KR100842948B1 - 반도체 처리용 낱장식 처리 장치 및 방법 - Google Patents

반도체 처리용 낱장식 처리 장치 및 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100842948B1
KR100842948B1 KR1020037009495A KR20037009495A KR100842948B1 KR 100842948 B1 KR100842948 B1 KR 100842948B1 KR 1020037009495 A KR1020037009495 A KR 1020037009495A KR 20037009495 A KR20037009495 A KR 20037009495A KR 100842948 B1 KR100842948 B1 KR 100842948B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
processing
gas
flow path
semiconductor
processing apparatus
Prior art date
Application number
KR1020037009495A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20030074713A (ko
Inventor
히로후미 기타야마
노리아키 마츠시마
Original Assignee
도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 filed Critical 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Publication of KR20030074713A publication Critical patent/KR20030074713A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100842948B1 publication Critical patent/KR100842948B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
    • C30B31/06—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion material in the gaseous state
    • C30B31/14—Substrate holders or susceptors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
    • C30B31/06—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion material in the gaseous state
    • C30B31/16—Feed and outlet means for the gases; Modifying the flow of the gases

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)

Abstract

낱장식 처리 장치(20)는 피처리 기판(W)을 수납하는 처리실(24)내에 설치된 탑재대(40)를 갖는다. 탑재대(40)는 피처리 기판(W)을 탑재하는 열전도성의 탑재면(41)를 갖는다. 탑재대(40)안에는 탑재면(41)을 통해 피처리 기판(W)의 온도를 조정하는 열 매체를 흘리는 유로(50)가 형성된다. 유로(50)에는 냉각 매체와 가열 매체를 선택적으로 공급하는 열 매체 공급부(54)가 접속된다.

Description

반도체 처리용 낱장식 처리 장치 및 방법{CONDUCTOR TREATING SINGLE-WAFER TYPE TREATING DEVICE AND METHOD FOR SEMI-CONDUCTOR TREATING}
본 발명은 산화막 제거, 어닐링, 성막, 에칭, 산화, 확산 등의 반도체 처리를 실시하기 위한 낱장식 처리 장치 및 방법에 관한 것이다. 또한 여기에서 반도체 처리란 반도체 웨이퍼나 LCD 기판 등의 피처리 기판상에 반도체층, 절연층, 도전층 등을 소정의 패턴으로 형성함으로써, 상기 피처리 기판상에 반도체 장치 및 반도체 장치에 접속되는 배선, 전극 등을 포함하는 구조물을 제조하기 위해서 실시되는 여러가지 처리를 의미한다.
반도체 장치를 제조할 때, 반도체 웨이퍼에 대하여 성막, 산화, 확산, 어닐링, 개질, 에칭 등의 각종의 처리가 실시된다. 각 처리 전에, 반도체 웨이퍼 표면에 자연 산화막(웨이퍼가 Si인 경우는 SiO2)이 생성되어 있는 경우가 있고, 이것은 반도체 장치의 전기적 특성이 열화되거나 또는 반도체 장치가 불량품이 되는 원인이 된다. 그래서 각 처리를 실시하기 직전에 반도체 웨이퍼 표면에 부착되어 있는 자연 산화막을 제거하는 처리, 즉 프리클리닝(pre-cleaning)이 실시된다.
일본 특허 공개 제 1990-256235 호에는 프리클리닝 방법의 일례가 개시된다. 이 방법에서는 우선, 반도체 웨이퍼상의 자연 산화막을 승화하기 쉬운 중간체로 변환한다. 다음으로 웨이퍼를 가열함으로써 중간체를 승화시켜 제거한다. 중간체의 형성은 제 1 처리 장치에 있어서 낮은 처리 온도에서 실시하고, 중간체의 승화는 제 2 처리 장치에 있어서 높은 처리 온도에서 실시한다.
발명의 요약
본 발명은 처리 온도가 다른 복수의 반도체 처리를 피처리 기판에 대하여 실시하는 낱장식 처리 장치 및 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 제 1 측면은 반도체 처리용 낱장식 처리 장치로서,
피처리 기판을 수납하는 처리실과, 상기 처리실내를 진공 배기하는 배기계와, 상기 처리실내에 처리 가스를 공급하는 배기계와, 상기 처리실내에 배치되고 또한 상기 피처리 기판을 탑재하는 열전도성 탑재면을 갖는 탑재대와, 상기 탑재면을 거쳐서 상기 피처리 기판의 온도를 조정하는 열 매체를 흘리도록 상기 탑재대내에 형성된 유로와, 상기 유로에 냉각 매체와 가열 매체를 선택적으로 공급하는 열 매체 공급계를 구비한다.
본 발명의 제 2 측면은, 제 1 측면의 장치에서의 낱장식 처리 방법으로서, 상기 냉각 매체를 상기 유로에 공급함으로써 상기 피처리 기판을 제 1 처리 온도로 설정하여 제 1 처리를 실시하는 공정과, 상기 가열 매체를 상기 유로에 공급함으로써 상기 피처리 기판을 상기 제 1 처리 온도 보다도 높은 제 2 처리 온도로 설정하여 제 2 처리를 실시하는 공정을 구비한다.
본 발명의 제 3 측면은, 피처리 기판상의 반도체 산화막을 중간체막으로 변환하는 제 1 처리와, 상기 중간체막을 열분해에 의해 기화시키는 제 2 처리를 실시함으로써, 상기 반도체 산화막을 제거하기 위한 낱장식 처리 장치로서, 피처리 기판을 수납하는 처리실과, 상기 처리실내를 진공 배기하는 배기계와, 상기 제 1 처리에 있어서 상기 반도체 산화막과 반응하여 상기 반도체 산화막을 상기 중간체막으로 변환하기 위한 제 1 처리 가스와, 상기 제 2 처리에 있어서 상기 중간체막의 기화물의 제거를 보조하는 제 2 처리 가스를 상기 처리실내에 선택적으로 공급하는 급기계와, 상기 처리실내에 배치되고 또한 상기 피처리 기판을 탑재하는 열전도성의 탑재면을 갖는 탑재대와, 상기 탑재면을 통해 상기 피처리 기판의 온도를 조정하는 열 매체를 흘리도록 상기 탑재대내에 형성된 유로와, 상기 유로에 냉각 매체와 가열 매체를 선택적으로 공급하는 열 매체 공급계를 구비하며, 상기 냉각 매체는 상기 제 1 처리에 있어서 상기 유로에 공급되고, 상기 가열 매체는 상기 제 2 처리에 있어서 상기 유로에 공급된다.
도 1은 본 발명의 실시형태에 따른 반도체 처리용 낱장식 처리 장치를 나타내는 구성도,
도 2는 도 1에 도시된 장치에서 사용되는 탑재대의 상단 블럭내에 형성된 유로를 나타내는 횡단 평면도,
도 3은 도 1에 도시된 장치에서 사용되는 탑재대의 하단 블럭내에 형성된 보조 유로를 나타내는 횡단 평면도,
도 4는 도 1에 도시된 장치에서의 반도체 웨이퍼(W)상의 산화막을 중간체로 변환하는 저온 처리 공정을 설명하기 위한 도면,
도 5는 도 1에 도시된 장치에서의 중간체를 승화시키기 위한 고온 처리 공정을 설명하기 위한 도면,
도 6은 본 발명의 실시형태에 따른 처리 방법의 흐름을 나타내는 흐름도,
도 7은 본 발명의 다른 실시형태에 따른 반도체 처리용의 낱장식 처리 장치를 나타내는 구성도,
도 8은 본 발명의 또 다른 실시형태에 따른 열 매체 공급부를 나타내는 도면,
도 9는 본 발명의 또 다른 실시형태에 따른 반도체 처리용의 낱장식 처리 장치를 나타내는 구성도,
도 10은 중간체 형성 장치의 모델을 나타내는 구성도,
도 11은 중간체 승화 장치의 모델을 나타내는 구성도.
본 발명자들은 본 발명의 과정에서, 산화막을 중간체로 변환하는 장치의 모델과, 중간체를 승화시키는 장치의 모델을 상정하고, 일본 특허 공개 제 1990 -256235 호에 개시된 프리클리닝 방법을 실시하는 경우에 관해서 검토했다. 도 10 및 도 11은 이 검토에 있어서 사용된 중간체 형성 장치 및 중간체 승화 장치의 모델을 각각 나타내는 구성도이다.
도 10에 나타낸 바와 같이, 처리 장치(1)에 있어서, 진공 흡인 가능한 처리실(2)의 탑재대(4)상에 실리콘 웨이퍼로 이루어진 반도체 웨이퍼(W)를 탑재한다. 웨이퍼(W)의 표면에는 이미 불필요한 자연 산화막이 부착되어 있다. 처리실(2)의 천장에는 13.56MHz의 고주파(RF) 전력에 의해 N2 가스와 H2 가스로 이루어지는 플라즈마를 형성하기 위한 리모트 플라즈마 발생 기구(6)가 배치된다. 이 플라즈마는 수소 라디칼(H*) 및 질소 라디칼(N*)을 형성하기 위해서 이용된다.
탑재대(4)에 냉각수를 흘려 웨이퍼 온도를 15℃ 정도의 비교적 저온으로 유지한다. 감압 상태로 유지된 처리실(2)내에, NF3 가스, 수소 라디칼(H*), 질소 라디칼(N*)을 도입한다. NF3 가스, H* 및 N* 라디칼은 자연 산화막과 반응하고, 자연 산화막은 중간체인 (NH4)2SiF6으로 변환되어, 중간체막(8)이 형성된다.
다음으로 표면에 중간체막(8)이 형성된 반도체 웨이퍼(W)를 처리 장치(1)로부터 취출하여 도 11에 나타낸 다른 처리 장치(10)내로 도입한다. 처리 장치(10)내의 탑재대(12)에는 가열 수단으로서 저항 가열 히터(14)가 배치된다. N2 가스의 감압 분위기하에 있어서, 반도체 웨이퍼(W)를 200℃ 정도의 비교적 고온으로 유지한다. 웨이퍼(W) 표면에 부착되어 있던 중간체막(8)은 열분해하여 기화되고, H2, N2, NH3, SiF4, H2O 가스 등으로 되어 배출된다. 이렇게 하여, 웨이퍼(W)의 표면에서 자연 산화막이 제거된다.
상기 처리 장치(1, 10)는 개개의 기능, 즉 중간체의 형성을 실시하는 기능, 중간체를 승화시키는 기능으로서는 만족스럽다. 그러나 2개의 장치(1, 10)가 필요하다는 점에서, 대폭적인 설비 코스트는 부득이하다. 특히, 복수의 각종 처리 장치를 반송실의 주위에 배치한 클러스터 툴형(cluster tool type)의 설비로서는 반송실에 접속할 수 있는 처리 장치수는 제한된다. 이 때문에 산화막 제거를 실시하기 위해서 2개의 처리 장치를 설치하는 것은 처리 효율면에서도 바람직하지 못하다.
이하에, 이러한 지견에 따라서 구성된 본 발명의 실시형태에 관해서 도면을 참조하여 설명한다. 또한 이하의 설명에 있어서, 대략 동일한 기능 및 구성을 갖는 구성 요소에 관해서는 동일 부호를 붙이고, 중복 설명은 필요한 경우에만 한다.
도 1은 본 발명의 실시형태에 따른 반도체 처리용의 낱장식 처리 장치를 나타내는 구성도이다. 이 장치는 실리콘 웨이퍼 등의 반도체 웨이퍼상에 형성된 산화막을 제거하기 위해 사용된다.
도 1에 나타낸 바와 같이, 처리 장치(20)는 예컨대 알루미늄에 의해 내부가 통 형상으로 형성된 처리실(24)을 갖는다. 처리실(24)의 저부(26)의 중심부에는 관통 구멍(28)이 형성되는 동시에, 주변부에는 배기구(30)가 형성된다. 배기구(30)에는 진공 흡인 펌프 등을 포함하는 진공 배기부(32)가 접속되어 처리실(24)내가 진공 배기 가능해진다. 배기구(30)는 복수 개, 예컨대 등간격으로 동일 원주상에 4개 형성되고, 진공 배기부(32)에 공통으로 접속된다.
처리실(24)의 측부에는 진공 흡인 가능한 반송실(36)에 접속된 웨이퍼 반출 포트(34)가 형성된다. 처리실(24)과 반송실(36) 사이에는 포트(34)를 개폐하는 게이트 밸브(38)가 배치된다. 또한 반송실(36) 대신에 로드록실을 배치하는 경우도 있다.
처리실(24)내에는 열전도성 재료, 예컨대 표면이 알루마이트 처리된 알루미늄제의 원판 형상의 탑재대(40)가 설치된다. 탑재대(40)의 상면인 열전도성의 탑재면(41)상에, 실리콘 웨이퍼 등의 반도체 웨이퍼(W)가 탑재된다. 탑재대(40)의 하면 중앙부에는 하방으로 연장되는 중공 원통형상의 다리부(42)가 일체적으로 형성된다. 다리부(42)의 하단은 처리실 저부(26)의 관통 구멍(28)의 주변부에, O링 등의 시일 부재(44)를 거쳐서, 볼트 등에 의해 기밀하게 장착 고정된다. 다리부(42)내의 공간은 처리실(24) 외측 주위의 분위기에 연통되고, 또한 처리실(24)내에 대하여 기밀하게 격리된다.
탑재대(40)는 별체로 또한 접합된 상하 2단의 블럭, 즉 얇은 원판형상의 상단 블럭(40A)과, 얇은 원판형상의 하단 블럭(40B)으로 형성된다. 양 블럭(40A, 40B)은 각각 2cm 정도의 두께로 설정된다. 양 블럭(40A, 40B)의 접합부에는 그 주변부를 따라 O링 등의 시일 부재(46)가 개재된다. 시일 부재(46)는 양 블럭(40A, 40B) 사이에 형성되는 미세한 간극(48)을 처리실(24)내의 분위기로부터 기밀하게 격리한다.
도 2는 탑재대(40)의 상단 블럭(40A)내에 형성된 유로를 나타내는 횡단 평면도이다. 도 3은 탑재대(40)의 하단 블럭(40B)내에 형성된 보조 유로를 나타내는 횡단 평면도이다. 상단 블럭(40A)의 유로(50)는 단면이 예컨대 사각형 형상이고, 상단 블럭(40A)의 전역에 걸쳐 예컨대 1 내지 2 바퀴 정도, 마치 감기도록 형성된다. 하단 블럭(40B)의 보조 유로(52)는 단면이 예컨대 사각형 형상이고, 하단 블럭(40B)의 전역에 걸쳐 예컨대 1 내지 2 바퀴 정도, 마치 감기도록 형성된다. 또한 이러한 유로(50, 52)의 감긴 횟수는 상술한 것에 한정되지 않고, 더 많이 설정할 수도 있다.
상단 블럭(40A)의 유로(50)에는 열 매체 공급부(54)가 접속된다. 열 매체 공급부(54)는 저온 처리를 실시하기 위한 냉각 매체와 고온 처리를 실시하기 위한 가열 매체를 유로(50)에 대하여 선택적으로 공급한다. 냉각 매체 및 가열 매체는 공통의 불활성 가스, 예컨대 질소 가스로부터 형성되고, 질소 가스의 온도를 변경함으로써, 냉각과 가열의 쌍방을 실시한다.
구체적으로는 유로(50)의 입구(50A)에는 하단 블럭(40B)에 형성한 관통 구멍(56)을 통해 공급 라인(58)이 접속된다. 유로(50)의 출구(50B)에는 하단 블럭(40B)에 형성한 관통 구멍(60)을 통해 배출 라인(62)이 접속된다. 공급 라인(58)은 질소 가스원(64)에 접속되는 동시에, 2개로 분기되고, 한쪽 라인에는 냉각기(66)가 배치되고, 다른쪽 라인에는 가열기(68)가 배치된다. 냉각기(66)는 질소 가스를 -5℃ 내지 40℃, 바람직하게는 5℃ 내지 20℃로 냉각하여 공급한다. 가열기(68)는 질소 가스를 100℃ 내지 400℃, 바람직하게는 150℃ 내지 250℃로 가열하여 공급한다.
공급 라인(58)의 분기점에는 각각 예컨대 3방 밸브로 이루어지는 전환 밸브(70, 72)가 배치되고, 냉각 또는 가열된 열 매체가 유로(50)에 선택적으로 공급된다. 가스원(64)과 전환 밸브(70) 사이에서, 공급 라인(58)에는 개폐 밸브(74) 및 매스플로우 컨트롤러와 같은 유량 제어기(76)가 순차 배치된다. 또한 질소 가스는 순환 사용하여도 좋다.
하단 블럭(40B)의 보조 유로(52)에는 냉각액 공급부(80)가 접속된다. 냉각액은 탑재대(40)의 온도 하강을 촉진시킬 때에 보조 유로(52)에 공급된다. 냉각액으로서는 예컨대 냉각수 등의 열용량이 큰 액체가 사용된다. 구체적으로는, 보조 유로(52)의 입구(52A)에는 공급 라인(82)이 접속된다.
보조 유로(52)의 출구(52B)에는 배출 라인(84)이 접속된다. 양 라인(82, 84)은 냉각액을 저장하는 동시에 압송하는 냉각액원(86)에 접속되어, 냉각수를 순환 사용한다. 공급 라인(82)에는 냉각액을 -5℃ 내지 40℃, 바람직하게는 0℃ 내지 20℃로 냉각하는 냉각기(88)와 개폐 밸브(90)가 순차 배치된다.
상단 블럭(40A)과 하단 블럭(40B)의 접합부의 미세한 간극(48)에는 이것에 불활성 가스, 예컨대 헬륨 가스로 이루어지는 열 전달 가스를 공급하기 위한 열 전달 가스 공급부(92)가 접속된다. 구체적으로는 간극(48)과 헬륨원(96)은 가스 라인(94)을 통해 접속된다. 가스 라인(94)에는 개폐 밸브(98) 및 매스플로우 컨트롤러와 같은 유량 제어기(100)가 순차 배치된다. 또한 헬륨 가스 대신에 아르곤 가스를 사용하여도 좋다.
탑재대(40)의 하방에는 복수개, 예컨대 3개의 L자 형상의 리프터 핀(102)(도 1에서는 2개만을 나타냄)이 상방으로 기립하여 배치된다. 리프터 핀(102)의 기부는 링(104)에 공통으로 접속된다. 링(104)은 처리실 저부(26)에 관통하는 밀어올림 막대(push-up rod)(106)에 의해 승강된다. 리프터 핀(102)은 탑재대(40)를 관통하는 리프터 핀 구멍(108)을 통해서 웨이퍼(W)를 들어올려, 탑재대(40)에 대한 웨이퍼(W)의 로드 및 언로드를 돕는다. 밀어올림 막대(106)가 처리실 저부(26)를 관통하는 부분에는 신축 가능한 벨로우즈(110)가 배치된다. 밀어올림 막대(106)의 하단은 액츄에이터(112)에 접속된다. 벨로우즈(110)에 의해, 처리실(24) 내부가 기밀 상태를 유지한 채로 밀어올림 막대(106)가 승강 가능해진다.
처리실(24)의 천장에는 시일 부재(114)를 통해 천장판(116)이 기밀하게 배치된다. 천장판(116)의 중앙부에는 비교적 대구경의 라디칼 포트(118)가 형성된다. 라디칼 포트(118)에는 라디칼을 형성하기 위해서, 처리 가스의 일부를 플라즈마화하는 여기 기구(120)가 접속된다. 여기 기구(120)는 발생시킨 플라즈마가 탑재대(40)상의 웨이퍼(W)에 실질적으로 도달하지 않도록 배치된 원통체 형상의 리모트 플라즈마실(122)을 갖는다. 플라즈마실(122)은 예컨대 석영이나 세라믹스재 등의 절연재로 이루어진다.
플라즈마실(122)의 주위에는 플라즈마실(122)내에서 가스를 여기하여 플라즈마화하기 위한 전계를 형성하는 코일 안테나(126)가 감겨진다. 코일 안테나(126)에는 매칭 회로(128)를 거쳐서 예컨대 13.56MHz의 고주파(RF) 전력을 공급하는 RF 전원(130)이 접속된다. 전원(130)으로부터 코일 안테나(126)에 RF 전력을 공급함으로써, 플라즈마실(122)내에 가스를 여기하여 플라즈마화하기 위한 유도 전계가 형성된다.
플라즈마실(122)의 천장에는 가스 라인(134)에 접속된 가스 도입구(132)가 형성된다. 가스 라인(134)에는 N2 가스원(136) 및 H2 가스원(138)이 병렬로 접속된다. N2 가스원(136) 및 H2 가스원(138)으로의 각 분기 라인에는 각각 개폐 밸브(140, 142) 및 매스플로우 컨트롤러와 같은 유량 제어기(144, 146)가 순차적으로 설치된다.
라디칼 포트(118)의 주위에서, 처리실(24)의 천장판(116)에는 가스 라인(152)에 접속된 복수의 가스 도입구(150)가 형성된다. 가스 라인(152)에는 개폐 밸브(156) 및 매스플로우 컨트롤러와 같은 유량 제어기(158)를 거쳐서, NF3 가스원(154)이 접속된다.
탑재대(40)의 상단 및 하단 블럭(40A, 40B)의 접합부에서, 리프터 핀 구멍(108)의 주위나 관통 구멍(56, 60)의 주위에도, O링 등의 시일 부재가 배치된다. 이에 따라, 처리실(24)내나 간극(48)내의 기밀성이 유지된다.
다음으로 처리 장치(20)를 사용하여 실시되는 본 발명의 실시형태에 관한 낱장식 처리 방법에 관해서 도 1 내지 도 6을 참조하여 설명한다. 도 4는 처리 장치(20)에서의 반도체 웨이퍼(W) 상의 산화막을 중간체로 변환하는 저온 처리 공정을 설명하기 위한 도면이다. 도 5는 처리 장치(20)에서의 중간체를 승화시키기 위한 고온 처리 공정을 설명하기 위한 도면이다. 도 6은 본 발명의 실시형태에 관한 처리 방법의 흐름을 나타내는 흐름도이다.
우선, 진공 상태로 유지된 처리실(24)내에, 반송실(36)측으로부터 웨이퍼 반출 포트(34)를 통해 미처리 반도체 웨이퍼(W)를 반입하고, 이것을 탑재대(40)상에 탑재하는 웨이퍼(W)의 실리콘 표면에는 자연 산화막이 부착되어 있다.
웨이퍼(W)의 반입에 앞서, 탑재대(40)의 상단 블록(40A)의 유로(50)에는 냉각 매체가 흐르고, 또한 하단 블럭(40B)의 보조 유로(52)에는 냉각수가 흘러, 탑재대(40)는 소정 온도로 유지된다. 또한 실제로는 직전에 실시된 고온 처리 온도로부터 탑재대(40)는 충분히 온도 하강되어 상기한 소정의 온도로 유지된다.
구체적으로는, 열 매체 공급부(54)에 있어서는 공급 라인(58)에 배치된 전환 밸브(70, 72)는 열 매체가 냉각기(66)측을 흐르도록 설정된다. 따라서, 질소 가스원(64)으로부터 유량 제어되면서 흘러나간 질소 가스는 냉각기(66)에 의해 -5℃ 내지 40℃, 바람직하게는 0℃ 내지 20℃로 냉각된다. 이 냉각 매체는 공급 라인(58)을 흘러 상단 블럭(40A)의 유로(50)에 이르고, 유로(50) 전체를 흐른 후, 배출 라인(62)으로부터 배출된다. 이에 따라, 상단 블럭(40A)은 고온 상태로부터 충분히 온도 하강 냉각된다. 또한, 탑재대(40)의 온도 하강을 촉진시키기 위해서, 냉각액 공급부(80)에 있어서는 공급 라인(82)과 배출 라인(84)을 사용한 순환 라인에 의해, 냉매로서 냉각수가 하단 블럭(40B)의 보조 유로(52)로 흘러 순환한다. 이 냉각수는 냉각기(88)에 의해 냉각시의 질소 가스와 동일한 온도, 예컨대 -5℃ 내지 40℃, 바람직하게는 0℃ 내지 20℃로 설정 유지된다. 이에 따라, 하단 블럭(40B)도 고온 상태로부터 충분히 온도 하강 냉각되고, 상기한 소정의 온도를 유지한다.
또한, 냉각액 공급부(80)로부터의 냉각수의 공급에 맞춰, 열 전달 가스 공급부(92)를 시동시킨다. 이에 따라, 가스 라인(94)으로부터 간극(48)에 He 가스를 공급하고, 상단 블럭(40A)으로부터 하단 블럭(40B)으로의 열 전달 효율을 향상시킨다. 또한 냉각된 N2 가스로 이루어지는 냉각 매체만으로, 충분히 신속하게 탑재대(40)를 냉각할 수 있으면, 냉각수 및 He 가스의 사용은 생략할 수 있다.
소정 온도로 유지되고 있는 탑재대(40)상에 웨이퍼(W)가 탑재된 후, 처리실(24)내를 밀폐한다. 다음으로 도 4에 나타낸 바와 같이 처리실(24)내를 진공 흡인하면서, NF3 가스를 유량 제어하면서 가스 도입구(150)로부터 처리실(24)내로 도입한다. 또한, 이와 동시에 N2 가스와 H2 가스를 여기 기구(120)의 가스 도입구(132)로부터 플라즈마실(122)내로 유량 제어하면서 도입한다. 이 때, 코일 안테나(126)에 의해 13.56MHz의 RF 전력을 인가하고, H2 가스 및 N2 가스의 플라즈마를 발생시킨다. 플라즈마에 의해 양 가스의 H*, N* 라디칼이 생성되고, 또한 이들 라디칼이 결합하여 다른 라디칼 NH*이 생성된다.
H*, N*, NH* 라디칼은 플라즈마실(122)내를 강하하여 처리실(24)내로 유입된다. 처리실(24)내에서, H*, N*, NH* 라디칼은 NF3 가스와 반응하여 NF3Hx를 생성한다. 이러한 여기된 종(species)이 웨이퍼(W) 표면의 산화막(SiO2)과 반응하여 산화막을 (NH4)2SiF6으로 이루어지는 중간체막(8)으로 변환한다.
이 때의 처리 조건의 일례는 다음과 같다. 처리 압력은 532Pa(4Torr) 정도이고, 웨이퍼(W)가 200mm 사이즈의 경우, 각 가스의 유량은 N2 가스가 1000sccm 정도, H2 가스가 50sccm 정도, NF3 가스가 150sccm 정도이며, 처리 시간은 60초 정도이다. 처리 온도[웨이퍼(W)의 온도]는 0℃ 내지 40℃, 바람직하게는 0℃ 내지 20℃. 처리 온도가 이 범위 밖이면, 산화막을 충분히 중간체로 변환시킬 수 없다. 또한 이러한 각 수치는 단지 일례를 나타낸 것에 불과하고, 이것에 한정되지 않는다.
소정의 시간만큼 저온 처리 공정을 실시하여 중간체를 형성하고 나면(도 6중의 점 P2), 다음으로 고온 처리 공정으로 이행하여 중간체를 승화시킨다. 여기에서, 도 5에 나타낸 바와 같이, NF3 가스 및 H2 가스의 공급을 각각 정지하고, 또한 코일 안테나(126)로의 RF 전력의 인가도 정지하고, 플라즈마 및 라디칼을 발생시키지 않도록 한다. 또한, 이와 동시에 냉각액 공급부(80)의 동작을 정지하여 냉각수가 보조 유로(52)내로 흐르지 않도록 하고, 또한 상단 및 하단 블럭(40A, 40B) 사이의 간극(48)으로의 He 가스의 공급도 정지한다. 또한 N2 가스원(136)으로부터의 N2 가스의 공급과 진공 배기부(32)에 의한 처리실(24)의 배기는 계속해서 실시하고, 처리실(24)내에 N2 가스를 흘린 상태로 한다.
한편, 열 매체 공급부(54)에 있어서는 냉각기(66)의 양측의 전환 밸브(70, 72)를 전환하여 가열기(68)측으로 N2 가스가 흐르도록 설정한다. 이에 따라, 가열기(68)로서는 N2 가스가 소정의 고온, 예컨대 100℃ 내지 400℃ 정도의 범위 내로 가열된다. N2 가스는 가열 매체(고온 N2)가 되어 상단 블럭(40A)의 유로(50)내를 따라 흐르고, 탑재대(40)를 즉시 가열 승온시킨다.
탑재대(40)의 온도가 상승하여 소정의 고온 상태로 안정된(도 6중의 점 P3) 후, 이 상태로 소정의 시간, 예컨대 30초 정도만 고온 처리를 실시한다. 이에 따라, 웨이퍼 표면상의 중간체막(8)은 열분해하여 H2, NH3, N2, SiF4 가스 등이 되어 기화(승화)한다. 이러한 가스는 처리실(24)내의 N2 가스의 흐름을 타고 처리실(24) 외부로 배출된다.
이 때 처리 조건의 일례는 다음과 동일하다. 처리 압력은 93Pa(0.7Torr) 정도이고, 처리 온도[웨이퍼(W)의 온도]는 100℃ 내지 350℃, 바람직하게는 150℃ 내지 250℃이다. 처리 온도가 이 범위보다 낮으면, 중간체막(8)이 충분히 승화되지 않는다. 처리 온도가 이 범위보다 높으면, 반도체 장치의 전기적 특성이 열화될 우려 및 처리실(24)의 벽 등으로부터 불순물 금속이 배출되어 웨이퍼에 금속 오염이 생길 우려가 있다. 또한 이러한 각 수치는 단지 일례를 나타낸 것에 지나지 않고, 이것에 한정되지 않는다.
고온 처리 공정이 종료하고 나면(도 6중의 점 P4), 스루풋(throughput)을 고려하여 탑재대(40)를 신속하게 냉각하여 하강시키기 위해, 먼저 도 6중의 점 P1-점 P2 사이에서 설명한 바와 같은 동작을 실시한다. 즉, 상단 블록(40A)의 유로(50)에 흐르는 열 매체를, 가열 매체로부터 냉각 매체로 전환한다. 또한, 하단 블럭(40B)의 보조 유로(52)로 냉매로서 냉각수를 흘리는 동시에, 상하단 블럭(40A, 40B) 사이의 간극(48)으로 He 가스를 흘린다. 이에 따라, 상술한 바와 같이 탑재대(40)의 온도를 급격히 저하시킨다. 또한 이 때도, 냉각된 N2 가스로 이루어지는 냉각 매체만으로, 충분히 신속하게 탑재대(40)을 냉각할 수 있으면, 냉각수 및 He 가스의 사용은 생략할 수 있다.
웨이퍼(W)의 온도가 핸들링 온도까지 강하된 후, 처리 완료된 웨이퍼와 미처리의 웨이퍼의 교환을 실시한다(도 6중의 점 P5). 다음으로, 탑재대(40)의 온도가 소정의 저온 상태로 되고, 온도가 안정된 후에(도 6중의 점 P6), 새로운 웨이퍼(W)에 대해, 상술한 바와 같이 저온 처리 공정을 실시한다. 이후에는 상술한 저온 처리 공정과 고온 처리 공정을 반복해서 실시한다.
상술한 프리클리닝 방법에 의하면, 하나의 처리실(24)내에서, 저온 처리 공정과 고온 처리 공정을 스루풋을 저하시키지 않고 신속하게 연속적으로 실시할 수 있다. 또한, 일반적으로 온도 상승보다도 온도 하강에 보다 많은 시간이 필요한 탑재대(40)의 열적 특성을 고려했을 때, 온도 하강시에만 하단 블럭(40B)의 보조 유로(52)에 냉매(냉각수)를 흘린다. 이에 따라, 탑재대(40)의 온도 하강 속도를 촉진시킬 수 있어, 스루풋을 한층 더 향상시키는 것이 가능해진다. 이 때, 상하단 블럭(40A, 40B) 사이의 간극(48)에, He 가스 등의 열 전달 가스를 공급한다. 이에 따라, 양 블럭(40A, 40B) 사이의 열 이동이 촉진된다.
도 7은 본 발명의 다른 실시형태에 따른 반도체 처리용의 낱장식 처리 장치를 나타내는 구성도이다. 이 장치에 있어서는 탑재대(40)가 얇은 한 장의 원판형상의 블럭으로 이루어지고, 이 블럭내에 유로(50)와 보조 유로(52)가 별도로 형성된다. 이 장치에 의하면, 탑재대(40) 자체의 열용량을 작게 하고, 탑재대(40)의 온도 상승 및 온도 하강을 신속하게 하는 것이 가능해진다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시형태에 따른 열 매체 공급부를 나타내는 도면이다. 이 열 매체 공급부에서는 탑재대(40)의 유로(50)에 접속된 공급 라인(58) 및 배출 라인(62)에 대해, 냉각 매체원(202)과 가열 매체원(204)이 병렬로 접속된다. 공급 라인(58) 및 배출 라인(62)의 분기점에는 각각 예컨대 3방 밸브로 이루어지는 전환 밸브(210, 212)가 배치되고, 냉각 매체 및 가열체의 어느 한쪽이 유로(50)에 선택적으로 공급된다. 냉각 매체원(202) 및 가열 매체원(204)측 라인에는 매스플로우 컨트롤러와 같은 유량 제어기(214, 216)가 각각 배치된다. 냉각 매체 및 가열 매체의 각각으로서는 가스, 액체 중 어떤 것도 사용가능하지만, 열용량이 큰 액체로 이루어지는 열 매체를 사용하면, 탑재대(40)의 온도 상승 및 온도 하강을 신속하게 실시할 수 있다. 따라서, 액체로 이루어지는 냉각 매체를 사용하는 경우는 냉각수 등을 흘리는 보조 유로(52)를 탑재대(40)에 배치하지 않을 수도 있다.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시형태에 따른 반도체 처리용의 낱장식 처리 장치를 나타내는 구성도이다. 이 장치에서는 라디칼 포트(118)에 접속된 여기 기구(320)가, RF 전력 에너지가 아닌, 마이크로파 에너지를 이용하여 처리 가스의 일부를 플라즈마화한다.
구체적으로는 여기 기구(320)는 발생시킨 플라즈마가 탑재대(40)상의 웨이퍼(W)에 실질적으로 도달하지 않도록 배치된 원통체 형상의 리모트 플라즈마실(322)을 갖는다. 플라즈마실(322)은 예컨대 석영이나 세라믹스재 등의 절연재로 이루어진다. 플라즈마실(322)의 주위에는 도파관(정합기를 포함함)(326)을 거쳐서, 2.45GHz의 마이크로파를 발생시키는 마이크로파 발생기(330)가 접속된다. 또한, 플라즈마실(322)의 주위에는 냉각수 등을 이용한 냉각기(332)(상세한 것은 도시하지 않음)가 배치된다. 발생기(330)로부터 플라즈마실(322)에 마이크로파의 에너지가 공급됨으로써, 플라즈마실(322)내에서 가스가 여기되어 플라즈마화된다.
또한 도 1, 도 7 및 도 9에 나타낸 실시형태에서, 냉각 매체 및 가열 매체로서 질소 가스 대신에, Ar, He 등의 다른 불활성 가스를 사용할 수 있다. 또한, 이 열 매체로서, 기체로 한정되지 않고, 액체, 예컨대 물을 사용할 수 있다. 또한, 보조 유로(52)에 흘리는 냉매로서, 냉각수 대신에 다른 냉매, 예컨대 갈덴(Garuden; 상품명), 플로리나트(Florinert; 상품명) 등도 사용할 수 있다. 또한, 중간체를 형성하는 처리 가스로서, NF3 가스 대신에, SF6 가스, CF4 가스를 사용할 수 있다. 또한, 저온 처리 공정과 고온 처리 공정으로서, 웨이퍼 표면에서 산화막을 제거하는 프리클리닝 방법이 예시되지만, 본 발명은 2개의 다른 처리 온도에서 연속적으로 처리를 실시하는 다른 처리 방법에도 적용할 수 있다.
본원 발명은 상기 각 실시형태에 한정되는 것이 아니고, 실시 단계에서는 그 요지를 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 변경할 수 있다. 또한, 각 실시형태는 가능한 한 적절히 조합시켜 실시할 수도 있고, 그 경우 조합된 효과가 얻어진다.

Claims (23)

  1. 반도체 처리용 낱장식 처리 장치에 있어서,
    피처리 기판을 수납하는 처리실과,
    상기 처리실내를 진공 배기하는 배기계와,
    상기 처리실내에 처리 가스를 공급하는 급기계와,
    상기 처리실내에 배치되고 또한 상기 피처리 기판을 탑재하는 열전도성의 탑재면을 갖는 탑재대와,
    상기 탑재면을 거쳐서 상기 피처리 기판의 온도를 조정하는 열 매체를 흘리도록 상기 탑재대내에 형성된 유로와,
    상기 탑재대에 형성된 보조 유로와,
    상기 유로에 냉각 매체와 가열 매체를 선택적으로 공급하는 제 1 열 매체 공급계와,
    상기 보조 유로에 상기 열 매체를 공급하는 제 2 열 매체 공급계를 구비하는
    반도체 처리용 낱장식 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 열 매체 공급계는 상기 유로에 대하여 서로 병렬로 접속된 냉각기 및 가열기를 구비하고, 상기 냉각기 및 상기 가열기에 공통의 가스가 선택적으로 공급됨으로써 상기 냉각 매체 및 상기 가열 매체가 각각 형성되는
    반도체 처리용 낱장식 처리 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 열 매체 공급계는 상기 탑재대의 냉각을 촉진하기 위해서, 상기 열 매체로서 냉각액을 상기 보조 유로에 공급하는
    반도체 처리용 낱장식 처리 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 탑재대는 하단 블럭과, 상기 하단 블럭상에 적층된 상단 블럭을 구비하고, 상기 유로 및 상기 보조 유로는 상기 상단 블럭 및 상기 하단 블럭내에 각각 형성되는
    반도체 처리용 낱장식 처리 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 상단 블럭 및 상기 하단 블럭 사이에 열 전달 가스를 공급하는 시스템을 추가로 구비하는
    반도체 처리용 낱장식 처리 장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 처리 가스를 플라즈마화하는 여기 기구를 추가로 구비하는
    반도체 처리용 낱장식 처리 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 여기 기구는 상기 처리실에 부설된 리모트 플라즈마실과, 상기 리모트 플라즈마실내에서 가스를 여기하여 플라즈마화하기 위한 에너지를 공급하는 부재를 구비하는
    반도체 처리용 낱장식 처리 장치.
  8. 제 1 항에 따른 처리 장치에서의 낱장식 처리 방법에 있어서,
    상기 냉각 매체를 상기 유로에 공급함으로써 상기 피처리 기판을 제 1 처리 온도로 설정하여 제 1 처리를 실시하는 공정과,
    상기 가열 매체를 상기 유로에 공급함으로써 상기 피처리 기판을 상기 제 1 처리 온도 보다도 높은 제 2 처리 온도로 설정하여 제 2 처리를 실시하는 공정을 구비하는
    반도체 처리용 낱장식 처리 방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 제 1 처리는 상기 피처리 기판상의 반도체 산화막을 중간체막으로 변환하는 처리이고, 상기 제 1 처리에 있어서, 상기 반도체 산화막과 반응하여 상기 반도체 산화막을 상기 중간체막으로 변환하기 위한 제 1 처리 가스를 상기 처리실내에 흘리며, 상기 제 2 처리는 상기 중간체막을 열분해에 의해 기화시키는 처리이고, 상기 제 2 처리에 있어서 상기 중간체막의 기화물의 제거를 보조하는 제 2 처리 가스를 상기 처리실내에 흘리는
    반도체 처리용 낱장식 처리 방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 냉각 매체는 -5℃ 내지 40℃의 온도로 설정되고, 상기 가열 매체는 100℃ 내지 400℃의 온도로 설정되는
    반도체 처리용 낱장식 처리 방법.
  11. 피처리 기판상의 반도체 산화막을 중간체막으로 변환하는 제 1 처리와, 상기 중간체막을 열분해에 의해 기화시키는 제 2 처리를 실시함으로써, 상기 반도체 산화막을 제거하기 위한 낱장식 처리 장치에 있어서,
    피처리 기판을 수납하는 처리실과,
    상기 처리실내를 진공 배기하는 배기계와,
    상기 제 1 처리에 있어서 상기 반도체 산화막과 반응하여 상기 반도체 산화막을 상기 중간체막으로 변환하기 위한 제 1 처리 가스와, 상기 제 2 처리에 있어서 상기 중간체막의 기화물의 제거를 보조하는 제 2 처리 가스를 상기 처리실내에 선택적으로 공급하는 급기계와,
    상기 처리실내에 배치되고 또한 상기 피처리 기판을 탑재하는 열전도성의 탑재면을 갖는 탑재대와,
    상기 탑재면을 거쳐서 상기 피처리 기판의 온도를 조정하는 열 매체를 흘리도록 상기 탑재대내에 형성된 유로와,
    상기 탑재대에 형성된 보조 유로와,
    상기 유로에 냉각 매체와 가열 매체를 선택적으로 공급하는 제 1 열 매체 공급계로서, 상기 냉각 매체는 상기 제 1 처리에 있어서 상기 유로에 공급되고, 상기 가열 매체는 상기 제 2 처리에 있어서 상기 유로에 공급되는, 상기 제 1 열 매체 공급계와,
    상기 보조 유로에 상기 열 매체를 공급하는 제 2 열 매체 공급계를 구비하는
    반도체 처리용 낱장식 처리 장치.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 냉각 매체는 -5℃ 내지 40℃의 온도로 설정되고, 상기 가열 매체는 100℃ 내지 400℃의 온도로 설정되는
    반도체 처리용 낱장식 처리 장치.
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 제 1 열 매체 공급계는 상기 유로에 대하여 서로 병렬로 접속된 냉각기 및 가열기를 구비하고, 상기 냉각기 및 상기 가열기에 공통의 가스가 선택적으로 공급됨으로써 상기 냉각 매체 및 상기 가열 매체가 각각 형성되는
    반도체 처리용 낱장식 처리 장치.
  14. 제 11 항에 있어서,
    상기 제 2 열 매체 공급계는 상기 제 2 처리 후에 상기 탑재대의 냉각을 촉진하기 위해서, 상기 열 매체로서 냉각액을 상기 보조 유로에 공급하는
    반도체 처리용 낱장식 처리 장치.
  15. 제 11 항에 있어서,
    상기 탑재대는 하단 블럭과, 상기 하단 블럭상에 적층된 상단 블럭을 구비하고, 상기 유로 및 상기 보조 유로는 상기 상단 블럭 및 상기 하단 블럭내에 각각 형성되는
    반도체 처리용 낱장식 처리 장치.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 상단 블럭 및 상기 하단 블럭 사이에 열 전달 가스를 공급하는 시스템을 추가로 구비하는
    반도체 처리용 낱장식 처리 장치.
  17. 제 11 항에 있어서,
    상기 제 1 처리 가스는 라디칼을 포함하는
    반도체 처리용 낱장식 처리 장치.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 라디칼을 형성하기 위해서, 상기 제 1 처리 가스를 플라즈마화하는 여기 기구를 추가로 구비하는
    반도체 처리용 낱장식 처리 장치.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 여기 기구는 상기 처리실에 부설된 리모트 플라즈마실과, 상기 리모트 플라즈마실내에서 가스를 여기하여 플라즈마화하기 위한 에너지를 공급하는 부재를 구비하는
    반도체 처리용 낱장식 처리 장치.
  20. 제 18 항에 있어서,
    상기 제 1 처리 가스는 NF3 가스와, SF6 가스와, CF4 가스로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 가스와, N2 가스와, H2 가스를 포함하고, 상기 N2 가스 및 H2 가스는 상기 여기 기구에 의해 플라즈마화되는
    반도체 처리용 낱장식 처리 장치.
  21. 제 5 항에 있어서,
    상기 열 전달 가스를 공급하는 시스템은 상기 보조 유로에 상기 냉각액을 공급하는 데 맞춰 상기 상단 블럭 및 상기 하단 블럭 사이에 상기 열 전달 가스를 공급하는
    반도체 처리용 낱장식 처리 장치.
  22. 제 1 항에 있어서,
    상기 유로 및 상기 보조 유로는 상기 탑재대내를 감도록 형성된 유로인
    반도체 처리용 낱장식 처리 장치.
  23. 제 1 항에 있어서,
    상기 탑재대에는 리프터 핀이 승강하는 관통 구멍이 형성되는
    반도체 처리용 낱장식 처리 장치.
KR1020037009495A 2001-01-23 2001-12-10 반도체 처리용 낱장식 처리 장치 및 방법 KR100842948B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2001-00014348 2001-01-23
JP2001014348A JP4644943B2 (ja) 2001-01-23 2001-01-23 処理装置
PCT/JP2001/010796 WO2002059953A1 (fr) 2001-01-23 2001-12-10 Dispositif de traitement de type a plaquette unique et procede de traitement de semi-conducteur

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20030074713A KR20030074713A (ko) 2003-09-19
KR100842948B1 true KR100842948B1 (ko) 2008-07-01

Family

ID=18881059

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020037009495A KR100842948B1 (ko) 2001-01-23 2001-12-10 반도체 처리용 낱장식 처리 장치 및 방법

Country Status (4)

Country Link
US (1) US7235137B2 (ko)
JP (1) JP4644943B2 (ko)
KR (1) KR100842948B1 (ko)
WO (1) WO2002059953A1 (ko)

Families Citing this family (553)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100439948B1 (ko) * 2002-04-19 2004-07-12 주식회사 아이피에스 리모트 플라즈마 ａｌｄ 장치 및 이를 이용한 ａｌｄ 박막증착방법
US7750654B2 (en) * 2002-09-02 2010-07-06 Octec Inc. Probe method, prober, and electrode reducing/plasma-etching processing mechanism
US7347901B2 (en) 2002-11-29 2008-03-25 Tokyo Electron Limited Thermally zoned substrate holder assembly
US8110044B2 (en) * 2003-03-07 2012-02-07 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus and temperature control device
CN101914760B (zh) * 2003-09-19 2012-08-29 株式会社日立国际电气 半导体装置的制造方法及衬底处理装置
US6992892B2 (en) * 2003-09-26 2006-01-31 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for efficient temperature control using a contact volume
US8007591B2 (en) 2004-01-30 2011-08-30 Tokyo Electron Limited Substrate holder having a fluid gap and method of fabricating the substrate holder
JP4625495B2 (ja) * 2005-03-30 2011-02-02 三益半導体工業株式会社 スピンエッチング方法及び装置
JP4806241B2 (ja) * 2005-09-14 2011-11-02 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板リフト装置
DE102005049598B4 (de) * 2005-10-17 2017-10-19 Att Advanced Temperature Test Systems Gmbh Hybrid Chuck
JP4793927B2 (ja) * 2005-11-24 2011-10-12 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及びその装置
JP2007311540A (ja) * 2006-05-18 2007-11-29 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法
KR100798813B1 (ko) * 2006-07-25 2008-01-28 삼성전자주식회사 정전척 어셈블리 및 정전척 온도 제어방법
WO2008059049A1 (de) * 2006-11-17 2008-05-22 Centrotherm Thermal Solutions Gmbh + Co. Kg Verfahren und anordnung zum thermischen behandeln von substraten
JP2008192643A (ja) * 2007-01-31 2008-08-21 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置
JP4969259B2 (ja) * 2007-01-31 2012-07-04 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
US8034181B2 (en) * 2007-02-28 2011-10-11 Hitachi High-Technologies Corporation Plasma processing apparatus
KR20090001091A (ko) * 2007-06-29 2009-01-08 (주)티티에스 외부발열부재가 구성된 반도체 제조장치
US9091491B2 (en) * 2008-02-22 2015-07-28 Applied Materials, Inc. Cooling plates and semiconductor apparatus thereof
US20090286397A1 (en) * 2008-05-15 2009-11-19 Lam Research Corporation Selective inductive double patterning
US8596336B2 (en) * 2008-06-03 2013-12-03 Applied Materials, Inc. Substrate support temperature control
JP2010010397A (ja) * 2008-06-27 2010-01-14 Hitachi High-Technologies Corp プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
US8323410B2 (en) * 2008-07-31 2012-12-04 Tokyo Electron Limited High throughput chemical treatment system and method of operating
US8303716B2 (en) * 2008-07-31 2012-11-06 Tokyo Electron Limited High throughput processing system for chemical treatment and thermal treatment and method of operating
US8303715B2 (en) * 2008-07-31 2012-11-06 Tokyo Electron Limited High throughput thermal treatment system and method of operating
US8287688B2 (en) * 2008-07-31 2012-10-16 Tokyo Electron Limited Substrate support for high throughput chemical treatment system
GB0814025D0 (en) * 2008-08-01 2008-09-10 Goodrich Control Sys Ltd Fuel pumping system
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
JP5198226B2 (ja) * 2008-11-20 2013-05-15 東京エレクトロン株式会社 基板載置台および基板処理装置
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US20110061812A1 (en) * 2009-09-11 2011-03-17 Applied Materials, Inc. Apparatus and Methods for Cyclical Oxidation and Etching
US20110061810A1 (en) * 2009-09-11 2011-03-17 Applied Materials, Inc. Apparatus and Methods for Cyclical Oxidation and Etching
US20110065276A1 (en) * 2009-09-11 2011-03-17 Applied Materials, Inc. Apparatus and Methods for Cyclical Oxidation and Etching
JP2011108692A (ja) * 2009-11-12 2011-06-02 Ulvac Japan Ltd Ｃｍｏｓデバイス用シリコンウェハの製造方法
US9324576B2 (en) 2010-05-27 2016-04-26 Applied Materials, Inc. Selective etch for silicon films
WO2012002393A1 (ja) * 2010-06-28 2012-01-05 株式会社アルバック 酸化膜の除去方法
JP5119297B2 (ja) * 2010-06-30 2013-01-16 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
US9719169B2 (en) * 2010-12-20 2017-08-01 Novellus Systems, Inc. System and apparatus for flowable deposition in semiconductor fabrication
US10283321B2 (en) 2011-01-18 2019-05-07 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing system and methods using capacitively coupled plasma
US9064815B2 (en) 2011-03-14 2015-06-23 Applied Materials, Inc. Methods for etch of metal and metal-oxide films
US8999856B2 (en) 2011-03-14 2015-04-07 Applied Materials, Inc. Methods for etch of sin films
US20120285621A1 (en) * 2011-05-10 2012-11-15 Applied Materials, Inc. Semiconductor chamber apparatus for dielectric processing
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US9793148B2 (en) 2011-06-22 2017-10-17 Asm Japan K.K. Method for positioning wafers in multiple wafer transport
US10364496B2 (en) 2011-06-27 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Dual section module having shared and unshared mass flow controllers
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
JP5822578B2 (ja) * 2011-07-20 2015-11-24 東京エレクトロン株式会社 載置台温度制御装置及び基板処理装置
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US8771536B2 (en) 2011-08-01 2014-07-08 Applied Materials, Inc. Dry-etch for silicon-and-carbon-containing films
US8808563B2 (en) 2011-10-07 2014-08-19 Applied Materials, Inc. Selective etch of silicon by way of metastable hydrogen termination
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US8946830B2 (en) 2012-04-04 2015-02-03 Asm Ip Holdings B.V. Metal oxide protective layer for a semiconductor device
US20130284372A1 (en) * 2012-04-25 2013-10-31 Hamid Tavassoli Esc cooling base for large diameter subsrates
US9948214B2 (en) 2012-04-26 2018-04-17 Applied Materials, Inc. High temperature electrostatic chuck with real-time heat zone regulating capability
US9267739B2 (en) 2012-07-18 2016-02-23 Applied Materials, Inc. Pedestal with multi-zone temperature control and multiple purge capabilities
US9558931B2 (en) 2012-07-27 2017-01-31 Asm Ip Holding B.V. System and method for gas-phase sulfur passivation of a semiconductor surface
US9373517B2 (en) 2012-08-02 2016-06-21 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing with DC assisted RF power for improved control
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US9021985B2 (en) 2012-09-12 2015-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor
US9034770B2 (en) 2012-09-17 2015-05-19 Applied Materials, Inc. Differential silicon oxide etch
US9023734B2 (en) 2012-09-18 2015-05-05 Applied Materials, Inc. Radical-component oxide etch
US9390937B2 (en) 2012-09-20 2016-07-12 Applied Materials, Inc. Silicon-carbon-nitride selective etch
US9132436B2 (en) 2012-09-21 2015-09-15 Applied Materials, Inc. Chemical control features in wafer process equipment
US9324811B2 (en) 2012-09-26 2016-04-26 Asm Ip Holding B.V. Structures and devices including a tensile-stressed silicon arsenic layer and methods of forming same
US9353441B2 (en) * 2012-10-05 2016-05-31 Asm Ip Holding B.V. Heating/cooling pedestal for semiconductor-processing apparatus
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US8969212B2 (en) 2012-11-20 2015-03-03 Applied Materials, Inc. Dry-etch selectivity
US8980763B2 (en) 2012-11-30 2015-03-17 Applied Materials, Inc. Dry-etch for selective tungsten removal
US9111877B2 (en) 2012-12-18 2015-08-18 Applied Materials, Inc. Non-local plasma oxide etch
US8921234B2 (en) 2012-12-21 2014-12-30 Applied Materials, Inc. Selective titanium nitride etching
US9640416B2 (en) 2012-12-26 2017-05-02 Asm Ip Holding B.V. Single-and dual-chamber module-attachable wafer-handling chamber
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US10256079B2 (en) 2013-02-08 2019-04-09 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing systems having multiple plasma configurations
US9362130B2 (en) 2013-03-01 2016-06-07 Applied Materials, Inc. Enhanced etching processes using remote plasma sources
US9040422B2 (en) 2013-03-05 2015-05-26 Applied Materials, Inc. Selective titanium nitride removal
US9484191B2 (en) 2013-03-08 2016-11-01 Asm Ip Holding B.V. Pulsed remote plasma method and system
US10170282B2 (en) 2013-03-08 2019-01-01 Applied Materials, Inc. Insulated semiconductor faceplate designs
JP5980147B2 (ja) * 2013-03-08 2016-08-31 日本発條株式会社 基板支持装置
US9589770B2 (en) 2013-03-08 2017-03-07 Asm Ip Holding B.V. Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species
US20140271097A1 (en) 2013-03-15 2014-09-18 Applied Materials, Inc. Processing systems and methods for halide scavenging
US8748322B1 (en) * 2013-04-16 2014-06-10 Applied Materials, Inc. Silicon oxide recess etch
US9493879B2 (en) 2013-07-12 2016-11-15 Applied Materials, Inc. Selective sputtering for pattern transfer
US8993054B2 (en) 2013-07-12 2015-03-31 Asm Ip Holding B.V. Method and system to reduce outgassing in a reaction chamber
US9018111B2 (en) 2013-07-22 2015-04-28 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor reaction chamber with plasma capabilities
US9793115B2 (en) 2013-08-14 2017-10-17 Asm Ip Holding B.V. Structures and devices including germanium-tin films and methods of forming same
US9773648B2 (en) 2013-08-30 2017-09-26 Applied Materials, Inc. Dual discharge modes operation for remote plasma
US8956980B1 (en) 2013-09-16 2015-02-17 Applied Materials, Inc. Selective etch of silicon nitride
JP2015069770A (ja) * 2013-09-27 2015-04-13 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
US9240412B2 (en) 2013-09-27 2016-01-19 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process
US9556516B2 (en) 2013-10-09 2017-01-31 ASM IP Holding B.V Method for forming Ti-containing film by PEALD using TDMAT or TDEAT
US9847222B2 (en) 2013-10-25 2017-12-19 Lam Research Corporation Treatment for flowable dielectric deposition on substrate surfaces
US9236265B2 (en) 2013-11-04 2016-01-12 Applied Materials, Inc. Silicon germanium processing
US9576809B2 (en) 2013-11-04 2017-02-21 Applied Materials, Inc. Etch suppression with germanium
US9520303B2 (en) 2013-11-12 2016-12-13 Applied Materials, Inc. Aluminum selective etch
US10179947B2 (en) 2013-11-26 2019-01-15 Asm Ip Holding B.V. Method for forming conformal nitrided, oxidized, or carbonized dielectric film by atomic layer deposition
US9245762B2 (en) 2013-12-02 2016-01-26 Applied Materials, Inc. Procedure for etch rate consistency
US9117855B2 (en) 2013-12-04 2015-08-25 Applied Materials, Inc. Polarity control for remote plasma
US9263278B2 (en) 2013-12-17 2016-02-16 Applied Materials, Inc. Dopant etch selectivity control
US9287095B2 (en) 2013-12-17 2016-03-15 Applied Materials, Inc. Semiconductor system assemblies and methods of operation
US9190293B2 (en) 2013-12-18 2015-11-17 Applied Materials, Inc. Even tungsten etch for high aspect ratio trenches
JP6190278B2 (ja) * 2014-01-08 2017-08-30 東京エレクトロン株式会社 熱交換システム及び同熱交換システムを有する基板処理装置
US9287134B2 (en) 2014-01-17 2016-03-15 Applied Materials, Inc. Titanium oxide etch
US9396989B2 (en) 2014-01-27 2016-07-19 Applied Materials, Inc. Air gaps between copper lines
US9293568B2 (en) 2014-01-27 2016-03-22 Applied Materials, Inc. Method of fin patterning
US9385028B2 (en) 2014-02-03 2016-07-05 Applied Materials, Inc. Air gap process
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US9499898B2 (en) 2014-03-03 2016-11-22 Applied Materials, Inc. Layered thin film heater and method of fabrication
US9299575B2 (en) 2014-03-17 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Gas-phase tungsten etch
US9447498B2 (en) 2014-03-18 2016-09-20 Asm Ip Holding B.V. Method for performing uniform processing in gas system-sharing multiple reaction chambers
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US9299538B2 (en) 2014-03-20 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves
US9299537B2 (en) 2014-03-20 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves
US9136273B1 (en) 2014-03-21 2015-09-15 Applied Materials, Inc. Flash gate air gap
US9903020B2 (en) 2014-03-31 2018-02-27 Applied Materials, Inc. Generation of compact alumina passivation layers on aluminum plasma equipment components
US9269590B2 (en) 2014-04-07 2016-02-23 Applied Materials, Inc. Spacer formation
US9404587B2 (en) 2014-04-24 2016-08-02 ASM IP Holding B.V Lockout tagout for semiconductor vacuum valve
US9309598B2 (en) 2014-05-28 2016-04-12 Applied Materials, Inc. Oxide and metal removal
US9847289B2 (en) 2014-05-30 2017-12-19 Applied Materials, Inc. Protective via cap for improved interconnect performance
US9406523B2 (en) 2014-06-19 2016-08-02 Applied Materials, Inc. Highly selective doped oxide removal method
US9378969B2 (en) 2014-06-19 2016-06-28 Applied Materials, Inc. Low temperature gas-phase carbon removal
US9425058B2 (en) 2014-07-24 2016-08-23 Applied Materials, Inc. Simplified litho-etch-litho-etch process
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9496167B2 (en) 2014-07-31 2016-11-15 Applied Materials, Inc. Integrated bit-line airgap formation and gate stack post clean
US9378978B2 (en) 2014-07-31 2016-06-28 Applied Materials, Inc. Integrated oxide recess and floating gate fin trimming
US9159606B1 (en) 2014-07-31 2015-10-13 Applied Materials, Inc. Metal air gap
US9543180B2 (en) 2014-08-01 2017-01-10 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for transporting wafers between wafer carrier and process tool under vacuum
US9165786B1 (en) 2014-08-05 2015-10-20 Applied Materials, Inc. Integrated oxide and nitride recess for better channel contact in 3D architectures
US9659753B2 (en) 2014-08-07 2017-05-23 Applied Materials, Inc. Grooved insulator to reduce leakage current
US9553102B2 (en) 2014-08-19 2017-01-24 Applied Materials, Inc. Tungsten separation
US10049921B2 (en) 2014-08-20 2018-08-14 Lam Research Corporation Method for selectively sealing ultra low-k porous dielectric layer using flowable dielectric film formed from vapor phase dielectric precursor
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US9355856B2 (en) 2014-09-12 2016-05-31 Applied Materials, Inc. V trench dry etch
US9368364B2 (en) 2014-09-24 2016-06-14 Applied Materials, Inc. Silicon etch process with tunable selectivity to SiO2 and other materials
US9478434B2 (en) 2014-09-24 2016-10-25 Applied Materials, Inc. Chlorine-based hardmask removal
US9613822B2 (en) 2014-09-25 2017-04-04 Applied Materials, Inc. Oxide etch selectivity enhancement
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
US9966240B2 (en) 2014-10-14 2018-05-08 Applied Materials, Inc. Systems and methods for internal surface conditioning assessment in plasma processing equipment
US9355922B2 (en) 2014-10-14 2016-05-31 Applied Materials, Inc. Systems and methods for internal surface conditioning in plasma processing equipment
KR102300403B1 (ko) 2014-11-19 2021-09-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11637002B2 (en) 2014-11-26 2023-04-25 Applied Materials, Inc. Methods and systems to enhance process uniformity
US9299583B1 (en) 2014-12-05 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Aluminum oxide selective etch
US10224210B2 (en) 2014-12-09 2019-03-05 Applied Materials, Inc. Plasma processing system with direct outlet toroidal plasma source
US10573496B2 (en) 2014-12-09 2020-02-25 Applied Materials, Inc. Direct outlet toroidal plasma source
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
US9502258B2 (en) 2014-12-23 2016-11-22 Applied Materials, Inc. Anisotropic gap etch
US9343272B1 (en) 2015-01-08 2016-05-17 Applied Materials, Inc. Self-aligned process
US11257693B2 (en) 2015-01-09 2022-02-22 Applied Materials, Inc. Methods and systems to improve pedestal temperature control
US9373522B1 (en) 2015-01-22 2016-06-21 Applied Mateials, Inc. Titanium nitride removal
US9449846B2 (en) 2015-01-28 2016-09-20 Applied Materials, Inc. Vertical gate separation
US9728437B2 (en) 2015-02-03 2017-08-08 Applied Materials, Inc. High temperature chuck for plasma processing systems
US20160225652A1 (en) 2015-02-03 2016-08-04 Applied Materials, Inc. Low temperature chuck for plasma processing systems
US9478415B2 (en) 2015-02-13 2016-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for forming film having low resistance and shallow junction depth
US9881805B2 (en) 2015-03-02 2018-01-30 Applied Materials, Inc. Silicon selective removal
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US9899291B2 (en) 2015-07-13 2018-02-20 Asm Ip Holding B.V. Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film
US10043661B2 (en) 2015-07-13 2018-08-07 Asm Ip Holding B.V. Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film
US10083836B2 (en) 2015-07-24 2018-09-25 Asm Ip Holding B.V. Formation of boron-doped titanium metal films with high work function
US10087525B2 (en) 2015-08-04 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. Variable gap hard stop design
US9691645B2 (en) 2015-08-06 2017-06-27 Applied Materials, Inc. Bolted wafer chuck thermal management systems and methods for wafer processing systems
US9741593B2 (en) 2015-08-06 2017-08-22 Applied Materials, Inc. Thermal management systems and methods for wafer processing systems
US9349605B1 (en) 2015-08-07 2016-05-24 Applied Materials, Inc. Oxide etch selectivity systems and methods
US9647114B2 (en) 2015-08-14 2017-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming highly p-type doped germanium tin films and structures and devices including the films
US9711345B2 (en) 2015-08-25 2017-07-18 Asm Ip Holding B.V. Method for forming aluminum nitride-based film by PEALD
US10504700B2 (en) 2015-08-27 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Plasma etching systems and methods with secondary plasma injection
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US9909214B2 (en) 2015-10-15 2018-03-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing dielectric film in trenches by PEALD
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US10322384B2 (en) 2015-11-09 2019-06-18 Asm Ip Holding B.V. Counter flow mixer for process chamber
US9455138B1 (en) 2015-11-10 2016-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming dielectric film in trenches by PEALD using H-containing gas
US20170140956A1 (en) * 2015-11-13 2017-05-18 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Single Piece Ceramic Platen
US10388546B2 (en) 2015-11-16 2019-08-20 Lam Research Corporation Apparatus for UV flowable dielectric
US9905420B2 (en) 2015-12-01 2018-02-27 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming silicon germanium tin films and structures and devices including the films
US9607837B1 (en) 2015-12-21 2017-03-28 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon oxide cap layer for solid state diffusion process
US9735024B2 (en) 2015-12-28 2017-08-15 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using functional group-containing fluorocarbon
US9627221B1 (en) 2015-12-28 2017-04-18 Asm Ip Holding B.V. Continuous process incorporating atomic layer etching
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
CN105575866A (zh) * 2016-01-06 2016-05-11 京东方科技集团股份有限公司 搬送装置、搬送方法及蒸镀设备
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US9754779B1 (en) 2016-02-19 2017-09-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US10501866B2 (en) 2016-03-09 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
JP6626753B2 (ja) * 2016-03-22 2019-12-25 東京エレクトロン株式会社 被加工物の処理装置
US9892913B2 (en) 2016-03-24 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Radial and thickness control via biased multi-port injection settings
US10087522B2 (en) 2016-04-21 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
KR102592471B1 (ko) 2016-05-17 2023-10-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US10522371B2 (en) 2016-05-19 2019-12-31 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection
US10504754B2 (en) 2016-05-19 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US9865484B1 (en) 2016-06-29 2018-01-09 Applied Materials, Inc. Selective etch using material modification and RF pulsing
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US9793135B1 (en) 2016-07-14 2017-10-17 ASM IP Holding B.V Method of cyclic dry etching using etchant film
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
KR102354490B1 (ko) 2016-07-27 2022-01-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US10177025B2 (en) 2016-07-28 2019-01-08 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10090316B2 (en) 2016-09-01 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. 3D stacked multilayer semiconductor memory using doped select transistor channel
US10062575B2 (en) 2016-09-09 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Poly directional etch by oxidation
US10629473B2 (en) 2016-09-09 2020-04-21 Applied Materials, Inc. Footing removal for nitride spacer
US9934942B1 (en) 2016-10-04 2018-04-03 Applied Materials, Inc. Chamber with flow-through source
US9721789B1 (en) 2016-10-04 2017-08-01 Applied Materials, Inc. Saving ion-damaged spacers
US10546729B2 (en) 2016-10-04 2020-01-28 Applied Materials, Inc. Dual-channel showerhead with improved profile
US10062585B2 (en) 2016-10-04 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Oxygen compatible plasma source
US10062579B2 (en) 2016-10-07 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Selective SiN lateral recess
US9947549B1 (en) 2016-10-10 2018-04-17 Applied Materials, Inc. Cobalt-containing material removal
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
US10163696B2 (en) 2016-11-11 2018-12-25 Applied Materials, Inc. Selective cobalt removal for bottom up gapfill
US9768034B1 (en) 2016-11-11 2017-09-19 Applied Materials, Inc. Removal methods for high aspect ratio structures
US10026621B2 (en) 2016-11-14 2018-07-17 Applied Materials, Inc. SiN spacer profile patterning
US10242908B2 (en) 2016-11-14 2019-03-26 Applied Materials, Inc. Airgap formation with damage-free copper
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US9916980B1 (en) 2016-12-15 2018-03-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10566206B2 (en) 2016-12-27 2020-02-18 Applied Materials, Inc. Systems and methods for anisotropic material breakthrough
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
DE102017200588A1 (de) * 2017-01-16 2018-07-19 Ers Electronic Gmbh Vorrichtung zum Temperieren eines Substrats und entsprechendes Herstellungsverfahren
JP6820206B2 (ja) * 2017-01-24 2021-01-27 東京エレクトロン株式会社 被加工物を処理する方法
JP6982394B2 (ja) 2017-02-02 2021-12-17 東京エレクトロン株式会社 被加工物の処理装置、及び載置台
US10403507B2 (en) 2017-02-03 2019-09-03 Applied Materials, Inc. Shaped etch profile with oxidation
US10431429B2 (en) 2017-02-03 2019-10-01 Applied Materials, Inc. Systems and methods for radial and azimuthal control of plasma uniformity
US10043684B1 (en) 2017-02-06 2018-08-07 Applied Materials, Inc. Self-limiting atomic thermal etching systems and methods
US10319739B2 (en) 2017-02-08 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Accommodating imperfectly aligned memory holes
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10943834B2 (en) 2017-03-13 2021-03-09 Applied Materials, Inc. Replacement contact process
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10283353B2 (en) 2017-03-29 2019-05-07 Asm Ip Holding B.V. Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern
US10103040B1 (en) 2017-03-31 2018-10-16 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for manufacturing a semiconductor device
USD830981S1 (en) 2017-04-07 2018-10-16 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate processing apparatus
US10319649B2 (en) 2017-04-11 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Optical emission spectroscopy (OES) for remote plasma monitoring
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US11276559B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber for multiple precursor flow
US11276590B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Multi-zone semiconductor substrate supports
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10049891B1 (en) 2017-05-31 2018-08-14 Applied Materials, Inc. Selective in situ cobalt residue removal
US10497579B2 (en) 2017-05-31 2019-12-03 Applied Materials, Inc. Water-free etching methods
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US10920320B2 (en) 2017-06-16 2021-02-16 Applied Materials, Inc. Plasma health determination in semiconductor substrate processing reactors
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US10541246B2 (en) 2017-06-26 2020-01-21 Applied Materials, Inc. 3D flash memory cells which discourage cross-cell electrical tunneling
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
US10727080B2 (en) 2017-07-07 2020-07-28 Applied Materials, Inc. Tantalum-containing material removal
US10541184B2 (en) 2017-07-11 2020-01-21 Applied Materials, Inc. Optical emission spectroscopic techniques for monitoring etching
US10354889B2 (en) 2017-07-17 2019-07-16 Applied Materials, Inc. Non-halogen etching of silicon-containing materials
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10312055B2 (en) 2017-07-26 2019-06-04 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing film by PEALD using negative bias
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
US10170336B1 (en) 2017-08-04 2019-01-01 Applied Materials, Inc. Methods for anisotropic control of selective silicon removal
US10043674B1 (en) 2017-08-04 2018-08-07 Applied Materials, Inc. Germanium etching systems and methods
US10297458B2 (en) 2017-08-07 2019-05-21 Applied Materials, Inc. Process window widening using coated parts in plasma etch processes
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US10236177B1 (en) 2017-08-22 2019-03-19 ASM IP Holding B.V.. Methods for depositing a doped germanium tin semiconductor and related semiconductor device structures
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
KR102030068B1 (ko) * 2017-10-12 2019-10-08 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US10128086B1 (en) 2017-10-24 2018-11-13 Applied Materials, Inc. Silicon pretreatment for nitride removal
US10283324B1 (en) 2017-10-24 2019-05-07 Applied Materials, Inc. Oxygen treatment for nitride etching
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
CN111316417B (zh) 2017-11-27 2023-12-22 阿斯莫Ip控股公司 与批式炉偕同使用的用于储存晶圆匣的储存装置
JP7206265B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-17 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． クリーン・ミニエンバイロメントを備える装置
US10290508B1 (en) 2017-12-05 2019-05-14 Asm Ip Holding B.V. Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning
US10256112B1 (en) 2017-12-08 2019-04-09 Applied Materials, Inc. Selective tungsten removal
US10903054B2 (en) 2017-12-19 2021-01-26 Applied Materials, Inc. Multi-zone gas distribution systems and methods
US11328909B2 (en) 2017-12-22 2022-05-10 Applied Materials, Inc. Chamber conditioning and removal processes
US10854426B2 (en) 2018-01-08 2020-12-01 Applied Materials, Inc. Metal recess for semiconductor structures
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
CN116732497A (zh) 2018-02-14 2023-09-12 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环沉积工艺在衬底上沉积含钌膜的方法
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10964512B2 (en) 2018-02-15 2021-03-30 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus and methods
US10679870B2 (en) 2018-02-15 2020-06-09 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
TWI716818B (zh) 2018-02-28 2021-01-21 美商應用材料股份有限公司 形成氣隙的系統及方法
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US10593560B2 (en) 2018-03-01 2020-03-17 Applied Materials, Inc. Magnetic induction plasma source for semiconductor processes and equipment
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US10319600B1 (en) 2018-03-12 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Thermal silicon etch
US10497573B2 (en) 2018-03-13 2019-12-03 Applied Materials, Inc. Selective atomic layer etching of semiconductor materials
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US10573527B2 (en) 2018-04-06 2020-02-25 Applied Materials, Inc. Gas-phase selective etching systems and methods
US10490406B2 (en) 2018-04-10 2019-11-26 Appled Materials, Inc. Systems and methods for material breakthrough
US10699879B2 (en) 2018-04-17 2020-06-30 Applied Materials, Inc. Two piece electrode assembly with gap for plasma control
US10886137B2 (en) 2018-04-30 2021-01-05 Applied Materials, Inc. Selective nitride removal
KR102709511B1 (ko) 2018-05-08 2024-09-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
TW202349473A (zh) 2018-05-11 2023-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
TW202405221A (zh) 2018-06-27 2024-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法
JP2021529254A (ja) 2018-06-27 2021-10-28 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 金属含有材料ならびに金属含有材料を含む膜および構造体を形成するための周期的堆積方法
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
JP7015219B2 (ja) * 2018-06-29 2022-02-02 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755941B2 (en) 2018-07-06 2020-08-25 Applied Materials, Inc. Self-limiting selective etching systems and methods
US10872778B2 (en) 2018-07-06 2020-12-22 Applied Materials, Inc. Systems and methods utilizing solid-phase etchants
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10672642B2 (en) 2018-07-24 2020-06-02 Applied Materials, Inc. Systems and methods for pedestal configuration
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049755B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Applied Materials, Inc. Semiconductor substrate supports with embedded RF shield
US10892198B2 (en) 2018-09-14 2021-01-12 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved performance in semiconductor processing
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
US11062887B2 (en) 2018-09-17 2021-07-13 Applied Materials, Inc. High temperature RF heater pedestals
US11417534B2 (en) 2018-09-21 2022-08-16 Applied Materials, Inc. Selective material removal
CN110970344B (zh) 2018-10-01 2024-10-25 Asmip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US11682560B2 (en) 2018-10-11 2023-06-20 Applied Materials, Inc. Systems and methods for hafnium-containing film removal
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11121002B2 (en) 2018-10-24 2021-09-14 Applied Materials, Inc. Systems and methods for etching metals and metal derivatives
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US11437242B2 (en) 2018-11-27 2022-09-06 Applied Materials, Inc. Selective removal of silicon-containing materials
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
KR102646904B1 (ko) 2018-12-04 2024-03-12 삼성전자주식회사 플라즈마 처리 장치
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
US11721527B2 (en) 2019-01-07 2023-08-08 Applied Materials, Inc. Processing chamber mixing systems
US10920319B2 (en) 2019-01-11 2021-02-16 Applied Materials, Inc. Ceramic showerheads with conductive electrodes
TW202405220A (zh) 2019-01-17 2024-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
TWI756590B (zh) 2019-01-22 2022-03-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
JP7254542B2 (ja) * 2019-02-01 2023-04-10 東京エレクトロン株式会社 載置台及び基板処理装置
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TW202044325A (zh) 2019-02-20 2020-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
JP7221737B2 (ja) 2019-03-04 2023-02-14 日本碍子株式会社 ウエハ載置装置
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
JP6918042B2 (ja) * 2019-03-26 2021-08-11 日本碍子株式会社 ウエハ載置装置
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
KR20210010817A (ko) 2019-07-19 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN112323048B (zh) 2019-08-05 2024-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210078405A (ko) 2019-12-17 2021-06-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 바나듐 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
CN113053715B (zh) * 2019-12-27 2023-03-31 中微半导体设备(上海)股份有限公司 下电极组件、等离子体处理装置及其工作方法
JP2021109175A (ja) 2020-01-06 2021-08-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム
JP2021111783A (ja) 2020-01-06 2021-08-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー チャネル付きリフトピン
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR20210093163A (ko) 2020-01-16 2021-07-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고 종횡비 피처를 형성하는 방법
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210117157A (ko) 2020-03-12 2021-09-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
CN111477569B (zh) * 2020-04-10 2024-02-27 北京北方华创微电子装备有限公司 一种半导体设备中的加热装置及半导体设备
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
JP2021172884A (ja) 2020-04-24 2021-11-01 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化バナジウム含有層を形成する方法および窒化バナジウム含有層を含む構造体
KR20210132605A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
TW202147543A (zh) 2020-05-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體處理系統
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
TW202147383A (zh) 2020-05-19 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202200837A (zh) 2020-05-22 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基材上形成薄膜之反應系統
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202202649A (zh) 2020-07-08 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR102607844B1 (ko) * 2020-07-10 2023-11-30 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 지지 유닛
TW202219628A (zh) 2020-07-17 2022-05-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於光微影之結構與方法
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
US11725280B2 (en) 2020-08-26 2023-08-15 Asm Ip Holding B.V. Method for forming metal silicon oxide and metal silicon oxynitride layers
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202242184A (zh) 2020-12-22 2022-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 前驅物膠囊、前驅物容器、氣相沉積總成、及將固態前驅物裝載至前驅物容器中之方法
TW202226899A (zh) 2020-12-22 2022-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 具匹配器的電漿處理裝置
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
WO2024190541A1 (ja) * 2023-03-14 2024-09-19 東京エレクトロン株式会社 基板支持アセンブリ及びプラズマ処理装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07130830A (ja) * 1993-11-05 1995-05-19 Sony Corp 半導体製造装置
JPH0936097A (ja) * 1995-07-18 1997-02-07 Sony Corp 温度調整装置
US6063710A (en) 1996-02-26 2000-05-16 Sony Corporation Method and apparatus for dry etching with temperature control
EP1001454A2 (en) * 1998-11-11 2000-05-17 Tokyo Electron Limited Surface treatment method and surface treatment apparatus

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2981243B2 (ja) 1988-12-27 1999-11-22 株式会社東芝 表面処理方法
EP0423327B1 (en) * 1989-05-08 1994-03-30 Koninklijke Philips Electronics N.V. Apparatus and method for treating flat substrates under reduced pressure
US5078851A (en) * 1989-07-26 1992-01-07 Kouji Nishihata Low-temperature plasma processor
JPH09157846A (ja) * 1995-12-01 1997-06-17 Teisan Kk 温度調節装置
US5846375A (en) * 1996-09-26 1998-12-08 Micron Technology, Inc. Area specific temperature control for electrode plates and chucks used in semiconductor processing equipment
US6706334B1 (en) * 1997-06-04 2004-03-16 Tokyo Electron Limited Processing method and apparatus for removing oxide film
JP4124543B2 (ja) * 1998-11-11 2008-07-23 東京エレクトロン株式会社 表面処理方法及びその装置
WO2000074117A1 (en) * 1999-05-27 2000-12-07 Matrix Integrated Systems, Inc. Rapid heating and cooling of workpiece chucks
JP4592916B2 (ja) * 2000-04-25 2010-12-08 東京エレクトロン株式会社 被処理体の載置装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07130830A (ja) * 1993-11-05 1995-05-19 Sony Corp 半導体製造装置
JPH0936097A (ja) * 1995-07-18 1997-02-07 Sony Corp 温度調整装置
US6063710A (en) 1996-02-26 2000-05-16 Sony Corporation Method and apparatus for dry etching with temperature control
EP1001454A2 (en) * 1998-11-11 2000-05-17 Tokyo Electron Limited Surface treatment method and surface treatment apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
JP4644943B2 (ja) 2011-03-09
US7235137B2 (en) 2007-06-26
KR20030074713A (ko) 2003-09-19
WO2002059953A1 (fr) 2002-08-01
JP2002217178A (ja) 2002-08-02
US20040097088A1 (en) 2004-05-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100842948B1 (ko) 반도체 처리용 낱장식 처리 장치 및 방법
US8608901B2 (en) Process chamber cleaning method in substrate processing apparatus, substrate processing apparatus, and substrate processing method
KR100580584B1 (ko) 리모트 플라즈마 발생 튜브의 표면 세정 방법과 이를이용하는 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
JP5511536B2 (ja) 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
US7754995B2 (en) Plasma processing apparatus and plasma processing method
CN110504157B (zh) 基板处理方法和基板处理装置
US5423918A (en) Method for reducing particulate contamination during plasma processing of semiconductor devices
US20130137274A1 (en) Substrate processing method
KR20200019983A (ko) 에칭 방법 및 에칭 장치
JPWO2002065532A1 (ja) 被処理体の処理方法及びその処理装置
JP2000124195A (ja) 表面処理方法及びその装置
KR100605884B1 (ko) 표면 처리 방법 및 장치
CN113265626A (zh) 成膜装置及成膜装置的水分去除方法
JP3204836B2 (ja) プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置
US20220208515A1 (en) Apparatus and method for treating substrate
CN112635317B (zh) 蚀刻方法、损伤层的去除方法和存储介质
JP3297857B2 (ja) クラスタツール装置
JP3184666B2 (ja) プラズマ装置の運転方法
JP3207402B2 (ja) 半導体用熱処理装置および半導体基板の熱処理方法
US20050284572A1 (en) Heating system for load-lock chamber
JP6704147B2 (ja) プラズマ処理方法、電子部品の製造方法およびプラズマ処理装置
KR102653253B1 (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
KR102654170B1 (ko) 액상 전구체를 이용한 원자층 식각 방법
US20230274942A1 (en) Method for manufacturing semiconductor device
US20230005715A1 (en) Apparatus and method for treating substrate

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130531

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140603

Year of fee payment: 7

LAPS Lapse due to unpaid annual fee