JP5853959B2 - 芳香族炭化水素樹脂、リソグラフィー用下層膜形成組成物及び多層レジストパターンの形成方法 - Google Patents
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Description
また、フェノールとアルデヒドの両方の性能を有する、ヒドロキシベンズアルデヒドなどを反応させてノボラック型樹脂を製造できることも示されている(特許文献3)。
しかしながらこのような材料は高価であったり、樹脂を得るための反応条件が厳しかったり、また、反応工程が多く複雑になるなど難点がある。
そのため、エッチング耐性及び溶媒溶解性について、高い次元で両立を図る技術の開発が望まれている。
また、本発明の課題は、多層レジスト用下層膜として、エッチング耐性に優れる新規なフォトレジスト下層膜を形成するための組成物、及びそれから形成されたエッチング耐性が高い下層膜、及びこれを用いたパターン形成方法を提供することにある。
[1]基板とレジスト層との間のリソグラフィー用下層膜の形成に用いられる下層膜形成組成物の製造方法であって、
該下層膜形成組成物は、少なくとも芳香族炭化水素樹脂及び有機溶媒を含み、
該芳香族炭化水素樹脂を、式(1)で示される芳香族炭化水素、式(2)で示されるアルデヒド及び式(3)で示されるフェノール誘導体を酸性触媒の存在下で縮合させて得る、リソグラフィー用下層膜形成組成物の製造方法である。
[2]上記[1]に記載の方法により得られたリソグラフィー用下層膜形成組成物から形成するリソグラフィー用下層膜、及び、
[3]基板上に、上記[1]に記載の方法により得られた下層膜形成組成物を用いて下層膜を形成し、該下層膜上に、少なくとも1層のフォトレジスト層を形成した後、該フォトレジスト層の所用の領域に放射線を照射し、アルカリ現像してレジストパターンを形成後、該レジストパターンをマスクとして前記下層膜を少なくとも酸素ガスを含むプラズマによりエッチングし、前記下層膜にレジストパターンを転写することを特徴とする多層レジストパターンの形成方法である。
本発明は、前記式(1)で示される芳香族炭化水素と、前記式(2)で示されるアルデヒド及び式(3)で示されるフェノール誘導体を酸性触媒の存在下に反応させることで得られる、芳香族炭化水素樹脂に関する。すなわち、本発明の芳香族炭化水素樹脂は、前記式(1)で示される芳香族炭化水素と、前記式(2)で示されるアルデヒド及び式(3)で示されるフェノール誘導体を酸性触媒の存在下で反応させて得られる重合体からなる。
また、式(1)で示される芳香族炭化水素と式(3)で示されるフェノール誘導体とののモル比は、1:0.1〜1:10、好ましくは1:0.2〜1:5である。
本発明の芳香族炭化水素樹脂を構成する重合体は、少なくとも以下の式(4)で表される構造を有するものであることが好ましい。
また、ホルムアルデヒドを併用して使用することもできる。
また、本発明の芳香族炭化水素樹脂(重合体)中の酸素濃度は0〜10質量%が好ましく、0〜5質量%がより好ましく、0〜3質量%が更に好ましく、0〜1質量%がより更に好ましい。10質量%以下とすることで、要求される耐熱性を満足できる。
なお、前記の炭素濃度と酸素濃度は、それぞれ、前記の芳香族炭化水素樹脂(重合体)中に含まれる炭素、酸素の質量%を指す。
本発明のリソグラフィー用下層膜形成組成物は、基板とレジスト層との間に下層膜を形成するための下層膜形成組成物であって、少なくとも前述の芳香族炭化水素樹脂及び有機溶媒を含む。すなわち、該芳香族炭化水素樹脂は、前記式(1)で示される芳香族炭化水素と、前記式(2)で示されるアルデヒド及び式(3)で示されるフェノール誘導体を酸性触媒の存在下で反応させて得られる重合体からなる。
本発明のリソグラフィー用下層膜形成組成物は、本発明の芳香族炭化水素樹脂(重合体)を、有機溶媒を含む組成物100重量部に対して、好ましくは1〜33重量部含有し、より好ましくは2〜25重量部含有する。
本発明で使用可能な架橋剤の具体例を列挙すると、メチロール基、アルコキシメチル基、アシロキシメチル基から選ばれる少なくとも一つの基で置換されたメラミン化合物、グアナミン化合物、グリコールウリル化合物又はウレア化合物、エポキシ化合物、チオエポキシ化合物、イソシアネート化合物、アジド化合物、アルケニルエーテル基などの2重結合を含む化合物を挙げることができる。これらは添加剤として用いてもよいが、これら架橋性基をポリマー側鎖にペンダント基として導入してもよい。また、ヒドロキシ基を含む化合物も架橋剤として用いられる。
本発明においては、熱による架橋反応を更に促進させるための酸発生剤を配合することができる。酸発生剤は熱分解によって酸を発生するものや、光照射によって酸を発生するものがあるが、いずれのものも使用することができる。
1)下記一般式(P1a−1)、(P1a−2)、(P1a−3)又は(P1b)のオニウム塩、
2)下記一般式(P2)のジアゾメタン誘導体、
3)下記一般式(P3)のグリオキシム誘導体、
4)下記一般式(P4)のビススルホン誘導体、
5)下記一般式(P5)のN−ヒドロキシイミド化合物のスルホン酸エステル、
6)β−ケトスルホン酸誘導体、
7)ジスルホン誘導体、
8)ニトロベンジルスルホネート誘導体、
9)スルホン酸エステル誘導体
等が挙げられる。
例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等のセロソルブ系溶媒、乳酸エチル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸イソアミル、乳酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、ヒドロキシイソ酪酸メチル等のエステル系溶媒、メタノール、エタノール、イソプロパノール、1−エトキシ−2−プロパノール等のアルコール系溶媒、トルエン、キシレン、アニソール等の芳香族系炭化水素等が挙げられる。
本発明のリソグラフィー用下層膜は、前述のリソグラフィー用下層膜形成組成物から形成される。
本発明の下層膜の形成方法はスピンコート後、有機溶媒を揮発し、上層レジストとミキシング防止のため、架橋反応を促進させるためにベークをすることが望ましい。ベーク温度は80〜450℃の範囲内であることが好ましく、200〜400℃が特に好ましい。ベーク時間は10〜300秒の範囲内が好ましく用いられる。なお、この下層膜の厚さは適宜選定されるが、30〜20,000nm、特に50〜15,000nmとすることが好ましい。下層膜を作製した後、2層プロセスの場合はその上に珪素含有レジスト層、あるいは通常の炭化水素からなる単層レジスト、3層プロセスの場合はその上に珪素含有中間層、更にその上に珪素を含まない単層レジスト層を作製する。この場合、このレジスト層を形成するためのフォトレジスト組成物としては公知のものを使用することができる。
193nm露光用としては、下層膜として芳香族基を多く含み基板エッチング耐性が高い材料を用いると、k値が高くなり、基板反射が高くなるが、中間層で反射を抑えることによって基板反射を0.5%以下にすることができる。
反射防止効果がある中間層としては、193nm露光用としてはフェニル基又は珪素−珪素結合を有する吸光基を導入し、酸あるいは熱で架橋するポリシルセスキオキサンが好ましく用いられるが特に限定はされない。
本発明の多層レジストパターンの形成方法は、基板上に、前述の下層膜形成組成物を用いて下層膜を形成し、該下層膜上に、少なくとも1層のフォトレジスト層を形成した後、該フォトレジスト層の所用の領域に放射線を照射し、アルカリ現像してレジストパターンを形成後、該レジストパターンをマスクとして前記下層膜を少なくとも酸素ガスを含むプラズマによりエッチングし、前記下層膜にレジストパターンを転写することを特徴とする。
なお、被加工基板としては、基板上に形成される。基板としては、特に限定されるものではなく、Si、α−Si、p−Si、SiO2、SiN、SiON、W、TiN、Al等で被加工膜(被加工基板)と異なる材質のものが用いられる。被加工膜としては、Si、SiO2、SiON、SiN、p−Si、α−Si、W、W−Si、Al、Cu、Al−Si等種々のLow−k膜及びそのストッパー膜が用いられ、通常50〜10,000nm、特に100〜5,000nm厚さに形成し得る。
有機元素分析により芳香族炭化水素アルデヒド樹脂中の炭素・酸素濃度(質量%)を測定した。
装置:CHNコーダーMT−6(ヤナコ分析工業(株)製)
ゲル浸透クロマトグラフィー(GPC)分析により、ポリスチレン換算の重量平均分子量(Mw)、数平均分子量(Mn)を求め、分散度(Mw/Mn)を求めた。
装置:Shodex GPC−101型(昭和電工(株)製)
カラム:LF−804×3
溶離液:THF 1ml/min
温度:40℃
ジムロート冷却管、温度計及び攪拌翼を備えた内容積1Lの四つ口フラスコに、窒素気流下で、1−メチルナフタレン(関東化学(株)製)71g(0.5mol)、ビフェニルアルデヒド(三菱ガス化学(株)製)182g(1.0mol)及び1-ナフトール(Acros Organics社製)70g(0.5mol)を仕込み、メタンスルホン酸(関東化学(株)製)3mlを1時間ごとに計6回加え、220℃まで昇温させて6時間反応させた。メチルイソブチルケトン(関東化学(株)製)400g、アニソール(関東化学(株)製)200gで希釈後、中和及び水洗を行い、溶剤を減圧下に除去して樹脂(NF−1)166gを得た。 GPC分析の結果、Mn:929、Mw:1518、Mw/Mn:1.63であった。有機元素分析の結果、炭素濃度は91.7質量%、酸素濃度は3.0質量%であった。
また、実施例1で得られた樹脂は、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートに対して可溶(溶解度:10質量%)であった。
ジムロート冷却管、温度計及び攪拌翼を備えた内容積1Lの四つ口フラスコに、窒素気流下で、ナフタレン(関東化学(株)製)64g(0.5mol)、ビフェニルアルデヒド(三菱ガス化学(株)製)182g(1.0mol)及び1-ナフトール(Acros Organics社製)72g(0.5mol)を仕込み、メタンスルホン酸3mlを1時間ごとに計6回加え、220℃まで昇温させて6時間反応させた。メチルイソブチルケトン(関東化学(株)製)400g、アニソール(関東化学(株)製)200gで希釈後、中和及び水洗を行い、溶剤を減圧下に除去して樹脂(NF−2)200gを得た。 GPC分析の結果、Mn:835、Mw:1332、Mw/Mn:1.60であった。有機元素分析の結果、炭素濃度は91.4質量%、酸素濃度は3.2質量%であった。
また、実施例2で得られた樹脂は、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートに対して可溶(溶解度:10質量%)であった。
ジムロート冷却管、温度計及び攪拌翼を備えた内容積1Lの四つ口フラスコに、窒素気流下で、ナフタレン(関東化学(株)製)64g(0.5mol)、ビフェニルアルデヒド(三菱ガス化学(株)製)182g(1.0mol)及び1-ナフトール(Acros Organics社製)72g(0.5mol)を仕込み、160℃で10時間、180℃で4時間、200℃で2時間と計16時間反応させた。反応途中、くえん酸(関東化学(株)製)1.92gを、160℃においては1時間ごとに6回、180℃においては30分ごとに4回と計10回加えた。メチルイソブチルケトン(関東化学(株)製)600gで希釈後、中和及び水洗を行い、溶剤を減圧下に除去して樹脂(NF−3)149gを得た。 GPC分析の結果、Mn:606、Mw:862、Mw/Mn:1.42であった。有機元素分析の結果、炭素濃度は89.5質量%、酸素濃度は5.4質量%であった。
また、実施例3で得られた樹脂は、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートに対して可溶(溶解度:10質量%)であった。
ジムロート冷却管、温度計及び攪拌翼を備えた内容積1Lの四つ口フラスコに、窒素気流下で、ナフタレン(関東化学(株)製)64g(0.5mol)、ビフェニルアルデヒド(三菱ガス化学(株)製)182g(1.0mol)及び1-ナフトール(Acros Organics社製)72g(0.5mol)を仕込み、160℃で10時間、180℃で4時間、200℃で2時間と計16時間反応させた。反応途中、シュウ酸2水和物(関東化学(株)製)1.26gを、160℃においては1時間ごとに6回、180℃においては30分ごとに4回と計10回加えた。メチルイソブチルケトン(関東化学(株)製)600gで希釈後、中和及び水洗を行い、溶剤を減圧下に除去して樹脂(NF−4)122gを得た。 GPC分析の結果、Mn:594、Mw:847、Mw/Mn:1.43であった。有機元素分析の結果、炭素濃度は89.8質量%、酸素濃度は5.1質量%であった。
また、実施例4で得られた樹脂は、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートに対して可溶(溶解度:10質量%)であった。
ジムロート冷却管、温度計及び攪拌翼を備えた内容積1Lの四つ口フラスコに、窒素気流下で、ナフタレン(関東化学(株)製)38g(0.3mol)、9−アントラセンカルボキシアルデヒド(関東化学(株)製)206g(1.0mol)及び1-ナフトール(Acros Organics社製)101g(0.7mol)を仕込み、メタンスルホン酸3mlを1時間ごとに計6回加え、230℃まで昇温させて6時間反応させた。メチルイソブチルケトン(関東化学(株)製)400g、アニソール(関東化学(株)製)200gで希釈後、中和及び水洗を行い、溶剤を減圧下に除去して樹脂(NF−5)140gを得た。 GPC分析の結果、Mn:854、Mw:1251、Mw/Mn:1.46であった。有機元素分析の結果、炭素濃度は91.4質量%、酸素濃度は4.1質量%であった。
また、実施例5で得られた樹脂は、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートに対して可溶(溶解度:10質量%)であった。
ジムロート冷却管、温度計及び攪拌翼を備えた内容積1Lの四つ口フラスコに、窒素気流下で、アントラセン(関東化学(株)製)89g(0.5mol)、ビフェニルアルデヒド(三菱ガス化学(株)製)182g(1.0mol)及び1,4,9,10-アントラセンテトロール(関東化学(株)製)121g(0.5mol)を仕込み、メタンスルホン酸3mlを1時間ごとに計6回加え、240℃まで昇温させて8時間反応させた。メチルイソブチルケトン(関東化学(株)製)400g、アニソール(関東化学(株)製)200gで希釈後、中和及び水洗を行い、溶剤を減圧下に除去して樹脂(NF−6)156gを得た。 GPC分析の結果、Mn:821、Mw:1354、Mw/Mn:1.65であった。有機元素分析の結果、炭素濃度は92.1質量%、酸素濃度は3.2質量%であった。
また、実施例6で得られた樹脂は、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートに対して可溶(溶解度:10質量%)であった。
実施例1〜6の結果から、式(1)で示される芳香族炭化水素と、式(2)で示されるアルデヒド及び式(3)で示されるフェノール誘導体を酸性触媒の存在下で反応させた芳香族炭化水素樹脂は、炭素濃度が高く、さらに、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートに対する溶解度が10質量%であることがわかる。
ジムロート冷却管、温度計及び攪拌翼を備えた、底抜きが可能な内容積10Lの四つ口フラスコに、窒素気流中、1,5−ジメチルナフタレン1.09kg(7mol、三菱ガス化学(株)製)、40質量%ホルマリン水溶液2.1kg(ホルムアルデヒドとして28mol、三菱ガス化学(株)製)及び98質量%硫酸(関東化学(株)製)0.97kgを仕込み、常圧下、100℃で還流させながら7時間反応させた。希釈溶媒としてエチルベンゼン(和光純薬工業(株)製試薬特級)1.8kgを加え、静置後、下相の水相を除去した。さらに、中和及び水洗を行い、エチルベンゼン及び未反応の1,5−ジメチルナフタレンを減圧下に留去し、淡褐色固体のジメチルナフタレンホルムアルデヒド樹脂1.25kgを得た。
GPC測定の結果、Mn:562、Mw:1168、Mw/Mn:2.08であった。有機元素分析の結果、炭素濃度は84.2質量%、酸素濃度は8.3質量%であった。
なお、得られたジメチルナフタレンホルムアルデヒド樹脂は10質量%でプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートに対して不溶であった。
ジムロート冷却管、温度計及び攪拌翼を備えた内容積0.5Lの四つ口フラスコに、窒素気流下で、製造例1で得たジメチルナフタレンホルムアルデヒド樹脂100g(0.51mol)に、パラトルエンスルホン酸0.05gを加え、190℃まで昇温させて2時間加熱した後、攪拌した。その後、1−ナフトール52.0g(0.36mol)を加え、さらに220℃まで昇温させて2時間反応させた。溶剤希釈後、中和及び水洗を行い、溶剤を減圧下に除去し、黒褐色固体の変性樹脂(CR−1)126.1gを得た。
GPC分析の結果、Mn:885、Mw:2220、Mw/Mn:4.17であった。有機元素分析の結果、炭素濃度は89.1質量%、酸素濃度は4.5質量%であった。
なお、得られた樹脂は、10質量%でプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートに対して可溶であった。
表1に示す組成の下層膜形成組成物を調製した。次に容器下層膜形成溶液をシリコン基板上に回転塗布して、240℃で60秒間、更に400℃で120秒間ベークして下層膜としては膜厚200nmの下層膜を得た。エッチング試験は下記に示す条件で行い、結果を表1に示した。基準材料としてはノボラックを用い同様の条件で下層膜を得てエッチング試験を行った。
エッチング装置:サムコインターナショナル社製 RIE−10NR
出力:50W
圧力:20Pa
時間:2min
エッチングガス
Arガス流量:CF4ガス流量:O2ガス流量=50:5:5(sccm)
A;ノボラックに比べてエッチングレートが、−10%以下の場合
B;ノボラックに比べてエッチングレートが、−10%超、−5%以下の場合
C;ノボラックに比べてエッチングレートが、−5%超、0%以下の場合
D;ノボラックに比べてエッチングレートが、0% 超、+10%以下の場合
E;ノボラックに比べてエッチングレートが、+10%超の場合
架橋剤:三和ケミカル社製ニカラックMX270(ニカラック)
有機溶媒:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)、シクロヘキサノン(CHN)
ノボラック:群栄化学社製 PSM4357
次に、下層膜形成組成物の溶液(実施例7)を膜厚300nmのSiO2基板上に塗布して、240℃で60秒間、更に400℃で120秒間ベークして膜厚80nmの下層膜を形成した。その上に、ArF用レジスト溶液を塗布し、130℃で60秒間ベークして膜厚150nmのフォトレジスト層を形成した。なお、ArFレジスト溶液は下記式(5)の化合物:5質量部、トリフェニルスルホニウムノナフルオロメタンスルホナート:1質量部、トリブチルアミン:2質量部、PGMEA:92質量部を配合し調製した。
次いで、電子線描画装置(エリオニクス社製;ELS−7500,50keV)で露光し、115℃で90秒間ベーク(PEB)し、2.38質量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)水溶液で60秒間現像し、ポジ型のパターンを得た。得られたパターンの55nmL/S(1:1)のパターン形状を観察した結果を表2に示す。
下層膜を形成しない以外は実施例13と同様に行い評価した結果を表2に示す。
エッチング装置:サムコインターナショナル社製 RIE−10NR
出力:50W
圧力:20Pa
時間:2min
エッチングガス
Arガス流量:CF4ガス流量:O2ガス流量=50:5:5(sccm)
パターン断面は(株)日立製作所製電子顕微鏡(S−4800)にて観察し、形状を比較した。
本発明の下層膜を用いた実施例13は、多層レジスト加工における現像後のレジスト形状、酸素エッチング後、基板加工エッチング後の下層膜の形状も良好であり、単層レジストハードマスクとして用いた場合の現像後、基板加工後エッチング後の形状も良好であることが認められた。
Claims (12)
- 基板とレジスト層との間のリソグラフィー用下層膜の形成に用いられる下層膜形成組成物の製造方法であって、
該下層膜形成組成物は、少なくとも芳香族炭化水素樹脂及び有機溶媒を含み、
該芳香族炭化水素樹脂を、式(1)で示される芳香族炭化水素、式(2)で示されるアルデヒド及び式(3)で示されるフェノール誘導体を酸性触媒の存在下で縮合させて得ることを特徴とするリソグラフィー用下層膜形成組成物の製造方法。
- 式(1)で示される芳香族炭化水素が、ベンゼン、トルエン、キシレン、トリメチルベンゼン、ナフタレン、メチルナフタレン、ジメチルナフタレン及びアントラセンから選ばれる少なくとも一種である請求項1記載のリソグラフィー用下層膜形成組成物の製造方法。
- 式(2)で示されるアルデヒド類が、ベンズアルデヒド、メチルベンズアルデヒド、エチルベンズアルデヒド、プロピルベンズアルデヒド、ブチルベンズアルデヒド、シクロヘキシルベンズアルデヒド、ビフェニルアルデヒド、ヒドロキシベンズアルデヒド、ジヒドロキシベンズアルデヒド、ナフトアルデヒド、ヒドロキシナフトアルデヒド、アントラセンアルデヒドから選ばれる少なくとも一種である請求項1又は2のいずれかに記載のリソグラフィー用下層膜形成組成物の製造方法。
- 式(3)で示されるフェノール誘導体が、フェノール、カテコール、レゾルシノール、ヒドロキノン、クレゾール、エチルフェノール、プロピルフェノール、ブチルフェノール、メチルカテコール、メチルレゾルシノール、メチルヒドロキノン、アニソール、ナフトール、メチルナフトール、ジヒドロキシナフタレン、メチルジヒドロキシナフタレン、メトキシナフタレン、アントラセンモノオール、アントラセンジオール、アントラセントリオール、アントラセンテトロールから選ばれる少なくとも一種である請求項1〜3のいずれかに記載のリソグラフィー用下層膜形成組成物の製造方法。
- 前記酸性触媒が、塩酸、硫酸、リン酸、シュウ酸、クエン酸、蟻酸、p−トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸、トリフルオロ酢酸、トリフルオロメタンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、ナフタレンスルホン酸、ナフタレンジスルホン酸、塩化亜鉛、塩化アルミニウム、塩化鉄、三フッ化ホウ素、ケイタングステン酸、リンタングステン酸、ケイモリブデン酸及びリンモリブデン酸から選ばれる少なくとも一種である請求項1〜4のいずれかに記載のリソグラフィー用下層膜形成組成物の製造方法。
- 前記芳香族炭化水素樹脂が、下記式(4)で表される構造を含む請求項1〜5のいずれかに記載のリソグラフィー用下層膜形成組成物の製造方法。
- 前記芳香族炭化水素樹脂の炭素濃度が80〜99.9質量%である請求項1〜6のいずれかに記載のリソグラフィー用下層膜形成組成物の製造方法。
- 前記芳香族炭化水素樹脂の、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートに対する溶解度が10質量%以上である請求項1〜7のいずれかに記載のリソグラフィー用下層膜形成組成物の製造方法。
- さらに、酸発生剤を配合する請求項1〜8のいずれかに記載のリソグラフィー用下層膜形成組成物の製造方法。
- さらに、架橋剤を配合する請求項1〜9のいずれかに記載のリソグラフィー用下層膜形成組成物の製造方法。
- 請求項1〜11のいずれかに記載の方法により得られたリソグラフィー用下層膜形成組成物から形成するリソグラフィー用下層膜の製造方法。
- 基板上に、請求項1〜10のいずれかに記載の方法により得られた下層膜形成組成物を用いて下層膜を形成し、該下層膜上に、少なくとも1層のフォトレジスト層を形成した後、該フォトレジスト層の所要の領域に放射線を照射し、アルカリ現像してレジストパターンを形成後、該レジストパターンをマスクとして前記下層膜を少なくとも酸素ガスを含むプラズマによりエッチングし、前記下層膜にレジストパターンを転写することを特徴とする多層レジストパターンの形成方法。
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