JP2010287573A - 基板加熱ユニット及びこれを含む基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の基板加熱ユニットは、抵抗発熱体から発生した熱を支持プレートに伝え、基板を加熱させる。支持プレートは、中心領域に比べてエッジ領域の厚さが厚い上部プレートと、該上部プレートに比べて熱伝導度が低い材質からなる下部プレートとを含む。上部プレートと下部プレートとの形状及び材質の差によって、支持プレートの中心領域よりエッジ領域で熱が速い速度で基板に到逹して基板の全体面が均一に加熱される。
【選択図】図2
Description
111 支持プレート
112 溝
113 第1真空ホール
115 第2真空ホール
120 発熱体
160 結合部材
170 冷却部材
180 温度測定部材
Claims (25)
- 基板を載置し、半径方向に沿って厚さが異なる上部プレートと、
前記上部プレートの下部に位置する下部プレートと、
前記下部プレートに設置され、熱を発生させる発熱体と、
を含むことを特徴とする基板加熱ユニット。 - 前記上部プレートの下面は、曲面であり、
前記下部プレートの上面は、前記上部プレートの下面に対応する形状を有することを特徴とする請求項1に記載の基板加熱ユニット。 - 前記上部プレートのエッジ領域は、前記上部プレートの中心領域より厚さが厚いことを特徴とする請求項1又は2に記載の基板加熱ユニット。
- 前記上部プレートの下面は、凹形状を有することを特徴とする請求項1に記載の基板加熱ユニット。
- 前記上部プレートの下面は、中心領域がエッジ領域より高く位置するような段差を有することを特徴とする請求項1に記載の基板加熱ユニット。
- 前記上部プレートの下面は、下方向に凸形状を有することを特徴とする請求項1に記載の基板加熱ユニット。
- 前記上部プレートの下面は、中心領域がエッジ領域より低く位置するような段差を有することを特徴とする請求項1に記載の基板加熱ユニット。
- 前記上部プレートの材質及び前記下部プレートの材質のうちのいずれか1つは、他の1つよりも熱伝導度が高いことを特徴とする請求項1〜7のいずれか1項に記載の基板加熱ユニット。
- 前記上部プレートの材質は、前記下部プレートの材質よりも熱伝導度が高いことを特徴とする請求項1〜7のいずれか1項に記載の基板加熱ユニット。
- 前記上部プレートの材質は、窒化物セラミックス、または炭化物セラミックスであり、
前記下部プレートの材質は、絶縁体セラミックスであることを特徴とする請求項1〜7のいずれか1項に記載の基板加熱ユニット。 - 前記上部プレートの上面には、前記基板の領域によって圧力が異なるように個別的、またはグループ別に圧力調節が可能な第1真空ホールが、前記上部プレートの半径方向に沿って複数個形成され、
前記基板加熱ユニットは、
第1真空ポンプと、
前記第1真空ポンプと前記第1真空ホールとを連結する第1真空ラインと、
を更に含むことを特徴とする請求項8に記載の基板加熱ユニット。 - 前記上部プレートの下面、または前記下部プレートの上面には、溝が形成され、
前記下部プレートには、前記溝と連結される第2真空ホールが形成され、
前記基板加熱ユニットは、
第2真空ポンプと、
前記第2真空ポンプと前記第2真空ホールとを連結する第2真空ラインと、を含むことを特徴とする請求項1〜7のいずれか1項に記載の基板加熱ユニット。 - 前記溝は、リング形状で複数個形成され、
前記リングは、同一中心で、直径が互いに異なるように形成されることを特徴とする請求項12に記載の基板加熱ユニット。 - 前記発熱体は、前記下部プレートの下面に接合され、印加される電源によって前記熱を発生させる抵抗発熱体を含むことを特徴とする請求項1に記載の基板加熱ユニット。
- 前記上部プレートの下面には、挿入溝が形成され、
前記下部プレートは、前記挿入溝に挿入されることを特徴とする請求項8に記載の基板加熱ユニット。 - 前記下部プレートは、複数個形成され、
前記それぞれの下部プレートは、前記挿入溝から独立して分離可能であることを特徴とする請求項15に記載の基板加熱ユニット。 - 前記下部プレートは、少なくとも1つ以上の前記下部プレートを有する複数個のグループに区分され、
前記複数個のグループは、そのグループを成す前記下部プレートが互いに組み合わせられ、1つのリング形状で配置されたグループを含むことを特徴とする請求項16に記載の基板加熱ユニット。 - 前記溝に位置し、前記上部プレートの温度を測定する温度測定部材を更に含むことを特徴とする請求項12に記載の基板加熱ユニット。
- 内部空間を有する工程チャンバーと、
前記内部空間に位置し、基板を支持し、そして半径方向に沿って厚さが異なる上部プレートと、
前記上部プレートの下部に位置し、前記上部プレートの下面と相応する上面を有する下部プレートと、
前記下部プレートに設置され、熱を発生させる発熱体と、を含み、
前記上部プレートの材質は、前記下部プレートの材質に比べて熱伝導度が高いことを特徴とする基板処理装置。 - 前記上部プレートは、中心から遠くなるほど厚さが徐々に厚くなることを特徴とする請求項19に記載の基板処理装置。
- 前記上部プレートは、中心領域がエッジ領域に比べて厚さが厚いことを特徴とする請求項20に記載の基板処理装置。
- 前記上部プレートの下面は、凹形状を有することを特徴とする請求項19に記載の基板処理装置。
- 前記上部プレートの上面には、前記基板の領域によって圧力が異なるように個別的またはグループ別に圧力調節が可能な第1真空ホールが前記上部プレートの半径方向に沿って複数個形成され、
前記基板加熱ユニットは、
第1真空ポンプと、
前記第1真空ポンプと前記第1真空ホールとを連結する第1真空ラインと、を更に含むことを特徴とする請求項19〜22のいずれか1項に記載の基板処理装置。 - 前記上部プレートの下面、または前記下部プレートの上面には、溝が形成され、
前記下部プレートには、前記溝と連結される第2真空ホールが形成され、
前記基板処理装置は、
第2真空ポンプと、
前記第2真空ポンプと前記第2真空ホールとを連結する第2真空ラインと、を含むことを特徴とする請求項19〜22のいずれか1項に記載の基板処理装置。 - 前記発熱体は、前記下部プレートの下面に接合され、印加される電源によって前記熱を発生させる抵抗発熱体を含むことを特徴とする請求項19に記載の基板処理装置。
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