JPH05132542A - エポキシ樹脂組成物 - Google Patents

エポキシ樹脂組成物

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JPH05132542A
JPH05132542A JP29442691A JP29442691A JPH05132542A JP H05132542 A JPH05132542 A JP H05132542A JP 29442691 A JP29442691 A JP 29442691A JP 29442691 A JP29442691 A JP 29442691A JP H05132542 A JPH05132542 A JP H05132542A
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JP
Japan
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epoxy resin
naphthol
dihydroxynaphthalene
resin composition
polyhydroxynaphthalene
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Pending
Application number
JP29442691A
Other languages
English (en)
Inventor
Akihiro Naka
昭廣 中
Shuichi Ito
修一 伊藤
Shinya Akizuki
伸也 秋月
Kiyoshi Saito
斉藤  潔
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nitto Denko Corp
DKS Co Ltd
Original Assignee
Dai Ichi Kogyo Seiyaku Co Ltd
Nitto Denko Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【構成】 この発明のエポキシ樹脂組成物は、ナフトー
ル、ジヒドロキシナフタレン、またはその混合物と、ナ
フタレンをアルデヒドで共縮合したポリヒドロキシナフ
タレン系化合物を硬化剤とし、これとエポキシ樹脂、硬
化促進剤を必須成分とするものである。 【効果】 本発明のエポキシ樹脂組成物は、硬化樹脂の
ガラス転移温度が高く耐熱性、耐湿性に優れ、かつパッ
ケージにクラックが発生しにくいため、半導体封止用に
適する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、信頼性に優れた半導体
封止用エポキシ樹脂組成物に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、半導体素子を外環境から守るた
め、エポキシ樹脂組成物で封止する方法が広く採用され
てきた。本組成物の一般的な構成は、エポキシ樹脂、硬
化剤、硬化促進剤、充填剤、その他の配合剤からなり、
エポキシ樹脂としては、フェノール類とホルムアルデヒ
ドとを反応したノボラック樹脂をエポキシ化したもの、
特にオルトクレゾールノボラックエポキシ樹脂が広く用
いられ、硬化剤にはフェノールホルムアルデヒドノボラ
ック樹脂が採用されてきた。
【0003】近年、半導体素子はますます高集積化大型
化し、多ピンのフラットパッケージが実用化され、封止
された素子にしめるエポキシ樹脂の割合が減少する傾向
にある。このため封止時に強い応力を受け易く、実装方
式も表面実装方式がとられ、実装時に樹脂封止された半
導体を溶融半田中に浸漬するため、強い熱ストレスを受
けるとともに、樹脂内部に吸湿されている水が急激に気
化して体積膨張をおこす厳しい環境にさらされる。
【0004】前記エポキシ樹脂を用いて、大容量半導体
を封止した場合、パッケージにクラックが発生する問題
が生じ、ボンディングワイヤが変形したり腐食による断
線が生じたり、素子パッシベーションのクラックなどが
発生し易い問題がある。このため、高性能なエポキシ樹
脂が種々提案されているが、未だ問題の解決には至って
いない。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、ガラス転移
温度が高く耐熱性に優れ、かつ耐湿性に優れたパッケー
ジにクラックが発生し難い、新規な半導体封止用エポキ
シ樹脂組成物を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】すなわち本発明は、ナフ
トール、ジヒドロキシナフタレン、またはその混合物
と、ナフタレンをアルデヒドで共縮合したポリヒドロキ
シナフタレン系化合物を硬化剤とし、これとエポキシ樹
脂、硬化促進剤を必須成分とするエポキシ樹脂組成物で
ある。
【0007】[手段を構成する要件]本発明に使用する
ナフトール、ジヒドロキシナフタレン、ナフタレンをア
ルデヒドで縮合した共縮合物において、ナフトールは、
α−ナフトール、β−ナフトールがあげられ、特に共縮
合性の高いα−ナフトールが好ましい。又、α−ナフト
ールとβ−ナフトールを併用して用いてもかまわない。
ジヒドロキシナフタレンは、1,5−ジヒドロキシナフ
タレン、1,6−ジヒドロキシナフタレン、1,7−ジ
ヒドロキシナフタレン、2,6−ジヒドロキシナフタレ
ン、2,7−ジヒドロキシナフタレン、1,4−ジヒド
ロキシナフタレン、1,2−ジヒドロキシナフタレン、
1,3−ジヒドロキシナフタレン、2,3−ジヒドロキ
シナフタレンがあげられ、特に共縮合性の高い1,6−
ジヒドロキシナフタレン、2,7−ジヒドロキシナフタ
レン、1,4−ジヒドロキシナフタレンが好ましい。ま
た、ナフタレンは、ナフタレンやメチルナフタレンなど
のアルキルナフタレンが利用できる。
【0008】アルデヒドは、例えばホルムアルデヒド、
アセトアルデヒド、プロピルアルデヒド、ブチルアルデ
ヒドなどの脂肪族アルデヒド、ベンズアルデヒド、p−
ヒドロキシベンズアルデヒド、サリチルアルデヒドなど
の芳香族アルデヒド、グリオキザール、テレフタルアル
デヒドなどの多価アルデヒドが利用でき、中でもホルム
アルデヒド、ベンズアルデヒド、p−ヒドロキシベンズ
アルデヒド、サリチルアルデヒド、グリオキザール、テ
レフタルアルデヒドが好ましい。これらのアルデヒドは
一種類を用いて反応させてもよく、二種類以上を併用し
て反応させることも可能である。
【0009】共縮合物を得るための、各成分の使用量
は、ナフトール、ジヒドロキシナフタレン、またはその
混合物とナフタレンの合計モル数、1モルに対してアル
デヒドは0.3〜0.95モルである。なお、ナフタレ
ンはその使用により耐湿性が良くなる。アルデヒドは使
用量が少ないと、縮合物は適正な平均分子量より小さく
なるため耐熱性に劣り、多すぎると平均分子量が高くな
りすぎるため高粘度になり成型性に問題が生じる。縮合
物の適正な平均分子量は300〜2000であり、好ま
しくは400〜1500である。
【0010】共縮合反応は、通常、触媒として酸やアル
カリあるいは最初アルカリを次に酸を用いる二段階法な
どが利用されるが、酸を用いるのが一般的である。酸
は、硫酸、塩酸、硝酸、臭化水素酸などの鉱酸、パラト
ルエンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸などのスルホン
酸類、シュウ酸、コハク酸、マロン酸などのカルボン酸
類が使用される。また触媒を用いなくても高温に加熱す
るだけで反応することも可能である。溶媒は必ずしも必
要とするものではないが、ベンゼン、トルエン、クロル
ベンゼン、ジクロルベンゼン、メチルエチルケトン、メ
チルイソブチルケトン、テトラヒドロフラン、ジメチル
スルフォオキシド、ジメチルスルフォアミドなどの溶媒
を用いて反応することができる。反応温度は50〜20
0℃、好ましくは脂肪族アルデヒドの場合には60〜1
50℃、芳香族アルデヒドの場合には60〜190℃
で、1〜10時間反応させる。この後、必要により不純
物を水洗して除去したり、溶剤洗浄や減圧脱気で未反応
モノマーを除去する。
【0011】本発明のポリヒドロキシ化合物は、硬化剤
として単独で用いてもよいし、70wt%以下好ましく
は50wt%以下の一般のフェノール樹脂、例えばフェ
ノールや置換フェノール(o−クレゾール、p−クレゾ
ール、t−ブチルフェノール、クミルフェノール、フェ
ニルフェノールなど)とアルデヒドを酸やアルカリで反
応したものと併用して用いることもできる。
【0012】次に、本発明に用いられる主剤は通常のエ
ポキシ樹脂であり、特に限定するものではなく、従来公
知のものが用いられる。例えば、ビスフェノールA型、
フェノールノボラック型、クレゾールノボラック型等が
あげられる。これら樹脂のなかでも融点が室温を越えて
おり、室温下では固形状もしくは高粘度の溶液状を呈す
るものが好結果をもたらす。上記ビスフェノールA型エ
ポキシ樹脂としては、通常、エポキシ当量160〜20
0、軟化点50〜130℃のものが用いられ、フェノー
ルノボラック型エポキシ樹脂としては、エポキシ当量1
80〜210、軟化点50〜130℃のものが用いら
れ、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂としては、エ
ポキシ当量180〜210、軟化点60〜110℃のも
のが一般的に用いられる。
【0013】主剤と硬化剤の配合割合は、エポキシ樹脂
のエポキシ基に対する硬化剤のフェノール性水酸基の当
量比(エポキシ基/フェノール性水酸基)が通常1/
0.8〜1/1.2、好ましくは1/0.9〜1/1.
1の範囲が耐熱性、耐湿性の点から選ばれる。
【0014】本発明に用いる硬化促進剤は通常の触媒で
あり、特に限定されない。硬化促進剤の具体例として
は、トリフェニルフォスフィン、トリス−2,6−ジメ
トキシフェニルフォスフィン、トリ−p−トリルフォス
フィン、亜リン酸トリフェニルなどのリン化合物、2−
メチルイミダゾール、2−フェニルイミダゾール、2−
ウンデシルイミダゾール、2−ヘプタデシルイミダゾー
ル、2−エチル−4−メチルイミダゾールなどのイミダ
ゾール類、2−ジメチルアミノメチルフェノール、ベン
ジルジメチルアミン、α−メチルベンジルメチルアミン
などの三級アミン類、1,8−ジアザビシクロ[5.
4.0]ウンデセン−7、1,8−ジアザビシクロ
[5.4.0]ウンデセン−7の有機酸塩類などがあげ
られる。
【0015】硬化促進剤の配合量は、本発明の組成物中
0.1〜3.0%であるのが耐熱性と耐湿性の点から好
ましい。
【0016】本発明では、前記各成分の他に、必要に応
じてさらに種々のものを配合することができる。例え
ば、充填剤や充填剤の表面を処理するための表面処理剤
や難燃剤や離型剤や着色剤や可撓性付与剤である。
【0017】充填剤としては特に限定はなく、例えば、
結晶性シリカ粉、溶融性シリカ粉、石英ガラス粉、タル
ク、ケイ酸カルシウム粉、ケイ酸ジルコニウム粉、アル
ミナ粉、炭酸カルシウム粉等が挙げられるが、シリカ系
のものが好ましい。充填剤の配合割合は、全組成物に対
して60〜90wt%、好ましくは70〜85wt%で
ある。充填剤の配合量が90wt%をこえると、組成物
の流動性が低くなって成形が難しく、60wt%未満で
は熱膨張が大きくなる傾向がある。
【0018】表面処理剤としては、公知のシランカップ
リング剤などがあげられ、難燃剤としては三酸化アンチ
モン、五酸化アンチモン、リン酸塩、臭素化物があげら
れ、離型剤としては各種ワックス類を、着色剤にはカー
ボンブラックなどを、可撓性付与剤としてはシリコーン
樹脂、ブタジエン−アクリロニトリルゴムなどが用いら
れる。但し、これらに限定されるものではない。
【0019】本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物
の調製方法は特に限定されず、常法によって行われる。
また、本発明の樹脂組成物を用いて半導体を封止する際
の条件にも特に限定はなく、通常、175℃、成型圧1
00kg/cm、3分間の成型と180℃、5時間の
後硬化のごとき条件が採用される。
【0020】
【実施例】以下、実施例をあげて、本発明の実施の態様
を具体的に例示して説明する。本発明はこれらの実施例
に限定されるものではない。
【0021】(ポリヒドロキシナフタレン系化合物製造
例1)撹拌装置、還流冷却管、温度計、窒素吹込口を備
えた反応容器内に、α−ナフトール130g、メチルナ
フタレン14g、パラホルムアルデヒド23g、シュウ
酸0.5gを仕込み、120℃に加熱して窒素気流下で
8時間撹拌して反応させた。この後、200℃に加熱し
5mmHgで未反応物と水を除去した。得られた共縮合
物の平均分子量は720であった。
【0022】(ポリヒドロキシナフタレン系化合物製造
例2)製造例1において、α−ナフトール116g、ナ
フタレン28g、パラホルムアルデヒド21gとしポリ
ヒドロキシナフタレン系化合物を製造した。得られた共
縮合物の平均分子量は670であった。
【0023】(ポリヒドロキシナフタレン系化合物製造
例3)製造例1において、α−ナフトール116g、ナ
フタレン28g、ベンズアルデヒドデヒド90gとしポ
リヒドロキシナフタレン系化合物を製造した。得られた
共縮合物の平均分子量は1090であった。
【0024】(ポリヒドロキシナフタレン系化合物製造
例4)製造例1において、α−ナフトールの代りに1,
6−ジヒドロキシナフタレン128gを用いポリヒドロ
キシナフタレン系化合物を製造した。得られた共縮合物
の平均分子量は770であった。
【0025】(ポリヒドロキシナフタレン系化合物製造
例5)製造例1において、α−ナフトール87g、β−
ナフトール43g、ナフタレン14g、パラホルムアル
デヒド23gとしポリヒドロキシナフタレン系化合物を
製造した。得られた共縮合物の平均分子量は710であ
った。
【0026】(ポリヒドロキシナフタレン系化合物製造
例6)製造例1において、α−ナフトール58g、β−
ナフトール58g、ナフタレン28g、ベンズアルデヒ
ド90gとしポリヒドロキシナフタレン系化合物を製造
した。得られた共縮合物の平均分子量は1080であっ
た。
【0027】(ポリヒドロキシナフタレン系化合物製造
例7)製造例1において、1,6−ジヒドロキシナフタ
レン64g、β−ナフトール58g、ナフタレン28
g、パラホルムアルデヒド21gとしポリヒドロキシナ
フタレン系化合物を製造した。得られた共縮合物の平均
分子量は810であった。
【0028】実施例1〜7及び比較例1 主剤として、市販のo−クレゾールノボラック型エポキ
シ樹脂(日本化薬(株)のEOCN1020)、市販の
臭素化フェノールノボラック型エポキシ樹脂(日本化薬
(株)BREN−S)を用い、硬化剤としてはポリヒド
ロキシナフタレン系化合物製造例1〜7で得られた各ポ
リヒドロキシナフタレン系化合物、市販のフェノールノ
ボラック樹脂(荒川化学(株)のタマノール752)
を、硬化促進剤としてはトリフェニルフォスフィン、充
填剤としては球状シリカ(三菱金属(株)のBF10
0)、及びその他の材料として三酸化アンチモン、シラ
ンカップリング剤、ワックス、カーボンブラックを用
い、表1に示す割合で配合して、二本ロールで70〜1
10℃の温度にて混練したのち冷却し、粉砕して半導体
封止用エポキシ樹脂組成物を調製した。
【0029】得られた組成物を、175℃、100kg
/cm、3分間の硬化条件で成型し、ついで180
℃、6時間の条件でポストキュアーさせ成型試験片を作
製した。このパッケージは80ピン四方向フラットパッ
ケージ(80ピンQFP、サイズ;20×14×2m
m)であり、ダイパッドサイズ8×8mmである。
【0030】このようにして得られた半導体装置につい
て、−50℃/5分〜150℃/5分のTCTテストを
行いクラック発生数をみた。また、85℃/85%RH
の相対湿度の恒温槽中に放置して吸湿させた後に、26
0℃の半田溶融液に10秒間浸漬する試験を行った。こ
れらの結果を下記の表2に示した。
【0031】
【表1】
【0032】
【表2】
【0033】
【発明の効果】本発明のエポキシ樹脂組成物は、硬化樹
脂のガラス転移温度が高く耐熱性、耐湿性に優れ、かつ
パッケージにクラックが発生しにくいため、半導体封止
用に適する。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 秋月 伸也 大阪府茨木市下穂積1丁目1番2号 日東 電工株式会社内 (72)発明者 斉藤 潔 大阪府茨木市下穂積1丁目1番2号 日東 電工株式会社内

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ナフトール、ジヒドロキシナフタレン、
    またはその混合物と、ナフタレンをアルデヒドで共縮合
    したポリヒドロキシナフタレン系化合物を硬化剤とし、
    これとエポキシ樹脂、硬化促進剤を必須成分とするエポ
    キシ樹脂組成物。
  2. 【請求項2】 前記ポリヒドロキシナフタレン系化合物
    の平均分子量が300〜2000である請求項1記載の
    エポキシ樹脂組成物。
JP29442691A 1991-11-11 1991-11-11 エポキシ樹脂組成物 Pending JPH05132542A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012090408A1 (ja) * 2010-12-28 2012-07-05 三菱瓦斯化学株式会社 芳香族炭化水素樹脂、リソグラフィー用下層膜形成組成物及び多層レジストパターンの形成方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012090408A1 (ja) * 2010-12-28 2012-07-05 三菱瓦斯化学株式会社 芳香族炭化水素樹脂、リソグラフィー用下層膜形成組成物及び多層レジストパターンの形成方法
CN103282396A (zh) * 2010-12-28 2013-09-04 三菱瓦斯化学株式会社 芳烃树脂、光刻法用底层膜形成组合物以及形成多层抗蚀图案的方法
US8741553B2 (en) 2010-12-28 2014-06-03 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Aromatic hydrocarbon resin, underlayer film forming composition for lithography, and method for forming multilayer resist pattern
JPWO2012090408A1 (ja) * 2010-12-28 2014-06-05 三菱瓦斯化学株式会社 芳香族炭化水素樹脂、リソグラフィー用下層膜形成組成物及び多層レジストパターンの形成方法
JP5853959B2 (ja) * 2010-12-28 2016-02-09 三菱瓦斯化学株式会社 芳香族炭化水素樹脂、リソグラフィー用下層膜形成組成物及び多層レジストパターンの形成方法
EP2660257A4 (en) * 2010-12-28 2016-09-07 Mitsubishi Gas Chemical Co AROMATIC HYDROCARBON RESIN, COMPOSITION FOR FORMING A LITHOGRAPHIC SUB-LAYER FILM AND METHOD FOR FORMING A MULTILAYER PROTECTION LAYER STRUCTURE

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