JPWO2013024778A1 - レジスト組成物、レジストパターン形成方法、それに用いるポリフェノール化合物及びそれから誘導され得るアルコール化合物 - Google Patents

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一般式（１）又は（２）で示される化合物を含有するレジスト組成物、それを用いるレジストパターン形成方法、それに用いるポリフェノール化合物及びそれから誘導され得るアルコール化合物。【化１】（一般式（１）及び（２）中、Ｒ１は、それぞれ独立して単結合、又は炭素数１〜３０の２ｎ価の炭化水素基であり、該炭化水素基は環式炭化水素基、二重結合、ヘテロ原子若しくは炭素数６〜３０の芳香族基を有していてもよく、Ｒ２はそれぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキル基、炭素数６〜１０のアリール基、炭素数２〜１０のアルケニル基又は水酸基であり、同一のナフタレン環において同一であっても異なっていてもよく、Ｒ２の少なくとも１つが水酸基であり、ｎは１〜４の整数であり、式（１）及び式（２）の繰り返し単位の構造式は同一であっても異なっていてもよく、一般式（１）中、ｍ１はそれぞれ独立して１〜７の整数であり、一般式（２）中、Ｘは、それぞれ独立して酸素原子又は硫黄原子であり、ｍ２はそれぞれ独立して１〜６の整数である。）

Description

本発明は、レジスト組成物及びそれを用いるレジストパターン形成方法に関する。
また、本発明は、前記レジスト組成物等に使用できるポリフェノール化合物及びそれから誘導され得るアルコール化合物に関する。
これまでの一般的なレジスト材料は、アモルファス薄膜を形成可能な高分子系材料である。例えば、ポリメチルメタクリレート、酸解離性反応基を有するポリヒドロキシスチレン又はポリアルキルメタクリレート等の高分子レジスト材料の溶液を基板上に塗布することにより作製したレジスト薄膜に紫外線、遠紫外線、電子線、極端紫外線（ＥＵＶ）、Ｘ線などを照射することにより、４５〜１００ｎｍ程度のラインパターンを形成している。
しかしながら、高分子系レジストは分子量が１万〜１０万程度と大きく、分子量分布も広いため、高分子系レジストを用いるリソグラフィでは、微細パターン表面にラフネスが生じ、パターン寸法を制御することが困難となり、歩留まりが低下する。従って、従来の高分子系レジスト材料を用いるリソグラフィでは微細化に限界がある。より微細なパターンを作製するために、種々の低分子量レジスト材料が提案されている。
例えば、低分子量多核ポリフェノール化合物を主成分として用いるアルカリ現像型のネガ型感放射線性組成物（特許文献１及び特許文献２参照）が提案されており、高耐熱性を有する低分子量レジスト材料の候補として、低分子量環状ポリフェノール化合物を主成分として用いるアルカリ現像型のネガ型感放射線性組成物（特許文献３及び非特許文献１参照）も提案されている。
また、レジスト材料のベース化合物として、低分子量ながら高耐熱性を付与、レジストパターンの解像性やラフネスの改善にポリフェノール化合物が有用であることが知られている（非特許文献２参照）。またポリカーボネート、ポリアリレート等の熱可塑性樹脂の原料、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂の原料、硬化剤、改質剤等として種々のポリフェノールが用いられている（特許文献４〜５参照）。
さらに、樹脂原料や樹脂硬化剤として、多価フェノール等で置換することにより、種々の特性（光学特性、耐熱性、耐水性、耐湿性、耐薬品性、電気特性、機械特性、寸法安定性等）を向上させたカルド構造を有するフルオレン化合物が知られている（特許文献６〜９参照）。
特開２００５−３２６８３８号公報 特開２００８−１４５５３９号公報 特開２００９−１７３６２３号公報 特開２００６−２１３６３４号公報 特開２００７−３２６８４７号公報 特開２００６−３６６４８号公報 特開２００９−１５５２５６号公報 特開２０１１−６８６２４号公報 特開２０１１−１０５８８７号公報
Ｔ．Ｎａｋａｙａｍａ，Ｍ．Ｎｏｍｕｒａ，Ｋ．Ｈａｇａ，Ｍ．Ｕｅｄａ：Ｂｕｌｌ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｊｐｎ．，７１，２９７９（１９９８） 岡崎信次、他２２名「フォトレジスト材料開発の新展開」株式会社シーエムシー出版、２００９年９月、ｐ．２１１−２５９
しかしながら、前記特許文献１や２の組成物は耐熱性が十分では無く、得られるレジストパターンの形状が悪くなる欠点があり、前記特許文献３や非特許文献１の組成物は、半導体製造プロセスに用いられる安全溶媒に対する溶解性が低い、感度が低い、及び得られるレジストパターン形状が悪い等の問題点があり、低分子量レジスト材料の改良が望まれている。
また、前記特許文献４，５や非特許文献２は溶解性について記載がなく、記載された化合物の耐熱性はいまだ十分ではなく、耐熱性、耐水性、耐薬品性、電気特性、機械特性等の諸特性の一段の向上が求められている。
さらに、前記特許文献６〜９のアルコール化合物では耐熱性等の特性が十分ではなく、さらに耐熱性が改良されたアルコール化合物が望まれている。
本発明の目的は、耐熱性に優れ、安全溶媒に対する溶解性が高く、高感度で、かつ良好なレジストパターン形状を付与できるレジスト組成物、及び該レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法を提供することにある。
また、本発明の別の目的は、耐熱性に優れ、安全溶媒に対する溶解性の高いポリフェノール化合物を提供することにある。
さらに、本発明の別の目的は、耐熱性の高いアルコール化合物を提供することにある。
本発明者らは前記課題を解決するため鋭意検討した結果、レジスト組成物中に特定構造を有する化合物を有することで、耐熱性に優れ、安全溶媒に対する溶解性が高く、高感度で、かつ、良好なレジストパターン形状を付与できることを見出し、本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明は次のとおりである。
１．一般式（１）又は（２）で示される化合物を含有するレジスト組成物。
Figure 2013024778
Figure 2013024778
 （一般式（１）及び（２）中、Ｒ１は、それぞれ独立して単結合、又は炭素数１〜３０の２ｎ価の炭化水素基であり、該炭化水素基は環式炭化水素基、二重結合、ヘテロ原子若しくは炭素数６〜３０の芳香族基を有していてもよく、Ｒ２は独立して、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキル基、炭素数６〜１０のアリール基、炭素数２〜１０のアルケニル基又は水酸基であり、同一のナフタレン環において同一であっても異なっていてもよく、Ｒ２の少なくとも１つが水酸基であり、ｎは１〜４の整数であり、式（１）及び式（２）の繰り返し単位の構造式は同一であっても異なっていてもよく、一般式（１）中、ｍ１はそれぞれ独立して１〜７の整数であり、一般式（２）中、Ｘは、それぞれ独立して酸素原子又は硫黄原子であり、ｍ２はそれぞれ独立して１〜６の整数である。）
２．前記一般式（１）が一般式（１−１）であり、前記一般式（２）が一般式（２−１）である、前記１項に記載のレジスト組成物。
Figure 2013024778
Figure 2013024778
 （一般式（１−１）及び（２−１）中、Ｒ１及びｎは、前記式（１）と同様であり、Ｒ３は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキル基、炭素数６〜１０のアリール基、又は炭素数２〜１０のアルケニル基であり、同一のナフタレン環において同一であっても異なっていてもよく、式（１）及び式（２）の繰り返し単位の構造式は同一であっても異なっていてもよく、ｎは１〜４の整数であり、一般式（１−１）中、ｍ３はそれぞれ独立して１〜７の整数であり、ｍ４はそれぞれ独立して０〜６の整数であり、ｍ３＋ｍ４は１〜７の整数であり、一般式（２−１）中、ｍ５はそれぞれ独立して１〜６の整数であり、ｍ６はそれぞれ独立して０〜５の整数であり、ｍ５＋ｍ６は１〜６の整数である。）
３．前記一般式（１）が一般式（１−２）であり、前記一般式（２）が一般式（２−２）である、前記１項に記載のレジスト組成物。
Figure 2013024778
Figure 2013024778
 （一般式（１−２）及び（２−２）中、Ｒ１、Ｒ３、ｎ、ｍ４、ｍ６等は、前記のとおりである。）
４．溶媒をさらに含有する、前記１〜３項のいずれか１項に記載のレジスト組成物。
５．酸発生剤をさらに含有する、前記１〜４項のいずれか１項に記載のレジスト組成物。
６．酸架橋剤をさらに含有する、前記１〜５項のいずれか１項に記載のレジスト組成物。
７．前記１〜６項のいずれか１項に記載のレジスト組成物を基板上に塗布してレジスト膜を形成する工程と、形成されたレジスト膜を露光する工程と、露光したレジスト膜を現像する工程とを含むことを特徴とするレジストパターン形成方法。
また、本発明者は前記課題を解決するため鋭意検討した結果、特定構造を有する新規ポリフェノール化合物とそれを含む組成物が前記課題を解決し得ることを見出し本発明に至った。
すなわち、本発明は次のとおりである。
８．前記一般式（１）で示される化合物が一般式（３）で示されるポリフェノール化合物であり、前記一般式（２）で示される化合物が一般式（４）で示されるポリフェノール化合物である、前記１及び４〜６項のいずれか１項に記載のレジスト組成物。
Figure 2013024778
Figure 2013024778
 （一般式（３）及び（４）中、Ｘ´は、それぞれ独立して、水素原子又は炭素数１〜１８の一価の置換基であり、Ｒ０は、それぞれ独立して、炭素数１〜４のアルキル基又はハロゲン原子であり、同一のナフタレン環において同一であっても異なっていてもよく、ｐは０〜５の整数である。）
９．前記一般式（３）又は一般式（４）で示されるポリフェノール化合物。
１０．前記一般式（３）で示される化合物が一般式（３０）で示されるポリフェノール化合物であり、前記一般式（４）で示される化合物が一般式（４０）で示されるポリフェノール化合物である、前記８項に記載のレジスト組成物。
Figure 2013024778
Figure 2013024778
 （一般式（３０）及び（４０）中、Ｘ´は、それぞれ独立して、水素原子又は炭素数１〜１８の一価の置換基であり、Ｒ０は、それぞれ独立して、炭素数１〜４のアルキル基又はハロゲン原子であり、同一のナフタレン環において同一であっても異なっていてもよく、ｐは０〜５の整数である。）
１１．前記一般式（３）が一般式（３０）、前記一般式（４）が一般式（４０）である、前記９項記載のポリフェノール化合物。
１２．一般式（５）で示される化合物と、炭素数１〜１９のアルデヒドとを、酸触媒存在下にて反応させる、前記９項記載のポリフェノール化合物の製造方法。
Figure 2013024778
 （一般式（５）中、Ｒ０、ｐは、前記のとおりである。）
１３．一般式（５０）で示される化合物と、炭素数１〜１９のアルデヒドとを、酸触媒存在下にて反応させる、請求項１０記載のポリフェノール化合物の製造方法。
Figure 2013024778
 （一般式（５０）中、Ｒ０、ｐは、前記のとおりである。）
さらに、本発明者は前記課題を解決するため鋭意検討した結果、特定構造を有する新規アルコール化合物が前記課題を解決し得ることを見出し本発明に至った。
すなわち、本発明は次のとおりである。
１４．前記９項記載のポリフェノール化合物と、アルキレンオキシド導入試剤とを、塩基触媒存在下にて反応させる、一般式（６）又は（７）で示されるアルコール化合物の製造方法。
Figure 2013024778
Figure 2013024778
 （一般式（６）及び（７）中、Ｘ´、Ｒ´Ｒ０、ｑ、ｐは、前記のとおりである。）
１５．前記一般式（６）又は（７）で示されるアルコール化合物。
１６． 前記１０項記載のポリフェノール化合物と、アルキレンオキシド導入試剤とを、塩基触媒存在下にて反応させる、一般式（６０）又は（７０）で示されるアルコール化合物の製造方法。
Figure 2013024778
Figure 2013024778
 （一般式（６０）及び（７０）中、Ｘ´、Ｒ´Ｒ０、ｑ、ｐは、前記のとおりである。）
１７．前記一般式（６）が一般式（６０）であり、前記一般式（７）が一般式（７０）である、前記１５項記載のアルコール化合物。
本発明により、耐熱性に優れ、安全溶媒に対する溶解性が高く、高感度で、かつ、良好なレジストパターン形状を付与できるレジスト組成物及びそれを用いるレジストパターン形成方法を提供できる。
また、本発明により、耐熱性に優れ、安全溶媒に対する溶解性の高いポリフェノール化合物を提供できる。
また、本発明により、耐熱性の高いアルコール化合物を提供できる。
以下、本発明の実施の形態について説明する（以下、本実施の形態と称する）。なお、本実施の形態は、本発明を説明するための例示であり、本発明は本実施の形態のみに限定されない。
［レジスト組成物］
本実施の形態のレジスト組成物は、前記一般式（１）又は（２）で示される化合物を含有する。
（第一の実施形態の組成物）
本実施の形態のレジスト組成物の第一の実施形態は、下記式（１）で示される化合物を含有する。
Figure 2013024778
本実施の形態の化合物の化学構造は、１Ｈ−ＮＭＲ分析により決定できる。
本実施の形態は、前記式（１）のとおり、ナフタレン骨格を有するため、耐熱性に優れる。
式（１）中、繰り返し単位の構造式は同一であっても、異なっていてもよく、ｎは１〜４の整数である。耐熱性や解像度、ラフネス等のレジスト特性の点から、ｎは１〜３であることが好ましい。
なお、本実施の形態の化合物はポリマーではないが、便宜上、前記式（１）中のＲ１に結合する［ ］部分の構造を、繰り返し単位の構造式と称する（以下、式（２）についても同様である）。
前記式（１）中、Ｒ１は、それぞれ独立して単結合、又は炭素数１〜３０（以下、「Ｃ１〜３０」と称する場合がある）の２ｎ価の炭化水素基であり、該炭化水素基は環式炭化水素基、二重結合、ヘテロ原子若しくはＣ６〜３０の芳香族基を有していてもよい。
前記２ｎ価の炭化水素基とは、ｎ＝１のときには、Ｃ１〜３０のアルキレン基、ｎ＝２のときには、Ｃ１〜３０のアルカンテトライル基、ｎ＝３のときには、Ｃ２〜３０のアルカンヘキサイル基、ｎ＝４のときには、Ｃ３〜３０のアルカンオクタイル基のことを示す。前記２ｎ価の炭化水素基としては、例えば、直鎖状、分岐状又は環状構造を有するものが挙げられる。
また、前記２ｎ価の炭化水素基は、環式炭化水素基、二重結合、ヘテロ原子若しくはＣ６〜３０の芳香族基を有していてもよい。ここで、前記環式炭化水素基については、有橋環式炭化水素基も含まれる。
Ｒ１は、耐熱性の点から、縮合多環芳香基（特に２〜４環の縮合環構造）を有することが好ましく、安全溶媒への溶解性や耐熱性の点から、ビフェニル基等のポリフェニル基を有することが好ましい。
Ｒ２はそれぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、Ｃ１〜１０の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキル基、Ｃ６〜１０のアリール基、Ｃ２〜１０のアルケニル基又は水酸基であり、同一のナフタレン環において同一であっても異なっていてもよく、ｍ１はそれぞれ独立して１〜７の整数である。
レジスト膜露光時の装置汚染抑制の点から、好ましいＲ２は、水素原子、Ｃ１〜１０の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキル基、Ｃ６〜１０のアリール基、Ｃ２〜１０のアルケニル基又は水酸基である。
本実施の形態のレジスト組成物は、耐熱性及び安全溶媒への溶解性の点から、式（１）中のＲ２の少なくとも１つが水酸基であることが必要である。
前記の構造的特徴により、前記式（１）で示される化合物は、低分子量ながらも、その剛直さにより高い耐熱性を有し、高温ベーク条件でも使用可能である。また、低分子量であり、高温ベークが可能なことから高感度であり、さらに、良好なレジストパターン形状を付与できる。
本実施の形態において、前記式（１）で示される化合物は、安全溶媒への溶解性やレジストパターンの特性の点から、ナフタレン基一つ当たりにつきフェノール性水酸基を1個以上有する、一般式（１−１）で示される化合物であることが好ましい。
Figure 2013024778
 式中、Ｒ１は前記と同様であり、Ｒ３は、それぞれ独立して、水素原子、Ｃ１〜１０の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキル基、Ｃ６〜１０のアリール基、又はＣ２〜１０のアルケニル基であり、ｍ３はそれぞれ独立して１〜７の整数であり、ｍ４はそれぞれ独立して０〜６の整数であり、ｍ３＋ｍ４は１〜７の整数であり、ｎは１〜４の整数である。
レジスト組成物としたときの感度の点から、本実施の形態において、前記式（１−１）で示される化合物は、式（１−２）で示される化合物であることが好ましい。
Figure 2013024778
 （前記式（１−２）中、Ｒ１、Ｒ３、ｍ４、ｎは、前記式（１−１）と同様である。）
溶解性やレジスト組成物としたときの感度の点からは、前記式（１−１）中のｍ３が２であることが好ましい。
耐熱性や感度、解像度、ラフネス等のレジスト特性の点からは、本実施の形態において、前記式（１−１）で示される化合物は、前記式（１−１）中のｎが１であることが好ましい。
また、溶解性の点から、本実施の形態において、前記式（１−１）で示される化合物は、一般式（１−３）で示される化合物であることがさらに好ましい。
Figure 2013024778
 （一般式（１−３）中、Ｒ１、Ｒ３、ｍ４は前記一般式（１−１）と同様である。）
前記式（１）で示される化合物として、具体的には以下に例示できるが、ここで列挙した限りではない。
Figure 2013024778
Figure 2013024778
Figure 2013024778
Figure 2013024778
Figure 2013024778
 式中、Ｒ２、ｍ１は前記と同様である。
前記式（１）で示される化合物として、さらに以下に例示できるが、ここで列挙した限りではない。
Figure 2013024778
Figure 2013024778
Figure 2013024778
Figure 2013024778
Figure 2013024778
本実施の形態における前記式（１）で示される化合物の製造方法は特に限定されず、例えば、ナフトール類あるいはチオナフトール類と対応するアルデヒド類あるいはケトン類を、酸触媒下にて反応させることによって得ることができる。
前記ナフトール類としては、特に限定されず、例えば、ナフトール、メチルナフトール、メトキシナフトール、ナフタレンジオール等が挙げられ、ナフタレンジオールを用いることがキサンテン構造を容易に作ることができる点でより好ましい。
前記チオナフトール類としては、特に限定されず、例えば、ナフタレンチオール、メチルナフタレンチオール、メトキシナフタレンチオール、ナフタレンジチオール等が挙げられる。
前記アルデヒド類としては、特に限定されず、例えば、ホルムアルデヒド、トリオキサン、パラホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピルアルデヒド、ブチルアルデヒド、ヘキシルアルデヒド、デシルアルデヒド、ウンデシルアルデヒド、フェニルアセトアルデヒド、フェニルプロピルアルデヒド、フルフラール、ベンズアルデヒド、ヒドロキシベンズアルデヒド、フルオロベンズアルデヒド、クロロベンズアルデヒド、ニトロベンズアルデヒド、メチルベンズアルデヒド、ジメチルベンズアルデヒド、エチルベンズアルデヒド、プロピルベンズアルデヒド、ブチルベンズアルデヒド、シクロヘキシルベンズアルデヒド、ビフェニルアルデヒド、ナフトアルデヒド、アントラセンカルボキシアルデヒド、フェナントレンカルボキシアルデヒド、ピレンカルボキシアルデヒド、グリオキサール、グルタルアルデヒド、フタルアルデヒド、ナフタレンジカルボキシアルデヒド、ビフェニルジカルボキシアルデヒド、ビス（ジホルミルフェニル）メタン、ビス（ジホルミルフェニル）プロパン、ベンゼントリカルボキシアルデヒド等が挙げられ、ベンズアルデヒド、ヒドロキシベンズアルデヒド、フルオロベンズアルデヒド、クロロベンズアルデヒド、ニトロベンズアルデヒド、メチルベンズアルデヒド、ジメチルベンズアルデヒド、エチルベンズアルデヒド、プロピルベンズアルデヒド、ブチルベンズアルデヒド、シクロヘキシルベンズアルデヒド、ビフェニルアルデヒド、ナフトアルデヒド、アントラセンカルボキシアルデヒド、フェナントレンカルボキシアルデヒド、ピレンカルボキシアルデヒド、グリオキサール、グルタルアルデヒド、フタルアルデヒド、ナフタレンジカルボキシアルデヒド、ビフェニルジカルボキシアルデヒド、アントラセンジカルボキシアルデヒド、ビス（ジホルミルフェニル）メタン、ビス（ジホルミルフェニル）プロパン、ベンゼントリカルボキシアルデヒドを用いることが、高い耐熱性を与える点で好ましい。
前記ケトン類としては、特に限定されず、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、シクロブタノン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、ノルボルナノン、トリシクロヘキサノン、トリシクロデカノン、アダマンタノン、フルオレノン、ベンゾフルオレノン、アセナフテンキノン、アセナフテノン、アントラキノン等が挙げられ、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、ノルボルナノン、トリシクロヘキサノン、トリシクロデカノン、アダマンタノン、フルオレノン、ベンゾフルオレノン、アセナフテンキノン、アセナフテノン、アントラキノンを用いることが、高い耐熱性を与える点で好ましい。
前記酸触媒は、特に限定されず、周知の無機酸、有機酸より適宜選択することができる。例えば、塩酸、硫酸、リン酸、臭化水素酸、ふっ酸等の無機酸；シュウ酸、蟻酸、ｐ−トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸、トリフルオロ酢酸、トリフルオロメタンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、ナフタレンスルホン酸、ナフタレンジスルホン酸等の有機酸；塩化亜鉛、塩化アルミニウム、塩化鉄、三フッ化ホウ素等のルイス酸；あるいはケイタングステン酸、リンタングステン酸、ケイモリブデン酸又はリンモリブデン酸等の固体酸が挙げられる。入手の容易さや取り扱い易さ等の製造上の観点から、塩酸又は硫酸を用いることが好ましい。また酸触媒については、１種類又は２種類以上を用いることができる。
前記一般式（１）で示される化合物を製造する際、反応溶媒を用いてもよい。反応溶媒としては、用いるアルデヒド類あるいはケトン類とナフトール類あるいはチオナフトール類との反応が進行すれば特に限定されないが、例えば、水、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、テトラヒドロフラン、ジオキサン又はこれらの混合溶媒を用いることができる。前記溶媒の量は、特に限定されず、例えば、反応原料１００質量部に対して０〜２０００質量部の範囲である。
前記一般式（１）で示される化合物を製造する際、反応温度は、特に限定されず、反応原料の反応性に応じて適宜選択することができるが、１０〜２００℃の範囲であることが好ましい。本実施の形態の一般式（１）で示される化合物を選択性よく合成するには、温度が低い方が効果が高く、１０〜６０℃の範囲がより好ましい。
前記一般式（１）で示される化合物の製造方法は、特に限定されないが、例えば、ナフトール類あるいはチオナフトール類、アルデヒド類あるいはケトン類、触媒を一括で仕込む方法や、触媒存在下ナフトール類あるいはチオナフトール類、アルデヒド類あるいはケトン類を滴下していく方法がある。重縮合反応終了後、系内に存在する未反応原料、触媒等を除去するために、反応釜の温度を１３０〜２３０℃ にまで上昇させ、１〜５０ｍｍＨｇ程度で揮発分を除去することもできる。
前記一般式（１）で示される化合物を製造する際の原料の量は、特に限定されないが、例えば、アルデヒド類あるいはケトン類１モルに対し、ナフトール類あるいはチオナフトール類、アルデヒド類あるいはケトン類を２モル〜過剰量、及び酸触媒を０．００１〜１モル使用し、常圧で、２０〜６０℃で２０分〜１００時間程度反応させることにより進行する。
前記一般式（１）で示される化合物を製造する際、前記反応終了後、公知の方法により目的物を単離する。目的物の単離方法は、特に限定されず、例えば、反応液を濃縮し、純水を加えて反応生成物を析出させ、室温まで冷却した後、濾過を行って分離、得られた固形物を濾過し、乾燥させた後、カラムクロマトにより、副生成物と分離精製し、溶媒留去、濾過、乾燥を行って目的化合物を得る方法が挙げられる。
（第二の実施形態の組成物）
本実施の形態のレジスト組成物の第二の実施形態は、下記式（２）で示される化合物を含有する。
Figure 2013024778
 前記式（２）中、Ｘは、それぞれ独立して酸素原子又は硫黄原子であり、Ｒ１は、それぞれ独立して単結合又はＣ１〜３０の２ｎ価の炭化水素基であり、該炭化水素基は環式炭化水素基、二重結合、ヘテロ原子若しくはＣ６〜３０の芳香族基を有していてもよい。Ｒ２はそれぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、Ｃ１〜１０の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキル基、Ｃ６〜１０のアリール基、Ｃ２〜１０のアルケニル基又は水酸基であり、同一のナフタレン環において同一であっても異なっていてもよく、Ｒ２の少なくとも１つが水酸基であり、式（１）及び式（２）の繰り返し単位の構造式は同一であっても、異なっていてもよく、ｍ２はそれぞれ独立して１〜６の整数であり、ｎは１〜４の整数である。
なお、前記２ｎ価の炭化水素基については、上述した式（１）で示される化合物と同様である。
前記式（２）で示される化合物は、レジスト膜露光時の装置汚染抑制の点からＸが酸素原子であることが好ましく、安全溶媒への溶解性やレジストパターンの特性の点から、ナフタレン基一つ当たりにつきフェノール性水酸基を1個以上有する、式（２−１）で示される化合物であることが好ましい。
Figure 2013024778
 式中、Ｒ１は前記と同様であり、Ｒ３は、それぞれ独立して、水素原子、Ｃ１〜１０の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキル基、Ｃ６〜１０のアリール基、又はＣ２〜１０のアルケニル基であり、ｍ５はそれぞれ独立して１〜６の整数であり、ｍ６はそれぞれ独立して０〜５の整数であり、ｍ５＋ｍ６は１〜６の整数であり、ｎは前記と同様である。
レジスト組成物としたときの感度の点からは、前記式（２−１）で示される化合物が、式（２−２）で示される化合物であることがより好ましい。
Figure 2013024778
 （前記式（２−２）中、Ｒ１、Ｒ３、ｍ６は前記式（２−１）と同様である。）
溶解性やレジスト組成物としたときの感度の点からは、前記式（２−１）中のｍ３が２であることが好ましい。
耐熱性や感度、解像度、ラフネス等のレジスト特性の点からは、本実施の形態において、前記式（２−１）で示される化合物は、前記式（２−１）中のｎが１であることが好ましい。
また、溶解性の点から、本実施の形態において、前記式（２−１）で示される化合物は、式（２−３）で示される化合物であることがさらに好ましい。
Figure 2013024778
（前記式（２−３）中、Ｒ１、Ｒ３、ｍ６は前記式（２−１）と同様である。）
前記一般式（２）で示される化合物として、具体的には以下に例示できるが、ここで列挙した限りではない。
Figure 2013024778
Figure 2013024778
Figure 2013024778
Figure 2013024778
Figure 2013024778
Figure 2013024778
 （式中、Ｒ２、Ｘ、ｍ２は前記と同様である。）
一般式（２）で示される化合物として、さらに以下に例示できるが、ここで列挙した限りではない。
Figure 2013024778
Figure 2013024778
Figure 2013024778
Figure 2013024778
Figure 2013024778
 前記式中、Ｘは前記と同様であり、レジスト膜露光時の装置汚染抑制の点から酸素原子であることが好ましい。
前記式（２）で示される化合物は、前記式（１）で示される化合物（Ａ）と同様に、ナフトール類あるいはチオナフトール類と対応するアルデヒド類あるいはケトン類を、酸触媒下にて反応させることによって得ることができる。
（レジスト組成物の物性等）
本実施の形態のレジスト組成物は、スピンコートによりアモルファス膜を形成することができる。この場合、本実施の形態のレジスト組成物をスピンコートして形成したアモルファス膜の２３℃における現像液に対する溶解速度は、１０Å／ｓｅｃ以上が好ましく、１０〜１００００Å／ｓｅｃがより好ましく、１００〜１０００Å／ｓｅｃがさらに好ましい。１０Å／ｓｅｃ以上であると、現像液に一層容易に溶解し、レジストとすることに一層向いている。また１００００Å／ｓｅｃ以下の溶解速度を有すると、解像性が向上する場合もある。これは、前記式（１）又は（２）で示される化合物の露光前後の溶解性の変化により、現像液に溶解する未露光部と、現像液に溶解しない露光部との界面のコントラストが大きくなるからと推測される。またＬＥＲの低減、ディフェクトの低減効果がある。前記溶解速度は、２３℃にて、アモルファス膜を所定時間現像液に浸漬させ、その浸漬前後の膜厚を、目視、エリプソメーターまたはＱＣＭ法等の公知の方法によって測定し決定できる。
本実施の形態のレジスト組成物をスピンコートして形成したアモルファス膜のＫｒＦエキシマレーザー、極端紫外線、電子線又はＸ線等の放射線により露光した部分の２３℃における現像液に対する溶解速度は、５Å／ｓｅｃ以下が好ましく、０．０５〜５Å／ｓｅｃがより好ましく、０．０００５〜５Å／ｓｅｃがさらに好ましい。５Å／ｓｅｃ以下であると現像液に不溶で、レジストに一層向いている。また０．０００５Å／ｓｅｃ以上の溶解速度を有すると、解像性が向上する場合もある。これは、前記式（１）又は（２）で示される化合物のミクロの表面部位が溶解し、ＬＥＲを低減するからと推測される。またディフェクトの低減効果がある。
（レジスト組成物の他の成分）
本実施の形態のレジスト組成物は、前記式（１）で示される化合物又は前記式（２）で示される化合物を固形成分として含有する。なお、本実施の形態のレジスト組成物は、前記式（１）で示される化合物と前記式（２）で示される化合物の両方を含有してもよい。
本実施の形態のレジスト組成物は、前記式（１）又は（２）で示される化合物以外に、さらに溶媒を含有することが好ましい。
本実施の形態で使用される溶媒は、特に限定されないが、例えば、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノ−ｎ−プロピルエーテルアセテート、エチレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテルアセテート等のエチレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類；エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテルなどのエチレングリコールモノアルキルエーテル類；プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、プロピレングリコールモノ−ｎ−プロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテルアセテート等のプロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類；プロピレングリコールモノメチルエーテル(ＰＧＭＥ)、プロピレングリコールモノエチルエーテルなどのプロピレングリコールモノアルキルエーテル類；乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ｎ−プロピル、乳酸ｎ−ブチル、乳酸ｎ−アミル等の乳酸エステル類；酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ｎ−プロピル、酢酸ｎ−ブチル、酢酸ｎ−アミル、酢酸ｎ−ヘキシル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル等の脂肪族カルボン酸エステル類；３−メトキシプロピオン酸メチル、３−メトキシプロピオン酸エチル、３−エトキシプロピオン酸メチル、３−エトキシプロピオン酸エチル、３−メトキシ−２−メチルプロピオン酸メチル、３−メトキシブチルアセテート、３−メチル−３−メトキシブチルアセテート、３−メトキシ−３−メチルプロピオン酸ブチル、３−メトキシ−３−メチル酪酸ブチル、アセト酢酸メチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル等の他のエステル類；トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類；メチルエチルケトン、２−ヘプタノン、３−ヘプタノン、４−ヘプタノン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン(ＣＨＮ)等のケトン類；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン等のアミド類；γ−ラクトン等のラクトン類等を挙げることができる。これらの溶媒は、単独で又は２種以上を使用することができる。
本実施の形態で使用される溶媒は、安全溶媒であることが好ましく、より好ましくは、ＰＧＭＥＡ、ＰＧＭＥ、ＣＨＮ、ＣＰＮ、２−ヘプタノン、アニソール、酢酸ブチル、プロピオン酸エチル及び乳酸エチルから選ばれる少なくとも一種であり、さらに好ましくはＰＧＭＥＡ、ＰＧＭＥ及びＣＨＮから選ばれる少なくとも一種である。
固形成分の量と溶媒の量は、特に限定されないが、固形成分の量と溶媒の合計質量１００質量％に対して、固形成分１〜８０質量％及び溶媒２０〜９９質量％であることが好ましく、より好ましくは固形成分１〜５０質量％及び溶媒５０〜９９質量％、さらに好ましくは固形成分２〜４０質量％及び溶媒６０〜９８質量％であり、特に好ましくは固形成分２〜１０質量％及び溶媒９０〜９８質量％である。
本実施の形態のレジスト組成物は、他の固形成分として、酸発生剤（Ｃ）、酸架橋剤（Ｇ）、酸拡散制御剤（Ｅ）及びその他の成分（Ｆ）からなる群より選ばれる少なくとも一種を含有してもよい。
本実施の形態に用いる式（１）又は（２）で示される化合物の含有量は、特に限定されないが、固形成分の全質量（式（１）で示される化合物、式（２）で示される化合物、酸発生剤（Ｃ）、酸架橋剤（Ｇ）、酸拡散制御剤（Ｅ）及びその他の成分（Ｆ）などの任意に使用される固形成分の総和、以下同様）の５０〜９９．４質量％であることが好ましく、より好ましくは５５〜９０質量％、さらに好ましくは６０〜８０質量％、特に好ましくは６０〜７０質量％である。前記含有量の場合、解像度が一層向上し、ラインエッジラフネス（ＬＥＲ）が一層小さくなる。
なお、前記式（１）で示される化合物と式（２）で示される化合物の両方を含有する場合、前記含有量は、前記式（１）で示される化合物と式（２）で示される化合物の合計量である。
本実施の形態のレジスト組成物は、可視光線、紫外線、エキシマレーザー、電子線、極端紫外線（ＥＵＶ）、Ｘ線及びイオンビームから選ばれるいずれかの放射線の照射により直接的又は間接的に酸を発生する酸発生剤（Ｃ）を一種以上含有することが好ましい。
この場合、酸発生剤（Ｃ）の含有量は、固形成分の全質量の０．００１〜４９質量％が好ましく、１〜４０質量％がより好ましく、３〜３０質量％がさらに好ましく、１０〜２５質量％が特に好ましい。前記範囲内で使用することにより、一層高感度でかつ一層低エッジラフネスのパターンプロファイルが得られる。
本実施の形態では、系内に酸が発生すれば、酸の発生方法は限定されない。ｇ線、ｉ線などの紫外線の代わりにエキシマレーザーを使用すれば、より微細加工が可能であるし、また高エネルギー線として電子線、極端紫外線、Ｘ線、イオンビームを使用すればさらに微細加工が可能である。
前記酸発生剤（Ｃ）は、特に限定されず、下記式（８−１）〜（８−８）で表される化合物からなる群から選択される少なくとも一種類であることが好ましい。
Figure 2013024778
 （式（８−１）中、Ｒ１３は、同一でも異なっていてもよく、それぞれ独立に、水素原子、直鎖状、分枝状若しくは環状アルキル基、直鎖状、分枝状若しくは環状アルコキシ基、ヒドロキシル基又はハロゲン原子であり、Ｘ−は、アルキル基、アリール基、ハロゲン置換アルキル基若しくはハロゲン置換アリール基を有するスルホン酸イオン又はハロゲン化物イオンである。）
前記式（８−１）で示される化合物は、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、ジフェニルトリルスルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、ジフェニル−４−メチルフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジ−２，４，６−トリメチルフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニル−４−t−ブトキシフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニル−４−t−ブトキシフェニルスルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、ジフェニル−４−ヒドロキシフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス（４−フルオロフェニル）−４−ヒドロキシフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニル−４−ヒドロキシフェニルスルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、ビス（４−ヒドロキシフェニル）−フェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリ（４−メトキシフェニル）スルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリ（４−フルオロフェニル）スルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムｐ−トルエンスルホネート、トリフェニルスルホニウムベンゼンスルホネート、ジフェニル−２，４，６−トリメチルフェニル−ｐ−トルエンスルホネート、ジフェニル−２，４，６−トリメチルフェニルスルホニウム−２−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ジフェニル−２，４，６−トリメチルフェニルスルホニウム−４−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ジフェニル−２，４，６−トリメチルフェニルスルホニウム−２，４−ジフルオロベンゼンスルホネート、ジフェニル−２，４，６−トリメチルフェニルスルホニウムヘキサフルオロベンゼンスルホネート、ジフェニルナフチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニル−４−ヒドロキシフェニルスルホニウム−ｐ−トルエンスルホネート、トリフェニルスルホニウム１０−カンファースルホネート、ジフェニル−４−ヒドロキシフェニルスルホニウム１０−カンファースルホネート及びシクロ（１，３−パーフルオロプロパンジスルホン）イミデートからなる群から選択される少なくとも一種類であることが好ましい。
Figure 2013024778
 （式（８−２）中、Ｒ１４は、同一でも異なっていてもよく、それぞれ独立に、水素原子、直鎖状、分枝状若しくは環状アルキル基、直鎖状、分枝状若しくは環状アルコキシ基、ヒドロキシル基又はハロゲン原子を表す。Ｘ-は前記と同様である。）
前記式（８−２）で示される化合物は、ビス（４−t−ブチルフェニル）ヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス（４−t−ブチルフェニル）ヨードニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、ビス（４−t−ブチルフェニル）ヨードニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、ビス（４−t−ブチルフェニル）ヨードニウム ｐ−トルエンスルホネート、ビス（４−t−ブチルフェニル）ヨードニウムベンゼンスルホネート、ビス（４−t−ブチルフェニル）ヨードニウム−２−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ビス（４−t−ブチルフェニル）ヨードニウム−４−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ビス（４−t−ブチルフェニル）ヨードニウム−２，４−ジフルオロベンゼンスルホネート、ビス（４−t−ブチルフェニル）ヨードニウムヘキサフルオロベンゼンスルホネート、ビス（４−t−ブチルフェニル）ヨードニウム１０−カンファースルホネート、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、ジフェニルヨードニウム ｐ−トルエンスルホネート、ジフェニルヨードニウムベンゼンスルホネート、ジフェニルヨードニウム１０−カンファースルホネート、ジフェニルヨードニウム−２−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ジフェニルヨードニウム−４−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ジフェニルヨードニウム−２，４−ジフルオロベンゼンスルホネート、ジフェニルヨードニウムへキサフルオロベンゼンスルホネート、ジ（４−トリフルオロメチルフェニル）ヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジ（４−トリフルオロメチルフェニル）ヨードニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、ジ（４−トリフルオロメチルフェニル）ヨードニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、ジ（４−トリフルオロメチルフェニル）ヨードニウム ｐ−トルエンスルホネート、ジ（４−トリフルオロメチルフェニル）ヨードニウムベンゼンスルホネート及びジ（４−トリフルオロメチルフェニル）ヨードニウム１０−カンファースルホネートからなる群から選択される少なくとも一種類であることが好ましい。
Figure 2013024778
 （式（８−３）中、Ｑはアルキレン基、アリーレン基又はアルコキシレン基であり、Ｒ１５はアルキル基、アリール基、ハロゲン置換アルキル基又はハロゲン置換アリール基である。）
前記式（８−３）で示される化合物は、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］へプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）ナフチルイミド、Ｎ−（１０−カンファースルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（１０−カンファースルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（１０−カンファースルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（１０−カンファースルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］へプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（１０−カンファースルホニルオキシ）ナフチルイミド、Ｎ−（ｎ−オクタンスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］へプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（ｎ−オクタンスルホニルオキシ）ナフチルイミド、Ｎ−（p−トルエンスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（p−トルエンスルホニルオキシ）ナフチルイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルベンゼンスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］へプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルベンゼンスルホニルオキシ）ナフチルイミド、Ｎ−（４−トリフルオロメチルベンゼンスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］へプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（４−トリフルオロメチルベンゼンスルホニルオキシ）ナフチルイミド、Ｎ−（パーフルオロベンゼンスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（パーフルオロベンゼンスルホニルオキシ）ナフチルイミド、Ｎ−（1−ナフタレンスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（1−ナフタレンスルホニルオキシ）ナフチルイミド、Ｎ−（ノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（ノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホニルオキシ）ナフチルイミド、Ｎ−（パーフルオロ−ｎ−オクタンスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］へプト−５−エンー２，３−ジカルボキシイミド及びＮ−（パーフルオロ−ｎ−オクタンスルホニルオキシ）ナフチルイミドからなる群から選択される少なくとも一種類であることが好ましい。
Figure 2013024778
 （式（８−４）中、Ｒ１６は、同一でも異なっていてもよく、それぞれ独立に、任意に置換された直鎖、分枝若しくは環状アルキル基、任意に置換されたアリール基、任意に置換されたヘテロアリール基又は任意に置換されたアラルキル基である。）
前記式（８−４）で示される化合物は、ジフェニルジスルフォン、ジ（４−メチルフェニル）ジスルフォン、ジナフチルジスルフォン、ジ（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ジスルフォン、ジ（４−ヒドロキシフェニル）ジスルフォン、ジ（３−ヒドロキシナフチル）ジスルフォン、ジ（４−フルオロフェニル）ジスルフォン、ジ（２−フルオロフェニル）ジスルフォン及びジ（４−トルフルオロメチルフェニル）ジスルフォンからなる群から選択される少なくとも一種類であることが好ましい。
Figure 2013024778
 （式（８−５）中、Ｒ１７は、同一でも異なっていてもよく、それぞれ独立に、任意に置換された直鎖、分枝若しくは環状アルキル基、任意に置換されたアリール基、任意に置換されたヘテロアリール基又は任意に置換されたアラルキル基である。）
前記式（８−５）で示される化合物は、α−（メチルスルホニルオキシイミノ）−フェニルアセトニトリル、α−（メチルスルホニルオキシイミノ）−４−メトキシフェニルアセトニトリル、α−（トリフルオロメチルスルホニルオキシイミノ）−フェニルアセトニトリル、α−（トリフルオロメチルスルホニルオキシイミノ）−４−メトキシフェニルアセトニトリル、α−（エチルスルホニルオキシイミノ）−４−メトキシフェニルアセトニトリル、α−（プロピルスルホニルオキシイミノ）−４−メチルフェニルアセトニトリル及びα−（メチルスルホニルオキシイミノ）−４−ブロモフェニルアセトニトリルからなる群から選択される少なくとも一種類であることが好ましい。
Figure 2013024778
 式（８−６）中、Ｒ１８は、同一でも異なっていてもよく、それぞれ独立に、１以上の塩素原子及び１以上の臭素原子を有するハロゲン化アルキル基である。ハロゲン化アルキル基の炭素数は１〜５が好ましい。
Figure 2013024778
式（８−７）及び（８−８）中、Ｒ１９及びＲ２０はそれぞれ独立に、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基等のＣ１〜３のアルキル基；シクロペンチル基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基；メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基等のＣ１〜３のアルコキシル基；又はフェニル基、トルイル基、ナフチル基等アリール基；好ましくは、Ｃ６〜１０のアリール基である。Ｌ１９及びＬ２０はそれぞれ独立に１，２−ナフトキノンジアジド基を有する有機基である。１，２−ナフトキノンジアジド基を有する有機基としては、具体的には、１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホニル基、１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニル基、１，２−ナフトキノンジアジド−６−スルホニル基等の１，２−キノンジアジドスルホニル基を好ましいものとして挙げることができる。特に、１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホニル基及び１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニル基が好ましい。ｓ１は１〜３の整数、ｓ２は０〜４の整数、かつ１≦ｓ１＋ｓ２≦５である。Ｊ１９は単結合、Ｃ１〜４のポリメチレン基、シクロアルキレン基、フェニレン基、下記式（８−７−１）で表わされる基、カルボニル基、エステル基、アミド基又はエーテル基であり、Ｙ１９は水素原子、アルキル基又はアリール基であり、Ｘ２０は、それぞれ独立に下記式（８−８−１）で示される基である。
Figure 2013024778
Figure 2013024778
 （式（８−８−１）中、Ｚ２２はそれぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基であり、Ｒ２２はアルキル基、シクロアルキル基又はアルコキシル基であり、ｒは０〜３の整数である。）
その他の酸発生剤として、ビス（ｐ-トルエンスルホニル）ジアゾメタン、ビス（２，４-ジメチルフェニルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｔｅｒｔ-ブチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｎ-ブチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（イソブチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（イソプロピルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｎ-プロピルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（イソプロピルスルホニル）ジアゾメタン、１、３−ビス（シクロヘキシルスルホニルアゾメチルスルホニル）プロパン、１、４−ビス（フェニルスルホニルアゾメチルスルホニル）ブタン、１、６−ビス（フェニルスルホニルアゾメチルスルホニル）ヘキサン、１、１０−ビス（シクロヘキシルスルホニルアゾメチルスルホニル）デカン等のビススルホニルジアゾメタン類；２-（４-メトキシフェニル）-４，６-（ビストリクロロメチル）-１，３，５-トリアジン、２-（４-メトキシナフチル）-４，６-（ビストリクロロメチル）-１，３，５-トリアジン、トリス（２，３-ジブロモプロピル）-１，３，５-トリアジン、トリス（２，３-ジブロモプロピル）イソシアヌレート等のハロゲン含有トリアジン誘導体等が挙げられる。
前記酸発生剤のうち、芳香環を有する酸発生剤が好ましく、式（８−１）又は（８−２）で示され酸発生剤がより好ましい。式（８−１）又は（８−２）のＸ−が、アリール基若しくはハロゲン置換アリール基を有するスルホン酸イオンを有する酸発生剤がさらに好ましく、アリール基を有するスルホン酸イオンを有する酸発生剤が特に好ましく、ジフェニルトリメチルフェニルスルホニウム ｐ−トルエンスルホネート、トリフェニルスルホニウム ｐ−トルエンスルホネート、トリフェニルスルホニウム トリフルオロメタンスルホナート、トリフェニルスルホニウム ノナフルオロメタンスルホナートが特に好ましい。該酸発生剤を用いることで、ＬＥＲを低減することができる。
前記酸発生剤（Ｃ）は、単独で又は２種以上を使用することができる。
本実施の形態のレジスト組成物は、酸架橋剤（Ｇ）を一種以上含むことが好ましい。酸架橋剤（Ｇ）とは、酸発生剤（Ｃ）から発生した酸の存在下で、式（１）で示される化合物を分子内又は分子間架橋し得る化合物である。このような酸架橋剤（Ｇ）は、特に限定されないが、例えば式（１）で示される化合物を架橋し得る１種以上の基（以下、「架橋性基」という。）を有する化合物を挙げることができる。
このような架橋性基の具体例としては、例えば（ｉ）ヒドロキシ（Ｃ１−Ｃ６アルキル基）、Ｃ１−Ｃ６アルコキシ（Ｃ１−Ｃ６アルキル基）、アセトキシ（Ｃ１−Ｃ６アルキル基）等のヒドロキシアルキル基又はそれらから誘導される基；（ｉｉ）ホルミル基、カルボキシ（Ｃ１−Ｃ６アルキル基）等のカルボニル基又はそれらから誘導される基；（ｉｉｉ）ジメチルアミノメチル基、ジエチルアミノメチル基、ジメチロールアミノメチル基、ジエチロールアミノメチル基、モルホリノメチル基等の含窒素基含有基；（ｉｖ）グリシジルエーテル基、グリシジルエステル基、グリシジルアミノ基等のグリシジル基含有基；（ｖ）ベンジルオキシメチル基、ベンゾイルオキシメチル基等の、Ｃ１−Ｃ６アリルオキシ（Ｃ１−Ｃ６アルキル基）、Ｃ１−Ｃ６アラルキルオキシ（Ｃ１−Ｃ６アルキル基）等の芳香族基から誘導される基；（ｖｉ）ビニル基、イソプロペニル基等の重合性多重結合含有基等を挙げることができる。本発明の酸架橋剤（Ｇ）の架橋性基としては、ヒドロキシアルキル基、及びアルコキシアルキル基等が好ましく、特にアルコキシメチル基が好ましい。
前記架橋性基を有する酸架橋剤（Ｇ）としては、例えば（ｉ）メチロール基含有メラミン化合物、メチロール基含有ベンゾグアナミン化合物、メチロール基含有ウレア化合物、メチロール基含有グリコールウリル化合物、メチロール基含有フェノール化合物等のメチロール基含有化合物；（ｉｉ）アルコキシアルキル基含有メラミン化合物、アルコキシアルキル基含有ベンゾグアナミン化合物、アルコキシアルキル基含有ウレア化合物、アルコキシアルキル基含有グリコールウリル化合物、アルコキシアルキル基含有フェノール化合物等のアルコキシアルキル基含有化合物；（ｉｉｉ）カルボキシメチル基含有メラミン化合物、カルボキシメチル基含有ベンゾグアナミン化合物、カルボキシメチル基含有ウレア化合物、カルボキシメチル基含有グリコールウリル化合物、カルボキシメチル基含有フェノール化合物等のカルボキシメチル基含有化合物；（ｉｖ）ビスフェノールＡ系エポキシ化合物、ビスフェノールＦ系エポキシ化合物、ビスフェノールＳ系エポキシ化合物、ノボラック樹脂系エポキシ化合物、レゾール樹脂系エポキシ化合物、ポリ（ヒドロキシスチレン）系エポキシ化合物等のエポキシ化合物等を挙げることができる。
酸架橋剤（Ｇ）としては、さらに、フェノール性水酸基を有する化合物、並びにアルカリ可溶性樹脂中の酸性官能基に前記架橋性基を導入し、架橋性を付与した化合物及び樹脂を使用することができる。その場合の架橋性基の導入率は、特に限定されず、フェノール性水酸基を有する化合物、及びアルカリ可溶性樹脂中の全酸性官能基に対して、例えば、５〜１００モル％、好ましくは１０〜６０モル％、さらに好ましくは１５〜４０モル％に調節される。前記範囲であると、架橋反応が十分起こり、残膜率の低下、パターンの膨潤現象や蛇行等が避けられるので好ましい。
本実施の形態のレジスト組成物において酸架橋剤（Ｇ）は、アルコキシアルキル化ウレア化合物若しくはその樹脂、又はアルコキシアルキル化グリコールウリル化合物若しくはその樹脂が好ましい。特に好ましい酸架橋剤（Ｇ）としては、下記式（９−１）〜（９−３）で示される化合物及びアルコキシメチル化メラミン化合物を挙げることができる（酸架橋剤（Ｇ１））。
Figure 2013024778
 （前記式（９−１）〜（９−３）中、Ｒ７はそれぞれ独立して、水素原子、アルキル基又はアシル基を表し；Ｒ８〜Ｒ１１はそれぞれ独立して、水素原子、水酸基、アルキル基又はアルコキシル基を示し；Ｘ２は、単結合、メチレン基又は酸素原子を示す。）
Ｒ７が表すアルキル基は、特に限定されず、Ｃ１〜６が好ましく、Ｃ１〜３がより好ましく、例えばメチル基、エチル基、プロピル基が挙げられる。Ｒ７が表すアシル基は、特に限定されず、Ｃ２〜６が好ましく、Ｃ２〜４がより好ましく、例えばアセチル基、プロピオニル基が挙げられる。Ｒ８〜Ｒ１１が表すアルキル基は、特に限定されず、Ｃ１〜６が好ましく、Ｃ１〜３がより好ましく、例えばメチル基、エチル基、プロピル基が挙げられる。Ｒ８〜Ｒ１１が表すアルコキシル基は、特に限定されず、Ｃ１〜６が好ましく、Ｃ１〜３がより好ましく、例えばメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基が挙げられる。Ｘ２は単結合又はメチレン基であるのが好ましい。Ｒ７〜Ｒ１１、Ｘ２は、メチル基、エチル基等のアルキル基、メトキシ基、エトキシ基等のアルコキシ基、水酸基、ハロゲン原子などで置換されていてもよい。複数個のＲ７、Ｒ８〜Ｒ１１は、各々同一でも異なっていてもよい。
式（９−１）で表される化合物として具体的には、例えば、以下に示される化合物等を挙げることができる。
Figure 2013024778
式（９−２）で表される化合物として、具体的には、例えば、Ｎ，Ｎ，Ｎ，Ｎ−テトラ（メトキシメチル）グリコールウリル、Ｎ，Ｎ，Ｎ，Ｎ−テトラ（エトキシメチル）グリコールウリル、Ｎ，Ｎ，Ｎ，Ｎ−テトラ（ｎ−プロポキシメチル）グリコールウリル、Ｎ，Ｎ，Ｎ，Ｎ−テトラ（イソプロポキシメチル）グリコールウリル、Ｎ，Ｎ，Ｎ，Ｎ−テトラ（ｎ−ブトキシメチル）グリコールウリル、Ｎ，Ｎ，Ｎ，Ｎ−テトラ（ｔ−ブトキシメチル）グリコールウリル等を挙げることができる。この中で、特に、Ｎ，Ｎ，Ｎ，Ｎ−テトラ（メトキシメチル）グリコールウリルが好ましい。
式（９−３）で表される化合物として、具体的には、例えば、以下に示される化合物等を挙げることができる。
Figure 2013024778
アルコキシメチル化メラミン化合物として、具体的には、例えば、Ｎ，Ｎ，Ｎ，Ｎ，Ｎ，Ｎ−ヘキサ（メトキシメチル）メラミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ，Ｎ，Ｎ，Ｎ−ヘキサ（エトキシメチル）メラミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ，Ｎ，Ｎ，Ｎ−ヘキサ（ｎ−プロポキシメチル）メラミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ，Ｎ，Ｎ，Ｎ−ヘキサ（イソプロポキシメチル）メラミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ，Ｎ，Ｎ，Ｎ−ヘキサ（ｎ−ブトキシメチル）メラミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ，Ｎ，Ｎ，Ｎ−ヘキサ（ｔ−ブトキシメチル）メラミン等を挙げることができる。この中で特に、Ｎ，Ｎ，Ｎ，Ｎ，Ｎ，Ｎ−ヘキサ（メトキシメチル）メラミンが好ましい。
前記酸架橋剤（Ｇ１）は、例えば尿素化合物又はグリコールウリル化合物、及びホルマリンを縮合反応させてメチロール基を導入した後、さらにメチルアルコール、エチルアルコール、プロピルアルコール、ブチルアルコール等の低級アルコール類でエーテル化し、次いで反応液を冷却して析出する化合物又はその樹脂を回収することで得られる。また前記酸架橋剤（Ｇ１）は、ＣＹＭＥＬ（商品名、三井サイアナミッド製）、ニカラック（三和ケミカル（株）製）のような市販品としても入手することができる。
また、他の特に好ましい酸架橋剤（Ｇ）として、分子内にベンゼン環を１〜６有し、ヒドロキシアルキル基及び／又はアルコキシアルキル基を分子内全体に２以上有し、該ヒドロキシアルキル基及び／又はアルコキシアルキル基が前記いずれかのベンゼン環に結合しているフェノール誘導体を挙げることができる（酸架橋剤（Ｇ２））。好ましくは、分子量が１５００以下、分子内にベンゼン環を１〜６有し、ヒドロキシアルキル基及び／又はアルコキシアルキル基を合わせて２以上有し、該ヒドロキシアルキル基及び／又はアルコキシアルキル基が前記ベンゼン環のいずれか一、又は複数のベンゼン環に結合してなるフェノール誘導体を挙げることができる。
ベンゼン環に結合するヒドロキシアルキル基としては、特に限定されず、ヒドロキシメチル基、２−ヒドロキシエチル基、及び２−ヒドロキシ−１−プロピル基などのＣ１〜６のものが好ましい。ベンゼン環に結合するアルコキシアルキル基としては、Ｃ２〜６のものが好ましい。具体的にはメトキシメチル基、エトキシメチル基、ｎ−プロポキシメチル基、イソプロポキシメチル基、ｎ−ブトキシメチル基、イソブトキシメチル基、ｓｅｃ−ブトキシメチル基、ｔ−ブトキシメチル基、２−メトキシエチル基又は２−メトキシ−１−プロピル基が好ましい。
これらのフェノール誘導体のうち、特に好ましいものを以下に挙げる。
Figure 2013024778
Figure 2013024778
Figure 2013024778
Figure 2013024778
Figure 2013024778
Figure 2013024778
前記式中、Ｌ１〜Ｌ８は、同じであっても異なっていてもよく、それぞれ独立して、ヒドロキシメチル基、メトキシメチル基又はエトキシメチル基を示す。ヒドロキシメチル基を有するフェノール誘導体は、対応するヒドロキシメチル基を有さないフェノール化合物（前記式においてＬ１〜Ｌ８が水素原子である化合物）とホルムアルデヒドを塩基触媒下で反応させることによって得ることができる。この際、樹脂化やゲル化を防ぐために、反応温度を６０℃以下で行うことが好ましい。具体的には、特開平６−２８２０６７号公報、特開平７−６４２８５号公報等に記載されている方法にて合成することができる。
アルコキシメチル基を有するフェノール誘導体は、対応するヒドロキシメチル基を有するフェノール誘導体とアルコールを酸触媒下で反応させることによって得ることができる。この際、樹脂化やゲル化を防ぐために、反応温度を１００℃以下で行うことが好ましい。具体的には、ＥＰ６３２００３Ａ１等に記載されている方法にて合成することができる。
このようにして合成されたヒドロキシメチル基及び／又はアルコキシメチル基を有するフェノール誘導体は、保存時の安定性の点で好ましいが、アルコキシメチル基を有するフェノール誘導体は保存時の安定性の観点から特に好ましい。酸架橋剤（Ｇ２）は、単独で使用してもよく、また２種以上を組み合わせて使用してもよい。
また、他の特に好ましい酸架橋剤（Ｇ）として、少なくとも一つのα−ヒドロキシイソプロピル基を有する化合物を挙げることができる（酸架橋剤（Ｇ３））。α−ヒドロキシイソプロピル基を有する限り、その構造に特に限定はない。また、前記α−ヒドロキシイソプロピル基中のヒドロキシル基の水素原子を１種以上の酸解離性基（Ｒ−ＣＯＯ−基、Ｒ−ＳＯ２−基等、Ｒは、Ｃ１〜１２の直鎖状炭化水素基、Ｃ３〜１２の環状炭化水素基、Ｃ１〜１２のアルコキシ基、Ｃ３〜１２の１−分岐アルキル基及びＣ６〜１２の芳香族炭化水素基からなる群から選ばれる置換基を表す）で置換されていてもよい。前記α−ヒドロキシイソプロピル基を有する化合物としては、例えば、少なくとも１つのα−ヒドロキシイソプロピル基を含有する置換又は非置換の芳香族系化合物、ジフェニル化合物、ナフタレン化合物、フラン化合物等の１種又は２種以上が挙げられる。具体的には、例えば、下記一般式（１０−１）で表される化合物（以下、「ベンゼン系化合物（１）」という。）、下記一般式（１０−２）で表される化合物（以下、「ジフェニル系化合物（２）」という。）、下記一般式（１０−３）で表される化合物（以下、「ナフタレン系化合物（３」という。）、及び下記一般式（１０−４）で表される化合物（以下、「フラン系化合物（４）」という。）等が挙げられる。
Figure 2013024778
前記一般式（１０−１）〜（１０−４）中、各Ａ２は独立にα−ヒドロキシイソプロピル基又は水素原子を示し、かつ少なくとも１のＡ２がα−ヒドロキシイソプロピル基である。また、一般式（１０−１）中、Ｒ５１は水素原子、ヒドロキシル基、Ｃ２〜６の直鎖状若しくは分岐状のアルキルカルボニル基又はＣ２〜６の直鎖状若しくは分岐状のアルコキシカルボニル基を示す。さらに、一般式（１０−２）中、Ｒ５２は単結合、Ｃ１〜５の直鎖状若しくは分岐状のアルキレン基、−Ｏ−、−ＣＯ−又は−ＣＯＯ−を示す。また、一般式（１０−４）中、Ｒ５３及びＲ５４は、相互に独立に水素原子又はＣ１〜６の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基を示す。
前記ベンゼン系化合物（１）として具体的には、例えば、α−ヒドロキシイソプロピルベンゼン、１，３−ビス（α−ヒドロキシイソプロピル）ベンゼン、１，４−ビス（α−ヒドロキシイソプロピル）ベンゼン、１，２，４−トリス（α−ヒドロキシイソプロピル）ベンゼン、１，３，５−トリス（α−ヒドロキシイソプロピル）ベンゼン等のα−ヒドロキシイソプロピルベンゼン類；３−α−ヒドロキシイソプロピルフェノール、４−α−ヒドロキシイソプロピルフェノール、３，５−ビス（α−ヒドロキシイソプロピル）フェノール、２，４，６−トリス（α−ヒドロキシイソプロピル）フェノール等のα−ヒドロキシイソプロピルフェノール類；３−α−ヒドロキシイソプロピルフェニルメチルケトン、４−α−ヒドロキシイソプロピルフェニルメチルケトン、４−α−ヒドロキシイソプロピルフェニルエチルケトン、４−α−ヒドロキシイソプロピルフェニル−ｎ−プロピルケトン、４−α−ヒドロキシイソプロピルフェニルイソプロピルケトン、４−α−ヒドロキシイソプロピルフェニル−ｎ−ブチルケトン、４−α−ヒドロキシイソプロピルフェニル−ｔ−ブチルケトン、４−α−ヒドロキシイソプロピルフェニル−ｎ−ペンチルケトン、３，５−ビス（α−ヒドロキシイソプロピル）フェニルメチルケトン、３，５−ビス（α−ヒドロキシイソプロピル）フェニルエチルケトン、２，４，６−トリス（α−ヒドロキシイソプロピル）フェニルメチルケトン等のα−ヒドロキシイソプロピルフェニルアルキルケトン類；３−α−ヒドロキシイソプロピル安息香酸メチル、４−α−ヒドロキシイソプロピル安息香酸メチル、４−α−ヒドロキシイソプロピル安息香酸エチル、４−α−ヒドロキシイソプロピル安息香酸ｎ−プロピル、４−α−ヒドロキシイソプロピル安息香酸イソプロピル、４−α−ヒドロキシイソプロピル安息香酸ｎ−ブチル、４−α−ヒドロキシイソプロピル安息香酸ｔ−ブチル、４−α−ヒドロキシイソプロピル安息香酸ｎ−ペンチル、３，５−ビス（α−ヒドロキシイソプロピル）安息香酸メチル、３，５−ビス（α−ヒドロキシイソプロピル）安息香酸エチル、２，４，６−トリス（α−ヒドロキシイソプロピル）安息香酸メチル等の４−α−ヒドロキシイソプロピル安息香酸アルキル類等が挙げられる。
また、前記ジフェニル系化合物（２）として具体的には、例えば、３−α−ヒドロキシイソプロピルビフェニル、４−α−ヒドロキシイソプロピルビフェニル、３，５−ビス（α−ヒドロキシイソプロピル）ビフェニル、３，３’−ビス（α−ヒドロキシイソプロピル）ビフェニル、３，４’−ビス（α−ヒドロキシイソプロピル）ビフェニル、４，４’−ビス（α−ヒドロキシイソプロピル）ビフェニル、２，４，６−トリス（α−ヒドロキシイソプロピル）ビフェニル、３，３’，５−トリス（α−ヒドロキシイソプロピル）ビフェニル、３，４’，５−トリス（α−ヒドロキシイソプロピル）ビフェニル、２，３’，４，６，−テトラキス（α−ヒドロキシイソプロピル）ビフェニル、２，４，４’，６，−テトラキス（α−ヒドロキシイソプロピル）ビフェニル、３，３’，５，５’−テトラキス（α−ヒドロキシイソプロピル）ビフェニル、２，３’，４，５’，６−ペンタキス（α−ヒドロキシイソプロピル）ビフェニル、２，２’，４，４’，６，６’−ヘキサキス（α−ヒドロキシイソプロピル）ビフェニル等のα−ヒドロキシイソプロピルビフェニル類；３−α−ヒドロキシイソプロピルジフェニルメタン、４−α−ヒドロキシイソプロピルジフェニルメタン、１−（４−α−ヒドロキシイソプロピルフェニル）−２−フェニルエタン、１−（４−α−ヒドロキシイソプロピルフェニル）−２−フェニルプロパン、２−（４−α−ヒドロキシイソプロピルフェニル）−２−フェニルプロパン、１−（４−α−ヒドロキシイソプロピルフェニル）−３−フェニルプロパン、１−（４−α−ヒドロキシイソプロピルフェニル）−４−フェニルブタン、１−（４−α−ヒドロキシイソプロピルフェニル）−５−フェニルペンタン、３，５−ビス（α−ヒドロキシイソプロピルジフェニルメタン、３，３’−ビス（α−ヒドロキシイソプロピル）ジフェニルメタン、３，４’−ビス（α−ヒドロキシイソプロピル）ジフェニルメタン、４，４’−ビス（α−ヒドロキシイソプロピル）ジフェニルメタン、１，２−ビス（４−α−ヒドロキシイソプロピルフェニル）エタン、１，２−ビス（４−α−ヒドロキシプロピルフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−α−ヒドロキシプロピルフェニル）プロパン、１，３−ビス（４−α−ヒドロキシプロピルフェニル）プロパン、２，４，６−トリス（α−ヒドロキシイソプロピル）ジフェニルメタン、３，３’，５−トリス（α−ヒドロキシイソプロピル）ジフェニルメタン、３，４’，５−トリス（α−ヒドロキシイソプロピル）ジフェニルメタン、２，３’，４，６−テトラキス（α−ヒドロキシイソプロピル）ジフェニルメタン、２，４，４’，６−テトラキス（α−ヒドロキシイソプロピル）ジフェニルメタン、３，３’，５，５’−テトラキス（α−ヒドロキシイソプロピル）ジフェニルメタン、２，３’，４，５’，６−ペンタキス（α−ヒドロキシイソプロピル）ジフェニルメタン、２，２’，４，４’，６，６’−ヘキサキス（α−ヒドロキシイソプロピル）ジフェニルメタン等のα−ヒドロキシイソプロピルジフェニルアルカン類；３−α−ヒドロキシイソプロピルジフェニルエーテル、４−α−ヒドロキシイソプロピルジフェニルエーテル、３，５−ビス（α−ヒドロキシイソプロピル）ジフェニルエーテル、３，３’−ビス（α−ヒドロキシイソプロピル）ジフェニルエーテル、３，４’−ビス（α−ヒドロキシイソプロピル）ジフェニルエーテル、４，４’−ビス（α−ヒドロキシイソプロピル）ジフェニルエーテル、２，４，６−トリス（α−ヒドロキシイソプロピル）ジフェニルエーテル、３，３’，５−トリス（α−ヒドロキシイソプロピル）ジフェニルエーテル、３，４’，５−トリス（α−ヒドロキシイソプロピル）ジフェニルエーテル、２，３’ ，４，６−テトラキス（α−ヒドロキシイソプロピル）ジフェニルエーテル、２，４，４’，６−テトラキス（α−ヒドロキシイソプロピル）ジフェニルエーテル、３，３’，５，５’−テトラキス（α−ヒドロキシイソプロピル）ジフェニルエーテル、２，３’，４，５’，６−ペンタキス（α−ヒドロキシイソプロピル）ジフェニルエーテル、２，２’，４，４’，６，６’−ヘキサキス（α−ヒドロキシイソプロピル）ジフェニルエーテル等のα−ヒドロキシイソプロピルジフェニルエーテル類；３−α−ヒドロキシイソプロピルジフェニルケトン、４−α−ヒドロキシイソプロピルジフェニルケトン、３，５−ビス（α−ヒドロキシイソプロピル）ジフェニルケトン、３，３’−ビス（α−ヒドロキシイソプロピル）ジフェニルケトン、３，４’−ビス（α−ヒドロキシイソプロピル）ジフェニルケトン、４，４’−ビス（α−ヒドロキシイソプロピル）ジフェニルケトン、２，４，６−トリス（α−ヒドロキシイソプロピル）ジフェニルケトン、３，３’，５−トリス（α−ヒドロキシイソプロピル）ジフェニルケトン、３，４’，５−トリス（α−ヒドロキシイソプロピル）ジフェニルケトン、２，３’，４，６−テトラキス（α−ヒドロキシイソプロピル）ジフェニルケトン、２，４，４’，６−テトラキス（α−ヒドロキシイソプロピル）ジフェニルケトン、３，３’，５，５’−テトラキス（α−ヒドロキシイソプロピル）ジフェニルケトン、２，３’，４，５’，６−ペンタキス（α−ヒドロキシイソプロピル）ジフェニルケトン、２，２’，４，４’，６，６’−ヘキサキス（α−ヒドロキシイソプロピル）ジフェニルケトン等のα−ヒドロキシイソプロピルジフェニルケトン類；３−α−ヒドロキシイソプロピル安息香酸フェニル、４−α−ヒドロキシイソプロピル安息香酸フェニル、安息香酸３−α−ヒドロキシイソプロピルフェニル、安息香酸４−α−ヒドロキシイソプロピルフェニル、３，５−ビス（α−ヒドロキシイソプロピル）安息香酸フェニル、３−α−ヒドロキシイソプロピル安息香酸３−α−ヒドロキシイソプロピルフェニル、３−α−ヒドロキシイソプロピル安息香酸４−α−ヒドロキシイソプロピルフェニル、４−α−ヒドロキシイソプロピル安息香酸３−α−ヒドロキシイソプロピルフェニル、４−α−ヒドロキシイソプロピル安息香酸４−α−ヒドロキシイソプロピルフェニル、安息香酸３，５−ビス（α−ヒドロキシイソプロピル）フェニル、２，４，６−トリス（α−ヒドロキシイソプロピル）安息香酸フェニル、３，５−ビス（α−ヒドロキシイソプロピル）安息香酸３−α−ヒドロキシイソプロピルフェニル、３，５−ビス（α−ヒドロキシイソプロピル）安息香酸４−α−ヒドロキシイソプロピルフェニル、３−α−ヒドロキシイソプロピル安息香酸３，５−ビス（α−ヒドロキシイソプロピル）フェニル、４−α−ヒドロキシイソプロピル安息香酸３，５−ビス（α−ヒドロキシイソプロピル）フェニル、安息香酸２，４，６−トリス（α−ヒドロキシイソプロピル）フェニル、２，４，６−トリス（α−ヒドロキシイソプロピル）安息香酸３−α−ヒドロキシイソプロピルフェニル、２，４，６−トリス（α−ヒドロキシイソプロピル）安息香酸４−α−ヒドロキシイソプロピルフェニル、３，５−ビス（α−ヒドロキシイソプロピル）安息香酸３，５−ビス（α−ヒドロキシイソプロピル）フェニル、３−α−ヒドロキシイソプロピル安息香酸２，４，６−トリス（α−ヒドロキシイソプロピル）フェニル、４−α−ヒドロキシイソプロピル安息香酸２，４，６−トリス（α−ヒドロキシイソプロピル）フェニル、２，４，６−トリス（α−ヒドロキシイソプロピル）安息香酸３，５−ビス（α−ヒドロキシイソプロピル）フェニル、３，５−ビス（α−ヒドロキシイソプロピル）安息香酸２，４，６−トリス（α−ヒドロキシイソプロピル）フェニル、２，４，６−トリス（α−ヒドロキシイソプロピル）安息香酸２，４，６−トリス（α−ヒドロキシイソプロピル）フェニル等のα−ヒドロキシイソプロピル安息香酸フェニル類等が挙げられる。
さらに、前記ナフタレン系化合物（３）として具体的には、例えば、１−（α−ヒドロキシイソプロピル）ナフタレン、２−（α−ヒドロキシイソプロピル）ナフタレン、１，３−ビス（α−ヒドロキシイソプロピル）ナフタレン、１，４−ビス（α−ヒドロキシイソプロピル）ナフタレン、１，５−ビス（α−ヒドロキシイソプロピル）ナフタレン、１，６−ビス（α−ヒドロキシイソプロピル）ナフタレン、１，７−ビス（α−ヒドロキシイソプロピル）ナフタレン、２，６−ビス（α−ヒドロキシイソプロピル）ナフタレン、２，７−ビス（α−ヒドロキシイソプロピル）ナフタレン、１，３，５−トリス（α−ヒドロキシイソプロピル）ナフタレン、１，３，６−トリス（α−ヒドロキシイソプロピル）ナフタレン、１，３，７−トリス（α−ヒドロキシイソプロピル）ナフタレン、１，４，６−トリス（α−ヒドロキシイソプロピル）ナフタレン、１，４，７−トリス（α−ヒドロキシイソプロピル）ナフタレン、１，３，５，７−テトラキス（α−ヒドロキシイソプロピル）ナフタレン等が挙げられる。
また、前記フラン系化合物（４）として具体的には、例えば、３−（α−ヒドロキシイソプロピル）フラン、２−メチル−３−（α−ヒドロキシイソプロピル）フラン、２−メチル−４−（α−ヒドロキシイソプロピル）フラン、２−エチル−４−（α−ヒドロキシイソプロピル）フラン、２−ｎ−プロピル−４−（α−ヒドロキシイソプロピル）フラン、２−イソプロピル−４−（α−ヒドロキシイソプロピル）フラン、２−ｎ−ブチル−４−（α−ヒドロキシイソプロピル）フラン、２−ｔ−ブチル−４−（α−ヒドロキシイソプロピル）フラン、２−ｎ−ペンチル−４−（α−ヒドロキシイソプロピル）フラン、２，５−ジメチル−３−（α−ヒドロキシイソプロピル）フラン、２，５−ジエチル−３−（α−ヒドロキシイソプロピル）フラン、３，４−ビス（α−ヒドロキシイソプロピル）フラン、２，５−ジメチル−３，４−ビス（α−ヒドロキシイソプロピル）フラン、２，５−ジエチル−３，４−ビス（α−ヒドロキシイソプロピル）フラン等を挙げることができる。
前記酸架橋剤（Ｇ３）としては、遊離のα−ヒドロキシイソプロピル基を２以上有する化合物が好ましく、α−ヒドロキシイソプロピル基を２以上有する前記ベンゼン系化合物（１）、α−ヒドロキシイソプロピル基を２以上有する前記ジフェニル系化合物（２）、α−ヒドロキシイソプロピル基を２個以上有する前記ナフタレン系化合物（３）がさらに好ましく、α−ヒドロキシイソプロピル基を２個以上有するα−ヒドロキシイソプロピルビフェニル類、α−ヒドロキシイソプロピル基を２個以上有するナフタレン系化合物（３）が特に好ましい。
前記酸架橋剤（Ｇ３）は、通常、１，３−ジアセチルベンゼン等のアセチル基含有化合物に、ＣＨ３ＭｇＢｒ等のグリニヤール試薬を反応させてメチル化した後、加水分解する方法や、１，３−ジイソプロピルベンゼン等のイソプロピル基含有化合物を酸素等で酸化して過酸化物を生成させた後、還元する方法により得ることができる。
本実施の形態において酸架橋剤（Ｇ）の含有量は、固形成分の全質量の０．５〜４９質量％が好ましく、０．５〜４０質量％がより好ましく、１〜３０質量％がさらに好ましく、２〜２０質量％が特に好ましい。前記酸架橋剤（Ｇ）の含有割合を０．５質量％以上とすると、レジスト膜のアルカリ現像液に対する溶解性の抑制効果を向上させ、残膜率が低下したり、パターンの膨潤や蛇行が生じたりするのを抑制することができるので好ましく、一方、５０質量％以下とすると、レジストとしての耐熱性の低下を抑制できることから好ましい。
また、前記酸架橋剤（Ｇ）中の前記酸架橋剤（Ｇ１）、酸架橋剤（Ｇ２）、酸架橋剤（Ｇ３）から選ばれる少なくとも１種の化合物の含有量も特に限定はなく、レジストパターンを形成する際に使用される基板の種類等によって種々の範囲とすることができる。
全酸架橋剤成分において、前記アルコキシメチル化メラミン化合物及び／又は（１０−１）〜（１０−３）で示される化合物の含有量は、特に限定されず、好ましくは５０〜９９質量％、より好ましくは６０〜９９質量％、さらに好ましくは７０〜９８質量％、特に好ましくは８０〜９７質量％である。アルコキシメチル化メラミン化合物及び／又は（１０−１）〜（１０−３）で示される化合物を全酸架橋剤成分の５０質量％以上とすることにより、解像度を一層向上させることができるので好ましく、９９質量％以下とすることにより、パターン断面形状として矩形状の断面形状とし易いので好ましい。
本実施の形態のレジスト組成物は、放射線照射により酸発生剤から生じた酸のレジスト膜中における拡散を制御して、未露光領域での好ましくない化学反応を阻止する作用等を有する酸拡散制御剤（Ｅ）を含有してもよい。この様な酸拡散制御剤（Ｅ）を使用することにより、レジスト組成物の貯蔵安定性が向上する。また解像度が一層向上するとともに、放射線照射前の引き置き時間、放射線照射後の引き置き時間の変動によるレジストパターンの線幅変化を抑えることができ、プロセス安定性に極めて優れたものとなる。
このような酸拡散制御剤（Ｅ）は、特に限定されず、例えば、窒素原子含有塩基性化合物、塩基性スルホニウム化合物、塩基性ヨードニウム化合物等の放射線分解性塩基性化合物が挙げられる。酸拡散制御剤（Ｅ）は、単独で又は２種以上を使用することができる。
前記酸拡散制御剤としては、例えば、含窒素有機化合物や、露光により分解する塩基性化合物等が挙げられる。前記含窒素有機化合物としては、例えば、下記一般式（１１）：
Figure 2013024778
 で表される化合物（以下、「含窒素化合物（Ｉ）」という。）、同一分子内に窒素原子を２個有するジアミノ化合物（以下、「含窒素化合物（ＩＩ）」という。）、窒素原子を３個以上有するポリアミノ化合物や重合体（以下、「含窒素化合物（ＩＩＩ）」という。）、アミド基含有化合物、ウレア化合物、及び含窒素複素環式化合物等を挙げることができる。なお、酸拡散制御剤（Ｅ）は、１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
前記一般式（１１）中、Ｒ６１、Ｒ６２及びＲ６３は相互に独立に水素原子、直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキル基、アリール基又はアラルキル基を示す。また、前記アルキル基、アリール基又はアラルキル基は、非置換でもよく、ヒドロキシル基等で置換されていてもよい。ここで、前記直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキル基は、特に限定されず、例えば、Ｃ１〜１５、好ましくは１〜１０のものが挙げられ、具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ネオペンチル基、ｎ−ヘキシル基、テキシル基、ｎ−へプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−エチルヘキシル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基等が挙げられる。また、前記アリール基としては、Ｃ６〜１２のものが挙げられ、具体的には、フェニル基、トリル基、キシリル基、クメニル基、１−ナフチル基等が挙げられる。さらに、前記アラルキル基は、特に限定されず、Ｃ７〜１９、好ましくは７〜１３のものが挙げられ、具体的には、ベンジル基、α−メチルベンジル基、フェネチル基、ナフチルメチル基等が挙げられる。
前記含窒素化合物（Ｉ）は、特に限定されず、具体的には、例えば、ｎ−ヘキシルアミン、ｎ−ヘプチルアミン、ｎ−オクチルアミン、ｎ−ノニルアミン、ｎ−デシルアミン、ｎ−ドデシルアミン、シクロヘキシルアミン等のモノ（シクロ）アルキルアミン類；ジ−ｎ−ブチルアミン、ジ−ｎ−ペンチルアミン、ジ−ｎ−ヘキシルアミン、ジ−ｎ−ヘプチルアミン、ジ−ｎ−オクチルアミン、ジ−ｎ−ノニルアミン、ジ−ｎ−デシルアミン、メチル−ｎ−ドデシルアミン、ジ−ｎ−ドデシルメチル、シクロヘキシルメチルアミン、ジシクロヘキシルアミン等のジ（シクロ）アルキルアミン類；トリエチルアミン、トリ−ｎ−プロピルアミン、トリ−ｎ−ブチルアミン、トリ−ｎ−ペンチルアミン、トリ−ｎ−ヘキシルアミン、トリ−ｎ−ヘプチルアミン、トリ−ｎ−オクチルアミン、トリ−ｎ−ノニルアミン、トリ−ｎ−デシルアミン、ジメチル−ｎ−ドデシルアミン、ジ−ｎ−ドデシルメチルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン、トリシクロヘキシルアミン等のトリ（シクロ）アルキルアミン類；モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン等のアルカノールアミン類；アニリン、Ｎ−メチルアニリン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、２−メチルアニリン、３−メチルアニリン、４−メチルアニリン、４−ニトロアニリン、ジフェニルアミン、トリフェニルアミン、１−ナフチルアミン等の芳香族アミン類等を挙げることができる。
前記含窒素化合物（ＩＩ）は、特に限定されず、具体的には、例えば、エチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（２−ヒドロキシプロピル）エチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、４，４’−ジアミノベンゾフェノン、４，４’−ジアミノジフェニルアミン、２，２−ビス（４−アミノフェニル）プロパン、２−（３−アミノフェニル）−２−（４−アミノフェニル）プロパン、２−（４−アミノフェニル）−２−（３−ヒドロキシフェニル）プロパン、２−（４−アミノフェニル）−２−（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、１，４−ビス［１−（４−アミノフェニル）−１−メチルエチル］ベンゼン、１，３−ビス［１−（４−アミノフェニル）−１−メチルエチル］ベンゼン等を挙げることができる。
前記含窒素化合物（ＩＩＩ)は、特に限定されず、具体的には、例えば、ポリエチレンイミン、ポリアリルアミン、Ｎ−（２−ジメチルアミノエチル）アクリルアミドの重合体等を挙げることができる。
前記アミド基含有化合物は、特に限定されず、具体的には、例えば、ホルムアミド、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、アセトアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、プロピオンアミド、ベンズアミド、ピロリドン、Ｎ−メチルピロリドン等を挙げることができる。
前記ウレア化合物は、特に限定されず、具体的には、例えば、尿素、メチルウレア、１，１−ジメチルウレア、１，３−ジメチルウレア、１，１，３，３−テトラメチルウレア、１，３−ジフェニルウレア、トリ−ｎ−ブチルチオウレア等を挙げることができる。
前記含窒素複素環式化合物は、特に限定されず、具体的には、例えば、イミダゾール、ベンズイミダゾール、４−メチルイミダゾール、４−メチル−２−フェニルイミダゾール、２−フェニルベンズイミダゾール等のイミダゾール類；ピリジン、２−メチルピリジン、４−メチルピリジン、２−エチルピリジン、４−エチルピリジン、２−フェニルピリジン、４−フェニルピリジン、２−メチル−４−フェニルピリジン、ニコチン、ニコチン酸、ニコチン酸アミド、キノリン、８−オキシキノリン、アクリジン等のピリジン類；及び、ピラジン、ピラゾール、ピリダジン、キノザリン、プリン、ピロリジン、ピペリジン、モルホリン、４−メチルモルホリン、ピペラジン、１，４−ジメチルピペラジン、１，４−ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン等を挙げることができる。
また、前記放射線分解性塩基性化合物は、特に限定されず、例えば、下記一般式（１２−１）：
Figure 2013024778
 で表されるスルホニウム化合物、及び下記一般式（１２−２）：
Figure 2013024778
 で表されるヨードニウム化合物等を挙げることができる。
前記一般式（１２−１）及び（１２−２）中、Ｒ７１、Ｒ７２、Ｒ７３、Ｒ７４及びＲ７５は相互に独立に水素原子、Ｃ１〜６のアルキル基、Ｃ１〜６のアルコキシル基、ヒドロキシル基又はハロゲン原子を示す。Ｚ−はＨＯ−、Ｒ−ＣＯＯ−（ここで、ＲはＣ１〜６のアルキル基、Ｃ６〜１１のアリール基若しくはＣ７〜１２のアルカリール基を示す。）又は下記一般式（１２−３）：
Figure 2013024778
 で表されるアニオンを示す。
前記放射線分解性塩基性化合物として具体的には、例えば、トリフェニルスルホニウムハイドロオキサイド、トリフェニルスルホニウムアセテート、トリフェニルスルホニウムサリチレート、ジフェニル−４−ヒドロキシフェニルスルホニウムハイドロオキサイド、ジフェニル−４−ヒドロキシフェニルスルホニウムアセテート、ジフェニル−４−ヒドロキシフェニルスルホニウムサリチレート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムハイドロオキサイド、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムアセテート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムハイドロオキサイド、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムアセテート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムサリチレート、４−ｔ−ブチルフェニル−４−ヒドロキシフェニルヨードニウムハイドロオキサイド、４−ｔ−ブチルフェニル−４−ヒドロキシフェニルヨードニウムアセテート、４−ｔ−ブチルフェニル−４−ヒドロキシフェニルヨードニウムサリチレート等が挙げられる。
酸拡散制御剤（Ｅ）の含有量は、固形成分の全質量の０．００１〜４９質量％が好ましく、０．０１〜１０質量％がより好ましく、０．０１〜５質量％がさらに好ましく、０．０１〜３質量％が特に好ましい。前記範囲内であると、解像度の低下、パターン形状、寸法忠実度等の劣化を一層抑制できる。さらに、電子線照射から放射線照射後加熱までの引き置き時間が長くなっても、パターン上層部の形状が劣化することがない。また、含有量が１０質量％以下であると、感度、未露光部の現像性等の低下を防ぐことができる。またこの様な酸拡散制御剤を使用することにより、レジスト組成物の貯蔵安定性が向上し、また解像度が向上するとともに、放射線照射前の引き置き時間、放射線照射後の引き置き時間の変動によるレジストパターンの線幅変化を抑えることができ、プロセス安定性に極めて優れたものとなる。
本実施の形態のレジスト組成物には、本実施の形態の目的を阻害しない範囲で、必要に応じて、その他の成分（Ｆ）として、溶解促進剤、溶解制御剤、増感剤、界面活性剤及び有機カルボン酸又はリンのオキソ酸若しくはその誘導体等の各種添加剤を１種又は２種以上添加することができる。
溶解促進剤
低分子量溶解促進剤は、式（１）で示される化合物の現像液に対する溶解性が低すぎる場合に、その溶解性を高めて、現像時の前記化合物の溶解速度を適度に増大させる作用を有する成分であり、本発明の効果を損なわない範囲で使用することができる。前記溶解促進剤としては、例えば、低分子量のフェノール性化合物を挙げることができ、例えば、ビスフェノール類、トリス（ヒドロキシフェニル）メタン等を挙げることができる。これらの溶解促進剤は、単独で又は２種以上を混合して使用することができる。溶解促進剤の含有量は、使用する前記化合物の種類に応じて適宜調節されるが、固形成分の全質量の０〜４９質量％が好ましく、０〜５質量％がより好ましく、０〜１質量％がさらに好ましく、０質量％が特に好ましい。
溶解制御剤
溶解制御剤は、式（１）で示される化合物が現像液に対する溶解性が高すぎる場合に、その溶解性を制御して現像時の溶解速度を適度に減少させる作用を有する成分である。このような溶解制御剤としては、レジスト被膜の焼成、放射線照射、現像等の工程において化学変化しないものが好ましい。
溶解制御剤は、特に限定されず、例えば、フェナントレン、アントラセン、アセナフテン等の芳香族炭化水素類；アセトフェノン、ベンゾフェノン、フェニルナフチルケトン等のケトン類；メチルフェニルスルホン、ジフェニルスルホン、ジナフチルスルホン等のスルホン類等を挙げることができる。これらの溶解制御剤は、単独で又は２種以上を使用することができる。
溶解制御剤の含有量は、特に限定されず、使用する前記化合物の種類に応じて適宜調節されるが、固形成分の全質量の０〜４９質量％が好ましく、０〜５質量％がより好ましく、０〜１質量％がさらに好ましく、０質量％が特に好ましい。
増感剤
増感剤は、照射された放射線のエネルギーを吸収して、そのエネルギーを酸発生剤（Ｃ）に伝達し、それにより酸の生成量を増加する作用を有し、レジストの見掛けの感度を向上させる成分である。このような増感剤は、特に限定されず、例えば、ベンゾフェノン類、ビアセチル類、ピレン類、フェノチアジン類、フルオレン類等を挙げることができるが、特に限定はされない。これらの増感剤は、単独で又は２種以上を使用することができる。増感剤の含有量は、使用する前記化合物の種類に応じて適宜調節されるが、固形成分の全質量の０〜４９質量％が好ましく、０〜５質量％がより好ましく、０〜１質量％がさらに好ましく、０質量％が特に好ましい。
界面活性剤
界面活性剤は、本実施の形態のレジスト組成物の塗布性やストリエーション、レジストの現像性等を改良する作用を有する成分である。このような界面活性剤は、特に限定されず、アニオン系、カチオン系、ノニオン系あるいは両性のいずれでもよい。好ましい界面活性剤はノニオン系界面活性剤である。ノニオン系界面活性剤は、レジスト組成物の製造に用いる溶媒との親和性がよく、より効果がある。ノニオン系界面活性剤の例としては、ポリオキシエチレン高級アルキルエーテル類、ポリオキシエチレン高級アルキルフェニルエーテル類、ポリエチレングリコールの高級脂肪酸ジエステル類等が挙げられるが、特に限定はされない。市販品としては、以下商品名で、エフトップ（ジェムコ社製）、メガファック（大日本インキ化学工業社製）、フロラード（住友スリーエム社製）、アサヒガード、サーフロン（以上、旭硝子社製）、ペポール（東邦化学工業社製）、ＫＰ（信越化学工業社製）、ポリフロー（共栄社油脂化学工業社製）等を挙げることができる。界面活性剤の含有量は、特に限定されず、使用する前記化合物の種類に応じて適宜調節されるが、固形成分の全質量の０〜４９質量％が好ましく、０〜５質量％がより好ましく、０〜１質量％がさらに好ましく、０質量％が特に好ましい。
有機カルボン酸又はリンのオキソ酸若しくはその誘導体
本実施の形態のレジスト組成物は、感度劣化防止又はレジストパターン形状、引き置き安定性等の向上の目的で、さらに任意の成分として、有機カルボン酸又はリンのオキソ酸若しくはその誘導体を含有してもよい。なお、酸拡散制御剤と併用することもできるし、単独で用いてもよい。有機カルボン酸としては、例えば、マロン酸、クエン酸、リンゴ酸、コハク酸、安息香酸、サリチル酸などが好適である。リンのオキソ酸若しくはその誘導体としては、リン酸、リン酸ジ−ｎ−ブチルエステル、リン酸ジフェニルエステルなどのリン酸又はそれらのエステルなどの誘導体；ホスホン酸、ホスホン酸ジメチルエステル、ホスホン酸ジ−ｎ−ブチルエステル、フェニルホスホン酸、ホスホン酸ジフェニルエステル、ホスホン酸ジベンジルエステルなどのホスホン酸又はそれらのエステルなどの誘導体；ホスフィン酸、フェニルホスフィン酸などのホスフィン酸及びそれらのエステルなどの誘導体が挙げられ、これらの中で特にホスホン酸が好ましい。
有機カルボン酸又はリンのオキソ酸若しくはその誘導体は、単独で又は２種以上を使用することができる。有機カルボン酸又はリンのオキソ酸若しくはその誘導体の含有量は、使用する前記化合物の種類に応じて適宜調節されるが、固形成分の全質量の０〜４９質量％が好ましく、０〜５質量％がより好ましく、０〜１質量％がさらに好ましく、０質量％が特に好ましい。
その他添加剤
さらに、本実施の形態のレジスト組成物には、本発明の目的を阻害しない範囲で、必要に応じて、前記溶解制御剤、増感剤、及び界面活性剤以外の添加剤を１種又は２種以上含有できる。そのような添加剤としては、例えば、染料、顔料、及び接着助剤等が挙げられる。例えば、染料又は顔料を含有すると、露光部の潜像を可視化させて、露光時のハレーションの影響を緩和できるので好ましい。また、接着助剤を含有すると、基板との接着性を改善することができるので好ましい。さらに、他の添加剤としては、ハレーション防止剤、保存安定剤、消泡剤、形状改良剤等、具体的には４−ヒドロキシ−４’−メチルカルコン等を挙げることができる。
任意成分（Ｆ）の合計含有量は、固形成分の全質量の０〜４９質量％が好ましく、０〜５質量％がより好ましく、０〜１質量％がさらに好ましく、０質量％が特に好ましい。
本実施の形態のレジスト組成物における、式（１）で示される化合物及び／又は式（２）で示される化合物、酸発生剤（Ｃ）、酸架橋剤（Ｇ）、酸拡散制御剤（Ｅ）、任意成分（Ｆ）の含有量（式（１）で示される化合物及び／又は式（２）で示される化合物／酸発生剤（Ｃ）／酸架橋剤（Ｇ）／酸拡散制御剤（Ｅ）／任意成分（Ｆ））は、固形物基準の質量％で、好ましくは５０〜９９．４／０．００１〜４９／０．５〜４９／０．００１〜４９／０〜４９、より好ましくは５５〜９０／１〜４０／０．５〜４０／０．０１〜１０／０〜５、さらに好ましくは６０〜８０／３〜３０／１〜３０／０．０１〜５／０〜１、特に好ましくは６０〜７０／１０〜２５／２〜２０／０．０１〜３／０である。
各成分の含有割合は、その総和が１００質量％になるように各範囲から選ばれる。前記含有にすると、感度、解像度、現像性等の性能に一層優れる。
本実施の形態のレジスト組成物の調製方法は、特に限定されず、例えば、使用時に各成分を溶媒に溶解して均一溶液とし、その後、必要に応じて、例えば孔径０．２μｍ程度のフィルター等でろ過する方法等が挙げられる。
本実施の形態のレジスト組成物の調製に使用される前記溶媒としては、例えば、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノ−ｎ−プロピルエーテルアセテート、エチレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテルアセテート等のエチレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類；エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテルなどのエチレングリコールモノアルキルエーテル類；プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノ−ｎ−プロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテルアセテート等のプロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類；プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテルなどのプロピレングリコールモノアルキルエーテル類；乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ｎ−プロピル、乳酸ｎ−ブチル、乳酸ｎ−アミル等の乳酸エステル類；酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ｎ−プロピル、酢酸ｎ−ブチル、酢酸ｎ−アミル、酢酸ｎ−ヘキシル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル等の脂肪族カルボン酸エステル類；３−メトキシプロピオン酸メチル、３−メトキシプロピオン酸エチル、３−エトキシプロピオン酸メチル、３−エトキシプロピオン酸エチル、３−メトキシ−２−メチルプロピオン酸メチル、３−メトキシブチルアセテート、３−メチル−３−メトキシブチルアセテート、３−メトキシ−３−メチルプロピオン酸ブチル、３−メトキシ−３−メチル酪酸ブチル、アセト酢酸メチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル等の他のエステル類；トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類；２−ヘプタノン、３−ヘプタノン、４−ヘプタノン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン等のケトン類；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン等のアミド類；γ−ラクトン等のラクトン類等を挙げることができるが、特に限定はされない。これらの溶媒は、単独で又は２種以上を使用することができる。
本実施の形態のレジスト組成物は、本発明の目的を阻害しない範囲で、樹脂を含むことができる。樹脂は、特に限定されず、例えば、ノボラック樹脂、ポリビニルフェノール類、ポリアクリル酸、ポリビニルアルコール、スチレン−無水マレイン酸樹脂、及びアクリル酸、ビニルアルコール、又はビニルフェノールを単量体単位として含む重合体あるいはこれらの誘導体などが挙げられる。樹脂の含有量は、特に限定されず、使用する式（１）の化合物の種類に応じて適宜調節されるが、該化合物１００質量部当たり、３０質量部以下が好ましく、より好ましくは１０質量部以下、さらに好ましくは５質量部以下、特に好ましくは０質量部である。
[レジストパターンの形成方法]
本実施の形態によるレジストパターンの形成方法は、特に限定されず、好適な方法として、上述した本実施の形態のレジスト組成物を用いて基板上にレジスト膜を形成する工程と、形成されたレジスト膜を露光する工程と、前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程とを含む方法が挙げられる。
本実施の形態のレジストパターンは多層プロセスにおける上層レジストとして形成することもできる。
レジストパターンを形成するには、まず、従来公知の基板上に前記本実施の形態のレジスト組成物を、回転塗布、流延塗布、ロール塗布等の塗布手段によって塗布することによりレジスト膜を形成する。従来公知の基板とは、特に限定されず、例えば、電子部品用の基板や、これに所定の配線パターンが形成されたもの等を例示することができる。より具体的には、シリコンウェハー、銅、クロム、鉄、アルミニウム等の金属製の基板や、ガラス基板等が挙げられる。配線パターンの材料としては、例えば銅、アルミニウム、ニッケル、金等が挙げられる。また必要に応じて、前述基板上に無機系及び／又は有機系の膜が設けられたものであってもよい。無機系の膜としては、無機反射防止膜（無機ＢＡＲＣ）が挙げられる。有機系の膜としては、有機反射防止膜（有機ＢＡＲＣ）が挙げられる。ヘキサメチレンジシラザン等による表面処理を行ってもよい。
次に、必要に応じて、塗布した基板を加熱する。加熱条件は、レジスト組成物の含有組成等により変わるが、２０〜２５０℃が好ましく、より好ましくは２０〜１５０℃である。加熱することによって、レジストの基板に対する密着性が向上する場合があり好ましい。次いで、可視光線、紫外線、エキシマレーザー、電子線、極端紫外線（ＥＵＶ）、Ｘ線、及びイオンビームからなる群から選ばれるいずれかの放射線により、レジスト膜を所望のパターンに露光する。露光条件等は、レジスト組成物の配合組成等に応じて適宜選定される。
本実施の形態においては、露光における高精度の微細パターンを安定して形成するために、放射線照射後に加熱するのが好ましい。加熱条件は、レジスト組成物の配合組成等により変わるが、２０〜２５０℃が好ましく、より好ましくは２０〜１５０℃である。
次いで、露光されたレジスト膜を現像液で現像することにより、所定のレジストパターンを形成する。前記現像液としては、使用する式（１）の化合物に対して溶解度パラメーター（ＳＰ値）の近い溶剤を選択することが好ましく、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤、エーテル系溶剤等の極性溶剤、炭化水素系溶剤又はアルカリ水溶液を用いることができる。
ケトン系溶剤は、特に限定されず、例えば、１−オクタノン、２−オクタノン、１−ノナノン、２−ノナノン、アセトン、４−ヘプタノン、１−ヘキサノン、２−ヘキサノン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、フェニルアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、アセチルアセトン、アセトニルアセトン、イオノン、ジアセトニルアルコール、アセチルカービノール、アセトフェノン、メチルナフチルケトン、イソホロン、プロピレンカーボネート等を挙げることができる。
エステル系溶剤は、特に限定されず、例えば、酢酸メチル、酢酸ブチル、酢酸エチル、酢酸イソプロピル、酢酸アミル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチル−３−エトキシプロピオネート、３−メトキシブチルアセテート、３−メチル−３−メトキシブチルアセテート、蟻酸メチル、蟻酸エチル、蟻酸ブチル、蟻酸プロピル、乳酸エチル、乳酸ブチル、乳酸プロピル等を挙げることができる。
アルコール系溶剤は、特に限定されず、例えば、メチルアルコール、エチルアルコール、ｎ−プロピルアルコール、イソプロピルアルコール（２−プロパノール）、ｎ−ブチルアルコール、ｓｅｃ−ブチルアルコール、ｔｅｒｔ−ブチルアルコール、イソブチルアルコール、ｎ−ヘキシルアルコール、４−メチル−２−ペンタノール、ｎ−ヘプチルアルコール、ｎ−オクチルアルコール、ｎ−デカノール等のアルコール；エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール等のグリコール系溶剤；エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、メトキシメチルブタノール等のグリコールエーテル系溶剤等を挙げることができる。
エーテル系溶剤は、特に限定されず、例えば、前記グリコールエーテル系溶剤の他、ジオキサン、テトラヒドロフラン等が挙げられる。
アミド系溶剤は、特に限定されず、例えば、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ヘキサメチルホスホリックトリアミド、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン等が使用できる。
炭化水素系溶剤は、特に限定されず、例えば、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶剤；ペンタン、ヘキサン、オクタン、デカン等の脂肪族炭化水素系溶剤が挙げられる。
前記の溶剤は、複数混合してもよいし、性能を有する範囲内で、前記以外の溶剤や水と混合し使用してもよい。但し、本発明の効果を十二分に奏するためには、現像液全体としての含水率が７０質量％未満、さらには５０質量％未満であることが好ましく、３０質量％未満であることがより好ましく、１０質量％未満であることがさらに好ましく、実質的に水分を含有しないことが特に好ましい。すなわち、現像液に対する有機溶剤の含有量は、特に限定されず、現像液の全量に対して、３０質量％以上１００質量％以下、さらには５０質量％以上１００質量％以下であることが好ましく、７０質量％以上１００質量％以下であることがより好ましく、９０質量％以上１００質量％以下であることがさらに好ましく、９５質量％以上１００質量％以下であることが特に好ましい。
アルカリ水溶液は、特に限定されず、例えば、モノ−、ジ−あるいはトリアルキルアミン類、モノ−、ジ−あるいはトリアルカノールアミン類、複素環式アミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）、コリン等のアルカリ性化合物が挙げられる。
特に、現像液は、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤及びエーテル系溶剤から選択される少なくとも１種類の溶剤を含有する現像液が、レジストパターンの解像性やラフネス等のレジスト性能を改善するため好ましい。
現像液の蒸気圧は、２０℃において、５ｋＰａ以下が好ましく、３ｋＰａ以下がさらに好ましく、２ｋＰａ以下が特に好ましい。現像液の蒸気圧を５ｋＰａ以下にすることにより、現像液の基板上あるいは現像カップ内での蒸発が抑制され、ウェハ面内の温度均一性が向上し、結果としてウェハ面内の寸法均一性が良化する。
５ｋＰａ以下の蒸気圧を有する具体的な例としては、１−オクタノン、２−オクタノン、１−ノナノン、２−ノナノン、４−ヘプタノン、２−ヘキサノン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、フェニルアセトン、メチルイソブチルケトン等のケトン系溶剤、酢酸ブチル、酢酸アミル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチル−３−エトキシプロピオネート、３−メトキシブチルアセテート、３−メチル−３−メトキシブチルアセテート、蟻酸ブチル、蟻酸プロピル、乳酸エチル、乳酸ブチル、乳酸プロピル等のエステル系溶剤；ｎ−プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、ｎ−ブチルアルコール、ｓｅｃ−ブチルアルコール、ｔｅｒｔ−ブチルアルコール、イソブチルアルコール、ｎ−ヘキシルアルコール、４−メチル−２−ペンタノール、ｎ−ヘプチルアルコール、ｎ−オクチルアルコール、ｎ−デカノール等のアルコール系溶剤；エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール等のグリコール系溶剤；エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、メトキシメチルブタノール等のグリコールエーテル系溶剤；テトラヒドロフラン等のエーテル系溶剤；Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドのアミド系溶剤；トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶剤；オクタン、デカン等の脂肪族炭化水素系溶剤が挙げられる。
特に好ましい範囲である２ｋＰａ以下の蒸気圧を有する具体的な例としては、１−オクタノン、２−オクタノン、１−ノナノン、２−ノナノン、４−ヘプタノン、２−ヘキサノン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、フェニルアセトン等のケトン系溶剤；酢酸ブチル、酢酸アミル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチル−３−エトキシプロピオネート、３−メトキシブチルアセテート、３−メチル−３−メトキシブチルアセテート、乳酸エチル、乳酸ブチル、乳酸プロピル等のエステル系溶剤；ｎ−ブチルアルコール、ｓｅｃ−ブチルアルコール、ｔｅｒｔ−ブチルアルコール、イソブチルアルコール、ｎ−ヘキシルアルコール、４−メチル−２−ペンタノール、ｎ−ヘプチルアルコール、ｎ−オクチルアルコール、ｎ−デカノール等のアルコール系溶剤；エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール等のグリコール系溶剤；エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、メトキシメチルブタノール等のグリコールエーテル系溶剤；Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドのアミド系溶剤；キシレン等の芳香族炭化水素系溶剤；オクタン、デカン等の脂肪族炭化水素系溶剤が挙げられる。
現像液には、必要に応じて界面活性剤を適当量添加することができる。
界面活性剤としては特に限定されないが、例えば、イオン性や非イオン性のフッ素系及び／又はシリコン系界面活性剤等を用いることができる。これらのフッ素及び／又はシリコン系界面活性剤として、例えば、特開昭６２−３６６６３号公報、特開昭６１−２２６７４６号公報、特開昭６１−２２６７４５号公報、特開昭６２−１７０９５０号公報、特開昭６３−３４５４０号公報、特開平７−２３０１６５号公報、特開平８−６２８３４号公報、特開平９−５４４３２号公報、特開平９−５９８８号公報、米国特許第５４０５７２０号明細書、同５３６０６９２号明細書、同５５２９８８１号明細書、同５２９６３３０号明細書、同５４３６０９８号明細書、同５５７６１４３号明細書、同５２９４５１１号明細書、同５８２４４５１号明細書記載の界面活性剤を挙げることができ、好ましくは、非イオン性の界面活性剤である。非イオン性の界面活性剤としては特に限定されないが、フッ素系界面活性剤又はシリコン系界面活性剤を用いることがさらに好ましい。
界面活性剤の使用量は現像液の全量に対して、通常０．００１〜５質量％、好ましくは０．００５〜２質量％、さらに好ましくは０．０１〜０．５質量％である。
現像方法としては、たとえば、現像液が満たされた槽中に基板を一定時間浸漬する方法（ディップ法）、基板表面に現像液を表面張力によって盛り上げて一定時間静止することで現像する方法（パドル法）、基板表面に現像液を噴霧する方法（スプレー法）、一定速度で回転している基板上に一定速度で現像液塗出ノズルをスキャンしながら現像液を塗出しつづける方法（ダイナミックディスペンス法）などを適用することができる。パターンの現像を行なう時間には特に制限はないが、好ましくは１０秒〜９０秒である。
また、現像を行う工程の後に、他の溶媒に置換しながら、現像を停止する工程を実施してもよい。
現像の後には、有機溶剤を含むリンス液を用いて洗浄する工程を含むことが好ましい。
現像後のリンス工程に用いるリンス液としては、架橋により硬化したレジストパターンを溶解しなければ特に制限はなく、一般的な有機溶剤を含む溶液又は水を使用することができる。前記リンス液としては、炭化水素系溶剤、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤及びエーテル系溶剤から選択される少なくとも１種類の有機溶剤を含有するリンス液を用いることが好ましい。より好ましくは、現像の後に、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤からなる群より選択される少なくとも１種類の有機溶剤を含有するリンス液を用いて洗浄する工程を行う。さらに好ましくは、現像の後に、アルコール系溶剤又はエステル系溶剤を含有するリンス液を用いて洗浄する工程を行う。さらにより好ましくは、現像の後に、１価アルコールを含有するリンス液を用いて洗浄する工程を行う。特に好ましくは、現像の後に、Ｃ５以上の１価アルコールを含有するリンス液を用いて洗浄する工程を行う。パターンのリンスを行なう時間には特に制限はないが、好ましくは１０秒〜９０秒である。
ここで、現像後のリンス工程で用いられる１価アルコールとしては、直鎖状、分岐状、環状の１価アルコールが挙げられ、具体的には、１−ブタノール、２−ブタノール、３−メチル−１−ブタノール、ｔｅｒｔ−ブチルアルコール、１−ペンタノール、２−ペンタノール、１−ヘキサノール、４−メチル−２−ペンタノール、１−ヘプタノール、１−オクタノール、２−ヘキサノール、シクロペンタノール、２−ヘプタノール、２−オクタノール、３−ヘキサノール、３−ヘプタノール、３−オクタノール、４−オクタノールなどを用いることができ、特に好ましいＣ５以上の１価アルコールとしては、１−ヘキサノール、２−ヘキサノール、４−メチル−２−ペンタノール、１−ペンタノール、３−メチル−１−ブタノールなどを用いることができる。
前記各成分は、複数混合してもよいし、前記以外の有機溶剤と混合し使用してもよい。
リンス液中の含水率は、特に限定されず、１０質量％以下が好ましく、より好ましくは５質量％以下、特に好ましくは３質量％以下である。含水率を１０質量％以下にすることで、より良好な現像特性を得ることができる。
現像後に用いるリンス液の蒸気圧は、２０℃において０．０５ｋＰａ以上、５ｋＰａ以下が好ましく、０．１ｋＰａ以上、５ｋＰａ以下がより好ましく、０．１２ｋＰａ以上、３ｋＰａ以下がさらに好ましい。リンス液の蒸気圧を０．０５ｋＰａ以上、５ｋＰａ以下にすることにより、ウェハ面内の温度均一性がより向上し、さらにはリンス液の浸透に起因した膨潤がより抑制され、ウェハ面内の寸法均一性がより良化する。
リンス液には、界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。
リンス工程においては、現像を行ったウェハを前記の有機溶剤を含むリンス液を用いて洗浄処理する。洗浄処理の方法は特に限定されないが、たとえば、一定速度で回転している基板上にリンス液を塗出しつづける方法（回転塗布法）、リンス液が満たされた槽中に基板を一定時間浸漬する方法（ディップ法）、基板表面にリンス液を噴霧する方法（スプレー法）、などを適用することができ、この中でも回転塗布方法で洗浄処理を行い、洗浄後に基板を２０００ｒｐｍ〜４０００ｒｐｍの回転数で回転させ、リンス液を基板上から除去することが好ましい。
レジストパターンを形成した後、エッチングすることによりパターン配線基板が得られる。エッチングの方法はプラズマガスを使用するドライエッチング及びアルカリ溶液、塩化第二銅溶液、塩化第二鉄溶液等によるウェットエッチングなど公知の方法で行うことができる。
レジストパターンを形成した後、めっきを行うこともできる。前記めっき法としては、例えば、銅めっき、はんだめっき、ニッケルめっき、金めっきなどがある。
エッチング後の残存レジストパターンは有機溶剤で剥離することができる。前記有機溶剤として、ＰＧＭＥＡ（プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート），ＰＧＭＥ（プロピレングリコールモノメチルエーテル），ＥＬ（乳酸エチル）等が挙げられる。前記剥離方法としては、例えば、浸漬方法、スプレイ方式等が挙げられる。またレジストパターンが形成された配線基板は、多層配線基板でもよく、小径スルーホールを有していてもよい。
本実施の形態で得られる配線基板は、レジストパターン形成後、金属を真空中で蒸着し、その後レジストパターンを溶液で溶かす方法、すなわちリフトオフ法により形成することもできる。
[ポリフェノール化合物]
本実施の形態のポリフェノール化合物は、一般式（３）で示される化合物（以下、「ポリフェノール化合物Ａ」と称する場合がある）又は一般式（４）で示されるポリフェノール化合物（以下、「ポリフェノール化合物Ｂ」と称する場合がある）である。
Figure 2013024778
Figure 2013024778
 （一般式（３）及び（４）中、Ｘ´は、それぞれ独立して、水素原子又はＣ１〜１８の一価の置換基であり、Ｒ０は、それぞれ独立して、Ｃ１〜４のアルキル基又はハロゲン原子であり、同一のナフタレン環において同一であっても異なっていてもよく、ｐは０〜５の整数である。）
本実施の形態のポリフェノール化合物は、ナフタレン骨格を有することにより、耐熱性に優れ、ナフタレン環１個につき、水酸基を２個有するため、耐熱性に加えて安全溶媒への溶解性にも優れるという効果を奏する。
ナフタレン環における水酸基の位置は、特に限定されないが、原料の産業利用性の点から、１，５位、１，６位、１，７位、２，３位、２，７位、２，６位であることが好ましく、安全溶媒への溶解性が一層高く、結晶性が低い点から、２，６位であることがより好ましい。
すなわち、前記一般式（３０）又は（４０）であることが好ましい。
（ポリフェノール化合物Ａ及びその製造方法）
本実施の形態のポリフェノール化合物Ａは、前記一般式（３）で示される。
一般式（３）中、Ｘ´は、水素原子又はＣ１〜１８の一価の置換基であり、Ｃ１〜１８の一価の置換基は、特に限定されず、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、オクタデシル基、シクロプロピル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基、フェニル基、トシル基、ジメチルフェニル基、エチルフェニル基、プロピルフェニル基、ブチルフェニル基、シクロヘキシルフェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ナフチル基、アントラシル基、フェナントリル基、ピレニル基が挙げられる。
これらのうち、耐熱性の観点から、芳香環骨格を有するフェニル基、トシル基、ジメチルフェニル基、エチルフェニル基、プロピルフェニル基、ブチルフェニル基、シクロヘキシルフェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ナフチル基、アントラシル基、フェナントリル基、ピレニル基が好ましく、その中でも特にビフェニル基、ターフェニル基、ナフチル基、アントラシル基、フェナントリル基、ピレニル基が好ましい。
一般式（３）中、Ｒ０は、Ｃ１〜４のアルキル基又はハロゲン原子であり、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
一般式（３）中、ｐは０〜５の整数であり、溶解性の点から０〜１が好ましい。
本実施の形態のポリフェノール化合物Ａは、公知の方法で製造することができ、製造方法は限定されないが、例えば一般式（５）で示される化合物と、Ｃ１〜１９のアルデヒドとを、酸触媒存在下にて反応させて製造する方法は、特に副生成物が少なく、効率よく製造することができるので好ましい。
Figure 2013024778
 （一般式（５）中、Ｒ０、ｐ等は、前記のとおりである。）
本実施の形態のポリフェノール化合物Ａの製造方法を、具体的に例示すると、２，６−ナフタレンジオールと４−ビフェニルカルボキシアルデヒドとを硫酸触媒存在下に３０℃にて反応させて、式（３´）で示される化合物を製造することができる。
Figure 2013024778
前記一般式（５）で示される化合物としては、ジヒドロキシナフタレン骨格を有する化合物であれば特に制限なく用いられ、例えば、２，６−ナフタレンジオール、メチル−２，６−ナフタレンジオール、エチル−２，６−ナフタレンジオール、プロピル−２，６−ナフタレンジオール、ブチル−２，６−ナフタレンジオール、フルオロ−２，６−ナフタレンジオール、クロロ−２，６−ナフタレンジオール、ブロモ−２，６−ナフタレンジオール、ヨード−２，６−ナフタレンジオール等や前記化合物でジオールが１，５−位についた化合物、ジオールが１，６−位についた化合物、ジオールが１，７−位についた化合物、ジオールが２，３−位についた化合物、前記化合物でジオールが２，７−位についた化合物等が挙げられ、これらは１種類又は２種類以上を用いることができる。ナフタレン骨格を有することで、ベンゼン環骨格を有するジヒドロキシ化合物を用いて製造されたポリフェノールよりも耐熱性の点で性能が向上することが期待できる。
使用するナフタレンジオールにおける水酸基の位置は、特に限定されず、例えば、目的とするポリフェノール化合物の構造によって選択できる。例えば、好適なポリフェノール化合物（３０）を製造する場合には、２，６位に水酸基を有するナフタレンジオール、すなわち下記一般式（５０）で示される化合物を使用することで、選択性が高い反応が可能となり、高収率で目的とする化合物を得ることができる。
Figure 2013024778
 （式（５０）中のＲ０、ｐ等は、前記のとおりである。）
前記一般式（５０）で示される化合物は特に限定されず、例えば、２，６−ナフタレンジオール、メチル−２，６−ナフタレンジオール、エチル−２，６−ナフタレンジオール、プロピル−２，６−ナフタレンジオール、ブチル−２，６−ナフタレンジオール、フルオロ−２，６−ナフタレンジオール、クロロ−２，６−ナフタレンジオール、ブロモ−２，６−ナフタレンジオール、ヨード−２，６−ナフタレンジオールが用いられる。これらは試薬にて容易に入手可能である。
本実施の形態のポリフェノール化合物Ａの製造方法では、Ｃ１〜１９のアルデヒドとして何を用いるかによって、製造された一般式（３）中の置換基Ｘ´の構造が決定される。該アルデヒドとしては、例えばホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピオンアルデヒド、ブチルアルデヒド、ペンチルアルデヒド、ヘキシルアルデヒド、ヘプチルアルデヒド、オクチルアルデヒド、ノニルアルデヒド、デシルアルデヒド、オクタデシルアルデヒド、シクロプロピルアルデヒド、シクロヘキシルアルデヒド、アダマンチルカルボキシアルデヒド、ベンズアルデヒド、メチルベンズアルデヒド、ジメチルベンズアルデヒド、エチルベンズアルデヒド、プロピルベンズアルデヒド、ブチルベンズアルデヒド、シクロヘキシルベンズアルデヒド、ビフェニルカルボキシアルデヒド、ターフェニルカルボキシアルデヒド、ナフタレンカルボキシアルデヒド、アントラセンカルボキシアルデヒド、フェナントレンカルボキシアルデヒド、ピレンカルボキシアルデヒドが挙げられる。これらの内、耐熱性の観点から芳香環骨格を有するベンズアルデヒド、メチルベンズアルデヒド、ジメチルベンズアルデヒド、エチルベンズアルデヒド、プロピルベンズアルデヒド、ブチルベンズアルデヒド、シクロヘキシルベンズアルデヒド、ビフェニルカルボキシアルデヒド、ターフェニルカルボキシアルデヒド、ナフタレンカルボキシアルデヒド、アントラセンカルボキシアルデヒド、フェナントレンカルボキシアルデヒド、ピレンカルボキシアルデヒドが好ましく、その中でも特に、ビフェニルカルボキシアルデヒド、ターフェニルカルボキシアルデヒド、ナフタレンカルボキシアルデヒド、アントラセンカルボキシアルデヒド、フェナントレンカルボキシアルデヒド、ピレンカルボキシアルデヒドが好ましい。
Ｃ１〜１９のアルデヒドは工業製品又は試薬品として容易に入手可能である。
また、Ｃ１〜１９のアルデヒドとして１種類又は２種類以上を用いることができる。
本実施の形態のポリフェノール化合物Ａの製造方法に用いる酸触媒は、特に限定されず、周知の無機酸、有機酸より適宜選択することができ、例えば、塩酸、硫酸、リン酸、臭化水素酸、ふっ酸等の無機酸；シュウ酸、蟻酸、ｐ−トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸、トリフルオロ酢酸、トリフルオロメタンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、ナフタレンスルホン酸、ナフタレンジスルホン酸等の有機酸；塩化亜鉛、塩化アルミニウム、塩化鉄、三フッ化ホウ素等のルイス酸、あるいはケイタングステン酸、リンタングステン酸、ケイモリブデン酸又はリンモリブデン酸等の固体酸が挙げられる。入手の容易さや取り扱い易さ等の製造上の観点から、塩酸又は硫酸が好ましい。
また、酸触媒として１種類又は２種類以上を用いることができる。
次に、前記一般式（５）で示される化合物と、Ｃ１〜１９のアルデヒドとの反応条件について詳細に説明する。
反応は、Ｃ１〜１９のアルデヒド１モルに対し、一般式（５）の化合物を１モル〜過剰量、及び酸触媒を０．００１〜１モル使用し、常圧で、２０〜６０℃で２０分〜１００時間程度反応させることにより進行する。このとき前記一般式（４）で示される化合物も生成し得るが、反応温度を１０〜６０℃と比較的低温で制御することにより、主成分が一般式（３）で示される本実施の形態のポリフェノール化合物Ａになる。
反応終了後、公知の方法により目的物を単離する。例えば、反応液を濃縮し、純水を加えて反応生成物を析出させ、室温まで冷却した後、濾過を行って分離、得られた固形物を濾過し、乾燥させた後、カラムクロマトにより、副生成物と分離精製し、溶媒留去、濾過、乾燥を行って一般式（３）で示される目的化合物が得られる。
（ポリフェノール化合物Ｂ及びその製造方法）
本実施の形態のポリフェノール化合物Ｂは、前記一般式（４）で示される。
Figure 2013024778
 （一般式（４）中、Ｘ´は、それぞれ独立して、水素原子又はＣ１〜１８の一価の置換基であり、Ｒ０は、それぞれ独立して、Ｃ１〜４のアルキル基又はハロゲン原子であり、同一のナフタレン環において同一であっても異なっていてもよく、ｐは０〜５の整数である。）
一般式（４）のＸ´は、水素原子又はＣ１〜１８の一価の置換基であり、Ｃ１〜１８の一価の置換基は、特に限定されないが、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、オクタデシル基、シクロプロピル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基、フェニル基、トシル基、ジメチルフェニル基、エチルフェニル基、プロピルフェニル基、ブチルフェニル基、シクロヘキシルフェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ナフチル基、アントラシル基、フェナントリル基、ピレニル基が挙げられる。これらのうち、耐熱性の観点から、芳香環骨格を有するフェニル基、トシル基、ジメチルフェニル基、エチルフェニル基、プロピルフェニル基、ブチルフェニル基、シクロヘキシルフェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ナフチル基、アントラシル基、フェナントリル基、ピレニル基が好ましく、その中でも特にビフェニル基、ターフェニル基、ナフチル基、アントラシル基、フェナントリル基、ピレニル基が好ましい。
Ｒ０は、Ｃ１〜４のアルキル基又はハロゲン原子であり、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
一般式（４）中、ｐは０〜５の整数であり、溶解性の点から０〜１が好ましい。
本実施の形態のポリフェノール化合物Ｂは、公知の方法で製造することができ、その製造方法は限定されないが、例えば前記一般式（５）で示される化合物と、Ｃ１〜１９のアルデヒドとを、酸触媒存在下にて反応させて製造する方法は、特に副生成物が少なく、効率よく製造することができるので好ましい。
本実施の形態のポリフェノール化合物Ｂの製造方法を、具体的に例示すると、２，６−ナフタレンジオールと４−ビフェニルカルボキシアルデヒドとを硫酸触媒存在下に１００℃にて反応させて、式（４´）で示される化合物を製造することができる。
Figure 2013024778
本実施の形態の製造方法で用いられる前記一般式（５）で示される化合物は、前記ポリフェノール化合物Ａの製造方法と同様のものが使用できる。
本実施の形態のポリフェノール化合物Ｂの製造方法で使用されるＣ１〜１９のアルデヒド、酸触媒としては、前記ポリフェノール化合物Ａの製造方法と同様のものが使用できる。
次に、一般式（５）で示される化合物と、Ｃ１〜１９のアルデヒドとの反応条件について詳細に説明する。
反応は、Ｃ１〜１９のアルデヒド１モルに対し、一般式（５）の化合物を１モル〜過剰量、及び酸触媒を０．００１〜１モル使用し、常圧で、６０〜１２０℃で２０分〜１００時間程度反応させることにより進行する。このとき一般式（３）で示される化合物も生成し得るが、反応温度を６０〜１２０℃と比較的高温で制御することにより、主成分が一般式（４）で示される本実施の形態のポリフェノール化合物Ｂになる。
反応終了後の目的物の単離方法は、特に限定されず、前記ポリフェノール化合物Ａの製造方法と同様の方法が採用できる。
（ポリフェノール化合物の物性）
本実施の形態のポリフェノール化合物は、耐熱性の点から、差走査熱量測定（ＤＳＣ）によって測定される熱分解温度が２００〜５００℃であることが好ましい。
本実施の形態のポリフェノール化合物は、耐熱性の点から、差走査熱量測定（ＤＳＣ）によって測定されるガラス転移温度が１００〜３００℃であることが好ましい。
[アルコール化合物]
本実施の形態のアルコール化合物は、一般式（６）で示されるアルコール（以下、「アルコール化合物Ａ」と称する場合がある）又は（７）で示されるアルコール化合物（以下、「アルコール化合物Ｂ」と称する場合がある）である。
Figure 2013024778
Figure 2013024778
 （一般式（６）及び（７）中、Ｘ´、Ｒ´Ｒ０、ｑ、ｐ等は、前記のとおりである。）
本実施の形態のアルコール化合物は、前記ナフタレン骨格を有することにより、耐熱性に優れる。
ナフタレン環における水酸基の位置は、特に限定されないが、原料の産業利用性の点から、１，５位、１，６位、１，７位、２，３位、２，７位、２，６位であることが好ましく、安全溶媒への溶解性が一層高く、結晶性が低い点から、２，６位であることがより好ましい。
すなわち、前記一般式（６０）又は（７０）であることが好ましい。
Figure 2013024778
Figure 2013024778
 （一般式（６０）及び（７０）中、Ｘ´、Ｒ´Ｒ０、ｑ、ｐ等は、前記のとおりである。）
（アルコール化合物Ａ及びその製造方法）
本実施の形態のアルコール化合物Ａは、前記一般式（６）で示される。
前記一般式（６）中のＸ´は、水素原子又はＣ１〜１８の一価の置換基であり、Ｃ１〜１８の一価の置換基は、特に限定されず、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、オクタデシル基、シクロプロピル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基、フェニル基、トシル基、ジメチルフェニル基、エチルフェニル基、プロピルフェニル基、ブチルフェニル基、シクロヘキシルフェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ナフチル基、アントラシル基、フェナントリル基、ピレニル基が挙げられる。これらのうち、Ｘ´は、耐熱性の観点から、芳香環骨格を有するフェニル基、トシル基、ジメチルフェニル基、エチルフェニル基、プロピルフェニル基、ブチルフェニル基、シクロヘキシルフェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ナフチル基、アントラシル基、フェナントリル基、ピレニル基が好ましく、その中でも特にフェニル基、トシル基、ジメチルフェニル基、エチルフェニル基、プロピルフェニル基、ブチルフェニル基、シクロヘキシルフェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ナフチル基、アントラシル基、フェナントリル基、ピレニル基が好ましい。
機械特性の点から、カルド構造は有さないことが好ましい。特にカルド構造を有するフルオレン化合物は嵩高い構造であり機械物性に劣りうる。
Ｒ０は、それぞれ独立して、Ｃ１〜４のアルキル基又はハロゲン原子であり、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。Ｒ０は、同一のナフタレン環において異なっていても同一であってもよい。
Ｒ´は、それぞれ独立して、Ｃ１〜４のアルキレン基であり、特に限定されず、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、トリメチレン基、ブチレン基、テトラメチレン基が挙げられる。Ｒ´は、同一のナフタレン環において異なっていても同一であってもよい。
ｐは、それぞれ独立して、０〜５の整数であり、耐熱性、溶解性の点から、好ましくは０〜１の整数である。
ｑは、それぞれ独立して、１以上の整数であり、耐熱性、溶解性や機械特性の点から、好ましくは１〜２の整数である。
本実施の形態のアルコール化合物Ａは、公知の方法で製造でき、その製造方法は特に限定されないが、例えば前記一般式（３）で示される化合物と、アルキレンオキシド導入試剤とを、塩基触媒存在下にて反応させる方法が、特に副生成物が少なく、効率よく製造することができるので、好ましい。得られた化合物の単離方法は限定されず、例えば、晶析等により粗結晶を得た後、該粗結晶を有機溶媒に溶解させ、強塩基を加え、常圧で２０分〜１００時間程度攪拌するという方法が挙げられる。
本実施の形態のアルコール化合物Ａの製造方法を具体的に例示すると、式（３´）で示される化合物１モル、酢酸２−クロロエチル２．６モル、炭酸カリウム５．２モルを３Ｌフラスコに入れてジメチルホルムアミド中オイルバスで加熱しながら９０℃にてジメチルホルムアミド溶媒中で反応させ、その後反応溶液を冷却させて粗結晶を晶析することにより取り出し、得られた粗結晶及び水酸化ナトリウムをメタノール溶媒にて４時間還流し、空冷により冷却した後析出した結晶を濾過、リンスすることにより式（６´）で示される化合物を製造することができる。
Figure 2013024778
Figure 2013024778
本実施の形態に用いる前記一般式（３）で示される化合物の製造方法は、特に限定されず、前記［ポリフェノール化合物］の欄に記載のとおりである。
本実施の形態に用いるアルキレンオキシド導入試剤としては、一般式（３）で示される化合物の水酸基に一般式（８０）で示されるヒドロキシポリアルキレンオキシド基が導入できれば特に制限なく用いられるが、例えば、酢酸−２−ハロエチル、アルキレンオキシド、アルキレンカーボネート等が挙げられる。
また、アルキレンオキシド導入試剤として１種類又は２種類以上を用いることができる。
Figure 2013024778
 （式中、Ｒ´、ｑは前記と同様である。）
酢酸−２−ハロエチルは、特に限定されず、例えば、酢酸−２−クロロエチル、酢酸−２−ブロモエチル、酢酸−２−ヨードエチル等が挙げられる。尚、酢酸−２−ハロエチルを使用する場合、アセトキシエチル基が導入されたのち、脱アシル反応が生じることにより、ヒドロキシエチル基が導入される。
前記アルキレンオキシドは、特に限定されず、例えば、エチレンオキシド、プロピレンオキシド、ブチレンオキシド等が挙げられる。
前記アルキレンカーボネートは、特に限定されず、例えば、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート、ブチレンカーボネート等が挙げられる。尚、アルキレンカーボネートを使用する場合、アルキレンカーボネートが付加したのち、脱炭酸反応が生じることにより、アルキレンオキシドが導入される。
本実施の形態の一般式（３）とアルキレンオキシド導入試剤との反応に用いられる塩基触媒は、特に限定されず、周知の塩基触媒より適宜選択することができ、例えば、金属水酸化物（水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等のアルカリ金属又はアルカリ土類金属水酸化物等）、金属炭酸塩（炭酸ナトリウム、炭酸カリウム等のアルカリ金属又はアルカリ土類金属炭酸塩等）、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム等のアルカリ金属又はアルカリ土類金属炭酸水素塩等の無機塩基、アミン類（例えば、第３級アミン類（トリエチルアミン等のトリアルキルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン等の芳香族第３級アミン、１−メチルイミダゾール等の複素環式第３級アミン）等、カルボン酸金属塩（酢酸ナトリウム、酢酸カルシウム等の酢酸アルカリ金属又はアルカリ土類金属塩等）等の有機塩基が挙げられる。入手の容易さや取り扱い易さ等の製造上の観点から、炭酸ナトリウム、炭酸カリウムが好ましい。
また、塩基触媒として１種類又は２種類以上を用いることができる。
次に、一般式（３）で示される化合物と、アルキレンオキシド導入試剤との反応条件について詳細に説明する。
反応は、特に限定されず、例えば、一般式（３）で示される化合物１モルに対し、アルキレンオキシド導入試剤を１モル〜過剰量、及び塩基触媒を０．００１〜１モル使用し、常圧で、２０〜１５０℃で２０分〜１００時間程度反応させることにより進行する。反応後、公知の方法により目的物を精製する。前記精製方法は特に限定されず、例えば氷水等で冷却させ結晶を析出、単離して粗結晶を得る方法が挙げられる。
続いて、粗結晶を有機溶媒に溶解させ、強塩基を加え、常圧で、２０〜１５０℃で２０分〜１００時間程度反応させる。反応後、公知の方法により目的物を単離する。例えば、反応液を濃縮し、純水を加えて反応生成物を析出させ、室温まで冷却した後、濾過を行って分離、得られた固形物を濾過し、乾燥させた後、カラムクロマトにより、副生成物と分離精製し、溶媒留去、濾過、乾燥を行って一般式（６）で示される目的化合物を得る方法が挙げられる。
（アルコール化合物Ｂ及びその製造方法）
本実施の形態のアルコール化合物Ｂは、前記一般式（７）で示される。
Ｘ´、Ｒ０、Ｒ´、ｐ、ｑは前記のとおりである。
本実施の形態のアルコール化合物Ｂは、公知の方法で製造することができ、その製造方法は特に限定されないが、例えば前記一般式（４）で示される化合物と、アルキレンオキシド導入試剤とを、塩基触媒存在下にて反応させる方法は、特に副生成物が少なく、効率よく製造することができるので、好ましい。
得られた化合物の単離方法は限定されず、例えば、晶析等により粗結晶を得た後、該粗結晶を有機溶媒に溶解させ、強塩基を加え、常圧で２０分〜１００時間程度攪拌するという方法が挙げられる。
本実施の形態のアルコール化合物Ｂの製造方法を具体的に例示すると、式（４´）で示される化合物１モル、酢酸２−クロロエチル２．６モル、炭酸カリウム５．２モルを３Ｌフラスコに入れてジメチルホルムアミド中オイルバスで加熱しながら９０℃にてジメチルホルムアミド溶媒中で反応させ、その後反応溶液を冷却させて粗結晶を晶析することにより取り出し、得られた粗結晶及び水酸化ナトリウムをメタノール溶媒にて４時間還流し、空冷により冷却した後析出した結晶を濾過、リンスすることにより式（７´）で示される化合物を製造することができる。
Figure 2013024778
Figure 2013024778
本実施の形態のアルコール化合物の製造方法に用いる前記一般式（４）で示される化合物の製造方法は、特に限定されず、前記［ポリフェノール化合物］の欄に記載のとおりである。
本実施の形態に用いるアルキレンオキシド導入試剤、塩基触媒は、特に限定されず、前記アルコール化合物Ａの製造で使用できるものと同様のものを使用できる。
次に、一般式（４）で示される化合物と、アルキレンオキシド導入試剤との反応条件について詳細に説明する。
反応条件は、特に限定されないが、例えば、一般式（４）で示される化合物１モルに対し、アルキレンオキシド導入試剤を１モル〜過剰量、及び塩基触媒を０．００１〜１モル使用し、常圧で、２０〜１５０℃で２０分〜１００時間程度反応させることにより進行する。反応後、公知の方法により目的物を精製する。前記精製方法は、特に限定されず、例えば氷水等で冷却させ結晶を析出、単離して粗結晶を得る方法が挙げられる。
続いて、粗結晶を有機溶媒に溶解させ、強塩基を加え、常圧で、２０〜１５０℃で２０分〜１００時間程度反応させる。反応後、公知の方法により目的物を単離する。例えば、反応液を濃縮し、純水を加えて反応生成物を析出させ、室温まで冷却した後、濾過を行って分離、得られた固形物を濾過し、乾燥させた後、カラムクロマトにより、副生成物と分離精製し、溶媒留去、濾過、乾燥を行って一般式（１）で示される目的化合物を得る方法が挙げられる。
（アルコール化合物の物性）
本実施の形態のアルコール化合物は、耐熱性の点から、差走査熱量測定（ＤＳＣ）によって測定される熱分解温度が２００〜５００℃であることが好ましい。
本実施の形態のアルコール化合物は、耐熱性の点から、差走査熱量測定（ＤＳＣ）によって測定されるガラス転移温度が５０〜２００℃であることが好ましい。
以下、実施例を挙げて、本実施の形態をさらに具体的に説明する。但し、本発明は、これらの実施例に限定はされない。
以下に、実施例における化合物の測定方法及びレジスト性能等の評価方法を示す。
［測定法］
（１）化合物の構造
化合物の構造は、Ｂｒｕｋｅｒ社製Ａｄｖａｎｃｅ６００ＩＩ ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒを用いて、以下の条件で、１Ｈ−ＮＭＲ測定を行い、確認した。
周波数：４００ＭＨｚ
溶媒：ｄ６−ＤＭＳＯ（合成例４以外）
内部標準：ＴＭＳ
測定温度：２３℃
（２）化合物の分子量
化合物は、ＧＣ−ＭＳ分析により、Ａｇｉｌｅｎｔ社製Ａｇｉｌｅｎｔ５９７５／６８９０Ｎを用いて測定した。あるいは、ＬＣ−ＭＳ分析により、Ｗａｔｅｒ社製Ａｃｑｕｉｔｙ ＵＰＬＣ／ＭＡＬＤＩ−Ｓｙｎａｐｔ ＨＤＭＳを用いて測定した。
（３）熱分解温度
エスアイアイ・ナノテクノロジー社製ＥＸＳＴＡＲ６０００ＤＳＣ装置（商品名）を使用し、試料約５ｍｇをアルミニウム製非密封容器に入れ、窒素ガス（３０ｍｌ／ｍｉｎ）気流中昇温速度１０℃／ｍｉｎで５００℃まで昇温した。その際、ベースラインに減少部分が現れる温度を熱分解温度とした。
（４）ガラス転移温度
エスアイアイ・ナノテクノロジー社製ＥＸＳＴＡＲ６０００ＤＳＣ装置（商品名）を使用し、試料約５ｍｇをアルミニウム製非密封容器に入れ、窒素ガス（３０ｍｌ／ｍｉｎ）気流中昇温速度１０℃／ｍｉｎで３００℃まで昇温した。アルミニウム製非密封容器を急冷後、再び窒素ガス（３０ｍｌ／ｍｉｎ）気流中昇温速度１０℃／ｍｉｎで３００℃まで昇温することにより、ＤＳＣ測定を行った。その際、ベースラインに不連続的部分が現れる領域の中点（比熱が半分に変化したところ）の温度をガラス転移点とした。
（５）アモルファス膜（露光前、後）の現像液に対する溶解速度
２３℃にて、アモルファス膜を所定時間現像液に浸漬させ、その浸漬前後の膜厚を、目視にて確認、溶解速度を決定した。
［評価方法］
（１）化合物のメチルエチルケトン（ＭＥＫ）に対する溶解度
ＭＥＫに対する溶解度は、２３℃におけるＭＥＫに対する溶解量を用い、以下の基準で評価した。なお、溶解量の測定は２３℃にて、化合物を試験管に精秤し、対象となる溶媒を所定の濃度となるよう加え、超音波洗浄機にて３０分間超音波をかけ、その後の液の状態を目視にて測定した。
評価Ａ：５０ｗｔ％以上
評価Ｂ：１０ｗｔ％以上、５０ｗｔ％未満
評価Ｃ：１０ｗｔ％未満
（２）化合物の安全溶媒溶解度試験
化合物のＰＧＭＥ及びＰＧＭＥＡへの溶解性は、各溶媒への溶解量を用いて以下の基準で評価した。なお、溶解量の測定は２３℃にて、化合物を試験管に精秤し、対象となる溶媒を所定の濃度となるよう加え、超音波洗浄機にて３０分間超音波をかけ、その後の液の状態を目視にて測定した。
Ａ：５．０ｗｔ％ ≦ 溶解量
Ｂ：３．０ｗｔ％≦ 溶解量 ＜５．０ｗｔ％
Ｃ：溶解量 ＜３．０ｗｔ％
（３）耐熱性
調製した各レジスト組成物について、以下の手順で耐熱性評価を行った。
レジストを清浄なシリコンウェハー上に回転塗布した後、１１０℃のオーブン中でベークして、厚さ６０ｎｍのレジスト膜を形成した。それらの膜を目視で観察した。欠陥の無い良好な膜である場合、耐熱性は良好であるとした（評価：○）。
（４）レジストパターンのパターン評価（解像度、形状、ＬＥＲ）
ラインアンドスペースを走査型電子顕微鏡（（株）日立ハイテクノロジー製Ｓ−４８００）により観察し、解像度３０ｎｍのパターンについて、パターン形状、ラインエッジラフネス及び感度が良好であるか否かについて評価を行った。
パターン形状は矩形であれば良好とした。ＬＥＲ（ラインエッジラフネス）は、５０ｎｍ間隔の１：１のラインアンドスペースの長さ方向（０．７５μｍ）の任意の３００点において、日立半導体用ＳＥＭ ターミナルＰＣ Ｖ５オフライン測長ソフトウェア（（株）日立サイエンスシステムズ製）を用いて、エッジと基準線との距離を測定、標準偏差（３σ）を算出し、５ｎｍ未満を良好とした。パターンの解像度は良好に形成できたパターンの最小線幅のものとした。また、パターンを良好に形成できたときの最小のドーズ量（μＣ／ｃｍ２）を感度とし、１５０μＣ／ｃｍ２未満を良好とした。
パターン形状、ＬＥＲ及び感度がいずれについても良好である場合には○、レジストパターンを形成できなかった場合は×と評価した。
［合成例］
（合成例１）ＢｉｓＮ−１（ポリフェノール化合物）の合成
攪拌機、冷却管及びビュレットを備えた内容積１００ｍｌの容器に２，６−ナフタレンジオール（シグマ−アルドリッチ社製試薬）３．２０ｇ（２０ｍｍｏｌ）と４−ビフェニルカルボキシアルデヒド（三菱瓦斯化学社製）１．８２ｇ（１０ｍｍｏｌ）とを３０ｍｌメチルイソブチルケトンに仕込み、９５％の硫酸５ｍｌを加えて、反応液を３０℃で６時間撹拌して反応を行った。次に反応液を濃縮し、純水５０ｇを加えて反応生成物を析出させ、室温まで冷却した後、濾過を行って分離した。
得られた固形物を濾過し、乾燥させた後、カラムクロマトによる分離精製を行うことで、下記式で示される目的化合物（ＢｉｓＮ−１）を０．２ｇ得た。
得られた化合物について、前記方法により分子量を測定した結果、４８４であった。
得られた化合物について、前記測定条件で、ＮＭＲ測定を行ったところ、以下のピークが見出され、下記式の化学構造を有することを確認した。
δ（ｐｐｍ）９．３〜９．４（４Ｈ，Ｏ−Ｈ）、７．０〜８．１（１９Ｈ，Ｐｈ−Ｈ）、６．８（１Ｈ，Ｃ−Ｈ）
なお、２，６−ナフタレンジオールの置換位置が１位であることは、３位と４位のプロトンのシグナルがダブレットであることから確認した。
熱分解温度は２５０℃、ガラス転移点は１３０℃であり、高耐熱性が確認できた。
また、前記方法により、ＭＥＫ溶解性を評価したところ、評価Ｂ（１０ｗｔ％以上５０ｗｔ％未満）と良好であった。
さらに、前記方法により、安全溶媒への溶解性を評価した。結果を表１に示す。
Figure 2013024778
（合成例２）ＢｉｓＮ−２（ポリフェノール化合物）の合成
２，６−ナフタレンジオール３．２０ｇ（２０ｍｍｏｌ）を、２，７−ナフタレンジオール（シグマ−アルドリッチ社製試薬）３．２０ｇ（２０ｍｍｏｌ）に変更し、その他は合成例１同様にし、下記式で示される目的化合物（ＢｉｓＮ−２）を０．２ｇ得た。
得られた化合物について、前記方法により分子量を測定した結果、４８４であった。
得られた化合物について、前記測定条件で、ＮＭＲ測定を行ったところ、以下のピークが見出され、下記式の化学構造を有することを確認した。
δ（ｐｐｍ）９．３〜９．４（４Ｈ，Ｏ−Ｈ）、７．０〜８．１（１９Ｈ，Ｐｈ−Ｈ）、６．８（１Ｈ，Ｃ−Ｈ）
熱分解温度は２５０℃、ガラス転移点は１３０℃であり、高耐熱性が確認できた。
また、前記方法により、ＭＥＫ溶解性を評価したところ、評価Ｂ（１０ｗｔ％以上５０ｗｔ％未満）と良好であった。
さらに、前記方法により、安全溶媒への溶解性を評価した。結果を表１に示す。
Figure 2013024778
（合成例３）ＢｉｓＮ−３（ポリフェノール化合物）の合成
２，６−ナフタレンジオール３．２０ｇ（２０ｍｍｏｌ）を、１，５−ナフタレンジオール（シグマ−アルドリッチ社製試薬）３．２０ｇ（２０ｍｍｏｌ）に変更し、その他は合成例１同様にし、下記式で示される目的化合物（ＢｉｓＮ−３）を０．２ｇ得た。
得られた化合物について、前記方法により分子量を測定した結果、４８４であった。
得られた化合物について、前記測定条件で、ＮＭＲ測定を行ったところ、以下のピークが見出され、下記式の化学構造を有することを確認した。
δ（ｐｐｍ）９．３〜９．４（４Ｈ，Ｏ−Ｈ）、７．０〜８．１（１９Ｈ，Ｐｈ−Ｈ）、６．８（１Ｈ，Ｃ−Ｈ）
熱分解温度は２５０℃、ガラス転移点は１３０℃であり、高耐熱性が確認できた。
また、前記方法により、ＭＥＫ溶解性を評価したところ、評価Ｂ（１０ｗｔ％以上５０ｗｔ％未満）と良好であった。
さらに、前記方法により、安全溶媒への溶解性を評価した。結果を表１に示す。
Figure 2013024778
（合成例４）ＢｉｓＮ−４（ポリフェノール化合物）の合成
２，６−ナフタレンジオール３．２０ｇ（２０ｍｍｏｌ）を、１，６−ナフタレンジオール（シグマ−アルドリッチ社製試薬）３．２０ｇ（２０ｍｍｏｌ）に変更し、その他は合成例１同様にし、下記式で示される目的化合物（ＢｉｓＮ−４）を０．２ｇ得た。
得られた化合物について、前記方法により分子量を測定した結果、４８４であった。
得られた化合物について、前記測定条件で、ＮＭＲ測定を行ったところ、以下のピークが見出され、下記式の化学構造を有することを確認した。
δ（ｐｐｍ）９．３〜９．４（４Ｈ，Ｏ−Ｈ）、７．０〜８．１（１９Ｈ，Ｐｈ−Ｈ）、６．８（１Ｈ，Ｃ−Ｈ）
熱分解温度は２５０℃、ガラス転移点は１３０℃であり、高耐熱性が確認できた。
また、前記方法により、ＭＥＫ溶解性を評価したところ、評価Ｂ（１０ｗｔ％以上５０ｗｔ％未満）と良好であった。
さらに、前記方法により、安全溶媒への溶解性を評価した。結果を表１に示す。
Figure 2013024778
（合成例５）ＢｉｓＮ−５（ポリフェノール化合物）の合成
２，６−ナフタレンジオール３．２０ｇ（２０ｍｍｏｌ）を、１，７−ナフタレンジオール（シグマ−アルドリッチ社製試薬）３．２０ｇ（２０ｍｍｏｌ）に変更し、その他は合成例１同様にし、下記式で示される目的化合物（ＢｉｓＮ−５）を０．２ｇ得た。
得られた化合物について、前記方法により分子量を測定した結果、４８４であった。
得られた化合物について、前記測定条件で、ＮＭＲ測定を行ったところ、以下のピークが見出され、下記式の化学構造を有することを確認した。
δ（ｐｐｍ）９．３〜９．４（４Ｈ，Ｏ−Ｈ）、７．０〜８．１（１９Ｈ，Ｐｈ−Ｈ）、６．８（１Ｈ，Ｃ−Ｈ）
熱分解温度は２５０℃、ガラス転移点は１３０℃であり、高耐熱性が確認できた。
また、前記方法により、ＭＥＫ溶解性を評価したところ、評価Ｂ（１０ｗｔ％以上５０ｗｔ％未満）と良好であった。
さらに、前記方法により、安全溶媒への溶解性を評価した。結果を表１に示す。
Figure 2013024778
（合成例６）ＢｉｓＮ−６（ポリフェノール化合物）の合成
２，６−ナフタレンジオール３．２０ｇ（２０ｍｍｏｌ）を、２，３−ナフタレンジオール（シグマ−アルドリッチ社製試薬）３．２０ｇ（２０ｍｍｏｌ）に変更し、その他は合成例１同様にし、下記式で示される目的化合物（ＢｉｓＮ−６）を０．２ｇ得た。
得られた化合物について、前記方法により分子量を測定した結果、４８４であった。
得られた化合物について、前記測定条件で、ＮＭＲ測定を行ったところ、以下のピークが見出され、下記式の化学構造を有することを確認した。
δ（ｐｐｍ）９．３〜９．４（４Ｈ，Ｏ−Ｈ）、７．０〜８．１（１９Ｈ，Ｐｈ−Ｈ）、６．８（１Ｈ，Ｃ−Ｈ）
熱分解温度は２５０℃、ガラス転移点は１３０℃であり、高耐熱性が確認できた。
また、前記方法により、ＭＥＫ溶解性を評価したところ、評価Ｂ（１０ｗｔ％以上５０ｗｔ％未満）と良好であった。
さらに、前記方法により、安全溶媒への溶解性を評価した。結果を表１に示す。
Figure 2013024778
（合成例７）ＢｉｓＮ−７（ポリフェノール化合物）の合成
４−ビフェニルカルボキシアルデヒド（三菱瓦斯化学社製）１．８２ｇ（１０ｍｍｏｌ）を１−ナフトアルデヒド（シグマ−アルドリッチ社製試薬）１．５６ｇ（１０ｍｍｏｌ）に変更し、その他は合成例１同様にし、下記式で示される目的化合物（ＢｉｓＮ−７）を０．２ｇ得た。
得られた化合物について、前記方法により分子量を測定した結果、４５８であった。
得られた化合物について、前記測定条件で、ＮＭＲ測定を行ったところ、以下のピークが見出され、下記式の化学構造を有することを確認した。
δ（ｐｐｍ）９．３〜９．４（４Ｈ，Ｏ−Ｈ）、７．０〜８．１（１７Ｈ，Ｐｈ−Ｈ）、６．８（１Ｈ，Ｃ−Ｈ）
熱分解温度は２５５℃、ガラス転移点は１３５℃であり、高耐熱性が確認できた。
また、前記方法により、ＭＥＫ溶解性を評価したところ、評価Ｂ（１０ｗｔ％以上５０ｗｔ％未満）と良好であった。
さらに、前記方法により、安全溶媒への溶解性を評価した。結果を表１に示す。
Figure 2013024778
（合成例８）ＢｉｓＮ−８（ポリフェノール化合物）の合成
４−ビフェニルカルボキシアルデヒド（三菱瓦斯化学社製）１．８２ｇ（１０ｍｍｏｌ）を９−フェナントレンアルデヒド（和光純薬工業社製試薬）２．０６ｇ（１０ｍｍｏｌ）に変更し、その他は合成例１同様にし、下記式で示される目的化合物（ＢｉｓＮ−８）を０．２ｇ得た。
得られた化合物について、前記方法により分子量を測定した結果、５０８であった。
得られた化合物について、前記測定条件で、ＮＭＲ測定を行ったところ、以下のピークが見出され、下記式の化学構造を有することを確認した。
δ（ｐｐｍ）９．３〜９．４（４Ｈ，Ｏ−Ｈ）、７．０〜８．１（１９Ｈ，Ｐｈ−Ｈ）、６．８（１Ｈ，Ｃ−Ｈ）
熱分解温度は２５５℃、ガラス転移点は１４０℃であり、高耐熱性が確認できた。
また、前記方法により、ＭＥＫ溶解性を評価したところ、評価Ｂ（１０ｗｔ％以上５０ｗｔ％未満）と良好であった。
さらに、前記方法により、安全溶媒への溶解性を評価した。結果を表１に示す。
Figure 2013024778
（合成例９）ＢｉｓＮ−９（ポリフェノール化合物）の合成
４−ビフェニルカルボキシアルデヒド（三菱瓦斯化学社製）１．８２ｇ（１０ｍｍｏｌ）を１−ピレンアルデヒド（シグマ−アルドリッチ社製試薬）２．３０ｇ（１０ｍｍｏｌ）に変更し、その他は合成例１同様にし、下記式で示される目的化合物（ＢｉｓＮ−９）を０．２ｇ得た。
得られた化合物について、前記方法により分子量を測定した結果、５３２であった。
得られた化合物について、前記測定条件で、ＮＭＲ測定を行ったところ、以下のピークが見出され、下記式の化学構造を有することを確認した。
δ（ｐｐｍ）９．３〜９．４（４Ｈ，Ｏ−Ｈ）、７．０〜８．１（１９Ｈ，Ｐｈ−Ｈ）、６．８（１Ｈ，Ｃ−Ｈ）
熱分解温度は２６０℃、ガラス転移点は１４０℃であり、高耐熱性が確認できた。
また、前記方法により、ＭＥＫ溶解性を評価したところ、評価Ｂ（１０ｗｔ％以上５０ｗｔ％未満）と良好であった。
さらに、前記方法により、安全溶媒への溶解性を評価した。結果を表１に示す。
Figure 2013024778
 （ＢｉｓＮ−９）
（合成例１０）ＢｉｓＮ−１０（ポリフェノール化合物）の合成
４−ビフェニルカルボキシアルデヒド（三菱瓦斯化学社製）１．８２ｇ（１０ｍｍｏｌ）をシクロヘキサノン（シグマ−アルドリッチ社製試薬）０．９８ｇ（１０ｍｍｏｌ）に変更し、その他は合成例１同様にし、下記式で示される目的化合物（ＢｉｓＮ−１０）を０．２ｇ得た。
得られた化合物について、前記方法により分子量を測定した結果、４００であった。
得られた化合物について、前記測定条件で、ＮＭＲ測定を行ったところ、以下のピークが見出され、下記式の化学構造を有することを確認した。
δ（ｐｐｍ）９．３〜９．４（４Ｈ，Ｏ−Ｈ）、７．０〜８．１（１０Ｈ，Ｐｈ−Ｈ）、２．１〜２．５（１０Ｈ，Ｃ−Ｈ）
熱分解温度は２１０℃、ガラス転移点は１００℃であり、高耐熱性が確認できた。
また、前記方法により、ＭＥＫ溶解性を評価したところ、評価Ｂ（１０ｗｔ％以上５０ｗｔ％未満）と良好であった。
さらに、前記方法により、安全溶媒への溶解性を評価した。結果を表１に示す。
Figure 2013024778
（合成例１１）ＢｉｓＮ−１１（ポリフェノール化合物）の合成
４−ビフェニルカルボキシアルデヒド（三菱瓦斯化学社製）１．８２ｇ（１０ｍｍｏｌ）を９−フルオレノン（シグマ−アルドリッチ社製試薬）１．８０ｇ（１０ｍｍｏｌ）に変更し、その他は合成例１同様にし、下記式で示される目的化合物（ＢｉｓＮ−１１）を０．２ｇ得た。
得られた化合物について、前記方法により分子量を測定した結果、４８２であった。
得られた化合物について、前記測定条件で、ＮＭＲ測定を行ったところ、以下のピークが見出され、下記式の化学構造を有することを確認した。
δ（ｐｐｍ）９．３〜９．４（４Ｈ，Ｏ−Ｈ）、７．０〜８．１（１８Ｈ，Ｐｈ−Ｈ）
熱分解温度は２５０℃、ガラス転移点は１３５℃であり、高耐熱性が確認できた。
また、前記方法により、ＭＥＫ溶解性を評価したところ、評価Ｂ（１０ｗｔ％以上５０ｗｔ％未満）と良好であった。
さらに、前記方法により、安全溶媒への溶解性を評価した。結果を表１に示す。
Figure 2013024778
（合成例１２）ＢｉｓＮ−１２（ポリフェノール化合物）の合成
４−ビフェニルカルボキシアルデヒド（三菱瓦斯化学社製）１．８２ｇ（１０ｍｍｏｌ）をテレフタルアルデヒド（シグマ−アルドリッチ社製試薬）０．６７ｇ（５ｍｍｏｌ）に変更し、その他は合成例１同様にし、下記式で示される目的化合物（ＢｉｓＮ−１２）を０．１ｇ得た。
得られた化合物について、前記方法により分子量を測定した結果、７３８であった。
得られた化合物について、前記測定条件で、ＮＭＲ測定を行ったところ、以下のピークが見出され、下記式の化学構造を有することを確認した。
δ（ｐｐｍ）９．３〜９．４（８Ｈ，Ｏ−Ｈ）、７．０〜８．１（２４Ｈ，Ｐｈ−Ｈ）、６．８（２Ｈ，Ｃ−Ｈ）
熱分解温度は２４５℃、ガラス転移点は１３０℃であり、高耐熱性が確認できた。
また、前記方法により、ＭＥＫ溶解性を評価したところ、評価Ｂ（１０ｗｔ％以上５０ｗｔ％未満）と良好であった。
さらに、前記方法により、安全溶媒への溶解性を評価した。結果を表１に示す。
Figure 2013024778
（合成例１３）ＢｉｓＮ−１３（ポリフェノール化合物）の合成
４−ビフェニルカルボキシアルデヒド（三菱瓦斯化学社製）１．８２ｇ（１０ｍｍｏｌ）を４，４’−ジホルミルビフェニル（シグマ−アルドリッチ社製試薬）１．０５ｇ（５ｍｍｏｌ）に変更し、その他は合成例１同様にし、下記式で示される目的化合物（ＢｉｓＮ−１３）を０．１ｇ得た。
得られた化合物について、前記方法により分子量を測定した結果、８１４であった。
得られた化合物について、前記測定条件で、ＮＭＲ測定を行ったところ、以下のピークが見出され、下記式の化学構造を有することを確認した。
δ（ｐｐｍ）９．３〜９．４（８Ｈ，Ｏ−Ｈ）、７．０〜８．１（２８Ｈ，Ｐｈ−Ｈ）、６．８（２Ｈ，Ｃ−Ｈ）
熱分解温度は２４５℃、ガラス転移点は１３０℃であり、高耐熱性が確認できた。
また、前記方法により、ＭＥＫ溶解性を評価したところ、評価Ｂ（１０ｗｔ％以上５０ｗｔ％未満）と良好であった。
さらに、前記方法により、安全溶媒への溶解性を評価した。結果を表１に示す。
Figure 2013024778
（合成例１４）ＢｉｓＮ−１４（ポリフェノール化合物）の合成
４−ビフェニルカルボキシアルデヒド（三菱瓦斯化学社製）１．８２ｇ（１０ｍｍｏｌ）を１，３，５−ベンゼントリカルボアルデヒド（三菱瓦斯化学社製試薬）０．５３ｇ（３．３ｍｍｏｌ）に変更し、その他は合成例１同様にし、下記式で示される目的化合物（ＢｉｓＮ−１４）を０．１ｇ得た。
得られた化合物について、前記方法により分子量を測定した結果、１０６８であった。
得られた化合物について、前記測定条件で、ＮＭＲ測定を行ったところ、以下のピークが見出され、下記式の化学構造を有することを確認した。
δ（ｐｐｍ）９．３〜９．４（１２Ｈ，Ｏ−Ｈ）、７．０〜８．１（３３Ｈ，Ｐｈ−Ｈ）、６．８（３Ｈ，Ｃ−Ｈ）
熱分解温度は２４５℃、ガラス転移点は１３０℃であり、高耐熱性が確認できた。
また、前記方法により、ＭＥＫ溶解性を評価したところ、評価Ｂ（１０ｗｔ％以上５０ｗｔ％未満）と良好であった。
さらに、前記方法により、安全溶媒への溶解性を評価した。結果を表１に示す。
Figure 2013024778
（合成例１５）ＸＢｉｓＮ−１（ポリフェノール化合物）の合成
攪拌機、冷却管及びビュレットを備えた内容積１００ｍｌの容器に２，６−ナフタレンジオール（シグマ−アルドリッチ社製試薬）３．２０ｇ（２０ｍｍｏｌ）と４−ビフェニルカルボキシアルデヒド（三菱瓦斯化学社製）１．８２ｇ（１０ｍｍｏｌ）とを３０ｍｌメチルイソブチルケトンに仕込み、９５％の硫酸５ｍｌを加えて、反応液を１００℃で６時間撹拌して反応を行った。次に反応液を濃縮し、純水５０ｇを加えて反応生成物を析出させ、室温まで冷却した後、濾過を行って分離した。
得られた固形物を濾過し、乾燥させた後、カラムクロマトによる分離精製を行うことで、下記式で示される目的化合物（ＸＢｉｓＮ−１）が３．０５ｇ得た。
得られた化合物について、前記方法により分子量を測定した結果、４６６であった。
得られた化合物について、前記測定条件で、ＮＭＲ測定を行ったところ、以下のピークが見出され、下記式の化学構造を有することを確認した。
δ（ｐｐｍ）９．７（２Ｈ，Ｏ−Ｈ）、７．２〜８．５（１９Ｈ，Ｐｈ−Ｈ）、６．６（１Ｈ，Ｃ−Ｈ）
なお、２，６−ナフタレンジオールの置換位置が１位であることは、３位と４位のプロトンのシグナルがダブレットであることから確認した。
熱分解温度は４１０℃、ガラス転移点は１５２℃であり、高耐熱性が確認できた。
また、前記方法により、ＭＥＫ溶解性を評価したところ、評価Ａ ５０ｗｔ％以上と優秀であった。
さらに、前記方法により安全溶媒への溶解性を評価した。結果を表１に示す。
Figure 2013024778
（合成例１６）ＸＢｉｓＮ−２（ポリフェノール化合物）の合成
２，６−ナフタレンジオール３．２０ｇ（２０ｍｍｏｌ）を、２，７−ナフタレンジオール（シグマ−アルドリッチ社製試薬）３．２０ｇ（２０ｍｍｏｌ）に変更し、その他は合成例１５同様にし、下記式で示される目的化合物（ＸＢｉｓＮ−２）を０．２ｇ得た。
得られた化合物について、前記方法により分子量を測定した結果、４６６であった。
得られた化合物について、前記測定条件で、ＮＭＲ測定を行ったところ、以下のピークが見出され、下記式の化学構造を有することを確認した。
δ（ｐｐｍ）９．７（２Ｈ，Ｏ−Ｈ）、７．２〜８．５（１９Ｈ，Ｐｈ−Ｈ）、６．６（１Ｈ，Ｃ−Ｈ）
熱分解温度は４１０℃、ガラス転移点は１５２℃であり、高耐熱性が確認できた。
また、前記方法により、ＭＥＫ溶解性を評価したところ、評価Ｂ（１０ｗｔ％以上５０ｗｔ％未満）と良好であった。
さらに、前記方法により、安全溶媒への溶解性を評価した。結果を表１に示す。
Figure 2013024778
（合成例１７）ＸＢｉｓＮ−３（ポリフェノール化合物）の合成
２，６−ナフタレンジオール３．２０ｇ（２０ｍｍｏｌ）を、１，５−ナフタレンジオール（シグマ−アルドリッチ社製試薬）３．２０ｇ（２０ｍｍｏｌ）に変更し、その他は合成例１５同様にし、下記式で示される目的化合物（ＸＢｉｓＮ−３）を０．２ｇ得た。
得られた化合物について、前記方法により分子量を測定した結果、４６６であった。
得られた化合物について、前記測定条件で、ＮＭＲ測定を行ったところ、以下のピークが見出され、下記式の化学構造を有することを確認した。
δ（ｐｐｍ）９．７（２Ｈ，Ｏ−Ｈ）、７．２〜８．５（１９Ｈ，Ｐｈ−Ｈ）、６．６（１Ｈ，Ｃ−Ｈ）
熱分解温度は４１０℃、ガラス転移点は１５２℃であり、高耐熱性が確認できた。
また、前記方法により、ＭＥＫ溶解性を評価したところ、評価Ｂ（１０ｗｔ％以上５０ｗｔ％未満）と良好であった。
さらに、前記方法により、安全溶媒への溶解性を評価した。結果を表１に示す。
Figure 2013024778
（合成例１８）ＸＢｉｓＮ−４（ポリフェノール化合物）の合成
２，６−ナフタレンジオール３．２０ｇ（２０ｍｍｏｌ）を、１，６−ナフタレンジオール（シグマ−アルドリッチ社製試薬）３．２０ｇ（２０ｍｍｏｌ）に変更し、その他は合成例１５同様にし、下記式で示される目的化合物（ＸＢｉｓＮ−４）を０．２ｇ得た。
得られた化合物について、前記方法により分子量を測定した結果、４６６であった。
得られた化合物について、前記測定条件で、ＮＭＲ測定を行ったところ、以下のピークが見出され、下記式の化学構造を有することを確認した。
δ（ｐｐｍ）９．７（２Ｈ，Ｏ−Ｈ）、７．２〜８．５（１９Ｈ，Ｐｈ−Ｈ）、６．６（１Ｈ，Ｃ−Ｈ）
熱分解温度は４１０℃、ガラス転移点は１５２℃であり、高耐熱性が確認できた。
また、前記方法により、ＭＥＫ溶解性を評価したところ、評価Ｂ（１０ｗｔ％以上５０ｗｔ％未満）と良好であった。
さらに、前記方法により、安全溶媒への溶解性を評価した。結果を表１に示す。
Figure 2013024778
（合成例１９）ＸＢｉｓＮ−５（ポリフェノール化合物）の合成
２，６−ナフタレンジオール３．２０ｇ（２０ｍｍｏｌ）を、１，７−ナフタレンジオール（シグマ−アルドリッチ社製試薬）３．２０ｇ（２０ｍｍｏｌ）に変更し、その他は合成例１５同様にし、下記式で示される目的化合物（ＸＢｉｓＮ−５）を０．２ｇ得た。
得られた化合物について、前記方法により分子量を測定した結果、４６６であった。
得られた化合物について、前記測定条件で、ＮＭＲ測定を行ったところ、以下のピークが見出され、下記式の化学構造を有することを確認した。
δ（ｐｐｍ）９．７（２Ｈ，Ｏ−Ｈ）、７．２〜８．５（１９Ｈ，Ｐｈ−Ｈ）、６．６（１Ｈ，Ｃ−Ｈ）
熱分解温度は４１０℃、ガラス転移点は１５２℃であり、高耐熱性が確認できた。
また、前記方法により、ＭＥＫ溶解性を評価したところ、評価Ｂ（１０ｗｔ％以上５０ｗｔ％未満）と良好であった。
さらに、前記方法により、安全溶媒への溶解性を評価した。結果を表１に示す。
Figure 2013024778
（合成例２０）ＸＢｉｓＮ−６（ポリフェノール化合物）の合成
２，６−ナフタレンジオール３．２０ｇ（２０ｍｍｏｌ）を、２，３−ナフタレンジオール（シグマ−アルドリッチ社製試薬）３．２０ｇ（２０ｍｍｏｌ）に変更し、その他は合成例１５同様にし、下記式で示される目的化合物（ＸＢｉｓＮ−６）を０．２ｇ得た。
得られた化合物について、前記方法により分子量を測定した結果、４６６であった。
得られた化合物について、前記測定条件で、ＮＭＲ測定を行ったところ、以下のピークが見出され、下記式の化学構造を有することを確認した。
δ（ｐｐｍ）９．７（２Ｈ，Ｏ−Ｈ）、７．２〜８．５（１９Ｈ，Ｐｈ−Ｈ）、６．６（１Ｈ，Ｃ−Ｈ）
熱分解温度は４１０℃、ガラス転移点は１５２℃であり、高耐熱性が確認できた。
また、前記方法により、ＭＥＫ溶解性を評価したところ、評価Ｂ（１０ｗｔ％以上５０ｗｔ％未満）と良好であった。
さらに、前記方法により、安全溶媒への溶解性を評価した。結果を表１に示す。
Figure 2013024778
（合成例２１）ＸＢｉｓＮ−７（ポリフェノール化合物）の合成
４−ビフェニルカルボキシアルデヒド（三菱瓦斯化学社製）１．８２ｇ（１０ｍｍｏｌ）を１−ナフトアルデヒド（シグマ−アルドリッチ社製試薬）１．５６ｇ（１０ｍｍｏｌ）に変更し、その他は合成例１５同様にし、下記式で示される目的化合物（ＸＢｉｓＮ−７）を０．２ｇ得た。
得られた化合物について、前記方法により分子量を測定した結果、４４０であった。
得られた化合物について、前記測定条件で、ＮＭＲ測定を行ったところ、以下のピークが見出され、下記式の化学構造を有することを確認した。
δ（ｐｐｍ）９．７（２Ｈ，Ｏ−Ｈ）、７．２〜８．５（１７Ｈ，Ｐｈ−Ｈ）、６．６（１Ｈ，Ｃ−Ｈ）
熱分解温度は４１５℃、ガラス転移点は１５５℃であり、高耐熱性が確認できた。
また、前記方法により、ＭＥＫ溶解性を評価したところ、評価Ｂ（１０ｗｔ％以上５０ｗｔ％未満）と良好であった。
さらに、前記方法により、安全溶媒への溶解性を評価した。結果を表１に示す。
Figure 2013024778
（合成例２２）ＸＢｉｓＮ−８（ポリフェノール化合物）の合成
４−ビフェニルカルボキシアルデヒド（三菱瓦斯化学社製）１．８２ｇ（１０ｍｍｏｌ）を９−フェナントレンアルデヒド（和光純薬工業社製試薬）２．０６ｇ（１０ｍｍｏｌ）に変更し、その他は合成例１５同様にし、下記式で示される目的化合物（ＸＢｉｓＮ−８）を０．２ｇ得た。
得られた化合物について、前記方法により分子量を測定した結果、４９０であった。
得られた化合物について、前記測定条件で、ＮＭＲ測定を行ったところ、以下のピークが見出され、下記式の化学構造を有することを確認した。
δ（ｐｐｍ）９．７（２Ｈ，Ｏ−Ｈ）、７．２〜８．５（１９Ｈ，Ｐｈ−Ｈ）、６．６（１Ｈ，Ｃ−Ｈ）
熱分解温度は４１５℃、ガラス転移点は１５５℃であり、高耐熱性が確認できた。
また、前記方法により、ＭＥＫ溶解性を評価したところ、評価Ｂ（１０ｗｔ％以上５０ｗｔ％未満）と良好であった。
さらに、前記方法により、安全溶媒への溶解性を評価した。結果を表１に示す。
Figure 2013024778
（合成例２３）ＸＢｉｓＮ−９（ポリフェノール化合物）の合成
４−ビフェニルカルボキシアルデヒド（三菱瓦斯化学社製）１．８２ｇ（１０ｍｍｏｌ）を１−ピレンアルデヒド（シグマ−アルドリッチ社製試薬）２．３０ｇ（１０ｍｍｏｌ）に変更し、その他は合成例１５同様にし、下記式で示される目的化合物（ＸＢｉｓＮ−９）を０．２ｇ得た。
得られた化合物について、前記方法により分子量を測定した結果、５１４であった。
得られた化合物について、前記測定条件で、ＮＭＲ測定を行ったところ、以下のピークが見出され、下記式の化学構造を有することを確認した。
δ（ｐｐｍ）９．７（２Ｈ，Ｏ−Ｈ）、７．２〜８．５（１９Ｈ，Ｐｈ−Ｈ）、６．６（１Ｈ，Ｃ−Ｈ）
熱分解温度は４２０℃、ガラス転移点は１５５℃であり、高耐熱性が確認できた。
また、前記方法により、ＭＥＫ溶解性を評価したところ、評価Ｂ（１０ｗｔ％以上５０ｗｔ％未満）と良好であった。
さらに、前記方法により、安全溶媒への溶解性を評価した。結果を表１に示す。
Figure 2013024778
（合成例２４）ＸＢｉｓＮ−１０（ポリフェノール化合物）の合成
４−ビフェニルカルボキシアルデヒド（三菱瓦斯化学社製）１．８２ｇ（１０ｍｍｏｌ）をシクロヘキサノン（シグマ−アルドリッチ社製試薬）０．９８ｇ（１０ｍｍｏｌ）に変更し、その他は合成例１５同様にし、下記式で示される目的化合物（ＸＢｉｓＮ−１０）を０．２ｇ得た。
得られた化合物について、前記方法により分子量を測定した結果、３８２であった。
得られた化合物について、前記測定条件で、ＮＭＲ測定を行ったところ、以下のピークが見出され、下記式の化学構造を有することを確認した。
δ（ｐｐｍ）９．７（２Ｈ，Ｏ−Ｈ）、７．２〜８．５（１０Ｈ，Ｐｈ−Ｈ）、
２．１〜２．５（１０Ｈ，Ｃ−Ｈ）
熱分解温度は４００℃、ガラス転移点は１４０℃であり、高耐熱性が確認できた。
また、前記方法により、ＭＥＫ溶解性を評価したところ、評価Ｂ（１０ｗｔ％以上５０ｗｔ％未満）と良好であった。
さらに、前記方法により、安全溶媒への溶解性を評価した。結果を表１に示す。
Figure 2013024778
（合成例２５）ＸＢｉｓＮ−１１（ポリフェノール化合物）の合成
４−ビフェニルカルボキシアルデヒド（三菱瓦斯化学社製）１．８２ｇ（１０ｍｍｏｌ）を９−フルオレノン（シグマ−アルドリッチ社製試薬）１．８０ｇ（１０ｍｍｏｌ）に変更し、その他は合成例１同様にし、下記式で示される目的化合物（ＸＢｉｓＮ−１１）を０．２ｇ得た。
得られた化合物について、前記方法により分子量を測定した結果、４６４であった。
得られた化合物について、前記測定条件で、ＮＭＲ測定を行ったところ、以下のピークが見出され、下記式の化学構造を有することを確認した。
δ（ｐｐｍ）９．７（２Ｈ，Ｏ−Ｈ）、７．２〜８．５（１８Ｈ，Ｐｈ−Ｈ）
熱分解温度は４５０℃、ガラス転移点は１４５℃であり、高耐熱性が確認できた。
また、前記方法により、ＭＥＫ溶解性を評価したところ、評価Ｂ（１０ｗｔ％以上５０ｗｔ％未満）と良好であった。
さらに、前記方法により、安全溶媒への溶解性を評価した。結果を表１に示す。
Figure 2013024778
（合成例２６）ＸＢｉｓＮ−１２（ポリフェノール化合物）の合成
４−ビフェニルカルボキシアルデヒド（三菱瓦斯化学社製）１．８２ｇ（１０ｍｍｏｌ）をテレフタルアルデヒド（シグマ−アルドリッチ社製試薬）０．６７ｇ（５ｍｍｏｌ）に変更し、その他は合成例１５同様にし、下記式で示される目的化合物（ＸＢｉｓＮ−１２）を０．１ｇ得た。
得られた化合物について、前記方法により分子量を測定した結果、７０２であった。
得られた化合物について、前記測定条件で、ＮＭＲ測定を行ったところ、以下のピークが見出され、下記式の化学構造を有することを確認した。
δ（ｐｐｍ）９．７（４Ｈ，Ｏ−Ｈ）、７．２〜８．５（２４Ｈ，Ｐｈ−Ｈ）、６．６（２Ｈ，Ｃ−Ｈ）
熱分解温度は４１０℃、ガラス転移点は１５２℃であり、高耐熱性が確認できた。
また、前記方法により、ＭＥＫ溶解性を評価したところ、評価Ｂ（１０ｗｔ％以上５０ｗｔ％未満）と良好であった。
さらに、前記方法により、安全溶媒への溶解性を評価した。結果を表１に示す。
Figure 2013024778
（合成例２７）ＸＢｉｓＮ−１３（ポリフェノール化合物）の合成
４−ビフェニルカルボキシアルデヒド（三菱瓦斯化学社製）１．８２ｇ（１０ｍｍｏｌ）を４，４’−ジホルミルビフェニル（シグマ−アルドリッチ社製試薬）１．０５ｇ（５ｍｍｏｌ）に変更し、その他は合成例１５同様にし、下記式で示される目的化合物（ＸＢｉｓＮ−１３）を０．１ｇ得た。
得られた化合物について、前記方法により分子量を測定した結果、７７８であった。
得られた化合物について、前記測定条件で、ＮＭＲ測定を行ったところ、以下のピークが見出され、下記式の化学構造を有することを確認した。
δ（ｐｐｍ）９．７（４Ｈ，Ｏ−Ｈ）、７．２〜８．５（２８Ｈ，Ｐｈ−Ｈ）、６．６（２Ｈ，Ｃ−Ｈ）
熱分解温度は４１０℃、ガラス転移点は１５２℃であり、高耐熱性が確認できた。
また、前記方法により、ＭＥＫ溶解性を評価したところ、評価Ｂ（１０ｗｔ％以上５０ｗｔ％未満）と良好であった。
さらに、前記方法により、安全溶媒への溶解性を評価した。結果を表１に示す。
Figure 2013024778
（合成例２８）ＸＢｉｓＮ−１４（ポリフェノール化合物）の合成
４−ビフェニルカルボキシアルデヒド（三菱瓦斯化学社製）１．８２ｇ（１０ｍｍｏｌ）を１，３，５−ベンゼントリカルボアルデヒド（三菱瓦斯化学社製試薬）０．５３ｇ（３．３ｍｍｏｌ）に変更し、その他は合成例１５同様にし、下記式で示される目的化合物（ＸＢｉｓＮ−１４）を０．１ｇ得た。
得られた化合物について、前記方法により分子量を測定した結果、１０１４であった。
得られた化合物について、前記測定条件で、ＮＭＲ測定を行ったところ、以下のピークが見出され、下記式の化学構造を有することを確認した。
δ（ｐｐｍ）９．７（６Ｈ，Ｏ−Ｈ）、７．２〜８．５（３３Ｈ，Ｐｈ−Ｈ）、６．６（３Ｈ，Ｃ−Ｈ）
熱分解温度は４１０℃、ガラス転移点は１５２℃であり、高耐熱性が確認できた。
また、前記方法により、ＭＥＫ溶解性を評価したところ、評価Ｂ（１０ｗｔ％以上５０ｗｔ％未満）と良好であった。
さらに、前記方法により、安全溶媒への溶解性を評価した。結果を表１に示す。
Figure 2013024778
（比較合成例１）ＴｅｔＰ−１（ポリフェノール化合物）の合成
十分乾燥し、窒素置換した滴下漏斗、ジム・ロート氏冷却管、温度計、攪拌翼を設置した四つ口フラスコ（１０００ｍｌ）に、窒素気流下で、本州化学工業社製２，３，６−トリメチルフェノール１０８．８ｇ／０．８ｍｏｌ及び三菱瓦斯化学社製２，７−ナフタレンジカルボキシアルデヒド１８．４ｇ／０．１ｍｏｌを混合し、約６０℃に加熱して溶解した後、硫酸０．１ｍｌ、３−メルカプトプロピオン酸０．８ｍｌ、トルエン１０ｍｌを加え、撹拌しながら反応した。
反応終了後、放冷し、室温に到達させた後、氷浴で冷却した。１時間静置後、淡黄色の目的粗結晶が生成し、これを濾別した。その後６０℃温水で撹拌洗浄し、再結晶を行うことで、下記式の目的生成物（ＴｅｔＰ−１）を８．９９ｇ得た。
得られた化合物について、前記測定条件で、ＮＭＲ測定を行い、下記式の化学構造を有することを確認した。
また、前記方法により安全溶媒への溶解性を評価した。結果を表１に示す。
Figure 2013024778
（比較合成例２）ＣＲ−１（ポリフェノール化合物）の合成
温度を制御できる内容積５００ｍｌの電磁撹拌装置付オートクレーブ（ＳＵＳ３１６Ｌ製）に、無水ＨＦ ７４．３ｇ（３．７１モル）、ＢＦ３ ５０．５ｇ（０．７４４モル）を仕込み、内容物を撹拌し、液温を−３０℃に保ったまま一酸化炭素により２ＭＰａまで昇圧した。その後、圧力を２ＭＰａ、液温を−３０℃に保ったまま、４−シクロヘキシルベンゼン５７．０ｇ（０．２４８モル）とｎ−ヘプタン５０．０ｇとを混合した原料を供給し、１時間保った後、氷の中に内容物を採取し、ベンゼンで希釈後、中和処理をして得られた油層をガスクロマトグラフィーで分析して反応成績を求めたところ、４−シクロヘキシル）ベンゼン転化率１００％、４−シクロヘキシルベンズアルデヒド選択率９７．３％であった。
単蒸留により目的成分を単離し、ＧＣ−ＭＳで分析した結果、下記式の４−シクロヘキシルベンズアルデヒド（ＣＨＢＡＬ）の分子量１８８を示した。また重クロロホルム溶媒中での１Ｈ−ＮＭＲのケミカルシフト値（δｐｐｍ，ＴＭＳ基準）は、１．０〜１．６（ｍ，１０Ｈ）、２．６（ｍ，１Ｈ）、７．４（ｄ，２Ｈ）、７．８（ｄ，２Ｈ）、１０．０（ｓ，１Ｈ）であった。
得られた化合物について、前記測定条件で、ＮＭＲ測定を行い、下記式の化学構造を有することを確認した。
また、前記方法により安全溶媒への溶解性を評価した。結果を表１に示す。
Figure 2013024778
十分乾燥し、窒素置換した滴下漏斗、ジム・ロート氏冷却管、温度計、攪拌翼を設置した四つ口フラスコ（１０００ｍｌ）に、窒素気流下で、関東化学社製レゾルシノール（２２ｇ、０．２ｍｏｌ）と、前記４−シクロヘキシルベンズアルデヒド（４６．０ｇ，０．２ｍｏｌ）と、脱水エタノール（２００ｍｌ）を投入し、エタノール溶液を調製した。この溶液を攪拌しながらマントルヒーターで８５℃まで加熱した。次いで濃塩酸（３５％）７５ｍｌを、滴下漏斗により３０分かけて滴下した後、引き続き８５℃で３時間攪拌した。反応終了後、放冷し、室温に到達させた後、氷浴で冷却した。１時間静置後、淡黄色の目的粗結晶が生成し、これを濾別した。粗結晶をメタノール５００ｍｌで２回洗浄し、濾別、真空乾燥させることにより、下記式で示す生成物（ＣＲ−１Ａ）を５０ｇ得た。
この生成物の構造は、ＬＣ−ＭＳで分析した結果、分子量１１２１を示した。また重クロロホルム溶媒中での１Ｈ−ＮＭＲのケミカルシフト値（δｐｐｍ，ＴＭＳ基準）は０．８〜１．９（ｍ，４４Ｈ）、５．５，５．６（ｄ，４Ｈ）、６．０〜６．８（ｍ，２４Ｈ）、８．４，８．５（ｍ，８Ｈ）であった。これらの結果から、得られた生成物を目的化合物（ＣＲ−１）と同定した（収率９１％）。
Figure 2013024778
 また、前記方法により安全溶媒への溶解性を評価した。結果を表１に示す。
［実施例及び比較例］
＜実施例１〜２８及び比較例１〜２＞ レジスト組成物の合成
合成例１〜１４を用いたものを実施例１〜１４、合成例１５〜２８を用いたものを実施例１５〜２８、比較合成例１を用いたものを比較例１、比較合成例２を用いたものを比較例２として、表２に示す配合でレジスト組成物を調製した。
なお、前記表２中の各成分のうち、酸発生剤（Ｃ）、酸架橋剤（Ｇ）、酸拡散制御剤（Ｅ）及び溶媒については、以下のものを用いた。
酸発生剤（Ｃ）
Ｐ−１：トリフェニルベンゼンスルホニウム トリフルオロメタンスルホネート（みどり化学（株））
酸架橋剤（Ｇ）
Ｃ−１：ニカラックＭＷ−１００ＬＭ(三和ケミカル（株）)
酸拡散制御剤（Ｅ）
Ｑ−１：トリオクチルアミン（東京化成工業（株））
溶媒
Ｓ−１：プロピレングリコールモノメチルエーテル（東京化成工業（株））
前記方法により、得られた組成物の耐熱性を評価した。得られた結果を表２に示す。
また、得られたレジスト組成物を用いて、以下の手順でレジストパターンを形成した。レジスト組成物を清浄なシリコンウェハー上に回転塗布した後、１１０℃のオーブン中で露光前ベーク（ＰＢ）して、厚さ６０ｎｍのレジスト膜を形成した。得られたレジスト膜を電子線描画装置（ＥＬＳ−７５００，（株）エリオニクス社製）を用いて、５０ｎｍ、４０ｎｍ及び３０ｎｍ間隔の１：１のラインアンドスペース設定の電子線を照射した。照射後に、それぞれ所定の温度で、９０秒間加熱し、ＴＭＡＨ２．３８ｗｔ％アルカリ現像液に６０秒間浸漬して現像を行った。その後、超純水で３０秒間洗浄し、乾燥して、ネガ型のレジストパターンを形成した。
得られたレジストパターンについて、前記方法により、パターン評価を実施した。得られた結果を表２に示す。
表２からわかるように、各レジストいずれの膜も欠陥の無い良好な膜であり、耐熱性は良好であることを確認した（評価：○）。
表１からわかるように、実施例１〜２８のレジストは、解像度３０ｎｍの良好なレジストパターンを、良好な感度で得ることができた。またそのパターンのラフネスも小さく、形状も良好であった。
一方、比較例１及び２のレジストは、解像度４０ｎｍの良好なレジストパターンを得ることができたが、３０ｎｍではレジストパターンを得ることはできなかった。
＜実施例２９＞ アルコール化合物の合成
攪拌機、冷却管及びビュレットを備えた内容積１００ｍｌの容器に前記（合成例１５）のＸＢｉｓＮ−１を１０ｇ（２１ｍｍｏｌ）と炭酸カリウム１４．８ｇ（１０７ｍｍｏｌ）とを５０ｍｌジメチルホルムアミドに仕込み、酢酸−２−クロロエチル６．５６ｇ（５４ｍｍｏｌ）を加えて、反応液を９０℃で１２時間撹拌して反応を行った。次に反応液を氷浴で冷却し結晶を析出させ、濾過を行って分離した。続いて攪拌機、冷却管及びビュレットを備えた内容積１００ｍｌの容器に前記結晶４０ｇ、メタノール４０ｇ、ＴＨＦ１００ｇ及び２４％水酸化ナトリウム水溶液を仕込み、反応液を還流下で４時間撹拌して反応を行った。その後、氷浴で冷却し、反応液を濃縮し析出した固形物を濾過し、乾燥させた後、カラムクロマトによる分離精製を行い、下記式（７´）で示される目的化合物が５．９ｇ得られた。
前記測定条件でＮＭＲ測定したところ、以下のピークが見出され、下記式（７´）の化学構造を有することを確認した。
δ（ｐｐｍ）８．６（２Ｈ，Ｏ−Ｈ）、７．２〜７．８（１９Ｈ，Ｐｈ−Ｈ）、６．７（１Ｈ，Ｃ−Ｈ）、４．０（４Ｈ，−Ｏ−ＣＨ ２−）、３．８（４Ｈ，−ＣＨ ２−ＯＨ）
熱分解温度は３７５℃、ガラス転移点は１３２℃、融点は２５６℃であり、高耐熱性が確認できた。
Figure 2013024778
Figure 2013024778
Figure 2013024778
前記結果から、本発明による化合物（ＢｉｓＮ−１）を含むレジスト組成物は、比較化合物（ＴｅｔＰ−１）、（ＣＲ−１）を含む組成物に比べて高感度で、ラフネスが小さく、かつ良好な形状のレジストパターンを形成することができる。前記した本発明の要件を満たす限り、実施例に記載したもの以外の化合物も同様の効果を示す。
なお、本出願は、２０１１年８月１２日に日本国特許庁に出願された日本特許出願（特願２０１１−１７６９２３号）、２０１１年９月１５日に日本国特許庁に出願された日本特許出願（特願２０１１−２０１７５７号）及び２０１１年９月３０日に日本国特許庁に出願された日本特許出願（特願２０１１−２１８６２６号）に基づく優先権を主張しており、その内容はここに参照として取り込まれる。
本発明により、耐熱性に優れ、安全溶媒に対する溶解性が高く、高感度で、かつ、良好なレジストパターン形状を付与できるレジスト組成物及びそれを用いるレジストパターン形成方法を提供できる。したがって、本発明は、酸増幅型非高分子系レジスト材料等のレジスト組成物が使用される半導体分野、ディスプレイ分野、フォトマスク、薄膜磁気ヘッド、化合物半導体、研究開発等において有用である。
また、本発明により、耐熱性に優れ、安全溶媒に対する溶解性の高いポリフェノール化合物を提供できる。したがって、本発明は、半導体用フォトレジスト等の感光性材料の基材、集積回路の封止材料等に用いられるエポキシ樹脂の原料や硬化剤、感熱記録材料に用いられる顕色剤や退色防止剤、このほか、殺菌剤、防菌防カビ剤等の添加剤などに好適に利用される。
本発明により、耐熱性の高いアルコール化合物を提供できる。したがって、エポキシ樹脂やアクリル系樹脂（ジ（メタ）アクリレート等）等の光又は熱硬化性樹脂や、ポリエステル、ポリカーボネートやポリウレタン等の熱可塑性樹脂の原料やエポキシ樹脂硬化剤として有用である。

Claims (17)

  1. 一般式（１）又は（２）で示される化合物を含有するレジスト組成物。
    Figure 2013024778
    Figure 2013024778
     （一般式（１）及び（２）中、Ｒ１は、それぞれ独立して単結合、又は炭素数１〜３０の２ｎ価の炭化水素基であり、該炭化水素基は環式炭化水素基、二重結合、ヘテロ原子若しくは炭素数６〜３０の芳香族基を有していてもよく、Ｒ２はそれぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキル基、炭素数６〜１０のアリール基、炭素数２〜１０のアルケニル基又は水酸基であり、同一のナフタレン環において同一であっても異なっていてもよく、Ｒ２の少なくとも１つが水酸基であり、ｎは１〜４の整数であり、式（１）及び式（２）の繰り返し単位の構造式は同一であっても異なっていてもよく、一般式（１）中、ｍ１はそれぞれ独立して１〜７の整数であり、一般式（２）中、Ｘは、それぞれ独立して酸素原子又は硫黄原子であり、ｍ２はそれぞれ独立して１〜６の整数である。）
  2. 前記一般式（１）が一般式（１−１）であり、前記一般式（２）が一般式（２−１）である、請求項１に記載のレジスト組成物。
    Figure 2013024778
    Figure 2013024778
     （一般式（１−１）及び（２−１）中、Ｒ１は、それぞれ独立して単結合、又は炭素数１〜３０の２ｎ価の炭化水素基であり、該炭化水素基は環式炭化水素基、二重結合、ヘテロ原子若しくは炭素数６〜３０の芳香族基を有していてもよく、Ｒ３は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキル基、炭素数６〜１０のアリール基、又は炭素数２〜１０のアルケニル基であり、同一のナフタレン環において同一であっても異なっていてもよく、式（１）及び式（２）の繰り返し単位の構造式は同一であっても異なっていてもよく、ｎは１〜４の整数であり、一般式（１−１）中、ｍ３はそれぞれ独立して１〜７の整数であり、ｍ４はそれぞれ独立して０〜６の整数であり、ｍ３＋ｍ４は１〜７の整数であり、一般式（２−１）中、ｍ５はそれぞれ独立して１〜６の整数であり、ｍ６はそれぞれ独立して０〜５の整数であり、ｍ５＋ｍ６は１〜６の整数である。）
  3. 前記一般式（１）が一般式（１−２）であり、前記一般式（２）が一般式（２−２）である、請求項１に記載のレジスト組成物。
    Figure 2013024778
    Figure 2013024778
     （一般式（１−２）及び（２−２）中、Ｒ１は、それぞれ独立して単結合、又は炭素数１〜３０の２ｎ価の炭化水素基であり、該炭化水素基は環式炭化水素基、二重結合、ヘテロ原子若しくは炭素数６〜３０の芳香族基を有していてもよく、Ｒ３は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキル基、炭素数６〜１０のアリール基、又は炭素数２〜１０のアルケニル基であり、同一のナフタレン環において同一であっても異なっていてもよく、式（１）及び式（２）の繰り返し単位の構造式は同一であっても異なっていてもよく、ｎは１〜４の整数であり、一般式（１−２）中、ｍ４はそれぞれ独立して０〜６の整数であり、一般式（２−２）中、ｍ６はそれぞれ独立して０〜５の整数である。）
  4. 溶媒をさらに含有する、請求項１〜３のいずれか１項に記載のレジスト組成物。
  5. 酸発生剤をさらに含有する、請求項１〜４のいずれか１項に記載のレジスト組成物。
  6. 酸架橋剤をさらに含有する、請求項１〜５のいずれか１項に記載のレジスト組成物。
  7. 請求項１〜６のいずれか１項に記載のレジスト組成物を基板上に塗布してレジスト膜を形成する工程と、形成されたレジスト膜を露光する工程と、露光したレジスト膜を現像する工程とを含む、レジストパターン形成方法。
  8. 前記一般式（１）で示される化合物が一般式（３）で示されるポリフェノール化合物であり、前記一般式（２）で示される化合物が一般式（４）で示されるポリフェノール化合物である、請求項１及び４〜６のいずれか１項に記載のレジスト組成物。
    Figure 2013024778
    Figure 2013024778
     （一般式（３）及び（４）中、Ｘ´は、それぞれ独立して、水素原子又は炭素数１〜１８の一価の置換基であり、Ｒ０は、それぞれ独立して、炭素数１〜４のアルキル基又はハロゲン原子であり、同一のナフタレン環において同一であっても異なっていてもよく、ｐは０〜５の整数である。）
  9. 一般式（３）又は一般式（４）で示されるポリフェノール化合物。
    Figure 2013024778
    Figure 2013024778
     （一般式（３）及び（４）中、Ｘ´は、それぞれ独立して、水素原子又は炭素数１〜１８の一価の置換基であり、Ｒ０は、それぞれ独立して、炭素数１〜４のアルキル基又はハロゲン原子であり、同一のナフタレン環において同一であっても異なっていてもよく、ｐは０〜５の整数である。）
  10. 前記一般式（３）で示される化合物が一般式（３０）で示されるポリフェノール化合物であり、前記一般式（４）で示される化合物が一般式（４０）で示されるポリフェノール化合物である、請求項８に記載のレジスト組成物。
    Figure 2013024778
    Figure 2013024778
     （一般式（３０）及び（４０）中、Ｘ´は、それぞれ独立して、水素原子又は炭素数１〜１８の一価の置換基であり、Ｒ０は、それぞれ独立して、炭素数１〜４のアルキル基又はハロゲン原子であり、同一のナフタレン環において同一であっても異なっていてもよく、ｐは０〜５の整数である。）
  11. 前記一般式（３）が一般式（３０）、前記一般式（４）が一般式（４０）である、請求項９記載のポリフェノール化合物。
    Figure 2013024778
    Figure 2013024778
     （一般式（３０）及び（４０）中、Ｘ´は、それぞれ独立して、水素原子又は炭素数１〜１８の一価の置換基であり、Ｒ０は、それぞれ独立して、炭素数１〜４のアルキル基又はハロゲン原子であり、同一のナフタレン環において同一であっても異なっていてもよく、ｐは０〜５の整数である。）
  12. 一般式（５）で示される化合物と、炭素数１〜１９のアルデヒドとを、酸触媒存在下にて反応させる、請求項９記載のポリフェノール化合物の製造方法。
    Figure 2013024778
     （一般式（５）中、Ｒ０は、炭素数１〜４のアルキル基又はハロゲン原子であり、同一のナフタレン環において同一であっても異なっていてもよく、ｐは０〜５の整数である。）
  13. 一般式（５０）で示される化合物と、炭素数１〜１９のアルデヒドとを、酸触媒存在下にて反応させる、請求項１０記載のポリフェノール化合物の製造方法。
    Figure 2013024778
     （一般式（５０）中、Ｒ０は、炭素数１〜４のアルキル基又はハロゲン原子であり、同一のナフタレン環において同一であっても異なっていてもよく、ｐは０〜５の整数である。）
  14. 請求項９記載のポリフェノール化合物と、アルキレンオキシド導入試剤とを、塩基触媒存在下にて反応させる、一般式（６）又は（７）で示されるアルコール化合物の製造方法。
    Figure 2013024778
    Figure 2013024778
     （一般式（６）及び（７）中、Ｘ´は、水素原子又は炭素数１〜１８の一価の置換基であり、Ｒ０はそれぞれ独立して、炭素数１〜４のアルキル基又はハロゲン原子であり、同一のナフタレン環において同一であっても異なっていてもよく、Ｒ´はそれぞれ独立して、炭素数１〜４のアルキレン基であり、ｑはそれぞれ独立して、１以上の整数であり、ｐはそれぞれ独立して、０〜５の整数である。）
  15. 一般式（６）又は（７）で示されるアルコール化合物。
    Figure 2013024778
    Figure 2013024778
     （一般式（６）及び（７）中、Ｘ´は、水素原子又は炭素数１〜１８の一価の置換基であり、Ｒ０はそれぞれ独立して、炭素数１〜４のアルキル基又はハロゲン原子であり、同一のナフタレン環において同一であっても異なっていてもよく、Ｒ´はそれぞれ独立して、炭素数１〜４のアルキレン基であり、ｑはそれぞれ独立して、１以上の整数であり、ｐはそれぞれ独立して、０〜５の整数である。）
  16. 請求項１０記載のポリフェノール化合物と、アルキレンオキシド導入試剤とを、塩基触媒存在下にて反応させる、一般式（６０）又は（７０）で示されるアルコール化合物の製造方法。
    Figure 2013024778
    Figure 2013024778
     （一般式（６０）及び（７０）中、Ｘ´は、それぞれ独立して、水素原子又は炭素数１〜１８の一価の置換基であり、Ｒ０はそれぞれ独立して、炭素数１〜４のアルキル基又はハロゲン原子であり、同一のナフタレン環において同一であっても異なっていてもよく、Ｒ´はそれぞれ独立して、炭素数１〜４のアルキレン基であり、ｑはそれぞれ独立して、１以上の整数であり、ｐはそれぞれ独立して、０〜５の整数である。）
  17. 前記一般式（６）が一般式（６０）であり、前記一般式（７）が一般式（７０）である、請求項１５記載のアルコール化合物。
    Figure 2013024778
    Figure 2013024778
     （一般式（６０）及び（７０）中、Ｘ´は、水素原子又は炭素数１〜１８の一価の置換基であり、Ｒ０はそれぞれ独立して、炭素数１〜４のアルキル基又はハロゲン原子であり、同一のナフタレン環において同一であっても異なっていてもよく、Ｒ´はそれぞれ独立して、炭素数１〜４のアルキレン基であり、ｑはそれぞれ独立して、１以上の整数であり、ｐはそれぞれ独立して、０〜５の整数である。）
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Families Citing this family (66)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014123032A1 (ja) * 2013-02-08 2014-08-14 三菱瓦斯化学株式会社 レジスト組成物、レジストパターン形成方法及びそれに用いるポリフェノール誘導体
JP6390911B2 (ja) * 2013-02-08 2018-09-19 三菱瓦斯化学株式会社 化合物、リソグラフィー用下層膜形成材料、リソグラフィー用下層膜及びパターン形成方法
JP6388126B2 (ja) 2013-02-08 2018-09-12 三菱瓦斯化学株式会社 化合物、リソグラフィー用下層膜形成材料、リソグラフィー用下層膜及びパターン形成方法
JP5913191B2 (ja) * 2013-05-08 2016-04-27 信越化学工業株式会社 レジスト下層膜形成方法及びパターン形成方法
JP6303588B2 (ja) * 2013-08-08 2018-04-04 Jsr株式会社 感放射線性樹脂組成物、絶縁膜及びその形成方法並びに有機ｅｌ素子
JP6359024B2 (ja) * 2013-10-11 2018-07-18 日本化薬株式会社 フェノール樹脂の製造方法、フェノール樹脂、エポキシ樹脂およびエポキシ樹脂組成物
EP3075728B1 (en) 2013-11-29 2019-07-24 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Purification method for compound or resin
JP6286227B2 (ja) * 2014-02-21 2018-02-28 富士フイルム株式会社 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性膜、感活性光線性又は感放射線性膜を備えたマスクブランクス、パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法
US10303055B2 (en) 2014-03-13 2019-05-28 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Resist composition and method for forming resist pattern
EP3118183B1 (en) 2014-03-13 2021-07-21 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Compound, resin, material for forming underlayer film for lithography, underlayer film for lithography, pattern forming method, and method for purifying the compound or resin
US9274426B2 (en) * 2014-04-29 2016-03-01 Az Electronic Materials (Luxembourg) S.A.R.L. Antireflective coating compositions and processes thereof
KR20170099908A (ko) 2014-12-25 2017-09-01 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 화합물, 수지, 리소그래피용 하층막 형성 재료, 리소그래피용 하층막, 패턴 형성방법 및 정제방법
KR102376967B1 (ko) 2015-02-13 2022-03-22 삼성디스플레이 주식회사 축합환 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자
CN107406383B (zh) * 2015-03-13 2021-01-26 三菱瓦斯化学株式会社 光刻用的化合物、树脂以及下层膜形成材料
WO2016158457A1 (ja) * 2015-03-30 2016-10-06 三菱瓦斯化学株式会社 化合物、樹脂、及びそれらの精製方法、リソグラフィー用の下層膜形成材料、下層膜形成用組成物、及び下層膜、並びに、レジストパターン形成方法、及び回路パターン形成方法
EP3279728B1 (en) 2015-03-30 2021-03-17 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Resist base material, resist composition, and method for forming resist pattern
SG11201706306SA (en) 2015-03-31 2017-09-28 Mitsubishi Gas Chemical Co Compound, resist composition, and method for forming resist pattern using it
JP6766803B2 (ja) * 2015-03-31 2020-10-14 三菱瓦斯化学株式会社 レジスト組成物、レジストパターン形成方法、及びそれに用いるポリフェノール化合物
KR20170131668A (ko) * 2015-03-31 2017-11-29 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 감방사선성 조성물
CN107614473A (zh) * 2015-05-27 2018-01-19 三菱瓦斯化学株式会社 羟基取代芳香族化合物的制造方法
WO2017033943A1 (ja) 2015-08-24 2017-03-02 学校法人関西大学 リソグラフィー用材料及びその製造方法、リソグラフィー用組成物、パターン形成方法、並びに、化合物、樹脂、及びこれらの精製方法
US11137686B2 (en) 2015-08-31 2021-10-05 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Material for forming underlayer film for lithography, composition for forming underlayer film for lithography, underlayer film for lithography and production method thereof, and resist pattern forming method
KR20180048733A (ko) 2015-08-31 2018-05-10 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 리소그래피용 하층막 형성재료, 리소그래피용 하층막 형성용 조성물, 리소그래피용 하층막 및 그 제조방법, 패턴형성방법, 수지, 그리고 정제방법
KR20180051533A (ko) * 2015-09-03 2018-05-16 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 화합물 및 그 제조방법, 그리고, 조성물, 광학부품 형성용 조성물, 리소그래피용 막형성 조성물, 레지스트 조성물, 레지스트 패턴의 형성방법, 감방사선성 조성물, 아몰퍼스막의 제조방법, 리소그래피용 하층막 형성재료, 리소그래피용 하층막 형성용 조성물, 리소그래피용 하층막의 제조방법, 레지스트 패턴 형성방법, 회로패턴 형성방법, 및, 정제방법
JP6848869B2 (ja) * 2015-09-10 2021-03-24 三菱瓦斯化学株式会社 化合物、樹脂、レジスト組成物又は感放射線性組成物、レジストパターン形成方法、アモルファス膜の製造方法、リソグラフィー用下層膜形成材料、リソグラフィー用下層膜形成用組成物、回路パターンの形成方法、及び、精製方法
KR102490887B1 (ko) 2015-09-11 2023-01-25 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
JP6877696B2 (ja) 2015-12-25 2021-05-26 三菱瓦斯化学株式会社 化合物、樹脂、組成物、レジストパターン形成方法、及び、回路パターン形成方法
JP7194355B2 (ja) * 2016-07-21 2022-12-22 三菱瓦斯化学株式会社 化合物、樹脂、組成物及びパターン形成方法
TW201819351A (zh) 2016-07-21 2018-06-01 日商三菱瓦斯化學股份有限公司 化合物、樹脂、組成物及圖型形成方法
WO2018016615A1 (ja) 2016-07-21 2018-01-25 三菱瓦斯化学株式会社 化合物、樹脂、組成物並びにレジストパターン形成方法及び回路パターン形成方法
TW201815738A (zh) 2016-07-21 2018-05-01 日商三菱瓦斯化學股份有限公司 化合物、樹脂、組成物及阻劑圖型形成方法及電路圖型形成方法
WO2018016634A1 (ja) 2016-07-21 2018-01-25 三菱瓦斯化学株式会社 化合物、樹脂及び組成物、並びにレジストパターン形成方法及び回路パターン形成方法
WO2018052012A1 (ja) * 2016-09-13 2018-03-22 三菱瓦斯化学株式会社 光学部材形成組成物
JP7452947B2 (ja) 2016-09-13 2024-03-19 三菱瓦斯化学株式会社 化合物、樹脂、組成物、並びにレジストパターン形成方法及び回路パターン形成方法
CN109715592A (zh) 2016-09-13 2019-05-03 三菱瓦斯化学株式会社 化合物、树脂、组合物及图案形成方法
US20190278180A1 (en) 2016-09-20 2019-09-12 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Compound, resin, composition, resist pattern formation method and circuit pattern formation method
US20190367658A1 (en) 2016-09-20 2019-12-05 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Compound, resin, composition, resist pattern formation method and pattern formation method
JP7145415B2 (ja) * 2016-11-24 2022-10-03 三菱瓦斯化学株式会社 化合物、樹脂、組成物、パターン形成方法及び精製方法
JP2018091942A (ja) * 2016-11-30 2018-06-14 アーゼッド・エレクトロニック・マテリアルズ（ルクセンブルグ）ソシエテ・ア・レスポンサビリテ・リミテ 平坦化膜形成組成物、これを用いた平坦化膜およびデバイスの製造方法
KR20190085002A (ko) 2016-11-30 2019-07-17 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 화합물, 수지, 조성물 그리고 레지스트패턴 형성방법 및 회로패턴 형성방법
WO2018101463A1 (ja) * 2016-12-02 2018-06-07 三菱瓦斯化学株式会社 化合物、樹脂、組成物、パターン形成方法及び精製方法
JP7083455B2 (ja) 2017-01-18 2022-06-13 三菱瓦斯化学株式会社 化合物、樹脂、組成物及びパターン形成方法
CN110325501A (zh) * 2017-02-23 2019-10-11 三菱瓦斯化学株式会社 化合物、树脂、组合物、图案形成方法和纯化方法
KR20190124716A (ko) * 2017-02-28 2019-11-05 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 화합물 또는 수지의 정제방법, 및 조성물의 제조방법
JP2018154600A (ja) * 2017-03-21 2018-10-04 三菱瓦斯化学株式会社 化合物、樹脂、組成物、パターン形成方法及び精製方法
KR20190129907A (ko) 2017-03-31 2019-11-20 더 스쿨 코포레이션 칸사이 유니버시티 레지스트 조성물 및 이를 이용하는 패턴형성방법, 그리고, 화합물 및 수지
TW201902909A (zh) 2017-03-31 2019-01-16 學校法人關西大學 化合物、包含化合物之阻劑組成物及使用其之圖型形成方法
WO2019004142A1 (ja) 2017-06-28 2019-01-03 三菱瓦斯化学株式会社 膜形成材料、リソグラフィー用膜形成用組成物、光学部品形成用材料、レジスト組成物、レジストパターン形成方法、レジスト用永久膜、感放射線性組成物、アモルファス膜の製造方法、リソグラフィー用下層膜形成材料、リソグラフィー用下層膜形成用組成物、リソグラフィー用下層膜の製造方法及び回路パターン形成方法
US20200257195A1 (en) 2017-09-29 2020-08-13 The School Corporation Kansai University Composition for lithography, pattern formation method, and compound
JP7235207B2 (ja) 2017-11-20 2023-03-08 三菱瓦斯化学株式会社 リソグラフィー用膜形成用組成物、リソグラフィー用膜、レジストパターン形成方法、及び回路パターン形成方法
JP6929384B2 (ja) 2017-12-27 2021-09-01 株式会社吉野工業所 口紅容器
CN111615507A (zh) 2018-01-22 2020-09-01 三菱瓦斯化学株式会社 化合物、树脂、组合物和图案形成方法
WO2019151403A1 (ja) 2018-01-31 2019-08-08 三菱瓦斯化学株式会社 組成物、並びに、レジストパターンの形成方法及び絶縁膜の形成方法
US20200361843A1 (en) 2018-01-31 2020-11-19 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Compound, resin, composition, resist pattern formation method, circuit pattern formation method and method for purifying resin
EP3749631B1 (en) 2018-02-09 2024-03-06 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Triarylmethane compounds
US20210116813A1 (en) 2018-04-27 2021-04-22 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Composition for resist underlayer film formation, underlayer film for lithography, and pattern formation method
TW202003661A (zh) 2018-04-27 2020-01-16 日商三菱瓦斯化學股份有限公司 光學零件形成組成物，及其硬化物
EP3757678A4 (en) 2018-04-27 2021-05-05 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. RESIST SUBLAYER FILM-FORMING COMPOSITION AND METHOD FOR PREPARING PATTERNS
JP7459789B2 (ja) 2018-05-28 2024-04-02 三菱瓦斯化学株式会社 化合物、樹脂、組成物、レジストパターン形成方法、回路パターン形成方法及び樹脂の精製方法
TW202019864A (zh) * 2018-07-31 2020-06-01 日商三菱瓦斯化學股份有限公司 光學零件形成用組成物及光學零件，以及化合物及樹脂
EP3842491A4 (en) 2018-08-24 2021-11-17 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. COMPOUND, COMPOSITION THEREOF, METHOD FOR PRODUCING A RESIST PATTERN AND METHOD FOR PRODUCING AN INSULATING FILM
TW202104175A (zh) 2019-01-31 2021-02-01 日商三菱瓦斯化學股份有限公司 化合物、樹脂、組成物、阻劑圖型形成方法、回路圖型形成方法及樹脂之純化方法
US10907030B2 (en) 2019-01-31 2021-02-02 Bae Systems Controls Inc. Process for mitigation of whisker growth on a metallic substrate
TW202104202A (zh) * 2019-04-26 2021-02-01 日商三菱瓦斯化學股份有限公司 光學零件形成用組成物
JP7368322B2 (ja) * 2020-06-12 2023-10-24 信越化学工業株式会社 レジスト下層膜材料、パターン形成方法、及びレジスト下層膜形成方法
US20230333469A1 (en) 2020-07-08 2023-10-19 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Film forming composition for lithography, resist pattern formation method, and circuit pattern formation method

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04217675A (ja) * 1990-10-30 1992-08-07 Dainippon Ink & Chem Inc エポキシ樹脂、その製造方法及びエポキシ樹脂組成物
JP2001042525A (ja) * 1999-07-30 2001-02-16 Dainippon Ink & Chem Inc アルカリ現像型感光性樹脂組成物
JP2006098869A (ja) * 2004-09-30 2006-04-13 Sumitomo Bakelite Co Ltd フォトレジスト組成物
JP2006160663A (ja) * 2004-12-07 2006-06-22 Honshu Chem Ind Co Ltd １，１’−ビス（２−ヒドロキシナフチル）類の製造方法
JP2006169137A (ja) * 2004-12-14 2006-06-29 Mitsubishi Gas Chem Co Inc レジスト用化合物及び感放射線性組成物
JP2009300978A (ja) * 2008-06-17 2009-12-24 Shin-Etsu Chemical Co Ltd パターン形成方法並びにこれに用いるレジスト材料
JP2010235643A (ja) * 2009-03-30 2010-10-21 Dic Corp 硬化性樹脂組成物、その硬化物、プリント配線基板、エステル化合物、エステル系樹脂、及びその製造方法
JP2012077071A (ja) * 2010-09-06 2012-04-19 Sumitomo Chemical Co Ltd 化合物及びレジスト組成物

Family Cites Families (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5017887B2 (ja) * 1971-10-20 1975-06-25
JPS61226745A (ja) 1985-03-30 1986-10-08 Japan Synthetic Rubber Co Ltd 半導体集積回路製造用のスピンコート用レジスト組成物
JPS61226746A (ja) 1985-03-30 1986-10-08 Japan Synthetic Rubber Co Ltd 半導体集積回路製造用のスピンコート用レジスト組成物
JPS62123444A (ja) 1985-08-07 1987-06-04 Japan Synthetic Rubber Co Ltd ポジ型感放射線性樹脂組成物
JPH0616174B2 (ja) 1985-08-12 1994-03-02 三菱化成株式会社 ナフトキノンジアジド系化合物及び該化合物を含有するポジ型フオトレジスト組成物
JPH083630B2 (ja) 1986-01-23 1996-01-17 富士写真フイルム株式会社 感光性組成物
JPS6334540A (ja) 1986-07-30 1988-02-15 Mitsubishi Chem Ind Ltd ポジ型フオトレジスト組成物
JP2717602B2 (ja) 1990-01-16 1998-02-18 富士写真フイルム株式会社 感光性組成物
US5302672A (en) * 1991-02-27 1994-04-12 Dainippon Ink And Chemicals, Inc. 2,7-dihydroxynaphthalene based epoxy resin, intermediate thereof, processes for producing them, and epoxy resin composition
JPH0534913A (ja) * 1991-08-01 1993-02-12 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型フオトレジスト組成物
US5296330A (en) 1991-08-30 1994-03-22 Ciba-Geigy Corp. Positive photoresists containing quinone diazide photosensitizer, alkali-soluble resin and tetra(hydroxyphenyl) alkane additive
US5576143A (en) 1991-12-03 1996-11-19 Fuji Photo Film Co., Ltd. Light-sensitive composition
JP2753921B2 (ja) 1992-06-04 1998-05-20 富士写真フイルム株式会社 ポジ型フオトレジスト組成物
JP2944327B2 (ja) 1992-09-14 1999-09-06 富士写真フイルム株式会社 ポジ型感光性平版印刷版
JP3112229B2 (ja) 1993-06-30 2000-11-27 東京応化工業株式会社 ポジ型ホトレジスト組成物
EP0632003B1 (en) 1993-06-30 1998-01-14 Fuji Photo Film Co., Ltd. Novel phenol compounds containing methoxymethyl group or hydroxymethyl group
JP3130188B2 (ja) 1993-08-31 2001-01-31 富士写真フイルム株式会社 ポジ型感光性平版印刷版
JP3224115B2 (ja) 1994-03-17 2001-10-29 富士写真フイルム株式会社 ポジ型フオトレジスト組成物
EP0691575B1 (en) 1994-07-04 2002-03-20 Fuji Photo Film Co., Ltd. Positive photosensitive composition
JPH0862834A (ja) 1994-08-22 1996-03-08 Mitsubishi Chem Corp フォトレジスト組成物
JPH095988A (ja) 1995-06-21 1997-01-10 Mitsubishi Chem Corp 感放射線性塗布組成物
JP3562599B2 (ja) 1995-08-18 2004-09-08 大日本インキ化学工業株式会社 フォトレジスト組成物
US6784228B2 (en) * 2001-07-12 2004-08-31 Dainippon Ink And Chemicals, Inc. Epoxy resin composition, cured article thereof, novel epoxy resin, novel phenol compound, and process for preparing the same
CN1309783C (zh) * 2001-10-24 2007-04-11 大日本油墨化学工业株式会社 环氧树脂组合物，其固化制品，新型环氧树脂，新型酚化合物，及其制备方法
EP1739485B1 (en) 2004-04-15 2016-08-31 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Resist composition
JP4966484B2 (ja) 2004-07-22 2012-07-04 大阪瓦斯株式会社 フルオレン化合物およびその製造方法
JP2006113136A (ja) * 2004-10-12 2006-04-27 Sumitomo Bakelite Co Ltd フォトレジスト用ノボラック型フェノール樹脂組成物
TWI400568B (zh) * 2004-12-24 2013-07-01 Mitsubishi Gas Chemical Co 感放射線性組成物、非晶質膜及形成光阻圖案的方法
JP4678195B2 (ja) 2005-02-03 2011-04-27 三菱瓦斯化学株式会社 フェナントレンキノン誘導体及びその製造方法
JP4659678B2 (ja) 2005-12-27 2011-03-30 信越化学工業株式会社 フォトレジスト下層膜形成材料及びパターン形成方法
JP2007326847A (ja) 2006-03-31 2007-12-20 Honshu Chem Ind Co Ltd 新規な多核体ポリフェノール化合物
US8110334B2 (en) 2006-11-02 2012-02-07 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Radiation-sensitive composition
JP4858136B2 (ja) 2006-12-06 2012-01-18 三菱瓦斯化学株式会社 感放射線性レジスト組成物
JP5092492B2 (ja) * 2007-03-28 2012-12-05 Ｄｉｃ株式会社 熱硬化性ポリイミド樹脂組成物
JP5446118B2 (ja) 2007-04-23 2014-03-19 三菱瓦斯化学株式会社 感放射線性組成物
JP5249578B2 (ja) 2007-12-26 2013-07-31 大阪瓦斯株式会社 フルオレン骨格を有するエポキシ化合物
JP5336306B2 (ja) 2008-10-20 2013-11-06 信越化学工業株式会社 レジスト下層膜形成方法、これを用いたパターン形成方法、及びレジスト下層膜材料
TWI400575B (zh) * 2008-10-28 2013-07-01 Shinetsu Chemical Co 光阻劑下層膜形成材料及圖案形成方法
JP5085569B2 (ja) * 2009-01-06 2012-11-28 信越化学工業株式会社 レジスト下層膜形成方法およびこれを用いたパターン形成方法
JP5038354B2 (ja) * 2009-05-11 2012-10-03 信越化学工業株式会社 ケイ素含有反射防止膜形成用組成物、ケイ素含有反射防止膜形成基板及びパターン形成方法
WO2011034062A1 (ja) * 2009-09-15 2011-03-24 三菱瓦斯化学株式会社 芳香族炭化水素樹脂及びリソグラフィー用下層膜形成組成物
JP5513825B2 (ja) 2009-09-28 2014-06-04 大阪ガスケミカル株式会社 フルオレン骨格を有するアルコールの製造方法
JP5466927B2 (ja) 2009-11-19 2014-04-09 大阪瓦斯株式会社 フルオレンポリエステルオリゴマー及びその製造方法
JP5068828B2 (ja) * 2010-01-19 2012-11-07 信越化学工業株式会社 レジスト下層膜形成用組成物、レジスト下層膜形成方法、及びパターン形成方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04217675A (ja) * 1990-10-30 1992-08-07 Dainippon Ink & Chem Inc エポキシ樹脂、その製造方法及びエポキシ樹脂組成物
JP2001042525A (ja) * 1999-07-30 2001-02-16 Dainippon Ink & Chem Inc アルカリ現像型感光性樹脂組成物
JP2006098869A (ja) * 2004-09-30 2006-04-13 Sumitomo Bakelite Co Ltd フォトレジスト組成物
JP2006160663A (ja) * 2004-12-07 2006-06-22 Honshu Chem Ind Co Ltd １，１’−ビス（２−ヒドロキシナフチル）類の製造方法
JP2006169137A (ja) * 2004-12-14 2006-06-29 Mitsubishi Gas Chem Co Inc レジスト用化合物及び感放射線性組成物
JP2009300978A (ja) * 2008-06-17 2009-12-24 Shin-Etsu Chemical Co Ltd パターン形成方法並びにこれに用いるレジスト材料
JP2010235643A (ja) * 2009-03-30 2010-10-21 Dic Corp 硬化性樹脂組成物、その硬化物、プリント配線基板、エステル化合物、エステル系樹脂、及びその製造方法
JP2012077071A (ja) * 2010-09-06 2012-04-19 Sumitomo Chemical Co Ltd 化合物及びレジスト組成物

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