CN112002658A - 加热器和加热基座 - Google Patents

加热器和加热基座 Download PDF

Info

Publication number
CN112002658A
CN112002658A CN202010862303.XA CN202010862303A CN112002658A CN 112002658 A CN112002658 A CN 112002658A CN 202010862303 A CN202010862303 A CN 202010862303A CN 112002658 A CN112002658 A CN 112002658A
Authority
CN
China
Prior art keywords
bending structure
elastic
vertical plate
heating
elastic bending
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202010862303.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN112002658B (zh
Inventor
李冬冬
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd
Original Assignee
Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd filed Critical Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd
Priority to CN202010862303.XA priority Critical patent/CN112002658B/zh
Publication of CN112002658A publication Critical patent/CN112002658A/zh
Priority to PCT/CN2021/114024 priority patent/WO2022042471A1/zh
Priority to JP2023511854A priority patent/JP7403716B2/ja
Priority to TW110131015A priority patent/TWI793731B/zh
Priority to EP21860306.6A priority patent/EP4207259A4/en
Priority to KR1020237005404A priority patent/KR102642732B1/ko
Priority to US18/174,336 priority patent/US20230223282A1/en
Application granted granted Critical
Publication of CN112002658B publication Critical patent/CN112002658B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B3/00—Ohmic-resistance heating
    • H05B3/02—Details
    • H05B3/06—Heater elements structurally combined with coupling elements or holders
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B3/00—Ohmic-resistance heating
    • H05B3/20—Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater
    • H05B3/22—Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater non-flexible

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Resistance Heating (AREA)
  • Central Heating Systems (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

本发明公开一种加热器和加热基座，加热器用于半导体设备，加热器包括加热主体和底座，所述底座包括相互连接的座本体和立板，所述座本体与所述加热主体相对且间隔设置，所述立板与所述加热主体固定连接，所述立板和所述座本体中的至少一者设置有弹性折弯结构，和/或，所述立板和所述座本体的连接处设置有弹性折弯结构。采用上述技术方案可以解决目前加热器工作时，因加热盘的热量传递至立板，立板受热膨胀容易出现与加热盘连接失效的情况，加热器的整体结构强度较差的问题。

Description

加热器和加热基座
技术领域
本发明涉及半导体加工设备技术领域，尤其涉及一种加热器和加热基座。
背景技术
在半导体的加工过程中，通常需要借助加热器对半导体进行加热，使半导体的温度达到预设温度，以提升工艺性能。目前的加热器通常包括加热盘和底座，加热盘在通电的情况下会产生热量，底座为加热盘的支撑结构，且为了尽量降低加热盘的热量传递至底座，通过借助底座边缘的立板支撑加热盘，使加热盘与底座之间具有一定的间隙，立板与加热盘之间通常采用焊接的方式连接。但是，由于加热器工作过程中加热盘的温度通常较高，加热盘的热量的一部分能够传递至立板上，立板受热会发生膨胀变形，立板受膨胀力作用的情况下，极容易出现与加热盘连接失效的情况，加热器的整体结构性能较差。
发明内容
本发明公开一种加热器和加热基座，以解决目前加热器工作时，因加热盘的热量传递至立板，立板受热膨胀容易出现与加热盘连接失效的情况，加热器的整体结构强度较差的问题。
为了解决上述问题，本发明采用下述技术方案：
第一方面，本申请实施例公开一种加热器，用于半导体设备，加热器包括加热主体和底座，所述底座包括相互连接的座本体和立板，所述座本体与所述加热主体相对且间隔设置，所述立板与所述加热主体固定连接，所述立板和所述座本体中的至少一者设置有弹性折弯结构，和/或，所述立板和所述座本体的连接处设置有弹性折弯结构。
第二方面，本申请实施例公开一种加热基座，其包括陶瓷盘、波纹管和上述加热器，其中，所述底座与所述陶瓷盘密封连接，所述波纹管密封连接于所述陶瓷盘背离所述加热器的一侧。
本发明采用的技术方案能够达到以下有益效果：
本发明实施例公开一种加热器，其包括加热主体和底座，底座包括固定连接的座本体和立板，立板与加热主体固定连接，且立板和座本体中的至少一者设置有弹性折弯结构，和/或，立板和座本体的连接处设置有弹性折弯结构。在上述加热器的工作过程中，即便加热主体产生的热量传递至立板，使立板出现一定的膨胀情况，弹性折弯结构也能够通过自身发生一定的弹性形变吸收立板和/或座本体产生的膨胀力，以防止底座与加热主体之间出现连接失效的情况，保证加热器具有较高的整体结构强度。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本发明的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：
图1为本发明实施例公开的加热器的一种结构示意图；
图2为本发明实施例公开的加热器的另一种结构示意图；
图3为本发明实施例公开的加热基座的结构示意图。
附图标记说明：
100-加热主体、110第一贯穿孔、
211-中心区、212-边缘区、213-第二贯穿孔、214-安装槽、215-冷却通道、220-立板、
300-弹性折弯结构、
410-弹性件、420-法兰、
510-陶瓷盘、520-波纹管、530-密封圈、540-绝缘件、550-螺钉。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明具体实施例及相应的附图对本发明技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
以下结合附图，详细说明本发明各个实施例公开的技术方案。
如图1和图2所示，本发明实施例公开一种加热器，其应用于半导体设备，该加热器能够承载并加热半导体工艺中的被加工件，使被加工件的温度满足工艺温度，保证加工工艺能够高效可靠地进行。加热器包括加热主体100、立板220和座本体，座本体和立板相互连接，组成加热器的底座。
其中，加热主体100可以采用金属等导热性较好的材料制成，加热主体100可以通过导线与电源连接，使得加热主体100在通电状态下能够产生热量，以提供加热作用。具体地，加热主体100的形状可以为方形或圆形等，加热主体100的厚度可以根据实际情况确定。
座本体与加热主体100相对且间隔设置，以尽量减少加热主体100的热量传递至座本体上，保证加热主体100上各处的温度更为一致，以使被加工件上各处的温度均相同。通过立板220与加热主体100固定连接，使得底座可以为加热主体100提供支撑作用，为了尽量减小加热主体100通过立板220传递至整个底座的热量，可以使立板220的厚度相对较小，以通过减小导热截面积的方式降低加热主体100与立板220之间的热传导效率，进一步防止加热主体100上的热量传递至立板220及整个底座上，保证加热主体100上任意位置处的温度能够基本相同。
具体地，为了保证底座能够为加热主体100提供可靠的支撑效果，座本体和立板220均可以采用金属等结构强度相对较高的材料制成。座本体的形状和尺寸可以与加热主体100对应相同，且使立板220连接在座本体的外边缘处，在加热主体100与立板220均采用金属材料制成的情况下，立板220和加热主体100之间可以通过焊接的方式固定连接。
立板220为环状结构，立板220的厚度可以在2mm-4mm之间。优选地，立板220的形状与加热主体100和座本体的外缘的形状相同，以尽可能得增大立板220围成的区域的面积，提升加热器内部器件的容纳空间，且可以使整个加热器的外部结构更规整。例如，加热主体100和座本体的外缘的形状均为矩形，则立板220也可以为矩形环状结构，在加热主体100和座本体的外缘的形状为圆形的情况下，立板220也可以为圆形环形结构，采用上述结构的立板220连接加热主体100和座本体时，还可以使加热主体100和座本体之间的连接可靠性更高。
如上所述，立板220为环状结构，优选地，弹性折弯结构300也为环状结构件，环状结构的弹性折弯结构300可以连接在立板220和座本体之间，以弹性折弯结构300连接在立板220和座本体之间为例，环状结构的立板220通过环状结构的弹性折弯结构300连接在座本体的外缘，环状结构的立板220还连接在加热主体100的外缘。在加热主体100和/或座本体受热发生形变的过程中，上述结构的弹性折弯结构300可以提供更为优越的弹性变形能力，从而防止立板220和加热主体100之间产生连接失效的情况，保证加热主体100和底座之间的连接可靠性更高。
并且，本发明实施例公开的加热器中，立板220和座本体中的至少一者设置有弹性折弯结构300，和/或，立板220和座本体的连接处设有弹性折弯结构300。也就是说，弹性折弯结构300的数量可以为一个、两个、三个或更多个，可以根据实际情况，确定弹性折弯结构300的数量和各自的设置位置。
具体地，弹性折弯结构300的截面可以为折线状结构，也可以为多条折线状结构复合形成的结构，使弹性折弯结构300能够产生弹性弯折，产生弹性效果。以弹簧这一具体结构件为例，弹簧既可以产生轴向上的伸缩变形，也可以产生径向上的横向偏移，弹性折弯结构300亦是如此，以图1示出的方向A作为弹性折弯结构300的弹性方向为例，弹性折弯结构300能够在方向A上产生伸缩变形，相应地，弹性折弯结构300也可以在垂直于方向A的方向上产生一定的交错位移，这使得弹性折弯结构300无论以何种方位结合至底座中，均可以为底座提供一定的弹性形变能力，进而防止立板220和加热主体100之间出现连接失效的情况。
如上所述，弹性折弯结构300的数量可以为多个，在弹性折弯结构300的数量为多个的情况下，多个弹性折弯结构300的形状和尺寸可以相同，也可以不同。并且，在加热器上设置有多个弹性折弯结构300的情况下，多个弹性折弯结构300的弹性方向也可以不同，例如，设置在立板220上的弹性折弯结构300的弹性方向可以与座本体相互垂直，设置在座本体上的弹性折弯结构300的弹性方向则可以与立板220相互垂直，而设置在立板220和座本体之间的弹性折弯结构300的弹性方向既可以与座本体相互垂直，也可以与立板220相互垂直，或者，还可以相对立板220和座本体均倾斜设置，这均可以保证弹性折弯结构300能够使底座具备一定的弹性形变能力。
更具体地，在立板220上设置有弹性折弯结构300的情况下，弹性折弯结构300及立板220中位于弹性折弯结构300相背两侧的结构可以采用一体成型的方式形成，弹性折弯结构300可以采用钣金工艺形成；或者，可以预先采用金属板材形成弹性折弯结构300，再通过焊接等方式，将弹性折弯结构300与立板220的两部分连为一体。相似地，在座本体上设置有弹性折弯结构300的情况下，座本体与弹性折弯结构300的加工方式与上述实施例相似。
在弹性折弯结构300位于立板220和座本体之间的连接处的情况下，可以预先形成立板220、座本体和弹性折弯结构300三个独立的部分，通过焊接的方式将弹性折弯结构300的相背两端分别连接在立板220和座本体上，即可使立板220和座本体相互固定在一起。
另外，在弹性折弯结构300的尺寸相对较小的情况下，立板220和/或座本体上还可以设置有多个弹性折弯结构300，多个弹性折弯结构300之间可以相互连接，也可以相互间隔，此处不作限定。
本发明实施例公开一种加热器，用于半导体设备，加热器包括加热主体100和底座，底座包括固定连接的座本体和立板220，立板220与加热主体100固定连接，且立板220和座本体中的至少一者，和/或立板220和座本体的连接处设置有弹性折弯结构300。在上述加热器的工作过程中，即便加热主体100产生的热量传递至立板220，使立板220出现一定的膨胀情况，弹性折弯结构300也能够通过自身发生一定的弹性形变吸收立板220和/或座本体产生的膨胀力，以防止底座与加热主体100之间出现连接失效的情况，保证加热器具有较高的整体结构强度。
如上所述，弹性折弯结构300的截面可以为折线状结构，如图1和图2所示，在本申请的另一实施例中，弹性折弯结构300被垂直于座本体的平面截得的截面形状可以为U形结构，也就是说，弹性折弯结构300的弯折部分为平滑过渡结构，这使得弹性折弯结构300的弹性能力更强，且在受到较大的膨胀力的作用时更不容易出现无法恢复形变甚至被折断的情况。具体地，加热器中，弹性折弯结构300可以单独设置，也可以使多个弹性折弯结构300相互连接设置，至于弹性折弯结构300的具体尺寸参数，此处不限。
如上所述，加热主体100和座本体之间设置有间隔，可选地，如图1所示，弹性折弯结构300位于加热主体100和座本体之间，从而可以使加热主体100和座本体之间的间隔得到有效利用，且无需使弹性折弯结构300占据加热器之外的空间，还可以防止加热器之外的部件和结构对弹性折弯结构300的正常工作产生不利影响。详细地说，在立板220上设置有弹性折弯结构300的情况下，可以使弹性折弯结构300自立板220处向立板220的内侧延伸，在座本体上设置有弹性折弯结构300的情况下，可以使弹性折弯结构300自座本体向靠近加热主体100的方向延伸；在立板220和座本体之间的连接处设置有弹性折弯结构300的情况下，弹性折弯结构300的设置方式与上述实施例类似。
在弹性折弯结构300位于加热主体100和座本体之间的情况下，还需使弹性折弯结构300与加热主体100之间设有间隙，以防止因弹性折弯结构300与加热主体100相互接触，使得加热主体100的热量较容易地传递至弹性折弯结构300上，导致加热主体100中与弹性折弯结构300对应的位置处的温度低于加热主体100中的其他位置处的温度，造成加热器无法为被加工件上各处提供一致的加热效果。
另外，在采用上述实施例的情况下，通过隔断加热主体100和弹性折弯结构300，可以尽量降低加热主体100传递至弹性折弯结构300上的热量，从而可以使弹性折弯结构300自身受热发生的膨胀幅度更小，进而使弹性折弯结构300能够尽可能多地吸收立板220和/或座本体受热而产生的膨胀力，保证底座和加热主体100之间的连接可靠性更高。
为了保证立板220具有较高的结构强度和支撑稳定性，可以使立板220为一体式结构，也就是说，弹性折弯结构300不设置在立板220上，可选地，如图1所述，弹性折弯结构300的弹性方向垂直于立板220，其中，弹性折弯结构300的弹性方向为图1中的方向A。在采用上述技术方案的情况下，无论弹性折弯结构300设置在座本体上，还是设置在立板220和座本体的连接处，均可以保证弹性折弯结构300的弹性方向垂直于立板220，这使得弹性折弯结构300能够吸收更多立板220和/或座本体受热时产生的横向膨胀力。另外，由于底座和加热主体100之间产生连接失效的主要作用力为横向膨胀力，在采用上述技术方案的情况下，借助数量和种类更少的弹性折弯结构300即能够保证底座和加热主体100之间基本不会出现连接失效的情况，降低加热器的加工难度。
可选地，弹性折弯结构300位于座本体上，在这种情况下，同样可以使弹性折弯结构300的弹性方向垂直于立板220，使得立板220和座本体受热产生的横向膨胀力能够基本全部被弹性折弯结构300所吸收，保证底座和加热主体100不易发生连接失效的情况；并且，采用上述技术方案的情况下，还可以在一定程度上借助弹性折弯结构300吸收座本体自身产生的横向膨胀力，进一步降低因座本体发生膨胀而对立板220和加热主体100之间的连接关系产生不利影响。另外，采用上述技术方案的情况下，还可以降低座本体和立板220之间的连接难度，且通过使弹性折弯结构300位于座本体，使得弹性折弯结构300在垂直于立板220的方向与立板220之间具有一定的间隙，进而可以防止立板220的存在限制弹性折弯结构300发生弹性变形。
具体地，如上所述，可以采用一体成型的方式形成座本体和弹性折弯结构300的基材，且采用钣金等方式在前述基材的预设位置处形成弹性折弯结构300，基材上的剩余部分则为座本体。其中，座本体包括中心区211和边缘区212，边缘区212环绕中心区211设置，中心区211通过弹性折弯结构300与边缘区212相互连接，边缘区212通过立板220与加热主体100固定连接。或者，中心区211、边缘区212和弹性折弯结构300均可以采用分体成型的方式形成，之后再借助焊接等方式将弹性折弯结构300的一端连接在中心区211的外缘，且将边缘区212连接在弹性折弯结构300的另一端，从而使弹性折弯结构300固定于座本体上。更具体地，边缘区212的尺寸可以根据实际情况确定，此处不作限定。
显然，在弹性折弯结构300位于座本体上的情况下，弹性折弯结构300也可以为环状结构件，这可以保证弹性折弯结构300和立板220与整个座本体之间的连接可靠性均相对较高，并且，还使得弹性折弯结构300可以为座本体沿自身周向的各处提供吸收横向膨胀力的作用，从而进一步保证座本体和/或立板220受热时，不会造成底座和加热主体100之间出现连接失效的情况。
如上所述，座本体通过立板220与加热主体100相互连接，且座本体和加热主体100相互间隔，以尽量减少加热主体100传递至座本体的热量。在弹性折弯结构300设置在座本体上的情况下，为了进一步降低加热主体100传递至底座上的热量，可选地，弹性折弯结构300的壁厚值为d，且使2mm≤d≤4mm，可选地，在座本体包括边缘区212的情况下，也可以使边缘区212的壁厚满足上述要求，从而通过减小边缘区212和弹性折弯结构300的截面积的方式，降低立板220与座本体之间的导热效率，进一步防止加热主体100上的热量被过多地传递至底座上，保证加热主体100上任意位置处的温度基本相等，且为被加工件提供均匀的加热作用。
另外，为了保证加热器在工作过程中不接地，可以在本发明实施例公开的加热器中底座背离加热主体100的一侧设置陶瓷盘510，陶瓷盘510能够保证加热器为悬浮电位。陶瓷盘510和底座之间可以通过螺钉相互固定，且为了隔绝加热器内部空间，底座和陶瓷盘510之间通常可以设置有密封圈530。
具体地，底座背离加热主体100的一侧，也即座本体背离加热主体100的表面可以设置有安装槽214，密封圈530可以容纳在安装槽214内，且通过使密封圈530的截面积大于安装槽214的截面积，借助底座和陶瓷盘510之间的挤压力，可以使密封圈530被挤压安装在安装槽214内，从而保证底座和陶瓷盘510之间形成密封配合关系。
密封圈530通常可以采用橡胶等弹性材料制成，在加热器工作过程中，加热主体100产生的热量的一部分会传递至底座上，为了保证密封圈530不会受高温影响而变形甚至损毁，底座上对应于安装槽214的位置处通常可以设置有冷却通道215，在加热器工作时，通过在冷却通道215内通入水等冷却液，可以为底座中密封圈530所在的区域提供冷却降温的作用，保证密封圈530能够持久地提供密封作用。
基于上述实施例，通过使弹性折弯结构300设置在座本体上，且使弹性折弯结构300和边缘区212的厚度均相对较小，可以使加热主体100上的热量通过立板220传递至座本体的难度更高，从而进一步保证座本体中密封圈530所在的区域处的温度相对较低，提升密封圈530的密封效果和使用寿命。
进一步地，加热主体100上设有第一贯穿孔110，座本体设有与第一贯穿孔110相对的第二贯穿孔213，以通过第一贯穿孔110和第二贯穿孔213使加热器的相背两侧相互连通；并且，在加热器的工作过程中，顶针可以通过第一贯穿孔110和第二贯穿孔213自加热器的一侧伸出至加热器的另一侧，从而在加热器的位置下降时，能够借助上述顶针支撑被加工件，保证被加工件不会出现跌落的情况。由于加热器中加热主体100和座本体之间的空间的气压通常与大气压接近，而加热器中加热主体100所在的一侧则必须为真空环境，为了保证加热器内的空间与加热器中加热主体100所在的一侧相互隔绝，第一贯穿孔110和第二贯穿孔213之间密封连接有弹性件410，弹性件410为管状结构件，且弹性件410的弹性方向与第一贯穿孔110的轴向一致，从而保证加热器的内部空间不会与加热主体100所在的一侧空间相互连通。
同时，由于弹性件410的相背两端分别与加热主体100和座本体连接，从而加热主体100上的热量会传递至弹性件410上，通过使弹性件410的弹性方向与第一贯穿孔110的轴向一致，使得弹性件410在受热的情况下能够通过自身发生弹性形变的方式吸收膨胀力，保证弹性件410与加热主体100以及弹性件410和座本体之间的连接可靠性相对较高。另外，在采用上述结构的弹性件410连接加热主体100和座本体的情况下，弹性件410的相背两端之间还可以产生一定的横向相对位移，从而进一步防止加热主体100所在一侧出现真空失效的情况。
具体地，弹性件410可以为金属管件，弹性件410的相背两端可以通过焊接的方式分别固定在加热主体100和座本体上，可选地，弹性件410的相背两端均配设有圆环形法兰420，以提升弹性件410与加热主体100和座本体之间的连接可靠性。弹性件410可以包括弹性波片管，弹性波片管具体可以采用钢质波片制成，波片的长度以及相邻的两个波片之间的夹角可以根据实际需求确定。
另外，在第一贯穿孔110和第二贯穿孔213均设置有多个的情况下，弹性件410的数量也可以设置有多个，以使各第一贯穿孔110均能够通过一个弹性件410与对应的第二贯穿孔213相互密封连接。
可选地，弹性折弯结构300位于弹性件410与立板220之间，也就是说，基于座本体而言，弹性折弯结构300相对弹性件410更靠外，由于座本体中越靠近加热主体100的部分的温度越高，且座本体通过立板220与加热主体100连接，因此座本体中越靠近立板的部分的温度也通常更高，因此，通过采用上述技术方案，在立板220和/或座本体受热产生横向膨胀力的情况下，弹性折弯结构300能够吸收更多的横向膨胀力，进而使弹性件410尽量少地吸收横向膨胀力，从而使弹性件410相背两端之间的横向位移更小，保证弹性件410与加热主体100和座本体之间的连接可靠性相对较高。
另外，基于上述实施例，在环状结构的弹性折弯结构300位于座本体上时，可以进一步减少横向膨胀力作用于弹性件410，保证弹性件410的结构稳定性更高。
如上所述，加热主体100的热量也可以传递至弹性件410上，可选地，弹性波片管为不锈钢结构件，也即，弹性波片管可以采用不锈钢材料制成，且使弹性波片管的壁厚小于0.15mm，在上述材质的弹性件410的采用上述尺寸的情况下，能够保证加热主体100通过弹性件410传递至底座上的热量符合工艺要求，且不会对加热主体100的加热效果产生不利影响，且可以保证弹性件410具有满足需求的结构强度，保证加热器的内部空间与外界空间相互隔绝。当然，本领域技术人员可以根据上述实施例的基本要求，选定其他材料形成弹性件410，且根据所选用的材料的导热系数对应确定弹性件410的壁厚，保证加热主体100自弹性件410传递至底座上的热量满足工艺要求。
基于上述任一实施例公开的加热器，如图3所示，本发明实施例还公开一种加热基座，加热基座包括陶瓷盘510、波纹管520和上述任一加热器，其中加热器的底座与陶瓷盘密封连接，具体地，与上述实施例相似地，可以在底座背离加热主体100的一侧设置安装槽214，且在安装槽214内设置密封圈530，从而借助密封圈530实现密封底座和陶瓷盘510的目的。波纹管520密封连接在陶瓷盘510背离加热主体100的一侧，相似地，波纹管520也可以借助密封圈530实现与陶瓷盘510密封连接的目的，具体地，可以在波纹管朝向陶瓷盘510的一侧表面设置于安装槽214相似的沉槽结构，通过在前述沉槽结构内设置密封圈530，在波纹管520与陶瓷盘510组装为一体之后，亦可以保证波纹管520与陶瓷盘510形成密封连接关系。另外，波纹管520、陶瓷盘510和加热器之间可以通过螺钉550实现组装目的，通过使螺钉550穿过波纹管520和陶瓷盘510，且连接在加热器的底座上，能够保证波纹管520、陶瓷盘510和加热器形成稳定可靠的固定连接关系。并且，为了保证加热器处于悬浮电位，螺钉550与螺钉孔之间可以设置有绝缘垫圈540。
本发明上文实施例中重点描述的是各个实施例之间的不同，各个实施例之间不同的优化特征只要不矛盾，均可以组合形成更优的实施例，考虑到行文简洁，在此则不再赘述。
以上所述仅为本发明的实施例而已，并不用于限制本发明。对于本领域技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原理之内所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的权利要求范围之内。

Claims (10)

1.一种加热器，用于半导体设备，其特征在于，包括加热主体(100)和底座，所述底座包括相互连接的座本体和立板(220)，所述座本体与所述加热主体(100)相对且间隔设置，所述立板(220)与所述加热主体(100)固定连接，所述立板(220)和所述座本体中的至少一者设置有弹性折弯结构(300)，和/或，所述立板(220)和所述座本体的连接处设置有弹性折弯结构(300)。
2.根据权利要求1所述的加热器，其特征在于，所述弹性折弯结构(300)的弹性方向垂直于所述立板(220)。
3.根据权利要求1所述的加热器，其特征在于，所述弹性折弯结构(300)位于所述座本体，所述座本体包括中心区(211)和边缘区(212)，所述边缘区(212)环绕所述中心区(211)设置，所述中心区(211)通过所述弹性折弯结构(300)与所述边缘区(212)相互连接，所述边缘区(212)通过所述立板(220)与所述加热主体(100)固定连接。
4.根据权利要求1-3任一所述的加热器，其特征在于，所述弹性折弯结构(300)的壁厚值为d，2mm≤d≤4mm。
5.根据权利要求1所述的加热器，其特征在于，所述弹性折弯结构(300)被垂直于所述座本体的平面截得的截面形状为U形。
6.根据权利要求1所述的加热器，其特征在于，所述弹性折弯结构(300)位于所述加热主体(100)和所述座本体之间，且所述弹性折弯结构(300)与所述加热主体(100)之间设有间隙。
7.根据权利要求1所述的加热器，其特征在于，所述加热主体(100)设有第一贯穿孔(110)，所述座本体设有与所述第一贯穿孔(110)相对的第二贯穿孔(213)，所述第一贯穿孔(110)和所述第二贯穿孔(213)之间密封连接有弹性件(410)，所述弹性件(410)的弹性方向与所述第一贯穿孔(110)的轴向一致。
8.根据权利要求7所述的加热器，其特征在于，所述弹性折弯结构(300)位于所述弹性件(410)与所述立板(220)之间。
9.根据权利要求7所述的加热器，其特征在于，所述弹性件包括弹性波片管，所述弹性波片管为不锈钢结构件，所述弹性波片管的壁厚小于0.15mm。
10.一种加热基座，其特征在于，包括陶瓷盘(510)、波纹管(520)和权利要求1-9中任意一项所述的加热器，其中，所述底座与所述陶瓷盘(510)密封连接，所述波纹管(520)密封连接于所述陶瓷盘(510)背离所述加热器的一侧。
CN202010862303.XA 2020-08-25 2020-08-25 加热器和加热基座 Active CN112002658B (zh)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010862303.XA CN112002658B (zh) 2020-08-25 2020-08-25 加热器和加热基座
PCT/CN2021/114024 WO2022042471A1 (zh) 2020-08-25 2021-08-23 加热器和加热基座
JP2023511854A JP7403716B2 (ja) 2020-08-25 2021-08-23 加熱器および加熱台
TW110131015A TWI793731B (zh) 2020-08-25 2021-08-23 加熱器和加熱基座
EP21860306.6A EP4207259A4 (en) 2020-08-25 2021-08-23 HEATING DEVICE AND HEATING BASE
KR1020237005404A KR102642732B1 (ko) 2020-08-25 2021-08-23 가열기 및 가열 베이스
US18/174,336 US20230223282A1 (en) 2020-08-25 2023-02-24 Heater and heating base

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010862303.XA CN112002658B (zh) 2020-08-25 2020-08-25 加热器和加热基座

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN112002658A true CN112002658A (zh) 2020-11-27
CN112002658B CN112002658B (zh) 2024-06-21

Family

ID=73470692

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010862303.XA Active CN112002658B (zh) 2020-08-25 2020-08-25 加热器和加热基座

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20230223282A1 (zh)
EP (1) EP4207259A4 (zh)
JP (1) JP7403716B2 (zh)
KR (1) KR102642732B1 (zh)
CN (1) CN112002658B (zh)
TW (1) TWI793731B (zh)
WO (1) WO2022042471A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022042471A1 (zh) * 2020-08-25 2022-03-03 北京北方华创微电子装备有限公司 加热器和加热基座

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114678296B (zh) * 2022-03-11 2023-03-31 苏州智程半导体科技股份有限公司 一种晶圆加热装置

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0255247A2 (en) * 1986-07-24 1988-02-03 Hewlett-Packard Company Hot chuck assembly for integrated circuit wafers
KR20060013773A (ko) * 2004-08-09 2006-02-14 엘지전자 주식회사 가열부재의 설치구조
CN1941317A (zh) * 2001-06-28 2007-04-04 兰姆研究公司 高温静电夹盘
KR20090130786A (ko) * 2008-06-16 2009-12-24 주식회사 아이피에스 진공처리장치의 리프트장치 및 그 제어방법
JP2010287573A (ja) * 2009-06-11 2010-12-24 Semes Co Ltd 基板加熱ユニット及びこれを含む基板処理装置
CN102468208A (zh) * 2010-11-16 2012-05-23 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 卡盘和半导体处理装置
CN103794538A (zh) * 2012-10-31 2014-05-14 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 静电卡盘以及等离子体加工设备
JP2014184450A (ja) * 2013-03-22 2014-10-02 Showa Denko Kk ろう付け装置及びろう付け方法
JP2018041778A (ja) * 2016-09-06 2018-03-15 信越半導体株式会社 枚葉式エピタキシャルウェーハ製造装置及びエピタキシャルウェーハの製造方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5605574A (en) * 1995-09-20 1997-02-25 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor wafer support apparatus and method
JP4085485B2 (ja) * 1998-09-18 2008-05-14 株式会社安川電機 ウェハ搬送機構
JP2010021510A (ja) * 2008-06-13 2010-01-28 Canon Anelva Corp 基板保持装置およびプラズマ処理装置
US9497803B2 (en) * 2014-02-03 2016-11-15 Plansee Se Supporting system for a heating element and heating system
JP6626753B2 (ja) * 2016-03-22 2019-12-25 東京エレクトロン株式会社 被加工物の処理装置
CN112002658B (zh) * 2020-08-25 2024-06-21 北京北方华创微电子装备有限公司 加热器和加热基座
CN112331609B (zh) * 2020-10-26 2023-12-22 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体工艺设备中的加热基座及半导体工艺设备

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0255247A2 (en) * 1986-07-24 1988-02-03 Hewlett-Packard Company Hot chuck assembly for integrated circuit wafers
CN1941317A (zh) * 2001-06-28 2007-04-04 兰姆研究公司 高温静电夹盘
KR20060013773A (ko) * 2004-08-09 2006-02-14 엘지전자 주식회사 가열부재의 설치구조
KR20090130786A (ko) * 2008-06-16 2009-12-24 주식회사 아이피에스 진공처리장치의 리프트장치 및 그 제어방법
JP2010287573A (ja) * 2009-06-11 2010-12-24 Semes Co Ltd 基板加熱ユニット及びこれを含む基板処理装置
CN102468208A (zh) * 2010-11-16 2012-05-23 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 卡盘和半导体处理装置
CN103794538A (zh) * 2012-10-31 2014-05-14 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 静电卡盘以及等离子体加工设备
JP2014184450A (ja) * 2013-03-22 2014-10-02 Showa Denko Kk ろう付け装置及びろう付け方法
JP2018041778A (ja) * 2016-09-06 2018-03-15 信越半導体株式会社 枚葉式エピタキシャルウェーハ製造装置及びエピタキシャルウェーハの製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022042471A1 (zh) * 2020-08-25 2022-03-03 北京北方华创微电子装备有限公司 加热器和加热基座

Also Published As

Publication number Publication date
EP4207259A1 (en) 2023-07-05
KR102642732B1 (ko) 2024-03-04
CN112002658B (zh) 2024-06-21
US20230223282A1 (en) 2023-07-13
TWI793731B (zh) 2023-02-21
JP7403716B2 (ja) 2023-12-22
KR20230041039A (ko) 2023-03-23
JP2023535644A (ja) 2023-08-18
EP4207259A4 (en) 2024-10-09
WO2022042471A1 (zh) 2022-03-03
TW202226406A (zh) 2022-07-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN112002658A (zh) 加热器和加热基座
JP6493865B2 (ja) エネルギー蓄積デバイスを閉じ込める為の装置
US4651125A (en) Resistor grid assembly with rib turbulence generators
JP2016010310A (ja) 太陽電池モジュールのフレーム
US20110062707A1 (en) Sealed mechanical connection between glass and metal for receiver tubes used in solar plants
KR200390457Y1 (ko) 펌프 진동 흡수용 벨로우즈 신축관의 벨로우즈 고정구조
CN110137617B (zh) 一种换热装置及具有该换热装置的电池冷却装置
CN109990325B (zh) 一种用于燃气灶的聚能组件
JP2012207881A (ja) 貯湯タンクユニットおよび給湯機
CN211782044U (zh) 一种集热管支架
CN209233002U (zh) 一种金属转接件、变频器及空调机组
CN103615925A (zh) 一种散热器防护连接结构
KR200159445Y1 (ko) 보일러용 온수x-l파이프에 알루미늄방열판을 붙인 조립식 온돌 판넬
WO2020110327A1 (ja) 排熱回収ボイラ
CN104728248A (zh) 一种弹性垫片
KR20160064162A (ko) 전열관 지지구조물 및 배열회수보일러
CN217792566U (zh) 一种加热组件装配结构及热式饮水机
CN216134764U (zh) 散热器定位夹具
CN203629418U (zh) 散热器防护连接结构
CN219612048U (zh) 一种扁管散热结构
CN220085916U (zh) 一种新型电力开关
CN214094579U (zh) 一种空预器径向密封装置
CN218097326U (zh) 一种基于泡沫金属强化换热的高效换热器
CN219674490U (zh) 一种太阳能热系统光面铜直管
CN220770479U (zh) 一种减震波纹膨胀节

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant