JPH1043059A - 調理器用耐熱セラミックプレートおよびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 釉薬の表面が平滑であり且つピンホール気孔
のない調理器用耐熱セラミックプレートを提供する。 【解決手段】 低熱膨張率の素地１２の表面積のうちの
一部の面積（下面）を除く第１の釉薬１４は、微結晶を
有するガラス質であって再溶融された平滑表面を備えて
いるので、調理器用耐熱セラミックプレート１０の上面
となる第１の釉薬の表面が平滑となり、その上に付着し
た食品の焦げ付きを容易に除去することができる。ま
た、第２の釉薬１６は、上記第１の釉薬１４と略同様の
材料組成であるにもかかわらず、その第１の釉薬１４に
対して微結晶が少なく或いは小さいことから、第１の釉
薬１４の焼成時には素地１２の下面が開放された状態で
第１の釉薬１４が溶融され、第２の釉薬１６の焼成時に
は、第１の釉薬の焼成条件よりは最高温度が低く短時間
で焼成されるので、第１の釉薬１４および第２の釉薬１
６にピンホールのない調理器用耐熱セラミックプレート
１０が得られる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、電磁調理器、ガス調理
器などの調理器において特に急熱、急冷環境下で好適に
用いられる耐熱セラミックプレートおよびその製造方法
に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】たとえば、電子レンジ、オーブンレンジ
などの調理器内、或いはガス加熱調理器の天板、誘導加
熱調理器の天板などに用いられる調理器用耐熱セラミッ
クプレートは、冷凍保存或いは冷蔵保存された水分を多
量に含む食品を、その保存温度から短時間に３００°Ｃ
付近まで加熱させることがある。このため、上記耐熱セ
ラミックプレートには、急激な温度変化に耐え得る耐熱
衝撃性だけでなく、吹きこぼれなどにより付着した食品
の焦げ付きを一般的な洗浄作業によって除去することが
可能な程度の表面平滑性が望まれる。

【０００３】上記耐熱セラミックプレートの一種に、ス
ポジューメン、ペタライト、ユークリプタイトなどのリ
チウムを含有するリチア系セラミック質から成る素地の
上に、非晶質（ガラス質）の釉薬を施した調理器用耐熱
セラミックプレートが提案されている。このようにすれ
ば、リチア系セラミック質の素地はその熱膨張率を３×
１０^-6以下とすることができるため、耐熱セラミックプ
レートとしての耐熱衝撃性は十分に達成することができ
るからである。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような低熱膨張率の素地の上に施される釉薬として、一
般的な非結晶性（ガラス質）の釉薬を用いる場合には、
耐熱セラミックプレートとしての表面平滑性を十分に満
足することができるけれども、そのような非結晶性の釉
薬では、上記素地と同等或いはそれ以下の熱膨張率を得
ることが極めて困難であり、熱膨張差に起因して貫入と
称される微細なクラックが発生することが避けられなか
った。これに対し、釉薬（ガラス質）の内部でβユーク
リプタイト固溶体、βスポジューメン固溶体などの低熱
膨張率の微結晶（Li₂O Al₂O₃ 6SiO₂）を多数析出させる
ことにより、結果的に全体を低熱膨張率とした結晶性の
釉薬すなわち結晶釉を、前記素地の上に施すことが考え
られる。これによれば、上記微細なクラックの発生は防
止されるが、上記微結晶が表面にも析出してマット状の
凹凸表面となることから十分な平滑性が得られず、付着
した食品の焦げ付きを容易に除去することができないと
いう欠点があった。

【０００５】また、上記耐熱セラミックプレートにおい
て、低熱膨張率の素地の上に釉薬を溶かし着けてガラス
質化するに際しては、締焼きされた上記素地の表面にス
プレイなどによって釉薬材料を付着させ（施釉）た後
に、その締焼きの焼成温度よりも低く且つ釉薬を溶融さ
せ得る温度で釉焼が行われる。上記素地はたとえば２乃
至３％程度の吸水率があることから、釉薬が溶融した後
においても素地内に存在する水やガスが脱出することに
関連して、耐熱セラミックプレートの表層を構成する釉
薬にピンホール状の気孔が発生し易く、製品の歩留りを
低下させていた。

【０００６】本発明は以上の事情を背景として為された
ものであり、その第１の目的とするところは、釉薬の表
面が平滑であり且つピンホール気孔のない調理器用耐熱
セラミックプレートを提供することにある。また、第２
の目的とするところは、釉薬の表面が平滑であり且つピ
ンホール気孔のない調理器用耐熱セラミックプレートの
製造方法を提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための第１の手段】かかる第１の目的
を達成するための本発明の調理器用耐熱セラミックプレ
ートの要旨とするところは、熱膨張率が３×１０^-6以下
である低熱膨張率の素地の上に釉薬が施された調理器用
耐熱セラミックプレートであって、前記素地の表面積の
うちの一部の面積を除く第１の釉薬は、微結晶を有する
ガラス質であって再溶融された平滑表面を備え、その一
部の面積における第２の釉薬は、上記第１の釉薬と略同
様の材料組成であるがその第１の釉薬に対して微結晶が
少なく或いは小さいことにある。

【０００８】

【第１発明の効果】このようにすれば、低熱膨張率の素
地の表面積のうちの一部の面積を除く第１の釉薬は、微
結晶を有するガラス質であるが再溶融された平滑表面を
備えているので、調理器用耐熱セラミックプレートの表
面すなわち第１の釉薬の表面が平滑となり、その上に付
着した食品の焦げ付きを容易に除去することができる。
また、第２の釉薬は、上記第１の釉薬と略同様の材料組
成であるにもかかわらず、その第１の釉薬に対して微結
晶が少なく或いは小さいことから、第１の釉薬の焼成と
は別にその後においてその焼成条件よりは低火度で第１
の釉薬の再溶融のための焼成などにおいて焼成されたも
のである。したがって、第１の釉薬の焼成時には素地の
表面積のうちの一部の面積が開放された状態で第１の釉
薬が溶融されるので、素地内の水分やガスの逃げなどに
起因する第１の釉薬のピンホールの発生が好適に解消さ
れるとともに、第２の釉薬の焼成時には、第１の釉薬の
焼成条件よりは最高温度が低く短時間で焼成されるの
で、この第２の釉薬の焼成時にも第１の釉薬および第２
の釉薬にピンホールが発生することが好適に解消され、
ピンホールのない調理器用耐熱セラミックプレートが得
られる。さらに、調理器用耐熱セラミックプレートの全
面が釉薬によって覆われることにより、洗浄後の食品の
残留やそれに起因する細菌の繁殖が好適に防止されると
ともに、水分が素地内部に浸透しないので、急速加熱に
起因する水蒸気破裂が好適に防止される。

【０００９】

【第１発明の他の態様】ここで、好適には、前記第１の
釉薬は、その表面の再溶融により、２５以上の光沢度、
或いは、十点平均粗さＲ_z が２０μ以下の表面粗度を備
えたものである。このようにすれば、第１の釉薬の表面
が一層平滑となり、その上に付着した食品の焦げ付きを
容易に除去することができる。

【００１０】また、好適には、前記低熱膨張率の素地
は、スポジューメン系セラミックス、ペタライト系セラ
ミックス、ユークリプタイト系セラミックスから選択さ
れたリチア系セラミックス材料から構成されたものであ
る。このようにすれば、熱膨張率が３．０×１０^-6以下
とされるので、耐熱性、耐熱衝撃性に優れた調理器用耐
熱セラミックプレートが得られる。

【００１１】また、好適には、上記第１の釉薬は、βユ
ークリプタイト固溶体、βスポジューメン固溶体、又は
それらの混合体（β石英を含む場合がある）の微結晶
（Li₂OAl₂O₃ 6SiO₂）をガラス質内に多数含むものであ
る。その微結晶は析出させられるものでもよいが、結果
的にガラス質内に含まれればよく、当初の釉薬材料内に
混合させられてもよい。前記第２の釉薬は、第１の釉薬
と同様の材料組成であるが、上記微結晶の数が少ない
か、大きさが小さいか、或いは微結晶を殆ど有しないも
のである。このようにすれば、第２の釉薬が第１の釉薬
の焼成の後でそれよりも低火度で焼成可能となるので、
ピンホールの発生が好適に防止される。

【００１２】

【課題を解決するための第２の手段】また、前記第２の
目的を達成するための調理器用耐熱セラミックプレート
の製造方法の要旨とするところは、熱膨張率が３×１０
^-6以下の低熱膨張率の素地の上に釉薬が施された調理器
用耐熱セラミックプレートの製造方法であって、(a)締
焼きされた前記素地の表面に、その表面積のうちの一部
の面積を残して、結晶性釉薬材料を施釉する施釉工程
と、(b) 前記素地の焼成温度よりも低く且つその素地の
上の釉薬材料を溶融させる最高温度と、前記釉薬内に微
結晶を析出させる冷却速度とを有する焼成条件下で、前
記施釉工程により一部の面積を残して施釉された素地を
焼成する第１釉焼工程と、(c) 前記釉薬の表面を溶融さ
せ得る最高温度とその第１釉焼工程よりも高い冷却速度
とを有する焼成条件で、第１釉焼工程により再焼成され
た素地をさらに焼成することにより、その素地上の釉薬
の表面を再溶融により平滑化する第２釉焼工程とを、含
むことにある。

【００１３】

【第２発明の効果】このようにすれば、第１釉焼工程で
は、前記低熱膨張率の素地の焼成温度よりも低く且つそ
の素地の上の釉薬材料を溶融させる最高温度と、前記釉
薬内に微結晶を析出させる冷却速度とを有する焼成条件
下で、前記施釉工程により一部の面積を残して施釉され
た素地が焼成された後、第２釉焼工程では、前記釉薬の
表面を溶融させ得る最高温度と第１釉焼工程よりも高い
冷却速度とを有する焼成条件で、その第１釉焼工程にて
再焼成された素地をさらに焼成することにより、その素
地上の釉薬の表面が再溶融により平滑化される。したが
って、本発明方法により製造された調理器用耐熱セラミ
ックプレートでは、素地の表面積のうちの一部の面積を
除く釉薬は、微結晶を有するガラス質であるが再溶融さ
れた平滑表面を備えているので、調理器用耐熱セラミッ
クプレートの表面すなわちその釉薬の表面が平滑とな
り、その上に付着した食品の焦げ付きを容易に除去する
ことができる。

【００１４】また、第１釉焼工程において一部の面積を
残して施釉された素地が焼成されるとき、釉薬が溶融し
た状態でもその一部の面積を通して素地内の脱水や脱ガ
スが容易に可能であり、また、第２釉焼工程において
は、上記一部の面積はそのままであるか或いは必要に応
じて新たな釉薬が塗布された状態で、第１釉焼工程で溶
融された釉薬の表面を溶融させ得る最高温度とその第１
釉焼工程よりも高い冷却速度とを有する焼成条件で焼成
されることから、当初の面積に塗布された釉薬、或いは
必要に応じて上記一部の面積に塗布された釉薬にピンホ
ールが発生することが好適に防止される。

【００１５】

【第２発明の他の態様】ここで、好適には、前記第２釉
焼工程に先立って、前記低熱膨張率の素地の一部の面積
に施釉を行う第２施釉工程をさらに含むものである。こ
のようにすれば、第２施釉工程により施釉された釉薬材
料は第２釉焼工程により溶融させられるので、調理器用
耐熱セラミックプレートの全面が釉薬によって覆われる
ことにより、洗浄後の食品の残留やそれに起因する細菌
の繁殖が好適に防止される。

【００１６】また、好適には、上記第２釉焼工程で溶融
される釉薬材料は、前記第１釉焼工程で用いられる釉薬
と同様の、βユークリプタイト固溶体、βスポジューメ
ン固溶体、又はそれ等の混合体（β石英を含む場合があ
る）の微結晶（Li₂O Al₂O₃ 6SiO₂）を、その焼成の冷却
期間においてガラス質内に多数析出させ得る材料から成
る結晶性釉薬材料であって、前記素地と同等以下の熱膨
張率を有する釉薬となる。このようにすれば、前記素地
の一部の面積に非結晶性の通常の釉薬を用いる場合に比
較して貫入が防止される利点がある。

【００１７】また、好適には、前記低熱膨張率の素地
は、スポジューメン系セラミックス、ペタライト系セラ
ミックス、コークリプタイト系セラミックスから選択さ
れたリチア系セラミックス材料から構成されたものであ
る。このようにすれば、熱膨張率が３．０×１０^-6以下
とされるので、耐熱性、耐熱衝撃性に優れた調理器用耐
熱セラミックプレートが得られる利点がある。

【００１８】また、好適には、前記第２釉焼工程は、前
記釉薬の溶融終了温度であるＦ点と、溶融開始温度であ
るＰ点とＦ点との中間の温度であるＳ点との間の最高温
度で前記第１釉焼工程により焼成された素地を焼成する
ものである。このようにすれば、第１釉焼工程よりも低
火度で加熱され或いは急速冷却されることにより、第１
釉焼工程において析出成長した釉薬（ガラス質）内の結
晶がそれほど成長しない範囲で特にその表面部が再溶融
によって好適に滑らかとされる。また、前記素地の一部
の面積に施釉を行う第２施釉工程が設けられた場合に
は、第２施釉工程により施釉された釉薬材料が第１釉焼
工程よりも低火度で溶融され、ピンホールの発生が好適
に防止される利点がある。

【００１９】また、好適には、前記第２釉焼工程は、そ
の焼成温度曲線の最高温度から第１施釉工程で用いた釉
薬の転移点までの冷却期間において１０°Ｃ／分以上の
高い冷却速度で冷却するものである。このようにすれ
ば、第２釉焼工程においては比較的速やかに調理器用耐
熱セラミックプレートが冷却される結果、第１施釉工程
により施釉され且つ第１釉焼工程で溶融された釉薬のガ
ラス質内の結晶が上記の理由でそれほど成長しない範囲
でその表面部が再溶融されてその表面が好適に滑らかと
される。また、前記素地の一部の面積に施釉を行う第２
施釉工程が設けられた場合には、第２施釉工程により施
釉された釉薬材料が第２釉焼工程で溶融されるとき、初
回の溶融であることおよび上記第２釉焼工程の焼成条件
であることにより、そのガラス質内に第１の釉薬の微結
晶よりは小さな微結晶を発生させるか或いは微結晶を実
質的に発生させず、ピンホールの発生も好適に防止され
る利点がある。

【００２０】また、好適には、前記第２釉焼工程は、第
１釉焼工程において溶融された釉薬のガラス質内の微結
晶を実質的に成長させない冷却速度、その釉薬の再溶融
された表面に観察的には微結晶を新たに析出させない冷
却速度、或いは第２施釉工程において施釉され且つ第２
釉焼工程において溶融された釉薬内のガラス質に結晶が
観察的には析出されない冷却速度で素地を冷却するもの
である。このようにすれば、第１施釉工程により施釉さ
れた釉薬のガラス質内の結晶がそれほど成長しない範囲
でその表面部が再溶融されてその表面が好適に滑らかと
される。また、第２施釉工程により施釉された釉薬のピ
ンホールの発生も好適に防止される利点がある。

【００２１】また、好適には、前記第２釉焼工程は、前
記第１釉焼工程よりも低い最高温度と短い焼成時間を用
いて第１釉焼工程により焼成された素地を焼成するもの
である。このようにすれば、第１釉焼工程よりも低い最
高温度と短い焼成時間で焼成される結果、第１釉焼工程
により溶融された釉薬のガラス質内の結晶がそれほど成
長しない範囲でその表面部が再溶融されてその表面が好
適に滑らかとされる。また、前記素地の一部の面積に施
釉を行う第２施釉工程が設けられた場合には、第２釉焼
工程により溶融された釉薬のガラス質内に第１の釉薬の
微結晶よりは小さな微結晶を発生させるか或いは微結晶
を実質的に発生させず、ピンホールの発生も好適に防止
される利点がある。

【００２２】

【発明の好適な実施の態様】以下、本発明の一実施例
を、図面に基づいて詳細に説明する。

【００２３】図１において、調理器用耐熱セラミックプ
レート１０は、３０乃至３２cmφ程度の円板状を成し、
図２の断面に示すように、熱膨張率が３×１０^-6以下で
ある低熱膨張率の素地１２と、その素地１２の表面のう
ちの一部の面積である下面を除いた上面上に施された第
１の釉薬１４と、素地１２の下面上に施された第２の釉
薬１６とを備えている。

【００２４】上記低熱膨張率の素地１２は、スポジュー
メン系セラミックス、ペタライト系セラミックス、ユー
クリプタイト系セラミックスから選択されたリチア系セ
ラミックス材料が、所定の焼成条件下で締焼きされるこ
とにより構成されたものであり、たとえば、スポジュー
メン、石英、クリストバライド、ムライトなどが混在し
た組成から構成される。このように構成された素地１２
は、その締焼き直後の単体では、１〜５％程度、一般に
は２〜３％程度の吸水率と、０〜８００°Ｃの温度範囲
において３×１０^-6以下、一般には２．０〜２．７×１
０^-6程度の熱膨張率とを備えている。

【００２５】上記第１の釉薬１４と第２の釉薬１６と
は、素地１２と同等以下の熱膨張率たとえば２．０×１
０^-6程度の熱膨張率を得るために、焼成後においてその
ガラス質内にβユークリプタイト固溶体或いはβスポジ
ューメン固溶体、またはそれ等の混合体（β石英を含む
場合がある）などの低熱膨張率の微結晶（Li₂O Al₂O₃ 6
SiO₂）を析出させ得る材料、すなわちLi₂Oを含む略同様
の組成から構成されている。しかし、素地１２の上面を
覆う第１の釉薬１４は、上記βユークリプタイト固溶体
或いはスポジューメン固溶体又はそれ等の混合体などの
低熱膨張率の微結晶（Li₂O Al₂O₃ 6SiO₂）をガラス質内
に多数析出させてはいるが、再溶融された平滑表面を備
えている。この微結晶は、線源としてＣｕ管球を用いた
Ｘ線回折において図６に示すように２θ＝２５．６°
（ｄ＝３．４７Å）、或いは２θ＝２２．９°（ｄ＝
３．８８Å）というピークにより認識される。また、随
伴的に生じるシリコンＺｒ０₂ ・ＳｉＯ₂ の微結晶は、
２θ＝２７．０°（ｄ＝３．３０Å）というピークによ
り認識される。

【００２６】上記第１の釉薬１４の表面の平滑性は、た
とえば、日本電色工業株式会社製ＭＭＰ−３００Ａ型光
沢度測定器を用いてＪＩＳ Ｚ ８７４１「鏡面光沢度
測定方法」の方法４に従って測定したとき、「２５」以
上の光沢度を有するものであり、ＪＩＳの表面粗度で表
せば、十点平均粗さＲ_z が２０μ以下の表面粗度を有す
るものとなっている。これにより、焦げついた食品の洗
浄除去性能が高められているのである。

【００２７】また、素地１２の下面を覆う第２の釉薬１
６は、第１の釉薬１４と略同様の材料組成であるにも拘
わらず、第１の釉薬１４よりも低い火度すなわち低い最
高温度、短い焼成時間で焼成され、且つ高い冷却速度で
焼成されているため、上記微結晶をガラス質内に殆ど存
在させておらず、また存在していたとしても上記第１の
釉薬１４に対して微結晶の数が少なく或いは微結晶の大
きさが小さくされている。

【００２８】以上のように構成された調理器用耐熱セラ
ミックプレート１０は、たとえば図３に示す工程を経る
ことによって製造される。先ず、原料調合粉砕工程Ｐ１
においては、前記素地１２を構成するために、４０〜８
０重量％のペタライトと、６０〜２０重量％の粘土およ
び陶石とが、よく知られた混合装置および粉砕装置によ
り混合および粉砕される。好適には、上記ペタライト、
粘土、および陶石が４：４：２の割合で混合され、その
化学組成は、ＳｉＯ₂ が７２％、Ａｌ₂ Ｏ₃ が２５％、
ＬｉＯ₂ が１．７％、（Ｎａ＋Ｋ）₂ Ｏが０．９％とし
て表される構成となる。また、上記粉砕は、たとえば湿
式ボールミルを用いて、８μｍ以下の粒子が５０％以
上、このましくは６０％以上のスラリーとなるまで実行
される。

【００２９】次いで、脱水工程Ｐ２では、上記スラリー
がフィルタープレス装置を用いて２２％以下の水分とな
るまで脱水されることによりケーキ状とされ、真空土練
装置によって適宜練られることにより適当な形の杯土と
される。そして、成形乾燥工程Ｐ３では、その適当な分
量に切断された杯土からロクロ成形装置を用いて成形が
行われることにより、図１に示すような皿状の素地１２
に成形されるとともに、たとえば焼成炉の排ガスを利用
した６０°Ｃ程度以下の熱風乾燥機を用いて乾燥され
る。

【００３０】続いて、締焼工程Ｐ４では、たとえばペタ
ライト系セラミックスの締焼きの焼成条件として知られ
ている焼成条件、たとえば最高温度が１２００〜１２８
０°、その保持時間が６０〜２００分、焼成時間（焼成
炉の入口から出口までの時間）が約２４時間の大気中焼
成により、好適には、最高温度が１２４０°Ｃ、１２０
分の保持時間の焼成条件により、上記成形乾燥工程Ｐ３
により成形乾燥された皿状の素地１２が焼成される。こ
れにより、嵩比重が２．２程度、吸水率が２〜３％程
度、熱膨張率が２．０〜２．７×１０^-6程度の白色に締
焼きされた素地１２が得られる。この締焼きされた白色
の素地１２は、スポジューメン、石英、クリストバライ
ド、ムライトが混在した組成である。

【００３１】続く第１施釉工程Ｐ５では、酸化リチウム
Ｌｉ₂ Ｏを含むことにより、緩やかな冷却過程において
ガラス質内にβユークリプタイト固溶体、βスポジュー
メン固溶体、またはそれ等の混合体などの低熱膨張率の
微結晶（Li₂O Al₂O₃ 6SiO₂）を析出させ得る釉薬材料
が、スラリー化された後に、上記締焼きされた素地１２
の表面のうちの下面を除いてその上面全体によく知られ
たスプレー施釉などの手法を用いて塗布される。上記釉
薬材料は、いわゆる生釉、フリット釉のいずれも使用で
き、たとえば、ＳｉＯ₂ が６７．０％、Ａｌ₂ Ｏ₃ が１
４．２％、ＣａＯが３．６％、ＭｇＯが１．８％、Ｌｉ
₂ Ｏが３．７％、ＺｒＯ₂ が２．３％、ＺｎＯが３．２
％、Ｋ₂ Ｏ＋Ｎａ₂ Ｏが０．９％、Ｅｇ．ｌｏｓｓ（イ
グナイトロス）３．９％という化学組成により構成され
る。また、この釉薬材料は、常法によるガラスの熱膨張
曲線（加熱速度１０°Ｃ／ｍｉｎ、荷重１０ｇ）から求
めた屈伏点Ａｔ（別名、軟化点とも言う）が約１１３０
°Ｃという特性を備えている。また、この釉薬材料は、
上記屈伏点Ａｔに向かう上昇折点（折点が２つあるとき
はその中間点）である転移点Ｔｇが６９０〜７００°Ｃ
という特性を備えている。また、この釉薬材料は、本出
願人が先に出願した特開平８−２１８１０号公報に記載
されている溶融点測定方法によれば、所定の荷重が加え
られたペレット状試料の上面の変位−温度特性に基づく
Ｐ点（溶融開始点）が１０１０〜１０３０°Ｃ、Ｓ点
（Ｐ点とＦ点との間の変曲点）が１１４０〜１１６０°
Ｃ、Ｆ点（溶融終了点）が１２１０〜１２３０°Ｃとい
う特性を備えている。

【００３２】第１釉焼工程Ｐ６では、締焼工程Ｐ４にお
ける最高温度よりも低く且つ上記釉薬材料のＦ点以下に
設定された最高温度たとえば最高温度が１２００プラス
マイナス１０°Ｃ、その保持時間が６０〜１２０分、そ
の最高温度から釉薬材料の転移点Ｔｇまでの間の冷却速
度が３°Ｃ／分以下、焼成時間（焼成炉の入口から出口
までの時間）が約２４時間の大気中焼成により、上記第
１施釉工程Ｐ５により施釉された釉薬材料が溶融され、
ガラス質の第１の釉薬１４が皿状の素地１２の上面に形
成される。このとき、最高温度から釉薬材料の転移点Ｔ
ｇまでの間において釉薬材料が３°Ｃ／分以下の緩やか
な冷却速度で冷却される結果、上記第１の釉薬１４のガ
ラス質内には、βユークリプタイト固溶体、βスポジュ
ーメン固溶体又はそれ等の混合体などの低熱膨張率の微
結晶（Li₂O Al₂O₃ 6SiO₂）が多数析出させられ、その表
面は多数の微結晶によってマット状の凹凸が形成され
る。また、この第１釉焼工程Ｐ６では、上面のみに釉薬
材料が塗布された素地１２が焼成されることから、釉薬
材料が溶融した状態であっても素地１２内のガスや水分
の脱出が下面から容易であるので、上面の第１の釉薬１
４にはそのガスや水分の脱出に関連するピンホールの発
生が好適に防止される。

【００３３】次いで、第２施釉工程Ｐ７では、素地１２
の表面のうちの第１施釉工程Ｐ５において施釉されない
で残された面積すなわち素地１２の下面に、よく知られ
たスプレー施釉などの手法を用いて、第１施釉工程Ｐ５
において用いられたものと略同様の釉薬材料が塗布され
る。この第２施釉工程Ｐ７において用いられる釉薬材料
は、必要に応じて、Ｆｅ₂ Ｏ₃ などの無機顔料（たとえ
ばステイン）が２〜８重量％程度だけさらに含有させら
れる。この場合には、無機顔料が含有させられない釉薬
材料に比較して、前記Ｆ点、Ｓ点、Ｐ点などが、全体的
に少し低融点に移動する傾向となる。

【００３４】そして、第２釉焼工程Ｐ８では、上記第２
施釉工程Ｐ７により釉薬材料が下面に塗布された素地１
２が第１釉焼工程Ｐ６よりも低い火度（最高温度および
時間による加熱効果）、および高い冷却速度により、た
とえばローラハースキルン（ＲＨＫ）を用いて焼成され
ることにより、第１の釉薬１４の表面が再溶融されて平
滑化されると同時に、上記素地１２の下面に塗布された
釉薬材料が溶融されて、ガラス質の第２の釉薬１６が形
成される。この第２釉焼工程Ｐ８における焼成条件は、
図４に示すように、前記第１釉焼工程Ｐ６での最高温度
よりも低く且つ前記釉薬材料のＦ点（溶融終了点）とＳ
点（Ｐ点とＦ点との間の変曲点すなわち最大傾斜点）と
の間となるように決定されたたとえば１１９０〜１２１
０°Ｃ程度の最高温度を５〜３０分程度の保持時間だけ
保持し、その後、その最高温度から転移点Ｔｇまでの間
は２０°Ｃ／分以上好ましくは３０°Ｃ／分以上の冷却
速度で冷却され、焼成時間（焼成炉の入口から出口まで
の時間）が約２時間程度の大気中焼成となるように設定
されている。

【００３５】図２の２点鎖線は、上記第２釉焼工程Ｐ８
における支持方法を示している。すなわち、第２施釉工
程Ｐ７により釉薬材料が下面に塗布された素地１２と焼
成炉の窯道具として用いられるセッター２０との間に
は、複数個（通常は３個）のアルミナ製の三角錐２２が
介挿されることにより、それら素地１２とセッター２０
とを相互に結合させないための隙間Ｄがそれらの間に形
成されている。第２釉焼工程Ｐ８が終了したときには、
耐熱セラミックプレート１０の下面の第２の釉薬１６に
より結合された上記三角錐２２は、適当な衝撃が加えら
れることにより折り除かれる。三角錐２２の頂部が耐熱
セラミックプレート１０の下面に残存する場合には、そ
れが砥石などを用いて除去される。

【００３６】上記のような第２釉焼工程Ｐ８を経ること
により、第１の釉薬１４の表面が再溶融されることによ
り、その表面が第１釉焼工程Ｐ６の直後に比較すると大
幅に平滑とされる。このことは、第１の釉薬１４の表面
に析出した微結晶が第２釉焼工程Ｐ８による表面の溶融
時に溶解させられるが、第１釉焼工程Ｐ６よりも焼成火
度が低く且つ冷却速度が高いので、析出するまえにガラ
ス化状態で固化されるものと考えられる。また、この第
２釉焼工程Ｐ８では、素地１２の下面に塗布された釉薬
材料にとって最初の溶融であること、および第２釉焼工
程Ｐ８は第１釉焼工程Ｐ６に比較して最高温度が低く、
その保持時間が短く、冷却速度が高く、焼成時間が短い
ことから、第１の釉薬１４にピンホールの発生すること
が好適に抑制され、同時に、素地１２の下面の釉薬材料
が溶融した第２の釉薬１６にもピンホールの発生するこ
とが好適に抑制される。

【００３７】そして、検査工程Ｐ９では、第１の釉薬１
４および第２の釉薬１６の表面状態、たとえばクラッ
ク、禿、ピンホールなどの外観検査と、第１の釉薬１４
の表面の平滑性検査とが実行される。この平滑性の検査
は、前記と同様の光沢度測定器を用いたＪＩＳ Ｚ ８
７４１の方法４にしたがう測定によれば、たとえば、
「２５」以上の光沢度を有するもの、或いはＪＩＳの表
面粗度測定器によれば、十点平均粗さＲ_z が２０μ以下
の平滑性を有するものが合格とされる。

【００３８】表１に示す実験例１は、前記第２釉焼工程
Ｐ８の効果を示すためのものであり、前述の実施例の各
工程により製造された試料イを、前記第２施釉工程Ｐ７
および第２釉焼工程Ｐ８を経ていない試料ロ、および、
前記第２施釉工程Ｐ７および第２釉焼工程Ｐ８を経ず且
つ第１施釉工程Ｐ５において素地１２の上面および下面
にスプレーにより釉薬材料が塗布された状態で第１釉焼
工程Ｐ６を経た試料ハと対比して示している。

【００３９】表１において、試料ロおよび試料ハの上面
の釉薬（第１の釉薬）の表面は、試料イに比較して、マ
ット状の細かな凹凸により、光沢度が２５以下と低く、
表面粗さＲ_z が２０以上と大きい値となっている。さら
に、試料ハは、素地１２の全面に釉薬材料が塗布された
状態で第１釉焼工程Ｐ６において焼成されていることか
ら、素地１２内のガスや水分の脱出に起因して発生する
ピンホールが、素地１２の上面および下面の釉薬に存在
する。

【００４０】

【表１】

【００４１】表２に示す実験例２は、第２釉焼工程Ｐ８
の焼成条件の効果を示すためのものであり、前述の実施
例の各工程Ｐ１〜Ｐ８により製造された試料イを、同様
に工程Ｐ１〜Ｐ８を経たものであるが、第２釉焼工程Ｐ
８の最高温度がＳ点以下の試料、第２釉焼工程Ｐ８の
最高温度がＦ点以上の試料、第２釉焼工程Ｐ８の冷却
速度が１０°Ｃ／分未満の試料、および、第１施釉工
程Ｐ５において素地１２の上面および下面にスプレーに
より釉薬材料が塗布された状態で第１釉焼工程Ｐ６およ
び第２釉焼工程Ｐ８を経た試料と対比して示してい
る。

【００４２】

【表２】

【００４３】表２において、試料は試料イに比較して
第１の釉薬１４の再溶融が不足して若干マット状となる
とともに、第２の釉薬１６の焼きが甘くなって溶融状態
のレベリングの不足に起因するムラやうねり状の凹凸が
発生している。また、試料は試料イに比較して第２の
釉薬１６の焼きが過剰となって第１の釉薬１４の表面に
細かなピンホールが多数発生している。また、試料は
試料イに対して冷却速度が緩やかであるため、素地１２
の上面の第１の釉薬１４の表面に微結晶が存在してその
平滑性が不充分となり、しかも下面の第２の釉薬１６に
も微結晶が多数存在する。さらに、試料は、素地１２
の上面および下面の釉薬が同時に焼成され且つ再溶融さ
せられるため、素地１２内のガスや水分の脱出に起因し
て発生するピンホールが、その数および大きさにおいて
一層顕著となる。

【００４４】本実施例の調理器用耐熱セラミックプレー
ト１０によれば、低熱膨張率の素地１２の表面積のうち
の一部の面積（下面）を除く第１の釉薬１４は、微結晶
を有するガラス質であって再溶融された平滑表面を備え
ているので、調理器用耐熱セラミックプレート１０の上
面となる第１の釉薬１４の表面が平滑となり、その上に
付着した食品の焦げ付きを容易に除去することができ
る。

【００４５】また、本実施例の調理器用耐熱セラミック
プレート１０によれば、第２の釉薬１６は、上記第１の
釉薬１４と略同様の材料組成であるにもかかわらず、そ
の第１の釉薬１４に対して微結晶が少なく或いは小さい
ことから、第１の釉薬１４の焼成とは別にその後におい
てその焼成条件よりは低火度で第１の釉薬１４の再溶融
のための焼成などにおいて焼成されたものである。した
がって、第１の釉薬１４の焼成時には素地１２の表面積
のうちの一部の面積（下面）が開放された状態で第１の
釉薬１４が溶融されるので、素地１２内の水分やガスの
逃げなどに起因する第１の釉薬１４のピンホールの発生
が好適に解消されるとともに、第２の釉薬１６の焼成時
には、第１の釉薬１４の焼成条件よりは最高温度が低く
短時間で焼成されるので、この第２の釉薬１６の焼成時
にも第１の釉薬１４および第２の釉薬１６にピンホール
が発生することが好適に解消され、ピンホールのない調
理器用耐熱セラミックプレート１０が得られる。

【００４６】さらに、本実施例の調理器用耐熱セラミッ
クプレート１０によれば、その上面および下面の全面が
釉薬によって覆われることにより、洗浄後の食品の残留
やそれに起因する細菌の繁殖が好適に防止されるととも
に、素地１２内への水の浸透がないので、急速加熱によ
る水蒸気破裂が好適に防止される。

【００４７】また、本実施例の調理器用耐熱セラミック
プレート１０によれば、第１の釉薬１４は、その表面の
再溶融により、２５以上の光沢度、或いは、十点平均粗
さＲ _z が２０μ以下の表面粗度を備えたものであるの
で、第１の釉薬の表面が一層平滑となり、その上に付着
した食品の焦げ付きを容易に除去することができる。

【００４８】また、好適には、前記低熱膨張率の素地１
２は、コーディライト系セラミックス、スポジューメン
系セラミックス、ペタライト系セラミックス、コークリ
プタイト系セラミックスから選択されたリチア系セラミ
ックス材料から構成されたものであることから、熱膨張
率が３．０×１０^-6以下とされ、第１の釉薬１４および
第２の釉薬１６はその素地１２と同等以下の熱膨張率と
されているので、耐熱性、耐熱衝撃性に優れた調理器用
耐熱セラミックプレート１０が得られる。

【００４９】また、本実施例の調理器用耐熱セラミック
プレート１０の第１の釉薬１４は、βユークリプタイト
固溶体、或いはβスポジューメン固溶体又はそれ等の混
合体の微結晶（Li₂O Al₂O₃ 6SiO₂）をガラス質内に多数
析出させたものであり、第２の釉薬１６は、第１の釉薬
１４と略同様の材料組成であるが、上記微結晶の数が少
ないか、大きさが小さいか、或いは微結晶を殆ど有しな
いものであるので、第２の釉薬１６が第１の釉薬１４の
焼成の後においてその焼成よりも低火度で焼成可能とな
るので、ピンホールの発生が好適に防止される。

【００５０】また、本実施例の調理器用耐熱セラミック
プレート１０の製造方法によれば、第１釉焼工程Ｐ６で
は、低熱膨張率の素地１２の締焼きの焼成温度よりも低
く且つその素地１２の上の第１の釉薬材料１４を溶融さ
せる最高温度と、その釉薬内に微結晶を析出させる冷却
速度とを有する焼成条件下で、第１施釉工程Ｐ５により
一部の面積（下面）を残して前記釉薬材料が塗布された
素地１２が焼成された後、第２釉焼工程Ｐ８では、第１
釉焼工程Ｐ６での溶融によってガラス質化された第１の
釉薬１４の表面を溶融させ得る最高温度と、その第１釉
焼工程Ｐ６よりも高い冷却速度とを有する焼成条件で、
その第１釉焼工程Ｐ６を経た素地１２をさらに焼成する
ことにより、その素地１２上の第１の釉薬１４の表面が
再溶融により平滑化される。したがって、本製造方法に
より製造された調理器用耐熱セラミックプレート１０で
は、素地１２の表面積のうちの一部の面積（下面）を除
く第１の釉薬１４は、微結晶を有するガラス質ではある
けれども再溶融された平滑表面を備えているので、調理
器用耐熱セラミックプレート１０の上面すなわちその第
１の釉薬１４の表面が平滑となり、その上に付着した食
品の焦げ付きを容易に除去することができる。

【００５１】また、本実施例の調理器用耐熱セラミック
プレート１０の製造方法によれば、第１釉焼工程Ｐ６に
おいて一部の面積（下面）を残して施釉された素地１２
が焼成されるとき、上面の釉薬が溶融した状態でもその
一部の面積を通して素地１２内の脱水や脱ガスが容易に
可能であり、また、第２釉焼工程Ｐ８においては、上記
一部の面積はそのままの状態であっても、或いは、第２
施釉工程Ｐ７において必要に応じて新たな釉薬が塗布さ
れた状態であっても、その初回の溶融であること、およ
び、第１釉焼工程Ｐ６で溶融された釉薬の表面を再溶融
させ得る最高温度とその第１釉焼工程Ｐ６よりも高い冷
却速度とを有する焼成条件で焼成されることから、素地
１２の上面の当初の釉薬、或いは必要に応じて下面に塗
布された釉薬にピンホールが発生することが好適に防止
される。

【００５２】また、本実施例の調理器用耐熱セラミック
プレート１０の製造方法によれば、第２釉焼工程Ｐ８に
先立って、低熱膨張率の素地１２の残された一部の面積
（下面）に施釉を行う第２施釉工程Ｐ７が設けられてい
ることから、第２施釉工程Ｐ７により施釉された釉薬材
料は第２釉焼工程Ｐ８により溶融させられるので、調理
器用耐熱セラミックプレート１０の全面が釉薬によって
覆われることにより、洗浄後の食品の残留やそれに起因
する細菌の繁殖が一層好適に防止されるとともに、素地
１２内への水分の侵入がなく急速加熱による水蒸気破裂
が好適に防止される。

【００５３】また、本実施例の調理器用耐熱セラミック
プレート１０の製造方法によれば、上記第２釉焼工程Ｐ
８で溶融される釉薬材料は、前記第１釉焼工程で用いら
れる釉薬と同様の、βユークリプタイト固溶体、βスポ
ジューメン固溶体、又はそれ等の混合体の微結晶（Li₂O
Al₂O₃ 6SiO₂）を、その焼成の冷却期間においてガラス
質内に多数析出させ得る材料から成る結晶性釉薬材料で
あって、ガラス化された後は素地１２と同等以下の熱膨
張率を有する第２の釉薬１６となる。このため、素地１
２の一部の面積（下面）に非結晶性の通常の釉薬を用い
る場合に比較して貫入が防止される利点がある。

【００５４】また、本実施例の調理器用耐熱セラミック
プレート１０の製造方法によれば、前記第２釉焼工程Ｐ
８は、特開平８−２１８１０号公報に記載されている溶
融点測定方法による、第２の釉薬１６の溶融終了温度で
あるＦ点と、溶融開始温度であるＰ点とＦ点との中間の
変曲点温度であるＳ点との間の最高温度で第１釉焼工程
Ｐ６により溶融された第１の釉薬１４を再度焼成するも
のであることから、第１の釉薬１４は、第１釉焼工程Ｐ
６よりも低火度で加熱されることにより、第１釉焼工程
により一旦溶融された釉薬のガラス質内の結晶がそれほ
ど成長しない範囲でその表面部が再溶融されることによ
って表面部の結晶が溶解して好適に滑らかとされる。ま
た、第２施釉工程Ｐ７により素地１２の下面に施釉され
た釉薬材料が第１釉焼工程Ｐ６よりも低火度で溶融さ
れ、ピンホールの発生が好適に防止される利点がある。

【００５５】また、本実施例の調理器用耐熱セラミック
プレート１０の製造方法によれば、前記第２釉焼工程Ｐ
８は、その焼成温度曲線の最高温度から釉薬の転移点Ｔ
ｇまでの冷却期間において１０°Ｃ／分以上の第１釉焼
工程Ｐ６よりも高い冷却速度で冷却するものであること
から、第２釉焼工程Ｐ８においては比較的速やかに調理
器用耐熱セラミックプレート１０が冷却される結果、第
１釉焼工程Ｐ６により溶融された釉薬材料のガラス質の
表面が再溶融されてその表面の結晶が再溶解された後、
その部分に結晶が殆ど再成長しないので、その表面が好
適に滑らかとされる。また、第２施釉工程Ｐ７により素
地１２の下面に施釉され且つ上記第２釉焼工程Ｐ８で溶
融された釉薬が、第１釉焼工程Ｐ６よりも高い冷却速度
で冷却されるので、第２の釉薬１６のガラス質内に微結
晶を肉眼観察的にはほとんど発生させず、ピンホールの
発生も好適に防止される利点がある。

【００５６】また、本実施例の調理器用耐熱セラミック
プレート１０の製造方法によれば、前記第２釉焼工程Ｐ
８は、第１釉焼工程Ｐ６において溶融された第１の釉薬
１４のガラス質内の微結晶を実質的に成長させない冷却
速度、その第１の釉薬１４の再溶融された表面に微結晶
を光学観察的にはほとんど析出させない冷却速度、或い
は第２釉焼工程Ｐ８において溶融された第２の釉薬１６
内のガラス質に結晶が光学観察的には析出されない冷却
速度で素地１２を冷却するものであることから、第１釉
焼工程Ｐ６により溶融された第１の釉薬１４のガラス質
内の結晶がそれほど成長しない範囲でその表面部が再溶
融されてその表面が好適に滑らかとされる。また、第２
釉焼工程Ｐ８により溶融された釉薬のピンホールの発生
も好適に防止される利点がある。ここで、第２釉焼工程
Ｐ８を経た耐熱セラミックプレート１０の第２の釉薬１
６内のガラス質には、結晶が光学観察的には析出されな
い程であるが、その熱膨張係数が素地１２と同等以下と
なっていることから推察すると、非常に細かな微結晶が
存在していると考えられる。

【００５７】また、本実施例の調理器用耐熱セラミック
プレート１０の製造方法によれば、前記第２釉焼工程Ｐ
８は、第１釉焼工程Ｐ６よりも低い最高温度と短い焼成
時間を用いてその第１釉焼工程Ｐ６により溶融された第
１の釉薬１４を焼成するものであることから、第１釉焼
工程Ｐ６により溶融された第１の釉薬１４のガラス質内
の結晶がそれほど成長しない範囲でその表面部が再溶融
されてその表面が好適に滑らかとされる。また、第２施
釉工程Ｐ７により素地１２の下面に施釉され且つ上記第
２釉焼工程Ｐ８で溶融された釉薬が、そのガラス質内に
微結晶を実質的に発生させず、ピンホールの発生も好適
に防止される利点がある。

【００５８】以上、本発明の実施例を図面に基づいて説
明したが、本発明はその他の態様においても適用され
る。

【００５９】例えば、前述の実施例の調理器用耐熱セラ
ミックプレート１０では、その上面全体が第１の釉薬１
４により覆われ、その下面全体が第２の釉薬１６により
覆われており、前記第１施釉工程Ｐ６において施釉され
ない一部の面積が下面全体とされていたが、その一部の
面積は必ずしも素地１２の下面全体でなくてもよく、矩
形など小円形などの上面或いは下面の一部であっても差
し支えない。

【００６０】また、前述の実施例の調理器用耐熱セラミ
ックプレート１０では、その上面および下面が第１の釉
薬１４および第２の釉薬１６で覆われた全面施釉であっ
たが、図３の製造工程のうちの第２施釉工程Ｐ７のない
製造工程により作成された下面に釉薬のない耐熱セラミ
ックプレート１０であっても、本発明の効果が享受され
得るものである。この場合には、たとえば図５に示す焼
成温度プロファイルを有する焼成炉が用いられる。図５
のｔ₀ 時点乃至ｔ₃ 時点が第１釉焼工程Ｐ６に対応し、
ｔ₄ 時点乃至ｔ₆ 時点が第２釉焼工程Ｐ８に対応するも
のである。また、ｔ₁ 時点乃至ｔ₂ 時点が第１釉焼工程
Ｐ６の最高温度保持期間であり、ｔ₄ 時点乃至ｔ₅ 時点
が第２釉焼工程Ｐ８の最高温度保持期間である。第１釉
焼工程Ｐ６の最高温度は、締焼工程Ｐ４の最高温度より
も低く且つ前記釉薬材料のＦ点以下に設定される一方、
第２釉焼工程Ｐ８の最高温度は、第１釉焼工程Ｐ６の最
高温度よりも低く且つ前記釉薬材料のＦ点とＳ点との間
に設定され、第２釉焼工程Ｐ８の最高温度保持期間ｔ₄
〜ｔ₅ は第１釉焼工程Ｐ６の最高温度保持期間ｔ₁〜ｔ
₂ よりも短く、第２釉焼工程Ｐ８の冷却期間ｔ₅ 〜ｔ₆
の冷却速度は第１釉焼工程Ｐ６の冷却期間ｔ₂ 〜ｔ₃ の
冷却速度よりも高く、１０°Ｃ／分以上に設定されてい
る。

【００６１】また、前記の実施例の調理器用耐熱セラミ
ックプレート１０は、円形の皿状に形成されていたが、
楕円、矩形、多角形など他の形状であっても差し支えな
い。

【００６２】その他、一々例示はしないが、本発明は当
業者の知識に基づいて、さまざまな変更、改良を加えた
態様で実施することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例の調理器用耐熱セラミックプ
レートを説明する、一部を切り欠いた斜視図である。

【図２】図１の調理用耐熱セラミックプレートの要部断
面を拡大して示す図である。

【図３】図１の調理用耐熱セラミックプレートの製造工
程を説明する図である。

【図４】図３の第２釉焼工程において用いられる加熱曲
線を示す図である。

【図５】本発明の他の実施例において、第１釉焼工程の
焼成と第２釉焼工程の焼成とを連続して実施する場合の
加熱曲線を示す図である。

【図６】図１および図２の調理用耐熱セラミックプレー
トにおける第１の釉薬と第２の釉薬のＸ線回折角度を示
す図である。

【図７】表１の試料イと試料ロの上面（第１の釉薬）の
表面粗さ曲線を示す図であって、（ａ）は試料イを、
（ｂ）は試料ロを示している。

【符号の説明】

１０：調理用耐熱セラミックプーレート １２：低熱膨張率素地 １４：第１の釉薬 １６：第２の釉薬

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 坂本 憲仁 愛知県名古屋市西区則武新町三丁目１番36 号 株式会社ノリタケカンパニーリミテド 内 (72)発明者 箕浦 誠 愛知県名古屋市西区則武新町三丁目１番36 号 株式会社ノリタケカンパニーリミテド 内

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 熱膨張率が３×１０^-6以下である低熱膨
   張率の素地の上に釉薬が施された調理器用耐熱セラミッ
   クプレートであって、 前記素地の表面積のうちの一部の面積を除く第１の釉薬
   は、微結晶を有するガラス質であって再溶融された平滑
   表面を備え、該一部の面積における第２の釉薬は、該第
   １の釉薬と略同様の材料組成であるが該第１の釉薬に対
   して微結晶が少なく或いは小さいことを特徴とする調理
   器用耐熱セラミックプレート。
2. 【請求項２】 前記第１の釉薬は、２５以上の光沢度を
   備えたものである請求項１の調理器用耐熱セラミックプ
   レート。
3. 【請求項３】 前記第１の釉薬は、十点平均粗さＲ_z が
   ２０μ以下の表面粗度を備えたものである請求項１の調
   理器用耐熱セラミックプレート。
4. 【請求項４】 熱膨張率が３×１０^-6以下の低熱膨張率
   の素地の上に釉薬が施された調理器用耐熱セラミックプ
   レートの製造方法であって、 締焼きされた前記素地の表面に、その表面積のうちの一
   部の面積を残して、結晶性釉薬材料を施釉する施釉工程
   と、 前記素地の焼成温度よりも低く且つ該素地の上の釉薬材
   料を溶融させる最高温度と、前記釉薬内に微結晶を析出
   させる冷却速度とを有する焼成条件下で、前記施釉工程
   により一部の面積を残して施釉された素地を焼成する第
   １釉焼工程と、 前記釉薬の表面を溶融させ得る最高温度と該第１釉焼工
   程よりも高い冷却速度とを有する焼成条件で、該第１釉
   焼工程により再焼成された素地をさらに焼成することに
   より、該素地上の釉薬の表面を再溶融により平滑化する
   第２釉焼工程とを含むことを特徴とする調理器用耐熱セ
   ラミックプレートの製造方法。
5. 【請求項５】 前記第２釉焼工程は、前記釉薬の溶融特
   性点であるＦ点とＳ点との間の最高温度で前記第１釉焼
   工程により再焼成された素地をさらに焼成するものであ
   る請求項４の調理器用耐熱セラミックプレートの製造方
   法。
6. 【請求項６】 前記第２釉焼工程は、最高温度から前記
   第１釉焼工程で用いた釉薬の転移点までの冷却期間にお
   いて１０°Ｃ／分以上の冷却速度で冷却するものである
   請求項４または５の調理器用耐熱セラミックプレートの
   製造方法。
7. 【請求項７】 前記第２釉焼工程は、前記第１釉焼工程
   による素地上において溶融させられた釉薬内の結晶が実
   質的に成長しない冷却速度で該素地を冷却するものであ
   る請求項４乃至６のいずれかの調理器用耐熱セラミック
   プレートの製造方法。
8. 【請求項８】 前記第２釉焼工程は、前記第１釉焼工程
   よりも低い最高温度と短い焼成時間を用いて該第１釉焼
   工程により溶融された釉薬を再焼成するものである請求
   項４乃至７のいずれかの調理器用耐熱セラミックプレー
   トの製造方法。
9. 【請求項９】 前記第２釉焼工程に先立って前記素地の
   前記一部の面積に施釉を行う第２施焼工程を、さらに含
   むものである請求項４乃至８のいずれかの調理器用耐熱
   セラミックプレートの製造方法。
10. 【請求項１０】 前記第２釉焼工程で用いられる釉薬材
    料は、前記第１釉焼工程で用いられる釉薬と略同様の結
    晶性釉薬材料であって、前記素地と同等以下の熱膨張率
    を有する釉薬である請求項９の調理器用耐熱セラミック
    プレートの製造方法。