TWI325288B - - Google Patents

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TWI325288B
TWI325288B TW092115077A TW92115077A TWI325288B TW I325288 B TWI325288 B TW I325288B TW 092115077 A TW092115077 A TW 092115077A TW 92115077 A TW92115077 A TW 92115077A TW I325288 B TWI325288 B TW I325288B
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Description

1325288 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於,在一個高頻電源,使複數之電漿處理 裝置同時地放電之同步放電裝置。 【先前技術】 以往所謂的電漿處理裝置係,在處理室的內側配置一 對電極之平行板型的裝置,和在處理室的外側設有發生電 漿用的觸角(電極)之電漿處理裝置。後者的裝置更進一 步地,在處理室的外周圍對向配置有一對座狀電極,於此 一對座狀電極之一邊連接有高頻電源、另一邊接地之型式 ,和於處理室的周圍配置有螺旋狀或環狀的線圈狀電極、 於此線圈狀電極連接有高頻電源之型式。 且,於使用高頻電源的電漿處理裝置施加高頻來發生 電獎時,有電容稱合型電漿(CCP: Capacitive Coupled Plasma)和電感親合型電獎(Inductive Coupled Plasma) ;在使用座狀電極的電漿處理裝置的情況下以電容耦合型 電漿爲主來發生(電漿):在使用線圈狀電極的電漿處理 裝置的情況下以電感耦合型電漿爲主來發生(電漿)。 因電容耦合型電漿在處理基板時會有損害,故判明以 電感耦合型電漿爲較佳。因此,使用線圈狀電極的電漿處 理裝置,更可抑制電容耦合型電漿的發生,如日本特開平 5-502971號公報、日本特開平8-50996號公報或日本特開 平8-88220號公報所揭示。於此的先前技術係,任—的觸 1325288 角(線圏狀電極)和電漿處理室之間配置有法拉第屏蔽, 能抑制觸角的軸方向電場的電氣短路之電容耦合型電漿。 【發明內容】 但且,於以往的技術,使用一個高頻電源的一個電漿 處理裝置在放電的場合是否有任何的不適合?於一個高頻 電源下複數的電漿處理裝置同時放電的場合,構成線圈狀 φ電極之RF纜線(換言之,電力供給線)等的配設狀態, 於各電漿處理裝置之各處理室間多少有不同之故,在各處 理室間的阻抗有些許的不同。這樣的結果,會產生有阻抗 低的處理室容易發生電漿,阻抗高的處理室不易發生電漿 〇 本發明係,有鑑於上述的問題,在一個高頻電源複數 的電漿處理裝置同時地放電,於半導體晶If等的被處理物 表面形成被覆膜,提供於各處理室在同步速率下能蝕刻、 φ灰化的同步放電裝置爲目的。 爲解決上述課題之本發明的同步放電裝置係,在一個 高頻電源下對複數的電漿處理裝置同時地放電的同步放電 裝置;前述複數的電漿處理裝置係發生電漿用電極爲線圈 狀之電感耦合型電漿爲主之電漿處理裝置,自前述高頻電 源的電力供給線對各個前述電漿處理裝置設有分歧部使其 分歧,且構成在前述分歧部的下流側與各個的前述電漿處 理裝置之間各自設置有固定値電容器。於此,前述固定値 電容器的阻抗爲同樣的下流側之前述發生電漿用線圈狀電 -6- 1325288 極的阻抗的2.3〜2.7倍爲較佳。 自高頻電源的電力供給線對各個前述電漿處理裝置設 有分歧部使其分歧,能使RF電力同時地流到各電漿處理 裝置。 且,在高頻電源的分歧部的下流側,與各個前述電漿 處理裝置之間,個別的固定値電容器係一同地設置’前述 固定値電容器的阻抗爲前述發生電漿用線圈狀電極的阻抗 的2.3〜2.7倍,自一個高頻電源能對各個電漿處理裝置 同實地放電。 且,固定値電容器之間的差異設定在±5%以內,對各 電漿處理裝置的處理室能均等地分配RF電力。更進一步 ,發生電漿用線圈狀電極捲回到前述電漿處理裝置,且在 前述發生電漿用線圈狀電極的接地電極側設置有微調用金 屬板,能更確實地對各電漿處理裝置同實地放電。 換言之,在一個高頻電源對複數的電漿處理裝置同時 地放電,能對各處理室內的被處理物同時地且均一地施以 處理。 【實施方式】 以下說明本發明的實施方式。圖1爲關於同步放電裝 置的槪略圖,圖爲於圖1 一邊的電漿處理裝置的部分擴大 圖。如圖1所示,電感耦合型電漿處理裝置A及B爲具 備有,於各自的基座1及1'載置了石英或鋁質陶瓷製的下 部處理室2及2',和於此下部處理室2及2'之上載置了石 1325288 英或鋁質陶瓷製的上部處理室3及3',和更進一步地於此 上部處理室3及3'之上具有突緣的天板4及V。而且,自 天板4及4'導入反應氣體。 換言之,下部處理室2及2'係,與各自的上部處理室 3及3'連通,下部處理室2及2'爲各自的被處理物W及 W'的處理領域,上部處理室3及3f爲各自的發生電漿領 域。 φ 且,於基座1及^形成各自的開口部5及51,自此開 口部5及5'的下方面臨了各自的平台6及f。此平台6及 6M系可以升降載置了晶圓等被處理物W及W'且內藏有加 熱器。更進一步,於開口部5及5'的內周處設有排氣環7 Ά Ί,, 自形成在此排氣環7及7'的孔進行排氣。且,此 排氣環7及71係施以不使發生的電漿四處飛散的絕緣處理 爲較佳。 且,於各自的上部處理室3及3'的外側配置有透磁率 φ高的鋁合金製的法拉第屏蔽8及8’,更進一步地於法拉第 屏蔽8及8'的外周圍處各自的線圈狀電極9及V爲捲回成 3圈。 一方面,於此實施形態的特徵,如圖1所示,高頻電 源10繫有電力供給線11 (換言之,電力供給纜線)。此 高頻電源10的頻率爲400KHZ〜27MHz。 且,此高頻電源10的一端爲接地,另一端爲在Μ點 分歧。以分歧的高頻電源10係,透過電力供給線11,連 繫到各自的固定電容(換言之,固定値電容器)12及12, -8 - 1325288 此固定電容12及12'更連繫到各自的線圈狀電極9及9f。 且,線圏狀電極9及V的下端係自連繫到金屬板13及13' 接地。 所以,固定電容12及12'的阻抗一旦決定後不會作大 幅度的變動。在此實施例,固定電容12及12f的阻抗係爲 各自的同一下流側線圈狀電極9及V的阻抗的2.3〜2.7 倍。 於此,因爲自高頻電源1〇同時平均地流到電漿處理 裝置A及B,固定電容12及12'是否爲必要?因爲固定電 容12及121的阻抗爲不變,故經由發生電漿,經由看見到 可變的發生電漿用線圈狀電極9及V的阻抗的大小,能使 電力偏流。 即便,各電漿處理裝置A及B的阻抗係,因爲能當 作各電漿處理裝置側的固定値電容器和發生電漿用電極的 阻抗的和,故設定各固定値電容器的阻抗比各發生電漿用 線圈狀電極的阻抗還大,各發生電漿用線圈狀電極的阻抗 的不同之處係,由各電漿處理裝置A及B全體的 阻抗所見之場合,是沒有差異的。但是,各固定値電 容器的阻抗無論是太大或太小,則不能安定均等地進行電 漿處理。 於此盡心地硏究之際,經由前述固定値電容器的阻抗 爲在同一下流側的前述發生電漿用線圈狀電極的2.3〜2.7 倍,發生電漿用電極的線圈狀電極的阻抗多少可變地可同 時地放電。 -9- 1325288 固定値電容器的阻抗於發生電漿用線圈狀電極的阻抗 未滿2.3倍的場合,因爲放電是發生在任一邊之故,無法 進行同時地放電。相反地固定値電容器的阻抗於發生電漿 用線圏狀電極的阻抗超過2.7倍的場合,則電容器本身的 阻抗過大而導致電漿效率變得很差,是爲不佳。 且,電漿處理裝置A及B係可同時地放電,各電漿 處理裝置A及B所分配的電力不爲均一,產生了灰化或 刻等的速率差。在本實施例的固定電容12及12'之間的 差異設定在設定値的±5 %以內。換言之,固定値電容器之 間的差異越小,越可以達到均一地分配電力。 更進一步,爲使各電漿處理裝置之間的電力均一化, 於本實施例,金屬板13及13'設置在爲了微調各自的線圈 狀電極9及 V的下端的接地側。此金屬板之中,金屬板 13如擴大的圖2所示。於金屬板控穿有奇數的孔,以此 中心的孔爲最初的設定位置。複數的電漿處理裝置之中之 #任一的速率較低的一方,此金屬板的孔滑向一延伸方向。 於相反的場合縮回來。由此,經由滑動金屬板的孔,可以 同時地調整個電漿處理裝置的速率。 故由上,自高頻電源10的電力分歧在分歧點Μ,通 過各自的固定電容12及12|,施加在電漿處理裝置Α及Β ,和線圏狀電極9及9'的軸方向電場於法拉第屏蔽8及8’ 使電氣短路,這樣的結果,抑制在上部處理室3及V內的 電容耦合型電漿的發生,主要以發生電感耦合型電漿。 所以,已發生的電感耦合型電漿係自天板4及V導入 -10- 1325288 反應氣體及導入到各個下部處理室2及2'內,於平台6及 6 '上對載置了晶圓等被處理物W及W '進行灰化或蝕刻等 的所定處理。 (發明的效果)
經由以上的說明,根據本發明,自高頻電源的電力供 給線爲自分歧部分歧到各個的前述電漿處理裝置,能使 RF電力同時地流到各個的前述電漿處理裝置。且在高頻 電源的分歧部的下流側,於各個前述電漿處理裝置之間, 各自設置了固定値電容器;而且例如,於前述固定値電容 器的阻抗爲前述發生電漿用線圏狀電極之同一下流側的阻 抗的2_3〜2.7倍,能使自一個高頻電源對各電漿處理裝 置同時地放電。
且,設定固定値電容器之間的差異在±5%以內,能對 各電漿處理裝置的處理室均等地分配到RF電力。更進一 步,發生電漿用線圏狀電極係捲回到前述電漿處理裝置, 且於前述發生電漿用線圈狀電極的接地側設有可微調用金 屬板,能更確實地使各電漿處理裝置能同時地放電。 換言之,在一個高頻電源下能使複數的電漿處理裝置 同時地放電,對各處理室內的被處理物可同時地且均一地 施以處理。 【圖式簡單說明】 圖1係本發明之同步放電裝置之槪略圖。 -11 - 1325288 圖2係如圖1所示之電漿處理裝置之部分擴大圖。 【主要元件對照表】 A、B 電漿處理裝置 1、1 f 基座 下部處理室
4、 4 6、 6 上部處理室 天板 開口部 平台 排氣環 法拉第屏蔽 線圈狀電極
9、 9 1 0 高頻電源 11 電力供給線 12、 12' 固定電容 13、 13' 金屬板 W、 W, 被處理物 -12-

Claims (1)

  1. pm.______ 修(沁正本I 疮、申請專利範圍 ι·—種同步放電裝置,於一個高頻電源下同時使複數 個電漿處理裝置放電,其特徵爲: 前述複數個電漿處理裝置係以發生電漿用電極爲線圈 狀來引導結合電漿爲主之電漿處理裝置;自前述高頻電源 之電力供給線係,自分歧部分歧到各個前述電漿處理裝置 ;且在前述分歧部之下流側,於與各個前述電漿處理裝置 之間,各自設置了固定値電容器; 前述固定値電容器之間的差異在±5%以內; 前述固定値電容器之阻抗爲,於相同的下流側之前述 發生電漿用線圈狀電極的阻抗的2.3〜2.7倍。 2.如申請專利範圍第1項所記載之同步放電裝置’其 中: 前述發生電漿用電極係捲回到前述電漿處理裝置’且 於前述發生電漿用電極之接地電極側設置金屬& °
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