JP6768301B2 - ハードマスク組成物、及びそれを利用したパターンの形成方法 - Google Patents
ハードマスク組成物、及びそれを利用したパターンの形成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6768301B2 JP6768301B2 JP2016015372A JP2016015372A JP6768301B2 JP 6768301 B2 JP6768301 B2 JP 6768301B2 JP 2016015372 A JP2016015372 A JP 2016015372A JP 2016015372 A JP2016015372 A JP 2016015372A JP 6768301 B2 JP6768301 B2 JP 6768301B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- hard mask
- substituted
- unsubstituted
- graphene nanoparticles
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- CCWKQPXFMZCOTR-UHFFFAOYSA-N CC(CC1)C1(C)N Chemical compound CC(CC1)C1(C)N CCWKQPXFMZCOTR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVRBGKYLLCLCHL-UHFFFAOYSA-N CC1C=CC=C1 Chemical compound CC1C=CC=C1 QVRBGKYLLCLCHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/36—Imagewise removal not covered by groups G03F7/30 - G03F7/34, e.g. using gas streams, using plasma
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
- C01B32/15—Nano-sized carbon materials
- C01B32/182—Graphene
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
- C01B32/15—Nano-sized carbon materials
- C01B32/182—Graphene
- C01B32/194—After-treatment
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0017—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor for the production of embossing, cutting or similar devices; for the production of casting means
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/094—Multilayer resist systems, e.g. planarising layers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/11—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having cover layers or intermediate layers, e.g. subbing layers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/168—Finishing the coated layer, e.g. drying, baking, soaking
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/033—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
- H01L21/0332—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their composition, e.g. multilayer masks, materials
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C2201/00—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems
- B81C2201/01—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems in or on a substrate
- B81C2201/0101—Shaping material; Structuring the bulk substrate or layers on the substrate; Film patterning
- B81C2201/0128—Processes for removing material
- B81C2201/013—Etching
- B81C2201/0132—Dry etching, i.e. plasma etching, barrel etching, reactive ion etching [RIE], sputter etching or ion milling
Landscapes
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Architecture (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Description
グ ラフェン・ナノパーティクルのサイズが5ないし100nmである場合と、その範囲を外れた場合とにおけるエッジ炭素の含量は、下記表1の通りである。
Rは、前述の基以外に、一般的な感光性官能基でもある。
前述の置換基以外に、感光性官能基でも置換可能である。
Lは、前記化学式2で定義された通りである。
前記化学式でRの結合位置は、制限されるものではない。そして、Rは、便宜上一つを示しているが、置換可能な位置にいずれも置換される。
Lは、単一結合、または置換もしくは非置換のC1−C60アルキレン基で、nは、1ないし5である。
前記ハードマスク組成物は、安定性に非常に優れる。
前記ハードマスクパターン22aをエッチングマスクにして、前記被エッチング膜21をエッチングし、所望する被エッチング膜パターン21aを形成する(図2D)。
グラファイト(Aldrich社)20mgと、酒石酸カリウムナトリウム100mgとをオートクレーブ容器(autoclave vessel)に入れ、それに対して、250℃で60分間反応を実施した。
グラファイト(Alfa Aesar社)20mgを濃硫酸(100ml)に溶解した後、それに対して、1時間ソニケーション(sonication)を実施した。前記結果物に、KMnO4 1gを付加し、反応混合物の温度が約25℃以下になるように調節した。
ピレン2gに硝酸160mlを付加し、それを80℃で約12時間還流し、1,3,6−トリニトロピレンを含む反応混合物を得た。その反応混合物を常温に冷却した後、そこに脱イオン水1lを付加して希釈した後、それに対して、0.22μmの気孔サイズを有する微細多孔性膜で濾過を実施した。
前記製造例1によって得たグラフェン・ナノパーティクル0.5gを水0.1Lに分散させ、ハードマスク組成物を得た。前記ハードマスク組成物に対して、シリコン酸化物が形成されたシリコン基板上にスプレーコーティングを施しながら、200℃で熱処理を実施した。次に、400℃で1時間ベーキングを実施し、厚みが約100nmであるグラフェン・ナノパーティクルを含むハードマスクを形成した。
製造例1によって得たグラフェン・ナノパーティクルの代わりに、製造例2によって得たグラフェン・ナノパーティクルを使用して、400℃でベーキングを実施した後、約600℃で約60分間真空熱処理する過程をさらに実施したことを除いては、実施例1と同一の方法によって実施し、シリコン酸化物パターンが形成されたシリコン基板を製造した。
400℃でベーキングを実施した後、約600℃で約60分間真空熱処理する過程をさらに実施したことを除いては、実施例1と同一の方法によって実施し、シリコン酸化物パターンが形成されたシリコン基板を製造した。
真空熱処理温度が900℃に変化されたことを除いては、実施例3と同一の方法によって実施し、シリコン酸化物パターンが形成されたシリコン基板を製造した。
製造例1によって製造されたグラフェン・ナノパーティクルの代わりに、製造例2によって製造されたグラフェン・ナノパーティクルを使用したことを除いては、実施例1と同一の方法によって実施し、シリコン酸化物パターンが形成されたシリコン基板を製造した。
製造例1によって製造されたグラフェン・ナノパーティクルの代わりに、製造例3によって製造されたグラフェン・ナノパーティクルを使用したことを除いては、実施例1と同一の方法によって実施し、シリコン酸化物パターンが形成されたシリコン基板を製造した。
高温非晶質炭素を含んだハードマスクを利用して、シリコン酸化物パターンが形成されたシリコン基板を次のように製造した。
シリコン酸化物が形成されたシリコン基板上に、炭素源(C3H6)を蒸着し、高温非晶質炭素を含むハードマスクを形成した。
低温非晶質炭素が得られるように、炭素源(C3H6)の蒸着条件を300℃に変化させたことを除いては、比較例1と同様に実施し、低温非晶質炭素を含むハードマスクを利用して、シリコン酸化物パターンが形成されたシリコン基板を得た。
下記化学式1で表示されるモノマーを、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)、メチルピロリドン及びガンマ−ブチロラクトン(gamma-butyrolactone)(40:20:40(v/v/v))の混合溶媒に溶かした後、それを濾過してハードマスク組成物を製造した。
乾式エッチングを施した後で残ったハードマスク及び有機物に対して、O2アッシング工程及びウェットストリップ工程を進め、所望する最終パターンであるシリコン酸化物パターンが形成されたシリコン基板を得た。
硫酸(H2SO4)50mlにグラファイト粉末(graphite powder)10gを入れ、80℃で4〜5時間撹拌した。撹拌された混合物を脱イオン水1lで希釈し、12時間ほど撹拌を実施した。次に、前記結果物を濾過し、前処理されたグラファイトを得た。
実施例1ないし6、比較例1ないし3、及び参考例1によって製造されたハードマスクに対して、約633nmの露光波長で透過率を測定した。
前記実施例1ないし6、及び比較例1ないし3によって製造されたハードマスクを利用して、乾式エッチングを実施する前後のハードマスク、及びシリコン酸化物膜の厚み差を測定し、下記数式1によってエッチング選択比を計算し、耐エッチング性を評価した。
エッチング選択比=(シリコン酸化物のエッチングを実施する以前の厚み−シリコン酸化物のエッチングする以前の厚み)/(ハードマスクのエッチングを実施する以前の厚み−ハードマスクのエッチングを実施した後の厚み)×100
エッチング選択比を下記の表1に示した。
また、実施例2ないし6によって製造されたハードマスクを利用して乾式エッチングを施す前後のハードマスク及びシリコン酸化物膜の厚み差を測定し、エッチング選択比を計算して耐エッチング性を評価した。評価結果、実施例2ないし6の場合は、比較例1-3の場合に比べて耐エッチング性が向上することが分かった。
11,21 被エッチング膜
11A,21A 被エッチング膜パターン
12,22 ハードマスク
12a,22a ハードマスクパターン
13,23 フォトレジスト膜
13a,23a フォトレジストパターン
30 反射防止膜
30a 反射防止膜パターン
32 無機反射防止膜
32a 無機反射防止膜パターン
34 有機反射防止膜
34a 有機反射防止膜パターン
Claims (19)
- 5ないし100nmのサイズを有する複数個のグラフェン・ナノパーティクル及び溶媒を含むハードマスク組成物であって、
前記複数個のグラフェン・ナノパーティクルの、ラマン分光分析によって求められるGモードピークに対するDモードピークの強度比が、2以下であることを特徴とする、ハードマスク組成物。 - 前記複数個のグラフェン・ナノパーティクルのサイズは、5ないし30nmであり、前記複数個のグラフェン・ナノパーティクルの層数は、300層以下であることを特徴とする請求項1に記載のハードマスク組成物。
- 前記複数個のグラフェン・ナノパーティクルの、ラマン分光によって求められるGモードピークに対する2Dモードピークの強度比が、0.01以上であることを特徴とする請求項1に記載のハードマスク組成物。
- 前記複数個のグラフェン・ナノパーティクルのsp2炭素分率が、sp3炭素分率に比べ、1倍以上であることを特徴とする請求項1に記載のハードマスク組成物。
- 前記グラフェン・ナノパーティクルの末端には、ヒドロキシル基、エポキシ基、カルボン酸基、カルボニル基、アミノ基及びイミド基からなる群から選択された1以上の官能基が結合されたことを特徴とする請求項1に記載のハードマスク組成物。
- 第1物質、第2物質またはその混合物をさらに含み、
前記第1物質が芳香族環含有モノマー、及び芳香族環含有モノマーを含む反復単位を含む高分子のうちから選択された一つであり、
前記第2物質は、六方晶系窒化ホウ素、カルコゲナイド系物質、及びその前駆体からなる群から選択された1以上であることを特徴とする請求項1に記載のハードマスク組成物。 - 前記複数個のグラフェン・ナノパーティクルの含量は、ハードマスク組成物の総重量を基準にして、0.1ないし40重量%であることを特徴とする請求項1に記載のハードマスク組成物。
- 前記溶媒が、水、メタノール、イソプロパノール、エタノール、N,N−ジメチルホルムアミド、N−メチルピロリドン、ジクロロエタン、ジクロロベンゼン、N,N−ジメチルスルホキシド、キシレン、アニリン、プロピレングリコール、プロピレングリコールジアセテート、メトキシプロパンジオール、ジエチレングリコール、ガンマブチロラクトン、アセチルアセトン、シクロヘキサノン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、γ−ブチロラクトン、ジクロロエタン、O−ジクロロベンゼン、ニトロメタン、テトラヒドロフラン、ニトロメタン、ジメチルスルホキシド、ニトロベンゼン、亜硝酸ブチル、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、ジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエーテル、ジエチレングリコールエチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルエーテル、トルエン、ヘキサン、メチルエチルケトン、メチルイソケトン、ヒドロキシメチルセルロース及びヘプタンからなる群から選択された1以上であることを特徴とする請求項1に記載のハードマスク組成物。
- 前記芳香族環含有モノマーが、下記化学式1のモノマー、及び下記化学式2のモノマーのうちから選択された1以上であることを特徴とする請求項6に記載のハードマスク組成物:
Lは、リンカーとして単一結合を示すか、置換もしくは非置換のC1−C30アルキレン基、置換もしくは非置換のC2−C30アルケニレン基、置換もしくは非置換のC2−C30アルキニレン基、置換もしくは非置換のC7−C30アリーレンアルキレン基、置換もしくは非置換のC6−C30アリーレン基、置換もしくは非置換のC2−C30ヘテロアリーレン基、置換もしくは非置換のC2−C30ヘテロアリーレンアルキレン基、置換もしくは非置換のC1−C30アルキレンオキシ基、置換もしくは非置換のC7−C30アリーレンアルキレンオキシ基、置換もしくは非置換のC6−C30アリーレンオキシ基、置換もしくは非置換のC2−C30ヘテロアリーレンオキシ基、置換もしくは非置換のC2−C30ヘテロアリーレンアルキレンオキシ基、−C(=O)−及び−SO2−からなる群から選択される。 - 前記芳香族環含有モノマーを含む反復単位を含む高分子が、下記化学式8または9の高分子であることを特徴とする請求項6に記載のハードマスク組成物:
- 基板上に被エッチング膜を形成する段階と、
前記被エッチング膜の上部に、請求項1ないし14のうちいずれか1項に記載のハードマスク組成物を供給し、グラフェン・ナノパーティクルを含むハードマスクを形成する段階と、
前記ハードマスクの上部にフォトレジスト膜を形成する段階と、
前記フォトレジスト膜をエッチングマスクにして、グラフェン・ナノパーティクルをエッチングし、前記被エッチング膜上部に、グラフェン・ナノパーティクルを含むハードマスクパターンを形成する段階と、
前記ハードマスクパターンをエッチングマスクにして、前記被エッチング膜をエッチングする段階と、を含むパターンの形成方法。 - ハードマスクを形成する段階において、前記ハードマスク組成物を被エッチング膜上部に供給する過程中または供給後に、熱処理を実施することを特徴とする請求項15に記載のパターンの形成方法。
- 前記ハードマスクの厚みが10nmないし10,000nmであることを特徴とする請求項16に記載のパターンの形成方法。
- 前記被エッチング膜上部に、前記ハードマスク組成物を供給し、グラフェン・ナノパーティクルを含むハードマスクを形成する段階が、ハードマスク組成物をスピンコーティング、エアスプレー、電気噴霧、ディップコーティング、スプレーコーティング、ドクターブレード法、バーコーティングのうちから選択された一つによって実施されることを特徴とする請求項16に記載のパターンの形成方法。
- 前記ハードマスクは、約633nmの露光波長で、透過率が1%以下であることを特徴とする請求項16に記載のパターンの形成方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2015-0047492 | 2015-04-03 | ||
KR1020150047492A KR102463893B1 (ko) | 2015-04-03 | 2015-04-03 | 하드마스크 조성물 및 이를 이용한 패턴의 형성방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016197228A JP2016197228A (ja) | 2016-11-24 |
JP6768301B2 true JP6768301B2 (ja) | 2020-10-14 |
Family
ID=54542009
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016015372A Active JP6768301B2 (ja) | 2015-04-03 | 2016-01-29 | ハードマスク組成物、及びそれを利用したパターンの形成方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US10495972B2 (ja) |
EP (1) | EP3076239B1 (ja) |
JP (1) | JP6768301B2 (ja) |
KR (1) | KR102463893B1 (ja) |
CN (1) | CN106054533B (ja) |
Families Citing this family (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9583358B2 (en) | 2014-05-30 | 2017-02-28 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Hardmask composition and method of forming pattern by using the hardmask composition |
KR102287343B1 (ko) | 2014-07-04 | 2021-08-06 | 삼성전자주식회사 | 하드마스크 조성물 및 이를 이용한 패턴의 형성방법 |
KR102287344B1 (ko) | 2014-07-25 | 2021-08-06 | 삼성전자주식회사 | 하드마스크 조성물 및 이를 이용한 패턴의 형성방법 |
KR102384226B1 (ko) | 2015-03-24 | 2022-04-07 | 삼성전자주식회사 | 하드마스크 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성방법 |
US10763103B2 (en) * | 2015-03-31 | 2020-09-01 | Versum Materials Us, Llc | Boron-containing compounds, compositions, and methods for the deposition of a boron containing films |
KR102463893B1 (ko) | 2015-04-03 | 2022-11-04 | 삼성전자주식회사 | 하드마스크 조성물 및 이를 이용한 패턴의 형성방법 |
KR102477091B1 (ko) * | 2015-07-24 | 2022-12-13 | 삼성전자주식회사 | 2차원 물질 하드마스크와 그 제조방법 및 하드 마스크를 이용한 물질층 패턴 형성방법 |
US10580869B2 (en) * | 2016-04-19 | 2020-03-03 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Stacked body including graphene film and electronic device including graphene film |
US10077351B2 (en) | 2016-12-23 | 2018-09-18 | Angstron Materials (Asia) Limited | Graphene dispersion and graphene reinforced polymer |
KR102310124B1 (ko) * | 2017-03-28 | 2021-10-08 | 삼성전자주식회사 | 극자외선 노광용 펠리클, 포토마스크 조립체 및 펠리클의 제조 방법 |
US11034847B2 (en) * | 2017-07-14 | 2021-06-15 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Hardmask composition, method of forming pattern using hardmask composition, and hardmask formed from hardmask composition |
KR102456578B1 (ko) * | 2017-07-14 | 2022-10-20 | 삼성전자주식회사 | 하드마스크 조성물과 그 제조방법 및 하드마스크 조성물을 이용한 패턴층의 형성방법 |
KR102558007B1 (ko) * | 2017-07-14 | 2023-07-21 | 삼성전자주식회사 | 하드마스크 조성물, 이를 이용한 패턴의 형성방법 및 이로부터 형성된 하드마스크 |
KR102532602B1 (ko) * | 2017-07-27 | 2023-05-15 | 삼성전자주식회사 | 포토마스크용 펠리클 조성물, 이로부터 형성된 포토마스크용 펠리클, 그 제조방법, 펠리클을 함유한 레티클 및 레티클을 포함하는 리소그래피용 노광장치 |
KR102433666B1 (ko) | 2017-07-27 | 2022-08-18 | 삼성전자주식회사 | 하드마스크 조성물, 이를 이용한 패턴의 형성방법 및 상기 하드마스크 조성물을 이용하여 형성된 하드마스크 |
KR102486388B1 (ko) | 2017-07-28 | 2023-01-09 | 삼성전자주식회사 | 그래핀 양자점의 제조방법, 상기 제조방법에 따라 얻어진 그래핀 양자점을 포함한 하드마스크 조성물, 이를 이용한 패턴의 형성방법 및 상기 하드마스크 조성물을 이용하여 형성된 하드마스크 |
CN108153112B (zh) * | 2017-11-17 | 2020-11-17 | 昆明理工大学 | 掺杂氧化石墨烯的光致聚合物全息记录材料及其制备方法 |
CN108254817B (zh) * | 2018-01-23 | 2019-08-09 | 福州大学 | 一种金/二氧化硅壳核微结构与二硫化钼复合光学膜的制备方法 |
KR102587063B1 (ko) * | 2018-07-03 | 2023-10-10 | 삼성전자주식회사 | 그래핀을 포함하는 음향 진동판 및 이를 적용한 음향 장치 |
KR102287506B1 (ko) | 2018-07-11 | 2021-08-09 | 삼성에스디아이 주식회사 | 하드마스크 조성물, 하드마스크 층 및 패턴 형성 방법 |
KR102287213B1 (ko) * | 2018-07-24 | 2021-08-06 | 삼성에스디아이 주식회사 | 하드마스크 조성물, 하드마스크 층 및 패턴 형성 방법 |
KR102637107B1 (ko) * | 2018-09-18 | 2024-02-15 | 삼성전자주식회사 | 전자 소자 및 그 제조방법 |
KR102397179B1 (ko) * | 2018-12-21 | 2022-05-11 | 삼성에스디아이 주식회사 | 하드마스크 조성물, 하드마스크 층 및 패턴 형성 방법 |
CN110323181B (zh) * | 2019-07-17 | 2021-08-24 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 一种半导体器件的制造方法 |
KR102455023B1 (ko) * | 2019-12-16 | 2022-10-13 | 삼성에스디아이 주식회사 | 화합물, 화합물의 합성 방법, 하드마스크 조성물 및 패턴 형성 방법 |
US11527407B2 (en) | 2020-03-03 | 2022-12-13 | Applied Materials, Inc. | Vapor deposition of carbon-based films |
KR20220076179A (ko) | 2020-11-30 | 2022-06-08 | 삼성전자주식회사 | 비정질 질화 붕소막 및 이를 포함하는 반사 방지 코팅 구조체 |
CN117476452A (zh) * | 2022-07-20 | 2024-01-30 | 长鑫存储技术有限公司 | 半导体结构及其形成方法 |
Family Cites Families (101)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5259792A (en) | 1975-11-12 | 1977-05-17 | Toyo Boseki | Reserve printing method |
US4550015A (en) | 1983-03-21 | 1985-10-29 | Plastics Engineering Company | Vitreous carbon and process for preparation thereof |
DE3481835D1 (de) | 1983-09-27 | 1990-05-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Druckkopf. |
JPH05163021A (ja) | 1991-12-13 | 1993-06-29 | Ishihara Sangyo Kaisha Ltd | フォトレジスト用酸化チタン微粉末、およびそれを使用するフォトレジスト用組成物 |
JPH05343308A (ja) | 1992-06-09 | 1993-12-24 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
MY129026A (en) | 1992-09-09 | 2007-03-30 | Sumitomo Bakelite Co | Phenolic resin molding material |
TW399102B (en) | 1995-11-20 | 2000-07-21 | Anelva Co Ltd | Method for depositing magnetic film on both substrate surfaces and mechanism for performing same |
KR100296613B1 (ko) | 1997-02-06 | 2001-09-22 | 포만 제프리 엘 | 분자,이를포함하는적층매질,상기적층매질에패턴을형성하는방법및상기적층매질에서패턴을검색하는방법 |
KR100635710B1 (ko) | 1997-08-01 | 2007-06-12 | 니폰 가야꾸 가부시끼가이샤 | 흑색 액정시일제 및 액정 셀 |
US6399270B1 (en) * | 1998-12-04 | 2002-06-04 | Konica Corporation | Support for printing plate and printing plate |
JP3396846B2 (ja) | 2000-10-30 | 2003-04-14 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | パターン形成方法 |
KR100919332B1 (ko) | 2001-07-24 | 2009-09-25 | 소니 가부시끼 가이샤 | 배터리 장치 |
JP4531400B2 (ja) | 2002-04-02 | 2010-08-25 | ダウ グローバル テクノロジーズ インコーポレイティド | エアギャップ含有半導体デバイスの製造方法及び得られる半導体デバイス |
DE10219122B4 (de) | 2002-04-29 | 2005-01-05 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Herstellung von Hartmasken |
WO2005084172A2 (en) | 2003-10-03 | 2005-09-15 | College Of William & Mary | Carbon nanostructures and methods of making and using the same |
JP2005173552A (ja) | 2003-11-20 | 2005-06-30 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | リソグラフィー用下層膜形成材料およびこれを用いた配線形成方法 |
EP1703328B1 (en) | 2003-12-26 | 2010-04-14 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Composition for forming nitride coating film for hard mask |
US20050250052A1 (en) * | 2004-05-10 | 2005-11-10 | Nguyen Khe C | Maskless lithography using UV absorbing nano particle |
US20070026682A1 (en) | 2005-02-10 | 2007-02-01 | Hochberg Michael J | Method for advanced time-multiplexed etching |
US20070031609A1 (en) | 2005-07-29 | 2007-02-08 | Ajay Kumar | Chemical vapor deposition chamber with dual frequency bias and method for manufacturing a photomask using the same |
JP2008041444A (ja) | 2006-08-07 | 2008-02-21 | Nichias Corp | 燃料電池用セパレータ用組成物、燃料電池用セパレータ及びその製造方法 |
WO2009018204A1 (en) | 2007-08-01 | 2009-02-05 | Dow Global Technologies Inc. | Highly efficient process for manufacture of exfoliated graphene |
US8008095B2 (en) | 2007-10-03 | 2011-08-30 | International Business Machines Corporation | Methods for fabricating contacts to pillar structures in integrated circuits |
US7863169B2 (en) | 2007-11-30 | 2011-01-04 | International Business Machines Corporation | Lithography for printing constant line width features |
KR101397354B1 (ko) | 2007-12-07 | 2014-05-19 | 미츠비시 가스 가가쿠 가부시키가이샤 | 리소그라피용 하층막 형성 조성물 및 다층 레지스트 패턴 형성 방법 |
KR101697790B1 (ko) | 2008-04-23 | 2017-02-01 | 브레우어 사이언스 인코포레이션 | 마이크로리소그래피용 감광성 하드마스크 |
US20100218801A1 (en) | 2008-07-08 | 2010-09-02 | Chien-Min Sung | Graphene and Hexagonal Boron Nitride Planes and Associated Methods |
US20100055464A1 (en) | 2008-07-08 | 2010-03-04 | Chien-Min Sung | Graphene and Hexagonal Boron Nitride Planes and Associated Methods |
DE102008042450A1 (de) | 2008-09-29 | 2010-04-01 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zum Strukturieren von Siliziumcarbid mittels fluorhaltiger Verbindungen |
US7803715B1 (en) | 2008-12-29 | 2010-09-28 | Shai Haimson | Lithographic patterning for sub-90nm with a multi-layered carbon-based hardmask |
US8258346B2 (en) | 2009-05-13 | 2012-09-04 | E I Du Pont De Nemours And Company | Surface modified hexagonal boron nitride particles |
US8071485B2 (en) | 2009-06-29 | 2011-12-06 | Globalfoundries Inc. | Method of semiconductor manufacturing for small features |
US8344295B2 (en) | 2009-10-14 | 2013-01-01 | Korea University Research And Business Foundation | Nanosoldering heating element |
KR101212711B1 (ko) * | 2009-12-17 | 2012-12-14 | 한양대학교 산학협력단 | 산화아연 나노로드 - 그래핀 박막의 하이브리드 구조체 및 그 제조 방법 |
KR101057218B1 (ko) | 2010-02-03 | 2011-08-16 | 박기섭 | 꽃송이버섯의 균사체를 주원료로 하는 건강식품 환의 제조방법 |
US10049783B2 (en) * | 2010-02-19 | 2018-08-14 | Mike Foley | Utilizing nanoscale materials as dispersants, surfactants or stabilizing molecules, methods of making the same, and products produced therefrom |
US20110244142A1 (en) | 2010-03-30 | 2011-10-06 | Applied Materials, Inc. | Nitrogen doped amorphous carbon hardmask |
KR101781552B1 (ko) | 2010-06-21 | 2017-09-27 | 삼성전자주식회사 | 보론 및 질소로 치환된 그라핀 및 제조방법과, 이를 구비한 트랜지스터 |
US20120245058A1 (en) | 2011-03-22 | 2012-09-27 | Baker Hughes Incorporated | Graphene-Containing Fluids for Oil and Gas Exploration and Production |
JP5644341B2 (ja) | 2010-10-04 | 2014-12-24 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子、および、その製造方法、電子機器 |
KR101407209B1 (ko) | 2010-10-07 | 2014-06-16 | 포항공과대학교 산학협력단 | 미세 패턴 형성 방법 및 이를 이용한 미세 채널 트랜지스터 및 미세 채널 발광트랜지스터의 형성방법 |
KR101432605B1 (ko) | 2010-12-16 | 2014-08-21 | 제일모직주식회사 | 하드마스크 조성물, 이를 사용한 패턴 형성 방법 및 상기 패턴을 포함하는 반도체 집적회로 디바이스 |
KR101423171B1 (ko) | 2010-12-30 | 2014-07-25 | 제일모직 주식회사 | 하드마스크 조성물, 이를 사용한 패턴 형성 방법 및 상기 패턴을 포함하는 반도체 집적회로 디바이스 |
US8354296B2 (en) | 2011-01-19 | 2013-01-15 | International Business Machines Corporation | Semiconductor structure and circuit including ordered arrangement of graphene nanoribbons, and methods of forming same |
KR101284059B1 (ko) | 2011-01-28 | 2013-07-26 | 충남대학교산학협력단 | 그라핀-산화물반도체 이종접합 소자 및 그의 제조방법 |
EP2692759B1 (en) | 2011-03-28 | 2018-10-31 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Resin composition, resin sheet, cured resin sheet, resin sheet laminate, cured resin sheet laminate and method for manufacturing same, semiconductor device, and led device |
US8647809B2 (en) | 2011-07-07 | 2014-02-11 | Brewer Science Inc. | Metal-oxide films from small molecules for lithographic applications |
KR101388695B1 (ko) | 2011-10-24 | 2014-04-28 | 삼성전기주식회사 | 그래핀 투명전극 및 이의 제조방법 |
US20130105440A1 (en) | 2011-11-01 | 2013-05-02 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Nanocomposite negative photosensitive composition and use thereof |
KR101413069B1 (ko) | 2011-12-30 | 2014-07-02 | 제일모직 주식회사 | 하드마스크 조성물용 모노머, 상기 모노머를 포함하는 하드마스크 조성물 및 상기 하드마스크 조성물을 사용하는 패턴형성방법 |
WO2013100409A1 (ko) | 2011-12-30 | 2013-07-04 | 제일모직 주식회사 | 하드마스크 조성물용 모노머, 상기 모노머를 포함하는 하드마스크 조성물 및 상기 하드마스크 조성물을 사용하는 패턴형성방법 |
SG11201404416RA (en) * | 2012-02-10 | 2014-08-28 | Univ Texas | Polyactide/silicon-containing block copolymers for nanolithography |
EP2631260A1 (en) | 2012-02-27 | 2013-08-28 | Solvay Sa | Process for Producing Graphene-Polymer Nanocomposites |
US9070548B2 (en) | 2012-03-06 | 2015-06-30 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Metal hardmask compositions |
JP2013185165A (ja) | 2012-03-06 | 2013-09-19 | Daihatsu Motor Co Ltd | マルエージング鋼の熱処理方法 |
US9561955B2 (en) | 2012-03-08 | 2017-02-07 | Nanotek Instruments, Inc. | Graphene oxide gel bonded graphene composite films and processes for producing same |
WO2013132388A1 (en) | 2012-03-09 | 2013-09-12 | Basf Se | Aerogel based on doped graphene |
JP2013208881A (ja) | 2012-03-30 | 2013-10-10 | Nippon Zeon Co Ltd | グラフェン層含有多層フィルムとその製造方法、接着性グラフェン膜/金属箔積層体 |
US8946094B2 (en) | 2012-05-22 | 2015-02-03 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Method of fabricating a graphene electronic device |
KR20130132103A (ko) | 2012-05-25 | 2013-12-04 | 삼성테크윈 주식회사 | 그래핀을 이용한 회로 기판 제조 방법 |
CN102774824B (zh) | 2012-06-11 | 2014-08-20 | 北京化工大学 | 一种常压干燥制备石墨烯交联型有机气凝胶及炭气凝胶的方法 |
CN102775786B (zh) | 2012-08-09 | 2013-12-25 | 西北工业大学 | 一种氧化石墨烯/氰酸酯树脂复合材料及其制备方法 |
EP2906622A1 (en) | 2012-10-09 | 2015-08-19 | Saudi Basic Industries Corporation | Graphene-based composite materials, method of manufacture and applications thereof |
KR20140065524A (ko) | 2012-11-15 | 2014-05-30 | 동양하이테크산업주식회사 | 표면 확장 나선 와이어 트랜스포머의 제조 방법 |
KR102105485B1 (ko) | 2012-11-23 | 2020-04-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
KR101556277B1 (ko) | 2012-12-27 | 2015-09-30 | 제일모직 주식회사 | 하드마스크 조성물, 이를 사용한 패턴 형성 방법 및 상기 패턴을 포함하는 반도체 집적회로 디바이스 |
KR101566531B1 (ko) | 2012-12-27 | 2015-11-05 | 제일모직 주식회사 | 하드마스크 조성물용 모노머, 상기 모노머를 포함하는 하드마스크 조성물 및 상기 하드마스크 조성물을 사용하는 패턴형성방법 |
FR3000602B1 (fr) | 2012-12-28 | 2016-06-24 | Commissariat A L Energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Procede de gravure d'un materiau dielectrique poreux |
US8871639B2 (en) | 2013-01-04 | 2014-10-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Semiconductor devices and methods of manufacture thereof |
KR20140099103A (ko) * | 2013-02-01 | 2014-08-11 | 삼성전자주식회사 | 포토마스크 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법 |
US9304396B2 (en) | 2013-02-25 | 2016-04-05 | Lam Research Corporation | PECVD films for EUV lithography |
ITMI20130334A1 (it) | 2013-03-06 | 2014-09-07 | Directa Plus Spa | Dispersione acquosa concentrata di grafene e suo processo di preparazione. |
US20140299820A1 (en) * | 2013-04-08 | 2014-10-09 | Michael Harandek | Graphene nanoparticles as conductive filler for resistor materials and a method of preparation |
EP2790227B1 (en) | 2013-04-09 | 2019-06-05 | IMEC vzw | Graphene based field effect transistor |
KR102075921B1 (ko) * | 2013-04-29 | 2020-02-11 | 엘지디스플레이 주식회사 | 정전기 방지막 및 그 제조방법, 이를 포함하는 표시장치 |
ITMI20130834A1 (it) | 2013-05-22 | 2014-11-23 | Versalis Spa | Procedimento di polimerizzazione cationica per la sintesi di polimeri nano-strutturati contenenti grafene |
KR20140137574A (ko) * | 2013-05-23 | 2014-12-03 | 한국전자통신연구원 | 그래핀 복합물질의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 그래핀 복합물질 |
US9637388B2 (en) | 2013-05-24 | 2017-05-02 | Council Of Scientific & Industrial Research | Process for preparation of nanoporous graphene and graphene quantum dots |
KR101439030B1 (ko) | 2013-05-31 | 2014-09-05 | 고려대학교 산학협력단 | 패턴 구조물의 형성 방법 |
TWI541611B (zh) | 2013-06-26 | 2016-07-11 | 第一毛織股份有限公司 | 用於硬罩幕組合物的單體、包括該單體的硬罩幕組合物及使用該硬罩幕組合物形成圖案的方法 |
CN104253024B (zh) | 2013-06-27 | 2017-07-28 | 第一毛织株式会社 | 硬掩模组合物、使用其形成图案的方法以及包括该图案的半导体集成电路装置 |
US20150056394A1 (en) * | 2013-08-21 | 2015-02-26 | Nd Industries, Inc. | Coating Composition and Anti-Spatter Coating Formed Therefrom |
US9296922B2 (en) | 2013-08-30 | 2016-03-29 | Az Electronic Materials (Luxembourg) S.A.R.L. | Stable metal compounds as hardmasks and filling materials, their compositions and methods of use |
EP2857550A1 (en) | 2013-10-02 | 2015-04-08 | Basf Se | Amine precursors for depositing graphene |
WO2015102746A2 (en) | 2013-11-04 | 2015-07-09 | Massachusetts Institute Of Technology | Electronics including graphene-based hybrid structures |
US9418836B2 (en) | 2014-01-14 | 2016-08-16 | Az Electronic Materials (Luxembourg) S.A.R.L. | Polyoxometalate and heteropolyoxometalate compositions and methods for their use |
US9409793B2 (en) | 2014-01-14 | 2016-08-09 | Az Electronic Materials (Luxembourg) S.A.R.L. | Spin coatable metallic hard mask compositions and processes thereof |
WO2015168308A1 (en) * | 2014-04-29 | 2015-11-05 | Northwestern University | High-resolution patterning of graphene by screen and gravure printing for highly flexible printed electronics |
KR102287813B1 (ko) | 2014-05-30 | 2021-08-10 | 삼성전자주식회사 | 하드마스크 조성물 및 이를 이용한 패턴의 형성방법 |
US9583358B2 (en) | 2014-05-30 | 2017-02-28 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Hardmask composition and method of forming pattern by using the hardmask composition |
DE102014212282B4 (de) | 2014-06-26 | 2023-11-09 | Infineon Technologies Ag | Graphen-Gassensor zur Messung der Konzentration von Kohlendioxid in Gasumgebungen |
KR102287343B1 (ko) | 2014-07-04 | 2021-08-06 | 삼성전자주식회사 | 하드마스크 조성물 및 이를 이용한 패턴의 형성방법 |
KR102287344B1 (ko) | 2014-07-25 | 2021-08-06 | 삼성전자주식회사 | 하드마스크 조성물 및 이를 이용한 패턴의 형성방법 |
US9742001B2 (en) | 2014-08-07 | 2017-08-22 | Nanotek Instruments, Inc. | Graphene foam-protected anode active materials for lithium batteries |
KR102295525B1 (ko) | 2015-01-16 | 2021-08-30 | 삼성전자 주식회사 | 스핀 코팅용 하드 마스크 조성물 |
US11258059B2 (en) | 2015-02-18 | 2022-02-22 | Global Graphene Group, Inc. | Pre-sulfurized cathode for alkali metal-sulfur secondary battery and production process |
KR102384226B1 (ko) * | 2015-03-24 | 2022-04-07 | 삼성전자주식회사 | 하드마스크 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성방법 |
KR102463893B1 (ko) | 2015-04-03 | 2022-11-04 | 삼성전자주식회사 | 하드마스크 조성물 및 이를 이용한 패턴의 형성방법 |
KR101735401B1 (ko) | 2015-05-28 | 2017-05-16 | 한국에너지기술연구원 | 질소 도핑된 다공성 그래핀 덮개의 형성방법 |
TWI622554B (zh) | 2015-06-22 | 2018-05-01 | Univ Chung Yuan Christian | Method for producing nitrogen-doped graphene and manufacturing method of composite heat sink |
KR102456578B1 (ko) * | 2017-07-14 | 2022-10-20 | 삼성전자주식회사 | 하드마스크 조성물과 그 제조방법 및 하드마스크 조성물을 이용한 패턴층의 형성방법 |
-
2015
- 2015-04-03 KR KR1020150047492A patent/KR102463893B1/ko active Active
- 2015-09-02 US US14/843,003 patent/US10495972B2/en active Active
- 2015-11-10 EP EP15193939.4A patent/EP3076239B1/en active Active
-
2016
- 2016-01-15 CN CN201610028493.9A patent/CN106054533B/zh active Active
- 2016-01-29 JP JP2016015372A patent/JP6768301B2/ja active Active
-
2019
- 2019-05-30 US US16/426,046 patent/US11086223B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US10495972B2 (en) | 2019-12-03 |
KR20160118782A (ko) | 2016-10-12 |
EP3076239B1 (en) | 2020-04-29 |
EP3076239A1 (en) | 2016-10-05 |
CN106054533A (zh) | 2016-10-26 |
US20190294047A1 (en) | 2019-09-26 |
CN106054533B (zh) | 2021-10-08 |
JP2016197228A (ja) | 2016-11-24 |
US11086223B2 (en) | 2021-08-10 |
US20160291472A1 (en) | 2016-10-06 |
KR102463893B1 (ko) | 2022-11-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6768301B2 (ja) | ハードマスク組成物、及びそれを利用したパターンの形成方法 | |
KR102486388B1 (ko) | 그래핀 양자점의 제조방법, 상기 제조방법에 따라 얻어진 그래핀 양자점을 포함한 하드마스크 조성물, 이를 이용한 패턴의 형성방법 및 상기 하드마스크 조성물을 이용하여 형성된 하드마스크 | |
KR102287343B1 (ko) | 하드마스크 조성물 및 이를 이용한 패턴의 형성방법 | |
KR102675775B1 (ko) | 하드마스크 조성물, 이를 이용한 패턴의 형성방법 및 상기 하드마스크 조성물을 이용하여 형성된 하드마스크 | |
KR102287344B1 (ko) | 하드마스크 조성물 및 이를 이용한 패턴의 형성방법 | |
JP6574612B2 (ja) | ハードマスク組成物、及びそれを利用したパターンの形成方法 | |
KR102384226B1 (ko) | 하드마스크 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성방법 | |
US9583358B2 (en) | Hardmask composition and method of forming pattern by using the hardmask composition | |
EP3428722B1 (en) | Hardmask composition, method of forming pattern using hardmask composition, and hardmask formed from hardmask composition | |
KR102433666B1 (ko) | 하드마스크 조성물, 이를 이용한 패턴의 형성방법 및 상기 하드마스크 조성물을 이용하여 형성된 하드마스크 | |
KR102558007B1 (ko) | 하드마스크 조성물, 이를 이용한 패턴의 형성방법 및 이로부터 형성된 하드마스크 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20181225 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20191129 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200106 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200406 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200824 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200923 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6768301 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |