JPWO2009066750A1 - エッチング液組成物 - Google Patents

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Abstract

Ａｌ、Ａｌ合金等からなる金属膜と各種アモルファス酸化物膜とを含む積層膜において、アモルファス酸化物膜上の金属膜を選択的にエッチングするエッチング液組成物を提供することにある。前記課題は、アモルファス酸化物膜と、Ａｌ、Ａｌ合金、Ｃｕ、Ｃｕ合金、ＡｇまたはＡｇ合金からなる金属膜とを含む積層膜から、該金属膜を選択的にエッチングするエッチング液組成物であって、アルカリを含有する水溶液からなる前記エッチング液組成物とすることにより、解決される。

Description

本発明は、アモルファス酸化物膜とＡｌ、Ａｌ合金等からなる金属膜を含む積層膜において、該金属膜を選択的にエッチングするエッチング液組成物に関する。本発明は、さらにかかるエッチング液組成物を用いてエッチングした積層膜、それを含む液晶表示板、液晶表示装置およびその製造方法に関する。本発明はまた、かかるエッチング液組成物を用いる、半導体素子、集積回路、電極等の微細電子部品等の作製に用いられるエッチング方法、パターン形成方法、薄膜トランジスタの製造方法に関する。
薄膜トランジスタ表示板の製造において表示板の視野角を広げ、動画の応答速度を早める方法としてＦＦＳ（Fringe Field Switching）やＩＰＳ（In-Plane Switching）方式等のシステムが使用されており、これらのシステムを製造する工程において、透明電極上の金属薄膜を選択的にエッチングする工程が必要となる。
また近年、電子機器の小型化、軽量化および低消費電力化が進む中で、ディスプレイの分野においては、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）を含み構成される酸化物（ＩＧＺＯ）の半導体が注目されている。ＩＧＺＯのアモルファス酸化物半導体膜は、低温で樹脂フィルム上に成膜することが可能なため、将来軽量の携帯電子製品などへの応用が検討されている。
透明導電膜上の金属薄膜としてはＡｌまたはＡｌ合金およびＭｏまたはＭｏ合金が一般に使用されており、透明導電膜としてはＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）等が一般に使用されている。
従来、Ａｌ、Ａｌ合金、Ｍｏ、Ｍｏ合金、ＩＴＯ、ＩＺＯ等に使用されてきたエッチング液は酸性エッチング液、中性エッチング液およびアルカリ性エッチング液に分類される。Ａｌは両性化合物であり、酸性エッチング液にもアルカリ性エッチング液にも溶解し、さらに、酸化性の中性エッチング液にも溶解する。Ｍｏは両性化合物ではないが、酸化剤を含む酸性エッチング液、酸化剤を含むアルカリ性エッチング液および酸化剤を含む中性エッチング液に溶解する。ＩＴＯは製造方法によって結晶性が異なり、結晶性が高いと王水等の限られた強酸にのみ溶解するが、一般に使用されているのは常温のスパッタリングで形成することができるアモルファス状のＩＴＯであり、酸性エッチング液にもアルカリ性エッチング液にも溶解する。ＩＺＯはアモルファス状のＩＺＯのみであり、酸性エッチング液にもアルカリ性エッチング液にも溶解する。酸化亜鉛は両性化合物であり、酸性エッチング液にもアルカリ性エッチング液にも溶解する。酸性エッチング液については多くの報告があるが、Ａｌ、Ａｌ合金、Ｍｏ、Ｍｏ合金、ＩＴＯ、ＩＺＯおよび酸化亜鉛のすべてを溶解することが明白であって、高い選択比で透明導電膜上の金属膜をエッチングする例は見当たらない。
具体的には、透明導電膜、金属について以下の技術が開示されている。ＩＴＯ膜は製法によって結晶性が異なり、スパッタリングで常温で形成するとα（アモルファス）−ＩＴＯとなることが知られている。一方、ＩＺＯも３００℃以下のスパッタリングにより形成するとアモルファス状となる。これらのアモルファス状の膜は、シュウ酸や、リン酸、酢酸および硝酸からなる混酸等の、弱酸のエッチング液に溶解する（特許文献１）。特に、α−ＩＴＯ膜についてはポリスルホン酸およびポリオキシエチレン−ポリオキシプロピレンブロックコポリマーからなる群から選択された１種または２種以上の化合物を含有するエッチング液により透明導電膜をエッチングする方法が提案されている（特許文献２）。
パターン付きレジスト／Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏ／ＩＺＯ基板等の３層積層のエッチング液として、３０〜４５重量％のリン酸、１５〜３５重量％の硝酸、有機酸および陽イオン成分を含む水溶液によって一括エッチングする方法が報告されている（特許文献１）。また、リン酸、酢酸および硝酸からなる混酸を用いてＭｏとＡｌの積層膜をエッチングする場合、ＡｌとＭｏのエッチング速度に違いがあるため、ＡｌとＭｏに異なった組成の混酸を使用する技術が報告されている（特許文献３）。さらに、Ａｌ合金の配合比を最適化することによりシュウ酸水溶液に溶解し難くして、ＩＴＯとＡｌの積層膜のエッチングを改良する技術も報告されている（特許文献４）。しかしながら、酸性のエッチング液を使用して透明導電膜上の金属をエッチングする方法はまだ報告されていない。
このため、ＦＦＳ−ＬＣＤの製造方法では結晶化したＩＴＯ（ｐ−ＩＴＯ）が用いられているが、ｐ−ＩＴＯのエッチング特性は非常に低いため、エッチング後にＩＴＯ残渣が出やすく、その上に金属薄膜を成膜してもＩＴＯ残渣が短絡の原因となる。そこで、残渣が残っても短絡が起こらない新しいＦＦＳ−ＬＣＤの製造方法が提案されている（特許文献５）。しかし、この方法はゲート絶縁膜を部分的にパターンニングする工程が増えるため、新たなマスクへの変更が必要となること等により製造コストが増大する。
一方、透明導電膜上の金属膜はアルカリ性溶液にも溶解するが、一般に透明導電膜上の金属膜のエッチングにアルカリ性溶液が使用される例は少ない。その第１の理由として、アルミニウムとＩＴＯの積層膜がアルカリに触れた場合、アルミニウムが酸化されＩＴＯが還元されることが考えられる。ポジ型レジストの剥離液であるアルカリ性水溶液による影響を回避するため、酸化剤としてアルカリ性水溶液に硝酸塩を加える技術が報告されている（特許文献６）。第２の理由として、金属および透明導電膜のそれぞれがアルカリに溶解すると考えられる。例えば、Ａｌを水酸化アンモニウムにより溶解する技術が報告されており（特許文献７）、Ｍｏについても酸化剤を含むアルカリ性水溶液によりエッチングされることが報告されている（特許文献８）。
また、酸化亜鉛は両性化合物であり、アンモニア水に溶解することが知られている（特許文献９）。さらに、ＩＺＯやＩＴＯについては、ｐＨが１３．５を超えるアルカノールアミン水溶液によって侵食され易いことが報告されている（特許文献１０）。このように、酸性エッチング液についても、アルカリ性エッチング液についても、従来、透明導電膜と金属膜の積層膜について、金属を選択的にエッチングするエッチング液は知られていなかった。
その一方で、従来、製作したＩｎ、Ｇａ、Ｚｎを含み構成されるアモルファス酸化物半導体膜上への金属膜のパターニングはリフトオフ（Lift-off）法で行なわれていた（非特許文献１）。しかしながら、リフトオフ法は、フォトレジストの耐熱性が小さいため、高温処理工程が必要な場合には、当該フォトレジストが融けて変形してしまうことがある。また、フォトレジストを除去する工程で、被蒸着膜のパターン端が捲くれ上がることがある。
一般的に、アモルファス酸化物半導体膜上の金属薄膜のエッチングには、リン酸−酢酸−硝酸の混酸、硝酸セリウムアンモニウム水溶液などが使用されている。しかし、上記のような酸系のエッチング液では、Ｇａ、ＺｎおよびＳｎの少なくとも１つとＩｎとを含み構成される酸化物（ＩＧＺＯ、ＩＺＯ、ＩＴＺＯ）のアモルファス酸化物半導体膜上の金属膜をエッチングする際に、共存するＧａ、ＺｎおよびＳｎの少なくとも１つと、Ｉｎとを含み構成される酸化物（ＩＧＺＯ、ＩＺＯ、ＩＴＺＯ）のアモルファス酸化物半導体膜をも同じようなエッチング速度でエッチングしてしまうことがある。
特開２００５−２７７４０２号公報 特許第３３４５４０８号公報 特開２０００−３１１１１号公報 特開２００６−２１００３３号公報 特開２００２−９０７８１号公報 特許第２８７５５５３号公報 特許第２５９９４８５号公報 特開平１０−３０７３０３号公報 特開平１０−２２９２１２号公報 特許第３６１１６１８号公報 特開２００５−２５８１１５号公報 K. Nomura et. al, Nature, Vol. 432, 25 Nov. 2004, pp. 488-492 Applied Physics Letters, 11 Sep. 2006, Vol. 89, No. 11, pp. 112123-1 - 112123-3
したがって、本発明の目的は、Ａｌ、Ａｌ合金等からなる金属膜と各種アモルファス酸化物膜とを含む積層膜において、アモルファス酸化物膜上の金属膜を選択的にエッチングするエッチング液組成物を提供することにある。
本発明者らは上記課題を解決するために検討を行った結果、アルカリ性のエッチング液組成物において、Ａｌ、Ａｌ合金等からなる金属膜とＩＺＯ等からなるアモルファス酸化物膜の間で高いエッチング選択比が得られることを発見した。
こうしたエッチング方法を利用したパターン形成方法や薄膜トランジスタの製造方法を用いれば、素子特性のバラツキを抑制し、素子特性の安定性、均一性を高めることができる。
すなわち、本発明は、アモルファス酸化物膜と、Ａｌ、Ａｌ合金、Ｃｕ、Ｃｕ合金、ＡｇおよびＡｇ合金からなる群から選ばれた少なくとも１つからなる金属膜とを含む積層膜から、該金属膜を選択的にエッチングするエッチング液組成物であって、アルカリを含有する水溶液からなる、前記エッチング液組成物に関する。
また、本発明は、積層膜が、さらにＭｏ、Ｍｏ合金、ＴｉおよびＴｉ合金からなる群から選ばれた少なくとも１つからなる金属膜を含み、該金属膜も同時にエッチングする、前記エッチング液組成物に関する。
さらに、本発明は、アルカリがアンモニアである、前記エッチング液組成物に関する。
また、本発明は、さらに酸化剤を含有する、前記エッチング液組成物に関する。
さらに、本発明は、酸化剤が過酸化水素である、前記エッチング液組成物に関する。
また、本発明は、アモルファス酸化物膜が、透明導電膜またはアモルファス酸化物半導体膜であり、前記透明導電膜が、α−ＩＴＯ、ＩＺＯ、酸化亜鉛または酸化錫を含む透明導電膜であり、前記アモルファス酸化物半導体膜が、ガリウム、亜鉛およびスズの少なくとも１つとインジウムとを含むアモルファス酸化物半導体膜である、前記エッチング液組成物に関する。
さらに、本発明は、エッチング液組成物中のアンモニアの濃度が、０．０１〜２５重量％である、前記エッチング液組成物に関する。
また、本発明は、エッチング液組成物中の過酸化水素の濃度が、０．０１〜２０重量％である、前記エッチング液組成物に関する。
さらに、本発明は、アモルファス酸化物膜が、ガリウム、亜鉛およびスズの少なくとも１っとインジウムとを含むアモルファス酸化物半導体膜であり、エッチング液組成物中のアンモニアの濃度が、０．０１〜５重量％である、前記エッチング液組成物に関する。
また、本発明は、アモルファス酸化物膜が、ガリウム、亜鉛およびスズの少なくとも１っとインジウムとを含むアモルファス酸化物半導体膜であり、エッチング液組成物中の過酸化水素の濃度が、０．０１〜１０重量％である、前記エッチング液組成物に関する。
さらに、本発明は、液晶表示板の製造に用いる、前記エッチング液組成物に関する。
また、本発明は、ＦＦＳもしくはＩＰＳモードの液晶表示板、または半透過半反射型液晶表示板の製造に用いる、前記エッチング液組成物に関する。
さらに、本発明は、アモルファス酸化物膜と、Ａｌ、Ａｌ合金、Ｃｕ、Ｃｕ合金、ＡｇおよびＡｇ合金からなる群から選ばれた少なくとも１つからなる金属膜とを含む積層膜において、前記エッチング液組成物を用いることにより、該金属膜が選択的にエッチングされた、前記積層膜に関する。
また、本発明は、前記積層膜を有する、液晶表示板に関する。
さらに、本発明は、前記液晶表示板を有する、液晶表示装置に関する。
また、本発明は、アモルファス酸化物膜と、Ａｌ、Ａｌ合金、Ｃｕ、Ｃｕ合金、ＡｇおよびＡｇ合金からなる群から選ばれた少なくとも１つからなる金属膜とを含む積層膜のエッチング方法であって、前記エッチング液組成物によって該金属膜を選択的にエッチングを行うことを特徴とする、前記エッチング方法に関する。
さらに、本発明は、積層膜が、さらにＭｏ、Ｍｏ合金、ＴｉおよびＴｉ合金からなる群から選ばれた少なくとも１つからなる金属膜を含み、該金属膜も同時にエッチングする、前記エッチング方法に関する。
また、本発明は、アモルファス酸化物膜上のＡｌ、Ａｌ合金、Ｃｕ、Ｃｕ合金、ＡｇおよびＡｇ合金からなる群から選ばれた少なくとも１つの層を含む金属膜のパターン形成方法であって、アモルファス酸化物膜を形成する工程、前記アモルファス酸化物膜上に金属膜を形成する工程、および前記エッチング液組成物によって前記アモルファス酸化物膜上の金属膜の選択エッチングを行うエッチング工程、を含むことを特徴とする、前記パターン形成方法に関する。
さらに、本発明は、エッチング液組成物を用いたエッチング工程を含む、液晶表示板の製造方法に関する。
また、本発明は、ソースおよびドレイン電極、ゲート電極、ゲート絶縁層ならびに半導体層を形成する工程を含む薄膜トランジスタの製造方法であって、
前記半導体層の形成工程が、
アモルファス酸化物膜を形成する工程、
前記アモルファス酸化物膜上にＡｌ、Ａｌ合金、Ｃｕ、Ｃｕ合金、ＡｇおよびＡｇ合金からなる群から選ばれた少なくとも１つの層を含む金属膜を形成する工程、および
前記エッチング液組成物によって前記アモルファス酸化物膜上の金属膜の選択エッチングを行うエッチング工程、
を含むことを特徴とする、前記薄膜トランジスタの製造方法に関する。
本発明によれば、アンモニア水等のアルカリ性のエッチング液組成物を用いることによって、一般的なＡｌまたはＡｌ合金およびＭｏまたはＭｏ合金のエッチング液であるリン酸、硝酸、酢酸等の酸性のエッチング液では得られなかった、アモルファス酸化物膜とＡｌ、Ａｌ合金等の金属膜との間で高い選択比を得ることができる。本発明のエッチング液組成物は、いずれのアモルファス酸化物膜を含む積層膜にも用いることができるが、特に、従来のエッチング液組成物ではエッチングされる、アモルファス透明導電膜を含む積層膜に用いるのが有効である。
本発明のエッチング液組成物は、アモルファス酸化物膜と、Ａｌ、Ａｌ合金、Ｃｕ、Ｃｕ合金、Ａｇ、Ａｇ合金等からなる金属膜（第１の金属膜）とを含む積層膜から、第１の金属膜を選択的にエッチングするエッチング液組成物である。第１の金属膜は単一の膜であっても２種以上の膜が積層されていてもよい。本発明のエッチング液組成物は、特にＡｌ膜またはＡｌ合金膜に好適に用いることができる。Ａｌ合金としては、ＡｌＮｄ、ＡｌＮｉ、ＡｌＣｒ、ＡｌＦｅ、ＡｌＴｉ、ＡｌＣｅ等が例示される。Ｃｕ合金としては、ＣｕＭｏ、ＣｕＺｒ、ＣｕＭｎ、ＣｕＡｕ、ＣｕＭｇ、ＣｕＡｌ、ＣｕＳｉ、ＣｕＮｉ、ＣｕＴｉ、ＣｕＣｏ等が例示される。Ａｇ合金としては、ＡｇＭｏ、ＡｇＺｒ、ＡｇＳｉ、ＡｇＧｅ、ＡｇＣｕ、ＡｇＳｎ、ＡｇＢｉ、ＡｇＰｄ、ＡｇＮｄ、ＡｇＰｄＣｕ等が例示される。また積層膜は、Ａｌ金属の酸化を防止するために、Ｍｏ、Ｍｏ合金（ＭｏＷ、ＭｏＮ、ＭｏＮｂ、ＭｏＡｇ、ＭｏＴｉ、ＭｏＺｒ、ＭｏＶ、ＭｏＣｒ等）、Ｔｉ、Ｔｉ合金（ＴｉＮ、ＴｉＶ、ＴｉＷ、ＴｉＭｏ等）等の第２の金属膜をさらに含んでもよく、該第２の金属膜も上記第１の金属膜と同時に一括エッチングすることができる。特に、Ｍｏ膜またはＭｏＷ膜に好適に用いることができる。第２の金属膜は、単一の膜であっても２種以上の膜であってもよく、また、アモルファス酸化物膜上に直接設けられていても、Ａｌ、Ａｌ合金等からなる第１の金属膜を介して該第１の金属膜上に設けられていてもよく、さらに、アモルファス酸化物膜上に、第２の金属膜、第１の金属膜および第２の金属膜が順次積層されていてもよい。
アモルファス酸化物膜には、透明導電膜およびアモルファス酸化物半導体膜が含まれる。
透明導電膜は特に限定されず、ｐ−ＩＴＯばかりでなく、α−ＩＴＯ、ＩＺＯ、酸化亜鉛、酸化錫等を含む透明導電膜であってもよい。本発明のエッチング液組成物は、特にα−ＩＴＯ、ＩＺＯ、酸化亜鉛、酸化錫等に好適に用いることができる。
本発明に用いることができるアモルファス酸化物半導体膜は、Ｇａ、ＺｎおよびＳｎの少なくとも１つとＩｎとを含む。
以下の説明では、記述を簡潔するため、Ｉｎ、ＧａおよびＺｎを含む酸化物（Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ）は以降ＩＧＺＯで記す。同様に、ＩｎおよびＺｎを含む酸化物（Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ）は以降ＩＺＯで記し、Ｉｎ、ＳｎおよびＺｎを含む酸化物（Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ）は以降ＩＴＺＯで記す。
本発明に用いられるアモルファス酸化物半導体膜は、Ａｌ、Ｓｂ、Ｃｄ、Ｇｅ、Ｐ、Ａｓ、ＮおよびＭｇから選択される不純物の１種以上がＩＺＯ、ＩＧＺＯ、ＩＴＺＯなどに添加されていてもよい。但し、この場合、半導体膜の特性に悪影響を与える場合があるので許容される上記不純物の含有量は１０原子％以下である。
本発明においては、Ｇａ、ＺｎおよびＳｎの少なくとも１つとＩｎと酸素（Ｏ）との合計が９０原子％以上が好ましく、９５原子％以上がより好ましく、最適には９９原子％以上である。
また、本発明に用いられるＩＧＺＯにおけるＧａ原子とＺｎ原子とは、少なくとも５原子％以上含まれることが好ましく、１０原子％以上含まれることがより好ましいものである。また、ＩＧＺＯにおけるＧａ原子とＺｎ原子とは、おおくても４０原子％未満含まれることがより好ましい。
また、本発明に用いられるＩＺＯにおける、Ｚｎ原子は、少なくとも２０原子％以上含まれることが好ましく、３０原子％以上含まれることがより好ましいものであり、７０原子％未満含まれることが好ましい。
あるいは、本発明に用いられるＩＴＺＯにおける、Ｓｎ原子は、少なくとも２原子％以上含まれることが好ましく、５原子％以上含まれることがより好ましいものである。Ｓｎ原子は、多くても２０原子％未満含まれることが好ましく、１５原子％未満含まれることがより好ましい。また、Ｚｎ原子は、少なくとも２０原子％以上含まれることが好ましく、３０原子％以上含まれることがより好ましいものであり、７０原子％未満含まれることが好ましい。
本発明に用いられるアモルファス酸化物半導体膜の材料としては、電子キャリア濃度が１０１８／ｃｍ３未満のアモルファス酸化物半導体であることが好ましい。また、本発明において、当該アモルファス酸化物とは、アモルファス酸化物膜中にＩＧＺＯ、ＩＺＯ、ＩＴＺＯなどの微結晶領域を含むものであってもよい。具体的には、上記アモルファス酸化物膜はＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏを含み構成されるものであり、仮に結晶であるとすると、その組成がＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍは２から６の自然数）で表される。また、上記アモルファス酸化物膜はＩｎ−Ｚｎ−Ｏを含み構成されるものであり、仮に結晶であるとすると、その組成がＩｎ２Ｏ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍは２から６の自然数）で表される。また、上記アモルファス酸化物膜はＩｎ−Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏを含み構成されるものであり、仮に結晶であるとすると、その組成がＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍは２から６の自然数）やＳｎ２ＺｎＯ３、ＳｎＺｎ２Ｏ４で表される。
本発明のエッチング液は、特にＡｌ膜または、Ａｌ合金に好適に用いることができる。Ａｌ合金としては、ＡｌＮｄ、ＡｌＮｉ、ＡｌＣｒ、ＡｌＦｅ、ＡｌＴｉ、ＡｌＣｅなどが例示される。Ｃｕ合金としては、ＣｕＭｏ、ＣｕＺｒ、ＣｕＭｎ、ＣｕＡｕ、ＣｕＭｇ、ＣｕＡｌ、ＣｕＳｉ、ＣｕＮｉ、ＣｕＴｉ、ＣｕＣｏなどが例示される。Ａｇ合金としては、ＡｇＭｏ、ＡｇＺｒ、ＡｇＳｉ、ＡｇＧｅ、ＡｇＣｕ、ＡｇＳｎ、ＡｇＢｉ、ＡｇＰｄ、ＡｇＮｄ、ＡｇＰｄＣｕなどが例示できる。また、積層膜は、Ａｌの酸化を防止するために、Ｍｏ、Ｍｏ合金（ＭｏＷ、ＭｏＮｂ、ＭｏＡｇ、ＭｏＴｉ、ＭｏＺｒ、ＭｏＣｒなど）、Ｔｉ、Ｔｉ合金（ＴｉＷ、ＴｉＭｏＴｉＮなど）の第二の金属膜を含んでもよいし、これら、第二の金属膜の単独膜でも良い。当該第二の金属膜と同時に第一の金属膜も同時に一括エッチングすることができる。
上記金属膜は、当該アモルファス酸化物半導体膜の上に形成され得る。具体的には、２層構造の基板／ＩＺＯ／金属膜、基板／ＩＧＺＯ／金属膜、基板／ＩＴＺＯ／金属膜に対し、良好な選択エッチングができる。特に、基板／ＩＧＺＯ／金属膜、基板／ＩＴＺＯ／金属膜に対し、さらに良好な選択エッチングができる。
エッチング速度を速め、酸化物半導体と金属膜との間の良好なエッチング選択比を得るためには、過酸化水素、過マンガン酸カリウム、過硫酸アンモニウム、ペルオキソ二硫化アンモニウムなどの酸化剤を添加することが好ましい。酸化剤を添加することによりＭｏ、Ｍｏ合金、Ｃｕ、Ｃｕ合金、Ａｇ、Ａｇ合金、Ｍｏ、Ｍｏ合金、Ｔｉ、Ｔｉ合金などの金属膜のエッチングを促進することができる。
本発明のエッチング液組成物は、ＦＦＳ、ＩＰＳモード等の液晶表示板または半透過半反射型液晶表示板を製造する際の積層膜をエッチングする工程に用いることができる。かかる積層膜は、具体的には図１に示すようにガラス等の基板の上に透明導電膜、Ａｌ、Ａｌ合金等の金属配線の膜、およびＭｏ、ＭｏＷ合金等の酸化防止膜を積層した積層膜が挙げられる。
本発明のエッチング液組成物は、アルカリを含有する。本発明に用いるアルカリは、エッチング液組成物をアルカリ性にするものであればよく、有機アルカリであっても無機アルカリであってもよい。有機アルカリとしては、ＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）等が挙げられる。無機アルカリとしては、アンモニア、ＮａＯＨ、ＫＯＨ、ＮａＨＣＯ３等が挙げられる。中でもアンモニアが特に好ましい。本発明のエッチング液組成物は、上記アルカリおよび溶媒から主に構成される。溶媒は水性溶媒が好ましく、特に水が好ましい。
エッチング液組成物のｐＨは、好ましくは７〜１２であり、より好ましくは８〜１１である。ｐＨが低いとＡｌのエッチングが進まず、ｐＨが高すぎるとレジストが剥がれてしまう。
エッチング液組成物中のアルカリの濃度は、好ましくは０．０１〜２５重量％であり、より好ましくは１〜１０重量％である。アルカリ濃度が、０．０１重量％未満の場合、Ａｌのエッチングが進まず、２５重量％を超えた場合は、レジストが剥がれてしまう場合がある。エッチング液組成物がアンモニア水の場合、アルカリ濃度は好ましくは０．０１〜２５重量％であり、より好ましくは１〜１０重量％であり、さらに好ましくは１〜７重量％である。
アモルファス酸化物半導体膜を含む積層膜に用いる場合、エッチング液組成物中のアルカリの濃度は、好ましくは０．０１〜５重量％であり、より好ましくは、１〜５重量％である。アルカリ濃度が５重量％を超える場合、金属膜とアモルファス酸化物半導体膜の選択エッチングが難しくなる場合がある。
エッチング液組成物がアンモニアの場合、アルカリ濃度は好ましくは０．０１〜５重量％であり、より好ましくは、１〜５重量％であり、さらに好ましくは、１〜４重量％である。
アルカリの濃度を上記本発明の濃度範囲に調整することにより、ＩＧＺＯ対金属膜、ＩＺＯ対金属膜およびＩＴＺＯ対金属膜のエッチング選択比はそれぞれ１０から１００となる。１０以上あれば、概ね選択エッチングが可能となる。また、一部のアモルファス酸化物半導体膜の上部がエッチングされても、半導体特性には大きな影響はない。その場合、エッチングされるアモルファス酸化物半導体膜の厚みは、少なくとも３０％未満に抑える。より好ましくは２０％未満、さらに好ましくは１０％未満に抑えるのがよい。
なお、本発明は、前記ＩＺＯ、ＩＧＺＯ、ＩＴＺＯなどのインジウム酸化物半導体膜を半導体活性層として用いて、半導体素子を製造する場合には、生産歩留まりを向上させることができる。特に大面積な基板上に半導体素子を製造する場合に有効である。
本発明のエッチング工程においては、ネガレジストやポジレジストのいずれを用いても良い。ポジレジストをエッチングマスクとして使う場合、アンモニアを含むエッチング液組成物は当該ポジレジストを剥離する恐れがあるので、長時間の浸漬エッチングは好ましくない。従って、アンモニアの濃度が２０重量％のように高い溶液を用いる場合にはエッチング時間は３０分以下が望ましく、１５分以下がより望ましい。
レジストの剥離問題を回避するため、エッチングマスクの材料としては、アルカリ液に耐性が強いネガレジスト、例えば、感光性ポリイミドを用いることも好ましいものである。
本発明のエッチング液組成物は、エッチング速度を速め、アモルファス酸化物膜と金属膜との間の良好なエッチング選択比を得るために、さらに過酸化水素、過マンガン酸カリウム、過硫酸アンモニウム、ペルオキソ二硫酸アンモニウム等の酸化剤を含有するのが好ましい。酸化剤としては、特に過酸化水素が好ましい。エッチング液組成物に酸化剤を添加することによりＭｏ、Ｍｏ合金、Ｃｕ、Ｃｕ合金、Ａｇ、Ａｇ合金、Ｔｉ、Ｔｉ合金等からなる金属膜のエッチングを促進することができる。
エッチング液組成物中の酸化剤の濃度は、好ましくは０．０１〜２０重量％であり、より好ましくは１〜１０重量％である。０．０１重量％未満では、過酸化水素の添加効果がなく、金属膜のエッチング速度を高く出来ず、アモルファス酸化物膜との選択エッチングができなくなる場合がある。２０重量％超では、金属膜表面が酸化されたりし、金属膜表面が不導化する場合がある。
酸化剤が過酸化水素の場合、エッチング液組成物中の過酸化水素の濃度は、好ましくは０．０１〜２０重量％であり、より好ましくは１〜１０重量％であり、さらに好ましくは１〜５重量％である。
本発明のエッチング液組成物は、アモルファス酸化物膜上に形成された、Ａｌ、Ａｌ合金、Ｃｕ、Ｃｕ合金、ＡｇおよびＡｇ合金からなる群から選ばれた少なくとも１つからなる金属膜を選択的にエッチングする。エッチング液組成物を液晶表示板、液晶表示装置等のエッチング工程に使用するためには、金属膜の下に形成されたアモルファス酸化物膜をできるだけ傷つけないほうが好ましく、そのためにエッチング選択比（金属の膜のエッチング速度／アモルファス酸化物膜のエッチング速度）を、好ましくは２以上、より好ましくは５以上、特に好ましくは１０以上とする。
本発明のエッチング液組成物は、本発明の効果を損わない範囲で必要に応じてさらにキレート剤、界面活性剤等の他の成分を含んでもよい。キレート剤としてはＥＤＴＡ（エチレンジアミン四酢酸）、ＤＴＰＡ（ジエチレントリアミン五酢酸）、それらの塩等が挙げられる。これらのキレート剤は過酸化水素の分解を抑制する効果を有する。また、界面活性剤は、ノニオン系界面活性剤またはアニオン系界面活性剤が好ましい。
本発明のエッチング工程におけるエッチング液組成物の温度は、室温（約２０℃）のであり得る。一方で、ＩＺＯ、ＩＧＺＯ、ＩＴＺＯなどのアモルファス酸化物半導体膜の熱伝導度は温度よって大きく変化するため、エッチング工程中にできるだけ温度を変動させない方が好ましい。また、エッチング液組成物の温度が高いと、前記アンモニアおよび水分が蒸発して濃度の変動が起こるため、エッチング工程温度は６０℃以下にすることが好ましい。さらにエッチング工程温度を５０℃以下にすることがより好ましい。
以下、本発明のエッチング工程が採用され得る薄膜トランジスタの構成について説明する。
図２はボトムゲート型薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の断面概略図である。図２に示すように１は、ガラス、石英ガラス、表面に絶縁層を形成したシリコンなどの基板である。４、５はそれぞれ、Ａｌ、Ａｌ合金、Ｃｕ、Ｃｕ合金、Ａｇ、Ａｇ合金、Ｍｏ、Ｔｉからなる群から選ばれた少なくとも１つからなる金属膜からなるソース電極およびドレイン電極である。６はＩＧＺＯ、ＩＴＺＯ、ＩＺＯなどのアモルファス酸化物半導体膜からなる半導体層（活性層またはチャネル層と呼ばれる）である。また、３は誘電体材料からなるゲート絶縁層、２はＡｌ、Ａｌ合金、Ｃｕ、Ｃｕ合金、Ａｇ、Ａｇ合金、Ｍｏ、Ｔｉからなる群から選ばれた少なくとも１つからなる金属膜からなるゲート電極である。Ｌはチャネル長である。本発明のエッチング工程は、Ａｌ、Ａｌ合金、Ｃｕ、Ｃｕ合金、Ａｇ、Ａｇ合金、Ｍｏ、Ｔｉからなる群から選ばれた少なくとも１つからなる金属膜からなるドレイン電極およびソース電極のエッチングの際に好適に用いられる。
（薄膜トランジスタの製造方法）
以下図３を参照して、ボトムゲート型ＴＦＴの製造方法について説明する。
図３（ａ）に示すように、基板１として、例えば、５００μｍ厚さのガラス（Ｃｏｒｎｉｎｇ１７３７、ガラス転移温度６４０℃）を用いる。そして、基板表面に、例えば、膜厚２５０ｎｍのＡｌ／膜厚５０ｎｍのＭｏ多層膜をスパッタ法で成膜する。次に、リン酸・酢酸・硝酸の混酸によりエッチングしてパターニングを行いＡｌ／Ｍｏ金属膜のゲート電極２を形成する。
図３（ｂ）に示すように、ゲート電極２上にスパッタによりＳｉＯ２を成膜し、ゲート絶縁層３を膜厚３００ｎｍで成膜し、続いてＩＧＺＯ膜をＩＧＺＯ酸化物ターゲットを用いてスパッタ法で膜厚５０ｎｍで成膜する。上記ＩＧＺＯ膜としては、電子キャリア濃度は１０１８／ｃｍ３未満のものを用いることが好ましい。また、空気中で、２００〜３００℃にて、１０〜１００分程度、熱処理するのが良い。
その後、レジストパターンを形成後、シュウ酸（２ｗｔ％）水溶液にて、エッチングして、酸化物半導体のアイランドを形成する。
図３（ｃ）は、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏの積層膜をそれぞれ５０ｎｍ／２００ｎｍ／５０ｎｍ厚みに成膜し、レジストパターンを形成し、酸化剤を含むアルカリ性エッチング液組成物、具体的には、アンモニア（３重量％）、過酸化水素（５重量％）の水溶液にて、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏ積層膜をエッチングする。酸化剤を含むアルカリ性のエッチング液組成物によって、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏ積層膜からなるソース・ドレイン電極を形成する。この際に、室温で濃度３重量％のアンモニアおよび過酸化水素の濃度５重量％の水溶液を用いる場合、ＩＧＺＯ対Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏ積層膜のエッチング選択比は１０：１である。即ち、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏ積層膜のエッチング速度が十分に大きく、ＩＧＺＯのエッチング速度が十分に小さいため、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏは選択的にエッチング除去され、ＩＧＺＯはほとんどエッチングされない。
金属膜は、Ｃｕ、Ｃｕ合金、Ａｇ、Ａｇ合金、Ｍｏ、Ｔｉからなる群から選ばれた少なくとも１つからなる金属膜なども好適に使用される。
シリコン酸化膜（ＳｉＯ２）の代わりにゲート絶縁膜３として、窒化酸化シリコン膜（ＳｉＮＯｘ）、酸化ハフニウム膜（ＨｆＯ２）、酸化ハフニウムアルミニウム膜（ＨｆＡｌＯｘ）、窒化酸化ハフニウムシリコン膜（ＨｆＳｉＯＮｘ）、酸化イトリウム膜（Ｙ２Ｏ３）などを誘電体材料を用いることも可能である。これら、誘電材料は、誘電率が高く、ゲート絶縁層には、好適に使用される。
このようにして、活性層がインジウムを含む酸化物で構成された薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）ができる。
金属膜および透明導電膜を有する積層膜を含む液晶表示板の一例を示す断面図である。 ボトムゲート型薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の断面概略図である。 ボトムゲート型ＴＦＴの製造方法を示す図である。 本発明のエッチング液組成物を用いて透明導電膜をエッチングしたときの浸漬時間に対する抵抗値の変化を示すグラフである。 本発明のエッチング液組成物を用いてエッチングしたときのボトムゲート型ＴＦＴの断面概略図である。 ボトムゲート型ＴＦＴの特性を示すグラフである。 リン酸・酢酸・硝酸の混酸のエッチング液組成物を用いてエッチングしたときのボトムゲート型ＴＦＴの断面概略図である。
符号の説明
１ ガラス
２ ゲート電極
３ ゲート絶縁層
４ 金属膜（ソース電極）
５ 金属膜（ドレイン電極）
６ 半導体層
７ ハードドープＳｉ基板
本発明を以下の実施例によりさらに詳細に説明するが、本発明はそれらの実施例に限定されるものではない。
実施例１
２００ｍｌのビーカーにアンモニア水（２９重量％）４８．３ｇと、過酸化水素水（３１重量％）９．７ｇと、水１４２ｇとを加え、アンモニア７重量％、過酸化水素１．５重量％の水溶液２００ｇからなるエッチング液組成物を調製した。
（評価実験１）
調製したアルカリ性エッチング液組成物に、パターン付きポジレジスト／Ａｌ（２０００Å）／Ｍｏ（５００Å）／ＩＺＯ（５００Å）／ガラスからなる基板を沈め、目視によりＡｌ／Ｍｏ積層膜のジャストエッチング時間を測定し、Ａｌ／Ｍｏ積層膜のエッチング速度を求めた。結果を表１に示す。
実施例２〜１５
アンモニアおよび過酸化水素の濃度を表１に示す濃度とした以外、実施例１と同様にしてエッチング液組成物を調製した。調製したエッチング液組成物について、実施例１と同様に評価実験１を行い、Ａｌ／Ｍｏ積層膜のエッチング速度を求めた。結果を表１に示す。
Figure 2009066750
比較例１〜４
アンモニアおよび過酸化水素の代わりに、リン酸、硝酸および酢酸を用い、表２に示す濃度とした以外、実施例１と同様にしてエッチング液組成物を調製した。調製したエッチング液組成物について、実施例１と同様に評価実験１を行い、Ａｌ／Ｍｏ積層膜のエッチング速度を求めた。結果を表２に示す。
Figure 2009066750
（評価実験２）
実施例１、１４〜１５および比較例１〜４のエッチング液組成物を用い、ＩＺＯ膜をエッチングし、膜厚を測定することによりエッチング速度およびエッチング選択比を測定した。結果を表３に示す。
Figure 2009066750
実施例１６
アンモニア７重量％となるようにアンモニアおよび水を加えた以外、実施例１と同様にして表４に示すエッチング液組成物を調製した。
Figure 2009066750
（評価実験３）
実施例１および表４に示す実施例１６のエッチング液組成物の、Ａｌ、Ｃｕ、ＩＺＯ、ｐ−ＩＴＯまたはα−ＩＴＯ膜に対するエッチング速度を測定した。結果を表５に示す。また、エッチング選択比を表６に示す。
Figure 2009066750
Figure 2009066750
上記のように従来の酸系エッチング液ではＡｌ／ＭｏとＩＺＯの選択比が０．５〜１．９：１であり、３０秒程度のエッチングでほとんどのＩＺＯ膜が消失した。一方、本発明のアルカリ系エッチング液組成物を使用することによって透明導電膜のエッチングを抑えることができ、２以上のエッチング選択比を得ることができた。また、Ａｌとの選択的エッチングはα−ＩＴＯ、ｐ−ＩＴＯ等でも可能である。
実施例１のエッチング液組成物に浸漬することによる抵抗値の変化を図４に示す。
上記のように本発明のアルカリ性エッチング液組成物は、抵抗値の変化がほとんどなく、液晶装置はもとよりＰＤＰ、ＥＬ発光表示装置、タッチパネル、太陽電池等の透明電極として好適である。
実施例１７
２００ｍｌのビーカーにアンモニア水（２９重量％）３４．５ｇと、過酸化水素水（３１重量％）９．７ｇと水１５５．８ｇとを加え、アンモニア５重量％、過酸化水素１．５重量％の水溶液２００ｇからなるエッチング液組成物を調製した。
（評価実験４）
調製したアルカリ性エッチング液組成物に、パターン付きポジレジスト／Ａｌ（２００ｎｍ）／Ｍｏ（５０ｎｍ）／酸化物半導体（Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ）＝０．４０、Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ）＝０．１５、Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ）＝０．４５（５０ｎｍ）／熱酸化膜（３００ｎｍ）付きハードドープシリコン基板）からなる基板を沈め、目視により、Ａｌ／Ｍｏ積層膜のエッチング時間を測定し、Ａｌ／Ｍｏ積層膜のエッチング速度を求めた。結果を表７に示す。
実施例１８〜２６
アンモニア濃度および過酸化水素濃度を表７に示す濃度とした以外は、実施例１７と同様にして、エッチング液組成物を調製した。調製したエッチング液組成物について、実施例１７と同時に評価実験を行い、Ａｌ／Ｍｏ積層膜のエッチング速度を求めた。結果を表７に示す。
Figure 2009066750
（評価実験５）
実施例２４〜２６のエッチング液組成物を用いて、ＩＧＺＯ膜（Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ）＝０．４０、Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ）＝０．１５、Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ）＝０．４５）をエッチングし、膜厚を測定することによりエッチング速度およびエッチング選択比を測定した。結果を表８に示す。
Figure 2009066750
（評価実験６）
実施例２４〜２６のエッチング液組成物を用いて、ＩＴＺＯ膜（Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）＝０．４５、Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）＝０．１０、Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）＝０．４５）をエッチングし、膜厚を測定することによりエッチング速度およびエッチング選択比を測定した。結果を表９に示す。
Figure 2009066750
（評価実験７）
実施例２４〜２６のエッチング液組成物を用いて、ＩＺＯ膜（Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．６５、Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．３５）をエッチングし、膜厚を測定することによりエッチング速度およびエッチング選択比を測定した。結果を表１０に示す。
Figure 2009066750
実施例３６
熱酸化膜（３００ｎｍ）付きハードドープシリコン基板からなる基板上に、ＩＴＺＯ膜（Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）＝０．４５、Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）＝０．１０、Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）＝０．４５）膜をスパッタにより５０ｎｍ成膜し、成膜後、空気中で３００℃、１時間の熱処理を行った。上記基板にＭｏ／Ａｌ膜をそれぞれ５０ｎｍ／２００ｎｍ厚みで成膜し、レジスト塗布し、８０℃にてプリベークを行い、ソース・ドレイン電極形状を形成するためのマスクを通して露光を行い、ＴＭＡＨにて、現像後、１３０℃にてポストベークを行い、実施例２４のエッチング液組成物にてソース・ドレイン電極を形成し（図５）、チャンネル長：２００μｍ、チャンネル幅：５００μｍの薄膜トランジスタ素子を作成し、ケースレーインスツルメント社製半導体特性評価装置４２００−ＳＣＳを用いて、半導体特性を評価したところ、Ｏｎ／Ｏｆｆ値＝１０９、電界効果移動度＝２５ｃｍ２／Ｖ・ｓｅｃ、閾値電圧（Ｖｔｈ）＝７Ｖ、Ｓ値＝０．８であった。このことから、薄膜トランジスタとして十分機能（図６）することが分かった。
上記で得られたＩＴＺＯ膜（Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）＝０．４５、Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）＝０．１０、Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）＝０．４５）膜のＸ線回折より結晶性をみたところ、ピークは観察されず、非晶質であることが判明した。また、Ｈａｌｌ測定（東洋テクニカ社製：RESITEST8300）により、キャリヤー密度を見積もったところ、キャリヤー密度は、２×１０１６／ｃｍ３であった。
比較例５
熱酸化膜（３００ｎｍ）付きハードドープシリコン基板からなる基板上に、ＩＧＺＯ膜（Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ）＝０．４０、Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ）＝０．１５、Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ）＝０．４５）膜をスパッタにより５０ｎｍ成膜し、成膜後、空気中で３００℃、１時間の熱処理を行った。上記基板にＭｏ／Ａｌ膜をそれぞれ５０ｎｍ／２００ｎｍ厚みで成膜し、レジスト塗布し、８０℃にてプリベークを行い、ソース・ドレイン電極形状を形成するためのマスクを通して露光を行い、ＴＭＡＨにて、現像後、１３０℃にてポストベークを行い、リン酸・酢酸・硝酸の混酸のエッチング液組成物にてソース・ドレイン電極を形成し、チャンネル長：２００μｍ、チャンネル幅：５００μｍの薄膜トランジスタ素子の形成を試みたが、チャンネル部のＩＧＺＯ膜は、全てエッチングされ、薄膜トランジスタ素子の形成には至らなかった。図７参照。
本発明のエッチング液組成物は、Ａｌ、Ａｌ合金等からなる金属膜と各種アモルファス酸化物膜との積層膜において、アモルファス酸化物膜上の金属膜を選択的にエッチングすることができ、従来できなかったアモルファス透明導電膜であっても高い選択比を得ることができ、ＦＦＳ、ＩＰＳモード等の液晶表示板または半透過半反射型液晶表示板を製造する際に用いることができる。また、本発明のエッチング液組成物は、抵抗値の変化はほとんどないことから、液晶装置はもとよりＰＤＰ、ＥＬ発光表示装置、タッチパネル、太陽電池等の透明電極としても用いることができる。

Claims (20)

  1. アモルファス酸化物膜と、Ａｌ、Ａｌ合金、Ｃｕ、Ｃｕ合金、ＡｇおよびＡｇ合金からなる群から選ばれた少なくとも１つからなる金属膜とを含む積層膜から、該金属膜を選択的にエッチングするエッチング液組成物であって、アルカリを含有する水溶液からなる、前記エッチング液組成物。
  2. 積層膜が、さらにＭｏ、Ｍｏ合金、ＴｉおよびＴｉ合金からなる群から選ばれた少なくとも１つからなる金属膜を含み、該金属膜も同時にエッチングする、請求項１に記載のエッチング液組成物。
  3. アルカリがアンモニアである、請求項１または２に記載のエッチング液組成物。
  4. さらに酸化剤を含有する、請求項１〜３のいずれかに記載のエッチング液組成物。
  5. 酸化剤が過酸化水素である、請求項４に記載のエッチング液組成物。
  6. アモルファス酸化物膜が、透明導電膜またはアモルファス酸化物半導体膜であって、前記透明導電膜が、α−ＩＴＯ、ＩＺＯ、酸化亜鉛または酸化錫を含む透明導電膜であり、前記アモルファス酸化物半導体膜が、ガリウム、亜鉛およびスズの少なくとも１つとインジウムとを含むアモルファス酸化物半導体膜である、請求項１〜５のいずれかに記載のエッチング液組成物。
  7. エッチング液組成物中のアンモニアの濃度が、０．０１〜２５重量％である、請求項６に記載のエッチング液組成物。
  8. エッチング液組成物中の過酸化水素の濃度が、０．０１〜２０重量％である、請求項６に記載のエッチング液組成物。
  9. アモルファス酸化物膜が、ガリウム、亜鉛およびスズの少なくとも１つとインジウムとを含むアモルファス酸化物半導体膜であり、エッチング液組成物中のアンモニアの濃度が、０．０１〜５重量％である、請求項６に記載のエッチング液組成物。
  10. アモルファス酸化物膜が、ガリウム、亜鉛およびスズの少なくとも１つとインジウムとを含むアモルファス酸化物半導体膜であり、エッチング液組成物中の過酸化水素の濃度が、０．０１〜１０重量％である、請求項６に記載のエッチング液組成物。
  11. 液晶表示板の製造に用いる、請求項１〜１０のいずれかに記載のエッチング液組成物。
  12. ＦＦＳもしくはＩＰＳモードの液晶表示板、または半透過半反射型液晶表示板の製造に用いる、請求項１〜１１のいずれかに記載のエッチング液組成物。
  13. アモルファス酸化物膜と、Ａｌ、Ａｌ合金、Ｃｕ、Ｃｕ合金、ＡｇおよびＡｇ合金からなる群から選ばれた少なくとも１つからなる金属膜とを含む積層膜において、請求項１〜１２のいずれかに記載のエッチング液組成物を用いることにより、該金属膜が選択的にエッチングされた、前記積層膜。
  14. 請求項１３に記載の積層膜を有する、液晶表示板。
  15. 請求項１４に記載の液晶表示板を有する、液晶表示装置。
  16. アモルファス酸化物膜と、Ａｌ、Ａｌ合金、Ｃｕ、Ｃｕ合金、ＡｇおよびＡｇ合金からなる群から選ばれた少なくとも１つからなる金属膜とを含む積層膜のエッチング方法であって、請求項１〜１２のいずれかに記載のエッチング液組成物によって該金属膜を選択的にエッチングを行うことを特徴とする、前記エッチング方法。
  17. 積層膜が、さらにＭｏ、Ｍｏ合金、ＴｉおよびＴｉ合金からなる群から選ばれた少なくとも１つからなる金属膜を含み、該金属膜も同時にエッチングする、請求項１６に記載のエッチング方法。
  18. アモルファス酸化物膜上のＡｌ、Ａｌ合金、Ｃｕ、Ｃｕ合金、ＡｇおよびＡｇ合金からなる群から選ばれた少なくとも１つの層を含む金属膜のパターン形成方法であって、アモルファス酸化物膜を形成する工程、前記アモルファス酸化物膜上に金属膜を形成する工程、および請求項１〜１２のいずれかに記載のエッチング液組成物によって前記アモルファス酸化物膜上の金属膜の選択エッチングを行うエッチング工程、を含むことを特徴とする、前記パターン形成方法。
  19. 請求項１〜１２のいずれかに記載のエッチング液組成物を用いたエッチング工程を含む、液晶表示板の製造方法。
  20. ソースおよびドレイン電極、ゲート電極、ゲート絶縁層ならびに半導体層を形成する工程を含む薄膜トランジスタの製造方法であって、前記半導体層の形成工程が、アモルファス酸化物膜を形成する工程、前記アモルファス酸化物膜上にＡｌ、Ａｌ合金、Ｃｕ、Ｃｕ合金、ＡｇおよびＡｇ合金からなる群から選ばれた少なくとも１つの層を含む金属膜を形成する工程、および請求項１〜１２のいずれかに記載のエッチング液組成物によって前記アモルファス酸化物膜上の金属膜の選択エッチングを行うエッチング工程、を含むことを特徴とする、前記薄膜トランジスタの製造方法。
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