CN109346415B - 封装结构选择性包封的封装方法及封装设备 - Google Patents

封装结构选择性包封的封装方法及封装设备 Download PDF

Info

Publication number
CN109346415B
CN109346415B CN201811102238.XA CN201811102238A CN109346415B CN 109346415 B CN109346415 B CN 109346415B CN 201811102238 A CN201811102238 A CN 201811102238A CN 109346415 B CN109346415 B CN 109346415B
Authority
CN
China
Prior art keywords
protection
encapsulated
packaging
area
component
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201811102238.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN109346415A (zh
Inventor
王杰
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
JCET Group Co Ltd
Original Assignee
Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co Ltd filed Critical Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co Ltd
Priority to CN201811102238.XA priority Critical patent/CN109346415B/zh
Priority to PCT/CN2019/072852 priority patent/WO2020057035A1/zh
Priority to US17/275,171 priority patent/US11784063B2/en
Publication of CN109346415A publication Critical patent/CN109346415A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN109346415B publication Critical patent/CN109346415B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/565—Moulds
    • H01L21/566—Release layers for moulds, e.g. release layers, layers against residue during moulding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/568—Temporary substrate used as encapsulation process aid
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/561—Batch processing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67126—Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

本发明提供了一种封装结构选择性包封的封装方法及封装设备，所述方法包括：S1、提供一基板；S2、于所述基板上贴装元器件，所述元器件包括：需要包封的元器件以及无需包封的元器件；S3、于所述无需包封的元器件区域形成保护结构以形成隔离所述无需包封的元器件的保护区域及位于所述保护区域外侧的包封区域；S4、于包封区域填充注塑料；S5、除去所述保护结构。本发明的封装结构选择性包封的封装方法及封装设备，可根据需要自调节选择性地包封封装结构的任一部分，操作简单，简化工艺流程。

Description

封装结构选择性包封的封装方法及封装设备
技术领域
本发明涉及半导体封装技术领域，尤其涉及一种封装结构选择性包封的封装方法及封装设备。
背景技术
随着用户需求的增长，对于芯片的包封需求有所改变，以前是需要对整条基板进行包封，目前有些产品仅需要对基板上的部分元器件进行包封；而对于该种需求，现有技术中，需要多次作业以完成用户需求，降低包封效率，提升包封成本。
发明内容
本发明的目的在于提供一种封装结构选择性包封的封装方法及封装设备。
为了实现上述发明目的之一，本发明提供了一种封装结构选择性包封的封装方法，所述方法包括：S1、提供一基板；
S2、于所述基板上贴装元器件，所述元器件包括：需要包封的元器件以及无需包封的元器件；
S3、于所述无需包封的元器件区域形成保护结构以形成隔离所述无需包封的元器件的保护区域及位于所述保护区域外侧的包封区域；
S4、于包封区域填充注塑料；
S5、除去所述保护结构。
作为本发明一实施方式的进一步改进，所述步骤S3具体包括：
于所述无需包封的元器件的外表面贴装保护膜；
于所述保护膜的外侧形成临时保护罩以形成隔离所述无需包封的元器件的保护区域及位于所述保护区域外侧的包封区域。
作为本发明一实施方式的进一步改进，“于所述保护膜的外侧形成临时保护罩”具体包括：
于所述保护膜的外侧形成临时保护罩，所述临时保护罩与所述基板之间围设形成一密封腔室，所述密封腔室接触所述保护膜或与所述保护膜之间具有间隙。
作为本发明一实施方式的进一步改进，“于所述保护膜的外侧形成临时保护罩”具体包括：
对应每一无需包封元器件分别在其外侧形成独立的临时保护罩以形成保护区域；
或对应相邻设置的无需包封元器件在其外侧形成同一临时保护罩以形成保护区域。
作为本发明一实施方式的进一步改进，所述步骤S4后，所述方法还包括：
于所述封装区域的外表面溅镀金属层；
或于所述封装区域的外表面和保护区域同时溅镀金属层。
作为本发明一实施方式的进一步改进，若于所述保护区域外侧及封装区域的外侧同时溅镀金属层，则所述步骤S5还包括：
除去所述保护结构时，除去保护区域溅镀的金属层。
为了实现上述发明目另一，本发明提供了一种封装结构选择性包封的封装设备，包括：基台，用于承载基板，所述基板上贴装有需要包封的元器件以及无需包封的元器件；
保护结构生成单元，用于于所述无需包封的元器件区域形成保护结构以形成隔离所述无需包封的元器件的保护区域及位于所述保护区域外侧的包封区域；
注塑单元，用于于包封区域填充注塑料；
以及拆除单元，用于在包封完成后，除去所述保护结构。
作为本发明一实施方式的进一步改进，所述保护结构生成单元具体用于于所述无需包封的元器件的外表面贴装保护膜；
于所述保护膜的外侧形成临时保护罩以形成隔离所述无需包封的元器件的保护区域及位于所述保护区域外侧的包封区域。
作为本发明一实施方式的进一步改进，所述封装设备还包括：屏蔽层生成单元；
所述屏蔽层生成单元用于于所述封装区域的外表面溅镀金属层；
或于所述封装区域的外表面和保护区域同时溅镀金属层。
作为本发明一实施方式的进一步改进，当通过屏蔽层生成单元于所述封装区域的外表面和保护区域同时溅镀金属层后，所述拆除单元还用于在除去所述保护结构时，除去保护区域溅镀的金属层。
本发明的有益效果是：本发明的封装结构选择性包封的封装方法及封装设备，可根据需要自调节选择性地包封封装结构的任一部分，操作简单，简化工艺流程。
附图说明
图1是本发明第一实施方式提供的封装结构选择性包封的封装方法的流程示意图；
图2、图3分别为对应本发明图1所示封装方法的步骤示意图；
图4是本发明一实施方式中上模具的结构示意图；
图5是本发明第二实施方式提供的封装结构选择性包封的封装方法的流程示意图；
图6为对应本发明图5所示封装方法的步骤示意图；
图7是本发明第三实施方式提供的封装结构选择性包封的封装方法的流程示意图；
图8为对应本发明图7所示封装方法的步骤示意图；
图9是本发明第一实施方式提供的封装结构选择性包封的封装设备的模块示意图。
具体实施方式
以下将结合附图所示的实施例对本发明进行详细描述。但这些实施例并不限制本发明，本领域的普通技术人员根据这些实施例所做出的结构或功能上的变换均包含在本发明的保护范围内。
参图1、图2、图3所示，本发明第一实施方式提供的封装结构选择性包封的封装方法，所述封装方法包括：
S1、提供一基板10；所述基板通常可为PCB板，其一侧涂覆有焊锡或粘结剂等，以用于贴装元器件。
S2、于所述基板10上贴装元器件20，所述元器件包括：需要包封的元器件21以及无需包封的元器件23；
封装结构通常包括：基板10，设置于所述基板上方的元器件20，以及用于封装所述元器件的塑封料；根据封装结构的具体应用环境，设置于所述基板10上方的元器件20分为两类，需要包封的元器件21以及无需包封的元器件23；通常情况下，所述元器件为功能芯片和无源器件，所述功能芯片为有源电子元件，需要能量的来源而实现它特定的功能，一般用来信号的放大、转换等；所述无源器件是在不需要外加电源的条件下，就可以显示其特性的电子元件，主要是电阻类、电感类和电容类器件，它们的共同特点是在电路中无需加电源即可在有信号时工作，例如：电阻，电容，电感，转换器，渐变器，匹配网络，谐振器，滤波器，混频器和开关等。
S3、于所述无需包封的元器件23区域形成保护结构以形成隔离所述无需包封的元器件23的保护区域及位于所述保护区域外侧的包封区域；
本发明较佳实施方式中，于所述无需包封的元器件23的外表面贴装保护膜30；于所述保护膜30的外侧形成临时保护罩40以形成隔离所述无需包封的元器件23的保护区域及位于所述保护区域外侧的包封区域；
所述无需包封的元器件23的外表面包括：无需包封的元器件23的侧缘及上表面，即保护结构将所述无需包封的元器件23与外部空间完全隔离。
可以理解的是，所述保护结构也可以仅为保护膜，或者仅为保护罩，亦或是将无需包封的元器件23与外部隔离的其他结构，在此不做详细赘述。
进一步的，本发明较佳实施方式中，于所述保护膜的外侧形成临时保护罩具体包括：于所述保护膜30的外侧形成临时保护罩40，所述临时保护罩40与所述基板10之间围设形成一密封腔室，所述密封腔室接触所述保护膜30或与所述保护膜30之间具有间隙，如此设置的临时保护罩40可以起到双重保护的作用，所述临时保护罩40可防止水汽、塑封料等进入密封腔室，以避免污染无需包封的元器件23，其与无需包封的元器件23之间具有间隙时可以避免损坏无需包封的元器件23，且通过保护罩的体积灵活控制保护区域的尺寸。
本发明一具体实施方式中，所述保护膜30为曝光显影保护膜，其材质例如光阻材料；相应的，可通过影像识别技术自动识别保护膜30，以确定保护区域的位置，并进一步的在保护膜30的外侧形成临时保护罩40。
所述保护罩40罩设于所述保护区域上且可为可拆卸连接的金属隔板。如图2所示，本发明一可实现方式中，设置一模具50，包封结构包封过程中，该模具50处于基板10的上方，该模具50具有影像识别功能，并在识别所述保护区域后，在其对应位置加设临时保护罩40，以实现选择性包封。
如图3、图4所示，所述模具50包括：框架，所述框架具有交错排布的横框51和竖框53，所述横框51和竖框53之间形成若干个大小相同的容置孔55，每个容置孔55中设置一可沿容置孔55延伸方向自由移动的保护块57；至少一个保护块57下落后形成保护罩40；所述模具50还包括支撑结构，用于将模具50固定于所述基板10上方；影像识别单元，用于识别保护区域；以及控制单元，用于控制影像识别单元启动，以及控制保护块57沿所述容置孔55的延伸方向移动。
该具体实施方式中，控制单元控制影像识别单元，当通过影像识别单元识别出保护区域后，控制单元进一步控制位于保护区域周侧的保护块下落，以形成保护罩罩设所述保护区域；当包封完成时，控制单元控制下落的保护块上升，并收回至其对应的容置孔中，以除去保护区域对应的保护罩40。
当然，在本发明的其他实施方式中，还有多种结构可以实现本实施方式中模具的功能，在此不做详细赘述。
另外，结合图2、图3所示，本发明一较佳实施方式中，所述方法还包括：对应每一无需包封元器件23分别在其外侧形成独立的临时保护罩40以形成保护区域；或对应相邻设置的无需包封元器件23在其外侧形成同一临时保护罩40以形成保护区域。
进一步的，所述步骤S3后，所述方法还包括：S4、于包封区域填充注塑料；
本发明具体实施方式中，所述模具50下底面距离所述基板10上贴装元器件20一面的高度等于包封结构的包封厚度，并在保护块57下落至基板10上时，所述基板10与模具50之间形成若干空隙，如此，可以在基板10与所述模具50形成的空隙间直接填充注塑料60进行包封。
S5、除去所述保护结构。
本发明上述具体示例中，所述保护结构保护保护罩40及保护膜30，除去保护结构时，需要依照安装顺序倒序除去各种保护结构，该示例中，需要先除去保护罩40，再除去保护膜30。
本发明较佳实施方式中，采用模具50在基板10形成临时保护罩，此时，可控制保护块57上升，并收容于容置孔55内，即可以除去基板上的临时保护罩40；当然，也可以采用将模具50移除的方式除去基板10上的临时保护罩40。
本发明可选实施方式中，可以采用化学溶剂清除的方式去除无需包封的元器件23上的保护膜30；本发明具体示例中，通过曝光显影技术除去所述无需包封的元器件23表面贴装的保护膜30以形成封装结构。
结合图5、图6所示，本发明第二实施方式的封装结构选择性包封的封装方法，其与第一实施方式的封装结构选择性包封的封装方法相类似，其区别在于，该第二实施方式的封装结构中，包封的元器件21需要做电磁屏蔽。
相应的，该第二实施方式在第一实施方式的封装结构选择性包封的封装方法基础上加以改进。该第二实施方式中，在第一实施方式中步骤S4后增加步骤P1，所述步骤P1包括：于所述封装区域的外侧溅镀金属层70。
可理解的是，该第二实施方式，所述步骤P1，即可以在步骤S4、S5之间执行，也可以在步骤S5之后执行，其执行的先后顺序，并不会影响最终获得的封装结构，在此不做进一步的赘述。
结合图7、图8所示，本发明第三实施方式的封装结构选择性包封的封装方法，其与第二实施方式的封装结构选择性包封的封装方法相类似，其同样在第一实施方式的基础上加以改进，且包封的元器件21同样需要做电磁屏蔽。
其与第二实施方式的区别在于，封装结构中的元器件21做电磁屏蔽过程中，其溅镀金属层的位置略有调整，该实施方式中，以第一实施方式为基础，所述步骤S4后，包括步骤M1、于所述封装区域的外表面和保护区域同时溅镀金属层70。进一步的，所述步骤S5具体包括：除去所述保护结构时，除去保护区域溅镀的金属层70。
该第三实施方式与第二实施方式相类似的是，溅镀金属层即可以在除去保护结构之前进行，也可以在其之后进行，相应的，除去金属层的顺序也会相应调整，在此不做进一步的赘述。
结合图9所示，本发明一实施方式提供的封装结构选择性包封的封装设备包括：基台100、保护结构生成单元200、注塑单元300、拆除单元400。
基台100用于承载基板，所述基板上贴装有需要包封的元器件以及无需包封的元器件。
保护结构生成单元用于于所述无需包封的元器件区域形成保护结构以形成隔离所述无需包封的元器件的保护区域及位于所述保护区域外侧的包封区域；
本发明较佳实施方式中，保护结构生成单元于所述无需包封的元器件的外表面贴装保护膜；于所述保护膜的外侧形成临时保护罩以形成隔离所述无需包封的元器件的保护区域及位于所述保护区域外侧的包封区域。
进一步的，本发明较佳实施方式中，保护结构生成单元于所述保护膜的外侧形成临时保护罩，所述临时保护罩与所述基板之间围设形成一密封腔室，所述密封腔室接触所述保护膜或与所述保护膜之间具有间隙，如此设置的临时保护罩可以起到双重保护的作用，所述临时保护罩可防止水汽、塑封料等进入密封腔室，以避免污染无需包封的元器件，其与无需包封的元器件之间具有间隙时可以避免损坏无需包封的元器件，且通过保护罩的体积灵活控制保护区域的尺寸。
本发明一较佳实施方式中，保护结构生成单元用于还用于对应每一无需包封元器件分别在其外侧形成独立的临时保护罩以形成保护区域；或对应相邻设置的无需包封元器件在其外侧形成同一临时保护罩以形成保护区域。
注塑单元300用于于包封区域填充注塑料。
拆除单元400用于除去所述保护结构。
进一步的，所述封装设备还可以选择性的包括：屏蔽层生成单元500，屏蔽层生成单元500用于于所述封装区域的外侧溅镀金属层70；或于所述封装区域的外表面和保护区域同时溅镀金属层。
当通过屏蔽层生成单元500于所述封装区域的外表面和保护区域同时溅镀金属层后，所述拆除单元400还用于在除去所述保护结构时，除去保护区域溅镀的金属层。
综上所述，本发明的封装结构选择性包封的封装方法及封装设备，可根据需要自调节选择性地包封封装结构的任一部分，操作简单，简化工艺流程。
所属领域的技术人员可以清楚地了解到，为描述的方便和简洁，上述描述的系统的具体工作过程，可以参考前述方法实施方式中的对应过程，在此不再赘述。
应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施方式中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。
上文所列出的一系列的详细说明仅仅是针对本发明的可行性实施方式的具体说明，它们并非用以限制本发明的保护范围，凡未脱离本发明技艺精神所作的等效实施方式或变更均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (8)

1.一种封装结构选择性包封的封装方法，其特征在于，包括：
S1、提供一基板；
S2、于所述基板上贴装元器件，所述元器件包括：需要包封的元器件以及无需包封的元器件；
S3、于所述无需包封的元器件区域形成保护结构以形成隔离所述无需包封的元器件的保护区域及位于所述保护区域外侧的包封区域；
S4、于包封区域填充注塑料；
S5、除去所述保护结构；
其中，所述步骤S3具体包括：
于所述无需包封的元器件的外表面贴装保护膜；
于所述保护膜的外侧形成临时保护罩以形成隔离所述无需包封的元器件的保护区域及位于所述保护区域外侧的包封区域。
2.根据权利要求1所述的封装结构选择性包封的封装方法，其特征在于，“于所述保护膜的外侧形成临时保护罩”具体包括：
于所述保护膜的外侧形成临时保护罩，所述临时保护罩与所述基板之间围设形成一密封腔室，所述密封腔室接触所述保护膜或与所述保护膜之间具有间隙。
3.根据权利要求1所述的封装结构选择性包封的封装方法，其特征在于，“于所述保护膜的外侧形成临时保护罩”具体包括：
对应每一无需包封元器件分别在其外侧形成独立的临时保护罩以形成保护区域；
或对应相邻设置的无需包封元器件在其外侧形成同一临时保护罩以形成保护区域。
4.根据权利要求1所述的封装结构选择性包封的封装方法，其特征在于，所述步骤S4后，所述方法还包括：
于所述包封区域的外表面溅镀金属层；
或于所述包封区域的外表面和保护区域同时溅镀金属层。
5.根据权利要求4所述的封装结构选择性包封的封装方法，其特征在于，若于所述保护区域外侧及包封区域的外侧同时溅镀金属层，则所述步骤S5还包括：
除去所述保护结构时，除去保护区域溅镀的金属层。
6.一种用于封装结构选择性包封的封装设备，其特征在于，包括：
基台，用于承载基板，所述基板上贴装有需要包封的元器件以及无需包封的元器件；
保护结构生成单元，用于于所述无需包封的元器件区域形成保护结构以形成隔离所述无需包封的元器件的保护区域及位于所述保护区域外侧的包封区域；
注塑单元，用于于包封区域填充注塑料；
以及拆除单元，用于在包封完成后，除去所述保护结构；
其中，所述保护结构生成单元具体用于于所述无需包封的元器件的外表面贴装保护膜；
于所述保护膜的外侧形成临时保护罩以形成隔离所述无需包封的元器件的保护区域及位于所述保护区域外侧的包封区域。
7.根据权利要求6所述的用于封装结构选择性包封的封装设备，其特征在于，所述封装设备还包括：屏蔽层生成单元；
所述屏蔽层生成单元用于于所述包封区域的外表面溅镀金属层；
或于所述包封区域的外表面和保护区域同时溅镀金属层。
8.根据权利要求7所述的用于封装结构选择性包封的封装设备，其特征在于，当通过屏蔽层生成单元于所述包封区域的外表面和保护区域同时溅镀金属层后，所述拆除单元还用于在除去所述保护结构时，除去保护区域溅镀的金属层。
CN201811102238.XA 2018-09-20 2018-09-20 封装结构选择性包封的封装方法及封装设备 Active CN109346415B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811102238.XA CN109346415B (zh) 2018-09-20 2018-09-20 封装结构选择性包封的封装方法及封装设备
PCT/CN2019/072852 WO2020057035A1 (zh) 2018-09-20 2019-01-23 封装结构选择性包封的封装方法及封装设备
US17/275,171 US11784063B2 (en) 2018-09-20 2019-01-23 Packaging method and packaging device for selectively encapsulating packaging structure

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811102238.XA CN109346415B (zh) 2018-09-20 2018-09-20 封装结构选择性包封的封装方法及封装设备

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109346415A CN109346415A (zh) 2019-02-15
CN109346415B true CN109346415B (zh) 2020-04-28

Family

ID=65306294

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811102238.XA Active CN109346415B (zh) 2018-09-20 2018-09-20 封装结构选择性包封的封装方法及封装设备

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11784063B2 (zh)
CN (1) CN109346415B (zh)
WO (1) WO2020057035A1 (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111128764A (zh) * 2019-12-09 2020-05-08 青岛歌尔微电子研究院有限公司 共形屏蔽方法
CN116598242A (zh) * 2023-04-26 2023-08-15 深圳市博辉特科技有限公司 一种芯片倒膜设备

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101728281A (zh) * 2008-10-15 2010-06-09 三美电机株式会社 电路模块的制造工序
CN103579159A (zh) * 2012-08-08 2014-02-12 台湾积体电路制造股份有限公司 封装组件及其形成方法
CN105609490A (zh) * 2016-03-01 2016-05-25 广东合微集成电路技术有限公司 一种复合传感器模块的封装结构及其制造方法

Family Cites Families (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5884396A (en) * 1997-05-01 1999-03-23 Compeq Manufacturing Company, Limited Transfer flat type ball grid array method for manufacturing packaging substrate
US5882957A (en) * 1997-06-09 1999-03-16 Compeq Manufacturing Company Limited Ball grid array packaging method for an integrated circuit and structure realized by the method
US8330270B1 (en) * 1998-06-10 2012-12-11 Utac Hong Kong Limited Integrated circuit package having a plurality of spaced apart pad portions
US7026710B2 (en) * 2000-01-21 2006-04-11 Texas Instruments Incorporated Molded package for micromechanical devices and method of fabrication
TW561602B (en) * 2002-09-09 2003-11-11 Via Tech Inc High density integrated circuit packages and method for the same
US6667543B1 (en) * 2002-10-29 2003-12-23 Motorola, Inc. Optical sensor package
US7002241B1 (en) * 2003-02-12 2006-02-21 National Semiconductor Corporation Packaging of semiconductor device with a non-opaque cover
FI20031341A (fi) * 2003-09-18 2005-03-19 Imbera Electronics Oy Menetelmä elektroniikkamoduulin valmistamiseksi
CN100356532C (zh) * 2005-03-26 2007-12-19 阎跃军 点胶液态树脂封装方法
FI119714B (fi) * 2005-06-16 2009-02-13 Imbera Electronics Oy Piirilevyrakenne ja menetelmä piirilevyrakenteen valmistamiseksi
US7723146B2 (en) * 2006-01-04 2010-05-25 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit package system with image sensor system
CN101071799A (zh) * 2006-05-11 2007-11-14 松下电器产业株式会社 树脂封装型半导体器件的制造方法及其所用的布线基板
KR100905786B1 (ko) * 2006-06-29 2009-07-02 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자 및 이를 갖는 반도체 패키지
US20100109169A1 (en) * 2008-04-29 2010-05-06 United Test And Assembly Center Ltd Semiconductor package and method of making the same
CN101515621B (zh) * 2009-02-19 2011-03-30 旭丽电子(广州)有限公司 发光二极管芯片、制法及封装方法
US8288293B2 (en) * 2009-04-20 2012-10-16 Sandisk Technologies Inc. Integrated circuit fabrication using sidewall nitridation processes
DE102009029199A1 (de) * 2009-09-04 2011-03-10 Robert Bosch Gmbh Stressentkoppelte Aufbautechnik für substratlose Mold-Packages
TWI422072B (zh) * 2009-12-30 2014-01-01 Au Optronics Corp 上蓋結構及發光元件之封裝結構及發光元件之封裝方法
KR101103336B1 (ko) * 2010-10-19 2012-01-11 광전자 주식회사 광소자 패키지 및 그 제조 방법
KR20140057982A (ko) * 2012-11-05 2014-05-14 삼성전자주식회사 반도체 패키지 및 반도체 패키지의 제조 방법
KR102229202B1 (ko) * 2013-11-07 2021-03-17 삼성전자주식회사 트렌치 형태의 오프닝을 갖는 반도체 패키지 및 그 제조방법
US9780061B2 (en) * 2014-05-26 2017-10-03 Infineon Technologies Ag Molded chip package and method of manufacturing the same
TWI553793B (zh) * 2014-07-24 2016-10-11 光頡科技股份有限公司 陶瓷基板、封裝基板、半導體晶片封裝件及其製造方法
US9806066B2 (en) * 2015-01-23 2017-10-31 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor package including exposed connecting stubs
CN104900599A (zh) * 2015-04-16 2015-09-09 歌尔声学股份有限公司 集成传感器的封装结构和封装方法
KR102388711B1 (ko) * 2015-04-27 2022-04-20 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US10242954B2 (en) * 2016-12-01 2019-03-26 Tdk Corporation Electronic circuit package having high composite shielding effect
US9947552B2 (en) * 2016-04-29 2018-04-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Structure and formation method of chip package with fan-out structure
CN106449545A (zh) * 2016-09-05 2017-02-22 南昌欧菲生物识别技术有限公司 封装结构
WO2018097408A1 (ko) * 2016-11-28 2018-05-31 주식회사 네패스 절연 프레임을 이용한 반도체 패키지 및 이의 제조방법
US10276536B2 (en) * 2017-04-28 2019-04-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Structure and formation method of chip package with fan-out structure
US10714430B2 (en) * 2017-07-21 2020-07-14 Octavo Systems Llc EMI shield for molded packages
CN107706118A (zh) * 2017-09-07 2018-02-16 维沃移动通信有限公司 一种芯片封装方法及芯片封装结构
US10607860B2 (en) * 2017-09-25 2020-03-31 Powertech Technology Inc. Package structure and chip structure
EP3531446B1 (en) * 2018-02-23 2024-04-03 Infineon Technologies Austria AG Semiconductor module, electronic component and method of manufacturing a semiconductor module
CN108448008B (zh) * 2018-04-12 2020-05-01 昆山梦显电子科技有限公司 Oled薄膜封装工艺及oled薄膜封装系统
CN108441839B (zh) * 2018-04-12 2020-11-03 昆山梦显电子科技有限公司 掩膜板及其制备方法和oled薄膜封装工艺
US10529593B2 (en) * 2018-04-27 2020-01-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor package comprising molding compound having extended portion and manufacturing method of semiconductor package
US20190341352A1 (en) * 2018-05-02 2019-11-07 Qualcomm Incorporated Tapered corner package for emi shield
CN110299330A (zh) * 2019-05-29 2019-10-01 宁波芯健半导体有限公司 一种晶圆级芯片的封装结构及封装方法
US11145624B2 (en) * 2019-07-26 2021-10-12 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor device package and method for manufacturing the same

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101728281A (zh) * 2008-10-15 2010-06-09 三美电机株式会社 电路模块的制造工序
CN103579159A (zh) * 2012-08-08 2014-02-12 台湾积体电路制造股份有限公司 封装组件及其形成方法
CN105609490A (zh) * 2016-03-01 2016-05-25 广东合微集成电路技术有限公司 一种复合传感器模块的封装结构及其制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2020057035A1 (zh) 2020-03-26
CN109346415A (zh) 2019-02-15
US11784063B2 (en) 2023-10-10
US20220044942A1 (en) 2022-02-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7480153B2 (en) EMI shielding package and method for making the same
KR100824562B1 (ko) 오버몰드 패키지 및 그 제조 방법
CN104838737B (zh) 用于适形屏蔽的方法和装置
US6628526B1 (en) Electronic device manufacturing method, electronic device and resin filling method
US20070045819A1 (en) Thermal paste containment for semiconductor modules
JP3859318B2 (ja) 電子回路のパッケージ方法
EP1946369B1 (en) Method of packaging semiconductor dies
TWI734422B (zh) 系統級封裝及系統級封裝的組裝方法
US20030102540A1 (en) Method and apparatus for a lead-frame air-cavity package
CN109346415B (zh) 封装结构选择性包封的封装方法及封装设备
CN101804959A (zh) 半导体封装及其制造方法
CN111415913B (zh) 一种具有电磁屏蔽结构的选择性封装sip模组及其制备方法
CN108735716B (zh) 封装结构
TW201419957A (zh) 電子裝置、系統級封裝模組及系統級封裝模組的製造方法
CN103420331A (zh) 腔式半导体封装及其封装方法
CN109378276B (zh) 电子封装模块的制造方法以及电子封装模块
KR20140083084A (ko) 전자파 차폐층을 갖는 반도체 패키지 및 그 제조방법
KR20160091084A (ko) 시스템 인 패키지 모듈
TW201606977A (zh) 電子封裝模組之製造方法以及電子封裝模組結構
KR100871379B1 (ko) 반도체 패키지의 제조방법
WO2018182752A1 (en) Electronic device package
US20150214075A1 (en) Manufacturing method of selective electronic packaging device
JP2001168493A (ja) 電子装置の製造方法及び電子装置
US20170345805A1 (en) Package including stacked die and passive component
JP6205882B2 (ja) 樹脂成形品、および、その製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant