JP2009218517A - シャワープレートの製造方法、シャワープレートおよびプラズマ処理装置 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 12
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims abstract description 8
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 25
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 19
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 12
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 12
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 5
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 165
- 230000005284 excitation Effects 0.000 abstract description 6
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 10
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 10
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
- C23C16/45565—Shower nozzles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
- C23C16/45568—Porous nozzles
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
【解決手段】ガス流通方向に連通した気孔を有する多孔質で、柱状のガス流通体11を形成する。気体を通さない素材で、ガス流通体11の側面を接するように覆う筒状の緻密部材12を形成する。緻密部材12の中空部分にガス流通体11をはめ込んでポーラスピース体13を形成し、第1の温度で焼成を行う。天板9に凹部10を形成し、一端を凹部10と連通した天板9を貫通するガス流路を形成する。凹部10に、ポーラスピース体13をはめ込み、第1の温度と同等以下の温度で一体焼成し、シャワープレート3を形成する。
【選択図】図2
Description
プラズマ処理装置において、処理容器内へプラズマ処理に用いるガスを導入するシャワープレートの製造方法であって、
多孔質材料で柱状の多孔質ガス流通体を形成する工程と、
気体を通さない緻密な材料で筒状の緻密部材を形成する工程と、
前記緻密部材で前記多孔質ガス流通体の側面に接するように覆い、ポーラスピース体を形成するピース体形成工程と、
前記ポーラスピース体を第1の温度で焼成する第1の焼成工程と、
前記シャワープレートの本体である誘電体板の、プラズマに向かう面に凹部を形成する工程と、
前記凹部の底面から前記誘電体板を貫通するガス流路を形成する工程と、
前記凹部に前記ポーラスピース体をはめ込み、ガス噴射口を形成する装着工程と、
前記装着工程を終えた誘電体板を前記第1の温度と同等以下の温度で一体焼成する第2の焼成工程と、
を備えることを特徴とする。
プラズマを形成するプラズマ処理装置において、
誘電体材料で形成された誘電体板と、
前記誘電体板の前記プラズマに向かう面に形成された凹部と、
前記凹部の底面から前記誘電体板を貫通するガス流路と、
多孔質材料で形成された柱状の多孔質ガス流通体と、
気体を通さない緻密な材料で形成された筒状の緻密部材と、
前記緻密部材で前記多孔質ガス流通体の側面に接するように覆われ一体となり、前記凹部に装着されるポーラスピース体と、
を備え、
前記多孔質ガス流通体と前記緻密部材との隙間の大きさ、および前記凹部側面と前記ポーラスピース体との隙間の大きさは、前記多孔質ガス流通体に含まれる最大値気孔径より小さいことを特徴とする。
2 プラズマ処理容器
3 シャワープレート(誘電体)
4 アンテナ
5 導波管
9 天板(誘電体)
10 凹部
11、11a ガス流通体
12、12a 緻密部材
13、13a ポーラスピース体
14 ガス流路
15 ガス拡散空間
16a、16b 溝
S 空間
Claims (12)
- プラズマ処理装置において、処理容器内へプラズマ処理に用いるガスを導入するシャワープレートの製造方法であって、
多孔質材料で柱状の多孔質ガス流通体を形成する工程と、
気体を通さない緻密な材料で筒状の緻密部材を形成する工程と、
前記緻密部材で前記多孔質ガス流通体の側面に接するように覆い、ポーラスピース体を形成するピース体形成工程と、
前記ポーラスピース体を第1の温度で焼成する第1の焼成工程と、
前記シャワープレートの本体である誘電体板の、プラズマに向かう面に凹部を形成する工程と、
前記凹部の底面から前記誘電体板を貫通するガス流路を形成する工程と、
前記凹部に前記ポーラスピース体をはめ込み、ガス噴射口を形成する装着工程と、
前記装着工程を終えた誘電体板を前記第1の温度と同等以下の温度で一体焼成する第2の焼成工程と、
を備えることを特徴とするシャワープレートの製造方法。 - 前記ピース体形成工程の前に、前記多孔質ガス流通体を予め焼成する予焼成工程を備えることを特徴とする請求項1に記載のシャワープレートの製造方法。
- 前記第1の焼成工程において、前記緻密部材の焼結収縮率が、前記多孔質ガス流通体の焼結収縮率より大きくなる焼成条件であることを特徴とする請求項1または2に記載のシャワープレートの製造方法。
- 前記装着工程の前に、前記ポーラスピース体のガス流通量を個別に検査する工程を備えることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1項に記載のシャワープレートの製造方法。
- 前記装着工程の前に、前記ポーラスピース体の前記凹部の底面に当たる面と側面の角部を面取りする工程を備えることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1項に記載のシャワープレートの製造方法。
- 前記装着工程の前に、前記ガス流路と前記面取りする工程で切り取られた部分の空間とを連結するガス通路を形成する工程を備えることを特徴とする請求項5に記載のシャワープレートの製造方法。
- 請求項1ないし6のいずれか1項に記載のシャワープレートの製造方法で製造したことを特徴とするシャワープレート。
- 請求項7項に記載のシャワープレートを備えることを特徴とするプラズマ処理装置。
- プラズマを形成するプラズマ処理装置において、
誘電体材料で形成された誘電体板と、
前記誘電体板の前記プラズマに向かう面に形成された凹部と、
前記凹部の底面から前記誘電体板を貫通するガス流路と、
多孔質材料で形成された柱状の多孔質ガス流通体と、
気体を通さない緻密な材料で形成された筒状の緻密部材と、
前記緻密部材で前記多孔質ガス流通体の側面に接するように覆われ一体となり、前記凹部に装着されるポーラスピース体と、
を備え、
前記多孔質ガス流通体と前記緻密部材との隙間の大きさ、および前記凹部側面と前記ポーラスピース体との隙間の大きさは、前記多孔質ガス流通体に含まれる最大値気孔径より小さいことを特徴とするシャワープレート。 - 前記多孔質ガス流通体に含まれる最大値気孔径は、0.1mm以下であることを特徴とする請求項9に記載のシャワープレート。
- 前記多孔質ガス流通体は前記凹部に接触しないことを特徴とする請求項9または10に記載のシャワープレート。
- 請求項9ないし11のいずれか1項に記載のシャワープレートを備えることを特徴とするプラズマ処理装置。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008063341A JP4590597B2 (ja) | 2008-03-12 | 2008-03-12 | シャワープレートの製造方法 |
TW098107220A TW201004490A (en) | 2008-03-12 | 2009-03-06 | Method for manufacturing shower plate, shower plate manufactured using the method, and plasma processing apparatus including the shower plate |
CN200910127016A CN101533763A (zh) | 2008-03-12 | 2009-03-10 | 喷淋板的制造方法、喷淋板以及等离子体处理装置 |
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US12/402,832 US20090229753A1 (en) | 2008-03-12 | 2009-03-12 | Method for manufacturing shower plate, shower plate manufactured using the method, and plasma processing apparatus including the shower plate |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008063341A JP4590597B2 (ja) | 2008-03-12 | 2008-03-12 | シャワープレートの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009218517A true JP2009218517A (ja) | 2009-09-24 |
JP4590597B2 JP4590597B2 (ja) | 2010-12-01 |
Family
ID=41061709
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008063341A Expired - Fee Related JP4590597B2 (ja) | 2008-03-12 | 2008-03-12 | シャワープレートの製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20090229753A1 (ja) |
JP (1) | JP4590597B2 (ja) |
KR (1) | KR101066173B1 (ja) |
CN (1) | CN101533763A (ja) |
TW (1) | TW201004490A (ja) |
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- 2008-03-12 JP JP2008063341A patent/JP4590597B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
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- 2009-03-06 TW TW098107220A patent/TW201004490A/zh unknown
- 2009-03-10 CN CN200910127016A patent/CN101533763A/zh active Pending
- 2009-03-11 KR KR1020090020764A patent/KR101066173B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2009-03-12 US US12/402,832 patent/US20090229753A1/en not_active Abandoned
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JP7324230B2 (ja) | 2018-12-14 | 2023-08-09 | 日本発條株式会社 | 流路付きプレート |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20090229753A1 (en) | 2009-09-17 |
JP4590597B2 (ja) | 2010-12-01 |
CN101533763A (zh) | 2009-09-16 |
TW201004490A (en) | 2010-01-16 |
KR101066173B1 (ko) | 2011-09-20 |
KR20090097819A (ko) | 2009-09-16 |
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A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Request for written amendment filed |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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