WO2011034062A1 - 芳香族炭化水素樹脂及びリソグラフィー用下層膜形成組成物 - Google Patents
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Abstract
Description
また、フェノールとアルデヒドの両方の性能を有する、ヒドロキシベンズアルデヒドなどを反応させてノボラック型樹脂を製造できることも示されている(特許文献3)。
しかしながらこのような材料は高価であったり、樹脂を得るための反応条件が厳しかったり、また、反応工程が多く複雑になるなど難点がある。
また、3層レジスト法よりも工程数が少ない点で優れた2層レジスト法も提案されている。この2層レジスト法では、基板上に、3層レジスト法と同様にして下層膜を設けた後、その上層にシリコン含有ポリマーを含有するフォトレジスト膜を設け、通常のフォトリソグラフィー技術によりレジストパターンを形成し、そのレジストパターンをマスクとして酸素プラズマによるエッチングを行い、下層膜にレジストパターンを転写する。そして、そのレジストパターンをマスクとしてフッ化炭素系ガス等によるエッチングを行い、基板上にパターンを形成する(非特許文献1)。
また、本発明の課題は、多層レジスト用下層膜として、エッチング耐性に優れる新規なフォトレジスト下層膜を形成するための組成物、及びそれから形成されたエッチング耐性が高い下層膜、及びこれを用いたパターン形成方法を提供することにある。
(1)式[1]で示される芳香族炭化水素と、式[2]で示されるアルデヒドを酸性触媒の存在下で反応させて得られる芳香族炭化水素樹脂、
(3)上記(2)に記載のリソグラフィー用下層膜形成組成物から形成されるリソグラフィー用下層膜、及び
に関する。
本発明は、前記式[1]で示される芳香族炭化水素と、前記式[2]で示されるアルデヒドを酸性触媒の存在下に反応させることで得られる、芳香族炭化水素樹脂に関する。すなわち、本発明の芳香族炭化水素樹脂は、前記式[1]で示される芳香族炭化水素と、前記式[2]で示されるアルデヒドを酸性触媒の存在下で反応させて得られる重合体からなる。
本発明の芳香族炭化水素樹脂を構成する重合体は、少なくとも以下の式(3)で表される構造を有するものであることが好ましい。
また、本発明の芳香族炭化水素樹脂(重合体)中の酸素濃度は0~5質量%が好ましく、0~3質量%がより好ましく、0~1質量%が更に好ましい。5質量%以下とすることで、要求される耐熱性を満足できる。
なお、前記の炭素濃度と酸素濃度は、それぞれ、前記の芳香族炭化水素樹脂(重合体)中に含まれる炭素、酸素の質量%を指す。
本発明のリソグラフィー用下層膜形成組成物は、基板とレジスト層との間に下層膜を形成するための下層膜形成組成物であって、少なくとも前述の芳香族炭化水素樹脂および有機溶媒を含む。すなわち、該芳香族炭化水素樹脂は、前記式[1]で示される芳香族炭化水素と、前記式[2]で示されるアルデヒドを酸性触媒の存在下で反応させて得られる重合体からなる。
本発明のリソグラフィー用下層膜形成組成物は、本発明の芳香族炭化水素樹脂(重合体)を、有機溶媒を含む組成物100重量部に対して、好ましくは1~33重量部含有し、より好ましくは2~25重量部含有する。
R6は、ハロゲン原子、炭素数1~6のアルキル基、アルコキシ基、ノルボルニル基、シクロヘキシル基、トリシクロデシル基、アダマンチル基、デカヒドロナフチル基およびビシクロオクチル基からなる群から選ばれる置換基を表し;
但し、n、t、uの各々が2以上の場合、複数個のR5、R6、t、u、nは、各々同一でも異なっていても良い。
R5は、水素原子および炭素数1~6のアルキル基からなる群から選ばれる置換基を表し、R4と単結合で連結していても良い。
本発明で使用可能な架橋剤の具体例を列挙すると、メチロール基、アルコキシメチル基、アシロキシメチル基から選ばれる少なくとも一つの基で置換されたメラミン化合物、グアナミン化合物、グリコールウリル化合物又はウレア化合物、エポキシ化合物、チオエポキシ化合物、イソシアネート化合物、アジド化合物、アルケニルエーテル基などの2重結合を含む化合物を挙げることができる。これらは添加剤として用いてもよいが、これら架橋性基をポリマー側鎖にペンダント基として導入してもよい。また、ヒドロキシ基を含む化合物も架橋剤として用いられる。
本発明においては、熱による架橋反応を更に促進させるための酸発生剤を配合することができる。酸発生剤は熱分解によって酸を発生するものや、光照射によって酸を発生するものがあるが、いずれのものも使用することができる。
1)下記一般式(P1a-1)、(P1a-2)、(P1a-3)又は(P1b)のオニウム塩、
2)下記一般式(P2)のジアゾメタン誘導体、
3)下記一般式(P3)のグリオキシム誘導体、
4)下記一般式(P4)のビススルホン誘導体、
5)下記一般式(P5)のN-ヒドロキシイミド化合物のスルホン酸エステル、
6)β-ケトスルホン酸誘導体、
7)ジスルホン誘導体、
8)ニトロベンジルスルホネート誘導体、
9)スルホン酸エステル誘導体
等が挙げられる。
2-シクロヘキシルカルボニル-2-(p-トルエンスルホニル)プロパン、2-イソプロピルカルボニル-2-(p-トルエンスルホニル)プロパン等のβ-ケトスルホン誘導体。
p-トルエンスルホン酸2,6-ジニトロベンジル、p-トルエンスルホン酸2,4-ジニトロベンジル等のニトロベンジルスルホネート誘導体。
1,2,3-トリス(メタンスルホニルオキシ)ベンゼン、1,2,3-トリス(トリフルオロメタンスルホニルオキシ)ベンゼン、1,2,3-トリス(p-トルエンスルホニルオキシ)ベンゼン等のスルホン酸エステル誘導体。
例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等のセロソルブ系溶媒、乳酸エチル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸イソアミル、乳酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、ヒドロキシイソ酪酸メチル等のエステル系溶媒、メタノール、エタノール、イソプロパノール、1-エトキシ-2-プロパノール等のアルコール系溶媒、トルエン、キシレン、アニソール等の芳香族系炭化水素等が挙げられる。
本発明のリソグラフィー用下層膜は、前述のリソグラフィー用下層膜形成組成物から形成される。
本発明の下層膜の形成方法はスピンコート後、有機溶媒を揮発し、上層レジストとミキシング防止のため、架橋反応を促進させるためにベークをすることが望ましい。ベーク温度は80~450℃の範囲内であることが好ましく、200~400℃が特に好ましい。ベーク時間は10~300秒の範囲内が好ましく用いられる。なお、この下層膜の厚さは適宜選定されるが、30~20,000nm、特に50~15,000nmとすることが好ましい。下層膜を作製した後、2層プロセスの場合はその上に珪素含有レジスト層、あるいは通常の炭化水素からなる単層レジスト、3層プロセスの場合はその上に珪素含有中間層、更にその上に珪素を含まない単層レジスト層を作製する。この場合、このレジスト層を形成するためのフォトレジスト組成物としては公知のものを使用することができる。
193nm露光用としては、下層膜として芳香族基を多く含み基板エッチング耐性が高い材料を用いると、k値が高くなり、基板反射が高くなるが、中間層で反射を抑えることによって基板反射を0.5%以下にすることができる。
反射防止効果がある中間層としては、193nm露光用としてはフェニル基又は珪素-珪素結合を有する吸光基を導入し、酸あるいは熱で架橋するポリシルセスキオキサンが好ましく用いられるが特に限定はされない。
本発明の多層レジストパターンの形成方法は、基板上に、前述の下層膜形成組成物を用いて下層膜を形成し、該下層膜上に、少なくとも1層のフォトレジスト層を形成した後、該フォトレジスト層の所用の領域に放射線を照射し、アルカリ現像してレジストパターンを形成後、該レジストパターンをマスクとして前記下層膜を少なくとも酸素ガスを含むプラズマによりエッチングし、前記下層膜にレジストパターンを転写することを特徴とする。
なお、被加工基板としては、基板上に形成される。基板としては、特に限定されるものではなく、Si、α-Si、p-Si、SiO2、SiN、SiON、W、TiN、Al等で被加工膜(被加工基板)と異なる材質のものが用いられる。被加工膜としては、Si、SiO2、SiON、SiN、p-Si、α-Si、W、W-Si、Al、Cu、Al-Si等種々のLow-k膜及びそのストッパー膜が用いられ、通常50~10,000nm、特に100~5,000nm厚さに形成し得る。
有機元素分析により芳香族炭化水素アルデヒド樹脂中の炭素・酸素濃度(質量%)を測定した。
装置:CHNコーダーMT-6(ヤナコ分析工業(株)製)
ゲル浸透クロマトグラフィー(GPC)分析により、ポリスチレン換算の重量平均分子量(Mw)、数平均分子量(Mn)を求め、分散度(Mw/Mn)を求めた。
装置:Shodex GPC-101型(昭和電工(株)製)
カラム:LF-804×3
溶離液:THF 1ml/min
温度:40℃
装置:JEOL社製JNM-AL400、測定温度:23℃、測定溶媒:CDCl3、1H測定条件:NON、400MHz。13C測定条件:BCM、100.4MHz。
装置:Perkin Elmer社製Spectrum100。測定モード:ATR、分解能4.0cm-1。
ジムロート冷却管、温度計および攪拌翼を備えた内容積0.5Lの四つ口フラスコに、窒素気流下で、m-キシレン(三菱ガス化学(株)製)53g(0.5mol)、ベンズアルデヒド(和光純薬工業(株)製)53g(0.5mol)および12タングスト(VI)リン酸・n水和物(和光純薬工業(株)製)5.3gを加え、140℃まで昇温させて5時間反応させた。メチルイソブチルケトン(和光純薬工業(株)製)212gで希釈後、中和および水洗を行い、溶剤を減圧下に除去して樹脂(NF-1)61.2gを得た。
GPC分析の結果、Mn:683、Mw:1204、Mw/Mn:1.76であった。有機元素分析の結果、炭素濃度は91.4質量%、酸素濃度は0.2質量%であった。
ジムロート冷却管、温度計および攪拌翼を備えた内容積0.5Lの四つ口フラスコに、窒素気流下で、1,5-ジメチルナフタレン(三菱ガス化学(株)製)54.6g(0.35mol)、ベンズアルデヒド(和光純薬工業(株)製)74.2g(0.7mol)および12タングスト(VI)リン酸・n水和物(和光純薬工業(株)製)5.2gを加え、150℃まで昇温させて8時間反応させた。メチルイソブチルケトン(和光純薬工業(株)製)386gで希釈後、中和および水洗を行い、溶剤を減圧下に除去して樹脂(NF-2)48.9gを得た。
GPC分析の結果、Mn:835、Mw:1515、Mw/Mn:1.81であった。有機元素分析の結果、炭素濃度は92.8質量%、酸素濃度は0.4質量%であった。また、1H、13C-NMR測定の結果を図1及び下記に示し、IR測定の結果を図2に示す。
NMR:δ(ppm)
δH (CDCl3) 3.5-4.5(メチン水素);δC (CDCl3) 35-50(メチン炭素)
ジムロート冷却管、温度計および攪拌翼を備えた内容積0.5Lの四つ口フラスコに、窒素気流下で、1,5-ジメチルナフタレン(三菱ガス化学(株)製)78g(0.5mol)、ヒドロキシベンズアルデヒド(和光純薬工業(株)製)30.5g(0.25mol)およびp-トルエンスルホン酸(和光純薬工業(株)製)1.1gを加え、120℃まで昇温させて3時間反応させた。メチルイソブチルケトン(和光純薬工業(株)製)326gで希釈後、中和および水洗を行い、溶剤を減圧下に除去して樹脂(NF-3)79.3gを得た。
GPC分析の結果、Mn:1231、Mw:3982、Mw/Mn:3.23であった。有機元素分析の結果、炭素濃度は90.1質量%、酸素濃度は4.1質量%であった。
ジムロート冷却管、温度計および攪拌翼を備えた内容積0.5Lの四つ口フラスコに、窒素気流下で、1,5-ジメチルナフタレン(三菱ガス化学(株)製)78g(0.5mol)、1-ナフトアルデヒド(和光純薬工業(株)製)78.0g(0.5mol)および12タングスト(VI)リン酸・n水和物(和光純薬工業(株)製試薬)5.2gを加え、150℃まで昇温させて8時間反応させた。メチルイソブチルケトン(和光純薬工業(株)製)312gで希釈後、中和および水洗を行い、溶剤を減圧下に除去して樹脂(NF-4)67.2gを得た。
GPC分析の結果、Mn:505、Mw:862、Mw/Mn:1.71であった。有機元素分析の結果、炭素濃度は92.3質量%、酸素濃度は0.4質量%であった。
ジムロート冷却管、温度計および攪拌翼を備えた内容積0.1Lの四つ口フラスコに、窒素気流下で、1,5-ジメチルナフタレン(三菱ガス化学(株)製)78g(0.5mol)、p-イソプロピルベンズアルデヒド(三菱ガス化学(株)製)74.1g(0.5mol)および12タングスト(VI)リン酸・n水和物(和光純薬工業(株)製試薬)1.5gを加え、200℃まで昇温させて8時間反応させた。メチルイソブチルケトン(和光純薬工業(株)製)312gで希釈後、中和および水洗を行い、溶剤を減圧下に除去して樹脂(NF-5)109.1gを得た。
GPC分析の結果、Mn:634、Mw:1281、Mw/Mn:2.02であった。有機元素分析の結果、炭素濃度は92.7質量%、酸素濃度は0.3質量%であった。また、1H、13C-NMR測定の結果を図3及び下記に示し、IR測定の結果を図4に示す。
NMR:δ(ppm)
δH (CDCl3) 3.5-4.5(メチン水素);δC (CDCl3) 35-50(メチン炭素)
ジムロート冷却管、温度計および攪拌翼を備えた内容積0.5Lの四つ口フラスコに、窒素気流下で、1,5-ジメチルナフタレン(三菱ガス化学(株)製)78g(0.5mol)、ビフェニルアルデヒド(三菱ガス化学(株)製)45.5g(0.25mol)および12タングスト(VI)リン酸・n水和物(和光純薬工業(株)製試薬)1.2gを加え、220℃まで昇温させて6時間反応させた。メチルイソブチルケトン(和光純薬工業(株)製)247gで希釈後、中和および水洗を行い、溶剤を減圧下に除去して樹脂(NF-6)80.6gを得た。
GPC分析の結果、Mn:588、Mw:956、Mw/Mn:1.63であった。有機元素分析の結果、炭素濃度は93.3質量%、酸素濃度は0.2質量%であった。また、1H、13C-NMR測定の結果を図5及び下記に示し、IR測定の結果を図6に示す。
NMR:δ(ppm)
δH (CDCl3) 3.5-4.5(メチン水素);δC (CDCl3) 35-50(メチン炭素)
ジムロート冷却管、温度計および攪拌翼を備えた内容積1Lの四つ口フラスコに、窒素気流下で、1-メチルナフタレン(関東化学(株)製)141g(1.0mol)、ビフェニルアルデヒド(三菱ガス化学(株)製)182g(1.0mol)および12タングスト(VI)リン酸・n水和物(和光純薬工業(株)製試薬)1.6gを1時間ごとに計6回加え、220℃まで昇温させて6時間反応させた。メチルイソブチルケトン(関東化学(株)製)400g、アニソール(関東化学(株)製)200gで希釈後、中和および水洗を行い、溶剤を減圧下に除去して樹脂(NF-7)200gを得た。
GPC分析の結果、Mn:774、Mw:1854、Mw/Mn:2.40であった。有機元素分析の結果、炭素濃度は93.7質量%、酸素濃度は0.4質量%であった。また、1H、13C-NMR測定の結果を図7及び下記に示し、IR測定の結果を図8に示す。
NMR:δ(ppm)
δH (CDCl3) 3.5-4.5(メチン水素);δC (CDCl3) 35-50(メチン炭素)
ジムロート冷却管、温度計および攪拌翼を備えた内容積1Lの四つ口フラスコに、窒素気流下で、ナフタレン(関東化学(株)製)158g(1.3mol)、ビフェニルアルデヒド(三菱ガス化学(株)製)228g(1.3mol)および12タングスト(VI)リン酸・n水和物(和光純薬工業(株)製試薬)1.9gを1時間ごとに計6回加え、220℃まで昇温させて6時間反応させた。メチルイソブチルケトン(関東化学(株)製)400g、アニソール(関東化学(株)製)200gで希釈後、中和および水洗を行い、溶剤を減圧下に除去して樹脂(NF-8)270gを得た。
GPC分析の結果、Mn:847、Mw:3358、Mw/Mn:3.96であった。有機元素分析の結果、炭素濃度は94.3質量%、酸素濃度は0.0質量%であった。また、1H、13C-NMR測定の結果を図9及び下記に示し、IR測定の結果を図10に示す。
NMR:δ(ppm)
δH (CDCl3) 3.5-4.5(メチン水素);δC (CDCl3) 35-50(メチン炭素)
ジムロート冷却管、温度計および攪拌翼を備えた、底抜きが可能な内容積10Lの四つ口フラスコに、窒素気流中、1,5-ジメチルナフタレン1.09kg(7mol、三菱ガス化学(株)製)、40質量%ホルマリン水溶液2.1kg(ホルムアルデヒドとして28mol、三菱ガス化学(株)製)および98質量%硫酸(関東化学(株)製)0.97を仕込み、常圧下、100℃で還流させながら7時間反応させた。希釈溶媒としてエチルベンゼン(和光純薬工業(株)製試薬特級)1.8kgを加え、静置後、下相の水相を除去した。さらに、中和および水洗を行い、エチルベンゼンおよび未反応の1,5-ジメチルナフタレンを減圧下に留去し、淡褐色固体のジメチルナフタレンホルムアルデヒド樹脂1.25kgを得た。
GPC測定の結果、Mn:562、Mw:1168、Mw/Mn:2.08であった。有機元素分析の結果、炭素濃度は84.2質量%、酸素濃度は8.3質量%であった。
ジムロート冷却管、温度計および攪拌翼を備えた内容積0.5Lの四つ口フラスコに、窒素気流下で、製造例1で得た樹脂100g(0.51mol)にパラトルエンスルホン酸0.05gを加え、190℃まで昇温させて2時間加熱、攪拌した。その後1-ナフトール52.0g(0.36mol)を加え、さらに220℃まで昇温させて2時間反応させた。溶剤希釈後、中和および水洗を行い、溶剤を減圧下に除去し、黒褐色固体の変性樹脂(CR-1)126.1gを得た。
GPC分析の結果、Mn:885、Mw:2220、Mw/Mn:4.17であった。有機元素分析の結果、炭素濃度は89.1質量%、酸素濃度は4.5質量%であった。
ジムロート冷却管、温度計および攪拌翼を備えた内容積0.5Lの四つ口フラスコに、窒素気流下で、製造例1で得た樹脂100g(0.51mol)、にパラトルエンスルホン酸0.05gを加え、190℃まで昇温させて2時間加熱、攪拌した。その後フェノール34.0g(0.36mol)を加え、さらに220℃まで昇温させて2時間反応させた。溶剤希釈後、中和および水洗を行い、溶剤を減圧下に除去し、黒褐色固体の変性樹脂(CR-2)104.4gを得た。
GPC分析の結果、Mn:903、Mw:3184、Mw/Mn:3.53であった。有機元素分析の結果、炭素濃度は88.9質量%、酸素濃度は4.質量2%であった。
表1に示す組成の下層膜形成組成物を調製した。次に容器下層膜形成溶液をシリコン基板上に回転塗布して、240℃で60秒間、更に400℃で120秒間ベークして下層膜としては膜厚200nmの下層膜を得た。エッチング試験は下記に示す条件で行い、結果を表1に示した。基準材料としてはノボラックを用い同様の条件で下層膜を得てエッチング試験を行った。
エッチング装置:サムコインターナショナル社製 RIE-10NR
出力:50W
圧力:20Pa
時間:2min
エッチングガス
Arガス流量:CF4ガス流量:O2ガス流量=50:5:5(sccm)
A;ノボラックに比べてエッチングレートが、-10%以下の場合
B ;ノボラックに比べてエッチングレートが、-10%超、-5%以下の場合
C ;ノボラックに比べてエッチングレートが、-5%超、0%以下の場合
D ;ノボラックに比べてエッチングレートが、0% 超、+10%以下の場合
E ;ノボラックに比べてエッチングレートが、+10%超の場合
架橋剤:三和ケミカル社製ニカラックMX270(ニカラック)
有機溶媒:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)、
シクロヘキサノン(CHN)
ノボラック:群栄化学社製 PSM4357
次に、下層膜形成組成物の溶液(実施例14)を膜厚300nmのSiO2基板上に塗布して、240℃で60秒間、更に400℃で120秒間ベークして膜厚80nmの下層膜を形成した。その上に、ArF用レジスト溶液を塗布し、130℃で60秒間ベークして膜厚150nmのフォトレジスト層を形成した。なお、ArFレジスト溶液は下記式(8)の化合物:5部、トリフェニルスルホニウムノナフルオロメタンスルホナート:1部、トリブチルアミン:2部、PGMEA:92部を配合し調整した。
次いで、電子線描画装置(エリオニクス社製;ELS-7500,50keV)で露光し、115℃で90秒間ベーク(PEB)し、2.38質量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)水溶液で60秒間現像し、ポジ型のパターンを得た。得られたパターンの55nmL/S(1:1)のパターン形状を観察した結果を表2に示す。
下層膜を形成しない以外は実施例19と同様に行い評価した結果を表2に示す。
エッチング装置:サムコインターナショナル社製 RIE-10NR
出力:50W
圧力:20Pa
時間:2min
エッチングガス
Arガス流量 : CF4ガス流量 : O2ガス流量 =50:5:5(sccm)
パターン断面は(株)日立製作所製電子顕微鏡(S-4800)にて観察し、形状を比較した。
Claims (12)
- 式[1]で示される芳香族炭化水素と、式[2]で示されるアルデヒドを酸性触媒の存在下で反応させて得られる芳香族炭化樹脂。
- 式[1]で示される芳香族炭化水素が、ベンゼン、トルエン、キシレン、トリメチルベンゼン、ナフタレン、メチルナフタレン、ジメチルナフタレン及びアントラセンから選ばれる少なくとも一種である請求項1記載の芳香族炭化水素樹脂。
- 式[2]で示されるアルデヒド類が、ベンズアルデヒド、メチルベンズアルデヒド、エチルベンズアルデヒド、プロピルベンズアルデヒド、ブチルベンズアルデヒド、シクロヘキシルベンズアルデヒド、ビフェニルアルデヒド、ヒドロキシベンズアルデヒド、ジヒドロキシベンズアルデヒド、ナフトアルデヒド、及びヒドロキシナフトアルデヒドから選ばれる少なくとも一種である請求項1又は2のいずれかに記載の芳香族炭化水素樹脂。
- 酸性触媒が塩酸、硫酸、リン酸、シュウ酸、蟻酸、p-トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸、トリフルオロ酢酸、トリフルオロメタンスルホン酸、塩化亜鉛、塩化アルミニウム、塩化鉄、三フッ化ホウ素、ケイタングステン酸、リンタングステン酸、ケイモリブデン酸及びリンモリブデン酸から選ばれる少なくとも一種である請求項1~3のいずれかに記載の芳香族炭化水素樹脂。
- 炭素濃度が90~99.9質量%である、請求項1~5のいずれかに記載の芳香族炭化水素樹脂。
- 酸素濃度が0~5質量%である、請求項1~6のいずれかに記載の芳香族炭化水素樹脂。
- 基板とレジスト層との間に下層膜を形成するための下層膜形成組成物であって、少なくとも請求項1~7のいずれかに記載の芳香族炭化水素樹脂、および有機溶媒を含むリソグラフィー用下層膜形成組成物。
- さらに、酸発生剤を配合してなる請求項8に記載のリソグラフィー用下層膜形成組成物。
- さらに、架橋剤を配合してなる請求項8又は9に記載のリソグラフィー用下層膜形成組成物。
- 請求項8~10のいずれかに記載のリソグラフィー用下層膜形成組成物から形成されるリソグラフィー用下層膜。
- 基板上に、請求項8~10のいずれかに記載の下層膜形成組成物を用いて下層膜を形成し、該下層膜上に、少なくとも1層のフォトレジスト層を形成した後、該フォトレジスト層の所要の領域に放射線を照射し、アルカリ現像してレジストパターンを形成後、該レジストパターンをマスクとして前記下層膜を少なくとも酸素ガスを含むプラズマによりエッチングし、前記下層膜にレジストパターンを転写することを特徴とする多層レジストパターンの形成方法。
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