JP7425069B2 - 基板接合を用いた高帯域幅・大容量メモリ組み込み型電子デバイス - Google Patents

基板接合を用いた高帯域幅・大容量メモリ組み込み型電子デバイス Download PDF

Info

Publication number
JP7425069B2
JP7425069B2 JP2021541611A JP2021541611A JP7425069B2 JP 7425069 B2 JP7425069 B2 JP 7425069B2 JP 2021541611 A JP2021541611 A JP 2021541611A JP 2021541611 A JP2021541611 A JP 2021541611A JP 7425069 B2 JP7425069 B2 JP 7425069B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
memory
circuit
modular
data
memory device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2021541611A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2020160169A5 (ja
JP2022519023A (ja
Inventor
クアデル、カンドカー・ナズルル
ノルマン、ロバート
サイークン リー、フランク
プティ、クリストファー・ジェイ
ブラッド ヘルナー、スコット
チャン、シウロン
サラフディン、サイーフ
モフィディ、メルダッド
ハラリ、エリ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sunrise Memory Corp
Original Assignee
Sunrise Memory Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sunrise Memory Corp filed Critical Sunrise Memory Corp
Publication of JP2022519023A publication Critical patent/JP2022519023A/ja
Publication of JPWO2020160169A5 publication Critical patent/JPWO2020160169A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7425069B2 publication Critical patent/JP7425069B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/065—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L25/0657—Stacked arrangements of devices
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F11/00—Error detection; Error correction; Monitoring
    • G06F11/07—Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
    • G06F11/08—Error detection or correction by redundancy in data representation, e.g. by using checking codes
    • G06F11/10—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's
    • G06F11/1008—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's in individual solid state devices
    • G06F11/1048—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's in individual solid state devices using arrangements adapted for a specific error detection or correction feature
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F11/00—Error detection; Error correction; Monitoring
    • G06F11/07—Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
    • G06F11/08—Error detection or correction by redundancy in data representation, e.g. by using checking codes
    • G06F11/10—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's
    • G06F11/1008—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's in individual solid state devices
    • G06F11/1068—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's in individual solid state devices in sector programmable memories, e.g. flash disk
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F12/00—Accessing, addressing or allocating within memory systems or architectures
    • G06F12/02—Addressing or allocation; Relocation
    • G06F12/0223—User address space allocation, e.g. contiguous or non contiguous base addressing
    • G06F12/023—Free address space management
    • G06F12/0238—Memory management in non-volatile memory, e.g. resistive RAM or ferroelectric memory
    • G06F12/0246—Memory management in non-volatile memory, e.g. resistive RAM or ferroelectric memory in block erasable memory, e.g. flash memory
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F12/00—Accessing, addressing or allocating within memory systems or architectures
    • G06F12/02—Addressing or allocation; Relocation
    • G06F12/08—Addressing or allocation; Relocation in hierarchically structured memory systems, e.g. virtual memory systems
    • G06F12/0802—Addressing of a memory level in which the access to the desired data or data block requires associative addressing means, e.g. caches
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/06—Digital input from, or digital output to, record carriers, e.g. RAID, emulated record carriers or networked record carriers
    • G06F3/0601—Interfaces specially adapted for storage systems
    • G06F3/0602—Interfaces specially adapted for storage systems specifically adapted to achieve a particular effect
    • G06F3/0604—Improving or facilitating administration, e.g. storage management
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/06—Digital input from, or digital output to, record carriers, e.g. RAID, emulated record carriers or networked record carriers
    • G06F3/0601—Interfaces specially adapted for storage systems
    • G06F3/0628—Interfaces specially adapted for storage systems making use of a particular technique
    • G06F3/0655—Vertical data movement, i.e. input-output transfer; data movement between one or more hosts and one or more storage devices
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/06—Digital input from, or digital output to, record carriers, e.g. RAID, emulated record carriers or networked record carriers
    • G06F3/0601—Interfaces specially adapted for storage systems
    • G06F3/0668—Interfaces specially adapted for storage systems adopting a particular infrastructure
    • G06F3/0671—In-line storage system
    • G06F3/0673—Single storage device
    • G06F3/0679—Non-volatile semiconductor memory device, e.g. flash memory, one time programmable memory [OTP]
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06N—COMPUTING ARRANGEMENTS BASED ON SPECIFIC COMPUTATIONAL MODELS
    • G06N3/00—Computing arrangements based on biological models
    • G06N3/02—Neural networks
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06N—COMPUTING ARRANGEMENTS BASED ON SPECIFIC COMPUTATIONAL MODELS
    • G06N3/00—Computing arrangements based on biological models
    • G06N3/02—Neural networks
    • G06N3/06—Physical realisation, i.e. hardware implementation of neural networks, neurons or parts of neurons
    • G06N3/063—Physical realisation, i.e. hardware implementation of neural networks, neurons or parts of neurons using electronic means
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/04—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS
    • G11C16/0408—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS comprising cells containing floating gate transistors
    • G11C16/0416—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS comprising cells containing floating gate transistors comprising cells containing a single floating gate transistor and no select transistor, e.g. UV EPROM
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/08—Address circuits; Decoders; Word-line control circuits
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/34—Determination of programming status, e.g. threshold voltage, overprogramming or underprogramming, retention
    • G11C16/3418—Disturbance prevention or evaluation; Refreshing of disturbed memory data
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/50—Multistep manufacturing processes of assemblies consisting of devices, each device being of a type provided for in group H01L27/00 or H01L29/00
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2212/00—Indexing scheme relating to accessing, addressing or allocation within memory systems or architectures
    • G06F2212/60—Details of cache memory
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2212/00—Indexing scheme relating to accessing, addressing or allocation within memory systems or architectures
    • G06F2212/72—Details relating to flash memory management
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2212/00—Indexing scheme relating to accessing, addressing or allocation within memory systems or architectures
    • G06F2212/72—Details relating to flash memory management
    • G06F2212/7201—Logical to physical mapping or translation of blocks or pages
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2212/00—Indexing scheme relating to accessing, addressing or allocation within memory systems or architectures
    • G06F2212/72—Details relating to flash memory management
    • G06F2212/7203—Temporary buffering, e.g. using volatile buffer or dedicated buffer blocks
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06N—COMPUTING ARRANGEMENTS BASED ON SPECIFIC COMPUTATIONAL MODELS
    • G06N3/00—Computing arrangements based on biological models
    • G06N3/02—Neural networks
    • G06N3/08—Learning methods
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/04—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS
    • G11C16/0483—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS comprising cells having several storage transistors connected in series
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/10—Programming or data input circuits
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/26—Sensing or reading circuits; Data output circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/07—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas after the connecting process
    • H01L2224/08—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas after the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/081—Disposition
    • H01L2224/0812—Disposition the bonding area connecting directly to another bonding area, i.e. connectorless bonding, e.g. bumpless bonding
    • H01L2224/08135—Disposition the bonding area connecting directly to another bonding area, i.e. connectorless bonding, e.g. bumpless bonding the bonding area connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/08145—Disposition the bonding area connecting directly to another bonding area, i.e. connectorless bonding, e.g. bumpless bonding the bonding area connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16135—Disposition the bump connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/16145—Disposition the bump connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/80001—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by connecting a bonding area directly to another bonding area, i.e. connectorless bonding, e.g. bumpless bonding
    • H01L2224/80003—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by connecting a bonding area directly to another bonding area, i.e. connectorless bonding, e.g. bumpless bonding involving a temporary auxiliary member not forming part of the bonding apparatus
    • H01L2224/80006—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by connecting a bonding area directly to another bonding area, i.e. connectorless bonding, e.g. bumpless bonding involving a temporary auxiliary member not forming part of the bonding apparatus being a temporary or sacrificial substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/80001—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by connecting a bonding area directly to another bonding area, i.e. connectorless bonding, e.g. bumpless bonding
    • H01L2224/8034—Bonding interfaces of the bonding area
    • H01L2224/80357—Bonding interfaces of the bonding area being flush with the surface
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/80001—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by connecting a bonding area directly to another bonding area, i.e. connectorless bonding, e.g. bumpless bonding
    • H01L2224/808—Bonding techniques
    • H01L2224/80894—Direct bonding, i.e. joining surfaces by means of intermolecular attracting interactions at their interfaces, e.g. covalent bonds, van der Waals forces
    • H01L2224/80895—Direct bonding, i.e. joining surfaces by means of intermolecular attracting interactions at their interfaces, e.g. covalent bonds, van der Waals forces between electrically conductive surfaces, e.g. copper-copper direct bonding, surface activated bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/80001—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by connecting a bonding area directly to another bonding area, i.e. connectorless bonding, e.g. bumpless bonding
    • H01L2224/808—Bonding techniques
    • H01L2224/80894—Direct bonding, i.e. joining surfaces by means of intermolecular attracting interactions at their interfaces, e.g. covalent bonds, van der Waals forces
    • H01L2224/80896—Direct bonding, i.e. joining surfaces by means of intermolecular attracting interactions at their interfaces, e.g. covalent bonds, van der Waals forces between electrically insulating surfaces, e.g. oxide or nitride layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
    • H01L2224/92—Specific sequence of method steps
    • H01L2224/922—Connecting different surfaces of the semiconductor or solid-state body with connectors of different types
    • H01L2224/9222—Sequential connecting processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/94—Batch processes at wafer-level, i.e. with connecting carried out on a wafer comprising a plurality of undiced individual devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
    • H01L2225/04—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
    • H01L2225/065—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L2225/06503—Stacked arrangements of devices
    • H01L2225/06513—Bump or bump-like direct electrical connections between devices, e.g. flip-chip connection, solder bumps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
    • H01L2225/04—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
    • H01L2225/065—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L2225/06503—Stacked arrangements of devices
    • H01L2225/06527—Special adaptation of electrical connections, e.g. rewiring, engineering changes, pressure contacts, layout
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
    • H01L2225/04—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
    • H01L2225/065—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L2225/06503—Stacked arrangements of devices
    • H01L2225/06541—Conductive via connections through the device, e.g. vertical interconnects, through silicon via [TSV]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/07—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas after the connecting process
    • H01L24/08—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas after the connecting process of an individual bonding area
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L24/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93—Batch processes
    • H01L24/94—Batch processes at wafer-level, i.e. with connecting carried out on a wafer comprising a plurality of undiced individual devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Biophysics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Biomedical Technology (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Artificial Intelligence (AREA)
  • Computational Linguistics (AREA)
  • Data Mining & Analysis (AREA)
  • Evolutionary Computation (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Quality & Reliability (AREA)
  • Computing Systems (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Software Systems (AREA)
  • Neurology (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)
  • Dram (AREA)
  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Description

本発明は、高性能コンピューティングに関する。本発明は、特に、基板接合を用いて、論理集積回路に、高帯域幅・大容量メモリデバイスに対するアクセスを提供することによって、高性能の電子デバイスを作製することに関する。
非仮特許出願には、平坦な単結晶半導体基板上に作製された３次元メモリ構造体（「３次元ＮＯＲメモリアレイ」）が開示されている。以下では、単一の半導体基板上に設けられた３次元ＮＯＲメモリアレイを「３次元ＮＯＲメモリチップ」と総称する。一例では、３次元ＮＯＲメモリチップ上の各３次元ＮＯＲメモリアレイは、薄膜ストレージトランジスタの３次元アレイとして構成され、或る一方向に沿った薄膜ストレージトランジスタは、１以上のＮＯＲメモリストリングとして構成されている。本明細書に於ける「ＮＯＲメモリストリング」という用語は、共通ソース領域及び共通ドレイン領域を共有している薄膜ストレージトランジスタの一群を意味する。非仮特許出願Ｉでは、各ＮＯＲメモリストリングは、それぞれ平坦な半導体基板に対して平行な方向に沿って形成される薄膜ストレージトランジスタを有する。非仮特許出願ＩＩでは、各ＮＯＲメモリストリングは、それぞれ平坦な半導体基板に対して垂直な方向に沿って形成される薄膜ストレージトランジスタを有する。
非仮特許出願において、３次元ＮＯＲメモリアレイの下に位置する半導体基板は、メモリ動作を補助するためのＣＭＯＳ回路を含み得る。各３次元ＮＯＲメモリアレイの薄膜ストレージトランジスタは、メモリ構造体と半導体基板との間、又は、メモリ構造体の上に設けられる１以上の導体層（「グローバル相互接続層」）により、その下に位置する補助回路に対して相互接続される。
最新技術のダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ（ＤＲＡＭ）アレイは、通常、平坦な半導体基板の表面上に作製される。したがって、平坦な半導体基板上の２次元シリコンの「リアル・エステート」は、ＤＲＡＭメモリアレイと、ＤＲＡＭメモリアレイの補助回路との間で共有されている必要がある。メモリセルの３次元アレイを作製できない点、及び、補助回路を貴重なシリコンのリアル・エステート上に形成する必要がある点の両方により、ＤＲＡＭアレイの、シリコン基板の単位面積当たりの集積度は、非仮特許出願の３次元ＮＯＲメモリアレイよりも遥かに低くなる。換言すれば、３次元ＮＯＲメモリチップの容量は、同等のサイズのシリコンダイ上に形成されるＤＲＡＭ集積回路よりも遥かに大きい。
基板接合（又はダイ接合）は、半導体デバイスの作製に用いられる技術である。基板接合では、例えば、熱圧着技術、接着接合技術、陽極接合技術、又は熱接合技術を用いて、半導体ダイ同士を互いに接合する。仮特許出願Ｉには、「フリップチップ」（又は「フリップウェハ」）基板接合技術を用いて、２以上の半導体基板上のデバイス同士を相互接続する例が多数開示されている。具体的には、仮特許出願Ｉには、その上に非仮特許出願に記載のメモリ構造体が作製された、１以上の基板接合半導体ダイの例が開示されている。「フリップチップ」技術においては、導体充填ビア又は導体ポスト（「スタッド」）は、半導体ダイにおいて、半導体ダイの上面の下に作製されたデバイスに対して電気的にアクセスすることが可能となるように、各半導体ダイの上面に露出している。スタッドに適する導体としては、例えば銅が挙げられる。このような２つの半導体ダイが互いに基板接合された場合、それらの露出スタッドが互いに接触することとなり、これにより、デバイス同士が基板接合半導体ダイの全体に亘って相互接続される。図７Ａは、このようなスタッド接続の一例を示す。図７Ａに示すように、半導体ダイ７０２と半導体ダイ７０３との間には、多数のスタッド７０１－１、７０１－２、・・・、７０１－ｎ（以下、総称してスタッド７０１）が設けられている。本実施形態では、スタッド７０１－１で示されているように、スタッド７０１は、オス部及びメス部が互いに嵌合することにより形成されている。スタッド７０１－１の部分７０１－１ａは、半導体ダイ７０２の表面上に形成されており、かつアクセス可能なキャビティ７０５を含む。スタッド７０１－１の部分７０１－１ｂは、半導体ダイ７０３の表面上に形成されており、かつキャビティ７０５に対して密嵌する突部７０４を含む。
先行技術では、ワイヤ接合された回路間（又はパッケージされた回路間）のピンを介する通信は、ワイヤ接合（又はパッケージ上）に利用可能なピンの数により帯域幅が制限されるだけでなく、ワイヤ接合を介するピンの間、又は、２つのパッケージピンの間に信号を送信するのに多くの電力が必要となる上、大容量をなすことに起因して大幅な遅延が発生する。しかし、スタッドを介して互いに当接された基板接合半導体ダイを介して信号を送信する場合、これらの制限はない。
「フリップチップ」技術の他にも、互いに異なる基板接合半導体ダイの回路同士を相互接続するための他の技術が開発されている。そのような技術の１つに、通称「シリコン貫通ビア」技術（ＴＳＶ技術）と呼ばれるものがある。ＴＳＶ技術では、各半導体ダイの厚さ全体に亘って延びる複数の導体充填ビアが設けられている。これにより、半導体ダイが互いに重畳されると、対応する導体充填ビアが互いに当接することにより、互いに異なる半導体ダイ上に作製されたデバイス間を電気的に相互接続する導体ネットワークが形成される。ＴＳＶ技術においては、半導体ダイ同士を介して信号を伝送する導体が、積層された半導体ダイのうちの任意の２つのダイの間に信号をルーティングできるように配列されている。これにより、ＴＳＶは、通常、積層された半導体ダイの各々の周縁部に設けられ、従来のＩ／Ｏパッド（例えば、従来のＤＲＡＭバス構成）によって駆動されることが多い。フリップチップ技術は、シリコンのリアル・エステートにおけるコストが低く、更に、基板接合された半導体ダイ間のインターフェースの構成において、従来のバス構造を超える非常に高い柔軟性及び選択肢を可能にする。図７Ｂは、ＴＳＶ技術を、半導体ダイ７１１の断面を用いて示す図である。従来のエッチング技術を用いて半導体ダイ７１１上に形成された多数のビア７１２（代表としてビア７１２－１、７１２－２、７１２－３、７１２－４が示されている）を含む。これらのビアは、その後、導電性材料（例えばタングステン）で充填される。各ビアの両端、及び半導体ダイ７１１の対向面の露出部には、半導体ダイ７１１の一方側の表面上に形成された回路に対して接続できるようにするために、或いは、基板接合を介して別の半導体ダイの回路又は他の外部回路に対して接続できるようにするために、結合パッド（結合パッド７１３ｔ、７１３ｂで示されている）が形成されている。
一般に「シリコンインターポーザ」と呼ばれる別の技術においては、２以上の半導体ダイ同士を「フリップチップ」方式を用いて互いに基板接合することにより、１つの大きなシリコン基板（すなわち「シリコンインターポーザ」）を作製する。このシリコンインターポーザは、半導体ダイのスタッドを互いに接続するための相互接続導体ネットワークを提供する。「シリコンインターポーザ」技術においては、シリコンインターポーザの、基板接合された半導体に当接している部分の表面積は、その基板接合された半導体ダイの合計表面積よりも大きい。
「シリコンインターポーザ」技術の変形として、「シリコンブリッジ」技術と呼ばれる技術がある。「シリコンブリッジ」技術においては、基板接合される半導体ダイの各々が、該半導体ダイにおける１以上の所定端に沿った特定の位置に配置されたデバイスを相互接続するためのスタッドを有する。電源及び接地信号用のスタッドが、上述した以外の位置に個別に設けられてもよい。その後、半導体ダイは、配線スタッドのそれぞれ対応する所定端同士が互いに近接するように、回路基板の表面に対して「うつ伏せ」に配置される。回路基板には、半導体ダイのスタッドを相互接続するための導体ネットワークを提供するシリコン基板（すなわちシリコンブリッジ）が敷き詰められている。その後、半導体ダイはシリコンブリッジに対して基板接合される。このようにして、シリコンブリッジは、シリコンインターポーザ技術とは異なり、相互接続スタッドの近くに重ねるだけでよい。回路基板は、シリコンブリッジの外側で、電源及び接地面に個別にアクセスする。
標準化団体ＪＥＤＥＣにより、「高帯域幅メモリ」（ＨＢＭ）規格（ＪＥＳＤ２３５）が公布されている。ＨＢＭ規格においては、高帯域幅メモリデバイスは、最大８個のＤＲＡＭダイと、任意選択で、メモリコントローラを有するベース「ロジック」ダイとを積層し、これらをＴＳＶ及びマイクロバンプで相互接続することによって実現される。ＨＢＭ規格において不可欠な特徴は、２０１４年６月１４日に開催されたメモリフォーラムでの「Ｈｉｇｈｌｉｇｈｔｓ ｏｆ ｔｈｅ Ｈｉｇｈ－Ｂａｎｄｗｉｄｔｈ Ｍｅｍｏｒｙ （ＨＢＭ） Ｓｔａｎｄａｒｄ」に開示されており、これはＮｖｉｄｉａコーポレーションから入手できる。ＨＢＭ規格においては、ＤＲＡＭダイが、複数の全く独立したデータインターフェース（「チャネル」）を提供し、各チャネルは、従来のＤＤＲバスインターフェースと同様の１２８ビットのバスインターフェースを提供する。ＨＢＭでは、ＴＳＶ技術が使用されたインターポーザウェハを用いてメモリウェハ又はダイの積重体を別の半導体ダイ（例えば論理回路）に接合することにより、ピンアウトのボトルネックが解決されている。ＨＢＭは、８枚のウェハ積重体を使用することにより、メモリのピンアウトを８倍に増大させることができる（例えば、１２８又は２５６の出力信号）。ＨＢＭでデータインターフェースを実装するためには、相当量のシリコンの「リアル・エステート」が必要となる。
本発明の一実施形態によれば、高帯域幅・大容量・高速アクセスメモリが組み込まれた電子デバイスは、（ａ）第１の半導体ダイ上に作製され、かつ複数のモジュール型メモリユニットを含むメモリ回路であって、各モジュール型メモリユニットが、（ｉ）ストレージトランジスタの３次元アレイ、及び、（ｉｉ）前記第１の半導体ダイの表面に露出し、かつ前記メモリユニットに対応する制御信号、アドレス信号、及びデータ信号を通信するように構成された導体群をそれぞれ含む、該メモリ回路と、（ｂ）第２の半導体ダイ上に作製され、かつ前記第２の半導体ダイの表面に露出した複数の導体を含む論理回路と、を含み、前記第１の半導体ダイ及び第２の半導体ダイが、互いに基板接合されることにより、前記第１の半導体ダイの前記表面に露出する前記導体の各々が、前記第２の半導体ダイの前記表面に露出する前記導体のうちの対応する１つに電気的に接続されている。ストレージトランジスタの３次元アレイは、ＮＯＲメモリストリングから形成されてもよい。メモリ回路は、少なくとも部分的に、１００万回以上の消去／書き込み寿命を有する準揮発性メモリ回路であってもよい。基板接合は、好ましくは、フリップチップ技術又はフリップウェハ技術によって達成される。或いは、例えば、ＴＳＶ技術、シリコンインターポーザ技術、又はシリコンブリッジ技術等の、他の基板接合技術を、フリップチップ技術の代わりに、又は、フリップチップ技術と組み合わせて使用してもよい。
本発明に係る一実施形態によれば、モジュラー型メモリユニットは、第１の半導体ダイの平坦状基板上に形成され、かつ規則的な構成をもって配置されている。この規則的な構成は、モジュラー型メモリユニットが、メモリセグメント化方式に従って（ａ）個々のメモリユニット毎に、（ｂ）列毎に、又は（ｃ）ブロック毎に個別にアドレス指定できるメモリセグメントに構成されるように、モジュラー型メモリユニットを列及び行に沿って配置してもよい。メモリユニットのブロックは、それぞれ所定数の行及び所定数の列中のメモリユニットからなる。メモリセグメントは、構成セルを用いて実現されてもよく、該構成セルは、メモリユニットの制御信号、アドレス信号、及びデータ信号をメモリセグメント化方式にしたがってそれぞれ対応する導体群に接続するための複数の信号経路を構成する値を格納する。或いは、該構成を設定するためにアンチヒューズが使用されてもよい。信号経路は、導体ネットワークを相互接続するスイッチのネットワーク（例えば、トランスミッションゲート）によって実装されてもよい。構成セルは、フィールドプログラマブルであってもよい。
本発明に係る一実施形態によれば、モジュール型メモリユニットは、データ処理回路と共に、モジュール型ユニットから読み出されることとなるデータ、又は、モジュール型ユニットに格納されることとなるデータに対して処理（例えば、誤り訂正及びチェックビット生成）を行う。一実施形態では、モジュール型メモリユニットは、データ処理回路の互いに対向する側に配置されている。一実施形態では、モジュール型メモリユニットは、互いに異なるメモリセグメントに割り当てられ、各メモリセグメントは、データ処理のために、データ処理回路における個別の部分に提供される。
一実施形態では、メモリ回路は、準揮発性メモリ（ＱＶＭ）回路を含む。別の実施形態では、メモリ回路は、同一の半導体基板上に、ＱＶＭ回路及び不揮発性メモリ（ＮＶＭ）回路の両方を含む。本発明に係るＱＶＭは、低レイテンシの読み込み、消去、及び書き出しを有し、好ましくは、ＤＲＡＭのレイテンシと同等であるか、又はそれに近い。本発明に係るＱＶＭは、更に、従来のＮＡＮＤフラッシュメモリ又は３次元ＮＡＮＤフラッシュよりも１桁以上大きな消去／書き込み寿命を有する。
本発明に係る一実施形態によれば、論理回路内のデータ処理回路は、メモリ回路から読み出されることとなるデータ、又は、メモリ回路に格納されることとなるデータのためのデータ処理（例えば、誤り訂正及びチェックビット生成）を提供する。論理回路は、マイクロプロセッサなど（例えば、ＲＩＳＣ型プロセッサ又はグラフィックプロセッサユニット）のカスタム論理回路を含んでもよい。更に、論理回路には、業界標準のデータインターフェース、及びフィールドプログラマブル論理デバイスのうちの１以上が設けられてもよい。
一実施形態によれば、メモリ回路及び論理回路の両方がセグメント化され、かつ、並列演算動作を実現するために、両回路のリソースがペアにされる。このような構成によれば、各プロセッサが、メモリ回路、ニューラルネットワーク、及び他の人工知能に関連する回路内の１以上の対応するメモリセグメントに対してペアをなす、例えば、論理回路のマルチプロセッサシステム（例えば、複数のコアＣＰＵ又はＧＰＵ）などの用途において、大きな利点を得ることができる。また、これらのセグメントは、関連動作のシーケンスを実装するためのデータパイプラインとして構成されてもよい。該関連動作では、前の動作により得られる入力データ、及び、メモリセグメント内に格納された一時的な入力データを受信する。
本発明に係る一実施形態によれば、モジュール型メモリアレイは、ルックアップテーブルとして実装されたプログラマブル論理回路として使用される。本発明に係る一実施形態によれば、電子デバイスは、（ｉ）ストレージシステム（例えば、ハードディスクシステム又はＮＡＮＤフラッシュストレージシステム）を管理するためのストレージコントローラと、（ｉｉ）ストレージデバイスのためのフラッシュキャッシュメモリを管理し、かつ論理回路に対して基板接合されたメモリ回路を含むフラッシュコントローラと、を含むストレージシステム制御回路を実装する。一実施形態では、フラッシュコントローラ内の論理回路は、メモリ回路用のメモリコントローラを含む。該メモリ回路は、ＱＶＭ回路及びＮＶＭ回路を含んでもよい。論理回路内のメモリコントローラは、メモリコントローラがＤＲＡＭコントローラと同様の方法でアクセスできるように、業界標準のデータインターフェース（例えば、ＤＲＡＭインターフェースなど）を含んでもよい。また、業界標準のバスインターフェースは、ＰＣＩ／ｅインターフェースを含んでもよい。メモリコントローラは、更に、ＮＡＮＤフラッシュメモリがストレージシステムのＱＶＭキャッシュメモリとインタラクトできるようにするために、ＮＡＮＤフラッシュメモリ回路に対するインターフェースを実装してもよい。
本発明は、添付の図面と併せて、以下の詳細な説明を参照することにより、より良く理解できるであろう。
図１Ａは、本発明の一実施形態における使用に好適である、アレイ３５５ａ、３５５ｂのタイルからなるメモリ回路３５５を含む半導体ダイ３６０のフロアプランを示す。 図１Ｂは、本発明の一実施形態に係るシステム３００を示す図であり、該システム３００は、フリップチップ技術又はフリップウェハ技術を用いてプロセッサ回路３０２に対して基板接合されたＱＶＭ回路３０１を含む。 図１Ｃは、本発明の一実施形態に係る、ＱＶＭ回路３０１の一部を実装するのに好適な、６４行×３２列のタイルの「コア」を含むメモリ回路３２０を示す図である。 図１Ｄは、メモリ回路３２０の一部を示す拡大図であり、２つのタイルペア間に配置されたビットｎ及びビット（ｎ＋１）における、互いに隣接するローカルビット線に設けられた、互いに隣接するスタッド３２４－ａ－ｎ及びスタッド３２４－（ａ＋１）－（ｎ＋１）が示されている。 図１Ｅは、本発明の一実施形態に係る、スタッドが、メモリタイルレベルでタイル毎をプログラムする様子、及び、データセンタレベルでデータパスを選択する様子を示す図である。 図１Ｆは、本発明の一実施形態に係るスタッドの構成を示す模式図である。 図１Ｇは、本発明の一実施形態に係る、ＱＶＭ回路３０１の一部を実装するのに好適なメモリ回路３４０を示す図であり、該メモリ回路３４０は、データセンタ３２６を互いに共有するコア３２５－１、３２５－２を含む。 図１Ｈは、本発明の一実施形態に係るマルチダイ構成を示す図であり、該マルチダイ構成は、「フリップチップ」技術を、シリコンインターポーザ技術と組み合わせて用いることにより実装されている。 図１Ｉは、フリップチップ技術及びＴＳＶ技術の両方を用いて、複数のメモリ回路３０１－ａ、・・・、３０１－ｍがプロセッサ回路３０２に対して基板接合されたシステム３８０を示す図である。 図２は、本発明の一実施形態に係るメモリシステム１００を示すブロック図であり、該メモリシステム１００は、第２の半導体基板上に形成された制御回路１０２に対して基板接合された、第１の半導体基板上に形成されたメモリ回路１０１を含む。 図３Ａは、フラッシュキャッシュメモリ２０３を有するストレージデバイス２０４を含むストレージシステムの先行技術におけるストレージシステム２００を示す図である。 図３Ｂは、本発明の一実施形態に係る、マルチインターフェースメモリ制御回路２０９に対して基板接合されたＮＶＭ回路及びＱＶＭ回路２１０を含むストレージシステム２００を示す図である。 図３Ｃは、本発明の一実施形態に係る、ＮＶＭ回路及びＱＶＭ回路２１０、並びにマルチインターフェースメモリ制御回路２０９の一実施例２７０を示す図である。 図４Ａは、本発明の一実施形態に係る、大容量メモリ回路４０１がフリップチップ技術を用いてＦＰＧＡ回路４０２に対して基板接合されたシステム４００を示す図である。 図４Ｂは、メモリ回路４０１のＱＶＭ部分４０１ｂが、メモリセグメント４２１－１、４２１－２、・・・、４２１－ｎに分割された構成を論理的に示す図である。該メモリセグメント４２１－１、４２１－２、・・・、４２１－ｎは、それぞれ対応するデータバス４２３－１、４２３－２、・・・、４２３－ｎを介して、それぞれ対応するプログラム可能なロジック（「タイルセル」）セグメント４２２－１、４２２－２、・・・、４２２－ｎをサーブしている。 図４Ｃは、図４Ｂの構成の変形例を論理的に示す図であり、該変形例では、タイルセルセグメント４２２－１、４２２－２、・・・、４２２－ｎもまた、カスタム論理回路と対になっている。 図４Ｄは、本発明の一実施形態に係る、図４Ｃの構成により実装されたニューラルネットワーク用途を示す図である。該実施形態では、各メモリセグメント及びそれに関連するタイルセルセグメントとカスタムロジックとが、ニューラルネットワークのステージを実装している。 図５Ａは、８Ｋ×４バイトのメモリアレイ５０１に実装されたプログラマブルロジックタイルセル５００を示す図であり、組み込みプロセッサ又は同様の論理回路に対して８ビットの出力データを直接提供できる。 図５Ｂは、１６Ｋ×４バイトのメモリアレイを作製するように提供するように構成されたメモリ回路における、プログラマブルロジックタイルセル５０１ａ及び５０１ｂを示す図である。 図５Ｃは、本発明の一実施形態に係る、算術演算及び論理演算のために関連するＡＬＵ５７５を有するモジュラーメモリセグメント５７０を示す図である。 図６Ａは、本発明の一実施形態に係る、他の２つの回路に対して基板接合されたＱＶＭ回路における貫通ビアの使用例を示す図である。 図６Ｂは、本発明の一実施形態に係る、他の２つの回路に対して基板接合されたＱＶＭ回路における貫通ビアの使用例を示す図である。 図６Ｃは、本発明の一実施形態に係る、他の２つの回路に対して基板接合されたＱＶＭ回路における貫通ビアの使用例を示す図である。 図６Ｄは、本発明の一実施形態に係る、他の２つの回路に対して基板接合されたＱＶＭ回路における貫通ビアの使用例を示す図である。 図７Ａは、２つの接合基板間にフリップチップのスタッド接続を設けるための一方法を示す図である。 図７Ｂは、ＴＳＶ技術を、半導体ダイ７１１の断面を用いて示す図である。 図７Ｃは、相互接続スタッド又はＴＳＶにおける不良から回復するための配線方式を示す図である。 図７Ｄは、図７Ｃの配線方式を拡張し、追加の伝送ゲート列と追加の共通導体を設けることにより、接合パッドの各列における任意の２つの不良から回復するものとした配線方式を示す図である。
表現を明確にするために、また、図間の相互参照を可能にするために、図中の類似要素には同様の参照番号を付している。
本発明に係る強力な電子デバイスは、第１の半導体ダイ（例えば、３次元ＮＯＲメモリチップ）上に形成されたメモリ回路と、第２の半導体ダイ上に形成された複雑な論理回路（例えば、メモリコントローラ、１以上のマルチコアプロセッサ、フィールドプログラマブル論理回路、又はニューラルネットワーク）とを、基板接合技術又はダイ接合技術を用いて組み合わせることにより作製される。好ましくは、メモリ回路は、アドレス指定可能なモジュラー構造体からなる１以上の普遍的なアレイ、又は、普遍的な方法で配置されたメモリセル（「タイル」）のビルディングブロックを含む。このモジュラリティにより、メモリ回路を、それぞれ個別にアドレス指定可能なメモリセグメントに分割することができる。例えば、所望サイズのメモリセグメント（例えば、３２個のタイルの列）は、メモリセグメントを形成するために、タイル群を所望通りに構成することによって実現できる。
本発明は、メモリ回路が、非仮特許出願に開示されている大容量・高速アクセスメモリ回路のうちの１つである場合に、特に有利である。非仮特許出願に開示されているメモリアレイの中には、データ保持時間が長い（例えば数十年）不揮発性メモリ（ＮＶＭ）回路として構成されているものもある。また、非仮特許出願には、そのデータ保持時間は比較的短い（例えば最大で数十分）ものの、そのアクセス時間が比較的高速（例えば１００ナノ秒以下）である準揮発性メモリ（ＱＶＭ）回路の例も開示されている。そのアクセス時間が高速であることにより、このようなＱＶＭメモリ回路は、ＤＲＡＭと同等のランタイムメモリとして使用することができる。非仮特許出願に開示されているＮＶＭ及びＱＶＭはＮＯＲメモリストリングとして構成されており、これにより、読み出しデータのアクセス時間が、従来のＮＡＮＤフラッシュメモリストリングと比較して大幅に短縮されている。例えば、ＮＡＮＤフラッシュアレイが読み出しに５０μｓを要するのに対し、非仮特許出願Ｉに開示されているＮＶＭ及びＱＶＭは約１００ｎｓで読み出しすることができる。更に、従来のＮＶＭメモリセルの消去／書き込み寿命は１０万回に満たないのに対し、一方で、非仮特許出願のＱＶＭ回路の薄膜ストレージトランジスタの消去／書き込み寿命は１０９～１０１１回を超えており、ウェアアウト劣化に対して高い耐性を有している。したがって、ＱＶＭは、比較的短いＮＶＭの寿命限界をすぐに超えてしまう、消去／書き込みサイクル数が多いメモリキャッシュ用途において、ＮＶＭよりも好適である。
ＱＶＭ回路がランタイムメモリとして使用される場合、ＱＶＭ回路に要求されるリフレッシュの頻度は、ＤＲＡＭよりも遥かに低い。３次元ＮＯＲメモリアレイとして、ＱＶＭ回路は、ＤＲＡＭによりも大容量かつ低コストである。したがって、長寿命かつ高速アクセスのＱＶＭは、比較的短いＮＶＭの寿命限界をすぐに超えてしまう、消去／書き込みサイクル数が多いメモリキャッシュ用途において、ＮＶＭよりも好適である。ＱＶＭのメモリアレイ及びＮＶＭのメモリアレイは、いずれも同一のメモリチップ上に構成されてもよい。また、このようなＱＶＭ回路及びＮＶＭ回路は、それぞれマルチステートであってもよい（すなわち、各メモリセルで、２以上のデータビットを格納可能であってもよい）。
本明細書で説明するＱＶＭ回路は、リフレッシュを要するダイナミックメモリである。しかし、本発明のＱＶＭ回路は、ＤＲＡＭと比較して蓄積電荷のリークが非常に小さいため、ＱＶＭ回路に必要とされるリフレッシュレートは、同等の容量を有するＤＲＡＭよりも大幅に低く、その結果、ＱＶＭ回路の電力は比較的低くなる。
非仮特許出願に開示されているメモリ回路は、大容量及び高速アクセスの両方を備えている点で優れている。非仮特許出願におけるいくつかの実施形態によれば、このようなメモリ回路は、そのデータ保持時間（例えば数十年）が長いことにより、不揮発性メモリ（ＮＶＭ）として使用できる。また、非仮特許出願における他の実施形態によれば、一部のメモリ（「準揮発性メモリ」又はＱＶＭ）は、そのアクセス時間が短いことにより、ＤＲＡＭに似たランタイムメモリとして使用できる。本発明のＮＶＭ及びＱＶＭは、薄膜ストレージトランジスタストリングの３次元ＮＯＲメモリストリングとして構成されてもよく、これにより、従来のＮＡＮＤフラッシュメモリストリングと比較して、読み出しデータアクセス時間が遥かに短縮されている。例えば、ＮＡＮＤフラッシュアレイが読み出しに５０μｓを要するのに対し、非仮特許出願Ｉに開示されているＮＶＭ及びＱＶＭは約１００ｎｓで読み出しすることができる。
ＱＶＭ回路は、ＤＲＡＭと比較して蓄積電荷のリークが非常に小さいため、ＱＶＭ回路に必要とされるリフレッシュレートはＤＲＡＭよりも大幅に低く、その結果、ＱＶＭ回路の電力はＤＲＡＭよりも遥かに低くなる。従来のＤＲＡＭがミリ秒単位でリフレッシュされるのに対し（例えば、ＤＤＲ２では６４ｍｓ）、一方で、ＱＶＭは、分単位でリフレッシュ（例えば１０分毎）を要求してもよい。ＱＶＭ回路は、例えば非仮特許出願Ｉに示されているように、３次元構成（すなわちメモリアレイのスタック）を有することにより、ＤＲＡＭと比較して大容量かつ低コストであることを特徴とする。
フリップチップ技術又はフリップウェハ技術を用いることにより、信号は、一方の半導体ダイのメモリ回路と他方の半導体ダイの論理回路との間を接続する導体ポスト又はスタッドを介して、基板接合された半導体ダイを横断して送達される。スタッドを介した接続は静電容量が比較的小さいため、このような接続は低電力かつ低レイテンシである。従来の入出力回路の制約を受けることなく、多数（例えば、少なくとも数万）のスタッドを各半導体ダイの表面上に配置し、かつ基板接合面領域に亘って実質的に均一に分布させることができる。本発明に係る、メモリ回路と論理回路との間のインターフェースは、従来技術におけるパッケージピンの制限を回避し、これにより、数万又はそれ以上のビットが半導体ダイを横断して同時に転送されることを可能にする。したがって、本発明の電子デバイスは、高分散・大容量メモリのための数万又はそれ以上のレーンの電気的接続を有する内部データハイウェイのような、大型組み込み式かつ高帯域幅であるという利点を有する。
概して、ＱＶＭ回路において利用可能である大容量、高速アクセス、及び長寿命は、該ＱＶＭ回路をプロセッサユニットに対して基板接合することにより達成される帯域幅の高さと相まって、大型組み込みメモリとして効果的に機能する大容量メモリを有する強力な電子デバイスを実現する。このＱＶＭ回路は、プロセッサ回路が形成された半導体ダイ中に組み込まれているのではなく、物理的には別のウェハ上又はチップ上に存在しているにも関わらず、大型組み込みメモリとして効果的に機能する。本発明は、例えば人工知能等を含む多くの用途における大きな利点を実現又は提供するものである。本発明の電子デバイスは、同等のメモリアクセス時間を有する従来のＤＲＡＭベースのノイマン型プロセッサシステムよりも高い帯域幅かつ低い消費電力を実現できることが示されている。
図１Ａは、ビルディングブロック（本明細書ではタイルと呼称する）からなるメモリ回路３５５を含む半導体ダイ３６０のフロアプランを示している。本明細書における説明では、各タイルは、個別かつ独立にアドレス指定されるように構成されてもよい（「特定のタイルの原則」）。任意選択で、より大きなメモリセグメント（例えば、一行のタイル又はタイルの２次元ブロック）が形成され、かつ、それらがまとめてアドレス指定（例えば、「特定の行」のアドレス指定、又は「特定のコア」のアドレス指定）されるように構成されてもよい。これらのいずれの構成においても、このアドレス指定可能ユニットを「バンク」と呼称し、またこのアドレス指定方式を「特定のバンク」のアドレス指定と表現する。図１Ａは、メモリ回路３５５が２つのコア３５５ａ、３５５ｂに分割された様子を示しており、この例では、各コアは３２行×３２列のタイルのアレイをなす。コア３５５ａ、３５５ｂはローカルデータセンタ３５６を互いに共有しており、ローカルデータセンタ３５６には、データ選択用の回路、及び、補助回路に対する接続用の回路が設けられてもよい。補助回路の例としては、誤り訂正エンコーダ、誤り訂正デコーダ、アドレスデコーダ、電源、チェックビット生成器、センスアンプ、及びメモリ動作に使用される他の回路などが挙げられる。補助回路は、平坦な半導体基板中に形成されてもよい。一実施形態では、各タイルの薄膜ストレージトランジスタ用の補助回路が、半導体基板の、該タイルの下に位置する部分におけるモジュラリティのために設けられている。図１Ａでは、半導体ダイ３６０の一端に、信号分配用のアナログ・グローバルドライバ回路３５７が形成され、半導体ダイ３６０の他端に、メモリ回路３５５に対するアクセス用のＩ／Ｏバッファ回路３５８が形成されている。Ｉ／Ｏバッファ３５８は、スタッドを介してアクセスされていない場合に、外部回路に対して、及び外部回路から信号を受信するために設けられている。後述するように、タイルは、受信データ及びアドレス信号を、スタッドを介して基板接合された論理回路とＩ／Ｏバッファ３５８から制約を受けることなく交換するスタッドを含むべくモジュール化設計されている。また、図１Ａにはタイル３６１が示されており、該タイルは、各構成ＮＯＲメモリストリングの薄膜トランジスタが平坦な半導体基板に対して平行をなす方向に沿って形成された３次元ＮＯＲメモリアレイをなす。図１Ａは、ローカルワード線が各グローバルワード線から分岐し、かつ平坦な半導体基板に対して垂直をなす直交方向に沿って延在する状態で、ビット線及びグローバルワード線が互いに直交して延在する様子を示す。上述したように、各３次元メモリアレイのセンスアンプは、該センスアンプの下に位置する単結晶シリコン基板上に形成され、かつ出力データを送達するためのデータ線を提供する。
図１Ａに示す実施形態におけるＱＶＭ回路（ＮＶＭ回路が存在する場合にはＱＶＭ回路及びＮＶＭ回路）は、すべての制御機能、感知機能、電力機能、入出力機能、及びその他のメモリ関連機能が、メモリダイ自体に存在するように形成されているが、他の実施形態として、これらの機能の一部が、プロセッサ回路ダイに物理的に存在するものとしてもよい。例えば、ＤＤＲ３／ＤＤＲ４、ＰＣＩｅ、他の高速データインターフェース、或いは、ＱＶＭメモリをプログラム又は消去するために必要な高電圧トランジスタなどは、ＱＶＭをなす３次元ＮＯＲメモリアレイの製造時に直面するサーマルバジェットに対してプロセス的に互換性を有さない論理回路と、アナログトランジスタ又は高速デジタルトランジスタとを必要とする場合がある。したがって、このような回路は、基板接合された論理又はプロセッサダイ上に配置されるのが最適となり得る。また、上述したものと同等の考慮が、例えば、誤り訂正回路、算術論理演算回路、排他的論理和回路、制御回路、及びステートマシン等の他の回路に対して適用されてもよい。実際、このような回路は、複数のＱＶＭダイ又はＮＶＭダイにより共有され、これにより、このような回路が、個別のＱＶＭダイの各々に対するスタッドコネクトを介した接続によってプロセッサから提供される場合に、システムレベルで最もコスト効率が高くなるものとされてもよい。
図１Ｂは、本発明の一実施形態に係るシステム３００を示す図であり、該システム３００は、フリップチップ技術又はフリップウェハ技術を用いてプロセッサ回路３０２に対して基板接合されたＱＶＭ回路３０１を含む。図１Ｂに示すように、ＱＶＭ回路３０１とプロセッサ回路３０２との間には、２つのメモリバス３０３ａ、３０３ｂ用の接続スタッドが設けられており、該メモリバス３０３ａ、３０３ｂは、それぞれ、メモリサイクル毎に、必要なアドレス、チェックビット、及び制御信号と共に、２０４８バイト（すなわち２ＫＢ）のデータを転送することができる。各々２万本近い銅製の接続スタッドを含むメモリバス３０３ａ、３０３ｂを介して転送されたデータは、それぞれ対応するデータセンタ３０４ａ、３０４ｂで処理又は準備される。データセンタ３０４ａ、３０４ｂはまた、ＱＶＭ回路３０１のメモリ動作を制御するためのメモリコントローラを含んでもよい。シングルコアプロセッサ又はマルチコアプロセッサ（例えば、ＡＲＭ等のＲＩＳＣ型プロセッサ、又はグラフィックプロセッサ）等のコンピューティングエンジン３０５は、ＱＶＭ回路３０１からリトリーブされたデータ又はＱＶＭ回路３０１に書き込まれることとなるデータに対して動作する。メモリバス３０３ａ、３０３ｂを介した１メモリサイクル毎に４ＫＢ（すなわち４０９６バイト）という高帯域化により、従来からの重大な問題である「フォン・ノイマン・ボトルネック」を大幅に解消することができる。２つのメモリバス３０３ａ、３０３ｂにより、読み出し動作と書き戻し動作とを同時に行うことが可能となり、これは、メモリから大量のデータを読み出しする用途、処理する用途、及び書き戻しする用途（例えば、動画データのレンダリング）において非常に有用である。また、システム３００において、プロセッサ回路３０２は、特定用途用のカスタムハードウェア（例えばＡＩモジュール３０６）を含んでもよい。人工知能用途の場合、ＡＩモジュール３０６は、例えば、ニューラルネットワーク回路を含んでもよい。
ＱＶＭ回路３０１は、数多くの方法で構成することができる。例えば、図１Ｃは、本発明の一実施形態に係る、ＱＶＭ回路３０１の一部を実装するのに好適な、６４行×３２列のタイルの「コア」を含むメモリ回路３２０を示す図である。図１Ｃに示すように、行６３は、タイル３２１－６３－０、・・・、３２１－６３－３１を含み、行０は、タイル３２１－０－０、・・・、３２１－０－３１を含む。この実施形態では、各タイルは、ワード線、ビット線、及び互いに重畳して配置される多数のメモリ層を含む、個別にアドレス指定可能な３次元ＮＯＲメモリアレイを意味する。この実施形態では、各タイルは、２４個のチェックビットと共に５１２ビットのデータを実装するのに好適である５３６ビットのデータを受信及び出力するか、又は、誤り訂正符号化された５３６ビットのコードワードを受信及び出力する。各タイルには、５３６ビットの出力データを、各タイル列の間で多重化される５３６本のグローバルビット線に出力するために、５３６個のセンスアンプが設けられている。５３６本のグローバルビット線（例えば、グローバルビット線３２２－０、・・・、３２２－５３５）は、各列の６４個のタイルによって共有され、かつデータセンタ３２３に接続すべく鉛直方向に延在している。この実施形態では、各タイルには、ビット線を介して、基板接合された半導体ダイからタイルのＮＯＲメモリストリングの薄膜ストレージトランジスタへの並列アクセスを可能にするために、５３６個のスタッドが設けられている。
このようにして、メモリ回路３２０は、７６８個のチェックビットと共に２０４８バイトのデータを提供するか、又は、誤り訂正符号化された２０４８ビットのコードワードのデータを提供する。図１Ｃに示すように、互いに隣接する行同士に隣接するタイル（例えば、行６２及び行６３に隣接するタイル）は、各々が背中合わせに配置された２つのタイルをなす（すなわち、一方が他方の鏡像をなす）タイルペアを形成する。ローカルビット線は、各ビットが、タイルに格納されることとなるように、又は、タイルから出力されることとなるように提供され、また、スタッドは、２つのローカルビット線によって共有されている。例えば、行６３のタイル３２１－６３－０にはスタッド３２４－６３－０、・・・、３２４－６３－２５７が設けられ、行６２のタイル３２１－６２－０にはスタッド３２４－６２－０、・・・、３２４－６２－２５７が設けられる。図１Ｃでは、データセンタ３２３は、３次元ＮＯＲメモリアレイと同じ半導体ダイ上に作製されている。或いは、図１Ｂに示すように、データセンタ３０４ａ、３０４ｂが、データセンタ３２３の機能の全て、又は、少なくとも一部を提供してもよい。
図１Ｂに示す実施形態におけるメモリ回路は、ＱＶＭ回路３０１と記載されているが、このような名称付けは単なる説明のみを目的としていることを理解されたい。図１Ａのメモリは、例えば、ＮＶＭの部分を含んでもよい。一実施形態では、メモリ回路の特定のタイルがＮＶＭであり、その一方で他のタイルがＱＶＭ回路３０１を形成する。なお、本発明に係る、メモリ回路とプロセッサ回路とを接続するスタッドのための基板接合又はチップ接合の構成は、ＱＶＭのために後述するプログラマブル接続性を含め、ＤＲＡＭ、相変化メモリ（例えば、３次元ＸＰｏｉｎｔメモリ）、スピン移動トルク（ＳＴＴ）メモリデバイス、抵抗変化型メモリ（ＲＲＡＭ）、又は強誘電体メモリ（ＦｅＲＡＭ）等のメモリ回路に対しても同様に適用できる。
図１Ｄは、２つのタイルペア間に配置されたビットｎ及びビット（ｎ＋１）における、互いに隣接するローカルビット線に設けられた、互いに隣接するスタッド３２４－ａ－ｎ及びスタッド３２４－（ａ＋１）－（ｎ＋１）を示す拡大図である。一実施形態では、各スタッドの幅は約１μｍ以下である。
上述したように、スタッドは、ある列におけるすべてのタイルが同時にアドレス指定されるように構成されてもよいし、タイル毎にアドレス指定されるように構成されてもよい。図１Ｅは、本発明の一実施形態に係る、スタッドが、メモリタイルレベルでタイル毎をプログラムする様子、及び、データセンタレベルでデータパスを選択する様子を示す図である。図１Ｅは、タイル３５０－ｎ－０、３５０－ｎ－１、・・・、３５０－ｎ－３１を含む、ｎ番目のメモリタイル列におけるスタッド、及び、タイル３５０－（ｎ＋１）－０、３５０－（ｎ＋１）－１、・・・、３５０－（ｎ＋１）－３１を含む、（ｎ＋１）番目のメモリタイル列におけるスタッドを示している。各タイルのスタッドは、そのタイルのセンスアンプのＩ／Ｏラインにおいて、各タイルのアドレス指定されたメモリセルによって駆動されるか、又は該メモリセルに受信される。このように、必要となるドライバはオンチップ論理ゲート間のもののみであり、これは、従来のＩ／Ｏパッドで必要とされるもの（例えば、ＨＢＭの各チャネルにおけるインターフェースで必要とされるものなど）よりも遥かに小さい。更に、本発明の一実施形態では、タイルの各行が、タイル毎にアドレス指定されるように構成されている。この構成では、各タイルの５１２ビットのデータ（誤り訂正符号化又はチェックビットを含めれば５３６ビット）は、例えば、データセンタ（例えば、データセンタ３０４ａ又はデータセンタ３０４ｂ）の５１２ビット（５３６ビット）のデータバス３５１－ａ又はデータバス３５１－ｂに対して直接駆動されてもよいし、又は、該データバスから受信されてもよい。或いは、一実施形態では、選択ロジックは、データバス３５１ａ又はデータバス３５１ｂのそれぞれについてデータパスを選択できるように構成されている。この構成では、タイルの各行において、３２個のデータパスのうちの１つを選択することにより、３２個の５３６ビットデータのうちの１つを、そのタイルからデータバス３５１ａ又はデータバス３５１ｂへとステアする。タイル毎のアドレス指定又はデータパスのアドレス指定のための構成は、例えば、アンチヒューズを用いて達成されてもよいし、又は、構成ビットを保持する構成セル（例えば、１ビットのメモリセル）によって各々が制御される伝送ゲートのネットワークによって達成されてもよい。スタッドは、ユーザが構成セルに対して書き込みアクセスを可能とすることによって、フィールドプログラマブル化されてもよい。或いは、製造時にマスキング層を用いることによって、プログラミングが実現されてもよい。
スタッド構造の構成及びプログラミングにおける柔軟性により、メモリと論理デバイスとの間に複数のデータパスを構成することが可能となり、これにより、複数のメモリアクセスを同時に行うことが可能となるため、重複動作を実現できる。更に、相互接続及びスタッドのルーティングは、任意の構造で構成されてもよい。例えば、任意のタイル群の入出力信号は、所定幅のバス構造として編成されるように制約されるものではないし、又は、タイル間で共有するために多重化されるように制約されるものでもないし、或いは、任意の共通の信号方式を共有するように（例えば、アドレス及びデータの規則を共有するように）制約されるものでもない。また、論理回路とメモリ回路との間で通信できるデータフォーマット又はデータ形式に対する制限はなく、したがって、非常に高い帯域幅を有する、本質的に任意の広範囲接続が可能である。
図１Ｆは、本発明の一実施形態に係るスタッドの構成を示す模式図である。図１Ｆに示すように、伝送ゲートネットワーク３７３は、スタッドと信号との相互接続を可能にし、これにより、ユーザ指定の信号を、スタッドを介して送受信し、メモリ回路内の信号のアレイに接続することが可能となる。構成ロジック３７２は、スタッドの一部を（例えば、センスアンプのＩ／Ｏラインからの）入力信号用及び出力信号用にそれぞれ構成することができる。更に、構成セル３７０は、メモリタイルにおける様々な構成（例えば、特定のタイル、特定の行、特定のバンク、又は特定のコアに対するアドレス指定（後述を参照））のうちの１つを設定するために提供されてもよい。また、他の構成及びプログラマブルユニットとすることもできる（例えば、複数のタイルを論理的に組み合わせることにより、より大きなアドレス指定可能型メモリユニットを形成してもよい）。したがって、構成されたメモリ編成は、アドレス信号に対して所望の方法で応答することができる。
所望に応じて、図１Ｆに示す構成方式をメモリ回路３０１及び論理回路３０２の両方に設けることにより、両回路間に、任意の入力制御信号又は出力制御信号、データ信号、或いはアドレス信号がルーティングされることを可能にしてもよい。
図１Ｇは、本発明の一実施形態に係る、ＱＶＭ回路３０１の一部を実装するのに好適なメモリ回路３４０を示す図であり、該メモリ回路３４０は、データセンタ３２６を互いに共有するコア３２５－１、３２５－２を含む。メモリ回路３４０において、コア３２５－１、３２５－２の各々は、図１Ｃのメモリ回路３２０のコアと同様に、６４行×３２列のタイルを有するコアをなす。データセンタ３２６は、それぞれが６４行×３２列のタイルを有する２つのメモリアレイ間でデータセンタ３２６が共有されている点を除いて、図１Ｃのデータセンタ３２３と同様に設けられている。この構成では、２キロバイトのデータに対するアクセスが、各メモリアレイからタイル列のスタッドまで１００ｎｓ以下で送達される。コア３２５－１及びコア３２５－２は互いに同時にアクセスされてもよいため、この場合、４キロバイトのデータが１００ｎｓ以下の間隔で送達される。いくつかの実施形態では、メモリ回路３４０のコア３２５－１、３２５－２は、２つのメモリバンクを形成する。
図１Ｈは、本発明の一実施形態に係るマルチダイ構成を示す図であり、該マルチダイ構成は、「フリップチップ」技術を、シリコンインターポーザ技術と組み合わせて用いることにより実装されている。図１Ｈに示すように、複数の半導体ダイ３９２、３９３、３９４、３９５、３９６は、それぞれ、シリコンインターポーザ３９１に対して（例えば、「フリップチップ」技術を用いることにより）基板接合されており、これにより、半導体ダイのスタッドを、シリコンインターポーザ３９１のスタッドを介して相互接続する導体ネットワークが提供されている。シリコンインターポーザ３９１の相互接続ネットワークは、半導体ダイのスタッドに対して、シリコンインターポーザ３９１の表面に露出した自身のスタッドを介して接続されている。一実施形態では、半導体ダイ３９６はメモリ回路であり、その一方で、半導体ダイ３９２、３９３、３９４、３９５はそれぞれ論理回路（例えば、それぞれＲＩＳＣ型プロセッサを含む論理回路）である。この構成では、各論理回路に、高帯域幅・大容量メモリに対するアクセスが提供されている。別の実施形態では、半導体ダイ３９６は論理回路（例えば、ＲＩＳＣ型プロセッサを含む論理回路）であり、その一方で、半導体ダイ３９２、３９３、３９４、３９５はそれぞれメモリ回路である。この構成では、論理回路に、複数の高帯域幅・大容量メモリに対するアクセスが提供されており、これにより、「巨大組み込みメモリ（mega-embedded memory）」を有するコンピューティングデバイスが形成されている。もちろん、半導体ダイ３９２、３９３、３９４、３９５、３９６は、特定用途用に最適化された、メモリ回路及び論理回路の任意の組み合わせであってもよい。例えば、半導体ダイ３９２、３９３、３９４、３９５、３９６のうちの１つは、他の半導体ダイのメモリ回路の構成を管理するメモリコントローラを含んでもよい。
図１Ｉは、フリップチップ技術及びＴＳＶ技術の両方を用いて、複数のメモリ回路３０１－ａ、・・・、３０１－ｍがプロセッサ回路３０２に対して基板接合されたシステム３８０を示す図である。このようにして、プロセッサ回路３０２内のプロセッサが、更に大容量の組み込みメモリを利用できるようにしてもよい。勿論、システム３８０において、メモリ回路３０１－ａが大容量、高帯域、及び高速アクセスのメリットを享受することとなるように、最上部のメモリ回路（すなわちメモリ回路３０１－ａ）のみをプロセッサ回路３０２に対して接合させてもよい。他のメモリ回路３０１－ｂ、・・・、３０１－ｍは、ＴＳＶ技術を用いて互いに接続され、かつバス構造を介して互いにアクセスできる。
２つの半導体ダイを互いに接続する場合には、接続スタッド又はＴＳＶのいずれを用いた場合でも、様々な理由で接続ミスが発生してしまう虞がある。基板接合は、接合される半導体ダイ上に回路が完全に作製された後に行われるため、このような不良が生じてしまうと非常にコストがかかる。本発明は、このような不良からの回復可能な配線方式を提供する。この配線方式を図７Ｃに示す。図７Ｃは、半導体ダイ７２３上の接合パッドの列７２１、及び、半導体ダイ７２４上の接合パッドの列７２２を示しており、これらは、上述した方法にしたがって基板接合されることとなる。図７Ｃにおいて、列７２１の接合パッドは、７２１－１、７２１－２、・・・、７２１－ｎと符号付けされている。同様に、列７２２の接合パッドは、７２２－１、７２２－２、・・・、７２２－ｎと符号付けされている。更に、列７２１、７２２には、それぞれ対応する予備接合パッド７２１－ｓ、７２２－ｓが設けられている。各接合パッドは、相互接続スタッド又はＴＳＶに対応している。接合パッド７２１－１、・・・、７２１－ｎ及び予備接合パッド７２１－ｓは、スイッチ７２５（例えば、図７Ｃにおいて伝送ゲート７２５－１、７２５－２、・・・、７２５－ｎ、７２５－ｓと符号付けされた伝送ゲート）のうちの対応する１つによって、それぞれ共通導体（「バス」）７２７に接続される。同様に、接合パッド７２２－１、・・・、７２２－ｎ及び予備接合パッド７２２－ｓは、スイッチ７２６（例えば、図７Ｃにおいて伝送ゲート７２６－１、７２６－２、・・・、７２６－ｎ、７２６－ｓと符号付けされた伝送ゲート）のうちの対応する１つによって、それぞれ共通導体７２８に接続される。
相互接続スタッド又はＴＳＶのうちの１つに不良が生じた場合、例えば、接合パッド７２１－２に対応する相互接続スタッド又はＴＳＶに、何らかの理由で不良が生じた場合、該接合パッドに対応する伝送ゲート７２５－２、７２５－ｓと、伝送ゲート７２６－２、７２６－ｓ（すなわち、伝送ゲート７２５－２、７２５－ｓに対する、半導体ダイ７２４上の対照部）とを互いに導通することにより、接合パッド７２５－２、７２６－２を、それぞれ対応する予備接合パッド７２５－ｓ、７２６－ｓに短絡させる。接合パッド７２１－ｓ、７２２－ｓに対応する相互接続スタッド又はＴＳＶが機能している場合、それらは、接合パッド７２１－２、７２２－２に対応する相互接続スタッド又はＴＳＶの不良を回復させるための代替信号経路を提供する。
図７Ｃに示す方式は、接合パッドの各列における１つの相互接続スタッド又はＴＳＶの不良を回復させることができる。図７Ｄは、追加の伝送ゲート列及び追加の共通導体を設けることにより、接合パッドの各列における任意の２つの不良を回復可能な拡張方式を示す図である。図７Ｄでは、列７３２のスイッチ及び共通導体７３２が、列７３１の接合パッドのうちの任意の１つに対応する単一の不良を回復させるための代替ルーティングを提供し、かつ、追加の列７３３のスイッチ７３３及び共通導体７３５が、列７３１の接合パッドのうちの追加の１つに対応する追加の不良を回復させるための追加の代替ルーティングを提供する。
図２は、本発明の一実施形態に係るメモリシステム１００を示すブロック図であり、該メモリシステム１００は、第２の半導体基板上に形成された制御回路１０２に対して基板接合されることにより互いに結合された、第１の半導体基板上に形成されたメモリ回路１０１を含む。図２に示すように、メモリ回路１０１は、メモリバンク１０３－０、１０３－１、・・・、１０３－ｎ、１０３－（ｎ＋１）として構成されたメモリアレイを含む。制御論理回路１０４－０、１０４－１、・・・、１０４－ｎ及び１０４－（ｎ＋１）が、それぞれメモリバンク１０３－０、１０３－１、・・・、１０３－ｎ及び１０３－（ｎ＋１）に対応していることにより、例えば、読み出し動作、書き込み動作、及び消去動作のシーケンスのタイミング制御並びにアドレスデコーディングなどの制御機能が提供されている。メモリバンクから読み出されたデータ、及び、メモリバンクに書き込まれることとなるデータは、それぞれ対応する内部データバス１０６、１０７に存在する。入出力回路１０５ａは、必要に応じて、データバス１０６からのデータをメモリバス１１０へとステアする、又は、メモリバス１１０からのデータをデータバス１０７へとステアする。メモリバス１１０は、メモリ回路１０１と制御回路１０２との間の基板接合を横断する多数のコネクタスタッドにより提供されてもよい。これらのスタッドは、例えば金属銅により形成されてもよい。制御論理回路１０４－０、１０４－１、・・・、１０４－ｎ、１０４－（ｎ＋１）及び入出力回路１０５ａの動作は、制御信号１０９により制御され、かつ、メモリ回路１０１と制御回路１０２との間の基板接合を横断するスタッドを介して、制御回路１０２内のステートマシン１０８から駆動される。
制御回路１０２では、入出力回路１０５ｂが、メモリ回路１０１の入出力回路１０５ａと協動することにより、メモリバス１１０のスタッドを横断するシグナルフローをコーディネートする。この例では、メモリバス１１０は、バスサイクルあたり６４ビットのデータを収容する。図２には、ステートマシン１０８、データ処理回路（「データセンタ」）１０９、及び外部インターフェース１１１を含む制御回路１０２が示されている。外部インターフェース１１１は、例えば、ＤＤＲ４、ＤＤＲ５、及びＰＣＩｅなどの、業界標準に準拠したメモリバスである。例示のみを目的として、データセンタ１０９は、外部インターフェース１１１を介する通信のためにバス１１２を含み、該バス１１２は、多数のアドレスビット及びコマンドビットと共に、２つの２５６ビットのページのデータを収容する。外部バス１１１から受信したデータをメモリ回路１０１に書き込むために、データセンタ１０９は、受信データ（incoming data）を、多数の誤り訂正符号ビットに（例えば、５１２ビットの受信データを５３６ビットに）符号化する。図２では、バスサイクルごとに、６４ビットのデータがメモリバス１１０を介して通信されている。図２に示されていない他の機能が、データセンタ１０９において実行されてもよい。例えば、メモリ回路１０１から受信したデータは、外部バス１１１を介してホストデバイスに送信される前に、リトリーブされた誤り訂正符号にしたがって誤り訂正されてもよい。
図２のメモリシステム１００のアプローチは、例えばストレージシステムコントローラ等の他の用途に拡張することができる。図３Ａは、フラッシュキャッシュメモリ２０３を有するストレージデバイス２０４を含むストレージシステムの先行技術におけるストレージシステム２００を示す図である。図３Ａに示すように、ストレージシステム２００は、フラッシュキャッシュメモリ２０３を用いてストレージデバイス２０４の動作を制御するストレージ制御回路２０１を含む。通常、フラッシュキャッシュメモリ２０３は、ＮＡＮＤメモリストリングのフラッシュメモリアレイを多数含み、これらの動作は、ＮＡＮＤインターフェースを介して、ストレージデバイス２０４を制御するストレージコントローラ２０７により制御される。通常、ストレージ制御回路２０１は、（ｉ）ストレージインターフェース２１１（図２ａ参照）を介してホストデバイスとインターフェースするストレージインターフェース２０５、及び、（ｉｉ）ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ（ＤＲＡＭ）２０２等の高速ランタイムメモリシステムへのアクセスを提供するメモリコントローラ２０６を含む。
通常、ストレージインターフェース２１１を介してホストデバイスからデータが受信された場合（「書き込みデータ」）、又は、ストレージコントローラ２０７により、フラッシュキャッシュメモリ２０３又はストレージデバイス２０４のいずれかからデータが読み出された場合（「読み出しデータ」）、これらのデータは、ＤＲＡＭ２０２に配置される。ストレージデバイス２０４及びフラッシュキャッシュメモリ２０３への読み出しアクセス及び書き込みアクセスの管理、及び、キャッシュの同時並行性（cache concurrency）の維持における中央処理デバイス（ＣＰＵ）２０８の役割は、当業者によく知られている。更に、ＣＰＵ２０８は、やはり当業者に知られているように、誤消去、ウェアレベリング、及び変換テーブルロケータ動作をも管理している。
非仮特許出願のＱＶＭ及びＮＶＭの大容量及び高速アクセス時間、並びに、ＱＶＭの長寿命は、基板接合を用いて達成可能な高帯域幅と共に、本発明に係る新たな応用例を実現する。図３Ｂは、本発明の一実施形態に係る、マルチインターフェース制御回路２０９に対して基板接合されたＮＶＭ回路及びＱＶＭ回路２１０を含むストレージシステム２００を示す図である。
図３Ｂにおいて、ＮＶＭ回路及びＱＶＭ回路２１０は、互いに同一の半導体ダイ上に形成されてもよいし、互いに異なる半導体ダイ上に形成されてもよい。ＮＶＭ回路及びＱＶＭ回路２１０の、マルチインターフェース制御回路２０９に対する基板接合は、フリップチップ技術を用いて達成されることが好ましい。しかし、ＴＳＶ、シリコンインターポーザ、及びシリコンブリッジ技術のうちのいずれかを用いた任意のマルチダイ構成とすることもできる。ストレージシステム２００では、ＱＶＭ回路が、ＤＲＡＭよりも低コストで大容量を提供可能であって、かつ、必要となる電力も比較的少ないことから、図２ａにおけるＤＲＡＭ２０２が、ＮＶＭ回路及びＱＶＭ回路２１０、並びに、マルチインターフェース制御回路２０９によって置換されている。ストレージシステム２００では、変換テーブル、ディレクトリ、ファイル割り当てテーブル（ＦＡＴ）、及びジャーナルファイルがＮＶＭ回路又はＱＶＭ回路に格納され得るため、マルチインターフェース制御回路２０９は、ストレージコントローラ２０７と比較して、フラッシュキャッシュメモリ２０３をより効率的に管理するためのＮＡＮＤコントローラとして機能することができる。マルチインターフェース制御回路２０９は、ＮＶＭ回路及びＱＶＭ回路２１０と、フラッシュキャッシュメモリ２０３との両方に対して、高効率かつ同時にアクセスすることができる。容量が大きくなることにより変換テーブルがより大きくなることを可能にしつつ、その一方で、フラッシュキャッシュメモリ２０３に対する高速アクセスは、フラッシュ管理動作がより効率的となることを可能にする（例えば「先行消去」）。これは、先行技術のストレージシステム２００では達成できない。更に、マルチインターフェース制御回路２０９は、「ホットファイル」のためにフラッシュキャッシュメモリ２０３を監視することができ、該ホットファイルをＮＶＭ回路に移動させることにより、フラッシュキャッシュメモリ２０３に対するより高速なアクセス及び低減アクセスが可能となり、これにより寿命性能を向上させることができる。また、マルチインターフェース制御回路２０９において、ハードディスクシステム２０４を含む、例えば、すべてのＮＶＭ回路及びＱＶＭ回路に対して誤り訂正符号を生成するなどの他の機能が実行されてもよい。
図３Ｃは、本発明の一実施形態に係る、ＮＶＭ回路及びＱＶＭ回路２１０、並びにマルチインターフェースメモリ制御回路２０９の一実施例２７０を示す図である。図３Ｃに示すように、マルチインターフェース制御回路２０９は、フラッシュキャッシュメモリ２０３を制御するためのＮＡＮＤインターフェース２５１と、ＤＲＡＭインターフェース２６１（例えば、ＤＤＲ３規格又はＤＤＲ４規格に準拠したデータバス）と、ＮＶＭ回路及びＱＶＭ回路２１０におけるＮＶＭの部分及びＱＶＭの部分にそれぞれ対応する、ＮＶＭ回路２１０ａ及びＱＶＭ回路２１０ｂと、を含む。実施例２７０では、ＮＶＭ回路及びＱＶＭ回路２１０がマルチインターフェース制御回路２０９に対して基板接合されているため、ＮＶＭ回路２１０ａ及びＱＶＭ回路２１０ｂへのインターフェースは、半導体ダイに設けられたスタッドにより実装されている。マルチインターフェース制御回路２０９の動作制御は、１以上の縮小命令セットコンピュータ（ＲＩＳＣ）型プロセッサにより提供される。図３Ｃに示すように、実施例２７０は、ＮＶＭ回路２１０ａ、ＱＶＭ回路２１０ｂ、及びフラッシュキャッシュメモリ２０３間におけるデータの読み出し及び書き込みをコーディネートするためのＤＭＡコントローラ２５３を含む。ＤＲＡＭインターフェース２６１を介して送受信されることとなるアドレス及びデータは、アドレス／データバッファリング回路２５７においてバッファリングされる。更に、従来のデータインテグリティ機能を発揮するために、チェックビット生成回路２５６及び誤り訂正符号回路２５５が設けられている。タイミング信号が、リファレンス生成器２５４から提供されてもよい。
ＲＩＳＣ型プロセッサ２５２は、例えば、変換テーブル又はキャッシュテーブル等のストレージ制御機能を管理する。更に、マルチインターフェース制御回路２０９が、ストレージデバイス２０４の管理に加えられてもよい（図３Ｂ参照）。例えば、ストレージシステム２０３に対する書き込み動作のための書き込みコマンドをストレージインターフェースコントローラ２０５（図３Ｂ）を介して受信すると、ＱＶＭ回路２１０ｂ内のバッファが割り当てられる。書き込みデータは、チェックビット生成回路２５６から生成されたチェックビットと共に、ＱＶＭ２１０ｂ内のバッファにロードされる。業界標準のＦＡＴフォーマットが使用される場合、データは、指定位置におけるブロック内のストレージシステム２０４に対して送信される。フラッシュキャッシュメモリ２０３及びＮＶＭ回路２１０ａは、ファイルのキャッシュコピーを有するかどうか確認される。その後、そのようなキャッシュコピーは、キャッシュの同時並行性を維持するために、並列書き込みを開始することにより更新される。各ファイルのアクセス頻度は、ウェアレベリングなどを目的として維持される。適切なファイル再配置ポリシーが実装されてもよい。
同様に、ストレージインターフェース２１１を介してストレージデバイス２０４に対する読み出しコマンドが受信されると、ＱＶＭ回路２１０ｂにバッファスペースが割り当てられる。リクエストされたファイルのコピーがフラッシュキャッシュメモリ２０３に存在する場合は、ストレージデバイス２０４へのアクセスは開始されない。ＮＶＭ回路２１０ａのキャッシュ変換テーブルは、フラッシュキャッシュメモリ２０３内のファイルの位置を特定する。その後、リクエストされたファイルは、必要に応じてチェックビットの生成及び誤り訂正を行った後、ＱＶＭ回路２１０ｂに読み込まれる。キャッシュコピーがない場合は、ファイルのＮＶＭ回路２１０ａ内のＦＡＴテーブルエントリを解析することにより、バッファスペースの一部分にスキャッタ・ギャザー・リストを作成する。ストレージコントローラ２０７は、ストレージデバイス２０４からデータをフェッチし、ＤＲＡＭインターフェース２５１を介して書き込みデータを提供する。アドレス／データバッファリング回路２５７は、誤り訂正後、生成されたチェックビットと共に、ＱＶＭ回路２１０ｂ内に割り当てられたバッファスペースにデータを配置する。ＱＶＭ回路２１０ｂにデータが配置されると、ＤＭＡコントローラ２５３は、ストレージインターフェース２１１を介するデータ転送をコーディネートする（図３Ｂ）。
上述したように、ＱＶＭ回路２１０ｂは、リフレッシュ動作が必要となるデータ保持時間を有してもよい（例えば、１０分毎）。一実施形態では、ＱＶＭ回路２１０ｂは、リフレッシュゾーンに分割される。リフレッシュゾーンにデータが転送されると、リフレッシュゾーンが定期的にリフレッシュされることとなるように、リフレッシュテーブルに「アクティブビット」がマークされる。リフレッシュゾーンからデータが転送されると、それに対応する「アクティブビット」がリセットされ、これにより、該リフレッシュゾーンにおけるリフレッシュ動作が停止する。このリフレッシュ方式は、例えば、ＱＶＭ回路を、ディスクシステム又はＮＶＭストレージデバイスに対する、或いは、ディスクシステム又はＮＶＭストレージデバイスからの読み出し動作又は書き込み動作のための、及び、サーバＤＲＡＭに対するデータの送受信のための、臨時的又は一時的なストレージとして使用する場合など、多くの用途において特に有用である。臨時的又は一時的操作が完了したとき、その部分に割り当てられたメモリ領域をリフレッシュする必要はない。更に、非常にアクティブに使用する場合（例えば、ファイルを素早く移動させるとき）には、一時的な操作のデータがリフレッシュ間隔よりも長い期間、ＱＶＭメモリに留まらないような場合、リフレッシュは必要ない。データフロー用途では、非常に少ない回数のリフレッシュのみが引き起こされる可能性が高く、その結果、低消費電力動作及び高パフォーマンスが得られることとなる。
本発明の他の実施形態は、フィールド・プログラマブル・ゲート・アレイ（ＦＰＧＡ）などのフィールドプログラマブル論理デバイスに適用できる。本明細書では、説明のためにＦＰＧＡを例として用いているが、同じ原則が事実上すべてのフィールドプログラマブル論理デバイスに適用可能であることを理解されたい。ＦＰＧＡは、通常、ロジックプロセスにおいて作製されるが、このプロセスは、大容量又は高性能のメモリ回路を同じ半導体基板上に形成することとは互換性がない。したがって、ＦＰＧＡ設計には、不揮発性メモリ及びＤＲＡＭのいずれも含まれないのが一般的である。ＦＰＧＡ回路のメモリリソースは、通常、高速のスタティック・ランダム・アクセス・メモリ（ＳＲＡＭ）により提供される。ＳＲＡＭは揮発性であるため、ＦＰＧＡ回路は、電源投入時に、外部回路から（通常は不揮発性メモリ回路から）構成される必要がある。ＦＰＧＡ回路の構成に必要なデータを転送するための帯域幅は、多くの場合、シリアルインターフェースを介して提供されるが、電源投入時のリセット中に、ＦＰＧＡ回路が機能するまでの長いレイテンシを生み出すボトルネックとなっている。
ＦＰＧＡ回路は、しばしば、同一半導体ダイ上に、業界標準のデータインターフェース（ＰＣＩｅ、ＤＤＲ３／４など）、イーサネットセル、プロセッサコア、及びニューラルネットワークなどの、他の用途に特化したカスタム論理回路を含む。
ＦＰＧＡ回路を使用する設計者にとって、大容量・高帯域メモリの確保は長年の課題であった。本発明は、大容量メモリ回路（例えば、非仮特許出願に記載されているもの）をＦＰＧＡ回路に対して基板接合し、スタッド上における高帯域幅・低電力のデータ転送を利用することにより、この長年の問題を解決する。図４Ａは、本発明の一実施形態に係る、大容量メモリ回路４０１がフリップチップ技術を用いてＦＰＧＡ回路４０２に対して基板接合されたシステム４００を示す図である。
メモリ回路４０１において、部分４０１ａはＮＶＭ回路を実装し、部分４０１ｂはＱＶＭ回路を実装している。図４Ａでは、メモリ回路４０１がＱＶＭ回路及びＮＶＭ回路の両方を含むものとして示されているが、他の実施形態では、ＱＶＭ回路及びＮＶＭ回路が、それぞれ個別の半導体ダイ上に個別に設けられ、かつ、例えば、任意のＴＳＶ、シリコンインターポーザ、又はシリコンブリッジ技術、或いはこれらの技術の組み合わせを用いて基板接合されている。システム４００では、ＮＶＭ部分４０１ａ及びＱＶＭ部分４０１ｂからのデータは、データバス４０３、４０４（基板接合されたスタッドにより実装される）を介してＦＰＧＡ回路４０２に通信される。データバス４０３、４０４を介するデータ転送は、ＦＰＧＡ回路４０２に実装されたＮＶＭデータセンタ４０８及びＱＶＭデータセンタ４０９により制御される。ＦＰＧＡ回路４０２は、プログラマブル論理回路４０７ａと、それに対応する構成回路４０７ｂと、カスタム論理回路４０５、４０６と、を含む。例えば、カスタム論理回路４０５は、業界標準のデータインターフェース（例えばＰＣＩｅ）であってもよいし、一方で、カスタム論理回路４０６は、１つ又は複数のＲＩＳＣ型又はグラフィック型のプロセッサコア、或いは算術論理演算ユニット（ＡＬＵ）であってもよい。
ＦＰＧＡ回路４０２上にデータセンタ４０８、４０９を設けることにより、多くの構成及び用途において有利となる柔軟性を得ることができる。例えば、ＦＰＧＡ回路４０２は、互いに独立した使用パターン又はメモリ要件を有する多数の機能を実装するように構成されてもよい。この用途は、例えば、メモリ回路４０１内のメモリをデュアルポート・セグメントに構成し、各セグメントにおいて他のセグメントと独立してリードバック動作及びライトバック動作できるようにすることにより、満たすことができる。メモリ回路４０１を、ＦＰＧＡ回路４０２から柔軟な方法で構成できるようにすることにより、効率化又は多くの用途の実現が可能となる。例えば、セグメント化された処理は、例えばニューラルネットワークなどの用途において有利となる。また、計算に必要な大量のデータ（「データセット」）を移動させるのではなく、代わりにデータセットを異なるデータセグメントに格納し、処理の際に入れ替えることにより、迅速なコンテキストスイッチングを利用することもできる。更に、メモリセグメントは、パイプライン用途に適した１以上の先入れ先出し（ＦＩＦＯ）セグメントに構成されてもよい。
なお、図４ＡではＦＰＧＡ回路を例に挙げているが、本明細書でＦＰＧＡ回路４０２について説明した原理は、例えば、このような方法でメモリ回路４０１に接続された専用コントローラなどの他の用途に対して適用できることに留意されたい。
図４Ｂは、メモリ回路４０１のＱＶＭ部分４０１ｂが、メモリセグメント４２１－１、４２１－２、・・・、４２１－ｎに分割された構成を論理的に示す図である。該メモリセグメント４２１－１、４２１－２、・・・、４２１－ｎは、それぞれ対応するデータバス４２３－１、４２３－２、・・・、４２３－ｎを介して、それぞれ対応するプログラム可能なロジックのセグメント（「タイルセル」）４２２－１、４２２－２、・・・、４２２－ｎをサーブしている。図４Ｂでは、データバス４２３－１、４２３－２、・・・、４２３－ｎは、それぞれ、メモリ回路４０１とＦＰＧＡ回路４０２との間の基板接合に設けられたスタッドにより提供される。ＱＶＭ部分４０１ｂは、例えば、追加のメモリリソースを必要とする用途のために、隣接するセグメントを互いに組み合わせることにより、より大きなセグメントが形成されたものなどのモジュラー設計であってもよい。このセグメント化手法では、バッファメモリ及び大幅な遅延を発生させる虞を有する他の回路の割り当てが必要となる複雑な回路（例えば、ＤＭＡ又はデータコネクトセンタ）を使用したデータ転送が不要となる。ＱＶＭメモリ（又はＮＶＭメモリ）４２１－１、・・・、４２１－ｎは、本発表の一実施形態にしたがって、各メモリセグメントに関連付けられた専用の制御及び感知論理回路を提供することにより部分的にセグメント化され、これにより、各メモリセグメントを半自律化させてもよい。このような制御回路及び検知回路は、セグメントのメモリ層の下又は上のいずれかに実装された場合に、最も効率的となる。このセグメント化手法においては、メモリセグメントに割り当てられたスタッドに利用可能な帯域が該セグメントにのみ使用され、かつバッファリングの必要がない。このセグメント化設計は、例えば、同時に動作する多数のプロセッサが頻繁にデータをフェッチ及び書き戻しする必要がある、ニューラルネットワークなどの用途に大きな利点を提供する。セグメント化は、例えば、図１Ｆに示すものと同様の構成方式を用いて構成されてもよい。
論理デバイスとメモリデバイスとの間に複数の並列電気接続を可能にするこのセグメント化手法は、これまで不可能であった多くのメモリ使用方式を実現する。例えば、メモリを、互いに論理的に連結された、より小さなブロックに分割することにより、ユーザはメモリをデュアルポートデバイスとして使用することができる。この使用方式では、２以上の小ブロックにまたがる量のデータを書き込む場合、最初の小ブロックが書き込まれた後、システムが残りのデータを次の小ブロックに書き込んでいる間、最初のブロックを読み出しに使用することができる。このセグメント化手法では、すべてのデータが書き込まれる前に読み出しを開始することができる。読み出しの開始を、転送されている残りのデータブロックの書き込み動作とオーバーラップさせることにより、時間の節約が可能となる。一部のＤＭＡ動作では、この機能により非常に高いバーストレートが得られることとなる。先行技術では、大規模な転送（例えば１０ＧＢ）において、一部のシステムは、ＳＲＡＭをバーストのために使用する、又は、転送が完了するのを待ってから領域外への高速転送を開始する。バースト機能は、コストを削減し、かつ転送の片側が完了する前に高速パケット転送を補助することができる。
図４Ｃは、図４Ｂの構成の変形例を論理的に示す図であり、該変形例では、タイルセルセグメント４２２－１、４２２－２、・・・、４２２－ｎもまた、カスタム論理回路と対になっている。図４Ｃでは、カスタム論理回路４２４－２、４２３－３、・・・、４２４－（ｎ－１）が、タイルセルセグメント４２２－２、・・・、４２２－（ｎ－１）と共に動作していることが分かる。このようなカスタム論理回路は、例えば、ＲＩＳＣ型プロセッサ又はグラフィック処理ユニットを含んでもよい。いくつかの実施形態では、メモリセグメントの１つは、カスタム論理回路プロセッサのコードストアとして使用されてもよい。メモリ回路４０１をメモリセグメントに分割する手法は、多くの用途を最適化することができる。例えば、図４Ｄは、本発明の一実施形態に係る、図４Ｃの構成により実装されたニューラルネットワークアプリケーションを示す図である。該実施形態では、各メモリセグメント及びそれに関連するタイルセルセグメントが、対応するカスタム論理回路と共に、ニューラルネットワークのステージを実装している。
本発明においては、プロセッサベースのデバイス（例えば、図３Ａの電子デバイス）、及び、ＦＰＧＡベースのデバイス（例えば、図４Ａの電子デバイス）のいずれも、計算及びメモリの両方を中心とした用途の実装において、大きな利点を有している。セグメント化手法は、大容量メモリに対して高帯域幅でアクセス可能な複数のプロセッサ（例えばＲＩＳＣコア）を使用した並列演算を実現することができる。或いは、図４Ｄに示すように、メモリセグメントは、それぞれが特定のステージ用に最適化された複数のプロセッサによる、同時処理用のパイプラインのステージとして構成することもできる。処理ユニットはメモリの高帯域幅にアクセスできるため、計算の各ステージの中間結果を、次のステージにおいて、メモリ帯域幅の制限に起因する遅延を有することなく利用できるため、非常に高いスループットが期待できる。
本発明によって提供される、フリップチップ及び基板接合を用いたメモリ回路とＦＰＧＡ回路との組み合わせは、電源投入時に、メモリチップ４０１のＮＶＭ部分４０１ａからの高帯域幅インターフェースを介してＦＰＧＡ回路を素早く構成できるため、高速な電源投入が可能であるというメリットがある。高帯域幅を有するインターフェースにより構成ビットを並列にセットすることが可能となり、これにより、構成されたプログラマブルロジックを電源投入後すぐに準備できる高速構成を実現できる。いくつかの実施形態では、構成ロジックの一部が、機能動作のために後から構成されてもよい。また、メモリ４０１内にＮＶＭ部分が含まれていることにより、従来技術では不可能ではないにしても困難な動作である、ランタイムの動的構成を実現できる。
フィールドプログラマブル論理デバイス（例えばＦＰＧＡ）は、メモリ回路のルックアップテーブルとして実装されてもよい。この実装では、データ入力はメモリ回路へのアドレス指定として使用され、このデータ入力に対応するロジック機能がアドレス指定された場所に格納される。したがって、プログラマブルロジック（例えば図４Ｃのタイルセル）は、例えば、その出力が処理のためにメモリ回路と基板接合された論理回路との間のスタッド上に実装された実装メモリ回路（例えば図４Ａのメモリ回路４０１）であってもよい。図５Ａは、８Ｋ×４バイトのメモリアレイ５０１に実装されたプログラマブルロジックタイルセル５００を示す図であり、組み込み８ビットプロセッサ又は同様の論理回路に対して８ビットの出力データを直接提供できる。この例では、８ビットの出力データは、アドレスビットによりマルチプレクサ５０２で選択され、３ステートドライバ５０３（又はダイレクトドライブ）により出力される。
適切なモジュール設計を用いて、複数のプログラマブルロジックタイルセルを、より大きなプログラマブル論理回路を形成するように構成してもよい。例えば、図５Ｂは、１６Ｋ×４バイトのメモリアレイを提供するように構成されたメモリ回路における、プログラマブルロジックタイルセル５０１ａ、５０１ｂを示している。
プログラマブルロジックをメモリに実装するためには、入力信号、出力信号、及びアドレス信号の構成を可能にする構成可能なロジックを提供する必要がある。このような構成可能なロジックは、構成セルによってプログラムされたトランスミッションゲートを用いることにより実現できる。
場合によっては、モジュール化メモリセグメントで算術演算及び論理演算を実現することにより有利となる場合があり、これは多くの用途において有用である。ＡＬＵは、当業者に知られている。或いは、積和演算（ＭＡＣ）ユニットを用いて算術演算を行ってもよい。ＭＡＣもまた、当業者に知られている。図５Ｃは、本発明の一実施形態に係る、算術演算及び論理演算のために関連するＡＬＵ５７５を有するモジュラーメモリセグメント５７０を示す図である。図５Ｃに示すように、メモリセグメント５７０は、メモリタイル５４０－０、・・・、５４０－３１を含み、該メモリタイルは、それぞれ、上述のメモリタイル（例えば、図１Ｃのメモリタイル３２４－０－０等）と同様に、５３６個の誤り訂正符号化ビットを含む。各タイルの５３６ビットの出力が誤り訂正モジュール５４１－０、・・・、５４１－３１のうちの対応する１つにおいて処理されることにより、５１２ビットの誤り訂正データが提供すされる。このデータは、５１２ビットレジスタ５４２－０、・・・、５２４－３１のうちの対応する１つに対してラッチされてもよい。５１２ビットレジスタ５４２－０、・・・、５４２－３１中の任意のデータビットは、それぞれ対応する５１２：１マルチプレクサ５４３－０、・・・、５４３－３１により、３２ビットＡＬＵ５４５の２つの入力レジスタＡ、Ｂのうちの１つの対応するビットに選択されてもよい。誤り訂正モジュール５４１－０、・・・、５４１－３１、５１２ビットレジスタ５４２－０、・・・、５４２－３１、５１２：１－マルチプレクサ５４３－０、・・・、５４３－３１、レジスタＡ、Ｂ、及びＡＬＵ５４５は、すべて、例えば、メモリ回路のデータセンタのうちの１つに設けられてもよい。
非仮特許出願に記載のＱＶＭ回路は、シリコン基板上に蒸着された種々の材料から形成され得る。いくつかの実施形態では、ＱＶＭ回路の３次元メモリアレイは、複数層（例えば、８層、１６層、又は３２層）のメモリセルを有する場合であっても、通常数μｍ未満の厚さを有する。本発明の一実施形態によれば、メモリアレイの厚さ全体に亘って延びるビア（「貫通ビア」）内に導体が設けられる。ＱＶＭ回路は、シリコン基板を取り除いた状態で、その互いに対向する両側面が、それぞれ他の２つの回路に対して基板接合されてもよい。このような構成では、貫通ビア内の導体は、これらの基板接合された他の回路を互いに接続するために使用できる。一般的に数百μｍの厚さを有する従来のＴＳＶとは異なり、本発明の貫通ビアの厚さはわずか数μｍであるため、この貫通ビアは、ＴＳＶと比較して容易に製造可能であり、かつその抵抗値も遥かに低い。図６Ａ～図６Ｄは、本発明の一実施形態に係る、他の２つの回路に対して基板接合されたＱＶＭ回路における貫通ビアの使用例を示す図である。
図６Ａは、ＱＶＭ回路６０１及び論理回路６０２（例えばメモリ制御回路）を示す断面図である。論理回路６０２は、例えば、シリコン基板６３８中又はシリコン基板６３８上に形成されたＱＶＭ６０１のメモリアレイに対してプログラム、消去、及び読み込みするためのメモリ動作補助回路６３９、レジスタ、及びバッファ回路を含んでもよい。更に、メモリ動作補助回路６３９は電源回路を含んでもよい。ＱＶＭ回路６０１は、シリコン基板６１８の上に形成されたＱＶＭメモリアレイ構造体６１７を含んでもよい。図６Ａでは、シリコン基板６３８中又はシリコン基板６３８上に形成されたメモリ動作補助回路６３９に対して電気的にアクセスするために、論理回路６０２の表面にハイブリッド接合パッド６２４、６３１が設けられている。メモリアレイ構造体６１７は、通常、シリコン酸化物中に組み込まれている。図６Ａでは、単に説明のためだけに２層のメモリセルのみを有するものとして示されているが、ＱＶＭメモリアレイ構造体６１７は、任意の数のメモリセル層を含んでもよい。
図６Ａにおいて、メモリアレイ構造体６１７は、メモリセル部分６１６と「階段」部分６２０を含む。メモリセル部分６１６は、例えば、ＮＯＲメモリストリングを含んでもよい。各ＮＯＲメモリストリングの共通ビット線及び共通ソース線は、階段部分６１６から電気的にアクセスされてもよい。いくつかの実施形態では、非仮特許出願に開示されているように、共通ソース線は外部からアクセスされなくてもよい。図６Ａは、ビット線及びソース線が、階段部分６２０において、相互接続層６１４に対してビアによって接続されている様子を示しており、この相互接続層６１４は、ＱＶＭ回路６０２の上面の「ハイブリッド」接合パッド６１１に対してビアによって接続されている。相互接続層６１４は、当業者に知られているように、「再分配層」として提供されることもある。ＮＯＲメモリストリングへのローカルワード線は、メモリセル部分６１６に互いに垂直をなすように設けられており、かつメモリアレイ構造体６１７の下及び上に設けられた２以上の層の相互接続導体（「グローバルワード線」）を介してルーティングされている。また、グローバルワード線は、ＱＶＭ回路６０１の表面に設けられたハイブリッド接合パッド６１１に対してビアによって接続されている。ハイブリッド接合パッド６１１はまた、電源及び接地供給電圧線をルーティングするために設けられている。図６Ａはまた、ＱＶＭ６０１が、実質的にメモリアレイ構造体６１７の厚さ全体を延在する導体充填貫通ビア６１３を含むことを示している。ハイブリッド接合パッド６１０は、導体充填貫通ビア６１３にアクセスするために、ＱＶＭ回路６０１の上面に設けられている。
図６Ｂは、「裏返し」にされたＱＶＭ回路６０１が、論理回路６０２に対して基板接合された様子を示している。基板接合は、例えば、ＱＶＭ回路６０１及び論理回路６０２の表面全体に亘って、対応するシリコン酸化物材料と対応する銅材料との接合を実現する「ハイブリッド接合」技術を用いて達成することができる。図６Ｂに示すように、ＱＶＭ回路６０１のハイブリッド接合パッド６１０（貫通ビア６１３に接続されている）は、論理回路６０２のハイブリッド接合パッド６２４に接合されており、ＱＶＭ回路６０１のハイブリッド接合パッド６１１は、論理回路６０２のハイブリッド接合パッド６３１に接合されている。
その後、ＱＶＭ回路６０１のシリコン基板６１８を、例えば研磨によって実質的に除去する。図６Ｃでは、シリコン基板６１８が実質的に除去されていることにより、導体充填貫通ビア６１３を埋設するシリコン酸化物が露出している。その後、ＱＶＭ回路６０１のシリコン酸化物をエッチングすることによりビア６４０を形成し、その内部に導体を充填する。適切な導体材料としては、例えば銅が挙げられる。その後、図６Ｄに示すように、ＱＶＭ回路６０１に第２の基板接合回路を取付けする前に、ダマシンプロセスを用いて銅製の相互接続ネットワーク６５２を含む再分配層６５１を設けてもよい。相互接続ネットワーク６５２は、接合パッド６５３によって電気的にアクセスすることが可能とされている。図６Ｄでは、第２の基板接合回路は、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）ダイ６６０として示されている。ＡＳＩＣダイ６６０は、当業者に知られているように、ダイ・トゥ・ウェハのバンプ接合を用いてＱＶＭ回路６０１に接合されてもよい。
上記の詳細な説明は、本発明の特定の実施形態を例示するために提供されたものであって、限定することを意図するものではない。本発明の範囲内で、様々な変形及び改変が可能である。本発明の要旨は、添付の特許請求の範囲に記載されている。

Claims (20)

  1. 半導体基板の平面上に形成され、かつ複数のモジュラー型メモリユニットを含むメモリ回路であって、
    複数の前記モジュラー型メモリユニットのそれぞれがワード線及びビット線によってアクセスされるストレージトランジスタの３次元アレイを含む該メモリ回路と、
    前記メモリ回路の下に位置する前記半導体基板に形成され、かつ、複数のモジュラー型回路ユニットを含む前記メモリ回路のためのサポート回路であって、
    複数の前記モジュラー型回路ユニットのそれぞれが各モジュラー型メモリユニットの関連するものの下に位置するように形成されることにより、前記モジュラー型メモリユニットのメモリ動作を補助する該サポート回路と、を含み、
    各モジュラー型メモリユニットは、関連する前記モジュラー型回路ユニットによって独立して動作して前記メモリ動作を行うように構成され、２以上の前記モジュラー型回路ユニットによって並行して動作することにより前記メモリ動作を行うように構成されている、メモリデバイス。
  2. 前記メモリ動作が消去動作、プログラム動作、読み出し動作、及びリフレッシュ動作を含む、請求項１に記載のメモリデバイス。
  3. コマンド信号及び関連するアドレス信号を含む１以上の制御信号をそれぞれ受信し、各制御信号に含まれる前記アドレス信号が、関連する前記コマンド信号を受信するための前記モジュラー型メモリユニットの１つを指定する、請求項２に記載のメモリデバイス。
  4. 前記アドレス信号によって指定された前記モジュラー型メモリユニットは、それぞれ関連する前記モジュラー型回路ユニットによって並行して動作し、関連する前記コマンド信号によって指定された前記メモリ動作を行うように構成されている、請求項３に記載のメモリデバイス。
  5. 他の前記半導体基板上に形成されたコントローラ集積回路から前記制御信号を受信する、請求項３に記載のメモリデバイス。
  6. 前記コントローラ集積回路は、ホストデバイスと通信するためのホストインターフェース、前記メモリデバイスの管理機能を実現するように構成された論理回路、前記メモリデバイスに格納される書き込みデータを格納するための１以上の書き込みバッファ、及び、前記メモリデバイスに格納されるデータに対して誤り訂正を行うための誤り訂正回路を含む、請求項５に記載のメモリデバイス。
  7. 前記メモリ動作が、前記消去動作の後に続く前記プログラム動作を含む書き込み動作を含む、請求項２に記載のメモリデバイス。
  8. 前記書き込み動作に関連する書き込みデータ値を指定する書き込みデータ信号をさらに受信する、請求項７に記載のメモリデバイス。
  9. 各モジュラー型回路ユニットは、ワード線ドライバ回路及びビット線ドライバ回路と、前記アドレス信号をデコーディングすることにより指定された前記モジュラー型メモリユニット及びそこで指定された前記ストレージトランジスタを選択するアドレスデコーダと、選択された前記ストレージトランジスタからストレージデータを読み出すセンスアンプと、ドライバ回路、ラッチまたはレジスタ用の動作電圧を生成する電圧源と、関連する前記モジュラー型メモリユニットにおける前記読み出し動作、書き込み動作、並びに、前記消去動作及び前記リフレッシュ動作を管理するステートマシンとを含む、請求項３に記載のメモリデバイス。
  10. 各モジュラー型メモリユニットが、前記ストレージトランジスタの前記３次元アレイ及び関連する前記モジュラー型回路ユニットの上に位置するように形成され、かつ前記ストレージトランジスタの前記３次元アレイ及び関連する前記モジュラー型回路ユニットと電気的に接続された相互接続導体層をさらに備え、
    前記相互接続導体層は、前記ストレージトランジスタ及び前記モジュラー型回路ユニット間で制御及びデータ信号をルーティングすることにより前記メモリ動作を実行するために設けられる、請求項９に記載のメモリデバイス。
  11. 前記メモリ回路が、準揮発性メモリ回路を含む、請求項１に記載のメモリデバイス。
  12. 前記準揮発性メモリ回路の前記ストレージトランジスタは、それぞれ１日以上の保持時間を有し、プログラム・消去回数が１００万回以上の寿命を有する、請求項１１に記載のメモリデバイス。
  13. 前記メモリ回路が、不揮発性メモリ回路を含む、請求項１に記載のメモリデバイス。
  14. 前記ストレージトランジスタが、それぞれ、ダイレクトトンネル技術によってプログラム可能なストレージ材料を含む、請求項１に記載のメモリデバイス。
  15. 前記ストレージトランジスタが、それぞれ、強磁電体ストレージトランジスタを含む、請求項１に記載のメモリデバイス。
  16. 前記ストレージトランジスタの前記３次元アレイが、複数のＮＯＲメモリストリングを含む、請求項３に記載のメモリデバイス。
  17. 前記ＮＯＲメモリストリングの前記３次元アレイが第１の方向に平行に配列され、第２の方向に積層される各ＮＯＲメモリストリングは、それぞれが第３の方向に延在する共通ソース層及び共通ドレイン層を共有する複数の前記ストレージトランジスタを含み、前記ＮＯＲメモリストリングの前記アレイは更に、
    （１）前記ＮＯＲメモリストリングの隣接するスタックの間に形成された複数のローカルワード線構造と、
    （２）前記３次元アレイの上に位置するように形成され、前記第１の方向に延在し、並びに、それぞれが前記ローカルワード線構造のそれぞれのサブセットに接続されている複数の前記ワード線とを有し、
    各ストレージトランジスタは、各ＮＯＲメモリストリング及び各ローカルワード線構造の接続部に形成されており、（ｉ）前記共通ソース層及び前記共通ドレイン層の間に形成されたチャネル領域、（ｉｉ）ゲート絶縁層、並びに、（ｉｉｉ）ゲート導体としての前記ローカルワード線構造を備える、請求項１６に記載のメモリデバイス。
  18. 各モジュラー型回路ユニットは、関連する前記モジュラー型メモリユニットと第１の方向及び第２の方向に同じ寸法を有する、請求項１に記載のメモリデバイス。
  19. 前記制御信号の前記アドレス信号は、前記制御信号のうちの１つに応答して、アクセスされる前記モジュラー型メモリユニットを指定し、指定された前記モジュラー型メモリユニットの前記モジュラー型回路ユニットは、前記ワード線のうちの１つを活性化し、前記ビット線のページを選択してアクティブ化し、及び、関連する前記コマンド信号によって示される前記メモリ動作を実行する、請求項１７に記載のメモリデバイス。
  20. 各モジュラー型回路ユニットが、
    アドレスデコーダ、及び、前記ワード線のうちの1つを選択して活性化するように互いに結合された複数のワード線ドライバ回路と、
    前記ビット線の前記ページを選択するように互いに結合された複数のビット線選択トランジスタと、
    前記ビット線選択トランジスタに結合されることにより、選択された前記ビット線に関連するデータ値を感知する複数のセンスアンプと、
    選択された前記ストレージトランジスタから感知されたデータを記憶するための１以上のデータラッチと、
    電源電圧、接地電圧、プログラム電圧、消去電圧、読み出し電圧、または基準電圧を生成する電圧生成器と、
    前記コマンド信号に応答して、前記消去動作、前記プログラム動作、前記読み出し動作、及び前記リフレッシュ動作を実行するために、関連するメモリユニットの動作を制御するステートマシンとを備える、請求項１９に記載のメモリデバイス。
    4
JP2021541611A 2019-01-30 2020-01-29 基板接合を用いた高帯域幅・大容量メモリ組み込み型電子デバイス Active JP7425069B2 (ja)

Applications Claiming Priority (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201962798673P 2019-01-30 2019-01-30
US62/798,673 2019-01-30
US201962803689P 2019-02-11 2019-02-11
US62/803,689 2019-02-11
US201962843733P 2019-05-06 2019-05-06
US62/843,733 2019-05-06
PCT/US2020/015710 WO2020160169A1 (en) 2019-01-30 2020-01-29 Device with embedded high-bandwidth, high-capacity memory using wafer bonding

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2022519023A JP2022519023A (ja) 2022-03-18
JPWO2020160169A5 JPWO2020160169A5 (ja) 2023-02-06
JP7425069B2 true JP7425069B2 (ja) 2024-01-30

Family

ID=71732538

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2021541611A Active JP7425069B2 (ja) 2019-01-30 2020-01-29 基板接合を用いた高帯域幅・大容量メモリ組み込み型電子デバイス

Country Status (5)

Country Link
US (3) US11670620B2 (ja)
EP (1) EP3918633A4 (ja)
JP (1) JP7425069B2 (ja)
CN (1) CN113383415A (ja)
WO (1) WO2020160169A1 (ja)

Families Citing this family (139)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11984445B2 (en) 2009-10-12 2024-05-14 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor devices and structures with metal layers
US11374118B2 (en) 2009-10-12 2022-06-28 Monolithic 3D Inc. Method to form a 3D integrated circuit
US11018133B2 (en) 2009-10-12 2021-05-25 Monolithic 3D Inc. 3D integrated circuit
US10910364B2 (en) 2009-10-12 2021-02-02 Monolitaic 3D Inc. 3D semiconductor device
US11482440B2 (en) 2010-12-16 2022-10-25 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with a built-in test circuit for repairing faulty circuits
US11018191B1 (en) 2010-10-11 2021-05-25 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US11227897B2 (en) 2010-10-11 2022-01-18 Monolithic 3D Inc. Method for producing a 3D semiconductor memory device and structure
US11024673B1 (en) 2010-10-11 2021-06-01 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US11158674B2 (en) 2010-10-11 2021-10-26 Monolithic 3D Inc. Method to produce a 3D semiconductor device and structure
US10896931B1 (en) 2010-10-11 2021-01-19 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US11315980B1 (en) 2010-10-11 2022-04-26 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with transistors
US11257867B1 (en) 2010-10-11 2022-02-22 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with oxide bonds
US11600667B1 (en) 2010-10-11 2023-03-07 Monolithic 3D Inc. Method to produce 3D semiconductor devices and structures with memory
US11469271B2 (en) 2010-10-11 2022-10-11 Monolithic 3D Inc. Method to produce 3D semiconductor devices and structures with memory
US11133344B2 (en) 2010-10-13 2021-09-28 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with image sensors
US10943934B2 (en) 2010-10-13 2021-03-09 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure
US11404466B2 (en) 2010-10-13 2022-08-02 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with image sensors
US11694922B2 (en) 2010-10-13 2023-07-04 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with oxide bonding
US11855100B2 (en) 2010-10-13 2023-12-26 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with oxide bonding
US11869915B2 (en) 2010-10-13 2024-01-09 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with image sensors and wafer bonding
US11043523B1 (en) 2010-10-13 2021-06-22 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with image sensors
US11163112B2 (en) 2010-10-13 2021-11-02 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with electromagnetic modulators
US10978501B1 (en) 2010-10-13 2021-04-13 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with waveguides
US10833108B2 (en) 2010-10-13 2020-11-10 Monolithic 3D Inc. 3D microdisplay device and structure
US11855114B2 (en) 2010-10-13 2023-12-26 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with image sensors and wafer bonding
US11437368B2 (en) 2010-10-13 2022-09-06 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with oxide bonding
US11929372B2 (en) 2010-10-13 2024-03-12 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with image sensors and wafer bonding
US11063071B1 (en) 2010-10-13 2021-07-13 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with waveguides
US10998374B1 (en) 2010-10-13 2021-05-04 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure
US11984438B2 (en) 2010-10-13 2024-05-14 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with oxide bonding
US11327227B2 (en) 2010-10-13 2022-05-10 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with electromagnetic modulators
US11164898B2 (en) 2010-10-13 2021-11-02 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure
US11605663B2 (en) 2010-10-13 2023-03-14 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with image sensors and wafer bonding
US11495484B2 (en) 2010-11-18 2022-11-08 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor devices and structures with at least two single-crystal layers
US11482438B2 (en) 2010-11-18 2022-10-25 Monolithic 3D Inc. Methods for producing a 3D semiconductor memory device and structure
US11508605B2 (en) 2010-11-18 2022-11-22 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor memory device and structure
US11164770B1 (en) 2010-11-18 2021-11-02 Monolithic 3D Inc. Method for producing a 3D semiconductor memory device and structure
US11004719B1 (en) 2010-11-18 2021-05-11 Monolithic 3D Inc. Methods for producing a 3D semiconductor memory device and structure
US11569117B2 (en) 2010-11-18 2023-01-31 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with single-crystal layers
US11018042B1 (en) 2010-11-18 2021-05-25 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor memory device and structure
US11923230B1 (en) 2010-11-18 2024-03-05 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with bonding
US11854857B1 (en) 2010-11-18 2023-12-26 Monolithic 3D Inc. Methods for producing a 3D semiconductor device and structure with memory cells and multiple metal layers
US11901210B2 (en) 2010-11-18 2024-02-13 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with memory
US11211279B2 (en) 2010-11-18 2021-12-28 Monolithic 3D Inc. Method for processing a 3D integrated circuit and structure
US11862503B2 (en) 2010-11-18 2024-01-02 Monolithic 3D Inc. Method for producing a 3D semiconductor device and structure with memory cells and multiple metal layers
US11482439B2 (en) 2010-11-18 2022-10-25 Monolithic 3D Inc. Methods for producing a 3D semiconductor memory device comprising charge trap junction-less transistors
US11443971B2 (en) 2010-11-18 2022-09-13 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with memory
US11355381B2 (en) 2010-11-18 2022-06-07 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor memory device and structure
US11804396B2 (en) 2010-11-18 2023-10-31 Monolithic 3D Inc. Methods for producing a 3D semiconductor device and structure with memory cells and multiple metal layers
US11615977B2 (en) 2010-11-18 2023-03-28 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor memory device and structure
US11610802B2 (en) 2010-11-18 2023-03-21 Monolithic 3D Inc. Method for producing a 3D semiconductor device and structure with single crystal transistors and metal gate electrodes
US11031275B2 (en) 2010-11-18 2021-06-08 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with memory
US11094576B1 (en) 2010-11-18 2021-08-17 Monolithic 3D Inc. Methods for producing a 3D semiconductor memory device and structure
US11355380B2 (en) 2010-11-18 2022-06-07 Monolithic 3D Inc. Methods for producing 3D semiconductor memory device and structure utilizing alignment marks
US11107721B2 (en) 2010-11-18 2021-08-31 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with NAND logic
US11735462B2 (en) 2010-11-18 2023-08-22 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with single-crystal layers
US11784082B2 (en) 2010-11-18 2023-10-10 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with bonding
US11521888B2 (en) 2010-11-18 2022-12-06 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with high-k metal gate transistors
US11594473B2 (en) 2012-04-09 2023-02-28 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers and a connective path
US11088050B2 (en) 2012-04-09 2021-08-10 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device with isolation layers
US11694944B1 (en) 2012-04-09 2023-07-04 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers and a connective path
US11616004B1 (en) 2012-04-09 2023-03-28 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers and a connective path
US11410912B2 (en) 2012-04-09 2022-08-09 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device with vias and isolation layers
US11476181B1 (en) 2012-04-09 2022-10-18 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers
US11164811B2 (en) 2012-04-09 2021-11-02 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device with isolation layers and oxide-to-oxide bonding
US11881443B2 (en) 2012-04-09 2024-01-23 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers and a connective path
US11735501B1 (en) 2012-04-09 2023-08-22 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers and a connective path
US11217565B2 (en) 2012-12-22 2022-01-04 Monolithic 3D Inc. Method to form a 3D semiconductor device and structure
US11063024B1 (en) 2012-12-22 2021-07-13 Monlithic 3D Inc. Method to form a 3D semiconductor device and structure
US11784169B2 (en) 2012-12-22 2023-10-10 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers
US11967583B2 (en) 2012-12-22 2024-04-23 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers
US11309292B2 (en) 2012-12-22 2022-04-19 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers
US11916045B2 (en) 2012-12-22 2024-02-27 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers
US11961827B1 (en) 2012-12-22 2024-04-16 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers
US11018116B2 (en) 2012-12-22 2021-05-25 Monolithic 3D Inc. Method to form a 3D semiconductor device and structure
US11004694B1 (en) 2012-12-29 2021-05-11 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US11430668B2 (en) 2012-12-29 2022-08-30 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with bonding
US11087995B1 (en) 2012-12-29 2021-08-10 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US10903089B1 (en) 2012-12-29 2021-01-26 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US11177140B2 (en) 2012-12-29 2021-11-16 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US11430667B2 (en) 2012-12-29 2022-08-30 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with bonding
US11935949B1 (en) 2013-03-11 2024-03-19 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers and memory cells
US11869965B2 (en) 2013-03-11 2024-01-09 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers and memory cells
US8902663B1 (en) 2013-03-11 2014-12-02 Monolithic 3D Inc. Method of maintaining a memory state
US11398569B2 (en) 2013-03-12 2022-07-26 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US11923374B2 (en) 2013-03-12 2024-03-05 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers
US10840239B2 (en) 2014-08-26 2020-11-17 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US11088130B2 (en) 2014-01-28 2021-08-10 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US11341309B1 (en) 2013-04-15 2022-05-24 Monolithic 3D Inc. Automation for monolithic 3D devices
US11720736B2 (en) 2013-04-15 2023-08-08 Monolithic 3D Inc. Automation methods for 3D integrated circuits and devices
US11574109B1 (en) 2013-04-15 2023-02-07 Monolithic 3D Inc Automation methods for 3D integrated circuits and devices
US11487928B2 (en) 2013-04-15 2022-11-01 Monolithic 3D Inc. Automation for monolithic 3D devices
US11270055B1 (en) 2013-04-15 2022-03-08 Monolithic 3D Inc. Automation for monolithic 3D devices
US11031394B1 (en) 2014-01-28 2021-06-08 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US11107808B1 (en) 2014-01-28 2021-08-31 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US11056468B1 (en) 2015-04-19 2021-07-06 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US11011507B1 (en) 2015-04-19 2021-05-18 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US10825779B2 (en) 2015-04-19 2020-11-03 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US11956952B2 (en) 2015-08-23 2024-04-09 Monolithic 3D Inc. Semiconductor memory device and structure
US11937422B2 (en) 2015-11-07 2024-03-19 Monolithic 3D Inc. Semiconductor memory device and structure
US11114427B2 (en) 2015-11-07 2021-09-07 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor processor and memory device and structure
US11978731B2 (en) 2015-09-21 2024-05-07 Monolithic 3D Inc. Method to produce a multi-level semiconductor memory device and structure
US11120884B2 (en) 2015-09-30 2021-09-14 Sunrise Memory Corporation Implementing logic function and generating analog signals using NOR memory strings
US11296115B1 (en) 2015-10-24 2022-04-05 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US12016181B2 (en) 2015-10-24 2024-06-18 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with logic and memory
US11991884B1 (en) 2015-10-24 2024-05-21 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with logic and memory
US10847540B2 (en) 2015-10-24 2020-11-24 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor memory device and structure
US11114464B2 (en) 2015-10-24 2021-09-07 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US11869591B2 (en) 2016-10-10 2024-01-09 Monolithic 3D Inc. 3D memory devices and structures with control circuits
US11812620B2 (en) 2016-10-10 2023-11-07 Monolithic 3D Inc. 3D DRAM memory devices and structures with control circuits
US11251149B2 (en) 2016-10-10 2022-02-15 Monolithic 3D Inc. 3D memory device and structure
US11930648B1 (en) 2016-10-10 2024-03-12 Monolithic 3D Inc. 3D memory devices and structures with metal layers
US11711928B2 (en) 2016-10-10 2023-07-25 Monolithic 3D Inc. 3D memory devices and structures with control circuits
US11329059B1 (en) 2016-10-10 2022-05-10 Monolithic 3D Inc. 3D memory devices and structures with thinned single crystal substrates
JP7425069B2 (ja) 2019-01-30 2024-01-30 サンライズ メモリー コーポレイション 基板接合を用いた高帯域幅・大容量メモリ組み込み型電子デバイス
US11398492B2 (en) 2019-02-11 2022-07-26 Sunrise Memory Corporation Vertical thing-film transistor and application as bit-line connector for 3-dimensional memory arrays
US11296106B2 (en) 2019-04-08 2022-04-05 Monolithic 3D Inc. 3D memory semiconductor devices and structures
US11158652B1 (en) 2019-04-08 2021-10-26 Monolithic 3D Inc. 3D memory semiconductor devices and structures
US11018156B2 (en) 2019-04-08 2021-05-25 Monolithic 3D Inc. 3D memory semiconductor devices and structures
US11763864B2 (en) 2019-04-08 2023-09-19 Monolithic 3D Inc. 3D memory semiconductor devices and structures with bit-line pillars
US10892016B1 (en) 2019-04-08 2021-01-12 Monolithic 3D Inc. 3D memory semiconductor devices and structures
CN112151526A (zh) * 2019-06-28 2020-12-29 西部数据技术公司 包括高速异质集成控制器和高速缓存的半导体设备
US20200097362A1 (en) * 2019-11-29 2020-03-26 Intel Corporation Methods and apparatus for reducing microbumps for inter-die double-data rate (ddr) transfer
US11515309B2 (en) 2019-12-19 2022-11-29 Sunrise Memory Corporation Process for preparing a channel region of a thin-film transistor in a 3-dimensional thin-film transistor array
WO2021158994A1 (en) * 2020-02-07 2021-08-12 Sunrise Memory Corporation Quasi-volatile system-level memory
WO2021159028A1 (en) * 2020-02-07 2021-08-12 Sunrise Memory Corporation High capacity memory circuit with low effective latency
US11508693B2 (en) 2020-02-24 2022-11-22 Sunrise Memory Corporation High capacity memory module including wafer-section memory circuit
US11507301B2 (en) 2020-02-24 2022-11-22 Sunrise Memory Corporation Memory module implementing memory centric architecture
US11561911B2 (en) * 2020-02-24 2023-01-24 Sunrise Memory Corporation Channel controller for shared memory access
US11658168B2 (en) * 2020-08-05 2023-05-23 Alibaba Group Holding Limited Flash memory with improved bandwidth
JP2022045192A (ja) * 2020-09-08 2022-03-18 キオクシア株式会社 半導体装置およびその製造方法
WO2022108848A1 (en) 2020-11-17 2022-05-27 Sunrise Memory Corporation Methods for reducing disturb errors by refreshing data alongside programming or erase operations
US11481154B2 (en) 2021-01-15 2022-10-25 Sandisk Technologies Llc Non-volatile memory with memory array between circuits
US11810640B2 (en) 2021-02-10 2023-11-07 Sunrise Memory Corporation Memory interface with configurable high-speed serial data lanes for high bandwidth memory
US11621248B2 (en) * 2021-03-31 2023-04-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited Bonded wafer device structure and methods for making the same
TW202310429A (zh) 2021-07-16 2023-03-01 美商日升存儲公司 薄膜鐵電電晶體的三維記憶體串陣列
US20230051863A1 (en) * 2021-08-10 2023-02-16 Micron Technology, Inc. Memory device for wafer-on-wafer formed memory and logic
KR20230030344A (ko) * 2021-08-25 2023-03-06 삼성전자주식회사 웨이퍼-투-웨이퍼 본딩을 이용하는 3차원 스토리지 장치
US20230187413A1 (en) * 2021-12-09 2023-06-15 Sunrise Memory Corporation Memory Device Including Arrangement of Independently And Concurrently Operable Tiles of Memory Transistors

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009277334A (ja) 2008-04-14 2009-11-26 Hitachi Ltd 情報処理装置および半導体記憶装置

Family Cites Families (169)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4213139A (en) 1978-05-18 1980-07-15 Texas Instruments Incorporated Double level polysilicon series transistor cell
US5583808A (en) 1994-09-16 1996-12-10 National Semiconductor Corporation EPROM array segmented for high performance and method for controlling same
US5646886A (en) 1995-05-24 1997-07-08 National Semiconductor Corporation Flash memory having segmented array for improved operation
JPH098290A (ja) 1995-06-20 1997-01-10 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置及びその製造方法
US5789776A (en) 1995-09-22 1998-08-04 Nvx Corporation Single poly memory cell and array
US5768192A (en) 1996-07-23 1998-06-16 Saifun Semiconductors, Ltd. Non-volatile semiconductor memory cell utilizing asymmetrical charge trapping
US5915167A (en) 1997-04-04 1999-06-22 Elm Technology Corporation Three dimensional structure memory
US6551857B2 (en) 1997-04-04 2003-04-22 Elm Technology Corporation Three dimensional structure integrated circuits
KR100242723B1 (ko) 1997-08-12 2000-02-01 윤종용 불휘발성 반도체 메모리 장치의 셀 어레이 구조 및 그 제조방법
US6040605A (en) 1998-01-28 2000-03-21 Hitachi, Ltd. Semiconductor memory device
US6107133A (en) 1998-05-28 2000-08-22 International Business Machines Corporation Method for making a five square vertical DRAM cell
JP2000200842A (ja) 1998-11-04 2000-07-18 Sony Corp 不揮発性半導体記憶装置、製造方法および書き込み方法
US6118171A (en) 1998-12-21 2000-09-12 Motorola, Inc. Semiconductor device having a pedestal structure and method of making
JP4899241B2 (ja) 1999-12-06 2012-03-21 ソニー株式会社 不揮発性半導体記憶装置およびその動作方法
JP2001357682A (ja) 2000-06-12 2001-12-26 Sony Corp メモリシステムおよびそのプログラム方法
US6580124B1 (en) 2000-08-14 2003-06-17 Matrix Semiconductor Inc. Multigate semiconductor device with vertical channel current and method of fabrication
JP5792918B2 (ja) 2000-08-14 2015-10-14 サンディスク・スリー・ディ・リミテッド・ライアビリティ・カンパニーＳａｎｄｉｓｋ ３Ｄ Ｌｌｃ 高集積メモリデバイス
US6621725B2 (en) 2000-08-17 2003-09-16 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor memory device with floating storage bulk region and method of manufacturing the same
US20020193484A1 (en) 2001-02-02 2002-12-19 The 54 Group, Ltd. Polymeric resins impregnated with insect repellants
US6531727B2 (en) 2001-02-09 2003-03-11 Micron Technology, Inc. Open bit line DRAM with ultra thin body transistors
US6744094B2 (en) 2001-08-24 2004-06-01 Micron Technology Inc. Floating gate transistor with horizontal gate layers stacked next to vertical body
GB0123416D0 (en) 2001-09-28 2001-11-21 Memquest Ltd Non-volatile memory control
US6873004B1 (en) 2002-02-04 2005-03-29 Nexflash Technologies, Inc. Virtual ground single transistor memory cell, memory array incorporating same, and method of operation thereof
US7064018B2 (en) 2002-07-08 2006-06-20 Viciciv Technology Methods for fabricating three dimensional integrated circuits
US6774458B2 (en) 2002-07-23 2004-08-10 Hewlett Packard Development Company, L.P. Vertical interconnection structure and methods
US7005350B2 (en) 2002-12-31 2006-02-28 Matrix Semiconductor, Inc. Method for fabricating programmable memory array structures incorporating series-connected transistor strings
KR100881201B1 (ko) 2003-01-09 2009-02-05 삼성전자주식회사 사이드 게이트를 구비하는 소노스 메모리 소자 및 그제조방법
US7308524B2 (en) 2003-01-13 2007-12-11 Silicon Pipe, Inc Memory chain
US7307308B2 (en) 2003-04-07 2007-12-11 Silicon Storage Technology, Inc. Buried bit line non-volatile floating gate memory cell with independent controllable control gate in a trench, and array thereof, and method of formation
JP4108537B2 (ja) 2003-05-28 2008-06-25 富士雄 舛岡 半導体装置
KR100546331B1 (ko) 2003-06-03 2006-01-26 삼성전자주식회사 스택 뱅크들 마다 독립적으로 동작하는 멀티 포트 메모리장치
US6963098B2 (en) 2003-06-23 2005-11-08 Nve Corporation Thermally operated switch control memory cell
US20040262772A1 (en) 2003-06-30 2004-12-30 Shriram Ramanathan Methods for bonding wafers using a metal interlayer
JP4545423B2 (ja) 2003-12-09 2010-09-15 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
US7475174B2 (en) 2004-03-17 2009-01-06 Super Talent Electronics, Inc. Flash / phase-change memory in multi-ring topology using serial-link packet interface
US7221613B2 (en) 2004-05-26 2007-05-22 Freescale Semiconductor, Inc. Memory with serial input/output terminals for address and data and method therefor
US7378702B2 (en) 2004-06-21 2008-05-27 Sang-Yun Lee Vertical memory device structures
US7284226B1 (en) 2004-10-01 2007-10-16 Xilinx, Inc. Methods and structures of providing modular integrated circuits
US7366826B2 (en) 2004-12-16 2008-04-29 Sandisk Corporation Non-volatile memory and method with multi-stream update tracking
US8314024B2 (en) 2008-12-19 2012-11-20 Unity Semiconductor Corporation Device fabrication
KR100673105B1 (ko) 2005-03-31 2007-01-22 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 수직형 트랜지스터 및 그의 형성 방법
JP2008544437A (ja) 2005-06-24 2008-12-04 メタラム インコーポレイテッド 一体化されたメモリコア及びメモリインターフェース回路
US7612411B2 (en) 2005-08-03 2009-11-03 Walker Andrew J Dual-gate device and method
KR101293365B1 (ko) 2005-09-30 2013-08-05 모사이드 테크놀로지스 인코퍼레이티드 출력 제어 메모리
US20080091888A1 (en) 2006-10-17 2008-04-17 Motorola, Inc. Memory system having baseboard located memory buffer unit
JP2008251138A (ja) 2007-03-30 2008-10-16 Toshiba Corp 不揮発性半導体メモリ、不揮発性半導体メモリの制御方法、不揮発性半導体メモリシステム、及びメモリカード
JP5130596B2 (ja) 2007-05-30 2013-01-30 国立大学法人東北大学 半導体装置
US20090157946A1 (en) 2007-12-12 2009-06-18 Siamak Arya Memory having improved read capability
US7898857B2 (en) 2008-03-20 2011-03-01 Micron Technology, Inc. Memory structure having volatile and non-volatile memory portions
US8072811B2 (en) 2008-05-07 2011-12-06 Aplus Flash Technology, Inc, NAND based NMOS NOR flash memory cell, a NAND based NMOS NOR flash memory array, and a method of forming a NAND based NMOS NOR flash memory array
US7839673B2 (en) 2008-06-06 2010-11-23 Ovonyx, Inc. Thin-film memory system having thin-film peripheral circuit and memory controller for interfacing with a standalone thin-film memory
US9116828B2 (en) * 2008-06-11 2015-08-25 Micron Technology, Inc. Data bus inversion usable in a memory system
WO2009154799A1 (en) 2008-06-20 2009-12-23 Aplus Flash Technology, Inc. An apparatus and method for inhibiting excess leakage current in unselected nonvolatile memory cells in an array
JP2010021449A (ja) * 2008-07-11 2010-01-28 Toshiba Corp 半導体装置
DE102008036453A1 (de) * 2008-08-05 2010-02-11 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Versenden von Daten und Kommunikationseinrichtung
US20100121994A1 (en) 2008-11-10 2010-05-13 International Business Machines Corporation Stacked memory array
JP2010118580A (ja) 2008-11-14 2010-05-27 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置
US8645617B2 (en) 2008-12-09 2014-02-04 Rambus Inc. Memory device for concurrent and pipelined memory operations
US20100213458A1 (en) 2009-02-23 2010-08-26 Micron Technology, Inc. Rigid semiconductor memory having amorphous metal oxide semiconductor channels
JP4956598B2 (ja) 2009-02-27 2012-06-20 シャープ株式会社 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法
US8178396B2 (en) 2009-03-11 2012-05-15 Micron Technology, Inc. Methods for forming three-dimensional memory devices, and related structures
US8284601B2 (en) 2009-04-01 2012-10-09 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor memory device comprising three-dimensional memory cell array
US8139418B2 (en) 2009-04-27 2012-03-20 Micron Technology, Inc. Techniques for controlling a direct injection semiconductor memory device
KR101635504B1 (ko) 2009-06-19 2016-07-04 삼성전자주식회사 3차원 수직 채널 구조를 갖는 불 휘발성 메모리 장치의 프로그램 방법
JP5031809B2 (ja) 2009-11-13 2012-09-26 ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッド 半導体装置
EP2333830B1 (en) 2009-12-07 2014-09-03 STMicroelectronics (Research & Development) Limited a package comprising a first and a second die coupled by a multiplexed bus
US8247895B2 (en) 2010-01-08 2012-08-21 International Business Machines Corporation 4D device process and structure
US8026521B1 (en) 2010-10-11 2011-09-27 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
KR101660432B1 (ko) 2010-06-07 2016-09-27 삼성전자 주식회사 수직 구조의 반도체 메모리 소자
KR20120006843A (ko) 2010-07-13 2012-01-19 삼성전자주식회사 반도체 장치 및 그 제조 방법
US8630114B2 (en) 2011-01-19 2014-01-14 Macronix International Co., Ltd. Memory architecture of 3D NOR array
KR20120085591A (ko) 2011-01-24 2012-08-01 김진선 3차원 비휘발성 메모리 소자, 그 동작 방법 및 그 제조 방법
US8952418B2 (en) 2011-03-01 2015-02-10 Micron Technology, Inc. Gated bipolar junction transistors
JP2012204684A (ja) 2011-03-25 2012-10-22 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置
US9559216B2 (en) 2011-06-06 2017-01-31 Micron Technology, Inc. Semiconductor memory device and method for biasing same
US9177609B2 (en) 2011-06-30 2015-11-03 Sandisk Technologies Inc. Smart bridge for memory core
US8878278B2 (en) 2012-03-21 2014-11-04 Sandisk Technologies Inc. Compact three dimensional vertical NAND and method of making thereof
JP2013214552A (ja) 2012-03-30 2013-10-17 Toshiba Corp 半導体装置とその製造方法
US9054183B2 (en) 2012-07-13 2015-06-09 United Silicon Carbide, Inc. Trenched and implanted accumulation mode metal-oxide-semiconductor field-effect transistor
US9697147B2 (en) 2012-08-06 2017-07-04 Advanced Micro Devices, Inc. Stacked memory device with metadata management
US8922243B2 (en) * 2012-12-23 2014-12-30 Advanced Micro Devices, Inc. Die-stacked memory device with reconfigurable logic
KR101975534B1 (ko) 2012-09-11 2019-05-07 삼성전자주식회사 연산기능을 갖는 반도체 메모리 장치
JP2014093319A (ja) 2012-10-31 2014-05-19 Toshiba Corp 半導体装置およびその製造方法
US10403766B2 (en) 2012-12-04 2019-09-03 Conversant Intellectual Property Management Inc. NAND flash memory with vertical cell stack structure and method for manufacturing same
US8878271B2 (en) 2013-03-01 2014-11-04 Micron Technology, Inc. Vertical access device and apparatuses having a body connection line, and related method of operating the same
US9202694B2 (en) 2013-03-04 2015-12-01 Sandisk 3D Llc Vertical bit line non-volatile memory systems and methods of fabrication
US8902663B1 (en) * 2013-03-11 2014-12-02 Monolithic 3D Inc. Method of maintaining a memory state
US10840239B2 (en) 2014-08-26 2020-11-17 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US9368625B2 (en) 2013-05-01 2016-06-14 Zeno Semiconductor, Inc. NAND string utilizing floating body memory cell
US9281044B2 (en) 2013-05-17 2016-03-08 Micron Technology, Inc. Apparatuses having a ferroelectric field-effect transistor memory array and related method
CN103366798B (zh) 2013-07-10 2016-02-17 格科微电子（上海）有限公司 动态随机存取存储器及制造方法、半导体封装件及封装方法
US9337210B2 (en) 2013-08-12 2016-05-10 Micron Technology, Inc. Vertical ferroelectric field effect transistor constructions, constructions comprising a pair of vertical ferroelectric field effect transistors, vertical strings of ferroelectric field effect transistors, and vertical strings of laterally opposing pairs of vertical ferroelectric field effect transistors
KR102128469B1 (ko) * 2013-11-08 2020-06-30 삼성전자주식회사 반도체 장치
US9190293B2 (en) 2013-12-18 2015-11-17 Applied Materials, Inc. Even tungsten etch for high aspect ratio trenches
KR102066743B1 (ko) 2014-01-09 2020-01-15 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치 및 그 형성방법
KR102183713B1 (ko) 2014-02-13 2020-11-26 삼성전자주식회사 3차원 반도체 장치의 계단형 연결 구조 및 이를 형성하는 방법
US9368601B2 (en) 2014-02-28 2016-06-14 Sandisk Technologies Inc. Method for forming oxide below control gate in vertical channel thin film transistor
KR102251809B1 (ko) * 2014-05-28 2021-05-13 삼성전자주식회사 메모리 시스템, 메모리 인터페이스 장치 및 메모리 시스템에서의 인터페이싱 방법
US20150372099A1 (en) 2014-06-19 2015-12-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Contact silicide formation using a spike annealing process
US20160013156A1 (en) 2014-07-14 2016-01-14 Apple Inc. Package-on-package options with multiple layer 3-d stacking
KR102140788B1 (ko) 2014-07-18 2020-08-03 삼성전자주식회사 저항성 메모리 장치, 저항성 메모리 시스템 및 저항성 메모리 장치의 동작방법
US9685429B2 (en) 2014-07-29 2017-06-20 Dyi-chung Hu Stacked package-on-package memory devices
JP6203152B2 (ja) * 2014-09-12 2017-09-27 東芝メモリ株式会社 半導体記憶装置の製造方法
US10014317B2 (en) 2014-09-23 2018-07-03 Haibing Peng Three-dimensional non-volatile NOR-type flash memory
US9230985B1 (en) 2014-10-15 2016-01-05 Sandisk 3D Llc Vertical TFT with tunnel barrier
US9595566B2 (en) 2015-02-25 2017-03-14 Sandisk Technologies Llc Floating staircase word lines and process in a 3D non-volatile memory having vertical bit lines
US10007573B2 (en) 2015-04-27 2018-06-26 Invensas Corporation Preferred state encoding in non-volatile memories
KR20160128127A (ko) 2015-04-28 2016-11-07 에스케이하이닉스 주식회사 반도체 장치 및 그 제조 방법
US9620605B2 (en) 2015-05-15 2017-04-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor device structure and method
US10254968B1 (en) 2015-06-10 2019-04-09 Firquest Llc Hybrid memory device for lookup operations
CN108401468A (zh) 2015-09-21 2018-08-14 莫诺利特斯3D有限公司 3d半导体器件和结构
US9412752B1 (en) 2015-09-22 2016-08-09 Macronix International Co., Ltd. Reference line and bit line structure for 3D memory
US10121553B2 (en) 2015-09-30 2018-11-06 Sunrise Memory Corporation Capacitive-coupled non-volatile thin-film transistor NOR strings in three-dimensional arrays
US9842651B2 (en) * 2015-11-25 2017-12-12 Sunrise Memory Corporation Three-dimensional vertical NOR flash thin film transistor strings
US11120884B2 (en) 2015-09-30 2021-09-14 Sunrise Memory Corporation Implementing logic function and generating analog signals using NOR memory strings
US9892800B2 (en) 2015-09-30 2018-02-13 Sunrise Memory Corporation Multi-gate NOR flash thin-film transistor strings arranged in stacked horizontal active strips with vertical control gates
US10102884B2 (en) 2015-10-22 2018-10-16 International Business Machines Corporation Distributed serialized data buffer and a memory module for a cascadable and extended memory subsystem
US9831266B2 (en) 2015-11-20 2017-11-28 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional NAND device containing support pedestal structures for a buried source line and method of making the same
US10886228B2 (en) 2015-12-23 2021-01-05 Intel Corporation Improving size and efficiency of dies
US9985046B2 (en) 2016-06-13 2018-05-29 Sandisk Technologies Llc Method of forming a staircase in a semiconductor device using a linear alignment control feature
US10417098B2 (en) 2016-06-28 2019-09-17 International Business Machines Corporation File level access to block level incremental backups of a virtual disk
US9995785B2 (en) 2016-09-30 2018-06-12 Intel Corporation Stacked semiconductor package and method for performing bare die testing on a functional die in a stacked semiconductor package
KR20180086815A (ko) 2017-01-23 2018-08-01 에스케이하이닉스 주식회사 쓰기 버퍼를 이용한 중복-쓰기 동작을 수행하는 메모리장치 및 메모리장치의 읽기 및 쓰기 방법
JP2018148071A (ja) * 2017-03-07 2018-09-20 東芝メモリ株式会社 記憶装置
JP2018152419A (ja) 2017-03-10 2018-09-27 東芝メモリ株式会社 半導体記憶装置
US10521343B2 (en) 2017-06-12 2019-12-31 Western Digital Technologies, Inc. Storage system with a controller having a persistent memory interface to local memory
US10608011B2 (en) 2017-06-20 2020-03-31 Sunrise Memory Corporation 3-dimensional NOR memory array architecture and methods for fabrication thereof
US10692874B2 (en) 2017-06-20 2020-06-23 Sunrise Memory Corporation 3-dimensional NOR string arrays in segmented stacks
US10608008B2 (en) 2017-06-20 2020-03-31 Sunrise Memory Corporation 3-dimensional nor strings with segmented shared source regions
US10460817B2 (en) 2017-07-13 2019-10-29 Qualcomm Incorporated Multiple (multi-) level cell (MLC) non-volatile (NV) memory (NVM) matrix circuits for performing matrix computations with multi-bit input vectors
US10431596B2 (en) 2017-08-28 2019-10-01 Sunrise Memory Corporation Staggered word line architecture for reduced disturb in 3-dimensional NOR memory arrays
CN110785843A (zh) 2017-08-31 2020-02-11 美光科技公司 具有带有两个晶体管及一个电容器的存储器单元且具有与参考电压耦合的晶体管的主体区的设备
US10630296B2 (en) 2017-09-12 2020-04-21 iCometrue Company Ltd. Logic drive with brain-like elasticity and integrality based on standard commodity FPGA IC chips using non-volatile memory cells
US10283452B2 (en) * 2017-09-15 2019-05-07 Yangtze Memory Technology Co., Ltd. Three-dimensional memory devices having a plurality of NAND strings
CN107658317B (zh) * 2017-09-15 2019-01-01 长江存储科技有限责任公司 一种半导体装置及其制备方法
US10290332B1 (en) 2017-10-31 2019-05-14 Sandisk Technologies Llc Signal path optimization for read operations in storage devices
US10896916B2 (en) 2017-11-17 2021-01-19 Sunrise Memory Corporation Reverse memory cell
US10606513B2 (en) * 2017-12-06 2020-03-31 Western Digital Technologies, Inc. Volatility management for non-volatile memory device
KR102457732B1 (ko) 2017-12-28 2022-10-21 선라이즈 메모리 코포레이션 초미세 피치를 갖는 3차원 nor 메모리 어레이: 장치 및 방법
US10283493B1 (en) * 2018-01-17 2019-05-07 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional memory device containing bonded memory die and peripheral logic die and method of making thereof
US10475812B2 (en) 2018-02-02 2019-11-12 Sunrise Memory Corporation Three-dimensional vertical NOR flash thin-film transistor strings
US10381378B1 (en) 2018-02-02 2019-08-13 Sunrise Memory Corporation Three-dimensional vertical NOR flash thin-film transistor strings
US20190042137A1 (en) * 2018-02-05 2019-02-07 Intel Corporation Memory device with separate memory controllers for program/erase and read operations
KR102512754B1 (ko) 2018-03-30 2023-03-23 삼성전자주식회사 관통 전극을 통해 전송되는 제어 신호를 이용하여 데이터를 샘플링하는 메모리 장치
CN108649031A (zh) * 2018-04-09 2018-10-12 复旦大学 基于自整流特性材料的二维超快准非易失存储器及其制备方法
US10431576B1 (en) 2018-04-20 2019-10-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Memory cell array and method of manufacturing same
TWI659359B (zh) * 2018-04-27 2019-05-11 慧榮科技股份有限公司 控制儲存裝置之方法
US10748931B2 (en) 2018-05-08 2020-08-18 Micron Technology, Inc. Integrated assemblies having ferroelectric transistors with body regions coupled to carrier reservoirs
US10319696B1 (en) 2018-05-10 2019-06-11 Micron Technology, Inc. Methods for fabricating 3D semiconductor device packages, resulting packages and systems incorporating such packages
CN108962301B (zh) * 2018-05-24 2022-04-12 济南德欧雅安全技术有限公司 一种存储装置
US10651153B2 (en) * 2018-06-18 2020-05-12 Intel Corporation Three-dimensional (3D) memory with shared control circuitry using wafer-to-wafer bonding
FR3082638B1 (fr) * 2018-06-18 2021-07-02 Commissariat Energie Atomique Conception d'un circuit 3d comprenant des macros
US20200006306A1 (en) * 2018-07-02 2020-01-02 Shanghai Denglin Technologies Co. Ltd Configurable random-access memory (ram) array including through-silicon via (tsv) bypassing physical layer
US11069696B2 (en) 2018-07-12 2021-07-20 Sunrise Memory Corporation Device structure for a 3-dimensional NOR memory array and methods for improved erase operations applied thereto
US10692837B1 (en) 2018-07-20 2020-06-23 Xilinx, Inc. Chip package assembly with modular core dice
US11011494B2 (en) 2018-08-31 2021-05-18 Invensas Bonding Technologies, Inc. Layer structures for making direct metal-to-metal bonds at low temperatures in microelectronics
TWI757635B (zh) 2018-09-20 2022-03-11 美商森恩萊斯記憶體公司 記憶體結構及其用於電性連接三維記憶裝置之多水平導電層之階梯結構的製作方法
TWI713195B (zh) * 2018-09-24 2020-12-11 美商森恩萊斯記憶體公司 三維ｎｏｒ記憶電路製程中之晶圓接合及其形成之積體電路
JP2022510370A (ja) 2018-12-04 2022-01-26 サンライズ メモリー コーポレイション 多層水平ｎｏｒ型薄膜メモリストリングの形成方法
JP7425069B2 (ja) 2019-01-30 2024-01-30 サンライズ メモリー コーポレイション 基板接合を用いた高帯域幅・大容量メモリ組み込み型電子デバイス
US11398492B2 (en) 2019-02-11 2022-07-26 Sunrise Memory Corporation Vertical thing-film transistor and application as bit-line connector for 3-dimensional memory arrays
US10804202B2 (en) * 2019-02-18 2020-10-13 Sandisk Technologies Llc Bonded assembly including a semiconductor-on-insulator die and methods for making the same
TWI764128B (zh) 2019-04-09 2022-05-11 美商森恩萊斯記憶體公司 具有後通道應用之準揮發性記憶體裝置
CN110731012B (zh) 2019-04-15 2021-01-29 长江存储科技有限责任公司 具有处理器和异构存储器的一体化半导体器件及其形成方法
US10923450B2 (en) * 2019-06-11 2021-02-16 Intel Corporation Memory arrays with bonded and shared logic circuitry
US11500803B2 (en) 2019-09-03 2022-11-15 Qorvo Us, Inc. Programmable slave circuit on a communication bus
WO2021158994A1 (en) 2020-02-07 2021-08-12 Sunrise Memory Corporation Quasi-volatile system-level memory
WO2021159028A1 (en) 2020-02-07 2021-08-12 Sunrise Memory Corporation High capacity memory circuit with low effective latency
US11508693B2 (en) 2020-02-24 2022-11-22 Sunrise Memory Corporation High capacity memory module including wafer-section memory circuit

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009277334A (ja) 2008-04-14 2009-11-26 Hitachi Ltd 情報処理装置および半導体記憶装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2022519023A (ja) 2022-03-18
US20200243486A1 (en) 2020-07-30
US20210398949A1 (en) 2021-12-23
US11670620B2 (en) 2023-06-06
EP3918633A4 (en) 2023-02-08
WO2020160169A1 (en) 2020-08-06
US20230260969A1 (en) 2023-08-17
CN113383415A (zh) 2021-09-10
US11923341B2 (en) 2024-03-05
EP3918633A1 (en) 2021-12-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7425069B2 (ja) 基板接合を用いた高帯域幅・大容量メモリ組み込み型電子デバイス
US11675500B2 (en) High capacity memory circuit with low effective latency
TWI767489B (zh) 含晶圓級記憶體電路之高容量記憶體模組
TWI496163B (zh) 具有與陣列層級分開的頁面緩衝器層級中之頁面緩衝器的記憶體裝置構造
CN110176259B (zh) 包括彼此间隔开的凸块阵列的存储器和包括其的电子装置
US20210118488A1 (en) Flash memory device and computing device including flash memory cells
US11789644B2 (en) Memory centric system incorporating computational memory
CN113505091B (zh) 一种基于sedram的堆叠式器件以及堆叠式系统
US8305789B2 (en) Memory/logic conjugate system
JP2014078164A (ja) 半導体装置
US11204718B2 (en) Apparatuses, systems, and methods to store pre-read data associated with a modify-write operation
WO2023107390A1 (en) Memory system implementing write abort operation for reduced read latency
US20230187413A1 (en) Memory Device Including Arrangement of Independently And Concurrently Operable Tiles of Memory Transistors
US11735288B1 (en) Non-volatile storage system with power on read timing reduction
US20230125041A1 (en) Memory chip stack for high performance logic chips
US20240212776A1 (en) Memory device, memory system having the same and operating method thereof
US20230215493A1 (en) Cross dram dimm sub-channel pairing
CN115443503A (zh) 用于堆叠式裸片的不同io宽度的设备和方法

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20230127

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20230127

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20240109

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20240118

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7425069

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150