CN109427527B - 一种等离子体刻蚀设备及用于该设备的喷头 - Google Patents

一种等离子体刻蚀设备及用于该设备的喷头 Download PDF

Info

Publication number
CN109427527B
CN109427527B CN201710736191.1A CN201710736191A CN109427527B CN 109427527 B CN109427527 B CN 109427527B CN 201710736191 A CN201710736191 A CN 201710736191A CN 109427527 B CN109427527 B CN 109427527B
Authority
CN
China
Prior art keywords
plug
plasma etching
protective coating
air hole
etching apparatus
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201710736191.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN109427527A (zh
Inventor
杨金全
徐朝阳
雷仲礼
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Advanced Micro Fabrication Equipment Inc Shanghai
Original Assignee
Advanced Micro Fabrication Equipment Inc Shanghai
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Advanced Micro Fabrication Equipment Inc Shanghai filed Critical Advanced Micro Fabrication Equipment Inc Shanghai
Priority to CN201710736191.1A priority Critical patent/CN109427527B/zh
Publication of CN109427527A publication Critical patent/CN109427527A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN109427527B publication Critical patent/CN109427527B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32458—Vessel
    • H01J37/32477—Vessel characterised by the means for protecting vessels or internal parts, e.g. coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32458—Vessel
    • H01J37/32477—Vessel characterised by the means for protecting vessels or internal parts, e.g. coatings
    • H01J37/32495—Means for protecting the vessel against plasma

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)

Abstract

本发明公开了一种等离子体刻蚀设备及用于该设备的喷头。该喷头设置在等离子体刻蚀设备中的反应腔室的上部，包含：喷头本体；设置在喷头本体上的多个气孔，其内形成有台阶，台阶上方气孔具有第一内壁，台阶下方气孔具有第二内壁；设置在气孔内且与气孔形状匹配的塞子，其内设置有通孔，所述通孔的直径小于1mm；设置在喷头本体表面及气孔第一、第二内壁上的第一保护涂层，及，设置在喷头本体下部表面及气孔第二内壁的第一保护涂层上的第二保护涂层；所述塞子与气孔第一内壁之间设置有间隙，用于防止高温时塞子膨胀破裂；所述塞子的材质为具有防刻蚀气体及等离子体腐蚀的材料。本发明利用增加塞子的方式解决了气孔内壁无法保证保护涂层厚度的问题。

Description

一种等离子体刻蚀设备及用于该设备的喷头
技术领域
本发明涉及等离子体刻蚀技术领域，具体涉及一种等离子体刻蚀设备及用于该设备的喷头。
背景技术
等离子体刻蚀技术已广泛应用于各种工业领域当中，特别是已成为集成电路制造中的关键制造工艺之一。该技术的常用手段是首先将刻蚀气体,如：氯气(Cl2)和溴化氢气体(HBr)，通过设置在等离子体刻蚀设备中的反应腔室上的喷头进入反应腔室，然后使用射频激发刻蚀气体，发生电离反应而形成等离子体，等离子体与被加工物体表面发生进一步反应，最终形成挥发性的反应物，而该反应物脱离被加工物体表面后，由真空系统将其抽出反应腔室。
由于刻蚀气体及其电离反应后产生的等离子体具有强腐蚀性的特点，因而在等离子体刻蚀过程中刻蚀气体及等离子体不能直接与裸铝，硅及碳化硅等用作喷头制作的材料接触，因此只能选用铝材加保护涂层的方式来制作喷头。此外，为了防止反应腔室内的等离子体从喷头中穿出反应腔室，因此喷头的气孔直径必须要做得比较小，例如选择0.5mm的气孔直径。但是目前制作保护涂层所采用的阳极氧化方法无法保证0.5mm直径喷头气孔内壁的保护涂层的厚度，从而无法实现喷头防腐蚀的效果。
发明内容
本发明的目的是提供一种等离子体刻蚀设备及用于该设备的喷头，利用增加塞子的方式来解决气孔内壁无法保证保护涂层厚度的问题。
为达到上述目的，本发明提供了一种用于等离子体刻蚀设备的喷头，其设置在等离子体刻蚀设备中的反应腔室的上部，包含：
喷头本体；
设置在喷头本体上的多个气孔，其内形成有台阶，台阶上方气孔具有第一内壁，台阶下方气孔具有第二内壁；
设置在气孔内且与气孔形状匹配的塞子，其内设置有通孔，所述通孔的直径小于1mm；
设置在喷头本体表面及气孔第一、第二内壁上的第一保护涂层，及，
设置在喷头本体下部表面及气孔第二内壁的第一保护涂层上的第二保护涂层；
所述塞子与气孔第一内壁之间设置有间隙，用于防止高温时塞子膨胀破裂；
所述塞子的材质为具有防刻蚀气体及等离子体腐蚀的材料；
所述塞子的下端具有向内的倾角，且塞子的底面高于所述喷头本体下部表面，用于防止插入塞子时破坏所述第二保护涂层。
上述的用于等离子体刻蚀设备的喷头，其中，所述喷头本体的材质为铝(Al)、硅(Si)和碳化硅(SiC)中的一种。
上述的用于等离子体刻蚀设备的喷头，其中，所述气孔由直径不同的上部圆柱形和下部圆柱形组成，所述上部圆柱形和下部圆柱形之间形成台阶。
上述的用于等离子体刻蚀设备的喷头，其中，所述台阶上设置有胶水，用于固定塞子。
上述的用于等离子体刻蚀设备的喷头，其中，所述塞子的材质为聚酰亚胺和陶瓷中的一种。
上述的用于等离子体刻蚀设备的喷头，其中，所述倾角为1-3°。
上述的用于等离子体刻蚀设备的喷头，其中，所述通孔的直径为0.4-0.6mm。
上述的用于等离子体刻蚀设备的喷头，其中，所述第一保护涂层为氧化铝(Al2O3)涂层。
上述的用于等离子体刻蚀设备的喷头，其中，所述第二保护涂层为氧化钇(Y2O3)涂层。
本发明还提供了一种等离子体刻蚀设备，其中，在等离子体刻蚀设备中的反应腔室的上部设置有上述的用于等离子体刻蚀设备的喷头。
本发明相对于现有技术具有以下有益效果：
本发明利用增加具有防刻蚀气体及等离子体腐蚀的塞子的方式解决了气孔内壁无法保证保护涂层厚度的问题。同时，塞子与气孔第一内壁之间设置有间隙，可以防止高温的时候塞子膨胀被挤破裂。喷头本体或者塞子可以根据使用情况随时更换，实现节约使用成本的目的。此外，利用氧化铝涂层和氧化钇涂层的结合保护喷头本体，可以延长喷头本体的使用寿命。
附图说明
图1为本发明用于等离子体刻蚀设备的喷头的截面示意图；
图2为本发明用于等离子体刻蚀设备的喷头的气孔及塞子的放大示意图；
图3为图2的局部放大示意图。
具体实施方式
以下结合附图通过具体实施例对本发明作进一步的描述，这些实施例仅用于说明本发明，并不是对本发明保护范围的限制。
如图1和图2所示，本发明所提供的用于等离子体刻蚀设备的喷头设置于等离子体刻蚀设备中的反应腔室的上部，该喷头的下部与等离子体直接接触。该喷头包含：喷头本体1；设置在喷头本体1上的多个气孔4，其内形成有台阶7，台阶7上方气孔4具有第一内壁8，台阶7下方气孔4具有第二内壁9；设置在气孔4内且与气孔4形状匹配的塞子5，其内设置有直径小于1mm的通孔6，目的是防止反应腔室内的等离子体从喷头中穿出反应腔室。优选地，通孔6的直径可以为0.4-0.6mm；设置在喷头本体1表面及气孔4第一内壁8、第二内壁9上的第一保护涂层2，及，设置在喷头本体1下部表面及气孔4第二内壁9的第一保护涂层2上的第二保护涂层3。
上述喷头本体1的材质可以为铝、硅和碳化硅中的一种。上述第一保护涂层2和第二保护涂层3分别为Al2O3涂层和Y2O3涂层。Al2O3涂层采用草酸阳极氧化法制备。Y2O3涂层具有更加稳定的耐等离子蚀刻性能，可以延长喷头的使用寿命。上述气孔4由直径不同的上部圆柱形和下部圆柱形组成，所述上部圆柱形和下部圆柱形之间形成台阶7。上部圆柱形和下部圆柱形的直径分别为2.5-3.5mm和1.5-2.5mm。与现有技术相比，增大气孔4的直径目的是保证气孔4内壁上的保护涂层可以实现厚度均匀。上述第二保护涂层3在气孔4内仅设置于下部圆柱形的内壁上的第一保护涂层2上。上述塞子5的材质为具有防刻蚀气体及等离子体腐蚀的材料，其可以为聚酰亚胺和陶瓷中的一种。上述台阶7上设置有胶水，用于胶粘固定塞子5，同时这些胶水还能够实现气密功能，防止刻蚀气体经过上部圆柱形侧壁的缝隙向下经过台阶7最终到达下部圆柱形侧壁。减少了气流干扰的同时也减少了刻蚀气体对气孔4内壁Al2O3涂层的腐蚀机会。由于塞子5所使用材料的热膨胀系数比喷头本体1材料的热膨胀系数大，所以上述塞子5与气孔4第一内壁8之间设置有0.05-0.15mm的间隙，用于防止高温时塞子5膨胀破裂。
如图3所示，喷头本体1的底面在进行第二保护涂层3的喷涂过程中，第二保护涂层3材料除了会在喷头本体1底面形成均匀的第二保护层3a外，也会在气孔4第二内壁9上形成不均匀的第二保护涂层材料3c，第二保护涂层材料3c的厚度从下到上逐渐减小，而且喷头本体1上大量气孔4中每个气孔4中的第二保护层3c厚度也不一致。特别地在气孔4底部开口边缘上存在的第二保护层材料3b，这个区域的第二保护层材料3b会出现向内突出的突出颗粒，如果塞子5直接插入气孔4，塞子5下端的外侧壁5c与第二保护涂层材料3c或者3b互相挤压会导致保护涂层材料脱落。由于气孔4的下端是直接面向气体喷头下方的等离子体的，除刻蚀气体会腐蚀第一保护涂层2外，等离子体也会加速第一保护涂层2材料的腐蚀，所以一旦第二保护涂层3局部脱落，暴露出来的第一保护涂层2氧化铝很容易就被含有等离子的腐蚀性气体腐蚀，最终造成喷头本体1材料开始出现腐蚀，造成元器件损坏，污染物扩散。所以本发明的上述塞子5的下端具有向内1-3°的倾角，用于防止插入塞子5时破坏所述第二保护涂层3c部分。同时，塞子5的下端面5a高于喷头本体1的下端0.5mm，目的也是防止插入塞子5时破坏所述第二保护涂层3b部分。如需更换或者取出塞子5，可以使用小圆棒从喷头本体1的下端将塞子5捅出来。
本发明还提供了一种等离子体刻蚀设备，其中，在该等离子体刻蚀设备中的反应腔室的上部设置有上述用于等离子体刻蚀设备的喷头。该喷头包含：喷头本体1；设置在喷头本体1上的多个气孔4，其内形成有台阶7，台阶7上方气孔4具有第一内壁8，台阶7下方气孔4具有第二内壁9；设置在气孔4内且与气孔4形状匹配的塞子5，其内设置有直径小于1mm的通孔6，目的是防止反应腔室内的等离子体从喷头中穿出反应腔室。优选地，通孔6的直径可以为0.4-0.6mm；设置在喷头本体1表面及气孔4第一内壁8、第二内壁9上的第一保护涂层2，及，设置在喷头本体1下部表面及气孔4第二内壁9的第一保护涂层2上的第二保护涂层3。
上述喷头本体1的材质可以为铝、硅和碳化硅中的一种。上述第一保护涂层2和第二保护涂层3分别为Al2O3涂层和Y2O3涂层。Al2O3涂层采用草酸阳极氧化法制备。Y2O3涂层具有更加稳定的耐等离子蚀刻性能，可以延长喷头的使用寿命。上述气孔4由直径不同的上部圆柱形和下部圆柱形组成，所述上部圆柱形和下部圆柱形之间形成台阶7。上部圆柱形和下部圆柱形的直径分别为2.5-3.5mm和1.5-2.5mm。与现有技术相比，增大气孔4的直径目的是保证气孔4内壁上的保护涂层可以实现厚度均匀。上述第二保护涂层3在气孔4内仅设置于下部圆柱形的内壁上的第一保护涂层2上。上述塞子5的材质为具有防刻蚀气体及等离子体腐蚀的材料，其可以为聚酰亚胺和陶瓷中的一种。上述台阶7上设置有胶水，用于胶粘固定塞子5，同时这些胶水还能够实现气密功能，防止刻蚀气体经过上部圆柱形侧壁的缝隙向下经过台阶7最终到达下部圆柱形侧壁。减少了气流干扰的同时也减少了刻蚀气体对气孔4内壁Al2O3涂层的腐蚀机会。由于塞子5所使用材料的热膨胀系数比喷头本体1材料的热膨胀系数大，所以上述塞子5与气孔4第一内壁8之间设置有0.05-0.15mm的间隙，用于防止高温时塞子5膨胀破裂。
如图3所示，喷头本体1的底面在进行第二保护涂层3的喷涂过程中，第二保护涂层3材料除了会在喷头本体1底面形成均匀的第二保护层3a外，也会在气孔4第二内壁9上形成不均匀的第二保护涂层材料3c，第二保护涂层材料3c的厚度从下到上逐渐减小，而且喷头本体1上大量气孔4中每个气孔4中的第二保护层3c厚度也不一致。特别地在气孔4底部开口边缘上存在的第二保护层材料3b，这个区域的第二保护层材料3b会出现向内突出的突出颗粒，如果塞子5直接插入气孔4，塞子5下端的外侧壁5c与第二保护涂层材料3c或者3b互相挤压会导致保护涂层材料脱落。由于气孔4的下端是直接面向气体喷头下方的等离子体的，除刻蚀气体会腐蚀第一保护涂层2外，等离子体也会加速第一保护涂层2材料的腐蚀，所以一旦第二保护涂层3局部脱落，暴露出来的第一保护涂层2氧化铝很容易就被含有等离子的腐蚀性气体腐蚀，最终造成喷头本体1材料开始出现腐蚀，造成元器件损坏，污染物扩散。所以本发明的上述塞子5的下端具有向内1-3°的倾角，用于防止插入塞子5时破坏所述第二保护涂层3c部分。同时，塞子5的下端面5a高于喷头本体1的下端0.5mm，目的也是防止插入塞子5时破坏所述第二保护涂层3b部分。如需更换或者取出塞子5，可以使用小圆棒从喷头本体1的下端将塞子5捅出来。
综上所述，通过增大气孔直径可以保证气孔内壁保护涂层的厚度，在此基础上再增加一个抗刻蚀气体及等离子体腐蚀的塞子，该塞子具有直径较小的通孔，可以防止反应腔室内的等离子体从喷头中穿出反应腔室。此外，塞子与气孔第一内壁之间设置有间隙，可以防止高温的时候塞子膨胀被挤破裂。在喷头本体下部表面及气孔第二内壁上设置有氧化铝涂层和氧化钇涂层可以延长喷头本体的使用寿命。
尽管本发明的内容已经通过上述优选实施例作了详细介绍，但应当认识到上述的描述不应被认为是对本发明的限制。在本领域技术人员阅读了上述内容后，对于本发明的多种修改和替代都将是显而易见的。因此，本发明的保护范围应由所附的权利要求来限定。

Claims (9)

1.一种用于等离子体刻蚀设备的喷头，其设置在等离子体刻蚀设备中的反应腔室的上部，其特征在于，包含：
喷头本体；
设置在喷头本体上的多个气孔，其内形成有台阶，台阶上方气孔具有第一内壁，台阶下方气孔具有第二内壁；
设置在气孔内且与气孔形状匹配的塞子，其内设置有通孔，所述通孔的直径小于1mm；
设置在喷头本体表面及气孔第一、第二内壁上的第一保护涂层，及，
设置在喷头本体下部表面及气孔第二内壁的第一保护涂层上的第二保护涂层；
所述塞子与气孔第一内壁之间设置有间隙，用于防止高温时塞子膨胀破裂；
所述塞子的材质为具有防刻蚀气体及等离子体腐蚀的材料；
所述塞子的下端具有向内的倾角，且塞子的底面高于所述喷头本体下部表面，用于防止插入塞子时破坏所述第二保护涂层；
所述台阶上设置有胶水，用于固定塞子。
2.如权利要求1所述的用于等离子体刻蚀设备的喷头，其特征在于，所述喷头本体的材质为铝、硅和碳化硅中的一种。
3.如权利要求1所述的用于等离子体刻蚀设备的喷头，其特征在于，所述气孔由直径不同的上部圆柱形和下部圆柱形组成，所述上部圆柱形和下部圆柱形之间形成台阶。
4.如权利要求1所述的用于等离子体刻蚀设备的喷头，其特征在于，所述塞子的材质为聚酰亚胺和陶瓷中的一种。
5.如权利要求1所述的用于等离子体刻蚀设备的喷头，其特征在于，所述倾角为1-3°。
6.如权利要求1所述的用于等离子体刻蚀设备的喷头，其特征在于，所述通孔的直径为0.4-0.6mm。
7.如权利要求1所述的用于等离子体刻蚀设备的喷头，其特征在于，所述第一保护涂层为Al2O3涂层。
8.如权利要求1所述的用于等离子体刻蚀设备的喷头，其特征在于，所述第二保护涂层为Y2O3涂层。
9.一种等离子体刻蚀设备，其特征在于，在等离子体刻蚀设备中的反应腔室的上部设置有权利要求1-8中任意一项所述的用于等离子体刻蚀设备的喷头。
CN201710736191.1A 2017-08-24 2017-08-24 一种等离子体刻蚀设备及用于该设备的喷头 Active CN109427527B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710736191.1A CN109427527B (zh) 2017-08-24 2017-08-24 一种等离子体刻蚀设备及用于该设备的喷头

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710736191.1A CN109427527B (zh) 2017-08-24 2017-08-24 一种等离子体刻蚀设备及用于该设备的喷头

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109427527A CN109427527A (zh) 2019-03-05
CN109427527B true CN109427527B (zh) 2021-02-26

Family

ID=65501453

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710736191.1A Active CN109427527B (zh) 2017-08-24 2017-08-24 一种等离子体刻蚀设备及用于该设备的喷头

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN109427527B (zh)

Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3365742B2 (ja) * 1998-10-29 2003-01-14 シャープ株式会社 プラズマｃｖｄ装置
CN101255552A (zh) * 2007-02-27 2008-09-03 中微半导体设备(上海)有限公司 应用于等离子体反应室中的气体喷头组件、其制造方法及其翻新再利用的方法
CN101392367A (zh) * 2007-09-17 2009-03-25 Asm国际公司 具有带沉积涂层的孔的半导体处理零件及其形成方法
CN101477945A (zh) * 2008-12-30 2009-07-08 中微半导体设备(上海)有限公司 防止/减少基片背面聚合物沉积的方法和装置
CN101533763A (zh) * 2008-03-12 2009-09-16 东京毅力科创株式会社 喷淋板的制造方法、喷淋板以及等离子体处理装置
KR20110008654A (ko) * 2009-07-20 2011-01-27 주식회사 엠티아이피 화학기상증착용 샤워 헤드 및 그 제조 방법
KR20110028990A (ko) * 2009-09-14 2011-03-22 엘아이지에이디피 주식회사 샤워 헤드
CN201817398U (zh) * 2010-10-21 2011-05-04 汉泰科技股份有限公司 蚀刻设备的反应槽装置的上电极
KR20120066991A (ko) * 2010-12-15 2012-06-25 주식회사 원익아이피에스 샤워헤드 및 이를 구비한 진공처리장치
CN102779715A (zh) * 2011-05-10 2012-11-14 东京毅力科创株式会社 等离子体生成用电极和等离子体处理装置
CN103397309A (zh) * 2013-08-02 2013-11-20 光垒光电科技（上海）有限公司 进气装置及反应腔室
CN103409800A (zh) * 2013-07-17 2013-11-27 武汉高芯科技有限公司 大直径碲化镉或碲锌镉多晶棒料合成装置及制备方法
CN103866291A (zh) * 2012-12-18 2014-06-18 中微半导体设备(上海)有限公司 一种耐腐蚀的气体喷淋头及其制作方法
WO2014119177A1 (ja) * 2013-01-30 2014-08-07 京セラ株式会社 ガスノズルおよびこれを用いたプラズマ装置

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5463536B2 (ja) * 2006-07-20 2014-04-09 北陸成型工業株式会社 シャワープレート及びその製造方法、並びにそのシャワープレートを用いたプラズマ処理装置、プラズマ処理方法及び電子装置の製造方法

Patent Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3365742B2 (ja) * 1998-10-29 2003-01-14 シャープ株式会社 プラズマｃｖｄ装置
CN101255552A (zh) * 2007-02-27 2008-09-03 中微半导体设备(上海)有限公司 应用于等离子体反应室中的气体喷头组件、其制造方法及其翻新再利用的方法
CN101392367A (zh) * 2007-09-17 2009-03-25 Asm国际公司 具有带沉积涂层的孔的半导体处理零件及其形成方法
CN101533763A (zh) * 2008-03-12 2009-09-16 东京毅力科创株式会社 喷淋板的制造方法、喷淋板以及等离子体处理装置
CN101477945A (zh) * 2008-12-30 2009-07-08 中微半导体设备(上海)有限公司 防止/减少基片背面聚合物沉积的方法和装置
KR20110008654A (ko) * 2009-07-20 2011-01-27 주식회사 엠티아이피 화학기상증착용 샤워 헤드 및 그 제조 방법
KR20110028990A (ko) * 2009-09-14 2011-03-22 엘아이지에이디피 주식회사 샤워 헤드
CN201817398U (zh) * 2010-10-21 2011-05-04 汉泰科技股份有限公司 蚀刻设备的反应槽装置的上电极
KR20120066991A (ko) * 2010-12-15 2012-06-25 주식회사 원익아이피에스 샤워헤드 및 이를 구비한 진공처리장치
CN102779715A (zh) * 2011-05-10 2012-11-14 东京毅力科创株式会社 等离子体生成用电极和等离子体处理装置
CN103866291A (zh) * 2012-12-18 2014-06-18 中微半导体设备(上海)有限公司 一种耐腐蚀的气体喷淋头及其制作方法
WO2014119177A1 (ja) * 2013-01-30 2014-08-07 京セラ株式会社 ガスノズルおよびこれを用いたプラズマ装置
CN103409800A (zh) * 2013-07-17 2013-11-27 武汉高芯科技有限公司 大直径碲化镉或碲锌镉多晶棒料合成装置及制备方法
CN103397309A (zh) * 2013-08-02 2013-11-20 光垒光电科技（上海）有限公司 进气装置及反应腔室

Also Published As

Publication number Publication date
CN109427527A (zh) 2019-03-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9885117B2 (en) Conditioned semiconductor system parts
TWI623959B (zh) 具有電容耦合電漿反應器用嵌入式射頻電極之陶瓷噴淋頭及使用該陶瓷噴淋頭之基板處理系統
TWI583654B (zh) 基於稀土族氧化物的整體式腔室材料
KR101177333B1 (ko) 반도체 재료 프로세싱 장치의 산화이트륨 (ｙｔｔｒｉａ)-코팅 세라믹 부품 및 그 부품을 제조하는 방법
US20110207332A1 (en) Thin film coated process kits for semiconductor manufacturing tools
TWI541894B (zh) A plasma processing chamber, a gas sprinkler head and a method of manufacturing the same
TWI723031B (zh) 電漿處理裝置及噴頭
US20110076401A1 (en) Method of Making Showerhead for Semiconductor Processing Apparatus
US20160079040A1 (en) Plasma Processing Devices Having a Surface Protection Layer
CN106057666A (zh) 蚀刻方法
JP2006351949A (ja) 基板載置台、基板処理装置および基板載置台の製造方法
JP2006100305A (ja) プラズマ処理装置
JP2010522989A (ja) 半導体材料処理装置のアルミニウムめっき構成要素および該構成要素を製造する方法
US20220181127A1 (en) Electrostatic chuck system
JP2008004926A (ja) ウエハ保持体とその製造方法及び半導体製造装置
US20040144319A1 (en) Plasma treatment container internal member, and plasma treatment device having the plasma treatment container internal member
JP3162873U (ja) プラズマ処理装置の交換可能な上側チャンバ部
CN203895409U (zh) 边缘环组件
US20050084692A1 (en) Plasma resistant member
CN109427527B (zh) 一种等离子体刻蚀设备及用于该设备的喷头
US20080127893A1 (en) Method and apparatus for preventing the formation of a plasma-inhibiting substance
KR20190143815A (ko) 샤워 헤드 및 플라스마 처리 장치
CN106340434A (zh) 等离子体处理装置和喷淋头
KR19990083225A (ko) 내식성 세라믹 부재
JP2007067242A (ja) ガス分散プレート及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
CB02 Change of applicant information
CB02 Change of applicant information

Address after: 201201 No. 188 Taihua Road, Jinqiao Export Processing Zone, Pudong New Area, Shanghai

Applicant after: Medium and Micro Semiconductor Equipment (Shanghai) Co., Ltd.

Address before: 201201 No. 188 Taihua Road, Jinqiao Export Processing Zone, Pudong New Area, Shanghai

Applicant before: Advanced Micro-Fabrication Equipment (Shanghai) Inc.

GR01 Patent grant
GR01 Patent grant