JPS61197462A - 釉薬窯製タイルの製造方法及び装置並びに製品 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 技術的に通用している概念によれば、釉薬窯製タイル（
ｇｌａｚｅｄ　ｃｅｒａｍｌｃ　ｔｌｌｅ）の製造は２
つの一般的方法のいずれか一方によって行なわれている
。

第一の公知の製造方法は慣例の手段でタイルのセラミッ
ク本体（ｃｅｒａｍｌｃ　ｂｏｄｙ）　　を形成、乾燥
し、次いで所バービスケット製品（ｂｉｓｃｕｉｔ−ｗ
ａｒｅ）　　を得るのに焼成して行なわれている。

と＼において、セラミック本体とは天然原料、例えば粘
土、カオリン、長石、珪灰石、タルク、炭＋ｉｌカルシ
ウム、ドロマイトなど又は焼成カオリン〔グログ（ｇｒ
ｏｇ）］　、純粋酸化物（アルミナ、シリカ、フランダ
ム）のような合成材料のパッチを、生の機械的強度を増
すために結合剤を添加又は添加しないで製造した任意の
本体（ｂｏｄｙ）　　を意味するものである。

このような本体は加熱処理中に化学的及び組織的変化を
受け、かつ生の状態の借靭性から加熱処理後硬い、強く
て脆い状態に移る実質的に新しい機械的性質を得るもの
でちる。

従って、本明細書では、′セラミック本体の焼成”とは
、一般的に、化学反応、結晶改質及び成分の溶融によっ
て前記本体の機械的特性の前述の実質的変更を生ずる加
熱処理を意味するものである。

ビスケットは次いで施釉（釉薬かけ）され、釉薬に組織
的変化−厳密には釉薬の成分の性質に依る一簡素化のた
めに以後ガラス化（ｖ　Ｉｔ　ｒ　ｌ　ｆ　Ｉｃａｔｉ
ｏｎ）と称する変化を生じさせるためにさらに焼成が行
なわれる。この用語は、焼成中殆んど完全に溶融するか
又はほんの僅かの程度溶融する（この場合には焼結に近
い現象である）窯鋏タイル砿造工業において使用される
釉薬全部には厳密には正しいものではないかもしれない
。

しかしながら、セラミック材料上の釉薬の焼成は周知の
技術であるので、このような言語上の簡素化は誤解を招
くことはない。こ＼で施釉（ｇｌａｚｅｄ）　　とは、
加熱でガラス質の透明又は不透明の表面となるように適
応された任意の組成物を意味し、そしてそれは予め溶融
されたか又は生の状轢から全面的にフリット化されたか
或は異なる構成の混合物の状態のいずれかで光沢のある
もの又はないものとすることができる。

初めにセラミック本体を、次いで釉薬を焼成するこの二
重焼成方法は有利な点もあるがまた不利な点もある。ま
ず第一に、第１の焼成、その後の冷却及び釉薬をガラス
化する次の第２焼成は多量の熱エネルギーと時間を消費
し、また製造するタイルの容積に対し大きい装置容量を
必要とする方法を提供する。

二重焼成において、ビスケット製品を製造するだめの第
１焼成は、手際のよい手段で実施されるならば、専ら原
料の粘土混合物の性質の結果として最適の特性のビスケ
ット製品を製造できると考えられるかもしれないけれど
も、実際の状態で、次の施釉に白米する要求は実はビス
ケット製品の調製である。

釉薬は一般に、例えば３０〜６０％の水分を含有するよ
うに温式磨砕によって調製される。

乾燥釉薬が使用されるならば、セラミック本体への付着
を保証するために湿式処理を必要とする。

釉薬が多孔性組織、即ちガラス化されていないビスケッ
ト製品に適用されるとき、多量の水の存在は困難の源と
はならない；なぜならば、このような状態でビスケット
製品は容易に水を吸収するので釉薬は充分に本体に付着
する。

しかしながら、ビスケット製品がガラス化されるときは
、焼成の前に釉薬に特有の特殊の処理、特に水分の急速
な蒸発を得るために予熱が必要であシ；さもないと、も
し釉薬の許容できる付着を得ようとするならば、このよ
うな処理は非常に臨界的となシ、而もこのようなことは
問題の方法に関する限シ可成シの困難性を表わす。

それ故、二重焼成におけるような独立した手段でのセラ
ミック本体の形成は重大な複雑化を＠牲にしてのみ、所
望の機械的強度特性を有するガラス化せるセラミック本
体でタイルを形成することができるので、ガラス化せる
セラミック本体を施釉するに当って包含される問題はこ
のような独立した手段でセラミック本体を形成する見掛
上の自由を無効にする。

二重焼成方法において必然的に伴う問題のために、最近
多くの提案が単一作業工程で粘土混合物と釉薬との両方
を焼成する一所謂、単一焼成方法を示唆している。この
方法によれば、生のセラミック本体は乾燥、予熱され、
それらが釉薬に含有される水分を蒸発せしめるのに充分
な加熱状態にあるとき、施釉される。しかしながら、予
熱は水を生の粘土混合物によって吸収されるのを妨げな
い、−またさらに、実際には端がより速やかに冷却する
ので吸収は製品の端で多くなるように一様にはなってい
ない。

この現象はその端で製品の亀裂を生ずるようになり、か
くしてその強度を低減する。

単一焼成方法の他の本来の困難性は生のタイルの幾分複
雑な運動を必要とすることであシ、それは前記の状態で
施釉しなければならず而もそれの扱いＫくさは知られて
いる。

単一焼成方法では、生の釉薬を１ｔ：ａ　Ｌだタイルは
次いで単一サイクルで本体混合物及び釉薬（釉薬のガラ
ス化）の両方を焼成する温度にまで焼成される。

唯一つの炉又は窯及び唯一っの焼成作業を必要とするの
で、単一焼成は明らかに慣例の二ｘ’ｉｍ成におけるＸ
要なる進歩であシ：装置を広くしないようにすることが
でき、而もビスケット製品の焼成と釉薬の焼成との間に
伝播する熱エネルギーは節約される。

焼成の間に生ずる反応が充分に知られているならば、単
−焼成では、同じ焼成の間に二重焼成に特有の作業上の
独立の当然起る損失を伴って、ガラス化する釉薬の特性
と適合する粘土混合物の焼成温間となるように制限しな
ければならないようであるけれども、二重焼成の代表的
な殆んどすべての効果を得ることができる。

しかしながら、単一焼成の最大の困難はセラミック本体
の焼成の間に放出されるガスが釉薬の平坦性と緻密性と
を悪化する傾向を有することである。

この現象の重要性は／Ｋｆの重量を有するタイルが７０
％の炭酸カルシウムを含有する混合物より製造され、７
０００℃の温度になると約９０ｇの容量の炭酸ガスを放
出することを思い出すならば容易にわかる。

セラミック本体より放出されるガスは釉薬を通り、それ
に小さな気泡を斐し、ある程度多孔質の状態とする。

斯くして、二重焼成において、ガラス化せるセラミック
本体の場合に存在する釉薬−セラミック本体の付着の問
題を単一焼成は取シ除くけれども、単一焼成は例えすぐ
れた付着性を有していても比較的多孔性の稠度（ｐｏｒ
ｏｕｓ　ｃｏｎｓｉｓｔｅｎｃｙ）　　である釉薬とな
る。

単一焼成方法では釉薬とセラミック本体との間の焼成中
の相互反応の可能性を減少するために両者の間にエンゴ
ーｆ　（ｅｎｇｏｂ・）として知られている絶縁層を適
用することがまた示唆されている；しかしながらこのエ
ンゴー１の適用は単一焼成の特徴である釉薬の満足な付
着性を減少する。

蚤するに、二重焼成は低い機械的＠吸ではおるが付着性
で非常に緻密な釉薬を有する多孔性のセラミック本体を
有するタイルを生じ、一方単一焼成は高機械的強度のガ
ラス化せるセラミック本体を有し、而も満足する付着性
を有するが比較的多孔性である釉薬を有するタイルを生
ずる。

本発明の目的はタイルを焼成する前述の方法の困難性を
施釉とタイルの焼成との改良せる方法によって克服する
ことであシ又この方法を実施する装置に関する。

本発明によれば、生のセラミック本体を原料とする釉薬
窯製タイルを製造する改良方法は炉において、終りにセ
ラミック材料の焼成反応が実質的に完了する加熱処理の
第１段階及び漸進的な最終冷却を必要とする加熱処理の
第一段階に対しセラミック本体を配置する工程より成）
、かつ加熱処理の第１及び第一段階の間にセラミック本
体の上に散布する段階を、加熱処理の第１段階において
有する姫路温度において実質的に前記第一段階の初期の
部分の間に弛緩せる乾燥釉薬を散布する段階を包含シ、
セラミック本体は釉薬に対しその少くとも７つの部分の
成分をａ融することによってガラス化するのに充分な温
度となることを特徴とするものである。

本発明によれば、黒線タイルを焼成、施釉する装置は生
のセラミック本体が配置される焼成キルン又は炉に設け
られ、パッチを焼成する反応が実質的に完了するまで本
体を加熱する手段を特徴としている炉の第１部分及び前
記タイルを漸進的冷却をするために調節して低減する温
度にタイルを保持する温度調節手段を特徴としている炉
の第２部分並びに炉の前記第１及び第一の部分に沿って
本体を連続的に進行させる手段より成るものである。前
記装置は炉設備の前記第１及び第一部分の間に、タイル
を炉の第１部分の出口から第一部分の入口に移送する手
段を設置し、かつ弛緩せる乾燥釉薬を移送手段によって
運ばれる本体上に散布する手段を有する施釉する部位を
設けることを特徴とするものである。

添付図面に例示した本発明による焼成装賃に基き、本発
明の実施の態様につき説明する。

本発明によれば、慣用技術によって形成されたセラミッ
ク本体が炉の口ｌＯに適当な乾燥後生で運ばれる。

焼成炉は適当な公知の移送機構で移動するタイルを焼成
温度、即ち生のセラミック材料の焼成反応が実質的に終
了したと考えられる温度とするのに充分な値にその温度
が一定の割合で漸次上昇する第１部分１１を特徴として
いる。

炉のこの部分１１の終端では、タイルコンペア手段が概
括的に１２で示した釉薬−付着帯にタイルを運ぶ。

本発明において特に適切なこの帯域を第２図に図示する
。番号１Ｂはローラー１４として図示しているコンペア
手段での炉の部分１１からのタイルの出口を示す。ロー
ラーコンペアルートは炉の中心近くで（ｐｒｏｘ　１ｍ
ａ　ｌ　ｌｙ）、例えば正しく揃えて開放できるバネＡ
／　（ｒｅｇｌｓｔｒａｂｌｙ　ｏｐｅｎａｂｌｅ　ｐ
ａｎｅｌ）１５によって温度を調節することのできる環
境を形成する帯域１２に続くので、帯域１２における温
度はタイルの温度の；ＪＩｉ１節を容易とするようにそ
の出口１８に近い部分１１より典型的には低い設定値で
存続する。

帯域１２には全体を２０で示した、乾燥釉薬を粒体又は
粉末のいずれかの弛緩状態で、ロール１４ＩＫよって運
ばれる下方を移動するタイルの上に平坦に散布する装置
が設けられる。

その作用及び全体の構造上の原理を卒直に記載するため
に、この装置は任意の数の列で、ローラー１４によって
下方を移動しているタイル上に平坦に散布する分配器２
ｚに供給される釉薬用受器２１より成るものと考えるこ
とができる。

分配器３２０の下には、タイルによって受けることので
きない、特にローラー１４によって運ばれるタイルの間
の空間に落ちる釉薬の蒐集装置２Ｂが設けられる。２３
に集められた釉薬は受器２１に再循環するのが有利であ
る。

装置ｔ２０の模型的に示した構造は公知の具体化−堰方
式、（ｅｍｂｏｄｌｍｅｎｉ−ｗｅｉｒ−ｔｙｐｅ）、
振動篩方式、噴霧方式、その他の形式を有することがで
きるので、指示としてのみ示しているが、粒子又は粉末
の形で炉の中心近くで運ばれるタイルの上に正しく連続
的に分配することだけは必要である。

＃域１２にタイルを運ぶ手段はまた異なる性質であるこ
とができ、か＼る手段は第コ図忙ローラー１４として例
示されているが、このような目的には粘土製品を移動す
る分野においてこのような目的に対して知られている櫛
械は達当である。

タイルは帯域１２を通り、炉の後続の部分１７に入口１
６を通って入シ、そこで釉薬の完全なガラス化と硬化と
をするのに充分な温度に保ち、次いで釉楽内に残る許容
できない内部歪を防ぐのに充分な緩やか力手段で冷却し
、最後に炉の最終出口１８より排出される。

コつの部分１１，１？は二重焼成方法で形成されるビス
ケット製品を得るのにセラミック本体を焼成する慣例の
炉、キルン又は加熱装置と非常によく似ているので、炉
の構造的特徴についてはと＼では述べない；それ故、前
記λつの部分は慣例の技術で知られているあらゆる教示
を使用して構成することができる。

特に、炉の口１０．１Ｂ、１６．１８は、セラミック本
体及び釉薬の加熱処理の間に所望の反応を促進するため
に炉の各部分において調節せる雰囲気を保つことができ
るように、それ自体ではこの分野で知られている構造的
工夫で具体化されている。

本発明による解決はセラミック本体の焼成を短く断絶す
ることのできるという知見、即ち焼成の少くとも一つの
段階においてセラミック本体を比較的冷い雰囲気、即ち
大気に曝すことができるという知見に基くものであり、
その温度差はセラミック本体ではセラミック本体を焼成
、冷却する段階の間、炉内部における温度差より非常に
大きい。

斯る雰囲気に曝す結果としてタイルによって軽鉄される
熱衝撃は、とにかくプラスチック行動状態（ｐｌａｓｔ
ｌｃ　ｂｅｈａＴｌｏＩＪｒａｌ　ｃｏｎｄｌ目ｏｎ）
にあシ、脆い状態にない場合に、材料によるｌ９ｉｐな
しで黙認されることが事実上発見された。このようなプ
ラスチック状態はセラミック本体が白熱状態、即ち黒線
タイルを※す造するのに現在使用されている大部分の本
体混合物に対し、約７００℃より低くない温度にあると
き生ずる。

本発明によれば、帯域１２における温度は釉薬分配機構
２０の過熱を起さないような温度例えば溶融を起すか又
はとにかくそれに収容されている釉薬の濃縮化を起すこ
とのないような値に保たれ；これは斯る機関が邪魔にな
らず、またタイル上の釉薬の分布が非平坦でないことを
意味する。

タイルに落下する釉薬を昇華することよｐ防ぎ、その結
果として起る雰囲気への分散並びに炉及びこれに収容さ
れている機関の汚染を防ぐために、釉薬が分布される全
帯域を比較的低温度とすることがまた得策である。

帯域１２に達するタイルは炉の帯域１１の末端部分にお
いて焼成中タイルの有する温度で、白熱状態であり；こ
のような温度は必ずしもタイルが焼成炉１１において達
する最高温度ではない。

釉薬のガラス化温度が焼成温度より低いときは、前記炉
の末端帯域１１における冷却段階で始めるのがタイルに
は事実有用であシ、例えば釉礒分配装置に、帯域１２に
おいて受けることのできる温度における減少をまた考慮
して最適温度に達するようにタイルを導くのが有用であ
る。

従って、実施に当って釉薬を受けるときのタイルの温度
の調節は、帯域１２において蒙る瀞１度の低下を考慮し
て、炉の部分１１を離れる温度を調節することによって
行なわれる。この最牙に述べた温度低下を調節する他の
可能性があり、それは前述のように、もしこのような温
度が例えば赤熱せるタイルに分布される粉末の釉薬にｖ
Ｊ理的又は化学的変化を起させるようにならないならば
、帯域１２において保たれている温度にまた作用するこ
とによるものである。

釉薬の付着と同様に、タイルの装飾に関連して他の作業
がもし望むならば、例えば装飾を形成する着色剤の特殊
の分布を必要とする装飾を作シ出すための高温度におけ
る移動の配置が帯域１２において行なわれる。移動は口
ぎット化されたマニグレーターによってタイルに配置せ
しめることができる。

タイルに付着せる釉薬はセラミック本体との接触面にお
いてその最高温度と最小粘度に正確に達し、斯くして本
体への付着を促進する。

釉弊を受けるのに必要な帯域１２におけるタイルの滞留
時間が短かいという事実は赤熱のプラスチック状態から
熱＠撃が粘土材料を割るような内部歪を与える聡い状態
に移るのを防止する。

弛緩せる粉末としての釉薬の付着はタイルの垂直側面に
付着する釉薬の量を無視できる量、実際には零となし、
かくしてタイルは釉薬被覆の周辺の脆化と生ずる欠は落
ちの可能性とを減少させて周縁を綺麗にする。

１つ以上の釉薬を適用しようとするならば、その適用す
るセラミック本体の温度に必要な各＠度及び他の施釉部
位を硬化するその次の温度は炉の部分１７に設けられ、
その末端でタイルは徐冷される。

本発明方法の特徴は実施例として示した下記の記述を検
討すれば明らかとなるであろう。

実施例／ 次の特性を有する壁タイルの製造： サイズ：　　／ｊＸ、２（７ｃＩｒＬ 厚　さ＝　７龍 多孔度：　／−％ 破壊係数：　　２ｏθＫｅ／ａｄ 青色の粗粒型効果を有する光沢釉薬 混合物の特徴二下記の割合の天然砂と粘土の混合物： マイオリカ粘土（ＭａＩｏ＋ＬシＣ１８ｃｌａｙ）　　
：、＆０％０％ブレス　（Ｇｒｅｓ　ｃｌａｙ）　　　
：　、２ｊ％長石砂　　　　　　　　　　　：７３％（
後記第１表に組成を示す） 混合物は振子型粉砕ミルで乾式粉砕し、５％湿度に湿潤
化して生成する。

油圧プレスで２２０Ｋ（ハ）の特定圧において５一方向
ダイスで乾式圧搾して成形する。

次の特性を有する単相ローラーキルンにコθｆｆｌの面
にｇ列並寥゛シてまっすぐに配置する。

乾燥帯の長さ　：／、３ｇ２０ｔａ 部室の巾　　　：　１ｌＩｂｓ雛 最高焼成磁度　：１０１，０℃ サイクルの期間：約２Ｓ分 第３図は縦軸に炉煙ｇｉ度（／ｕｒｎａｃｅ　／ｕｍｅ
ｔｅｍｐｅｒａｔすｒ４）、横軸に時間を有し、タイル
の輸送速度に関連する炉の縦の寸法と比例的に相関々係
を有する焼成曲線を示す。

施　　釉： ３つのフリット（第１表に組成を示す）の混合物より成
る釉薬 フ　　リ　　ッ　　ト　　ｌ　　：　　７０　％フリッ
ト２＝２０％ フリット３ニア０％ 粒度：０．−〜／朋 ガラス化温度：９．３０℃ ローラー分配器で施油する。

施釉帯域の長さ：１０００朋 タイル当り３０９の釉薬を適用する。

輸送時間：３０秒 施釉帯域を通過したとき、なお約９００℃であるタイル
は次の特性を有する炉の第２部分１７に入る： 長さ：２３３／／ｌｔｒｗｔ 巾　　　：　　／ｌＩ４　　タｎ翼 この部分は初期の帯域において７０００℃に保たれ、タ
イルは釉薬の完全な硬化に十分である約を分でそこを通
過する。

上記部分に次いで直接、間接タイル冷却帯がある。

それ故に、機械の全長は６．２　ｇ　７　ｇ　ｍｙｔで
あり、タイルの全処理サイクルは＜１０分である。

実施例コ 次の特性を有する床タイルの製造： サイズ：　　２に×２３σ 厚　さ二ｇｔｘｍ 多孔度＝　３％ 半艶消、淡ベージュ色の釉薬 混合物の特性： 下記の比率における粘土と長石の混合物：長石　ｌ１５
％ 粘土／　　３θ％ 粘土２　２５％ （組成は第１表に示す） 混合物は３５％の水分で湿式粉砕し、微粒化することに
よって生成する。

微粒化湿度二！％ ５００　Ｋｙ’ｃｎｌの特定圧力と３方向ダイスとで、
油圧プレスにて乾式圧搾して成形する。

下記の特性を有する単層ローラーキルンに３列でまっす
ぐに配置する： 乾燥帯域の長さ：／ｌＩ左ｌＩｇ闘 ローラー直径　：ｉｌｋ後の７２７００ｍに対し３山薄
巾　　　　　　　　　　：　ｌダＡ３ｗｘ最高温度　　
　：／／！；０℃ サイクルの期間：３０分 煙霧の温匿に関する焼成曲線は縦軸及び横輸で異なる値
を有し、第３図の曲線と概略の経過において同じである
。

施釉 釉薬は０．２〜／Ｂの粒度の単一フリットで構成される
。

ガラス化温度：１０！；０℃ フリットの組成は第１表（フリット＜ｚ）に示した通し
である。

ロー２−分配器で施釉する。

施釉帯域の長さ：　１ｓｏｏ朋 タイル当りグＳ２の釉薬を適用する。

輸送時間：３０秒 施釉帯域を通過後、なお約７０００℃のタイルは下記の
％性を有する炉のに４２部分に入る：長　　さ　　　：
２２６２ｇ關 部室の巾：／弘６Ｓ關 ７１００℃の温度に保持する。

タイルは柚共を硬化するのに十分である約７分間、ｌｌ
ｏＯ℃に保たれた部分の第１帯域を通シ、次に直接、間
接冷却帯を通過する。

かくして、機械の全長は７１，４９！ｒｍｘであシ、全
サイクルの期間は３０分である。

従って、本発明方法は公知の先行技術に較べ下記のよう
な利点を有する。

炉内の配置は別として、生のタイルの全運動の排除−ご
れにより破損と欠損の回避。

もし望むならば炉は生産部門より連続かつ直接供給する
ことができるので、生のタイルを通常貯える必要のある
構造全部を排除する生産工程の簡素化： 施釉する際、水が一部生タイルによって吸収されること
がないので乾燥するエネルギー消費の低減； 背後レリーフ（ｂａｃｋ　ｒｅｌｉｅｆ）の近くで、異
なる厚さ又は多孔度より生ずる異なる乾燥の問題がない
ので、タイルの上面及び背面でマーキング及びエンゴス
する設計の自由度が大きい； 釉薬のないタイルで供給される炉全部がきれいであり、
保守の必要が少ない； 釉薬なしで焼成したセラミック本体は脱ガスするのに自
由であり、一層容易に酸化される；講　ｅｌｆ〒ギＱＬ
士　預　括　々　シ　　　　Ａ賃　１辷「１１−１ζけ
　ｈシ　−喘　、麺、　ず　　。

高い焼成損失を伴って純粋な粘土が使用されることが少
ない。

エンｆ−ブ（ｅｎｇｏｂｅ）　　の使用は全面的に不必
要である； セラミック本体の焼成温度と釉薬のそれとに関連がなく
、任意に変えることができる。それ故に、釉薬はセラミ
ック本体の反応が完了するとき適用されるので、完全な
付着を気孔の全くないものを得るのに最も適する状態で
焼成され、これはエンゴージの使用を不必要なものとす
る。

セラミック本体が焼成される温度で分解する特殊の釉薬
を適用することができ、斯くして生成できる製品の範囲
が拡がる； 釉薬はタイルの表面にだけ付着する； 過剰の釉薬はホッパーに蒐集後容易に再循環できる 柚：薬の多数の連続付着ができ、斯くして多重効果を得
る； 施釉部分の炉下流部分がセラミック本体を焼成する炉よ
り物理的に分４されているので、°特殊の雰囲気は混合
物焼成サイクルの特徴を変える任意の手段でこれなしに
そこで創造、調節できる（酸化、還元又は不溶性雰囲気
）、慣例の技術を使用して達成するには非常に困難であ
る調節できる雰囲気で得ることのできる特殊の効果を実
現するのに大きな自由がこんな風に得られる。

プラス化せるセラミック本体を有する製品、即ち高い機
械的強度、全面的に気孔のない釉薬を有する製品、換言
すれば本質的に耐摩耗性ですぐれた付着性を有するので
極めて高い衝掌強度を有する製品をより経済的に生成で
きる； 施釉に使用される製品の範囲が可成り広げられ、高温度
で焼成されるプラス化せるセラミック本体に低融点釉薬
又は慣例の技術では不可能である非常に短かいサイクル
を必要とする釉薬を使用することができる。

【図面の簡単な説明】

添付図面において、 第１図は本発明による装置の概要図、 第一図は第１図の特殊の装置を示し、第３図はＩＩ／図
の装置において存在する温度の代表的図表を示す。 図中、１１・・・・・・炉の第１部分、ＩＳ・・・・・
・釉薬−付着帯域、１４・・・・・・ローラー、２０・
−・・・・釉薬散布装置。

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. （１）終りに焼成反応が実質的に完了する加熱処理の第
   １段階及び加熱処理の第２段階に対しセラミック本体を
   炉に配置する段階と、加熱処理の第１段階で有する最終
   温度において実質的に、弛緩せる乾燥釉薬をセラミック
   本体上に散布する段階とより成り、セラミック本体は第
   ２段階の初期の部分の間に釉薬をその少くとも１つの成
   分の溶融によつてガラス化するのに十分な温度となるこ
   とより成る生のセラミック本体を原料とする釉薬窯製タ
   イルを製造する改良方法。
2. （２）加熱処理の前記第１段階の末端において、白熱の
   プラスチック状態でセラミック本体が釉薬散布段階に入
   る特許請求の範囲第（１）項記載の方法。
3. （３）釉薬散布段階は釉薬ガラス化温度より低い温度を
   有する雰囲気で行なわれる特許請求の範囲第（１）項記
   載の方法。
4. （４）セラミック本体上への釉薬の散布は釉薬散布装置
   の下を水平弾道で移動するセラミック本体上に自由落下
   によつて行なわれる特許請求の範囲第（１）項記載の方
   法。
5. （５）セラミック本体は釉薬ガラス化温度より高い温度
   で釉薬散布段階に送られる特許請求の範囲第（１）項記
   載の方法。
6. （６）焼成反応が実質的に完了するまでセラミック本体
   を加熱する手段を特徴としている炉の第１部分、セラミ
   ック本体を漸進的に冷却するために調節して漸次低減す
   る温度にセラミック本体を保つ温度調節手段を設置せる
   前記炉の第２部分、及び炉の第１部分と第２部分とに沿
   うて連続して本体を移動する手段より成る配置がセラミ
   ック本体になされている装置が焼成炉、キルン又は部室
   に設けられた窯製タイルを焼成及び施釉する装置であつ
   て、 炉設備の前記第１と第２部分の間に、タイルを炉の第１
   部分の出口より第２部分の入口に運ぶ手段と弛緩せる乾
   燥釉薬を移送手段によつて運ばれるセラミック本体に散
   布する手段とを設置した施釉部位が設けられることを特
   徴とする上記装置。
7. （７）釉薬散布手段は釉薬がガラス化と物理的、化学的
   変化とを受ける値より低い値における雰囲気の温度を保
   持する温度調節手段を設置した雰囲気内に収容される特
   許請求の範囲第（６）項記載の装置。
8. （８）セラミック本体に釉薬を散布する手段はタイル移
   送手段の全幅で作業する特許請求の範囲第（６）項記載
   の装置。
9. （９）炉は単層ローラー型である特許請求の範囲第（６
   ）項記載の装置。
10. （１０）移送手段は次から間隔をあけ、多くの点で支え
    られているタイルに対して不連続の支持面を形成し、移
    送手段の全幅で釉薬を付着させる散布装置及び間の離れ
    たタイルの間の帯域に落ちる釉薬を集める蒐集装置を有
    する特許請求の範囲第（６）項記載の装置。
11. （１１）前記特許請求の範囲記載の方法で生成される釉
    薬窯製タイル。