JPS63303084A - チタン用エッチング液 - Google Patents
チタン用エッチング液Info
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- JPS63303084A JPS63303084A JP62138939A JP13893987A JPS63303084A JP S63303084 A JPS63303084 A JP S63303084A JP 62138939 A JP62138939 A JP 62138939A JP 13893987 A JP13893987 A JP 13893987A JP S63303084 A JPS63303084 A JP S63303084A
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- Pending
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Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体基板上において湿式エツチングにより
チタン膜をエツチング加工する際に使用するエツチング
液に関する。
チタン膜をエツチング加工する際に使用するエツチング
液に関する。
金属膜の加工法として、フォトレジストを使用したりフ
トオフ法とエツチング法がある。
トオフ法とエツチング法がある。
リフトオフ法は、金属蒸着前にフォトレジストのバター
ニング工程が入るため、基板上の汚れによって基板−金
属膜間（界面）の接着性が低下するという問題がある。
ニング工程が入るため、基板上の汚れによって基板−金
属膜間（界面）の接着性が低下するという問題がある。
一方、エツチング法は、基板上に金属膜を全面蒸着した
後にフォトレジストをマスクとしてエツチングを行うの
で、界面の汚染による接着性の低下はない。
後にフォトレジストをマスクとしてエツチングを行うの
で、界面の汚染による接着性の低下はない。
このエツチング法は乾式と湿式に分けることができ、こ
の内、乾式エツチング法は更に反応性イオンエツチング
法とスパッタエツチング法等に分けることができ、いず
れもサイドエッチがな（寸法精度が高いという長所があ
る。
の内、乾式エツチング法は更に反応性イオンエツチング
法とスパッタエツチング法等に分けることができ、いず
れもサイドエッチがな（寸法精度が高いという長所があ
る。
反応性イオンエツチング法は第４図に示すように、シリ
コン単結晶板１の上に設けた被エツチング膜２の上にそ
の被エツチング膜２よりも反応性スパッタ率の小さなマ
スク材３をフォトレジスト４によりパターニング形成し
、マスク材３に比べて被エツチング膜２が早くエツチン
グされることにより、その膜２の加工を行うものである
。
コン単結晶板１の上に設けた被エツチング膜２の上にそ
の被エツチング膜２よりも反応性スパッタ率の小さなマ
スク材３をフォトレジスト４によりパターニング形成し
、マスク材３に比べて被エツチング膜２が早くエツチン
グされることにより、その膜２の加工を行うものである
。
スパッタエツチング法は、第５図に示すように、被エツ
チング膜２のエツチングする部分をフォトレジスト４で
被覆して被エツチング膜２よりも厚くマスク材としての
金メッキＮ５を形成し、フォトレジスト４を除去した後
にエツチングを開始して、その金メッキ層５が完全にエ
ツチングされる前に被エツチング膜２の加工を終了させ
るものであり、材料によってエツチング速度が変化せず
、均一なエツチングを行うことができる。
チング膜２のエツチングする部分をフォトレジスト４で
被覆して被エツチング膜２よりも厚くマスク材としての
金メッキＮ５を形成し、フォトレジスト４を除去した後
にエツチングを開始して、その金メッキ層５が完全にエ
ツチングされる前に被エツチング膜２の加工を終了させ
るものであり、材料によってエツチング速度が変化せず
、均一なエツチングを行うことができる。
ところが、上記した乾式エツチングの場合はいずれも、
マスク材がエツチングされるという問題の他にエツチン
グが真空条件下で行われる点やエツチング後に露出した
基板表面にダメージ（結晶欠陥）が残るという問題があ
る。
マスク材がエツチングされるという問題の他にエツチン
グが真空条件下で行われる点やエツチング後に露出した
基板表面にダメージ（結晶欠陥）が残るという問題があ
る。
一方、湿式エツチングは、フォトレジストをマスクとし
てエツチングすることができ、ダメージが残ることもな
く、簡単にエツチングすることができる。
てエツチングすることができ、ダメージが残ることもな
く、簡単にエツチングすることができる。
そして、チタンの場合には、湿式エツチングの？夜とし
ては）ｌｚｓＱ４、ＨＣｌ、 ＩＩＦＳｔｈＰＯｎ 、
ＨＦ−ｔｌＮＯｘ−ＨｔＯ系が知られていた。
ては）ｌｚｓＱ４、ＨＣｌ、 ＩＩＦＳｔｈＰＯｎ 、
ＨＦ−ｔｌＮＯｘ−ＨｔＯ系が知られていた。
しかし、このようなエツチング液の内、フッ酸以外の酸
ではエツチング速度が遅く、またそのフッ酸系は半導体
基板上のＳｉ０ｇ酸化膜までもエツチングするという欠
点があった。
ではエツチング速度が遅く、またそのフッ酸系は半導体
基板上のＳｉ０ｇ酸化膜までもエツチングするという欠
点があった。
本発明は、シリコンを半導体基板としてその上面に電極
として形成されるチタンを、その半導体基板のＳｉｎ、
酸化膜に何等影響を与えずに、しかも迅速にエツチング
することができるエツチング液を提供することである。
として形成されるチタンを、その半導体基板のＳｉｎ、
酸化膜に何等影響を与えずに、しかも迅速にエツチング
することができるエツチング液を提供することである。
このために本発明は、三成分系における２９％アンモニ
ア水：３１％過酸化水素水：水の室温における体積比が
、Ａ（１：１：１Ｂ）、Ｂ （１３：６：１）、Ｃ（１
：１８：１）の割合の３点Ａ、Ｂ、Ｃによって囲まれる
領域に含まれるようにした。
ア水：３１％過酸化水素水：水の室温における体積比が
、Ａ（１：１：１Ｂ）、Ｂ （１３：６：１）、Ｃ（１
：１８：１）の割合の３点Ａ、Ｂ、Ｃによって囲まれる
領域に含まれるようにした。
以下、本発明の実施例について説明する。第２図はその
一実施例のエツチング工程を示す図である０本実施例で
は、半導体基板１の上面にチタン膜６を蒸着し、その上
に金（Ａｕ）の膜７を蒸着により形成する。そして、そ
の上にフォトレジスト（０ＭＲ８３：東京応化工業製）
４′をパターニングする。そして、１４０℃で６０分間
のポストベークの後に、金の膜７を王水でエツチングし
た。レジスト４′の剥離後に、２９％ＮＨ，０１１：
３１％ＨｚＯｔ ： Ｈ＊０の室温における体積比がそ
れぞれ１：８：ｌの割合で混合したエツチング液でエツ
チングを行った（第２図（ｂ））。この時のエツチング
速度は０．１９ μｍ／閤ｉｎであった。
一実施例のエツチング工程を示す図である０本実施例で
は、半導体基板１の上面にチタン膜６を蒸着し、その上
に金（Ａｕ）の膜７を蒸着により形成する。そして、そ
の上にフォトレジスト（０ＭＲ８３：東京応化工業製）
４′をパターニングする。そして、１４０℃で６０分間
のポストベークの後に、金の膜７を王水でエツチングし
た。レジスト４′の剥離後に、２９％ＮＨ，０１１：
３１％ＨｚＯｔ ： Ｈ＊０の室温における体積比がそ
れぞれ１：８：ｌの割合で混合したエツチング液でエツ
チングを行った（第２図（ｂ））。この時のエツチング
速度は０．１９ μｍ／閤ｉｎであった。
エツチング形状は第３図に示すようになり、異常なサイ
ドエンチは観察されなかった。
ドエンチは観察されなかった。
第１図は、ＮＨ４０Ｈ−ｔ１ｇｏ□−〇、０系の三成分
系を示す図であり、図中のＡ、Ｂ、Ｃで囲まれる領域の
組成のエツチング液を使用した際のエツチング速度は、
０．０４〜０．１９μｓ／ｓｉｎの範囲であり、極めて
好適であった。
系を示す図であり、図中のＡ、Ｂ、Ｃで囲まれる領域の
組成のエツチング液を使用した際のエツチング速度は、
０．０４〜０．１９μｓ／ｓｉｎの範囲であり、極めて
好適であった。
そして、この範囲の外では、エツチングが進まず又は非
常に遅かった。例えば、上記三成分系の室温での体積比
が８；１１のエツチング液では、エツチング速度が１０
０人／ｗｉｎ以下であった。
常に遅かった。例えば、上記三成分系の室温での体積比
が８；１１のエツチング液では、エツチング速度が１０
０人／ｗｉｎ以下であった。
以上のように本発明は、三成分系における２９％アンモ
ニア水：３１％過酸化水素水：水の室温における体積比
が、Ａ （１：１：１８）、Ｂ （１３：６：１）、Ｃ
（１：１８：１）の割合の３点Ａ、Ｂ、Ｃによって囲ま
れる領域に含まれるようにしたので、半導体基板をシリ
コン単結晶板とし、被エツチング材をチタンとした場合
でも、その半導体基板上の５ｔ（ｈ酸化膜に対して悪影
響を与えずに、そのチタンを速い速度でエツチングする
ことができるようになる。
ニア水：３１％過酸化水素水：水の室温における体積比
が、Ａ （１：１：１８）、Ｂ （１３：６：１）、Ｃ
（１：１８：１）の割合の３点Ａ、Ｂ、Ｃによって囲ま
れる領域に含まれるようにしたので、半導体基板をシリ
コン単結晶板とし、被エツチング材をチタンとした場合
でも、その半導体基板上の５ｔ（ｈ酸化膜に対して悪影
響を与えずに、そのチタンを速い速度でエツチングする
ことができるようになる。
第１図は本発明のエツチング液の好適な三成分範囲を示
す図、第２図（ａ）、（ｂ）は本発明のエツチング液を
使用した湿式エツチング工程の説明図、第３図は本発明
のエツチング液を使用したエツチングによる被エツチン
グ部の説明図、第４図（ａ）〜（ｄ）は従来の反応性イ
オンエツチング工程の説明図、第５図（ａ）〜（ｄ）は
従来のスパッタエツチング工程の説明図である。 １・・・シリコン単結晶板、２・・・被エツチング膜、
３・・・マスク材、４．４’・・・フォトレジスト、５
・・・金（Ａｕ）メッキ層、６・・・チタン蒸着膜、７
・・・金（Ａｕ）蒸着膜。 代理人 弁理士 長 尾 常 明 ２９χＮＨゆ −ＮＨ４Ｉ（３１χＨ鞄２Ａ ：
（１： １：１８） Ｂ ： （１３： ６： １） Ｃ： （１：１８： １）
す図、第２図（ａ）、（ｂ）は本発明のエツチング液を
使用した湿式エツチング工程の説明図、第３図は本発明
のエツチング液を使用したエツチングによる被エツチン
グ部の説明図、第４図（ａ）〜（ｄ）は従来の反応性イ
オンエツチング工程の説明図、第５図（ａ）〜（ｄ）は
従来のスパッタエツチング工程の説明図である。 １・・・シリコン単結晶板、２・・・被エツチング膜、
３・・・マスク材、４．４’・・・フォトレジスト、５
・・・金（Ａｕ）メッキ層、６・・・チタン蒸着膜、７
・・・金（Ａｕ）蒸着膜。 代理人 弁理士 長 尾 常 明 ２９χＮＨゆ −ＮＨ４Ｉ（３１χＨ鞄２Ａ ：
（１： １：１８） Ｂ ： （１３： ６： １） Ｃ： （１：１８： １）
Claims (1)
- （１）、三成分系における２９％アンモニア水：３１％
過酸化水素水：水の室温における体積比が、Ａ（１：１
：１８）、Ｂ（１３：６：１）、Ｃ（１：１８：１）の
割合の３点Ａ、Ｂ、Ｃによって囲まれる領域に含まれる
ことを特徴とするチタン用エッチング液。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62138939A JPS63303084A (ja) | 1987-06-04 | 1987-06-04 | チタン用エッチング液 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62138939A JPS63303084A (ja) | 1987-06-04 | 1987-06-04 | チタン用エッチング液 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63303084A true JPS63303084A (ja) | 1988-12-09 |
Family
ID=15233678
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62138939A Pending JPS63303084A (ja) | 1987-06-04 | 1987-06-04 | チタン用エッチング液 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63303084A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2009066750A1 (ja) * | 2007-11-22 | 2011-04-07 | 出光興産株式会社 | エッチング液組成物 |
-
1987
- 1987-06-04 JP JP62138939A patent/JPS63303084A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2009066750A1 (ja) * | 2007-11-22 | 2011-04-07 | 出光興産株式会社 | エッチング液組成物 |
| JP5642967B2 (ja) * | 2007-11-22 | 2014-12-17 | 関東化学株式会社 | エッチング液組成物 |
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