JPWO2013051248A1 - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2013051248A1 JPWO2013051248A1 JP2013537413A JP2013537413A JPWO2013051248A1 JP WO2013051248 A1 JPWO2013051248 A1 JP WO2013051248A1 JP 2013537413 A JP2013537413 A JP 2013537413A JP 2013537413 A JP2013537413 A JP 2013537413A JP WO2013051248 A1 JPWO2013051248 A1 JP WO2013051248A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric window
- processing apparatus
- plasma processing
- gas
- gas flow
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 231
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 104
- 230000002265 prevention Effects 0.000 claims abstract description 44
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 36
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 32
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 31
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 claims description 20
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 15
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 15
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 8
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 8
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 6
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 2
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 abstract description 37
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 abstract description 12
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 510
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 77
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 56
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 56
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 21
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 18
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 17
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 14
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 13
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 12
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 11
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 10
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 9
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 9
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 9
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 8
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 7
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 7
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 7
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 7
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 6
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 5
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 5
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 5
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 5
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 5
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 4
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 4
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 3
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 3
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 238000005422 blasting Methods 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000012489 doughnuts Nutrition 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- -1 for example Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 229920000592 inorganic polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32192—Microwave generated discharge
- H01J37/32201—Generating means
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/511—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using microwave discharges
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32192—Microwave generated discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32458—Vessel
- H01J37/32477—Vessel characterised by the means for protecting vessels or internal parts, e.g. coatings
- H01J37/32495—Means for protecting the vessel against plasma
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
- H05H1/461—Microwave discharges
- H05H1/463—Microwave discharges using antennas or applicators
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
【課題】プラズマ生成用の電磁波をチャンバ内に透過して導入する誘電体窓にガス流路を設ける場合に、そのガス流路の入口付近における異常放電を確実に防止する。【解決手段】このマイクロ波プラズマ処理装置は、チャンバ１０内に処理ガスを導入するためのガス導入機構として、誘電体窓５２を貫通する複数の誘電体窓ガス流路９４(1)〜９４(8)にそれぞれ設けられる放電防止部材９６(1)〜９６(8)を有している。各放電防止部材９６(n)は、その入口側の部分１１４が誘電体窓５２の裏面より上方に所定距離Ｈ以上の高さｈだけ突出していて、スロット板５４の開口５４ａを通ってガス分岐部９０の分岐ガス流路９２(n)の中に挿入されている。各放電防止部材９６(n)の突出部１１４の周りを囲んでいるガス分岐部９０、スプリングコイル１１６およびスロット板５４は包囲導体１１８を構成している。【図面】 図２
Description
本発明は、処理ガスの電磁波放電により生成されるプラズマを用いて被処理基板に所望の処理を施すプラズマ処理装置に関する。
半導体デバイスやＦＰＤ（Flat Panel Display）の製造プロセスにおけるエッチング、堆積、酸化、スパッタリング等の処理では、処理ガスに比較的低温で良好な反応を行わせるためにプラズマがよく利用されている。従来より、この種のプラズマ処理には、ＭＨｚ領域の高周波放電により生成されるプラズマか、もしくはＧＨｚ領域のマイクロ波放電により生成されるプラズマが広く用いられている。
マイクロ波放電によるプラズマは、低圧下で電子温度の低い高密度のプラズマを生成できるという利点があり、特にスロットアンテナを組み込んだ平板状のマイクロ波導入窓構造を採ることにより、大口径プラズマを効率的に生成できるうえ、磁場を必要としないためプラズマ処理装置の簡略化をはかれるという長所を有している。
ところで、マイクロ波プラズマ処理装置においても、所望のプロセスに必要なプラズマを生成するために、真空のチャンバ（処理容器）内に所要の処理ガスを供給し、チャンバ内で放電させる必要がある。通常は、チャンバの天井にマイクロ波導入用の誘電体窓が天板として取り付けられる。チャンバ内のプラズマ生成空間においては、この誘電体窓（天板）の内側近傍でマイクロ波の電界および放射パワーが最も強いことから、この付近に処理ガスを流し込むのが最もプラズマ生成効率が高い。このため、誘電体窓を貫通するガス流路を介して天井からチャンバ内に処理ガスを導入する上部ガス導入機構が多く用いられるようになっている。
もっとも、誘電体窓はマイクロ波伝搬路でもあり、その内部にはマイクロ波電界が多く分布し、誘電体窓のガス流路内で処理ガスがマイクロ波電界に晒されれば放電する可能性がある。誘電体窓のガス流路の中または入口付近で処理ガスが放電すると、マイクロ波パワーの無駄な消費を招くだけでなく、ガス流路の壁に処理ガスの分解生成物が堆積してコンダクタンスの低下等を来す。最悪の場合、誘電体窓が放電によって破損することもある。
このような誘電体窓内部での異常放電を防止する技法として、誘電体窓内部のガス流路を流れる処理ガスをマイクロ波電界から電磁的に遮蔽するようにガス流路の壁を導体で構成する従来技術がある。しかし、この技法は、プラズマ生成空間に臨む導体（金属）のガス噴出部がプラズマからのイオンのアタックでスパッタされ、コンタミネーションを起こす懸念や、マイクロ波電界が電磁的に遮蔽されることにより均一なプラズマ処理を阻害する懸念がある。
別の技法として、誘電体窓内部のガス流路に通気性の放電防止部材を詰め込む技術が提案されている（特許文献１）。この放電防止部材は、典型的には多孔質の誘電体からなり、内部で無数の細孔が互いに連通して通気性があるので、処理ガスをスムースにチャンバ内のプラズマ生成空間まで送ることができる。一方で、この多孔質の誘電体がマイクロ波電界に晒されても、ガス流路（内部の無数の細孔）のスペースが小さすぎて電子は殆ど加速されず、放電になるほどの電子衝突電離は起こらない。
上記のように、マイクロ波プラズマ処理装置において、誘電体窓を貫通するガス流路には通気性を有する放電防止部材を充填することによって、コンタミネーションを伴わずに誘電体窓内部の異常放電を効果的に防止することができる。しかしながら、その一方で、そのような放電防止部材が充填されていたとしても、放電防止部材より上流側のガス流路では、依然として処理ガスの予期せぬ放電（異常放電）が発生し得ることが課題となっている。
通常、誘電体窓を貫通するガス流路の入口には、処理ガス供給部からの外部ガス管がＯリング等のシール部材を介して気密に接続される。この種のガス管は、ステンレスや銅等の金属からなり、細めの管に作られている。しかしながら、外部ガス管の出口と接続する誘電体窓側のガス流路の入口付近で処理ガスが充満するガス溝（特にＯリングの内側の隙間）において、電磁界強度と圧力次第で（一般に電磁界強度が高くて圧力が低いときに）ガスの異常放電が起こる。
上記のような通気性の放電防止部材を詰めたガス流路の入口付近のガス溝における異常放電を防止するために、従来は、マイクロ波の投入電力に制限を加える（それによって上記ガス溝内の電磁界強度を下げる）手法、あるいは上記ガス溝内の圧力を十分高くする（たとえば３００Torr以上にする）手法が用いられている。
しかしながら、マイクロ波の投入電力に制限を加える手法は、プラズマプロセスの処理速度の低下を伴い、これは実用上の大きな不利点になる。
また、上記ガス溝の圧力を高くする手法も、難点が多い。すなわち、ガス溝の圧力を高くすると、プラズマプロセスの処理前後におけるガスの吸排気やマルチステップ法におけるガス種の置換に多くの時間（数十秒以上）を費やし、結果的にスループットの低下を招く。また、ガス溝の圧力を高くすると、ガス流量がガス溝圧力によって律則されるため、プラズマ生成に伴うガス流路の放電防止部材（多孔質誘電体）の温度変化を介したガス溝圧力の変動によって、ガス流量が容易に変動し、プラズマプロセスの安定性や再現性に支障が出る。さらに、処理ガスに蒸気圧の低いガス種を用いる場合には、圧力を上げるために、たとえば外部ガス管の全区間に装着される加熱手段によりガス管の中でガスの温度を上げる必要があり、ガス供給ラインが高価で大掛かりになる。
本発明は、上記のような従来技術の問題点を解決するものであり、プラズマ生成用の電磁波をチャンバ内に透過して導入する誘電体窓にガス流路を設ける場合に、そのガス流路の入口付近における異常放電を確実に防止するようにしたプラズマ処理装置を提供する。
本発明のプラズマ処理装置は、誘電体の窓を有する真空排気可能な処理容器と、前記処理容器内で被処理基板を保持する基板保持部と、前記誘電体窓を貫通する誘電体窓ガス流路と、前記処理容器内のプラズマ生成空間から見て前記誘電体窓の裏側または外側で前記誘電体窓ガス流路と接続する外部ガス供給路を有し、所要の処理ガスの少なくとも一部を前記外部ガス供給路および前記誘電体窓ガス流路を介して前記処理容器内に供給する処理ガス供給部と、前記誘電体窓を介して前記処理容器内に電磁波を供給する電磁波供給部と、前記誘電体窓に一体的に形成または結合され、前記外部ガス供給路の出口に接続する入口を有し、前記誘電体窓ガス流路の全区間または一区間を構成する通気性の放電防止部材と、前記放電防止部材の少なくともその入口付近を包囲する包囲導体とを有する。
上記の構成においては、処理容器内でプラズマプロセスが行われる時、処理ガス供給部の外部ガス流路を通って所定の圧力で送られてきた処理ガスは、放電防止部材の入口から誘電体窓ガス流路に入り、通気性の放電防止部材を通り抜けて、誘電体窓ガス流路の終端（ガス噴出口）から処理容器内に噴き出る。
一方、電磁波供給部より供給される電磁波は、誘電体窓を透過して処理容器内のプラズマ生成空間に向けて放射される一方で、誘電体窓の中を伝搬し、放電防止部材を自由に透過する。こうして、放電防止部材の中は、処理ガスが流れるだけでなく、誘電体窓の中に多く分布する電磁波電界にも晒される。さらに、放電防止部材を介して電磁波がその周囲、特に外部ガス流路にも及ぶ。
ここで、放電防止部材の中は、ガス流路（無数の細孔）のスペースが小さすぎるため、ここでは電磁波の電界が如何に強くても電子は殆ど加速されず、電子衝突電離つまり放電は殆ど起こらない。一方、誘電体窓の内部から放電防止部材の中を入口側に向かって進行する電磁波電界は、誘電体窓の中よりも格段に狭くて奥まった包囲導体の中で反射または等価的なリアクタンスによって減衰し、包囲導体の中を伝搬する距離が増すほど、つまり放電防止部材の入口側に進行するほど、その減衰量が増大する。これによって、放電防止部材の入口付近の電界強度は誘電体窓内部の電界強度よりも著しく低くなる。
したがって、電磁波の投入パワーを任意に大きくし、ガス流路の圧力を任意に低くしても、異常放電が最も発生しやすい場所とされる放電防止部材の入口付近において異常放電を確実に防止することができる。
本発明のプラズマ処理装置によれば、上記のような構成および作用により、プラズマ生成用の電磁波をチャンバ内に透過して導入する誘電体窓にガス流路を設ける場合に、そのガス流路入口付近における異常放電を確実に防止することができる。
以下、添付図を参照して本発明の好適な実施形態を説明する。
図１に、本発明の一実施形態におけるマイクロ波プラズマ処理装置の構成を示す。このマイクロ波プラズマ処理装置は、マイクロ波および平板スロットアンテナを用いて励起される表面波プラズマの下で、たとえばプラズマエッチング、プラズマＣＶＤ、プラズマＡＬＤ等のプラズマ処理を行う装置であり、アルミニウムまたはステンレス鋼等の金属製の円筒型真空チャンバ（処理容器）１０を有している。チャンバ１０は接地されている。
先ず、このマイクロ波プラズマ処理装置においてプラズマ生成に関係しない各部の構成を説明する。
チャンバ１０内の下部中央には、被処理基板としてたとえば半導体ウエハＷを載置する円板状のサセプタ１２が、基板保持台として水平に配置されている。このサセプタ１２は、たとえばアルミニウムからなり、チャンバ１０の底から垂直上方に延びる絶縁性の筒状支持部１４に支持されている。
筒状支持部１４の外周に沿ってチャンバ１０の底から垂直上方に延びる導電性の筒状支持部１６とチャンバ１０の内壁との間に環状の排気路１８が形成され、この排気路１８の上部または入口に環状のバッフル板２０が取り付けられるとともに、底部に１つまたは複数の排気ポート２２が設けられている。各排気ポート２２には排気管２４を介して排気装置２６が接続されている。排気装置２６は、ターボ分子ポンプなどの真空ポンプを有しており、チャンバ１０内のプラズマ処理空間を所望の真空度まで減圧することができる。チャンバ１０の側壁の外には、半導体ウエハＷの搬入出口２７を開閉するゲートバルブ２８が取り付けられている。
サセプタ１２の上面には、半導体ウエハＷにイオンを引き込むためのバイアス電極と、半導体ウエハＷを静電吸着力で保持するための電極３６ａとを備えた静電チャック３６が設けられている。バイアス電極には、ＲＦバイアス用の高周波電源３０がマッチングユニット３２および給電棒３４を介して電気的に接続されている。この高周波電源３０は、半導体ウエハＷに引き込むイオンのエネルギーを制御するのに適した一定の周波数たとえば１３．５６ＭＨｚの高周波を所定のパワーで出力する。マッチングユニット３２は、高周波電源３０側のインピーダンスと負荷（主に電極、プラズマ、チャンバ）側のインピーダンスとの間で整合をとるための整合器を収容しており、この整合器の中にブロッキングコンデンサが含まれている。
静電チャック３６の半径方向外側に半導体ウエハＷの周囲を環状に囲むフォーカスリング３８が設けられる。電極３６ａには直流電源４０がスイッチ４２および被覆線４３を介して電気的に接続されている。直流電源４０より印加される直流電圧により、静電気力で半導体ウエハＷを静電チャック３６上に吸着保持することができる。
サセプタ１２の内部には、たとえば円周方向に延びる環状の冷媒流路４４が設けられている。この冷媒流路４４には、チラーユニット（図示せず）より配管４６，４８を介して所定温度の冷媒たとえばフッ素系熱媒体や冷却水ｃｗが循環供給される。冷媒の温度によって静電チャック３６上の半導体ウエハＷの処理温度を制御できる。さらに、伝熱ガス供給部（図示せず）からの伝熱ガスたとえばＨeガスが、ガス供給管５０を介して静電チャック３６の上面と半導体ウエハＷの裏面との間に供給される。また、半導体ウエハＷのローディング／アンローディングのためにサセプタ１２を垂直方向に貫通して上下移動可能なリフトピンおよびその昇降機構（図示せず）等も設けられている。
次に、このマイクロ波プラズマエッチング装置においてプラズマ生成に関係する各部の構成を説明する。
チャンバ１０のサセプタ１２と対向する天井面には、マイクロ波導入用の円形の誘電体窓５２が天板として気密に取り付けられる。この誘電体窓５２直下のチャンバ内空間がプラズマ生成空間になる。誘電体窓５２は、マイクロ波を透過する誘電体、たとえば石英あるいはＡｌ2Ｏ3等のセラミックスからなり、耐圧性を考慮してたとえば２０ｍｍ程度の厚さを有している。
誘電体窓５２は、その上面に貼付または配置された導体のスロット板５４を備える。スロット板５４は、マイクロ波を放射するためのスロットとして同心円状に分布する回転対称な多数のスロットペア５５（図４６）を有している。スロット板５４の上には、その内部を伝搬するマイクロ波の波長を短縮するための誘電体板５６が設けられている。スロット板５４は、マイクロ波伝送線路５８に電磁的に結合されている。スロット板５４、誘電体板５６、およびスロット板の対面に設けられたアンテナ後面板とで、平板型のスロットアンテナ、たとえば円板形のラジアルラインスロットアンテナ５５が構成されている。
マイクロ波伝送線路５８は、マイクロ波発生器６０より所定のパワーで出力されるたとえば２．４５ＧＨｚのマイクロ波をラジアルラインスロットアンテナ５５まで伝送する線路であり、導波管６２と導波管−同軸管変換器６４と同軸管６６とを有している。導波管６２は、たとえば方形導波管であり、ＴＥモードを伝送モードとしてマイクロ波発生器６０からのマイクロ波を導波管−同軸管変換器６４に伝送する。
導波管−同軸管変換器６４は、方形導波管６２の終端部と同軸管６６の始端部とを結合し、方形導波管６２の伝送モードを同軸管６６の伝送モードに変換する。同軸管６６は、導波管−同軸管変換器６４からチャンバ１０の上面中心部まで鉛直下方に延びて、その同軸線路の終端部が誘電体板５６を介してラジアルラインスロットアンテナ５５に結合されている。同軸管６６の外部導体７０は方形導波管６２と一体形成された円筒体からなり、マイクロ波は内部導体６８と外部導体７０の間の空間をＴＥＭモードで伝搬する。
マイクロ波発生器６０より出力されたマイクロ波は、上記のようなマイクロ波伝送線路５８の導波管６２、導波管−同軸管変換器６４および同軸管６６を伝搬して、ラジアルラインスロットアンテナ５５に誘電体板５６を介して給電される。そして、誘電体板５６内で波長を短縮しながら半径方向に広げられたマイクロ波はアンテナ５５の各スロットペアから２つの直交する偏波成分を含む円偏波の平面波となってチャンバ１０内に向けて放射される。誘電体窓５２の表面に沿ってラジアル方向に伝搬する表面波の電界（マイクロ波電界）によって付近のガスが電離して、高密度で電子温度の低いプラズマが生成される。
誘電体板５６の上には、アンテナ後面板を兼ねる冷却ジャケット板７２がチャンバ１０の上面を覆うように設けられている。この冷却ジャケット板７２は、たとえばアルミニウムからなり、誘電体窓５２および誘電体板５６で発生する誘電損失の熱を吸収（放熱）する機能を有している。この冷却機能のために、冷却ジャケット板７２の内部に形成されている流路７４には、チラーユニット（図示せず）より配管７６，７８を介して所定温度の冷媒たとえばフッ素系熱媒体や冷却水ｃｗが循環供給される。
このマイクロ波プラズマ処理装置は、チャンバ１０内に処理ガスを導入するためのガス導入機構として、誘電体窓５２内に設けられたガス流路を含む上部ガス導入部８０と、チャンバ１０の側壁に設けられたガス流路を含む側部（サイド）ガス導入部８２の２系統を備えている。
上部ガス導入部８０においては、同軸管６６の内部導体６８に、その中を軸方向に貫通する中空のガス流路８４が設けられている。そして、内部導体６８の上端に処理ガス供給源８６からの第１ガス供給管８８が接続され、第１ガス供給管８８のガス流路と同軸管６６のガス流路８４は連通している。
内部導体６８の下端には、下方の基端部に向かって逆テーパ状に径が大きくなり、その内部にてガスのフローを分岐するブロック状のコネクタ部９０が接続されている。このコネクタ部９０は、同軸管６６のガス流路８４の終端と接続する１つ（共通）の入口９０ａと、この共通入口９０ａから内部で刳り貫かれて放射状に分岐する複数本たとえば８本の内部流路つまり分岐ガス供給路９２(1)〜９２(8)とを有し、誘電体窓５２の中心部の裏面（上面）に気密に対向している。
コネクタ部９０は、導体たとえば銅、アルミニウム、ステンレスあるいはそれらの合金からなり、同軸管６６の内部導体６８に接続され、同軸線路の終端部を構成し、電気的に接地されている。
誘電体窓５２には、コネクタ部９０の分岐ガス供給路９２(1)〜９２(8)の終端とそれぞれ接続する内部流路つまり誘電体窓ガス流路９４(1)〜９４(8)が形成されている。これらの誘電体窓ガス流路９４(1)〜９４(8)は、好ましくは誘電体窓５２の中心Ｏから一定距離（半径）ＲAの円周上に等間隔で配置され（図３）、各々が誘電体窓５２を垂直に貫通してチャンバ１０内のプラズマ生成空間に臨んでいる（図１）。
図２に示すように、誘電体窓５２を貫通する各々の誘電体窓ガス流路９４(n)（ｎ=1〜8）には、誘電体からなる通気性の放電防止部材９６(n)が設けられている。この実施形態においては、各々の放電防止部材９６(n)が各対応する誘電体窓ガス流路９４(n)の全区間（または一区間）を占めている。各々の放電防止部材９６(n)は誘電体窓５２の裏側では各対応するガス分岐供給路９２(n)と接続し、誘電体窓５２のおもて側ではチャンバ１０内のプラズマ生成空間に臨んで、ガス噴出口５３を形成している。
各誘電体窓ガス流路９４(n)においてコネクタ部９０の分岐ガス供給路９２(n)の終端（出口）と接続する入口側の部分は、後に詳細に説明する。
上部ガス導入部８０において、処理ガス供給源８６より所定の圧力で送出された処理ガス（たとえばエッチングガスあるいは成膜ガス）は、第１ガス供給管８８、同軸管６６のガス流路８４、コネクタ部９０の各ガス分岐供給路９２(n)および誘電体窓５２の各放電防止部材９６(n)を順に流れて終端のガス噴出口５３から吐出され、チャンバ１０内の中心部から周辺部に向かってプラズマ生成空間に拡散するようになっている。なお、第１ガス供給管８８の途中には、ＭＦＣ（マス・フロー・コントローラ）９８および開閉弁１００が設けられている。
側部ガス導入部８２は、誘電体窓５２の下面より低い位置にあり、チャンバ１０の側壁の中に環状に形成されたバッファ室（マニホールド）１０２と、円周方向に等間隔でバッファ室１０２からプラズマ生成空間に臨む多数の側壁ガス噴出口１０４と、処理ガス供給源８８からバッファ室１０２まで延びる第２ガス供給管１０６とを有している。第２ガス供給管１０６の途中にはＭＦＣ１０８および開閉弁１１０が設けられている。
この側部ガス導入部８２において、処理ガス供給源８６より所定の圧力で送出された処理ガス（たとえばエッチングガスあるいは成膜ガス）は、第２ガス供給管１０６を通ってチャンバ１０側壁内のバッファ室１０２に導入される。そして、各側壁ガス噴出口１０４より略水平に噴射され、チャンバ１０内の周辺部から中心部に向かってプラズマ生成空間に拡散するようになっている。
なお、上部ガス導入部８０および側部ガス導入部８２よりチャンバ１０内にそれぞれ導入される処理ガスは、通常は同種のガスでよいが、別種類のガスであってもよい。各ＭＦＣ９８，１０８を通じて各々独立した流量で、あるいは任意の流量比で導入することもできる。たとえば、上部ガス導入部８０からプラズマ励起用ガスとしての不活性ガスを導入し、側部ガス導入部８２よりプロセスガスとしての成膜ガスを導入することができる。
制御部１１２は、マイクロコンピュータを有しており、このマイクロ波プラズマ処理装置内の各部、たとえば排気装置２６、高周波電源３０、静電チャック３６用のスイッチ４２、マイクロ波発生器６０、上部ガス導入部８０、側部ガス導入部８２、処理ガス供給源８６、伝熱ガス供給部（図示せず）等の個々の動作および装置全体の動作を制御する。また、制御部１１２は、マン・マシン・インタフェース用のタッチパネル（図示せず）およびこのプラズマ処理装置の諸動作を規定する各種プログラムや設定値等のデータを格納する記憶装置（図示せず）等とも接続されている。
このマイクロ波プラズマ処理装置において、たとえばエッチングを行なうには、先ずゲートバルブ２８を開状態にして加工対象の半導体ウエハＷをチャンバ１０内に搬入して、静電チャック３６の上に載置する。そして、処理ガス導入部８０，８２より処理ガスつまりエッチングガス（一般に混合ガス）を所定の流量でチャンバ１０内に導入し、排気装置２６によりチャンバ１０内の圧力を設定値まで減圧する。たとえば、酸化シリコン膜をエッチングする際には、アルゴンガス、フッ素含有炭化水素ガス、酸素ガスの混合ガス等が用いられる。また、伝熱ガス供給部より静電チャック３６と半導体ウエハＷとの接触界面に伝熱ガス（ヘリウムガス）を供給するとともに、スイッチ４２をオンにして静電チャック３６の静電吸着力により半導体ウエハＷを固定する。そして、マイクロ波発生器６０をオンにし、マイクロ波発生器６０より所定パワーで出力されるマイクロ波をマイクロ波伝送線路５８から伝搬させてラジアルラインスロットアンテナ５５に給電し、アンテナ５５からチャンバ１０内にマイクロ波を放射させる。さらに、高周波電源３０をオンにして所定のパワーでＲＦバイアス用の高周波を出力させ、この高周波をマッチングユニット３２および給電棒３４を介してバイアス電極に印加する。
上部ガス導入部８０のガス噴出口５３および側部ガス導入部８２のガス噴出口１０４よりチャンバ１０内のプラズマ生成空間に導入されたエッチングガスは、スロット板５４の下面とプラズマに沿ってラジアル方向に伝搬するマイクロ波表面波によって解離または電離する。こうして、誘電体窓５２の近傍で生成されたプラズマは下方に拡散し、半導体ウエハＷの主面の被加工膜に対してプラズマ中のラジカルによる等方性エッチングおよび／またはイオン照射による垂直エッチングが行われる。
上記のようなプラズマエッチングにおける主要なプロセス条件は、エッチングガスのガス種・流量、圧力、マイクロ波のパワー、ＲＦバイアスのパワーである。今日のマイクロ波プラズマエッチングにおいては、半導体デバイスの微細化が進むにつれて、異方性および選択比の高いエッチングが求められており、低圧条件での処理の重要性が高まっている。一方で、高密度の大口径プラズマを形成し、エッチング速度を向上させるには、マイクロ波のパワーを高くするのがよい。また、スループットを向上させるには、ガス導入機構のガス流路内の圧力を低くするのが好ましい。また、多種多様な処理対象に対しても所望の形状にエッチングできることが求められており、上記のプロセス条件は、他の条件に制約がなく自由に設定できることが好ましい。また、複数層を一度に処理する場合において、例えば、第１の層は、低圧条件で処理を行い、第２の層は、高圧条件で処理を行いたいという要求があり、この場合、どちらの条件においても意図する処理を行うことが求められている。
そのようなプラズマプロセスの要件および運用の下で問題になるのは、上部ガス導入部において、誘電体窓（天板）を貫通する誘電体窓ガス流路の入口付近で処理ガスの異常放電が起り易くなることや、誘電体窓ガス流路の出口にプラズマが流入することであり、上記したように従来技術の課題でもあった。
この点に関して、この実施形態のマイクロ波プラズマ処理装置は、誘電体窓（天板）５２の誘電体窓ガス流路９４(n)回りを以下に説明するような構成とすることにより、所望のプラズマプロセスを行うためにマイクロ波のパワーを任意に大きくしたり、誘電体窓ガス流路９４(n)の入口付近の圧力を任意に低くしても、誘電体窓ガス流路９４(n)の中またはその入口付近における処理ガスの異常放電やプラズマの流入を抑制できるようにしている。そして、このことにより、プラズマ処理の性能および信頼性を向上させている。
［誘電体窓ガス通路回りの構成に関する実施例１］
［誘電体窓ガス通路回りの構成に関する実施例１］
図４に、第１の実施例における誘電体窓ガス流路回りの装置構成を示す。図示のように、この実施例では、各誘電体窓ガス流路９４(n)に設けられる各放電防止部材９６(n)が、各誘電体窓ガス流路９４(n)の全区間（または一区間）を構成しているだけでなく、その入口側の部分１１４が誘電体窓５２の裏面より上方に所定距離Ｈ以上の高さｈだけ突出し、スロット板５４の開口５４ａを通ってコネクタ部９０の分岐ガス流路９２(n)に挿入されている。
ここで、コネクタ部９０の下面とスロット板５４の上面との間には、放電防止部材９６(n)の周りを囲む無端状またはリング状の可撓性導体たとえばスプリングコイル１１６が嵌め込まれている。この実施例では、放電防止部材９６(n)の突出部１１４の周りを囲んでいるコネクタ部９０、スプリングコイル１１６およびスロット板５４が包囲導体１１８を構成している。なお、コネクタ部９０およびスロット板５４は、スプリングコイル１１６を介して互いに電気的に接続されるとともに、それぞれ同軸管６６の内部導体６８および冷却ジャケット板７２を介して同軸管６６の外部導体７０と電気的に接続（つまり接地）されている。
また、放電防止部材９６(n) の突出部１１４とその周りを囲んでいるコネクタ部９０との間には、無端状またはリング状のシール部材たとえばＯリング１２０が挿入されている。このＯリング１２０の上で放電防止部材９６(n)の突出部１１４の周りにはガス流路と連通する環状の隙間（ガス溝）１２２が形成される。一方、Ｏリング１２０の下に形成される環状の隙間１２４は、大気圧空間に通じている。
上記のようにＯリング１２０の上で放電防止部材９６(n)の突出部１１４の周りに環状の隙間（ガス溝）１２２が形成されるときは、包囲導体１１８がこの隙間（ガス溝）１２２の下端の位置（最も奥まった位置）から所定距離Ｈ以上の範囲ｈ'に亘って該突出部１１４の周りを囲む構成が好ましい。
放電防止部材９６(n)は、誘電体窓５２の開口５２ａに一体的に形成または結合された誘電体たとえばセラミックス製の筒部１２６と、この筒部１２６の中に詰められた通気性誘電体１２８とを有している。通気性誘電体１２８は、たとえば石英、アルミナ、窒化アルミニウム等のセラミックス製の多孔質誘電体からなり、内部で無数の細孔が互いに連通して、通気性を有している。
プラズマ処理が行われる時、上部ガス導入部８０において、コネクタ部９０の分岐ガス流路９２(n)を通って所定の圧力で送られてきた処理ガスは、放電防止部材９６(n)の入口から通気性誘電体１２８に入り、通気性誘電体１２８の中の無数の細孔を下方に通り抜けて、終端のガス噴出口５３から噴き出すようになっている。このように通気性誘電体１２８が無数の細孔を持つので、プラズマ生成空間のプラズマが通気性誘電体１２８の中を通って流入することはない。
一方、マイクロ波発生器６０よりマイクロ波伝送線路５８を通って伝送されて来たマイクロ波は、ラジアルラインスロットアンテナ５５から誘電体窓５２の中を伝搬し、チャンバ１０内のプラズマ生成空間に向けて放射される。この時、誘電体窓５２と放電防止部材９６（n）を透過する。こうして、放電防止部材９６(n)の中は、処理ガスが流れるだけでなく、マイクロ波電界にも晒される。さらに、マイクロ波電界は、コネクタ部９０の内部方向へも伝搬する。
もっとも、放電防止部材９６(n)の中は、通気性誘電体１２８のガス流路（無数の細孔）のスペースが小さいため、ここではマイクロ波電界が比較的強くても電子は加速されにくく、放電は殆ど起こらない。
また、誘電体窓５２の内部から放電防止部材９６(n)の突出部１１４の中のマイクロ波電界は、誘電体窓５２の中よりも導波管つまり包囲導体１１８の中で反射し、または等価的なリアクタンスによって減衰する。そして、マイクロ波電界が包囲導体１１８の中を伝搬する距離が増すほど、つまり放電防止部材９６(n)の入口側に進行するほど、その減衰量がｄＢレベルで突出部１１４の全長（ｈ）に比例して大きくなる。これによって、放電防止部材９６(n)の入口付近の電界強度は誘電体窓５２内部の電界強度よりも低くなる。
したがって、マイクロ波の投入パワーを任意に大きくしたり、上部ガス導入部８０におけるガス流路の圧力を任意に低くしても、異常放電が発生しやすい放電防止部材９６(n)の入口付近において異常放電を抑制することができる。
一例として、この実施形態においては、マイクロ波の投入パワー密度（投入パワー÷透過窓面積）を約２Ｗ／ｃｍ2まで上げ、放電防止部材９６(n)の入口付近のガス溝１２２内の圧力を９０Torrまで下げても、同ガス溝１２２付近で異常放電は起きなかった。
この実施例では、同軸管６６のガス流路８４の終端と接続する略円錐体形状のコネクタ部９０の内部に形成した複数の分岐ガス供給路９２(1)〜９２(8)を外部ガス供給路として誘電体窓５２側の放電防止部材９６(1)〜９６(8)の入口にそれぞれ接続した。一変形例として、同軸管６６のガス流路８４の終端から並列に分岐する複数（たとえば８本）の独立した導体の管を外部ガス供給路として放電防止部材９６(1)〜９６(8)の入口にそれぞれ接続する構成も可能である。
［放電防止部材の作成及び取付方法］
［放電防止部材の作成及び取付方法］
図５Ａおよび図５Ｂにつき、放電防止部材９６(n)を作成して誘電体窓５２に取り付ける方法を説明する。
図５Ａに示すように、第１の方法は、円筒状のセラミックスグリーン体１２６の中に多孔質の誘電体１２８を詰め込み（ａ）、所定の温度で焼成して熱収縮および固化させて、両者（１２６，１２８）を一体結合する（ｂ）。一方、誘電体窓５２には、グリーン体の状態で誘電体窓ガス流路９４(n)用の貫通孔を形成しておく（ｃ）。このグリーン体の誘電体窓５２の貫通孔９４(n)の中に焼成工程後の一体的な棒状の誘電体（１２６，１２８）つまり放電防止部材９６(n)を挿入し、歪点以下の温度で焼成して、誘電体窓５２に放電防止部材９６(n)を一体形成する（ｄ）。
図５Ｂに示すように、第２の方法は、円筒状のセラミックスグリーン体１２６の中に多孔質誘電体１２８を挿入し（ａ，ｂ）、所定の温度で一体焼成して放電防止部材９６(n)を作成し（ｃ）、誘電体窓５２に予め形成しておいた貫通孔の中に放電防止部材９６(n)を挿入して接着材により一体結合する（ｄ）。
なお、放電防止部材９６(n)の円筒部１２６および多孔質誘電体１２８に用いる材質は、石英、アルミナ、窒化アルミニウムに限定されず、種種の誘電体を使用することができる。
［実施例１の変形例］
［実施例１の変形例］
図６Ａ〜図６Ｈに、第１の実施例における幾つかの変形例を示す。図６Ａの変形例は、放電防止部材９６(n)の突出部１１４の外周に、誘電体窓５２の裏面からＯリング１２０の近くまで上方に延びる円筒状の導体（カラー）１３２を装着する。そして、この導体カラー１３２の外周面とコネクタ部（または外部ガス管）９０の内周面との間に環状または無端状の可撓性導体たとえばスプリングコイル１３４が挿入される。なお、コネクタ部（または外部ガス管）９０の下端と誘電体窓５２の上面（裏面）の間には、組み立て誤差や各部材の熱膨張等により隙間１３６が生じる虞がある。この変形例でも、包囲導体１１８は、放電防止部材９６(n)に沿って複数の導体部材（９０，１３４，１３２）に分割されている。また、この変形例のように、包囲導体１１８からスロット板５４を除外する構成も可能である。
かかる構成においては、コネクタ部（または外部ガス管）９０、スプリングコイル１３４および導体カラー１３２によって放電防止部材９６(n)の突出部１１４をその全長ｈに亘って包囲する包囲導体１１８が形成されている。このような構成によると、コネクタ部（または外部ガス管）９０と誘電体窓５２との間に隙間１３６が生じたとしても、包囲導体１１８の電気的な変動を抑制することができる。
なお、図６Ａに示すように、Ｏリング１２０の取付位置を放電防止部材９６(n)の入口に近づけるのがよい。そうすると放電防止部材９６(n)の入口の高さ位置から包囲導体１１８の下端の高さ位置までの距離ｈと、ガス溝１２２の下端の位置（最も奥まった位置）から包囲導体１１８の下端の高さ位置までの距離ｈ'とを略同じにすることもできる。この場合、突出部１１４の周りに形成されるガス溝１２２（図４）は無視できるほど小さい。
図６Ｂの変形例は、上述した図６Ａの構成例から導体カラー１３２およびスプリングコイル１３４を省いたものである。図６Ｃの変形例は、図６Ｂの構成例において放電防止部材９６(n)の突出部１１４の先端部をテーパ状に形成するものである。図６Ｂおよび図６Ｃのように、包囲導体１１８を単体の導体部材（コネクタ部９０）で構成してもよい。
図６Ｄの変形例は、放電防止部材９６(n)の突出部１１４の外周面とコネクタ部（またはガス分岐管）９０の内周面との間にたとえばフェライトからなるリング状の電磁界吸収部材１３８を設ける。この場合、誘電体窓５２の内部から放電防止部材９６(n)の突出部１１４の中を上に伝搬してくるマイクロ波の電界は、包囲導体１１８の中で反射し、または等価的なリアクタンスによって減衰するだけでなく、電磁界吸収部材１３８に吸収されることによってさらに減衰する。これにより、突出部１１４の全長および包囲導体の全長ｈを短く（所定距離Ｈをより短く）することも可能である。
図６Ｅは、包囲導体１１８を誘電体窓５２の中に埋め込ませる変形例を示す。この変形例では、コネクタ部（または外部ガス管）９０が単体で包囲導体１１８を構成している。また、コネクタ部（または外部ガス管）９０と接続する別の導体（図示せず）を包囲導体１１８として誘電体窓５２の中に埋め込ませる構成も可能である。また、この変形例では、放電防止部材９６(n)の入口が誘電体窓５２の裏面と略同じ高さに位置している。したがって、放電防止部材９６(n)に突起部（１１４）は設けられていない。さらには、図６Ｆに示すように、誘電体窓５２内で放電防止部材９６(n)を誘電体窓ガス流路９４(n)の出口よりも手前（プラズマ生成空間から見ると内奥）で終端させる構成も可能である。
図６Ｇの変形例は、放電防止部材９６(n)の構造に関する。軸方向に延びる複数の極細の貫通孔１４０を有する誘電体（たとえばセラミックス）によって通気性の放電防止部材９６(n) を形成する。
図６Ｈの変形例は、放電防止部材９６(n) の入口の端面とコネクタ部（または外部ガス管）９０の出口（終端）との間に無端状のシール部材としてたとえばＯリング１２０を設ける。この場合、放電防止部材９６(n)の突出部１１４の外周に生じる隙間１４１は、大気圧空間に通じる。このように、放電防止部材９６(n) の入口端面にＯリング１２０を配置する構成においては、Ｏリング１２０の半径方向内側に電界が集中しやすい隙間（ガス溝）１４０が形成される。しかし、この変形例においては、上記と同様に、誘電体窓５２の内部から放電防止部材９６(n)の突出部１１４の中を上に伝播してくるマイクロ波の電界は、包囲導体１１８の中で反射し、または等価的なリアクタンスによって減衰する。これにより、放電防止部材９６(n)の入口付近の電界強度は誘電体窓５２内部の電界強度よりも小さくなり、Ｏリング１２０の内側の隙間（ガス溝）１４０でも放電は起こりにくい。
図６Ｉおよび図６Ｊの変形例は、図６Ｇおよび図６Ｈの構成例における放電防止部材９６(n)において、円筒部１２６の中に、後述する第９の実施例における縦溝２１８付きの誘電体製ノズルピース２１６を詰め込む構成を特徴としている。
［包囲導体の距離範囲に関する条件］
［包囲導体の距離範囲に関する条件］
上述したように、第１の実施例は、誘電体窓（天板）５２の誘電体窓ガス通路９４(n)の入口側において、誘電体窓ガス通路９４(n)に設ける通気性の放電防止部材９６(n)を少なくともその入口付近において包囲する構成である。放電防止部材９６(n)の周りをその入口から出口（ガス噴出口）に向かって所定距離Ｈ以上の範囲ｈに亘って電気的に接地された包囲導体１１８により囲む。これにより、放電防止部材９６(n)の入口付近の電界強度を誘電体窓５２内部の電界強度よりも低減して異常放電を抑制するようにしている。
この構成においては、包囲導体１１８によって包囲される放電防止部材９６(n)の範囲（距離）ｈを長くするほど、入口付近の電界強度を低くし、異常放電抑制効果を大きくすることができる。一方、放電防止部材９６(n)の突出部１１４の突出量が大きくなり、あるいは誘電体窓５２に埋め込まれる包囲導体１１８（図６Ｅ，図６Ｆ）の埋め込み量が大きくなる。装置構造の煩雑化、高コスト化等の観点からは、上記包囲範囲（距離）ｈを必要最小限の距離Ｈに近づけることが望ましい。
本発明者は、放電防止部材９６(n)の誘電体の中を伝搬するときのマイクロ波（２．４５ＧＨｚ）の波長をλd、包囲導体１１８の包囲範囲（距離）をＨ、包囲導体１１８の内径または最大内接楕円長軸長をＤとして、包囲導体１１８の電界強度低減効果（電界強度低減比）に対するそれらのパラメータ（Ｈ，λd、Ｄ）間の相関関係を電磁界計算のシミュレーションによって求めた。その結果を図７および図９に示す。
すなわち、Ｄ／λd＝０．４の場合における電界強度比のＨ／λd依存性を図７に示し、Ｈ／λd＝０．４の場合における電界強度比のＤ／λd依存性を図９に示す。
なお、図８の（ａ）に示すように、放電防止部材９６(n)および包囲導体１１８の断面形状が円形の場合は、包囲導体１１８の内径を属性Ｄに用いる。また、図８の（ｂ）に示すように、放電防止部材９６(n)および包囲導体１１８の断面形状が矩形の場合は、包囲導体１１８の最大内接楕円長軸長を属性Ｄに用いる。
図７から、Ｈをλdの０．０５倍より大きくすると（または、ＨをＤの０．１３倍より大きくすると）、電界強度を２０％以上低減できることがわかる。さらに、Ｈをλdの０．２倍より大きくする（または、ＨをＤの０．５倍より大きくすると）、電界強度を約８０％以上低減することができる。
一方で、図９に示すように、Ｄがλdの０．６倍を超えると、包囲導体１１８の減衰器としての作用が小さくなる。したがって、Ｄ≦０．６λdの条件を満たすのが好ましい。
具体例として、たとえば、放電防止部材９６(n)の放電防止部材（誘電体）がアルミナであって波長λdが約３８ｍｍ、包囲導体１１８の内径または最大内接楕円長軸長Ｄが２４ｍｍの場合、Ｈ＝８ｍｍである。
［実施例１の応用例］
［実施例１の応用例］
図１０に示すように、誘電体窓ガス流路９４の入口を誘電体窓５２の裏面（上面）側にではなく、誘電体窓５２の側面に配置する構成も可能である。この場合でも、誘電体窓ガス流路９４に設けられる放電防止部材９６が上記と同様の突出部１１４を有し、この突出部１１４を上記と同様の包囲導体１１８で包囲する構成を好適に採ることができる。
［誘電体窓ガス流路回りの構成に関する実施例２］
［誘電体窓ガス流路回りの構成に関する実施例２］
図１１に、本発明の別の観点（第２の実施例）における誘電体窓ガス流路回りの装置構成を示す。この実施例においても、誘電体窓５２の各誘電体窓ガス流路９４(n)は、好ましくは誘電体窓５２の中心Ｏから一定距離（半径）ＲBの円周上に等間隔で配置され（図１２）、コネクタ部９０の各分岐ガス供給路９２(n)に接続されている。そして、各誘電体窓ガス流路９４(n)には、上述した第１の実施例と同様に、誘電体からなる通気性の放電防止部材９６(n)が設けられる。ただし、放電防止部材９６(n)の入口側の部分が誘電体窓５２の裏面から上に突出する構成ではなく、放電防止部材９６(n)の周囲に包囲導体（１１８）は設けられていない。この場合、各誘電体窓ガス流路９４(n)の入口付近を封止するために、コネクタ部９０と誘電体窓５２との間に無端状のシール部材たとえばＯリング１４２が挿入される。
従来技術に関連して上述したように、誘電体窓を貫通するガス流路を有するマイクロ波プラズマ処理装置においては、処理ガス供給部からの外部ガス管の出口と誘電体窓ガス流路の入口とが接続する箇所（Ｏリングの内側（ガス流路内）に形成される隙間（ガス溝））で、処理ガスの異常放電が発生する恐れがある。通常、Ｏリング内側の隙間は、外側（大気空間）の隙間と同じ大きさであり、十全なシール機能を確保するために０．２ｍｍ以下に管理される。
この実施例は、図１３Ａおよび図１３Ｂに示すように、Ｏリング１４２の内側（ガス流路内）の隙間１４４を外側（大気空間）の隙間１４６よりも大きなギャップサイズに形成する構成（Ｇi＞Ｇo）を特徴とする。本発明者は、かかる構成により、誘電体窓ガス流路９４(n)の入口付近の電界強度、特にＯリング１４２の内側の隙間１４４の電界強度を効果的に低減できることを、シミュレーションによって検証している。
このシミュレーションは、図１４に示すように、アルミナからなる誘電体１４８を詰めた矩形導波管（断面内寸３５ｍｍ×１７．５ｍｍ）１５０の閉塞端付近の側面にＯリング１４２'を介して金属製のガス導入部９０'を接続したモデルを用いて行った。このモデルの誘電体１４２'は図１３Ａの誘電体窓５２および放電防止部材９６(n)に相当し、Ｏリング１４２'は図１３ＡのＯリング１４２に相当し、ガス導入部９０'は図１３Ａのコネクタ部９０に相当する。そして、Ｏリング１４２'の内側の隙間１４４'は、図１３ＡのＯリング１４２の内側の隙間１４４に相当する。また、Ｏリング１４２'の外側の隙間１４６'は、図１３ＡのＯリング１４２の外側の隙間１４６に相当する。このシミュレーションでは、Ｏリング１４２'の外側の隙間１４６'のギャップサイズＧoを０．１ｍｍ（固定値）に設定した。
パラメータであるＯリング１４２内側の隙間（ガス溝）１４４のギャップサイズＧiを０．１ｍｍ（基準値）から２．６ｍｍまで変化（増大）させたときの隙間（ガス溝）１４４における電界強度の相対値（電界強度比）のシミュレーション結果を図１５に示す。
図示したように、Ｏリング１４２'内側の隙間（ガス溝）１４４'の電界強度は、そのギャップサイズＧiが大きくなるにつれて対数関数的に減少する。より詳細には、電界強度比は、Ｇi＝０．３ｍｍで約０．５まで減少し、Ｇi＝０．５ｍｍで約０．４まで減少し、Ｇi≧１．０ｍｍで約０．２に漸近していく。このシミュレーションの結果から、Ｏリング１４２内側の隙間（ガス溝）１４４の電界強度を半減させるには、Ｇi≧０．３ｍｍの範囲が望ましいことがわかる。また、Ｏリング１４２の良好なシール機能を確保しつつ、Ｏリング１４２内側の隙間（ガス溝）１４４の電界強度を低減させるには、０．５ｍｍ≦Ｇi≦１．０ｍｍの範囲が望ましいことがわかる。
また、図１３Ｂに示すように、コネクタ９０の下面においてＯリング１４２の内側の壁部９０ｗ（図１３Ａ）のない構成でもよい。これによってコネクタ９０におけるＯリング嵌め込み溝９０ｍの製作およびＯリング１４２の装着を容易にすることができる。
図１６に、シミュレーションにおいて得られた上記モデル内の各部の電界強度分布を輝度に換算して示す。図１６中の部分拡大図Ａは、Ｏリング１４２の内側の隙間（ガス溝）１４４'のギャップサイズＧiを外側の隙間１４６'のギャップサイズＧoと同じ値に選定した場合（Ｇi＝０．１ｍｍ）である。内側の隙間（ガス溝）１４４'に電界が集中して電界強度が高くなっているのがわかる。これに対して、部分拡大図Ｂは、Ｏリング１４２'の内側の壁部９０ｗ'（図１４）を完全に取り除いた場合（Ｇi＝約３ｍｍ）であり、内側の隙間（ガス溝）１４４'の電界強度が低減しているのがわかる。
なお、Ｏリング１４２の外側の隙間１４６のギャップサイズＧoは、Ｏリング１４２の封止機能を安定に確保するうえで小さいほどよく、通常の０．２ｍｍ以下に管理するのが望ましい。
このように、この第２の実施例では、誘電体窓５２を貫通するガス流路９４(n)を有するマイクロ波プラズマ処理装置において、処理ガス供給部８０からの外部ガス管９２(n)の出口と誘電体窓ガス流路９４(n)の入口とが接続する場所に設けられるＯリング１４２の内側（ガス流路内）の隙間１４４をＯリング１４２の外側（大気空間）の隙間１４６よりも大きなギャップサイズ（Ｇi＞Ｇo）に形成した。これにより良好な封止機能を確保しつつ、Ｏリング１４２の内側の隙間１４４に電界が集中するのを抑制し、さらには誘電体窓ガス流路９４(n)の入口付近での異常放電を抑制することができる。
［実施例２の変形例］
［実施例２の変形例］
図１７および図１８に、上述した第２の実施例の変形例を示す。図１７の変形例は、図１３Ｂの構成と同様にＯリング１４２の内側の壁部９０ｗ（図１３Ａ）を取り除き、その場所に環状または無端状の誘電体１５２を設ける。この変形例の構成によれば、Ｏリング１４２の内側の隙間１４４への電界の集中を低減できるだけでなく、Ｏリング１４２が処理ガスに晒される（つまり劣化しやすくなる）のを抑制することができる。
図１８の変形例は、第１の実施例と第２の実施例とを組み合わせた構成を特徴としている。すなわち、第１の実施例にしたがい、図６Ｈの構成例と同様に、誘電体窓ガス流路９４(n)に設けられる放電防止部材９６(n) の入口側の部分１１４を誘電体窓５２の裏面より突出させて、その放電防止部材９６(n) の突出部分１１４の周りに包囲導体１１８を設けた。そして、放電防止部材９６(n) の入口の端面とコネクタ部（または外部ガス管）９０の出口との間に無端状のシール部材たとえばＯリング１２０（１４２）を設ける。そして、第２の実施例にしたがい、Ｏリング１２０（１４２）の内側（ガス流路内）の隙間１４０（１４４）を外側（大気空間）の隙間１４１（１４６）よりも大きなギャップサイズ（Ｇi＞Ｇo）とする。
かかる構成においては、第１の実施例による効果と第２の実施例による効果とが足し合わさって、誘電体窓ガス流路９４(n)の入口付近における異常放電防止の効果をより一層高めることができる。つまり、誘電体窓５２の内部から放電防止部材９６(n)の突出部１１４の中を上に伝播してくるマイクロ波の電界が包囲導体１１８の中で反射し、または等価的なリアクタンスによって減衰し、放電防止部材９６(n) の入口付近でＯリング１２０（１４２）の内側の隙間１４０（１４４）に電界が集中しなくなる。
また、後述するように、第２の実施例における本発明の技術思想、つまり誘電体窓ガス流路の入口付近に設けられる無端状シール部材の内側（ガス流路内）の隙間を外側の隙間よりも大きくする構成（Ｇi＞Ｇo）は、誘電体窓ガス流路に放電防止部材を設けない場合にも適用可能である。
図１９の変形例は、図１３の放電防止部材９６(n)として、後述する第９の実施例における縦溝２１８付きの誘電体製ノズルピース２１６を誘電体窓ガス流路９４(n)に装着する構成を特徴としている。
図２０の変形例は、図１８の放電防止部材９６(n)において、円筒部１２６の中に、多孔質誘電体１２８の代わりに、後述する第９の実施例における縦溝２１８付きの誘電体製ノズルピース２１６を詰め込む構成を特徴としている。
［誘電体窓ガス流路回りの構成に関する実施例３］
［誘電体窓ガス流路回りの構成に関する実施例３］
図２１〜図２３に、本発明の別の観点（第３の実施例）における誘電体窓ガス流路回りの装置構成を示す。この第３の実施例においても、誘電体窓５２に設けられる各誘電体窓ガス流路９４(n)は、好ましくは誘電体窓５２の中心Ｏから一定距離（半径）ＲCの円周上に等間隔で配置され（図２２）、誘電体窓５２の裏側でコネクタ部９０の各分岐ガス供給路９２(n)に気密に接続されている。そして、各誘電体窓ガス流路９４(n)には、上記第１の実施例と同様に、誘電体からなる通気性の放電防止部材９６(n)が設けられる。また、各誘電体窓ガス流路９４(n)の入口付近を封止するために、コネクタ部９０と誘電体窓５２との間に無端状のシール部材たとえばＯリング１４２が挿入される。
ただし、この実施例では、図２１に詳細に示すように、放電防止部材９６(n)の入口側の部分が誘電体窓５２の裏面から上に突出する構成にはなっておらず、放電防止部材９６(n)の周囲に包囲導体（１１８）は設けられていない。また、Ｏリング１４２の内側（ガス流路内）の隙間（ガス溝）１４４と外側の隙間１４６は同じギャップサイズ（Ｇi＝Ｇo）である。
この実施例における特徴は、誘電体窓５２において各誘電体窓ガス流路９４(n) が中心Ｏから一定範囲内の距離ＲCを隔てて配置される構成にある。すなわち、この実施例は、マイクロ波が誘電体窓５２を伝搬するときの波長をλgとすると、ＲCについて次の条件式（１）が満たされることを特徴とする。
λg／４＜ＲC＜５λg／８ ・・・・・（１）
λg／４＜ＲC＜５λg／８ ・・・・・（１）
一般に、マイクロ波プラズマ処理装置においては、チャンバ内に電磁波を導入するための誘電体窓（天板）の内部に、図１６のモデルにおいて誘電体１４８の内部に生じるのと同様の電磁界の定在波が生じ、局所的に電界の強い場所が存在する。したがって、そのような局所的に電界の強い場所にガス供給孔（誘電体窓ガス流路）が設けられると、そのガス供給孔内やそのガス供給孔に接続する外部ガス供給路内でプラズマ（異常放電）が発生したり、あるいはそのガス供給孔の出口付近に過度に強いプラズマが発生するなどの問題が生じる。
このことから、誘電体窓の中で電界の弱い場所にガス供給孔（誘電体窓ガス流路）を設ければよい。しかしながら、一般的には、使用する処理ガスの種類や圧力に依存してチャンバ内のプラズマの状態が変化して誘電体窓内部の電磁界分布も変化する。
ところが、本発明者がシミュレーションによって誘電体窓内部の電磁界分布を解析したところ、たとえば図２２に示すような回転対称性の誘電体窓（天板）と、たとえば図４６に示すような回転対称性の平板型スロットアンテナとを用いる場合は、決まって誘電体窓の内部に中心Ｏで電界強度が振幅が最大になるような電磁界の定在波が形成されることがわかった。このような定在波の下では、誘電体窓の中心Ｏから半径λg／４以内は強い電界が生じ、その周辺（特に半径２λg／４付近）では局所的に電界が弱まり、さらに半径３λg／４付近で局所的に電界が強くなる。この傾向は、ガス種や圧力への依存性は低い。
なお、上記のような誘電体窓内部の電磁界分布は、中心Ｏから半径方向外側に向かって波長λgの間隔で繰り返される。したがって、たとえば半径１２λg／８付近でも局所的に電界が弱くなる。しかし、この実施形態のマイクロ波プラズマ処理装置のように、同軸管６６の内部導体６８の中（貫通孔）をガス流路８８とし、誘電体窓中心付近に位置する内部導体６８の下端から半径方向外側に延びる分岐ガス供給路を介して誘電体窓ガス供給孔へ処理ガスを導く場合は、誘電体窓ガス供給孔はできるだけ誘電体窓中心に近接して配置されるのが望ましい。マイクロ波放射アンテナに対するガス供給システムの干渉または影響を小さくするためである。
この第３の実施例では、上記のような知見に基づいて、誘電体窓５２に設ける各誘電体窓ガス流路９４(n)を上記の条件式（１）で規定される範囲の範囲内に配置する。したがって、この実施例によれば、λg／４以内のエリアに誘電体窓ガス流路を設けない。
たとえば、２．４５ＧＨｚのマイクロ波を使用し、誘電体窓５２の材質に誘電率１０のアルミナを使用する場合は、λg≒３８ｍｍであり、上記の条件式（１）より、ＲC＝９．５〜２３．７５ｍｍの範囲内に各誘電体窓ガス流路９４(n)を配置すればよい。なお、通常は、各誘電体窓ガス流路９４(n)を誘電体窓５２の中心Ｏから一定距離（半径）ＲCの円周上に配置するのがチャンバ内へのガス導入の軸対称性の面から好ましい（図２２）。しかし、上記の条件式（１）を満たしたうえで、中心Ｏから非等距離または異なる距離の位置に各誘電体窓ガス流路９４(n)を配置することも可能である。
図２１には、チャンバ１０の好適な上部構造が示されている。この構成例では、上面の開口した円筒状のチャンバ本体１０ａの上面に環状の誘電体窓押さえ部材１０ｂおよび環状のアンテナ押さえ部材１０ｃを積層配置してボルト（図示せず）等により着脱可能に固定する。ここで、誘電体窓押さえ部材１０ｂは、チャンバ本体１０ａの内壁上部の環状の凹所に嵌合される誘電体窓５２を押さえつけ、アンテナ押さえ部材１０ｃは冷却ジャケット７２の上からアンテナ５５を押さえつける。アンテナ押さえ部材１０ｃと冷却ジャケット７２との間には、電磁波がチャンバ１０の外へ漏れないようにリング状のＥＭＩシールド部材１５６が挿入されている。このようなチャンバ１０の上部構造においては、誘電体窓５２とマイクロ波供給系（同軸管６６、アンテナ５５等）とガス供給系（上部ガス導入部８０、コネクタ部９０等）とを一体化してチャンバ１０の上面に着脱可能に取り付けることができる。
また、図２１の装置構成においては、誘電体窓５２の中心部に形成された凹所５２ｍ内に各誘電体窓ガス流路９４(n)が設けられるとともに、コネクタ部９０が配置される。この場合、コネクタ部９０の各分岐ガス流路９２(n)は、誘電体窓５２の凹所５２ｍ内で各誘電体窓ガス流路９４(n)に接続する。
［実施例３の変形例］
［実施例３の変形例］
この第３の実施例においても、図２４Ａに示すように、各誘電体窓ガス流路９４(n)に、複数の極細貫通孔１４０を有する通気性の誘電体からなる放電防止部材９６(n)を設けることができる。あるいは、図２４Ｂに示すように、各誘電体窓ガス流路９４(n)に設ける放電防止部材９６(n)として、後述する第９の実施例における縦溝２１８付きの誘電体製ノズルピース２１６を用いることも可能である。さらには、図２４Ｃに示すように、各誘電体窓ガス流路９４(n)に放電防止部材９６(n)を設けずに空洞１５２を形成することも可能である。このように誘電体窓ガス流路９４(n)の全区間を空洞１５２とする場合は、コネクタ９０において外部ガス供給路９２(n)の出口を複数の貫通孔を備えたシャワー構造１５４とするのが好ましい。これにより空洞１５２内のガス流量ひいてはチャンバ１０内へのガス噴射量を調整することができる。この実施例においては、上述したように誘電体窓５２の中で誘電体窓ガス流路９４(n)が設けられる場所の電界が局所的かつ定常的に弱いので、この場所が空洞１５２になっていても、誘電体窓ガス流路９４(n)内での異常放電を起こり難くすることができる。
もちろん、第３の実施例を上述した第１の実施例と組み合わせることも可能である。すなわち、第１の実施例において誘電体窓５２に設ける誘電体窓ガス流路９４(n)の配置位置（図３）に第３の実施例による上記条件式（１）を適用し、下記の条件式（２）が満たされるような位置に誘電体窓ガス流路９４(n)を配置する。
λg／４＜ＲA＜５λg／８ ・・・・・（２）
λg／４＜ＲA＜５λg／８ ・・・・・（２）
これによって、第１の実施例による効果と第３の実施例による効果とが足し合わさって、放電防止部材９６(n)を設ける場合の誘電体窓ガス流路９４(n)の入口付近における異常放電を一層確実に抑制することができる。つまり、誘電体窓５２の内部から放電防止部材９６(n)の突出部１１４の中を上に伝播するマイクロ波の電界が包囲導体１１８の中で反射または等価的なリアクタンスによって減衰し、誘電体窓ガス流路９４(n)付近は誘電体窓５２の中で局所的かつ定常的に電界が弱くなるため、異常放電を一層確実に抑制することができる。
さらには、第３の実施例を上述した第２の実施例と組み合わせることも可能である。すなわち、上記第２の実施例において誘電体窓５２に設ける誘電体窓ガス流路９４(n) の配置位置（図１２）に第３の実施例による上記条件式（１）を適用し、下記の条件式（２）が満たされるような位置に誘電体窓ガス流路９４(n)配置する。
λg／４＜ＲB＜５λg／８ ・・・・・（３）
λg／４＜ＲB＜５λg／８ ・・・・・（３）
これによって、第２の実施例による効果と、第３の実施例による効果とが足し合わさって、誘電体窓ガス流路９４(n)の入口付近における異常放電を一層確実に抑制することができる。つまり、放電防止部材９６(n) の入口付近でＯリング１４２の内側（ガス流路内）の隙間１４４に電界が集中しなくなり、誘電体窓ガス流路９４(n)付近は誘電体窓５２の中で局所的かつ定常的に電界が弱くなるので、異常放電を一層確実に抑制することができる。
［誘電体窓ガス流路回りの構成に関する実施例４］
［誘電体窓ガス流路回りの構成に関する実施例４］
図２５〜図２８に、本発明の別の観点（第４の実施例）における誘電体窓ガス流路回りの装置構成を示す。この第４の実施例においては、誘電体窓５２の中心部にその厚さ方向で段階的に口径が小さくなる円形の開口１６０を形成し、この開口１６０に円柱状のノズルピース１６２を嵌め込んで、ノズルピース１６２と誘電体窓開口１６０との間に環状に延びる隙間を誘電体窓ガス流路としている。
より詳細には、誘電体窓開口１６０は、第１の口径を有して誘電体窓５２の外に臨む円形の上部開口部１６０ｃと、上記第１の口径より小さい第２の口径を有して誘電体窓５２の中（チャンバ１０内部）に臨む円形の下部開口部１６０ａと、第１の口径と第２の口径との中間の第３の口径を有して上部開口部１６０ｃと下部開口部１６０ａとの間に位置する円形の中間開口部１６０ｂとを有する。
ノズルピース１６２は、誘電体たとえば石英あるいはＡl2Ｏ3等のセラミックスを含み、図２７に示すように、小径の円柱部１６２ｍと、大径の円柱部１６２ｎと、それら小径円柱部１６２ｍおよび大径円柱部１６２ｎの間で径方向に延びる環状のフランジ面１６２ｆと、このフランジ面に放射状に形成される複数の溝１７６とを有している。ここで、小径円柱部１６２ｍおよび大径円柱部１６２ｎの口径は、下部開口部１６０ａおよび中間部開口部１６０ｂの口径よりそれぞれ僅かに小さい。
ノズルピース１６２は、小径円柱部１６２ｍが一定のクリアランスを空けて下部開口部１６０ａに嵌まり、大径円柱部１６２ｎが一定のクリアランスを空けて中間部開口部１６０ｂに嵌まるように誘電体窓開口１６０に取り付けられる。また、誘電体窓開口１６０の上部開口部１６０ｃには、コネクタ部１６４が装入される。コネクタ部１６４は、上記第１〜第３実施例におけるコネクタ部９０と同様の導体からなり、同軸管６６の内部導体６８の終端に接続され、電気的に接地される。コネクタ部１６４の中心部には、同軸管６６のガス流路８４と接続して鉛直方向に延びる外部ガス流路（第１のガス流路）１６６が形成されている。
コネクタ部１６４の下面とノズルピース１６２の上面との間には、通気性の材質または部材からなり、第１のガス流路１６６よりも大きな口径を有するリング状の弾性支持部材１６８が挿入される。また、コネクタ部１６４の下面と上部開口部１６０ｃの環状底面との間には、非通気性の材質からなるリング状のシール部材たとえばＯリング１７０が挿入される。これによって、Ｏリング１７０の内側には、コネクタ部１６４（第１のガス流路１６６）と連通する扁平な第２のガス流路１７２が形成される。
また、ノズルピース１６２の大径円柱部１６２ｎと中間開口部１６０ｂとの間に、上記第２のガス流路１７２と連通する環状のクリアランスつまり第３のガス流路１７４が形成される。さらに、中間開口部１６０ｂの環状底面にノズル部１６２の環状フランジ面が密着し、フランジ面の溝１７６が上記第３のガス流路１７４と連通する第４のガス流路を形成する。そして、ノズルピース１６２の小径円柱部１６２ｍと下部開口部１６０ａとの間に、上記第４のガス流路１７４と連通する環状のクリアランスつまり第５のガス流路１７８が形成される。この第５のガス流路１７８は、チャンバ１０内のプラズマ生成空間に臨んで、ガス噴出口を形成する。このガス噴出口からプラズマが逆流する（中に入ってくる）のを防止するために、第５のガス流路１７８のクリアランスを小さくするのが好ましい。
この実施例において、処理ガス供給源８６（図１）から同軸管６６のガス流路８４を通って送られてくる処理ガスは、コネクタ部１６４の第１のガス流路１６６→誘電体窓５２内の第２のガス流路１７２→第３のガス流路１７４→第４のガス流路１７６→第５のガス流路１７８を通ってチャンバ１０内のプラズマ生成空間に吐出（導入）される。このガス供給機構は、誘電体窓ガス流路の構造および製作がシンプルで容易であるという利点がある。しかも、誘電体窓５２内に形成される放射状の溝（第４のガス流路）１７６がコンダクタンスの低いガス流路を形成して、全体のガスコンダクタンスを高い精度で律速するので、ガス流量のばらつきを抑制することもできる。
この実施例においても、誘電体窓５２の内部にはマイクロ波電界が多く分布し、誘電体窓５２のガス流路１７２〜１７８内で処理ガスはマイクロ波電界に晒される。この点に関して、この実施例では、ガス流路１７２〜１７８の中でも特に電界が集中しやすい第２のガス流路１７４の入口付近において、上述した第２の実施例と同様に、Ｏリング１７０の内側（ガス流路側）の隙間１８０をＯリング１７０の外側（大気空間側）の隙間１８２よりも大きくしている。図示の構成例では、Ｏリング１７０の内側壁部を取り除いて、この条件（Ｇi＞Ｇo）を優に満たしており、Ｏリング１７０の内側の隙間１８０に電界が集中しないようになっている。
図２８に、この実施例における誘電体窓５２におけるガス流路１７４，１７８の好適な配置パターンを示す。この実施例においても、誘電体窓５２内に形成されるガス流路１７４〜１７８に上述した第３の実施例による条件式（１）を適用することができる。すなわち、誘電体窓５２の中心Ｏから第３および第５のガス流路１７６，１７８までの距離をそれぞれＲD1、ＲD2とすると、次の条件式（４），（５）が満たされるように、第３および第４のガス流路１７６，１７８を配置する。
λg／４＜ＲD1＜５λg／８ ・・・・・（４）
λg／４＜ＲD2＜５λg／８ ・・・・・（５）
λg／４＜ＲD1＜５λg／８ ・・・・・（４）
λg／４＜ＲD2＜５λg／８ ・・・・・（５）
もっとも、誘電体窓５２のλg／４以内の中心部領域には強い電磁界が分布しており、この中心部領域から第２のガス流路１７４へ、さらには第１のガス流路１６６へマイクロ波の電磁界が進入してくる。しかし、第２のガス流路１７２は、第３のガス流路１７４によりコンダクタンスが律速され比較的高圧であること、また、第２のガス流路１７２は、横に広がっているので、Ｏリング１７０付近を除く第２のガス流路１７２内および第１のガス流路１６６内ではマイクロ波の電界が１箇所に集中しにくい構造であることから、ガスの異常放電が生じ難い構造になっている。
なお、図示省略するが、中間開口部１６０ｂの口径よりも下部開口部１６０ａの口径が大きくて、ノズルピース１６２の小径円柱部１６２ｍおよび大径円柱部１６２ｎが中間開口部１６０ｂおよび下部開口部１６０ａにそれぞれ嵌まる構成も可能である。また、ノズルピース１６２の上面が誘電体窓開口１６０の上面と面一になる構成（したがって、コネクタ部１６４は誘電体窓５２の中ではなく上に設けられる構成）も可能である。
［誘電体窓ガス流路回りの構成に関する実施例５］
［誘電体窓ガス流路回りの構成に関する実施例５］
図２９および図３０に、本発明の別の観点（第５の実施例）における誘電体窓ガス流路回りの装置構成を示す。この第５の実施例は、上記第４の実施例において誘電体窓５２の中心部から誘電体窓５２内のガス流路（１７２）へマイクロ波の電磁界が進入しやすいという上述の問題点を解決するものである。
この第５の実施例では、コネクタ部１６４のガス流路１６６'を垂直方向に下端までまっすぐ貫通させず、コネクタ部１６４の内部でいったん半径方向外側に曲げてから垂直下方に延ばして誘電体窓５２内の第３のガス流路１７４に接続させる。さらに、上述した第４の実施例では第２のガス流路１７４になっていたスペースを、この第５の実施例ではコネクタ部１６４によって塞ぐようにする。そして、第２のガス流路１７４の入口付近を封止するために、コネクタ部１６４の下面とノズルピース１６２の上面との間、およびコネクタ部１６４の下面と誘電体窓開口１６０の上部開口部１６０ｃの環状底面との間に、無端状またはリング状のシール部材たとえばＯリング１９０，１９２をそれぞれ挿入する。Ｏリング１９０の半径方向内側でコネクタ１６４の下面とノズルピース１６２の上面との間に形成される隙間１９４は、たとえばコネクタ１６４および同軸管６６の内部導体６８に設けられている圧抜き用の孔１９６を介して大気空間に通じている。
かかる構成によれば、誘電体窓５２の内部に電磁界の定在波が生じて誘電体窓５２の中心エリアの電界が局所的に強くても、このエリア付近を通るガス流路が存在しないので、誘電体窓５２内での異常放電を防止することができる。
この第５の実施例においても、上述した第２の実施例と同様に、Ｏリング１９０，１９２の内側（ガス流路内）の隙間１９４，１９６をＯリング１９０，１９２の外側（大気空間側）の隙間１９８，２００よりも大きくしている。図示の構成例では、Ｏリング１９０，１９２の内側（ガス流路内）壁部をそれぞれ取り除いて、この条件（Ｇi194＞Ｇｏ198，Ｇi196＞Ｇo200）を満たしており、Ｏリング１９０，１９２内側の隙間１９４，１９６に電界が集中しないようにしている。
この第５の実施例においても、誘電体窓５２内のガス流路１７４〜１７８の配置位置に上記第３の実施例による条件式（１）を適用することができる。すなわち、誘電体窓５２の中心Ｏから第３および第４のガス流路１７６，１７８までの距離をそれぞれＲD1、ＲD2とすると、上記の条件式（４），（５）が満たされるように、第３および第４のガス流路１７６，１７８を配置すればよい。
また、この第５の実施例においても、図示省略するが、中間開口部１６０ｂの口径よりも下部開口部１６０ａの口径を大きくして、ノズルピース１６２の小径円柱部１６２ｍおよび大径円柱部１６２ｎが中間開口部１６０ｂおよび下部開口部１６０ａにそれぞれ嵌まる構成とすることも可能である。また、ノズルピース１６２の上面が誘電体窓開口１６０の上面と面一になる構成（したがって、コネクタ部１６４は誘電体窓５２の中ではなく上に設けられる構成）も可能である。
［実施例５の変形例］
［実施例５の変形例］
図３１および図３２に、上述した第５の実施例の一変形例を示す。この変形例は、第５の実施例における誘電体窓開口１６０およびノズルピース１６２の構造または形状を変形している。
すなわち、誘電体窓５２の中心部にその厚さ方向で口径がテーパ状に変化する開口１６０'を形成するとともに、この誘電体窓開口１６０'に円錐状のノズル部１６２'を嵌合して、ノズルピース１６２'と誘電体窓開口１６０'との間に誘電体窓ガス流路を形成している。
図示の例では、下方（チャンバ１０の中）に向かって口径（直径）がテーパ状に小さくなる誘電体窓開口１６０'を誘電体窓５２の中心部に形成し、この誘電体窓開口１６０'に下方（チャンバ１０の中）に向かって直径がテーパ状に小さくなるような円錐状のノズルピース１６２'を嵌め込む。ノズルピース１６２'の胴部の周面には、図３２に示すように、上端から下端まで垂直または斜めに延びる溝２０２が多数形成されている。一例として、溝２０２の溝幅は０．５〜３ｍｍ、溝深さは０．０２〜１ｍｍである。誘電体窓開口１６０'にノズルピース１６２'を上から装入すると、ノズルピース１６２'の胴部周面が誘電体窓開口１６０'に密着する。この状態で、ノズルピース１６２'の胴部周面の溝２０２が、コネクタ部９０側のガス流路１６６'とチャンバ１０内のプラズマ生成空間との間の誘電体窓ガス流路を形成する。処理ガス供給源８６（図１）からの処理ガスは、コネクタ部１６４の第１のガス流路１６６'および誘電体窓５２内の誘電体窓ガス流路（溝）２０２を通ってチャンバ１０内のプラズマ生成空間に吐出（導入）される。
この変形例においても、図示省略するが、誘電体窓開口１６０'が下方（チャンバ１０の中）に向かって口径（直径）が逆テーパ状に大きくなる口径を有し、この誘電体窓開口１６０'に下方（チャンバ１０の中）に向かって直径が逆テーパ状に大きくなるような円錐状のノズルピース１６２'を嵌め込む構成も可能である。また、ノズルピース１６２'の上面が誘電体窓開口１６０の上面と面一になる構成（したがって、コネクタ部１６４は誘電体窓５２の中ではなく上に設けられる構成）も可能である。
［誘電体窓ガス流路回りの構成に関する実施例６］
［誘電体窓ガス流路回りの構成に関する実施例６］
図３３に、本発明の別の観点（第６の実施例）における誘電体窓ガス流路回りの装置構成を示す。この第６の実施例は、上記第５の実施例においてノズルピース１６２の上面（好ましくは中心部）に比較的深い（好ましくは誘電体窓５２の下面近くまで到達する深さの）縦穴または凹部２０４を形成するとともに、この凹部２０４ａに嵌まる電気的に接地された張出導体２０６を設ける構成を特徴とする。この張出導体２０６は、好ましくは、コネクタ部１６４と同一の材質からなり、コネクタ部１６４に一体形成または一体結合される。張出導体２０６の形状は、軸対称な形状たとえば円柱体または円筒体形状が好ましい。
かかる構成においては、誘電体窓５２内を伝搬するマイクロ波が導体張出部２０６によって半径方向外側へ反射するので、張出導体２０６付近に位置している誘電体窓ガス流路（１７４〜１７８）およびその入口付近の電界強度が弱められる。なお、この実施例でも、上記の条件式（４），（５）が満たされるように、第３および第４のガス流路１７６，１７８を配置するのが好ましいのは勿論である。
さらに、この実施例においては、コネクタ部１６４および張出導体２０６を貫通する圧抜き用の孔１９６を設ける。また、圧抜き用の孔１９６を複数本形成し、これらの孔１９６を介してチラー装置（図示せず）より冷媒ガスをノズルピース１６２の凹部２０４に供給することができる。これによって、ノズルピース１６２を効率よく冷却することができる。
［誘電体窓ガス流路回りの構成に関する実施例７］
［誘電体窓ガス流路回りの構成に関する実施例７］
図３４および図３５に、本発明の別の観点（第７の実施例）における誘電体窓ガス流路回りの装置構成を示す。図３４は断面図、図３５は分解斜視図である。この第７の実施例は、上記第６の実施例において、誘電体窓ガス流路（１７４〜１７８）の半径方向外側の位置にて誘電体窓５２に環状の凹部２０８を形成するとともに、この凹部２０８に嵌まる電気的に接地された環状または筒状の包囲導体２１０を設ける構成を特徴とする。この包囲導体２１０は、コネクタ部１６４に一体形成または一体結合されるのが好ましく、上記導体張出部２０６よりも短い（浅い）のが好ましく、上記第１の実施例における所定距離Ｈよりも長い（深い）のが好ましい。
かかる構成においては、上記第６の実施例による効果に加えて、誘電体窓５２の中からコネクタ部１６４のガス流路１６６'に向かって上がってくるマイクロ波電界を包囲導体２１０の中で反射または等価的なリアクタンスによって減衰させることにより、上記第１の実施例と同様に誘電体窓ガス流路（１７４〜１７８）の入口付近の電界強度を著しく弱められるという効果が得られる。これによって、処理ガスの異常放電を一層確実に防止することができる。
［誘電体窓ガス流路回りの構成に関する実施例８］
［誘電体窓ガス流路回りの構成に関する実施例８］
図３６に、本発明の別の観点（第８の実施例）における誘電体窓ガス流路回りの装置構成を示す。この第８の実施例は、上記第６の実施例と同様に導体張出部２０６を有し、上記第７の実施例と同様に包囲導体２１０を有する。ただし、ノズルピース１６２を備える代わりに、上記第１の実施例と同様に、誘電体窓５２の中心部（凹部２０４）に形成した複数の誘電体窓ガス流路９４(1），９４(2）・・に複数本の放電防止部材９６(1），９６(2）・・をそれぞれ上に突出するように設け、コネクタ部１６４ないし張出導体２０６内に各放電防止部材９６(n）と気密に接続するガス分岐供給路９２(n)を設ける構成を特徴とする。なお、図示省略するが、各放電防止部材９６(n）とガス分岐供給路９２(n)との間には、シール部材たとえばＯリング１２０（図６Ｂ）が設けられる。そして、各ガス分岐供給路９２(n)は、各放電防止部材９６(n）の周りをその入口（またはガス溝の底）から出口に向かって上記所定距離Ｈ以上の範囲ｈ（ｈ'）に亘って囲む構成（図６Ｂ）が好ましい。
この第８の実施例においては、上記第７の実施例と同様の効果が得られるのに加えて、各誘電体窓ガス流路９４(n）内の異常放電つまり各放電防止部材９６(1）内の異常放電を確実に防止することができる。したがって、各誘電体窓ガス流路９４(n）の配置位置に上記第３の実施例による上記条件式（１）を適用することは勿論好ましいが、適用しない構成であっても各放電防止部材９６(1）の入口付近における処理ガスの異常放電を十全に防止することができる。
［誘電体窓ガス流路回りの構成に関する実施例９］
［誘電体窓ガス流路回りの構成に関する実施例９］
図３７に、本発明の別の観点（第９の実施例）における誘電体窓ガス流路回りの装置構成を示す。この第９の実施例は、誘電体窓５２の中心部にガスノズル２１２を設けており、このガスノズル２１２の構成および作用を特徴とする。このガスノズル２１２は、上部ガス導入部のコネクタ部１６４に気密に接続されており、誘電体窓５２に形成される円筒状の貫通孔（開口）２１４と、この貫通孔２１４に嵌め込まれる円柱状のノズルピース２１６とを有している。
なお、コネクタ部１６４は、上記第４の実施例（図２５）におけるコネクタ部９０と同様の構成を有しており、同軸管６６の内部導体６８の終端に接続され、電気的に接地される。コネクタ部１６４の中心部には、同軸管６６のガス流路８４と接続して鉛直方向に延びる外部ガス流路１６６が形成されている。そして、ノズルピース２１６の上端（ガス入口）の周囲で、コネクタ部１６４の下面とコネクタ部１６４を収容する誘電体窓５２の凹所５２ｍの底面との間には、無端状のシール部材たとえばＯリング１７０が挿入される。図示の構成例では、このＯリング１７０の内側壁部を取り除いて、Ｏリング１７０の内側の隙間（ガス溝）に電界が集中しないようにしている。
図３８、図３９および図４０に、ノズルピース２１６の構成を示す。このノズルピース２１６は、その材質として任意の誘電体を使用できるが、誘電体窓５２と同じ材質の誘電体を好適に用いる。たとえば、誘電体窓５２の材質が石英の場合は、ノズルピース２１４の材質も同じ石英とするのが好ましい。
ノズルピース２１６の側面または外周面には、その上端から下端まで軸方向にまっすぐ延びる縦溝２１８が並列に複数本形成されている。図示の構成例では、ノズルピース２１６の外周面に、周回方向に一定の間隔を置いて２４個の縦溝２１８が設けられている。これらの縦溝２１８は、ガスノズル２１２内で周回方向に均一に分布する誘電体窓ガス流路を形成する。上部ガス導入部において、同軸管６６のガス流路８４およびコネクタ部１６４の外部ガス流路１６６を流れてきた処理ガスは、これら多数（２４個）の縦溝２１８を均一な流量で通り抜けて、プラズマ生成空間へ放出されるようになっている。このように軸方向にまっすぐ（最短距離）で周回方向に均一に分布する多数（２４個）の縦溝２１８の中を処理ガスが通り抜けるので、ガスノズル２１２全体として十分高いガスコンダクタンスが得られる。
縦溝２１８の横断面形状は、円形、楕円形、三角形、正方形等も可能であるが、溝深さＬdに対応する長辺と、溝幅Ｌwに対応する短辺とを有する長方形が好適に採られる。縦溝２１８がこのような長方形の横断面形状を有する場合、プラズマの逆流ないし異常放電の防止と高いガスコンダクタンスとの両立を図るうえで、溝深さＬdと溝幅Ｌwとの比つまりアパーチャ比（Ｌd／Ｌw）が重要であり、このアパーチャ比は２以上であるのが好ましく、５以上が更に好ましい。
より具体的には、縦溝２１８の溝幅Ｌwは、０．０５〜０．２ｍｍの範囲にあるのが望ましい。溝幅Ｌwが０．０５ｍｍより小さいと、溝深さＬdを相当大きくしても補えないほどガスコンダクタンスが悪くなる。一方で、溝幅Ｌwが０．２ｍｍより大きくなると、異常放電が発生しやすくなる。すなわち、縦溝２１８の中にイオンが存在しても、そのイオンを衝突によって消滅させる縦溝２１８の壁が近ければ、異常放電には至らない。しかし、長方形アパーチャの短辺に相当する溝幅Ｌwがある値つまり０．２ｍｍを越えると、イオンが溝幅ＬWの壁に衝突するまでの時間が長くなって、他のガス分子との衝突でそのガス分子を電離させ、異常放電に発展する可能性が高まってくる。
また、縦溝２１８の溝深さＬdは、十分高いガスコンダクタンスを確保するために１ｍｍ以上が望ましく、溝加工の容易性の面から２ｍｍ以下が望ましい。このように、溝幅Ｌwを０．０５〜０．２ｍｍとし、溝深さＬdを１〜２ｍｍとすることで、縦溝２１８のアパーチャ比（Ｌd／Ｌw）を５〜４０の範囲に収めることができる。典型例として、全長ＬNが１０ｍｍで、上端の直径φUが６ｍｍのノズルピース２１６においては、縦溝２１８の溝幅Ｌwが０．１ｍｍ、溝深さＬdが１．２ｍｍに選ばれる。この場合、アパーチャ比（Ｌd／Ｌw）は１２である。
ノズルピース２１６は、その上端から下端まで全長に亘って誘電体窓５２の貫通孔２１４にぴったり嵌まるように、貫通孔２１４と同じ口径（直径）か、または貫通孔２１４より僅かだけ小さい口径を有している。この実施例では、ノズルピース２１６が貫通孔２１４から脱落するのを防ぐために、両者（２１４，２１６）の口径が誘電体窓５２の厚さ方向において上から下に向かって同一のテーパ角θで次第に小さくなるようにしている。このテーパ角θは、位置決めないし脱落防止機能と縦溝２１８が最も浅くなるノズル下端でのアパーチャ比確保（またはノズルサイズの効率化）の両面から、０．００５≦ｔａｎθ≦０．２の範囲が好ましい。典型例として、全長ＬNが１０ｍｍで、ノズル上端の直径（最大径）φUが６ｍｍのノズルピース２１６においては、ノズル下端の直径（最小径）φLは５．９９ｍｍに選ばれる。この場合、ｔａｎθ＝０．０１である。
このように、この第９の実施例の処理ガス供給機構によれば、誘電体窓５２の中心部に貫通孔２１４を形成し、外周面に所定のアパーチャ比を有する縦溝２１８を周回方向に均一な分布で多数設けた誘電体製のノズルピース２１６を貫通孔２１４に嵌め込んでガスノズル２１２を組み立て、それら多数の縦溝２１８によって誘電体窓ガス流路を形成する構成により、ガスコンダクタンスを十分高くしつつ、プラズマの逆流ないし異常放電を効果的に防止することができる。
［実施例９の変形例］
［実施例９の変形例］
図４１に、上述した第９の実施例の一変形例を示す。この変形例は、上記ガスノズル２１２において、ノズルピース２１６の口径がその軸方向（誘電体窓５２の厚さ方向）の途中または中間部でステップ的に変化する構成を特徴とする。
より詳しくは、貫通孔２１４の口径は、誘電体窓５２の厚さ方向において上から下に向かって一定のテーパ角θで連続的に小さくなっている。一方、ノズルピース２１６の口径は全体的には上から下に向かって同一のテーパ角θで小さくなっているが、途中の中間部に段差２２０が設けられている。これにより、ノズルピース２１６の外周面が、誘電体窓５２の厚さ方向において、ノズル上端から段差２２０の上縁部までは貫通孔２１４の内壁に接触し、段差２２２の下縁部からノズル下端までは貫通孔２１４の内壁から離間して隙間２２２を形成している。この場合、ノズルピース２１６の下端の口径φLBは、貫通孔２１４の下端の口径φLAよりも隙間２２２の分だけ小さくなる。このように、ノズルピース２１６の外周面がその下半部で貫通孔２１４の内壁から離間する構成を採ることにより、アパーチャ比（２以上）を実質的に一定に保ったままガスコンダクタンスを一段と高めることができる。
図示省略するが、別の変形例として、段差２２０の向きを逆にして、ノズルピース２１６の外周面の下半部が貫通孔２１４の内壁に接触し、その上半部が貫通孔２１４から離間する構成も可能である。あるいは、ノズルピース２１６の中間部だけが貫通孔２１４の内壁から離間するような括れ構造も可能である。さらに別の変形例として、ノズルピース２１６に段差を設けないで、代わりに貫通孔２１４の内壁に段差を設ける構成、つまり貫通孔２１４の内壁の口径が誘電体窓５２の厚さ方向の途中でステップ的に変化する構成を採ることも可能である。
図４２に、別の変形例を示す。この変形例は、第９の実施例によるガスノズル２１２において、ノズルピース２１６の外周面と貫通孔２１４の内壁との間に接着剤２２４の層を設ける構成を特徴とする。この場合、ガスノズル２１２の組み立てにおいてノズルピース２１６を貫通孔２１４に嵌め込んだ際に、ノズルピース２１６の外周面と貫通孔２１４の内壁との間に接着剤２２４の層の厚みに相当する僅かな隙間が形成されるようにする。接着剤２２４の層は、薄すぎると接着力が低減し、厚すぎると隙間のばらつきが大きくなるので、０．１〜２μｍの厚さ（隙間サイズ）にするのが好ましい。
このようにノズルピース２１６と貫通孔２１４とを接着剤２２４によって接合することにより、熱膨張の違い等に起因する両者（２１４，２１６）間のこすれ（パーティクルの発生要因）を無くすとともに、誘電体窓（天板）をチャンバから取り外して超音波洗浄等によりクリーニングする際にノズルピース２１６が脱落する危険性を十全に回避することができる。このことによって、天板アッセンブリにおけるガスノズル回りの物理的強度および信頼性を向上させることができる。
接着剤２２４の特性として、材質と粘性がとりわけ重要である。接着剤２２４の材質は、熱応力を小さくするうえで、ノズルピース２１６および／または誘電体窓５２の熱膨張率と同等の（相対差が好ましくは５ppmの範囲にある）熱膨張率を有するポリマーの焼成体からなるか、またはそれを含むものが好ましい。したがって、たとえば、ノズルピース２１６および誘電体窓５２の母材が共に石英である場合は、ケイ素系の無機ポリマーからなるか、またはそれを含む接着剤２２４を好適に用いることができる。また、ガスノズル２１２内の接着剤２２４の層は、異常放電の発生原因や洗浄時の劣化原因になり得る小気孔を可能な限り含まないのが望ましく、気孔率が１０％以下の実質緻密体であるのが好ましい。このために、接着剤２２４のフィラー含有量は５０重量％以下が好ましく、０重量％つまりフィラーを一切含まないのが最も好ましい。
粘性に関して、接着剤２２４は、硬化（焼成）前の液状態で適度な粘度（５〜５０００ｍＰa・ｓ）を有するのが好ましく、これによってノズルピース２１６と貫通孔２１４との間の僅かな（０．１〜２μｍの）隙間を十全に埋め尽くし、必要かつ十分な接着強度を保証することができる。
さらに、このように接着剤２２４を用いる場合は、ノズルピース２１６の外周面および／または貫通孔２１４の内壁の表面を、良好なアンカー効果が得られるように、適度な表面粗さ（算術平均粗さＲaとして、０．１μｍ≦Ｒa≦３．２の範囲）に粗面化するのが好ましい。
なお、図示省略するが、別の変形例として、ガスノズル２１２において、誘電体窓５２に形成される貫通孔２１４が下方（チャンバ１０の中）に向かって逆テーパ状に大きくなる口径を有し、同様に下方（チャンバ１０の中）に向かって口径が逆テーパ状に大きくなるようなノズルピース２１６を貫通孔２１４に嵌め込む構成も可能である。また、接着剤２２４によってノズルピース２１６を貫通孔２１４に接合する場合は、ノズルピース２１６および貫通孔２１４の双方を上端から下端まで一定の口径を有するテーパ無しの円柱形状および円筒形状にすることも可能である。また、ノズルピース２１６の外周面において、縦溝２１８をノズル軸方向に対して斜めに形成することも可能である。図示の構成例における縦溝２１８の本数（２４個）は一例である。重要なことは、縦溝２１８の本数を多くすることによって、縦溝２１８のアパーチャ比を一定に保ったままガスコンダクタンスを高められるということである。
［ガスノズルの作成方法］
［ガスノズルの作成方法］
上記のような第９の実施例によるガスノズル２１２を作成するには、先ず天板（誘電体窓５２）用に一定の板厚と一定の口径を有する誘電体板を用意する。上述したように、この誘電体板（誘電体窓５２）の材質には、石英あるいはＡｌ2Ｏ3等のセラミックスが用いられる。この誘電体板（誘電体窓５２）の中心部に、たとえばレーザ加工またはＮＣ研削加工によって所定の口径の貫通孔２１４を形成する。一方で、好ましくは誘電体板（誘電体窓５２）と同じ材質の誘電体を材料に用いて、貫通孔２１４の内壁にぴったり嵌まる形状およびサイズのノズルピース２１６を成型または切削加工により作成する。そして、このノズルピース２１６を回転しながらねじ込むようにして誘電体板（誘電体窓５２）の貫通孔２１４に挿入する。
上記のように接着剤２２４を用いる場合は、貫通孔２１４にノズルピース２１６を嵌め込む前に、ノズルピース２１６の外周面および／または貫通孔２１４の内壁の表面を、たとえばブラスト処理によって適度な表面粗さ（算術平均粗さＲaとして、０．１μｍ≦Ｒa≦３．２の範囲）に表面加工する。そして、貫通孔２１４にノズルピース２１６を嵌め込んでから、ノズルピース２１６の外周面と貫通孔２１４の内壁との間に液状の接着剤２２４を流し込む。たとえば、誘電体窓５２およびノズルピース２１６の母材がいずれも石英である場合は、接触角が１０°以下で５〜５０００ｍＰa・ｓの粘度を有するＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）を液状の接着剤２２４として好適に使用できる。こうして、液状の接着剤２２４がノズルピース２１６の外周面と貫通孔２１４の内壁との間の隙間を埋め尽くすように隈なく行き渡ってから、この天板サブアッセンブリを２００〜８００℃の温度で焼成する。この焼成により、接着剤２２４のＴＥＯＳが固化してＳiＯ2に変化する。接着剤２２４のフィラー含有量は少ないので（好ましくはフィラーを一切含まないので）、小気孔を含まない緻密な接着剤２２４の層が得られる。こうして、チャンバ１０の天井面に取り付け可能なガスノズル付きの天板アッセンブリが完成する。なお、接着剤２２４の材質として、ＴＥＯＳまたはＳiＯ2の他にも、たとえばＳiＯＮやＳiＯＣを用いることができる。
上述したガスノズル作成方法によれば、ガスコンダクタンスが十分高くて、プラズマの流入ないし異常放電を効果的に防止できるガスノズル２１２を誘電体窓５２に容易に組み込むことができる。
［実施例９の他の変形例または応用例］
［実施例９の他の変形例または応用例］
上記第９の実施例におけるガスノズル２１２およびノズルピース２１６の構成または機能は、種種のアプリケーションに適用可能である。たとえば、上記のように、第１の実施例の一変形例として、円筒部１２６の中に通気性誘電体として第９の実施例におけるノズルピース２１６を詰め込むことができる（図６Ｉ，図６Ｊ）。また、第２の実施例の一変形例として、第９の実施例におけるノズルピース２１６を誘電体窓ガス流路９４(n)に放電防止部材９６(n)として装着することや，円筒部１２６の中に通気性誘電体として第９の実施例におけるノズルピース２１６を詰め込むことができる（図１９，図２０）。また、第３の実施例の一変形例として、第９の実施例におけるノズルピース２１６を誘電体窓ガス流路９４(n)に放電防止部材９６(n)として装着することができる（図２４Ｂ）。
さらに、別の応用例として、図４３に示すように、たとえばマイクロ波プラズマ処理装置のシャワーヘッドに第９の実施例における天板アッセンブリ（５２，２１２）を適用することができる。この装置構成においては、シャワーヘッドを兼用する天板の誘電体窓５２にガスノズル２１２を離散的に多数設ける。誘電体窓５２の背面に気密なギャップ２２６を介して誘電体からなるカバープレート２２８を結合し、チャンバ１０および誘電体窓５２の中に設けたガス通路２３０を介してギャップ２２６に処理ガスを送り込み、ギャップ２２６から各ガスノズル２１２を介してチャンバ１０内のプラズマ生成空間に処理ガスを導入する。
上記第９の実施例の一変形例によるガスノズル２１２として、図４４および図４５に示すように、誘電体窓５２の貫通孔２１４の中に同軸または同心状に複数個（たとえば２つ）のノズルピース２１６Ａ，２１６Ｂを設ける構成も可能である。この構成例は、誘電体窓５２の貫通孔２１４に筒状の外側ノズルピース２１６Ａを嵌め込む。さらに、この外側ノズルピース２１６Ａの筒孔（貫通孔）２３２に円柱状の内側ノズルピース２１６Ｂを嵌め込む。図示省略するが、外側ノズルピース２１６Ａの外周面と貫通孔２１４の内壁との間に上記接着剤２２４と同様の接着剤（接着層）を介在させるのが好ましい。内側ノズルピース２１６Ｂの外周面と外側ノズルピース２１６Ａの内壁との間にも、同様の接着剤（接着層）を介在させるのが好ましい。
外側ノズルピース２１６Ａの側面または外周面には、その上端から下端まで軸方向にまっすぐ延びる縦溝２３４が並列に複数本形成されている。これらの縦溝２３４は、ガスノズル２１２内で周回方向に均一に分布する第１（外側）の誘電体窓ガス流路を形成する。一方、内側ノズルピース２１６Ｂの側面または外周面にも、その上端から下端まで軸方向にまっすぐ延びる縦溝２３６が並列に複数本形成されている。これらの縦溝２３６は、ガスノズル２１２内で周回方向に均一に分布する第２（内側）の誘電体窓ガス流路を形成する。このように、ガスノズル２１２内の誘電体窓ガス流路を同軸または同心状に複数設ける構成により、ガスノズル２１２のコンダクタンスをより一層向上させることができる。
なお、上記第９の実施例の別の変形例として、ガスノズル２１２内で誘電体窓ガス流路を形成する溝を誘電体窓５２の貫通孔２１４の内壁に設ける構成も可能である。この場合、ノズルピース２１６の外周面には溝を設けない。もっとも、誘電体窓５２に設けられる貫通孔２１４の口径（直径）は通常１０ｍｍ以下であり、このような小口径の貫通孔２１４の内壁に上記のようなプロファイルを有する溝を形成するのは現実的には非常に困難である。
［その他の実施例または変形例］
［その他の実施例または変形例］
上記した実施形態では、チャンバ１０内に処理ガスを導入するためのガス導入機構として、上部ガス導入部８０と側部ガス導入部８２を備えた。しかし、側部ガス導入部８２を省いて、上部ガス導入部８０だけを備える構成も可能である。
上記した実施形態は、チャンバ１０の天板を構成する誘電体窓５２に放電防止部材９６を設ける構成に係わるものであったが、チャンバ１０内のプラズマ生成空間にマイクロ波を透過して導入する任意の誘電体窓（たとえばチャンバ側壁の誘電体窓）に誘電体窓ガス流路を設ける構成にも本発明は適用可能である。
上記実施形態のマイクロ波プラズマ処理装置におけるマイクロ波放電機構の構成、特にマイクロ波伝送線路５８およびラジアルラインスロットアンテナ５５は一例であり、他の方式または形態のマイクロ波伝送線路およびスロットアンテナも使用可能である。
上記実施形態におけるマイクロ波プラズマエッチング装置は、無磁場でマイクロ波プラズマを生成するので、チャンバ１０の周りに永久磁石や電子コイル等の磁界形成機構を設ける必要がなく、そのぶん簡易な装置構成となっている。もっとも、本発明は、電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ：Electron Cyclotron Resonance）を利用するプラズマ処理装置にも適用可能である。
本発明は、上記実施形態におけるマイクロ波プラズマエッチング装置に限定されるものではなく、プラズマＣＶＤ、プラズマ酸化、プラズマ窒化、スパッタリング等の他のマイクロ波プラズマ処理装置にも適用可能である。さらに、本発明は、マイクロ波プラズマ処理装置に限定されず、プラズマ生成用の電磁波として高周波を用いる誘導結合プラズマ処理装置にも適用可能である。
誘導結合プラズマ処理装置においては、通常コイル型のアンテナが使われる。典型的には、チャンバの天板の上にコイル型アンテナが配置され、このコイル型アンテナに高周波電源が整合器を介して電気的に接続される。コイル型アンテナに流れるＲＦ電流によって、磁力線が誘電体窓を貫通してチャンバ内の処理空間を通過するようなＲＦ磁界がコイル型アンテナの周りに発生し、このＲＦ磁界の時間的な変化によって処理空間内で方位角方向に誘導電界が発生する。そして、この誘導電界によって方位角方向に加速された電子が処理ガスの分子や原子と電離衝突を起こし、ドーナツ状にプラズマが生成される。ここで、誘電体窓に設けたガス流路を介してチャンバ内に処理ガスを供給する処理ガス供給機構を備える場合には、その処理ガス供給機構に本発明を適用することができる。
本発明における被処理基板は半導体ウエハに限るものではなく、フラットパネルディスプレイ、有機ＥＬ、太陽電池用の各種基板や、フォトマスク、ＣＤ基板、プリント基板等も可能である。
１０ チャンバ
１２ サセプタ（下部電極）
２６ 排気装置
５２ 誘電体窓（天板）
５４ スロット板
５５ ラジアルラインスロットアンテナ
５６ 誘電体板
５８ マイクロ波伝送線路
６０ マイクロ波発生器
６６ 同軸管
８０ 上部ガス導入部
８６ 処理ガス供給源
９０ コネクタ部（外部ガス管）
９２(1)〜９２(8)，９２(n) 分岐ガス流路
９４(1)〜９４(8) ，９４(n) 誘電体窓ガス流路
９６(1)〜９６(8) ，９６(n) 放電防止部材
１１４ （放電防止部材の）突出部
１１６，１３４ スプリングコイル
１１８ 包囲導体
１２０ Ｏリング
１２６ 筒部
１２８ 放電防止部材（多孔質誘電体）
１４２ Ｏリング
１４４ Ｏリング内側の隙間（ガス溝）
１４６ Ｏリング外側の隙間
１４２ コネクタ部
１６２，１６２' ノズル部
１６０ 誘電体窓開口
１６６，１６６' コネクタ部内のガス流路
１７０ Ｏリング
２０６ 張出導体
２１０ 包囲導体
２１２ ガスノズル
２１４ 貫通孔
２１６ ノズルピース
２１６Ａ 外側ノズルピース
２１６Ｂ 内側ノズルピース
２１８ 縦溝
２２４ 接着剤（層）
２３４，２３６ 縦溝
１２ サセプタ（下部電極）
２６ 排気装置
５２ 誘電体窓（天板）
５４ スロット板
５５ ラジアルラインスロットアンテナ
５６ 誘電体板
５８ マイクロ波伝送線路
６０ マイクロ波発生器
６６ 同軸管
８０ 上部ガス導入部
８６ 処理ガス供給源
９０ コネクタ部（外部ガス管）
９２(1)〜９２(8)，９２(n) 分岐ガス流路
９４(1)〜９４(8) ，９４(n) 誘電体窓ガス流路
９６(1)〜９６(8) ，９６(n) 放電防止部材
１１４ （放電防止部材の）突出部
１１６，１３４ スプリングコイル
１１８ 包囲導体
１２０ Ｏリング
１２６ 筒部
１２８ 放電防止部材（多孔質誘電体）
１４２ Ｏリング
１４４ Ｏリング内側の隙間（ガス溝）
１４６ Ｏリング外側の隙間
１４２ コネクタ部
１６２，１６２' ノズル部
１６０ 誘電体窓開口
１６６，１６６' コネクタ部内のガス流路
１７０ Ｏリング
２０６ 張出導体
２１０ 包囲導体
２１２ ガスノズル
２１４ 貫通孔
２１６ ノズルピース
２１６Ａ 外側ノズルピース
２１６Ｂ 内側ノズルピース
２１８ 縦溝
２２４ 接着剤（層）
２３４，２３６ 縦溝
Claims (90)
- 誘電体の窓を有する真空排気可能な処理容器と、
前記処理容器内で被処理基板を保持する基板保持部と、
前記誘電体窓を貫通する誘電体窓ガス流路と、
前記処理容器内のプラズマ生成空間から見て前記誘電体窓の裏側または外側で前記誘電体窓ガス流路と接続する外部ガス供給路を有し、所要の処理ガスの少なくとも一部を前記外部ガス供給路および前記誘電体窓ガス流路を介して前記処理容器内に供給する処理ガス供給部と、
前記誘電体窓を介して前記処理容器内に電磁波を供給する電磁波供給部と、
前記誘電体窓に一体的に形成または結合され、前記外部ガス供給路の出口に接続する入口を有し、前記誘電体窓ガス流路の全区間または一区間を構成する放電防止部材と、
前記放電防止部材の少なくともその入口付近を包囲する包囲導体と
を有するプラズマ処理装置。 - 前記包囲導体が、前記放電防止部材の周りをその入口から出口に向かって所定距離Ｈ以上の範囲に亘って囲む、請求項１に記載のプラズマ処理装置。
- 前記電磁波が前記放電防止部材の中を伝搬するときの波長をλdとすると、Ｈ≧０．０５λdである、請求項２に記載のプラズマ処理装置。
- Ｈ≧０．２λdである、請求項３に記載のプラズマ処理装置。
- 前記包囲導体の内径または最大内接楕円長軸長をＤとすると、Ｈ≧０．１３Ｄである、請求項２に記載のプラズマ処理装置。
- Ｈ≧０．５Ｄである、請求項５に記載のプラズマ処理装置。
- 前記電磁波が前記放電防止部材の中を伝搬するときの波長をλd、前記包囲導体の内径または最大内接楕円長軸長をＤとすると、Ｄ≦０．６λdである、請求項１に記載のプラズマ処理装置。
- 前記誘電体窓に、前記誘電体窓ガス流路が複数個並列に設けられる、請求項１に記載のプラズマ処理装置。
- 前記誘電体窓の中心と各々の前記誘電体窓ガス流路との間の距離をＲ、前記電磁波が前記誘電体窓の中を伝搬するときの波長をλgとすると、λg／４＜Ｒ＜５λg／８である、請求項８に記載のプラズマ処理装置。
- 前記誘電体窓の中心からλg／４以内には前記誘電体窓ガス流路が一切設けられない、請求項９に記載のプラズマ処理装置。
- 前記誘電体窓が回転対称性を有する、請求項９に記載のプラズマ処理装置。
- 複数の前記誘電体窓ガス流路が、前記誘電体窓の中心から一定距離の円周上に等間隔で配置される、請求項８記載のプラズマ処理装置。
- 前記放電防止部材が、多孔質の誘電体を有する、請求項１に記載のプラズマ処理装置。
- 前記放電防止部材が、複数の極細の貫通孔が形成されている誘電体を有する、請求項１に記載のプラズマ処理装置。
- 前記放電防止部材が、その外周面に軸方向に延びる複数の縦溝が形成されている誘電体を有する、請求項１に記載のプラズマ処理装置。
- 前記放電防止部材が、前記誘電体窓に一体的に形成また結合される誘電体製の筒部を有する、請求項１に記載のプラズマ処理装置。
- 前記放電防止部材が、前記誘電体窓の裏側に突出しており、その突出部分が前記包囲導体に囲まれている、請求項１に記載のプラズマ処理装置。
- 前記外部ガス供給路の少なくとも出口付近の部分は導体からなり、前記包囲導体と一体に連続または接続している、請求項１に記載のプラズマ処理装置。
- 前記包囲導体が、前記放電防止部材の軸方向に沿って接続される複数の導体部材に分割されている、請求項１記載のプラズマ処理装置。
- 前記放電防止部材の側面と前記包囲導体との間に電磁界吸収部材が設けられている、請求項１に記載のプラズマ処理装置。
- 前記放電防止部材の側面と前記包囲導体との間に無端状のシール部材が設けられている、請求項２に記載のプラズマ処理装置。
- 前記放電防止部材の側面と前記包囲導体との間に、前記シール部材によって大気圧空間から遮断される溝が形成され、
前記包囲導体は、前記溝の最も奥まった位置から前記所定距離Ｈ以上の範囲に亘って前記放電防止部材の側面を包囲する、
請求項２１に記載のプラズマ処理装置。 - 前記放電防止部材の入口の端面と前記外部ガス供給路の出口との間に無端状のシール部材が設けられている、請求項１に記載のプラズマ処理装置。
- 前記誘電体窓と前記外部ガス供給路の出口との間に無端状のシール部材が設けられている、請求項１に記載のプラズマ処理装置。
- 前記放電防止部材の入口付近で前記シール部材の内側に形成される隙間が前記シール部材の外側に形成される隙間よりも大きい、請求項２３または請求項２４に記載のプラズマ処理装置。
- 前記シール部材の外側の隙間が０．２ｍｍ以下であり、前記シール部材の内側の隙間が０．３ｍｍ以上である、請求項２５に記載のプラズマ処理装置。
- 前記シール部材の内側の隙間が０．５ｍｍ〜１．０ｍｍである、請求項２６に記載のプラズマ処理装置。
- 前記電磁波供給部が、前記処理容器内に電磁波を供給するために前記誘電体窓の上に設けられるアンテナを有する、請求項１に記載のプラズマ処理装置。
- 前記アンテナは、平板型スロットアンテナである、請求項２８に記載のプラズマ処理装置。
- 前記平板型スロットアンテナが回転対称性を有する、請求項２９に記載のプラズマ処理装置。
- 前記平板型スロットアンテナのスロット板が、前記包囲導体の一部を形成する、請求項２９に記載のプラズマ処理装置。
- 前記電磁波供給部が、
前記電磁波としてマイクロ波を発生するマイクロ波発生器と、
前記マイクロ波発生器より発生された前記マイクロ波を前記平板型スロットアンテナまで伝搬するマイクロ波伝送線路と
を有する、請求項２９に記載のプラズマ処理装置。 - 前記アンテナは、コイル型アンテナである、請求項２８に記載のプラズマ処理装置。
- 前記電磁波供給部が、
前記電磁波として高周波を発生する高周波電源と、
前記高周波電源からの前記高周波を前記アンテナに伝送する高周波伝送部と、
前記アンテナ側の負荷インピーダンスを前記高周波電源側のインピーダンスに整合させるための整合器と
を有する、請求項３３に記載のプラズマ処理装置。 - 前記放電防止部材の出口が、前記処理容器内のプラズマ生成空間に臨む前記誘電体窓ガス流路の出口まで延びてガス噴出口を形成する、請求項１に記載のプラズマ処理装置。
- 誘電体の窓を有する真空排気可能な処理容器と、
前記処理容器内で被処理基板を保持する基板保持部と、
前記誘電体窓を貫通する誘電体窓ガス流路と、
前記処理容器内のプラズマ生成空間から見て前記誘電体窓の外側で前記誘電体窓ガス流路と接続する外部ガス供給路を有し、所要の処理ガスの少なくとも一部を前記外部ガス供給路および前記誘電体窓ガス流路を介して前記処理容器内に供給する処理ガス供給部と、
前記誘電体窓を介して前記処理容器内にガス放電用の電磁波を供給する電磁波供給部と
を有し、
前記誘電体窓の中心と前記誘電体窓ガス流路との間の距離をＲ、前記電磁波が前記誘電体窓の中を伝搬するときの波長をλgとすると、λg／４＜Ｒ＜５λg／８である、
プラズマ処理装置。 - 前記誘電体窓の中心からλg／４以内には前記誘電体窓ガス流路が一切設けられない、請求項３６に記載のプラズマ処理装置。
- 前記誘電体窓に、前記誘電体窓ガス流路が複数個並列に設けられる、請求項３６に記載のプラズマ処理装置。
- 複数の前記誘電体窓ガス流路が、前記誘電体窓の中心から一定距離の円周上に等間隔で配置される、請求項３８に記載のプラズマ処理装置。
- 前記誘電体窓内で前記誘電体窓ガス流路が環状に延びる、請求項３６に記載のプラズマ処理装置。
- 前記誘電体窓の中心部に開口が形成され、
前記開口に誘電体のノズルピースが嵌め込まれ、
前記ノズルピースと前記開口との間に前記誘電体窓ガス流路が形成される、
請求項４０に記載のプラズマ処理装置。 - 前記誘電体窓の開口が、第１および第２の口径をそれぞれ有する同軸上の第１および第２の開口部を有し、
前記ノズル部が、前記第１の開口部に第１のクリアランスを空けて嵌まる第１の円柱部と、前記第２の開口部に第２のクリアランスを空けて嵌まる第２の円柱部と、前記第１の円柱部と前記第２の円柱部との間で径方向に延びて前記第１の開口部と前記第２の開口部との間の環状底面または環状天井面に密着する環状のフランジ面と、前記フランジ面に放射状に形成される複数の溝とを有し、
前記誘電体窓の開口に前記ノズル部が嵌まった状態で、前記第１のクリアランスと前記溝と前記第２のクリアランスとが連通して前記誘電体窓ガス流路を形成する、
請求項４１に記載のプラズマ処理装置。 - 前記誘電体窓の開口が、前記誘電体窓の厚さ方向でテーパ状に変化する口径を有し、
前記ノズル部が、前記誘電体窓の開口に密着するテーパ状の胴部と、この胴部の上端から下端まで垂直または斜めに延びるように胴部の外周面に形成される複数の溝とを有し、
前記ノズル部が前記誘電体窓の開口に嵌まった状態で、前記溝が前記誘電体窓ガス流路を形成する、
請求項４１に記載のプラズマ処理装置。 - 前記誘電体窓に貫通孔が形成され、
前記貫通孔に誘電体のノズルピースが嵌め込まれ、
前記ノズルピースの外周面に、その一端から他端まで軸方向に延びる縦溝が並列に複数本設けられ、
前記複数本の縦溝によって前記誘電体窓ガス流路が形成される、
請求項３６に記載の処理ガス供給装置。 - 前記誘電体窓が回転対称性を有する、請求項３６に記載のプラズマ処理装置。
- 前記誘電体窓と前記外部ガス供給路の出口との間に無端状のシール部材が設けられている、請求項３６に記載のプラズマ処理装置。
- 前記誘電体窓ガス流路の入口付近で前記シール部材の内側に形成される隙間が前記シール部材の外側に形成される隙間よりも大きい、請求項４６に記載のプラズマ処理装置。
- 前記シール部材の外側の隙間が０．２ｍｍ以下であり、前記シール部材の内側の隙間が０．３ｍｍ以上である、請求項４７に記載のプラズマ処理装置。
- 前記シール部材の内側の隙間が０．５ｍｍ〜１．０ｍｍである、請求項４８に記載のプラズマ処理装置。
- 前記誘電体の前記誘電体窓ガス流路よりも半径方向内側の位置に第１の凹部が形成され、
前記第１の凹部に電気的に接地された張出導体が嵌まっている、
請求項３６に記載のプラズマ処理装置。 - 前記誘電体の前記誘電体窓ガス流路よりも半径方向外側の位置に第２の凹部が形成され、
前記第２の凹部に電気的に接地された包囲導体が嵌まっている、
請求項３６に記載のプラズマ処理装置。 - 前記誘電体窓に一体的に形成または結合され、前記外部ガス供給路の出口に接続する入口を有し、前記誘電体窓ガス流路の全区間または一区間を構成する通気性の放電防止部材を有する、請求項３６に記載のプラズマ処理装置。
- 前記電磁波供給部が、前記処理容器内に電磁波を供給するために前記誘電体窓の上に設けられるアンテナを有する、請求項３６に記載のプラズマ処理装置。
- 前記アンテナは、平板型スロットアンテナである、請求項５３に記載のプラズマ処理装置。
- 前記平板型スロットアンテナが回転対称性を有する、請求項５４に記載のプラズマ処理装置。
- 前記平板型スロットアンテナのスロット板が、前記包囲導体の一部を形成する、請求項５４に記載のプラズマ処理装置。
- 前記電磁波供給部が、
前記電磁波としてマイクロ波を発生するマイクロ波発生器と、
前記マイクロ波発生器より発生された前記マイクロ波を前記平板型スロットアンテナまで伝搬するマイクロ波伝送線路と
を有する、請求項５４に記載のプラズマ処理装置。 - 前記アンテナは、コイル型アンテナである、請求項５３に記載のプラズマ処理装置。
- 前記電磁波供給部が、
前記電磁波として高周波を発生する高周波電源と、
前記高周波電源からの前記高周波を前記アンテナに伝送する高周波伝送部と、
前記アンテナ側の負荷インピーダンスを前記高周波電源側のインピーダンスに整合させるための整合器と
を有する、請求項５８に記載のプラズマ処理装置。 - 前記放電防止部材の出口が、前記処理容器内のプラズマ生成空間に臨む前記誘電体窓ガス流路の出口まで延びてガス噴出口を形成する、請求項３６に記載のプラズマ処理装置。
- 誘電体窓を有する真空排気可能な処理容器と、
前記処理容器内で被処理基板を保持する基板保持部と、
前記誘電体窓に設けられるガスノズルと、前記処理容器内のプラズマ生成空間から見て前記誘電体窓の裏側または外側で前記ガスノズルと接続する外部ガス供給路とを有し、所要の処理ガスの少なくとも一部を前記外部ガス供給路および前記ガスノズルを介して前記処理容器内に供給する処理ガス供給装置と、
前記誘電体窓を介して前記処理容器内に電磁波を供給する電磁波供給部と
を具備し、
前記ガスノズルが、前記誘電体窓に形成される貫通孔と、前記貫通孔に嵌め込まれる誘電体のノズルピースとを有し、
前記ノズルピースの外周面に、その一端から他端まで軸方向に延びる縦溝が並列に複数本形成されている、
プラズマ処理装置。 - 前記縦溝の溝の深さと溝の幅との比が２以上である、請求項６１に記載のプラズマ処理装置。
- 前記縦溝の溝の幅は、０．０５〜０．２ｍｍの範囲にある、請求項６１に記載のプラズマ処理装置。
- 前記縦溝の溝の深さは、１〜２ｍｍの範囲にある、請求項６３に記載のプラズマ処理装置。
- 前記縦溝の横断面形状は、溝深さに対応する長辺と、溝幅に対応する短辺とを有する長方形である、請求項６１に記載のプラズマ処理装置。
- 前記貫通孔および前記ノズルピースが、前記誘電体窓の厚さ方向において同一のテーパ角θで変化する口径をそれぞれ有する、請求項６１に記載のプラズマ処理装置。
- 前記テーパ角θは、０．００１≦tanθ≦０．２の範囲にある、請求項６６に記載のプラズマ処理装置。
- 前記貫通孔または前記ノズルピースのいずれか一方の口径が、前記誘電体窓の厚さ方向の途中でステップ的に変わる、請求項６１に記載のプラズマ処理装置。
- 前記ノズルピースの外周面が、前記誘電体窓の厚さ方向において、一端から所定の中間点までは前記貫通孔の内壁に接触し、前記中間点から他端までは前記貫通孔の内壁から隙間を空けて離間している、請求項６８に記載のプラズマ処理装置。
- 前記ノズルピースの外周面と前記貫通孔の内壁との間に接着層を有する、請求項６１に記載のプラズマ処理装置。
- 前記接着層の厚さは、０．１〜２μｍの範囲にある、請求項７０に記載のプラズマ処理装置。
- 前記接着層は、気孔率が１０％以下の実質緻密体である、請求項１０または請求項７１に記載のプラズマ処理装置。
- 前記接着層は、ポリマーの焼結体からなるか、もしくはそれを含む、請求項７０に記載のプラズマ処理装置。
- 前記接着層は、前記誘電体窓または前記ノズルピースと同じ材質の誘電体を含む、請求項７０に記載のプラズマ処理装置。
- 前記接着層は、前記誘電体窓または前記ノズルピースと同じ材質の誘電体からなるか、もしくはそれを含む、請求項７０に記載のプラズマ処理装置。
- 前記接着層の材質は、その熱膨張率と、前記誘電体窓および前記ガスノズルの熱膨張率との相対差が５ppmの範囲である、請求項７０に記載のプラズマ処理装置。
- 前記ノズルピースの外周面の表面粗さが、算術平均粗さＲaとして、０．１μｍ≦Ｒa≦３．２μｍの範囲にある、請求項７０に記載のプラズマ処理装置。
- 前記貫通孔の内壁の表面粗さが、算術平均粗さＲaとして、０．１μｍ≦Ｒa≦３．２μｍの範囲にある、請求項７０に記載のプラズマ処理装置。
- 前記誘電体窓の中心と前記ガスノズルの縦溝との間の距離をＲ、前記電磁波が前記誘電体窓の中を伝搬するときの波長をλgとすると、λg／４＜Ｒ＜５λg／８である、請求項６１に記載のプラズマ処理装置。
- 前記誘電体窓の中心からλg／４以内には前記ガスノズルの縦溝が一切設けられない、請求項７９に記載のプラズマ処理装置。
- 前記誘電体窓と前記外部ガス供給路の出口との間に無端状のシール部材が設けられている、請求項６１に記載のプラズマ処理装置。
- 前記ガスノズルの入口付近で前記シール部材の内側に形成される隙間が前記シール部材の外側に形成される隙間よりも大きい、請求項８１に記載のプラズマ処理装置。
- 前記シール部材の外側の隙間が０．２ｍｍ以下であり、前記シール部材の内側の隙間が０．３ｍｍ以上である、請求項８２に記載のプラズマ処理装置。
- 前記シール部材の内側の隙間が０．５ｍｍ〜１．０ｍｍである、請求項８３に記載のプラズマ処理装置。
- 前記ガスノズルの少なくともその入口付近を包囲する包囲導体を有する、請求項６１に記載のプラズマ処理装置。
- プラズマ処理装置の処理容器に取り付けられる誘電体窓にガスノズルを設け、前記ガスノズルを介して前記処理容器内に処理ガスを供給する処理ガス供給装置であって、
前記ガスノズルが、前記誘電体窓に形成される貫通孔と、前記貫通孔に嵌め込まれる誘電体のノズルピースとを有し、
前記ノズルピースの外周面に、その一端から他端まで軸方向に延びる縦溝が並列に複数本形成されている、
処理ガス供給装置。 - プラズマ処理装置において処理容器に取り付けられ、プラズマ生成用の電磁波を前記処理容器の中へ透過し、かつ処理ガスを前記処理容器の中へ導入する誘電体窓を製造するための方法であって、
前記誘電体窓の本体を構成する誘電体板に貫通孔を形成する工程と、
前記貫通孔に嵌合可能な口径を有する誘電体のノズルピースを作成する工程と、
前記ノズルピースの外周面に、その一端から他端まで軸方向に延びる縦溝を複数本形成する工程と、
前記縦溝が形成されている前記ノズルピースを前記誘電体板の貫通孔に装着する工程と
を有する誘電体窓製造方法。 - 前記誘電体板の貫通孔の内壁と前記ノズルピースの外周面との間に液状の接着剤を流し込む工程と、
前記接着剤を２００℃〜８００℃の温度で焼成して硬化させる工程と
有する、請求項８７に記載の誘電体窓製造方法。 - 前記接着剤の前記貫通孔の内壁に対する液状での接触角は１０°以下である、請求項８８に記載の誘電体窓製造方法。
- 前記接着剤の液状での粘度は、５〜５０００ｍＰa・ｓである、請求項８９に記載の誘電体窓製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013537413A JP5792315B2 (ja) | 2011-10-07 | 2012-10-03 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011223331 | 2011-10-07 | ||
| JP2011223334 | 2011-10-07 | ||
| JP2011223334 | 2011-10-07 | ||
| JP2011223331 | 2011-10-07 | ||
| JP2011223335 | 2011-10-07 | ||
| JP2011223335 | 2011-10-07 | ||
| PCT/JP2012/006331 WO2013051248A1 (ja) | 2011-10-07 | 2012-10-03 | プラズマ処理装置 |
| JP2013537413A JP5792315B2 (ja) | 2011-10-07 | 2012-10-03 | プラズマ処理装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2015154967A Division JP6069429B2 (ja) | 2011-10-07 | 2015-08-05 | プラズマ処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2013051248A1 true JPWO2013051248A1 (ja) | 2015-03-30 |
| JP5792315B2 JP5792315B2 (ja) | 2015-10-07 |
Family
ID=48043429
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2013537413A Expired - Fee Related JP5792315B2 (ja) | 2011-10-07 | 2012-10-03 | プラズマ処理装置 |
| JP2015154967A Expired - Fee Related JP6069429B2 (ja) | 2011-10-07 | 2015-08-05 | プラズマ処理装置 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2015154967A Expired - Fee Related JP6069429B2 (ja) | 2011-10-07 | 2015-08-05 | プラズマ処理装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9767993B2 (ja) |
| JP (2) | JP5792315B2 (ja) |
| KR (1) | KR101969611B1 (ja) |
| TW (1) | TW201331408A (ja) |
| WO (1) | WO2013051248A1 (ja) |
Families Citing this family (310)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9394608B2 (en) | 2009-04-06 | 2016-07-19 | Asm America, Inc. | Semiconductor processing reactor and components thereof |
| US8802201B2 (en) | 2009-08-14 | 2014-08-12 | Asm America, Inc. | Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species |
| US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
| US9017481B1 (en) | 2011-10-28 | 2015-04-28 | Asm America, Inc. | Process feed management for semiconductor substrate processing |
| US10714315B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
| US20160376700A1 (en) | 2013-02-01 | 2016-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | System for treatment of deposition reactor |
| US9536710B2 (en) * | 2013-02-25 | 2017-01-03 | Applied Materials, Inc. | Tunable gas delivery assembly with internal diffuser and angular injection |
| CN104798446B (zh) | 2013-03-12 | 2017-09-08 | 应用材料公司 | 具有方位角与径向分布控制的多区域气体注入组件 |
| JP2015109249A (ja) * | 2013-10-22 | 2015-06-11 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
| KR102175080B1 (ko) * | 2013-12-31 | 2020-11-05 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 방법 |
| US11015245B2 (en) | 2014-03-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof |
| JP6307984B2 (ja) * | 2014-03-31 | 2018-04-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
| TWI531280B (zh) * | 2014-04-16 | 2016-04-21 | 馗鼎奈米科技股份有限公司 | 電漿裝置 |
| US10649497B2 (en) * | 2014-07-23 | 2020-05-12 | Apple Inc. | Adaptive processes for improving integrity of surfaces |
| US10162343B2 (en) | 2014-07-23 | 2018-12-25 | Apple Inc. | Adaptive processes for improving integrity of surfaces |
| JP6499835B2 (ja) * | 2014-07-24 | 2019-04-10 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
| US10858737B2 (en) | 2014-07-28 | 2020-12-08 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead assembly and components thereof |
| US9890456B2 (en) | 2014-08-21 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system for in situ formation of gas-phase compounds |
| US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
| US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
| US20180047595A1 (en) * | 2015-05-22 | 2018-02-15 | Hitachi High-Technologies Corporation | Plasma processing device and plasma processing method using same |
| JP5990626B1 (ja) * | 2015-05-26 | 2016-09-14 | 株式会社日本製鋼所 | 原子層成長装置 |
| JP6054470B2 (ja) | 2015-05-26 | 2016-12-27 | 株式会社日本製鋼所 | 原子層成長装置 |
| JP6054471B2 (ja) | 2015-05-26 | 2016-12-27 | 株式会社日本製鋼所 | 原子層成長装置および原子層成長装置排気部 |
| US10458018B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
| KR102334378B1 (ko) * | 2015-09-23 | 2021-12-02 | 삼성전자 주식회사 | 유전체 윈도우, 그 윈도우를 포함한 플라즈마 공정 시스템, 및 그 시스템을 이용한 반도체 소자 제조방법 |
| US10211308B2 (en) | 2015-10-21 | 2019-02-19 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
| CN106876299B (zh) * | 2015-12-11 | 2019-08-23 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 半导体加工设备 |
| US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
| US10662529B2 (en) * | 2016-01-05 | 2020-05-26 | Applied Materials, Inc. | Cooled gas feed block with baffle and nozzle for HDP-CVD |
| US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
| US10865475B2 (en) | 2016-04-21 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides and silicides |
| US10190213B2 (en) | 2016-04-21 | 2019-01-29 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
| US11017984B2 (en) * | 2016-04-28 | 2021-05-25 | Applied Materials, Inc. | Ceramic coated quartz lid for processing chamber |
| US10367080B2 (en) | 2016-05-02 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a germanium oxynitride film |
| US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
| KR102553629B1 (ko) * | 2016-06-17 | 2023-07-11 | 삼성전자주식회사 | 플라즈마 처리 장치 |
| US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
| US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
| JP2018011032A (ja) * | 2016-07-15 | 2018-01-18 | 株式会社東芝 | 流路構造及び処理装置 |
| US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| EP3276651A1 (en) * | 2016-07-28 | 2018-01-31 | NeoCoat SA | Method for manufacturing an annular thin film of synthetic material and device for carrying out said method |
| KR102532607B1 (ko) | 2016-07-28 | 2023-05-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 가공 장치 및 그 동작 방법 |
| US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US10643826B2 (en) | 2016-10-26 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for thermally calibrating reaction chambers |
| US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
| US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
| US10229833B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-03-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
| JP6752117B2 (ja) * | 2016-11-09 | 2020-09-09 | 東京エレクトロン株式会社 | マイクロ波プラズマ源およびマイクロ波プラズマ処理装置 |
| KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
| CN108074789B (zh) | 2016-11-15 | 2019-10-11 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 一种微波传输装置和半导体处理设备 |
| KR20180068582A (ko) * | 2016-12-14 | 2018-06-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
| US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
| KR102700194B1 (ko) | 2016-12-19 | 2024-08-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US10269558B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
| US10867788B2 (en) | 2016-12-28 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
| US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
| US9767992B1 (en) * | 2017-02-09 | 2017-09-19 | Lyten, Inc. | Microwave chemical processing reactor |
| US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
| JP6850636B2 (ja) * | 2017-03-03 | 2021-03-31 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
| JP6785171B2 (ja) * | 2017-03-08 | 2020-11-18 | 株式会社日本製鋼所 | 成膜方法および電子装置の製造方法並びにプラズマ原子層成長装置 |
| JP6723660B2 (ja) * | 2017-03-24 | 2020-07-15 | 住友重機械イオンテクノロジー株式会社 | ウェハ保持装置及びウェハ着脱方法 |
| US10529563B2 (en) | 2017-03-29 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
| KR102457289B1 (ko) | 2017-04-25 | 2022-10-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
| US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
| US10892156B2 (en) | 2017-05-08 | 2021-01-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
| US11615944B2 (en) | 2017-05-31 | 2023-03-28 | Applied Materials, Inc. | Remote plasma oxidation chamber |
| US10886123B2 (en) | 2017-06-02 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures |
| US11380557B2 (en) * | 2017-06-05 | 2022-07-05 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for gas delivery in semiconductor process chambers |
| US12040200B2 (en) | 2017-06-20 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus |
| US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
| JP2019012656A (ja) * | 2017-06-30 | 2019-01-24 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ発生ユニット及びプラズマ処理装置 |
| KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
| US11018002B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US10541333B2 (en) | 2017-07-19 | 2020-01-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
| US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
| US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
| US11139191B2 (en) | 2017-08-09 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
| US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
| US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
| US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
| KR102491945B1 (ko) | 2017-08-30 | 2023-01-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US11056344B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method |
| KR102401446B1 (ko) | 2017-08-31 | 2022-05-24 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| JP6914149B2 (ja) | 2017-09-07 | 2021-08-04 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
| KR102630301B1 (ko) | 2017-09-21 | 2024-01-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치 |
| US10844484B2 (en) | 2017-09-22 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
| US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
| US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
| US10923344B2 (en) | 2017-10-30 | 2021-02-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
| US10910262B2 (en) | 2017-11-16 | 2021-02-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure |
| US11022879B2 (en) | 2017-11-24 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer |
| WO2019103610A1 (en) | 2017-11-27 | 2019-05-31 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus including a clean mini environment |
| JP7214724B2 (ja) | 2017-11-27 | 2023-01-30 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． | バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置 |
| US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
| CN111630203A (zh) | 2018-01-19 | 2020-09-04 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法 |
| TWI799494B (zh) | 2018-01-19 | 2023-04-21 | 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 | 沈積方法 |
| US11018047B2 (en) | 2018-01-25 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Hybrid lift pin |
| USD880437S1 (en) | 2018-02-01 | 2020-04-07 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus |
| US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
| KR102024568B1 (ko) * | 2018-02-13 | 2019-09-24 | 한국기초과학지원연구원 | 환형 면방전 플라즈마 장치를 이용한 점상 식각 모듈 및 점상 식각 모듈의 식각 프로파일을 제어하는 방법 |
| JP7124098B2 (ja) | 2018-02-14 | 2022-08-23 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 周期的堆積プロセスにより基材上にルテニウム含有膜を堆積させる方法 |
| US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
| KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
| US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
| US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
| US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
| US11114283B2 (en) | 2018-03-16 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same |
| KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
| US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| US11088002B2 (en) | 2018-03-29 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate rack and a substrate processing system and method |
| KR102501472B1 (ko) | 2018-03-30 | 2023-02-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
| TWI843623B (zh) | 2018-05-08 | 2024-05-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構 |
| US12025484B2 (en) | 2018-05-08 | 2024-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film forming method |
| KR20190129718A (ko) | 2018-05-11 | 2019-11-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조 |
| KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
| TWI840362B (zh) | 2018-06-04 | 2024-05-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 水氣降低的晶圓處置腔室 |
| US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
| US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
| US10840066B2 (en) | 2018-06-13 | 2020-11-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Adjustable fastening device for plasma gas injectors |
| US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
| KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
| WO2020003000A1 (en) | 2018-06-27 | 2020-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
| TW202409324A (zh) | 2018-06-27 | 2024-03-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於形成含金屬材料之循環沉積製程 |
| US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
| WO2020004478A1 (ja) * | 2018-06-29 | 2020-01-02 | 北陸成型工業株式会社 | 静電チャック |
| KR102686758B1 (ko) | 2018-06-29 | 2024-07-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
| US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
| US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
| US10767789B2 (en) | 2018-07-16 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components |
| US11053591B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-port gas injection system and reactor system including same |
| US10883175B2 (en) | 2018-08-09 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein |
| US10829852B2 (en) | 2018-08-16 | 2020-11-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution device for a wafer processing apparatus |
| US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
| US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| KR102707956B1 (ko) | 2018-09-11 | 2024-09-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
| US11049751B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith |
| TWI844567B (zh) | 2018-10-01 | 2024-06-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基材保持裝置、含有此裝置之系統及其使用之方法 |
| US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
| KR102605121B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| USD948463S1 (en) | 2018-10-24 | 2022-04-12 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus |
| US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
| KR20200051105A (ko) | 2018-11-02 | 2020-05-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
| US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
| US11031242B2 (en) | 2018-11-07 | 2021-06-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a boron doped silicon germanium film |
| US11094511B2 (en) * | 2018-11-13 | 2021-08-17 | Applied Materials, Inc. | Processing chamber with substrate edge enhancement processing |
| US10847366B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
| US12040199B2 (en) | 2018-11-28 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
| US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
| KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
| JP7133454B2 (ja) | 2018-12-06 | 2022-09-08 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
| US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
| JP7504584B2 (ja) | 2018-12-14 | 2024-06-24 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム |
| TWI819180B (zh) | 2019-01-17 | 2023-10-21 | 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
| KR20200091543A (ko) | 2019-01-22 | 2020-07-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| CN111524788B (zh) | 2019-02-01 | 2023-11-24 | Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法 |
| JP2020136678A (ja) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置 |
| KR20200102357A (ko) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법 |
| KR102626263B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-01-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치 |
| TWI845607B (zh) | 2019-02-20 | 2024-06-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備 |
| TWI842826B (zh) | 2019-02-22 | 2024-05-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基材處理設備及處理基材之方法 |
| KR20200108242A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체 |
| US11742198B2 (en) | 2019-03-08 | 2023-08-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structure including SiOCN layer and method of forming same |
| KR20200108243A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
| JP2020147795A (ja) | 2019-03-13 | 2020-09-17 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
| US20200312629A1 (en) * | 2019-03-25 | 2020-10-01 | Recarbon, Inc. | Controlling exhaust gas pressure of a plasma reactor for plasma stability |
| KR20200116033A (ko) | 2019-03-28 | 2020-10-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치 |
| KR20200116855A (ko) | 2019-04-01 | 2020-10-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자를 제조하는 방법 |
| JP7221115B2 (ja) * | 2019-04-03 | 2023-02-13 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
| KR20200123380A (ko) | 2019-04-19 | 2020-10-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 층 형성 방법 및 장치 |
| KR20200125453A (ko) | 2019-04-24 | 2020-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
| KR20200130121A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기 |
| KR20200130118A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법 |
| KR20200130652A (ko) | 2019-05-10 | 2020-11-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조 |
| JP2020188255A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
| JP2020188254A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
| USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| JP7387764B2 (ja) * | 2019-05-24 | 2023-11-28 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 結合層の保護が改善された基板支持キャリア |
| USD935572S1 (en) | 2019-05-24 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Gas channel plate |
| USD922229S1 (en) | 2019-06-05 | 2021-06-15 | Asm Ip Holding B.V. | Device for controlling a temperature of a gas supply unit |
| KR20200141003A (ko) | 2019-06-06 | 2020-12-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템 |
| KR20200143254A (ko) | 2019-06-11 | 2020-12-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조 |
| USD944946S1 (en) | 2019-06-14 | 2022-03-01 | Asm Ip Holding B.V. | Shower plate |
| USD931978S1 (en) | 2019-06-27 | 2021-09-28 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead vacuum transport |
| KR20210005515A (ko) | 2019-07-03 | 2021-01-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법 |
| JP7499079B2 (ja) | 2019-07-09 | 2024-06-13 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法 |
| CN112216646A (zh) | 2019-07-10 | 2021-01-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
| KR20210010307A (ko) | 2019-07-16 | 2021-01-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| KR20210010820A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법 |
| KR20210010816A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법 |
| US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
| TWI839544B (zh) | 2019-07-19 | 2024-04-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法 |
| KR20210010817A (ko) | 2019-07-19 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법 |
| CN112309843A (zh) | 2019-07-29 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法 |
| CN112309899A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| CN112309900A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| CN118422165A (zh) | 2019-08-05 | 2024-08-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于化学源容器的液位传感器 |
| USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
| JP2021031769A (ja) | 2019-08-21 | 2021-03-01 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
| USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
| USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
| USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
| KR20210024423A (ko) | 2019-08-22 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법 |
| USD930782S1 (en) | 2019-08-22 | 2021-09-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor |
| JP7278175B2 (ja) * | 2019-08-23 | 2023-05-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理装置の製造方法及びメンテナンス方法 |
| US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
| KR20210024420A (ko) | 2019-08-23 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법 |
| KR20210029090A (ko) | 2019-09-04 | 2021-03-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법 |
| KR20210029663A (ko) | 2019-09-05 | 2021-03-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
| CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
| KR20210042810A (ko) | 2019-10-08 | 2021-04-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
| TWI846953B (zh) | 2019-10-08 | 2024-07-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基板處理裝置 |
| KR20210043460A (ko) | 2019-10-10 | 2021-04-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체 |
| JP2021064508A (ja) * | 2019-10-11 | 2021-04-22 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
| US12009241B2 (en) | 2019-10-14 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette |
| TWI834919B (zh) | 2019-10-16 | 2024-03-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法 |
| US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
| KR20210047808A (ko) | 2019-10-21 | 2021-04-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법 |
| KR20210050453A (ko) | 2019-10-25 | 2021-05-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조 |
| US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
| KR20210054983A (ko) | 2019-11-05 | 2021-05-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
| US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
| KR20210062561A (ko) | 2019-11-20 | 2021-05-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템 |
| KR20210065848A (ko) | 2019-11-26 | 2021-06-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법 |
| CN112951697A (zh) | 2019-11-26 | 2021-06-11 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| JP7304799B2 (ja) * | 2019-11-28 | 2023-07-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および配管アセンブリ |
| CN112885692A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| CN112885693A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| JP7527928B2 (ja) | 2019-12-02 | 2024-08-05 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基板処理装置、基板処理方法 |
| KR20210070898A (ko) | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| TW202125596A (zh) | 2019-12-17 | 2021-07-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構 |
| US11527403B2 (en) | 2019-12-19 | 2022-12-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures |
| TW202140135A (zh) | 2020-01-06 | 2021-11-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 氣體供應總成以及閥板總成 |
| KR20210089079A (ko) | 2020-01-06 | 2021-07-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 채널형 리프트 핀 |
| US11993847B2 (en) | 2020-01-08 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Injector |
| KR102675856B1 (ko) | 2020-01-20 | 2024-06-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법 |
| TW202130846A (zh) | 2020-02-03 | 2021-08-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成包括釩或銦層的結構之方法 |
| TW202146882A (zh) | 2020-02-04 | 2021-12-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統 |
| US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
| US11781243B2 (en) | 2020-02-17 | 2023-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon |
| TW202203344A (zh) | 2020-02-28 | 2022-01-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 | 專用於零件清潔的系統 |
| JP7394661B2 (ja) * | 2020-03-09 | 2023-12-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
| KR20210116240A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치 |
| KR20210116249A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법 |
| CN113394086A (zh) | 2020-03-12 | 2021-09-14 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法 |
| KR102396430B1 (ko) | 2020-03-30 | 2022-05-10 | 피에스케이 주식회사 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| KR20210124042A (ko) | 2020-04-02 | 2021-10-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 |
| TW202146689A (zh) | 2020-04-03 | 2021-12-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 | 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法 |
| TW202145344A (zh) | 2020-04-08 | 2021-12-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法 |
| KR20210128343A (ko) | 2020-04-15 | 2021-10-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조 |
| US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
| US11996289B2 (en) | 2020-04-16 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods |
| TW202146831A (zh) | 2020-04-24 | 2021-12-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法 |
| JP2021172884A (ja) | 2020-04-24 | 2021-11-01 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 窒化バナジウム含有層を形成する方法および窒化バナジウム含有層を含む構造体 |
| KR20210132600A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템 |
| KR20210134226A (ko) | 2020-04-29 | 2021-11-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고체 소스 전구체 용기 |
| KR20210134869A (ko) | 2020-05-01 | 2021-11-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환 |
| TW202147543A (zh) | 2020-05-04 | 2021-12-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 半導體處理系統 |
| KR20210141379A (ko) | 2020-05-13 | 2021-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구 |
| TW202146699A (zh) | 2020-05-15 | 2021-12-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統 |
| KR20210143653A (ko) | 2020-05-19 | 2021-11-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| CN113707524B (zh) * | 2020-05-20 | 2022-06-10 | 江苏鲁汶仪器有限公司 | 一种阻挡等离子体反流的进气结构 |
| KR20210145078A (ko) | 2020-05-21 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법 |
| KR102702526B1 (ko) | 2020-05-22 | 2024-09-03 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치 |
| TW202201602A (zh) | 2020-05-29 | 2022-01-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
| TW202212620A (zh) | 2020-06-02 | 2022-04-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法 |
| US20210391156A1 (en) * | 2020-06-10 | 2021-12-16 | Applied Materials, Inc. | Clean unit for chamber exhaust cleaning |
| TW202218133A (zh) | 2020-06-24 | 2022-05-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成含矽層之方法 |
| TW202217953A (zh) | 2020-06-30 | 2022-05-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
| KR102707957B1 (ko) | 2020-07-08 | 2024-09-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
| TW202219628A (zh) | 2020-07-17 | 2022-05-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於光微影之結構與方法 |
| TW202204662A (zh) | 2020-07-20 | 2022-02-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於沉積鉬層之方法及系統 |
| CN111876778B (zh) * | 2020-07-23 | 2021-06-29 | 山东万方板业有限公司 | 一种钢板生产用酸蚀加工装置 |
| WO2022028675A1 (en) * | 2020-08-04 | 2022-02-10 | Applied Materials, Inc. | Vapor source, nozzle for a vapor source, vacuum deposition system, and method for depositing an evaporated material |
| KR20220021206A (ko) * | 2020-08-13 | 2022-02-22 | 삼성전자주식회사 | 플라즈마 처리 장치 |
| US12040177B2 (en) | 2020-08-18 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes |
| KR20220027026A (ko) | 2020-08-26 | 2022-03-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
| TW202229601A (zh) | 2020-08-27 | 2022-08-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統 |
| USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
| USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
| US12009224B2 (en) | 2020-09-29 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for etching metal nitrides |
| KR20220045900A (ko) | 2020-10-06 | 2022-04-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치 |
| CN114293174A (zh) | 2020-10-07 | 2022-04-08 | Asm Ip私人控股有限公司 | 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备 |
| TW202229613A (zh) | 2020-10-14 | 2022-08-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 於階梯式結構上沉積材料的方法 |
| KR20220053482A (ko) | 2020-10-22 | 2022-04-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리 |
| TW202223136A (zh) | 2020-10-28 | 2022-06-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統 |
| TW202235649A (zh) | 2020-11-24 | 2022-09-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 填充間隙之方法與相關之系統及裝置 |
| TW202235675A (zh) | 2020-11-30 | 2022-09-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 注入器、及基板處理設備 |
| US11946137B2 (en) | 2020-12-16 | 2024-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Runout and wobble measurement fixtures |
| TW202231903A (zh) | 2020-12-22 | 2022-08-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成 |
| TW202233887A (zh) * | 2021-02-03 | 2022-09-01 | 美商Ｍｋｓ儀器公司 | 利用微波輻射能量對原子層沉積製程進行微波輔助表面化學退火的微波系統 |
| USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
| USD1023959S1 (en) | 2021-05-11 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for substrate processing apparatus |
| USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
| USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
| KR20220162060A (ko) * | 2021-05-31 | 2022-12-07 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 플라스마 처리 장치 |
| CN117836894A (zh) * | 2021-08-23 | 2024-04-05 | Psk有限公司 | 基板处理装置及基板处理方法 |
| USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003338492A (ja) * | 2002-05-21 | 2003-11-28 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
| JP2006004686A (ja) * | 2004-06-16 | 2006-01-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理方法及び装置 |
| JP2007149559A (ja) * | 2005-11-29 | 2007-06-14 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
| JP2007221116A (ja) * | 2006-01-20 | 2007-08-30 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
| JP2009218517A (ja) * | 2008-03-12 | 2009-09-24 | Tohoku Univ | シャワープレートの製造方法、シャワープレートおよびプラズマ処理装置 |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001237227A (ja) * | 2000-02-23 | 2001-08-31 | Kobe Steel Ltd | プラズマ処理装置 |
| JP2003007497A (ja) | 2001-06-19 | 2003-01-10 | Pearl Kogyo Kk | 大気圧プラズマ処理装置 |
| US20040261712A1 (en) * | 2003-04-25 | 2004-12-30 | Daisuke Hayashi | Plasma processing apparatus |
| JP4280555B2 (ja) * | 2003-05-30 | 2009-06-17 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
| JP4572100B2 (ja) * | 2004-09-28 | 2010-10-27 | 日本エー・エス・エム株式会社 | プラズマ処理装置 |
| JP5213150B2 (ja) * | 2005-08-12 | 2013-06-19 | 国立大学法人東北大学 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理装置を用いた製品の製造方法 |
| JP5068458B2 (ja) * | 2006-01-18 | 2012-11-07 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
| WO2007083795A1 (ja) | 2006-01-20 | 2007-07-26 | Tokyo Electron Limited | プラズマ処理装置 |
| US20080254220A1 (en) * | 2006-01-20 | 2008-10-16 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
| JP5463536B2 (ja) * | 2006-07-20 | 2014-04-09 | 北陸成型工業株式会社 | シャワープレート及びその製造方法、並びにそのシャワープレートを用いたプラズマ処理装置、プラズマ処理方法及び電子装置の製造方法 |
| JP2008124424A (ja) * | 2006-10-16 | 2008-05-29 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ成膜装置及びプラズマ成膜方法 |
| US20080303744A1 (en) * | 2007-06-11 | 2008-12-11 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing system, antenna, and use of plasma processing system |
| US8336891B2 (en) * | 2008-03-11 | 2012-12-25 | Ngk Insulators, Ltd. | Electrostatic chuck |
| JP5665265B2 (ja) | 2008-06-24 | 2015-02-04 | 東京エレクトロン株式会社 | チャンバー部品を介してプロセス流体を導入する方法及びシステム |
-
2012
- 2012-10-03 WO PCT/JP2012/006331 patent/WO2013051248A1/ja active Application Filing
- 2012-10-03 US US14/349,807 patent/US9767993B2/en active Active
- 2012-10-03 JP JP2013537413A patent/JP5792315B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2012-10-03 KR KR1020147009044A patent/KR101969611B1/ko active IP Right Grant
- 2012-10-03 TW TW101136552A patent/TW201331408A/zh unknown
-
2015
- 2015-08-05 JP JP2015154967A patent/JP6069429B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003338492A (ja) * | 2002-05-21 | 2003-11-28 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
| JP2006004686A (ja) * | 2004-06-16 | 2006-01-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理方法及び装置 |
| JP2007149559A (ja) * | 2005-11-29 | 2007-06-14 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
| JP2007221116A (ja) * | 2006-01-20 | 2007-08-30 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
| JP2009218517A (ja) * | 2008-03-12 | 2009-09-24 | Tohoku Univ | シャワープレートの製造方法、シャワープレートおよびプラズマ処理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US9767993B2 (en) | 2017-09-19 |
| WO2013051248A1 (ja) | 2013-04-11 |
| KR101969611B1 (ko) | 2019-04-16 |
| KR20140084018A (ko) | 2014-07-04 |
| US20140262034A1 (en) | 2014-09-18 |
| JP5792315B2 (ja) | 2015-10-07 |
| JP2016015496A (ja) | 2016-01-28 |
| TW201331408A (zh) | 2013-08-01 |
| JP6069429B2 (ja) | 2017-02-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6069429B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| KR101333112B1 (ko) | 플라즈마 처리 장치 | |
| KR100497015B1 (ko) | 플라즈마 처리 장치, 플라즈마 처리 방법 및 지파판 | |
| JP5438205B2 (ja) | プラズマ処理装置用の天板及びプラズマ処理装置 | |
| KR102523730B1 (ko) | 이중 주파수 표면파 플라즈마 소스 | |
| JP5396745B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP2007149559A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| IL153154A (en) | Plasma processing device | |
| JPH0963793A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| US10083819B2 (en) | Antenna and plasma processing apparatus | |
| JP5522887B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| US20150155139A1 (en) | Dielectric window, antenna and plasma processing apparatus | |
| JP5723397B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP4910396B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP5438260B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP4093212B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP2008235611A (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
| WO2013191108A1 (ja) | プラズマ処理装置、及びプラズマ処理方法 | |
| JP4567979B2 (ja) | プラズマ処理システム及びプラズマ処理方法 | |
| WO2021241256A1 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP2002217185A (ja) | プラズマ処理装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150106 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150304 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150707 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150805 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5792315 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |