CN105280563A - 具缩减厚度的晶片卡封装装置 - Google Patents
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Abstract
一种具缩减厚度的晶片卡封装装置，其包含：一基板，中央处篓空形成一篓空空间；一上漆层覆盖在该基板的上方，该上漆层的中央处也形成篓空空间；一下漆层覆盖在该基板的下方，该下漆层的中央处也形成篓空空间；一晶片，其上方延伸出数根柱状的金属接点；数根导电柱埋入该基板中，每一导电柱的一端外露于该基板而延伸到基板的篓空空间；一篓空空间的包覆层，充填于该上漆层的篓空空间、该基板的篓空空间、该下漆层的篓空空间，且上下延伸而包覆该晶片的下半部。本发明利用将软板及下漆层篓空的方式，并且将导电柱埋入软板篓空处的最上端，然后将晶片及对应的接点焊接到该导电柱上。而使得该晶片深入该软板及该下漆层的篓空处，减少了整体厚度。
Description
技术领域
本发明是有关于晶片的封装结构，尤其是一种具缩减厚度的晶片卡封装装置。
背景技术
如图1所示，现有的SIM卡，或辅助SIM卡(即俗称的卡贴)封装结构主要包含下列元件：
一基板10＇；该基板10＇为软板所构成。
一上漆层20＇覆盖在该基板10＇的上方。
一下漆层30＇覆盖在该基板10＇的下方；该下漆层30＇的中央处形成篓空空间31＇。
一晶片50＇；其上方延伸出数根柱状的金属接点51＇。
数根导电柱40＇位于该基板10＇的下方，而每一导电柱40＇的一端外露到该下漆层30＇的篓空空间31＇中，该导电柱40＇主要为铜导体，且外层镀上一层金属所构成；导电柱40＇的一端结合该金属接点51＇，较佳的以锡膏将该导电柱40＇与该金属接点51＇焊接在一起。
该导电柱40＇可连接外接导电线80＇而与外部的其他信号接点相连接，而将晶片50＇的讯号，从该晶片50＇、该导电柱40＇及该导电线80＇而传送到外部的接点，或者是装外部接点处的讯号传送入该晶片50＇中。
在一般制程中，该基板10＇的厚度为50μm，该上漆层20＇及该下漆层30＇的厚度各为15μm，该晶片50＇的厚度约为100μm，该导电柱40＇的厚度约为50μm，该金属接点51＇的长度约为10μm，所以由图1中，可以计算出本装置的整体厚度约为15μm+50μm+50μm+10μm+100μm≈230μm。大致约为200μm。此厚度够宽因此影响到以后的安装空间。
所以在制程中希望提出一种崭新的，以解决先前技术上的缺陷。
发明内容
所以本发明的目的是为解决上述现有技术上的问题，本发明中提出一种具缩减厚度的晶片卡封装装置，其能减少整体的厚度。
为达到上述目的本发明中提出一种具缩减厚度的晶片卡封装装置，其包含下列元件：一基板；该基板为软板所构成；该基板的中央处篓空形成一篓空空间；使得该基板的上方及下方相连通；一上漆层覆盖在该基板的上方；该上漆层的中央处也形成篓空空间；其篓空的位置对应该基板的篓空空间；一下漆层覆盖在该基板的下方；该下漆层的中央处也形成篓空空间；其篓空的位置对应该基板的篓空空间；一晶片；其上方延伸出数根柱状的金属接点；数根导电柱埋入该基板中，而每一导电柱的一端外露于该基板而延伸到基板的中央篓空空间；一篓空空间的包覆层，充填于该上漆层的篓空空间、该基板的篓空空间、该下漆层的篓空空间，且上下延伸而包覆该晶片的下半部，以固定该晶片、该金属接点以及该导电柱的外露端，因此可以加强整体的结构强度；其中该导电柱连接外接导电线而与外部的其他信号接点相连接，而将晶片的讯号，从该晶片、该导电柱及该导电线而传送到外部的接点，或者是将外部接点处的讯号传送入该晶片中。
本发明具缩减厚度的晶片卡封装装置，利用将软板及下漆层篓空的方式，并且将导电柱埋入软板篓空处的最上端，然后将晶片及对应的接点焊接到该导电柱上。而使得该晶片深入该软板及该下漆层的篓空处，所以减少了整体的厚度。
由下文的说明可更进一步了解本发明的特征及其优点，阅读时并请参考附图。
附图说明
图1显示现有技术的晶片卡封装结构剖面图。
图2显示本发明的晶片卡封装装置分解图。
图3显示本发明的晶片卡封装装置俯视立体图。
图4显示本发明的晶片卡封装装置仰视立体图。
图5显示本发明的晶片卡封装装置剖面图。
具体实施方式
兹谨就本发明的结构组成，及所能产生的功效与优点，配合图式，举本发明的一较佳实施例详细说明如下。
请参考图2至图5所示，显示本发明的具缩减厚度的晶片卡封装装置，该晶片卡如SIM卡，或辅助SIM卡(即俗称的卡贴)，该结构包含下列元件：
一基板10(如图2所示)；该基板10为软板所构成；该基板10的中央处篓空形成一篓空空间11(如图2所示)；因此使得该基板10的上方及下方相连通；
一上漆层20(如图2所示)覆盖在该基板10的上方；该上漆层20的中央处也形成篓空空间21(如图2所示)；其篓空的位置对应该基板10的篓空空间11；较佳者该上漆层20的篓空空间21的面积大于该基板10的篓空空间11，而且涵盖该基板10的篓空空间11。
一下漆层30(如图2所示)覆盖在该基板10的下方；该下漆层30的中央处也形成篓空空间31(如图2所示)；其篓空的位置对应该基板10的篓空空间31；较佳者该下漆层30的篓空空间31的面积大于该基板10的篓空空间11，而且涵盖该基板10的篓空空间11。
一晶片50(如图2所示)；其上方延伸出数根柱状的金属接点51(如图2所示)。
数根导电柱40(如图2所示)埋入该基板10中，而每一导电柱40的一端外露于该基板10而延伸到基板的中央篓空空间11，该导电柱40主要为铜导体，且外层镀上一层金属所构成；导电柱40的一端结合该金属接点51，较佳者以直接热压的方式将该导电柱40与该金属接点51接合在一起。较佳者该导电柱40的位置位于该基板10的最顶端，但是本发明中该导电柱40的位置并不受限于此一结构，凡是该导电柱40埋入该基板10的结构均落入本发明的权利范围内。
一篓空空间的包覆层60(如图3及图4所示)，其中该篓空空间的包覆层60的材料如环氧树脂(Epoxy)，用于充填该上漆层20的篓空空间21、该基板10的篓空空间11、该下漆层30的篓空空间31，且上下延伸而包覆该晶片50的下半部，因此可以固定该晶片50、该金属接点51以及该导电柱40的外露端，因此可以加强整体的结构强度。
本发明中该导电柱40可连接外接导电线而与外部的其他信号接点相连接，而将晶片50的讯号，从该晶片50、该导电柱40及该导电线而传送到外部的接点，或者是将外部接点处的讯号传送入该晶片50中。
图5中显示在左侧的导电柱40中连接一导电线80，该导电线80穿过该上漆层20，而外露于上漆层20的上表面，以与外侧的信号接点相连接。
另外图5中显示在右侧的导电柱40中连接一导电线80，该导电线80穿过该基板10及该下漆层30，而外露于下漆层30的下表面，以与外侧的信号接点相连接。
一金属环70(如图2所示)从该基板10的下表面沿着该下漆层30的篓空空间31向下延伸而环绕该晶片50及该篓空空间的包覆层60的外环，其作用在于防止该晶片50受到外力的碰撞，因此可以加强整个晶片的结构强度，延长本装置的使用寿命。其中该金属环70可以是以铜箔或其他金属制造的金属环。
该金属环70的制造方式可以在基板10的制造过程中，应用电镀法在基板10上电镀一层环状金属，然后逐次施予电镀而增加整体环状金属厚度，而形成本发明的金属环70。
该金属环70的另一种制造方式为，在基板10上形成一铜箔的圆环，然后在该铜箔的圆环体上再焊接一金属环状，而形成本发明的金属环70。
在一般制程中，该基板10的厚度为50μm，该上漆层20及该下漆层30的厚度各为15μm，该晶片50的厚度约为100μm，该导电柱40的厚度约为12μm，该金属接点51的长度约为10μm，所以由图5中，可以计算出本装置的整体厚度约为15μm+12μm+10μm+100μm=137μm。大致约为150μm，比上述现有技术中的约230μm，已将整体厚度减少约四分之一。
本发明在使用为卡贴时，可以以晶片的一面接触SIM卡，或者以晶片的另一面接触SIM卡。
本发明的优点为，利用将软板及下漆层篓空的方式，并且将导电柱埋入软板篓空处的最上端，然后将晶片及对应的接点焊接到该导电柱上，另外导电柱的厚度由约50μm减为12μm。而使得该晶片深入该软板及该下漆层的篓空处，所以减少了整体的厚度。
综上所述，本发明人性化的体贴设计，相当符合实际需求。其具体改进现有缺失，相较于现有技术明显具有突破性的进步优点，确实具有功效的增进，且非易于达成。本发明未曾公开或揭露于国内与国外的文献与市场上，已符合专利法规定。
上列详细说明是针对本发明的一可行实施例的具体说明，惟该实施例并非用以限制本发明的专利范围，凡未脱离本发明技艺精神所作的等效实施或变更，均应包含于本发明的专利范围中。
Claims (11)
1.一种具缩减厚度的晶片卡封装装置，其包含下列元件：
一基板；该基板为软板所构成；该基板的中央处篓空形成一篓空空间；并使得该基板的上方及下方相连通；
一上漆层覆盖在该基板的上方；该上漆层的中央处也形成篓空空间；其篓空的位置对应该基板的篓空空间；
一下漆层覆盖在该基板的下方；该下漆层的中央处也形成篓空空间；其篓空的位置对应该基板的篓空空间；
一晶片；其上方延伸出数根柱状的金属接点；
数根导电柱埋入该基板中，而每一导电柱的一端外露于该基板而延伸到基板中央的篓空空间；
一篓空空间的包覆层，充填于该上漆层的篓空空间、该基板的篓空空间、该下漆层的篓空空间，且上下延伸而包覆该晶片的下半部，以固定该晶片、该金属接点以及该导电柱的外露端；
其中该导电柱连接外接导电线而与外部的其他信号接点相连接，而将晶片的讯号，从该晶片、该导电柱及该导电线而传送到外部的接点，或者是将外部接点处的讯号传送入该晶片中。
2.如权利要求1所述的具缩减厚度的晶片卡封装装置，其特征在于：其中该晶片卡为SIM卡，或辅助SIM卡。
3.如权利要求1所述的具缩减厚度的晶片卡封装装置，其特征在于：其中至少一该导电柱连接一导电线，该导电线穿过该上漆层，而外露于上漆层的上表面，以与外侧的信号接点相连接；且该导电柱中连接另一导电线，该另一导电线穿过该基板及该下漆层，而外露于下漆层的下表面，以与外侧的信号接点相连接。
4.如权利要求1所述的具缩减厚度的晶片卡封装装置，其特征在于，尚包含：
一金属环从该基板的下表面沿着该下漆层的篓空空间的向下延伸而环绕该晶片及该篓空空间的包覆层的外环。
5.如权利要求4所述的具缩减厚度的晶片卡封装装置，其特征在于：其中该金属环的制造方式为在基板的制造过程中，应用电镀法在基板上电镀一层环状金属，然后逐次施予电镀而增加整体环状金属厚度，而形成所述的金属环。
6.如权利要求4所述的具缩减厚度的晶片卡封装装置，其特征在于：其中该金属环的制造方式为，在基板上形成一铜箔的圆环，然后在该铜箔的圆环体上再焊接一金属环状，而形成所述的金属环。
7.如权利要求1所述的具缩减厚度的晶片卡封装装置，其特征在于：其中该上漆层的篓空空间的面积大于该基板的篓空空间，且该下漆层的篓空空间的面积大于该基板的篓空空间。
8.如权利要求4所述的具缩减厚度的晶片卡封装装置，其特征在于：其中该导电柱为铜导体，且外层镀上一层金属所构成；导电柱的一端结合该金属接点。
9.如权利要求8所述的具缩减厚度的晶片卡封装装置，其特征在于：以直接热压的方式将该导电柱与该金属接点接合在一起。
10.如权利要求8所述的具缩减厚度的晶片卡封装装置，其特征在于：该导电柱的位置位于该基板的最顶端。
11.如权利要求1所述的具缩减厚度的晶片卡封装装置，其特征在于：其中该导电柱为12μm。
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