 1999-09-20 2001-09-04 Lockheed Martin Corp. HDI chip attachment method for reduced processing
US6297551B1 (en) 1999-09-22 2001-10-02 Agere Systems Guardian Corp. Integrated circuit packages with improved EMI characteristics
US6242282B1 (en) 1999-10-04 2001-06-05 General Electric Company Circuit chip package and fabrication method
US6271469B1 (en) 1999-11-12 2001-08-07 Intel Corporation Direct build-up layer on an encapsulated die package
US6154366A (en) 1999-11-23 2000-11-28 Intel Corporation Structures and processes for fabricating moisture resistant chip-on-flex packages
TW512653B (en) 1999-11-26 2002-12-01 Ibiden Co Ltd Multilayer circuit board and semiconductor device
JP2001156457A (ja) 1999-11-30 2001-06-08 Taiyo Yuden Co Ltd 電子回路装置の製造方法
US6538210B2 (en) 1999-12-20 2003-03-25 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Circuit component built-in module, radio device having the same, and method for producing the same
US6475877B1 (en) 1999-12-22 2002-11-05 General Electric Company Method for aligning die to interconnect metal on flex substrate
JP3809053B2 (ja) 2000-01-20 2006-08-16 新光電気工業株式会社 電子部品パッケージ
JP4685251B2 (ja) 2000-02-09 2011-05-18 日本特殊陶業株式会社 配線基板の製造方法
US6396148B1 (en) 2000-02-10 2002-05-28 Epic Technologies, Inc. Electroless metal connection structures and methods
JP4854845B2 (ja) 2000-02-25 2012-01-18 イビデン株式会社 多層プリント配線板
US6909054B2 (en) 2000-02-25 2005-06-21 Ibiden Co., Ltd. Multilayer printed wiring board and method for producing multilayer printed wiring board
US6562660B1 (en) 2000-03-08 2003-05-13 Sanyo Electric Co., Ltd. Method of manufacturing the circuit device and circuit device
JP3537400B2 (ja) * 2000-03-17 2004-06-14 松下電器産業株式会社 半導体内蔵モジュール及びその製造方法
TW569424B (en) 2000-03-17 2004-01-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd Module with embedded electric elements and the manufacturing method thereof
JP2002016327A (ja) 2000-04-24 2002-01-18 Ngk Spark Plug Co Ltd 配線基板およびその製造方法
US6841740B2 (en) * 2000-06-14 2005-01-11 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Printed-wiring substrate and method for fabricating the same
US6292366B1 (en) 2000-06-26 2001-09-18 Intel Corporation Printed circuit board with embedded integrated circuit
JP4230680B2 (ja) 2000-06-29 2009-02-25 イビデン株式会社 多層化回路基板
JP2002289768A (ja) 2000-07-17 2002-10-04 Rohm Co Ltd 半導体装置およびその製法
US6402970B1 (en) 2000-08-22 2002-06-11 Charles W. C. Lin Method of making a support circuit for a semiconductor chip assembly
US6551861B1 (en) 2000-08-22 2003-04-22 Charles W. C. Lin Method of making a semiconductor chip assembly by joining the chip to a support circuit with an adhesive
US6495406B1 (en) * 2000-08-31 2002-12-17 Micron Technology, Inc. Method of forming lightly doped drain MOS transistor including forming spacers on gate electrode pattern before exposing gate insulator
JP2002093811A (ja) * 2000-09-11 2002-03-29 Sony Corp 電極および半導体装置の製造方法
US6489185B1 (en) 2000-09-13 2002-12-03 Intel Corporation Protective film for the fabrication of direct build-up layers on an encapsulated die package
US6713859B1 (en) 2000-09-13 2004-03-30 Intel Corporation Direct build-up layer on an encapsulated die package having a moisture barrier structure
JP2002094200A (ja) 2000-09-18 2002-03-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd 回路基板用電気絶縁材と回路基板およびその製造方法
JP3554533B2 (ja) 2000-10-13 2004-08-18 シャープ株式会社 チップオンフィルム用テープおよび半導体装置
US6576493B1 (en) 2000-10-13 2003-06-10 Bridge Semiconductor Corporation Method of connecting a conductive trace and an insulative base to a semiconductor chip using multiple etch steps
US6876072B1 (en) 2000-10-13 2005-04-05 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with chip in substrate cavity
JP4283987B2 (ja) 2000-11-20 2009-06-24 富士フイルム株式会社 感光性熱硬化性樹脂組成物、それを用いた感光性熱硬化性樹脂層転写材料及び画像形成方法
JP2002158307A (ja) 2000-11-22 2002-05-31 Toshiba Corp 半導体装置及びその製造方法
JP3407737B2 (ja) 2000-12-14 2003-05-19 株式会社デンソー 多層基板の製造方法およびその製造方法によって形成される多層基板
TW511405B (en) 2000-12-27 2002-11-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd Device built-in module and manufacturing method thereof
TW511415B (en) 2001-01-19 2002-11-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd Component built-in module and its manufacturing method
US6512182B2 (en) 2001-03-12 2003-01-28 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Wiring circuit board and method for producing same
JP4863563B2 (ja) 2001-03-13 2012-01-25 イビデン株式会社 プリント配線板及びプリント配線板の製造方法
TW579581B (en) 2001-03-21 2004-03-11 Ultratera Corp Semiconductor device with chip separated from substrate and its manufacturing method
JP3609737B2 (ja) 2001-03-22 2005-01-12 三洋電機株式会社 回路装置の製造方法
US6734435B2 (en) * 2001-05-29 2004-05-11 Rae Systems, Inc. Photo-ionization detector and method for continuous operation and real-time self-cleaning
US6537848B2 (en) 2001-05-30 2003-03-25 St. Assembly Test Services Ltd. Super thin/super thermal ball grid array package
JP2003037205A (ja) 2001-07-23 2003-02-07 Sony Corp Icチップ内蔵多層基板及びその製造方法
US7183658B2 (en) 2001-09-05 2007-02-27 Intel Corporation Low cost microelectronic circuit package
US6774486B2 (en) 2001-10-10 2004-08-10 Micron Technology, Inc. Circuit boards containing vias and methods for producing same
JP2003229513A (ja) * 2001-11-29 2003-08-15 Sony Corp 素子内蔵基板および素子内蔵基板の製造方法
JP3870778B2 (ja) 2001-12-20 2007-01-24 ソニー株式会社 素子内蔵基板の製造方法および素子内蔵基板
TW200302685A (en) 2002-01-23 2003-08-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd Circuit component built-in module and method of manufacturing the same
FI119215B (fi) 2002-01-31 2008-08-29 Imbera Electronics Oy Menetelmä komponentin upottamiseksi alustaan ja elektroniikkamoduuli
US8455994B2 (en) * 2002-01-31 2013-06-04 Imbera Electronics Oy Electronic module with feed through conductor between wiring patterns
FI115285B (fi) 2002-01-31 2005-03-31 Imbera Electronics Oy Menetelmä komponentin upottamiseksi alustaan ja kontaktin muodostamiseksi
US6701614B2 (en) 2002-02-15 2004-03-09 Advanced Semiconductor Engineering Inc. Method for making a build-up package of a semiconductor
JP2003249763A (ja) 2002-02-25 2003-09-05 Fujitsu Ltd 多層配線基板及びその製造方法
TW533521B (en) * 2002-02-27 2003-05-21 Advanced Semiconductor Eng Solder ball process
JP3608559B2 (ja) * 2002-03-26 2005-01-12 ソニー株式会社 素子内蔵基板の製造方法
TW557536B (en) * 2002-05-27 2003-10-11 Via Tech Inc High density integrated circuit packages and method for the same
JP2004031651A (ja) 2002-06-26 2004-01-29 Sony Corp 素子実装基板及びその製造方法
EP1542519A4 (en) * 2002-07-31 2010-01-06 Sony Corp METHOD FOR PCB CONSTRUCTION WITH AN INTEGRATED EQUIPMENT AND PCB WITH INTEGRATED EQUIPMENT AND METHOD FOR PRODUCING A PRINTED PCB AND PRINTED PCB
US20040068852A1 (en) 2002-10-15 2004-04-15 Enos Nolan Wheel helper
JP2004146634A (ja) 2002-10-25 2004-05-20 Murata Mfg Co Ltd 樹脂基板の製造方法、および樹脂多層基板の製造方法
FI20030293A (fi) 2003-02-26 2004-08-27 Imbera Electronics Oy Menetelmä elektroniikkamoduulin valmistamiseksi ja elektroniikkamoduuli
FI119583B (fi) 2003-02-26 2008-12-31 Imbera Electronics Oy Menetelmä elektroniikkamoduulin valmistamiseksi
CN100405881C (zh) * 2003-03-18 2008-07-23 日本特殊陶业株式会社 接线板
FI115601B (fi) 2003-04-01 2005-05-31 Imbera Electronics Oy Menetelmä elektroniikkamoduulin valmistamiseksi ja elektroniikkamoduuli
JP4070659B2 (ja) 2003-04-23 2008-04-02 シャープ株式会社 電界効果トランジスタの製造方法
JP2004327612A (ja) * 2003-04-23 2004-11-18 Tdk Corp 導体線路を有する基板及びその製造方法、並びに電子部品
TW200507131A (en) 2003-07-02 2005-02-16 North Corp Multi-layer circuit board for electronic device
US7141884B2 (en) 2003-07-03 2006-11-28 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Module with a built-in semiconductor and method for producing the same
FI20031341A (fi) 2003-09-18 2005-03-19 Imbera Electronics Oy Menetelmä elektroniikkamoduulin valmistamiseksi
JPWO2005081312A1 (ja) 2004-02-24 2008-01-17 イビデン株式会社 半導体搭載用基板
FI20041680A (fi) 2004-04-27 2005-10-28 Imbera Electronics Oy Elektroniikkamoduuli ja menetelmä sen valmistamiseksi
TWI237883B (en) 2004-05-11 2005-08-11 Via Tech Inc Chip embedded package structure and process thereof
US7404680B2 (en) * 2004-05-31 2008-07-29 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Optical module, optical module substrate and optical coupling structure
TWI251910B (en) 2004-06-29 2006-03-21 Phoenix Prec Technology Corp Semiconductor device buried in a carrier and a method for fabricating the same
US8487194B2 (en) 2004-08-05 2013-07-16 Imbera Electronics Oy Circuit board including an embedded component
FI117812B (fi) 2004-08-05 2007-02-28 Imbera Electronics Oy Komponentin sisältävän kerroksen valmistaminen
JP2006100666A (ja) * 2004-09-30 2006-04-13 Toshiba Corp 半導体装置及びその製造方法
FI117369B (fi) 2004-11-26 2006-09-15 Imbera Electronics Oy Menetelmä elektroniikkamoduulin valmistamiseksi
FI119714B (fi) 2005-06-16 2009-02-13 Imbera Electronics Oy Piirilevyrakenne ja menetelmä piirilevyrakenteen valmistamiseksi
JP4826248B2 (ja) 2005-12-19 2011-11-30 Tdk株式会社 Ic内蔵基板の製造方法
SG139594A1 (en) 2006-08-04 2008-02-29 Micron Technology Inc Microelectronic devices and methods for manufacturing microelectronic devices

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040097086A1 (en) 2002-09-26 2004-05-20 Yusuke Igarashi Method for manufacturing circuit devices
WO2005020651A1 (en) 2003-08-26 2005-03-03 Imbera Electronics Oy Method for manufacturing an electronic module, and an electronic module

Also Published As

Publication number Publication date
JP5025644B2 (ja) 2012-09-12
CN100596258C (zh) 2010-03-24
WO2006134216A2 (en) 2006-12-21
US20210392752A1 (en) 2021-12-16
JP2008544510A (ja) 2008-12-04
FI20050646A (fi) 2006-12-17
FI20050646A0 (fi) 2005-06-16
EP1891845A2 (en) 2008-02-27
KR20080038124A (ko) 2008-05-02
WO2006134216A3 (en) 2007-07-05
CN101199246A (zh) 2008-06-11
US9622354B2 (en) 2017-04-11
US20140059851A1 (en) 2014-03-06
US8581109B2 (en) 2013-11-12
FI119714B (fi) 2009-02-13
US11134572B2 (en) 2021-09-28
US20170071061A1 (en) 2017-03-09
EP1891845B1 (en) 2016-08-10
US20080202801A1 (en) 2008-08-28
US11792941B2 (en) 2023-10-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101090423B1 (ko) 회로 보드 구조체 및 회로 보드 구조체 제조 방법
KR101455234B1 (ko) 회로 보드 구조체 제조 방법 및 회로 보드 구조체
US11716816B2 (en) Method for manufacturing an electronic module and electronic module
US8225499B2 (en) Method for manufacturing a circuit board structure, and a circuit board structure
KR101034279B1 (ko) 도체 패턴층에 전기적으로 연결된 부품을 포함하는 전자모듈 제조방법
US8116066B2 (en) Method of manufacturing electronic component built-in substrate
JP5160895B2 (ja) 電子モジュールの製造方法
JP5064210B2 (ja) 電子モジュール及びその製造方法
KR20100081282A (ko) 리지드-플렉스 모듈 및 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141120

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151119

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161111

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171110

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181112

Year of fee payment: 8