TW201004490A - Method for manufacturing shower plate, shower plate manufactured using the method, and plasma processing apparatus including the shower plate - Google Patents

Description

201004490 發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種〜 以及電漿處理裝置。联十極板之製造方法、簇射極板 【先前技術】 置係廣太:能電池等多數之半導體裝 過程之薄膜的堆積二t雖用於彻製， 機能之產品，則需要例超’―為了更鬲性能且向 處理。 （镟細加工技術等高階之電漿 電漿係藉由微波或高頻而 而激發之高密度電_ f ^可產生該藉由微波 目’為了穩定地產生電裝，二置則特別受到注 亦期望電裝激發用之氣體可需均㈣放射， 為了使電漿激發用氣體均;；::。 知方法係传 給至處理室内，習 射極板，但是⑽射極=7=1數個縱孔的襄 至縱孔，而目漿會逆流 ^ 堆知寺造成良率之下降。 例如反電漿異常放電，可自 之電漿處理久理專利文獻 開口以使得電磁波穿透之介電;所構 201004490 生用電磁波導人處縣器 將特定氣體導入處理容器內夕、磁波導入機構以及 理裝置，該氣體導入機構係由機構的電漿處 器内之氣體噴射孔、設置於氣板且臨接處理容 用多孔狀介電體以及供給^^射孔且具透氣性之孔 體供給純所構成。、（讀至氣財射孔之氣 專利文獻：日本發明公開第 習知技術t ’雜可翻顿 ^公報。 與孔用多孔狀介電體以直接或藉由接著

間隙二而氣體有自該間隙溢漏成 ，乳體贺射孔所供給之氣體量不均勻，而有發生電；不:J =ϊί二，於電裝處理裝置上反複使用後，會由於熱 生歪曲，使得孔❹孔狀介電體之-部分或 该整體有自氣體噴射孔脫落之虞。 發明有鐘於前述之情況，其目的為提供—種可防止電 漿逆流、㈣且穩定地供給激發用氣體並於使用= 不致有零件脫落之簇射極板的製造方法、簇射極板以及電 漿處理裝置。 甩 【發明内容】 為了達成前述目的，本發明第1觀點之簇射極板之 製造方法為一種於電漿處理裝置中，將處理用之氣體導入至 處理容态内的蔟射極板之製造方法，其特徵在於包含下列步 201004490 以多孔質材料形成柱狀多孔質氣體流通體之步驟； 以不透氣之緻密材料形成筒狀緻密組件之步驟； 以該緻密組件接觸並包覆該多孔質氣體流通體之側 面而形成一多孔體之多孔體形成步驟； 於第1溫度下燒製該多孔體之第i燒製步驟； 於該簇射極板本體之介電板朝向電漿之一面上形成凹部 之步驟； / 自該凹部之底面形成—貫穿齡電板的氣體流路之步 驟； 將該多孔體嵌入該凹部以形成氣體噴射口之安裝步 驟，以及 將已完成該安裝步驟之該介電板在與該第等 以下的溫度-體·燒製之燒製步门4 較佳地’在❹孔體軸步驟之前，具備有—將該多孔 質氣體流通體預先燒製之預燒製步驟。 又，於該第1燒製步，驟中，燒製條件中該緻密植件之燒 結收縮率亦可大於❹孔質紐錢體之燒結收縮率。 較佳地，於該安裝步驟之前，具備有一各別地檢驗該多 孔體之氣體流通量的步驟。 較佳地，於該安裝步驟之前，具備有—針_多孔體接 觸該凹部底面之面及侧面所夾的角實施倒角之步驟。 更佳地，於該安裝步驟之前，具備有—將ς氣體流路盘 該倒角步驟所切除部分之空間連接簡錢體通道之步驟了 5 201004490 理 本發明第2觀點之簇射極板係 裝置中具備： 卿㈣成縣之電漿處 一介電板，係以介電材料所製成； 一凹部，係形成於該介電板朝向電漿侧之一面. -氣體流路，係自該凹部底面貫穿該介電板.’ 一柱狀多孔質氣體流通體，係以多 ㈣ -筒狀緻密組件，係以不透氣之緻密二：:成二 一多孔體，係以該緻密組件接觸並 通體的側面而-體化，且安裝於該凹部^心孔質氣體流 其特徵在於：該多孔質氣體流通體與該⑽ 隙以及該凹部側面與該多孔體__，制♦該 體流通體所包含之最大氣孔孔徑。 、札貝風 較佳地’該多孔質氣體流通體所包含之最大氣孔孔徑係 在0.1mm以下。 較佳地’遠纽質氣黯通體係不與物部接觸。 更佳地’其係由本發明帛丨觀點賴射極板 所製造者。 、 本發明第3觀點之電祕縣置，其躲在於具備本發 明第2觀點之簇射極板。 又 依照本發明簇射極板之製造方法，可提供一種可防 止電聚逆流、均句且穩定地供給電聚激發用之氣體並於 使用時不致有零件脫落之簇射極板。 【實施方式】 6 201004490 以下，便參考圖式並詳細說明具有本發明實施例相 關的鎮射極板之電漿處理裝置。另外，於圖式中相同或 同等之部分係賦予相同之符號’並省略其說明。 第1圖係具有本發明實施例的簇射極板之微波電 滎處理裝置之副面圖。電漿處理裝置1係包含電漿_處理 容器（處理室）2、簇射極板（介電體）3、天線4、導 波管5以及基板持定台6，該天線4係由導波部（遮蔽 元件）4A、放射狀槽孔天線（RLSA ) 4B以及慢波板（介 電體）4C所構成。導波管5係由外側導波管5A以及内 側導波管5B所構成之同軸導波管。 第2圖係第1圖之電漿處理裝置1所具備的簇射極 杈3之實施例。第2 ( a )圖係自電漿處理容器2側所 見的簇射極板3之平面圖。第2 (b)圖係第2 ( a )圖 的M-Μ線剖面圖。簇射極板3係於作為母體之頂板（介 2體）9之凹部10處設置有由氣體流通體u與緻密组 牛12所構成之多孔體13。簇射極板3之凹部ι〇與多 =體13係分散賴數設置於頂板9，該設置方式^為 心制或沿餘狀直線狀㈣，且位於點對稱 部Γο置二簇，3係具有自側面部或上部朝該凹 貝…讀流路14,可將氣體導入至電漿處理容 ^處理之電漿處理容器2係藉由安裝蔡射 密而閉塞開口部。此時電漿處理容器2内係 ” ㈣成真空狀態。簇射極板3上方係與天線 7 201004490 4結合’且天線4係與導波管5連接。導波部4A係盥 外側導波管5A連接，而放射狀槽孔天線犯係與内侧 導波管5B結合’慢波板4C係用以壓縮介於導波部4A 與放射狀槽孔天線4B之間的微波波長，該慢波板扣 係由例如石英或氧化鋁等介電材料所構成。又/ 儆波溽處通過導波管 曰 v丨八、、，口卞呔/SL，t女、、由/糸 導波部4A與放射狀槽孔天線4B之間朝後方向傳播，' 孔天線4B之槽孔而放射，微波供給電 子至黾漿處理容器2内而形成電漿時，導入氬氣（Ar) 或山气氣（Xe)以及氮氣（n2)等非活性氣體;^可依r 需求而導入氫氣（Η)等程序氣體。 ^氣體係由簇射極板3之側面部或上部處導入，通過 氣體流路14而自凹部1G側喷出，由於作為氣體噴射^ 之凹部10係嵌合有多孔體13’該氣體會通過多孔體U 而導入至電漿處理容器2内。 1 、位於多孔體13中心部之氣體流通體π係使用1有 =通至氣體流動方向的氣孔之多孔f所形成，故可使 =過。由於該氣體噴射口係嵌合有多孔體η，故可 ^制電《纽電之發生以及電漿逆流之發生。由 電等原因’使得義射極板3受熱過度，； 寺問題發生。防土電聚之異常放電則可預防藥射::洛 之破損等，並由於不會發生雷將 & 、、、"板3 W蚀 漿迎至氣體噴射口或氣

版堆秩，故可有效率且穩定地產生電漿7。 A 201004490 位於多孔體13圓周部之緻密組件12係由不透氣材 料所形成，藉由於氣體流通體11之侧面覆蓋緻密組件 12，可於形成多孔體13的階段，藉由檢驗而確認其各 別之氣體流通量。使用具有相同氣體流通量之多孔體 13的簇射極板3 ’可均勻地將氣體導入至電漿處理容器 2内。 又，藉由於多孔體13形成有敏密組件12，凹部10 與多孔體13之間，以及氣體流通體U與緻密組件12 之間則可緊密地結合。由於其間隙微小至足以防止電漿 之異常放電以及電漿逆流、氣體堆積之發生，故可有效 率且穩定地形成電漿7。 第3A圖乃至第3F圖係顯示本發明實施例之簇射 極板的形成步驟圖。簇射極板3係與第丨圖之電漿處理 衣置1中所设置者為相同之構造，其中，第3A圖乃至 第3E圖係终員不没置於叙射極板3之多孔豸13的形成步 驟。 第·3Α圖係一由 7 %貝何料所構成之氣體流通體11a 的形成圖。形成圓柱狀之氣體流通體11a係以-氣體可貫通 咖直:向之材料，由具有連通至氣體流動方 ΰ、二之^夕貝所構成。形成氣體流通體lla之材 料’例如可使用多孔質 ^ -、央或夕孔質陶瓷等。該多孔質 it 之最大值為0.lmm以下。大於該條 件日ττ ’因微波而發生之带將w 、，α 士 — + 之包水異常放電的容易機率增加， 亚有，、，、法防止電聚的逆流發生之虞。多孔質之氣孔孔 9 201004490 徑於不阻礙氣體流動之範圍内應盡可能地縮小。 第3B圖係覆蓋氣體流通體11&侧面之緻密組件12a 的形成圖。形成筒狀之緻密組件12a係由不透氣材料所構 成。形成緻密組件12a之材料，例如可使用Si〇2或八丨2〇3 等陶瓷材料。緻密組件12a的中空部分之内徑與氣體流 通體11a之外徑的公差宜為餘隙配合或過渡配合。 第3C圖係將氣體流通體lla嵌入緻密組件i2a之 中空部分而燒製形成多孔體13a之形成圖。圖中之粗箭 號係表示於燒製時緻密組件12a燒結收縮而自圓周處朝 向圓心施加收縮力之樣態。僅將氣體流通體lla嵌入緻 密組件12a中時，緻密組件12a與氣體流通體lla之間 會有一間隙，於組合後之狀態下實施燒製，覆蓋於側面 之緻密組件12a會朝向氣體流通體Ua收縮而發生一緊 縮之應力’就結果來說’可使緻密組件12a緊密地覆蓋 於氣體流通體lla之側面。 當氣體流過多孔體13時，氣體流通體丨丨與緻密組 件12之間如存有間隙’氣體會自該間隙而非自氣體流 通體11流過，而使多孔體13之氣體噴出變得不均勻。 又，該間隙尺寸過大時，與前述多孔質之氣孔過大時相 同’會有電漿逆流或異常放電之發生的可能性，因此， 氣體流通體11與敏密組件12之間的間隙為Q lnim以 下（氣孔孔徑之最大值以下）。 燒製多孔體13a時，如外側的緻密組件l2a之收縮率大 於内側的氣體流通體Ha之收縮率，可使_組件心緊 201004490 密地覆蓋於氣體流通體lla之側面。又，於第3C 步驟前’亦可預燒製於第3A圖所形成之氣體流= lla。氣體流通體lla即便經過形成多孔冑⑶時 製步驟也不易發生燒結收縮，而朝向敏密組件❿令二 之收縮力效益更佳’故可使緻密組件仏緊密地覆^ 氣體流通體11 a之側面。 比較第3A圖之氣體流通n Ua與第3C圖之多孔體^ 時’其氣體流通量係相同的。藉由形成氣體流 敏密組件12a之多孔體13a，使得外徑尺寸之偏差量變㈣ 賴小。而其後步驟中將多孔體13安裝至凹部ι〇時，便可 高精度地接合。又’僅使用氣體流通體u日寺，部分之氣雕係 由側面流出，並於凹部1G與氣體錢體n之間有氣體堆:、 多孔體i3由於緻密組件12讓氣體無法穿透侧面而使得氣體 僅於氣體流通方向流動，故凹部1G與氣體流通體u之間益 氣體堆積，亦不發生異常放電。 、 /第3D圖係將燒製成一體之多孔體13&分割成特定長度 後之多孔體13圖式。例如凹部1G之深度為m時，亦將= 孔體13分割為H1之高度而使用。當多孔體13&形成出之 η倍以上長度時’亦可分割為複數之多孔體13而使用。 第3Ε圖係於多孔體13之單面進行緻密組件12部分之 倒角加工的圖式。於多孔體13插人凹部1G底部側之面 角實施倒肖（實際上’由於多孔體13並無上下方向之分，可 於任面貝知倒角加工，並將倒角加工後之面插入凹部 之底面侧）。半彳⑨Rj係表示緻密組件12之外彳i，半徑幻係 11 201004490 12之内徑。缴密組件12之高度_分為 貝也，间又H2之部分以及未實施倒角高度H3之部分。 裝多f丨3至凹部1G時’由於緊縮之應力係作用於多孔體 13之同度H3之側面部分’故該高度出不應過小。 夕令緻密組件12之外徑為R1，緻密組件12之内徑為R2 〇 多孔體13的倒角面之侧面側的圓周P之半徑係等於R卜入 角面之底面側的圓周K之半徑為R3，其_ 且"、、 >R2。倒角所形成之面（圓周κ與圓周p所爽之 面KP)亦可為平面或曲面。 由於實施倒角’當多孔體13喪入凹部1〇時，凹部ι〇 ^側面與多孔體13之邊角不致相互抵觸。又，將多孔體13 嵌入凹部10之時’凹部1G之底面關部分 u之邊驗觸，可防止多孔體13浮起或傾斜。ς頂板上= 成凹部10時’要使得凹部1Q底面成為絕對平行之加工非常 困難，其係由於關部分比圓之中〇錢，抑或不同圓 周方向上其深度不―等情況。再者，安裝至頂板9之凹部⑺ 時，凹部10之開口部不致受擠壓擴張，而可防止凹部1〇盥 多孔體13產生間隙。 於多孔體13實施倒角加工後，倒角所形成之空間s宜與 氣體流路14連通形成一溝部，例如於凹部1〇設置一橫斷底 面之溝部’抑或於緻密組件12之徑方向上設置通往氣體流通 體11之溝部。於安裝多孔體13日夺，可防止氣體滞留於空間 s，亦可使安裝較易進行。 於形成多孔體13的階段，宜藉由檢驗而預先確認其各 12 201004490 別之氣體流通量，如此—來，可預先剔除不良品，並可 大幅地抑制簇射極板3完成後之不良率。再者，藉由具 氣體流通量之多孔體13’可形成—均“喷/出 乳體之簇射極板3。 第3F圖係於頂板9之凹部10處嵌入多孔體13，並一 體成形燒製而形·射極板3之圖式。該多孔體13係將實施 ^角Si之—面嵌入至凹部1〇之底面側，圖中之粗箭號係 卜、、=、衣％頂板9因燒結收縮而施加一自凹部1〇之圓周朝向 凹部1〇之中心的應力，亦即，係顯示施加-自頂板3朝向喪 入至凹部10之多孔體13的力量。 弟3F圖之蔟射極板3的-體成形燒製之燒製溫度為第 圊之夕孔版13a的燒製溫度之同等以下的溫度。如使用同 專乂下的/m度’於燒製族射極板3時多孔體Η不會產生燒結 收縮而使大小尺寸穩定。頂板9之凹部可配合多孔體 13之大小而形成，於燒製前的階段，凹部10與多孔體13之 間於I入時可僅形成—微小之間隙。再藉由將簇射極板3 一 體成形燒製，畴1G便會產生緊縮多孔體13之應力，而使 多孔體13與凹部10無間隙地密接，故該簇射極板3可將多 孔體13確實地固定而形成—體。 ,、凹部10與多孔體13之間如存有間隙，氣體便會自該 間隙而非自氣體流通體11流過，使得多孔體13之氣體 嘴出，付不岣勻。又，該間隙尺寸過大時，有電漿逆流 或異常放電之發生的可能性。因此，凹部10與多孔體 13之間的間隙為〇 lmm以下（氣孔孔徑之最大值以下）。 201004490 夕再者，凹部10與多孔體13之接觸部分處，宜僅有 =孔體13之緻密組件12與凹部1〇接觸，而氣體流通 月a 11則不宜與凹部10接觸。如氣體流通體I〗與凹部 1〇接觸，則該接觸部分之氣體流通量會發生變化，使 得肷入凹邛1 〇之多孔體13所流通之氣體量不同於多孔 體13於成形後所檢驗得到之氣體流通量，結果將使得 鎮射極板3整體無法喷出均句之氣體，而成為氣體 不均勻之原因。 、 卜第4 (a)圖為簇射極板之部分剖面圖，第4 (b) 第4(二）圖為第4(a)w中虛線所圍部之部分放大圖、。 。第4 (a)圖為第2 (b)圖之部分放大圖。 ' 之單面實施倒角加工，安農倒角後之一面至凹部川版 側。自氣體流路14導入之氣體會通過氣體流通 ^面 如氣體流路14之流路孔徑變大，由於電場密度之綠合?、政° 微波之分佈變化，而使得電雜式胃受賴 ^化會產生 之氣體流路14之孔徑。 1使用較小 相較於氣體流通體11之截面積，氣體流路h 主 係非常的小’而僅有氣體流通體η之—部分用= 積 由於氣體流通體11僅可使得氣體於特定方向通過、：,,、乳月豆一 體流通體11整體排出氣體而產生排氣不均勻。非自氣 題，凹部10之底面係具有一氣體擴散空間15之凹，决，= 擴散空間15之戴面積係大於氣體流通體Η之戴面j氣耻 大小要使得m卩ίο之底面可級地與緻密_ ，且該 氣體擴散空間15之孔徑為G，則R3(圓周κ之孔〃_ )觸。令 14 201004490 (，密組件12之内徑）。通過氣體擴散空間i5所傳送之氣體 ^由氣體流通體整體流通，並自多孔體出。 自複數之多孔體13處排放氣俨，气鄉叮仏a L J也排出 板3的正下方處。、㈣可均勻地擴散至簇射極 第4⑻_第4⑷_於多孔體施 防止氣體滞留之溝部的實施例，並為 立a)圖虛、，泉所圍部分|之放大圖。第4⑻圖係於 ^ 10形成—横斷底面之溝部收。滞留於空間s之氣體係 =過第舞擴散郎15流動，並可連通至氣體流路 弟4 (c)圖係於多孔體13之敏密組件12之徑方向上执 置溝部二。該溝部16b係連物a1 s與氣體擴散空間Μ， 而可使付㈣於空間s之氣體朝向氣體流路14 絲结空則與氣體流路M，可溝部⑽或溝部16^ 外任何具有瓖氣體通過之孔的方法等。 使用本發明製造方法所製造之簇射極板可防止電聚之逆 流，並均Μ敎地供給親絲贱體， 件不致脫落之電漿處理裝置。 巧忧用f令 構成該蔟射極板之頂板、氣體流通體與緻密組件之材 料’亚非關於本發明實施例所齡之材料。本發明之银施 例中，雖舉出—閉塞而使得電㈣理裝置氣密之頂板、= 電漿氣體之鋪極板係—體成獅例子，但其亦可作成各別 之零件’例如將上方面形成有氣體流路之溝部賴射極板盘 頂板接合㈣成-密閉之氣體祕。㈣，關於氣體排“ 部分之製造方法則與實施例中所述_，再者，設置於鎮射 15 201004490 =2:=:及氣體流路之形狀亦僅為-範例，其 本务明實施樣態之電毁處 理、_〜農置可適用於電漿CVD處 成電將或灰化處理等所有的電漿處理。形 “水之電漿氣體可依照處理方法等條件自承 施電漿處理之基板亦不限定於轉體基鱗。、 ^ 【圖式簡單說明】 理壯第1圖係具有本發明實施例的簇射極板之電漿處 里衣置的剖面圖。 第2(a)圖係自電漿處理容器側所見之簇射極板的 平面圖。 第2(b)圖係第2(a)圖中之Μ_Μ線剖面圖。 第3 (Α)圖係顯示本發明實施例之鋪極板/ 驟的氣體流通體形成圖。 圖 圖 第3 (Β)圖係顯示簇射極板形成步·緻密組件形成 第3 (C)圖係顯示簇射極板形成步驟的多孔體之形成 體加工 第3 (D)圖係顯示襄射極板形成步驟的多孔 (分割）圖。 第3( Ε )圖係顯示簇射極板形成步驟的多孔發力 角）圖。 第3 (F)圖係顯示蔟射極板形成步驟的鎮 射核板 形成 16 201004490 圖0 第4 (a)圖係第2 (b) 圖之部分放大圖。 第4 (b)圖係第4 (a) 圖中虛線所包圍部分W之 放大圖。 第4 (c)圖係第4 (a) 圖中虛線所包圍部分W之 放大圖。 【主要元件符號說明】 1 電漿處理裝置 2 電漿處理容器 3 簇射極板（介電體） 4 天線 4A 導波部 4B 放射狀槽孔天線（RLSA) 4C 慢波板 5 、5A 、5B 導波管 6 基板持定台 7 電漿 9 頂板（介電體） 10 凹部 11、 11a 氣體流通體 12、 12a 緻密組件 13、 • 13a 多孔體 14 氣 體流路 17 201004490 15 氣體擴散空間 16a、16b 溝部 S 空間 18

Claims (1)

1. 201004490 七 申請專利範圍 1. 板之製造方法，係於電浆處理裝 :===器内的•極板· 以多、=材_成柱狀多孔肢體流通體之步驟； 以不透氣之緻密材料形成筒狀緻密組件之步賢. 以該緻密組件接觸並包覆該多孔質氣體流通體之側 面而形成一多孔體之多孔體形成步驟； 於第1溫度下燒製該多孔體之第1燒製步驟； 於該簇射極板本體之介電板朝向賴之—面上形成凹部 之步驟； 自該凹部之底面形成_貫穿齡電板喊體流路 驟； 將該多孔體嵌人該m[ux形成氣體噴射口之安裝步驟； 以及 將已完成該安裝步驟之該介電板在與該第i溫度同等 以下的溫度一體成形燒製之第2燒製步驟。 2·如申请專利範圍帛1項之簇射極板之製造方法，其中在該 多孔體形成步歡W，具備有—將❹孔質氣體流通體 預先燒製之預燒製步驟。 3. 如申請專利範圍第1項之細極板之製造方法，其中於 該第1燒製步驟巾’燒製條件為該随組件之燒結收縮 率係大於該多孔質氣體流通體之燒結收縮率。 4. 如申請專利範㈣2項之_極板之製造方法，其中於 19 2〇1〇〇449〇 °亥第1燒製步驟中，燒製條件為該緻密組件之燒結收縮 率係大於該多孔質氣體流通體之燒結收縮率。 5·如申凊專利範圍第1項之簇射極板之製造方法，其中於該 文農步驟之如，具備有一各別地檢驗該多孔體之氣體流 通量的步驟。 6.如申料利範㈣2項之簇射極板之製造方法，其中於該 安裝步驟之前，具備有一各別地檢驗該多孔體之氣體流 通量的步驟。 7·如申凊專利範圍第3項之簇射極板之製造方法，其中於該 安I步驟之前，具備有一各別地檢驗該多孔體之氣體流 通量的步驟。 8·如—申請專利範圍» 4項之極板之製造方法，其中於該 女裝步驟之前，具備有一各別地檢驗該多孔體之氣體流 通量的步驟。 9. 士申明專利範圍第1至8項中任—項之誤射極板之製造方 法’其中於該安裝步驟之前，具備有—對該多孔體接觸 該凹部底面之面及側面所夾的角實施倒角之步驟。 10. 如^青專利範圍帛9項之簇射極板之製造方法，其中於 驟之$ ,具備有__將該氣體流路與該倒角步驟 所切除刀之空間連接以形成氣體通道之步驟。 η·種靖極板’其特徵在於魏巾請專概m第1至ίο 項中任項所記載之簇射極板之製造方法所製造。 _二水處理$置’其特徵在於具備_請專利範圍第11 項所記载之簇射極板。 20 αΛ^0 中具備： ，簇射極板，係於形成電漿之職處理 幻電板，係以介電材料所製成； 1卜電板 =狀多孔魏體流，細多孔所 间狀緻密組件，係叫透氣之緻密材料所成 多孔體，係以該緻密組件接觸並包覆該多孔， ，部’係形成於該介電板朝向電漿側之 氣體流路，係自該凹部底面貫穿該介 以及 通體的側面而-體化，且絲於該凹部處W㈣體流 14. 15. 16. ^银在於：該多孔質氣體流通體與該_組件間的間 隙以及該凹部勤與該多孔體間_隙，係小於該多孔 質氣體流通體所包含之最大氣孔孔徑。 如申請專利範圍第13項之簇射極板，其中該多孔質氣體 流通體所包含之最大氣孔孔徑係在〇 lmm以下。 如申請專利範圍第13或14項之簇射極板，其中該多孔 質氣體流通體並未與該凹部接觸。 —種電漿處理裝置，其特徵在於具備申請專利範圍第13 至15項中任一項所記載之簇射極板。 21