JP2972707B1 - プラズマエッチング装置及びプラズマエッチング方法 - Google Patents
プラズマエッチング装置及びプラズマエッチング方法Info
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Abstract
【要約】
【課題】 プラズマエッチング装置を用いて被エッチン
グ膜に対してエッチングを行なう場合におけるエッチン
グレートの面内均一性を向上させる。 【解決手段】 チャンバー１の下部には、半導体基板３
を保持すると共に高周波電力が印加される試料台２が設
けられていると共に、チャンバー１には、チャンバー１
内にエッチングガスを導入するためのガス導入部８及び
チャンバー１内のガスを排出するガス排出部５が設けら
れている。チャンバー１の外部の上側には誘導結合型の
シングルスパイラルコイル４が配置されており、該シン
グルスパイラルコイル４の一端部は高周波電力供給源６
に接続されていると共に、シングルスパイラルコイル４
の他端部は接地されている。シングルスパイラルコイル
４の高電圧領域と試料台２の排気側領域とは、チャンバ
ー１の中心軸に対してほぼ同じ側に位置している。
グ膜に対してエッチングを行なう場合におけるエッチン
グレートの面内均一性を向上させる。 【解決手段】 チャンバー１の下部には、半導体基板３
を保持すると共に高周波電力が印加される試料台２が設
けられていると共に、チャンバー１には、チャンバー１
内にエッチングガスを導入するためのガス導入部８及び
チャンバー１内のガスを排出するガス排出部５が設けら
れている。チャンバー１の外部の上側には誘導結合型の
シングルスパイラルコイル４が配置されており、該シン
グルスパイラルコイル４の一端部は高周波電力供給源６
に接続されていると共に、シングルスパイラルコイル４
の他端部は接地されている。シングルスパイラルコイル
４の高電圧領域と試料台２の排気側領域とは、チャンバ
ー１の中心軸に対してほぼ同じ側に位置している。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマエッチン
グ装置及びプラズマエッチング方法に関し、特に、チャ
ンバー内の試料台と対向するように設けられたスパイラ
ルコイルに発生する高周波誘導電界により発生したプラ
ズマによって被エッチング膜をエッチングするプラズマ
エッチング装置及びプラズマエッチング方法に関する。
グ装置及びプラズマエッチング方法に関し、特に、チャ
ンバー内の試料台と対向するように設けられたスパイラ
ルコイルに発生する高周波誘導電界により発生したプラ
ズマによって被エッチング膜をエッチングするプラズマ
エッチング装置及びプラズマエッチング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体集積回路素子の微細化に伴
って、リソグラフィー工程における露光光は短波長化し
ており、現在では、光源としてＫｒＦエキシマレーザ
（波長２４８ｎｍ）又はＡｒＦエキシマレーザ（波長１
９３ｎｍ）が用いられている。
って、リソグラフィー工程における露光光は短波長化し
ており、現在では、光源としてＫｒＦエキシマレーザ
（波長２４８ｎｍ）又はＡｒＦエキシマレーザ（波長１
９３ｎｍ）が用いられている。
【０００３】ところで、露光光の光源が短波長化すれば
するほど、レジスト膜に対して露光を行なう際の露光光
の基板反射率が増加するため、露光光が基板で反射され
てなる反射光に起因するレジストパターンの寸法変動が
起きやすい。
するほど、レジスト膜に対して露光を行なう際の露光光
の基板反射率が増加するため、露光光が基板で反射され
てなる反射光に起因するレジストパターンの寸法変動が
起きやすい。
【０００４】そこで、最近では、反射光のレジスト膜へ
の入射を抑制するために、レジスト膜の下に有機系反射
防止膜（Organic Bottom Anti-Reflective Coating：
以下、ＡＲＣと称する。）を形成するプロセスが用いら
れている。このＡＲＣプロセスは、主として、ゲート幅
が０．２５μｍ以下のルールを持つ高性能デバイスにお
ける半導体素子の製造工程において用いられる技術であ
る。
の入射を抑制するために、レジスト膜の下に有機系反射
防止膜（Organic Bottom Anti-Reflective Coating：
以下、ＡＲＣと称する。）を形成するプロセスが用いら
れている。このＡＲＣプロセスは、主として、ゲート幅
が０．２５μｍ以下のルールを持つ高性能デバイスにお
ける半導体素子の製造工程において用いられる技術であ
る。
【０００５】一方、このＡＲＣプロセスにおいては、従
来のリソグラフィー技術によってレジストパターンを形
成した後にＡＲＣをエッチングする必要がある。そこ
で、ＡＲＣをエッチングする際には、各種のプラズマエ
ッチング装置が用いられており、その中でも、スパイラ
ルコイルを有する誘導結合型プラズマ（Inductively Co
upled Plasma：ＩＣＰ）エッチング装置がよく用いられ
ている。
来のリソグラフィー技術によってレジストパターンを形
成した後にＡＲＣをエッチングする必要がある。そこ
で、ＡＲＣをエッチングする際には、各種のプラズマエ
ッチング装置が用いられており、その中でも、スパイラ
ルコイルを有する誘導結合型プラズマ（Inductively Co
upled Plasma：ＩＣＰ）エッチング装置がよく用いられ
ている。
【０００６】スパイラルコイルを有する誘導結合型プラ
ズマエッチング装置としては、コイル形状が平面型であ
る誘導結合型プラズマエッチング装置（USP.4948458 ）
及びコイル形状がドーム型である誘導結合型プラズマエ
ッチング装置（USP.5614055）等が知られている。
ズマエッチング装置としては、コイル形状が平面型であ
る誘導結合型プラズマエッチング装置（USP.4948458 ）
及びコイル形状がドーム型である誘導結合型プラズマエ
ッチング装置（USP.5614055）等が知られている。
【０００７】以下、平面型のシングルスパイラルコイル
を有する従来の誘導結合型プラズマエッチング装置につ
いて図１０を参照しながら説明する。
を有する従来の誘導結合型プラズマエッチング装置につ
いて図１０を参照しながら説明する。
【０００８】図１０に示すように、接地されており且つ
内壁面がセラミック、アルミナ又は石英等の絶縁物で覆
われたチャンバー１の下部には、高周波電力が印加され
る下部電極としての試料台２が設けられており、該試料
台２の上には被エッチング試料としての半導体基板３が
載置されている。チャンバー１には、エッチングガスを
マスフローコントローラを介してチャンバー１内に導入
するためのガス導入部（図示は省略している。）が設け
られていると共に、チャンバー１内の圧力を０．１Ｐａ
〜１０Ｐａ程度に制御するターボポンプに接続されたガ
ス排出部５が設けられている。
内壁面がセラミック、アルミナ又は石英等の絶縁物で覆
われたチャンバー１の下部には、高周波電力が印加され
る下部電極としての試料台２が設けられており、該試料
台２の上には被エッチング試料としての半導体基板３が
載置されている。チャンバー１には、エッチングガスを
マスフローコントローラを介してチャンバー１内に導入
するためのガス導入部（図示は省略している。）が設け
られていると共に、チャンバー１内の圧力を０．１Ｐａ
〜１０Ｐａ程度に制御するターボポンプに接続されたガ
ス排出部５が設けられている。
【０００９】チャンバー１の外部の上側には、試料台２
と対向するように誘導結合型のシングルスパイラルコイ
ル４が配置されており、該シングルスパイラルコイル４
の一端部は図示しない整合回路を介して高周波電力供給
源に接続されていると共に、シングルスパイラルコイル
４の他端部はチャンバー１の壁部に接続されることによ
り接地されており、これらによって、シングルスパイラ
ルコイル４には高周波誘導電界が発生し、発生した高周
波誘導電界によって、チャンバー１内に導入されたエッ
チングガスはプラズマ化される。プラズマ化されたエッ
チングガスは、試料台２に印加される高周波電力によっ
て試料台２に保持された半導体基板３の被エッチング膜
に導かれて、該被エッチング膜をエッチングする。
と対向するように誘導結合型のシングルスパイラルコイ
ル４が配置されており、該シングルスパイラルコイル４
の一端部は図示しない整合回路を介して高周波電力供給
源に接続されていると共に、シングルスパイラルコイル
４の他端部はチャンバー１の壁部に接続されることによ
り接地されており、これらによって、シングルスパイラ
ルコイル４には高周波誘導電界が発生し、発生した高周
波誘導電界によって、チャンバー１内に導入されたエッ
チングガスはプラズマ化される。プラズマ化されたエッ
チングガスは、試料台２に印加される高周波電力によっ
て試料台２に保持された半導体基板３の被エッチング膜
に導かれて、該被エッチング膜をエッチングする。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】ところで、本件発明者
が、前記の平面型のシングルスパイラルコイル４を有す
る複数の誘導結合型プラズマエッチング装置を用いて、
被エッチング膜としてのＡＲＣに対してエッチング処理
を行なったところ、同一の機種であってもプラズマエッ
チング装置が異なると、エッチングレートの面内均一性
にばらつきが発生するという問題が起こった。
が、前記の平面型のシングルスパイラルコイル４を有す
る複数の誘導結合型プラズマエッチング装置を用いて、
被エッチング膜としてのＡＲＣに対してエッチング処理
を行なったところ、同一の機種であってもプラズマエッ
チング装置が異なると、エッチングレートの面内均一性
にばらつきが発生するという問題が起こった。
【００１１】エッチングレートの面内均一性とは、被エ
ッチング膜の面内におけるエッチングレートのばらつき
の程度を意味し、３σ／μ×１００（％）で定義する。
ここで、σはデータ値の標準偏差、μはデータ値の平均
値であって、３σは、データ値のばらつきが正規分布を
示すときは、図１７に示すように、データ値の９９．７
４％が含まれる偏差を意味する。尚、３σ及びμは具体
的には［数１］に示すとおりである。
ッチング膜の面内におけるエッチングレートのばらつき
の程度を意味し、３σ／μ×１００（％）で定義する。
ここで、σはデータ値の標準偏差、μはデータ値の平均
値であって、３σは、データ値のばらつきが正規分布を
示すときは、図１７に示すように、データ値の９９．７
４％が含まれる偏差を意味する。尚、３σ及びμは具体
的には［数１］に示すとおりである。
【００１２】
【数１】
【００１３】尚、従来のプラズマエッチング装置を用い
てエッチングレートの面内均一性を求めたときのプラズ
マエッチング処理の処理条件は［表１］に示すとおりで
ある。［表１］において、ＩＣＰとはシングルスパイラ
ルコイル４に印加される高周波電力を示し、ＲＦとは試
料台２に印加される高周波電力を示している。
てエッチングレートの面内均一性を求めたときのプラズ
マエッチング処理の処理条件は［表１］に示すとおりで
ある。［表１］において、ＩＣＰとはシングルスパイラ
ルコイル４に印加される高周波電力を示し、ＲＦとは試
料台２に印加される高周波電力を示している。
【００１４】
【表１】
【００１５】また、誘導結合型プラズマエッチング装置
の装置名とエッチングレートの面内均一性との関係は
［表２］に示すとおりである。尚、被エッチング膜とし
ては、図１８（ａ）に示すように、半導体基板１０の上
に形成されたＡＲＣ１１に対して行なった。
の装置名とエッチングレートの面内均一性との関係は
［表２］に示すとおりである。尚、被エッチング膜とし
ては、図１８（ａ）に示すように、半導体基板１０の上
に形成されたＡＲＣ１１に対して行なった。
【００１６】
【表２】
【００１７】［表２］から分かるように、ＡＲＣ１１に
対するエッチングレートの面内均一性は、Ａ機で±４．
５％、Ｂ機で±２．１％機、Ｃ機で±５．６％、Ｄ機で
±５．１％、Ｅ機で±３．３％、Ｆ機で±６．８％、Ｇ
機で±２．６％であって、一定ではない。
対するエッチングレートの面内均一性は、Ａ機で±４．
５％、Ｂ機で±２．１％機、Ｃ機で±５．６％、Ｄ機で
±５．１％、Ｅ機で±３．３％、Ｆ機で±６．８％、Ｇ
機で±２．６％であって、一定ではない。
【００１８】エッチングレートの面内均一性が悪いとい
うことは、被エッチング膜の面内における実際のエッチ
ング量のばらつきを招く。被エッチング膜の面内におい
て実際のエッチング量がばらつくと、例えば、エッチン
グによりＦＥＴのゲート電極を形成する場合には、ＦＥ
Ｔの特性がばらつく等の悪影響が発生する。
うことは、被エッチング膜の面内における実際のエッチ
ング量のばらつきを招く。被エッチング膜の面内におい
て実際のエッチング量がばらつくと、例えば、エッチン
グによりＦＥＴのゲート電極を形成する場合には、ＦＥ
Ｔの特性がばらつく等の悪影響が発生する。
【００１９】前記に鑑み、本発明は、プラズマエッチン
グ装置を用いて被エッチング膜に対してエッチングを行
なう場合におけるエッチングレートの面内均一性を向上
させると共に、同一機種のプラズマエッチング装置間の
エッチングレートの面内均一性のばらつきを低減するこ
とを目的とする。
グ装置を用いて被エッチング膜に対してエッチングを行
なう場合におけるエッチングレートの面内均一性を向上
させると共に、同一機種のプラズマエッチング装置間の
エッチングレートの面内均一性のばらつきを低減するこ
とを目的とする。
【００２０】
【課題を解決するための手段】本件発明者は、前記のＡ
機〜Ｇ機の各装置について種々の検討を行なった結果、
シングルスパイラルコイル４とガス排出部５との位置関
係が装置毎に異なることを見出した。
機〜Ｇ機の各装置について種々の検討を行なった結果、
シングルスパイラルコイル４とガス排出部５との位置関
係が装置毎に異なることを見出した。
【００２１】そこで、シングルスパイラルコイル４とガ
ス排出部５との位置関係がエッチングレートの均一性に
影響を及ぼすのではないかと考え、その理由について検
討を加えた結果、シングルスパイラルコイル４とガス排
出部５との位置関係のばらつきに起因して、チャンバー
１内のプラズマ発生領域における反応性ラジカルの分布
が不均一になることを見出した。以下、この点について
説明する。
ス排出部５との位置関係がエッチングレートの均一性に
影響を及ぼすのではないかと考え、その理由について検
討を加えた結果、シングルスパイラルコイル４とガス排
出部５との位置関係のばらつきに起因して、チャンバー
１内のプラズマ発生領域における反応性ラジカルの分布
が不均一になることを見出した。以下、この点について
説明する。
【００２２】まず、図１１に示すように、シングルスパ
イラルコイル４を、高周波誘導電界に直接に寄与するコ
イル部分４ａと、コイル部分４ａと高周波電源６との間
に位置する電源側引き出し部４ｂと、コイル部分４ａと
接地源７との間に位置する接地側引き出し部４ｃとの３
つの部分に分けると共に、コイル部分４ａを、コイル部
分４ａと電源側引き出し部４ｂとの接続点である電源接
続点Ａとコイル部分４ａの中心点Ｂとを結ぶ第１の直線
Ｌ１で２つの領域に分離して考える。そして、コイル部
分４ａにおける第１の直線Ｌ１で分離された２つの領域
のうち、電源接続点Ａに直接に接続される部分が含まれ
る領域を高電圧領域（高周波電圧が相対的に高い領域）
と定義すると共に、電源接続点Ａに直接に接続される部
分が含まれない領域を低電圧領域（高周波電圧が相対的
に低い領域）と定義する。
イラルコイル４を、高周波誘導電界に直接に寄与するコ
イル部分４ａと、コイル部分４ａと高周波電源６との間
に位置する電源側引き出し部４ｂと、コイル部分４ａと
接地源７との間に位置する接地側引き出し部４ｃとの３
つの部分に分けると共に、コイル部分４ａを、コイル部
分４ａと電源側引き出し部４ｂとの接続点である電源接
続点Ａとコイル部分４ａの中心点Ｂとを結ぶ第１の直線
Ｌ１で２つの領域に分離して考える。そして、コイル部
分４ａにおける第１の直線Ｌ１で分離された２つの領域
のうち、電源接続点Ａに直接に接続される部分が含まれ
る領域を高電圧領域（高周波電圧が相対的に高い領域）
と定義すると共に、電源接続点Ａに直接に接続される部
分が含まれない領域を低電圧領域（高周波電圧が相対的
に低い領域）と定義する。
【００２３】また、図１２に示すように、試料台２を該
試料台２の中心部Ｃとガス排出部５の中心部Ｄとを結ぶ
直線に対して垂直な直線である第２の直線Ｌ２で２つの
領域に分離して考え、分離された２つの領域のうち、ガ
ス排出部５に近い方の領域を排気側領域と定義すると共
に、ガス排出部５から遠い方の領域を反排気側領域と定
義する。
試料台２の中心部Ｃとガス排出部５の中心部Ｄとを結ぶ
直線に対して垂直な直線である第２の直線Ｌ２で２つの
領域に分離して考え、分離された２つの領域のうち、ガ
ス排出部５に近い方の領域を排気側領域と定義すると共
に、ガス排出部５から遠い方の領域を反排気側領域と定
義する。
【００２４】さらに、図１３に示すように、第１の直線
Ｌ１が第２の直線Ｌ２に対して、排気側領域と低電圧側
領域とが重なるように（つまり反排気側領域と高電圧領
域とが重なるように）一致する状態から時計回りに回転
している角度を回転角度θと定義する。
Ｌ１が第２の直線Ｌ２に対して、排気側領域と低電圧側
領域とが重なるように（つまり反排気側領域と高電圧領
域とが重なるように）一致する状態から時計回りに回転
している角度を回転角度θと定義する。
【００２５】前記のＡ機〜Ｇ機の各装置についての回転
角度θは［表３］に示すとおりである。
角度θは［表３］に示すとおりである。
【００２６】
【表３】
【００２７】［表３］から分かるように、従来のプラズ
マエッチング装置においては、第１の直線Ｌ１が第２の
直線Ｌ２に対して時計回りに回転している回転角度θは
バラバラである。また、［表２］と［表３］との対比か
ら、回転角度θとエッチングレートの面内均一性との間
には相関関係があると共に回転角度θが大きいほどエッ
チングレートの面内均一性は向上することが分かった。
マエッチング装置においては、第１の直線Ｌ１が第２の
直線Ｌ２に対して時計回りに回転している回転角度θは
バラバラである。また、［表２］と［表３］との対比か
ら、回転角度θとエッチングレートの面内均一性との間
には相関関係があると共に回転角度θが大きいほどエッ
チングレートの面内均一性は向上することが分かった。
【００２８】この理由としては、図１４（ａ）に示すよ
うに、チャンバー１のプラズマ発生領域における試料台
２の反排気側領域と対応する領域は、試料台２の排気側
領域と対応する領域に比べて、反応性ラジカルの分布量
が多いこと、及び、図１４（ｂ）に示すように、チャン
バー１のプラズマ発生領域におけるシングルスパイラル
コイル４の高電圧領域と対応する領域は、シングルスパ
イラルコイル４の低電圧領域と対応する領域に比べて、
プラズマ密度が高いため反応性ラジカルの分布量が多い
ことが考えられる。
うに、チャンバー１のプラズマ発生領域における試料台
２の反排気側領域と対応する領域は、試料台２の排気側
領域と対応する領域に比べて、反応性ラジカルの分布量
が多いこと、及び、図１４（ｂ）に示すように、チャン
バー１のプラズマ発生領域におけるシングルスパイラル
コイル４の高電圧領域と対応する領域は、シングルスパ
イラルコイル４の低電圧領域と対応する領域に比べて、
プラズマ密度が高いため反応性ラジカルの分布量が多い
ことが考えられる。
【００２９】従って、図１５（ａ）に示すように、試料
台２の排気側領域とシングルスパイラルコイル４の高電
圧領域とを同じ側に位置させると共に、試料台２の反排
気側領域とシングルスパイラルコイル４の低電圧領域と
を同じ側に位置させると、チャンバー１のプラズマ発生
領域における反応性ラジカルの分布量が均一になる。こ
れに対して、図１５（ｂ）に示すように、試料台２の排
気側領域とシングルスパイラルコイル４の低電圧領域と
を同じ側に位置させると共に、試料台２の反排気側領域
とシングルスパイラルコイル４の高電圧領域とを同じ側
に位置させると、チャンバー１のプラズマ発生領域にお
ける反応性ラジカルの分布量は不均一になって、前者の
領域は後者の領域に比べて反応性ラジカルの分布量は少
なくなる。
台２の排気側領域とシングルスパイラルコイル４の高電
圧領域とを同じ側に位置させると共に、試料台２の反排
気側領域とシングルスパイラルコイル４の低電圧領域と
を同じ側に位置させると、チャンバー１のプラズマ発生
領域における反応性ラジカルの分布量が均一になる。こ
れに対して、図１５（ｂ）に示すように、試料台２の排
気側領域とシングルスパイラルコイル４の低電圧領域と
を同じ側に位置させると共に、試料台２の反排気側領域
とシングルスパイラルコイル４の高電圧領域とを同じ側
に位置させると、チャンバー１のプラズマ発生領域にお
ける反応性ラジカルの分布量は不均一になって、前者の
領域は後者の領域に比べて反応性ラジカルの分布量は少
なくなる。
【００３０】本発明は前記の知見に基づいてなされたも
のであって、スパイラルコイルの高電圧領域と試料台の
排気側領域とをチャンバーの中心軸に対してほぼ同じ側
に位置させることによって、チャンバー１のプラズマ発
生領域における反応性ラジカルの分布量を均一化するも
のである。従来のプラズマエッチング装置は、試料台２
の上に載置される半導体基板３に印加されるイオン電流
の密度を均一にすることのみを重視していたのに対し
て、本発明は、試料台２の上に載置される半導体基板３
に照射される反応性ラジカルを均一にすることを重視す
るものである。
のであって、スパイラルコイルの高電圧領域と試料台の
排気側領域とをチャンバーの中心軸に対してほぼ同じ側
に位置させることによって、チャンバー１のプラズマ発
生領域における反応性ラジカルの分布量を均一化するも
のである。従来のプラズマエッチング装置は、試料台２
の上に載置される半導体基板３に印加されるイオン電流
の密度を均一にすることのみを重視していたのに対し
て、本発明は、試料台２の上に載置される半導体基板３
に照射される反応性ラジカルを均一にすることを重視す
るものである。
【００３１】具体的には、本発明に係るプラズマエッチ
ング装置は、チャンバーと、チャンバーに設けられチャ
ンバー内にエッチングガスを導入するガス導入部と、チ
ャンバーの側部に設けられチャンバー内のガスを排出す
るガス排出部と、チャンバーの内部に設けられた試料台
と、チャンバーの外部に試料台と対向するように設けら
れ高周波誘導電界によりエッチングガスからなるプラズ
マを発生させるスパイラルコイルとを備えたプラズマエ
ッチング装置を前提とし、スパイラルコイルの高電圧領
域と試料台の排気側領域とはチャンバーの中心軸に対し
てほぼ同じ側に位置している。
ング装置は、チャンバーと、チャンバーに設けられチャ
ンバー内にエッチングガスを導入するガス導入部と、チ
ャンバーの側部に設けられチャンバー内のガスを排出す
るガス排出部と、チャンバーの内部に設けられた試料台
と、チャンバーの外部に試料台と対向するように設けら
れ高周波誘導電界によりエッチングガスからなるプラズ
マを発生させるスパイラルコイルとを備えたプラズマエ
ッチング装置を前提とし、スパイラルコイルの高電圧領
域と試料台の排気側領域とはチャンバーの中心軸に対し
てほぼ同じ側に位置している。
【００３２】ここに、スパイラルコイルの高電圧領域と
試料台の排気側領域とがチャンバーの中心軸に対してほ
ぼ同じ側に位置するとは、図１６（ａ）に示すように、
第１の直線Ｌ１が第２の直線Ｌ２に対して時計回りに回
転する回転角度θが、＋１３５度〜＋１８０度の間であ
る状態、つまりオーバーラップ角度が１３５度〜１８０
度である状態、又は、図１６（ｂ）に示すように、第１
の直線Ｌ１が第２の直線Ｌ２に対して時計回りに回転す
る回転角度θが−１３５度〜−１８０度の間である状
態、つまりオーバーラップ角度が１３５度〜１８０度で
ある状態を意味する。
試料台の排気側領域とがチャンバーの中心軸に対してほ
ぼ同じ側に位置するとは、図１６（ａ）に示すように、
第１の直線Ｌ１が第２の直線Ｌ２に対して時計回りに回
転する回転角度θが、＋１３５度〜＋１８０度の間であ
る状態、つまりオーバーラップ角度が１３５度〜１８０
度である状態、又は、図１６（ｂ）に示すように、第１
の直線Ｌ１が第２の直線Ｌ２に対して時計回りに回転す
る回転角度θが−１３５度〜−１８０度の間である状
態、つまりオーバーラップ角度が１３５度〜１８０度で
ある状態を意味する。
【００３３】本発明のプラズマエッチング装置による
と、スパイラルコイルの高電圧領域と試料台の排気側領
域とがチャンバーの中心軸に対してほぼ同じ側に位置し
ているため、スパイラルコイルの低電圧領域と試料台の
反排気側領域とは必然的にチャンバーの中心軸に対して
ほぼ同じ側に位置している。チャンバーのプラズマ発生
領域におけるスパイラルコイルの低電圧領域と対応する
領域は反応性ラジカルの分布量が相対的に少なく且つ試
料台の反排気側領域と対応する領域は反応性ラジカルの
分布量が相対的に多いので、チャンバーのプラズマ発生
領域における低電圧領域及び反排気側領域と対応する領
域においては、反応性ラジカルの分布量は平均的にな
る。また、チャンバーのプラズマ発生領域におけるスパ
イラルコイルの高電圧領域と対応する領域は反応性ラジ
カルの分布量が相対的に多く且つ試料台の排気側領域と
対応する領域は反応性ラジカルの分布量が相対的に少な
いので、チャンバーのプラズマ発生領域における高電圧
領域及び排気側領域と対応する領域においても、反応性
ラジカルの分布量は平均的になる。
と、スパイラルコイルの高電圧領域と試料台の排気側領
域とがチャンバーの中心軸に対してほぼ同じ側に位置し
ているため、スパイラルコイルの低電圧領域と試料台の
反排気側領域とは必然的にチャンバーの中心軸に対して
ほぼ同じ側に位置している。チャンバーのプラズマ発生
領域におけるスパイラルコイルの低電圧領域と対応する
領域は反応性ラジカルの分布量が相対的に少なく且つ試
料台の反排気側領域と対応する領域は反応性ラジカルの
分布量が相対的に多いので、チャンバーのプラズマ発生
領域における低電圧領域及び反排気側領域と対応する領
域においては、反応性ラジカルの分布量は平均的にな
る。また、チャンバーのプラズマ発生領域におけるスパ
イラルコイルの高電圧領域と対応する領域は反応性ラジ
カルの分布量が相対的に多く且つ試料台の排気側領域と
対応する領域は反応性ラジカルの分布量が相対的に少な
いので、チャンバーのプラズマ発生領域における高電圧
領域及び排気側領域と対応する領域においても、反応性
ラジカルの分布量は平均的になる。
【００３４】従って、チャンバーのプラズマ発生領域に
おける高電圧領域及び排気側領域と対応する領域及びチ
ャンバーのプラズマ発生領域における低電圧領域及び反
排気側領域と対応する領域のいずれにおいても、反応性
ラジカルの分布量は平均化されるため、チャンバーのプ
ラズマ発生領域における反応性ラジカルの分布量は均一
になる。
おける高電圧領域及び排気側領域と対応する領域及びチ
ャンバーのプラズマ発生領域における低電圧領域及び反
排気側領域と対応する領域のいずれにおいても、反応性
ラジカルの分布量は平均化されるため、チャンバーのプ
ラズマ発生領域における反応性ラジカルの分布量は均一
になる。
【００３５】本発明のプラズマエッチング装置におい
て、スパイラルコイルは、平面形状又はドーム形状を有
するシングルスパイラルコイルであることが好ましい。
て、スパイラルコイルは、平面形状又はドーム形状を有
するシングルスパイラルコイルであることが好ましい。
【００３６】本発明のプラズマエッチング装置におい
て、スパイラルコイルは、互いに並列に配置された複数
のスパイラルコイルのうち最大の長さを有するスパイラ
ルコイルであることが好ましい。
て、スパイラルコイルは、互いに並列に配置された複数
のスパイラルコイルのうち最大の長さを有するスパイラ
ルコイルであることが好ましい。
【００３７】本発明のプラズマエッチング装置におい
て、スパイラルコイルに印加される高周波電力は試料台
に印加される高周波電力よりも大きいことが好ましい。
て、スパイラルコイルに印加される高周波電力は試料台
に印加される高周波電力よりも大きいことが好ましい。
【００３８】本発明に係るプラズマエッチング方法は、
チャンバー内に導入されたエッチングガスを、チャンバ
ー内の試料台と対向するように設けられたスパイラルコ
イルに発生する高周波誘導電界によってプラズマ化する
プラズマ発生工程と、プラズマ化したエッチングガスを
試料台に保持された基板の被エッチング膜に導いて該被
エッチング膜をエッチングするエッチング工程と、チャ
ンバー内のガスをチャンバーの側壁に設けられたガス排
出部から排出するガス排出工程とを備えたプラズマエッ
チング方法を前提とし、エッチング工程は、スパイラル
コイルの高電圧領域と試料台の排気側領域とをチャンバ
ーの中心軸に対してほぼ同じ側に位置させた状態で、プ
ラズマ化したエッチングガスを被エッチング膜に導いて
該被エッチング膜をエッチングする工程を含む。
チャンバー内に導入されたエッチングガスを、チャンバ
ー内の試料台と対向するように設けられたスパイラルコ
イルに発生する高周波誘導電界によってプラズマ化する
プラズマ発生工程と、プラズマ化したエッチングガスを
試料台に保持された基板の被エッチング膜に導いて該被
エッチング膜をエッチングするエッチング工程と、チャ
ンバー内のガスをチャンバーの側壁に設けられたガス排
出部から排出するガス排出工程とを備えたプラズマエッ
チング方法を前提とし、エッチング工程は、スパイラル
コイルの高電圧領域と試料台の排気側領域とをチャンバ
ーの中心軸に対してほぼ同じ側に位置させた状態で、プ
ラズマ化したエッチングガスを被エッチング膜に導いて
該被エッチング膜をエッチングする工程を含む。
【００３９】本発明のプラズマエッチング方法による
と、チャンバーのプラズマ発生領域における高電圧領域
及び排気側領域と対応する領域及びチャンバーのプラズ
マ発生領域における低電圧領域及び反排気側領域と対応
する領域のいずれにおいても、反応性ラジカルの分布量
が平均化されるため、チャンバーのプラズマ発生領域に
おける反応性ラジカルの分布量は均一になる。
と、チャンバーのプラズマ発生領域における高電圧領域
及び排気側領域と対応する領域及びチャンバーのプラズ
マ発生領域における低電圧領域及び反排気側領域と対応
する領域のいずれにおいても、反応性ラジカルの分布量
が平均化されるため、チャンバーのプラズマ発生領域に
おける反応性ラジカルの分布量は均一になる。
【００４０】本発明のプラズマエッチング方法におい
て、スパイラルコイルに印加される高周波電力は試料台
に印加される高周波電力よりも大きいことが好ましい。
て、スパイラルコイルに印加される高周波電力は試料台
に印加される高周波電力よりも大きいことが好ましい。
【００４１】また、本発明のプラズマエッチング方法に
おいて、被エッチング膜は有機膜であることが好まし
い。
おいて、被エッチング膜は有機膜であることが好まし
い。
【００４２】また、本発明のプラズマエッチング方法に
おいて、被エッチング膜は有機系反射防止膜又はレジス
ト膜であることが好ましい。
おいて、被エッチング膜は有機系反射防止膜又はレジス
ト膜であることが好ましい。
【００４３】
【発明の実施の形態】（第１の実施形態）以下、本発明
の第１の実施形態に係るプラズマエッチング装置及びプ
ラズマエッチング方法について図１（ａ）、（ｂ）及び
図２を参照しながら説明する。
の第１の実施形態に係るプラズマエッチング装置及びプ
ラズマエッチング方法について図１（ａ）、（ｂ）及び
図２を参照しながら説明する。
【００４４】チャンバー１は、外径が例えば４００ｍ
ｍ、高さが例えば３００ｍｍの円筒状であって、チャン
バー１の内壁面はセラミック、アルミナ又は石英等の絶
縁物で覆われている。チャンバー１の内部には高周波電
力が印加される下部電極としての試料台２が設けられて
おり、試料台２の上には被エッチング試料としての半導
体基板３が載置されている。チャンバー１の内部におけ
る試料台２の周囲には、エッチングガスをマスフローコ
ントローラを介してチャンバー１内に導入するためのガ
ス導入部８が分散して設けられていると共に、チャンバ
ー１の側部には、チャンバー１内の圧力を０．１Ｐａ〜
１０Ｐａ程度に制御するターボポンプに接続されたガス
排出部５が設けられている。
ｍ、高さが例えば３００ｍｍの円筒状であって、チャン
バー１の内壁面はセラミック、アルミナ又は石英等の絶
縁物で覆われている。チャンバー１の内部には高周波電
力が印加される下部電極としての試料台２が設けられて
おり、試料台２の上には被エッチング試料としての半導
体基板３が載置されている。チャンバー１の内部におけ
る試料台２の周囲には、エッチングガスをマスフローコ
ントローラを介してチャンバー１内に導入するためのガ
ス導入部８が分散して設けられていると共に、チャンバ
ー１の側部には、チャンバー１内の圧力を０．１Ｐａ〜
１０Ｐａ程度に制御するターボポンプに接続されたガス
排出部５が設けられている。
【００４５】チャンバー１の天井部に設けられた厚さが
例えば２０ｍｍの石英板１ａの上には、試料台２と対向
するように誘導結合型のシングルスパイラルコイル４が
配置されており、シングルスパイラルコイル４は、高周
波誘導電界に直接に寄与するコイル部分４ａと、コイル
部分４ａと高周波電源６との間に位置する電源側引き出
し部４ｂと、コイル部分４ａと接地源７との間に位置す
る接地側引き出し部４ｃとの３つの部分から構成されて
いる。シングルスパイラルコイル４の電源側引き出し部
４ｂは図示しない整合回路を介して第１の高周波電力を
供給する高周波電力供給源６に接続されていると共に、
シングルスパイラルコイル４の接地側引き出し部４ｃは
チャンバー１の壁部に接続されることにより接地されて
おり、これらによって、シングルスパイラルコイル４に
は高周波誘導電界が発生し、発生した高周波誘導電界に
より、チャンバー１内に導入されたエッチングガスはプ
ラズマ化される。プラズマ化されたエッチングガスは、
試料台２に印加される第２の高周波電力によって試料台
２に保持された半導体基板３の被エッチング膜に導かれ
て、該被エッチング膜をエッチングする。
例えば２０ｍｍの石英板１ａの上には、試料台２と対向
するように誘導結合型のシングルスパイラルコイル４が
配置されており、シングルスパイラルコイル４は、高周
波誘導電界に直接に寄与するコイル部分４ａと、コイル
部分４ａと高周波電源６との間に位置する電源側引き出
し部４ｂと、コイル部分４ａと接地源７との間に位置す
る接地側引き出し部４ｃとの３つの部分から構成されて
いる。シングルスパイラルコイル４の電源側引き出し部
４ｂは図示しない整合回路を介して第１の高周波電力を
供給する高周波電力供給源６に接続されていると共に、
シングルスパイラルコイル４の接地側引き出し部４ｃは
チャンバー１の壁部に接続されることにより接地されて
おり、これらによって、シングルスパイラルコイル４に
は高周波誘導電界が発生し、発生した高周波誘導電界に
より、チャンバー１内に導入されたエッチングガスはプ
ラズマ化される。プラズマ化されたエッチングガスは、
試料台２に印加される第２の高周波電力によって試料台
２に保持された半導体基板３の被エッチング膜に導かれ
て、該被エッチング膜をエッチングする。
【００４６】第１の実施形態の特徴として、シングルス
パイラルコイル４の相対的に電圧が高い領域である高電
圧領域と試料台２のガス排出部５側の領域である排気側
領域とは、チャンバー１の中心軸に対して同じ側（図１
における左側）に位置していると共に、シングルスパイ
ラルコイル４の相対的に電圧が低い領域である低電圧領
域と試料台２のガス排出部５と反対側の領域である反排
気側領域とは、チャンバー１の中心軸に対して同じ側
（図１における右側）に位置している。すなわち、第１
の直線Ｌ１が第２の直線Ｌ２に対して時計回りに回転す
る回転角度θ（図１１〜図１３を参照）は１８０度にな
っている。
パイラルコイル４の相対的に電圧が高い領域である高電
圧領域と試料台２のガス排出部５側の領域である排気側
領域とは、チャンバー１の中心軸に対して同じ側（図１
における左側）に位置していると共に、シングルスパイ
ラルコイル４の相対的に電圧が低い領域である低電圧領
域と試料台２のガス排出部５と反対側の領域である反排
気側領域とは、チャンバー１の中心軸に対して同じ側
（図１における右側）に位置している。すなわち、第１
の直線Ｌ１が第２の直線Ｌ２に対して時計回りに回転す
る回転角度θ（図１１〜図１３を参照）は１８０度にな
っている。
【００４７】従って、チャンバー１のプラズマ発生領域
におけるシングルスパイラルコイル４の高電圧領域と対
応すると共に試料台２の排気側領域と対応する領域、及
びチャンバー１のプラズマ発生領域におけるシングルス
パイラルコイル４の低電圧領域と対応すると共に試料台
２の反排気側領域と対応する領域のいずれにおいても、
反応性ラジカルの分布量は平均化されるため、チャンバ
ー１のプラズマ発生領域における反応性ラジカルの分布
量が均一になるので、試料台２に保持された半導体基板
３の被エッチング膜に対するエッチングレートは均一に
なる。
におけるシングルスパイラルコイル４の高電圧領域と対
応すると共に試料台２の排気側領域と対応する領域、及
びチャンバー１のプラズマ発生領域におけるシングルス
パイラルコイル４の低電圧領域と対応すると共に試料台
２の反排気側領域と対応する領域のいずれにおいても、
反応性ラジカルの分布量は平均化されるため、チャンバ
ー１のプラズマ発生領域における反応性ラジカルの分布
量が均一になるので、試料台２に保持された半導体基板
３の被エッチング膜に対するエッチングレートは均一に
なる。
【００４８】第１の実施形態に基づいて図１０に示した
ＡＲＣ１１に対して、［表１］に示すエッチング条件で
プラズマエッチングを行なったところ、エッチングレー
トの均一性は±１．０％であって、エッチングレートの
プラズマエッチング装置毎のばらつきはなかった。
ＡＲＣ１１に対して、［表１］に示すエッチング条件で
プラズマエッチングを行なったところ、エッチングレー
トの均一性は±１．０％であって、エッチングレートの
プラズマエッチング装置毎のばらつきはなかった。
【００４９】尚、第１の直線Ｌ１が第２の直線Ｌ２に対
して時計回りに回転する回転角度θは１８０度でなくて
もよく、図１６（ａ）に示すように回転角度θが＋１３
５度〜＋１８０度の間又は図１６（ｂ）に示すように回
転角度θが−１３５度〜−１８０度の間、つまりオーバ
ーラップ角度が１３５度〜１８０度であれば、エッチン
グレートの均一性を向上させる効果が実験により認めら
れ、回転角度θが＋１７０度〜＋１８０度の間又は−１
７０度〜−１８０度の間、つまりオーバーラップ角度が
１７０度〜１８０度であれば、エッチングレートの均一
性を向上させる効果は極めて大きいことが実験により認
められた。
して時計回りに回転する回転角度θは１８０度でなくて
もよく、図１６（ａ）に示すように回転角度θが＋１３
５度〜＋１８０度の間又は図１６（ｂ）に示すように回
転角度θが−１３５度〜−１８０度の間、つまりオーバ
ーラップ角度が１３５度〜１８０度であれば、エッチン
グレートの均一性を向上させる効果が実験により認めら
れ、回転角度θが＋１７０度〜＋１８０度の間又は−１
７０度〜−１８０度の間、つまりオーバーラップ角度が
１７０度〜１８０度であれば、エッチングレートの均一
性を向上させる効果は極めて大きいことが実験により認
められた。
【００５０】図３は、第１の実施形態に係るプラズマエ
ッチング装置におけるシングルスパイラルコイル４の第
１の具体例を示しており、シングルスパイラルコイル４
は内径３／８インチ（約０．９５ｃｍ）の銅の角パイプ
よりなり、ａ：1.2 ｃｍ、ｂ：1.3 ｃｍ、ｃ：2.5 ｃ
ｍ、ｄ：5.1 ｃｍ、ｅ：8.8 ｃｍ、ｆ：12.5ｃｍ、ｇ：
15.0ｃｍである。尚、シングルスパイラルコイル４は銅
以外の導電体により形成してもよいし、角パイプに代え
て丸パイプでもよい。
ッチング装置におけるシングルスパイラルコイル４の第
１の具体例を示しており、シングルスパイラルコイル４
は内径３／８インチ（約０．９５ｃｍ）の銅の角パイプ
よりなり、ａ：1.2 ｃｍ、ｂ：1.3 ｃｍ、ｃ：2.5 ｃ
ｍ、ｄ：5.1 ｃｍ、ｅ：8.8 ｃｍ、ｆ：12.5ｃｍ、ｇ：
15.0ｃｍである。尚、シングルスパイラルコイル４は銅
以外の導電体により形成してもよいし、角パイプに代え
て丸パイプでもよい。
【００５１】図３に示すように、シングルスパイラルコ
イル４のコイル部分４ａにおいては、高電圧領域を構成
するＡ１部分、Ａ２部分及びＡ３部分の接地電圧に対す
る各平均電位差は、低電圧領域を構成するＢ１部分、Ｂ
２部分及びＢ３部分の接地電圧に対する各平均電位差に
比べてそれぞれ大きいので、コイル部分４ａの高電圧領
域により発生する容量結合プラズマ成分によって石英板
１ａに掛かるＤＣバイアス成分及び高周波誘導電界は、
コイル部分４ａの低電圧領域により発生する容量結合プ
ラズマ成分によって石英板１ａに掛かるＤＣバイアス成
分及び高周波誘導電界よりも大きい。
イル４のコイル部分４ａにおいては、高電圧領域を構成
するＡ１部分、Ａ２部分及びＡ３部分の接地電圧に対す
る各平均電位差は、低電圧領域を構成するＢ１部分、Ｂ
２部分及びＢ３部分の接地電圧に対する各平均電位差に
比べてそれぞれ大きいので、コイル部分４ａの高電圧領
域により発生する容量結合プラズマ成分によって石英板
１ａに掛かるＤＣバイアス成分及び高周波誘導電界は、
コイル部分４ａの低電圧領域により発生する容量結合プ
ラズマ成分によって石英板１ａに掛かるＤＣバイアス成
分及び高周波誘導電界よりも大きい。
【００５２】図４は、第１の実施形態に係るプラズマエ
ッチング装置におけるシングルスパイラルコイル４の第
２の具体例を示しており、第２の具体例に係るシングル
スパイラルコイル４は第１の具体例のスパイラルコイル
４と平面構造が若干異なっている。すなわち、シングル
スパイラルコイル４は十文字状の絶縁性のコイル保持板
９に保持されており、シングルスパイラルコイル４のコ
イル部分４ａがコイル保持板９の上に絶縁体を介して載
置されていると共に、シングルスパイラルコイル４の電
源側引き出し部４ｂは、コイル部分４ａの外周端から屈
折して内側へ延びた後、コイル保持板９を下側から上側
に貫通し、その後、１２０度程度周回した後、コイル保
持板９の中央部で高周波電力供給源６に接続されてい
る。
ッチング装置におけるシングルスパイラルコイル４の第
２の具体例を示しており、第２の具体例に係るシングル
スパイラルコイル４は第１の具体例のスパイラルコイル
４と平面構造が若干異なっている。すなわち、シングル
スパイラルコイル４は十文字状の絶縁性のコイル保持板
９に保持されており、シングルスパイラルコイル４のコ
イル部分４ａがコイル保持板９の上に絶縁体を介して載
置されていると共に、シングルスパイラルコイル４の電
源側引き出し部４ｂは、コイル部分４ａの外周端から屈
折して内側へ延びた後、コイル保持板９を下側から上側
に貫通し、その後、１２０度程度周回した後、コイル保
持板９の中央部で高周波電力供給源６に接続されてい
る。
【００５３】（第２の実施形態）以下、本発明の第２の
実施形態に係るプラズマエッチング装置及びプラズマエ
ッチング方法について図５（ａ）、（ｂ）を参照しなが
ら説明する。尚、第２の実施形態においては、チャンバ
ー１の平面形状、試料台２、ガス導入部８及びガス排出
部５については、第１の実施形態と同様であるので説明
を省略する。
実施形態に係るプラズマエッチング装置及びプラズマエ
ッチング方法について図５（ａ）、（ｂ）を参照しなが
ら説明する。尚、第２の実施形態においては、チャンバ
ー１の平面形状、試料台２、ガス導入部８及びガス排出
部５については、第１の実施形態と同様であるので説明
を省略する。
【００５４】第２の実施形態の特徴として、チャンバー
１の天井部にはドーム状の石英板１ａが設けられてお
り、該ドーム状の石英板１ａの上には、試料台２と対向
するように、複数のスパイラルコイル、例えば、第１の
スパイラルコイル４Ａ、第２のスパイラルコイル４Ｂ及
び第３のスパイラルコイル４Ｃが配置されている。第１
〜第３のスパイラルコイル４Ａ〜４Ｃは、互いに１２０
度づつ円周方向にずれて並列に配置されていると共に約
１．２５周分の長さをそれぞれ有している。
１の天井部にはドーム状の石英板１ａが設けられてお
り、該ドーム状の石英板１ａの上には、試料台２と対向
するように、複数のスパイラルコイル、例えば、第１の
スパイラルコイル４Ａ、第２のスパイラルコイル４Ｂ及
び第３のスパイラルコイル４Ｃが配置されている。第１
〜第３のスパイラルコイル４Ａ〜４Ｃは、互いに１２０
度づつ円周方向にずれて並列に配置されていると共に約
１．２５周分の長さをそれぞれ有している。
【００５５】第２の実施形態のように、複数のスパイラ
ルコイルが並列に配置された構造を有する場合には、最
大のコイル長を有する最外周の第１のスパイラルコイル
４Ａの高電圧領域と試料台２の排気側領域とがチャンバ
ー１の中心軸に対して同じ側に位置していると共に、第
１のスパイラルコイル４Ａの低電圧領域と試料台２の反
排気側領域がチャンバー１の中心軸に対して同じ側に位
置しているときに、チャンバー１のプラズマ発生領域に
おける反応性ラジカルの分布量が均一になって、試料台
２に保持された半導体基板３の被エッチング膜に対する
エッチングレートは均一になる。
ルコイルが並列に配置された構造を有する場合には、最
大のコイル長を有する最外周の第１のスパイラルコイル
４Ａの高電圧領域と試料台２の排気側領域とがチャンバ
ー１の中心軸に対して同じ側に位置していると共に、第
１のスパイラルコイル４Ａの低電圧領域と試料台２の反
排気側領域がチャンバー１の中心軸に対して同じ側に位
置しているときに、チャンバー１のプラズマ発生領域に
おける反応性ラジカルの分布量が均一になって、試料台
２に保持された半導体基板３の被エッチング膜に対する
エッチングレートは均一になる。
【００５６】以下、第１の実施形態及び第２の実施形態
に係るプラズマエッチング方法における、エッチングレ
ートの均一性の高電圧領域と排気側領域とのオーバーラ
ップ角度に対する依存性について図６を参照しながら説
明する。
に係るプラズマエッチング方法における、エッチングレ
ートの均一性の高電圧領域と排気側領域とのオーバーラ
ップ角度に対する依存性について図６を参照しながら説
明する。
【００５７】図６は、第１の実施形態に係るプラズマエ
ッチング方法（平板状シングルスパイラルコイル型ＩＣ
Ｐ）及び第２の実施形態に係るプラズマエッチング方法
（ドーム状３分割スパイラルコイル型ＩＣＰ）におけ
る、エッチングレートの均一性とオーバーラップ角度と
の関係を示しており、プラズマエッチング処理の処理条
件は［表４］に示すとおりである。［表４］において、
ＩＣＰとはシングルスパイラルコイル４又は第１〜第３
のスパイラルコイル４Ａ〜４Ｃに印加される高周波電力
を示し、ＲＦとは試料台２に印加される高周波電力を示
している。
ッチング方法（平板状シングルスパイラルコイル型ＩＣ
Ｐ）及び第２の実施形態に係るプラズマエッチング方法
（ドーム状３分割スパイラルコイル型ＩＣＰ）におけ
る、エッチングレートの均一性とオーバーラップ角度と
の関係を示しており、プラズマエッチング処理の処理条
件は［表４］に示すとおりである。［表４］において、
ＩＣＰとはシングルスパイラルコイル４又は第１〜第３
のスパイラルコイル４Ａ〜４Ｃに印加される高周波電力
を示し、ＲＦとは試料台２に印加される高周波電力を示
している。
【００５８】
【表４】
【００５９】図６に示すように、オーバーラップ角度が
１８０度に近づくにつれて、エッチングレートの均一性
が向上することが分かる。
１８０度に近づくにつれて、エッチングレートの均一性
が向上することが分かる。
【００６０】オーバーラップ角度が１８０度に近づくに
つれてエッチングレートの均一性が向上する理由は、前
述したように、チャンバー１のプラズマ発生領域におけ
るシングルスパイラルコイル４又は第１〜第３のスパイ
ラルコイル４Ａ〜４Ｃの高電圧領域（又は低電圧領域）
と試料台２の排気側領域（又は反排気側領域）とが一致
しているため、チャンバー１のプラズマ発生領域におけ
る反応性ラジカルの分布量が均一になるので、試料台２
に保持された半導体基板３の被エッチング膜に対するエ
ッチングレートが均一になるためである。
つれてエッチングレートの均一性が向上する理由は、前
述したように、チャンバー１のプラズマ発生領域におけ
るシングルスパイラルコイル４又は第１〜第３のスパイ
ラルコイル４Ａ〜４Ｃの高電圧領域（又は低電圧領域）
と試料台２の排気側領域（又は反排気側領域）とが一致
しているため、チャンバー１のプラズマ発生領域におけ
る反応性ラジカルの分布量が均一になるので、試料台２
に保持された半導体基板３の被エッチング膜に対するエ
ッチングレートが均一になるためである。
【００６１】（第３の実施形態）以下、本発明の第３の
実施形態に係るプラズマエッチング装置及びプラズマエ
ッチング方法について、図１（ａ）、（ｂ）、図７及び
図１８（ｂ）を参照しながら説明する。
実施形態に係るプラズマエッチング装置及びプラズマエ
ッチング方法について、図１（ａ）、（ｂ）、図７及び
図１８（ｂ）を参照しながら説明する。
【００６２】第３の実施形態は、第１の実施形態に係る
プラズマエッチング装置を用いて、図１８（ｂ）に示す
ような、半導体基板１０の上にシリコン酸化膜１２を介
して堆積されたポリシリコン膜１３に対してドライエッ
チングを行なう場合における、エッチングレートの均一
性の高電圧領域と排気側領域とのオーバーラップ角度
（回転角度θ）に対する依存性についての考察である。
ドライエッチングのプロセス条件は［表５］に示すとお
りであって、［表５］において、ＩＣＰとはシングルス
パイラルコイル４に印加される高周波電力（以下、ＩＣ
Ｐ電力と称する。）を示し、ＲＦとは試料台２に印加さ
れる高周波電力（以下、ＲＦ電力と称する。）を示し、
ｘはＩＣＰ電力の大きさを示している。
プラズマエッチング装置を用いて、図１８（ｂ）に示す
ような、半導体基板１０の上にシリコン酸化膜１２を介
して堆積されたポリシリコン膜１３に対してドライエッ
チングを行なう場合における、エッチングレートの均一
性の高電圧領域と排気側領域とのオーバーラップ角度
（回転角度θ）に対する依存性についての考察である。
ドライエッチングのプロセス条件は［表５］に示すとお
りであって、［表５］において、ＩＣＰとはシングルス
パイラルコイル４に印加される高周波電力（以下、ＩＣ
Ｐ電力と称する。）を示し、ＲＦとは試料台２に印加さ
れる高周波電力（以下、ＲＦ電力と称する。）を示し、
ｘはＩＣＰ電力の大きさを示している。
【００６３】
【表５】
【００６４】図７は、ＲＦ電力を１００（Ｗ）に固定し
た状態でＩＣＰ電力（ｘ）を１００、２５０、４００
（Ｗ）と変化させた場合における、エッチングレートの
均一性の高電圧領域と排気側領域とのオーバーラップ角
度に対する依存性を示している。図７から分かるよう
に、高電圧領域と排気側領域とのオーバーラップ角度が
１８０度に近くなるほど、エッチングレートの均一性が
小さくなると共に、ＩＣＰ電力が大きいほど、つまりＲ
Ｆ電力に対するＩＣＰ電力の割合が大きいほど、エッチ
ングレート均一性のオーバーラップ角度に対する依存性
が大きくなる。この理由は、ＲＦ電力に対するＩＣＰ電
力の割合が大きいほど、チャンバー１のプラズマ発生領
域に存在するプラズマの量が多くなり、これに伴って、
プラズマ中のラジカルの分布状態がエッチングレートの
均一性に及ぼす影響が大きくなるためである。
た状態でＩＣＰ電力（ｘ）を１００、２５０、４００
（Ｗ）と変化させた場合における、エッチングレートの
均一性の高電圧領域と排気側領域とのオーバーラップ角
度に対する依存性を示している。図７から分かるよう
に、高電圧領域と排気側領域とのオーバーラップ角度が
１８０度に近くなるほど、エッチングレートの均一性が
小さくなると共に、ＩＣＰ電力が大きいほど、つまりＲ
Ｆ電力に対するＩＣＰ電力の割合が大きいほど、エッチ
ングレート均一性のオーバーラップ角度に対する依存性
が大きくなる。この理由は、ＲＦ電力に対するＩＣＰ電
力の割合が大きいほど、チャンバー１のプラズマ発生領
域に存在するプラズマの量が多くなり、これに伴って、
プラズマ中のラジカルの分布状態がエッチングレートの
均一性に及ぼす影響が大きくなるためである。
【００６５】（第４の実施形態）以下、本発明の第４の
実施形態に係るプラズマエッチング装置及びプラズマエ
ッチング方法について、図１（ａ）、（ｂ）、図８及び
図１８（ｃ）を参照しながら説明する。
実施形態に係るプラズマエッチング装置及びプラズマエ
ッチング方法について、図１（ａ）、（ｂ）、図８及び
図１８（ｃ）を参照しながら説明する。
【００６６】第４の実施形態は、第１の実施形態に係る
プラズマエッチング装置を用いて、図１８（ｃ）に示す
ような、半導体基板１０の上にシリコン酸化膜１２を介
して堆積されたタングステンシリコン膜１４に対してド
ライエッチングを行なう場合における、エッチングレー
トの均一性の高電圧領域と排気側領域とのオーバーラッ
プ角度（回転角度θ）に対する依存性についての考察で
ある。ドライエッチングのプロセス条件は［表６］に示
すとおりであって、［表６］において、ＩＣＰ及びＲＦ
の意味は［表５］と同じであり、ｙはチャンバー１内の
圧力である。
プラズマエッチング装置を用いて、図１８（ｃ）に示す
ような、半導体基板１０の上にシリコン酸化膜１２を介
して堆積されたタングステンシリコン膜１４に対してド
ライエッチングを行なう場合における、エッチングレー
トの均一性の高電圧領域と排気側領域とのオーバーラッ
プ角度（回転角度θ）に対する依存性についての考察で
ある。ドライエッチングのプロセス条件は［表６］に示
すとおりであって、［表６］において、ＩＣＰ及びＲＦ
の意味は［表５］と同じであり、ｙはチャンバー１内の
圧力である。
【００６７】
【表６】
【００６８】図８は、チャンバー１内の中央部（排気側
領域と反排気側領域との境界近傍）の圧力を５、１０、
３０（ｍＴｏｒｒ）と変化させた場合における、エッチ
ングレートの均一性の高電圧領域と排気側領域とのオー
バーラップ角度に対する依存性を示している。図８から
分かるように、高電圧領域と排気側領域とのオーバーラ
ップ角度が１８０度に近くなるほど、エッチングレート
の均一性が小さくなると共に、チャンバー１内の圧力が
小さいほど、エッチングレート均一性のオーバーラップ
角度に対する依存性が大きくなる。この理由は、チャン
バー１内の圧力が小さいほど、つまりチャンバー１のプ
ラズマ発生領域に存在するプラズマの量が少ないほど、
プラズマ中のラジカルの平均自由行程が長くなるので、
プラズマ中のラジカルの分布状態がエッチングレートの
均一性に及ぼす影響が大きくなるためである。
領域と反排気側領域との境界近傍）の圧力を５、１０、
３０（ｍＴｏｒｒ）と変化させた場合における、エッチ
ングレートの均一性の高電圧領域と排気側領域とのオー
バーラップ角度に対する依存性を示している。図８から
分かるように、高電圧領域と排気側領域とのオーバーラ
ップ角度が１８０度に近くなるほど、エッチングレート
の均一性が小さくなると共に、チャンバー１内の圧力が
小さいほど、エッチングレート均一性のオーバーラップ
角度に対する依存性が大きくなる。この理由は、チャン
バー１内の圧力が小さいほど、つまりチャンバー１のプ
ラズマ発生領域に存在するプラズマの量が少ないほど、
プラズマ中のラジカルの平均自由行程が長くなるので、
プラズマ中のラジカルの分布状態がエッチングレートの
均一性に及ぼす影響が大きくなるためである。
【００６９】（第５の実施形態）以下、本発明の第５の
実施形態に係るプラズマエッチング装置及びプラズマエ
ッチング方法について図９（ａ）、（ｂ）を参照しなが
ら説明するが、第１の実施形態と同一の部材については
同一の符号を付すことにより説明を省略する。
実施形態に係るプラズマエッチング装置及びプラズマエ
ッチング方法について図９（ａ）、（ｂ）を参照しなが
ら説明するが、第１の実施形態と同一の部材については
同一の符号を付すことにより説明を省略する。
【００７０】第５の実施形態の特徴として、シングルス
パイラルコイル４の相対的に電圧が低い領域である低電
圧領域と試料台２のガス排出部５側の領域である排気側
領域とは、チャンバー１の中心軸に対して同じ側（図９
における左側）に位置していると共に、シングルスパイ
ラルコイル４の相対的に電圧が高い領域である高電圧領
域と試料台２のガス排出部５と反対側の領域である反排
気側領域とは、チャンバー１の中心軸に対して同じ側
（図９における右側）に位置している。すなわち、第１
の直線Ｌ１が第２の直線Ｌ２に対して時計回りに回転す
る回転角度θ（図１１〜図１３を参照）は０度になって
いる。
パイラルコイル４の相対的に電圧が低い領域である低電
圧領域と試料台２のガス排出部５側の領域である排気側
領域とは、チャンバー１の中心軸に対して同じ側（図９
における左側）に位置していると共に、シングルスパイ
ラルコイル４の相対的に電圧が高い領域である高電圧領
域と試料台２のガス排出部５と反対側の領域である反排
気側領域とは、チャンバー１の中心軸に対して同じ側
（図９における右側）に位置している。すなわち、第１
の直線Ｌ１が第２の直線Ｌ２に対して時計回りに回転す
る回転角度θ（図１１〜図１３を参照）は０度になって
いる。
【００７１】従って、チャンバー１のプラズマ発生領域
におけるシングルスパイラルコイル４の低電圧領域と対
応すると共に試料台２の排気側領域と対応する領域は反
応性ラジカルの分布量が少ない一方、チャンバー１のプ
ラズマ発生領域におけるシングルスパイラルコイル４の
高電圧領域と対応すると共に試料台２の反排気側領域と
対応する領域は反応性ラジカルの分布量は多くなる。従
って、チャンバー１のプラズマ発生領域における反応性
ラジカルの分布量は均一にならないので、試料台２に保
持された半導体基板３の被エッチング膜に対するエッチ
ングレートも均一にはならず、チャンバー１のプラズマ
発生領域におけるシングルスパイラルコイル４の低電圧
領域及び試料台２の排気側領域と対応する領域はエッチ
ングレートは小さい一方、チャンバー１のプラズマ発生
領域におけるシングルスパイラルコイル４の高電圧領域
及び試料台２の反排気側領域と対応する領域はエッチン
グレートは大きい。すなわち、試料台２に保持された半
導体基板３の被エッチング膜に対するエッチングレート
は均一にはならないが、エッチングレートのプラズマエ
ッチング装置毎のばらつきは低減する。
におけるシングルスパイラルコイル４の低電圧領域と対
応すると共に試料台２の排気側領域と対応する領域は反
応性ラジカルの分布量が少ない一方、チャンバー１のプ
ラズマ発生領域におけるシングルスパイラルコイル４の
高電圧領域と対応すると共に試料台２の反排気側領域と
対応する領域は反応性ラジカルの分布量は多くなる。従
って、チャンバー１のプラズマ発生領域における反応性
ラジカルの分布量は均一にならないので、試料台２に保
持された半導体基板３の被エッチング膜に対するエッチ
ングレートも均一にはならず、チャンバー１のプラズマ
発生領域におけるシングルスパイラルコイル４の低電圧
領域及び試料台２の排気側領域と対応する領域はエッチ
ングレートは小さい一方、チャンバー１のプラズマ発生
領域におけるシングルスパイラルコイル４の高電圧領域
及び試料台２の反排気側領域と対応する領域はエッチン
グレートは大きい。すなわち、試料台２に保持された半
導体基板３の被エッチング膜に対するエッチングレート
は均一にはならないが、エッチングレートのプラズマエ
ッチング装置毎のばらつきは低減する。
【００７２】第５の実施形態に基づいて図１８（ａ）に
示したＡＲＣ１１に対して、［表１］に示すエッチング
条件でプラズマエッチングを行なったところ、エッチン
グレートの均一性は±７．８％であったが、エッチング
レートのプラズマエッチング装置毎のばらつきはなかっ
た。
示したＡＲＣ１１に対して、［表１］に示すエッチング
条件でプラズマエッチングを行なったところ、エッチン
グレートの均一性は±７．８％であったが、エッチング
レートのプラズマエッチング装置毎のばらつきはなかっ
た。
【００７３】尚、前記各実施形態においては、被エッチ
ング膜の種類は特に問題にならず、ＡＲＣ、レジスト
膜、シリコン系膜、窒化膜、メタル合金膜又は強誘電体
膜等のいずれの膜であっても同様の効果が得られること
は言うまでもない。
ング膜の種類は特に問題にならず、ＡＲＣ、レジスト
膜、シリコン系膜、窒化膜、メタル合金膜又は強誘電体
膜等のいずれの膜であっても同様の効果が得られること
は言うまでもない。
【００７４】
【発明の効果】本発明のプラズマエッチング装置又はプ
ラズマエッチング方法によると、チャンバーのプラズマ
発生領域におけるスパイラルコイルの高電圧領域と対応
すると共に試料台の排気側領域と対応する領域、及びチ
ャンバーのプラズマ発生領域におけるスパイラルコイル
の低電圧領域と対応すると共に試料台の反排気側領域と
対応する領域のいずれにおいても、反応性ラジカルの分
布量は平均化されるため、チャンバーのプラズマ発生領
域における反応性ラジカルの分布量が均一になるので、
試料台に保持される基板の被エッチング膜に対するエッ
チングレートは、被エッチング膜の面内において均一に
なると共にプラズマエッチング装置間におけるエッチン
グレートの面内均一性はばらつかない。
ラズマエッチング方法によると、チャンバーのプラズマ
発生領域におけるスパイラルコイルの高電圧領域と対応
すると共に試料台の排気側領域と対応する領域、及びチ
ャンバーのプラズマ発生領域におけるスパイラルコイル
の低電圧領域と対応すると共に試料台の反排気側領域と
対応する領域のいずれにおいても、反応性ラジカルの分
布量は平均化されるため、チャンバーのプラズマ発生領
域における反応性ラジカルの分布量が均一になるので、
試料台に保持される基板の被エッチング膜に対するエッ
チングレートは、被エッチング膜の面内において均一に
なると共にプラズマエッチング装置間におけるエッチン
グレートの面内均一性はばらつかない。
【図１】（ａ）、（ｂ）は本発明の第１の実施形態に係
るプラズマエッチング装置を示し、（ａ）はシングルス
パイラルコイルの概略平面図であって、（ｂ）はプラズ
マエッチング装置の概略断面図である。
るプラズマエッチング装置を示し、（ａ）はシングルス
パイラルコイルの概略平面図であって、（ｂ）はプラズ
マエッチング装置の概略断面図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係るプラズマエッチ
ング装置のチャンバーの概略平面図である。
ング装置のチャンバーの概略平面図である。
【図３】 本発明の第１の実施形態に係るプラズマエッ
チング装置のシングルスパイラルコイルの第１の具体例
を示す平面図である。
チング装置のシングルスパイラルコイルの第１の具体例
を示す平面図である。
【図４】 本発明の第１の実施形態に係るプラズマエッ
チング装置のシングルスパイラルコイルの第２の具体例
を示す平面図である。
チング装置のシングルスパイラルコイルの第２の具体例
を示す平面図である。
【図５】 （ａ）、（ｂ）は本発明の第２の実施形態に
係るプラズマエッチング装置のスパイラルコイルを示
し、（ａ）は平面図であって、（ｂ）は断面図である。
係るプラズマエッチング装置のスパイラルコイルを示
し、（ａ）は平面図であって、（ｂ）は断面図である。
【図６】 本発明の第１の実施形態及び第２の実施形態
に係るプラズマエッチング方法における、エッチングレ
ートの均一性とオーバーラップ角度との関係を示す図で
ある。
に係るプラズマエッチング方法における、エッチングレ
ートの均一性とオーバーラップ角度との関係を示す図で
ある。
【図７】 本発明の第３の実施形態に係るプラズマエッ
チング方法における、エッチングレートの均一性とオー
バーラップ角度との関係を示す図である。
チング方法における、エッチングレートの均一性とオー
バーラップ角度との関係を示す図である。
【図８】 本発明の第４の実施形態に係るプラズマエッ
チング方法における、エッチングレートの均一性とオー
バーラップ角度との関係を示す図である。
チング方法における、エッチングレートの均一性とオー
バーラップ角度との関係を示す図である。
【図９】（ａ）、（ｂ）は本発明の第５の実施形態に係
るプラズマエッチング装置を示し、（ａ）はシングルス
パイラルコイルの概略平面図であって、（ｂ）はプラズ
マエッチング装置の概略断面図である。
るプラズマエッチング装置を示し、（ａ）はシングルス
パイラルコイルの概略平面図であって、（ｂ）はプラズ
マエッチング装置の概略断面図である。
【図１０】従来のプラズマエッチング装置の概略断面図
である。
である。
【図１１】本発明に係るプラズマエッチング装置のシン
グルスパイラルコイルの低電圧領域及び高電圧領域を説
明する平面図である。
グルスパイラルコイルの低電圧領域及び高電圧領域を説
明する平面図である。
【図１２】本発明に係るプラズマエッチング装置の試料
台の排気側領域及び反排気側領域を説明する平面図であ
る。
台の排気側領域及び反排気側領域を説明する平面図であ
る。
【図１３】本発明に係るプラズマエッチング装置におい
て、シングルスパイラルコイルの低電圧領域と高電圧領
域とを分ける第１の直線が試料台の排気側領域と反排気
側領域とを分ける第２の直線に対して回転する回転角度
を説明する図である。
て、シングルスパイラルコイルの低電圧領域と高電圧領
域とを分ける第１の直線が試料台の排気側領域と反排気
側領域とを分ける第２の直線に対して回転する回転角度
を説明する図である。
【図１４】（ａ）は、本発明に係るプラズマエッチング
装置における試料台の排気側領域及び反排気側領域の反
応性ラジカルの分布を説明する図であり、（ｂ）は、本
発明に係るプラズマエッチング装置におけるシングルス
パイラルコイルの低電圧領域及び高電圧領域の反応性ラ
ジカルの分布を説明する図である。
装置における試料台の排気側領域及び反排気側領域の反
応性ラジカルの分布を説明する図であり、（ｂ）は、本
発明に係るプラズマエッチング装置におけるシングルス
パイラルコイルの低電圧領域及び高電圧領域の反応性ラ
ジカルの分布を説明する図である。
【図１５】（ａ）は、本発明に係るプラズマエッチング
装置における排気側領域且つ高電圧領域及び反排気側領
域且つ低電圧領域の反応性ラジカルの分布を説明する図
であり、（ｂ）は、本発明に係るプラズマエッチング装
置における排気側領域且つ低電圧領域及び反排気側領域
且つ高電圧領域の反応性ラジカルの分布を説明する図で
ある。
装置における排気側領域且つ高電圧領域及び反排気側領
域且つ低電圧領域の反応性ラジカルの分布を説明する図
であり、（ｂ）は、本発明に係るプラズマエッチング装
置における排気側領域且つ低電圧領域及び反排気側領域
且つ高電圧領域の反応性ラジカルの分布を説明する図で
ある。
【図１６】 （ａ）及び（ｂ）は本発明の各実施形態に
おいて、スパイラルコイルの高電圧領域と試料台の排気
側領域とがチャンバーの中心軸に対してほぼ同じ側に位
置する条件を示す図である。
おいて、スパイラルコイルの高電圧領域と試料台の排気
側領域とがチャンバーの中心軸に対してほぼ同じ側に位
置する条件を示す図である。
【図１７】 本発明及び従来のプラズマエッチング装置
を用いてプラズマエッチングを行なう場合のエッチング
レートの均一性の定義を説明する図である。
を用いてプラズマエッチングを行なう場合のエッチング
レートの均一性の定義を説明する図である。
【図１８】（ａ）〜（ｃ）は、本発明及び従来のプラズ
マエッチング方法の対象となる被エッチング膜を説明す
る断面図である。
マエッチング方法の対象となる被エッチング膜を説明す
る断面図である。
１ チャンバー １ａ 石英板 ２ 試料台 ３ 半導体基板 ４ シングルスパイラルコイル ４ａ コイル部分 ４ｂ 電源側引き出し部 ４ｃ 接地側引き出し部 ４Ａ 第１のスパイラルコイル ４Ｂ 第２のスパイラルコイル ４Ｃ 第３のスパイラルコイル ５ ガス排出部 ６ 高周波電力供給源 ７ 接地源 ８ ガス導入部 １０ 半導体基板 １１ ＡＲＣ １２ シリコン酸化膜 １３ ポリシリコン膜 １４ タングステンシリコン膜 Ｌ１ 第１の直線 Ｌ２ 第２の直線 θ 回転角度
Claims (8)
- 【請求項１】 チャンバーと、前記チャンバーに設けら
れ前記チャンバー内にエッチングガスを導入するガス導
入部と、前記チャンバーの側部に設けられ前記チャンバ
ー内のガスを排出するガス排出部と、前記チャンバーの
内部に設けられた試料台と、前記チャンバーの外部に前
記試料台と対向するように設けられ高周波誘導電界によ
りプラズマを発生させるスパイラルコイルとを備えたプ
ラズマエッチング装置において、 前記スパイラルコイルの高電圧領域と前記試料台の排気
側領域とは前記チャンバーの中心軸に対して同じ側に位
置し、オーバーラップ角度は、１３５〜１８０度である
ことを特徴とするプラズマエッチング装置。 - 【請求項２】 前記スパイラルコイルは、平面形状又は
ドーム形状を有するシングルスパイラルコイルであるこ
とを特徴とする請求項１に記載のプラズマエッチング装
置。 - 【請求項３】 前記スパイラルコイルは、互いに並列に
配置された複数のスパイラルコイルのうち最大の長さを
有するスパイラルコイルであることを特徴とする請求項
１に記載のプラズマエッチング装置。 - 【請求項４】 前記スパイラルコイルに印加される高周
波電力は前記試料台に印加される高周波電力よりも大き
いことを特徴とする請求項１に記載のプラズマエッチン
グ装置。 - 【請求項５】 チャンバー内に導入されたエッチングガ
スを、前記チャンバー内の試料台と対向するように設け
られたスパイラルコイルに発生する高周波誘導電界によ
ってプラズマ化するプラズマ発生工程と、プラズマ化し
た前記エッチングガスを前記試料台に保持された基板の
被エッチング膜に導いて該被エッチング膜をエッチング
するエッチング工程と、前記チャンバー内のガスを前記
チャンバーの側壁に設けられたガス排出部から排出する
ガス排出工程とを備えたプラズマエッチング方法におい
て、 前記エッチング工程は、前記スパイラルコイルの高電圧
領域と前記試料台の排気側領域とを前記チャンバーの中
心軸に対して同じ側であり、オーバーラップ角度が１３
５〜１８０度になるように位置させた状態で、プラズマ
化した前記エッチングガスを前記被エッチング膜に導い
て該被エッチング膜をエッチングする工程を含むことを
特徴とするプラズマエッチング方法。 - 【請求項６】 前記スパイラルコイルに印加される高周
波電力は前記試料台に印加される高周波電力よりも大き
いことを特徴とする請求項５に記載のプラズマエッチン
グ方法。 - 【請求項７】 前記被エッチング膜は有機膜であること
を特徴とする請求項５に記載のプラズマエッチング方
法。 - 【請求項８】 前記被エッチング膜は有機系反射防止膜
又はレジスト膜であることを特徴とする請求項５に記載
のプラズマエッチング方法。
Priority Applications (3)
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|---|---|---|---|
| JP10091132A JP2972707B1 (ja) | 1998-02-26 | 1998-04-03 | プラズマエッチング装置及びプラズマエッチング方法 |
| US09/201,826 US6274502B1 (en) | 1998-02-26 | 1998-12-01 | Method for plasma etching |
| US09/892,723 US6409877B1 (en) | 1998-02-26 | 2001-06-28 | Apparatus and method for plasma etching |
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|---|---|---|---|
| JP4481798 | 1998-02-26 | ||
| JP10-44817 | 1998-02-26 | ||
| JP10091132A JP2972707B1 (ja) | 1998-02-26 | 1998-04-03 | プラズマエッチング装置及びプラズマエッチング方法 |
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-
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- 2001-06-28 US US09/892,723 patent/US6409877B1/en not_active Expired - Fee Related
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