KR102075921B1 - 정전기 방지막 및 그 제조방법, 이를 포함하는 표시장치 - Google Patents

정전기 방지막 및 그 제조방법, 이를 포함하는 표시장치 Download PDF

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Abstract

본 발명의 일 실시예에 따른 정전기 방지막은 기판, 상기 기판 상에 위치하며, 상기 전도성 물질, 상기 테트라에틸오르소실리케이트 및 실세스퀴옥산(SSQ)을 포함하는 하층 코팅층, 및 상기 하층 코팅층 상에 위치하며, 전도성 물질 및 테트라에틸오르소실리케이트(TEOS)를 포함하는 상층 코팅층을 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

정전기 방지막 및 그 제조방법, 이를 포함하는 표시장치{ANTI-STATIC ELECTRICITY LAYER AND METHOD FOR MANUFACTURING OF THE SAME, DISPLAY DEVICE COMPRISING THE SAME}
본 발명은 표시장치에 관한 것으로, 보다 자세하게는 정전기 방지를 위한 정전기 방지막 및 그 제조방법, 이를 포함하는 표시장치에 관한 것이다.
정보통신과 콘텐츠 기술의 발달로 소비자는 고품질의 2차원 가시화 형태의 콘텐츠에 만족하지 않고, 보다 사실적인 체험이 가능한 3D 콘텐츠를 요구하고 있다. 2010년대에는 이미 3D 입체 디스플레이 기술이 소비자 가전 시장에서 주요 관심 대상이 되었고, 가상현실 연구의 전통적인 가시화 인터페이스로 활용된 착용형 표시장치와 몰입형 및 대형 입체 표시장치도 3D 영화관 및 전시관 등을 통해서 일반 소비자기 쉽게 체험할 수 있게 되었다.
입체영상(3D) 표시장치는 양안시차방식(stereoscopic technique) 또는 복합시차지각방식(autostereoscopic technique)을 이용하여 입체 영상을 구현한다. 이 중 양안시차방식은 입체 효과가 큰 좌우 눈의 시차 영상을 이용하며, 안경방식과 무안경방식이 있고 두 방식 모두 실용화되고 있다. 안경방식은 직시형 표시소자나 프로젝터에 좌우 시차 영상의 편광 방향을 바꿔서 또는 시분할 방식으로 표시하고, 편광 안경 또는 액정셔터 안경을 사용하여 3D 영상을 구현한다. 무안경 방식은 일반적으로 좌우 시차 영상의 광축을 분리하기 위한 패럴렉스 배리어 등의 광학판을 표시 화면의 앞에 또는 뒤에 설치하는 방식이다.
도 1은 종래 입체영상 표시장치를 나타낸 도면으로, 편광 안경을 사용하여 입체영상을 구현하는 입체영상 표시장치를 나타낸다.
도 1을 참조하면, 안경방식의 입체영상 표시장치(1)는 박막트랜지스터 어레이 기판(10), 컬러필터(13) 및 블랙 매트릭스(14)를 포함하는 컬러필터 기판(12), 박막트랜지스터 어레이 기판(10)과 컬러필터 기판(12) 사이에 개재된 액정층(15)을 포함한다. 그리고, 박막트랜지스터 어레이 기판(10)에 하부 편광판(16a, 16b)이 위치하고, 컬러필터 기판(12) 상에 블랙 스트라이프(20)가 위치하며, 정전기 방지를 위한 배면ITO(21)가 위치한다. 배면ITO(21) 상에 상부 편광판(16a), 패턴드 리타더(17) 및 표면처리된 보호필름(18)이 위치하여 입체영상 표시장치(1)를 구성한다.
이와 같이 구성된 안경방식의 입체영상 표시장치(1)는 좌안 이미지와 우안 이미지를 교대로 표시하고 패턴 리타더(17)를 통해 편광 안경에 입사되는 편광특성을 절환한다. 이를 통해, 안경방식은 좌안 이미지와 우안 이미지를 공간적으로 분할하여 3D 영상을 구현할 수 있다.
그러나, 블랙 스트라이프(20) 상에 위치하는 배면ITO(21)는 얇은 두께로 증착되어 크랙(crack)이 발생하는 불량이 있다. 또한, 블랙 스트라이프(20)의 단차를 OC(over coat)층으로 메운 후 배면ITO(21)를 형성하는 경우, 공정의 추가 및 희귀 금속 사용으로 인한 비용의 증가가 초래되고, 낮은 경도로 인해 세정 공정 시 스크래치(scratch)가 발생하여 화상 품질이 저하되는 문제점이 있다.
본 발명은 블랙 스트라이프의 단차를 메우고 기판에서 발생하는 정전기를 방지할 수 있는 정전기 방지막 및 그 제조방법, 이를 포함하는 표시장치를 제공한다.
또한, 본 발명은 세정 공정에서 컬러필터 기판의 스크래치의 발생을 감소시킬 수 있는 정전기 방지막 및 그 제조방법, 이를 포함하는 표시장치를 제공한다.
상기한 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 일 실시예에 따른 정전기 방지막은 기판, 상기 기판 상에 위치하며, 상기 전도성 물질, 상기 테트라에틸오르소실리케이트 및 실세스퀴옥산(SSQ)을 포함하는 하층 코팅층, 및 상기 하층 코팅층 상에 위치하며, 전도성 물질 및 테트라에틸오르소실리케이트(TEOS)를 포함하는 상층 코팅층을 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 전도성 물질은 탄소나노튜브(CNT), 금속산화물, 그래핀 및 전도성 고분자로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 한다.
상기 전도성 고분자는 폴리플루오렌(polyfluorene), 폴리페닐렌(polyphenylene), 폴리피렌(polypyrene), 폴리아줄렌(polyazulene), 폴리나프탈렌(polynaphthalene), 폴리아세틸렌(polyacetylene, PAC), 폴리-p-페닐렌비닐렌(poly(p-phenylene vinylene, PPV), 폴리피롤(polypyrrole, PPY), 폴리카바졸(polycarbazole), 폴리인돌(polyindole), 폴리아제핀(polyzepine), 폴리티에닐렌비닐렌(poly(thienylene vinylene), 폴리아닐린(polyaniline, PANI), 폴리티오펜(poly(thiophene)), 폴리(p-페닐렌설파이드(poly(p-phenylene sulfide, PPS), 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜(poly(3,4-ethylenedioxy thiophene, PEDOT), 폴리스티렌술폰산(poly(styrene sulfonate, PSS)로 도핑된 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)(PEDOT:PSS), 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)-테트라메타크릴레이트(PEDOT-TMA), 폴리퓨란(polyfuran) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상인 것을 특징으로 한다.
상기 하층 코팅층의 두께는 상기 상층 코팅층의 두께보다 두꺼운 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 정전기 방지막의 제조방법은 기판을 준비하는 단계, 상기 기판 상에 전도성 물질 20 내지 25 중량부, 테트라에틸오르소실리케이트 7 내지 11 중량부, 실세스퀴옥산 20 내지 30 중량부, 용매 25 내지 40 중량부 및 첨가제 8 내지 16 중량부를 포함하는 하층 코팅층 조성물을 도포하고 열처리하여 하층 코팅층을 형성하는 단계; 및 상기 하층 코팅층 상에 전도성 물질 0.1 내지 10 중량부, 테트라에틸오르소실리케이트 5 내지 30 중량부, 용매 30 내지 60 중량부 및 첨가제 8 내지 16 중량부를 포함하는 상층 코팅층 조성물을 도포하고 열처리하여 상층 코팅층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 전도성 물질은 탄소나노튜브(CNT), 금속산화물, 그래핀 및 전도성 고분자로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 한다.
상기 전도성 고분자는 폴리플루오렌(polyfluorene), 폴리페닐렌(polyphenylene), 폴리피렌(polypyrene), 폴리아줄렌(polyazulene), 폴리나프탈렌(polynaphthalene), 폴리아세틸렌(polyacetylene, PAC), 폴리-p-페닐렌비닐렌(poly(p-phenylene vinylene, PPV), 폴리피롤(polypyrrole, PPY), 폴리카바졸(polycarbazole), 폴리인돌(polyindole), 폴리아제핀(polyzepine), 폴리티에닐렌비닐렌(poly(thienylene vinylene), 폴리아닐린(polyaniline, PANI), 폴리티오펜(poly(thiophene)), 폴리(p-페닐렌설파이드(poly(p-phenylene sulfide, PPS), 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜(poly(3,4-ethylenedioxy thiophene, PEDOT), 폴리스티렌술폰산(poly(styrene sulfonate, PSS)로 도핑된 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)(PEDOT:PSS), 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)-테트라메타크릴레이트(PEDOT-TMA), 폴리퓨란(polyfuran) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상인 것을 특징으로 한다.
상기 열처리는 140 내지 230℃에서 10 내지 20분 동안 수행되는 것을 특징으로 한다.
상기 하층 코팅층 조성물 또는 상기 상층 코팅층 조성물은 슬릿 코팅 또는 스핀 코팅으로 도포되는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치는 박막트랜지스터 어레이 기판, 상기 박막트랜지스터 어레이 기판에 대향하며, 블랙 매트릭스를 포함하는 컬러필터 기판, 상기 컬러필터 기판 상에 형성되며, 상기 블랙 매트릭스와 대응하게 형성된 블랙 스트라이프, 및 상기 블랙 스트라이프 상에 형성된 정전기 방지막을 포함하며, 상기 정전기 방지막은 상기 전도성 물질, 상기 테트라에틸오르소실리케이트 및 실세스퀴옥산(SSQ)을 포함하는 하층 코팅층, 및 상기 하층 코팅층 상에 위치하며, 전도성 물질 및 테트라에틸오르소실리케이트(TEOS)를 포함하는 상층 코팅층을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 정전기 방지막 및 그 제조방법, 이를 포함하는 표시장치는 블랙 스트라이프를 단차를 완전히 메울 수 있는 정전기 방지막을 제조할 수 있고, 기판에서 발생하는 정전기를 방지할 수 있는 이점이 있다. 또한, 정전기 방지막의 경도를 향상시켜 세정 공정에서 발생할 수 있는 스크래치를 줄일 수 있어 제조 수욜 및 생산성을 향상시킬 수 있는 이점이 있다.
도 1은 종래 입체영상 표시장치를 나타낸 도면.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 입체영상 표시장치를 나타낸 도면.
도 3a 및 도 3b는 본 발명의 실시예 5에 따라 제조된 정전기 방지막의 SEM 사진.
도 4는 본 발명의 비교예에 따라 제조된 컬러필터 기판의 스크래치를 나타낸 SEM 사진.
도 5는 본 발명의 실시예 6에 따라 제조된 컬러필터 기판의 스크래치를 나타낸 SEM 사진.
도 6은 본 발명의 실시예 7에 따라 제조된 컬러필터 기판의 스크래치를 나타낸 SEM 사진.
도 7은 본 발명의 실시예 7에 따라 제조된 컬러필터 기판의 스크래치를 측정한 SEM 사진.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 일 실시 예들을 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 입체영상 표시장치를 나타낸 도면이다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 입체영상 표시장치(100)는 박막트랜지스터 어레이 기판(110), 박막트랜지스터 어레이 기판(110)과 대향하는 컬러필터 기판(120) 및 이들 사이에 개재된 액정층(150)을 포함하는 표시패널(DP)을 구성한다.
보다 자세하게는, 박막트랜지스터 어레이 기판(110)은 박막트랜지스터 어레이가 형성된다. 박막트랜지스터 어레이는 R, G 및 B 데이터전압이 공급되는 다수의 데이터 라인들, 데이터 라인들과 교차되어 게이트 펄스(또는 스캔 펄스)가 공급되는 다수의 게이트 라인들(또는 스캔 라인들), 데이터 라인들과 게이트 라인들의 교차부들에 형성되는 다수의 박막트랜지스터들(Thin Film Transistor), 액정셀들에 데이터 전압을 충전시키기 위한 다수의 화소 전극, 및 화소 전극에 접속되어 액정셀의 전압을 유지시키기 위한 스토리지 커패시터(Storage Capacitor) 등을 포함한다.
화소 전극과 대향하여 전계를 형성하는 공통 전극은 TN(Twisted Nematic) 모드와 VA(Vertical Alignment) 모드와 같은 수직 또는 수평전계 구동방식에서 컬러필터 기판(120)에 형성되며, IPS(In Plane Switching) 모드와 FFS(Fringe Field Switching) 모드와 같은 수평전계 구동방식에서 화소 전극과 함께 박막트랜지스터 어레이 기판(110)에 형성된다.
컬러필터 기판(120)에는 R, G 및 B 컬러필터(135)와 이들 사이에 복수의 블랙 매트릭스(130)가 형성된다. 컬러필터(135)는 백라이트 유닛에서 출사되어 액정층(150)을 투과한 광을 적색, 녹색 및 청색으로 변환하는 역할을 한다. 그리고, 컬러필터(135)는 블랙 매트릭스(130)가 각각 위치하여, 좌안 이미지와 우안 이미지를 구분하는 역할을 한다.
그리고, 박막트랜지스터 어레이 기판(110)과 컬러필터 기판(120)들에는 액정층(150)과 접하는 내면에 액정의 프리틸트각을 설정하기 위한 배향막(미도시이 형성되고, 액정셀의 셀갭(Cell gap)을 유지하기 위한 컬럼 스페이서(미도시)가 위치한다.
컬러필터 기판(120)의 외면에는 블랙 스트라이프(160), 블랙 스트라이프(160) 상에 하층 코팅층(172) 및 상층 코팅층(174)을 포함하는 정전기방지막(170)이 위치하고 패턴드 리타더 필름(195)이 위치한다. 블랙 스트라이프(160)는 전술한 블랙 매트릭스(130)와 대응되게 위치하여 입체영상의 시야각 향상에 기여한다.
상기 정전기 방지막(170)은 하층 코팅층(172)과 상층 코팅층(174)으로 구성되어, 컬러필터 기판(120) 상에 발생되는 정전기를 외부로 배출시키는 것으로 컬러필터 기판(120) 전면에 형성된다. 정전기 방지막(170)에 대한 보다 자세한 설명은 후술하기로 한다.
정전기 방지막(170) 상에 패턴드 리타더 필름(195)이 위치한다. 패턴드 리타더 필름(195)은 제1 리타더 패턴(180a)과 제2 리타더 패턴(180b)이 보호필름(190) 상에 형성된다. 제1 리타더 패턴(180a)이 표시패널(DP)에서 좌안 이미지가 표시되는 라인과 대향하도록 배치되어 좌안 이미지의 빛을 제1 편광(원편광 또는 선편광)으로 변환한다. 제2 리타더 패턴(180b)은 표시패널(DP)에서 우안 이미지가 표시되는 라인과 대향하도록 배치되어 우안 이미지의 빛을 제2 편광(원편광 또는 선편광)으로 변환한다. 일 예로 제1 리타더 패턴(180a)은 좌원편광을 투과하는 편광필터로 구현될 수 있고, 제2 리타더 패턴(180b)은 우원편광을 투과하는 편광필터로 구현될 수 있다.
이와 같이 구성된 입체영상 표시장치는 좌안에 제1 편광 성분만을 통과시키는 편광 필름과, 우안에 제2 편광 성분만을 통과시키는 편광 필름이 구비된 편광 안경을 통해, 사용자는 좌안으로 좌안 이미지만을 보게 되고, 우안으로 우안 이미지만을 보게 되어 표시패널(DP)에 표시된 영상을 입체 영상으로 느끼게 된다.
이하, 전술한 정전기 방지막에 대한 구체적인 설명을 하면 다음과 같다.
본 발명의 정전기 방지막은 예를 들어, 표시장치의 기판의 일면에 패터닝되는 블랙 스트라이프를 보호하고, 기판의 정전기 발생을 방지하기 위한 것으로, 하층 코팅층과 상층 코팅층의 2층 구조로 이루어진다.
상기 상층 코팅층은 전도성 물질, 테트라에틸오르소실리케이트, 용매 및 첨가제를 포함한다.
본 발명의 상층 코팅층을 구성하는 전도성 물질은 특히 표시장치의 기판에서 정전기를 방지하기 위한 것으로, 예를 들어, 전도성 고분자, 금속 산화물, 탄소나노튜브(carbon nanotube, CNT), 그래핀(graphene) 및 이들의 조합으로 구성되는 군에서 선택될 수 있다. 이들 전도성 물질은 또한 기판의 투과도 확보 및 코팅층의 경도를 확보하기 위한 것이다.
전도성 고분자는 고분자의 원래 특성인 가볍고 가공성이 용이하면서도 전기를 통하는 유기 고분자로서, 단일 결합과 이중 결합이 교대로 형성되는 공액(conjugated) 결합을 가지고 있다. 본 발명에 따른 전도성 고분자는 순수한 전도성 고분자는 물론이고, 다른 적절한 소재에 의하여 도핑(doping)되어 있는 전도성 고분자를 포함한다.
이러한 전도성 고분자의 예로는 폴리플루오렌(polyfluorene), 폴리페닐렌(polyphenylene), 폴리피렌(polypyrene), 폴리아줄렌(polyazulene), 폴리나프탈렌(polynaphthalene), 폴리아세틸렌(polyacetylene, PAC), 폴리-p-페닐렌비닐렌(poly(p-phenylene vinylene, PPV)와 같이 헤테로 원자를 포함하지 않는 전도성 고분자; 폴리피롤(polypyrrole, PPY), 폴리카바졸(polycarbazole), 폴리인돌(polyindole), 폴리아제핀(polyzepine), 폴리티에닐렌비닐렌(poly(thienylene vinylene), 폴리아닐린(polyaniline, PANI) 등과 같이 헤테로 원자로서 질소(N)를 포함하는 전도성 고분자; 폴리티오펜(poly(thiophene), PT), 폴리(p-페닐렌설파이드(poly(p-phenylene sulfide, PPS), 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜(poly(3,4-ethylenedioxy thiophene, PEDOT)과 같이 헤테로 원자로서 황(S)을 포함하는 전도성 고분자; 폴리퓨란(polyfuran)과 같이 헤테로 원자로서 산소(O)를 포함하는 전도성 고분자 및 이들 전도성 고분자에 다른 물질이 도핑되어 있는 전도성 물질을 포함한다. 이들 전도성 고분자는 적절한 치환기, 예를 들면 알킬기, 알콕시기 등과 같은 지방족은 물론이고 방향족 고리에 의하여 치환된 형태일 수 있다.
전도성 고분자로서 바람직하게는 용매에 대한 분산성이나 전도성 등을 향상시킬 수 있도록 다른 물질이 도핑된 전도성 고분자를 사용하거나 적절한 작용기로 치환된 소재를 사용할 수 있다. 예를 들어, 전도성 고분자로서의 폴리아세틸렌에는 도펀트로서 I2, Br2와 같은 할로겐 가스, Li, Na과 같은 알칼리 금속 및 AsF6 등을 도펀트로 사용할 수 있다. 또한, BF4-, ClO4- 등은 폴리피롤, 폴리티오펜, 폴리아줄렌, 폴리퓨란 등의 도펀트로 사용될 수 있으며, AsF6는 폴리아세틸렌 외에도 폴리페닐렌설파이드, 폴리페닐렌비닐렌, 폴리티에닐렌비닐렌, 폴리페닐렌 등의 도펀트로 사용될 수 있다. 한편, 염산(HCl), 도데실벤젠산(dodecylbenzene acid, DBSA) 및 캄포술폰산(camphor sulfonic acid, CSA) 등은 폴리아닐린의 도펀트로 사용될 수 있다. 폴리피롤의 경우에는 전술한 BF4-, ClO4- 이외에도 p-메틸페닐술폰산염과 같은 토실기가 도펀트로 사용될 수 있으며, 폴리티오펜 역시 p-메틸페닐술폰산염과 같은 토실기와 FeCl4가 도펀트로 사용될 수 있고, 폴리페닐렌의 경우에는 AsF6 외에도 Li, K과 같은 알칼리 금속을 도펀트로 사용할 수 있다.
본 발명의 상층 코팅층을 구성하는 전도성 물질과 관련해서 전도성 고분자로서 특히 바람직하게는 PEDOT를 주성분으로 하는 전도성 고분자이다. 예를 들어, 치환되지 않은 PEDOT, 폴리스티렌술폰산(poly(styrene sulfonate))가 도핑되어 있는 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜(PEDOT:PSS)) 또는 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)-테트라메타크릴레이트(PEDOT-TMA)이다.
PEDOT:PSS 중에서 PSS의 술폰산기는 용매 중에서 탈수소화되어(deprotonated) 음전하를 띠고 있으며, 분산체로서 기능할 수 있다. 한편, PEDOT는 π 공액계 전도성 고분자로서 PEDOT 부분은 양전하를 띄고 있어 특히 친수성 용매에 대한 분산성이 양호하여 안정적인 염 형태를 이룰 수 있다. PEDOT:PSS 용액은 PEDOT의 단량체인 EDOT를 PSS의 존재 하에서 물과 같은 적절한 용매에 첨가하면 산성의 수분산성 용액을 형성하기 때문에, 산화 중합을 형성하면서 안정적인 분산체를 형성할 수 있다. 다른 전도성 고분자인 PEDOT-TMA는 유기 용매에 대한 분산성이 우수하고 부식되지 않는 특성이 있으므로, PEDOT:PSS를 대체하여 사용될 수 있다.
한편, 본 발명에 따른 상층 코팅층을 구성하는 전도성 물질로서 전술한 전도성 고분자 외에도 탄소나노튜브 및/또는 그래핀과 같은 탄소질의 전도성 물질이 사용될 수 있다. 여기서 탄소나노튜브(CNT)는 단일벽 형태의 탄소나노튜브(Single-walled, SWNT), 이중벽 형태의 탄소나노튜브(Double-walled, DWNT) 또는 다중벽 형태의 탄소나노튜브(Multi-walled, MWNT)일 수 있다. 이러한 탄소나노튜브는 합성 단계에서 나노튜브 입자 사이에서 물리적, 화학적 응집을 형성하고 있으므로 본 발명에 따른 코팅 조성물 중에 용매에 탄소나노튜브를 분산시키기 위해서 적절한 처리가 수행될 수 있다.
예를 들어 1) 탄소나노튜브를 잘 분산시키는 것으로 알려져 있는 1,2-디클로로벤젠, N-메틸피롤리돈(N-methylpyrrolidone, NMP), N,N-디메틸포름아미드(N,N-dimethylformamide, DMF) 등의 유기용매에 탄소나노튜브를 첨가한 뒤 초음파 처리를 수행하는 방법, 2) 소듐도데실황산염(sodium dodecyl sulfate, SDS), Trixon X-100, 소듐도데실벤젠술폰산염(sodium dodecyl benzene sulfonate, NaDDBS), 아라비아 검 등의 이온성 저분자 계면활성제 및/또는 폴리비닐피롤리돈(poly vinylpyrrolidone, PVP) 등의 이원 또는 삼원 공중합체와 같은 고분자형 계면활성제를 사용하는 방법, 3) 산 처리를 통하여 카르복실기 등을 도입하고 물, 알코올 등에 대한 용해도를 증가시키고, 선택적으로 아닐린 옥타데실아민(ODA), 테트라데실아닐린 등의 탄화수소로 카르복실기 등을 치환하여 방향족 유기용매에 대한 분산을 유도하는 방법, 4) 전해질로 사용되는 이온성 액체(ionic liquid), 예를 들면 1-부틸3-메틸이미다졸륨 테트라플루오로보레이트(1-butyl-3-methylimidazolium tetrafluoroborate, BMIMBF4), 1-부틸-3-메틸이미다졸륨 헥사플루오로포르세이트(1-butyl-3-mehtylimidazolium hexafluorophosphate, BMIMPF6) 등과 같은 이온성 액체(ionic liquid) 등을 사용하고, 필요에 따라 유기 용매에 재-분산시키는 방법, 5) CNT 표면에 긴 사슬의 알킬기(탄소수 10-20)를 갖는 pyrene 유도체를 사용하여 CNT의 분산성을 개선하는 방법 등을 이용할 수 있다. 또한 최근의 연구에 따르면, 유기 분자의 아민기와 산 처리된 탄소나노튜브의 표면의 카르복시산이 zwitterions을 형성하는데, 이를 이용하여 탄소나노튜브의 용매에 대한 분산성을 향상시킬 수도 있다.
본 발명의 상층 코팅층을 구성하는 전도성 물질의 일예로 사용될 수 있는 그래핀은 흑연질 탄소 소재의 하나로서, NMP나 DMF 등 일부 유기용매에 대한 분산성이 양호하지 않지만 다음과 같은 방법을 사용하여 용매에 대한 분산성을 향상시킬 수 있다. 먼저, 그래핀의 표면에 공유 결합을 통하여 작용기를 갖도록 표면 개질하는 방법이 있다(그래핀의 공유적 작용기화 방법). 이 방법에서는 먼저 천연 흑연을 강산으로 산화 처리하여 가장자리 영역으로 에폭시기, 수산기, 카르보닐기, 카르복시산기 등의 산소 작용기들을 갖는 그래핀 산화물(Graphene oxide)로 분산/박리한다. 이어서, GO에 있는 산소 작용기들과 반응하는 물질을 이용하거나 열처리를 통하여 GO를 환원시켜 환원된 그래핀 산화물(reduced graphene oxide, rGO)를 제조한다.
예를 들어, GO 표면에 존재하는 산소 작용기들과 아미드화 반응 및/또는 에스테르화 반응을 통하여 공유결합을 형성할 수 있다. 구체적으로 살펴보면, 이소시아네이트 유기 단분자와 GO를 공유결합시키는 방법이나, 아민기, 수산기, 아지드기를 갖는 화합물이나 디아조늄 화합물을 갖는 유기 단분자들이나 고분자를 그래핀이나 GO의 표면에 존재하는 카르복시산 등과 공유결합하여 표면 개질할 수 있다. 예를 들면, 아민기를 갖는 포피린(porphyrin)을 GO 표면의 카르복시기와 반응시켜 표면에 아미드 결합을 갖도록 개질된 그래핀을 합성하거나, 폴리비닐아세테이트와 같이 수산기를 갖는 물질을 GO의 카르복시산과 결합시켜 표면에 에스테르 결합을 갖도록 개질시키거나, 치환되지 않거나 알킬기 등으로 치환된 퍼플루오로베닐아지드(PFPA)와 같이 아지드 결합을 갖는 물질을 GO의 C=C 이중결합 부위와 반응시켜 표면에 니트렌기를 갖도록 개질된 그래핀을 합성하는 방법을 고려해 볼 수 있다. 이러한 방법에 의해 표면 개질된 그래핀은 특히 DMF, NMP, 디메틸술폭사이드(dimethyl sulfoxide, DMSO)에 대한 분산성을 향상시킬 수 있다.
상기에서 언급한 공유결합성 작용기를 도입하여 그래핀의 표면을 개질하는 방법 외에도 그래핀과의 비-공유결합성 작용기를 도입하는 방법이 알려져 있다. 이러한 비-공유결합성 작용기의 도입은 그래핀의 π-π 결합, 수소결합 또는 전하간 상호작용을 이용한다. 예를 들어, 피렌카르복시산 유도체에 존재하는 카르복시산기는 수용액에서 그래핀을 안정적으로 분산시키고, 그래핀 시트와의 물리흡착 상태를 유지시킨다. P3HT(poly(3-hexylthiphene))와 같은 전도성 고분자는 rGO-와 π-π 결합하여 거대분자 복합체를 형성하고 DMF 등이 용매에 잘 분산된다.
또는 양쪽성 물질(일예로 sodium cholate)이나 계면활성제를 사용하면, 수용액 등에 대한 그래핀의 분산성을 향상시킬 수 있다. 특히, 최근의 연구에 따르면 GO 가장자리에 존재하는 양전하의 카르복시산기와 고분자 말단의 음전하의 아민기는 정전기적 상호작용을 일으켜 GO의 가장자리에 고분자가 흡착됨으로써, 그래핀을 벤젠, o-자일렌, 메틸렌클로라이드 등의 유기용매에 균일하게 분산시킬 수 있다.
본 발명의 상층 코팅층을 구성하는 전도성 물질의 일예로 사용될 수 있는 금속 산화물은 산화아연(ZnO)과 같은 용질로 사용가능한 금속 산화물이면 모두 가능하다.
본 발명의 상층 코팅층을 형성하기 위한 상층 코팅층 조성물과 관련해서 전술한 전도성 고분자, 금속 산화물, 탄소나노튜브, 그래핀 및 이들의 조합으로 구성되는 군에서 선택될 수 있는 전도성 물질은 상층 코팅층 조성물에 대해 0.1 내지 10 중량부, 바람직하게는 0.1 내지 5 중량부로 함유될 수 있다. 전도성 물질의 함량이 이보다 적으면 원하는 전도도가 나오지 않아 조성물이 코팅될 수 있는 기판의 정전기 방지에 적절하지 않고, 전도성 물질의 함량이 이를 초과하면 투과도가 떨어질 우려가 있기 때문이다.
한편, 본 발명의 상층 코팅층을 구성하는 테트라에틸오르소실리케이트(Tetraethyl orthosilicate, TEOS)는 하기 구조식으로 이루어진다.
Figure 112013037786920-pat00001
테트라에틸오르소실리케이트는 후술하는 열처리 등의 경화 공정에 의하여 가교결합을 형성하여 폴리실록산을 형성함으로써, 매트릭스(matrix)를 형성하는 바인더 수지가 될 수 있다. 테트라에틸오르소실리케이트는 동시에 상층 코팅층의 경도, 투과도 및 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
본 발명의 상층 코팅층을 형성하기 위한 상층 코팅층 조성물과 관련해서 전술한 테트라에틸오르소실리케이트는 상층 코팅층 조성물에 대해 5 내지 30 중량부로 함유될 수 있다. 테트라에틸오르소실리케이트의 함량이 5 중량부 이상이면, 고형분의 함량이 지나치게 많아져서 코팅 조성물의 안정성이 저하되는 것을 방지할 수 있고, 테트라에틸오르소실리케이트의 함량이 30 중량부 이하이면, 제조되는 코팅층의 경도 및 투과도를 달성할 수 있다.
본 발명의 상층 코팅층을 형성하기 위한 상층 코팅층 조성물을 구성하는 용매는 전술한 전도성 물질 및 테트라에틸오르소실리케이트와 같은 고형 성분을 분산시키고, 코팅 조성물의 점도를 조절하기 위한 용도로 사용된다. 아울러, 용매는 전도성 물질의 전도도를 향상시킬 수 있는데, 바람직하게는 고-비점의 용매를 사용하면, 가교결합성 화합물이 보다 안정적으로 가교결합 할 수 있다.
전도성 물질 및 테트라에틸오르소실리케이트를 분산시킬 수 있는 용매로서, 예를 들어 전도성 물질이 친수성 고분자인 경우에는 친수성 용매를 사용할 수 있다. 사용 가능한 친수성 용매의 구체적인 예로는 물; 에탄올, 메탄올, 이소프로필 알코올, 부탄올, 2-에틸헥실알코올, 메톡시펜탄올, 부톡시에탄올, 에톡시에톡시 에탄올, 부톡시에톡시 에탄올, 메톡시 프로폭시 프로판올, 텍산올(texanol), 알파-터피네올(α-terpineol)과 같은 터피네올 등의 알코올류; 테트라하이드로퓨란(THF); 글리세롤, 알킬렌 글리콜, 예를 들어, 에틸렌글리콜, 트리에틸렌글리콜, 폴리에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 디프로필렌글리콜, 디헥실렌글리콜 또는 이들의 알킬 에테르(일예로 프로필렌글리콜 메틸에테르(PGME), 디에틸렌글리콜 부틸에테르, 디에틸렌글리콜 에틸에테르, 디프로필렌글리콜 메틸에테르, 디헥실렌글리콜 에틸에테르); 글리세린, N-메틸피롤리돈(N-methyl-2-pyrrolidinone, NMP), 2-피롤리돈, 아세틸아세톤, 1,3-디메틸이미다졸리논, 티오디글리콜, 디메틸술폭사이드(dimethyl sulfoxid, DMSO), N,N-디메틸 아세트아미드(N,N-dimethyl acetamide, DMAc)), 디메틸포름아미드(dimethylformamide, DMF)), 술포란, 디에탄올아민, 트리에탄올아민에서 선택되는 유기용매를 단독으로 사용하거나 또는 이들 중에서 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다. 예를 들어, 전도성 물질로서 PEDOT:PSS를 사용하는 경우, 극성이 높은 친수성 용매를 단독으로 또는 혼합하여 사용하면 전도성 물질을 잘 분산시켜주는 확장제 역할을 할 수 있다.
이때, 예를 들어, 전도성 물질로서 탄소나노튜브를 분산시키기 위하여 물을 용매로 사용하는 경우에 수용액에는 (NH2OH)(HCl) 성분을 포함할 수 있다. 수용액상에서 (NH2OH)(HCl)는 NH3OH+와 Cl-로 해리되며 산성을 띄게 되는데, 양이온인 NH3OH+는 산성을 띄는 이온으로서, 탄소나노튜브의 다발 사이로 확산, 침투하여 탄소나노튜브의 입자 표면을 양이온으로 대전시킨다. 대전된 탄소나노튜브 입자에 의해 생성된 정전기적 반발력에 의하여 탄소나노튜브가 용매 중에서 분산될 수 있다.
한편, 소수성을 갖는 전도성 물질을 사용하는 경우에는 소수성 용매를 사용할 수 있다. 예를 들면, 메틸에틸케톤, 사이클로펜탄온 등의 케톤류, 자일렌, 톨루엔이나 벤젠 등의 방향족 화합물, 디프로필렌 메틸에테르와 같은 에테르, 메틸렌클로라이드, 클로로포름 등의 지방족 탄화수소 등을 단독 또는 2종 이상 혼합할 수 있다.
용매는 본 발명에 따른 상층 코팅층 조성물 중에 30 내지 60 중량부로 함유될 수 있다. 전술한 범위로 용매를 사용하면 조성물의 점도를 적절하게 유지할 수 있으며, 전도성 물질 및/또는 테트라에틸오르소실리케이트를 균일하게 분산시킬 수 있다.
한편, 본 발명의 상층 코팅층 조성물 중에는 전술한 성분 외에도 조성물의 산화를 방지하거나 용해도를 상승시키기 위한 산화방지제와 같은 기능성 첨가제를 더욱 포함할 수 있다.
산화방지제의 예로서, 열에 의해 유도되는 조성물의 산화반응 방지 및 열-안정성을 부여해 주기 위한 목적으로 사용되는 상기 산화방지제의 구체적인 예로는 테트라키스-(메틸렌-(3,5-디-t-부틸-4-하이드로 신나메이트)메탄, 3,5-비스(1,1-디메틸에틸)-4-하이드록시 벤젠프로파노익 액시드 티올 디-2,1-에탄다일 에스터, 옥타데실 3,5-디-t-부틸-4-하이드록시 하이드로 신나메이트, 2,6-디-터셔리-p-메틸페놀, 2,2-티오비스(4-메틸-6-t-부틸페놀), 2,6-g,t-부틸페놀, N-메틸피롤리돈(N-methylpyrrolidone, NMP) 등 중에서 선택된 1종 이상을 포함할 수 있다. 하지만, 본 발명이 반드시 이들 산화방지제로만 제한되는 것은 아니다. 또한, 테트라에틸오르소실리케이트의 용해를 도우면서 산가(pH)를 조절하기 위한 산가조절제로 아세틱 산(acetic acid) 또는 염산(HCl)과 같은 기능성 첨가제를 더 포함할 수 있다.
상기 첨가제의 함량 역시 조성물 중에 포함되는 전도성 물질 및 용매의 종류 및 함량에 따라 달라질 수 있지만, 그 함량은 대략 상층 코팅층 조성물 중에 8 내지 16 중량부로 포함될 수 있다. 따라서, 본 발명의 상층 코팅층을 구성하는 상층 코팅층 조성물은 전도성 물질 0.1 내지 10 중량부, 테트라에틸오르소실리케이트 5 내지 30 중량부, 용매 30 내지 60 중량부 및 첨가제 8 내지 16 중량부를 포함할 수 있다.
한편, 본 발명의 정전기 방지막을 구성하는 하층 코팅층을 형성하기 위한 하층 코팅층 조성물은 전도성 물질, 테트라에틸오르소실리케이트, 실세스퀴옥산(SSQ), 용매 및 첨가제를 포함한다. 하층 코팅층의 구성은 전술한 상층 코팅층의 구성과 동일하되 추가적으로 실세스퀴옥산을 더 포함하면서 각 구성의 함량이 상층 코팅층과 상이하다.
본 발명의 하층 코팅층을 구성하는 전도성 물질은 전술한 상층 코팅층과 동일한 것으로, 하층 코팅층 조성물에 대해 20 내지 25 중량부로 함유될 수 있다. 전도성 물질의 함량이 이보다 적으면 원하는 전도도가 나오지 않아 조성물이 코팅될 수 있는 기판의 정전기 방지에 적절하지 않고, 전도성 물질의 함량이 이를 초과하면 투과도가 떨어질 우려가 있기 때문이다.
또한, 본 발명의 하층 코팅층을 구성하는 테트라에틸오르소실리케이트도 전술한 상층 코팅층과 동일한 것으로, 하층 코팅층 조성물에 대해 7 내지 11 중량부로 함유될 수 있다. 또한, 본 발명의 하층 코팅층을 구성하는 용매도 전술한 상층 코팅층과 동일한 것으로, 하층 코팅층 조성물에 대해 25 내지 40 중량부로 함유될 수 있다. 또한, 본 발명의 하층 코팅층을 구성하는 첨가제도 전술한 상층 코팅층과 동일한 것으로, 하층 코팅층 조성물에 대해 8 내지 16 중량부로 함유될 수 있다.
한편, 본 발명의 하층 코팅층을 구성하는 실세스퀴옥산은 메틸트리클로로실록산과 디메틸클로로실록산의 반응 등에 의하여 합성될 수 있다. 실세스퀴옥산은 가교결합에 의하여 하기 구조식과 같이 사다리(ladder) 구조 또는 cage 구조를 갖는 폴리실세스퀴옥산으로 합성될 수 있다. 예를 들어, 오르가노 트리클로로실란의 가수분해에 의하여 부분적인 cage 구조의 헵타머 형태의 실록산과, cage 구조의 헵타머 형태 및 옥타머 형태의 실록산 등이 얻어지는데, 용해도 차이를 이용하여 헵타머 형태의 실록산을 분리하고, 이를 오르가노트리알콕시실란 또는 오르가노트리클로로실란의 축합 반응에 의하여 실세스퀴옥산 단량체를 얻을 수 있다. 실세스퀴옥산은 대략 RSiO3 / 2 의 화학 구조(R은 수소, 탄소수 1-10의 알킬기; 탄소수 2-10의 알케닐; 페닐과 같은 아릴기; 아릴렌기)를 가질 수 있지만, 본 발명에서 사용할 수 있는 실세스퀴옥산이 이에 한정되는 것은 아니다.
Figure 112013037786920-pat00002
실세스퀴옥산은 하층 코팅층의 점도, 투과도 및 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 특히, 전술한 상층 코팅층 조성물이 정전기 방지막의 경도 향상에 기여한다면, 하층 코팅층 조성물은 실세스퀴옥산을 더 포함함으로써 두꺼운 두께로 하층 코팅층을 형성하는데에 기여한다.
본 발명의 하층 코팅층을 형성하기 위한 하층 코팅층 조성물과 관련해서 전술한 실세스퀴옥산은 하층 코팅층 조성물에 대해 20 내지 30 중량부로 함유될 수 있다. 실세스퀴옥산의 함량이 20 중량부 이상이면, 하층 코팅층을 두꺼운 두께로 형성할 수 있고, 실세스퀴옥산의 함량이 30 중량부 이하이면, 제조되는 코팅막의 투과도를 달성할 수 있다.
따라서, 본 발명의 하층 코팅층을 형성하기 위한 하층 코팅층 조성물은 전도성 물질 20 내지 25 중량부, 테트라에틸오르소실리케이트 7 내지 11 중량부, 실세스퀴옥산 20 내지 30 중량부, 용매 25 내지 40 중량부 및 첨가제 8 내지 16 중량부를 포함하여 이루어진다.
이하, 전술한 본 발명의 정전기 방지막을 제조하기 위한 제조방법에 대해 설명한다.
본 발명의 정전기 방지막은 기판 상에 전술한 하층 코팅층 조성물을 도포하고, 도포된 하층 코팅층 조성물 중에 함유되어 있는 테트라에틸오르소실리케이트의 가교결합을 유도하고 열처리하여 용매를 제거하여, 전도성 물질 및 테트라에틸오르소실리케이트를 포함하는 하층 코팅층을 형성한다. 그리고, 하층 코팅층 상에 전술한 상층 코팅층 조성물을 도포하여 테트라에틸오르소실리케이트의 가교결합을 유도함과 아울러 실세스퀴옥산과 결합을 유도하고, 열처리하여 용매를 제거하여, 전도성 물질, 테트라에틸오르소실리케이트 및 실세스퀴옥산을 포함하는 상층 코팅층을 형성한다.
예를 들어, 본 발명의 하층 및 상층 코팅층 조성물은 스핀 코팅, 롤러 코팅, 스프레이 코팅, 바 코팅, 슬릿 코팅 등의 방법을 사용하여 기판 상에 도포될 수 있다. 형성된 하층 코팅층의 두께는 필요에 따라 달라질 수 있지만, 예를 들어, 도 2에서 나타난 블랙 스트라이프를 충분히 덮을 수 있도록 두껍게 도포되는 것이 바람직하다. 이때, 하층 코팅층의 두께 등을 조절하기 위하여, 하층 코팅층 조성물을 제조할 때, 고형분의 함량 및 점도 조절을 통하여 원하는 두께로 형성할 수 있다. 그리고, 상층 코팅층은 하층 코팅층의 두께보다 얇게 형성하여, 정전기 방지막의 상부의 표면 경도를 향상시키는 역할을 한다.
따라서 종래 배면ITO를 사용하는 경우와 달리, 본 발명의 정전기 방지막은 기판의 전 영역에 걸쳐 평탄한 막을 형성할 수 있으므로, 블랙 스트라이프가 형성된 영역과 그 사이의 기판 영역에서의 단차를 제거할 수 있다.
한편, 전술한 것과 같이, 본 발명에 따른 하층 및 상층 코팅층 조성물은 테트라에틸오르소실리케이트를 포함하는데, 테트라에틸오르소실리케이트는 졸겔반응을 거친 후, 하기 반응식에 나타나는 바와 같이 테트라에틸오르소실리케이트가 가수분해된 후 가수분해된 테트라에틸오르소실리케이트들끼리 가교결합되거나(2a), 테트라에틸오르소실리케이트와 가수분해된 테트라에틸오르소실리케이트가 가교결합되어(2b) 폴리실록산을 형성할 수 있다.
Figure 112013037786920-pat00003
상기 하층 코팅층 또는 상층 코팅층 조성물은 함유된 용매를 제거하기 위해 열처리하는 방법을 사용할 수 있다. 상기 열처리는 140 내지 230℃에서 10 내지 20분 동안 수행될 수 있다. 이와 같이 용매는 전부 증발, 제거되고 고형체인 전도성 물질과 가교결합된 폴리실록산만이 잔존하여 하층 및 상층 코팅층을 포함하는 정전기 방지막이 형성될 수 있다.
이하, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 바람직한 실시예를 개시한다. 다만, 하기의 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐 본 발명이 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다.
합성예
전도성 물질, 테트라에틸오르소실리케이트, 용매 및 첨가제를 하기 표 1에 기재한 중합 비율로 혼합하여 액상의 상층 코팅층 조성물을 제조하였고, 전도성 물질, 테트라에틸오르소실리케이트, 실세스퀴옥산, 용매 및 첨가제를 하기 표 1에 기재한 중합 비율로 혼합하여 액상의 하층 코팅층 조성물을 제조하였다.
코팅 조성물의 성분 함량
성분 하층 코팅층 조성물 상층 코팅층조성물
# 합성예 1 합성예 2 합성예 3
전도성 물질 PEDOT:PSS 20 25 0.6
실리콘 화합물 TEOS 10.5 10.5 15
SSQ 20 20
용매 PGME, AcAc, 물 38.75 34 83.9
첨가제
 NMP 10 10
Acetic Acid 0.5 0.5 0.5
기타 0.25
계 100 100 100
실시예 1 : 정전기 방지막의 제조 1
100×100 글라스 기판 상에 상기 합성예 1에 따라 제조된 하층 코팅층 조성물을 각각 600, 900, 1200rpm/15sec의 조건으로 달리하여 스핀 코팅으로 도포하고, 140℃에서 약 10분 동안 열처리하여 하층 코팅층을 형성하였다. 상기 하층 코팅층 상에 상기 합성예 3에 따라 제조된 상층 코팅층 조성물을 1000rpm/15sec의 조건으로 스핀 코팅하여 도포하고, 180℃에서 약 10분 동안 열처리하여 상층 코팅층을 형성하여 정전기 방지막을 제조하였다.
실시예 2 : 정전기 방지막의 제조 2
100×100 글라스 기판 상에 상기 합성예 2에 따라 제조된 하층 코팅층 조성물을 각각 600, 900, 1200, 1500rpm/15sec의 조건으로 달리하여 스핀 코팅으로 도포하고, 180℃에서 약 10분 동안 열처리하여 하층 코팅층을 형성하였다. 상기 하층 코팅층 상에 상기 합성예 3에 따라 제조된 상층 코팅층 조성물을 1000rpm/15sec의 조건으로 스핀 코팅하여 도포하고, 140℃에서 약 10분 동안 열처리하여 상층 코팅층을 형성하여 정전기 방지막을 제조하였다.
실시예 3 : 정전기 방지막의 제조 3
100×100 글라스 기판 상에 상기 합성예 2에 따라 제조된 하층 코팅층 조성물을 하기 표 2에 나타난 슬릿 코팅 조건으로 각각 달리하여 도포하고, 180℃에서 약 10분 동안 열처리하여 하층 코팅층을 형성하였다. 상기 하층 코팅층 상에 상기 합성예 3에 따라 제조된 상층 코팅층 조성물을 300nm의 두께로 슬릿 코팅하여 도포하고, 180℃에서 약 10분 동안 열처리하여 상층 코팅층을 형성하여 정전기 방지막을 제조하였다.
슬릿 코팅의 조건
# 두께(㎛) 코팅속도
(㎜/s)		 코팅 갭
(㎛)		 코팅길이
(㎜)		 펌프율
(㎕/s)		 전체 펌프양(㎕)
1 1.5 30 150 460 190 2850
2 2 30 150 460 250 3800
3 3 30 150 460 380 5700
4 4 30 150 460 500 7580
실시예 4 : 정전기 방지막의 제조 4
100×100 글라스 기판 상에 상기 합성예 1에 따라 제조된 하층 코팅층 조성물을 슬릿 코팅으로 도포하고, 140℃에서 약 10분 동안 열처리하여 하층 코팅층을 제조하였다.
실시예 5 : 정전기 방지막의 제조 5
100×100 글라스 기판 상에 1㎛ 두께의 블랙 매트릭스(BM)를 형성하고, 상기 실시예 4와 동일한 조건으로 하층 코팅층을 형성하였다. 하층 코팅층 상에 상기 합성예 3에 따라 제조된 상층 코팅층 조성물을 스핀 코팅하여 도포하고, 180℃에서 약 10분 동안 열처리하여 상층 코팅층을 형성하여 정전기 방지막을 제조하였다.
실시예 6 : 입체영상 표시장치의 제조 1
상기 실시예 5에서 제조된 하층 및 상층 코팅층을 포함하는 입체영상 표시장치를 제조하였다. 글라스인 컬러필터 기판의 상면에 1.2㎛ 두께의 블랙 스트라이프를 형성하고, 컬러필터 기판의 상면에 실시예 5에 따른 하층 및 상층 코팅층의 정전기 방지막을 1.3㎛ 두께로 형성하였다. 컬러필터 기판의 하면에 블랙 매트릭스, 컬러필터 및 공통전극을 형성하였다. 그리고, 박막트랜지스터 어레이 기판 상에 박막 트랜지스터 및 화소전극을 형성하고, 컬러필터 기판과 박막트랜지스터 어레이 기판을 합착하고 액정을 주입하여 액정셀을 제조하였다. 제조된 액정셀을 세정 모듈로 이동시켜, 연마벨트 세정(3M 산화알루미늄), 브러시를 이용한 표면 세정, 순수를 이용한 샤워 세정 등의 세정 공정 후 건조하였다. 컬러필터 기판의 상부와 박막트랜지스터 어레이 기판의 하부에 각각 편광판을 부착하여, 입체영상 표시장치를 제조하였다.
실시예 7 : 입체영상 표시장치의 제조 2
전술한 실시예 6과 동일한 공정 조건 하에, 1.3㎛ 두께의 블랙 스트라이프를 형성하고 1.7㎛ 두께의 정전기 방지막을 형성한 것만을 달리하여 입체영상 표시장치를 제조하였다.
비교예 : 오버코트층을 이용한 입체영상 표시장치의 제조
전술한 실시예 6과 동일한 공정 조건 하에, 본 발명의 정전기 방지막 대신에 오버코트층을 형성하여 입체영상 표시장치를 제조하였다.
실험예 1: 스핀 코팅에 의한 정전기 방지막의 기계적, 전기적, 광학적 특성 측정
전술한 실시예 1 및 2에 따라 제조된 정전기 방지막의 면저항, 투과율, 헤이즈, 반사율, 색좌표 및 연필경도를 측정하여 하기 표 2에 나타내었다.
정전기 방지막의 특성 측정 결과

Rpm
 면저항
(Log scale)		 투과율
(%)		 헤이즈
(%)		 반사율
(%)		 색좌표 연필경도
a* b*

실시예1
 600 4.4 96.9 0.49 7.74 -0.23 -0.87 9H
900 4.6 97.9 0.37 7.68 -0.01 -0.67 9H
1200 4.8 98.6 0.28 8.02 -0.13 -0.86 9H

실시예2

 600 4.5 96.8 0.29 7.68 -0.2 -0.82 9H
900 4.7 97.9 0.26 7.77 0.27 -0.69 9H
1200 4.9 98.4 0.24 7.81 0.51 -0.70 9H
1500 5.1 98.9 0.21 7.78 -0.31 -0.59 9H
상기 표 3를 참조하면, 하층 코팅층의 성분 함량이 달라지고 스핀 코팅 조건이 600, 900, 1200, 1500으로 달라져도, 약 96% 이상의 투과율, 약 0.5% 이하의 헤이즈, 약 8% 이하의 반사율 및 투명에 가까운 색좌표를 나타내어 광학적 특성이 글라스 기판에 유사한 것을 알 수 있다. 또한, 연필경도가 9H 이상을 나타내고, 5.1 이하의 면저항으로 나타내는 것을 알 수 있다.
실험예 2: 슬릿 코팅에 의한 정전기 방지막의 기계적, 전기적, 광학적 특성 측정
전술한 실시예 3에 따라 제조된 정전기 방지막의 코팅성, 연필경도, 헤이즈, 투과도, 반사율 및 색좌표를 측정하여 하기 표 4에 나타내었다.
정전기 방지막의 특성 측정 결과
#
 코팅성
 연필경도
 헤이즈
(%)		 투과도
(%)		 반사율
(%)		 색좌표
a* b*
1 OK 8H 0.79 96.8 7.68 -0.02 -0.81
2 OK 8H 0.64 95.7 7.63 -0.07 -0.74
3 OK 9H 0.68 92.8 7.56 -0.21 -0.81
4 OK 9H 0.94 90.6 7.43 -0.22 -0.84
상기 표 4를 참조하면, 전술한 스핀 코팅으로 형성한 정전기 방지막의 특성과 동등 수준의 연필경도, 헤이즈, 투과도, 반사율 및 색좌표가 나타나는 것을 알 수 있다.
실험예 3: 정전기 방지막의 구조에 따른 기계적, 전기적, 광학적 특성 측정
전술한 실시예 4 및 5에 따라 제조된 정전기 방지막의 코팅성, 두께, 연필경도, 면저항, 투과율, 헤이즈, 반사율 및 색좌표를 측정하여 하기 표 5에 나타내었고, 베어글라스 기판의 투과율, 헤이즈, 반사율 및 색좌표를 함께 나타내었다. 또한, 실시예 5에 따라 제조된 정전기 방지막의 SEM 사진을 도 3a 및 도 3b에 나타내었다.
정전기 방지막의 특성 측정 결과

코팅성
 두께
(㎛)
 연필
경도
 면저항
 투과율
(%)
 헤이즈
(%)
 반사율
(%)
 색좌표
a* b*
베어
글라스		 100 0.18 8.27 0.04 -0.57
실시예4 OK 1.33 6H 4.5 96.8 0.29 7.68 -0.2 -0.82
실시예5 OK 2.79 9H 4.7 97.9 0.26 7.77 0.27 -0.69
상기 표 5를 참조하면, 하층 코팅층의 단층으로 이루어진 실시예 4보다 하층과 상층 코팅층의 2층 구조인 실시예 5의 연필경도, 투과율, 헤이즈 및 색좌표 특성이 우수한 것을 알 수 있다.
또한, 도 3a 및 도 3b를 참조하면, 2층 구조의 정전기 방지막의 코팅성이 양호한 것을 확인할 수 있고, 블랙 매트릭스와 같은 구조물의 단차를 메울 수 있음을 확인하였다.
실험예 4: 컬러필터 기판의 스크래치 검사
전술한 실시예 6, 7 및 비교예에 따라 제조된 입체영상 표시장치의 컬러필터 기판의 스크래치를 검사하였다. 컬러필터 기판의 스크래치 검사 결과를 도 4 내지 7에 나타내었다.
도 4는 비교예에 따라 블랙 스트라이프 상에 오버코트층을 형성한 컬러필터 기판의 스크래치를 측정한 SEM 사진이다. 도 4에 도시된 바와 같이, 세로 형태의 스크래치가 발생한 것을 확인하였다.
도 5는 실시예 6에 따라 제조된 컬러필터 기판의 스크래치를 측정한 SEM 사진이고, 도 6은 실시예 7에 따라 제조된 컬러필터 기판의 스크래치를 측정한 SEM 사진이다. 도 5 및 도 6에 나타난 바와 같이, 컬러필터 기판의 최외곽의 블랙 스트라이프 부분에서만 눈으로 인식되지 않을 정도의 작은 스크래치가 발생하였음을 확인하였다.
또한, 도 7은 본 발명의 실시예 7에 따라 제조된 컬러필터 기판의 스크래치를 측정한 SEM 사진이다. 도 7에 나타나는 바와 같이, 본 발명의 정전기 방지막을 사용하면, 최외곽의 블랙 스트라이프 부분에만 눈으로 인식되지 않을 정도로 작은 스크래치가 발생하였음을 알 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 설명하였지만, 상술한 본 발명의 기술적 구성은 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자가 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 한다. 아울러, 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어진다. 또한, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
110 : 박막트랜지스터 어레이 기판 120 : 컬러필터 기판
130 : 블랙 매트릭스 135 : 컬러필터
150 : 액정층 160 : 블랙 스트라이프
170 : 정전기 방지막 172 : 하부 코팅층
174 : 상부 코팅층 195 : 패턴드 리타더 필름

Claims (13)

  1. 기판;
    상기 기판 상에 위치하며, 전도성 물질, 테트라에틸오르소실리케이트 및 실세스퀴옥산(SSQ)을 포함하는 하층 코팅층; 및
    상기 하층 코팅층 상에 위치하며, 상기 전도성 물질 및 상기 테트라에틸오르소실리케이트(TEOS)를 포함하는 상층 코팅층을 포함하고,
    상기 하층 코팅층의 전도성 물질과 상층 코팅층의 전도성 물질이 동일하고, 상기 상층 코팅층 및 하층 코팅층의 각각 함량 100을 기준으로 상기 하층 코팅층의 전도성 물질은 상기 상층 코팅층의 전도성 물질보다 함량이 높은 것을 특징으로 하는 정전기 방지막.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 전도성 물질은 탄소나노튜브(CNT), 금속산화물, 그래핀 및 전도성 고분자로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 정전기 방지막.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 전도성 고분자는 폴리플루오렌(polyfluorene), 폴리페닐렌(polyphenylene), 폴리피렌(polypyrene), 폴리아줄렌(polyazulene), 폴리나프탈렌(polynaphthalene), 폴리아세틸렌(polyacetylene, PAC), 폴리-p-페닐렌비닐렌(poly(p-phenylene vinylene, PPV), 폴리피롤(polypyrrole, PPY), 폴리카바졸(polycarbazole), 폴리인돌(polyindole), 폴리아제핀(polyzepine), 폴리티에닐렌비닐렌(poly(thienylene vinylene), 폴리아닐린(polyaniline, PANI), 폴리티오펜(poly(thiophene)), 폴리(p-페닐렌설파이드(poly(p-phenylene sulfide, PPS), 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜(poly(3,4-ethylenedioxy thiophene, PEDOT), 폴리스티렌술폰산(poly(styrene sulfonate, PSS)로 도핑된 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)(PEDOT:PSS), 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)-테트라메타크릴레이트(PEDOT-TMA), 폴리퓨란(polyfuran) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 정전기 방지막.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 하층 코팅층의 두께는 상기 상층 코팅층의 두께보다 두꺼운 것을 특징으로 하는 정전기 방지막.
  5. 기판을 준비하는 단계;
    상기 기판 상에 전도성 물질 20 내지 25 중량부, 테트라에틸오르소실리케이트 7 내지 11 중량부, 실세스퀴옥산 20 내지 30 중량부, 용매 25 내지 40 중량부 및 첨가제 8 내지 16 중량부를 포함하는 하층 코팅층 조성물을 도포하고 열처리하여 하층 코팅층을 형성하는 단계;
    상기 하층 코팅층 상에 전도성 물질 0.1 내지 10 중량부, 테트라에틸오르소실리케이트 5 내지 30 중량부, 용매 30 내지 60 중량부 및 첨가제 8 내지 16 중량부를 포함하는 상층 코팅층 조성물을 도포하고 열처리하여 상층 코팅층을 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 하층 코팅층의 전도성 물질과 상층 코팅층의 전도성 물질이 동일하고, 상기 상층 코팅층 및 하층 코팅층의 각각 함량 100을 기준으로 상기 하층 코팅층의 전도성 물질은 상기 상층 코팅층의 전도성 물질보다 함량을 높게 형성시키는 것을 특징으로 하는 정전기 방지막의 제조방법.
  6. 제5 항에 있어서,
    상기 전도성 물질은 탄소나노튜브(CNT), 금속산화물, 그래핀 및 전도성 고분자로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 정전기 방지막의 제조방법.
  7. 제6 항에 있어서,
    상기 전도성 고분자는 폴리플루오렌(polyfluorene), 폴리페닐렌(polyphenylene), 폴리피렌(polypyrene), 폴리아줄렌(polyazulene), 폴리나프탈렌(polynaphthalene), 폴리아세틸렌(polyacetylene, PAC), 폴리-p-페닐렌비닐렌(poly(p-phenylene vinylene, PPV), 폴리피롤(polypyrrole, PPY), 폴리카바졸(polycarbazole), 폴리인돌(polyindole), 폴리아제핀(polyzepine), 폴리티에닐렌비닐렌(poly(thienylene vinylene), 폴리아닐린(polyaniline, PANI), 폴리티오펜(poly(thiophene)), 폴리(p-페닐렌설파이드(poly(p-phenylene sulfide, PPS), 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜(poly(3,4-ethylenedioxy thiophene, PEDOT), 폴리스티렌술폰산(poly(styrene sulfonate, PSS)로 도핑된 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)(PEDOT:PSS), 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)-테트라메타크릴레이트(PEDOT-TMA), 폴리퓨란(polyfuran) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 정전기 방지막의 제조방법.
  8. 제5 항에 있어서,
    상기 열처리는 140 내지 230℃에서 10 내지 20분 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 정전기 방지막의 제조방법.
  9. 제5 항에 있어서,
    상기 하층 코팅층 조성물 또는 상기 상층 코팅층 조성물은 슬릿 코팅 또는 스핀 코팅으로 도포되는 것을 특징으로 하는 정전기 방지막의 제조방법.
  10. 박막트랜지스터 어레이 기판;
    상기 박막트랜지스터 어레이 기판에 대향하며, 블랙 매트릭스를 포함하는 컬러필터 기판;
    상기 컬러필터 기판 상에 형성되며, 상기 블랙 매트릭스와 대응하게 형성된 블랙 스트라이프;
    상기 블랙 스트라이프 상에 형성된 정전기 방지막; 및
    상기 정전기 방지막 상에 배치되는 패턴드 리타드 필름을 포함하며,
    상기 정전기 방지막은 전도성 물질, 테트라에틸오르소실리케이트 및 실세스퀴옥산(SSQ)을 포함하는 하층 코팅층 및 상기 하층 코팅층 상에 위치하며, 상기 전도성 물질 및 상기 테트라에틸오르소실리케이트(TEOS)를 포함하는 상층 코팅층을 포함하고,
    상기 패턴드 리타드 필름은 상기 상층 코팅층 상에 배치되며, 동일 평면 상에 나란히 배치되는 제1 리타드 패턴과 제2 리타드 패턴 및, 상기 제1 리타드 패턴과 제2 리타드 패턴 상에 배치되는 보호필름을 포함하되,
    상기 하층 코팅층의 전도성 물질과 상층 코팅층의 전도성 물질이 동일하고, 상기 상층 코팅층 및 하층 코팅층의 각각 함량 100을 기준으로 상기 하층 코팅층의 전도성 물질은 상기 상층 코팅층의 전도성 물질보다 함량이 높은 것을 특징으로 하는 입체영상 표시장치.
  11. 제10 항에 있어서,
    상기 전도성 물질은 탄소나노튜브(CNT), 금속산화물, 그래핀 및 전도성 고분자로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 입체영상 표시장치.
  12. 제11 항에 있어서,
    상기 전도성 고분자는 폴리플루오렌(polyfluorene), 폴리페닐렌(polyphenylene), 폴리피렌(polypyrene), 폴리아줄렌(polyazulene), 폴리나프탈렌(polynaphthalene), 폴리아세틸렌(polyacetylene, PAC), 폴리-p-페닐렌비닐렌(poly(p-phenylene vinylene, PPV), 폴리피롤(polypyrrole, PPY), 폴리카바졸(polycarbazole), 폴리인돌(polyindole), 폴리아제핀(polyzepine), 폴리티에닐렌비닐렌(poly(thienylene vinylene), 폴리아닐린(polyaniline, PANI), 폴리티오펜(poly(thiophene)), 폴리(p-페닐렌설파이드(poly(p-phenylene sulfide, PPS), 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜(poly(3,4-ethylenedioxy thiophene, PEDOT), 폴리스티렌술폰산(poly(styrene sulfonate, PSS)로 도핑된 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)(PEDOT:PSS), 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)-테트라메타크릴레이트(PEDOTTMA), 폴리퓨란(polyfuran) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 입체영상 표시장치.
  13. 제10 항에 있어서,
    상기 하층 코팅층의 두께는 상기 상층 코팅층의 두께보다 두꺼운 것을 특징으로 하는 입체영상 표시장치.
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US14/098,854 US9753291B2 (en) 2013-04-29 2013-12-06 Antistatic film, method for manufacturing the same, and display device including the same
CN201310705371.5A CN104118179B (zh) 2013-04-29 2013-12-19 抗静电膜、抗静电膜的制造方法和包括抗静电膜的显示装置

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Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014070500A1 (en) * 2012-10-29 2014-05-08 3M Innovative Properties Company Conductive inks and conductive polymeric coatings
KR102040011B1 (ko) * 2013-12-26 2019-11-05 엘지디스플레이 주식회사 디스플레이 장치의 정전기 방지 장치와 이의 제조 방법
US9583358B2 (en) 2014-05-30 2017-02-28 Samsung Electronics Co., Ltd. Hardmask composition and method of forming pattern by using the hardmask composition
KR102287343B1 (ko) 2014-07-04 2021-08-06 삼성전자주식회사 하드마스크 조성물 및 이를 이용한 패턴의 형성방법
KR102287344B1 (ko) 2014-07-25 2021-08-06 삼성전자주식회사 하드마스크 조성물 및 이를 이용한 패턴의 형성방법
KR102384226B1 (ko) * 2015-03-24 2022-04-07 삼성전자주식회사 하드마스크 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성방법
KR102463893B1 (ko) * 2015-04-03 2022-11-04 삼성전자주식회사 하드마스크 조성물 및 이를 이용한 패턴의 형성방법
KR102455431B1 (ko) 2015-06-02 2022-10-17 삼성전자주식회사 마찰전기 발전기
JP6499535B2 (ja) * 2015-07-09 2019-04-10 信越化学工業株式会社 被覆品、及びパターン形成方法
US10656308B2 (en) * 2015-09-30 2020-05-19 Zeon Corporation Antistatic hard coat film, polarizing plate, touch panel, liquid crystal display device, and manufacturing method
WO2017116656A1 (en) 2015-12-29 2017-07-06 3M Innovative Properties Company Composites for high frequency electromagnetic interference (emi) applications
KR102436187B1 (ko) * 2015-12-31 2022-08-26 엘지디스플레이 주식회사 정전기 방지막의 제조방법 및 표시장치의 제조방법
KR20170081003A (ko) 2015-12-31 2017-07-11 엘지디스플레이 주식회사 전도성 코팅액 조성물, 이를 이용한 정전기 방지막 및 표시장치
KR102563261B1 (ko) 2015-12-31 2023-08-07 엘지디스플레이 주식회사 전도성 코팅액 조성물, 이를 이용한 정전기 방지막 및 표시장치
CN105778432B (zh) * 2016-05-16 2018-06-01 深圳市华星光电技术有限公司 透明防静电膜的制备方法
CN107286550A (zh) * 2017-05-19 2017-10-24 合肥市惠科精密模具有限公司 一种tft‑lcd屏用抗静电滤光膜的制备方法
US11034847B2 (en) 2017-07-14 2021-06-15 Samsung Electronics Co., Ltd. Hardmask composition, method of forming pattern using hardmask composition, and hardmask formed from hardmask composition
KR102433666B1 (ko) 2017-07-27 2022-08-18 삼성전자주식회사 하드마스크 조성물, 이를 이용한 패턴의 형성방법 및 상기 하드마스크 조성물을 이용하여 형성된 하드마스크
KR102486388B1 (ko) 2017-07-28 2023-01-09 삼성전자주식회사 그래핀 양자점의 제조방법, 상기 제조방법에 따라 얻어진 그래핀 양자점을 포함한 하드마스크 조성물, 이를 이용한 패턴의 형성방법 및 상기 하드마스크 조성물을 이용하여 형성된 하드마스크
CN108089366B (zh) * 2017-12-06 2021-04-23 Tcl华星光电技术有限公司 一种彩膜基板及其制备方法
US20220135811A1 (en) * 2020-10-29 2022-05-05 The Boeing Company Static dissipating coatings, electronic circuits comprising such coatings, and methods of forming such coatings and circuits
CN112708358B (zh) * 2020-12-24 2022-10-28 无锡新树胶粘制品有限公司 一种防静电薄膜及其制备方法
CN112967834A (zh) * 2021-03-10 2021-06-15 杭州安誉科技有限公司 用于温度传感器的导电材料及其用途
CN114874690B (zh) * 2022-05-26 2023-07-25 苏州纳普乐思纳米材料有限公司 长效抗静电剂、制备方法及抗静电膜
JP2023178003A (ja) * 2022-06-03 2023-12-14 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19650147A1 (de) * 1996-12-04 1998-06-10 Bayer Ag Leitfähige, organisch-anorganische Hybridmaterialien
US6201051B1 (en) * 1996-12-04 2001-03-13 Bayer Aktiengesellschaft Conducting organic-inorganic hybrid materials
US6043147A (en) * 1997-12-18 2000-03-28 Advanced Micro Devices, Inc. Method of prevention of degradation of low dielectric constant gap-fill material
JP4430194B2 (ja) * 1999-05-31 2010-03-10 日本板硝子株式会社 透明積層体およびこれを用いたガラス物品
KR100487356B1 (ko) * 2001-12-17 2005-05-03 엘지.필립스 엘시디 주식회사 터치패널의 신호선 형성방법
US6861751B2 (en) * 2002-12-09 2005-03-01 Integrated Device Technology, Inc. Etch stop layer for use in a self-aligned contact etch
US7041365B2 (en) * 2003-05-12 2006-05-09 3M Innovative Properties Company Static dissipative optical construction
KR100683790B1 (ko) * 2005-07-12 2007-02-15 삼성에스디아이 주식회사 무기 전도체를 이용한 수소이온 전도성 복합막 및 그의제조방법
KR101386215B1 (ko) * 2006-06-07 2014-04-17 삼성디스플레이 주식회사 전도성 고분자 조성물 및 이를 채용한 유기 광전 소자
JP2008203861A (ja) * 2008-03-05 2008-09-04 Nitto Denko Corp 帯電防止性粘着偏光板、その製造方法、液晶パネルおよび液晶表示装置
US20130010246A1 (en) * 2010-04-16 2013-01-10 Masahiko Miwa Method for manufacturing electronic substrate, method for manufacturing liquid crystal display device, electronic substrate, and liquid crystal display device
KR101324403B1 (ko) * 2011-06-22 2013-11-01 엘지디스플레이 주식회사 입체영상 표시장치 및 그 제조방법
CN102722045B (zh) 2012-06-07 2013-11-20 深圳市华星光电技术有限公司 立体显示器

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