JP3619421B2 - 多層配線基板の製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば、多層配線基板及び半導体素子収納用パッケージなどに適した多層配線基板とその製造方法に関するものである。
【0002】
【従来技術】
近年、電子機器は小型化が進んでいるが、近年携帯情報端末の発達や、コンピューターを持ち運んで操作するいわゆるモバイルコンピューティングの普及によってさらに小型、薄型且つ高精細の多層配線基板が求められる傾向にある。
【0003】
また、通信機器に代表されるように、高速動作が求められる電子機器が広く使用されるようになってきた。高速動作が求められるということは、高い周波数の信号に対し、正確なスイッチングが可能であるなど多種な要求を含んでいる。そのような電子機器に対応するため、高速な動作に適した多層プリント配線板が求められている。
【0004】
高速な動作を行うためには、配線の長さを短くし、電気信号の伝播に要する時間を短縮することが必要である。配線の長さを短縮するために、配線の幅を細くし、配線の間隙を小さくするという、小型、薄型且つ高精細の多層配線基板が求められる傾向にある。
【0005】
そのような高密度配線の要求に対応するため、ビルドアツプ法と呼ばれる製造方法が用いられている。ビルドアップ法の基本構造としては、JPCA規格では
(1)ベース+ビルドアップ法、(2)全層ビルドアップ法の2種類に分類されている。
【0006】
そこで、(1)ベース+ビルドアップの製造方法を図6で説明する。a)まず、両面銅張ガラスエポキシ基板などの絶縁基板21の表面に配線回路層22やスルーホール導体23などが形成されたコア基板aを用意する。b)このコア基板aの表面に感光性樹脂を塗布して感光性絶縁層25を形成する。c)感光性絶縁層25にビアホールパターンを露光現象してビアホール24を形成する。d)ビアホール24が形成された感光性絶縁層25の表面全面に銅などのメッキ層26を施す。e)メッキ層26に感光性レジストを塗布し、回路パターンを露光、現像した後、非レジスト形成部をエッチングして回路を形成した後、レジストを除去して配線回路層27を作製する。その後、必要に応じて、上記のb)〜e)の工程を繰り返して多層化するものである。
【0007】
また、(2)全層ビルドアップの製造方法は、例えば特許2587593号の様に、絶縁層にレーザーなどでビアホールを形成し、そのビアホール内に導電性ペーストを充填することにより絶縁層の表面に形成された配線回路層を電気的に接続して配線層を形成し、このように作製した配線層を繰り返して形成して多層化するものである。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、近年、ビルドアップ法の普及に伴いその問題も明らかになってきた。第1の問題は、ビルドアップ法によって形成された多層配線層(以下、ビルドアプ層という。)の絶縁層を構成する有機樹脂の材料特性が劣ることである。(1)ベース+ビルドアップ法では、絶縁層として感光性エポキシ樹脂などが多用されるが、エポキシ樹脂はもともとガラス転移点が低い上に感光性としたことで吸水率が増加し、高温高湿放置で絶縁性が低下するなど信頼性が低下するという問題がある。
【0009】
第2の問題は、配線基板表面の平滑性が劣るという問題である。コア基板表面には銅箔から形成された配線回路層の厚さ分の凹凸が存在する。ビルドアップ法に使用する感光性樹脂は液状のため、コア基板表面の凹凸がビルドアップされた多層配線層表面にまで反映され、完成品の表面にも凹凸が形成されてしまう。そのために、今後主流となると予測されているフリップチップ等のシリコンチップを基板表面にて直接接続するDCA法をこのような表面に凹凸のある配線基板に対しては適用することは不可能であった。
【0010】
第3の問題は、温度サイクル試験や高温高湿試験においてコア基板とビルドアップ層の絶縁層との界面で剥離が生じることである。ビルドアップ層の絶縁層は、あらかじめ作製されたコア基板に貼り合わせるため、化学的な結合が弱く、密着強度が不足しているためである。
【0011】
上記問題に対して様々な解決策が提案されており、エレクトロニクス実装技術誌1998,1(Vol.14 No.1)および特開昭51−31862号には基板表面が平滑なビルドアップ基板が記載されている。しかし、コア基板とビルドアップ層の絶縁樹脂との化学的な結合を改善するには至っておらず、信頼性の点で問題があった。
【0012】
特に、近年、1GHzを超える高周波信号の取り扱いが増加し、ポリフェニレンエーテル樹脂(以下、PPE樹脂という。)等の低誘電率、低誘電損失の有機樹脂の使用が増加する傾向にある。しかし、PPE樹脂等の低誘電率、低誘電損失の有機樹脂は分子構造上、樹脂同士の密着が弱く剥離が生じやすいため、高周波信号の取り扱いが増加するにつれ、剥離の問題は深刻となっている。
【0013】
また、前記(2)全層ビルドアップ法では、ビアホール導体を、ビアホール内への導電性ペーストの充填によって形成するものの、この導電性ペーストの電気抵抗がメッキ層に比較して大きいために、ビア径を60μm以下にするとビア抵抗が増加したり、信頼性が低下するという問題があった。
【0014】
本出願人は、微細な配線回路層を平易に形成できる多層配線基板の製造方法を特開平10−27959号公報等にて提案した。この方法は、通常のプリント配線板に使用するプリプレグあるいは熱硬化性樹脂とフィラーとの混合物からなる絶縁層にレーザーやパンチング加工によりビアホールを形成し、ホール内に導電性ペーストを充填した後、表面に銅箔による配線回路層が予め形成された転写シートをビアホール導体が形成された絶縁層表面に積層圧着して配線回路層を絶縁層に転写して1層の配線層を形成する。そして、同様にして作製した配線層を位置合せして積層し、加熱加圧して熱硬化性樹脂を硬化させて多層配線基板が得られる。
【0015】
しかしながら、この方法は、ビアホール導体の設計の自由度を高めるとともに工程の簡略化を図るために、導電性ペーストをビアホール中に充填することにより回路層間の接続を図っているために、上述した全層ビルドアップ法と同様にビア径を60μm以下にすることは困難であった。
【0016】
一方、半導体素子は処理する情報量の増大につれ、情報(信号)の出し入れを行う端子数が飛躍的に増大している。このため、シリコンチップに形成されるパッド数(I/Oパッド)は増大し、シリコンチップ下面に多数のパッドを形成する必要が生じている。このため、シリコンチップのI/Oパッドの密度は増加し、パッド間の距離が200μm以下になったあたりから、必要な配線が描けなくなることが予測されている。
【0017】
本発明は、上記のような従来のビルドアップ法における課題を解決することを目的とするものであり、具体的には、表面平坦性とビルドアップ層の密着性に優れ、且つ微細な回路を高密度に形成した多層配線基板と、これを容易に製造することのできる多層配線基板の製造方法を提供することを目的とするものである。
【0020】
【課題を解決するための手段】
本発明の多層配線基板の製造方法によれば、(a)絶縁基板表面に第1の配線回路層が被着形成されてなるコア基板の表面に、熱硬化性樹脂を含有する軟質の絶縁層を形成する工程と、(b)該絶縁層の表面に金属箔によって形成された第2の配線回路層を被着形成するとともに、前記第2の配線回路層を前記絶縁層表面に埋設する工程と、(c)前記第2の配線回路層が被着形成された絶縁層の表面に離型性フィルムを貼り付けた後、加熱して前記絶縁層を熱硬化する工程と、(d)レーザー光の照射によって前記第2の配線回路層が被着形成された前記絶縁層を貫通し、前記第1の配線回路層に到達するビアホールを形成する工程と、(e)前記ビアホールの内壁に金属メッキ層を形成し、前記第1の配線回路層と前記第2の配線回路層とを電気的に接続する工程と、を具備することを特徴とするものである。
【0021】
また、前記(c)工程における離型性フィルムが、ふっ化エチレンを含有するフィルムであることが望ましい。さらに、前記(d)工程において、前記絶縁層の表面に離型性フィルムを貼り付けた後、前記レーザー光の照射によって前記離型性フィルムおよび前記絶縁層を貫通し、前記第1の配線回路層に達するビアホールを形成することが望ましい。さらに、前記(e)工程において、前記離型性フィルムをメッキレジストとして用いることによって前記ビアホール内およびその付近のみに金属メッキ層を形成した後、前記離型性フィルムを剥がすことが望ましく、さらには、前記離型性フィルムが、透明または半透明であって、前記第2の配線回路層が、レーザー光によるビアホール形成箇所を画像認識できるマークを有し、このマークによりレーザー光の照射位置を補正することが望ましい。
【0022】
本発明の多層配線基板によれば、配線回路層が絶縁層の表面と同一平面となるように埋設されているために、多層配線基板の表面の平滑性に優れる。よって、多層配線基板の表面に、半導体素子をフリップチップ実装する場合においても実装の信頼性を高めることができる。
【0023】
しかも、表面の配線回路層と内部の配線回路層とを接続するビアホール導体が絶縁層を貫通して形成したビアホールの内壁に金属メッキ層を形成してなるものであるため、導体ペーストによるビアホール導体に比較して配線回路層間の抵抗を低減でき、回路の信頼性を高めることができる。
【0024】
また、本発明の製造方法によれば、多層配線層における配線回路層間を接続するためのビアホール導体をレーザー加工とホール内壁へ金属メッキ層を施すことによって形成しているため、絶縁層が感光性を有する必要がなく、絶縁層材料としてガラス転移点が高く、吸水率の小さいなどの材料特性に優れた任意の絶縁材料を選定できる。
【0025】
しかも、ビアホールの形成をレーザー光の照射によって行うために径が50μm以下のビアホール導体を形成でき、シリコンチップのI/Oパッドの密度が増加しパッド間の距離が200μm以下になった場合でも必要な配線を形成できる。また、ビアホールを絶縁層表面への配線回路層形成後に加工するので、ビルドアップ法のような煩雑な工程が不要となり、また、レーザー加工時にビア加工位置の確認や補正が容易に且つ正確にできるため、従来±20μm程度であったレーザー加工の位置精度が±5μmまで向上し、基板の精度が改善でき配線密度が向上できる。また、金属メッキ層を形成する部分がビアホール内壁だけなので、メッキ液中に含まれるシアンやホルマリンなどの有害な薬物の使用量を削減することができる。
【0026】
また、配線回路層をメッキ法で形成する場合には、メッキ層の除去工程が煩雑であり、しかもメッキ層の厚みが基板表面の凹凸として残るが、本発明に従い絶縁層表面の配線回路層を金属箔からなる配線回路層の転写によって形成すると、絶縁層表面への配線回路層の形成とともに、絶縁層の表面と同一平面となるように配線回路層を絶縁層表面に埋設できるために、配線回路層の絶縁層との密着性が高く、また、多層配線基板の表面の平滑性を高めることができる。
【0027】
さらに、多層配線層における配線回路層の断面形状が逆台形である場合、一般的な矩形形状である場合に比較して、レーザー加工で発生した分解ガスがスムーズに排出されるために、均一なメッキ性に優れたビア形状が得られる。
【0028】
さらにまた、コア基板と多層配線層とを未硬化または半硬化の状態で積層後、それらを一括して熱硬化することで、強固な化学的結合が得られ、PPE樹脂等低誘電率、低誘電損失の有機樹脂を用いた場合においても、信頼性評価においても層間の剥離が発生しない。
【0029】
絶縁層を熱硬化する工程で貼りつけた離型性樹脂フィルムをメッキレジストとして使用するので、90℃におよぶ高温で10時間を超える連続メッキを行っても、メッキレジストとして使用した離型性樹脂フィルムの劣化や剥がれが生じないため、無電解メッキによる厚メッキが可能である。
【0030】
【発明の実施の形態】
本発明の多層配線基板の製造方法を図面をもとに説明する。図1は、本発明における多層配線基板の製造方法の一例を説明するための工程図である。
【0031】
図1(a)に示すように、まず、絶縁基板1の表面に第1の配線回路層2が形成されたコア基板Aの表面に、熱硬化性樹脂を含有する軟質の絶縁層3を積層形成する。
【0032】
ここで用いられるコア基板Aは、絶縁基板1の表面に配線回路層2が形成されたものであればあらゆるものが使用できる。例えば、絶縁シートにレーザーでビアホール加工し、ビアホール内に導電性ペーストを充填するとともにシート表面に配線回路層を形成したものを複数層積層し、硬化してなる全層ビルドアップ基板や、絶縁基板にドリルでビアホールを形成しその内壁に銅メッキを形成して確配線回路層の接続を行った両面配線基板やそれを複数層積層してなるIVH基板等の公知のプリント配線基板など使用できる。特に、コア基板A内には、繊維体を含有する絶縁層を有することが望ましい。
【0033】
また、第1の配線回路層2は、例えば、絶縁基板1の表面全面に金属箔を接着した後、フォトレジスト形成、パターン露光、現像、レジスト除去の工程からなるフォトレジスト法に従い形成することができる。
【0034】
コア基板Aの表面に形成される絶縁層3は、繊維体を含まない熱硬化性樹脂、あるいは熱硬化性樹脂と無機質フィラーとからなる絶縁性複合材料によって構成することが望ましい。
【0035】
この絶縁層3中に繊維体が含まれると、ガラス織布自体の不均一性によって、ビアホールを形成した時にビアホール径にバラツキが生じやすく、特に、ガラス織布等の繊維体を含む場合には、多湿中で長期保存するとガラス繊維と有機樹脂との界面を水分が拡散してマイグレーションをもたらす等の弊害が生じるためである。
【0036】
この絶縁層3の厚みは、上記作用を十分に発揮させる上で、10μm以上、特に40μm以上であることが望ましく、その厚みが10μmよりも薄いと、この絶縁層3が最表面層となる場合には絶縁層3による外気中の水分の内部への拡散を十分に抑制することが難しく、絶縁層間においてマイグレーションが生じるやすくなる。
【0037】
この絶縁層3中の熱硬化性樹脂としては、PPE(ポリフェニレンエーテル)、BTレジン(ビスマレイミドトリアジン)、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フッ素樹脂、フェノール樹脂、ポリアミドビスマレイミド等の樹脂が望ましい。また、この絶縁層3中には無機質フィラーを配合することによって、コア基板Aにおける絶縁基板1との熱膨張特性を近似させることが望ましい。
【0038】
この時に用いられる無機質フィラーとしては、SiO2、Al2O3、AlN等が好適であり、フィラーの形状は平均粒径が20μm以下、特に10μm以下、最適には7μm以下の略球形状の粉末が用いられる。この無機質フィラーは、有機樹脂:無機質フィラーの体積比率で15:85〜95:5の比率範囲で混合される。
【0039】
この未硬化の絶縁層3は、熱硬化性有機樹脂、または熱硬化性有機樹脂と無機質フィラーなどの組成物を混練機や3本ロールなどの手段によって十分に混合し、これを圧延法、押出法、射出法、ドクターブレード法などによってシート状に成形することにより作製される。なお、軟質とは、未硬化または半硬化状態を意味し、半硬化は、熱硬化性樹脂が完全硬化するに十分な温度よりもやや低い温度に加熱すればよい。
【0040】
次に、図1(b1)〜(b3)に示すように、軟質の絶縁層3の表面に金属箔からなる第2の配線回路層4を被着形成するとともに、第2の配線回路層4を軟質の絶縁層3表面に埋設する。
【0041】
この第2の配線回路層4の形成は、例えば、絶縁層3の表面全面に金属箔を接着し、周知のフォトレジスト法を経て、鏡像の第2の配線回路層4’を形成した後、圧力を印加して第2の配線回路層4’を絶縁層3の表面に埋設することによって形成できるが、本発明によれば、第2の配線回路層4の形成を転写法によって行うと、絶縁層3表面への第2の配線回路層4の形成と埋設処理とを同時に行うことができるとともに、この後のビアホール導体の形成においても工程を簡略化できる点で有利である。
【0042】
そこで、転写法による配線回路層4の形成について以下に説明する。まず、予め適当な樹脂フィルム5の表面に金属箔を接着した後、これを周知のフォトレジスト法などによって第2の配線回路層の鏡像パターン4’を形成する(図1(b1))。
【0043】
そして、この鏡像の第2の配線回路層のパターン4’を有する樹脂フィルム5を軟質の絶縁層3の表面に積層して3kg/cm2以上の圧力を印加した後、樹脂フィルム5を剥離する(図1(b2))ことにより、絶縁層3の表面に第2の配線回路層4を転写するとともに、第2の配線回路層4を絶縁層の表面に埋設することができる。
なお、上記の説明では、上記(a)コア基板1への絶縁層3の形成工程後に、(b)絶縁層3表面への第2の配線回路層4の転写工程を行う場合について説明したが、この(a)工程および(b)工程は、同時におこなってもよいし、あるいは(b)工程後に(a)工程を行う、即ち、絶縁層3表面に第2の配線回路層4を転写、埋設した後に、この第2の配線回路層4を形成した絶縁層3をコア基板1の表面に積層形成してもよい。
【0044】
本発明によれば、第2の配線回路層4の断面形状が逆台形であることが重要である。図2(b)に示すように、従来の基板におけるレーザー加工ではレーザーによって発生した分解ガスがビアホールから放出される時、分解ガスが配線回路層4の端部で形成された段差部に対流して、配線回路層4と絶縁層3との界面をえぐっていた。このえぐられた部分が形成されると、スルーホール内壁にメッキ層を施す時にメッキ液が滞留しメッキがされないだけでなく、残留したメッキ液によって絶縁性の低下や基板の変色などの不良の原因となる。
【0045】
これに対して本発明によれば、図2(a)に示すように、配線回路層4の断面形状を逆台形とすると、配線回路層4の端部に段差が形成されにくく、分解ガスがビアホールよりスムースに排出されるために配線回路層4と絶縁層3との界面がえぐられることがなく、均一なメッキ処理が可能となる。なお、配線回路層4における断面の台形の底辺側の角度θは85°で効果が認められ75°では効果は更に明確になる。また逆に30°になると分解ガスの排出は悪くなるため、角度θは30°〜85°、望ましくは45°〜75°が良い。また、図2(a)の点線で示すように、台形の斜辺が台形の内側に斜辺の長さの5%以上凹んだ形状であれば、分解ガスの排出性は更に良くなり、メッキ不良が皆無になる。
【0046】
上記のようにして、第2の配線回路層4を形成した後、絶縁層3を完全に熱硬化処理することが望ましい。これは、絶縁層3が未硬化または半硬化の場合には、後述するビアホール形成後に熱硬化処理を施すと、ビアホール径が変化したり、ビアホール形成箇所が熱硬化時の収縮によってずれ、回路の精度が低下するという問題があり、また、メッキ処理の際に、メッキ液が未硬化または半硬化の絶縁層3中に浸透して、酸によって配線回路層がショートしたり断線するなどの不具合が発生する恐れがあるためである。
【0047】
熱硬化にあたっては、図1(b3)に示すように、絶縁層3の表面にETFE(テトラフルオロエチレン−エチレン共重合体)などの透明の離型性フィルム6を貼り付けて、絶縁層3中の熱硬化性樹脂が硬化するに充分な温度で熱プレスすることにより行うことができる。
【0048】
また、コア基板Aとして未硬化または半硬化のものを使用し、絶縁層3の熱硬化とを同時に行うことにより、絶縁層3とコア基板1が化学的に強固に密着するため、分子構造上樹脂同士の密着が弱く剥離が生じやすいPPE樹脂等の低誘電率低誘電損失の樹脂を用いた場合でも、界面剥離が生じない。
【0049】
なお、熱硬化処理終了後、離型性フィルム6は、通常剥がされるが、本発明では、この離型性フィルム6は、後述するメッキ処理の際のレジストとして利用できることから、離型性フィルム6は、メッキ処理後に剥がすことが望ましい。
【0050】
さらにこの離型性フィルム6は、ふっ化エチレンを含むことが望ましい。本発明の場合には、従来の多層配線基板の製造方法と異なり、離型性フィルムは銅箔だけでなく、絶縁樹脂とも直接密着する。更に高温且つ強アルカリ性でホルマリンを含む無電解メッキ液に長時間浸漬されても剥離や変質を起こさない材料として、ふっ化エチレンを含む樹脂フィルムは優れた性能を示す。ふっ化エチレンを含む樹脂としては、例えば
PTFE(四弗化エチレン樹脂)
PFA(四弗化エチレン・パーフルオロアルコキシエチレン共重合樹脂)
FEP(四弗化エチレン・6弗化プロピレン共重合樹脂)
ETFE(四弗化エチレン・エチレン共重合樹脂)
などがある。
【0051】
硬化後の基板との剥離強度は、上記の羅列した順序で強くなるので製造プロセス中での剥がれが発生せず、かつ、基板硬化後の剥離が容易になる様、プロセス条件に合わせて選択できる。また、ふっ化エチレンを含む樹脂フィルムとしては、上記に限られず、ふっ化エチレンを含む樹脂フィルムであれば、上記以外にも使用できる。
【0052】
次に、レーザー光の照射によって、絶縁層3に対してビアホール7を形成する。ビアホール7の形成は、図1(c)に示すように、離型性フィルム6および絶縁層3を貫通して第1の配線回路層2に達するように形成する。
【0053】
ビアホール7の形成には、炭酸ガスなどのレーザー加工が好適である。レーザービームは図1(c)に示すように、絶縁層3表面の第2の配線回路層4の一部に触れ、絶縁層3を貫いて第1の配線回路層2の表面で止まる。第1の配線回路層2は銅などの金属によって形成されているために、金属は、絶縁層3よりもレーザー加工されにくいので比較的容易に適当なビーム強度を選択できる。
【0054】
特に、ビアホール形成前に熱硬化処理を施した場合、絶縁層3は0.1%程度収縮するため第2の配線回路層4の位置もずれる場合がある。そこで、レーザーによるビアホール加工時はこの収縮を補正することが必要となる。このため、第2の配線回路層4のビアホール形成箇所がパターンによってマークされ、判別できるように、第2の配線回路層4にレーザー光によるビアホール形成箇所を画像認識できるマークを形成しておくことが望ましい。
【0055】
上記の操作により収縮率の補正を行った場合でもレーザーは一般に±20μm程度の加工位置のばらつきを有している。そのために、第2の配線回路層4とビアホール導体との確実な接続を行うために、第2の配線回路層4におけるビアホール導体形成箇所を幅広く形成しておくことが望ましい。具体的にはレーザービーム径が40μmの場合、図3に示すように、(a)中央に20μmの空隙を有するO字型マーク、(b)U字型マーク、(c)コ字型マークを形成しておき、点線で示す径のレーザービームを照射することが望ましい。これによって、レーザービームの位置のばらつきが生じた場合でも、ビアの電気的接続が確保される。なお、(b)U字型マーク、(c)コ字型マークはレーザー加工後の開口部が広くなる傾向があり、この部分からメッキ液の循環が起こるため、メッキの析出速度が速くなり膜厚のメッキが容易に形成できる特徴がある。
【0056】
但し、ビア径が100μm以上の場合には、ビーム位置のばらつき(±20μm)に対して十分大きいので、このような特殊なパターンを形成する必要はなく、第2の配線回路層4の任意の配線にビア加工を行えば良い。
【0057】
次に、図1(d)に示すように、上記のようにして形成されたビアホール7の内壁に金属メッキ層8を形成する。
【0058】
ビアホール7の内壁に金属メッキ層8を形成する方法としては、電解メッキ法や無電解メッキ法等の任意の方法が採用できるが、特に、無電解メッキ法が容易である。
【0059】
無電解メッキ法の場合には、ビアホール7が形成された基板を触媒溶液中に浸漬すると、離型性フィルム6の表面およびビアホール7の内壁に触媒が塗布される。その後、離型性フィルム6を除去すると、ビアホール7の内壁にのみ触媒が塗布された状態となる。従って、この基板を無電解メッキ液中に浸漬すると、触媒が塗布されたビアホール7の内壁のみに金属メッキ層8が形成され、ビアホール導体9を形成することができる。
【0060】
また、上記無電解メッキ法によって金属メッキ層8を形成する場合、第2の配線回路層4のビアホール導体9の周囲に一部金属メッキ層8が形成される場合があるが、その場合、メッキ層8の厚みを調整することにより基板表面の平坦性への影響を防止できるとともに、フリップチップ実装する場合には、第2の配線回路層4に対して行うために、実装への影響はほとんどない。
【0061】
一方、電解メッキ法を採用する場合には、ビアホール7を形成した基板を触媒溶液中に浸漬して、離型性フィルム6表面およびビアホール7内壁に触媒を塗布した後、離型性フィルム6表面およびビアホール7の内壁に無電解メッキ法により薄い金属メッキ層を析出させて、さらに電解メッキ法で厚い金属メッキ層を形成する。その後、フォトレジストを全面に塗布し、露光、現像し、ビアホール以外の部分の金属メッキ層をエッチング除去した後、離型性フィルム6を除去して絶縁層3に対してビアホール7内壁に金属メッキ層8を施したビアホール導体9を形成することができる。ここで、金属メッキ層8としては、Cu、Ni、Auなどが望ましい。
【0062】
以上のようにして、絶縁基板1の表面に第1の配線回路層2が形成されたコア基板Aの表面に、1層の絶縁層3の表面に第2の配線回路層4が形成された配線層Bが積層され、第1の配線回路層2と、第2の配線回路層4とが、ビアホール7内壁に金属メッキ層8が形成されてなるビアホール導体9によって電気的に接続された多層配線基板Cを作製することができる。
【0063】
本発明の多層配線基板によれば、表面の平坦性およびビアホール導体の小径化など半導体素子などのフリップチップ実装などに適していることから、上記の第2の配線回路層4は、多層配線基板Cにおける最表面に形成されていることが望ましい。
【0064】
なお、上記図1の例では、コア基板Aとして絶縁基板1表面に1層の配線回路層2が形成されたものを使用したが、本発明は、これに限定されるものでなく、コア基板Aとしては、図4に示すように、絶縁基板10の内部に複数の配線回路層11および導体ペーストが充填されて形成された複数のビアホール導体12が形成された多層配線基板をコア基板Aとして用い、そのコア基板Aの最表面に形成された配線回路層を第1の配線回路層2として位置づけ、その表面に絶縁層3の表面に第2の配線回路層4が形成された配線層Bを積層形成し、第1の配線回路層2と、第2の配線回路層4とをビアホール7内壁に金属メッキ層8が形成されてなるビアホール導体9によって電気的に接続された多層配線基板を得ることができる。
【0065】
また、コア基板Aの表面に形成する配線層Bは、1層の絶縁層3および1層の第2の配線回路層4のみならず、図5に示すように、絶縁層3および第2の配線回路層4を複数層形成してもよい。
【0066】
さらに、場合によっては、上記のようにして作製された多層配線基板に対して、マイクロドリル等によってスルーホールを形成して、そのホール内に金属メッキ層を形成して、基板の表裏の配線層や内部配線層間を電気的に接続して回路を形成することもできる。
【0067】
【実施例】
実施例1
コア基板としてポリフェニレンエーテル樹脂(PPE樹脂)系プリプレグを用意した。このプリプレグにCO2レーザーでビアホール加工し、次いでビアホール部に導電性ペーストを充填した。さらにこのプリプレグに、予め樹脂フィルム表面に銅箔をエッチングして形成した配線回路層を転写させた。そして、このプリプレグを3層積層して熱硬化させてコア基板を作製した。
【0068】
絶縁層としてPPE樹脂を用い、さらに無機フィラーとして球状シリカを用い、これらをPPE樹脂:無機フィラーが体積比で50:50となる組成物を用い、これをドクターブレード法によって厚さ120μmの半硬化状態の絶縁層を作製し、これを前記コア基板の両面に接着した。
【0069】
一方、12μmの厚さの銅箔を接着したPETからなる樹脂フィルムの銅箔に対してフォトレジスト法によって表面用配線回路層および裏面用配線回路層を形成した。
【0070】
次に、コア基板の両面に接着された絶縁層に対して、上記の樹脂フィルムを位置あわせして積層し、120℃、30kg/cm2で加熱加圧し、樹脂フィルムを剥がした。その結果、絶縁層の表面に配線回路層が転写されており、その配線回路層は絶縁層の表面に埋設され、表面が同一平面からなることを確認した。
【0071】
その後、絶縁層の表面にフッ素樹脂系の透明な離型性フィルムを貼り付けた後、真空プレス装置用いて20kgf/cm2の圧力を加えながら200℃で1時間加熱して絶縁層およびコア基板を完全硬化させた。
【0072】
そして、離型性フィルムを付けたままで、炭酸ガスレーザーを用いて絶縁層の表面の配線回路層に接する所定位置に直径50μmのビアホールを形成した。
【0073】
次いで、ビアホールの内壁に銅からなる金属メッキ層を形成した。金属メッキ法としては、以下の1)2)の2種の方法を採用した。
【0074】
1)ビアホールを形成した上記基板をパラジウム水溶液の触媒溶液中に浸漬して、離型性フィルム表面およびビアホール内壁に触媒を塗布した後、離型性フィルム表面およびビアホールの内壁に無電解メッキ法により0.5μmの厚さで銅メッキを析出させて、さらに電解メッキで厚さ12μmまで銅を析出させた。その後、フォトレジストを全面に塗布し、露光、現像し、ビアホール以外の部分の銅をエッチング除去した後、離型性フィルムを除去して絶縁層に対してビアホール内壁に銅メッキ層を施したビアホール導体を形成した。
【0075】
2)ビアホールを形成した上記基板を錫−パラジウム水溶液の触媒溶液中に浸漬して離型性フィルム表面およびビアホール内壁に触媒を塗布した後、離型性フィルム表面の触媒を除去した。そして、この基板を硫酸銅、ホルマリン、水酸化ナトリウム、キレート剤、添加剤からなる70℃の無電解メッキ液中に24時間浸漬して、ビアホールの内壁のみに25μmの厚さで銅を析出充填した。
【0076】
メッキの盛り上がった部分をバフ研磨した後、離型性フィルムを剥離して一般にフィルドビア(filled−via)と呼ばれる銅メッキでホール内を充填したビアホール導体を形成した。
【0077】
さらに、上記絶縁層形成、配線回路層形成、ビアホール形成、金属メッキ層形成を繰り返して施し、コア基板の両面にそれぞれ3層の配線回路層を有する計6層の配線回路層を有する多層配線基板を形成した。なお、メッキ処理を上記1)電解メッキ法によるものを多層配線基板X、上記2)無電解メッキ法によるものを多層配線基板Yとした。
実施例2
コア基板としてポリフェニレンエーテル(PPE樹脂)系プリプレグを用意した。このプリプレグにCO2レーザーでビアホール加工し、次いでビアホール部に導電性ペーストを充填した。さらにこのプリプレグに、予め樹脂フィルム表面に銅箔をエッチングして形成した配線回路層を転写させた。そして、このプリプレグを3層仮積層して未硬化のコア基板を作製した。
【0078】
絶縁層としてPPE樹脂を用い、さらに無機フィラーとして球状シリカを用い、これらをPPE樹脂:無機フィラーが体積比で55:45となる組成物を用い、これをドクターブレード法によって厚さ120μmの半硬化状態の絶縁層を作製し、これを前記コア基板の両面に接着した。以後は上記実施例と同様に試料を作製した。
比較例
通常のプリント配線板からなるコア基板の表面に、以下の方法によりビルドアップ法によって多層配線層を形成した。まず、コア基板の表面に感光性エポキシ樹脂が塗布されたエポキシ樹脂付き各種銅箔を熱ロールで貼りつけた後、露光現像してビアホールを形成した。そして、全面に20μmの銅メッキを無電解メッキ法によって施してビアホール導体を形成した後、全面に再度ドライフィルムレジストを貼りつけ、露光現像を行って、塩化第2鉄溶液で不要部分をエッチング除去した。この一連の工程を繰り返し、コア基板の両面にそれぞれ3層の配線回路層を有する計6層の配線回路層を有する多層配線基板を形成した。
(評価)
上記のいずれかの方法により多層配線層を形成した多層配線基板に対して、その表面のうねりを触針式表面粗さ計により測定し、基板表面の平坦度を測定した。また、この基板を−65℃×30分と125℃×30分の温度サイクルを500回繰り返した後のコア基板と多層配線層との断面観察を行い、コア基板と多層配線層との接続状態を観察した。また、配線の初期導通抵抗を測定し、また上記温度サイクル後の抵抗を測定しその変化率を算出した。
【0079】
その結果、平坦度は、実施例1、実施例2のいずれも多層配線基板Xが7μm、多層配線基板Yが9μmと良好であったのに対して、ビルドアップ法による比較例の多層配線基板では、銅メッキ層の厚みにムラもあり、平坦度が35μmと大きくフリップチップ実装には不適なものであった。なお、初期導通抵抗は、いずれの基板も3×10−8Ωと良好であった。熱サイクル試験後の抵抗の変化は、本発明の実施例1および実施例2の配線基板がいずれも2%以下であり、比較例の基板は4%と大きいものであった。
【0080】
さらに、熱サイクル試験後の試料を切断して断面を研磨し、観察した結果、比較例の基板は全てにコア基板とビルドアップ層の絶縁層との界面に剥離が認められた。本発明の基板は実施例1の基板10個中1個にわずかな剥離が認められた。なお、実施例2の基板には剥離は全く認められなかった。
【0081】
【発明の効果】
以上詳述したように、本発明によれば、基板表面の平坦性に優れるとともにビアホール導体の低抵抗化を同時に達成することができ、半導体素子のフリップチップ実装に適した多層配線基板を得ることができる。
【0082】
また、本発明の製造方法によれば、従来のビルドアップ法などに比較して非常に簡単な工程にて多層配線層を形成できる他、配線回路層間を接続するためのビアホールをレーザー加工とホール内壁へのメッキによって形成することにより、絶縁層に感光性を付与する必要がなく、ガラス転移点が高く、吸水率の小さいなどの材料特性に優れた任意の絶縁材料を選定できるとともに、ホール径の小さなビアホール導体をも容易に形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の多層配線基板の製造方法の一例を説明するための工程図である。
【図2】本発明の多層配線基板の多層配線層におけるレーザー光によるビアホール形成時の構造について説明するための概略図であり、(a)は本発明品、(b)は比較品を示す。
【図3】本発明の多層配線基板における第2の配線回路層のパターン図である。
【図4】本発明の多層配線基板の他の例を説明するための概略断面図である。
【図5】本発明の多層配線基板のさらに他の例を説明するための概略断面図である。
【図6】従来のベース+ビルドアップ法を説明するための工程図である。
【符号の説明】
A コア基板
B 配線層
C 多層配線基板
1 絶縁基板
2 第1の配線回路層
3 絶縁層
4 第2の配線回路層
5 樹脂フィルム
6 離型性フィルム
7 ビアホール
8 金属メッキ層
9 ビアホール導体
Claims (5)
- (a)絶縁基板表面に第1の配線回路層が被着形成されてなるコア基板の表面に、熱硬化性樹脂を含有する軟質の絶縁層を形成する工程と、(b)該絶縁層の表面に金属箔によって形成された第2の配線回路層を被着形成するとともに、前記第2の配線回路層を前記絶縁層表面に埋設する工程と、(c)前記第2の配線回路層が被着形成された絶縁層の表面に離型性フィルムを貼り付けた後、加熱することによって前記絶縁層を熱硬化する工程と、(d)レーザー光の照射によって前記第2の配線回路層が被着形成された前記絶縁層を貫通し、前記第1の配線回路層に到達するビアホールを形成する工程と、(e)前記ビアホールの内壁に金属メッキ層を形成し、前記第1の配線回路層と前記第2の配線回路層とを電気的に接続する工程と、を具備する多層配線基板の製造方法。
- 前記(c)工程における離型性フィルムが、ふっ化エチレンを含有するフィルムであることを特徴とする請求項1記載の多層配線基板の製造方法。
- 前記(d)工程において、前記絶縁層の表面に離型性フィルムを貼り付けた後、前記レーザー光の照射によって前記離型性フィルムおよび前記絶縁層を貫通し、前記第1の配線回路層に達するビアホールを形成する請求項1又は2記載の多層配線基板の製造方法。
- 前記(e)工程において、前記離型性フィルムをメッキレジストとして用いることによって前記ビアホール内およびその付近のみに金属メッキ層を形成した後、前記離型性フィルムを剥がすことを特徴とする請求項1乃至3のうちいずれかに記載の多層配線基板の製造方法。
- 前記離型性フィルムが、透明または半透明であって、前記第2の配線回路層が、レーザー光によるビアホール形成箇所を画像認識できるマークを有し、このマークによりレーザー光の照射位置を補正することを特徴とする請求項1乃至4のうちいずれかに記載の多層配線基板の製造方法。
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