TWI621703B - 導電高分子組成物溶液以及其抗靜電膜與平面顯示器 - Google Patents

導電高分子組成物溶液以及其抗靜電膜與平面顯示器 Download PDF

Info

Publication number
TWI621703B
TWI621703B TW106102940A TW106102940A TWI621703B TW I621703 B TWI621703 B TW I621703B TW 106102940 A TW106102940 A TW 106102940A TW 106102940 A TW106102940 A TW 106102940A TW I621703 B TWI621703 B TW I621703B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
conductive polymer
polymer composition
solvent
composition solution
boiling point
Prior art date
Application number
TW106102940A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201827556A (zh
Inventor
陳馨仁
劉孟泊
Original Assignee
新應材股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 新應材股份有限公司 filed Critical 新應材股份有限公司
Priority to TW106102940A priority Critical patent/TWI621703B/zh
Priority to US15/666,390 priority patent/US20180210115A1/en
Application granted granted Critical
Publication of TWI621703B publication Critical patent/TWI621703B/zh
Publication of TW201827556A publication Critical patent/TW201827556A/zh

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B1/00Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
    • G02B1/10Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements
    • G02B1/16Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements having an anti-static effect, e.g. electrically conducting coatings
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09DCOATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D125/00Coating compositions based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by an aromatic carbocyclic ring; Coating compositions based on derivatives of such polymers
    • C09D125/18Homopolymers or copolymers of aromatic monomers containing elements other than carbon and hydrogen
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09DCOATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D5/00Coating compositions, e.g. paints, varnishes or lacquers, characterised by their physical nature or the effects produced; Filling pastes
    • C09D5/24Electrically-conducting paints
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09DCOATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D7/00Features of coating compositions, not provided for in group C09D5/00; Processes for incorporating ingredients in coating compositions
    • C09D7/20Diluents or solvents
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09DCOATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D7/00Features of coating compositions, not provided for in group C09D5/00; Processes for incorporating ingredients in coating compositions
    • C09D7/40Additives
    • C09D7/47Levelling agents
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09DCOATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D7/00Features of coating compositions, not provided for in group C09D5/00; Processes for incorporating ingredients in coating compositions
    • C09D7/40Additives
    • C09D7/60Additives non-macromolecular
    • C09D7/63Additives non-macromolecular organic
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09DCOATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D7/00Features of coating compositions, not provided for in group C09D5/00; Processes for incorporating ingredients in coating compositions
    • C09D7/40Additives
    • C09D7/65Additives macromolecular
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/60Protection against electrostatic charges or discharges, e.g. Faraday shields
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00Use of organic ingredients
    • C08K5/54Silicon-containing compounds
    • C08K5/541Silicon-containing compounds containing oxygen
    • C08K5/5415Silicon-containing compounds containing oxygen containing at least one Si—O bond
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L2201/00Properties
    • C08L2201/04Antistatic
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L2203/00Applications
    • C08L2203/16Applications used for films
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L2203/00Applications
    • C08L2203/20Applications use in electrical or conductive gadgets
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L2205/00Polymer mixtures characterised by other features
    • C08L2205/03Polymer mixtures characterised by other features containing three or more polymers in a blend
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L25/00Compositions of, homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by an aromatic carbocyclic ring; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L25/18Homopolymers or copolymers of aromatic monomers containing elements other than carbon and hydrogen
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L65/00Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain; Compositions of derivatives of such polymers
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09DCOATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D165/00Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain; Coating compositions based on derivatives of such polymers
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B2207/00Coding scheme for general features or characteristics of optical elements and systems of subclass G02B, but not including elements and systems which would be classified in G02B6/00 and subgroups
    • G02B2207/121Antistatic or EM shielding layer
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133528Polarisers
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2202/00Materials and properties
    • G02F2202/22Antistatic materials or arrangements
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/86Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Paints Or Removers (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)

Abstract

本發明提供一種導電高分子組成物溶液,包含:(A)導電高分子,包含:Π共軛體系導電性高分子;以及具有多價陰離子之高分子,其中所述具有多價陰離子之高分子係摻雜於所述Π共軛體系導電性高分子中;(B)烷氧基矽烷,佔所述導電高分子組成物溶液的1~5.5 wt%之間;以及(C)溶劑,包含:沸點介於55℃~120℃之間的低沸點溶劑;沸點介於170℃~250℃之間且與水互溶的高沸點溶劑;以及水。本發明還同時提供導電高分子組成物溶液形成的抗靜電膜,以及包含所述抗靜電膜的平面顯示器。

Description

導電高分子組成物溶液以及其抗靜電膜與平面顯示器
本發明是關於一種導電高分子組成物溶液,以及其抗靜電模與平面顯示器,尤其是關於一種能具有良好流平性的導電高分子組成物溶液,並且其抗靜電膜能具有良好的硬度與適用於電子顯示器的表面電阻值。
近年來各類型顯示器廣泛被使用,例如,電漿平面顯示器、有機電激發光平面顯示器液晶平面顯示器等,而為了預防靜電電荷的累積造成人們使用上的不便,或影響元件效能。已知有在使用作為導電薄膜的材質例如銦錫氧化物(Indium Tin Oxide,簡稱ITO),被廣泛使用在平面顯示器、太陽電池及觸控面板等產品中。但除了價格昂貴及材料來源日益匱乏之外,由於觸控面板在使用的過程中需要經常性對ITO膜施予壓力或使其彎曲,造成ITO膜的老化,甚至產生裂痕。另外,在一般情況下,ITO材質之電阻值至高只能達到103Ω/m2,若要達到所需的靜電放電效果,除了製程上的厚度必需嚴格控制,同時導致元件須提供較大電壓,造成電力損耗。因此,有需要提供一種新的材料取代習知的ITO膜。
導電高分子因具有優良的靜電姓、耐久不易變質、無粒子粉塵產生,以及優良的熱穩定性與抗水解性等特點,是為受到歡迎的導電聚合物之一。並且其不同於ITO材質,其價格便宜且耐彎曲,可以改善習知使用ITO 易脆及價格昂貴的缺點,因此業界已開始嘗試將抗靜電薄膜材料應用於相關產品。
但由於導電高分子本身的物理與化學特性,要形成具有高光學透明度、符合產品需求的抗靜電薄膜並不容易。例如導電高分子一般並非透明無色,加上與有機溶劑類聚合物、單體等不易均勻混合,造成了合成、製程與應用上的困難。
本發明提供一種導電高分子組成物溶液,包含:(A)導電高分子,佔所述導電高分子組成物溶液的重量百分範圍介於0.01~0.1wt%之間,包含:Π共軛體系導電性高分子;以及具有多價陰離子之高分子,其中所述具有多價陰離子之高分子摻雜於所述Π共軛體系導電性高分子中;(B)烷氧基矽烷,佔所述導電高分子組成物溶液的重量百分範圍介於1~5.5wt%之間;以及(C)溶劑,包含:沸點介於55℃~120℃之間的低沸點溶劑;沸點介於170℃~250℃之間且與水互溶的高沸點溶劑;以及水。
在本發明的較佳實施例中,所述導電高分子組成物溶液的黏度介於3~5cp之間。
在本發明的較佳實施例中,所述導電高分子為聚(3,4-伸乙二氧基噻吩)-聚苯乙烯磺酸酯,並且所述烷氧基矽烷與所述導電高分子的重量比範圍介於35~100之間。
在本發明的較佳實施例中,所述低沸點溶劑佔所述溶劑的55~81wt%,所述高沸點溶劑佔所述溶劑的1~15wt%,且所述水佔所述溶劑的10~30wt%。
在本發明的較佳實施例中,所述導電高分子組成物溶液,還包含:流平劑,佔所述導電高分子組成物溶液的0.01~1.0wt%。
在本發明的較佳實施例中,所述流平劑選自含羥基聚酯改性矽氧烷類、丙烯酸酯共聚體、聚醚改性矽氧烷類流平劑、芳烷基烷基改性矽氧烷類中之任一者或其組合。
在本發明的較佳實施例中,所述烷氧基矽烷選自四甲氧基矽烷、四乙基矽氧烷、四乙基氧矽烷、原矽酸四乙酯或矽酸乙酯中之任一者或任意組合。
在本發明的較佳實施例中,所述低沸點溶劑選自異丙醇(簡稱IPA)、乙醇以及酮類中之任一者或任意組合。
在本發明的較佳實施例中,所述高沸點溶劑選自乙二醇、高碳數醇類、N-甲基吡咯酮以及二甲基亞碸中之任一者或其組合。
本發明同時提供一種抗靜電膜,所述導電高分子組成物溶液經塗佈與乾燥製程形成。
本發明同時提供一種抗靜電膜,所述乾燥製程是於80℃~150℃下烘烤3~30分鐘。
在本發明的較佳實施例中,所述抗靜電膜具有5H以上的硬度。
在本發明的較佳實施例中,所述抗靜電膜的表面電阻值介於106~1012之間。
在本發明的較佳實施例中,所述抗靜電膜的表面電阻值介於108~1010之間。
本發明還提供一種平面顯示器,包含所述抗靜電膜。
在本發明的較佳實施例中,所述平面顯示器,還包含偏光板,直接覆蓋所述抗靜電膜。
因此,本發明所提供的導電高分子組成物溶液能做為光學透明塗料,或抗靜電膜塗佈溶液使用,符合光學製品抗靜電性且不降低其可見光範圍內,並且其固化後形成的抗靜電膜,包含少量的導電高分子,同時還具有低霧度、優異的硬度和表面抗刮傷等特性,適於形成導電塗層應用於例如液晶顯示器(簡稱LCD)、有機電激發光顯示器(簡稱OLED)等平面顯示器。依據本發明揭示的抗靜電膜,因其包含導電高分子與矽烷(silane)結構,因此可以取代現有價格高昂的ITO層或抗靜電材。將本發明的導電高分子組成物溶液可塗佈於電子設備液晶胞上、OLED出光側基板上,可避免靜電放電(electrostatic discharge,簡稱ESD)對電子設備的損害,能夠直接快速的將電子設備表面的靜電導流,達到理想的抗靜電效果。本發明所提供的導電高分子組成物溶液可以作為抗靜電塗佈溶液,不僅其塗佈後流平性佳,其硬度特性的表現可達到5H以上,避免因產線滾輪移動導致的受損,並且其表面電阻值也能達到良好的導流靜電電荷的效果,而不會導通元件電路,亦有優良的耐候性,提高產品的耐久、耐用度。
10‧‧‧LCD平面顯示器
20‧‧‧OLED顯示面板
101‧‧‧背光模組
102‧‧‧下偏光板
103‧‧‧顯示元件模組
104‧‧‧上偏光板
105‧‧‧抗靜電膜
106‧‧‧保護玻璃
201‧‧‧下基板
202‧‧‧顯示元件模組
203‧‧‧上基板
204‧‧‧偏光片
205‧‧‧抗靜電膜
為讓本發明之上述和其他目的、特徵和優點能更明顯易懂,下文特舉數個較佳實施例,並配合所附圖式,作詳細說明如下:圖1所示為依據本發明之一實施例,具有本發明所提供的抗靜電膜的LCD平面顯示器;以及圖2所示為依據本發明之一實施例,具有本發明所提供的抗靜電膜的OLED平面顯示器。
本發明揭示一種導電高分子組成物溶液、其抗靜電膜以及其平面顯示器,其一目的在於提供能符合光學製品抗靜電性且不降低其可見光範圍內的光學透明塗料,另一目的是提供抗靜電性的固化塗料,其所形成的抗靜電膜能達到導流靜電電荷又不會導通元件電路或是造成耗電的優良功效,並且具有低霧度、優異的硬度和表面抗刮傷等特性,適於形成抗靜電塗層,應用於例如液晶顯示器(簡稱LCD)、有機電激發光顯示器(簡稱OLED)等平面顯示器。其中包含導電高分子與矽烷(silane)結構,可以取代現有價格高昂的ITO層或抗靜電材。將本發明的抗靜電組成物塗布在合板上,可有效避免靜電放電(electrostatic discharge,簡稱ESD)對電子設備的損害,能夠直接快速的將電子設備表面的靜電導流,達到理想的抗靜電效果之外,本發明材料藉由調整流平性符合塗佈需求(尤其是塗佈於含矽基板上,亦能具有良好的流平性),且其硬度特性的表現可達到5H以上,不受滾輪移動受損,提高產品的耐久、耐用度。
為讓本發明之上述和其他目的、特徵、優點能更明顯易懂,下文將分別針對導電高分子組成物溶液及其抗靜電膜的製造方法做說明。同時提供本發明之不同實施例以及比較例之測試結果,以具體說明本發明及其功效。
本發明的導電高分子組成物溶液是為形成抗靜電膜的塗佈溶液,包含成份(A)導電高分子、(B)烷氧基矽烷以及(C)溶劑,並且可以選擇性加入(D)流平劑。其中(A)導電高分子係包括(a)Π共軛體系導電性高分子以及(b)具有多價陰離子之高分子,(b)具有多價陰離子之高分子係摻雜於(a)Π共軛體系導電性高分子,並且(A)導電高分子佔導 電高分子組成物溶液的0.005~0.1wt%;(B)烷氧基矽烷係佔導電高分子組成物溶液的1~10wt%;而(C)溶劑包括沸點介於55℃~120℃之間的低沸點溶劑、沸點介於170℃~250℃之間且與水互溶的高沸點溶劑,以及水。本發明的上述導電高分子組成物溶液具有介於3~5cp的黏度。
(A)導電高分子
本發明的導電高分子組成物溶液中所含的(A)導電高分子為有機高分子,並且溶於水,其所包含的(a)Π共軛體系導電性高分子為選自聚噻吩類、聚吡咯類、聚伸苯類、聚苯胺類、聚併苯類中之任一者或任意組合;(b)具有多價陰離子之高分子為選自磺酸基、磷酸基、以及羧基中之任一種或一種以上的混合物。本案(A)導電高分子較佳為聚(3,4-伸乙二氧基噻吩)-聚苯乙烯磺酸酯,英文簡稱PEDOT:PSS(poly(3,4-ethylenedioxythiophene):polystyrene sulfonate);並且(A)導電高分子相對於導電高分子組成物溶液的重量百分比較佳為0.01~0.1wt%。。
(B)烷氧基矽烷
本發明的導電高分子組成物溶液中所含的(B)烷氧基矽烷可以包含任何種類之矽氧化合物前驅物,例如四甲氧基矽烷(tetramethoxysilane,簡稱TMOS)、四乙氧基矽烷(tetraethoxysilane,簡稱TEOS)、或上述化合物之任意組合物。本案(B)烷氧基矽烷較佳佔導電高分子組成物溶液的1~5.5wt%。
(C)溶劑
本發明的導電高分子組成物溶液中的(C)溶劑包含沸點介於55℃~120℃之間的低沸點溶劑,例如是異丙醇(簡稱IPA)、乙醇、酮類、上述任一者或其組合,佔(C)溶劑的55~81wt%;沸點介於170℃~250 ℃之間且與水互溶的高沸點溶劑,例如是乙二醇(簡稱EG)、高碳數醇類、N-甲基吡咯酮(N-methyl-2-pyrrolidone,簡稱NMP)、二甲基亞碸(dimethyl sulfoxide,簡稱DMSO)、上述任一者或其組合,佔(C)溶劑的1~15wt%;以及水,佔(C)溶劑的10~30wt%。較佳為選用IPA作為低沸點溶劑,因其可以與水以及(B)烷氧基矽烷(溶於有機溶劑)互溶。
(D)流平劑
本發明的導電高分子組成物溶液中選擇性包含(D)流平劑,包括含羥基聚酯改性矽氧烷類、丙烯酸酯共聚體、聚醚改性矽氧烷類、芳烷基烷基改性矽氧烷類、或上述任意組合,其中較佳為聚醚改性矽氧烷類流平劑。本案的(D)流平劑相對於導電高分子組成物溶液的重量百分比介於0.01~1.0wt%之間。
導電高分子雖然相較於習知使用的ITO或是其他抗靜電材料具有適於作為抗靜電膜的優異特性,但因其化學特性、與有機溶劑類聚合物/單體混合性不佳,以致難以應用與合成,尤其成分比例調控不易。(A)導電高分子所佔比例太少會造成不導電,太多又會連同元件電路線一起導通,加上本身溶於水,因此要達到市場上對於產品的耐熱性、耐水性、等耐環境性有一定的困難。但本發明依據上述提供的導電高分子組成物溶液固化後製作出的固化膜,在抗靜電效果、硬度、耐候度等要求上,都能達到所需之規格。
除了考量(A)導電高分子本身比例的調控外,上述其他成份亦會影響其能否順利塗佈、固化成膜。(B)烷氧基矽烷的比例會影響固化膜的硬度與防水性。例如上述說明(B)烷氧基矽烷的佔導電高分子組成物溶液的重量百分比1~10wt%,且較佳為1~5.5wt%,經過本案發明人多次 研究後發現,當(B)烷氧基矽烷含量小於1wt%時,成膜後的結構會不夠緊密,導致無法達到所需之硬度;而當(B)烷氧基矽烷含量大於10wt%時,由於(B)烷氧基矽烷本身屬為無機物,為非導體,導電高分子組成物溶液所含的非導體比例過高,非導體的效果會超過(A)導電高分子的導電效果,造成抗靜電膜的表面電阻值太高,而無法導電。發明人又進一步發現,由於(A)導電高分子與(B)烷氧基矽烷分別為可導電體與非導電體,兩者之間的比例會影響導電高分子組成物溶液的導電性,因此,除了上述(A)導電高分子與(B)烷氧基矽烷分別的比例外,為能達到抗靜電膜所需要的較佳表面電阻值,兩者之間存在一個重量比範圍,(B)烷氧基矽烷/(A)導電高分子介於35~100之間。
而(C)溶劑的部分,考量(A)導電高分子為水溶性,而(B)烷氧基矽烷為溶於有機溶劑,於物理特性方面,(A)導電高分子與(B)烷氧基矽烷彼此不互溶。更考量到是應用於平面顯示器中,希望控制固化溫度在120℃以下等等,還必須達到塗佈時的均勻性,本案發明人經過多次研究與實驗後,提出上述說明的(C)溶劑成份與比例範圍。
至於(D)流平劑,較佳選用雙極性的流平劑,能與(A)導電組合物與(B)烷氧基矽烷互溶。(D)流平劑佔導電高分子組成物溶液的比例也可能會影響到導電高分子組成物溶液固化後的膜硬度。由於目前抗靜電膜的使用多數應用於顯示面板,例如液晶顯示面板,製程上會將抗靜電塗佈溶液塗佈在偏光板與玻璃基板之間,或是玻璃基板與顯示單元模組之間。在會與玻璃基板接觸的應用例中,較佳包含(D)流平劑,原因是導電高分子組成物溶液所含的矽與玻璃間具有極性;(D)流平劑較佳為不含氟的,可以使導電高分子組成物溶液於塗佈過程中穩定,整齊的排列、堆疊(即,具有方向性的整齊堆疊),固化後能形成緻密的堆疊結構層。因此,製作於玻璃上的 應用例中,流平劑的選擇與比例錯誤的話,將無法整齊排列形成於玻璃上。而(D)流平劑佔導電高分子組成物溶液比例若大於1.0wt%,實驗結果測得其固化膜硬度下降;反之,(D)流平劑佔導電高分子組成物溶液比例若小於0.01wt%,可能會影響抗靜電膜的流平性(尤其是當抗靜電膜形成於玻璃基板上時)。
依據本發明提供的上述導電高分子組成物溶液,本發明同時揭示使用其形成固化膜/抗靜電膜的製程方法,以及包含上述抗靜電膜的平面顯示器。
本發明提供抗靜電膜的製程方法,是將上述導電高分子組成物溶液塗佈於所需的載板上後,進行乾燥固化,形成抗靜電膜。如同上述說明,導電高分子組成物溶液同時包含親水性與疏水性的成份,因此在製備上需注意先混合可以互溶的成份後,並且使混合液中包含雙極性的成分後,在加入其他成份。例如先混合親水性的成份、加入雙極性成份,最後再加入疏水性成份,或是反向操作。例如:(S1)將(B)烷氧基矽烷溶於沸點介於55℃~120℃之間的低沸點溶劑;(S2)加入沸點介於170℃~250℃之間且與水互溶的高沸點溶劑;(S3)加入水;以及(S4)加入(A)導電組合物,以形成導電高分子組成物溶液。製備好導電高分子組成物溶液後,接著,(S5)將上述導電高分子組成物溶液塗佈於所需載板(例如玻璃基板)上;以及(S6)於80℃~150℃下烘烤3~30分鐘,以形成抗靜電膜。
依據本發明提供的上述導電高分子組成物溶液以及其抗靜電膜的製程方法,本發明同時提供包含上述抗靜電膜的平面顯示器結構,如圖1所示為依據本發明之一實施例所繪製的LCD平面顯示器10。須注意的是,圖1與以下敘述中以液晶顯示面板(LCD顯示面板)為例說明,但並非用以限 制本發明,本發明的導電高分子組成物溶液以及其抗靜電膜可以應用於其他種類的顯示器或操作面板。
本案所提供的抗靜電膜在應用時會直接覆蓋於顯示器的偏光片上,且位於顯示器的出光側。如圖1所示的LCD平面顯示器10,依序包含背光模組101、下偏光板102、顯示元件模組103、上偏光板104、抗靜電膜105以及保護玻璃106,其中顯示元件模組103包含下基板、TFT(薄膜電晶體)元件層、下電極、液晶層、上電極、彩色濾光片、上基板,此部分由於直接套用習知結構,因此未繪示於圖式中;並且,於觸控平面顯示器的實施例中,顯示元件模組103還可以包含觸控感測元件層,本案上述實施例與圖式僅為說明之用,並非用以限制本發明之應用。並且如同上說明抗靜電膜只要直接覆蓋於顯示器的偏光片,且位於顯示器的出光側(以圖1來說,與上偏光板104接觸且位於靠近保護玻璃106之側)即可,因此於本發明的其他實施例中,抗靜電膜105可以位於顯示元件模組103與上偏光板104之間。
而於其他類型的平面顯示器,例如圖2所示的OLED顯示面板20,其依序包含下基板201、顯示元件模組202、上基板203、偏光片204以及抗靜電膜205,並且此實施例中出光側位於顯示元件模組202靠近偏光片204之一側。顯示元件模組202包含陰極、電子傳輸層、發光層、電洞傳輸層、陽極,此部分套用習知技術,因此未繪示於圖式中。於其他OLDE顯示面板的實施例中,同樣可以選擇性包含觸控感測元件層;另外,下基板201與上基板203並不限定為硬基板、可撓性基板或軟基板,下基板201與上基板203可以為玻璃基板,或是有機材料堆疊層,在此不做限制。並且如同前所述說明抗靜電膜,只要直接覆蓋於顯示器的偏光片且位於顯示器的出光側即可,因此於本發明的其他實施例中,抗靜電膜205可以是位於偏光片204與上基板203之間,且直接覆蓋/接觸偏光片204。
以下提供本發明不同實施例之詳細內容,以更加明確說明本發明,然而本發明並不受限於下述實施例。
依據本發明之第一實施例,導電高分子組成物溶液包含成份(A1)PEDOT:PSS,佔導電高分子組成物溶液的0.1wt%;(B1)TEOS,佔導電高分子組成物溶液的3.5wt%;(C1)中的低沸點溶劑使用IPA,高沸點溶劑使用NMP,並且水:低沸點溶劑:高沸點溶劑的重量比例為22:66:12;以及(D1)聚醚改性矽氧烷類流平劑,含量350ppm。其中,(B1)/(A1)的比值為35。依照上述說明的製備原則與步驟調製成導電高分子組成物溶液。
依據本發明之第二實施例,導電高分子組成物溶液包含成份(A2)PEDOT:PSS,佔導電高分子組成物溶液的0.1wt%;(B2)TEOS,佔導電高分子組成物溶液的4.75wt%;(C2)中的低沸點溶劑使用IPA,高沸點溶劑使用DMSO,並且水:低沸點溶劑:高沸點溶劑的重量比例為22:66:12;以及(D2)聚醚改性矽氧烷類流平劑,含量350ppm。其中,(B2)/(A2)的比值為48。依照上述說明的製備原則與步驟調製成導電高分子組成物溶液。
依據本發明之第三實施例,導電高分子組成物溶液包含成份(A3)PEDOT:PSS,佔導電高分子組成物溶液的0.1wt%;(B3)TEOS,佔導電高分子組成物溶液的5.5wt%;(C3)中的低沸點溶劑使用IPA,高沸點溶劑使用EG,並且水:低沸點溶劑:高沸點溶劑的重量比例為22:66:12;以及(D3)聚醚改性矽氧烷類流平劑,含量350ppm。其中,(B3)/(A3)的比值為55。依照上述說明的製備原則與步驟調製成導電高分子組成物溶液。
依據本發明之第四實施例,導電高分子組成物溶液包含成份(A4)PEDOT:PSS,佔導電高分子組成物溶液的0.08wt%;(B4)TEOS,佔導電高分子組成物溶液的3.5wt%;(C4)中的低沸點溶劑使用IPA,高沸點溶劑使用NMP,並且水:低沸點溶劑:高沸點溶劑的重量比例為22:66:12;以及(D4)聚醚改性矽氧烷類流平劑,含量350ppm。其中,(B4)/(A4)的比值為44。依照上述說明的製備原則與步驟調製成導電高分子組成物溶液。
依據本發明之第五實施例,導電高分子組成物溶液包含成份(A5)PEDOT:PSS,佔導電高分子組成物溶液的0.04wt%;(B5)TEOS,佔導電高分子組成物溶液的3.2wt%;(C5)中的低沸點溶劑使用乙醇,高沸點溶劑使用NMP,並且水:低沸點溶劑:高沸點溶劑的重量比例為22:66:12;以及(D5)聚醚改性矽氧烷類流平劑,含量350ppm。其中,(B5)/(A5)的比值為80。依照上述說明的製備原則與步驟調製成導電高分子組成物溶液。
依據本發明之第六實施例,導電高分子組成物溶液包含成份(A6)PEDOT:PSS,佔導電高分子組成物溶液的0.03wt%;(B6)TMOS,佔導電高分子組成物溶液的1.05wt%;(C6)中的低沸點溶劑使用IPA,高沸點溶劑使用NMP,並且水:低沸點溶劑:高沸點溶劑的重量比例為22:66:12;以及(D6)聚醚改性矽氧烷類流平劑,含量350ppm。其中,(B6)/(A6)的比值為35。依照上述說明的製備原則與步驟調製成導電高分子組成物溶液。
依據本發明之第七實施例,導電高分子組成物溶液包含成份(A7)PEDOT:PSS,佔導電高分子組成物溶液的0.03wt%;(B7)TEOS,佔導電高分子組成物溶液的1.05wt%;(C7)中的低沸點溶劑使用IPA,高沸點 溶劑使用EG,並且水:低沸點溶劑:高沸點溶劑的重量比例為17:81:2;以及(D7)聚醚改性矽氧烷類流平劑,含量350ppm。其中,(B7)/(A7)的比值為35。依照上述說明的製備原則與步驟調製成導電高分子組成物溶液。
依據本發明之第八實施例,導電高分子組成物溶液包含成份(A8)PEDOT:PSS,佔導電高分子組成物溶液的0.01wt%;(B8)TEOS,佔導電高分子組成物溶液的1wt%;(C8)中的低沸點溶劑使用IPA,高沸點溶劑使用EG,並且水:低沸點溶劑:高沸點溶劑的重量比例為17:81:2;以及(D8)聚醚改性矽氧烷類流平劑,含量350ppm。其中,(B8)/(A8)的比值為100。依照上述說明的製備原則與步驟調製成導電高分子組成物溶液。
為使本發明之功效更容易理解,同時使用第一比較例至第三比較例與本發明上述的第一至第八實施例做比較,以下提供第一至第三比較例所包含的成份,以及測試方法與結果的詳細說明。
第一比較例包含(A11)PEDOT:PSS,佔導電高分子組成物溶液的0.005wt%;(B11)TEOS,佔導電高分子組成物溶液的0.5wt%;以及(C11)溶劑包含低沸點溶劑、高沸點溶劑以及水,其中的低沸點溶劑使用酒精,高沸點溶劑使用NMP,並且水:低沸點溶劑:高沸點溶劑的重量比例為5:93:2。沒有添加流平劑,並且(B11)/(A11)的比值為100。同樣依照上述說明的製備原則與步驟調製成導電高分子組成物溶液。
第二比較例包含(A12)PEDOT:PSS,佔導電高分子組成物溶液的0.01wt%;(B12)TEOS,佔導電高分子組成物溶液的1wt%;(C12)溶劑包含低沸點溶劑、高沸點溶劑以及水,其中的低沸點溶劑使用酒精,高沸點溶劑使用EG,並且水:低沸點溶劑:高沸點溶劑的重量比例為1:84: 15;以及(D12)聚醚改性矽氧烷類流平劑,含量350ppm。其中,(B12)/(A12)的比值為100。同樣依照上述說明的製備原則與步驟調製成導電高分子組成物溶液。
第三比較例包含(A13)PEDOT:PSS,佔導電高分子組成物溶液的0.03wt%;(B13)TEOS,佔導電高分子組成物溶液的3.6wt%;(C13)溶劑包含低沸點溶劑、高沸點溶劑以及水,其中的低沸點溶劑使用酒精,高沸點溶劑使用NMP,並且水:低沸點溶劑:高沸點溶劑的重量比例為22:66:12;以及(D13)聚醚改性矽氧烷類流平劑,含量350ppm。其中,(B13)/(A13)的比值為120。同樣依照上述說明的製備原則與步驟調製成導電高分子組成物溶液。
如同上述說明,抗靜電膜為能達到其功用,電阻值(Ω/m2)需要在106~1012之間,且較佳是在108~1010的範圍內。又由於平面顯示器的生產,產線上以滾輪來進行傳送、移動,並且顯示器中的不同元件可能會經由不同廠商進行生產,之後再進行產品的封裝、外殼的組裝等。一般為了防止元件在產線上、運送過程中的刮傷與其他損傷,對於可能設置於最外層的抗靜電膜來說,硬度的要求在5H以上。而產品的穩定性也很重要,耐候性方面也有一定的要求。因此,對第一至第三比較例與第一至第八實施例分別進行表面電阻值(Ω/m2)、硬度(H)、以及耐候性的測試,詳細說明如下。
將上述第一至第三比較例以及第一至第八實施例,依照上述說明的抗靜電膜的製程方法,將製備好第一至第三比較例、第一至第八實施例塗佈於玻璃基板上後進行烘烤乾燥,分別形成抗靜電膜。之後其分別進行檢測。表面電阻值(Ω/m2)與硬度(H)皆可以直接經由測量得到,而耐候性的測試方法,是將各比較例與實施例所形成的抗靜電膜,在溫度95℃以上的水中浸泡16小時之後,測試其表面電阻值,電阻值的變化必須要小於2 次方(次方變化範圍小於等於1)的範圍內才算穩定,並且較佳是次方不會產生變化。測試結果如下表一所示,而為能使測試結果一目瞭然,表二所示為將表一的測試結果,符號的方式進行分類,可以明顯看出第一至第八實施例都有通過測試標準,並且成份比例範圍上述說明的較佳範圍中的實施例,也再相關測試項目上具有較佳的測試結果。另外,雖然未於表格中標示出,但塗佈於基板上後的流平性部分,第一至第三比較例與第一至第八實施例中,不含流平劑的第一比較例塗佈於基板上後的流平性明顯較其他實施例與比較例差。
實驗結果由實施例8、及比較例2可窺見導電高分子與有機溶劑類聚合物、單體等不易均勻混合之問題;由實施例6、實施例7、及比較例3可窺見(B)烷氧基矽烷/(A)導電高分子的比值過高,抗靜電膜的表面電阻值會過高,而無法導電。而雖然本案的(A)導電組合物可以選用PEDOT:PSS是為已知市售組合物,但常規的PEDOT:PSS上不足應用做為抗靜電膜。例如特表2004-532292記載了用於消除PEDOT:PSS水分散體的各個缺點的方法,該方法將水分散體的一部分溶劑用低級醇等易與水混合的有機溶劑替代,從而用作含水有機溶劑分散體。由於一般情況下黏合劑聚合物或其原料單體在醇中的溶解性不是很好,同時使用有機溶劑類黏合劑聚合物或單體時,有時發生塗層的透明度低等不良情況,可以明確了解其應用上的困難。而依據本發明提供的上述導電高分子組成物溶液,可以製作出符合需求的抗靜電膜。
雖然本發明已以實施例揭露如上,然其並非用以限定本發明。任何該領域中具有通常知識者,在不脫離本發明之精神和範圍內,當 可作些許之更動與潤飾。因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

Claims (9)

  1. 一種導電高分子組成物溶液,其包含:(A)導電高分子,其包含:Π共軛體系導電性高分子;以及具有多價陰離子之高分子,其中所述具有多價陰離子之高分子係摻雜於所述Π共軛體系導電性高分子中;(B)烷氧基矽烷化合物,其佔所述導電高分子組成物溶液的重量百分範圍為大於1wt%、5.5wt%以下;以及(C)溶劑,其包含:沸點介於55℃~120℃之間的低沸點溶劑;沸點介於170℃~250℃之間且與水互溶的高沸點溶劑;以及水,其中所述低沸點溶劑佔所述(C)溶劑的55~81wt%,所述高沸點溶劑佔所述(C)溶劑的1~15wt%,且所述水佔所述(C)溶劑的10~30wt%。
  2. 如請求項1所述之導電高分子組成物溶液,其中所述導電高分子組成物溶液的黏度介於3~5cp之間。
  3. 如請求項1所述之導電高分子組成物溶液,其中所述(A)導電高分子為聚(3,4-伸乙二氧基噻吩)-聚苯乙烯磺酸酯。
  4. 如請求項1所述之導電高分子組成物溶液,其中所述(A)導電高分子佔所述導電高分子組成物溶液的重量百分範圍介於0.01~0.1wt%之間。
  5. 如請求項1所述之導電高分子組成物溶液,其中所述(B)烷氧基矽烷化合物與所述(A)導電高分子的重量比範圍介於35~100之間。
  6. 如請求項1所述之導電高分子組成物溶液,還包含: (D)流平劑,佔所述導電高分子組成物溶液的0.01~1.0wt%。
  7. 一種抗靜電膜,由請求項1所述的導電高分子組成物溶液經塗佈與乾燥製程形成。
  8. 一種平面顯示器,包含請求項7所述的抗靜電膜。
  9. 如請求項8所述之平面顯示器,還包含偏光板,所述抗靜電膜直接覆蓋於所述偏光板。
TW106102940A 2017-01-25 2017-01-25 導電高分子組成物溶液以及其抗靜電膜與平面顯示器 TWI621703B (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW106102940A TWI621703B (zh) 2017-01-25 2017-01-25 導電高分子組成物溶液以及其抗靜電膜與平面顯示器
US15/666,390 US20180210115A1 (en) 2017-01-25 2017-08-01 Conductive composition solution and antistatic film and panel display thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW106102940A TWI621703B (zh) 2017-01-25 2017-01-25 導電高分子組成物溶液以及其抗靜電膜與平面顯示器

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TWI621703B true TWI621703B (zh) 2018-04-21
TW201827556A TW201827556A (zh) 2018-08-01

Family

ID=62639967

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW106102940A TWI621703B (zh) 2017-01-25 2017-01-25 導電高分子組成物溶液以及其抗靜電膜與平面顯示器

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20180210115A1 (zh)
TW (1) TWI621703B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20240027816A1 (en) * 2022-07-22 2024-01-25 Promethean Limited Interactive touch-screen display device with static charge dissipation and method of assembling the same

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201420720A (zh) * 2012-07-24 2014-06-01 Solvay Korea Co Ltd 導電聚合物組合物及由其製成之透明電極和/或防靜電層

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201420720A (zh) * 2012-07-24 2014-06-01 Solvay Korea Co Ltd 導電聚合物組合物及由其製成之透明電極和/或防靜電層

Also Published As

Publication number Publication date
US20180210115A1 (en) 2018-07-26
TW201827556A (zh) 2018-08-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5027164B2 (ja) 高導電性、透明性及び耐湿性を有するポリチオフェン系導電性高分子組成物、並びにこれを利用した高分子膜
US7393474B2 (en) Conductive coating composition for protective film and method for producing coating layer using the same
CN102282017B (zh) 使用导电聚合物的组合物的层和结构
KR20090041243A (ko) 전도성 고분자 용액 조성물을 이용한 고분자 막
CN106811009A (zh) 导电高分子组合物溶液以及其抗静电膜与平面显示器
KR101181322B1 (ko) 전도성 고분자 전극층을 구비한 투명전극 필름
US9460826B2 (en) Conductive composition for forming a ground electrode of a liquid crystal display, and a method of forming a ground electrode using the same
KR102063665B1 (ko) 플렉서블 투명전도성 전극구조체
KR101048893B1 (ko) 방오성 대전방지 폴리에스테르 필름
TWI621703B (zh) 導電高分子組成物溶液以及其抗靜電膜與平面顯示器
WO2014016194A1 (en) Conductive polymer composition and transparent electrode and/or antistatic layer made therefrom
JP6717584B2 (ja) 導電性塗液及び導電性塗膜
TW201422711A (zh) 具有高粘性和高導電率的導電性高分子組合物
KR102089311B1 (ko) 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101986607B1 (ko) 대전방지용 유무기 하이브리드 조성물의 제조방법 및 이에 의해 제조된 조성물을 포함하는 유무기 하이브리드 필름
KR20090073062A (ko) 편광 필름용 대전방지 코팅 조성물 및 이를 이용한 대전방지 편광 필름
KR101022035B1 (ko) 전도성 고분자 용액 조성물을 이용한 비반사 효과가 향상된고분자 막
KR100955522B1 (ko) 편광 필름용 대전방지 코팅 조성물 및 이를 이용한대전방지 편광 필름
JP2015036400A (ja) インク組成物、透明導電膜、及び電子部品
KR20150051105A (ko) 전도성 박막 형성용 조성물 및 이의 제조방법
KR20130082350A (ko) 저굴절 화합물을 포함하는 전도성 고분자 코팅 조성물을 이용한 전도성 고분자 막
KR20150068685A (ko) 액정표시장치의 배면전극 형성용 도전성 조성물
Yamamoto et al. 74‐2: Invited Paper: Highly Reliable Dielectric Interlayers for Flexible Displays and e‐Paper
KR20140064063A (ko) 액정표시장치의 배면전극 형성용 도전성 조성물의 제조방법
KR100733686B1 (ko) 진공성형용 전도성 코팅조성물 및 포장재